JP2007066785A - パターンの形成方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電気光学装置およびその製造方法、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
パターンの形成方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電気光学装置およびその製造方法、半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 39
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title claims description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 239000002635 aromatic organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 17
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 1-methylnaphthalene Chemical group C1=CC=C2C(C)=CC=CC2=C1 QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 6
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 5
- QNLZIZAQLLYXTC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=C(C)C(C)=CC=C21 QNLZIZAQLLYXTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- PMPBFICDXLLSRM-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C(C)C)=CC=CC2=C1 PMPBFICDXLLSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBEDSQVIWPRPAY-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrobenzofuran Chemical compound C1=CC=C2OCCC2=C1 HBEDSQVIWPRPAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】 有機EL表示装置の製造方法において、発光層を形成する工程では、発光層形成材料を含み、且つ沸点の異なる溶媒を用いたドット形成用液状物の液滴MR10、MR20、MR30を透明基板上の乾燥性の遅い(沸点の高い)液状物を基板の周辺部、乾燥性の速い(沸点の低い)液状物を基板の中央部に吐出することによる組成物ドットの製造方法および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【選択図】 図11
Description
脱溶媒条件がばらつき、それにより、液滴の溶媒の蒸発速度が基板上の位置によってばらつくことによって、EL素子の発光層の厚さが画素内でばらつくこともある。
すなわち、特許文献1に開示の技術のように、基板のどの位置においても同一の溶媒を用いた溶液を用いた場合、溶媒濃度の低い基板周辺部においては溶媒の蒸発速度が速すぎて発光層の膜厚が画素内でばらついてしまい、このようなばらつきは輝度ばらつきを引き起こす。
以上、有機EL装置を例に挙げて従来の問題点を説明したが、近年、液晶装置等の電気光学装置におけるカラーフィルタや配向膜、あるいは有機半導体装置における有機半導体膜を液滴吐出法で形成することも検討されており、これらを形成する際にも上記と同様の膜厚ばらつきの問題が懸念されている。
この構成によれば、蒸発速度を適正とすることができる(沸点が200℃未満の有機溶剤のみでは蒸発速度が速すぎる)。
この構成によれば、有機EL材料を溶解し易くすることができる。
この構成によれば、上記本発明のパターンの形成方法を用いたことにより発光層の膜厚ばらつきが小さくなり、輝度ムラの少ない有機EL装置を実現することができる。
この構成によれば、上記本発明のパターンの形成方法を用いたことによりカラーフィルタや配向膜等の画素構成要素の膜厚ばらつきが小さくなり、品質に優れた電気光学装置を実現することができる。
この構成によれば、上記本発明のパターンの形成方法を用いたことにより有機半導体膜の膜厚ばらつきが小さくなり、品質に優れた半導体装置を実現することができる。
図1は、本発明の実施形態に係る液滴吐出装置の全体構成を示す斜視図である。
本発明においては、複数種のドット形成用液状物を使用する為、液滴吐出装置については、
1台で複数の液滴を吐出可能に構成するか、複数台、準備することになるが、以下の説明では、前者を例に説明する。
図2、図3はそれぞれ、液滴吐出ヘッド22の構成を示す説明図である。図4(A)、(B)、(C)はそれぞれ、液滴吐出ヘッド22の内部構造を模式的に示す説明図、撓み振動モードの圧力発生素子の説明図、および縦振動モードの圧力発生素子の説明図である。
図5は、図1に示す液滴吐出装置の制御系を示すブロック図である。図6および図7は、図1に示す液滴吐出装置に用いた液滴吐出ヘッドのヘッド駆動部の電気的構成を示す説明図、およびヘッド駆動部を構成する素子の説明図である。なお、図5に示す例では、制御系をコンピュータ本体部側に構成した例を示してあるが、その一部については、液滴吐出装置本体側に構成してもよい。
図8は、図1に示す液滴吐出装置に用いた駆動信号の一例を示す波形図である。図4(A)および図8において、圧力発生素子39に印加される駆動信号COMは、吐出すべき液状物Mの粘度などに応じて最適な波形に設定されるが、ここに示す駆動信号COMは、中間電位Vmから最高電位VPSまで電位を変化させて圧力発生室33を初期状態から膨張させる吐出用膨張要素S1と、最高電位VPSを保持して圧力発生室33の膨張状態を保持する吐出用ホールド要素S2と、最高電位VPSから最低電位VLSまで電位を変化させて膨張状態にある圧力発生室33を収縮させて液滴M0を吐出させる吐出用収縮要素S3と、最低電位VLSを保持して圧力発生室33の収縮状態を保持する制振用ホールド要素S4と、最低電位VLSから中間電位Vmに変化させて収縮状態にある圧力発生室33を初期状態にまで復帰させる制振用膨張要素S5とを含んでいる。
以上説明したように、本形態の液滴吐出装置10では、液状物貯留部37、圧力発生室33、ノズル開口27および圧力発生素子39などによって液滴吐出機構が構成されているが、本形態では、図2に示すように、3系列の液滴吐出機構11R1,11R2,11R3に系列化され、それに伴って、図4(A)に示す液状物Mの流路、図6および図7に示す駆動回路の一部も系列化されている。ここで、各系列の液滴吐出機構11R1,11R2,11R3の液状物貯留部37には液状物Mとして、組成の異なる液状物MR1,MR2,MR3が貯留されており、3系列の液滴吐出機構11R1,11R2,11R3のノズル開口27は各々、液滴M0として、異なる組成の液滴MR10,MR20,MR30を吐出することになる。
第2系列の液滴吐出機構11R2(組成物形成用液滴吐出機構)の液状物貯留部37、圧力発生室33、ノズル開口27および圧力発生素子39は、基板中心付近と周辺部の中間帯の赤色(R)の発光層形成材料のR2を含むジメチルナフタレン溶液であるドット形成用液状物MR2を吐出するための系列として利用される。
第3系列の液滴吐出機構11R3(組成物形成用液滴吐出機構)の液状物貯留部37、圧力発生室33、ノズル開口27および圧力発生素子39は、周辺部の中間帯の赤色(R)の発光層形成材料のR3を含むモノイソプロピルナフタレン溶液を吐出するための系列として利用される。
であり、
各液状物に用いた溶媒の蒸発速度は、
液状物MR1>液状物MR2>液状物MR3
である。
図2に示す形態では、3系列の液滴吐出機構11R1,11R2,11R3の圧力発生室33、ノズル開口27および圧力発生素子39を全て共通の液滴吐出ヘッド22に構成した例であったが、図3に示すように、3系列の液滴吐出機構11R1,11R2,11R3の圧力発生室33、ノズル開口27および圧力発生素子39を各々、別の液滴吐出ヘッド22R1,22R2,22R3に構成されている構成を採用してもよい。この場合も、3つの液滴吐出ヘッド22R1,22R2,22R3を共通のキャリッジ26(図1参照)に搭載しておけばよい。また、3つの液滴吐出ヘッド22R1,22R2,22R3の吐出ヘッドが各々、別のキャリッジ26に搭載されている構成、さらには、3つの液滴吐出ヘッド22R1,22R2,22R3の各々に対して駆動系や制御系が構成されている構成を採用してもよい。また、本形態では、液状物MR1、MR2、MR3の溶媒が全て有機溶剤であったが、溶媒の一部として水を用いた場合に本発明を適用してもよい。
以下、上記の液滴吐出装置10を用いて組成物からなるパターンを製造する方法の一例として、有機EL表示装置(電気光学装置)の発光層(組成物パターン)を形成する例を説明する。
図9(A)、(B)は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたEL素子を備えた有機EL表示装置のブロック図、およびその画素の構成を示す断面図である。図10および図11は、有機EL表示装置の製造工程の手順を示す製造工程断面図であり、図9(B)に示す有機EL表示装置の1画素分の断面に相当する。
同様に、液滴ヘッド22の第2系列の液滴吐出機構11R2のノズル開口27から、図11のエリア2(透明基板502上の画像表示領域の周辺部と中心部との間(矩形環状の領域))の各画素515pに対応する隔壁505内の正孔注入層513a上に、Rの発光層形成材料のジメチルナフタレン溶液からなる発光層形成用液状物MR2の液滴MR20を吐出する。
同様に、液滴ヘッド22の第1系列の液滴吐出機構11R1用のノズル開口27から、赤色(R)の図11のエリア1(透明基板502上の画像表示領域の中心部(矩形状の領域))の各画素515pに対応する隔壁505内の正孔注入層513a上に、赤色(R)の発光層形成材料のメチルナフタレン溶液からなる発光層形成用液状物MR1の液滴MR10を吐出する。
なお、図11のエリア1〜3を含む矩形の領域は、有機EL表示装置500pの画像表示領域を示している。
その際、それぞれの液滴は基板中心部においても、基板周辺部においても、基板周辺部の方が速く乾燥が行われることなく、均一な乾燥速度である。
以上説明したように、本形態では、ノズル開口22から液状物Mの液滴M0を透明基板502上にドット状に吐出する液滴吐出工程と、透明基板502に吐出した液状物Mの液滴M0を乾燥させて透明基板502上に発光層513b(組成物)をドット状に定着させる真空乾燥/加熱工程とを有する有機EL表示装置10の製造方法において、液滴吐出工程では、組成物形成用液状物MR1、MR2、MR3の液滴MR10、MR20、MR30を透明基板502上に、沸点の高い溶媒を含む溶液程、基板周辺部にドット状に吐出するドット形成用液滴吐出工程(図10に示す工程)を行う。
このため、真空乾燥/加熱工程を行う際、各液滴MR10、MR20、MR30の乾燥速度が同一で乾燥が行われることより、画素内での厚さばらつきの発生を防止することができる。
上記形態では、各溶液それぞれの吐出すべき面積を予め設定しておいたが、脱溶媒/加熱工程の後、画素内における発光層513bの膜厚分布を触針検査装置などで計測し、その計測結果に基づいて、それ以降の発光層513bの製造工程において、各溶液それぞれの吐出する面積を決定しても良い。
このような方法を採用した場合には、各溶液それぞれの吐出量を最適化できるので、各液滴の乾燥速度を確実に等しくできる。それ故、液滴を安定した状態に乾燥させることができる。
上記形態では、矩形環状にエリア1~3を区分けしたが、これは、真空乾燥装置の排気口位置が、基板に対して、排気が均一になるよう設計された場合の例を示した。(例えば、排気口が、基板の真下中央と均等な4端にある場合)
しかし、この排気口が不均一な位置に存在する場合、基板の短辺側の2方向のみの場合や、基板の長辺側の2方向のみの場合等は、それに対応して、エリア1〜3も設定した方が好ましい。例えば、このような2方向の場合、排気口に近い辺部をストライブ状にエリア3として、中央部をストライブ状にエリア1として、その中間部をエリア2とすることにり、この排気口位置が均一排気に適正でないような装置にも対応可能である。
上記形態では、本発明を有機EL表示装置の製造工程に用いた例であったが、液晶表示装置のカラーフィルタ、配向膜(画素構成要素)の形成などに本発明を適用してもよい。また、インクジェットプリンタと称せられる液滴吐出装置に本発明を適用してもよい。
また、有機半導体膜を形成するのに液滴吐出法による本発明のパターン形成方法を用い、有機半導体膜を用いた半導体素子を備えた半導体装置に本発明を適用することも可能である。
Claims (12)
- ノズル開口から組成物形成用の液状物の液滴を基板上に吐出する液滴吐出工程と、前記基板上に吐出した前記液状物の液滴を乾燥させて当該基板上に組成物を定着させる脱溶媒工程とを有し、前記組成物からなるパターンを形成するパターンの形成方法において、
前記液滴吐出工程において、前記組成物の形成領域の中心部に比べ、前記組成物の形成領域の周辺部の方が沸点の高い溶媒を含む組成物形成用液状物を用いることを特徴とするパターンの形成方法。 - 前記組成物形成用液状物は複数の有機溶剤を含んでおり、前記複数の有機溶剤の少なくとも1種類以上は沸点が200℃以上の有機溶剤であることを特徴とする請求項1に記載のパターンの形成方法。
- 前記組成物形成用液状物は、芳香族系有機溶剤を含んでいることを特徴とする請求項1または2に記載のパターンの形成方法。
- 前記基板は有機エレクトロルミネッセンス装置用基板であり、前記組成物形成用液状物は当該有機エレクトロルミネッセンス装置用基板上の各画素形成領域に発光層を形成するための有機機能材料を含み、請求項1乃至3のいずれかに記載のパターンの形成方法を用いて前記発光層を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載のパターンの形成方法により前記基板上に画素構成要素を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 前記基板は有機半導体用基板であり、前記組成物形成用液状物は有機半導体膜を形成するための有機半導体物質を含み、請求項1乃至3のいずれかに記載のパターンの形成方法を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 請求項5に記載の電気光学装置の製造方法により製造されたことを特徴とする電気光学装置。
- 請求項6に記載の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
- 表示領域の中心部に位置する発光層に比べ周辺部に位置する発光層により高沸点の溶媒が残留していることを特徴とする請求項7記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 表示領域の中心部に位置する画素構成要素に比べ周辺部に位置する画素構成要素により高沸点の溶媒が残留していることを特徴とする請求項8記載の電気光学装置。
- 前記組成物の形成領域の中心部に位置する有機半導体膜に比べ周辺部に位置する有機半導体膜により高沸点の溶媒が残留していることを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005253119A JP4678264B2 (ja) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | パターンの形成方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電気光学装置およびその製造方法、半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007066785A true JP2007066785A (ja) | 2007-03-15 |
JP4678264B2 JP4678264B2 (ja) | 2011-04-27 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005253119A Active JP4678264B2 (ja) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | パターンの形成方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電気光学装置およびその製造方法、半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4678264B2 (ja) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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