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JP2007081311A - Single wafer cleaning apparatus and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Single wafer cleaning apparatus and semiconductor device manufacturing method Download PDF

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JP2007081311A
JP2007081311A JP2005270559A JP2005270559A JP2007081311A JP 2007081311 A JP2007081311 A JP 2007081311A JP 2005270559 A JP2005270559 A JP 2005270559A JP 2005270559 A JP2005270559 A JP 2005270559A JP 2007081311 A JP2007081311 A JP 2007081311A
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JP
Japan
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wafer
pure water
cleaning apparatus
gas nozzle
single wafer
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Application number
JP2005270559A
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Japanese (ja)
Inventor
Jun Fukuma
準 福間
Itaru Sugano
至 菅野
Yukihisa Wada
幸久 和田
Kazuhide Saito
和英 西東
Kenji Narita
賢治 成田
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Renesas Technology Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Renesas Technology Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】 乾燥後のウェハ上に筋状の水滴の痕が発生するのを防ぐことができる枚葉型ウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 ウェハを保持するスピンテーブルと、ウェハの中央上部から１０Ｌ／ｍｉｎ以下の流量で純水を供給し、ウェハ上に均一な液盛りを行う純水ノズルと、スピンテーブルによりウェハを５０ｒｐｍ以下の回転速度で回転させながら、ウェハの中央上部からウェハの中心に１０Ｌ／ｍｉｎ以下の流量でガスを供給するガスノズルとを備えている。
【選択図】 図１
PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a single wafer cleaning apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing the generation of traces of streaky water droplets on a dried wafer.
SOLUTION: A spin table for holding a wafer, a pure water nozzle for supplying pure water at a flow rate of 10 L / min or less from the center upper portion of the wafer, and uniformly depositing the liquid on the wafer, and the spin table at 50 rpm. And a gas nozzle that supplies gas at a flow rate of 10 L / min or less from the upper center of the wafer to the center of the wafer while rotating at the following rotation speed.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、ウェハを一枚毎に洗浄する枚葉型ウェハ洗浄装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a single wafer cleaning apparatus for cleaning wafers one by one and a method for manufacturing a semiconductor device using the same.

従来のスピン型枚葉洗浄装置を用いたウェハの洗浄について図８を参照しながら説明する。まず、ウェハ１をスピンテーブル２に載せ、ウェハチャックピン４でウェハ１の側壁を保持して、薬液処理、超音波洗浄又は二流体洗浄などの物理力による洗浄処理を行う。そして、純水ノズル６から純水５を供給してウェハ１を洗浄する。その後、ウェハ１を高速で回転させ、遠心力により水滴２０をウェハ外に弾き飛ばして除去し、そして自然乾燥させる（例えば、特許文献１参照）。   Wafer cleaning using a conventional spin-type single wafer cleaning apparatus will be described with reference to FIG. First, the wafer 1 is placed on the spin table 2, the wafer chuck pins 4 hold the side walls of the wafer 1, and a cleaning process using a physical force such as chemical processing, ultrasonic cleaning, or two-fluid cleaning is performed. Then, pure water 5 is supplied from the pure water nozzle 6 to clean the wafer 1. Thereafter, the wafer 1 is rotated at a high speed, the water droplets 20 are blown off by the centrifugal force to be removed, and then naturally dried (see, for example, Patent Document 1).

特開平１１−２３３４８１号公報JP 11-233481 A

９０ｍｍＳＯＣ以降の世代のＣｕ配線層間膜には低誘電率ｋの低い膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が適用されている。このＬｏｗ−ｋ膜は、水に対する接触角が９０°前後又はそれ以上の疎水性膜である。このような疎水性膜が露出したウェハ１をスピン型枚葉洗浄装置で洗浄すると、乾燥工程初期の低速回転時には、遠心力が小さいウェハ１中心部で微小な水滴２０が残留し、回転速度が上がった時に水滴２０がウェハ１外に弾き飛ばされる。これにより乾燥後のウェハ１上に筋状の水滴の痕２３が発生し、乾燥後の検査で異物が検出されることがあった。   A film with a low dielectric constant k (Low-k film) is applied to the Cu wiring interlayer film of the generation after 90 mm SOC. This Low-k film is a hydrophobic film having a contact angle with water of around 90 ° or more. When the wafer 1 exposed with such a hydrophobic film is cleaned with a spin-type single wafer cleaning apparatus, a minute water droplet 20 remains at the center of the wafer 1 where the centrifugal force is small during the low-speed rotation in the initial stage of the drying process, and the rotation speed is high. When raised, the water droplet 20 is blown out of the wafer 1. As a result, streaky water drop marks 23 are generated on the dried wafer 1, and foreign matter may be detected in the inspection after drying.

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、乾燥後のウェハ上に筋状の水滴の痕が発生するのを防ぐことができる枚葉型ウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法を得るものである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a single-wafer type wafer cleaning apparatus capable of preventing the generation of streak of water droplets on a dried wafer. And the manufacturing method of a semiconductor device is obtained.

本発明に係る枚葉型ウェハ洗浄装置は、ウェハを保持するスピンテーブルと、ウェハの中央上部から１０Ｌ／ｍｉｎ以下の流量で純水を供給し、ウェハ上に均一な液盛りを行う純水ノズルと、スピンテーブルによりウェハを５０ｒｐｍ以下の回転速度で回転させながら、ウェハの中央上部からウェハの中心に１０Ｌ／ｍｉｎ以下の流量でガスを供給するガスノズルとを備えている。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。   A single wafer cleaning apparatus according to the present invention includes a spin table that holds a wafer, and a pure water nozzle that supplies pure water at a flow rate of 10 L / min or less from the upper center of the wafer to uniformly deposit liquid on the wafer. And a gas nozzle for supplying gas at a flow rate of 10 L / min or less from the upper center of the wafer to the center of the wafer while rotating the wafer at a rotation speed of 50 rpm or less by a spin table. Other features of the present invention will become apparent below.

本発明により、乾燥後のウェハ上に筋状の水滴の痕が発生するのを防ぐことができる。   According to the present invention, it is possible to prevent the formation of streak-like water droplets on the dried wafer.

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の正面図である。この枚葉型ウェハ洗浄装置は、ウェハ１を保持するスピンテーブル２と、スピンテーブル２を回転させるモーター３と、ウェハ１の側壁を保持するウェハチャックピン４と、ウェハ１上に純水５を供給する純水ノズル６と、純水ノズル６の位置を制御する可動アーム７と、純水５の流量を制御する純水流量コントロール８と、ウェハ１上にガス９を供給するガスノズル１０と、ガスノズル１０の位置を制御する可動アーム１１と、ガス９の流量を制御するガス流量コントロール１２とを備えている。なお、純水ノズルとガスノズルは、共通の可動アームに取り付けてもよい。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a front view of a single wafer cleaning apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. The single wafer cleaning apparatus includes a spin table 2 that holds a wafer 1, a motor 3 that rotates the spin table 2, wafer chuck pins 4 that hold a side wall of the wafer 1, and pure water 5 on the wafer 1. A pure water nozzle 6 for supplying, a movable arm 7 for controlling the position of the pure water nozzle 6, a pure water flow rate control 8 for controlling the flow rate of the pure water 5, a gas nozzle 10 for supplying a gas 9 on the wafer 1, A movable arm 11 for controlling the position of the gas nozzle 10 and a gas flow rate control 12 for controlling the flow rate of the gas 9 are provided. The pure water nozzle and the gas nozzle may be attached to a common movable arm.

上記の枚葉型ウェハ洗浄装置を用いた洗浄方法について説明する。まず、ウェハ１をスピンテーブル２に載せ、薬液処理、超音波洗浄又は二流体洗浄などの物理力による洗浄処理を行う。   A cleaning method using the above single wafer cleaning apparatus will be described. First, the wafer 1 is placed on the spin table 2 and a cleaning process using a physical force such as a chemical process, ultrasonic cleaning, or two-fluid cleaning is performed.

次に、純水リンス工程を行うため、スピンテーブル２を制御してウェハ１を静止状態又は３０ｒｐｍ以下の低速回転状態にする。そして、可動アーム７により、純水ノズル６をウェハ１の中央上部に移動させ、純水ノズル６の位置をウェハ１の表面から５０ｍｍ以下、好ましくは２０ｍｍ以下の高さに制御する。そして、純水ノズル６により、ウェハ１の中央上部から１０Ｌ／ｍｉｎ以下、好ましくは５Ｌ／ｍｍｉｎ以下の流量で純水５を供給し、ウェハ１上に均一な液盛りを行う。液盛りした液面が乱れるのを防ぐため、純水５の供給を停止する際は徐々に流量を少なくする。また、ウェハ１上の液盛りを維持するため、ウェハ１側壁を保持するウェハチャックピン４には疎水性の材質を用いるのが好ましい。   Next, in order to perform the pure water rinse process, the spin table 2 is controlled to bring the wafer 1 into a stationary state or a low-speed rotation state of 30 rpm or less. Then, the pure water nozzle 6 is moved to the upper center of the wafer 1 by the movable arm 7, and the position of the pure water nozzle 6 is controlled to a height of 50 mm or less, preferably 20 mm or less from the surface of the wafer 1. Then, pure water 5 is supplied from the upper center of the wafer 1 at a flow rate of 10 L / min or less, preferably 5 L / mmin or less by the pure water nozzle 6, and uniform liquid accumulation is performed on the wafer 1. In order to prevent the accumulated liquid level from being disturbed, the flow rate is gradually reduced when the supply of the pure water 5 is stopped. In order to maintain liquid accumulation on the wafer 1, it is preferable to use a hydrophobic material for the wafer chuck pins 4 that hold the side wall of the wafer 1.

次に、可動アーム１１により、ガスノズル１０の位置をウェハ１の表面から５〜５０ｍｍ、好ましくは５〜２０ｍｍの高さに制御する。そして、スピンテーブル２によりウェハ１を５０ｒｐｍ以下、好ましくは３０ｒｐｍ以下の回転速度で回転させながら、ガスノズル１０によりウェハ１の中央上部からウェハ１の中心に０．１〜１０Ｌ／ｍiｎ、好ましくは０．５〜５Ｌ／ｍiｎの流量でガス９を供給し、液盛りした純水５に穴を開ける。ガス９を吹き付けた際に液盛りした液面が乱れるのを防ぐため、ガス９の流量を徐々に多くする。   Next, the position of the gas nozzle 10 is controlled to a height of 5 to 50 mm, preferably 5 to 20 mm from the surface of the wafer 1 by the movable arm 11. Then, while rotating the wafer 1 by the spin table 2 at a rotation speed of 50 rpm or less, preferably 30 rpm or less, the gas nozzle 10 causes the wafer 1 to be centered from the center of the wafer 1 to 0.1 to 10 L / min, preferably 0. A gas 9 is supplied at a flow rate of 5 to 5 L / min, and a hole is made in the pure water 5 that has accumulated. The flow rate of the gas 9 is gradually increased in order to prevent the liquid level accumulated when the gas 9 is sprayed from being disturbed.

そして、液盛りした純水５の中央に穴が開いたら、段階的にウェハ１の回転速度を上げて、遠心力の効果により純水５をウェハ１外周から外へ押し出すことにより、中心部の穴を徐々に大きくし、ウェハ１上から完全に純水５を除去する。そして、純水５が除去できたら回転速度を５００ｒｐｍ以上の高速回転で乾燥を行う。   Then, when a hole is opened in the center of the pure water 5 that has been accumulated, the rotational speed of the wafer 1 is increased stepwise, and the pure water 5 is pushed out from the outer periphery of the wafer 1 by the effect of centrifugal force. The holes are gradually enlarged, and the pure water 5 is completely removed from the wafer 1. Then, after the pure water 5 has been removed, drying is performed at a high speed rotation of 500 rpm or more.

ウェハ１表面が疎水性であるため、その上の純水５は強い表面張力の影響で一つの塊になろうとし、ゆっくりとウェハ１中央から穴を大きくすることで微小な液滴の残留なく一つの塊としてウェハ１外周まで純水５を除去することができる。   Since the surface of the wafer 1 is hydrophobic, the pure water 5 on the surface of the wafer 1 tends to become a lump under the influence of a strong surface tension, and a hole is slowly enlarged from the center of the wafer 1 so that no minute droplets remain. The pure water 5 can be removed up to the outer periphery of the wafer 1 as one lump.

ガスノズル１０として、通常のストレート型のものを用いてもよいが、図２に示すような先端がなめらかに凸状に湾曲した末広がり形状のコアンダ効果ガスノズル１３を用いるのが好ましい。これにより、液盛りした純水５にガス９を吹き付ける際に、末広がりのノズル側壁に沿って流れるガス流がノズル先端で水平方向に射出されるため、液盛りした純水５に穴開けした後、コアンダ効果ガスノズル１３をウェハ１に近づけるとより効果的に純水５を周辺に押しのけることができる。   As the gas nozzle 10, a normal straight type may be used, but it is preferable to use a Coanda effect gas nozzle 13 having a divergent shape in which the tip is smoothly curved as shown in FIG. As a result, when the gas 9 is sprayed onto the liquid-filled pure water 5, the gas flow that flows along the nozzle sidewall that spreads out is ejected in the horizontal direction at the tip of the nozzle. When the Coanda effect gas nozzle 13 is brought closer to the wafer 1, the pure water 5 can be more effectively pushed to the periphery.

また、ガスノズル１０として、図３（ａ）（ｂ）に示すような、ストレート型のガスノズル１４と、ストレート型のガスノズル１４の先端外側に上下方向に移動可能に接続されたコアンダ効果ガスノズル１３とを備えた複合型ノズルを用いるのが更に好ましい。このガスノズルを用いることで、図３（ａ）に示すように最初は直進性の強いストレート型のガスノズル１４よりガス９を噴きつけて純水５に穴を開け、その後、図３（ｂ）に示すようにコアンダ効果ガスノズル１３を延ばして水平方向へ噴出す作用でより効果的に純水５の穴を広げることができる。   Further, as the gas nozzle 10, a straight type gas nozzle 14 as shown in FIGS. 3A and 3B, and a Coanda effect gas nozzle 13 connected to the outside of the tip end of the straight type gas nozzle 14 so as to be movable in the vertical direction. It is more preferable to use a composite nozzle provided. By using this gas nozzle, as shown in FIG. 3 (a), first, a gas 9 is sprayed from a straight type gas nozzle 14 having a high degree of straightness to make a hole in the pure water 5, and then in FIG. 3 (b). As shown, the hole of the pure water 5 can be expanded more effectively by extending the Coanda effect gas nozzle 13 and ejecting it in the horizontal direction.

実施の形態１に係る枚葉型ウェハ洗浄装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法により、水洗リンス後に疎水性ウェハ上に残留する微小な水滴を除去し、微小な水滴がウェハ上にない状態にしてから、回転を上げてスピン乾燥を行うため、乾燥後のウェハ上に筋状の水滴の痕が発生するのを防ぐことができる。   A state in which minute water droplets remaining on a hydrophobic wafer are removed after rinsing with water and no minute water droplets are present on the wafer by the single wafer cleaning device according to the first embodiment and the semiconductor device manufacturing method using the same. Then, since rotation is increased and spin drying is performed, it is possible to prevent generation of traces of streak-like water droplets on the dried wafer.

実施の形態２．
図４は、本発明の実施の形態２に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の正面図であり、図５はその側面図である。この枚葉型ウェハ洗浄装置は、ウェハ１を保持するスピンテーブル２と、スピンテーブル２を回転させるモーター３と、ウェハ１の側壁を保持するウェハチャックピン４と、ウェハ１の下面を支えるウェハ押上げピン１５と、スピンテーブル２上に保持したウェハ１の表面を非接触でスキャンする親水性洗浄棒１６と、親水性洗浄棒１６の動作を制御する親水性洗浄棒コントローラ１７と、ウェハ１上に純水５を供給する純水吐出口１８と、純水５の流量を制御する純水流量コントロール８を備えている。 Embodiment 2. FIG.
FIG. 4 is a front view of a single wafer cleaning apparatus according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 5 is a side view thereof. The single wafer cleaning apparatus includes a spin table 2 that holds a wafer 1, a motor 3 that rotates the spin table 2, wafer chuck pins 4 that hold a side wall of the wafer 1, and a wafer press that supports the lower surface of the wafer 1. Lifting pins 15, a hydrophilic cleaning bar 16 that scans the surface of the wafer 1 held on the spin table 2 in a non-contact manner, a hydrophilic cleaning bar controller 17 that controls the operation of the hydrophilic cleaning bar 16, and the wafer 1 And a pure water discharge port 18 for supplying the pure water 5 and a pure water flow rate control 8 for controlling the flow rate of the pure water 5.

上記の枚葉型ウェハ洗浄装置を用いた洗浄方法について説明する。まず、ウェハ１をスピンテーブル２に載せ、ウェハチャックピン４でウェハ１の側壁を保持し、ウェハ押上げピン１５でウェハ１の下面を支える。次に、薬液処理、超音波洗浄又は二流体洗浄などの物理力による洗浄処理を行う。   A cleaning method using the above single wafer cleaning apparatus will be described. First, the wafer 1 is placed on the spin table 2, the wafer chuck pins 4 hold the side walls of the wafer 1, and the wafer push-up pins 15 support the lower surface of the wafer 1. Next, a cleaning process using physical force such as chemical processing, ultrasonic cleaning, or two-fluid cleaning is performed.

次に、実施の形態１と同様に純水リンス工程を行う。その後、ウェハ１上に純水５が残留した状態で回転を停止し、親水性洗浄棒１６でウェハ１全面を一定方向に非接触でスキャンする。具体的には、親水性洗浄棒１６は、静止したウェハ１の表面から０．５〜１０ｍｍ、好ましくは１〜５ｍｍの高さをスキャンする。また、親水性洗浄棒１６のスキャン速度は１〜１００ｍｍ／ｓｅｃ、好ましくは１０〜５０ｍｍ／ｓｅｃである。これにより、ウェハ１上の水滴２０は、親水性洗浄棒１６に吸い寄せられ、親水性洗浄棒１６とウェハ１の間に保持された状態でウェハ１上を移動するため、スキャンした部分の水滴２０は除去される。   Next, a pure water rinsing step is performed as in the first embodiment. Thereafter, the rotation is stopped with the pure water 5 remaining on the wafer 1, and the entire surface of the wafer 1 is scanned in a certain direction in a non-contact manner with the hydrophilic cleaning rod 16. Specifically, the hydrophilic cleaning rod 16 scans a height of 0.5 to 10 mm, preferably 1 to 5 mm, from the surface of the stationary wafer 1. The scanning speed of the hydrophilic cleaning rod 16 is 1 to 100 mm / sec, preferably 10 to 50 mm / sec. Accordingly, the water droplet 20 on the wafer 1 is attracted to the hydrophilic cleaning rod 16 and moves on the wafer 1 while being held between the hydrophilic cleaning rod 16 and the wafer 1. Is removed.

ただし、親水性洗浄棒１６とウェハ１の間は純水５で満たされている必要があるため、スキャンと同時にスキャン方向前方に純水５を供給する。このため、親水性洗浄棒１６は、スキャン方向前方に純水５を供給するために１つ以上の純水吐出口１８を有する。そして、スキャン方向前方に供給する純水５の流量を１００ｍｌ／ｍｉｎ以下、好ましくは１〜２０ｍｌ／ｍｉｎで制御する。   However, since the space between the hydrophilic cleaning rod 16 and the wafer 1 needs to be filled with pure water 5, the pure water 5 is supplied forward in the scanning direction simultaneously with scanning. For this reason, the hydrophilic cleaning rod 16 has one or more pure water discharge ports 18 for supplying the pure water 5 forward in the scanning direction. Then, the flow rate of the pure water 5 supplied forward in the scanning direction is controlled to 100 ml / min or less, preferably 1 to 20 ml / min.

スキャンの際に、親水性洗浄棒１６が保持できる容量を越えた分の純水５は、ウェハ１端部からウェハ１外へ除去される。ウェハ１上をスキャンする機構を有するためスピンテーブル２は、バキュームチャック又はウェハ保持機構のウェハチャックピン４を開放して、下からウェハ押上げピン１５で持ち上げて親水性洗浄棒１６の動作に影響を与えないようにする。   At the time of scanning, a portion of the pure water 5 exceeding the capacity that can be held by the hydrophilic cleaning rod 16 is removed from the edge of the wafer 1 to the outside of the wafer 1. Since the spin table 2 has a mechanism for scanning the wafer 1, the wafer chuck pin 4 of the vacuum chuck or the wafer holding mechanism is opened and lifted by the wafer push-up pin 15 from below to affect the operation of the hydrophilic cleaning rod 16. Do not give.

そして、親水性洗浄棒１６でウェハ１全面をスキャンした後は、回転速度を５００ｒｐｍ以上の高速回転で乾燥を行う。   Then, after the entire surface of the wafer 1 is scanned with the hydrophilic cleaning rod 16, the drying is performed at a high rotational speed of 500 rpm or more.

実施の形態２に係る枚葉型ウェハ洗浄装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法により、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。   The effect similar to that of the first embodiment can be obtained by the single wafer cleaning apparatus according to the second embodiment and the manufacturing method of the semiconductor device using the same.

実施の形態３．
図６は、本発明の実施の形態３に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の正面図であり、図７はその側面図である。この枚葉型ウェハ洗浄装置は、親水性洗浄棒１６のスキャン方向前方に純水５を供給するために、親水性洗浄棒１６のスキャン動作に同調して動作する純水ノズル２１と、純水ノズル２１の位置を制御する可動アーム２２と、純水５の流量を制御する純水流量コントロール８とを設けている。その他の構成は実施の形態２と同様である。 Embodiment 3 FIG.
FIG. 6 is a front view of a single wafer cleaning apparatus according to Embodiment 3 of the present invention, and FIG. 7 is a side view thereof. This single wafer cleaning apparatus has a pure water nozzle 21 that operates in synchronism with the scanning operation of the hydrophilic cleaning rod 16 in order to supply the pure water 5 to the front of the hydrophilic cleaning rod 16 in the scanning direction, and pure water. A movable arm 22 that controls the position of the nozzle 21 and a pure water flow rate control 8 that controls the flow rate of the pure water 5 are provided. Other configurations are the same as those of the second embodiment.

実施の形態３に係る枚葉型ウェハ洗浄装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法により、実施の形態１及び２と同様の効果を得ることができる。   The effects similar to those of the first and second embodiments can be obtained by the single wafer cleaning apparatus according to the third embodiment and the semiconductor device manufacturing method using the same.

本発明の実施の形態１に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の正面図である。It is a front view of the single wafer type wafer cleaning apparatus concerning Embodiment 1 of the present invention. ガスノズルの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a gas nozzle. ガスノズルの他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of a gas nozzle. 本発明の実施の形態２に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の正面図である。It is a front view of the single wafer type wafer cleaning apparatus concerning Embodiment 2 of the present invention. 本発明の実施の形態２に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の側面図である。It is a side view of the single wafer type wafer cleaning apparatus concerning Embodiment 2 of the present invention. 本発明の実施の形態３に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の正面図である。It is a front view of the single wafer type wafer cleaning apparatus concerning Embodiment 3 of the present invention. 本発明の実施の形態３に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の側面図である。It is a side view of the single wafer type wafer cleaning apparatus concerning Embodiment 3 of the present invention. 従来のスピン型枚葉洗浄装置を用いたウェハの洗浄を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining the washing | cleaning of the wafer using the conventional spin type single wafer washing | cleaning apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１ ウェハ
２ スピンテーブル
５ 純水
６ 純水ノズル
９ ガス
１０ ガスノズル
１３ コアンダ効果ガスノズル
１４ ストレート型のガスノズル
１６ 親水性洗浄棒
１８ 純水吐出口
２０ 水滴
２１ 純水ノズル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 2 Spin table 5 Pure water 6 Pure water nozzle 9 Gas 10 Gas nozzle 13 Coanda effect gas nozzle 14 Straight type gas nozzle 16 Hydrophilic cleaning rod 18 Pure water discharge port 20 Water droplet 21 Pure water nozzle

Claims (12)

ウェハを保持するスピンテーブルと、
前記ウェハの中央上部から１０Ｌ／ｍｉｎ以下の流量で純水を供給し、前記ウェハ上に均一な液盛りを行う純水ノズルと、
前記スピンテーブルにより前記ウェハを５０ｒｐｍ以下の回転速度で回転させながら、前記ウェハの中央上部から前記ウェハの中心に１０Ｌ／ｍｉｎ以下の流量でガスを供給するガスノズルとを備えたことを特徴とする枚葉型ウェハ洗浄装置。 A spin table for holding the wafer;
A pure water nozzle that supplies pure water at a flow rate of 10 L / min or less from the upper center of the wafer, and uniformly deposits on the wafer;
A gas nozzle that supplies gas from the upper center of the wafer to the center of the wafer at a flow rate of 10 L / min or less while rotating the wafer at a rotation speed of 50 rpm or less by the spin table. Leaf type wafer cleaning equipment. 前記純水ノズルは前記ウェハの表面から５０ｍｍ以下の高さに制御され、前記ガスノズルは前記ウェハの表面から５〜５０ｍｍの高さに制御されることを特徴とする請求項１に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。   The single wafer according to claim 1, wherein the pure water nozzle is controlled to a height of 50 mm or less from the surface of the wafer, and the gas nozzle is controlled to a height of 5 to 50 mm from the surface of the wafer. Mold wafer cleaning equipment. 前記ガスノズルは、ガス流量を０．５〜５Ｌ／ｍiｎの範囲で制御する機能を備えていることを特徴とする請求項１に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。   2. The single wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the gas nozzle has a function of controlling a gas flow rate in a range of 0.5 to 5 L / min. 前記ガスノズルは、先端がなめらかに凸状に湾曲した末広がり形状のコアンダ効果ガスノズルであることを特徴とする請求項１に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。   2. The single wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the gas nozzle is a Coanda effect gas nozzle having a divergent shape in which a tip is smoothly curved in a convex shape. 前記ガスノズルは、ストレート型のガスノズルと、前記ストレート型のガスノズルの先端外側に上下方向に移動可能に接続され、先端がなめらかに凸状に湾曲した末広がり形状のコアンダ効果ガスノズルとを有することを特徴とする請求項１に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。   The gas nozzle includes a straight type gas nozzle, and a Coanda effect gas nozzle having a divergent shape in which the tip is smoothly curved and convexly connected to the outside of the tip end of the straight type gas nozzle. The single wafer cleaning apparatus according to claim 1. ウェハを保持するスピンテーブルと、
前記スピンテーブル上に保持した前記ウェハの表面を非接触でスキャンする親水性洗浄棒とを備えたことを特徴とする枚葉型ウェハ洗浄装置。 A spin table for holding the wafer;
A single wafer cleaning apparatus comprising a hydrophilic cleaning rod that scans the surface of the wafer held on the spin table in a non-contact manner. 前記親水性洗浄棒は、前記ウェハの表面から０．５〜１０ｍｍの高さをスキャンすることを特徴とする請求項６に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。   The single wafer cleaning apparatus according to claim 6, wherein the hydrophilic cleaning bar scans a height of 0.5 to 10 mm from a surface of the wafer. 前記親水性洗浄棒のスキャン速度は１〜１００ｍｍ／ｓｅｃであることを特徴とする請求項６に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。   The single wafer cleaning apparatus according to claim 6, wherein a scanning speed of the hydrophilic cleaning rod is 1 to 100 mm / sec. 前記親水性洗浄棒は、スキャン方向前方に純水を供給するための純水吐出口を有することを特徴とする請求項６に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。   The single wafer cleaning apparatus according to claim 6, wherein the hydrophilic cleaning rod has a pure water discharge port for supplying pure water forward in the scanning direction. 前記親水性洗浄棒のスキャン方向前方に純水を供給するために、スキャンに同調して動作する純水供給ノズルを更に備えたことを特徴とする請求項６に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。   7. The single wafer cleaning apparatus according to claim 6, further comprising a pure water supply nozzle that operates in synchronization with scanning in order to supply pure water forward of the hydrophilic cleaning rod in the scanning direction. . 前記スキャン方向前方に供給する純水の流量を１００ｍｌ／ｍｉｎ以下で制御することを特徴とする請求項９又は１０に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。   The single wafer cleaning apparatus according to claim 9 or 10, wherein a flow rate of pure water supplied forward in the scanning direction is controlled at 100 ml / min or less. 請求項１〜１１の何れか１項に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置を用いた半導体装置の製造方法。   The manufacturing method of the semiconductor device using the single wafer type wafer cleaning apparatus of any one of Claims 1-11.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260034A (en) * 2008-04-16 2009-11-05 Sokudo Co Ltd Substrate drying device and substrate treatment apparatus equipped with the same
JP2010093189A (en) * 2008-10-10 2010-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing device
JP2012142617A (en) * 2012-04-09 2012-07-26 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, and storage medium
KR101250722B1 (en) 2010-07-07 2013-04-03 가부시키가이샤 소쿠도 Substrate cleaning method and substrate cleaning device
JP2013172080A (en) * 2012-02-22 2013-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2014075612A (en) * 2014-01-17 2014-04-24 Sokudo Co Ltd Substrate dryer, substrate processing apparatus, and substrate drying method
KR20140113330A (en) * 2013-03-15 2014-09-24 가부시키가이샤 소쿠도 Substrate cleaning and drying method and substrate developing method
KR101493647B1 (en) 2008-04-03 2015-02-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
JP2016149470A (en) * 2015-02-13 2016-08-18 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
US10964558B2 (en) 2016-03-08 2021-03-30 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing device
JP2023067271A (en) * 2021-10-29 2023-05-16 株式会社Sumco Method for determining rotation speed of spin table of single-wafer spin cleaning and drying device for silicon wafer and single-wafer spin cleaning drying method using the same
CN118086875A (en) * 2024-04-26 2024-05-28 上海谙邦半导体设备有限公司 Air inlet device and semiconductor processing equipment

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101493647B1 (en) 2008-04-03 2015-02-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
US8980013B2 (en) 2008-04-03 2015-03-17 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
JP2009260034A (en) * 2008-04-16 2009-11-05 Sokudo Co Ltd Substrate drying device and substrate treatment apparatus equipped with the same
JP2010093189A (en) * 2008-10-10 2010-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing device
US9028621B2 (en) 2010-07-07 2015-05-12 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate cleaning method and substrate cleaning device
KR101250722B1 (en) 2010-07-07 2013-04-03 가부시키가이샤 소쿠도 Substrate cleaning method and substrate cleaning device
JP2013172080A (en) * 2012-02-22 2013-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2012142617A (en) * 2012-04-09 2012-07-26 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, and storage medium
JP2014179510A (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Sokudo Co Ltd Substrate cleaning and drying method and substrate developing method
KR20140113330A (en) * 2013-03-15 2014-09-24 가부시키가이샤 소쿠도 Substrate cleaning and drying method and substrate developing method
KR101950047B1 (en) * 2013-03-15 2019-02-19 가부시키가이샤 스크린 세미컨덕터 솔루션즈 Substrate cleaning and drying method and substrate developing method
JP2014075612A (en) * 2014-01-17 2014-04-24 Sokudo Co Ltd Substrate dryer, substrate processing apparatus, and substrate drying method
JP2016149470A (en) * 2015-02-13 2016-08-18 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
US10964558B2 (en) 2016-03-08 2021-03-30 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing device
US11501985B2 (en) 2016-03-08 2022-11-15 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing device
JP2023067271A (en) * 2021-10-29 2023-05-16 株式会社Sumco Method for determining rotation speed of spin table of single-wafer spin cleaning and drying device for silicon wafer and single-wafer spin cleaning drying method using the same
JP7351331B2 (en) 2021-10-29 2023-09-27 株式会社Sumco Single-wafer spin cleaning drying method for silicon wafers
CN118086875A (en) * 2024-04-26 2024-05-28 上海谙邦半导体设备有限公司 Air inlet device and semiconductor processing equipment

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