JP2007045742A - 遷移金属錯体の製造方法及び遷移金属錯体 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は遷移金属錯体の製造方法及び遷移金属錯体に関するものである。
本発明により提供される遷移金属錯体は、有機電界発光素子や、白色LED固体照明用の光源、色素レーザー、温度センサー、酸素センサー、圧力センサー、時間差蛍光イムノアッセイ、多光子吸収(発光)材料、有機長残光材料、夜行塗料、非線形光学材料、光電変換材料、超伝導材料など、様々な用途展開が期待される。
本発明により提供される遷移金属錯体は、有機電界発光素子や、白色LED固体照明用の光源、色素レーザー、温度センサー、酸素センサー、圧力センサー、時間差蛍光イムノアッセイ、多光子吸収(発光)材料、有機長残光材料、夜行塗料、非線形光学材料、光電変換材料、超伝導材料など、様々な用途展開が期待される。
遷移金属錯体は、有機電界発光素子を始めとして、種々の用途に応用されている。特に、下記の構造式で表される遷移金属錯体は、青色燐光を有しているため、固体照明の光源や有機電界発光色素として有用であると考えられている(式中、Arはアリール基である。)。
このような遷移金属錯体の製造方法としては、以下の2つの方法が知られている。
[1] 非特許文献1には、上記の遷移金属錯体の製造方法として、下記のスキームが開示されている。
しかし、この反応では、電子リッチなオレフィンを調製する必要があるが、該当するオレフィンの合成が困難であるため、目的とする金属錯体にかなりの制約が生じるという問題点があった。
(スキーム1)
しかし、この反応では、電子リッチなオレフィンを調製する必要があるが、該当するオレフィンの合成が困難であるため、目的とする金属錯体にかなりの制約が生じるという問題点があった。
(スキーム1)
本発明は、上記従来の方法のような問題点がなく、各種分野で有用な遷移金属錯体を容易に製造することができる新規遷移金属錯体の製造方法及び新規遷移金属錯体を提供することを課題とする。
また、本発明は該遷移金属錯体の構造異性体を選択的に製造できる方法を提供することを課題とする。
また、本発明は該遷移金属錯体の構造異性体を選択的に製造できる方法を提供することを課題とする。
本発明者らが鋭意検討した結果、一般式(I−1)〜(I−5)で表される化合物を出発原料として用いることにより、一般式(II)で表される遷移金属錯体を簡便に製造できることを見出し、本発明に到達した。更に、反応温度を調整することにより、構造異性体を作り分けることも可能になることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の遷移金属錯体の製造方法は、下記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される化合物を原料として、下記一般式(II)で表される遷移金属錯体を製造することを特徴とする。
((I−1)〜(I−5)式中、M1は周期表第4周期或いは第5周期の遷移金属を表す。nは、M1の価数を表す。Xn−は、対アニオンを表す。Yは、2価の連結基を表す。
R1は、下記一般式(I−6)で表される基である。
(I−1)〜(I−6)式中、R2〜R5は、各々独立に、任意の置換基を表し、R2〜R5は、それぞれ隣接するR2〜R5同士で環を形成していてもよい。該環は、さらに置換基を有していてもよい。Zは、直接結合或いは2価の連結基を表す。)
R1は、下記一般式(I−6)で表される基である。
R2〜R5、Y、Zは各々一般式(I−1)〜(I−6)におけると同義である。)
本発明において、前記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される化合物と金属塩とを反応させて、前記一般式(II)で表される遷移金属錯体を製造することが好ましく(請求項2)、この場合において、反応を90℃以下で行うことによりmer体を選択的に製造することができ(請求項3)、120℃以上で行うことによりfac体を選択的に製造することができる(請求項4)。
本発明の遷移金属錯体は、好ましくは、このような本発明の遷移金属錯体の製造方法により製造されるものであり、下記一般式(IIA)で表されることを特徴とする。
((IIA)式中、p+mは、Irの価数を表し、pは1≦pの整数、mはm≧0の整数を表す。
R2〜R5は、各々独立に、任意の置換基を表し、R2〜R5は、それぞれ隣接するR2〜R5同士で環を形成していてもよい。該環は、さらに置換基を有していてもよい。Yは、2価の連結基を表し、Zは、直接結合或いは2価の連結基を表す。Q1は炭素原子あるいは窒素原子を表す。ただし、Q1が窒素原子の場合は、Q1−Nの結合は単結合となる。
R9〜R12は、各々独立に、任意の置換基を表し、R9〜R12は、それぞれ隣接するR9〜R12同士で環を形成していてもよい。該環は、さらに置換基を有していてもよい。)
R2〜R5は、各々独立に、任意の置換基を表し、R2〜R5は、それぞれ隣接するR2〜R5同士で環を形成していてもよい。該環は、さらに置換基を有していてもよい。Yは、2価の連結基を表し、Zは、直接結合或いは2価の連結基を表す。Q1は炭素原子あるいは窒素原子を表す。ただし、Q1が窒素原子の場合は、Q1−Nの結合は単結合となる。
R9〜R12は、各々独立に、任意の置換基を表し、R9〜R12は、それぞれ隣接するR9〜R12同士で環を形成していてもよい。該環は、さらに置換基を有していてもよい。)
本発明によれば、前記(I−1)〜(I−5)で表される化合物を出発原料として用いることにより、次のような効果のもとに、新規遷移金属錯体を含めて、様々な遷移金属錯体を簡便かつ確実に製造することが可能とされる。
(1) 従来の方法と異なり、イミダゾリウム塩のアニオン交換が不要である。
(2) 反応に関与する化合物の取り扱いが容易である。
(3) 強力な塩基や酸を使用しないため、安全性に優れる。
(4) 水があっても反応が進行するので、誘導体化が容易である。
(5) 水や空気の影響にもさほど制約されずに確実に反応を進行させることができる。
(6) 反応に使用する金属塩として安価なものを使用できるので、低コストに遷移金属錯体を得ることができる。
(7) 高い反応温度でも反応を進行させて遷移金属錯体を得ることができるので、反応時間を短縮することが可能である。
(8) 反応温度を調整することにより、構造異性体を作り分けることができる。
(1) 従来の方法と異なり、イミダゾリウム塩のアニオン交換が不要である。
(2) 反応に関与する化合物の取り扱いが容易である。
(3) 強力な塩基や酸を使用しないため、安全性に優れる。
(4) 水があっても反応が進行するので、誘導体化が容易である。
(5) 水や空気の影響にもさほど制約されずに確実に反応を進行させることができる。
(6) 反応に使用する金属塩として安価なものを使用できるので、低コストに遷移金属錯体を得ることができる。
(7) 高い反応温度でも反応を進行させて遷移金属錯体を得ることができるので、反応時間を短縮することが可能である。
(8) 反応温度を調整することにより、構造異性体を作り分けることができる。
以下に本発明の遷移金属錯体の製造方法及び遷移金属錯体の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、本発明はその要旨を超えない限り、以下の内容に特定はされない。
[遷移金属錯体の製造方法]
本発明の遷移金属錯体の製造方法は、下記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される化合物を原料として、下記一般式(II)で表される遷移金属錯体を製造することを特徴とする。
((I−1)〜(I−5)式中、M1は周期表第4周期或いは第5周期の遷移金属を表す。nは、M1の価数を表す。Xn−は、対アニオンを表す。Yは、2価の連結基を表す。
R1は、下記一般式(I−6)で表される基である。
(I−1)〜(I−6)式中、R2〜R5は、各々独立に、任意の置換基を表し、R2〜R5は、それぞれ隣接するR2〜R5同士で環を形成していてもよい。該環は、さらに置換基を有していてもよい。Zは、直接結合或いは2価の連結基を表す。)
本発明の遷移金属錯体の製造方法は、下記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される化合物を原料として、下記一般式(II)で表される遷移金属錯体を製造することを特徴とする。
R1は、下記一般式(I−6)で表される基である。
R2〜R5、Y、Zは各々一般式(I−1)〜(I−6)におけると同義である。)
〈出発原料化合物〉
まず、本発明において、目的とする遷移金属錯体である前記一般式(II)で表される遷移金属錯体を製造するための出発原料となる、前記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される化合物について説明する。
まず、本発明において、目的とする遷移金属錯体である前記一般式(II)で表される遷移金属錯体を製造するための出発原料となる、前記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される化合物について説明する。
出発原料として用いられる前記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される化合物は、M1とXによって、前記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかの構造をとることが知られている(J.Chem.Soc.,Dalton Trans.,2000,4499-4506)。
本発明においては、このいずれかの構造を有する化合物を出発原料として用いて、前記一般式(II)で表される遷移金属錯体を製造する。
本発明においては、このいずれかの構造を有する化合物を出発原料として用いて、前記一般式(II)で表される遷移金属錯体を製造する。
{M1}
前記一般式(I−1)〜(I−5)において、M1は周期表第4周期或いは第5周期の遷移金属を表し、好ましくは、第8族〜第12族の第4,第5周期の遷移金属を表す。さらに好ましくは第10族〜第12族の第4,5周期の遷移金属を表し、なかでも、遷移金属錯体の安定性の理由から、Ag(I)が好ましい。
前記一般式(I−1)〜(I−5)において、M1は周期表第4周期或いは第5周期の遷移金属を表し、好ましくは、第8族〜第12族の第4,第5周期の遷移金属を表す。さらに好ましくは第10族〜第12族の第4,5周期の遷移金属を表し、なかでも、遷移金属錯体の安定性の理由から、Ag(I)が好ましい。
{Xn−}
前記一般式(I−1)〜(I−5)において、Xn−は、対アニオン表す。具体的にはF−,Cl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−,C6H5CO2 −,CN−,CF3SO3 −、CF3CO2 −,CH3CO2 −,CO−,SO4 2−,SO3 2−,SCN−、CH3SO3 −,ClO4 −,PO4 3−,CH3O−,EtO−,NO2 −,SbF6 −,acac−などが挙げられる。ここで、Etはエチル基を表す。また、acac−を以下に示す。
前記一般式(I−1)〜(I−5)において、Xn−は、対アニオン表す。具体的にはF−,Cl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−,C6H5CO2 −,CN−,CF3SO3 −、CF3CO2 −,CH3CO2 −,CO−,SO4 2−,SO3 2−,SCN−、CH3SO3 −,ClO4 −,PO4 3−,CH3O−,EtO−,NO2 −,SbF6 −,acac−などが挙げられる。ここで、Etはエチル基を表す。また、acac−を以下に示す。
中でも工業的に好ましくは、Xn−は、Cl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−,CF3SO3 −、CF3CO2 −,CH3CO2 −,SO4 2−であり、より好ましくはCl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−である。
{Y}
前記一般式(I−1)〜(I−5)において、Yは、2価の連結基を表す。なお、本発明において、2価の連結基は2価以上の原子を含む広義の連結基である。
Yの2価の連結基としては、好ましくは、置換基を有していても良い、周期表第14族〜第16族の第2及び第3周期の典型元素或いは該典型元素を有する置換基であり、好ましくは、−N(R13)−、−O−、−S−、−C(R13)(R14)−、−P(R13)−が挙げられる。
前記一般式(I−1)〜(I−5)において、Yは、2価の連結基を表す。なお、本発明において、2価の連結基は2価以上の原子を含む広義の連結基である。
Yの2価の連結基としては、好ましくは、置換基を有していても良い、周期表第14族〜第16族の第2及び第3周期の典型元素或いは該典型元素を有する置換基であり、好ましくは、−N(R13)−、−O−、−S−、−C(R13)(R14)−、−P(R13)−が挙げられる。
ここで、R13〜R14は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は複素環基が挙げられる。アルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ブチル基などの炭素数1〜10のアルキル基である。アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などの炭素数6〜15のアリール基である。
複素環基として具体的には、ピリジル基、チエニル基、オキサゾール基などの炭素数3〜10の複素環基である。R13〜R14は、好ましくは分子量1000以下、さらに好ましくは500以下の置換基である。
また、R13〜R14は、隣接する置換基と結合して環を形成しても良く、該環は置換基を有していてもよい。形成する環としては、ベンゼン環、ピリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリミジン環、オキサゾール環、チアゾール環などが挙げられる。該環の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、カルバゾイル基、パーフルオロアルキル基、カルボニル基、カルボキシ基が挙げられ、分子量500以下のものが好ましく、100以下のものが更に好ましい。
{R2〜R5}
前記一般式(I−1)〜(I−5)において、R2〜R5としては、好ましく周期表第14族〜第16族の第2及び第3周期の典型元素或いは該典型元素を有する置換基である。該典型元素として、さらに好ましくは、炭素原子、窒素原子、酸素原子、或いは硫黄原子である。R2〜R5は、具体的には、アルキル基、アリール基、複素環基、アミノ基が好ましい。アルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ブチル基などの炭素数1〜30のアルキル基である。アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基などの炭素数6〜30のアリール基である。複素環基として具体的には、ピリジル基、キノリル基、チエニル基、カルバゾイル基などの炭素数3〜20の複素環基である。アミノ基として具体的には、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基などの炭素数2〜30のアミノ基である。
前記一般式(I−1)〜(I−5)において、R2〜R5としては、好ましく周期表第14族〜第16族の第2及び第3周期の典型元素或いは該典型元素を有する置換基である。該典型元素として、さらに好ましくは、炭素原子、窒素原子、酸素原子、或いは硫黄原子である。R2〜R5は、具体的には、アルキル基、アリール基、複素環基、アミノ基が好ましい。アルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ブチル基などの炭素数1〜30のアルキル基である。アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基などの炭素数6〜30のアリール基である。複素環基として具体的には、ピリジル基、キノリル基、チエニル基、カルバゾイル基などの炭素数3〜20の複素環基である。アミノ基として具体的には、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基などの炭素数2〜30のアミノ基である。
R2〜R5はそれぞれ同一であっても異なっていても良い。R2〜R5は、さらに置換基を有していてもよく、該置換基としては、メチル基、エチル基が挙げられる。
R2〜R5のうち、R3以外は隣接する置換基同士で結合して環を形成していても良く、該環は置換基を有していてもよい。形成する環としては、ベンゼン環、ピリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリミジン環、オキサゾール環、チアゾール環などが挙げられる。該環の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、カルバゾイル基、パーフルオロアルキル基、カルボニル基、カルボキシ基が挙げられ、分子量500以下のものが好ましく、100以下のものが更に好ましい。
R3としては、Yが、上記−N(R13)−或いは−C(R13)(R14)−の場合には、窒素原子もしくは炭素原子が好ましく、Yが上記−O−,−S−或いは−P(R13)−の場合には炭素原子が好ましい。R3として具体的には、アルキル基、アリール基、複素環基が挙げられる。アルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ブチル基などの炭素数1〜30のアルキル基である。アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基などの炭素数6〜30のアリール基である。複素環基として具体的には、ピリジル基、キノリル基、チエニル基、カルバゾイル基などの炭素数3〜20の複素環基である。R3は特に好ましくはアルキル基である。
前記一般式(I−6)において、Zは、直接結合或いは2価の連結基を表す。2価の連結基としては、置換基を有していても良いアルキレン基、又は置換基を有していても良い珪素原子、カルボニル基が挙げられる。アルキレン基として具体的には、メチレン基、エチレン基などの炭素数1〜5のアルキレン基が挙げられる。また、珪素原子としてはヒドロシリル基やジアルキルシリル基などの置換基を2個有するものなどが挙げられる。アルキレン基や珪素原子に導入される置換基としてはメチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数1〜6のアルキル基;フェニル基、ナフチル基などの炭素数4〜20のアリール基等が挙げられる。2価の連結基としては、例えば、−C(R13)(R14)−、−Si(R13)(R14)−などが挙げられる。(R13、R14は各々独立に上記置換基を表す。)Zとしては、好ましくは直接結合又はアルキレン基である。
具体的には、前記一般式(I−1)〜(I−5)で表される化合物は、下記一般式(I−7)で表されるものであることが好ましい。
((I−7)中、X,R1及びR13は前記したものと同義である。
R21及びR22はそれぞれ、前記R13及びR14として定義したものと同義である。)
R21及びR22はそれぞれ、前記R13及びR14として定義したものと同義である。)
{分子量}
前記一般式(I−1)〜(I−5)で表される化合物の分子量は特に上限は無いが、精製のしやすさを考慮すると、10000以下が好ましく、同定のしやすさを考慮すると1500以下が好ましい。
前記一般式(I−1)〜(I−5)で表される化合物の分子量は特に上限は無いが、精製のしやすさを考慮すると、10000以下が好ましく、同定のしやすさを考慮すると1500以下が好ましい。
{製造方法}
前記一般式(I−1)〜(I−5)で表される化合物は、一般的に以下の方法により、下記一般式(0)で表される化合物とM1Wで表される化合物とを溶媒中で反応させることにより合成される。
(上記式中、R1〜R3、Xn−、Y、M1は一般式(I−1)〜(I−5)におけると同義である。Wは対アニオンを表す。)
前記一般式(I−1)〜(I−5)で表される化合物は、一般的に以下の方法により、下記一般式(0)で表される化合物とM1Wで表される化合物とを溶媒中で反応させることにより合成される。
上記反応に用いられるM1Wで表される化合物のWは対アニオンを表し、具体的には、F−,Cl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−,C6H5CO2 −,CN−,CF3SO3 −、CF3CO2 −,CH3CO2 −,CO−,SO4 2−,SO3 2−,SCN−、CH3SO3 −,ClO4 −,PO4 3−,CH3O−,EtO−,NO2 −,SbF6 −,acac−などが挙げられる。中でも工業的に好ましくは、Cl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−,CF3SO3 −、CF3CO2 −,CH3CO2 −,SO4 2−であり、より好ましくはCl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−である。
このWは、前記一般式(I−1)〜(I−5)におけるXと同一であっても良く、異なるものであっても良い。
M1Wで表される化合物の分子量としては、1000以下が好ましく、500以下がさらに好ましい。
M1Wで表される化合物の分子量としては、1000以下が好ましく、500以下がさらに好ましい。
M1Wで表される化合物としては、Ag,Cu,Niの塩又は酸化物が好ましく、具体的には、Ag2O,Cu2O,Ni(OAc)2(Acは、アセチル基を表す。)、CuCO3、Ag2CO3が挙げられるが、何らこれらに限定されるものではない。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用しても良い。
溶媒としては、出発原料として用いる一般式(0)で表される化合物の種類により異なるが、好ましくは、アセトニトリル、DMSO(ジメチルスルホキシド)、メタノールなどのアルコール、ジクロロメタン、ジクロロエタンなどのハロゲン系溶媒を単独あるいは2種類以上併用して用いることが好ましい。
反応温度は室温から溶媒の沸点の間の温度が採用され、加熱する場合にはウォーターバスやオイルバスを使用する。圧力は常圧で良い。
反応モル比は、一般式(0)で表される化合物に対してM1Wで表される化合物のM1が0.9〜1.4となるモル比が好ましく、より好ましくは0.9〜1.1である。
反応モル比は、一般式(0)で表される化合物に対してM1Wで表される化合物のM1が0.9〜1.4となるモル比が好ましく、より好ましくは0.9〜1.1である。
〈遷移金属錯体〉
{M2}
次に、本発明で目的とする前記一般式(II)で表される遷移金属錯体について説明する。前記一般式(II)において、M2は、周期表第6周期の遷移金属を表す。重原子効果による燐光発光の高効率化の点から、好ましくは、Ir(III)、Pt(II),Au(I)、Au(III)であり、さらに好ましくはIr(III)である。
{M2}
次に、本発明で目的とする前記一般式(II)で表される遷移金属錯体について説明する。前記一般式(II)において、M2は、周期表第6周期の遷移金属を表す。重原子効果による燐光発光の高効率化の点から、好ましくは、Ir(III)、Pt(II),Au(I)、Au(III)であり、さらに好ましくはIr(III)である。
{L}
前記一般式(II)において、Lは配位子を表す。Lとして具体的には置換基を有しても良いフェニルピリジン、フェニルイミダゾール、フェニルピラゾールを表し、好ましくはフェニルピリジンである。
前記一般式(II)において、Lは配位子を表す。Lとして具体的には置換基を有しても良いフェニルピリジン、フェニルイミダゾール、フェニルピラゾールを表し、好ましくはフェニルピリジンである。
前記一般式(II)で表される遷移金属錯体は、具体的には下記一般式(II−1)で表されることが好ましい。
((II−1)式中、R4,R5,R13,R21,R22,M2,L,mは前記のものと同義である。)
{分子量}
前記一般式(II)で表される遷移金属錯体の分子量は特に上限は無いが、精製のしやすさを考慮すると10000以下が好ましく、同定のしやすさを考慮すると1500以下が好ましい。
前記一般式(II)で表される遷移金属錯体の分子量は特に上限は無いが、精製のしやすさを考慮すると10000以下が好ましく、同定のしやすさを考慮すると1500以下が好ましい。
{新規遷移金属錯体}
特に、本発明によれば、下記一般式(IIA)で表される新規遷移金属錯体を提供することができる。
((IIA)式中、p、mは、前記一般式(II)におけると同義であり、R2〜R5、Y、Zは、前記一般式(I−1)〜(I−5)におけると同義である。Q1は炭素原子あるいは窒素原子を表す。ただし、Q1が窒素原子の場合は、Q1−Nの結合は単結合となる。
R9〜R12は、各々独立に、任意の置換基を表し、R9〜R12は、それぞれ隣接するR9〜R12同士で環を形成していてもよい。該環は、さらに置換基を有していてもよい。)
特に、本発明によれば、下記一般式(IIA)で表される新規遷移金属錯体を提供することができる。
R9〜R12は、各々独立に、任意の置換基を表し、R9〜R12は、それぞれ隣接するR9〜R12同士で環を形成していてもよい。該環は、さらに置換基を有していてもよい。)
一般式(IIA)において、好ましくはR9〜R11は、それぞれ独立にアルキル基、アリール基、アルケニル基、パーフルオロアルキル基、あるいは水素原子を表し、R12はアルキル基又はアリール基を表す。R9〜R12が隣接する基と環を形成した場合の具体例としては以下のものが挙げられる。
前記一般式(IIA)で表される新規遷移金属錯体としては、具体的には下記一般式(IIA−1),(IIA−2)で表されるものが好ましいものとして例示される。
((IIA−1),(IIA−2)式中、R4,R5,R13は前記のものと同義である。)
{具体例}
前記一般式(II)で表される遷移金属錯体としては、以下に例示される化合物が挙げられるが、何ら以下のものに限定されるものではない。
前記一般式(II)で表される遷移金属錯体としては、以下に例示される化合物が挙げられるが、何ら以下のものに限定されるものではない。
〈製造方法〉
本発明において、前記一般式(I−1)〜(I−5)で表されるいずれかの化合物を出発原料として用い、例えば、下記反応式に従って、これを一般式M2QQ’Lmで表される化合物と反応させることにより、前記一般式(II)で表される遷移金属錯体を製造する。
通常、この反応は、前記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される出発原料化合物と、下記M2QQ’Lmで表される化合物と溶媒とを反応容器に入れ、加熱還流することにより行われる。その加熱手段としては、マイクロウェーブ(電子レンジ)、オートクレーブ(加圧可能反応装置)等が挙げられるが、何らこれに限定されるものではない。
本発明において、前記一般式(I−1)〜(I−5)で表されるいずれかの化合物を出発原料として用い、例えば、下記反応式に従って、これを一般式M2QQ’Lmで表される化合物と反応させることにより、前記一般式(II)で表される遷移金属錯体を製造する。
通常、この反応は、前記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される出発原料化合物と、下記M2QQ’Lmで表される化合物と溶媒とを反応容器に入れ、加熱還流することにより行われる。その加熱手段としては、マイクロウェーブ(電子レンジ)、オートクレーブ(加圧可能反応装置)等が挙げられるが、何らこれに限定されるものではない。
{M2QQ’Lm}
一般式M2QQ’Lmにおいて、Qは対アニオンを表す。Qとして具体的には、F−,Cl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−,C6H5CO2 −,CN−,CF3SO3 −、CF3CO2 −,CH3CO2 −,CO−,SO4 2−,SO3 2−,SCN−、CH3SO3 −,ClO4 −,PO4 3−,CH3O−,EtO−,NO2 −,SbF6 −,acac−などが挙げられる。中でも工業的に好ましくは、Cl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−,CF3SO3 −、CF3CO2 −,CH3CO2 −,SO4 2−であり、より好ましくはCl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−である。
Qは前記一般式(I−1)〜(I−5)におけるXと同一であっても良く、異なるものであっても良い。
Q’は価数調整のために導入されるカチオン原子であり、例えば、H+、Na+、K+、Li+等が挙げられる。
一般式M2QQ’Lmにおいて、Qは対アニオンを表す。Qとして具体的には、F−,Cl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−,C6H5CO2 −,CN−,CF3SO3 −、CF3CO2 −,CH3CO2 −,CO−,SO4 2−,SO3 2−,SCN−、CH3SO3 −,ClO4 −,PO4 3−,CH3O−,EtO−,NO2 −,SbF6 −,acac−などが挙げられる。中でも工業的に好ましくは、Cl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−,CF3SO3 −、CF3CO2 −,CH3CO2 −,SO4 2−であり、より好ましくはCl−,Br−,I−,BF4 −,PF6 −,CO3 2−,OH−である。
Qは前記一般式(I−1)〜(I−5)におけるXと同一であっても良く、異なるものであっても良い。
Q’は価数調整のために導入されるカチオン原子であり、例えば、H+、Na+、K+、Li+等が挙げられる。
M2QQ’Lmで表される化合物の分子量としては、5000以下が好ましく、2000以下がさらに好ましい。
なお、M2QQ’Lmで表される化合物は、水和水を含むものであっても良い。
一般式M2QQ’Lmで表される化合物として具体的には、次のようなものが挙げられるが、何らこれらに限定されるものではない。
なお、M2QQ’Lmで表される化合物は、水和水を含むものであっても良い。
一般式M2QQ’Lmで表される化合物として具体的には、次のようなものが挙げられるが、何らこれらに限定されるものではない。
IrCl3・xH2O、Na2IrCl6・6H2O、Na2IrBr6、K2IrCl6、K3IrCl6、K2IrBr6、[Ir(NH3)5Cl]2、(NH3)2IrCl6、(NH3)3IrCl6・H2O、[Ir(COD)u−Cl]2、H2IrCl6・xH2O、IrBr3・xH2O、IrCl4・xH2O、K2PtCl6、K2PtCl4、(NH3)2PtBr6、(NH3)4PtCl4、Pt(NH3)2(NO2)2、
(なお、上記式中、X’は前記一般式(I−1)〜(I−5)における対アニオンXとして挙げたものが用いられるが、好ましくはハロゲン原子である。)
本発明において、M2QQ’Lmで表される化合物は特に好ましくはIrの塩又はPtの塩である。
反応雰囲気は、空気中でもよいが、窒素雰囲気下或いはアルゴン雰囲気下で反応させてもよい。
溶媒としては、出発原料により異なるが、好ましくは、トルエン、DMF(ジメチルホルムアミド)、DMSO(ジメチルスルホキシド)、エトキシエタノールなどのアルコールが挙げられる。特に、高温反応が可能であることから、60℃以上に沸点を有する溶媒を用いることが好ましい。これらの溶媒は1種を単独であるいは2種類以上併用して用いることができる。
また、反応系には、必要に応じて更に他の添加物を加えてもよい。この添加物としては、Na2CO3、NaHCO3,K2CO3、NaOHやNaOt−Bu(t−Buはtert−ブチル基)などの塩基やAgBF4やAgOTf等が挙げられ、これらの添加物を加えることにより反応の速度を制御することが可能となる。
反応に用いる前記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される出発原料化合物とM2QQ’Lmで表される化合物との割合は、前記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される出発原料に対して、M2QQ’Lmで表される化合物を1当量以下、特に0.1〜0.35当量用いることが好ましい。M2QQ’Lmで表される化合物の使用割合が少な過ぎると目的物の精製効率が悪くなり、多過ぎると反応を終結させられない恐れがある。
なお、前記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される出発原料化合物、M2QQ’Lmで表される化合物については、各々、2種以上用いることも可能であるが、目的とする遷移金属錯体を高収率で得るために、通常は、1種類ずつ用いられる。
また、前述の溶媒は、M2QQ’Lmで表される化合物1モルに対して5〜50L程度使用することが好ましい。溶媒の使用量が多過ぎると反応速度が低下し、少な過ぎると反応を終結させることが困難であったり、異性体の制御が困難となる恐れがある。
反応温度は、用いた溶媒の沸点に依存するが、通常40℃以上、好ましくは60℃以上、より好ましくは75℃以上で、通常250℃以下、好ましくは230℃以下、より好ましくは200℃以下程度である。反応温度がこの上限を超えると生成物が分解する恐れがあり、下限を下回ると未反応の恐れがあり好ましくない。
特に、本発明の製造方法においては、90℃以下例えば75〜90℃では目的とする遷移金属錯体のmer体を選択的に合成することができ、90℃以上、好ましくは120℃以上ではfac体を選択的に得ることができることから、反応温度は、目的とする構造異性体に応じて適宜決定することが好ましい。
反応圧力は常圧から10atm(1MPa)以下が好ましい。
反応時間は、目的とする構造異性体にもよるが、mer体を得たい場合には、昇温時間を含めて通常30分以上、通常10時間以下、好ましくは8時間以下、さらに好ましくは6時間以下程度である。この上限を超えるとfac体が生じる恐れがあり、下限を下回ると未反応の恐れがあり好ましくない。
反応により生成した目的化合物である前記一般式(II)で表される遷移金属錯体の単離は、濾過等により反応で生成した無機物を除去し、有機溶剤で沈殿を洗浄後、反応溶媒を減圧濃縮し、得られた粗生成物を再結晶、シリカゲルクロマトグラフィー或いはGPCにより精製することにより行うことが出来る。
以下に、本発明を合成例及び実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
1−フェニルイミダゾール(アルドリッチ社製)4g(28mmol)にヨードメタン5.9g(42mmol)を加え、9時間加熱還流を行った。原料が無くなったことを確認した後、反応溶液を濃縮し、得られた粗生成物を酢酸エチルで懸洗を繰り返すことにより、目的とする化合物(1):8gをほぼ定量的に得ることが出来た。化合物の同定は1H−NMR、マス分析により行った。
ヨードベンゼン25g(東京化成品)、ベンゾイミダゾール12g(東京化成品)、ヨウ化銅3g(キシダ化学品)、炭酸ナトリウム17g(関東化学品)の混合物にジメチルホルムアミド100mL(純正化学品)を加えて100℃で11時間加熱攪拌した。室温まで放置した後、ジクロロメタン100mL(関東化学品)を加え、沈殿物を除去した後、カラムクロマトグラフィーで精製することにより目的とするフェニルベンゾイミダゾール7.5gを収率18%で得た。化合物の同定は1H−NMR、マス分析により行った。
合成例2で得られたフェニルベンゾイミダゾール2.3gのジクロロメタン20mL(関東化学)溶液に、ヨードメタン2.1g(関東化学品)を加え、8時間、加熱還流を行った。反応溶液をエバポレーターを用いて濃縮した後、ジクロロメタン・ヘキサンの混合溶媒で懸洗することにより目的とする化合物(2)を得た。化合物の同定は1H−NMR、マス分析により行った。
合成例1で得られた化合物(1)2.8gのジクロロメタン100mL溶液にAg2O(アルドリッチ品)1.2gを加え、室温で2.5時間攪拌を行った。得られた沈殿物を濾過した後、反応液を濃縮することにより、目的物である化合物(3)を得た。化合物の同定は1H−NMR、マス分析により行った。
合成例3で得られた化合物(2)1.8gのジクロロメタン100mL溶液にAg2O(アルドリッチ品)695mgを加え、室温で2.5時間攪拌を行った。得られた沈殿物を濾過することにより、目的物である化合物(4)を得た。化合物の同定は1H−NMR、マス分析により行った。
合成例4で得られた化合物(3)(390mg)とJ.Am.Chem.Soc.2003,125,7377.に記載の方法で合成した化合物(8)365mg、及び炭酸ナトリウム(関東化学品)106mgをエトキシエタノール中、120℃で2日間、加熱を行なった。反応溶液に水を加え、濾過した後、濾過物をジクロロメタンで洗浄し、濾液を濃縮した。得られた粗生成物をゲルクロマトグラフィーで精製することにより目的とする化合物(9)を得た。
この化合物(9)の発光スペクトルを図1に示す。
この化合物(9)の発光スペクトルを図1に示す。
合成例4で得られた化合物(3)(393mg)と[Ir(COD)u−Cl]2(アルドリッチ製)112mgをトルエン中、80℃で2日間、加熱を行った。反応溶液を濾過した後、沈殿をジクロロメタンで洗浄し、濾液を濃縮した。得られた粗生成物をクロマトグラフィーで精製することにより目的物(5)を得た。目的物の同定は1H−NMR、マス分析により行った。また、HPLC分析により生成物はmer体:fac体=23:74(モル比)であることが分かった。
合成例4で得られた化合物(3)(750mg)とIrCl3・xH2O(アルドリッチ製)158mg、炭酸ナトリウム(関東化学品)212mgをエトキシエタノール中、120℃で2時間、加熱を行った。反応溶液を濾過した後、濾過物をジクロロメタンで洗浄し、濾液を濃縮した。得られた粗生成物をクロマトグラフィーで精製することにより目的物(5)を得た。目的物の同定は1H−NMR、マス分析により行った。また、HPLC分析により生成物はmer体:fac体=1:97(モル比)であることが分かった。
合成例5で得られた化合物(4)(750mg)とIrCl3・xH2O(アルドリッチ製)375mg、炭酸ナトリウム(関東化学品)640mgをエトキシエタノール中、140℃で11時間、加熱を行った。反応溶液に水を加え、濾過した後、濾過物をジクロロメタンで洗浄し、濾液を濃縮した。得られた粗生成物をクロマトグラフィーで精製することにより目的物(6)を得た。目的物の同定は1H−NMR、マス分析により行った。また、HPLC分析により生成物はmer体:fac体=1:98(モル比)であることが分かった。
本発明により提供される遷移金属錯体は、有機電界発光素子や、白色LED固体照明用の光源、色素レーザー、温度センサー、酸素センサー、圧力センサー、時間差蛍光イムノアッセイ、多光子吸収(発光)材料、有機長残光材料、夜行塗料、非線形光学材料、光電変換材料、超伝導材料など、様々な用途展開が期待される。
Claims (5)
- 下記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される化合物を原料として、下記一般式(II)で表される遷移金属錯体を製造することを特徴とする遷移金属錯体の製造方法。
R1は、下記一般式(I−6)で表される基である。
R2〜R5、Y、Zは各々一般式(I−1)〜(I−6)におけると同義である。) - 請求項1において、前記一般式(I−1)〜(I−5)のいずれかで表される化合物と金属塩とを反応させて、前記一般式(II)で表される遷移金属錯体を製造することを特徴とする遷移金属錯体の製造方法。
- 請求項2において、前記反応を90℃以下で行うことを特徴とする遷移金属錯体の製造方法。
- 請求項2において、前記反応を120℃以上で行うことを特徴とする遷移金属錯体の製造方法。
- 下記一般式(IIA)で表されることを特徴とする遷移金属錯体。
R2〜R5は、各々独立に、任意の置換基を表し、R2〜R5は、それぞれ隣接するR2〜R5同士で環を形成していてもよい。該環は、さらに置換基を有していてもよい。Yは、2価の連結基を表し、Zは、直接結合或いは2価の連結基を表す。Q1は炭素原子あるいは窒素原子を表す。ただし、Q1が窒素原子の場合は、Q1−Nの結合は単結合となる。
R9〜R12は、各々独立に、任意の置換基を表し、R9〜R12は、それぞれ隣接するR9〜R12同士で環を形成していてもよい。該環は、さらに置換基を有していてもよい。)
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Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007217397A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-08-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 遷移金属錯体の製造方法 |
JP2009057505A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2009525299A (ja) * | 2006-01-31 | 2009-07-09 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 遷移金属カルベン錯体の製造方法 |
JP2009532549A (ja) * | 2006-04-04 | 2009-09-10 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 1つの非カルベン配位子と1もしくは2つのカルベン配位子を有する遷移金属錯体並びにoledにおけるその使用 |
CN102212084A (zh) * | 2011-04-13 | 2011-10-12 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 经式氮杂环卡宾环金属铱磷光配合物的合成方法 |
JP2012531473A (ja) * | 2009-07-03 | 2012-12-10 | オスラム アクチエンゲゼルシャフト | 燐光を発する金属錯体化合物、その製造方法及び放射線を発するデバイス |
JP2014523410A (ja) * | 2011-06-08 | 2014-09-11 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | ヘテロレプティックイリジウムカルベン錯体及びそれを用いた発光デバイス |
US8859110B2 (en) | 2008-06-20 | 2014-10-14 | Basf Se | Cyclic phosphazene compounds and use thereof in organic light emitting diodes |
CN104650152A (zh) * | 2013-11-15 | 2015-05-27 | 环球展览公司 | 有机电致发光材料和装置 |
CN107868110A (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-03 | 三星显示有限公司 | 有机金属化合物和包括其的有机发光装置 |
US20190393438A1 (en) * | 2016-05-13 | 2019-12-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Organic Electron-Conducting Layer Having N-Dopant |
US10916715B2 (en) | 2016-10-20 | 2021-02-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US11124533B2 (en) | 2019-04-08 | 2021-09-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US20210399240A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound, light-emitting device including the same, and electronic apparatus including the light-emitting device |
US20210399239A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound, light-emitting device including the same, and electronic apparatus including the light-emitting device |
US20220310943A1 (en) * | 2021-03-04 | 2022-09-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound, light-emitting device including the same, and electronic apparatus including the light-emitting device |
US11631822B2 (en) | 2020-03-23 | 2023-04-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US11925104B2 (en) | 2017-07-21 | 2024-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US11950495B2 (en) | 2019-06-14 | 2024-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device and organometallic compound |
US12082487B2 (en) | 2020-05-14 | 2024-09-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US12096680B2 (en) | 2017-07-14 | 2024-09-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US12144243B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-11-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound, light-emitting device including same, and electronic apparatus including the light-emitting device |
US12207544B2 (en) | 2020-07-13 | 2025-01-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic apparatus including the same, and organometallic compound |
US12268044B2 (en) | 2019-04-30 | 2025-04-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device including a first exciplex and a second exciplex in an emission layer |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005019373A2 (de) * | 2003-08-19 | 2005-03-03 | Basf Aktiengesellschaft | Übergangsmetallkomplexe mit carbenliganden als emitter für organische licht-emittierende dioden (oleds) |
WO2007018067A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 遷移金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007096259A (ja) * | 2005-04-25 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP2008521946A (ja) * | 2004-11-25 | 2008-06-26 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 有機発光ダイオード(oled)における遷移金属−カルベン錯体の使用 |
JP2008525366A (ja) * | 2004-12-23 | 2008-07-17 | チバ ホールディング インコーポレーテッド | 求核性カルベン配位子を持つエレクトロルミネセント金属錯体 |
JP2008538858A (ja) * | 2005-03-24 | 2008-11-06 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | カルボニル基を有する基を介して結合された芳香族環もしくは複素芳香族環を有する化合物を、有機発光ダイオードにおけるマトリクス材料として用いる使用 |
-
2005
- 2005-08-10 JP JP2005231875A patent/JP2007045742A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005019373A2 (de) * | 2003-08-19 | 2005-03-03 | Basf Aktiengesellschaft | Übergangsmetallkomplexe mit carbenliganden als emitter für organische licht-emittierende dioden (oleds) |
JP2008521946A (ja) * | 2004-11-25 | 2008-06-26 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 有機発光ダイオード(oled)における遷移金属−カルベン錯体の使用 |
JP2008525366A (ja) * | 2004-12-23 | 2008-07-17 | チバ ホールディング インコーポレーテッド | 求核性カルベン配位子を持つエレクトロルミネセント金属錯体 |
JP2008538858A (ja) * | 2005-03-24 | 2008-11-06 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | カルボニル基を有する基を介して結合された芳香族環もしくは複素芳香族環を有する化合物を、有機発光ダイオードにおけるマトリクス材料として用いる使用 |
JP2007096259A (ja) * | 2005-04-25 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
WO2007018067A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 遷移金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007217397A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-08-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 遷移金属錯体の製造方法 |
JP2009525299A (ja) * | 2006-01-31 | 2009-07-09 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 遷移金属カルベン錯体の製造方法 |
JP2009532549A (ja) * | 2006-04-04 | 2009-09-10 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 1つの非カルベン配位子と1もしくは2つのカルベン配位子を有する遷移金属錯体並びにoledにおけるその使用 |
JP2009057505A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
US8859110B2 (en) | 2008-06-20 | 2014-10-14 | Basf Se | Cyclic phosphazene compounds and use thereof in organic light emitting diodes |
JP2012531473A (ja) * | 2009-07-03 | 2012-12-10 | オスラム アクチエンゲゼルシャフト | 燐光を発する金属錯体化合物、その製造方法及び放射線を発するデバイス |
CN102212084A (zh) * | 2011-04-13 | 2011-10-12 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 经式氮杂环卡宾环金属铱磷光配合物的合成方法 |
JP2014523410A (ja) * | 2011-06-08 | 2014-09-11 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | ヘテロレプティックイリジウムカルベン錯体及びそれを用いた発光デバイス |
CN104650152A (zh) * | 2013-11-15 | 2015-05-27 | 环球展览公司 | 有机电致发光材料和装置 |
US20190393438A1 (en) * | 2016-05-13 | 2019-12-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Organic Electron-Conducting Layer Having N-Dopant |
US11950441B2 (en) * | 2016-05-13 | 2024-04-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Organic electron-conducting layer having N-dopant |
CN107868110A (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-03 | 三星显示有限公司 | 有机金属化合物和包括其的有机发光装置 |
US10916715B2 (en) | 2016-10-20 | 2021-02-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US12096680B2 (en) | 2017-07-14 | 2024-09-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US11925104B2 (en) | 2017-07-21 | 2024-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US11697664B2 (en) | 2019-04-08 | 2023-07-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US11124533B2 (en) | 2019-04-08 | 2021-09-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US12268044B2 (en) | 2019-04-30 | 2025-04-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device including a first exciplex and a second exciplex in an emission layer |
US11950495B2 (en) | 2019-06-14 | 2024-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device and organometallic compound |
US11631822B2 (en) | 2020-03-23 | 2023-04-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US12082487B2 (en) | 2020-05-14 | 2024-09-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound and organic light-emitting device including the same |
US20210399239A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound, light-emitting device including the same, and electronic apparatus including the light-emitting device |
US20210399240A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound, light-emitting device including the same, and electronic apparatus including the light-emitting device |
US12207544B2 (en) | 2020-07-13 | 2025-01-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic apparatus including the same, and organometallic compound |
US12144243B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-11-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound, light-emitting device including same, and electronic apparatus including the light-emitting device |
US20220310943A1 (en) * | 2021-03-04 | 2022-09-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organometallic compound, light-emitting device including the same, and electronic apparatus including the light-emitting device |
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