JP2007005695A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行うこと。
【解決手段】基板Ｇは、その可撓性により基板全長の一部に搬送ライン１２０の隆起部１２０ａに倣った突条の基板隆起部Ｇ_aを形成し、かつ搬送速度に等しい速度で基板隆起部Ｇ_aを基板の前端から後端まで搬送方向と反対方向に相対的に移動させながら隆起部１２０ａを通過する。上り傾斜路Ｍ₂では、基板Ｇ上で現像液Ｒが重力により基板後方へ流れ、基板Ｇの前端から後端に向ってほぼ搬送速度に等しい速度で現像液Ｒの液膜が液盛りの状態から薄膜Ｒ'の状態に変化する。基板Ｇが下り傾斜路Ｍ₃に移ると、上方のリンスノズル１３８より帯状の吐出流でリンス液Ｓを供給され、基板Ｇ上のリンス液Ｓが着液するライン付近で薄膜状態の現像液Ｒ'はリンス液Ｓに置換されて現像が完全に停止する。

【選択図】 図１２

Description

本発明は、被処理基板上に処理液を供給して所定の処理を行う基板処理技術に係り、特に基板を平流し方式で水平方向に搬送しながら液処理を行う基板処理装置に関する。

最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ用基板（たとえばガラス基板）の大型化に有利に対応できる現像方式として、コロを水平方向に敷設した搬送路上で基板を搬送しながら搬送中に現像、リンス、乾燥等の一連の現像処理工程を行うようにした、いわゆる平流し方式が普及している。このような平流し方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較べて、大型基板の取扱いが簡単であり、ミストの発生ないし基板への再付着が少ない等の利点がある。

平流し方式を採用する従来の現像処理装置は、現像液の分別回収率を高めるために、たとえば特許文献１で開示されるように、平流しの搬送路において現像液供給部の下流側に基板を搬送方向で傾ける基板傾斜機構を設置し、現像液供給部で水平な基板上に現像液を盛ってそのまま平流しで基板を搬送路の下流側へ搬送し、所定時間後に搬送路上の所定位置で基板傾斜機構が基板を前向きまたは後向きに傾斜させて基板上の現像液を重力で落とし、下に落ちた現像液を現像液回収用のパンで受け集めるようにしている。そして、基板傾斜機構が上記のような傾斜姿勢による液切りを一定時間内に済ませて基板を水平姿勢に戻すと、次に基板は下流側のリンス部へ平流しで送られ、そこでリンスノズルが水平姿勢の基板上にリンス液を噴き掛けることにより、基板上で現像液からリンス液への置換（現像停止）が行われる。このリンス部で基板から落ちた液はリンス液回収用のパンに受け集められる。そして、リンス処理の済んだ基板が下流側の乾燥部を平流しで通過する間に、エアナイフが水平姿勢の基板に搬送方向と逆向きで高圧のエア流を当てて液切りすることにより、基板表面が乾くようになっている。
特開２００３−７５８２号公報

しかしながら、上記のような従来の現像処理装置においては、現像液を盛られた基板を搬送路上で停止させて水平状態から傾斜状態に姿勢変換し、傾斜姿勢で液切りを行った後に再び水平姿勢に戻して平流しの搬送を再開するという機構および一連の動作が結構煩雑で非効率であるという一面があった。さらに、現像液の液切りを開始してから下流側のリンス部で液置換つまり現像停止用のリンス処理を開始するまでの時間遅れが長いために、リンス処理を実行する前に基板の前端側から被処理面が乾いてしまって斑のしみが発生するという現像処理品質の低下も懸念されている。

また、現像時間についても、基板上の面内均一性を保証するのが難しかった。すなわち、現像液を盛られた基板を停止位置で水平姿勢から傾斜姿勢に姿勢変換するに際しては、基板の各部で運動速度、運動範囲（特に高さ位置）等が異なるために、現像液供給時と同じ時間差で各部の液切りを行うことは不可能であり、結果として現像液の供給から現像停止までの時間つまり現像時間が基板の各部（特に基板前端部と後端部との間）でばらつくという問題があった。

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行えるようにした基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明の別の目的は、平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を所定の処理時間経過後に分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よく面内均一に行えるようにした基板処理装置を提供することにある。

本発明の他の目的は、平流しの搬送ライン上で被処理基板を搬送しながら基板上に一連の処理を順次施すに際して各処理間の連続性ないしスループットの向上と相互干渉の防止とを同時に実現する基板処理装置を提供することにある。

上記の目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、被処理基板を被処理面を上に向けた仰向けの姿勢で搬送するための搬送体を水平な所定の搬送方向に敷設してなり、前記搬送方向において実質的に水平な搬送路を有する第１の搬送区間と、前記第１の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を有する第２の搬送区間と、前記第２の搬送区間に続く下り傾斜の搬送路を有する第３の搬送区間と、前記第３の搬送区間に続く実質的に水平な搬送路を有する第４の搬送区間とを含む平流しの搬送ラインと、前記搬送ライン上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動部と、前記第１または第２の搬送区間内で前記基板上に第１の処理液を供給する第１の処理液供給部と、前記第３の搬送区間内で前記基板上に第２の処理液を供給する第２の処理液供給部とを有する。

上記の装置構成においては、第２および第３の搬送区間の中に第１および第４の搬送区間よりも高く隆起した隆起部が形成される。基板がこの隆起部の上り傾斜路（第２の搬送区間）を上る際に、基板上の第１の処理液が下方つまり後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。この時、基板上では基板の前端側から後端側へ向って搬送速度とほぼ等しい移動速度で第１の処理液の液切りが行われる。こうして隆起部の上り傾斜路を乗り越えた基板は、その上面に第１の処理液が非常に薄い液膜で残っている状態で、下り傾斜路（第３の搬送区間）に入る。ここで、この下り傾斜路を下りる基板に対して第２の処理液供給部が第２の処理液を供給することにより、基板上の各部に薄く残っていた第１の処理液が重力と第１の処理液の流れの圧力を受けて前方へ流下し基板前端から追い出される。こうして基板上で基板の前端側から後端側へ向って搬送速度とほぼ等しい速度で、第１の処理液が第２の処理液に置換される。

本発明の好適な一態様によれば、搬送方向において第２の搬送区間が基板のサイズよりも短い長さに設定され、さらに好ましは第２の搬送区間と第３の搬送区間とを足し合わせた区間が基板のサイズよりも短い長さに設定される。この場合、基板は、その可撓性により全長の一部に隆起部に倣った突条の基板隆起部を形成し、かつ搬送速度に等しい速度で基板隆起部を基板の前端から後端まで搬送方向と反対方向に相対的に移動させながら搬送ラインの隆起部（第２および第３の搬送区間）を通過する。

本発明における平流しの搬送ラインは、各搬送区間の境界地点で急角度に折れ曲がるような進路変更を行うよりは、その付近で適度な曲率半径を描いて進路変更するのが好ましく、また隆起部の頂点がフラットになっている構成、つまり第２の搬送区間の終端部と第３の搬送区間の始端部との間に実質的に水平な搬送路が形成される構成も可能である。

また、本発明の好ましい一態様によれば、第２の搬送区間内で搬送ラインの搬送路から上方に離れる基板の部位を所定の高さ位置で抑えるための基板抑え部が設けられる。この基板抑え部は、好ましくは、基板の左右両縁部に当接する回転可能な一対のローラを有するものであってよい。基板が第２の搬送区間内の上り傾斜路を上る際には、基板の後端部が搬送ラインの搬送路から上方に離れても、基板抑え部による高さ規制を受けながら頂上付近まで後傾姿勢を維持できるため、基板上の液切りを最後（基板後端）まで首尾よく行うことができる。

また、好ましい一態様として、第１の処理液供給部よりも下流側の第２の搬送区間内の所定位置で基板上にガスを吹き付ける第１のエアナイフが設けられる。基板が第２の搬送区間内の上り傾斜路を上る際に、第１のエアナイフよりガス流を基板上に当てることで、基板上の第１の処理液の液切りを援助または促進することができる。

また、第１の処理液供給部よりも下流側の第１または第２の搬送区間内の所定位置で基板の後端から第１の処理液が流れ落ちるのを触発するための液切り触発部を設けるのも好ましい。好適な一態様として、この液切り触発部は、搬送路上に搬送体として配置される外径が一定の円柱状または円筒状のコロによって構成されてよい。あるいは、別の好適な一態様として、液切り触発部が、基板の後端部に上方から搬送方向と逆向きにガス流を当てるガスノズルによって構成されてもよい。

本発明の好適な一態様によれば、第１の処理液供給部が第１の搬送区間内の所定位置で基板に向けて第１の処理液を吐出する処理液供給ノズルを有し、搬送駆動部が第１および第２の搬送区間を通じて基板を一定の速度で搬送する。この場合、下流側の第２および第３の搬送区間では、第１の搬送区間で基板上に第１の処理液が供給された時とほぼ同じ走査速度で基板の前端から後端に向って第１の処理液の液切りないし第２の処理液への置換が行われる。

好適な一態様によれば、第１および第２の搬送区間で搬送路の下に落ちた液を受け集めるための第１の集液部と、第３および第４の搬送区間で搬送路の下に落ちた液を受け集めるための第２の集液部とが設けられる。かかる構成においては、第１の処理液供給部より基板上に供給した第１の処理液の大部分を第１の集液部に分別回収することができる。第２の集液部には、主として第２の処理液が回収される。

好適な一態様によれば、第２の搬送区間と第３の搬送区間との境界付近に搬送ラインに沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための第１の隔壁が設けられる。この第１の隔壁には、搬送ラインを通すための開口が形成される。

また、好適な一態様によれば、搬送ラインが、第４の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を有する第５の搬送区間と、第５の搬送区間に続く実質的に水平な搬送路を有する第６の搬送区間とを含む。かかる構成においては、第４の搬送区間から第６の搬送区間にかけて上り段差部が形成される。この上り段差部または第５の搬送区間は基板のサイズよりも短い長さに設定されるが好ましい。これにより、基板は、その可撓性を利用して基板全長の一部に該段差部に倣ったライン状の基板段差部を形成し、かつ搬送速度に等しい速度で基板段差部を基板の前端から後端まで搬送方向と反対方向に相対的に移動させながら搬送ラインの上り段差部（第５の搬送区間）を通過する。この上り段差部（第５の搬送区間）では、基板上に残っていた第２の処理液が基板前端側から後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。

好適な一態様によれば、第５または第６の搬送区間内で基板上からの液（第２の処理液）の液切りを援助するために搬送方向と逆向きに基板上にガスを吹き付ける第２のエアナイフが設けられる。

好適な一態様によれば、第５の搬送区間と第６の搬送区間との境界付近に搬送ラインに沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための第２の隔壁が設けられる。この第２の隔壁にも、搬送ラインを通すための開口が形成される。

好適な一態様によれば、搬送ラインが、第１の搬送区間よりも上流側で第１の搬送区間よりも高い位置で実質的に水平な搬送路を有する第７の搬送区間と、この第７の搬送区間と第１の搬送区間との間で下り傾斜の搬送路を有する第８の搬送区間とを含む。かかる構成においては、第７の搬送区間から第１の搬送区間にかけて下り段差部が形成される。この下り段差部は、基板上に供給された第１の処理液が基板上を伝って上流側隣の他のユニットまたは処理部に及ぶのを塞き止める機能を奏することができる。この上り段差部つまり第８の搬送区間は基板のサイズよりも短い長さに設定されてよい。また、第８の搬送区間と第１の搬送区間との境界付近に搬送ラインに沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための第３の隔壁が設けられてよい。

なお、本発明において搬送ライン上でとる基板の仰向け姿勢は、水平姿勢や搬送方向における傾斜姿勢だけでなく任意の方向（たとえば左右の横方向）で傾斜する姿勢を含む。

本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行うことができる。また、第１の処理液を所定の処理時間経過後に分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よく面内均一に行うこともできる。さらには、平流しの搬送ライン上で被処理基板を搬送しながら基板上に一連の処理を順次施すに際して各処理間の連続性ないしスループットの向上と相互干渉の防止とを同時に実現することも可能である。

図１に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。

この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。ここで、洗浄プロセス部２４は、１本の平流し搬送ラインを共有する平流し方式のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を備えている。また、塗布プロセス部２８は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６を備えている。

一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。ここで、現像プロセス部３２と脱色プロセス部３４は平流し型であり、共通の平流し搬送ラインで接続されている。

両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。

洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側から基板Ｇを平流しで受け取るために用いられる。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側へ基板Ｇを平流しで送るためのものである。

図２に示すように、縦型搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。かかる構成の搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。

塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０も、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。また、現像プロセス部３２の下流側に配置される第３の熱的処理部３６も、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

図３に、この塗布現像処理システムにおける１枚の基板Ｇに対する処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において搬送機構２２がステージ２０上の所定のカセットＣの中から基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２５の搬送ラインに搬入する（ステップＳ1）。

洗浄プロセス部２４内で基板Ｇは搬送ライン上をプロセスラインＡ方向に平流しで搬送され、途中のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２で紫外線洗浄処理やスクラビング洗浄処理等を順次施される（ステップＳ2，Ｓ3）。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、該搬送ライン上に載せられたまま第１の熱的処理部２６の上流側オーブンタワー（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。

第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは縦型搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６，６６の一つに移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。

このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。

第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。

基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。なお、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２にたとえば長尺ノズルを用いるスピンレスのスリットコート法を採用する場合は、レジスト塗布後のエッジリンスが不要であり、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６を省くことができる。

塗布プロセス部２８で上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、下流側隣に位置する第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。

第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。

露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。

現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを平流しで現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において、基板Ｇは、プロセスラインＢの下流に向って平流しの搬送ライン上を搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ13）。

現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは、平流しの搬送ラインに載せられたまま下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。

第３の熱的処理部３６において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ1）。

この塗布現像処理システム１０においては、平流しの搬送ラインを有する現像プロセス部３２および洗浄プロセス部２４に本発明を適用することができる。

［実施形態１］
以下、図４〜図１３を参照して本発明を現像プロセス部３２の現像ユニット（ＤＥＶ）９４に適用した一実施形態を説明する。

図４に、この実施形態における現像ユニット（ＤＥＶ）９４内の全体構成を模式的に示す。この現像ユニット（ＤＥＶ）９４は、図示のように、プロセスラインＢに沿って水平方向（Ｘ方向）に延びる平流しの搬送ライン１２０を設置しており、この搬送ライン１２０に沿って上流側から順に現像部１２２、リンス部１２４および乾燥部１２６を設けている。

搬送ライン１２０は、基板Ｇを被処理面を上に向けた仰向けの姿勢で搬送するためのコロ１２８を搬送方向（Ｘ方向）に一定間隔で敷設してなり、第２の熱的処理部３０（図１）における多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を始点とし、現像ユニット（ＤＥＶ）９４および脱色プロセス部３４を通り抜け、第３の熱的処理部３６（図１）における多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）で終端している。搬送ライン１２０の各コロ１２８は、たとえば電気モータを有する搬送駆動部（図示せず）に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。

この搬送ライン１２０は、搬送方向（Ｘ方向）において始点から終点まで同じ高さ位置で続いているのではなく、途中で所定の箇所に隆起部１２０ａ，１２０ｂ，および段差部１２０ｃを有しており、図４に示すように、搬送方向（Ｘ方向）の一サイドから見た搬送路の形状に応じて９つの搬送区間Ｍ₁，Ｍ₂，Ｍ₃，Ｍ₄，Ｍ₅，Ｍ₆，Ｍ₇，Ｍ₈，Ｍ₉に区分できる。

第１の搬送区間Ｍ₁は、多段ユニット部（ＴＢ）９２のパスユニット（ＰＡＳＳ）内の始点Ｐ₀から現像部１２２内の出口よりも少し手前（上流側）の位置に設定された第１の区間変更点Ｐ₁までの区間であり、始点Ｐ₀の高さ位置を保ったままほぼ水平一直線に延びる水平搬送路を有している。第２の搬送区間Ｍ₂は、上記第１の区間変更点Ｐ₁から現像部１２２とリンス部１２４との境界付近の位置に設定された第２の区間変更点Ｐ₂までの区間であり、始点Ｐ₀の高さ位置よりも所定量（たとえば１０〜２５ｍｍ）高い第１の隆起部１２０ａの頂上まで所定の傾斜角（たとえば２〜５°）で上る上り傾斜の搬送路を有している。

第３の搬送区間Ｍ₃は、上記第２の区間変更点Ｐ₂からリンス部１２４の入口付近に設定された第３の区間変更点Ｐ₃までの区間であり、上記第１の隆起部１２０ａの頂上からそれよりも所定量（たとえば１０〜２５ｍｍ）低い第１のボトム位置まで所定の傾斜角（たとえば２〜５°）で下る下り傾斜の搬走路を有している。第４の搬送区間Ｍ₄は、リンス部１２４内で入口付近の上記第３の区間変更点Ｐ₃から内奥の所定位置に設定された第４の区間変更点Ｐ₄までの区間であり、上記第１のボトム位置と同じ高さでほぼ水平一直線に延びる水平搬送路を有している。

第５の搬送区間Ｍ₅は、リンス部１２４内で上記第４の区間変更点Ｐ₄からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置に設定された第５の区間変更点Ｐ₅までの区間であり、第１のボトム位置よりも所定量（たとえば１０〜２５ｍｍ）高い第２の隆起部１２０ｂの頂上まで所定の傾斜角（たとえば２〜５°）で上る上り傾斜の搬走路を有している。第６の搬送区間Ｍ₆は、リンス部１２４内で上記第５の区間変更点Ｐ₅からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置に設定された第６の区間変更点Ｐ₆までの区間であり、上記第２の隆起部１２０ｂの頂上からそれよりも所定量（たとえば１０〜２５ｍｍ）低い第２のボトム位置まで所定の傾斜角（たとえば２〜５°）で下る下り傾斜の搬走路を有している。

第７の搬送区間Ｍ₇は、リンス部１２４内で上記第６の区間変更点Ｐ₆からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置つまり出口より少し手前（上流側）の位置に設定された第７の区間変更点Ｐ₇までの区間であり、上記第２のボトム位置と同じ高さでほぼ水平一直線に延びる水平搬送路を有している。第８の搬送区間Ｍ₈は、上記第７の区間変更点Ｐ₇からリンス部１２４と乾燥部１２６との境界付近に設定された第８の区間変更点Ｐ₈までの区間であり、上記第２のボトム位置よりも所定量（たとえば１０〜２５ｍｍ）高い段差部１２０ｃの上段位置まで所定の傾斜角（たとえば２〜５°）で上る上り傾斜の搬走路を有している。

第９の搬送区間Ｍ₉は、上記第８の区間変更点Ｐ₈から乾燥部１２６および脱色プロセス部３４（図１）を通って多段ユニット部（ＴＢ）９８（図１）のパスユニット（ＰＡＳＳ）内の終点まで至る区間であり、上記段差部１２０ｃの上段位置の高さを一定に保ったまま水平一直線に延びる水平搬走路を有している。

なお、搬送ライン１２０は、各区間変更点Ｐで急角度に折れ曲がるような進路変更を行うよりは、その付近で適度な曲率半径を描いて進路変更するのが好ましく、また隆起部１２０ａ，１２０ｂがフラット（水平）な頂上を有する台形の形状になっていてもよい。

現像部１２２においては、第１の搬送区間Ｍ₁内の所定位置に、搬送ライン１２０上をコロ搬送で移動する水平姿勢の基板Ｇに向けて上方から基準濃度の現像液を吐出する現像液供給ノズル（以下、「現像ノズル」と略称する。）１３０が搬送方向に沿って１本または複数本配置されている。各現像ノズル１３０は、たとえばスリット状の吐出口または１列に配置された多数の微細径吐出口を有する長尺型のノズルからなり、図示しない現像液供給源から配管を介して現像液を給液されるようになっている。

現像部１２２内には、搬送ライン１２０の下に落ちた現像液を受け集めるためのパン１３２も設けられている。このパン１３２の排液口は排液管１３４を介して現像液再利用機構１３６に通じている。現像液再利用機構１３６は、現像液ノズル１３０により基板Ｇ上に現像液を盛る際にこぼれ落ちた現像液をパン１３２および排液管１３４を介して回収し、回収した現像液に原液や溶媒を加え、基準濃度に調整したリサイクルの現像液を上記現像液供給源に送るようになっている。

リンス部１２４においては、入口付近の第３の搬送区間Ｍ₃内の所定位置に、搬送ライン１２０の上記第１の隆起部１２０ａの下り斜面を通過する基板Ｇに向けて上方から液置換（現像停止）用のリンス液を吐出する第１のリンス液供給ノズル（以下、「リンスノズル」と略称する。）１３８が搬送方向に沿って１本または複数本配置されている。また、中心部の第５の搬送区間Ｍ₅内の所定位置に、搬送ライン１２０の上記第２の隆起部１２０ｂの上り斜面を通過する基板Ｇに向けて上方から洗浄用のリンス液を吐出する第２のリンスノズル１４０が搬送方向に沿って１本または複数本配置されている。また、その下流側隣の第６の搬送区間Ｍ₆内の所定位置に、搬送ライン１２０の第２の隆起部１２０ｂの下り斜面を通過する基板Ｇに向けて上方から仕上げ洗浄用のリンス液を吐出する第３のリンスノズル１４２が搬送方向に沿って１本または複数本配置されている。さらに、出口付近にて第８の搬送区間Ｍ₈内の所定位置に、搬送ライン１２０の上り段差部１２０ｃを上る基板Ｇに向けて上方から最終洗浄用のリンス液を吐出する第４のリンスノズル１４５が搬送方向に沿って１本または複数本配置されている。各リンスノズル１３８，１４０，１４２，１４５は、たとえば上記現像液ノズル１３０と同様の構成を有する長尺型ノズルからなり、図示しないリンス液供給源から配管を介してリンス液を給液されるようになっている。

リンス部１２４内には、搬送ライン１２０の下に落ちたリンス液を受け集めるためのパン１４４が設けられている。このパン１４４の排液口は排液管１４６を介してリンス液回収部（図示せず）に通じている。図示省略するが、搬送ライン１２０の下から基板Ｇの下面に対して洗浄用のリンス液を噴き掛ける下部リンスノズルを設けることもできる。

乾燥部１２６においては、第９の搬送区間Ｍ₉の始端付近の所定位置に、搬送ライン１２０の上記段差部１２０ｃを上ってきた直後の基板Ｇに向けて上方から搬送方向と逆向きに液切りないし乾燥用の高圧ガス流（通常はエア流）を当てる長尺型のガスノズルまたはエアナイフ１４８が搬送方向に沿って１本または複数本配置されている。搬送ライン１２０の下から基板Ｇの下面に向けて液切りないし乾燥用の高圧ガス流を当てる下部エアナイフ（図示せず）も設置可能である。また、乾燥部１２６内で搬送ライン１２０の下に落ちた液を受け集めるためのパン（図示せず）を設けてもよい。

下流側隣の脱色プロセス部３４には、搬送ライン１２０上をコロ搬送で移動する基板Ｇに向けて上方から脱色処理用のｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射するｉ線照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６が設けられている。

現像ユニット（ＤＥＶ）９４は、一体的なハウジング１５０内に現像部１２２，リンス部１２４および乾燥部１２６を収容しており、異なる処理部間の境界には搬送ライン１２０に沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための鉛直方向に延在する隔壁１５２，１５４を設けている。より詳細には、現像部１２２とリンス部１２４との境界つまり第２の搬送区間Ｍ₂と第３の搬送区間Ｍ₃との境界付近に隔壁１５２が設けられ、リンス部１２４と乾燥部１２６との境界つまり第８の搬送区間Ｍ₈と第９の搬送区間Ｍ₉との境界付近に隔壁１５４が設けられる。各隔壁１５２，１５４には、搬送ライン１２０を通す開口１５６，１５８がそれぞれ形成されている。

この現像ユニット（ＤＥＶ）９４において、各処理部１２２，１２４，１２６内の空間は隔壁１５２，１５４の開口１５６，１５８を介して相互に連通している。現像部１２２および乾燥部１２６では、室外の空気を引き込むためのファン１６０，１６２と、これらのファン１６０，１６２からの空気流を除塵するエアフィルタ１６４，１６６とによって、天井から清浄な空気がダウンフローで室内に供給されるようになっている。このうち、現像部１２２の天井から供給される清浄空気は、現像処理時に発生する現像液のミストを巻き込むようにして上記隔壁１５２の開口１５６を通ってリンス部１２４の室内に流入する。一方、乾燥部１２６の天井から供給される清浄空気は、乾燥（液切り）処理で発生するリンス液のミストを巻き込むようにして上記隔壁１５４の開口１５８を通ってリンス部１２４の室内に流入するようになっている。リンス部１２４の底部には、たとえば排気ポンプまたは排気ファンを有する排気機構１６８に通じる排気口１７０が設けられている。上記のようにして現像部１２２側から流入してきたミスト混じりの空気と、乾燥部１２６側から流入してきたミスト混じりの空気は、リンス部１２４内で発生するミストをも巻き込んで左右から合流して排気口１７０から排出されるようなっている。

ここで、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４における全体の動作を説明する。上記のように、第２の熱的処理部３０（図１）において露光後の一連の熱処理を終えた基板Ｇは搬送機構９０によって多段ユニット部（ＴＢ）９２のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬入される。図４に示すように、このパスユニット（ＰＡＳＳ）内には、搬送機構９０（図１）から基板Ｇを受け取るリフトピン昇降機構１７２が設けられている。このリフトピン昇降機構１７２により搬送ライン１２０上に基板Ｇが水平に移載されると、搬送駆動部の駆動による一定速度のコロ搬送で基板Ｇは隣の現像ユニット（ＤＥＶ）９４に向けて搬送される。

現像ユニット（ＤＥＶ）９４では、最初に現像部１２２において、基板Ｇが搬送ライン１２０の第１の搬送区間Ｍ₁内を水平姿勢で移動する間に定置の現像ノズル１３０より現像液を供給され、基板Ｇ上には基板前端から基板後端に向って搬送速度と等しい走査速度で現像液が盛られる。基板Ｇからこぼれた現像液はパン１３２に受け集められる。

上記のようにして現像液を盛られた基板Ｇは、直後に第２の搬送区間Ｍ₂で第１の隆起部１２０ａの上り傾斜路を上り、ここで基板Ｇ上の現像液が下方つまり後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。流れ落ちた現像液はパン１３２に受け集められる。この時、基板Ｇ上では基板の前端側から後端側へ向って搬送速度とほぼ等しい移動速度で現像液の液切りが行われる。こうして第１の隆起部１２０ａを乗り越えた基板Ｇは、その上面に現像液が非常に薄い液膜で残っている状態で、リンス部１２４側の下り傾斜路（第３の搬送区間Ｍ₃）に差し掛かる。

リンス部１２４において、基板Ｇが第３の搬送区間Ｍ₃の下り傾斜路を下りる時、上方のリンスノズル１３８が基板Ｇ上にリンス液を供給することにより、基板Ｇ上の各部に薄く残っていた現像液は重力とリンス液の流れの圧力を受けて前方へ流下し基板前端から追い出される。基板Ｇの前方へ流れおちた現像液およびリンス液はパン１４４に受け集められる。こうして基板Ｇ上で基板の前端側から後端側へ向って搬送速度とほぼ等しい走査速度で、現像液がリンス液に置換され、現像が停止する。

上記のようにして現像処理を終えた基板Ｇは、水平な第４の搬送区間Ｍ₄を通過し、次の第５の搬送区間Ｍ₅で第２の隆起部１２０ｂの上り傾斜路を上る。この時、基板Ｇ上に残っている置換用のリンス液が基板前端側から後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。さらに、上方のリンスノズル１４０より基板Ｇ上に一次洗浄用のリンス液が供給され、古いリンス液を追い出しながらこの新たなリンス液も基板後端から流れ落ちる。基板の後方に流れ落ちたリンス液はパン１４４に受け集められる。こうして、第２の隆起部１２０ｂの頂点を越える基板Ｇは、その上面に一次洗浄用のリンス液が薄い液膜で残っている状態で、第２の隆起部１２０ｂの下り傾斜路（第６の搬送区間Ｍ₆）に差し掛かる。

次いで、第２の隆起部１２０ｂの下り傾斜路（Ｍ₆）を基板Ｇが下りる際には、上方のリンスノズル１４２により基板Ｇ上に二次洗浄用の新たなリンス液が供給され、基板Ｇ上に薄く残っていた一次洗浄液を前方に追いやりながら新たなリンス液も基板前端から流れ落ちる。基板Ｇの前方に流れ落ちたリンス液はパン１４４に受け集められる。

上記のようにしてリンス処理を終えた基板Ｇは、水平な第７の搬送区間Ｍ₇を通過し、次の第８の搬送区間Ｍ₈で上り段差部１２０ｃの傾斜路を上る。この時、基板Ｇ上に残っている仕上げ用リンス液が基板前端側から後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。さらに、上方のリンスノズル１４５より基板Ｇ上に最終洗浄用のリンス液が供給され、古いリンス液を追い出しながらこの新たなリンス液も基板後端から流れ落ちる。基板Ｇの後方に流れ落ちたリンス液はパン１４４に受け集められる。そして、基板Ｇが段差部１２０ｃを上り、乾燥部１２６側つまり第９の搬送区間Ｍ₆内の上段搬走路に入ると、エフナイフ１４８が基板Ｇに対して搬送方向と逆向きに高圧ガス流を当てることにより、基板Ｇ上の残っていたリンス液が基板後方へ寄せられて基板後端から追い出される（液切りされる）。基板Ｇの後方に飛ばされたリンス液はパン１４４に受け集められる。

こうして現像ユニット（ＤＥＶ）３２内で一連の現像処理工程を終えた基板Ｇは、そのまま搬送ライン１２０上をまっすぐ移動して下流側隣の脱色プロセス部３４で脱色処理を受けてから、多段ユニット部（ＴＢ）９８（図１）のパスユニット（ＰＡＳＳ）へ送られる。

上記のように、この実施形態の現像ユニット（ＤＥＶ）３２においては、ユニットを縦断する搬送ライン１２０上を基板Ｇが一定速度のコロ搬送で移動し、その平流しの移動中に現像部１２２、リンス部１２４および乾燥部１２６でそれぞれ現像処理、リンス処理、乾燥処理を順次施されるようになっている。

特に、現像部１２２では、水平搬送路（Ｍ₁）上の所定位置で水平姿勢の基板Ｇ上に現像液が盛られ、そこから搬送ライン１２０の下流側に所定の距離だけ離れた場所に位置する第１の隆起部１２０ａの傾斜路上で重力を利用した現像液の液切りないし現像停止が行われる。特に、基板Ｇが第１の隆起部１２０ａの上り傾斜路（Ｍ₂）を上る際に基板Ｇ上の現像液の大部分が後方へ落ちるので、わざわざ基板を停止させ持ち上げて水平姿勢から傾斜変換へ姿勢変換する必要はない。しかも、基板Ｇが上り傾斜路（Ｍ₂）を乗り越えると、基板Ｇの上面（被処理面）が乾かないうちに間髪を入れずに下り傾斜路（Ｍ₃）で液置換用のリンス液が供給されるので、液置換前の不所望な乾燥に起因する現像不良（斑の発生等）を防止できる。また、基板Ｇ上の各部で現像液の除去ないし現像停止が行われる走査の向きおよび速度が、基板Ｇ上の各部に現像液が盛られたときの走査の向きおよび速度と等しいので、現像時間の面内均一性ひいては現像均一性を向上させることができる。また、基板Ｇが隆起部１２０ａを通過する際に形成される基板隆起部または傾斜部が局所的（瘤状）であり、基板全体でみると基板上の現像液の流れは低速でゆっくりしている。このことにより、基板上の液に乱流や液割れが起こり難い。この点、基板全体を水平姿勢から急激に所定角度の傾斜姿勢に姿勢変換する従来方式においては、基板上で急速に流下する現像液が乱流や液割れを起こしやすく、現像ムラの原因になることがあった。

リンス部１２４では、基板Ｇが搬送ライン１２０の第２の隆起部１２０ｂを通過する際に、その上り傾斜路（Ｍ₅）で一次洗浄が行われ、下り傾斜路（Ｍ₆）で二次洗浄が行われる。傾斜路（Ｍ₅，Ｍ₆）で基板Ｇ上のリンス液が重力で自然に基板後方または基板前方へ流下するので、基板の洗浄を効率よく行うことができる。なお、上り傾斜路（Ｍ₅）を通過する際に基板Ｇ上のリンス液は後方へ寄せられて基板後端から落ちるので、この上り傾斜路（Ｍ₅）で洗浄水を供給するリンスノズル１４０を省くことも可能である。しかし、現像停止に用いたリンス液を必要最小限の洗浄水で速やかに洗い流すうえで、この上り傾斜路（Ｍ₅）で一次洗浄を行うのは非常に効率がよい。したがって、下り傾斜路（Ｍ₆）側だけにリンスノズル１４２を複数本並べるよりは、その中の１本を上り傾斜路（Ｍ₅）側に一次洗浄用のリンスノズル１４０として配置する方がコストパフォーマンスの面で優れている。

この実施形態では、その少し下流側で上り段差部１２０ｃの上方に設けられるリンスノズル１４５が上記リンスノズル１４０と同様の作用効果を奏するので、第２の隆起部１２０ｂを省く構成、つまり水平一直線の搬送路に置き換える構成も可能である。その場合、上記リンスノズル１４０，１４２を水平搬送路に沿って配置してもよく、あるいは省いてもよい。

乾燥部１２６では、基板Ｇが搬送ライン１２０の段差部１２０ｃを通過する際に、その上り傾斜路（Ｍ₈）で基板Ｇ上に残っていたリンス液の多くが重力で自然に基板後方へ流下するので、上段の水平搬送路（Ｍ₉）側に配置するエアナイフ１４８の本数や乾燥用ガスの消費量を節減することができる。なお、エアナイフ１４８を上り傾斜路（Ｍ₈）の上方に設置することも可能である。

また、現像ユニット（ＤＥＶ）３２のハウジング１５０内では、現像部１２２に設けた清浄空気供給部（１６０，１６４）より供給される清浄空気流を現像部１２２からリンス部１２４へ流し、乾燥部１２６に設けた清浄空気供給部（１６２，１６６）より供給される清浄空気流を乾燥部１２６からリンス部１２４へ流すようにしている。現像部１２２および乾燥部１２６内で発生するミストは速やかにリンス部１２４へ集められ、リンス部１２４から現像部１２２および乾燥部１２６へミストが逆流することはない。このことにより、現像部１２２および乾燥部１２６内で基板Ｇにミストが再付着するのを効率よく確実に防止できる。なお、リンス部１２４内では基板Ｇにミストが付着してもすぐにリンス液と一緒に洗い流されるので、なんら支障はない。

次に、図５〜図１３につき、この実施形態の現像ユニット（ＤＥＶ）３２における各部の実施例および作用を説明する。

上記のように、現像液を盛られた基板Ｇが搬送ライン１２０の隆起部１２０ａの上り傾斜路Ｍ₂を上る際に基板Ｇ上の液が重力で基板後方へ寄せられる。この時、表面張力が働いて基板Ｇの後端から現像液が落ち難くいこともあるので、この表面張力を崩して現像液の円滑ないし均一な流下を促進する適当な外力または作用を与えるのが好ましい。

図５は、かかる観点から上り傾斜路Ｍ₂に用いて好適なコロ搬送路の構成を示す。この構成例において、搬送ライン１２０のコロ１２８には、搬送区間に応じて２種類のコロ１２８Ａ，１２８Ｂが使われている。詳細には、水平搬送路Ｍ₁および下り傾斜搬送路Ｍ₃を構成する第１タイプのコロ１２８Ａは、比較的細いシャフト１７２の数箇所に太径のローラ部１７４を固着してなり、ローラ部１７４に基板Ｇを載せて回転するようになっている。上り傾斜路Ｍ₂に用いられる第２タイプのコロ１２８Ｂは、第１タイプのローラ部１７４と同径の円柱または円筒状シャフト１７６を有し、このシャフト１７６自体に基板Ｇを載せて回転するようになっている。なお、第２タイプのコロ１２８Ｂには、軸方向に適当な間隔を置いてたとえばゴム製のすべり止めリング１７７を複数装着するのが好ましい。

図７に示すように、第２タイプのコロ１２８Ｂが基板Ｇの後端を押して送り出す際に基板Ｇの後端縁部全体にコロ１２８Ｂのシャフト１７６が触れることにより、基板Ｇの後端縁部全体から均一に現像液Ｒがシャフト１７６に巻き取られるようにしてこぼれ落ちる。

図５において、各コロ１２８（１２８Ａ，１２８Ｂ）は、両端部を軸受１７８に回転可能に支持されており、一端部側の軸受１７８よりも外側の端に取り付けた歯車プーリ１８０にベルト伝動機構のタイミングベルト１８２が巻き掛けられている。このタイミングベルト１８２は電気モータからなる搬送駆動部（図示せず）の回転駆動軸に接続されている。なお、各コロ１２８の歯車プーリ１８０およびタイミングベルト１８２はハウジング１５０の外に配置されている。

図６に示すように、相隣接するコロ１２８，１２８の間にはアイドラプーリ１８４が配置されている。各アイドラプーリ１８４は、タイミングベルト１８２を各歯車プーリ１８０に巻き掛けるためのオン位置（実線で示す位置）と、タイミングベルト１８２を各歯車プーリ１８０から外すためのオフ位置（鎖線で示す位置）との間で切り換えられるようになっている。

図８に、搬送ライン１２０の上り傾斜路Ｍ₂で基板Ｇの後端から現像液のこぼれ落ちるのを援助するための別の方法を示す。この方法は、上り傾斜路Ｍ₂の適当な位置たとえば麓の位置の上方にガスノズルまたはエアナイフ１８６を配置し、基板Ｇの後端部に向けてこのガスノズル１８６より高圧ガス（通常は高圧エア）を一時的または瞬間的に噴出させて、その高圧ガスの圧力で基板Ｇの後端から現像液Ｒを後方へ落とすものである。

図９に示す構成は、搬送ライン１２０の上り傾斜路Ｍ₂を急勾配に形成する場合に用いて好適なもので、図示のように、相隣接するコロ１２８，１２８の間に帯状無端ベルト１８８を掛け渡している。基板Ｇが上り傾斜路Ｍ₂の入口でそれまでの水平移動から上向き移動に変わる際に、基板Ｇの前端がベルト１８８に載せられて上段側のコロ１２２へスムースに乗り移ることができる。

図１０に示す構成は、搬送ライン１２０の上り傾斜路Ｍ₂における液切りで基板Ｇの後端部に現像液の液溜まりが残るのを確実に防止するためのもので、上り傾斜路Ｍ₂の上方、好ましくは頂上部よりも少し上流側の位置に、所定の高さ位置で基板Ｇの左右両縁部に当接する一対のローラ１９０を配置する。

基板Ｇが上り傾斜路Ｍ₂を通過する際に基板Ｇ上の液が重力で基板後方へ寄せられ基板後端から流れ落ちるが、基板前端から基板Ｇの大部分が下り傾斜路Ｍ₃側に移ると基板Ｇの後端部が上り傾斜路Ｍ₂から上方へ離れる。この時、基板Ｇの後端部が鎖線Ｇ'で示すように大きく跳ね上がると、基板Ｇの後端部に現像液の液溜まりが残るおそれがある。しかし、この構成例によれば、基板Ｇの後端部が上り傾斜路Ｍ₂から上方へ離れてもローラ１９０による高さ規制を受けながら頂上付近まで後傾姿勢を維持できるため、基板Ｇ上の液切りを最後の最後まで遂行することができる。なお、基板Ｇを前方へ送る向きにローラ１９０を回転駆動する構成も可能である。

図１１は、搬送ライン１２０の上り傾斜路Ｍ₂の上方に液切り促進用のエアナイフ１９２を配置する構成を示している。基板Ｇが上り傾斜路Ｍ₂を上る際に、エアナイフ１９２が上方からエア流を吹き降ろすことにより、基板Ｇ上で現像液が後方へ流下するのを促進することができる。この構成は、上り傾斜路Ｍ₂の傾斜角や高度差が小さいときに好適に適用できる。

なお、上述した各部の実施例（図５〜図１１）は、搬送ライン１２０の第１の隆起部１２０ａへの適用に限定されるものではなく、第２の隆起部１２０ｂや段差部１２０ｃにも適用可能である。

図１２に、搬送ライン１２０上で基板Ｇが第１の隆起部１２０ａを通過するときの液処理の作用を模式的に示す。図示のように、基板Ｇは、その可撓性を利用して全長の一部に隆起部１２０ａに倣った突条の基板隆起部Ｇ_aを形成し、かつ搬送速度に等しい速度で基板隆起部Ｇ_aを基板の前端から後端まで搬送方向と反対方向に相対的に移動させながら搬送ライン１２０の隆起部１２０ａを通過する。搬送方向における第１の隆起部１２０ａの区間長、つまり搬送区間Ｍ₂，Ｍ₃を足し合わせた長さはたとえば数十ｃｍ前後であり、基板Ｇの全長（たとえば１００〜２５０ｃｍ）よりも短い。

上り傾斜路Ｍ₂では、基板Ｇ上で現像液Ｒが重力により基板後方へ流れ、基板Ｇの前端から後端に向ってほぼ搬送速度に等しい速度で現像液Ｒの液膜が液盛りの状態から薄膜Ｒ'の状態に変化する。薄膜Ｒ'の状態になった時点で現像は終盤（たとえば９５％以上）に差し掛かる。

基板Ｇが隆起部１２０ａの頂点を越えて下り傾斜路Ｍ₃に移ると、上方のリンスノズル１３８より帯状の吐出流でリンス液Ｓを供給されることにより、基板Ｇ上のリンス液Ｓが着液するライン付近で薄膜状態の現像液Ｒ'は速やかにリンス液Ｓに置換されて現像が完全に停止する。置換された現像液Ｒ'は前方へ流下して基板前端から落ちる。この際、リンス液に置換された現像液Ｒ'が流れる領域は既に（一足先に）現像を停止しているので、現像の進行に何の影響も受けない。また、図１２に示すように、隆起部１２０ａを挟んで基板後端側の領域には現像液Ｒが流れる一方で、基板前端側の領域にはリンス液Ｓが流れるので、基板Ｇの全体が液の重みで安定な姿勢を保ったまま搬送ライン１２０の隆起部１２０ａを通過することができる。また、基板Ｇが隆起部１２０ａを通過する際に、その頂上部の前後で、つまり基板前端側と基板後端側とに、異なる液（現像液とリンス液）を混ざることなく供給可能であり、現像ムラを防止することができる。因みに、基板Ｇ上で現像液とリンス液が混ざると、基板Ｇ上の各部で液濃度が異なり現像ムラが起こりやすい。さらに、基板Ｇの搬送を停止することなく、短い距離またはスペース内で効率よく基板上の異なる液をそれぞれ個別のパン１３２，１４４に分別回収することができる。

搬送ライン１２０の第２の隆起部１２０ｂでも、液が異なるだけで上記第１の隆起部１２０ａと同様の作用が奏される。もっとも、上記したように、第２の隆起部１２０ｂを省いて、この区間を水平一直線の搬走路で構成することも可能である。

図１３に、基板Ｇが搬送ライン１２０の段差部１２０ｃ（搬送区間Ｍ₈）を通過するときの液切りの作用を模式的に示す。図示のように、基板Ｇは、その可撓性を利用して全長の一部に段差部１２０ｃに倣ったライン状の基板段差部Ｇ_cを形成し、かつ搬送速度に等しい速度で基板段差部Ｇ_cを基板の前端から後端まで搬送方向と反対方向に相対的に移動させながら搬送ライン１２０の上り段差部１２０ｃ（Ｍ₈）を通過する。

この上り段差部１２０ｃ（Ｍ₈）では、基板Ｇ上で使用済みのリンス液Ｓおよびリンスノズル１４５より基板Ｇ上に供給された新たなリンス液Ｓが重力により基板後方へ流れ、基板Ｇの前端から後端に向ってほぼ搬送速度に等しい速度でリンス液Ｓの液膜がほぼ液盛りの状態から薄膜Ｓ'の状態に変化する。基板Ｇが段差部１２０ｃ（Ｍ₈）を越えて上段の水平搬走路Ｍ₉に入ると、上方のエアナイフ１４８よりナイフ状の吐出流で高圧ガス流を搬送方向と逆向きに吹き付けられることにより、基板Ｇ上に薄膜状態で残っていたリンス液Ｓ'は根こそぎ基板後端側へ寄せられて基板から除去される。

［実施形態２］
次に、図１４〜図１７を参照して本発明を洗浄プロセス部２４に適用した一実施形態を説明する。

図１４に、本発明の一実施形態による洗浄プロセス部２４内の構成を示す。この洗浄プロセス部２４は、図示のように、プロセスラインＡに沿って水平方向（Ｘ方向）に延びる平流しの搬送ライン２００を設置しており、この搬送ライン２００に沿ってエキシマ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１とスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２とを配置している。そして、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内には、上流側から順に搬入部２０２、スクラビング洗浄部２０4、ブロー洗浄部２０６、リンス部２０８、乾燥部２１０および搬出部２１２を設けている。

搬送ライン２００は、基板Ｇを被処理面が上を向いた仰向けの姿勢で搬送するためのコロ２１４を搬送方向（Ｘ方向）に一定間隔で敷設してなり、洗浄プロセス部２４の入口に始点を有し、エキシマ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を通り抜け、第１の熱的処理部２６（図１）における多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０（図２）で終端している。搬送ライン２００の各コロ２１４は、たとえば電気モータを有する搬送駆動部（図示せず）に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。

この搬送ライン２００も、搬送方向（Ｘ方向）において始点から終点まで同じ高さ位置で続いているのではなく、途中で所定の箇所に隆起部２００ａ、２００ｂ，上り段差部２００ｃおよび下り段差部２００ｄを有している。より詳細には、搬入部２０２内に第１の隆起部２００ａが設けられ、ブロー洗浄部２０６内に第２の隆起部２００ｂが設けられ、リンス部２０８内に上り段差部２００ｃが設けられ、乾燥部２１０と搬出部２１２との境界付近に下り段差部２００ｄが設けられており、それら起伏部以外の搬送区間は水平一直線の搬送路に形成されている。

エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１は、搬送ライン２００の上方に紫外線ランプ２１６を収容したランプ室２１８を設けている。紫外線ランプ２１６は、たとえば誘電体バリア放電ランプからなり、有機汚染の洗浄に好適な波長１７２ｎｍの紫外線（紫外エキシマ光）を直下の搬送ライン２００上の基板Ｇに石英ガラス窓２２０を通して照射するようになっている。紫外線ランプ２１６の背後または上には横断面円弧状の凹面反射鏡２２２が設けられている。

スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２において、搬入部２０２の天井には、清浄な空気をダウンフローで供給するファン・フィルタ・ユニット（ＦＦＵ）２２４が取り付けられている。第１の隆起部２００ａの上方には特にノズル、エアナイフ等のツールは設けられない。

スクラビング洗浄部２０４内には、搬送路ライン２００に沿って上流側から順にエアカーテンノズル２２６、薬液供給ノズル２２８、ロールブラシ２３０および洗浄スプレー管２３２が配置されている。エアカーテンノズル２２６は、直下を通過する基板Ｇの上面に対してスリット状の空気流を搬送方向の下流側に向けて吹き付けるように配置される。エアカーテンノズル２２６の直下には、全長に亘って円筒状のシャフトを有する第２タイプのコロ２１４Ｂが配置されている。薬液供給ノズル２２８、ロールブラシ２３０および洗浄スプレー管２３２は、搬送ライン２００を挟んでその上下両側に設けることも可能である。

ブロー洗浄部２０６内には、第２の隆起部２００ｂの上り傾斜路の上方にブロー洗浄用ノズルとしてたとえば２流体ジェットノズル２３４が設けられている。リンス部２０８内には、上り段差部２００ｃの上方にリンスノズル２３６が設けられている。乾燥部２１０内には、水平搬送路の上方にエアナイフ２３８が設けられている。なお、リンスノズル２３６およびエアナイフ２３８を搬送ライン２００を挟んでその上下両側に設けることも可能である。また、ブロー洗浄部２０６にも搬送ライン２００の下から基板Ｇの下面（裏面）に対して洗浄用のリンス液を吹き掛ける下部リンスノズル（図示せず）を設けることができる。搬出部２１２の天井にも、清浄な空気をダウンフローで供給するファン・フィルタ・ユニット（ＦＦＵ）２４０が取り付けられている。下り段差部２００ｄの上方には特にノズル、エアナイフ等のツールは設けられない。

相隣接するユニットまたは処理部４１，２０２，２０４，２０６，２０８，２１０，２１２の間には、隔壁２４２，２４４，２４６，２４８，２５０，２５２がそれぞれ設けられている。また、液を扱う処理部２０４，２０６，２０８，２１０内には、搬送ライン２００の下に落ちた液を受け集めるためのパン２５４，２５６，２５８，２６０がそれぞれ設けられている。各パンの底に設けられた排液口には回収系統または排液系統の配管が接続されている。また、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の中心部に位置するブロー洗浄部２０６内の底部には、たとえば排気ポンプまたは排気ファンを有する排気機構（図示せず）に通じる排気口２６２が設けられている。

ここで、この洗浄プロセス部２４における全体の動作および作用を説明する。

上記のようにカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側の搬送機構２２により未処理の基板Ｇが搬送ライン２００上に搬入され、コロ搬送による平流しでプロセスラインＡの下流側に向けて搬送されてくる。

エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１では、ランプ室２１８内の紫外線ランプ２１６より発せられた紫外線が石英ガラス窓２２０を透過して搬送ライン２００上の基板Ｇに照射される。この紫外線により基板表面付近の酸素が励起されてオゾンが生成され、このオゾンによって基板表面の有機物が酸化・気化して除去される。

こうしてエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１で紫外線洗浄処理を受けた基板Ｇは、下流側隣のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に入り、搬入部２０２内の第１の隆起部２００ａを通過してスクラビング洗浄部２０４に送られる。

スクラビング洗浄部２０４において、基板Ｇは最初に薬液ノズル２２８よりたとえば酸またはアルカリ系の薬液を吹き掛けられる。基板Ｇ上に残った薬液は、エアカーテンノズル２２６からの空気流を受けるため、基板Ｇ上を上流側に流れて搬入部２０２側へ入ることはない。また、円筒コロ２１４Ｂは、基板Ｇの裏面側を塞ぎながら搬送することにより、基板Ｇの裏面を伝わって液が搬入部２０２側へ行かないように機能する。薬液を供給された基板Ｇは、直後にロールブラシ２３０の下を擦りながら通り抜ける。ロールブラシ２３０は、図示しないブラシ駆動部の回転駆動力で搬送方向と対抗する向きに回転し、基板表面の異物（塵埃、破片、汚染物等）を擦り取る。その直後に、洗浄スプレー管２３２が基板Ｇに洗浄液たとえば純水を吹き掛け、基板上に浮遊している異物を洗い流す。スクラビング洗浄部２０４内で基板Ｇないし搬送ライン２００の下に落ちた液はパン２５４に受け集められる。

この後、基板Ｇはブロー洗浄部２０６に入って、第２の隆起部２００ｂに差し掛かり、その上り傾斜路を上る際に２流体ジュットノズル２３４によりブロー洗浄を受ける。２流体ジュットノズル２３４は、第２の隆起部２００ｂの上り傾斜路を上る基板Ｇ上で液の膜厚が薄くなっているところをめがけて、加圧した洗浄液（たとえば水）と加圧した気体（たとえば窒素）との混合流体を噴射し、基板Ｇの表面に付着または残存している異物を加圧２流体の非常に強い衝撃力で除去する。基板Ｇ上の液の大部分は隆起部２００ｂの上り傾斜路側で下方（上流側）へ吹き飛ばされ、パン２５６に受け集められる。基板Ｇ上で隆起部２００ｂの下り傾斜路側つまりリンス部２０８に持ち込まれる液は殆どない。

リンス部２０８では、上り段差部２００ｃを上る基板Ｇに向けて、リンスノズル２３６が最終洗浄用のリンス液を供給する。基板Ｇ上に供給されたリンス液は基板後端側へ向って基板上を流れ、その多くがリンス部２０８内のパン２５８に落ちる。このように上り段差部２００ｃを上る傾斜姿勢の基板Ｇにリンス液を吹き掛けてリンス処理を行う方式は、水平姿勢の基板に対してリンス液を吹き掛ける従来方式と較べて、基板上の液の流れや置換効率が良く、リンス液の使用量を大幅に低減できる。

基板Ｇが上り段差部２００ｃを上りきって水平搬走路の区間に入ると、エフナイフ２３８が待ち構えており、基板Ｇに対して搬送方向と逆向きに高圧ガス流を当てる。これによって、基板Ｇ上の残っていたリンス液が基板後方へ寄せられて基板後端から追い出される（液切りされる）。

搬入部２０２天井のファン・フィルタ・ユニット（ＦＦＵ）２２４からダウンフローで供給される清浄空気は、上記隔壁２４４，２４６の開口（基板通路）を通ってブロー洗浄部２０６の室内に流入し、その際にスクラビング洗浄部２０４内で発生する薬液等のミストもブロー洗浄部２０６内に運んでくる。一方、搬出部２１２天井のファン・フィルタ・ユニット（ＦＦＵ）２４０からダウンフローで供給される清浄空気は、上記隔壁２５２，２５０，２４８の開口（基板通路）を通ってブロー洗浄部２０６の室内に流入し、その際に乾燥室２１０およびリンス部２０８内で発生するリンス液等のミストもブロー洗浄部２０６内に運んでくる。こうして、搬入部２０２側から流れてきたミスト混じりの空気と、搬出部２１２側から流れてきたミスト混じりの空気は、ブロー洗浄部２０６内で発生するミストをも巻き込んで左右から合流して底部の排気口２６２から排出される。したがって、ブロー洗浄部２０６内で発生するミストが隣室、特にリンス部１２４には入ることがない。

上記のように、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２においては、平流しの搬送ライン２００の途中に隆起部２００ｂおよび上り段差部２００ｃを設け、かつそれらの上方またはその付近にブロー洗浄用ノズルやリンスノズル等のツールを配置する構成により、基板Ｇ上の液処理に関して、上記した第１の実施形態に係る現像ユニット（ＤＥＶ）３２と同様の作用効果を得ることができる。

さらに、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２は、その入口または搬入部２０２内に隆起部２００ａを設け、その出口または搬出部２１２内に下り段差部２００ｄを設けている。

図１５〜図１７につき、搬入部２０２内に設けられる隆起部２００ａの作用を説明する。なお、エアカーテンノズル２２６を省いている。

スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の薬液供給ノズル２２８より基板Ｇ上に滴下された薬液Ｋは、隆起部２００ａの壁により、図１５および図１６に示すように上流側への広がり（特に鎖線２７０で示すような基板中央部での広がり）を阻止される。

また、システムの稼働中に突然アラームが発生して搬送ライン２００が止まると、搬送ライン２００上を移動していた各基板Ｇは液処理途中の各位置で停止することになる。このとき、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１とスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２とに跨って基板Ｇが停止したとしても、図１７に示すように、基板Ｇ上の薬液Ｋはやはり隆起部２００ａの壁によってエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１への侵入を阻止される（塞き止められる）。

エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内に薬液その他の液体が入ると、石英ガラス窓２２０や紫外線ランプ２１６等の劣化や故障の原因になる。そこで、従来は、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１と薬液供給ノズル２２４との間に基板１枚分の空間的な隔たりまたは緩衝領域を設けていた。この実施形態によれば、上記のような隆起部２００ａの塞き止め機能によりそのような大スペースの緩衝領域を省くことが可能であり、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側の最上流に配置する処理液供給ノズル２２４を可及的にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に近づけて配置することができる。なお、この隆起部２００ａを下り段差部で代用することも可能である。

搬出部２１２内の下り段差部２００ｄは、搬送ライン２００の始点と終点を同じ高さ位置に合わせるためのものである。上記のように搬入部２０２内に下り段差部を設ける場合は、搬出部２１２内に下り段差部２００ｄは不要となる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形または変更が可能である。たとえば、上記現像プロセス部３２の搬送ライン１２０あるいは洗浄プロセス部２４の搬送ライン２００において上記のような隆起部や段差部を任意の順序および任意の箇所に設置することが可能である。たとえば、上記現像プロセス部３２の搬送ライン１２０においても、現像部１２２の入口付近に隆起部または下り段差部を設けることが可能である。これにより、現像ノズル１３０より基板Ｇ上に供給された現像液が上流側隣の他のユニットへ及ばないようにしたり、搬送ライン１２０の始点の高さ位置を終点の高さ位置に合わせることができる。また、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に設けたエアカーテンノズル２２６および円筒コロ２１４Ｂの構成または機能を現像ユニット（ＤＥＶ）９４に適用することも可能である。上記実施形態の搬送ライン１２０，２００における基板Ｇの仰向け姿勢は水平姿勢または前後方向（Ｘ方向）の傾斜姿勢であったが、左右方向（Ｙ方向）その他の方向で傾斜姿勢をとることも可能である。

上記した実施形態は現像処理装置および洗浄処理装置に係るものであったが、本発明は１種類または複数種類の処理液を用いて基板に所望の処理を施す任意の処理装置に適用可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。 上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。 実施形態における現像ユニット内の全体構成を示す正面図である。 実施形態における搬送ラインの構成を示す平面図である。 実施形態における搬送ラインの駆動部の構成を示す側面図である。 実施形態の搬送ラインにおいて基板上から液が落ちるときの一実施例の作用を示す図である。 実施形態において基板上から液が落ちるのを促進するための一実施例を示す図である。 実施形態における搬送ラインの上り傾斜路に適用可能な一実施例を示す斜視図である。 実施形態における搬送ラインの上り傾斜路に適用可能な一実施例を示す斜視図である。 実施形態における搬送ラインの上り傾斜路に適用可能な一実施例を示す斜視図である。 実施形態において搬送ラインの隆起部付近で行われる液処理の作用を示す図である。 実施形態において搬送ラインの上り段差部付近で行われる液処理ないし乾燥処理の作用を示す図である。 実施形態における洗浄プロセス部内の全体構成を示す正面図である。 図１４の実施形態において下り段差部の一作用を示す部分側面図である。 図１４の実施形態において下り段差部の一作用を示す平面図である。 図１４の実施形態において下り段差部の一作用を示す部分側面図である。

符号の説明

１０ 塗布現像処理システム
２４ 洗浄プロセス部
３２ 現像プロセス部
４１ 紫外線照射ユニット（ｅ−ＵＶ）
４２ スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）
９４ 現像ユニット（ＤＥＶ）
１２０ 搬送ライン
１２０ａ，１２０ｂ 隆起部
１２０ｃ 段差部
１２２ 現像部
１２４ リンス部
１２６ 乾燥部
１２８ コロ
１３０ 現像液供給ノズル（現像ノズル）
１３６ 現像液再利用機構
１３８，１４０，１４２ リンス液供給ノズル（リンスノズル）
１４０ リンス液供給ノズル（リンスノズル）
１４８ エアナイフ
１５２，１５４ 隔壁
１８２ タイミングベルト
１８６ ガスノズル
１８８ 帯状無端ベルト
１９０ ローラ
１９２ エアナイフ
２００ 搬送ライン
２００ａ 下り傾斜路
２００ｂ，２００ｃ 隆起部
２００ｄ 上り傾斜路
２２４ 薬液供給ノズル
２２６ ロールブラシ
２２８ 洗浄スプレー管
２３０ エアナイフ
２３２ ブロー洗浄ノズル
２３４ エアナイフ
２３６ リンス液供給ノズル（リンスノズル）
２３８ エアナイフ

Claims (20)

1. 被処理基板を被処理面を上に向けた仰向けの姿勢で搬送するための搬送体を水平な所定の搬送方向に敷設してなり、前記搬送方向において実質的に水平な搬送路を有する第１の搬送区間と、前記第１の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を有する第２の搬送区間と、前記第２の搬送区間に続く下り傾斜の搬送路を有する第３の搬送区間と、前記第３の搬送区間に続く実質的に水平な搬送路を有する第４の搬送区間とを含む平流しの搬送ラインと、
   前記搬送ライン上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動部と、
   前記第１または第２の搬送区間内で前記基板上に第１の処理液を供給する第１の処理液供給部と、
   前記第３の搬送区間内で前記基板上に第２の処理液を供給する第２の処理液供給部と
   を有する基板処理装置。
2. 前記搬送方向において前記第２の搬送区間の長さは前記基板のサイズよりも短い請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記搬送方向において前記第２の搬送区間と前記第３の搬送区間とを足し合わせた区間の長さは前記基板のサイズよりも短い請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記搬送方向において前記第２の搬送区間の終端部と前記第３の搬送区間の始端部との間に実質的に水平な搬送路が形成される請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記第２の搬送区間内で前記搬送ラインの搬送路から上方に離れる前記基板の部位を所定の高さ位置で抑える基板抑え部を有する請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記基板抑え部が、前記基板の左右両縁部に当接する回転可能な一対のローラを有する請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記第１の処理液供給部よりも下流側の前記第２の搬送区間内の所定位置で前記基板上に液切り用のガスを吹き付ける第１のエアナイフを有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記第１の処理液供給部よりも下流側の前記第１または第２の搬送区間内の所定位置で前記基板の後端から前記第１の処理液が流れ落ちるのを触発するための液切り触発部を有する請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記液切り触発部が、前記搬送路上に前記搬送体として配置される外径が一定の円柱状または円筒状のコロによって構成される請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記液切り触発部が、前記基板の後端部に上方から前記搬送方向と逆向きにガス流を当てるガスノズルを含む請求項８または請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記第１の処理液供給部が、前記第１の搬送区間内の所定位置で前記基板に向けて前記第１の処理液を吐出する処理液供給ノズルを有し、
    前記搬送駆動部が、前記第１および第２の搬送区間を通じて前記基板を一定の速度で搬送する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
12. 前記第１および第２の搬送区間で前記搬送路の下に落ちた液を受け集めるための第１の集液部と、前記第３および第４の搬送区間で前記搬送路の下に落ちた液を受け集めるための第２の集液部とを有する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 前記第２の搬送区間と前記第３の搬送区間との境界付近に前記搬送ラインに沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための第１の隔壁を有する請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
14. 前記搬送ラインが、前記第４の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を有する第５の搬送区間と、前記第５の搬送区間に続く実質的に水平な搬送路を有する第６の搬送区間とを含む請求項１〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
15. 前記搬送方向において前記第５の搬送区間の長さは前記基板のサイズよりも短い請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 前記第５または第６の搬送区間内で前記基板上からの前記処理液の液切りを援助するために前記搬送方向と逆向きに前記基板上にガスを吹き付ける第２のエアナイフを有する請求項１４または請求項１５に記載の基板処理装置。
17. 前記第５の搬送区間と前記第６の搬送区間との境界付近に前記搬送ラインに沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための第２の隔壁を有する請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
18. 前記搬送ラインが、前記第１の搬送区間よりも上流側で前記第１の搬送区間よりも高い位置で実質的に水平な搬送路を有する第７の搬送区間と、前記第７の搬送区間と前記第１の搬送区間との間で下り傾斜の搬送路を有する第８の搬送区間とを含む請求項１〜１７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
19. 前記搬送方向において前記第８の搬送区間の長さは前記基板のサイズよりも短い請求項１８に記載の基板処理装置。
20. 前記第８の搬送区間と前記第１の搬送区間との境界付近に前記搬送ラインに沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための第３の隔壁を有する請求項１８または請求項１９に記載の基板処理装置。
    
    
    
    

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