JP2007095953A - Semiconductor device sorting method and semiconductor device sorting device - Google Patents
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Abstract
【課題】市場出荷後に不良品となる可能性の高い半導体装置を効率良く排除することができる半導体装置の選別方法、及び半導体装置の選別装置を提供する。
【解決手段】選別対象の半導体装置が形成されたウエハ主面を複数領域に区分し、前記半導体装置の製造過程で実施された検査により取得された検査データに基づいて、各区分領域の検査不良率を算出する。当該検査不良率に基づいて、各領域が不良領域であるか正常領域であるかを判定し、不良領域に属する半導体装置を全て不良品とした選別データを生成する。これにより、前記検査において良品とされた半導体装置の中から、不良品とすべき半導体装置を不良化した選別データを生成することができる。
【選択図】図3
A semiconductor device sorting method and a semiconductor device sorting device that can efficiently eliminate semiconductor devices that are likely to be defective after market shipment.
A wafer main surface on which a semiconductor device to be selected is formed is divided into a plurality of regions, and an inspection defect in each divided region is based on inspection data acquired by an inspection performed in the manufacturing process of the semiconductor device. Calculate the rate. Based on the inspection defect rate, it is determined whether each area is a defective area or a normal area, and selection data in which all semiconductor devices belonging to the defective area are defective products is generated. As a result, it is possible to generate selection data in which a semiconductor device that should be a defective product is made defective among the semiconductor devices that are determined to be non-defective products in the inspection.
[Selection] Figure 3
Description
本発明は、半導体ウエハ上に形成された半導体装置を良品と不良品に選別する半導体装置の選別方法及び半導体装置の選別装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device sorting method and a semiconductor device sorting device for sorting a semiconductor device formed on a semiconductor wafer into a non-defective product and a defective product.
従来から、半導体装置の製造工程では、ウエハ上に形成された複数の半導体装置(以下、適宜、チップという。)を良品と不良品に選別するための各種検査が実施されている。このような検査として、例えば、ウエハ上に形成された配線等のパターン変形の有無や異物付着の有無等を検査する欠陥検査、ウエハ上の傷や配線層間膜の膜厚異常の有無等を検査する外観検査、完成されたチップが仕様どおりに動作するか否かを検査する電気的検査等がある。そして、全ての検査において良品と判定されたチップのみが、良品チップとして選別され、パッケージ封止工程や出荷工程に進められる。 2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor device manufacturing process, various inspections for sorting a plurality of semiconductor devices (hereinafter referred to as chips as appropriate) formed on a wafer into non-defective products and defective products have been performed. As such inspections, for example, defect inspection for inspecting the presence or absence of pattern deformation of the wiring formed on the wafer, adhesion of foreign matter, etc., inspection for the presence of scratches on the wafer and film thickness abnormality of the wiring interlayer film, etc. Visual inspection, and electrical inspection for inspecting whether the completed chip operates as specified. Only chips that are determined to be non-defective products in all inspections are selected as non-defective chips, and are advanced to a package sealing process or a shipping process.
一般に、ウエハ上には、同一の回路構造を有するチップが多数配置されているため、上述の各検査結果は、チップのウエハ上での座標等の位置情報と対応づけて所定の記憶装置に保持されている。そして、チップが良品であるか不良品であるかの判定は、当該記憶装置に記憶されているチップ位置ごとの各検査結果に基づいてなされている(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、近年の半導体装置では、低消費電力化や高機能化に伴って、微細な配線が多数層に渡って形成されるようになり、製造工程において、成膜、露光、エッチング等の加工回数が増大している。このため、各加工工程における加工寸法ばらつき等の加工ばらつきが多数重なり、形成されたチップの電気特性や機能特性等の特性のウエハ面内での均一性が低下している。また、近年のウエハの大口径化もチップ特性の面内均一性を低下させる要因となっている。 However, in recent semiconductor devices, fine wirings are formed over many layers with low power consumption and high functionality, and the number of processing such as film formation, exposure, etching, etc. in the manufacturing process. Has increased. For this reason, many processing variations such as processing size variations in each processing step are overlapped, and the uniformity of characteristics such as electrical characteristics and functional characteristics of the formed chip in the wafer surface is lowered. Also, the recent increase in wafer diameter is a factor that reduces the in-plane uniformity of chip characteristics.
このため、各加工工程において実施される工程内検査(線幅、膜厚、ウエハに付着したパーティクル数等の外観上検査や抵抗値等の電気的検査)において良品とする規格範囲を狭くする等により各加工工程での加工ばらつきを低減するとともに、完成されたチップに対して実施される完成品検査(電気特性や機能特性等の電気的検査)において良品とする規格範囲を狭くする等により、最終的に良品として選別されるチップの特性ばらつきを小さくしている。 For this reason, in-process inspections (line width, film thickness, number of particles attached to the wafer, etc., appearance inspection such as the number of particles adhering to the wafer and electrical inspection such as resistance values) performed in each processing step are narrowed. In addition to reducing processing variations in each processing step, by narrowing the standard range to be non-defective products in finished product inspection (electrical inspection such as electrical characteristics and functional characteristics) performed on completed chips, etc. The variation in the characteristics of chips finally selected as non-defective products is reduced.
しかしながら、上述のようにして良品として選別されたチップのみが市場に出荷されているにもかかわらず、市場出荷後に、不良品(初期不良、及び、使用途中における偶発的不良)となるチップが存在している。このよう市場出荷後に不良品となるチップ(以下、潜在的不良品という。)の中には、上記検査において良品判定規格限界近傍で良品と判定されたチップ(以下、不良規格値近傍の良品という。)が、使用途中に劣化や特性変動により不良品になったものが含まれていると考えられる。 However, there are chips that become defective products (initial failures and accidental failures during use) after shipment, even though only the chips selected as good products as described above are shipped to the market. is doing. Among such chips that become defective products after market shipment (hereinafter referred to as potential defective products), chips that are determined to be non-defective products near the limit of non-defective product determination standards in the above inspection (hereinafter referred to as non-defective products near defective standard values). )) Is considered to be defective due to deterioration or characteristic fluctuation during use.
このような潜在的不良品となるチップは、出荷前に不良品として選別されることが望まれる。しかしながら、全ての検査項目において良品と判定されているチップを不良品として選別することは不可能である。一方、潜在的不良品となるチップを不良品として選別するために、検査における規格範囲をさらに狭くするという方策が考えられる。当該方策を採用した場合、上記不良規格値近傍の良品は全て不良品となるが、潜在的不良品ではない多数のチップ(良品と判定してもよいチップ)も不良品として選別されてしまうため、チップの製造歩留まりを著しく低下させることになる。 It is desired that chips that become such potentially defective products are sorted as defective products before shipment. However, it is impossible to select chips that are determined as non-defective products in all inspection items as defective products. On the other hand, in order to select a chip that is a potentially defective product as a defective product, a method of further narrowing the standard range in inspection can be considered. When this measure is adopted, all non-defective products in the vicinity of the above-mentioned defective standard value become defective products, but many chips that are not potentially defective products (chips that may be determined as non-defective products) are also selected as defective products. As a result, the manufacturing yield of the chip is significantly reduced.
本発明は、上記従来の事情を鑑みて提案されたものであり、潜在的不良品となる可能性の高い半導体装置を効率良く排除することができる半導体装置の選別方法、及び半導体装置の選別装置を提供することを目的とする。 The present invention has been proposed in view of the above-described conventional circumstances, and a semiconductor device sorting method and a semiconductor device sorting device that can efficiently eliminate a semiconductor device that is likely to become a potential defective product. The purpose is to provide.
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を採用している。すなわち、本発明に係る半導体装置の選別方法は、まず、選別対象の半導体装置の製造過程で実施された検査により取得された検査データに基づいて、前記検査において良品とされる半導体装置の中から、不良品とすべき半導体装置を特定する。次いで、当該特定された半導体装置、及び前記検査において不良品とされる半導体装置を不良品として選別することにより、ウエハ上に形成された半導体装置を良品と不良品に選別する。 In order to achieve the above object, the present invention employs the following means. That is, according to the semiconductor device sorting method of the present invention, first, based on the inspection data acquired by the inspection performed in the manufacturing process of the semiconductor device to be selected, the semiconductor device is determined as non-defective in the inspection. The semiconductor device that should be a defective product is specified. Next, the identified semiconductor device and the semiconductor device that is determined as a defective product in the inspection are selected as defective products, whereby the semiconductor device formed on the wafer is selected as a good product and a defective product.
不良品とすべき半導体装置の特定は、例えば、選別対象の半導体装置が形成されたウエハ主面を複数の領域に区分した状態で行われる。このとき、区分された各領域に属する半導体装置の不良率または良品率が上記検査データに基づいて算出される。そして、算出された不良率または良品率が、不良化判定基準を満足するか否かが判定され、不良化判定基準を満足すると判定された領域に属する全ての半導体装置が不良品とすべき半導体装置として特定される。 The identification of a semiconductor device to be a defective product is performed, for example, in a state where the main surface of the wafer on which the semiconductor device to be sorted is formed is divided into a plurality of regions. At this time, the defect rate or non-defective rate of the semiconductor devices belonging to each divided area is calculated based on the inspection data. Then, it is determined whether or not the calculated defect rate or non-defective product rate satisfies the defect determination criterion, and all semiconductor devices belonging to the region determined to satisfy the defect determination criterion should be defective. Identified as a device.
上記区分された1つの領域は一体である必要はなく、例えば、半導体装置を形成する露光工程における露光単位ごとに共通の領域区分を行い、各露光単位において同じ位置の領域を1つの領域としてもよい。また、同一ロットに属する各ウエハに共通の領域区分を行い、各ウエハにおいて同じ位置の領域を1つの領域として区分することもできる。 The divided one area does not need to be integrated. For example, a common area division is performed for each exposure unit in an exposure process for forming a semiconductor device, and an area at the same position in each exposure unit is defined as one area. Good. It is also possible to classify the areas common to the wafers belonging to the same lot and classify the areas at the same position in each wafer as one area.
また、不良品とすべき半導体装置の特定は、上記検査データに基づいて行うこともできる。この場合、上記検査において不良品とされる半導体装置が集中して存在するウエハ上の領域が上記検査データに基づいて特定され、当該特定された領域に属する全ての半導体装置が不良品とすべき半導体装置とされる。 Also, the semiconductor device that should be a defective product can be specified based on the inspection data. In this case, an area on the wafer where semiconductor devices that are defective in the inspection are concentrated is specified based on the inspection data, and all semiconductor devices belonging to the specified area should be defective. A semiconductor device is used.
このような不良集中領域の特定は、例えば、不良品とされる半導体装置が隣接して存在し、その周囲が良品である半導体装置により囲まれた領域を抽出することにより行うことができる。また、半導体装置を形成する加工工程において使用される加工装置の加工分布に基づいて設定された領域内の不良数に基づいて不良集中領域を特定することも可能である。さらに、前記検査データにおいて、予め設定された閾値以上の不良数が含まれた一連の単位領域を抽出することにより特定することもできる。 Such a defect concentration region can be identified by, for example, extracting a region surrounded by semiconductor devices that are adjacent to defective semiconductor devices and that are surrounded by non-defective semiconductor devices. It is also possible to specify the defect concentration area based on the number of defects in the area set based on the processing distribution of the processing apparatus used in the processing step for forming the semiconductor device. Furthermore, the inspection data can be specified by extracting a series of unit areas including the number of defects equal to or greater than a preset threshold value.
一方、他の観点では、本発明は上述の選別方法を具現化する半導体装置の選別装置を提供することもできる。当該選抜装置は、選別対象となるウエハを特定可能なウエハ指定情報が入力される入力部を備えている。検査データ取得部は、入力されたウエハ指定情報により特定されるウエハ上の半導体装置の製造過程で実施された検査の結果が記録された検査データを、例えば、検査データが一括して格納されている外部記憶装置から取得する。そして、不良化領域特定部が、検査データ取得部が取得した検査データに記録されている検査結果と、当該検査結果に対応づけて検査データに記録されている半導体装置の位置情報とに基づいて、上記検査において良品とされる半導体装置の中から、不良品とすべき半導体装置を特定する。この後、選別データ生成部が、不良化領域特定部により不良品とすべき半導体装置と特定された半導体装置、及び上記検査において不良品とされる半導体装置を不良品として記録した選別データを生成する。 On the other hand, in another aspect, the present invention can also provide a semiconductor device sorting apparatus that embodies the sorting method described above. The selection apparatus includes an input unit to which wafer designation information capable of specifying a wafer to be selected is input. The inspection data acquisition unit stores the inspection data in which the results of the inspection performed in the process of manufacturing the semiconductor device on the wafer specified by the input wafer designation information are recorded, for example, the inspection data is collectively stored. From the external storage device. Then, the defective area specifying unit is based on the inspection result recorded in the inspection data acquired by the inspection data acquiring unit and the position information of the semiconductor device recorded in the inspection data in association with the inspection result. The semiconductor device that should be defective is identified from the semiconductor devices that are determined to be non-defective in the inspection. Thereafter, the sorting data generation unit generates sorting data in which the semiconductor device identified as a defective device by the defective area identification unit and the semiconductor device that is identified as a defective product in the inspection are recorded as defective products. To do.
本発明によれば、市場に出荷された後に不良品となる潜在的不良品である可能性が高いチップを不良品として効率良く排除することができ、市場に出荷される半導体装置の品質を向上させることができる。 According to the present invention, a chip that is likely to be a defective product after being shipped to the market can be efficiently eliminated as a defective product, and the quality of semiconductor devices shipped to the market is improved. Can be made.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の選別装置により構成される選別システムの構成を示す概略構成図であり、図2は、当該選別装置1のより詳細な構成を示す構成図である。また、図3は、当該選別装置1の選別処理を説明するフロー図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of a sorting system including a semiconductor device sorting apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a configuration diagram illustrating a more detailed configuration of the
まず、図1に基づいて、本実施形態の選別装置が使用される環境について簡単に説明する。図1に示すように、本実施形態に係る選別装置1は、従来から半導体装置の選別に使用されている、例えば、欠陥検査装置31、外観検査装置32、電気特性検査装置33等の各種検査装置からなる検査装置群3において実施された各種検査の結果を用いて半導体装置の選別を行う。
First, based on FIG. 1, the environment where the sorting apparatus of this embodiment is used will be briefly described. As shown in FIG. 1, the
ここで、欠陥検査装置31は、ウエハ上に付着した異物の有無や、配線のパターン変形等のパターン欠陥の有無等を検査する装置である。当該欠陥検査は、半導体装置の製造過程の所定の工程において、工程内検査として実施される。また、外観検査装置32は、ウエハ上の傷、成膜された膜の膜異常等のウエハ表面の異常を検査する装置である。当該外観検査は、欠陥検査と同様に、半導体装置の製造過程の所定の工程において、工程内検査として実施される。さらに、電気特性検査装置33は、半導体装置チップが仕様どおりの動作を行うか否か等を、電気特性を計測することにより検査する装置である。当該電気特性検査は、通常、半導体装置の形成が完了した後に実施される。
Here, the
各検査装置31、32、33は、それぞれの検査結果を半導体装置(チップ)の位置情報とともに出力するように構成されている。欠陥検査装置31から出力され、欠陥検査データ格納部21に格納される欠陥検査データには、例えば、チップ内で計数された欠陥数及び当該チップが不良品であるか否かを示すフラグ(例えば、良品は「0」、不良品は「1」)が当該チップの座標と対応づけて記録されている。また、外観検査装置32から出力され、外観検査データ格納部22に格納される外観検査データには、例えば、チップにおける外観異常の種別を示すフラグ、及び当該チップが不良品であるか否かを示すフラグが当該チップの座標と対応づけて記録されている。さらに、電気特性検査装置33から出力され、電気特性検査データ格納部23に格納される電気特性検査データには、例えば、チップの各種電気特性検査項目の計測値、及び当該チップが不良品であるか否かを示すフラグが当該チップの座標と対応づけて記憶されている。なお、本実施形態では、各検査データ格納部21、22、23は、各検査装置31、32、33にネットワーク等を介して接続されたHDD(Hard Disk Drive)等の公知の記憶装置2により構成されており、各検査データが記憶装置2に一括して記憶される構成になっている。
Each
また、ここでは、検査データが取得された被検査ウエハを特定するためのウエハ番号やロット番号等の情報、及び、工程内検査により取得された検査データには、検査データが取得された工程を特定するための情報が、各検査データのファイル名やヘッダデータとして記録されている。 In addition, here, information such as a wafer number and a lot number for specifying a wafer to be inspected from which inspection data has been acquired, and inspection data acquired by in-process inspection include the process from which inspection data has been acquired. Information for specifying is recorded as a file name and header data of each inspection data.
そして、選別装置1は、記憶装置2に記憶された各種検査データを、ネットワーク等を介して読出し、当該検査データに基づいて、以下に詳述するように、当該検査データに対応する検査において良品とされるチップの中から不良品とすべきチップを特定する。そして、不良品とすべきチップと検査データにおいて不良品とされたチップとを不良品として選別し、当該選別結果を選別データとして出力する。当該選別データには、例えば、チップが不良品であるか否かを示すフラグと当該チップの座標とが対応づけて記録されている。本実施形態では、選別装置1から出力された選別データは、記憶装置2に設けられた選別データ格納部24に記憶される構成になっている。なお、上述の各検査データと同様に、選別データのファイル名やヘッダデータには、被選別ウエハを特定するためのウエハ番号やロット番号等の情報が識別可能な状態で記録されている。
The
記憶装置2の選別データ格納部24に記憶された選別データは、ネットワーク等を介して組立装置4により読み出され、組立装置4が当該選別データに基づいて、ウエハ上の各チップの物理的な選別を行う。ここで、組立装置4とは、例えば、ウエハ上の良品チップと不良品チップとを外観上区別することが可能となるように、不良品チップの表面にインクによるマーキングを行うマーキング装置や、チップの表面あるいは裏面に識別文字等をマーキングするレーザマーキング装置である。また、組立装置4は、ダイシング後に良品チップのみをピックアップし、当該チップをパッケージ部材等にダイボンドする、あるいは、当該チップをチップトレイ等のチップ保管用容器に格納する装置であってもよい。
The sorting data stored in the sorting
なお、以上で説明した各検査データ、及び選別データのデータ形式は、特に限定されるものではなく、各装置間でのデータの授受が可能な形式であればよい。 Note that the data format of each inspection data and selection data described above is not particularly limited, and any data format may be used as long as data can be exchanged between the apparatuses.
以下、本実施形態に係る選別装置1の詳細な構成をその動作とともに説明する。図2に示すように、選別装置1は、操作者が選別対象となるウエハを指定する情報(例えば、ロット番号やウエハ番号)を入力する入力部16を備える。入力部16にウエハ指定情報が入力されると、データ取得部11が、指定されたウエハが被検査ウエハとなっている全ての検査データ(ここでは、欠陥検査データ、外観検査データ、電気特性検査データ)、あるいは、一部の検査データ(例えば、電気特性検査データ)を記憶装置2の各検査データ格納部21、22、23から読み出し、当該検査データを一時的に記憶する(図3 S1→S2)。
Hereinafter, the detailed configuration of the
また、上記検査データの取得後、あるいは上記検査データの取得と並行して、不良化領域特定部10を構成する領域設定部12が、入力されたウエハ指定情報により指定されたウエハ上に形成されているチップの種別を特定する。本実施形態では、領域設定部12が、上記ウエハ指定情報とチップの種別(製品種別)とを対応づけるデータを記憶している。そして、領域設定部12は、特定したチップ種別に基づいて、RAM等のメモリやHDD等の記憶装置により構成される基本情報記憶部13から指定されたチップ種別に対応する基本情報を読み出す(図3 S3)。
In addition, after acquiring the inspection data or in parallel with the acquisition of the inspection data, an
基本情報は、ウエハ情報、ショット情報、設備処理特性情報等により構成されており、これらの情報はチップ種別に対応づけて基本情報格納部13に格納されている。ここで、基本情報を構成する各情報について説明する。
The basic information includes wafer information, shot information, equipment processing characteristic information, and the like, and these pieces of information are stored in the basic
まず、ウエハ情報は、上記検査データに記録されている各チップ座標とウエハ上の位置とを対応づけるデータであり、チップの物理的寸法やチップ面積等を含んでいる。また、ショット情報は、ウエハ上にチップを構成する回路をステップアンドリピート法により転写する露光工程において、1回の露光(ショット)により転写されたチップ群を識別するデータである。当該ショット情報は、例えば、各ショットにより形成されたチップ群の配置周期、各ショットのウエハ上での位置を示す座標、あるいは、各ショット内において同一位置となるチップの座標等により構成される。そして、上記設備処理特性情報は、チップ製造に使用された加工設備の処理特性を示すデータである。ここで、処理特性とは、例えば、成膜装置における膜厚分布や、エッチング装置におけるエッチングレート分布等の加工設備に起因してウエハ上に生じる分布の傾向等を指す。また、当該情報には、加工設備に故障等の異常が生じた場合に、ウエハ上に生じる不具合の分布傾向、例えば、ある設備では、設備異常時に、ウエハの中央部に不具合(加工不具合、製造条件逸脱)が生じやすい等の情報が含まれている。当該設備処理特性情報は、例えば、後述の領域区分方法を指定するフラグやウエハ上に生じる分布形状を示すデータ等により構成される。 First, the wafer information is data that associates each chip coordinate recorded in the inspection data with a position on the wafer, and includes the physical dimensions of the chip, the chip area, and the like. The shot information is data for identifying a chip group transferred by one exposure (shot) in an exposure process in which a circuit constituting a chip is transferred onto the wafer by a step-and-repeat method. The shot information includes, for example, an arrangement cycle of a chip group formed by each shot, coordinates indicating the position of each shot on the wafer, or coordinates of a chip at the same position in each shot. The equipment processing characteristic information is data indicating the processing characteristics of the processing equipment used for chip manufacture. Here, the processing characteristics refer to, for example, a distribution tendency generated on a wafer due to processing equipment such as a film thickness distribution in a film forming apparatus and an etching rate distribution in an etching apparatus. In addition, the information includes a distribution tendency of defects that occur on the wafer when an abnormality such as a failure occurs in the processing equipment. For example, in some equipment, in the case of equipment abnormality, a defect (processing defect, manufacturing Information such as a condition deviation is likely to occur. The facility processing characteristic information includes, for example, a flag for designating a region segmentation method, which will be described later, data indicating a distribution shape generated on the wafer, and the like.
以上のような、基本情報を取得した領域設定部12は、チップが形成されたウエハの主面を複数の領域に区分し、各領域に属するチップを特定する(図3 S4)。このとき、区分する領域の数や領域の大きさ等は特に限定されるものではない。
The
例えば、図4、及び図5は、領域設定部12がウエハ41の主面を複数の領域に区分する際の区分領域の例を示す図である。なお、周知のように、半導体装置の特性は、ウエハの結晶方位に依存して変動するため、半導体装置の各製造工程では、ウエハを常に同一の方向に向けた状態で加工が行われる。したがって、ウエハの主面を複数の領域に区分する場合においても、ウエハの向きを規定する必要がある。したがって、図4、及び図5では、このようなウエハの向きを特定するために用いられるウエハの外周の一部に形成されていたノッチ42(あるいは、オリエンテーションフラット)を、図面において下方(6時方向)に位置させている。
For example, FIG. 4 and FIG. 5 are diagrams illustrating examples of segmented regions when the
図4(a)は、ウエハ41の中心で直交する2本の直線からなる区分線L1、L2によりウエハ41の主面を4分割(領域A1からA4)した状態を示す図である。図4(b)は、互いに平行な複数の直線からなる区分線L1、L2、・・・、Ln-1によりウエハ41の主面を水平方向にN分割(領域A1からAn)した状態を示す図である。図4(c)は、互いに平行な複数の直線からなる区分線L1、L2、・・・、Ln-1によりウエハ41の主面を垂直方向にN分割(領域A1からAn)した状態を示す図である。図4(d)は、ウエハ41中心に中心を有する複数の同心円からなる区分線L1、L2、・・・、Ln-1により、ウエハ41の主面をN分割(領域A1からAn)した状態を示す図である。図4(e)は、ウエハ41の中心で交差する複数本の直線からなる、区分線L1、L2、・・・、Ln/2により、ウエハ41の主面を放射状にN分割(領域A1からAn)した状態を示す図である。なお、上記区分方法は、単独で用いる必要はなく、複合的に組み合わせた領域に区分してもよい。例えば、図4(f)は、図4(a)に示した4分割と、図4(e)に示した、同心円分割とを組み合わせてウエハ41の主面をN分割した状態を示している。
FIG. 4A is a diagram illustrating a state in which the main surface of the
また、図5(a)は、上記ウエハ情報及びショット情報に基づいて、チップを形成する露光工程におけるショット(露光単位)ごとに共通の領域区分(ここでは、9領域(領域A1〜A9))を行い、各ショット51において同一の位置にある領域を1つの領域として区分した状態を示している。当該区分では、1つの区分領域は一体となっておらず、各ショット51に分散されている。さらに、図5(b)は、上記ウエハ情報に基づいて、1つのチップを1つの領域として区分した状態を示す図である。 FIG. 5A shows a common area division (here, 9 areas (areas A1 to A9)) for each shot (exposure unit) in an exposure process for forming a chip based on the wafer information and shot information. And the area at the same position in each shot 51 is shown as one area. In the section, one section area is not integrated and is distributed to each shot 51. Further, FIG. 5B is a diagram showing a state where one chip is divided into one region based on the wafer information.
以上のような領域区分の形状は、領域設定部12に予め設定されており、例えば、上述のチップ種別や基本情報、あるいは操作者からの入力に基づいていずれかの区分形状が適宜選択される。また、図4(a)〜(f)に例示した領域区分を行う場合、区分線がチップ上に位置する場合があるが、このようなチップは、例えば、チップの中心点が存在する領域に属するものとすればよい。
The shape of the region segment as described above is set in advance in the
以上、図4、及び図5に例示したような、ウエハ主面の領域区分が完了すると、領域設定部12は、例えば、各領域に属するチップの座標等の領域区分情報を、不良化領域特定部10内の良否判定部14に出力する。
As described above, when the area division of the main surface of the wafer as illustrated in FIGS. 4 and 5 is completed, the
良否判定部14は、領域区分情報に基づいて領域設定部12が区分した各領域に属するチップの検査データを検査データ取得部11から順次読み出し、各区分領域における検査不良率を算出する(図3 S5)。検査不良率とは、対象となる領域に含まれる総チップ数に対する、当該領域に含まれる総不良品数の割合である。なお、総不良品数は、検査データに含まれるフラグを計数することにより容易に求めることが可能である。また、検査データ取得部11が指定されたウエハに対する複数種の検査データを取得している場合、少なくとも1つの検査において不良品とされたチップは検査不良品として計数され、検査不良率が算出される。
The pass /
そして、良否判定部14は、予め設定されている不良化判定基準に基づいて算出した検査不良率が不良化判定基準を満たしているか否かを判定する(図3 S6)。本実施形態では、不良化判定基準として特定の不良率が設定されており、良否判定部14は、上記検査不良率が特定の不良率以上である場合、当該領域が不良領域であると判定する。また、検査不良率が上記特定の不良率未満である領域は、良否判定部は当該領域を正常領域と判定する。なお、ここでは、検査不良率を演算したが、良否判定部14が検査良品率を演算した場合でも、同様の判定を行えることはいうまでもない。この場合、上記不良化判定基準として特定の良品率が設定され、検査良品率が当該特定の良品率以下である場合、当該領域は不良領域であると判定される。
And the
良否判定部14は、上記判定の結果を選別データ生成部15に通知する。選別データ生成部15は、良否判定部14から通知された情報に基づいて、不良領域と判定された領域に属するチップを全て不良化する(図3 S6Yes→S7)。ここで、不良化とは、指定されたウエハの検査データでは良品とされたチップを不良品とすることである。本実施形態では、選別データ生成部15が、検査データ取得部11が検査データを取得した際に、当該検査データに基づいて検査において不良品であるか否かを示すフラグを当該チップの座標と対応づけたデータを生成している。そして、選別データ生成部15は、良否判定部14からの通知に基づいて、当該データの不良領域に属するチップの全てに不良品を示すフラグを記録することで不良化を行っている。このとき、選別データ生成部15は正常領域に属するチップの良否判定フラグに対しては変更を行わない。
The
以上のようにして生成された選別データは、選別データ生成部15から記憶装置2に出力され(図3 S8)、上記組立装置4により使用される。なお、不良領域が存在しない場合には、選別データ生成部15は、検査データにおいて不良品生成した選別データとして出力する(図3 S6No→S8)。
The sorting data generated as described above is output from the sorting
図6は、上述の処理によるチップの選別の具体例を示す図である。図6では、領域設定部12が、上記基本情報に基づいて、ウエハの主面を、区分線L1、L2より同心円状の3つの領域に区分する例を示している(図4(d)参照)。上述したように、この区分方法では、区分線L1、L2は、チップ上を通過する。ここでは、各チップは、その中心点が含まれる領域に属している。なお、図6では、各チップ43を矩形で示すとともに、各領域の境界を太線で示している。
FIG. 6 is a diagram showing a specific example of chip selection by the above-described processing. FIG. 6 shows an example in which the
図6(a)に示すように、各領域A1、A2、A3に属するチップが領域設定部12により特定されると、良否判定部14が、検査データ取得部11が取得した検査データに基づいて各領域A1、A2、A3の検査不良率を算出する。なお、図6(a)では、検査データによる良否判定を、良品を丸印(○)、不良品をバツ印(×)により各チップ43上に示している。
As shown in FIG. 6A, when the chips belonging to each of the areas A1, A2, and A3 are specified by the
図7は、図6(a)に示した各領域A1、A2、A3の検査不良率を示す図である。図7に示すように、各領域の検査不良率は、領域A1が8.3%、領域A2が10%、領域A3が71.1%である。ここで、本事例では、不良化判定基準として、不良率56%が良否判定部14に設定されている。このため、良否判定部14は、領域A1、及び領域A2を正常領域と判定し、領域A3を不良領域と判定する。当該判定により、選別データ生成部15は、不良領域A3に属する全てのチップを不良化する。この結果、図6(b)に示すような、領域A3のチップ43が全て不良品とされた選別データが生成部15から出力される。
FIG. 7 is a diagram illustrating the inspection failure rate of each of the areas A1, A2, and A3 illustrated in FIG. As shown in FIG. 7, the inspection defect rate of each region is 8.3% for region A1, 10% for region A2, and 71.1% for region A3. Here, in this example, a defect rate of 56% is set in the pass /
図6(a)に示したような検査不良品の分布は、例えば、半導体基板の表面部に不純物イオンを注入し、不純物拡散領域を拡散させる拡散工程において生じることがある。このため、検査不良率が高い領域A3において良品であるチップは、領域A3において不良品とされた他のチップと同種の不良要因を有し、特性ばらつきにより検査の良品判定規格に入っている可能性が高い。このため、市場出荷されてから不良品となる潜在的不良品である可能性が高い。以上説明したように、本発明によれば、このような潜在的不良品を確実に排除することができる。 The distribution of defective products as shown in FIG. 6A may occur, for example, in a diffusion process in which impurity ions are implanted into the surface portion of the semiconductor substrate to diffuse the impurity diffusion region. For this reason, a chip that is non-defective in the area A3 with a high inspection defect rate has the same type of defect factor as other chips that are defective in the area A3, and can meet the non-defective standard for inspection due to characteristic variations. High nature. For this reason, it is highly possible that the product is a potential defective product that becomes a defective product after being shipped to the market. As described above, according to the present invention, such a potential defective product can be surely eliminated.
また、図8は、上述の処理によるチップの選別の他の具体例を示す図である。図8では、領域設定部12が、上記基本情報に基づいて、ウエハの主面を、チップを形成する露光工程におけるショット51ごとに共通の領域区分を行い、各ショット51において同一の位置にある領域を1つの領域として区分した状態を示している(図5(a)参照)。本事例では、図8(a)に示すように、ショット51が9個のチップ43からなり、各ショット51において同一位置にあるチップが、1つの区分領域に属している。
FIG. 8 is a diagram showing another specific example of chip selection by the above-described processing. In FIG. 8, the
図8(a)に示すように、各領域A1〜A9に属するチップが領域設定部12により特定されると、良否判定部14が、検査データ取得部11が取得した検査データに基づいて各領域A1〜A9の検査不良率(ここでは、不良数)を算出する。図8(b)は、本事例の選別対象ウエハの検査データによる良否判定を示す図である。図8(b)では、図6(a)と同様に、良品を丸印(○)、不良品をバツ印(×)として各チップ43上に示している。
As shown in FIG. 8A, when the chips belonging to the respective regions A1 to A9 are specified by the
図8(b)では、領域A8の不良個数が5個であり、他の領域に比べて突出して多くなっている。ここで、本事例では、不良化判定基準として、不良率5個(不良率40%)が良否判定部14に設定されている。このため、良否判定部14は領域A8を不良領域と判定する。当該判定により、選別データ生成部15は、不良領域A8に属する全てのチップを不良化する。この結果、図8(c)に示すような、領域A8のチップ43が全て不良品とされた選別データが生成部15から出力される。なお、図8(b)、(c)では、領域A8を太線で示している。
In FIG. 8B, the number of defects in the area A8 is 5, which is larger than the other areas. Here, in this example, 5 defective rates (40% defective rate) are set in the pass /
図8(a)に示したような検査不良品の分布は、例えば、露光工程において使用するレチクル(あるいは、マスク)の表面への異物付着や、露光時のフォーカスずれ等が生じた場合に生じることがある。このため、不良数が多い領域A8において良品であるチップは、領域A8において不良品とされた他のチップと同種の不良要因を有し、特性ばらつきにより検査の良品判定規格に入っている可能性が高い。このため、市場出荷されてから不良品となる潜在的不良品である可能性が高い。以上説明したように、本発明によれば、このような潜在的不良品を確実に排除することができる。 The distribution of defective inspections as shown in FIG. 8A occurs when, for example, foreign matter adheres to the surface of a reticle (or mask) used in the exposure process, or a focus shift occurs during exposure. Sometimes. For this reason, a chip that is non-defective in the area A8 with a large number of defects has the same type of defect factor as other chips that are defective in the area A8, and may be in a non-defective standard for inspection due to characteristic variations. Is expensive. For this reason, it is highly possible that the product is a potential defective product that becomes a defective product after being shipped to the market. As described above, according to the present invention, such a potential defective product can be surely eliminated.
さらに、図9は、上述の処理によるチップの選別のさらに他の具体例を示す図である。図9では、領域設定部12が、上記基本情報に基づいて、ウエハの主面を、1つのチップを1つの領域として区分した状態を示している(図5(b)参照)。通常、半導体装置の製造工程では、例えば、25枚のウエハを1単位としたロット単位で半導体装置の製造が行われている。本事例の区分法は、このようなロット内の一連のウエハの選別に好適である。
Further, FIG. 9 is a diagram showing still another specific example of chip selection by the above-described processing. FIG. 9 shows a state in which the
上記のように区分された各領域に属するチップが領域設定部12により特定されると、良否判定部14が、検査データ取得部11が取得した検査データに基づいて各領域の検査不良率(ここでは、不良数)を算出する。図9(a)は、良否判定部14が計数した、各領域の検査不良品数の値を示す図である。図9(a)において、各チップ43上に示す数字が各領域における検査不良数である。例えば、不良数が3である場合、ロット内の3枚のウエハに検査不良品が存在することを意味している。
When chips belonging to each of the regions classified as described above are specified by the
本事例では、不良化判定基準として、不良率19個(不良率76%)が良否判定部14に設定されている。このため、良否判定部14は、図9(a)に太線で示した領域を不良領域と判定する。当該判定により、選別データ生成部15は、当該不良領域に属する全てのチップを不良化する。すなわち、選別データ生成部15は、検査対象となった一連のウエハの各ウエハの選別データとして、図9(b)に示すような、上記不良領域のチップ43を全て不良品とした選別データを出力する。ここで、選別データ生成部15には、各ウエハの選別データを生成する際に、図9(b)に太線で示す領域の不良化を行うだけであり、他の領域のチップに対しては検査結果の変更は行わない。
In this example, 19 defect rates (76% defect rate) are set in the pass /
同一のロットに属するウエハは、同時期に同一の装置により加工が行われているため、同一原因の不良が生じやすい傾向にある。このため、不良数が多い領域において良品であるチップは、当該領域において不良品とされた他のチップと同種の不良要因を有し、特性ばらつきにより検査の良品判定規格に入っている可能性が高い。このため、市場出荷されてから不良品となる潜在的不良品である可能性が高い。以上説明したように、本発明によれば、このような潜在的不良品を確実に排除することができる。 Since wafers belonging to the same lot are processed by the same apparatus at the same time, defects having the same cause tend to occur. For this reason, a chip that is non-defective in an area with a large number of defects has the same type of defect factor as other chips that are defective in that area, and may be in the non-defective standard for inspection due to characteristic variations. high. For this reason, it is highly possible that the product is a potential defective product that becomes a defective product after being shipped to the market. As described above, according to the present invention, such a potential defective product can be surely eliminated.
ところで、上記では領域設定部12が、予め設定されている区分形状を適宜選択し、ウエハ主面を複数の領域に区分する事例について説明した。しかしながら、領域設定部12は、検査データに基づいて不良化を行う領域を設定してもよい。図10は、領域設定部12が、検査データ取得部11が取得した検査データに基づいて不良化を行う領域を特定する場合の、半導体装置の選別方法を示すフロー図である。
By the way, the case where the
図3に示したフロー図と同様に、入力部16にウエハ指定情報が入力されると、データ取得部11が、指定されたウエハが被検査ウエハとなっている全ての検査データ、あるいは、一部の検査データを記憶装置2から読み出し、当該検査データを一時的に記憶する(図10 S1→S2)。次に、領域設定部12は、上記検査データを取得した後、あるいは検査データの取得と並行して、入力されたウエハ指定情報により指定されたウエハ上に形成されているチップ種別を特定し、対応する基本情報を基本情報記憶部13から読み出す(図10 S3)。
Similar to the flowchart shown in FIG. 3, when wafer designation information is input to the
さて、本事例では、次に、領域設定部12が、検査データ取得部11が取得した検査データに基づいて検査不良チップが集中する領域を抽出する(図10 S11)。
In this example, next, the
ここでは、上記不良集中領域は、検査データにおいて、予め設定された閾値以上の不良数が含まれた一連の単位領域を抽出することにより特定することもできる。例えば、図11(a)では、2×2のチップで構成される領域を単位領域46とし、例えば、2個以上の不良チップが存在する一連の単位領域46を不良集中領域45として特定している。すなわち、このようにして特定された不良集中領域45では、いずれの単位領域46(例えば、図11(a)に、破線で示す領域46a、46b、46c)においても2個以上の不良チップを含んでいる。
Here, the defect concentration area can also be specified by extracting a series of unit areas including the number of defects equal to or greater than a preset threshold value in the inspection data. For example, in FIG. 11A, an area composed of 2 × 2 chips is set as a unit area 46, and for example, a series of unit areas 46 in which two or more defective chips are present is specified as a
以上のようにして、不良集中領域45を特定すると、領域設定部12は、例えば、不良集中領域45に属するチップの座標等の領域区分情報と、当該領域が不良集中領域45である旨を良否判定部14に通知する。この場合、良否判定部14は、不良集中領域45と設定された領域を直ちに不良領域と判定する。
When the
良否判定部14は、上記判定の結果を選別データ生成部15に通知する。選別データ生成部15は、良否判定部14から通知された情報に基づいて、不良領域と判定された領域に属するチップを全て不良化する(図10 S12Yes→S13)。以降、図3に示した例と同様に、生成された選別データは、選別データ生成部15から記憶装置2に出力され(図10 S8)、上記組立装置4により使用される。なお、不良領域が存在しない場合には、選別データ生成部15は、検査データに基づいて生成したデータを選別データとして出力する(図10 S12No→S8)。
The
以上の不良化により、選別データ生成部15は、例えば、図11(a)に示したウエハ41では、図11(b)に示すように、不良集中領域45内のチップ43を全て不良品とした選別データを出力する。
As a result of the above-described failure, the sorting
上述したように、不良数が多い不良集中領域において検査上良品であるチップは、当該領域において検査上不良品とされた他のチップと同種の不良要因を有し、特性ばらつきにより検査の良品判定規格に入っている可能性が高い。このため、市場出荷されてから不良品となる潜在的不良品である可能性が高い。以上説明したように、本発明によれば、このような潜在的不良品を確実に排除することができる。また、本事例では、検査データに応じて、このような不良集中領域を抽出し、不良領域として特定しているため、より適切に不良化領域を設定することができる。 As described above, a chip that is non-defective in inspection in a defect concentration area with a large number of defects has the same type of defect factor as other chips that are inferior in inspection in that area. There is a high possibility that it is within the standard. For this reason, it is highly possible that the product is a potential defective product that becomes a defective product after being shipped to the market. As described above, according to the present invention, such a potential defective product can be surely eliminated. Further, in this example, since such a defect concentration area is extracted and specified as a defect area according to the inspection data, the defect area can be set more appropriately.
なお、上記不良集中領域の抽出は、上記検査データ及び上記ウエハ情報に基づいて、領域設定部12が、ウエハ上の不良チップ位置を図示したマップを作成し、当該マップにおいて、上記設備処理特性情報として記録されている加工分布形状に類似の形状を探索することにより行うことができる。このような類似形状の探索は、公知のパターンマッチング技術を利用して行うことが可能である。
The extraction of the defect concentration area is performed by the
あるいは、上記不良集中領域は、上記検査データにおいて、特定の検査項目が不良とされているチップに隣接するチップを含む領域を不良集中領域として特定することもできる。このような特定は、上述した拡散工程のシート抵抗異常や、成膜工程における膜厚異常等、隣接する複数のチップに渡って、同一要因の不良発生が予想される場合に好適である。 Or the said defect concentration area | region can also specify the area | region containing the chip | tip adjacent to the chip | tip with which the specific test | inspection item is defect in the said inspection data as a defect concentration area | region. Such a specification is suitable for the case where a failure due to the same factor is expected across a plurality of adjacent chips, such as a sheet resistance abnormality in the diffusion process described above and a film thickness abnormality in the film formation process.
さらに、上記不良集中領域は、まず、不良チップが例えば2個以上隣接している領域を不良集中領域とし、さらに当該不良集中領域の外周に不良チップがある場合に、当該外周チップを含む領域を不良集中領域として順次拡大することにより特定することもできる。この場合、外周チップが全て検査良品チップである領域、あるいは、所定数以下の検査不良チップを含む領域が不良集中領域に加えられた時点で、最終的な不良集中領域が特定される。 Furthermore, the defect concentration area is defined as an area including two or more defective chips adjacent to the defect concentration area, and when there is a defect chip on the outer periphery of the defect concentration area, It can also be specified by sequentially expanding the defect concentration area. In this case, the final defect concentration area is specified when an area in which all of the outer peripheral chips are inspection nondefective chips or an area including a predetermined number or less of inspection defective chips is added to the defect concentration area.
以上説明したように、本発明によれば、出荷後に市場において故障する可能性が高い潜在的不良品を適切に排除することができる。このため、市場に出荷される半導体装置の品質を向上させることができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to appropriately eliminate potential defective products that are highly likely to fail in the market after shipment. For this reason, the quality of the semiconductor device shipped to the market can be improved.
なお、本発明は、以上で説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形及び応用が可能である。例えば、図2に示すように、選別データ生成部15が生成した選別データを、設備処理特性情報と同様に、ウエハ上の分布形状を示すデータ等の過去選別情報に変換して、ウエハ上に形成されたチップ種別と対応づけて基本情報記憶部13に記録し、当該過去選別情報を上記基本情報の一部として、他のウエハの選別に利用する構成とすることもできる。これにより、選別データを生成の際に、最新の選別による不良品の分布傾向をフィードバックさせることが可能となる。
The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications and applications are possible within the scope of the effects of the present invention. For example, as shown in FIG. 2, the sorting data generated by the sorting
本発明は、潜在的不良品である可能性が高いチップを不良品として効率良く排除することができ、半導体装置の選別方法及び半導体装置の選別装置として有用である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can efficiently eliminate a chip having a high possibility of being a potentially defective product as a defective product, and is useful as a semiconductor device sorting method and a semiconductor device sorting device.
1 選別装置
2 記憶装置
3 検査装置群
4 組立装置
21 欠陥検査データ格納部
22 外観検査データ格納部
23 電気的特性検査データ格納部
24 選別データ格納部
31 欠陥検査装置
32 外観検査装置
33 電気特性検査装置
10 不良化領域特定部
11 検査データ取得部
12 領域設定部
13 基本情報記憶部
14 良否判定部
15 選別データ生成部
16 入力部
41 ウエハ
45 不良集中領域
DESCRIPTION OF
Claims (9)
選別対象の半導体装置の製造過程で実施された検査により取得された検査データに基づいて、前記検査において良品とされる半導体装置の中から、不良品とすべき半導体装置を特定するステップと、
当該特定された半導体装置、及び前記検査において不良品とされる半導体装置を不良品として選別するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の選別方法。 A semiconductor device sorting method for sorting a semiconductor device formed on a wafer into a good product and a defective product,
Identifying a semiconductor device that should be a defective product from the semiconductor devices that are determined to be non-defective products in the inspection based on the inspection data acquired by the inspection performed in the manufacturing process of the semiconductor device to be selected;
Screening the identified semiconductor device and the semiconductor device which is a defective product in the inspection, as a defective product;
A method for selecting a semiconductor device, comprising:
選別対象の半導体装置が形成されたウエハ主面を複数の領域に区分するステップと、
前記検査データに基づいて、前記区分された各領域に属する半導体装置の不良率または良品率を算出するステップと、
前記算出された不良率または良品率が、不良化判定基準を満足するか否かを判定するステップと、
前記不良化判定基準を満足すると判定された区分領域に属する全ての半導体装置を前記不良品とすべき半導体装置として特定するステップと、
を有する請求項1記載の半導体装置の選別方法。 The step of identifying a semiconductor device to be defective is
Dividing the wafer main surface on which the semiconductor device to be selected is formed into a plurality of regions;
Calculating a defect rate or a non-defective rate of a semiconductor device belonging to each of the divided areas based on the inspection data;
Determining whether the calculated defect rate or non-defective product rate satisfies a defect determination criterion;
Identifying all semiconductor devices belonging to the segmented region determined to satisfy the defect determination criteria as semiconductor devices to be the defective products;
The method for selecting a semiconductor device according to claim 1, comprising:
前記検査データに基づいて、前記検査において不良品とされる半導体装置が集中して存在するウエハ上の領域を特定するステップと、
当該特定領域に属する全ての半導体装置を前記不良品とすべき半導体装置として特定するステップと、
を有する請求項1記載の半導体装置の選別方法。 The step of identifying a semiconductor device to be defective is
Based on the inspection data, identifying a region on the wafer in which semiconductor devices that are defective in the inspection are concentrated, and
Identifying all semiconductor devices belonging to the specific region as semiconductor devices to be defective products;
The method for selecting a semiconductor device according to claim 1, comprising:
選別対象となるウエハを特定可能なウエハ指定情報を取得する手段と、
前記ウエハ指定情報により特定されるウエハ上の半導体装置の製造過程で実施された検査の結果が記録された検査データを取得する手段と、
前記検査データに記録された検査結果と、当該検査結果に対応づけて前記検査データに記録されている半導体装置の位置情報とに基づいて、前記検査において良品とされる半導体装置の中から、不良品とすべき半導体装置を特定する手段と、
当該特定された半導体装置、及び前記検査において不良品とされる半導体装置を不良品とした選別データを生成する手段と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の選別装置。
A semiconductor device sorting apparatus for sorting a semiconductor device formed on a wafer into a non-defective product and a defective product,
Means for acquiring wafer designation information capable of identifying a wafer to be sorted;
Means for acquiring inspection data in which a result of an inspection performed in a manufacturing process of a semiconductor device on the wafer specified by the wafer designation information is recorded;
Based on the inspection result recorded in the inspection data and the position information of the semiconductor device recorded in the inspection data in association with the inspection result, the semiconductor device determined as non-defective in the inspection is selected. Means for identifying a semiconductor device to be a good product;
Means for generating sorting data in which the identified semiconductor device and the semiconductor device which is regarded as a defective product in the inspection are determined as defective products;
An apparatus for sorting semiconductor devices, comprising:
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246244A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Fujitsu Microelectronics Ltd | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device testing apparatus |
US20130080088A1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor chip testing method and semiconductor chip testing device |
JP2013197370A (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Wafer inspection method and wafer inspection device |
JP2015082530A (en) * | 2013-10-21 | 2015-04-27 | 富士通セミコンダクター株式会社 | Inspection device, inspection method, and inspection program |
CN106663595A (en) * | 2014-09-01 | 2017-05-10 | 三菱电机株式会社 | Semiconductor device, semiconductor chip, and method for managing information on semiconductor chip properties |
JP2018163937A (en) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 三菱電機インフォメーションシステムズ株式会社 | Semiconductor processing inspection apparatus association system and program |
CN116682743A (en) * | 2023-05-15 | 2023-09-01 | 珠海妙存科技有限公司 | Memory chip packaging method, memory chip and integrated circuit system |
-
2005
- 2005-09-28 JP JP2005282609A patent/JP2007095953A/en not_active Withdrawn
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246244A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Fujitsu Microelectronics Ltd | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device testing apparatus |
US9153502B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-10-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor chip testing method and semiconductor chip testing device |
US20130080088A1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor chip testing method and semiconductor chip testing device |
JP2013069991A (en) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor chip testing method and semiconductor chip testing device |
KR101362246B1 (en) * | 2011-09-26 | 2014-02-13 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Semiconductor chip testing method and semiconductor chip testing device |
DE102012216641B4 (en) | 2011-09-26 | 2022-08-11 | Mitsubishi Electric Corp. | Semiconductor chip testing method and semiconductor chip testing device |
JP2013197370A (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Wafer inspection method and wafer inspection device |
JP2015082530A (en) * | 2013-10-21 | 2015-04-27 | 富士通セミコンダクター株式会社 | Inspection device, inspection method, and inspection program |
CN106663595A (en) * | 2014-09-01 | 2017-05-10 | 三菱电机株式会社 | Semiconductor device, semiconductor chip, and method for managing information on semiconductor chip properties |
CN106663595B (en) * | 2014-09-01 | 2019-12-20 | 三菱电机株式会社 | Semiconductor device and semiconductor chip |
JP2018163937A (en) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 三菱電機インフォメーションシステムズ株式会社 | Semiconductor processing inspection apparatus association system and program |
CN116682743A (en) * | 2023-05-15 | 2023-09-01 | 珠海妙存科技有限公司 | Memory chip packaging method, memory chip and integrated circuit system |
CN116682743B (en) * | 2023-05-15 | 2024-01-23 | 珠海妙存科技有限公司 | Memory chip packaging method, memory chip and integrated circuit system |
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