JP2006505010A

JP2006505010A - フォトレジストを除去するための超臨界二酸化炭素／化学調合物

Info

Publication number: JP2006505010A
Application number: JP2004550105A
Authority: JP
Inventors: コルツェンスキ，マイケル，ビー．; ゲンチュウ，エリオドール，ジー．; チョンギンジュー; バウム，トーマス，エイチ．
Original assignee: アドバンスドテクノロジーマテリアルズ，インコーポレイテッド
Priority date: 2002-10-31
Filing date: 2003-10-27
Publication date: 2006-02-09
Also published as: TW200415239A; CN1708362A; US6989358B2; WO2004042472A2; KR20050074511A; AU2003284931A8; EP1592520A2; WO2004042472A3; AU2003284931A1; WO2004042472B1; US20040087457A1; US20060040840A1

Abstract

半導体基板からのフォトレジストおよびイオン注入されたフォトレジストを除去するためのフォトレジスト洗浄組成物を開示する。本洗浄組成物は、イオン注入されていないフォトレジストの除去に利用するために、超臨界ＣＯ₂（ＳＣＣＯ２）とアルコールを含有する。フォトレジストがイオン注入を施される場合に、洗浄組成物は、さらにフッ素イオン源を含有する。かかる洗浄組成物は、洗浄試薬としてのＳＣＣＯ２が有する固有の欠陥、すなわち、ＳＣＣＯ２の非極性や、それに関連する、フォトレジスト中に存在し、かつ効率的洗浄のために半導体基板から除去されなければならない無機塩類や極性有機化合物などの種に対する不可溶性を克服している。本洗浄組成物は、その上にフォトレジストまたはイオン注入されたフォトレジストを有する基板に関して、損傷や残留物が生じない洗浄を可能にする。

Description

発明の分野
本発明は、その上にフォトレジスト自体、イオン注入されたフォトレジストなどのフォトレジストを有する基板から該フォトレジストを除去するのに半導体製造において有用な超臨界二酸化炭素系組成物、および半導体基板からフォトレジストやイオン注入されたフォトレジストの除去を目的として上記組成物を用いる方法に関するものである。

関連技術の説明
半導体製造では、ウエハー基板に塗布された後に、ウエハー上にパターン化された特定の領域と構造を作製するのに現像されるフォトレジストを利用する必要がある。この処理は、遠紫外線および／または高線量イオン注入へのフォトレジストの露光を含む場合があり、その結果発生するフォトレジスト材料およびその残留物を、プラズマエッチングやウェットベンチ洗浄などの従来の剥離法や洗浄法を用いて十分に除去することは困難である。高線量イオン注入処理の結果として、通常は硬くて炭化された外皮（ｃｒｕｓｔ）が形成され、下層のバルク・フォトレジストを洗浄処理や洗浄試薬から保護する。特に、低誘電率薄膜を有するマイクロ電子デバイス構造において、パターン化されたフォトレジストの反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）後に、同様の外皮が形成される。

従来の洗浄方法では、外皮に浸透してフォトレジストを除去するのに、多くはハロゲンガスと組み合わせた酸素プラズマ灰化が必要である。通常、プラズマ灰化プロセスでは、灰化後に残る残留物や不揮発性汚染物質を除去するのに、液体化学物質および／または希酸を用いた追加洗浄が必要である。上記洗浄操作では、すべてのフォトレジスト、外皮およびポストエッチ残留物の完全な除去を達成するために、多数の連続処理サイクルの期間、灰化および湿式洗浄の工程を交互に行う方法で繰り返す必要があることが多い。

これらの適用において、
（１）硬化した外皮下で加熱されるバルク・フォトレジスト中の残留溶媒が揮発する際の、基板表面から発生するフォトレジストの爆発（ｐｏｐｐｉｎｇ）（半導体基板に関連する汚染につながる）と、
（２）プラズマ灰化プロセスによって完全には除去されない、フォトレジスト中に注入された不揮発性金属化合物の存在に起因する残留金属汚染の発生と、
（３）プラズマ灰化や湿式化学処理を用いるにもかかわらず、半導体基板上に残る（重合された外皮または高度に架橋されたポリマーの）硬い残留物の発生と、
（４）フォトレジスト剥離サイクル時間を延長させる反復洗浄工程および仕掛品工程の必要性と、を含む上記の灰化や湿式洗浄の操作に関する問題や欠陥が多数発生している。

露光されたフォトレジストのエッチング、また選択的には灰化処理の後に、残留物が基板上に残る。この残留物は、除去されることにより、半導体製造プロセスの最終生成物であるマイクロ電子デバイスの適切な動作が保証され、製造プロセスにおけるその後の処理工程に関係する障害または欠陥が回避されなければならない。

半導体製造産業において、半導体基板からのフォトレジストとその残留物の除去に対する調合を改善・進展させるのに、継続的に多大な努力が払われてきたが、この努力は、急激で絶え間ない限界寸法の減少によって損なわれてきた。

チップ・アーキテクチャの限界寸法が、たとえば、１００ナノメーター未満のように縮小するにつれて、高アスペクト比のトレンチおよびビアを有するパターン化された半導体ウエハーからフォトレジストおよび残留物を除去するのは一層困難になりつつある。限界寸法幅が１００ｎｍ未満に減少するにつれて、清浄液に使用される液体の高い表面張力の特性に起因し、旧式の湿式洗浄法は、実質上の限界に直面している。さらに、この水溶液が、機械的強度、吸湿、熱膨張係数、さまざまな基板に対する接着性などの多孔性低誘電率材料の重要な材料特性に強い作用を及ぼす可能性があるという点で、水性洗浄液の使用には大きな欠陥がある。

したがって、先行する従来の洗浄組成物の上記欠陥を克服する、半導体基板上のフォトレジストおよびイオン注入されたフォトレジストを除去するための洗浄組成物を提供することは、当該技術における重要な進歩といえよう。

発明の概要
本発明は、フォトレジストおよびイオン注入されたフォトレジストを含む基板から該フォトレジストを除去するのに半導体製造において有用な超臨界二酸化炭素系組成物、および半導体基板からフォトレジストやイオン注入されたフォトレジストの除去を目的として上記組成物を用いる方法に関するものである。

一の態様では、本発明は、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、を含むフォトレジスト洗浄組成物に関するものである。

別の態様では、本発明は、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、を含むフォトレジスト洗浄組成物に関するものであり、前記アルコールは、Ｃ₁〜Ｃ₄アルコール（たとえば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなど）からなる群から選択され、洗浄組成物の総重量に基づいて、約５〜約２０重量％の濃度で存在し、前記ＳＣＣＯ２は、洗浄組成物の総重量に基づいて、約８０〜約９５重量％の濃度で存在する。

本発明のさらなる態様は、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、フッ素イオン源と、を含むフォトレジスト洗浄組成物に関するものであり、前記アルコールは、Ｃ₁〜Ｃ₄アルコールからなる群から選択され、前記フッ素イオン源は、組成物の総重量に基づいて、約０．０１〜約２重量％の濃度で存在し、前記アルコールは、洗浄組成物の総重量に基づいて、約５〜約２０重量％の濃度で存在し、前記ＳＣＣＯ２は、洗浄組成物の総重量に基づいて、約７９〜約９４．９９重量％の濃度で存在する。

本発明のさらなる態様は、その上にフォトレジストを有する基板から該フォトレジストを除去する方法に関するもので、該方法は、フォトレジストを基板から除去するのに十分な時間かつ十分な接触条件下で、フォトレジストを、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、を含む洗浄組成物に接触させることを含む。

本発明のさらに別の態様は、その上にフォトレジストを有する基板から該フォトレジストを除去する方法に関するものであり、該方法は、フォトレジストを、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、を含む洗浄組成物に接触させて、フォトレジストを基板から除去することを含む。ここで、前記アルコールは、Ｃ₁〜Ｃ₄アルコールからなる群から選択され、組成物の総重量に基づいて、約５〜約２０重量％の濃度で存在し、該接触は、フォトレジストを基板から除去するのに十分な時間で、約１０００〜約７５００ｐｓｉの範囲内の圧力と、約３５℃〜約１００℃の範囲内の温度とを含む条件下で行われる。

別の態様では、本発明は、その上にイオン注入されたフォトレジストを有する基板から該イオン注入されたフォトレジストを除去する方法に関するものであり、該方法は、イオン注入されたフォトレジストを基板から除去するのに十分な時間かつ十分な接触条件下で、フォトレジストを、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、フッ素イオン源と、を含む洗浄組成物に接触させることを含む。

本発明のさらなる態様は、その上にイオン注入されたフォトレジストを有する基板から該イオン注入されたフォトレジストを除去する方法に関するものであり、該方法は、イオン注入されたフォトレジストを、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、フッ素イオン源と、を含む洗浄組成物に接触させ、イオン注入されたフォトレジストを基板から除去することを含む。ここで、前記アルコールは、Ｃ₁〜Ｃ₄アルコールからなる群から選択され、組成物の総重量に基づいて、約５〜約２０重量％の濃度で存在し、前記フッ素イオン源は、組成物の総重量に基づいて、約０．０１〜約２重量％の濃度で存在し、さらに該接触は、フォトレジストを基板から除去するのに十分な時間で、約１０００〜約７５００ｐｓｉの範囲内の圧力と、約３５℃〜約１００℃の範囲内の温度とを含む条件下で行われる。

本発明の他の態様、特徴および実施形態は、以下に示す明細書および添付された特許請求の範囲からより十分に明らかになるであろう。

発明の詳細な説明およびその好ましい実施形態
本発明は、単独使用のフォトレジスト、イオン注入されたフォトレジストなどのフォトレジストを、その上に同フォトレジストが存在する半導体基板から除去するのに極めて有効な超臨界二酸化炭素系洗浄組成物の発見に基づくものである。

超臨界二酸化炭素（ＳＣＣＯ２）は、液体、気体の両方の特性を有することから、一見すると、フォトレジストの除去にとっての好適な試薬として考えられるかもしれない。超臨界ＣＯ₂は、気体のように、急速に拡散し、低い粘性やほぼゼロに等しい表面張力を有し、トレンチおよびビアの深部まで容易に浸透するとともに、液体のように、「洗浄」媒体としてのバルクフロー性能を有している。

しかしながら、超臨界ＣＯ₂は、これらの顕著な利点が有するにもかかわらず、非極性であるために、フォトレジスト中に存在し、かつ効率的洗浄のために半導体基板から除去されなければならない無機塩類や極性有機化合物などの多種の極性を有する種を可溶化することはない。したがって、ＳＣＣＯ２が有する非極性の性質は、基板上へのフォトレジスト蒸着後におけるフォトレジスト除去を目的とした上記試薬の使用にとって障害となっていた。

本発明を通じて、超臨界ＣＯ２の上記欠陥は、フォトレジストおよびイオン注入されたフォトレジストの洗浄にとって極めて効果的で、たとえば、最初からその上に上記フォトレジストを有するパターン化されたウエハーなどの基板を対象に損傷も残留物も生じない洗浄を実現するＳＣＣＯ２系組成物の提供において克服されている。

より具体的には、本発明は、ＳＣＣＯ２、アルコールなどのフォトレジスト洗浄組成物を提供する。ＳＣＣＯ２とアルコールは、フォトレジストの除去にとって極めて効果的な補助溶剤組成物を形成する。

フォトレジストがイオン注入によって硬化されている場合では、本発明は、イオン注入による硬化フォトレジストを除去するのに極めて効果的である、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、フッ化物イオン源化合物とを含む洗浄組成物を提供する。

本発明のＳＣＣＯ２／アルコール洗浄組成物に用いられるアルコールは、適切ならば任意の種類であってよい。本発明の一の実施形態において、上記アルコールは、Ｃ₁〜Ｃ₄アルコール（たとえば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、またはブタノール）、またはこれらアルコール種の２種類以上の混合物を含む。

好ましい実施形態では、アルコールは、メタノール、エタノール、またはイソプロパノールである。ＳＣＣＯ２とともにアルコール系補助溶剤の存在によって、ＳＣＣＯ２単独の場合に比べてフォトレジストに対する組成物の除去能力に劇的な改善をもたらす方法で、フォトレジスト中に存在する無機塩類および極性有機化合物などのフォトレジスト材料に対する組成物の溶解度の増加が促進される。

一般に、ＳＣＣＯ２とアルコールに相互に依存する特定の割合と量を適度に変化させることで、フォトレジスト中の無機塩類および極性有機化合物などの特定のフォトレジスト材料に対するＳＣＣＯ２／アルコール溶液の可溶化（溶媒化）作用が発揮され、同材料が基板から除去される可能性がある。上記の特定の割合と量は、当業者による余計な努力を必要としない範囲内で、簡単な実験によって容易に決定される。

一の実施形態では、ＳＣＣＯ２とアルコールは、結果溶液が約５〜約２０重量％のアルコールを含有するように調合される。

除去されるべきフォトレジストを含有する組成物の接触において、高温条件を使用することで、ＳＣＣＯ２とアルコール組成物の除去効率が向上する可能性がある。

具体例によると、図１は、フォトレジストを有するコントロールウエハーの５０Ｋ倍率における走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像であり、図２は、３５℃でフォトレジストを有する基板をＳＣＣＯ２／メタノールの洗浄組成物に接触させることによってフォトレジストが洗浄された場合に相当する洗浄後サンプルの５０Ｋ倍率における走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像である。図２で観察されるように、フォトレジストは、これらの条件下で完全に除去された。

７０℃で、ＳＣＣＯ２／メタノール相当の洗浄組成物を用いると、フォトレジストが完全に除去された場合と同様の結果が得られた。ＳＣＣＯ２／イソプロパノールの相当する洗浄組成物により、４５℃と７０℃で、フォトレジストの完全な除去が達成されたが、３５℃では、ＳＣＣＯ２／イソプロパノール組成物を用いても部分的な除去しか達成しなかった。このことは、ＳＣＣＯ２／アルコール組成物と基板上にある洗浄すべきフォトレジストとの接触を含む接触工程の温度上昇により、ＳＣＣＯ２／アルコール組成物の溶媒化と除去の性能向上が可能であることを示している。

温度を特定する効果は高まるとともに、本発明の実施における特定フォトレジストの除去の性質および範囲に関していうと、温度を特定値まで変化させ、同温度でＳＣＣＯ２／アルコール組成物によって基板から除去されるフォトレジスト材料の量を測定することで、経験的に容易に温度範囲を決定することが可能である。上記方法により、除去されるべき特定のフォトレジスト材料を対象とする、本発明の特定ＳＣＣＯ２／アルコール組成物にとっての最適温度レベルは決定可能である。

同様な方法により、超臨界流体組成物が基板からの除去が必要なフォトレジストと接触する場合の超大気圧、接触する洗浄組成物のフローおよび／または静特性、接触持続時間など、温度以外の処理条件は選択され、最適なまたは最適でなくとも有利な条件は、当業者の実施する範囲内で決定してもよい。

本発明のＳＣＣＯ２／アルコール組成物は、成分を添加して任意に調合させることで、さらに組成物の除去能力を高めたり、その他として組成物の性質を改善してもよい。したがって、組成物は、安定剤、キレート剤、酸化防止剤、錯化剤、界面活性剤などを用いて調合してもよい。

特定の実施形態において、たとえば、ホウ酸、マロン酸などのＳＣＣＯ２／アルコール組成物において酸化防止剤を導入してもよい。

パターン化されたアルミニウムウエハー上でのフォトレジストの完全な除去に特に適する一の実施形態において、洗浄組成物は、ＳＣＣＯ２やアルコール、たとえば、メタノール、エタノール、イソプロパノールを含み、アルコールは、組成物（ＳＣＣＯ２とアルコール）の総重量に基づいて、約５〜約２０重量％の量で存在する。この組成物は、下層のアルミニウム層の構造上の整合性を完全に維持する一方で、アルミニウム上のイオン注入されていないフォトレジストの１００％除去を達成することが実証されている。

基板上のフォトレジストを、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、を含む洗剤組成物に接触させる上記適用において、約３５℃〜約１００℃の範囲内の温度、約１０００〜７５００ｐｓｉの範囲内の圧力、さらに約１〜約３０分の範囲内の接触持続時間で、洗浄組成物を有利にフォトレジストに接触されることで、下層のアルミニウム構造に損傷を与えることなく、フォトレジストを効果的に溶解し除去する。

基板上のフォトレジストがイオン注入によって硬化された場合では、イオン注入されたフォトレジストは、ＳＣＣＯ２、アルコール、フッ化物イオン源化合物などの洗浄組成物によって基板から有利に除去される。

イオン注入されていないフォトレジストに対する洗浄組成物については、前述のごとくかかる目的のためにＳＣＣＯ２とアルコールを調合する場合、さらにフッ化物イオン源化合物を有効濃度で溶液に添加してもよい。この場合、イオン注入による硬化フォトレジストを種々のフッ化物イオン源化合物濃度を有する洗浄組成物に接触させ、個々に対応するフォトレジストの除去度合いを判定するという単純かつ臨機応変な方法を通して、当業者の実施する範囲内で容易に決定できるようにする。

フッ化物イオン源化合物は、（イオン注入されたフォトレジストとの）接触条件下で、超臨界流体組成物中で有効で、たとえば、ホウ素、リン、ヒ素などの注入される陽イオンと反応して錯体を形成し、フォトレジストの溶解を促進するＳＣＣＯ２に溶解可能な種を形成することによって洗浄組成物の除去性能を高めるフッ素イオンを生成する、任意の適切な種類であってもよい。

特に好ましいフッ素イオン源は、フッ化アンモニウムとＮＨ₄Ｆであるが、適切であれば他の任意のフッ素イオン源材料を有効利用してもよい。フッ素種により性能が向上したＳＣＣＯ２／アルコール組成物は、１種以上のフッ素イオン源成分を含有していることが考えられる。フッ素源は、適切な任意の種類、例えば、フッ素含有化合物または他のフッ素種であってもよい。例証となるフッ素源成分として、フッ化水素（ＨＦ）、化学式、ＮＲ₃（ＨＦ）₃のトリエチルアミン三水素フッ化物または他の三フッ化水素アミン化合物（式中、各Ｒは、それぞれ独立して、水素および低級アルキル（Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル）から選択される）、フッ化水素−ピリジン（ｐｙｒ−ＨＦ）、化学式、Ｒ₄ＮＦのフッ化アンモニウム（式中、各Ｒは、それぞれ独立して、水素および低級アルキル（Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル）から選択される）、その他の第４級フッ化物、二フッ化キセノン、フルオロメタンなどが挙げられる。

本発明の一の実施形態において、フッ化アンモニウム（ＮＨ₄Ｆ）は、フッ素イオン源成分として使用され、これらの成分は、洗浄組成物（すなわち、ＳＣＣＯ２、アルコールおよびフッ素イオン源）の総重量に基づいて、約０．０１重量％〜約５重量％の範囲内、さらに好ましくは、約０．１重量％〜約１重量％の範囲内の濃度で活用される。

さらなる具体例によると、図３は、イオン注入されたフォトレジストを有するコントロールウエハーの６０Ｋ倍率における光学顕微鏡画像であり、図４は、５５℃、圧力４０００ｐｓｉで、１５分間のＳＣＣＯ２／メタノール／ＮＨ₄Ｆ溶液による洗浄後における、図３のイオン注入されたフォトレジストを有するコントロールウエハーに相当する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像である。図４で観察されるように、ＳＣＣＯ２／メタノール／ＮＨ₄Ｆ溶液によるこれらの条件下で、フォトレジストは完全に除去された。

上記の特性を有する好ましい組成物では、特にシリコンおよび／またはＳｉＯ₂の基板からのイオン注入されたフォトレジストの洗浄に適応するように、洗浄組成物（ＳＣＣＯ２、アルコールおよびＮＨ₄Ｆ）の総重量に基づいて、フッ化アンモニウムが約０．１〜約１．０重量％の濃度で存在し、アルコールが約５〜約２０重量％の濃度で存在し、さらにＳＣＣＯ２が約７９〜約９４．９重量％の濃度で存在する。

上記洗浄組成物は、任意の適切な処理条件下で、イオン注入されたフォトレジストと接触させてもよい。特に好ましい実施形態では、上記洗浄組成物は、約４５℃〜約７５℃の範囲内の温度、約２０００〜４５００ｐｓｉの範囲内の圧力、約５〜約１５分の範囲内の接触持続時間で、イオン注入されたフォトレジストに接触され、下層のシリコン／二酸化ケイ素構造に損傷を与えることなく、フォトレジストを効果的に溶解し除去することができる。該接触は、好ましくは動的接触様式で行われ、フォトレジストを含有する表面上方において洗浄組成物の連続フローにさらすことで、物質移動率が最大になり、フォトレジストの基板からの完全な除去が達成される。

本発明の洗浄プロセスは、静的ソーク様式で交互に実行してもよく、この場合フォトレジストは、大量の静止した洗浄組成物に接触され、連続した（ソーク）期間中に洗浄組成物と接触させた状態で維持される。または、さらなる選択肢では、その上にフォトレジストを有する基板の上方での洗浄組成物の動的フローと、後続する洗浄組成物中での基板の静的ソークとを含む連続処理工程内で、フォトレジストと洗浄組成物の接触を行ってもよい。その際、個々の動的フロー工程および静的ソーク工程は、上記連続工程サイクル内で交互に繰り返し実行される。

本発明の洗浄組成物は、たとえば、混合容器内でゆっくりとかき混ぜながら各成分を単純に混合することによって容易に調合される。

かかる洗浄組成物は、いったん調合されると、フォトレジスト除去のために、適度に高められた圧力で、たとえば、洗浄組成物が適度な体積率および量で供給され、所望の接触動作を達成する加圧された接触チャンバー内で、その上の残留物と接触する対象の基板に適用される。

本発明の洗浄組成物のための特定の接触条件は、本願明細書の開示に基づいて、当業者が実施する範囲内で容易に決定可能であり、基板からのフォトレジスト除去を所望どおり達成している間、本発明の洗浄組成物における特定の各成分の割合と各成分の濃度は、幅広く変化する可能性があることが認められるであろう。

したがって、本発明の特定の態様、特徴および例証的な実施形態に関して、本発明が本願明細書に記載されている一方、本発明の有用性は、このように限定されることなく、むしろ多くの他の態様、特徴および実施形態にまで拡大され、これらを包含することが認識されるであろう。したがって、本願明細書の後に記載される特許請求の範囲は、その技術思想および範囲内であり、すべての上記の態様、特徴および実施形態を含むように、同様に幅広く解釈されることを意図するものである。

図面の簡単な説明
図１は、フォトレジストを有するコントロールウエハーの５０Ｋ倍率における走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す。図２は、３５℃でフォトレジストを有する基板をＳＣＣＯ２／メタノールを含有する洗浄組成物に接触させることによってフォトレジストが洗浄された場合に相当する洗浄後サンプルの５０Ｋ倍率における走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像（同画像はＳＣＣＯ２洗浄前における金属表面のオーバーエッチに起因する弱い線パターンを示す）を示す。図３は、イオン注入されたフォトレジストを有するコントロールウエハーの６０Ｋ倍率における光学顕微鏡画像を示す。図４は、５５℃、圧力４０００ｐｓｉで、１５分間のＳＣＣＯ２／メタノール／ＮＨ₄Ｆ溶液による洗浄後における、図３のイオン注入されたフォトレジストを有するコントロールウエハーに相当する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す。

Claims

ＳＣＣＯ２と、アルコールと、を含むフォトレジスト洗浄組成物。
前記アルコールは、少なくとも１種のＣ₁〜Ｃ₄アルコールを含む、請求項１に記載の組成物。
前記アルコールは、エタノールを含む、請求項１に記載の組成物。
前記アルコールは、メタノールを含む、請求項１に記載の組成物。
前記アルコールは、イソプロパノールを含む、請求項１に記載の組成物。
前記アルコールは、ブタノールを含む、請求項１に記載の組成物。
アルコールの濃度が、前記組成物の総重量に基づいて、約５重量％〜約２０重量％である、請求項１に記載の組成物。
フッ素イオン源をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
前記フッ素イオン源は、フッ化水素（ＨＦ）と、化学式、ＮＲ₃（ＨＦ）₃の三フッ化水素アミン化合物（式中、各Ｒは、それぞれ独立に、水素および低級アルキルから選択される）と、フッ化水素−ピリジン（ｐｙｒ−ＨＦ）と、化学式、Ｒ₄ＮＦのフッ化アンモニウム（式中、各Ｒは、それぞれ独立に、水素および低級アルキルから選択される）と、その他の第４級フッ化物と、二フッ化キセノンと、フルオロメタンとからなる群から選択される少なくとも１種のフッ素源試薬を含む、請求項８に記載の組成物。
前記フッ素イオン源は、前記組成物の総重量に基づいて、約０．０１重量％〜約５重量％の濃度を有する、請求項８に記載の組成物。
前記フッ素イオン源は、前記組成物の総重量に基づいて、約０．１重量％〜約１重量％の濃度を有する、請求項８に記載の組成物。
前記フッ素イオン源は、化学式、ＮＲ₄Ｆの化合物（式中、各Ｒは、それぞれ独立に、水素および低級アルキルから選択される）を含む、請求項８に記載の組成物。
前記フッ素イオン源は、フッ化アンモニウムを含む、請求項８に記載の組成物。
酸化防止剤をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
前記酸化防止剤は、ホウ酸を含む、請求項１４に記載の組成物。
ＳＣＣＯ２と、アルコールと、を含むフォトレジスト洗浄組成物であって、前記アルコールは、メタノールと、エタノールと、イソプロパノールとからなる群から選択され、前記アルコールは、前記洗浄組成物の総重量に基づいて、約５〜約２０重量％の濃度で存在し、さらに前記ＳＣＣＯ２は、前記洗浄組成物の総重量に基づいて、約８０〜約９５重量％の濃度で存在する、フォトレジスト洗浄組成物。
ＳＣＣＯ２と、アルコールと、フッ素イオン源と、を含むフォトレジスト洗浄組成物であって、前記アルコールは、メタノールと、イソプロパノールとからなる群から選択され、前記フッ素イオン源は、前記組成物の総重量に基づいて、約０．１〜約１重量％の濃度で存在し、前記アルコールは、前記洗浄組成物の総重量に基づいて、約５〜約２０重量％の濃度で存在し、さらに前記ＳＣＣＯ２は、前記洗浄組成物の総重量に基づいて、約７９重量％〜約９４．９重量％の濃度で存在する、フォトレジスト洗浄組成物。
前記フッ素イオン源は、ＮＨ₄Ｆを含む、請求項１７に記載の組成物。
その上にフォトレジストを有する基板から前記フォトレジストを除去する方法であって、前記フォトレジストを前記基板から除去するのに十分な時間かつ十分な接触条件下で、前記フォトレジストを、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、を含む洗浄組成物に接触させることを含む、方法。
前記接触条件は、高圧力を含む、請求項１９に記載の方法。
前記高圧力は、約１０００〜約７５００ｐｓｉの範囲内の圧力を含む、請求項２０に記載の方法。
前記接触条件は、高温度を含む、請求項１９に記載の方法。
前記高温度は、約３５℃〜約１００℃の範囲内の温度を含む、請求項２２に記載の方法。
前記接触時間は、約１〜約３０分の範囲内にある、請求項１９に記載の方法。
前記組成物は、前記アルコールとしてメタノールを含み、前記洗浄組成物の総重量に基づいて、約５〜２０重量％の濃度で存在する、請求項１９に記載の方法。
その上にフォトレジストを有する基板から前記フォトレジストを除去する方法であって、前記フォトレジストを、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、を含む洗浄組成物に接触させ、前記フォトレジストを前記基板から除去することを含み、前記アルコールは、メタノールと、エタノールと、イソプロパノールとからなる群から選択され、前記アルコールは、前記組成物の総重量に基づいて、約５〜約２０重量％の濃度で存在し、前記接触は、前記フォトレジストを前記基板から除去するために、約１０００〜約７５００ｐｓｉの範囲内の圧力と、約３５℃〜約１００℃の範囲内の温度とを含む条件下で、かつ十分な時間で、行われる、方法。
前記接触時間は、約１〜約３０分の範囲内にある、請求項２６に記載の方法。
その上にイオン注入されたフォトレジストを有する基板から前記イオン注入されたフォトレジストを除去する方法であって、前記イオン注入されたフォトレジストを前記基板から除去するのに十分な時間かつ十分な接触条件下で、前記フォトレジストを、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、フッ素イオン源と、を含む洗浄組成物に接触させることを含む、方法。
前記フッ素イオン源は、フッ化水素（ＨＦ）と、化学式、ＮＲ₃（ＨＦ）₃の三フッ化水素アミン化合物（式中、各Ｒは、それそれ独立に、水素および低級アルキルから選択される）と、フッ化水素−ピリジン（ｐｙｒ−ＨＦ）と、化学式、Ｒ₄ＮＦのフッ化アンモニウム（式中、各Ｒは、それぞれ独立に、水素および低級アルキルから選択される）と、その他の第４級フッ化物と、二フッ化キセノンと、フルオロメタンとからなる群から選択される少なくとも１種のフッ素源試薬を含む、請求項２８に記載の方法。
前記フッ素イオン源は、前記組成物の総重量に基づいて、約０．０１重量％〜約５重量％の濃度を有する、請求項２８に記載の方法。
前記フッ素イオン源は、前記組成物の総重量に基づいて、約０．１重量％〜約１重量％の濃度を有する、請求項２８に記載の方法。
前記フッ素イオン源は、ＮＨ₄Ｆを含む、請求項２８に記載の方法。
前記アルコールは、メタノールと、エタノールと、イソプロパノールとからなる群から選択され、前記フッ素イオン源は、前記組成物の総重量に基づいて、約０．１〜約１重量％の濃度で存在し、前記アルコールは、前記洗浄組成物の総重量に基づいて、約５〜約２０重量％の濃度で存在し、さらに前記ＳＣＣＯ２は、前記洗浄組成物の総重量に基づいて、約７９重量％〜約９４．９重量％の濃度で存在する、請求項２８に記載の方法。
前記フッ素イオン源は、ＮＨ₄Ｆを含む、請求項３３に記載の方法。
前記接触条件は、高圧力を含む、請求項２８に記載の方法。
前記高圧力は、約１０００〜約７５００ｐｓｉの範囲内の圧力を含む、請求項３５に記載の方法。
前記接触条件は、高温度を含む、請求項２８に記載の方法。
前記高温度は、約４５℃〜約１００℃の範囲内の温度を含む、請求項３７に記載の方法。
前記接触時間は、約１〜約１５分の範囲内にある、請求項２３に記載の方法。
その上にイオン注入されたフォトレジストを有する基板から前記イオン注入されたフォトレジストを除去する方法であって、前記イオン注入されたフォトレジストを、ＳＣＣＯ２と、アルコールと、フッ素イオン源と、を含む洗浄組成物に接触させ、前記イオン注入されたフォトレジストを前記基板から除去することを含み、前記アルコールは、メタノールと、エタノールと、イソプロパノールとからなる群から選択され、前記アルコールは、前記組成物の総重量に基づいて、約５〜約２０重量％の濃度で存在し、前記フッ素イオン源は、前記組成物の総重量に基づいて、約０．１〜約１重量％の濃度で存在し、前記接触は、前記フォトレジストを前記基板から除去するために、約２０００〜約４５００ｐｓｉの範囲内の圧力と、約４５℃〜約７５℃の範囲内の温度とを含む条件下で、かつ十分な時間で行われる、方法。
前記接触時間は、約５〜約１５分の範囲内にある、請求項４０に記載の方法。
ＳＣＣＯ２と、アルコールと、（ｉ）ホウ酸と（ｉｉ）置換または非置換の第４級フッ化アンモニウム化合物の少なくとも１種と、を含むフォトレジスト洗浄組成物。
フッ化アンモニウムを含む、請求項１に記載のフォトレジスト洗浄組成物。
ＳＣＣＯ２と、アルコールと、を含むフォトレジスト洗浄組成物であって、前記組成物が３５℃〜１００℃の範囲内の温度で存在する、フォトレジスト洗浄組成物。
ＳＣＣＯ２と、アルコールと、を含むフォトレジスト洗浄組成物であって、前記組成物が４５℃〜１００℃の範囲内の温度で存在する、フォトレジスト洗浄組成物。
基板からフォトレジストを除去するための基板洗浄方法であって、請求項４２に記載されるように、前記基板をフォトレジスト洗浄組成物に接触させることを含む、方法。