JP2007067231A - 熱電モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】熱電モジュールの組み付け時、又は、パッケージへの接合時に熱電素子部へ加わる応力を低減できる熱電モジュールの提供。
【解決手段】第１絶縁基板１２と、この第１絶縁基板１２より所定長さだけ延長した延長領域を有し第１絶縁基板１２に対向して配置される第２絶縁基板１１と、第１絶縁基板１２および第２絶縁基板１１の各対向面に形成される複数の電極１４，１５と、各電極間の熱電素子１３ａ，１３ｂと、第１絶縁基板１１と第２絶縁基板１２との各背向面に形成されるメタライズ層１８，１９と、を備える熱電モジュールにおいて、第２絶縁基板１２のメタライズ層の平面形状１９が第１の絶縁基板１１のメタライズ層１８の平面形状と同一である。第２絶縁基板１２の延長領域Ｌに、メタライズ層が該延長領域Ｌの面積に対して０〜３０％の面積で形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、通電することにより熱流を生じる熱電モジュールに関する。

光通信用レーザダイオード（以後、ＬＤと表記する）モジュールは、主にＬＤを搭載した板状のマウントと、ＬＤの温度を精密に制御して波長を安定させるための熱電モジュール（電子冷却素子）と、機密を保つためのパッケージ（筺体）とで構成されている（特許文献１参照）。

近年、ハンダの鉛フリー化が地球環境問題の一つとして取り上げられ、光通信分野でも鉛フリー化の実現が課題となっている。このため光通信用熱電モジュールの組付けは、電極パターンが施されているアルミナを用いた絶縁基板と熱電素子とを、主にＡｕ／ＳｎまたはＳｎ／Ｓｂハンダにて接合する（特許文献２参照）。

また、熱電モジュールの絶縁基板の上側と下側にはＣｕ、Ｎｉ、Ａｕなどの表面処理が施されたメタライズ層が形成されており、上側の冷却側絶縁板にはマウントを、下側の放熱側絶縁基板はパッケージにそれぞれハンダで接合するようになっている。また、パッケージへの接合工程を簡略化するために、熱電モジュールの下面にパッケージへの接合に用いるハンダ材を予備接合する場合がある（特許文献３参照）。この予備接合にはＳｎ／ＡｇやＳｎ／Ａｇ／Ｃｕなどのハンダ材が主に用いられる。

一般的には、熱電モジュールの絶縁基板よりも予備接合するハンダ材の方が線膨張係数が大きいため、前述の予備接合工程で加熱することにより線膨張係数の差から、絶縁基板が引っ張られ、熱電素子の接合部にクラックや剥離が発生して抵抗値が増加し、熱電モジュールの冷却能力が低下することがあった。また、パッケージへの接合時においても予備接合したハンダ材を再溶融してパッケージへ接合するために同様の作用が働き、冷却能力低下の要因となっていた。

近年の光通信用デバイスは小型化が進んでおり、熱電モジュールも小型化が必須となっているため、熱電モジュールの絶縁基板（アルミナ）は薄肉化される傾向にある。また、電力供給の配線を容易にする設計として、下側基板に設ける電力供給用パッド部分を引き延ばし、上下基板のサイズが異なる仕様が主流となっている（特許文献４参照）。このような形態の熱電モジュールでは下側基板の引き延ばした部分（延長領域）には上側基板と接合する熱電素子がなく、また絶縁基板が薄いことも重なり剛性が低くなっている。

これらの要因から、Ａｕ／ＳｎなどＰｂフリーハンダで小型の熱電モジュールを作製した場合には、上記のように予備ハンダ接合工程で絶縁基板が変形することにより、その信頼性が低下することがあった。
特開２００４−３０１８７３号公報 特開２００３−１９７９８２号公報 特許第３４０９７８１号公報 特許第３６２７７１９号公報

本発明は、熱電モジュールの組み付け時、又は、パッケージへの接合時に熱電素子部へ加わる応力を低減できる熱電モジュールを提供することを目的とする。

本発明の熱電モジュールは、第１絶縁基板と、この第１絶縁基板より所定長さだけ延長した延長領域を有し第１絶縁基板に対向して配置される第２絶縁基板と、第１絶縁基板および第２絶縁基板の各対向面に形成される複数の電極と、対向する複数の電極の間に設けられこの複数の電極により電気的に直列及び／又は並列に接続される複数の熱電素子と、この複数の熱電素子の両端部の熱電素子に接続され第２絶縁基板の延長領域上に配置される一対の端子と、第１絶縁基板と第２絶縁基板との各背向面に形成されるメタライズ層と、を備える熱電モジュールにおいて、第２絶縁基板のメタライズ層の平面形状が第１絶縁基板のメタライズ層の平面形状と同一であることを特徴とする。

また、本発明の熱電モジュールは、第１絶縁基板と、この第１絶縁基板より所定長さだけ延長した延長領域を有し第１絶縁基板に対向して配置される第２絶縁基板と、第１絶縁基板および第２絶縁基板の各対向面に形成される複数の電極と、対向する複数の電極の間に設けられこの複数の電極により電気的に直列及び／又は並列に接続される複数の熱電素子と、この複数の熱電素子の両端部の熱電素子に接続され第２絶縁基板の延長領域上に配置される一対の端子と、第１絶縁基板と第２絶縁基板との各背向面に形成されるメタライズ層と、を備える熱電モジュールにおいて、第２絶縁基板には、第１絶縁基板に形成されるメタライズ層の平面形状を第２絶縁基板の背向面に投影した領域にメタライズ層が形成されており、かつ、第２絶縁基板の延長領域に形成されるメタライズ層の面積率が、第２絶縁基板の延長領域の面積に対して０〜３０％であることを特徴とする。

以上のような本発明の熱電モジュールにおいて、複数の電極と複数の熱電素子とはＡｕ／Ｓｎハンダで接合されていることが望ましい。

また、本発明の熱電モジュールは、第２絶縁基板のメタライズ層上に予備接合ハンダを有することが望ましく、予備接合ハンダはＳｎ／ＡｇハンダあるいはＳｎ／Ａｇ／Ｃｕハンダであることが好ましい。

本発明の熱電モジュールは、第２絶縁基板に形成されているメタライズ層の平面形状が第１絶縁基板に形成されているメタライズ層の平面形状と同一であるので、第２絶縁基板のメタライズ層表面に予備ハンダ層を形成しても第２絶縁基板の延長領域にはメタライズ層が形成されていないので、延長領域の変形が小さい。

また、本発明の熱電モジュールは、第２絶縁基板には、第１絶縁基板に形成されるメタライズ層の平面形状を第２絶縁基板の背向面に投影した領域にメタライズ層が形成されており、かつ、第２絶縁基板の延長領域に形成されるメタライズ層の面積率が第２絶縁基板の延長領域の面積に対して０〜３０％の面積で形成されており、従来技術による熱電モジュールに比べて延長領域のメタライズ層が少ない。このため延長領域の変形を小さく抑制することができる。

以上のように本発明の熱電モジュールでは、熱電モジュールの電極と熱電素子との接合部に発生する応力を低減することができるので、熱電モジュールの不良率を低減するとともに、その信頼性を向上することができる。

図１は、本発明の熱電モジュール１０の概念構造を示す側面図である。熱電モジュール１０は、第１絶縁基板である放熱側のセラミック基板（以後、下基板という）１１と、第２絶縁基板である冷却側のセラミック基板（以後、上基板という）１２との間に、熱電素子１３（Ｐ型熱電半導体素子１３ａとＮ型熱電半導体素子１３ｂ）を複数対接合した構造を有している。

下基板１１と上基板１２とのそれぞれの対向面（パターン面ともいう）には、複数の各々独立した下電極１４および上電極１５がメッキにより形成されている。

各対のＰ型熱電半導体素子１３ａとＮ型熱電半導体素子１３ｂは、下基板１１のパターン面上にあるそれぞれ対応する下電極１４上に配置される。また、上基板１２は、そのパターン面がＰ型半導体素子１３ａとＮ型熱電半導体素子１３ｂの表面（下基板１１の電極１４と接合されていない側）に臨むように反転され、このパターン面上の各電極１５に各対のＰ型半導体素子１３ａとＮ型熱電半導体素子１３ｂとが配置されるべく位置あわせされて下基板１１に対向して配置されている。

ここで、下基板１１の下電極１４と、上基板１２の上電極１５は、上述した対向配置状態において全ての熱電素子１３（１３ａ、１３ｂ）が電気回路的に直列に接続されるように互いに位置がずれた配列パターンで形成されている。つまり、この熱電モジュール１０では、下基板１１とこれに対向配置される上基板１２との間に、複数のＰ型半導体素子１３ａとＮ型熱電半導体素子１３ｂとが縦横に交互に配列され、かつ下電極１４と上電極１５とを介して電気的に直列に接続されている。

本発明の熱電モジュール１０において、下基板１１は上基板１２より所定長さだけ延長しておりこの延長領域（以下、パターニング領域という）Ｌには電極１４，１５を介して熱電素子１３に接続するリード層１６ａ、１６ｂがパターニングされている。そして、このリード層１６ａ、１６ｂにポスト電極（端子ともいう）１７ａ、１７ｂが接合されており、このポスト電極１７を介して図示しない電源などに接続することができる。

また、熱電モジュール１０の下基板１１の外側の面（下面、上基板１２に背向する面）には、熱電モジュール１０をパッケージなどにハンダ付けするためのメタライズ層１８が形成されており、上基板１２の外側の面（上面、下基板１１に背向する面）には、ＬＤ（半導体レーザダイオード）やサーミスタなどの素子をハンダ付けするためのメタライズ層１９が形成されている。これらのメタライズ層１８、１９はそれぞれ下基板１１あるいは上基板１２上に、例えば、Ｃｕ層、Ｎｉ層およびＡｕ層をメッキにより形成した３層構造のメッキ層として形成されている。

このような構造の熱電変換モジュール１０に対して、図示しない電源よりポスト電極１７ａ、１７ｂを介してＮ型半導体素子１３ｂからＰ型熱電半導体素子１３ａの方向に直流電流を流すと、上側の上基板１２は冷却され、下側の下基板１１は発熱するように動作する。

本発明の熱電変換モジュール１０においては、上基板１２の上面に形成されたメタライズ層１９と、下基板１１の下面に形成されたメタライズ層１８とはその面積が等しくなるように形成されている。すなわち、従来の熱電モジュールとは、下基板１１の延長領域Ｌにメタライズ層が形成されていない点で異なる。この相違点による効果について以下に説明する。

図３に従来の熱電モジュール１００の下基板１１１のメタライズ層１１８に予備ハンダ接合した時の応力解析結果を示す。図３では予備ハンダ接合前の熱電モジュール１００の側面概要図を鎖線Ｑで示し、予備ハンダ接合により変形した熱電モジュール１００の側面概要図を実線Ｒで示した。予備ハンダをメタライズ層１１８の上に溶融載置すると、絶縁基板であるセラミック製の下基板１１１よりも予備接合するハンダ材の方が線膨張係数が大きいために、予備接合工程での加熱により図３に示すように下基板１１１が引っ張られる。下基板１１１の延長領域Ｌ’は、熱電素子によって上基板１１２と接合されている部分とは異なり、剛性が小さい。このため点線で示す下基板１１１の延長領域Ｌ’が大きく変形し、延長領域Ｌ’の近傍の熱電素子１１３と電極１１４との接合部Ｐに過大な応力が発生する。その結果、クラックや剥離を生じ抵抗値が増加して、熱電モジュール１００の冷却能力が低下するという不具合を生じることがある。なお、熱電モジュール１００について応力解析したところ、変形後の最大応力値はＰ点で２１９ＭＰａであった。

ところで、本発明の熱電モジュール１０は、下基板１１の延長領域Ｌにメタライズ処理が施されていないことを除いて従来の熱電モジュール１００と同様の構成である。図２に熱電モジュール１０へ予備ハンダ接合した時の応力解析結果を示す。図３と同様に、鎖線Ｑは予備ハンダ接合前の、また、実線Ｒは予備ハンダ接合後の側面概要図を示す。この場合には、最大応力値はＰ点で２０７ＭＰａとなり、従来の熱電モジュール１００よりもＰ点における最大応力値が約５．５％低下することが分かる。

また、上記のような加熱による変形はハンダの予備接合工程のみならず、熱電モジュール１０をパッケージへ接合する場合にも予備接合したハンダ材を再溶融してパッケージへ接合するので同様に発生する。従って、本発明の熱電モジュール１０によれば熱電素子部へ加わる応力を従来の熱電モジュール１００よりも大幅に低減することができ、光通信モジュールにおける熱電モジュールの信頼性を向上することができる。

上記のような熱電モジュール１０において、複数の電極と複数の熱電素子とはＡｕ／Ｓｎハンダで接合されていることが望ましく、また、予備接合ハンダはＳｎ／ＡｇあるいはＳｎ／Ａｇ／Ｃｕハンダであることが望ましい。

熱電素子接合ハンダとしては融点が２８０℃のＡｕ８０／Ｓｎ２０共晶ハンダを例示することができる。また、予備接合ハンダとしてはＳｎ９６．５／Ａｇ３．５ハンダ（融点：２２１℃）やＳｎ９６．５／Ａｇ３．０／Ｃｕ０．５ハンダ（融点：２１７℃）を挙げることができる。このようなハンダの組み合わせは、熱電モジュールの組み付けには好適であり、熱電モジュールのみならずこの熱電モジュールを用いる光通信モジュール全体の鉛フリー化を達成することができる。

また、Ａｕ８０／Ｓｎ２０ハンダはヤング率が６０ＭＰａと高いので、温度変化に対して基板が変形しにくく、熱電モジュールの通電により生じる温度変化による変形に伴うレーザダイオードの光軸ズレを抑制することができる。

上記の実施の形態では、第２絶縁基板のメタライズ層の平面形状が第１絶縁基板のメタライズ層の平面形状と同一である形態としたが、第２絶縁基板には、第１絶縁基板に形成されるメタライズ層の平面形状を第２絶縁基板の背向面に投影した領域にメタライズ層が形成されており、かつ、第２絶縁基板の延長領域に形成されるメタライズ層の面積率が第２絶縁基板の延長領域の面積に対して０〜３０％である形態としてもよい。すなわち、図１において下基板１１の外側の面のメタライズ層１８を延長領域Ｌ側へ延長して形成した熱電モジュールあり、その他の構成は熱電モジュール１０と何ら変わることのないものである。そして、延長して形成されたメタライズ層の面積率が延長領域の面積に対して３０％を越えると、予備接合工程で下基板１１が引っ張られ、延長領域近傍の熱電素子１３と電極１４との接合部に過大な応力が発生しクラックや剥離を生じて抵抗値が増加することがあるので適当ではない。

まず、熱電素子接合ハンダと予備接合ハンダの組み合わせによる熱電素子の接合部に発生する応力を以下のモデルについて応力解析により求めた。

冷却側絶縁基板（第１絶縁基板であり、寸法が、厚さ０．２ｍｍ×３．２ｍｍ×３．８ｍｍで、線膨張係数が７．２×１０^-6／Ｋのアルミナセラミック板）と、放熱側絶縁基板（第２絶縁基板であり、寸法が、厚さ０．２ｍｍ×３．２ｍｍ×４．８ｍｍで、線膨張係数が７．２×１０^-6／Ｋのアルミナセラミック板）との間に、寸法が、厚さ０．４ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍｍであり、材質がＢｉ−Ｔｅ系である熱電素子３６個（１８対）を接合した熱電モジュールにおいて、熱電素子接合ハンダはＡｕ８０／Ｓｎ２０ハンダ（融点：２８０℃、線膨張係数：１７．５×１０^-6／Ｋ 、ヤング率：６０ＭＰａ）一定とし、ａ）予備接合ハンダを３種類、ｂ）冷却側（第１絶縁基板）のメタライズ層に対する放熱側（第２絶縁基板）のメタライズ層の面積率を２水準として、それぞれを表１に○で示すように組み合わせて、Ｍ１〜Ｍ５の５水準の熱電モジュールモデルを設定した。

ここで、ａ）予備接合ハンダ３種類とは、Ｓｎ９６．５／Ａｇ３．５ハンダ（融点：２２１℃、線膨張係数：２２．２×１０^-6／Ｋ）と、Ｓｎ９６．５／Ａｇ３．０／Ｃｕ０．５ハンダ（融点：２１７℃、 線膨張係数：２１．７×１０^-6／Ｋ ）と、Ｓｎ４２／Ｂｉ５８ハンダ（融点：１３８℃、線膨張係数：９．０×１０^-6／Ｋ）とである。

また、ｂ）メタライズ層の面積率２水準とは、従来の熱電モジュール１００に相当する、冷却側（第２絶縁基板側）のメタライズ領域（Ｘ）が２．９ｍｍ×３．５ｍｍ、放熱側（第１絶縁基板側）のメタライズ領域（Ｙ）が２．９ｍｍ×４．５ｍｍであり、面積比率（Ｙ／Ｘ×１００）が１２９％と、本発明の熱電モジュール１０に相当する、冷却側（第２絶縁基板側）のメタライズ領域（Ｘ）が２．９ｍｍ×３．５ｍｍ、放熱側（第１絶縁基板側）のメタライズ領域（Ｙ）が２．９ｍｍ×３．５ｍｍであり、面積比率（Ｙ／Ｘ×１００）が１００％との２水準である。

表１に示すＭ１〜Ｍ５の各モデルについて、熱電モジュールを組み付けしてパッケージ接合用ハンダ材を熱電モジュールへ予備接合した場合を想定して応力解析を実施した。解析結果は最大応力値が２１０ＭＰａ未満を合格（○）とし、最大応力値が２１０ＭＰａを越える場合には不合格（×）と判定した。結果を表１に併記する。

表１に示すようにメタライズ層の面積比率が１００％であるＭ１〜Ｍ３の解析結果は、いずれの予備接合ハンダを用いても合格（○）であった。ところがメタライズ層の面積比率が１２９％であるＭ４とＭ５の解析結果は、いずれも応力値大で不合格（×）であった。つまり、Ｍ１〜Ｍ３では放熱側基板（第２絶縁基板）において、熱電素子を介して冷却側基板（第１絶縁基板）との結合がないため剛性の低い部分（延長領域）にメタライズ層を形成しないことで熱電素子に加わる応力を軽減できたことが分かる。

なお、Ｍ３では、予備接合にＳｎ／Ｂｉハンダを用いている。このＳｎ／Ｂｉハンダの線膨張係数は９．０×１０^-6／Ｋであり、絶縁基板と熱電素子とを接合する熱電素子接合ハンダＡｕ／Ｓｎの線膨張係数（２２．２×１０^-6／Ｋ）よりも小さく、放熱側絶縁基板のアルミナの線膨張係数（７．２×１０^-6／Ｋ ）とほぼ同等である。このため熱電素子に加わる応力の絶対値が最大応力値で１８２ＭＰａと小さくなり応力解析結果は良好（○）であった。しかし、融点が１３８℃と低いのでＬＤマウントを熱電モジュールに接合するハンダとしては好適であるが、その前段階でリフローして熱電モジュールをパッケージへ接合するハンダとしては適当ではない。

次に、Ｍ１とＭ４の構成について実際に熱電モジュールを作製して、予備ハンダ前後の内部抵抗の変化率を測定した。

Ｍ１の構成のものを実施例１、Ｍ４の構成のものを比較例１とし、各モデルの熱電モジュールを５個ずつ用意して、各熱電モジュールの予備ハンダ前後の内部抵抗を測定してその抵抗の変化率を比較した。内部抵抗の測定は周知の四端子交流法により実施し、予備ハンダ前後の内部抵抗の変化率が±２％以内を合格（○）、変化率が±２％を越えるものを不合格（×）と判定した。結果を表２に示す。

表２に示すように、実施例１（Ｍ１）の評価結果は良好（○）であったが、比較例１（Ｍ４）は変化率が最小でも３．７７％であり不合格（×）であった。この評価結果は表１の解析結果と一致し、応力解析の精度が高いことが分かる。

表１および表２の結果から本発明の熱電モジュールにおいては、熱電素子接合にＡｕ８０／Ｓｎ２０共晶ハンダを用い、予備接合にはＳｎ９６．５／Ａｇ３．５ハンダ、もしくはＳｎ９６．５／Ａｇ３．０／Ｃｕ０．５ハンダなどの融点が２００℃以上、あるいは、線膨張係数が２０×１０^-6／Ｋ以上のハンダを使用するとよいことが分かる。

また、Ｍ１の構成で延長領域におけるメタライズ層の面積をこの延長領域の面積に対して０〜６０％の範囲で変化させて熱電モジュール作製し予備ハンダ前後の内部抵抗の変化率を測定した。面積率は０〜６０％の範囲で１０％刻みの７水準とし、各水準ごとに１０個の熱電モジュールを作製して抵抗変化率を測定した。表３および図４に各水準ごとの抵抗変化率の平均値と平均値からのバラツキとを示す。

表３と図４から分かるように、延長領域におけるメタライズ層の面積率が３０％以下では、判定結果は合格（○）である。すなわち、抵抗変化率の平均値は０．５０％以下で、かつそのバラツキも極めて小さいものであり、良否判定基準の±２％を越えるものはなかった。ところが、メタライズ層の面積率が３０％を越えると、判定結果は不合格（×）となることが分かる。つまり、抵抗変化率の平均値は２．０％未満であるもののバラツキが大きくなり、良否判定基準の±２％を越えるものが発生した。

本発明の熱電モジュールは、鉛フリーの熱電モジュールとして好適である。特に、光通信に用いるレーザダイオード（ＬＤ）を精密温調する電子冷却素子として好適に用いることができる。

本発明の熱電モジュールの構成を説明する概要図である。（ａ）側面図であり、（ｂ）は平面図であり、（ｃ）は底面から見た平面図である。 応力解析により求めた実施例の熱電モジュール（Ｍ１）の予備接合前後の形状を示す側面概要図である。鎖線Ｑは予備接合前を、実線Ｒは予備接合後の形状を示す。 応力解析により求めた比較例の熱電モジュール（Ｍ４）の予備接合前後の形状を示す側面概要図である。鎖線Ｑは予備接合前を、実線Ｒは予備接合後の形状を示す。 メタライズ面積率による抵抗変化率の変化を示すグラフである。

符号の説明

１１：下基板（第２絶縁基板） １２：上基板（第２絶縁基板） １３：熱電素子 １４、１５：電極 １６：リード層 １７：端子 １８、１９：メタライズ層 Ｌ：延長領域

Claims (5)

1. 第１絶縁基板と、該第１絶縁基板より所定長さだけ延長した延長領域を有し該第１絶縁基板に対向して配置される第２絶縁基板と、
   前記第１絶縁基板および前記第２絶縁基板の各対向面に形成される複数の電極と、
   対向する前記複数の電極の間に設けられ前記複数の電極により電気的に直列及び／又は並列に接続される複数の熱電素子と、
   前記複数の熱電素子の両端部の熱電素子に接続され前記第２絶縁基板の前記延長領域上に配置される一対の端子と、
   前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との各背向面に形成されるメタライズ層と、を備える熱電モジュールにおいて、
   前記第２絶縁基板のメタライズ層の平面形状が前記第１絶縁基板のメタライズ層の平面形状と同一であることを特徴とする熱電モジュール。
2. 第１絶縁基板と、該第１絶縁基板より所定長さだけ延長した延長領域を有し該第１絶縁基板に対向して配置される第２絶縁基板と、
   前記第１絶縁基板および前記第２絶縁基板の各対向面に形成される複数の電極と、
   対向する前記複数の電極の間に設けられ前記複数の電極により電気的に直列及び／又は並列に接続される複数の熱電素子と、
   前記複数の熱電素子の両端部の熱電素子に接続され前記第２絶縁基板の前記延長領域上に配置される一対の端子と、
   前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との各背向面に形成されるメタライズ層と、を備える熱電モジュールにおいて、
   前記第２絶縁基板には、前記第１絶縁基板に形成されるメタライズ層の平面形状を前記第２絶縁基板の前記背向面に投影した領域にメタライズ層が形成されており、かつ、前記第２絶縁基板の前記延長領域に形成されるメタライズ層の面積率が、前記第２絶縁基板の前記延長領域の面積に対して０〜３０％であることを特徴とする熱電モジュール。
3. 前記複数の電極と前記複数の熱電素子とはＡｕ／Ｓｎハンダで接合されている請求項１又は２に記載の熱電モジュール。
4. 前記第２絶縁基板のメタライズ層上に予備接合ハンダを有する請求項１〜３のいずれかに記載の熱電モジュール。
5. 前記予備接合ハンダはＳｎ／ＡｇハンダあるいはＳｎ／Ａｇ／Ｃｕハンダである請求項４に記載の熱電モジュール。

Images