JP2007140623A - Memory failure detection device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、メモリ故障検出装置であって、特に複数のメモリブロックで構成されているメモリの故障検出装置に関する。 The present invention relates to a memory failure detection device, and more particularly to a memory failure detection device configured by a plurality of memory blocks.
多くの設定情報を保存する装置のメモリは、通常、複数のメモリブロックから構成される。例えば、装置の設定、伝送経路の設定など多くの情報を保存する必要がある伝送装置では、それらの情報を主バックアップメモリに保存している。その主バックアップメモリは、一般に複数のメモリチップで構成され、各メモリチップは複数のメモリブロックから構成されている。すなわち、主バックアップメモリは複数のメモリブロックで構成されており、各メモリブロックに前記の設定情報等が記憶されている。そして、主バックアップメモリのようなメモリの故障検出では、メモリブロック単位で故障検出する方法が用いられている。 The memory of a device that stores a large amount of setting information is usually composed of a plurality of memory blocks. For example, in a transmission apparatus that needs to store a lot of information such as apparatus settings and transmission path settings, the information is stored in a main backup memory. The main backup memory is generally composed of a plurality of memory chips, and each memory chip is composed of a plurality of memory blocks. That is, the main backup memory is composed of a plurality of memory blocks, and the setting information and the like are stored in each memory block. In detecting a failure of a memory such as a main backup memory, a method of detecting a failure in units of memory blocks is used.
具体的には、メモリブロックにデータを書き込む前に、データにチェックサムやCRCなどの故障検出確認データを付加する。そして、このデータをメモリブロックに書き込んで記憶させ、さらに読み出しを行なった後に、記憶前後の故障検出確認データに差異があるか否かにより、故障したメモリブロックを検出する。 Specifically, before writing data to the memory block, failure detection confirmation data such as a checksum or CRC is added to the data. Then, this data is written and stored in the memory block, and after further reading, the failed memory block is detected depending on whether or not the failure detection confirmation data before and after storage is different.
従来のメモリ故障検出装置は、メモリを構成する複数のメモリブロックに対して、周期的に、或いは書き込み、読み出しを行なうタイミングで上記の故障検出を行い、故障を1つでも検出した場合には、メモリ全体として故障と判定するように構成されている。そして、故障と判定された場合には、メモリを用いた装置本体に故障を通知する構成となっている。 The conventional memory failure detection device performs the above-described failure detection periodically or at the timing of writing or reading with respect to a plurality of memory blocks constituting the memory, and when even one failure is detected, The entire memory is configured to be determined as a failure. And when it determines with a failure, it has the structure which notifies a failure to the apparatus main body using memory.
なお、チェックサムによる故障検出方法は特許文献1に開示されている。 A failure detection method using a checksum is disclosed in Patent Document 1.
従来の故障検出方法を用いたメモリ故障検出装置では、メモリとして機能する必要最低数のメモリブロックが使用可能であっても、メモリブロックの故障が1つでも発生すればメモリ全体の故障と判定するため、このメモリを用いる装置は稼動を停止しなければならないという問題があった。また、メモリブロック単位で故障を検出しているにもかかわらず、故障したメモリブロックを特定する情報を取得できないという不具合があった。 In a memory failure detection apparatus using a conventional failure detection method, even if the minimum necessary number of memory blocks functioning as a memory can be used, it is determined that a failure of the entire memory occurs even if one memory block failure occurs. Therefore, there is a problem that the apparatus using this memory has to be stopped. In addition, there is a problem in that information for identifying a failed memory block cannot be acquired even though a failure is detected in units of memory blocks.
本発明は上記の問題を解消するためになされたものであり、故障したメモリブロックが少ない場合は、メモリの使用を中断せずに済み、また、故障したメモリブロックを特定する情報を取得できるメモリ故障検出装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problem. When there are few failed memory blocks, it is not necessary to interrupt the use of the memory, and the memory that can acquire information for identifying the failed memory block is obtained. An object is to provide a failure detection apparatus.
請求項1に記載のメモリ故障検出装置は、複数のメモリブロックを備えるメモリの故障検出装置であって、前記メモリの故障を前記メモリブロック単位で検出するブロック故障検出部と、前記ブロック故障検出部での検出結果に基づいて故障した前記メモリブロックの数をカウントするカウンタと、前記カウンタでカウントされた数が予め設定した比較値を超えた場合に故障と判定するメモリ故障判定部と、前記ブロック故障検出部での検出結果に基づいて故障した前記メモリブロックを特定する情報を外部から取得可能にするブロック故障情報取得部とを備える。 The memory failure detection device according to claim 1 is a memory failure detection device including a plurality of memory blocks, the block failure detection unit detecting the memory failure in units of the memory blocks, and the block failure detection unit. A counter that counts the number of the memory blocks that have failed based on the detection result in the memory, a memory failure determination unit that determines a failure when the number counted by the counter exceeds a preset comparison value, and the block A block failure information acquisition unit that enables acquisition of information specifying the memory block that has failed based on the detection result of the failure detection unit from the outside.
請求項1に記載のメモリ故障検出装置によれば、複数のメモリブロックを備えるメモリの一部が故障しても、故障したメモリブロックの数が予め設定された値を超えるまでは、故障と判定されないため、メモリの継続使用が可能となる。さらに、メモリ使用中であっても、故障したメモリブロックを特定する情報を外部から取得することができるため、メモリの計画的な修理、交換を行なうことが可能となり、作業品質が向上させることができる。 According to the memory failure detection device according to claim 1, even if a part of a memory including a plurality of memory blocks fails, it is determined that a failure occurs until the number of failed memory blocks exceeds a preset value. Therefore, the memory can be used continuously. In addition, even when the memory is in use, information for identifying the defective memory block can be acquired from the outside, so that it is possible to perform planned repair and replacement of the memory, which improves work quality. it can.
<実施の形態1>
図1のブロック図を用いて、本実施の形態に係るメモリ故障検出装置を説明する。本実施の形態は本発明の主要な構成部分を抽出したものである。
<Embodiment 1>
The memory failure detection apparatus according to the present embodiment will be described with reference to the block diagram of FIG. In the present embodiment, main components of the present invention are extracted.
多くの情報を記憶するメモリ1は、複数のメモリブロック2を備える。そして、本発明に係るメモリ故障検出装置は、ブロック故障検出部3、カウンタ4、メモリ故障判定部5、ブロック故障情報取得部6から構成され、メモリ1に接続されている。
A memory 1 that stores a large amount of information includes a plurality of
ブロック故障検出部3では、チェックサムまたはCRCなどの故障検出方法を用いてメモリ1の故障をメモリブロック単位で検出する。さらに、メモリ1内のすべてのメモリブロック2に対して、周期的に、或いは、書き込み・読み出しを行なうタイミングで上記の故障検出を行なうため、メモリ1は故障検出の影響を受けずに、使用を継続することができる。
The block failure detection unit 3 detects a failure in the memory 1 in units of memory blocks using a failure detection method such as checksum or CRC. Further, since the above-described failure detection is performed on all the
カウンタ4では、ブロック故障検出部3より、メモリ1内で故障したメモリブロック2の検出結果を受け取り、その結果に基づいて故障したメモリブロック2の数をカウントする。
The counter 4 receives the detection result of the
カウンタ4でカウントされた数は、メモリ故障判定部5で比較値と比較され、比較値を超えた場合にはメモリ1全体を故障と判定する。比較値とはメモリ故障検出装置に予め設定された値である。
The number counted by the counter 4 is compared with a comparison value by the memory
また、ブロック故障検出部3にはブロック故障情報取得部6が接続されている。このブロック故障情報取得部6は、ブロック故障検出部3の検出結果に基づいて、例えば後で示す記憶、点灯表示などの手段により、メモリ1の故障をメモリブロック単位で特定する情報を外部から取得可能にする部分である。 A block failure information acquisition unit 6 is connected to the block failure detection unit 3. Based on the detection result of the block failure detection unit 3, the block failure information acquisition unit 6 acquires, from the outside, information for specifying a failure of the memory 1 in units of memory blocks, for example, by means such as storage and lighting display described later. This is the part that makes it possible.
以上のように構成された本実施の形態のメモリ故障検出装置の動作を説明する。 The operation of the memory failure detection apparatus of the present embodiment configured as described above will be described.
メモリ1で故障が発生すると、ブロック故障検出部3がメモリ1内をメモリブロック単位で故障を検出する。この検出は、メモリ1の使用に影響を与えないように行なわれる。 When a failure occurs in the memory 1, the block failure detection unit 3 detects the failure in the memory 1 in units of memory blocks. This detection is performed so as not to affect the use of the memory 1.
カウンタ4は、ブロック故障検出部3の結果に基づいて、メモリ1内の故障したメモリブロック2の数をカウントする。そして、メモリ故障判定部5において、この数と予め設定された比較値とを比較し、比較値を超えた場合には故障と判定される。つまり、メモリ1全体のうち故障したメモリブロック2の数が比較値を超えた場合に、本実施の形態に係るメモリ故障検出装置はメモリ1を故障と判定する。
The counter 4 counts the number of failed
上記の動作と並行して、ブロック故障情報取得部6では、ブロック故障検出部3の検出結果に基づいて、後で示す記憶、点灯表示などの手段により、メモリ1の故障をメモリブロック単位で特定する情報を外部から取得可能にしている。 In parallel with the above operation, the block failure information acquisition unit 6 identifies a failure of the memory 1 in units of memory blocks by means of storage, lighting display, etc., which will be described later, based on the detection result of the block failure detection unit 3 Information can be obtained from outside.
以上の動作により、本実施の形態に係るメモリ故障検出装置によれば、メモリ1の一部が故障した場合でも、メモリブロック2の故障した数が装置に設定された比較値を超えるまでメモリ1は故障と判定されないため、メモリ1の継続使用が可能となる。
With the above operation, according to the memory failure detection device according to the present embodiment, even if a part of the memory 1 fails, the memory 1 is kept until the number of failures in the
また、ブロック故障情報取得部6では、メモリ1の使用中であっても、多様な手段により、メモリ1の故障をメモリブロック単位で特定する情報を外部から取得可能なため、メモリ1の計画的な修理、交換を行なうことが可能となり、作業品質が向上する。 In addition, since the block failure information acquisition unit 6 can acquire information for specifying a failure of the memory 1 in units of memory blocks by various means even when the memory 1 is being used, Repair and replacement can be performed, and work quality is improved.
本実施の形態は本発明の主要な構成部分を抽出したものであるが、現実的な実施の形態として、多くの設定情報を記憶する必要がある伝送装置のメモリに用いられるメモリ故障検出装置が想定される。以下、伝送装置の主バックアップメモリ、メモリチップに用いられるメモリ故障検出装置として、上述した技術思想を用いた実施の形態について以下説明する。 In this embodiment, the main components of the present invention are extracted. As a practical embodiment, there is a memory failure detection device used for the memory of a transmission device that needs to store a lot of setting information. is assumed. Hereinafter, an embodiment using the above-described technical concept as a memory failure detection device used for a main backup memory and a memory chip of a transmission device will be described below.
<実施の形態2>
本実施の形態に係る発明についてのブロック図を図2に示す。ここでメモリ1は、伝送装置の主バックアップメモリやメモリチップに該当する。図1と比較すると、図2ではスイッチ7と故障通知処理部8を備え、さらに、ブロック故障情報取得部6として、ブロック故障情報記憶部9を用い、メモリ故障点灯表示部10を備える。
<
A block diagram of the invention according to this embodiment is shown in FIG. Here, the memory 1 corresponds to a main backup memory or a memory chip of the transmission apparatus. Compared with FIG. 1, FIG. 2 includes a
スイッチ7はメモリ故障判定部5に接続されており、外部から比較値の設定を可能にするものである。また、メモリ故障判定部5に接続された故障通知処理部8は、メモリ故障判定部5から故障の判定を受けた場合に、伝送装置を制御するCPUやその上位制御装置などに故障の通知をする。その通知に基づいて、前記CPUやその上位制御装置などは、伝送装置自身、及び、メモリ1の制御を行なう。
The
さらに、ブロック故障情報記憶部9はブロック故障検出部3からの検出結果に基づいて、故障したメモリブロック2を特定する情報を記憶、保管する。メモリ故障点灯表示部10はカウンタ4に接続されており、カウンタ4で1以上カウントした場合に、点灯表示する。メモリ故障点灯表示部10には、例えばLEDなどが用いられる。
Further, the block failure
以上のように構成された本実施の形態のメモリ故障検出装置の動作を説明する。 The operation of the memory failure detection apparatus of the present embodiment configured as described above will be described.
メモリ1で故障が発生すると、ブロック故障検出部3がメモリ1内をメモリブロック単位で故障を検出する。この検出は、メモリ1の使用に影響を与えないように行なわれる。 When a failure occurs in the memory 1, the block failure detection unit 3 detects the failure in the memory 1 in units of memory blocks. This detection is performed so as not to affect the use of the memory 1.
カウンタ4は、ブロック故障検出部3の結果に基づいて、メモリ1内の故障したメモリブロック2の数をカウントする。そして、メモリ故障判定部5で、この数とスイッチ7より設定された比較値とを比較し、比較値を超えた場合には故障と判定する。つまり、メモリ1全体のうち故障したメモリブロック2の数が、スイッチ7から設定した比較値を超えた場合に、本実施の形態に係るメモリ故障検出装置はメモリ1を故障と判定する。メモリ故障判定部5で故障の判定をした場合、故障通知処理部8は前記CPUやその上位制御装置などに装置故障の通知をする。その通知に基づいて、前記CPUやその上位制御装置などは伝送装置自身、及び、メモリ1の制御を行なう。
The counter 4 counts the number of failed
上記の動作と並行して、ブロック故障情報記憶部9では、ブロック故障検出部3の検出結果に基づいて、メモリ1の故障をメモリブロック単位で特定する情報を記憶、保管する。また、メモリ故障点灯表示部10ではカウンタ4で1以上カウントした場合、つまり、メモリブロック2が1つでも故障した場合に点灯表示する。
In parallel with the above operation, the block failure
以上の動作により、本実施の形態に係るメモリ故障検出装置によれば、メモリ1の一部が故障した場合でも、メモリブロック2の故障した数が使用者により設定された比較値を超えるまでメモリ1は故障と判定されず、前記CPUやその上位制御装置などに故障の通知がなされないため、メモリ1の使用、及び、伝送装置の稼動を継続することが可能となる。これにより、一部のメモリ1が故障していても伝送装置の継続稼動が必要なときにはスイッチ7から比較値を上げ、伝送装置の継続稼動は不要でメモリ1の故障検出精度を上げたいときには比較値を下げるというように、使用者の要求に応じてメモリ1、伝送装置の稼動性、及び、メモリ1の故障検出精度を変更することができる。
With the above operation, according to the memory failure detection device according to the present embodiment, even when a part of the memory 1 fails, the memory until the number of failures in the
また、ブロック故障情報記憶部9では、メモリ1の故障をメモリブロック単位で特定する情報を記憶しているため、メモリ1の使用中であっても、外部端末等を接続すれば、その情報を外部から取得することができる。これにより、メモリ1の計画的な修理、交換を行なうことが可能となり、作業品質が向上する。
Further, since the block failure
メモリ故障点灯表示部10は、メモリブロックが1つでも故障した場合、つまり、メモリ1に故障が発生した場合に点灯表示する。これにより、メモリ1が故障したか否かを常時確認することができる。さらに、メモリ故障点灯表示部10で故障を確認した後に、ブロック故障情報記憶部9の情報を確認すれば、メモリ1の故障について迅速な調査を行なうことができる。
The memory failure
<実施の形態3>
本実施の形態に係る発明についてブロック図を図3に示す。図2の発明の構成と比較すると、スイッチ7の代わりにCPU11と外部端末12がメモリ故障判定部5に接続されている。
<Embodiment 3>
A block diagram of the invention according to this embodiment is shown in FIG. Compared with the configuration of the invention of FIG. 2, the
外部端末12で設定された値は、通信網、さらにCPU11を介してメモリ故障判定部5に送信され、比較値として用いられる。
The value set by the
以上のように構成された本実施の形態のメモリ故障検出装置の動作を説明する。 The operation of the memory failure detection apparatus of the present embodiment configured as described above will be described.
メモリ1で故障が発生すると、ブロック故障検出部3がメモリ1内をメモリブロック単位で故障を検出する。この検出は、メモリ1の使用に影響を与えないように行なわれる。 When a failure occurs in the memory 1, the block failure detection unit 3 detects the failure in the memory 1 in units of memory blocks. This detection is performed so as not to affect the use of the memory 1.
カウンタ4は、ブロック故障検出部3の結果に基づいて、メモリ1内の故障したメモリブロック2の数をカウントする。そして、メモリ故障判定部5で、この数と外部端末12で設定された比較値とを比較し、比較値を超えた場合には故障と判定する。つまり、メモリ1全体のうち故障したメモリブロック2の数が、通信網、さらにCPU11を介して外部端末12から遠隔的に設定した比較値を超えた場合に、本実施の形態に係るメモリ故障検出装置はメモリ1を故障と判定する。メモリ故障判定部5で故障の判定をした場合、故障通知処理部8は前記CPUやその上位制御装置などに装置故障の通知をする。その通知に基づいて、前記CPUやその上位制御装置などは伝送装置自身、及び、メモリ1の制御を行なう。
The counter 4 counts the number of failed
上記の動作と並行して、ブロック故障情報記憶部9では、ブロック故障検出部3の検出結果に基づいて、メモリ1の故障をメモリブロック単位で特定する情報を記憶、保管する。また、メモリ故障点灯表示部10ではカウンタ4で1以上カウントした場合、つまり、メモリブロック2が1つでも故障した場合に点灯表示する。
In parallel with the above operation, the block failure
以上の動作により、本実施の形態に係るメモリ故障検出装置によれば、メモリ1の一部が故障した場合でも、メモリブロック2の故障した数が遠く離れた使用者により設定された比較値を超えるまでメモリ1は故障と判定されず、前記CPUやその上位制御装置などに故障の通知がなされないため、メモリ1の使用、及び、伝送装置の稼動を継続することが可能となる。これにより、一部のメモリ1がの故障していても伝送装置の継続稼動が必要なときには遠隔的に外部端末12から比較値を上げ、伝送装置の継続稼動は不要でメモリ1の故障検出精度を上げたいときには比較値を下げるというように、使用者の要求に応じてメモリ1、伝送装置の稼動性、及び、メモリ1の故障検出精度を変更することができる。また、伝送装置の場合、近くに使用者がいないことが多い。そのため、遠隔からの比較値の設定が可能になることにより、迅速な比較値の変更、使用者が伝送装置まで移動する時間の削除が可能となる。
With the above operation, according to the memory failure detection device according to the present embodiment, even if a part of the memory 1 fails, the comparison value set by the user who is far away from the number of failures in the
また、ブロック故障情報記憶部9では、メモリ1の故障をメモリブロック単位で特定する情報を記憶しているため、メモリ1の使用中であっても、外部端末等を接続すれば、その情報を外部から取得することができる。これにより、メモリ1の計画的な修理、交換を行なうことが可能となり、作業品質が向上する。
Further, since the block failure
メモリ故障点灯表示部10は、メモリブロックが1つでも故障した場合、つまり、メモリ1に故障が発生した場合に点灯表示する。これにより、メモリ1が故障したか否かを常時確認することができる。さらに、メモリ故障点灯表示部10で故障を確認した後に、ブロック故障情報記憶部9の情報を確認すれば、メモリ1の故障について迅速な調査を行なうことができる。
The memory failure
<実施の形態4>
本実施の形態に係る発明についてブロック図を図4に示す。図2の発明の構成と比較すると、ブロック故障情報記憶部9とメモリ故障点灯表示部10の代わりに、ブロック故障点灯表示部13がブロック故障検出部3に接続されている。
<Embodiment 4>
FIG. 4 shows a block diagram of the invention according to this embodiment. Compared with the configuration of the invention of FIG. 2, a block failure
ブロック故障点灯表示部13は、ブロック故障検出部3からの検出結果に基づいて、故障したメモリブロック2を特定する情報を点灯表示する。例えば、このブロック故障点灯表示部13を、メモリブロック2と同数のLED14で構成し、メモリブロック2と1対1に対応させて、故障したメモリブロック2を点灯表示する。或いは、この対応関係を複数のLED14による点灯の組み合わせに対応させれば、LEDの個数を削減することができる。
Based on the detection result from the block failure detection unit 3, the block failure
以上のように構成された本実施の形態のメモリ故障検出装置の動作を説明する。 The operation of the memory failure detection apparatus of the present embodiment configured as described above will be described.
メモリ1で故障が発生すると、ブロック故障検出部3がメモリ1内をメモリブロック単位で故障を検出する。この検出は、メモリ1の使用に影響を与えないように行なわれる。 When a failure occurs in the memory 1, the block failure detection unit 3 detects the failure in the memory 1 in units of memory blocks. This detection is performed so as not to affect the use of the memory 1.
カウンタ4は、ブロック故障検出部3の結果に基づいて、メモリ1内の故障したメモリブロック2の数をカウントする。そして、メモリ故障判定部5で、この数とスイッチ7より設定された比較値とを比較し、比較値を超えた場合には故障と判定する。つまり、メモリ1全体のうち故障したメモリブロック2の数が、スイッチ7から設定した比較値を超えた場合に、本実施の形態に係るメモリ故障検出装置はメモリ1を故障と判定する。メモリ故障判定部5で故障の判定をした場合、故障通知処理部8は前記CPUやその上位制御装置などに装置故障の通知をする。その通知に基づいて、前記CPUやその上位制御装置などは伝送装置自身、及び、メモリ1の制御を行なう。
The counter 4 counts the number of failed
上記の動作と並行して、ブロック故障点灯表示部13では、ブロック故障検出部3の検出結果に基いて、メモリ1の故障をメモリブロック単位で特定する情報を点灯表示する。
In parallel with the above operation, the block failure
以上の動作により、本実施の形態に係るメモリ故障検出装置によれば、メモリ1の一部が故障した場合でも、メモリブロック2の故障した数が使用者により設定された比較値を超えるまでメモリ1は故障と判定されず、前記CPUやその上位制御装置に故障の通知がなされないため、メモリ1の使用、及び、伝送装置の稼動を継続することが可能となる。これにより、一部のメモリ1が故障していても伝送装置の継続稼動が必要なときにはスイッチ7から比較値を上げ、伝送装置の継続稼動は不要でメモリ1の故障検出精度を上げたいときには比較値を下げるというように、使用者の要求に応じてメモリ1、伝送装置の稼動性、及び、メモリ1の故障検出精度を変更することができる。
With the above operation, according to the memory failure detection device according to the present embodiment, even when a part of the memory 1 fails, the memory until the number of failures in the
また、ブロック故障点灯表示部13では、メモリ1の故障をメモリブロック単位で特定する情報を点灯表示しているため、メモリ1の使用中であっても、外部からその情報を取得することができる。また、メモリブロック2が1つでも故障すれば点灯表示するため、メモリ1が故障したか否かについて常時確認することが可能となる。これにより、計画的な修理、交換を行なうことが可能となり、作業品質が向上する。得られる効果としては図2の構成とほぼ同じであるが、いずれの構成にするかは回路の簡略化、コストなどの要請により決めればよい。
Further, since the block failure
1 メモリ、2 メモリブロック、3 ブロック故障検出部、4 カウンタ、5 メモリ故障判定部、6 ブロック故障情報取得部、7 スイッチ、8 故障通知処理部、9 ブロック故障情報記憶部、10 メモリ故障点灯表示部、11 CPU、12 外部端末、13 ブロック故障点灯表示部、14 LED。
1 memory, 2 memory block, 3 block failure detection unit, 4 counter, 5 memory failure determination unit, 6 block failure information acquisition unit, 7 switch, 8 failure notification processing unit, 9 block failure information storage unit, 10 memory failure lighting display Part, 11 CPU, 12 external terminal, 13 block failure lighting display part, 14 LED.
Claims (8)
前記メモリの故障を前記メモリブロック単位で検出するブロック故障検出部と、
前記ブロック故障検出部での検出結果に基づいて故障した前記メモリブロックの数をカウントするカウンタと、
前記カウンタでカウントされた数が予め設定した比較値を超えた場合に故障と判定するメモリ故障判定部と、
前記ブロック故障検出部での検出結果に基づいて故障した前記メモリブロックを特定する情報を外部から取得可能にするブロック故障情報取得部と、
を備えるメモリ故障検出装置。 A memory failure detection apparatus comprising a plurality of memory blocks,
A block failure detection unit for detecting a failure of the memory in units of the memory block;
A counter that counts the number of the memory blocks that have failed based on the detection result in the block failure detection unit;
A memory failure determination unit that determines failure when the number counted by the counter exceeds a preset comparison value;
A block failure information acquisition unit that enables external acquisition of information identifying the memory block that has failed based on the detection result in the block failure detection unit;
A memory failure detection apparatus comprising:
をさらに備える請求項1に記載のメモリ故障検出装置。 The memory failure detection device according to claim 1, further comprising a switch for setting the comparison value from the outside.
をさらに備える請求項1に記載のメモリ故障検出装置。 The memory failure detection device according to claim 1, further comprising means for remotely setting the comparison value via a communication network.
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のメモリ故障検出装置。 The memory failure detection device according to claim 1, wherein the block failure information acquisition unit includes a block failure information storage unit that stores failure information in units of the memory blocks.
をさらに備える請求項4に記載のメモリ故障検出装置。 The memory failure detection device according to claim 4, further comprising a memory failure lighting display unit for lighting and displaying the failure of the memory when the counter counts 1 or more.
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のメモリ故障検出装置。 The memory failure detection device according to claim 1, wherein the block failure information acquisition unit includes a block failure lighting display unit that lights and displays a failure in units of the memory blocks.
前記メモリの故障を前記メモリブロック単位で検出するブロック故障検出部と、
前記ブロック故障検出部での検出結果に基づいて故障した前記メモリブロックの数をカウントするカウンタと、
前記カウンタでカウントされた数が予め設定した比較値を超えた場合に故障と判定するメモリ故障判定部と、
を備えるメモリ故障検出装置。 A memory failure detection apparatus comprising a plurality of memory blocks,
A block failure detection unit for detecting a failure of the memory in units of the memory block;
A counter that counts the number of the memory blocks that have failed based on the detection result in the block failure detection unit;
A memory failure determination unit that determines failure when the number counted by the counter exceeds a preset comparison value;
A memory failure detection apparatus comprising:
前記メモリの故障を前記メモリブロック単位で検出するブロック故障検出部と、
前記ブロック故障検出部での検出結果に基づいて故障した前記メモリブロックを特定する情報を外部から取得可能にするブロック故障情報取得部と、
を備えるメモリ故障検出装置。
A memory failure detection apparatus comprising a plurality of memory blocks,
A block failure detection unit for detecting a failure of the memory in units of the memory block;
A block failure information acquisition unit that enables external acquisition of information identifying the memory block that has failed based on the detection result in the block failure detection unit;
A memory failure detection apparatus comprising:
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---|---|
JP (1) | JP2007140623A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9135111B2 (en) | 2011-03-28 | 2015-09-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and bad area managing method thereof |
JP2017110934A (en) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | In-vehicle control device |
-
2005
- 2005-11-15 JP JP2005329619A patent/JP2007140623A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9135111B2 (en) | 2011-03-28 | 2015-09-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and bad area managing method thereof |
JP2017110934A (en) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | In-vehicle control device |
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