JP2007040965A - Sensor device - Google Patents
Sensor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007040965A JP2007040965A JP2006076192A JP2006076192A JP2007040965A JP 2007040965 A JP2007040965 A JP 2007040965A JP 2006076192 A JP2006076192 A JP 2006076192A JP 2006076192 A JP2006076192 A JP 2006076192A JP 2007040965 A JP2007040965 A JP 2007040965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- sensor chip
- chip
- lead frame
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 5
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 1
- 101100400993 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) MEK1 gene Proteins 0.000 abstract description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 210000005182 tip of the tongue Anatomy 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Description
本発明は、回転速度や加速度の検出に用いられるセンサ装置に関するものである。 The present invention relates to a sensor device used for detecting rotational speed and acceleration.
周知のように、車両には多くのセンサが搭載されており、これらセンサを通じて車両制御に必要とされる各種情報が検出される。そして、このようなセンサのなかに、各種回転体の回転速度や回転角度等の検出に用いられる回転センサや車両に生じる各種加速度の検出に用いられる加速度センサがある。このうち、回転センサとしては、回転体の回転に追従した例えば磁気抵抗素子の抵抗値変化を利用して同回転体の回転態様を検出するものが知られており、車載エンジンの回転速度検出や車輪回転速度(車輪速)などに広く用いられている。ちなみに、この回転センサが車輪速の検出に用いられる場合には通常、車輪の近傍に配設されて車輪軸と一体回転可能に設けられたロータの回転を検出する態様で設けられることとなる(例えば特許文献1参照)。 As is well known, many sensors are mounted on the vehicle, and various information necessary for vehicle control is detected through these sensors. Among such sensors, there are a rotation sensor used for detecting the rotation speed and rotation angle of various rotating bodies, and an acceleration sensor used for detecting various accelerations generated in the vehicle. Among these, as the rotation sensor, one that detects the rotation mode of the rotating body using, for example, the resistance value change of the magnetoresistive element following the rotation of the rotating body is known. Widely used for wheel rotation speed (wheel speed). Incidentally, when this rotation sensor is used for detecting the wheel speed, it is usually provided in a mode of detecting the rotation of a rotor that is provided in the vicinity of the wheel and that can rotate integrally with the wheel shaft ( For example, see Patent Document 1).
一方、上記加速度センサとしては、例えば静電容量式、歪ゲージ式(ピエゾ抵抗式)、圧電式などのものが知られており、例えば車両の上下方向や前後方向における加速度の検出に広く用いられている。そして、この検出された加速度は、例えば車両のブレーキ制御やエアバッグ制御、あるいはサスペンション制御等に使用される。なお、この加速度センサが特に車両のサスペンション制御に用いられる場合には、同サスペンション制御において必要とされる情報である車両のばたつきを示す情報をモニタするために用いられることもあり、この場合には加速度センサも通常、車輪の近傍に配設されることとなる。
ところで、上述した車輪速を検出するための回転センサや車両のばたつきをモニタするための加速度センサを用いる場合、これらのセンサは共に車輪の近傍に配設されることから、配線の取り回し等を考慮すると、これら両センサを可能な限り近接して配設することが望ましい。しかし、これら回転センサや加速度センサはいずれもそれぞれが単独のアッセンブリ(構造体)として形成されている上に、その取り付け態様も異なるため、車輪近傍という限られた配設スペースの中でこれら両センサを近接して配設することは難しく、結局は、それらセンサの取り付けに関する自由度が大きく制限されることともなっている。 By the way, in the case of using the rotation sensor for detecting the wheel speed and the acceleration sensor for monitoring the fluttering of the vehicle, these sensors are both disposed in the vicinity of the wheel, so that the wiring and the like are taken into consideration. Then, it is desirable to arrange these sensors as close as possible. However, since these rotation sensors and acceleration sensors are each formed as a single assembly (structure) and their mounting modes are different, both of these sensors are provided in a limited arrangement space near the wheel. It is difficult to arrange the sensors close to each other, and ultimately, the degree of freedom regarding the mounting of these sensors is greatly limited.
なお、上記車輪速の検出に用いられる回転センサや車両のばたつきのモニタに用いられる加速度センサに限らず、それら2種のセンサを近接して設けようとする場合には、多かれ少なかれ、こうした取り付けに関する自由度の制限は避けられない実情にある。 It should be noted that the present invention is not limited to the rotation sensor used for detecting the wheel speed and the acceleration sensor used for monitoring the flickering of the vehicle. Limitation of freedom is inevitable.
本発明はこうした実情に鑑みなされたものであって、その目的は、特に回転センサと加速度センサとの配設に関して、限られたスペース内での取り付けにかかる自由度を大幅に高めることのできるセンサ装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and the object thereof is a sensor that can greatly increase the degree of freedom in mounting in a limited space, particularly with regard to the arrangement of the rotation sensor and the acceleration sensor. To provide an apparatus.
こうした目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、磁気抵抗素子を有する第1のセンサチップと、加速度検知素子を有する第2のセンサチップと、これら第1及び第2のセンサチップが実装されるリードフレームと、前記第1のセンサチップの前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石とを備える構成とするとともに、少なくとも前記第1及び第2のセンサチップは外部雰囲気と遮断すべく密閉されたハウジング内に配設し、前記第1のセンサチップの近傍にてロータが回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値変化として感知して前記ロータの回転態様を検出するとともに、前記ハウジングに作用する加速度を前記第2のセンサチップに設けられた前記加速度検知素子を通じて併せて検出することとした。 In order to achieve such an object, according to the first aspect of the present invention, a first sensor chip having a magnetoresistive element, a second sensor chip having an acceleration detecting element, and the first and second sensor chips are provided. A lead frame to be mounted and a magnet for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive element of the first sensor chip are provided, and at least the first and second sensor chips should be shielded from the external atmosphere. A change in a magnetic vector, which is arranged in a sealed housing and is generated in cooperation with the bias magnetic field when the rotor rotates in the vicinity of the first sensor chip, is detected as a change in the resistance value of the magnetoresistive element. And detecting the rotation mode of the rotor and detecting the acceleration acting on the housing on the acceleration detecting element provided on the second sensor chip. It was to be detected in conjunction through.
上記構成によれば、磁気抵抗素子を有する第1のセンサチップ及び加速度検知素子を有する第2のセンサチップが上記ハウジング内に配設されて1つにまとめられるため、当該センサ装置の配設にかかるスペースがセンサ1つ分のスペースで済むこととなり、限られたスペース内での取り付けにかかる自由度を大幅に高めることができるようになる。 According to the above configuration, since the first sensor chip having the magnetoresistive element and the second sensor chip having the acceleration detecting element are arranged in the housing and integrated into one, the sensor device is arranged. Such a space is sufficient for one sensor, and the degree of freedom for mounting in a limited space can be greatly increased.
また、請求項1に記載のセンサ装置において、例えば請求項2に記載の発明では、少なくとも前記第1のセンサチップを、前記リードフレームの実装面にベアチップの状態で実装し、給電に用いられるリードフレーム部分を前記第1及び第2のセンサチップによって共用することとした。
Further, in the sensor device according to
このような構成によれば、少なくとも上記第1のセンサチップは上記リードフレームの実装面にベアチップの状態で、すなわち樹脂モールド等を施さない状態で実装されることとなるため、上記第2のセンサチップと一括して実装することが可能となる。しかもこの場合、上記第1のセンサチップ(正確には磁気抵抗素子)を、上記磁石の内壁或いは先端部などの磁力のより強い部分に近づけることが可能となり、磁気抵抗素子に対しより強いバイアス磁界を付与することができるようになる。また、給電に用いられる上記リードフレーム部分が第1及び第2のセンサチップによって共用されることにより、必要となるリードフレームが最小限に抑えられるため、当該センサ装置の小型化を図ることができるようになる。 According to such a configuration, at least the first sensor chip is mounted on the mounting surface of the lead frame in a bare chip state, that is, without being subjected to resin molding or the like. It can be mounted together with the chip. In addition, in this case, the first sensor chip (more precisely, the magnetoresistive element) can be brought closer to a stronger part of the magnetic force such as the inner wall or the tip of the magnet, and the bias magnetic field stronger than the magnetoresistive element. Can be granted. In addition, since the lead frame portion used for power feeding is shared by the first and second sensor chips, the necessary lead frame can be minimized, so that the sensor device can be miniaturized. It becomes like this.
また、請求項1または2に記載のセンサ装置において、上記第1及び第2のセンサチップを上記ハウジング内に配設するにあたっては、例えば請求項3に記載の発明によるように、
(イ)前記ハウジングを、非磁性材料からなる有底筒状のカバー部材と、絶縁性材料からなってこのカバー部材の開口端を塞ぐ蓋材とを有するものとして構成し、このうち、該蓋材を、前記カバー部材の内方に突出する態様で延設されて前記リードフレーム及び前記第1及び第2のセンサチップの実装面が一体に鋳込まれた板状の舌部を有して且つ、前記リードフレームのうちのターミナルとして兼用されるリード部が同蓋材の裏面から導出された構造体として形成し、さらに、前記磁石を中空部を有する筒状に形成して前記ハウジングの内底面に配設し、少なくとも前記第1のセンサチップを蓋材構造体を形成する前記舌部の先端側に実装した状態で前記磁石の中空部内に収容するように前記ハウジング内に配設する構造。
あるいは、請求項4に記載の発明によるように、
(ロ)前記ハウジングを、非磁性材料からなる有底筒状のカバー部材と、絶縁性材料からなってこのカバー部材の開口端を塞ぐ蓋材とを有するものとして構成し、このうち、該蓋材を、前記カバー部材の内方に突出する態様で延設されて前記リードフレーム及び前記第1及び第2のセンサチップの実装面が一体に鋳込まれた板状の舌部を有して且つ、前記リードフレームのうちのターミナルとして兼用されるリード部が同蓋材の裏面から導出された構造体として形成し、さらに、前記磁石をこの蓋材構造体を形成する前記舌部の前記リードフレーム及び前記第1のセンサチップの実装面が設けられた面の裏面に配設し、前記第1及び第2のセンサチップを同蓋材構造体を形成する前記舌部に実装した状態で前記ハウジング内に配設する構造。
さらに、請求項5に記載の発明によるように、
(ハ)前記ハウジングを、非磁性材料からなる有底筒状のカバー部材と、絶縁性材料からなってこのカバー部材の開口端を塞ぐ蓋材とを有するものとして構成し、このうち、該蓋材を、前記カバー部材の内方に突出する態様で延設されて前記リードフレーム及び前記第1及び第2のセンサチップの実装面が一体に鋳込まれた板状の舌部を有して且つ、前記リードフレームのうちのターミナルとして兼用されるリード部が同蓋材の裏面から導出された構造体として形成し、さらに、前記磁石を中空部を有する筒状に形成して前記ハウジングに外嵌し、少なくとも前記第1のセンサチップを蓋材構造体を形成する前記舌部の先端側に実装した状態で前記ハウジング内に配設する構造。
等々を採用することができる。
Further, in the sensor device according to
(A) The housing is configured to have a bottomed cylindrical cover member made of a nonmagnetic material and a lid member made of an insulating material and closing the opening end of the cover member, A plate-like tongue portion in which a mounting surface of the lead frame and the first and second sensor chips is integrally cast, the material extending in a manner protruding inward of the cover member In addition, the lead portion of the lead frame that is also used as a terminal is formed as a structure led out from the back surface of the lid member, and the magnet is formed in a cylindrical shape having a hollow portion so that the inside of the housing is formed. A structure disposed on the bottom surface and disposed in the housing so as to be accommodated in the hollow portion of the magnet in a state where at least the first sensor chip is mounted on the distal end side of the tongue portion forming the lid structure. .
Alternatively, as in the invention according to claim 4,
(B) The housing is configured to have a bottomed cylindrical cover member made of a non-magnetic material and a lid member made of an insulating material that closes the opening end of the cover member. A plate-like tongue portion in which a mounting surface of the lead frame and the first and second sensor chips is integrally cast, the material extending in a manner protruding inward of the cover member The lead portion of the lead frame that is also used as a terminal is formed as a structure derived from the back surface of the lid member, and the magnet is used as the lead of the tongue portion that forms the lid member structure. The frame and the first sensor chip are disposed on the back surface of the surface on which the mounting surface is provided, and the first and second sensor chips are mounted on the tongue portion forming the lid material structure. A structure that is arranged in the housing.
Further, according to the invention of claim 5,
(C) The housing is configured to have a bottomed cylindrical cover member made of a non-magnetic material and a lid member made of an insulating material that closes the opening end of the cover member. A plate-like tongue portion in which a mounting surface of the lead frame and the first and second sensor chips is integrally cast, the material extending in a manner protruding inward of the cover member In addition, a lead portion of the lead frame that is also used as a terminal is formed as a structure derived from the back surface of the lid member, and the magnet is formed in a cylindrical shape having a hollow portion and is attached to the housing. A structure that is fitted and disposed in the housing in a state in which at least the first sensor chip is mounted on the distal end side of the tongue that forms the lid member structure.
And so on.
これらのうちのいずれかの構成を採用することにより、上記第1のセンサチップ及び第2のセンサチップの実装された上記蓋材構造体を上記カバー部材に組み付けることで、簡便に、これら第1及び第2のセンサチップを外部雰囲気と遮断しつつ、上記ハウジング内に密閉するかたちで配設することができるようになる。また、請求項4に記載の構造では、磁石が小型化されるため、当該センサ装置の小型化を図ることもできるようになる。 By adopting one of these configurations, the lid member structure on which the first sensor chip and the second sensor chip are mounted is assembled to the cover member, so that the first sensor chip can be easily used. In addition, the second sensor chip can be disposed in a sealed manner in the housing while being shielded from the external atmosphere. Moreover, in the structure of Claim 4, since a magnet is reduced in size, the said sensor apparatus can also be reduced in size.
また、請求項3〜5のいずれかに記載のセンサ装置において、例えば請求項6に記載の発明によるように、前記蓋材構造体を形成する前記舌部の先端面を、前記カバー部材の内底面に接着固定することにより、上記舌部の剛性を高めることができるようになる。また、上記第1及び第2のセンサチップが実装される上記舌部の振動が抑えられるため、振動による上記第1及び第2のセンサチップのセンシング特性への影響が好適に抑えられるようになる。
Further, in the sensor device according to any one of claims 3 to 5, for example, according to the invention according to
ところで、前記磁石の側内壁部或いは先端部は、前記第1のセンサチップ(正確には磁気抵抗素子)に対し、その他の部分に比してより強いバイアス磁界を付与することが可能な部分である。したがって、前記第1のセンサチップに対しより強いバイアス磁界を付与する、すなわち、前記磁気抵抗素子の抵抗値変化を大きくするためには、前記第1のセンサチップを前記磁石の側内壁部或いは先端部により近づけることが望ましい。しかしながら、例えば前記磁気抵抗素子が前記舌部の端部に位置するように前記第1のセンサチップを配置することで前記磁石の側内壁部或いは先端部との距離を縮めようとすれば、前記第1のセンサチップのサイズを前記舌部の幅に合わせる必要があり、該第1のセンサチップのチップサイズが拡大し、ひいては歩留まりを低下させるおそれがある。 By the way, the side inner wall portion or the tip portion of the magnet is a portion capable of applying a stronger bias magnetic field to the first sensor chip (more precisely, the magnetoresistive element) than other portions. is there. Therefore, in order to apply a stronger bias magnetic field to the first sensor chip, that is, to increase the resistance value change of the magnetoresistive element, the first sensor chip is connected to the side inner wall portion or the tip of the magnet. It is desirable to be closer to the part. However, for example, if the first sensor chip is arranged so that the magnetoresistive element is located at the end of the tongue, the distance from the side inner wall or the tip of the magnet is reduced. It is necessary to match the size of the first sensor chip with the width of the tongue, which may increase the chip size of the first sensor chip and thus reduce the yield.
その点、請求項3〜6のいずれかに記載のセンサ装置において、例えば請求項7に記載の発明によるように、前記蓋材構造体を形成する前記舌部の先端部の幅を、同舌部の基端部よりも狭く形成することとすれば、前記第1のセンサチップのチップサイズを拡大することなく、第1のセンサチップと前記磁石の側内壁部或いは先端部との距離を縮めることが可能となる。すなわち、第1のセンサチップにかかる歩留まりの低下を抑制しつつ前記磁気抵抗素子の抵抗値変化を大きくすることができ、ひいては、前記ロータの回転態様にかかわる検出精度を向上させることが可能となる。なお、上記請求項3及び上記請求項5の発明の構成と併用することとすれば、上述の効果がより顕著なものとなる。 In that respect, in the sensor device according to any one of claims 3 to 6, for example, according to the invention according to claim 7, the width of the tip portion of the tongue portion forming the lid member structure is set to If it is formed narrower than the base end part of the part, the distance between the first sensor chip and the inner side wall part or the tip part of the magnet is reduced without increasing the chip size of the first sensor chip. It becomes possible. That is, it is possible to increase the change in the resistance value of the magnetoresistive element while suppressing a decrease in the yield of the first sensor chip, and thus it is possible to improve the detection accuracy related to the rotation mode of the rotor. . In addition, if it uses with the structure of the said invention of the said Claim 3 and the said Claim 5, the above-mentioned effect will become more remarkable.
また、前記蓋材構造体を形成する前記舌部に対し、前記リードフレーム及び前記第1及び第2のセンサチップを実装する際には、マウント設備を利用することから、これらに実装には高い位置決め精度が要求される。 Further, when the lead frame and the first and second sensor chips are mounted on the tongue portion forming the lid structure, a mounting facility is used, so that the mounting is expensive. Positioning accuracy is required.
その点、請求項3〜7のいずれかに記載のセンサ装置において、例えば請求項8に記載の発明によるように、前記蓋材構造体を形成する前記舌部の前記リードフレーム及び前記第1及び第2のセンサチップの実装面が設けられる面に、基準位置を示すアライメントマークを形成することとすれば、該アライメントマークを基準とすることで、前記リードフレーム及び前記第1及び第2のセンサチップの前記マウント設備上での位置決めを高い精度をもって行うことができ、前記舌部への実装を容易に行うことができるようになる。 In that regard, in the sensor device according to any one of claims 3 to 7, for example, according to the invention according to claim 8, the lead frame and the first and the first frames of the tongue portion forming the lid member structure. If an alignment mark indicating a reference position is formed on the surface on which the mounting surface of the second sensor chip is provided, the lead frame and the first and second sensors can be formed using the alignment mark as a reference. The chip can be positioned with high accuracy on the mounting facility, and can be easily mounted on the tongue.
なお、上記アライメントマークとしては、例えば請求項9に記載の発明によるように、それらの中心同士を互いに結ぶ仮想的な線分である中心線が前記蓋材の表面に対し平行となるかたちで形成される2つの貫通孔を採用することができる。 As the alignment mark, for example, as in the invention according to claim 9, a center line that is a virtual line segment connecting the centers of the alignment marks is formed in parallel to the surface of the lid member. Two through holes can be employed.
また、請求項1〜9のいずれかに記載のセンサ装置において、例えば請求項10に記載の発明によるように、前記第1及び第2のセンサチップを、一方に他方が積み上げられたスタック構造をもって前記リードフレームの実装面に実装することにより、上記ハウジング内のスペースを有効に利用して当該センサ装置の小型化を図ることができるようになる。
Further, in the sensor device according to any one of
また、請求項1〜9のいずれかに記載のセンサ装置において、例えば請求項11に記載の発明によるように、前記第1及び第2のセンサチップの双方を前記リードフレームの実装面にベアチップの状態で実装することにより、セラミックパッケージ等で密閉されることの多い上記第2のセンサチップについてもベアチップの状態で配設することができるようになる。
Moreover, in the sensor device according to any one of
また、請求項1〜11のいずれかに記載のセンサ装置において、例えば請求項12に記載の発明によるように、前記第1及び第2のセンサチップの処理回路部分を分離して共通化した処理回路チップをさらに備える構成とし、該処理回路チップを前記第1及び第2のセンサチップと共に前記リードフレームの実装面に実装することにより、上記第1のセンサチップ及び第2のセンサチップの処理回路として共通する部分を上記処理回路チップにおいて共有することが可能となり、センサ装置のさらなる小型化を図ることができるようになる。
Further, in the sensor device according to any one of
(第1の実施の形態)
以下、本発明にかかるセンサ装置の第1の実施の形態について図1〜図4を参照して説明する。
(First embodiment)
A first embodiment of a sensor device according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
図1は、本実施の形態のセンサ装置についてその全体構造を示すものである。この図1に示すように、このセンサ装置は、大きくは、磁気抵抗素子を有する第1のセンサチップ10、加速度検知素子を有する第2のセンサチップ20、磁石30、カバー部材40、蓋材50、及びリードフレーム60を備えて構成されている。
FIG. 1 shows the overall structure of the sensor device of the present embodiment. As shown in FIG. 1, this sensor device is roughly composed of a
上記第1のセンサチップ10は、磁気抵抗素子MRE1〜MRE4により構成される磁気抵抗素子対1および2を有しており、これら磁気抵抗素子対1および2により検出される信号の差動増幅や2値化などの各種処理を行う処理回路とともに集積回路化されている。なお、磁気抵抗素子対1および2を通じた回転検出の態様は周知であるため、その詳しい説明は割愛する。
The
また、上記第2のセンサチップ20は、例えば歪ゲージ式(ピエゾ抵抗式)の加速度検知素子を有するものであり、この加速度検知素子により検出される信号の各種処理を行う処理回路とともに集積回路化されてセラミックパッケージ内に収容されている。なお、この第2のセンサチップ20としては、歪ゲージ式の他に、静電容量式や圧電式の加速度検知素子を有するものを用いることができる。また、これら歪ゲージ式、静電容量式、圧電式の加速度検知素子を通じた加速度の検出態様は周知であるため、その詳細な説明は割愛することとする。
The
また、上記磁石30は、中空部を有する筒状からなり、有底筒状に形成された上記カバー部材40の底部に配設されている。上記磁石30は、中空部内に収容される上記第1のセンサチップ10に対して適宜のバイアス磁界を付与するものであり、これにより、ロータ回転時にこのバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化が上記磁気抵抗素子MRE1〜MRE4の抵抗値変化として感知されてロータの回転態様が検出されるようになる。なお、上記カバー部材40は樹脂やセラミック等の非磁性材料により構成されている。
The
また、上記蓋材50は、略円板形状に形成されており、例えば樹脂やセラミック等の非磁性で且つ、絶縁性材料によって構成されている。また、この蓋材50は、上記カバー部材40の内方に突出する態様で延設されて且つ、上記リードフレーム60が一体に鋳込まれた板状の舌部51を有するとともに、リードフレーム60のリード部61がGND(接地)端子T1、出力端子T2、T3、及び給電端子T4として同蓋材50の裏面から導出された蓋材構造体として構成されている。上記舌部51における上記第1のセンサチップ10及び第2のセンサチップ20の実装面には、上記第1のセンサチップ10及び第2のセンサチップ20が実装されており、これらセンサチップ10及び20が上記カバー部材40及び蓋材50からなるハウジングに密閉されて外部と遮断されている。なお、上記第1のセンサチップ10は、ベアチップの状態で実装されている。
Moreover, the said
図2は、蓋材構造体の平面構造を示すものである。この図2に示すように、上記第1のセンサチップ10は、上記舌部51の先端部に実装されている。この第1のセンサチップ10は、実装面と反対側の面に接地電極GND、出力電極Out、及び給電電極Vccを備え、これら電極が上記ボンディングワイヤWを介してリードフレーム60の上記GND端子T1、出力端子T3、及び給電端子T4と電気的に接続されている。また、上記第2のセンサチップ20は、実装面に接地電極GND、出力電極Out、及び給電電極Vccを備え、これら電極が上記リードフレーム60に直接接続されるかたちで実装されており、これら電極がリードフレーム60の上記GND端子T1、出力端子T2、及び給電端子T4と電気的に接続されている。なお、上記GND端子T1及び給電端子T4は、上記第1のセンサチップ10と第2のセンサチップ20とで共用されている。
FIG. 2 shows a planar structure of the lid member structure. As shown in FIG. 2, the
また、上記蓋材50は、上記カバー部材40に嵌合する外周部分に沿って突条52を備えており、この突条52と上記カバー部材40の内周面とが、例えばエポキシ系接着剤やシリコン系接着剤により固定されている。
Moreover, the said
図3は、センサ装置の断面構造を示すものである。この図3に示すように、上記蓋材構造体が上記カバー部材40と一体に組み付けられており、上記舌部51の先端部に実装されている第1のセンサチップ10が上記磁石30の中空部内に収容されている。上記舌部51の先端面は、上記カバー部材40の内底面に対して例えばエポキシ系接着剤やシリコン接着剤により固定されている。また、上記リードフレーム60では、ターミナルとして兼用される上記リード部61の剛性を確保すべく、同リード部61が他の部分に比べて厚く形成されている。なお、リード部61の剛性を確保すべく、同リード部61の幅を広く形成することも有効である。
FIG. 3 shows a cross-sectional structure of the sensor device. As shown in FIG. 3, the lid structure is assembled integrally with the
次に、本実施の形態のセンサ装置の製造方法について図4を参照して説明する。
図4に示すように、本実施の形態のセンサ装置を製造するにあたっては、まず、有底筒状に形成したカバー部材40の内底面に筒状の磁石30を配設する。次に、舌部51に上記第1のセンサチップ10及び第2のセンサチップ20が実装された蓋材構造体を、上記カバー部材40に組み付ける。このとき、上記蓋材50の突条52に接着剤を塗布するとともに、上記舌部51の先端面にも接着剤を塗布して上記蓋材構造体をカバー部材40に組み付ける。これにより、上記舌部51の先端面が上記カバー部材40の内底面に接着固定されるとともに、上記蓋材50の突条52が上記カバー部材40に接着固定される。これにより、本実施の形態のセンサ装置が製造される。
Next, a method for manufacturing the sensor device of the present embodiment will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 4, in manufacturing the sensor device of the present embodiment, first, the
以上説明した第1の実施の形態によれば、以下に列記する効果が得られるようになる。
(1)上記第1のセンサチップ10及び第2のセンサチップ20を、外部雰囲気と遮断すべく密閉されたカバー部材40及び蓋材50により形成されるハウジング内に配設することとした。これにより、上記第1のセンサチップ10及び第2のセンサチップ20が上記ハウジング内に配設されて1つにまとめられるため、当該センサ装置の配設にかかるスペースがセンサ1つ分のスペースで済むこととなり、限られたスペース内での取り付けにかかる自由度を大幅に高めることができるようになる。
According to the first embodiment described above, the effects listed below can be obtained.
(1) The
(2)上記第1のセンサチップ10を、上記リードフレーム60の実装面にベアチップの状態で実装し、上記リードフレーム60のGND端子T1及び給電端子T4を上記第1のセンサチップ10及び第2のセンサチップ20によって共用することとした。これにより、上記第1のセンサチップ10は樹脂モールド等の施されない状態で実装されるため、上記第2のセンサチップ20と一括して上記舌部51に実装することが可能となる。また、GND端子T1及び給電端子T4を共用することにより、上記第1のセンサチップ10及び第2のセンサチップ20の実装にあたって必要となるリードフレーム60が最小限に抑えられるため、当該センサ装置の小型化を図ることができるようになる。
(2) The
(3)上記蓋材50を、上記リードフレーム60が一体に鋳込まれた板状の舌部51を有して且つ、上記リードフレーム60のリード部61が同蓋材50の裏面から導出された蓋材構造体として形成した。このため、上記第1のセンサチップ10及び第2のセンサチップ20が実装された蓋材構造体を上記カバー部材40に組み付けることで、簡便に上記第1のセンサチップ10及び第2のセンサチップ20を外部雰囲気と遮断すべく密閉したかたちで配設することができるようになる。
(3) The
(4)上記舌部51の先端面を上記カバー部材40の内底面に接着固定することとしたため、上記舌部51の剛性を高めることができる。またこれにより、上記第1のセンサチップ10及び第2のセンサチップ20が実装される上記舌部51の振動が抑えられるようになるため、振動による上記第1のセンサチップ10及び第2のセンサチップ20のセンシング特性への影響が好適に抑えられるようになる。
(第2の実施の形態)
次に、本発明にかかるセンサ装置の第2の実施の形態について、図5及び図6を参照して、先の第1の実施の形態との相違点について説明する。なお、図5は、本実施の形態の蓋材構造体についてその全体構造を平面方向から示したものであり、図6は、同実施の形態の断面構造を側面方向から示したものである。また、これら図5及び図6において、先の図1〜図4に示した要素と同一の要素にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての重複する説明は割愛する。
(4) Since the front end surface of the
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the sensor device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6 and differences from the first embodiment. FIG. 5 shows the entire structure of the lid member structure of the present embodiment from the plane direction, and FIG. 6 shows the cross-sectional structure of the embodiment from the side surface direction. 5 and 6, the same elements as those shown in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and redundant description of these elements is omitted.
本実施の形態のセンサ装置も、基本的には、先の図1〜図4に示した第1の実施の形態に準じた構成となっている。ただし、本実施の形態では、上記蓋材構造体を形成する舌部の先端部の幅を同舌部の基端部よりも狭く形成するとともに、同舌部の上記リードフレーム及び上記第1及び第2のセンサチップの実装面が設けられる面に、基準位置を示すアライメントマークを形成するようにしている。 The sensor device of the present embodiment also basically has a configuration according to the first embodiment shown in FIGS. However, in the present embodiment, the width of the distal end portion of the tongue portion forming the lid member structure is narrower than the proximal end portion of the tongue portion, and the lead frame and the first and An alignment mark indicating the reference position is formed on the surface on which the mounting surface of the second sensor chip is provided.
第1のセンサチップ10aは、図5に示すように、上記舌部51aの先端部に実装されている。そしてこの第1のセンサチップ10aは、実装面と反対側の面に接地電極GND、出力電極Out、及び給電電極Vccを備え、これら電極が上記ボンディングワイヤW1を介して第2のセンサチップ20aに電気的に接続されている。
As shown in FIG. 5, the first sensor chip 10a is mounted on the tip of the
一方、第2のセンサチップ20aは、図5に示すように、上記舌部51aの第1のセンサチップ10aよりも基端側に実装されている。そしてこの第2のセンサチップ20aは、実装面と反対側の面に接地電極GND、出力電極Out2、出力電極Out1、及び給電電極Vccを備え、これら電極が上記ボンディングワイヤW2を介してリードフレーム60の上記GND端子T1、出力端子T3、出力端子T2、及び給電端子T4とそれぞれ電気的に接続されている。すなわち、これら上記各端子T1〜T4は、上記第1のセンサチップ10a及び第2のセンサチップ20aにより共用されている。ちなみに、第2のセンサチップ20aの出力電極Out1は、上記第1のセンサチップ10aからボンディングワイヤW1を介して取り込んだ同センサチップ10aの出力信号に対し適宜の処理を施して出力する電極であり、第2のセンサチップ20aの出力電極Out2は、該第2のセンサチップ20aの出力信号を出力する電極である。
On the other hand, as shown in FIG. 5, the
また、図6に示すように、上記蓋材構造体は上記カバー部材40と一体に組み付けられており、上記舌部51aの先端部に実装されている第1のセンサチップ10aが上記磁石30aの中空部内に収容されている。そして、上記カバー部材40は、同図6に示すように、舌部導出面53と例えば超音波溶着により固定されている。
Also, as shown in FIG. 6, the lid structure is assembled integrally with the
ところで、上記蓋材構造体を形成する上記舌部51aに対し、上記リードフレーム60、上記第1のセンサチップ10a及び第2のセンサチップ20aを実装する際には、マウント設備を利用することから、これらの実装には高い位置決め精度が要求される。
By the way, when the
その点、上記蓋材構造体を形成する上記舌部51aの上記リードフレーム60、上記第1のセンサチップ10a及び第2のセンサチップ20aの実装面が設けられる面には、基準位置を示すアライメントマークとして、2つの貫通孔Ah1及びAh2が上記第2のセンサチップ20aの両側方に形成されている。具体的には、図5に示すように、これら貫通孔Ah1及びAh2の中心C1及びC2同士を互いに結ぶ仮想的な線分である中心線「C1−C2」が、上記蓋材50の表面に対して平行となるかたちで形成されている。これにより、これら貫通孔Ah1及びAh2を基準とすることで、上記リードフレーム及び上記第1及び第2のセンサチップ10a、20aの上記ダイマウント設備上での位置決めを高い精度をもって行うことができ、上記舌部51aへの実装を容易に行うことができるようになる。
On that point, the surface on which the mounting surface of the
また、磁石30aの側内壁部或いは先端部は、上記第1のセンサチップ10a、正確には磁気抵抗素子MRE1〜MRE4(図示略)に対し、その他の部分に比してより強いバイアス磁界を付与することが可能な部分である。したがって、上記第1のセンサチップ10aに対しより強いバイアス磁界を付与する、すなわち、図示しない磁気抵抗素子MRE1〜MRE4の抵抗値変化を大きくするためには、上記第1のセンサチップ10aを上記磁石30aの側内壁部或いは先端部により近づけることが望ましい。
Further, the inner inner wall or tip of the
その点、上記舌部51aの先端部は、先の図5に示すように、その幅Wd2が同舌部51aの基端部の幅Wd1よりも狭く形成されている。これにより、上記第1のセンサチップ10aのチップサイズを拡大することなく、第1のセンサチップ10aと上記磁石30aの側内壁或いは先端部との距離を縮めることが可能となる。すなわち、第1のセンサチップ10aにかかる歩留まりの低下を抑制しつつ上記磁気抵抗素子MRE1〜MRE4の抵抗値変化を大きくすることができ、ひいては、図示しないロータの回転態様にかかわる検出精度を向上させることが可能となる。
In this respect, the tip end portion of the
図7(a)は、以上のように構成されたセンサ装置について、上記第1のセンサチップ10a及び磁石30aの配設態様を正面方向から模式的に示したものである。また、図7(b)は、上記第1のセンサチップ10aがモールド樹脂Mdによって樹脂モールドされた従来のセンサ装置について、上記第1のセンサチップ110及び磁石130の配設態様を正面方向から模式的に示したものである。
FIG. 7A schematically shows the arrangement of the first sensor chip 10a and the
同図7(a)に示すように、本実施の形態では、上記第1のセンサチップ10aが上記舌部51a上にベアチップの状態で実装されているため、上記第1のセンサチップ10aと磁石30aの側内壁部とは距離「Wp」だけ離間されて配設されている。一方、図7(b)に示すように、上記従来のセンサ装置では、上記第1のセンサチップ110がモールド樹脂Mdによりリードフレーム160に樹脂モールドされて実装されているため、上記第1のセンサチップ110と磁石130の側内壁部とは距離「Wh」だけ離間されて配設されている。
As shown in FIG. 7A, in the present embodiment, since the first sensor chip 10a is mounted on the
詳しくは、同図7(b)に示すように、従来のセンサ装置では、上記第1のセンサチップ110と磁石130の側内壁部との距離「Wh」は、モールド樹脂Mdを最も薄くした場合において「0.55[mm]」である一方、本実施の形態のセンサ装置では、同図7(a)に示すように、上記第1のセンサチップ10aと磁石30aの側内壁部との距離「Wp」は、「0.20±0.05[mm]」となることが発明者らによって確認されている。すなわち、これら図7(a)及び(b)の対比からも明らかなように、本実施の形態のセンサ装置によれば、上記第1のセンサチップ10aがモールド樹脂にて覆われない分、従来のセンサ装置に比して、上記第1のセンサチップ10aを磁石30aの側内壁部へより近づけることができるようになる。
Specifically, as shown in FIG. 7B, in the conventional sensor device, the distance “Wh” between the
さらに、上記磁石130の側内壁部から上記第1のセンサチップ110(正確には内部の磁気抵抗素子MRE1〜MRE4)までの距離と磁気触れ角との関係を図8(a)に、上記磁石30aの先端部から上記第1のセンサチップ10a(これも正確には内部の磁気抵抗素子MRE1〜MRE4)までの距離と磁気触れ角との関係を図8(b)にそれぞれ示す。
Further, FIG. 8A shows the relationship between the distance from the inner wall of the
同図8(a)に示すように、点「B1」は、従来のセンサ装置における第1のセンサチップ110と磁石130の側内壁部との上記距離「Wh」に相当するものを示しており、このときの磁気触れ角はおおよそ「1.8[度]」である。一方、同図8(a)において点「A1」は、本実施の形態における第1のセンサチップ10aと磁石30aの側内壁部との上記距離「Wp」に相当するものを示しており、このときの磁気触れ角はおおよそ「2.9[度]」である。
As shown in FIG. 8A, the point “B1” indicates a point corresponding to the distance “Wh” between the
同図8(b)に示すように、点「B2」は、従来のセンサ装置における第1のセンサチップ110と磁石130の先端部との距離に相当するものを示しており、このときの磁気触れ角はおおよそ「1.2[度]」である。一方、同図8(b)において点「A2」は、本実施の形態における第1のセンサチップ10aと磁石30aの先端部との距離に相当するものを示しており、このときの磁気触れ角はおおよそ「2.0[度]」である。
As shown in FIG. 8B, the point “B2” indicates the distance corresponding to the distance between the
このように、上記第1のセンサチップ10aを磁石30aの側内壁部、或いは先端部へより近づけることで、第1のセンサチップ10aに対してより強いバイアス磁界を磁石30aから付与することができ、ひいては磁気抵抗素子MRE1〜MRE4にて検出される磁気ベクトルの触れ角も大きくなる。
In this way, by bringing the first sensor chip 10a closer to the side inner wall or the tip of the
以上説明した第2の実施の形態によれば、先の第1の実施の形態の上記(1)〜(4)に準じた効果に加え、新たに以下に列記する効果が得られるようになる。
(5)上記蓋材構造体を形成する舌部51aの先端部の幅Wd2を、同舌部51aの基端部の幅Wd1よりも狭く形成することとした。これにより、上記第1のセンサチップ10aのチップサイズを拡大することなく、第1のセンサチップ10aと上記磁石30aの側内壁或いは先端部との距離を縮めることが可能となる。すなわち、第1のセンサチップ10aにかかる歩留まりの低下を抑制しつつ上記磁気抵抗素子MRE1〜MRE4の抵抗値変化を大きくすることができ、ひいては、図示しないロータの回転態様にかかわる検出精度を向上させることが可能となる。
According to the second embodiment described above, in addition to the effects according to the above (1) to (4) of the first embodiment, the effects listed below are newly obtained. .
(5) The width Wd2 of the distal end portion of the
(6)上記蓋材構造体を形成する上記舌部51aの上記リードフレーム60及び上記第1及び第2のセンサチップ10a及び20aの実装面が設けられる面に、基準位置を示すアライメントマークとして、2つの貫通孔Ah1及びAh2を上記第2のセンサチップ20aの両側方に形成することとした。これにより、アライメントマークとしての2つの貫通孔Ah1及びAh2を基準とすることで、上記リードフレーム60及び前記第1及び第2のセンサチップ10a及び20aを精度良く上記舌部51aに容易に実装することができるようになる。
(6) As an alignment mark indicating a reference position on the surface on which the
なお、上記第2の実施の形態は以下のように変更して実施することもできる。
・上記第2の実施の形態では、上記蓋材構造体を形成する上記舌部51aの上記リードフレーム60及び上記第1及び第2のセンサチップ10a及び20aの実装面が設けられる面に、基準位置を示すアライメントマークとして、2つの貫通孔Ah1及びAh2を上記第2のセンサチップ20aの両側方に形成することとした。これら貫通孔を形成する位置及び数については任意であり、上記舌部51aの上記実装面に形成されていればよい。
The second embodiment can be implemented with the following modifications.
In the second embodiment, a reference surface is provided on the surface on which the mounting surface of the
・そうしたアライメントマークについても、貫通孔を採用しなくともよい。要は、リードフレーム60及び上記第1及び第2のセンサチップ10a及び20aを実装する際に、位置決めのための基準が上記舌部51aに形成されていればよい。
(他の実施の形態)
その他、上記各実施の形態に共通して変更可能な要素としては、以下のようなものがある。
-It is not necessary to use a through-hole for such an alignment mark. In short, when the
(Other embodiments)
Other elements that can be changed in common with the above embodiments are as follows.
・上記各実施の形態では、第1のセンサチップ10、10a及び第2のセンサチップ20、20aの各電極と上記リードフレーム60の各端子T1〜T4を、先の図2及び図5に示すかたちで電気的に接続することとしたが、上記第1のセンサチップ10、10a及び第2のセンサチップ20、20aの電極構造や各端子T1〜T4の取り回し等を考慮して、これらの接続態様は適宜変更してもよい。例えば図9(a)に示すように、上記第1のセンサチップ10(10a)や第2のセンサチップ20(20a)の電極構造に応じて、上記第1のセンサチップ10(10a)の出力端子T3と給電端子T4との位置を入れ替えてもよい。また、図9(b)に示すように、上記GND端子T1及び給電端子T4に対応するリードフレーム60の部分を第2のセンサチップ20(20a)の内部を介さずに延設するようにしてもよい。
In the above embodiments, the electrodes of the
・上記各実施の形態では、上記第1のセンサチップ10、10a及び第2のセンサチップ20、20aとして、磁気抵抗素子や加速度検知素子とともに、差動増幅や2値化等の各種処理を行う処理回路が一体に集積回路化されたものついて示した。これに代えて、こうした処理回路部分を分離して共通化した処理回路チップをさらに備える構成とし、この処理回路チップが上記第1のセンサチップ10、10a及び第2のセンサチップ20、20aと上記舌部51、51a上に実装してもよい。これにより、上記第1のセンサチップ10、10a及び第2のセンサチップ20、20aの処理回路として共通する部分を上記処理回路チップにおいて共有することが可能となるため、センサ装置のさらなる小型化を図ることができるようになる。
In each of the above embodiments, the
・上記各実施の形態では、図3に示すように、上記突条52と上記カバー部材40の内周面とを、例えばエポキシ系接着剤やシリコン系接着剤により固定する、或いは、図6に示すように、上記舌部導出面53と上記カバー部材40とを、例えばセンサ溶着により固定することしたが、固定態様はこれに限られず任意である。
In each of the above embodiments, as shown in FIG. 3, the
・上記各実施の形態では、上記第1のセンサチップ10、10a及び第2のセンサチップ20、20aの実装にあたって、上記第1のセンサチップ10、10aを上記舌部51、51aの先端側に実装することとしたが、上記第2のセンサチップ20、20aを上記舌部51、51aの先端側に実装するようにしてもよい。また、図12に示すように、上記第1のセンサチップ10(10a)及び第2のセンサチップ20(20a)を、一方に他方が積み上げられるスタック構造をもって実装してもよい。この場合には、上記カバー部材40内のスペースを有効に利用して当該センサ装置の小型化を図ることができる。
In each of the above embodiments, when mounting the
・上記各実施の形態では、上記第1のセンサチップ10、10aをベアチップの状態で実装することとしたが、その外周面の一部がモールド樹脂で覆われずに露出した(いわゆる、またぎモールド)状態で上記リードフレームの実装面に実装することとしてもよい。
In each of the above embodiments, the
・上記各実施の形態では、上記第1のセンサチップ10、10aをベアチップの状態で実装することとしたが、上記第2のセンサチップ20、20aについてもこれをベアチップの状態で配設してもよい。この第2のセンサチップ20、20aは通常、加速度検知素子を有するチップや処理回路チップを外部雰囲気から遮断すべく、これらチップがセラミックパッケージに収容されるものの、上記カバー部材40及び蓋材50により外部雰囲気と遮断される上記構成においては、第2のセンサチップ20、20aを問題なくベアチップの状態で実装することができる。
In each of the above embodiments, the
・上記各実施の形態では、上記磁石30、30aの中空部内に上記第1のセンサチップ10、10aが収容されるセンサ装置に本発明を適用することとしたが、例えば図3及び図6に対応する図として図10に示すように、上記磁石30(30a)に代えて、上記舌部51(51a)のリードフレーム露出面の裏面に直方体形状の磁石70が配設されるセンサ装置に本発明を適用してもよい。この構造を採用した場合、上記実施の形態と同等の効果を得ることができるとともに、上記実施の形態の磁石30(30a)に比べて磁石70が小型化されるため、カバー部材40及び蓋材50により構成されるハウジングの小型化を図ることができ、ひいてはセンサ装置としての小型化を図ることもできるようになる。
In each of the above embodiments, the present invention is applied to the sensor device in which the
・また、図3及び図6に対応する図として図11に示すように、上記磁石30(30a)が上記カバー部材40に外嵌されるセンサ装置に本発明を適用することもできる。この構造を採用した場合、上記磁石30(30a)が上記カバー部材40の外部に取り付けられるものの、上記各実施の形態と同等の効果を得ることができる。
The present invention can also be applied to a sensor device in which the magnet 30 (30a) is externally fitted to the
・上記各実施の形態では、リードフレーム60のリード部61を上記蓋材50の裏面から導出する場合について示したが、例えば上記カバー部材40から上記リード部61を導出するようにしてもよい。
In each of the above embodiments, the case where the
・上記各実施の形態では、上記第1のセンサチップ10、10a及び第2のセンサチップ20、20aを外部雰囲気と遮断するハウジングを、上記カバー部材40及び蓋材50により構成することとしたが、例えば有底筒状のカバー部材2つで上記ハウジングを構成してもよい。要は、ベアチップの状態(上記またぎモールドの状態も含む)で配設される上記第1のセンサチップ10、10aや第2のセンサチップ20、20aを密閉して外部雰囲気と遮断することのできるハウジングであれば、同ハウジングを構成する要素としては他の形状からなるものを採用してもよい。
In each of the above embodiments, the housing that shuts off the
1,2…磁気抵抗素子対、10、10a、110…第1のセンサチップ、20、20a…第2のセンサチップ、30、30a、130…磁石、40…カバー部材、50…蓋材、51、51a…舌部、52…突部、53…舌部導出面、60、160…リードフレーム、61…リード部、70…磁石、T1…GND(接地)端子、T2…出力端子、T3…出力端子、T4…給電端子、MRE1〜MRE4…磁気抵抗素子。W、W1、W2…ボンディングワイヤ。
DESCRIPTION OF
Claims (12)
ことを特徴とするセンサ装置。 A first sensor chip having a magnetoresistive element; a second sensor chip having an acceleration sensing element; a lead frame on which the first and second sensor chips are mounted; and the magnetism of the first sensor chip. And a magnet for applying a bias magnetic field to the resistance element, and at least the first and second sensor chips are disposed in a sealed housing for shielding from an external atmosphere. Acceleration acting on the housing by detecting a rotation mode of the rotor by detecting a change in the magnetic vector generated in cooperation with the bias magnetic field as a change in the resistance value of the magnetoresistive element when the rotor rotates in the vicinity. Is detected together through the acceleration sensing element provided in the second sensor chip.
請求項1に記載のセンサ装置。 2. The at least first sensor chip is mounted on the mounting surface of the lead frame in a bare chip state, and a lead frame portion used for power feeding is shared by the first and second sensor chips. The sensor device according to 1.
請求項1または2に記載のセンサ装置。 The housing includes a bottomed cylindrical cover member made of a non-magnetic material, and a lid member made of an insulating material that closes the opening end of the cover member. The lead member has a plate-like tongue portion that is extended in an inward projecting manner of the cover member and in which mounting surfaces of the lead frame and the first and second sensor chips are integrally cast, and the lead A lead part also serving as a terminal of the frame is formed as a structure derived from the back surface of the lid member, and the magnet is formed in a cylindrical shape having a hollow part and disposed on the inner bottom surface of the housing. And at least the first sensor chip is disposed in the housing so as to be accommodated in the hollow portion of the magnet in a state of being mounted on the distal end side of the tongue portion forming the lid member structure. Claim 1 or 2 The sensor device described.
請求項1または2に記載のセンサ装置。 The housing includes a bottomed cylindrical cover member made of a non-magnetic material, and a lid member made of an insulating material that closes the opening end of the cover member. The lead member has a plate-like tongue portion that is extended in an inward projecting manner of the cover member and in which mounting surfaces of the lead frame and the first and second sensor chips are integrally cast, and the lead A lead portion also serving as a terminal of the frame is formed as a structure derived from the back surface of the lid member, and the magnet is formed of the lead frame of the tongue portion and the first portion forming the lid member structure. The first sensor chip is mounted on the back surface of the surface on which the mounting surface of the sensor chip is provided, and the first and second sensor chips are mounted on the tongue portion forming the lid material structure in the housing. It is arrange | positioned by Claim 1. Or the sensor apparatus of 2.
請求項1または2に記載のセンサ装置。 The housing includes a bottomed cylindrical cover member made of a non-magnetic material, and a lid member made of an insulating material that closes the opening end of the cover member. The lead member has a plate-like tongue portion that is extended in an inward projecting manner of the cover member and in which mounting surfaces of the lead frame and the first and second sensor chips are integrally cast, and the lead The lead part also serving as a terminal of the frame is formed as a structure led out from the back surface of the lid member, and the magnet is formed in a cylindrical shape having a hollow part and is externally fitted to the housing. The sensor device according to claim 1, wherein the first sensor chip is disposed in the housing in a state where the first sensor chip is mounted on a distal end side of the tongue portion forming the lid member structure.
請求項3〜5のいずれか一項に記載のセンサ装置。 The sensor device according to any one of claims 3 to 5, wherein a tip end surface of the tongue portion forming the lid member structure is bonded and fixed to an inner bottom surface of the cover member.
請求項3〜6のいずれか一項に記載のセンサ装置。 The sensor device according to any one of claims 3 to 6, wherein a distal end portion of the tongue portion forming the lid structure is formed to have a width narrower than a proximal end portion of the tongue portion.
請求項3〜7のいずれか一項に記載のセンサ装置。 The alignment mark which shows a reference position is formed in the surface in which the mounting surface of the said lead frame of the said tongue part which forms the said cover material structure, and the said 1st and 2nd sensor chip is provided. The sensor device according to claim 7.
請求項8に記載のセンサ装置。 The sensor according to claim 8, wherein the alignment mark is two through-holes formed such that a center line that is a virtual line segment connecting the centers of the alignment marks is parallel to the surface of the lid member. apparatus.
請求項1〜9のいずれか一項に記載のセンサ装置。 The sensor device according to any one of claims 1 to 9, wherein the first and second sensor chips are mounted on a mounting surface of the lead frame with a stack structure in which one is stacked on the other.
請求項1〜9のいずれか一項に記載のセンサ装置。 The sensor device according to any one of claims 1 to 9, wherein both the first and second sensor chips are mounted in a bare chip state on a mounting surface of the lead frame.
請求項1〜11のいずれか一項に記載のセンサ装置。 A processing circuit chip in which processing circuit portions of the first and second sensor chips are separated and shared is further provided, and the processing circuit chip is mounted on the mounting surface of the lead frame together with the first and second sensor chips. The sensor device according to any one of claims 1 to 11.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006076192A JP4835218B2 (en) | 2005-07-01 | 2006-03-20 | Sensor device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005193905 | 2005-07-01 | ||
JP2005193905 | 2005-07-01 | ||
JP2006076192A JP4835218B2 (en) | 2005-07-01 | 2006-03-20 | Sensor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007040965A true JP2007040965A (en) | 2007-02-15 |
JP4835218B2 JP4835218B2 (en) | 2011-12-14 |
Family
ID=37799060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006076192A Expired - Fee Related JP4835218B2 (en) | 2005-07-01 | 2006-03-20 | Sensor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4835218B2 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010103257A (en) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Denso Corp | Circuit device |
US7768124B2 (en) | 2007-02-16 | 2010-08-03 | Denso Corporation | Semiconductor sensor having a flat mounting plate with banks |
US7918962B2 (en) | 2007-09-06 | 2011-04-05 | Denso Corporation | Method of manufacturing rotation detector having encapsulated biasing magnet and magnetic sensor |
CN104049108A (en) * | 2014-07-01 | 2014-09-17 | 重庆材料研究院有限公司 | Acceleration sensor based on magneto-rheological elastic body |
DE102016100835A1 (en) * | 2016-01-19 | 2017-07-20 | Hiwin Technologies Corp. | Construction of a sensor system |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291166A (en) * | 1988-03-24 | 1989-11-22 | Alfred Teves Gmbh | Sensor for vehicle |
JPH02183590A (en) * | 1989-01-09 | 1990-07-18 | Nec Corp | Printed circuit board and inspecting method therefor |
JPH0727571A (en) * | 1993-05-10 | 1995-01-27 | Nippondenso Co Ltd | Magnetism detecting device |
JPH10246649A (en) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetic sensor |
JPH10303537A (en) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Nec Home Electron Ltd | Unit for mounting power circuit |
JPH1114304A (en) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Diamond Electric Mfg Co Ltd | Rotary sensor |
JP2000228487A (en) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Rohm Co Ltd | Chip-on-chip type semiconductor chip |
JP2001004729A (en) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Nippon Seiki Co Ltd | Magnetic head |
WO2003031990A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Device for combined detection of axle acceleration and wheel rotational speed, and method for determining pressure |
JP2004271235A (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Denso Corp | Rotation detecting apparatus |
JP2005164494A (en) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Denso Corp | Rotation detection sensor device |
-
2006
- 2006-03-20 JP JP2006076192A patent/JP4835218B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291166A (en) * | 1988-03-24 | 1989-11-22 | Alfred Teves Gmbh | Sensor for vehicle |
JPH02183590A (en) * | 1989-01-09 | 1990-07-18 | Nec Corp | Printed circuit board and inspecting method therefor |
JPH0727571A (en) * | 1993-05-10 | 1995-01-27 | Nippondenso Co Ltd | Magnetism detecting device |
JPH10246649A (en) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetic sensor |
JPH10303537A (en) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Nec Home Electron Ltd | Unit for mounting power circuit |
JPH1114304A (en) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Diamond Electric Mfg Co Ltd | Rotary sensor |
JP2000228487A (en) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Rohm Co Ltd | Chip-on-chip type semiconductor chip |
JP2001004729A (en) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Nippon Seiki Co Ltd | Magnetic head |
WO2003031990A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Device for combined detection of axle acceleration and wheel rotational speed, and method for determining pressure |
JP2004271235A (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Denso Corp | Rotation detecting apparatus |
JP2005164494A (en) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Denso Corp | Rotation detection sensor device |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7768124B2 (en) | 2007-02-16 | 2010-08-03 | Denso Corporation | Semiconductor sensor having a flat mounting plate with banks |
US7918962B2 (en) | 2007-09-06 | 2011-04-05 | Denso Corporation | Method of manufacturing rotation detector having encapsulated biasing magnet and magnetic sensor |
JP2010103257A (en) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Denso Corp | Circuit device |
CN104049108A (en) * | 2014-07-01 | 2014-09-17 | 重庆材料研究院有限公司 | Acceleration sensor based on magneto-rheological elastic body |
DE102016100835A1 (en) * | 2016-01-19 | 2017-07-20 | Hiwin Technologies Corp. | Construction of a sensor system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4835218B2 (en) | 2011-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4424412B2 (en) | Current sensor | |
US7459905B2 (en) | Rotation detector having sensor chip and biasing magnet | |
US20080061768A1 (en) | Magnetic sensor device having components mounted on magnet | |
JP4645477B2 (en) | Rotation detector | |
US7960970B2 (en) | Magnetic sensor and manufacturing method of the same | |
WO2013008462A1 (en) | Current sensor substrate and current sensor | |
WO2005019790A1 (en) | Sensor device | |
JP4561613B2 (en) | Magnetic sensor | |
JP4835218B2 (en) | Sensor device | |
JP2008051704A (en) | Current sensor | |
CN104487798A (en) | Steering torque angle sensor with processor and magnetoresistive elements configured in monolithic structure | |
WO2017149831A1 (en) | Magnetic sensor | |
US20080236278A1 (en) | Electrical device with covering | |
US11079253B2 (en) | Wiegand module and methods of forming the same | |
JP2005127750A (en) | Semiconductor sensor and its manufacturing method | |
US9640467B2 (en) | Sensor arrangement and chip comprising additional fixing pins | |
JP4385915B2 (en) | Rotation detector | |
WO2021039264A1 (en) | Electrical current sensor | |
JP4288569B2 (en) | Magnetic sensor | |
JP4706634B2 (en) | Semiconductor sensor and manufacturing method thereof | |
JP2002188975A (en) | Pressure sensor module | |
JP2004294071A (en) | Capacity type semiconductor sensor device | |
JP4923937B2 (en) | Sensor device | |
JP4301555B2 (en) | Small magnetic sensor module | |
US20250155466A1 (en) | Method For Manufacturing Electronic Device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080401 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110830 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110912 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4835218 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |