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JP2006335777A - Method for producing polymer compound for photoresist - Google Patents

Method for producing polymer compound for photoresist Download PDF

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JP2006335777A
JP2006335777A JP2005158353A JP2005158353A JP2006335777A JP 2006335777 A JP2006335777 A JP 2006335777A JP 2005158353 A JP2005158353 A JP 2005158353A JP 2005158353 A JP2005158353 A JP 2005158353A JP 2006335777 A JP2006335777 A JP 2006335777A
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Japan
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group
solvent
protected
monomer
photoresist
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Pending
Application number
JP2005158353A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Arimichi Okumura
有道 奥村
Masamichi Shiga
正道 志賀
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Daicel Corp
Original Assignee
Daicel Chemical Industries Ltd
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Publication date
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  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

【課題】本発明の目的は、ArFエキシマ・レーザーに関与したフォトレジストに用いられるアクリル系高分子化合物の適正な製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有するモノマーAと、極性基含有脂環式骨格を有するモノマーBとを少なくとも含むモノマーおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させ、重合溶液を貧溶媒(沈殿溶媒)に添加して、ポリマーを沈殿させ、沈殿を遠心分離機により遠心分離で、溶媒を除去後、湿結晶を溶媒に溶解し、減圧蒸留にて濃縮してフォトレジスト高分子化合物の溶液を製造する方法において、重合に使用される全モノマーに対して、メタクリル酸エステルのモル比が60モル%以上であることを特徴としたフォトレジスト用高分子化合物の製造方法を提供することにある。
【選択図】なし
An object of the present invention is to provide an appropriate method for producing an acrylic polymer used in a photoresist involved in an ArF excimer laser.
According to the present invention, a monomer including a monomer A having an alkali-soluble group by elimination by an acid and a monomer B having a polar group-containing alicyclic skeleton and a polymerization initiator are dissolved in a solvent. Then, the polymer is polymerized while dropping into a solvent heated to the polymerization temperature, the polymerization solution is added to a poor solvent (precipitation solvent), the polymer is precipitated, and the solvent is removed by centrifuging the precipitate with a centrifuge. Thereafter, in a method of dissolving a wet crystal in a solvent and concentrating by distillation under reduced pressure to produce a solution of a photoresist polymer compound, the molar ratio of the methacrylic acid ester is 60 mol with respect to all monomers used for polymerization. It is an object of the present invention to provide a method for producing a high molecular compound for a photoresist, which is characterized by being at least%.
[Selection figure] None

Description

本発明は、半導体の微細加工などに用いるフォトレジスト用樹脂組成物の調製に有用なフォトレジスト用高分子化合物の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a photoresist polymer compound useful for the preparation of a photoresist resin composition for use in semiconductor microfabrication and the like.

半導体製造工程で用いられるポジ型フォトレジストは、光照射により照射部がアルカリ可溶性に変化する性質、シリコンウエハーへの密着性、プラズマエッチング耐性、用いる光に対する透明性等の特性を兼ね備えていなくてはならない。該ポジ型フォトレジストは、一般に、主剤であるポリマーと、光酸発生剤と、上記特性を調整するための数種の添加剤を含む溶液として用いられる。一方、半導体の製造に用いられるリソグラフィの露光光源は、年々短波長になってきており、次世代の露光光源として、波長193nmのArFエキシマレーザーが有望視されている。このArFエキシマレーザー露光機に用いられるレジスト用ポリマーとして、基板に対する密着性の高い極性基含有脂環式骨格を含む繰り返し単位や、酸により脱離してアルカリ可溶となる基を含む繰り返し単位を有するポリマーが種々提案されている。(例えば特許文献1〜3)
また、特許文献4には各種のモノマーの組み合わせを提案しているが、フォトレジストに使用可能なポリマーの製法に関しては充分ではない。更に、特許文献5には、重合の時にモノマーや重合開始剤を滴下して重合することの優位性が提案されているが、重合した後の詳細なポリマーの処理に関しての提案、又は問題点などに関した議論はない。
特開平07−252324号公報 特開平09−073173号公報 特開2000−026446号公報 特開2000−109154号公報 特開2004−269855号公報
The positive photoresist used in the semiconductor manufacturing process must have properties such as the property that the irradiated part changes to alkali-soluble by light irradiation, adhesion to the silicon wafer, plasma etching resistance, transparency to the light used, etc. Don't be. The positive photoresist is generally used as a solution containing a main polymer, a photoacid generator, and several additives for adjusting the above characteristics. On the other hand, lithography exposure light sources used for semiconductor manufacturing have become shorter in wavelength year by year, and ArF excimer lasers having a wavelength of 193 nm are promising as next-generation exposure light sources. The resist polymer used in this ArF excimer laser exposure machine has a repeating unit containing a polar group-containing alicyclic skeleton having high adhesion to the substrate and a repeating unit containing a group that becomes alkali-soluble by detachment with an acid. Various polymers have been proposed. (For example, Patent Documents 1 to 3)
Further, Patent Document 4 proposes a combination of various monomers, but the method for producing a polymer usable for a photoresist is not sufficient. Furthermore, Patent Document 5 proposes the advantage of polymerizing by dropping a monomer or a polymerization initiator at the time of polymerization. However, a proposal regarding a detailed polymer treatment after polymerization, or problems, etc. There is no discussion on
JP 07-252324 A JP 09-073173 A Japanese Patent Laid-Open No. 2000-026446 JP 2000-109154 A JP 2004-269855 A

従って、本発明の目的は、ArFエキシマ・レーザーに関与したフォトレジストに用いられるアクリル系高分子化合物の適正な製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an appropriate method for producing an acrylic polymer compound used for a photoresist involved in an ArF excimer laser.

本発明は、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、フォトレジスト用高分子化合物を適正な組成にすること、及びそれに対応した適切な高分子の処理方法を採用することにより、フォトレジスト樹脂として使用可能な品位を有する高分子化合物の製造方法を見出し、本発明を完成した。   As a result of diligent studies to achieve the above-mentioned object, the present invention makes a photoresist polymer compound into an appropriate composition, and adopts an appropriate polymer processing method corresponding thereto, as a photoresist resin. The present inventors have completed the present invention by finding a method for producing a polymer compound having usable quality.

すなわち、本発明の目的は、酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有するモノマーAと、極性基含有脂環式骨格を有するモノマーBとを少なくとも含むモノマーおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させ、重合溶液を貧溶媒(沈殿溶媒)に添加して、ポリマーを沈殿させ、沈殿を遠心分離機により遠心分離で、溶媒を除去後、湿結晶を溶媒に溶解し、減圧蒸留にて濃縮してフォトレジスト高分子化合物の溶液を製造する方法において、重合に使用される全モノマーに対して、メタクリル酸エステルのモル比が60モル%以上であることを特徴としたフォトレジスト用高分子化合物の製造方法を提供することにある。   That is, an object of the present invention is to dissolve in a solvent a monomer and a polymerization initiator that include at least a monomer A having a group that becomes alkali-soluble upon removal by an acid and a monomer B having a polar group-containing alicyclic skeleton. Then, it is polymerized while dropping into a solvent heated to the polymerization temperature, the polymerization solution is added to a poor solvent (precipitation solvent), the polymer is precipitated, and the solvent is removed by centrifuging the precipitate with a centrifuge. Thereafter, in a method of dissolving a wet crystal in a solvent and concentrating by distillation under reduced pressure to produce a solution of a photoresist polymer compound, the molar ratio of the methacrylic acid ester is 60 mol with respect to all monomers used for polymerization. It is an object of the present invention to provide a method for producing a high molecular compound for a photoresist, which is characterized by being at least%.

また、本発明の目的は、モノマーAが下記式(1a)〜(1c)   Another object of the present invention is to provide a monomer A having the following formulas (1a) to (1c)

Figure 2006335777
(式中、環Zは置換基を有していてもよい炭素数6〜20の脂環式炭化水素環を示す。Rは水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を示す。R1〜R3は、同一又は異なって、炭素数1〜6のアルキル基を示す。R4は環Zに結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。但し、n個のR4のうち少なくとも1つは、−COORa基を示す。前記Raは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。nは1〜3の整数を示す)から選択された少なくとも1種のモノマーであることを特徴とする前記記載のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法を提供することにある。
Figure 2006335777
(In the formula, ring Z represents an alicyclic hydrocarbon ring having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent. R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 1 to R 3 is the same or different and represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 4 is a substituent bonded to the ring Z, and is the same or different and represents an oxo group, an alkyl group, or a protecting group. A hydroxyl group which may be protected, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, provided that at least one of n R 4 is And —COOR a group, wherein R a represents an optionally substituted tertiary hydrocarbon group, tetrahydrofuranyl group, tetrahydropyranyl group, or oxepanyl group, n is an integer of 1 to 3. At least one monomer selected from An object of the present invention is to provide a method for producing a polymer compound for photoresists as described above.

さらに本発明の目的は、モノマーBが下記式(2a)〜(2e)   Furthermore, the object of the present invention is that the monomer B is represented by the following formulas (2a) to (2e):

Figure 2006335777
(式中、Rは水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を示す。R5〜R7は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示し、V1〜V3は、同一又は異なって、−CH2−、−CO−又は−COO−を示す。但し、(i)V1〜V3のうち少なくとも1つは−CO−若しくは−COO−であるか、又は(ii)R5〜R7のうち少なくとも1つは、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基である。R8〜R12は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。R13〜R21は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。R22〜R30は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す)から選択された少なくとも1種のモノマーであることを特徴とする前記記載のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法を提供することにある。
Figure 2006335777
(In the formula, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 5 to R 7 are the same or different and are a hydrogen atom, an alkyl group, or a hydroxyl group optionally protected by a protecting group, A hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, V 1 to V 3 are the same or different and represent —CH 2 —, —CO— or —; COO— provided that (i) at least one of V 1 to V 3 is —CO— or —COO—, or (ii) at least one of R 5 to R 7 is a protecting group A hydroxyl group which may be protected with, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, R 8 to R 12 may be the same or different; Protected with hydrogen atom, alkyl group, protecting group A hydroxyl group that may be protected, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protecting group, and a carboxyl group that may be protected with a protecting group, R 13 to R 21 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, An alkyl group, a hydroxyl group that may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protecting group, or a carboxyl group that may be protected with a protecting group, R 22 to R 30 are the same. Or a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group that may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protecting group, or a carboxyl group that may be protected with a protecting group) It is an object of the present invention to provide a method for producing a polymer compound for photoresist as described above, which is at least one selected monomer.

また、本発明の目的は、遠心分離後の湿結晶を溶解する溶媒が、グリコールエーテル系またはエステル系溶媒から選択された1種の溶媒であることを特徴とする前記記載のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法を提供する。   Another object of the present invention is to provide a polymer for a photoresist as described above, wherein the solvent for dissolving the wet crystals after centrifugation is one solvent selected from glycol ether solvents or ester solvents. A method for producing a compound is provided.

さらに、本発明の目的は、貧溶媒(沈殿溶媒)が、炭化水素系溶媒と極性溶媒の混合物であることを特徴とする前記記載のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法を提供する。   Furthermore, an object of the present invention is to provide a method for producing a polymer compound for photoresists as described above, wherein the poor solvent (precipitation solvent) is a mixture of a hydrocarbon solvent and a polar solvent.

さらにまた、本発明の目的は、酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有するモノマーAと、極性基含有脂環式骨格を有するモノマーBとを少なくとも含むモノマーおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させ、重合溶液を貧溶媒に添加して、ポリマーを沈殿させ、沈殿を遠心分離機により遠心分離で、溶媒を除去後、湿結晶をグリコール系溶媒に溶解し、減圧蒸留にて濃縮してフォトレジスト樹脂溶液を製造する方法によるものであって、さらに前記の本発明の目的のいずれかに記載されたことを特徴として製造されたフォトレジスト用高分子化合物と光酸発生剤を少なくとも含むフォトレジスト用樹脂組成物を提供することにある。   Furthermore, the object of the present invention is to dissolve in a solvent a monomer and a polymerization initiator that contain at least a monomer A having a group that becomes alkali-soluble upon elimination by an acid and a monomer B having a polar group-containing alicyclic skeleton. Then, it is polymerized while dropping into a solvent heated to the polymerization temperature, the polymerization solution is added to a poor solvent, the polymer is precipitated, the precipitate is centrifuged by a centrifuge, the solvent is removed, and then the moisture is removed. This is a method for producing a photoresist resin solution by dissolving crystals in a glycol solvent and concentrating by distillation under reduced pressure, and further characterized in that it is described in any of the above objects of the present invention. Another object of the present invention is to provide a photoresist resin composition containing at least a polymer compound for photoresist and a photoacid generator.

また、本発明の目的は、前記記載のフォトレジスト用樹脂組成物を基板上に塗布し、波長193nmの光により露光することを特徴とする半導体の製造方法を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a method for producing a semiconductor, wherein the photoresist resin composition described above is applied onto a substrate and exposed to light having a wavelength of 193 nm.

本発明のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法によると、水分や低沸点の有機成分が充分に低いレベルである高分子化合物の溶液を簡易な製造方法により可能とならしめた。これにより、レジスト組成物(溶液状)の簡略な製造方法を提供可能とした。   According to the method for producing a photoresist polymer compound of the present invention, a solution of a polymer compound having a sufficiently low level of moisture and low-boiling organic components can be produced by a simple production method. This makes it possible to provide a simple method for producing a resist composition (in solution).

本発明は、ArFエキシマ・レーザーを露光光源に使用することで微細なレジストパターンを潜像することが可能である次世代の半導体の製造に使用される特殊な高分子化合物の製造にかかわるものである。その高分子化合物は、酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性となる基を有する繰返し単位(ユニット)、及び極性基含有脂環式骨格を有する繰返し単位(ユニット)を必須な成分としている。従って、その高分子化合物の製造にあたっては、少なくとも酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性となる基を有するモノマーA、及び極性基含有脂環式骨格を有するモノマーBを含んだモノマーの共重合が応用される。   The present invention relates to the production of a special polymer compound used in the production of next-generation semiconductors capable of latent images of fine resist patterns by using an ArF excimer laser as an exposure light source. is there. The polymer compound has as essential components a repeating unit (unit) having a group that is partly eliminated by acid and becomes alkali-soluble, and a repeating unit (unit) having a polar group-containing alicyclic skeleton. Therefore, in the production of the polymer compound, copolymerization of a monomer including at least a monomer A having a group that becomes alkali-soluble by elimination by an acid and a monomer B having a polar group-containing alicyclic skeleton. Is applied.

モノマーAとしては、重合することにより、その繰返し単位は露光によって光酸発生剤から発生する酸の作用により一部分が脱離してアルカリ現像液に対して可溶性を示すもの(酸脱離性基を有するモノマー)であれば特に限定されず、例えば、炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を有し、且つ酸の作用により脱離可能な基を有している(メタ)アクリル酸などが挙げられる。「炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を含有し且つ酸の作用により脱離可能な基を有している(メタ)アクリル酸エステル」には、炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を有すると共に、(メタ)アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子との結合部位に第3級炭素原子を有する(メタ)アクリル酸エステルが含まれる。前記脂環式炭化水素基は、(メタ)アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子と直接結合していてもよく、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。前記炭素数6〜20の脂環式炭化水素基は単環式炭化水素基であってもよく、多環式(橋かけ環式)炭化水素基であってもよい。このような(メタ)アクリル酸エステルの代表的な例として、前記式(1a)、(1b)で表されるモノマーが例示される。   The monomer A is polymerized so that its repeating unit is partly eliminated by the action of an acid generated from the photoacid generator upon exposure and is soluble in an alkali developer (having an acid-eliminable group). Monomer), for example, (meth) acrylic acid having an alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms and a group capable of leaving by the action of an acid. Can be mentioned. “A (meth) acrylic acid ester containing a alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms and having a group capable of leaving by the action of an acid” includes an alicyclic group having 6 to 20 carbon atoms. A (meth) acrylic acid ester having a hydrocarbon group and a tertiary carbon atom at the bonding site with an oxygen atom constituting the ester bond of the (meth) acrylic acid ester is included. The alicyclic hydrocarbon group may be directly bonded to an oxygen atom constituting the ester bond of (meth) acrylic acid ester, or may be bonded via a linking group such as an alkylene group. The alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms may be a monocyclic hydrocarbon group or a polycyclic (bridged cyclic) hydrocarbon group. As typical examples of such (meth) acrylic acid esters, monomers represented by the above formulas (1a) and (1b) are exemplified.

また、「炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を含有し且つ酸の作用により脱離可能な基を有している(メタ)アクリル酸エステル」には、炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を有すると共に、該脂環式炭化水素基に−COORa基(Raは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す)が直接又は連結基を介して結合している(メタ)アクリル酸エステルも含まれる。−COORa基のRaにおける第3級炭化水素基としては、例えば、t−ブチル、t−アミル、2−メチル−2−アダマンチル、(1−メチル−1−アダマンチル)エチル基などが挙げられる。この第3級炭化水素基が有していてもよい置換基として、例えば、ハロゲン原子、アルキル基(例えば、C1-4アルキル基など)、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、オキソ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基などが挙げられる。また、Raにおけるテトラヒドロフラニル基には2−テトラヒドロフラニル基が、テトラヒドロピラニル基には2−テトラヒドロピラニル基が、オキセパニル基には2−オキセパニル基が含まれる。前記連結基としては、アルキレン基(例えば、炭素数1〜6の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基等)などが挙げられる。前記脂環式炭化水素基は、(メタ)アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子と直接結合していてもよく、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。前記炭素数6〜20の脂環式炭化水素基は単環式炭化水素基であってもよく、多環式(橋かけ環式)炭化水素基であってもよい。このような(メタ)アクリル酸エステルの代表的な例として、前記式(1c)で表されるモノマーが例示される。 In addition, “(meth) acrylic acid ester having a group having 6 to 20 carbon atoms and having a group capable of leaving by the action of an acid” includes an aliphatic group having 6 to 20 carbon atoms. A cyclic hydrocarbon group and a -COOR a group (R a is an optionally substituted tertiary hydrocarbon group, tetrahydrofuranyl group, tetrahydropyranyl group, Or a (meth) acrylic acid ester to which an oxepanyl group is bonded directly or via a linking group. Examples of the tertiary hydrocarbon group in R a of the —COOR a group include t-butyl, t-amyl, 2-methyl-2-adamantyl, (1-methyl-1-adamantyl) ethyl group, and the like. . Examples of the substituent that the tertiary hydrocarbon group may have include, for example, a halogen atom, an alkyl group (eg, a C 1-4 alkyl group), a hydroxyl group optionally protected by a protecting group, oxo And a carboxyl group which may be protected with a protecting group. The tetrahydrofuranyl group in R a includes a 2-tetrahydrofuranyl group, the tetrahydropyranyl group includes a 2-tetrahydropyranyl group, and the oxepanyl group includes a 2-oxepanyl group. Examples of the linking group include an alkylene group (for example, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms). The alicyclic hydrocarbon group may be directly bonded to an oxygen atom constituting the ester bond of (meth) acrylic acid ester, or may be bonded via a linking group such as an alkylene group. The alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms may be a monocyclic hydrocarbon group or a polycyclic (bridged cyclic) hydrocarbon group. A typical example of such a (meth) acrylic acid ester is a monomer represented by the formula (1c).

また、酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性となるモノマーAとして、エステル結合を構成する酸素原子がラクトン環のβ位に結合し且つラクトン環のα位に少なくとも1つの水素原子を有する、ラクトン環を含む(メタ)アクリル酸エステルなどを用いることも可能である。前記モノマーAは1種のみであってもよく、2種以上の組み合わせであってもよい。   In addition, as a monomer A that is partly eliminated by acid and becomes alkali-soluble, the oxygen atom constituting the ester bond is bonded to the β-position of the lactone ring and has at least one hydrogen atom in the α-position of the lactone ring, It is also possible to use (meth) acrylic acid ester containing a lactone ring. The monomer A may be only one type or a combination of two or more types.

モノマーAとしては、前記式(1a)〜(1c)から選択された少なくとも1種のモノマーであるのが好ましい。式(1a)〜(1c)中、環Zにおける炭素数6〜20の脂環式炭化水素環は単環であっても、縮合環や橋かけ環等の多環であってもよい。代表的な脂環式炭化水素環として、例えば、シクロヘキサン環、シクロオクタン環、シクロデカン環、アダマンタン環、ノルボルナン環、ノルボルネン環、ボルナン環、イソボルナン環、パーヒドロインデン環、デカリン環、パーヒドロフルオレン環(トリシクロ[7.4.0.03,8]トリデカン環)、パーヒドロアントラセン環、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン環、トリシクロ[4.2.2.12,5]ウンデカン環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン環などが挙げられる。脂環式炭化水素環には、メチル基等のアルキル基(例えば、C1-4アルキル基など)、塩素原子等のハロゲン原子、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、オキソ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基などの置換基を有していてもよい。環Zは例えばアダマンタン環等の多環の脂環式炭化水素環(橋かけ環式炭化水素環)であるのが好ましい。 The monomer A is preferably at least one monomer selected from the formulas (1a) to (1c). In formulas (1a) to (1c), the alicyclic hydrocarbon ring having 6 to 20 carbon atoms in ring Z may be a single ring or a polycyclic ring such as a condensed ring or a bridged ring. Typical alicyclic hydrocarbon rings include, for example, cyclohexane ring, cyclooctane ring, cyclodecane ring, adamantane ring, norbornane ring, norbornene ring, bornane ring, isobornane ring, perhydroindene ring, decalin ring, perhydrofluorene ring. (Tricyclo [7.4.0.0 3,8 ] tridecane ring), perhydroanthracene ring, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring, tricyclo [4.2.2.1 2, 5 ] Undecane ring, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane ring and the like. The alicyclic hydrocarbon ring includes an alkyl group such as a methyl group (eg, a C 1-4 alkyl group), a halogen atom such as a chlorine atom, a hydroxyl group optionally protected by a protecting group, an oxo group, a protected group It may have a substituent such as a carboxyl group which may be protected with a group. The ring Z is preferably a polycyclic alicyclic hydrocarbon ring (bridged hydrocarbon ring) such as an adamantane ring.

式(1a)〜(1c)中のR、並びに式(1a)、(1b)中のR1〜R3における炭素数1〜6のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素1〜6のアルキル基が挙げられる。Rとしては、水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基が好ましく、特に水素原子又はメチル基が好ましい。式(1c)中、R4におけるアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素1〜20程度のアルキル基が挙げられる。R4における保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基としては、例えば、ヒドロキシル基、置換オキシ基(例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ基等のC1-4アルコキシ基など)などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基としては、前記保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基が炭素数1〜6のアルキレン基を介して結合している基などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいカルボキシル基としては、−COORb基などが挙げられる。前記Rbは水素原子又はアルキル基を示し、アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜6のアルキル基などが挙げられる。R4において、−COORa基のRaは前記と同様である。 Examples of R 1 to R 3 in formulas (1a) to (1c) and R 1 to R 3 in formulas (1a) and (1b) include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, Examples thereof include linear or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms such as butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl and hexyl groups. R is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group. In the formula (1c), examples of the alkyl group for R 4 include linear or methyl groups such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, hexyl, octyl, decyl, and dodecyl groups. Examples include branched chain alkyl groups having about 1 to 20 carbon atoms. Examples of the hydroxyl group that may be protected with a protecting group for R 4 include a hydroxyl group and a substituted oxy group (for example, a C 1-4 alkoxy group such as a methoxy, ethoxy, propoxy group, etc.). Examples of the hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group include a group in which a hydroxyl group which may be protected with the protecting group is bonded via an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of the carboxyl group that may be protected with a protecting group include a —COOR b group. R b represents a hydrogen atom or an alkyl group, and examples of the alkyl group include linear or branched carbon such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, and hexyl groups. Examples thereof include alkyl groups of 1 to 6. In R 4, R a of -COOR a group is the same as above.

前記極性基を有する脂環式骨格を含むモノマーBには、(1)ラクトン環を含有する炭素数6〜20の脂環式炭化水素基[ラクトン環と単環又は多環(橋かけ環)の脂環式炭素環とが縮合した構造を有する基等]がエステル結合を構成する酸素原子に結合している(メタ)アクリル酸エステルB1が含まれる。このようなモノマーB1の代表的な例として、前記式(2a)のうちV1〜V3の少なくとも1つが−COO−であるモノマー、及び(2b)、(2c)、(2d)、(2e)で表されるモノマーが例示される。 The monomer B containing an alicyclic skeleton having a polar group includes (1) an alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms containing a lactone ring [lactone ring and monocyclic or polycyclic (bridged ring) (Meth) acrylic acid ester B1 in which a group having a structure condensed with an alicyclic carbocycle of the like] is bonded to an oxygen atom constituting an ester bond. As a representative example of such a monomer B1, a monomer in which at least one of V 1 to V 3 in the formula (2a) is —COO—, and (2b), (2c), (2d), (2e) The monomer represented by this is illustrated.

また、極性基を有する脂環式骨格を含むモノマーBには、(2)ヒドロキシル基、カルボキシル基、オキソ基などの極性基を有する炭素数6〜20の脂環式炭化水素基(特に、橋かけ環式炭化水素基)がエステル結合を構成する酸素原子に結合している(メタ)アクリル酸エステルB2も含まれる。このようなモノマーB2の代表的な例として、前記式(2a)のうちV1〜V3の少なくとも1つが−CO−であるか、又はR5〜R7のうち少なくとも1つが、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基である単位が例示される。 In addition, the monomer B including an alicyclic skeleton having a polar group includes (2) an alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms having a polar group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, and an oxo group (in particular, a bridge). (Meth) acrylic acid ester B2 in which the (cyclic hydrocarbon group) is bonded to the oxygen atom constituting the ester bond is also included. As a representative example of such a monomer B2, at least one of V 1 to V 3 in the formula (2a) is —CO—, or at least one of R 5 to R 7 is a protecting group. Examples are a unit which is a hydroxyl group which may be protected, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group.

モノマーBは、極性基によりシリコンウエハーなどの基板に対する密着性を付与すると共に、脂環式骨格によりドライエッチング耐性を付与する。モノマーBは1種のみであってもよく、2種以上の組み合わせであってもよい。モノマーBとしては、前記式(2a)〜(2e)から選択された少なくとも1種のモノマーであるのが好ましい。また、モノマーBとしてモノマーB1とモノマーB2とを組み合わせると、基板密着性、ドライエッチング耐性、レジスト溶媒に対する溶解性等の特性をバランスよく具備するだけでなく、重合時における均質反応性にも優れる(分子量や分子構造において均一性の高いポリマーが生成する)という大きな利点が得られる。   The monomer B imparts adhesion to a substrate such as a silicon wafer by a polar group and imparts dry etching resistance by an alicyclic skeleton. The monomer B may be only one type or a combination of two or more types. The monomer B is preferably at least one monomer selected from the formulas (2a) to (2e). In addition, when monomer B1 and monomer B2 are combined as monomer B, they not only have well-balanced properties such as substrate adhesion, dry etching resistance, and solubility in a resist solvent, but also have excellent homogeneous reactivity during polymerization ( A great advantage is that a polymer with high uniformity in molecular weight and molecular structure is produced.

式(2a)〜(2e)中のRは前記(1a)〜(1c)中のRと同様である。式(2a)〜(2e)中、R5〜R30におけるアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜13のアルキル基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数1〜4のアルキル基が好ましい。保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基としては、例えば、ヒドロキシル基、置換オキシ基(例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ基等のC1-4アルコキシ基など)などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基としては、前記保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基が炭素数1〜6のアルキレン基を介して結合している基などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいカルボキシル基としては、−COORb基などが挙げられる。Rbは前記と同様である。 R in the formulas (2a) to (2e) is the same as R in the above (1a) to (1c). In formulas (2a) to (2e), examples of the alkyl group represented by R 5 to R 30 include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, hexyl, octyl, decyl, dodecyl group, and the like. And a linear or branched alkyl group having 1 to 13 carbon atoms. Among these, a C1-C4 alkyl group is preferable. Examples of the hydroxyl group that may be protected with a protecting group include a hydroxyl group and a substituted oxy group (for example, a C 1-4 alkoxy group such as a methoxy, ethoxy, and propoxy group). Examples of the hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group include a group in which a hydroxyl group which may be protected with the protecting group is bonded via an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of the carboxyl group that may be protected with a protecting group include a —COOR b group. R b is the same as described above.

本発明のフォトレジスト用高分子化合物は、アルカリ可溶性(酸脱離性)、基板密着性、ドライエッチング耐性、レジスト溶媒への溶解性などの特性を損なわない範囲で、モノマーA及びB以外のモノマーを含んでいてもよい。このようなモノマーとしては、モノマーA及びモノマーBと共重合可能なモノマーであって、且つレジスト特性を損なわないようなものであれば特に限定されない。例えば、(メタ)アクリル酸又はその誘導体、マレイン酸又はその誘導体、フマル酸又はその誘導体、環状オレフィン類などが挙げられる。前記(メタ)アクリル酸又はその誘導体としては、例えば、α−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−γ,γ−ジメチル−γ−ブチロラクトン等の、ラクトン環(γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環など)を有する(メタ)アクリル酸エステルなどが挙げられる。このラクトン環を有する(メタ)アクリル酸エステルは、ポリマーに基板密着性を付与しうる。   The polymer compound for photoresist of the present invention is a monomer other than the monomers A and B within a range not impairing properties such as alkali solubility (acid detachability), substrate adhesion, dry etching resistance, and solubility in a resist solvent. May be included. Such a monomer is not particularly limited as long as it is a monomer copolymerizable with monomer A and monomer B and does not impair resist characteristics. Examples thereof include (meth) acrylic acid or a derivative thereof, maleic acid or a derivative thereof, fumaric acid or a derivative thereof, and cyclic olefins. Examples of the (meth) acrylic acid or derivatives thereof include α- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-α-methyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy- and (meth) acrylic acid esters having a lactone ring (γ-butyrolactone ring, δ-valerolactone ring, etc.) such as γ, γ-dimethyl-γ-butyrolactone. The (meth) acrylic acid ester having this lactone ring can impart substrate adhesion to the polymer.

本発明のフォトレジスト用高分子化合物における前記モノマーAに対応する繰返し単位の含有量は、例えば5〜90モル%、好ましくは10〜80モル%、さらに好ましくは20〜70モル%である。モノマーAに対応する繰り返し単位の含有量が5モル%未満の場合には、アルカリ現像に際し、レジスト膜の溶解性が不十分となり、解像度が低下し、微細なパターンを精度よく形成することが困難となる。また、モノマーAに対応する繰り返し単位の含有量が90モル%を超える場合には、基板密着性やドライエッチング耐性が低下し、現像によりパターンが剥がれて残らないという問題が起こりやすい。   The content of the repeating unit corresponding to the monomer A in the photoresist polymer compound of the present invention is, for example, 5 to 90 mol%, preferably 10 to 80 mol%, more preferably 20 to 70 mol%. When the content of the repeating unit corresponding to the monomer A is less than 5 mol%, the solubility of the resist film becomes insufficient during alkali development, the resolution is lowered, and it is difficult to form a fine pattern with high accuracy. It becomes. Moreover, when content of the repeating unit corresponding to the monomer A exceeds 90 mol%, board | substrate adhesiveness and dry-etching tolerance will fall, and the problem that a pattern will not peel off by image development will occur easily.

本発明のフォトレジスト用高分子化合物における前記モノマーBに対応する繰返し単位の含有量は、例えば10〜95モル%、好ましくは20〜90モル%、さらに好ましくは30〜80モル%である。モノマーBに対応する繰り返し単位の含有量が10モル%未満の場合には基板密着性やドライエッチング耐性が低下しやすくなり、95モル%を超えるとアルカリ可溶性単位の導入量が少なくなることから、アルカリ現像に際し、レジスト膜の溶解性が不十分になりやすい。モノマーBとしてモノマーB1とモノマーB2とを組み合わせる場合、それぞれのモノマー(モノマーB1/モノマーB2)に対応する繰り返し単位の割合は特に限定されないが、一般には前者/後者(モル比)=5/95〜95/5、好ましくは10/90〜90/10、さらに好ましくは30/70〜70/30程度である。   The content of the repeating unit corresponding to the monomer B in the photoresist polymer compound of the present invention is, for example, 10 to 95 mol%, preferably 20 to 90 mol%, and more preferably 30 to 80 mol%. When the content of the repeating unit corresponding to the monomer B is less than 10 mol%, the substrate adhesion and dry etching resistance are liable to decrease, and when it exceeds 95 mol%, the amount of alkali-soluble units introduced is reduced. In alkali development, the solubility of the resist film tends to be insufficient. When combining monomer B1 and monomer B2 as monomer B, the ratio of the repeating unit corresponding to each monomer (monomer B1 / monomer B2) is not particularly limited, but generally the former / the latter (molar ratio) = 5 / 95- It is 95/5, preferably 10/90 to 90/10, more preferably about 30/70 to 70/30.

本発明のフォトレジスト用高分子化合物の特徴として、重量平均分子量(Mw)が3000〜15000の範囲である。重量平均分子量が3000未満ではレジスト膜を形成する際に所望の塗膜強度が得られない。重量平均分子量が15000を超えるとフォトレジスト用樹脂組成物を調製する際に溶液粘度が高くなり、作業性が低下すると共に、均質で良好な塗膜が得られない。重量平均分子量は、好ましくは4000〜14000であり、さらに好ましくは5000〜13000程度である。本発明のフォトレジスト用高分子化合物の分子量分布(Mw/Mn)は、例えば1.1〜3.5、好ましくは1.5〜3.0程度である。なお、前記Mnは数平均分子量を示し、Mn、Mwともにポリスチレン換算の値である。   As a feature of the polymer compound for photoresist of the present invention, the weight average molecular weight (Mw) is in the range of 3000 to 15000. If the weight average molecular weight is less than 3000, a desired coating strength cannot be obtained when a resist film is formed. When the weight average molecular weight exceeds 15,000, the solution viscosity becomes high when preparing a resin composition for photoresist, workability is lowered, and a uniform and good coating film cannot be obtained. A weight average molecular weight becomes like this. Preferably it is 4000-14000, More preferably, it is about 5000-13000. The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the photoresist polymer compound of the present invention is, for example, about 1.1 to 3.5, preferably about 1.5 to 3.0. In addition, said Mn shows a number average molecular weight, and both Mn and Mw are values of polystyrene conversion.

本発明の高分子化合物の製造に使用されるモノマーは酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有するモノマーAは前記式(1a)〜(1c)で表される。また、極性基含有脂環式骨格を有するモノマーBは前記式(2a)〜(2e)により表される。   The monomer A used in the production of the polymer compound of the present invention has a group that is eliminated by an acid and becomes alkali-soluble, and is represented by the above formulas (1a) to (1c). The monomer B having a polar group-containing alicyclic skeleton is represented by the above formulas (2a) to (2e).

[式(1a)で表されるモノマー]
式(1a)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[1-1]2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH3、Z=アダマンタン環)
[1-2]1−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH3、Z=1位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-3]5−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH3、Z=5位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-4]1,3−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH3、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-5]1,5−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH3、Z=1位と5位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-6]1,3−ジヒドロキシ−6−(メタ)アクリロイルオキシ−6−メチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH3、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-7]2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH2CH3、Z=アダマンタン環)
[1-8]1−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH2CH3、Z=1位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-9]5−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH2CH3、Z=5位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-10]1,3−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH2CH3、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-11]1,5−ジヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH2CH3、Z=1位と5位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-12]1,3−ジヒドロキシ−6−(メタ)アクリロイルオキシ−6−エチルアダマンタン(R=H又はCH3、R1=CH2CH3、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
前記式(1a)で表される化合物は、例えば、対応する環式アルコールと(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
[Monomer represented by formula (1a)]
Although the following compound is mentioned as a typical example of a compound represented by Formula (1a), It is not limited to these.
[1-1] 2- (Meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 3 , Z = adamantane ring)
[1-2] 1-hydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 3 , adamantane ring having a hydroxyl group at the 1-position)
[1-3] 5-hydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 3 , Z = 5 adamantane ring having a hydroxyl group at the 5-position)
[1-4] 1,3-Dihydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 3 , Z = 1- and adamantane having hydroxyl groups at the 3-position ring)
[1-5] 1,5-dihydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-methyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 3 , Z = 1- and adamantane having hydroxyl groups at the 5-position ring)
[1-6] 1,3-dihydroxy-6- (meth) acryloyloxy-6-methyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 3 , Z = 1 adamantane having hydroxyl groups at the 1-position and 3-position ring)
[1-7] 2- (Meth) acryloyloxy-2-ethyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 2 CH 3 , Z = adamantane ring)
[1-8] 1-hydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-ethyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 2 CH 3 , Z = 1 adamantane ring having a hydroxyl group at the 1-position)
[1-9] 5-hydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-ethyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 2 CH 3 , Z = 5 adamantane ring having a hydroxyl group at the 5-position)
[1-10] 1,3-Dihydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-ethyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 2 CH 3 , Z = 1 and hydroxyl groups at the 3-position Has an adamantane ring)
[1-11] 1,5-Dihydroxy-2- (meth) acryloyloxy-2-ethyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 2 CH 3 , Z = 1 and hydroxyl groups at the 5-position Has an adamantane ring)
[1-12] 1,3-dihydroxy-6- (meth) acryloyloxy-6-ethyladamantane (R = H or CH 3 , R 1 = CH 2 CH 3 , Z = 1 and hydroxyl groups at the 1 and 3 positions Has an adamantane ring)
The compound represented by the formula (1a) is obtained by, for example, reacting a corresponding cyclic alcohol with (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof according to a conventional esterification method using an acid catalyst or a transesterification catalyst. Can be obtained.

式(1b)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[1-13]1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=R3=CH3、Z=アダマンタン環)
[1-14]1−ヒドロキシ−3−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=R3=CH3、Z=1位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-15]1−(1−エチル−1−(メタ)アクリロイルオキシプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=R3=CH2CH3、Z=アダマンタン環)
[1-16]1−ヒドロキシ−3−(1−エチル−1−(メタ)アクリロイルオキシプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=R3=CH2CH3、Z=1位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-17]1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH2CH3、Z=アダマンタン環)
[1-18]1−ヒドロキシ−3−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH2CH3、Z=1位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-19]1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1,2−ジメチルプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH(CH32、Z=アダマンタン環)
[1-20]1−ヒドロキシ−3−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1,2−ジメチルプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH(CH32、Z=1位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-21]1,3−ジヒドロキシ−5−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=R3=CH3、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-22]1−(1−エチル−1−(メタ)アクリロイルオキシプロピル)−3,5−ジヒドロキシアダマンタン(R=H又はCH3、R2=R3=CH2CH3、Z=3位と5位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-23]1,3−ジヒドロキシ−5−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH2CH3、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
[1-24]1,3−ジヒドロキシ−5−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1,2−ジメチルプロピル)アダマンタン(R=H又はCH3、R2=CH3、R3=CH(CH32、Z=1位と3位にヒドロキシル基を有するアダマンタン環)
前記式(1b)で表される化合物は、例えば、対応する1位に脂環式基を有するメタノール誘導体と(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
Typical examples of the compound represented by the formula (1b) include the following compounds, but are not limited thereto.
[1-13] 1- (1- (Meth) acryloyloxy-1-methylethyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = R 3 = CH 3 , Z = adamantane ring)
[1-14] 1-hydroxy-3- (1- (meth) acryloyloxy-1-methylethyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = R 3 = CH 3 , Z = 1-hydroxyl group at position 1 Adamantane ring)
[1-15] 1- (1-ethyl-1- (meth) acryloyloxy propyl) adamantane (R = H or CH 3, R 2 = R 3 = CH 2 CH 3, Z = adamantane ring)
[1-16] 1-hydroxy-3- (1-ethyl-1- (meth) acryloyloxypropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = R 3 = CH 2 CH 3 , Z = 1 position) Adamantane ring having a hydroxyl group)
[1-17] 1- (1- (Meth) acryloyloxy-1-methylpropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = CH 3 , R 3 = CH 2 CH 3 , Z = adamantane ring)
[1-18] 1-hydroxy-3- (1- (meth) acryloyloxy-1-methylpropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = CH 3 , R 3 = CH 2 CH 3 , Z = Adamantane ring having a hydroxyl group at the 1-position)
[1-19] 1- (1- (Meth) acryloyloxy-1,2-dimethylpropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = CH 3 , R 3 = CH (CH 3 ) 2 , Z = Adamantane ring)
[1-20] 1-hydroxy-3- (1- (meth) acryloyloxy-1,2-dimethylpropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = CH 3 , R 3 = CH (CH 3 ) 2 , Z = adamantane ring having a hydroxyl group at the 1-position)
[1-21] 1,3-dihydroxy-5- (1- (meth) acryloyloxy-1-methylethyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = R 3 = CH 3 , Z = 1 position) An adamantane ring having a hydroxyl group at the 3-position)
[1-22] 1- (1-Ethyl-1- (meth) acryloyloxypropyl) -3,5-dihydroxyadamantane (R = H or CH 3 , R 2 = R 3 = CH 2 CH 3 , Z = 3 Adamantane ring with hydroxyl groups at the 5 and 5 positions)
[1-23] 1,3-dihydroxy-5- (1- (meth) acryloyloxy-1-methylpropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = CH 3 , R 3 = CH 2 CH 3 , Z = adamantane ring having hydroxyl groups at the 1- and 3-positions)
[1-24] 1,3-dihydroxy-5- (1- (meth) acryloyloxy-1,2-dimethylpropyl) adamantane (R = H or CH 3 , R 2 = CH 3 , R 3 = CH (CH 3 ) 2 , Z = 1 adamantane ring having hydroxyl groups at the 1- and 3-positions)
The compound represented by the formula (1b) is, for example, a methanol derivative having an alicyclic group at the corresponding 1-position and (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof, using an acid catalyst or a transesterification catalyst. It can be obtained by reacting according to a conventional esterification method.

式(1c)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[1-25]1−t−ブトキシカルボニル−3−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(R=H又はCH3、R4=t−ブトキシカルボニル基、n=1、Z=アダマンタン環)
[1-26]1,3−ビス(t−ブトキシカルボニル)−5−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン[R=H又はCH3、R4=t−ブトキシカルボニル基、n=2、Z=アダマンタン環]
[1-27]1−t−ブトキシカルボニル−3−ヒドロキシ−5−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(R=H又はCH3、R4=OH,t−ブトキシカルボニル基、n=2、Z=アダマンタン環)
[1-28]1−(2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)−3−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(R=H又はCH3、R4=2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基、n=1、Z=アダマンタン環)
[1-29]1,3−ビス(2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)−5−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(R=H又はCH3、R4=2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基、n=2、Z=アダマンタン環)
[1-30]1−ヒドロキシ−3−(2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)−5−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン(R=H又はCH3、R4=OH,2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル基、n=2、Z=アダマンタン環)
上記式(1c)で表される化合物は、例えば、対応する環式アルコールと(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
Although the following compound is mentioned as a typical example of a compound represented by Formula (1c), It is not limited to these.
[1-25] 1-t-Butoxycarbonyl-3- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 4 = t-butoxycarbonyl group, n = 1, Z = adamantane ring)
[1-26] 1,3-bis (t-butoxycarbonyl) -5- (meth) acryloyloxyadamantane [R = H or CH 3 , R 4 = t-butoxycarbonyl group, n = 2, Z = adamantane ring ]
[1-27] 1-t-Butoxycarbonyl-3-hydroxy-5- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 4 = OH, t-butoxycarbonyl group, n = 2, Z = adamantane ring)
[1-28] 1- (2-Tetrahydropyranyloxycarbonyl) -3- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 4 = 2-tetrahydropyranyloxycarbonyl group, n = 1, Z = Adamantane ring)
[1-29] 1,3-bis (2-tetrahydropyranyloxycarbonyl) -5- (meth) acryloyloxyadamantane (R = H or CH 3 , R 4 = 2-tetrahydropyranyloxycarbonyl group, n = 2, Z = adamantane ring)
[1-30] 1-hydroxy-3- (2-tetrahydropyranyloxy carbonyl) -5- (meth) acryloyloxy adamantane (R = H or CH 3, R 4 = OH, 2- tetrahydropyranyloxy group , N = 2, Z = adamantane ring)
The compound represented by the above formula (1c) is obtained by, for example, reacting a corresponding cyclic alcohol with (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof according to a conventional esterification method using an acid catalyst or a transesterification catalyst. Can be obtained.

[式(2a)〜(2e)で表されるモノマー]
式(2a)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[2-1]1−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ[4.3.1.13,8]ウンデカン−5−オン(R=H又はCH3、R5=R6=R7=H、V2=−CO−O−(左側がR6の結合している炭素原子側)、V1=V3=−CH2−)
[2-2]1−(メタ)アクリロイルオキシ−4,7−ジオキサトリシクロ[4.4.1.13,9]ドデカン−5,8−ジオン(R=H又はCH3、R5=R6=R7=H、V1=−CO−O−(左側がR5の結合している炭素原子側)、V2=−CO−O−(左側がR6の結合している炭素原子側)、V3=−CH2−)
[2-3]1−(メタ)アクリロイルオキシ−4,8−ジオキサトリシクロ[4.4.1.13,9]ドデカン−5,7−ジオン(R=H又はCH3、R5=R6=R7=H、V1=−O−CO−(左側がR5の結合している炭素原子側)、V2=−CO−O−(左側がR6の結合している炭素原子側)、V3=−CH2−)
[2-4]1−(メタ)アクリロイルオキシ−5,7−ジオキサトリシクロ[4.4.1.13,9]ドデカン−4,8−ジオン(R=H又はCH3、R5=R6=R7=H、V1=−CO−O−(左側がR5の結合している炭素原子側)、V2=−O−CO−(左側がR6の結合している炭素原子側)、V3=−CH2−)
[2-5]1−(メタ)アクリロイルオキシ−3−ヒドロキシアダマンタン(R=H又はCH3、R5=OH、R6=R7=H、V1=V2=V3=−CH2−)
[2-6]1−(メタ)アクリロイルオキシ−3,5−ジヒドロキシアダマンタン(R=H又はCH3、R5=R6=OH、R7=H、V1=V2=V3=−CH2−)
[2-7]1−(メタ)アクリロイルオキシ−3,5,7−トリヒドロキシアダマンタン(R=H又はCH3、R5=R6=R7=OH、V1=V2=V3=−CH2−)
[2-8]1−(メタ)アクリロイルオキシ−3−ヒドロキシ−5,7−ジメチルアダマンタン(R=H又はCH3、R5=OH、R6=R7=CH3、V1=V2=V3=−CH2−)
[2-9]1−(メタ)アクリロイルオキシ−3−カルボキシアダマンタン(R=H又はCH3、R5=COOH、R6=R7=H、V1=V2=V3=−CH2−)
上記式(2a)で表される化合物は、対応する環式アルコール誘導体と(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
[Monomers Represented by Formulas (2a) to (2e)]
Although the following compound is mentioned as a typical example of a compound represented by Formula (2a), It is not limited to these.
[2-1] 1- (Meth) acryloyloxy-4-oxatricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecan-5-one (R = H or CH 3 , R 5 = R 6 = R 7 = H, V 2 = —CO—O— (the carbon atom side to which R 6 is bonded on the left side), V 1 = V 3 = —CH 2 —)
[2-2] 1- (Meth) acryloyloxy-4,7-dioxatricyclo [4.4.1.1 3,9 ] dodecane-5,8-dione (R = H or CH 3 , R 5 = R 6 = R 7 = H , V 1 = -CO-O- ( left bonded to the carbon atom side of the R 5), V 2 = -CO -O- ( on the left are attached to R 6 Carbon atom side), V 3 = -CH 2- )
[2-3] 1- (Meth) acryloyloxy-4,8-dioxatricyclo [4.4.1.1 3,9 ] dodecane-5,7-dione (R = H or CH 3 , R 5 = R 6 = R 7 = H , V 1 = -O-CO- ( left bonded to the carbon atom side of the R 5), V 2 = -CO -O- ( on the left are attached to R 6 Carbon atom side), V 3 = -CH 2- )
[2-4] 1- (Meth) acryloyloxy-5,7-dioxatricyclo [4.4.1.1 3,9 ] dodecane-4,8-dione (R = H or CH 3 , R 5 = R 6 = R 7 = H , V 1 = -CO-O- ( left bonded to the carbon atom side of the R 5), V 2 = -O -CO- ( left is bonded to R 6 Carbon atom side), V 3 = -CH 2- )
[2-5] 1- (meth) acryloyloxy-3-hydroxyadamantane (R = H or CH 3, R 5 = OH, R 6 = R 7 = H, V 1 = V 2 = V 3 = -CH 2 −)
[2-6] 1- (meth) acryloyloxy-3,5-dihydroxyadamantane (R = H or CH 3, R 5 = R 6 = OH, R 7 = H, V 1 = V 2 = V 3 = - CH 2 −)
[2-7] 1- (Meth) acryloyloxy-3,5,7-trihydroxyadamantane (R = H or CH 3 , R 5 = R 6 = R 7 = OH, V 1 = V 2 = V 3 = —CH 2 —)
[2-8] 1- (meth) acryloyloxy-3-hydroxy-5,7-dimethyl adamantane (R = H or CH 3, R 5 = OH, R 6 = R 7 = CH 3, V 1 = V 2 = V 3 = -CH 2- )
[2-9] 1- (meth) acryloyloxy-3-carboxyadamantane (R = H or CH 3 , R 5 = COOH, R 6 = R 7 = H, V 1 = V 2 = V 3 = -CH 2 −)
The compound represented by the above formula (2a) is obtained by reacting a corresponding cyclic alcohol derivative with (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof according to a conventional esterification method using an acid catalyst or a transesterification catalyst. Can be obtained.

式(2b)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[2-10]5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(=5−(メタ)アクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトン)(R=H又はCH3、R8=R9=R10=R11=R12=H)
[2-11]5−(メタ)アクリロイルオキシ−5−メチル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R8=CH3、R9=R10=R11=R12=H)
[2-12]5−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R9=CH3、R8=R10=R11=R12=H)
[2-13]5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−メチル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R10=CH3、R8=R9=R11=R12=H)
[2-14]5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−カルボキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R8=R9=R11=R12=H、R10=COOH)
[2-15]5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−メトキシカルボニル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R8=R9=R11=R12=H、R10=メトキシカルボニル基)
[2-16]5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−エトキシカルボニル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R8=R9=R11=R12=H、R10=エトキシカルボニル基)
[2-17]5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−t−ブトキシカルボニル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン(R=H又はCH3、R8=R9=R11=R12=H、R10=t−ブトキシカルボニル基)
上記式(2b)で表される化合物は、対応する環式アルコール誘導体と(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って、反応させることにより得ることができる。なお、その際に原料として用いる環式アルコール誘導体は、例えば、対応する5−ノルボルネン−2−カルボン酸誘導体又はそのエステルを過酸(過酢酸、m−クロロ過安息香酸など)又は過酸化物(過酸化水素、過酸化水素+酸化タングステンやタングステン酸などの金属化合物)と反応(エポキシ化及び環化反応)させることにより得ることができる。
Typical examples of the compound represented by the formula (2b) include the following compounds, but are not limited thereto.
[2-10] 5- (Meth) acryloyloxy-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (= 5- (meth) acryloyloxy-2,6-norbornane (Carbolactone) (R = H or CH 3 , R 8 = R 9 = R 10 = R 11 = R 12 = H)
[2-11] 5- (meth) acryloyloxy-5-methyl-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 8 = CH 3 , R 9 = R 10 = R 11 = R 12 = H)
[2-12] 5- (meth) acryloyloxy-1-methyl-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 9 = CH 3 , R 8 = R 10 = R 11 = R 12 = H)
[2-13] 5- (Meth) acryloyloxy-9-methyl-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 10 = CH 3 , R 8 = R 9 = R 11 = R 12 = H)
[2-14] 5- (Meth) acryloyloxy-9-carboxy-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 8 = R 9 = R 11 = R 12 = H, R 10 = COOH)
[2-15] 5- (Meth) acryloyloxy-9-methoxycarbonyl-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 8 = R 9 = R 11 = R 12 = H, R 10 = methoxy group)
[2-16] 5- (Meth) acryloyloxy-9-ethoxycarbonyl-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 8 = R 9 = R 11 = R 12 = H, R 10 = ethoxycarbonyl group)
[2-17] 5- (meth) acryloyloxy-9-t-butoxycarbonyl-3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonan-2-one (R = H or CH 3 , R 8 = R 9 = R 11 = R 12 = H, R 10 = t-butoxycarbonyl group)
The compound represented by the above formula (2b) reacts a corresponding cyclic alcohol derivative with (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof according to a conventional esterification method using an acid catalyst or a transesterification catalyst. Can be obtained. In addition, the cyclic alcohol derivative used as a raw material in that case is, for example, a corresponding 5-norbornene-2-carboxylic acid derivative or an ester thereof peracid (peracetic acid, m-chloroperbenzoic acid, etc.) or peroxide ( It can be obtained by reaction (epoxidation and cyclization reaction) with hydrogen peroxide, hydrogen peroxide + metal compound such as tungsten oxide or tungstic acid).

式(2c)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[2-18]8−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−5−オン(R=H又はCH3
[2-19]9−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−5−オン(R=H又はCH3
上記式(2c)で表される化合物は、対応する環式アルコール誘導体と(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
Typical examples of the compound represented by the formula (2c) include the following compounds, but are not limited thereto.
[2-18] 8- (Meth) acryloyloxy-4-oxatricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-5-one (R = H or CH 3 )
[2-19] 9- (Meth) acryloyloxy-4-oxatricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-5-one (R = H or CH 3 )
The compound represented by the above formula (2c) is obtained by reacting a corresponding cyclic alcohol derivative with (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof according to a conventional esterification method using an acid catalyst or a transesterification catalyst. Can be obtained.

式(2d)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[2-20]4−(メタ)アクリロイルオキシ−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−7−オン(R=H又はCH3、R13=R14=R15=R16=R17=R18=R19=R20=R21=H)
[2-21]4−(メタ)アクリロイルオキシ−4−メチル−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−7−オン(R=H又はCH3、R14=R15=R16=R17=R18=R19=R20=R21=H、R13=CH3
[2-22]4−(メタ)アクリロイルオキシ−5−メチル−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−7−オン(R=H又はCH3、R13=R15=R16=R17=R18=R19=R20=R21=H、R14=CH3
[2-23]4−(メタ)アクリロイルオキシ−4,5−ジメチル−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−7−オン(R=H又はCH3、R15=R16=R17=R18=R19=R20=R21=H、R13=R14=CH3
式(2e)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[2-24]6−(メタ)アクリロイルオキシ−2−オキサビシクロ[2.2.2]オクタン−3−オン(R=H又はCH3、R22=R23=R24=R25=R26=R27=R28=R29=R30=H)
[2-25]6−(メタ)アクリロイルオキシ−6−メチル−2−オキサビシクロ[2.2.2]オクタン−3−オン(R=H又はCH3、R22=R24=R25=R26=R27=R28=R29=R30=H、R23=CH3
[2-26]6−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチル−2−オキサビシクロ[2.2.2]オクタン−3−オン(R=H又はCH3、R23=R24=R25=R26=R27=R28=R29=R30=H、R22=CH3
[2-27]6−(メタ)アクリロイルオキシ−1,6−ジメチル−2−オキサビシクロ[2.2.2]オクタン−3−オン(R=H又はCH3、R24=R25=R26=R27=R28=R29=R30=H、R22=R23=CH3
上記式(2d)及び(2e)で表される化合物は、対応する環式アルコール誘導体と(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体とを、酸触媒やエステル交換触媒を用いた慣用のエステル化法に従って反応させることにより得ることができる。
Typical examples of the compound represented by the formula (2d) include the following compounds, but are not limited thereto.
[2-20] 4- (Meth) acryloyloxy-6-oxabicyclo [3.2.1] octane-7-one (R = H or CH 3 , R 13 = R 14 = R 15 = R 16 = R 17 = R 18 = R 19 = R 20 = R 21 = H)
[2-21] 4- (Meth) acryloyloxy-4-methyl-6-oxabicyclo [3.2.1] octane-7-one (R = H or CH 3 , R 14 = R 15 = R 16 = R 17 = R 18 = R 19 = R 20 = R 21 = H, R 13 = CH 3 )
[2-22] 4- (meth) acryloyloxy-5-methyl-6-oxabicyclo [3.2.1] octan-7-one (R = H or CH 3, R 13 = R 15 = R 16 = R 17 = R 18 = R 19 = R 20 = R 21 = H, R 14 = CH 3 )
[2-23] 4- (Meth) acryloyloxy-4,5-dimethyl-6-oxabicyclo [3.2.1] octane-7-one (R = H or CH 3 , R 15 = R 16 = R 17 = R 18 = R 19 = R 20 = R 21 = H, R 13 = R 14 = CH 3)
Typical examples of the compound represented by the formula (2e) include the following compounds, but are not limited thereto.
[2-24] 6- (Meth) acryloyloxy-2-oxabicyclo [2.2.2] octane-3-one (R = H or CH 3 , R 22 = R 23 = R 24 = R 25 = R 26 = R 27 = R 28 = R 29 = R 30 = H)
[2-25] 6- (Meth) acryloyloxy-6-methyl-2-oxabicyclo [2.2.2] octane-3-one (R = H or CH 3 , R 22 = R 24 = R 25 = R 26 = R 27 = R 28 = R 29 = R 30 = H, R 23 = CH 3 )
[2-26] 6- (Meth) acryloyloxy-1-methyl-2-oxabicyclo [2.2.2] octane-3-one (R = H or CH 3 , R 23 = R 24 = R 25 = R 26 = R 27 = R 28 = R 29 = R 30 = H, R 22 = CH 3 )
[2-27] 6- (Meth) acryloyloxy-1,6-dimethyl-2-oxabicyclo [2.2.2] octane-3-one (R = H or CH 3 , R 24 = R 25 = R 26 = R 27 = R 28 = R 29 = R 30 = H, R 22 = R 23 = CH 3)
The compounds represented by the above formulas (2d) and (2e) are prepared by a conventional esterification method using a corresponding cyclic alcohol derivative and (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof using an acid catalyst or a transesterification catalyst. It can obtain by making it react according to.

本明細書では、メタクリル酸エステル、及びアクリル酸エステルを総称して(メタ)アクリル酸エステルまたは(メタ)アクリロイル基とすることが有り、また、総称した樹脂としてアクリル系樹脂と呼ぶ場合がある。メタクリル酸エステルとは前記式(1a)〜(1c)、(2a)〜(2e)においてRがメチル基である化合物であり、アクリル酸エステルとは同様にRが水素原子である化合物を示す。   In this specification, a methacrylic acid ester and an acrylic acid ester may be collectively referred to as a (meth) acrylic acid ester or a (meth) acryloyl group, and the generic resin may be referred to as an acrylic resin. The methacrylic acid ester is a compound in which R is a methyl group in the formulas (1a) to (1c) and (2a) to (2e), and the acrylate ester is a compound in which R is a hydrogen atom.

本発明において、重要な要素である重合に使用される全モノマーに対するメタクリル酸エステルのモル比は通常60モル%以上であり、好ましくは80モル%以上であり、さらに好ましくは90モル%以上である。また、メタクリル酸のモル比が99%以上であると、更に好ましい結晶性を示す。メタクリル酸エステルのモル比が60モル%より小さいと、沈殿した結晶が凝結し易く、タンクや機器などに付着して操作困難となる。   In the present invention, the molar ratio of methacrylic acid ester to all monomers used for polymerization, which is an important element, is usually 60 mol% or more, preferably 80 mol% or more, more preferably 90 mol% or more. . Moreover, more preferable crystallinity is shown as the molar ratio of methacrylic acid is 99% or more. If the molar ratio of the methacrylic acid ester is less than 60 mol%, the precipitated crystals are likely to condense and adhere to a tank or equipment, making operation difficult.

メタクリル酸エステル以外のモノマーはアクリル酸エステルが主体であるが、アクリル系以外のモノマーを使用することも可能である。アクリル系以外のモノマーとしては、置換基を有してもよい脂環式骨格を有するビニルエーテルモノマー、置換基を有してもよい脂環式骨格を有するビニルモノマー等が挙げられる。該ビニルエーテルモノマーとして、シクロヘキシルビニルエーテル、アダマンチルビニルエーテル等が例示される。また、該ビニルモノマーとして、ビニルシクロヘキサン、1−ビニルアダマンタン等が例示される。該置換基として、メチル基などのアルキル基、塩素やフッ素原子等のハロゲン原子、保護基を有していてもよいヒドロキシル基、保護基を有していてもよいカルボニル基、保護基を有していてもよいカルボキシル基、保護基を有していてもよいヒドロキシメチル基、保護基を有していてもよいアミノ基、保護基を有していてもよいアミド基等が挙げられる。該置換基としては、有機合成の分野で知られたものが挙げられる。   Monomers other than methacrylic acid esters are mainly acrylic acid esters, but monomers other than acrylic monomers can also be used. Examples of the non-acrylic monomer include a vinyl ether monomer having an alicyclic skeleton that may have a substituent, a vinyl monomer having an alicyclic skeleton that may have a substituent, and the like. Examples of the vinyl ether monomer include cyclohexyl vinyl ether and adamantyl vinyl ether. Examples of the vinyl monomer include vinylcyclohexane and 1-vinyladamantane. Examples of the substituent include an alkyl group such as a methyl group, a halogen atom such as chlorine and a fluorine atom, a hydroxyl group that may have a protecting group, a carbonyl group that may have a protecting group, and a protecting group. Examples thereof include a carboxyl group which may have, a hydroxymethyl group which may have a protecting group, an amino group which may have a protecting group, an amide group which may have a protecting group, and the like. Examples of the substituent include those known in the field of organic synthesis.

重合により得られたポリマーは沈殿又は再沈殿により単離できる。例えば、重合溶液(ポリマードープ)を貧溶媒(沈殿溶媒)中に添加してポリマーを沈殿させるか、又は該ポリマーを再度適当な溶媒に溶解させ、この溶液を貧溶媒(再沈殿溶媒)中に添加して再沈殿させることにより目的のポリマーを得ることができる。沈殿又は再沈殿溶媒は有機溶媒及び水の何れであってもよく、また混合溶媒であってもよい。沈殿又は再沈殿溶媒として用いる有機溶媒として、例えば、炭化水素(ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素;シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素)、ハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化脂肪族炭化水素;クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素など)、ニトロ化合物(ニトロメタン、ニトロエタンなど)、ニトリル(アセトニトリル、ベンゾニトリルなど)、エーテル(ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタンなどの鎖状エーテル;テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル)、ケトン(アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトンなど)、エステル(酢酸エチル、酢酸ブチルなど)、カーボネート(ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、アルコール(メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなど)、カルボン酸(酢酸など)、これらの溶媒を含む混合溶媒等が挙げられる。   The polymer obtained by polymerization can be isolated by precipitation or reprecipitation. For example, the polymer solution (polymer dope) is added in a poor solvent (precipitation solvent) to precipitate the polymer, or the polymer is dissolved again in a suitable solvent, and this solution is dissolved in the poor solvent (reprecipitation solvent). The target polymer can be obtained by addition and reprecipitation. The precipitation or reprecipitation solvent may be either an organic solvent or water, or a mixed solvent. Examples of the organic solvent used as the precipitation or reprecipitation solvent include hydrocarbons (aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, and octane; alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane and methylcyclohexane; aromatics such as benzene, toluene, and xylene. Aromatic hydrocarbons), halogenated hydrocarbons (halogenated aliphatic hydrocarbons such as methylene chloride, chloroform and carbon tetrachloride; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene and dichlorobenzene), nitro compounds (nitromethane, nitroethane, etc.) , Nitrile (acetonitrile, benzonitrile, etc.), ether (chain ether such as diethyl ether, diisopropyl ether, dimethoxyethane; cyclic ether such as tetrahydrofuran, dioxane), ketone (acetone, methyl ethyl ketone) Diisobutyl ketone, etc.), ester (ethyl acetate, butyl acetate, etc.), carbonate (dimethyl carbonate, diethyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, etc.), alcohol (methanol, ethanol, propanol, isopropyl alcohol, butanol, etc.), carboxylic acid (acetic acid, etc.) Etc.), and mixed solvents containing these solvents.

中でも、前記沈殿又は再沈殿溶媒として用いる有機溶媒として、炭化水素(特に、ヘキサンやヘプタンなどの脂肪族炭化水素)と極性溶媒を含む混合溶媒が好ましい。極性溶媒とは前記した沈殿又は再沈殿溶媒として列記したもののうち、炭化水素以外の溶媒を示す。このような混合溶媒において、炭化水素(例えば、ヘキサンやヘプタンなどの脂肪族炭化水素)と極性溶媒(例えば、酢酸エチルなどのエステル類等)との比率は、例えば前者/後者(体積比;25℃)=50/50〜99/1、好ましくは前者/後者(体積比;25℃)=55/45〜98/2、さらに好ましくは前者/後者(体積比;25℃)=60/40〜97/3、特に好ましくは前者/後者(体積比;25℃)=65/35〜95/5程度である。極性溶媒が50(体積比)以上になると、遠心分離後ブロックになり易かったり、遠心による脱液性も悪くなる。また、1より小さくなると重合に使用したモノマーの除去が不十分になり易い。   Among these, as the organic solvent used as the precipitation or reprecipitation solvent, a mixed solvent containing a hydrocarbon (particularly, an aliphatic hydrocarbon such as hexane or heptane) and a polar solvent is preferable. The polar solvent means a solvent other than hydrocarbon among those listed as the precipitation or reprecipitation solvent. In such a mixed solvent, the ratio of the hydrocarbon (for example, an aliphatic hydrocarbon such as hexane and heptane) and the polar solvent (for example, an ester such as ethyl acetate) is, for example, the former / the latter (volume ratio; 25 ° C) = 50/50 to 99/1, preferably the former / the latter (volume ratio; 25 ° C.) = 55/45 to 98/2, more preferably the former / the latter (volume ratio; 25 ° C.) = 60/40 to 97/3, particularly preferably the former / the latter (volume ratio; 25 ° C.) = 65/35 to 95/5. When the polar solvent is 50 (volume ratio) or more, it becomes easy to form a block after centrifugation, or the liquid removal property by centrifugation also deteriorates. On the other hand, if it is smaller than 1, removal of the monomer used for the polymerization tends to be insufficient.

本明細書において、沈殿及び再沈殿を総称して、沈殿と呼ぶことがある。同様に沈殿溶媒又は再沈殿溶媒を沈殿溶媒として総称することもあり、貧溶媒は沈殿又は再沈殿に使用され、その区別は特にない。   In the present specification, precipitation and reprecipitation are sometimes collectively referred to as precipitation. Similarly, the precipitation solvent or reprecipitation solvent may be collectively referred to as the precipitation solvent, and the poor solvent is used for precipitation or reprecipitation, and there is no particular distinction between them.

本発明に使用される遠心分離機としては、遠心力で固液分離する機構を備えたものであれば使用することは可能である。回分式及び連続式の遠心分離機があるが、どちらも使用することは可能である。回分式の方が、脱液効果をあげるには好ましい。
重合後に、重合溶液中の金属分を除去するために水洗をすることも好ましい。重合液の比重は1に近いことが多いので、重合液に比重の軽い溶媒を添加して水洗することも好ましい。前記した重合溶媒で比重の低いものが好ましい。
As the centrifuge used in the present invention, any centrifuge having a mechanism for solid-liquid separation by centrifugal force can be used. There are batch and continuous centrifuges, but both can be used. The batch method is preferable for increasing the dehydrating effect.
It is also preferable to wash with water in order to remove the metal content in the polymerization solution after the polymerization. Since the specific gravity of the polymerization solution is often close to 1, it is also preferable to add a solvent having a low specific gravity to the polymerization solution and wash with water. Of the above-described polymerization solvents, those having a low specific gravity are preferred.

遠心分離に処理されるスラリー液のスラリー濃度は通常0.3〜10重量%であり、好ましくは0.5〜5重量%、特に好ましくは0.7〜4重量%程度である。スラリー濃度は、遠心分離した後の湿結晶(固形分約35重量%)の重量をスラリー溶液全量で除した数値である。スラリー濃度が0.3重量%より小さいと、遠心分離機内での濾過ケーキの作成(プレコート)に手間取りロスの原因となる。また、スラリー濃度が10重量%より大きくなると、遠心分離機における、バスケット内の濾過ケーキの均一性が悪くなり、振動の原因や、脱液性の低下につながる。   The slurry concentration of the slurry liquid to be centrifuged is usually 0.3 to 10% by weight, preferably 0.5 to 5% by weight, particularly preferably about 0.7 to 4% by weight. The slurry concentration is a value obtained by dividing the weight of the wet crystal (solid content: about 35% by weight) after centrifugation by the total amount of the slurry solution. If the slurry concentration is less than 0.3% by weight, it will cause trouble in the preparation of filter cake (pre-coating) in the centrifuge. On the other hand, when the slurry concentration is higher than 10% by weight, the uniformity of the filter cake in the basket in the centrifuge is deteriorated, leading to the cause of vibration and the decrease in liquid removal.

遠心分離機としては、回分式遠心分離機、連続式遠心分離機の両者が使用可能であるが、含液率を低減することから、回分式遠心分離機が好ましい。回分式遠心分離機は、回転するバスケットにスラリーを給液し、プレコートしながら濾液を循環させて、ケーキがある程度形成できたら、濾液は廃液に切り替えて濾過を終了させる。また、濾過終了後に含液率を下げるために、バスケットの回転数、つまり遠心力を上げて、含浸される液を振り切るいわゆる脱液工程からなる。脱液工程は通常300G〜700G(G:遠心力)で行なわれ、300Gでは含液率高く、その後の貧溶剤(湿結晶に含浸される液体の主成分)を低減する工程に負荷がかかり好ましくない。700Gを超えると、ケーキが固着して、再溶解することが困難となる。   As the centrifuge, both a batch centrifuge and a continuous centrifuge can be used, but a batch centrifuge is preferable because the liquid content is reduced. The batch centrifuge feeds the slurry to a rotating basket and circulates the filtrate while pre-coating. When a cake is formed to some extent, the filtrate is switched to waste liquid and the filtration is terminated. Further, in order to lower the liquid content after the filtration is completed, this is a so-called liquid removal step in which the rotation speed of the basket, that is, the centrifugal force is increased to shake off the liquid to be impregnated. The liquid removal step is usually performed at 300G to 700G (G: centrifugal force), and the liquid content is high at 300G, and the subsequent step of reducing the poor solvent (the main component of the liquid impregnated in the wet crystal) is burdensome and preferable. Absent. If it exceeds 700G, the cake will stick and it will be difficult to redissolve.

沈殿又は再沈殿で得られたポリマーは、必要に応じて、リパルプ処理やリンス処理に付される。リパルプ処理後にリンス処理を施してもよい。重合により生成したポリマーを溶媒でリパルプしたり、リンスすることにより、ポリマーに付着している残存モノマーや低分子量オリゴマーなどを効率よく除くことができる。また、ポリマーに対して親和性を有する高沸点溶媒が除去されるためか、後に乾燥工程を採用した場合など、ポリマー粒子表面が硬くなったり、ポリマー粒子同士の融着等を防止できる。そのため、ポリマーのレジスト溶媒に対する溶解性が著しく向上し、フォトレジスト用樹脂組成物の調製を簡易に効率よく行うことが可能となる。   The polymer obtained by precipitation or reprecipitation is subjected to repulping or rinsing as necessary. A rinse treatment may be applied after the repulping treatment. By repulping the polymer produced by polymerization with a solvent or rinsing, residual monomers and low molecular weight oligomers adhering to the polymer can be efficiently removed. In addition, because the high-boiling solvent having an affinity for the polymer is removed, or when a drying step is employed later, the surface of the polymer particles can be hardened, or fusion between the polymer particles can be prevented. Therefore, the solubility of the polymer in the resist solvent is remarkably improved, and the resin composition for photoresist can be easily and efficiently prepared.

リパルプ処理に用いる溶媒(リパルプ用溶媒)やリンス処理に用いる溶媒(リンス用溶媒)としては、沈殿又は再沈殿に用いるポリマーの貧溶媒が好ましい。なかでも炭化水素溶媒が特に好ましい。炭化水素溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素が挙げられる。これらは2種以上混合して使用してもよい。これらのなかでも、脂肪族炭化水素、特にヘキサン若しくはヘプタン、又はヘキサン若しくはヘプタンを含む混合溶媒が好適である。
リパルプ用溶媒の使用量は、ポリマーに対して、例えば1〜200重量倍、好ましくは5〜100重量倍程度である。一方、リンス溶媒の使用量は、ポリマーに対して、例えば1〜100重量倍、好ましくは2〜20重量倍程度である。リパルプ処理やリンス処理を施す際の温度は、用いる溶媒の種類等によっても異なるが、一般には0〜100℃、好ましくは10〜60℃程度である。リパルプ処理、リンス処理は適当な容器中で行われる。リパルプ処理、リンス処理はそれぞれ複数回行ってもよい。処理済みの液(リパルプ液、リンス液)は、デカンテーション、濾過等により除去される。
As the solvent used for the repulping treatment (solvent for repulping) and the solvent used for the rinsing treatment (solvent for rinsing), a poor solvent for the polymer used for precipitation or reprecipitation is preferred. Of these, hydrocarbon solvents are particularly preferred. Examples of the hydrocarbon solvent include aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, and octane, alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane and methylcyclohexane, and aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, and xylene. You may use these in mixture of 2 or more types. Among these, aliphatic hydrocarbons, particularly hexane or heptane, or a mixed solvent containing hexane or heptane is preferable.
The amount of the repulping solvent used is, for example, about 1 to 200 times by weight, preferably about 5 to 100 times by weight with respect to the polymer. On the other hand, the usage-amount of a rinse solvent is 1-100 weight times with respect to a polymer, Preferably it is about 2-20 weight times. Although the temperature at the time of performing a repulping process and a rinse process changes with kinds etc. of the solvent to be used, generally it is 0-100 degreeC, Preferably it is about 10-60 degreeC. The repulping process and the rinsing process are performed in a suitable container. You may perform a repulping process and a rinse process in multiple times, respectively. The treated liquid (repulp liquid, rinse liquid) is removed by decantation, filtration or the like.

また、本発明に使用される貧溶媒はヘプタン等の低沸点の有機溶媒であり、遠心分離後、大気に開放された状態で作業がなされる場合、その発火性等の危険性から、遠心分離の脱液後に、水、特に純水でリンスすることも好ましい。   The poor solvent used in the present invention is an organic solvent having a low boiling point such as heptane. When the work is performed in a state opened to the atmosphere after centrifugation, the centrifugal separation is performed due to the risk of ignition. It is also preferable to rinse with water, particularly pure water, after the liquid is removed.

フォトレジスト溶液とした場合の水分を含めた低沸点物質の含量は、通常1.5重量%以下で、好ましくは1.3重量%以下、更に好ましくは1.0重量%以下程度である。低沸点成分が1.5重量%より多くなると、半導体製造工程で、レジスト膜を製膜したときに、均一な塗膜が得られず、半導体のパターンも好ましいものではない。   The content of low-boiling substances including moisture in the case of a photoresist solution is usually 1.5% by weight or less, preferably 1.3% by weight or less, and more preferably about 1.0% by weight or less. When the low boiling point component is more than 1.5% by weight, a uniform coating film cannot be obtained and a semiconductor pattern is not preferable when a resist film is formed in the semiconductor manufacturing process.

本発明のフォトレジスト用樹脂組成物は本発明のフォトレジスト用樹脂と共に光酸発生剤を含んでいる。光酸発生剤としては、露光により効率よく酸を生成する慣用乃至公知の化合物、例えば、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩(例えば、ジフェニルヨードヘキサフルオロホスフェートなど)、スルホニウム塩(例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムメタンスルホネートなど)、スルホン酸エステル[例えば、1−フェニル−1−(4−メチルフェニル)スルホニルオキシ−1−ベンゾイルメタン、1,2,3−トリスルホニルオキシメチルベンゼン、1,3−ジニトロ−2−(4−フェニルスルホニルオキシメチル)ベンゼン、1−フェニル−1−(4−メチルフェニルスルホニルオキシメチル)−1−ヒドロキシ−1−ベンゾイルメタンなど]、オキサチアゾール誘導体、s−トリアジン誘導体、ジスルホン誘導体(ジフェニルジスルホンなど)、イミド化合物、オキシムスルホネート、ジアゾナフトキノン、ベンゾイントシレートなどを使用できる。これらの光酸発生剤は単独で又は2種以上組み合わせて使用できる。   The photoresist resin composition of the present invention contains a photoacid generator together with the photoresist resin of the present invention. Examples of the photoacid generator include conventional or known compounds that efficiently generate acid upon exposure, such as diazonium salts, iodonium salts (for example, diphenyliodohexafluorophosphate), sulfonium salts (for example, triphenylsulfonium hexafluoroantimony). Nates, triphenylsulfonium hexafluorophosphate, triphenylsulfonium methanesulfonate, etc.), sulfonate esters [eg 1-phenyl-1- (4-methylphenyl) sulfonyloxy-1-benzoylmethane, 1,2,3-tri Sulfonyloxymethylbenzene, 1,3-dinitro-2- (4-phenylsulfonyloxymethyl) benzene, 1-phenyl-1- (4-methylphenylsulfonyloxymethyl) -1-hydroxy-1-benzo Rumetan etc.], oxathiazole derivatives, s- triazine derivatives, disulfone derivatives (diphenyl sulfone) imide compound, an oxime sulfonate, a diazonaphthoquinone, and benzoin tosylate. These photoacid generators can be used alone or in combination of two or more.

光酸発生剤の使用量は、光照射により生成する酸の強度やポリマー(フォトレジスト用樹脂)における各繰り返し単位の比率などに応じて適宜選択でき、例えば、ポリマー100重量部に対して0.1〜30重量部、好ましくは1〜25重量部、さらに好ましくは2〜20重量部程度の範囲から選択できる。   The use amount of the photoacid generator can be appropriately selected according to the strength of the acid generated by light irradiation, the ratio of each repeating unit in the polymer (resin for photoresist), and the like. It can be selected from a range of about 1 to 30 parts by weight, preferably 1 to 25 parts by weight, and more preferably about 2 to 20 parts by weight.

フォトレジスト用樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹脂(例えば、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、カルボキシル基含有樹脂など)などのアルカリ可溶成分、着色剤(例えば、染料など)、有機溶媒(例えば、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、アルコール類、エステル類、アミド類、ケトン類、エーテル類、セロソルブ類、カルビトール類、グリコールエーテルエステル類、これらの混合溶媒など)などを含んでいてもよい。   The resin composition for photoresist includes alkali-soluble components such as alkali-soluble resins (for example, novolak resins, phenol resins, imide resins, carboxyl group-containing resins), colorants (for example, dyes), organic solvents (for example, Hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, alcohols, esters, amides, ketones, ethers, cellosolves, carbitols, glycol ether esters, mixed solvents thereof, etc.) .

本発明のフォトレジスト用樹脂組成物は、本発明のフォトレジスト用樹脂を溶媒(フォトレジスト用の溶剤)に溶解させることにより調製できる。より具体的には、本発明のフォトレジスト用樹脂をそのまま、又は必要に応じて適宜な精製処理を施した後、有機溶媒中に入れ、光酸発生剤などとともに撹拌混合することによりフォトレジスト用樹脂組成物を得ることができる。   The photoresist resin composition of the present invention can be prepared by dissolving the photoresist resin of the present invention in a solvent (photoresist solvent). More specifically, the photoresist resin of the present invention is used as it is or after being subjected to an appropriate purification treatment as necessary, and then placed in an organic solvent and stirred and mixed with a photoacid generator and the like. A resin composition can be obtained.

こうして得られるフォトレジスト用樹脂組成物を基材又は基板上に塗布し、乾燥した後、所定のマスクを介して、塗膜(レジスト膜)に光線を露光して(又は、さらに露光後ベークを行い)潜像パターンを形成し、次いで現像することにより、微細なパターンを高い精度で形成できる。   The photoresist resin composition thus obtained is applied onto a substrate or a substrate, dried, and then exposed to light on a coating film (resist film) through a predetermined mask (or further subjected to post-exposure baking. Perform) By forming a latent image pattern and then developing it, a fine pattern can be formed with high accuracy.

基材又は基板としては、シリコンウエハ、金属、プラスチック、ガラス、セラミックなどが挙げられる。フォトレジスト用樹脂組成物の塗布は、スピンコータ、ディップコータ、ローラコータなどの慣用の塗布手段を用いて行うことができる。塗膜の厚みは、例えば0.1〜20μm、好ましくは0.3〜2μm程度である。   Examples of the base material or the substrate include a silicon wafer, metal, plastic, glass, and ceramic. The application of the photoresist resin composition can be performed using a conventional application means such as a spin coater, a dip coater, or a roller coater. The thickness of the coating film is, for example, about 0.1 to 20 μm, preferably about 0.3 to 2 μm.

露光には、種々の波長の光線、例えば、紫外線、X線などが利用でき、半導体レジスト用では、通常、g線、i線、エキシマレーザー(例えば、XeCl、KrF、KrCl、ArF、ArClなど)などが使用される。特に本発明のフォトレジスト用樹脂はArFエキシマレーザーに効果的である。露光エネルギーは、例えば1〜1000mJ/cm2、好ましくは10〜500mJ/cm2程度である。 For exposure, light of various wavelengths such as ultraviolet rays and X-rays can be used. For semiconductor resists, g-rays, i-rays, and excimer lasers (eg, XeCl, KrF, KrCl, ArF, ArCl, etc.) are usually used. Etc. are used. In particular, the photoresist resin of the present invention is effective for an ArF excimer laser. The exposure energy is, for example, about 1 to 1000 mJ / cm 2 , preferably about 10 to 500 mJ / cm 2 .

光照射により光酸発生剤から酸が生成し、この酸により、例えばフォトレジスト用樹脂の酸の作用によりアルカリ可溶となる繰り返し単位(酸脱離性基を有する繰り返し単位)のカルボキシル基等の保護基(脱離性基)が速やかに脱離して、可溶化に寄与するカルボキシル基等が生成する。そのため、水又はアルカリ現像液による現像により、所定のパターンを精度よく形成できる。   An acid is generated from the photoacid generator by light irradiation, and the acid causes, for example, a carboxyl group of a repeating unit (a repeating unit having an acid-eliminable group) that becomes alkali-soluble by the action of an acid of a photoresist resin. The protecting group (leaving group) is rapidly removed to generate a carboxyl group that contributes to solubilization. Therefore, a predetermined pattern can be accurately formed by development with water or an alkali developer.

以下に実施例に基づいて本発明を詳細に説明するが、本発明は実施例により限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples, but the present invention is not limited to the examples.

重量平均分子量(Mw)、分子量分布(Mw/Mn)は検出器として屈折率計(RI)を用い、溶離液としてテトラヒドロフラン(THF)を用いたGPC測定により、標準ポリスチレン換算で求めた。GPC測定は昭和電工(株)製カラム「Shodex KF-806L」(商品名)を3本直列につないだものを使用し、試料濃度0.5%、サンプル注入量35μl、カラム温度40℃、RI温度40℃、溶離液の流速0.8ml/分、分析時間60分の条件で行った。GPC測定装置として、(株)島津製作所製の「GPCLC-10A」を用いた。湿結晶の含液率は、湿結晶約1g採取して精量し、減圧乾燥での残量から計算で求めた。また、水分及び低沸点溶媒含量は、カールフィッシャー及びガスクロマトグラフィーによった。スラリーのスラリー濃度は、混合状態のスラリーを約100g採取して、沈殿を濾過し、50℃での真空乾燥2時間で、乾燥重量を採取したスラリー全量で除して求めた。
実施例1
下記構造の樹脂を含むフォトレジスト用樹脂溶液の製造
The weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw / Mn) were determined in terms of standard polystyrene by GPC measurement using a refractometer (RI) as a detector and tetrahydrofuran (THF) as an eluent. GPC measurement was performed using three columns “Shodex KF-806L” (trade name) connected in series by Showa Denko KK, sample concentration 0.5%, sample injection volume 35 μl, column temperature 40 ° C., RI The analysis was performed under the conditions of a temperature of 40 ° C., an eluent flow rate of 0.8 ml / min, and an analysis time of 60 minutes. As a GPC measuring apparatus, “GPCLC-10A” manufactured by Shimadzu Corporation was used. About 1 g of wet crystals were collected and weighed, and the liquid content of wet crystals was calculated from the remaining amount after drying under reduced pressure. The moisture and low boiling point solvent contents were determined by Karl Fischer and gas chromatography. The slurry concentration of the slurry was obtained by collecting about 100 g of the mixed slurry, filtering the precipitate, and vacuum drying at 50 ° C. for 2 hours, and dividing the dry weight by the total amount of the collected slurry.
Example 1
Manufacture of resin solution for photoresist containing resin of the following structure

Figure 2006335777
撹拌機、温度計、還流冷却管及び窒素導入管を備えたガラスライニングの反応器に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を40kg導入し、75℃に昇温後、2−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(2MMA)11.7kg(50モル)、5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルニルカルボラクトン(MNBL)6.7kg(30モル)、1−アクリロイルオキシ−3−ヒドロキシアダマンタン(HAA)4.4kg(20モル)と、ジメチル−2,2´−アゾビス(2−メチルプロピオネート)(開始剤;和光純薬工業製、商品名「V−601」)1.5kgと、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)70kgの混合溶液を6時間かけて添加した。添加後、同温度で2時間熟成した。得られた反応溶液(ポリマードープ)を冷却後、これにメチルイソブチルケトン(MIBK)80kgを加えて混合し、さらに水300Lを添加し、よく撹拌を行った後、30分静置して分液させた。下層(水層)を除去した後、上層(有機層)を1500kgのへプタン/酢酸エチル混合液(重量比75/25)に撹拌しながら滴下し、滴下終了後、さらに30分撹拌した。生成したスラリーのスラリー濃度は1.3重量%であった。析出した沈殿を遠心分離機(回分式遠心分離機)により遠心分離した。遠心分離機は、ヘプタン/酢酸エチルのポリマースラリー溶液を給液するときは、300Gとなるように、回転数を設定し、200L/分で給液した。5分間はプレコートのために濾液はスラリーの原料タンクに戻し、その後濾液は廃液タンクに切り替えて、濾過を実施した。給液終了後、600Gとなるような回転数に上昇させ、2分間脱液を実施した。更に、回転数を300Gとなるような回転数に落として、純水300Lでリンスし、更に回転数600G相当に上昇させ、2分間の脱液を行なった。得られた湿結晶は含液率65重量%(液体65重量%、固体35重量%)であった。得られた湿結晶を固形分10重量%となるように約250kgのプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)に添加し、撹拌して溶解した。得られた溶液を単蒸留装置に仕込み、20torr(=2.66kPa)の圧力で濃縮を行った。固形分が約40重量%となった時点で蒸留を停止し、PGMEA及びPGMEを添加して、ポリマー濃度20重量%のPGMEA/PGME(重量比7/3)溶液を調製した。この溶液はフォトレジスト用樹脂溶液として使用されるが、水分0.6重量%、ヘプタンと酢酸エチルの合計が0.2重量%であった。また、湿結晶を一部採取して、乾燥後、分子量及び分子量分布の測定を実施したところ、分子量は8000で、分子量分布は2.1であった。
実施例2
下記構造の樹脂を含むフォトレジスト用樹脂溶液の製造
Figure 2006335777
40 kg of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was introduced into a glass-lined reactor equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux condenser and a nitrogen introduction tube, heated to 75 ° C., and then 2-methacryloyloxy-2- Methyladamantane (2MMA) 11.7 kg (50 mol), 5-methacryloyloxy-2,6-norbornylcarbolactone (MNBL) 6.7 kg (30 mol), 1-acryloyloxy-3-hydroxyadamantane (HAA) 4.4 kg (20 mol), 1.5 kg of dimethyl-2,2′-azobis (2-methylpropionate) (initiator: Wako Pure Chemical Industries, trade name “V-601”), and propylene glycol A mixed solution of 70 kg of monomethyl ether acetate (PGMEA) was added over 6 hours. After the addition, the mixture was aged at the same temperature for 2 hours. After cooling the obtained reaction solution (polymer dope), 80 kg of methyl isobutyl ketone (MIBK) was added thereto and mixed. Further, 300 L of water was added, and after stirring well, the mixture was allowed to stand for 30 minutes to separate the liquid. I let you. After removing the lower layer (aqueous layer), the upper layer (organic layer) was added dropwise to 1500 kg of heptane / ethyl acetate mixture (weight ratio 75/25) with stirring, and after completion of the addition, the mixture was further stirred for 30 minutes. The slurry concentration of the produced slurry was 1.3% by weight. The deposited precipitate was centrifuged with a centrifuge (batch centrifuge). When supplying the polymer slurry solution of heptane / ethyl acetate, the centrifuge was set at a rotational speed of 300 L and supplied at 200 L / min. The filtrate was returned to the slurry raw material tank for pre-coating for 5 minutes, and then the filtrate was switched to the waste liquid tank for filtration. After completion of the liquid supply, the number of revolutions was increased to 600 G, and liquid removal was performed for 2 minutes. Further, the rotational speed was lowered to 300 G, rinsed with 300 L of pure water, further increased to a rotational speed equivalent to 600 G, and liquid removal was performed for 2 minutes. The obtained wet crystals had a liquid content of 65% by weight (liquid 65% by weight, solid 35% by weight). The obtained wet crystals were added to about 250 kg of propylene glycol monomethyl ether (PGME) so as to have a solid content of 10% by weight, and dissolved by stirring. The obtained solution was charged into a simple distillation apparatus and concentrated at a pressure of 20 torr (= 2.66 kPa). When the solid content reached about 40% by weight, the distillation was stopped and PGMEA and PGME were added to prepare a PGMEA / PGME (weight ratio 7/3) solution having a polymer concentration of 20% by weight. This solution was used as a photoresist resin solution, but the water content was 0.6% by weight and the total of heptane and ethyl acetate was 0.2% by weight. A part of the wet crystals was collected and dried, and the molecular weight and molecular weight distribution were measured. The molecular weight was 8000 and the molecular weight distribution was 2.1.
Example 2
Manufacture of resin solution for photoresist containing resin of the following structure

Figure 2006335777
重合に仕込まれたモノマーは、2−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(2MMA)11.7kg(50モル)、5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルニルカルボラクトン(MNBL)6.7kg(30モル)、1−メタクリロイルオキシ−3−ヒドロキシアダマンタン(HMA)4.7kg(20モル)である以外は実施例1と同様な操作を実施した。遠心分離後、得られた湿結晶の含液率は65重量%であり、調整されたフォトレジスト用樹脂溶液としては、水分0.5重量%、ヘプタンと酢酸エチルの合計が0.1重量%であった。得られた高分子化合物の分子量は8100で、分子量分布は2.2であった。
実施例3
下記構造の樹脂を含むフォトレジスト用樹脂溶液の製造
Figure 2006335777
The monomers charged in the polymerization were 2-methacryloyloxy-2-methyladamantane (2MMA) 11.7 kg (50 mol), 5-methacryloyloxy-2,6-norbornylcarbolactone (MNBL) 6.7 kg (30 kg). Mol) and 1-methacryloyloxy-3-hydroxyadamantane (HMA) 4.7 kg (20 mol), and the same operation as in Example 1 was performed. After centrifuging, the liquid content of the obtained wet crystals was 65% by weight, and the adjusted photoresist resin solution had a water content of 0.5% by weight, and the total of heptane and ethyl acetate was 0.1% by weight. Met. The obtained polymer compound had a molecular weight of 8,100 and a molecular weight distribution of 2.2.
Example 3
Manufacture of resin solution for photoresist containing resin of the following structure

Figure 2006335777
重合に仕込まれたモノマーは、2−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(2MMA)11.7kg(50モル)、5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルニルカルボラクトン(MNBL)6.7kg(30モル)、1−メタクリロイルオキシ−3、5−ジヒドロキシアダマンタン(DHMA)5.0kg(20モル)である以外は実施例1と同様な操作を実施した。遠心分離後、得られた湿結晶の含液率は65重量%であり、調整されたフォトレジスト用樹脂溶液としては、水分0.5重量%、ヘプタンと酢酸エチルの合計が0.1重量%であった。得られた高分子化合物の分子量は8000で、分子量分布は2.0であった。
比較例1
下記構造の樹脂を含むフォトレジスト用樹脂溶液の製造
Figure 2006335777
The monomers charged in the polymerization were 2-methacryloyloxy-2-methyladamantane (2MMA) 11.7 kg (50 mol), 5-methacryloyloxy-2,6-norbornylcarbolactone (MNBL) 6.7 kg (30 kg). Mol), 1-methacryloyloxy-3,5-dihydroxyadamantane (DHMA) 5.0 kg (20 mol), and the same operation as in Example 1 was performed. After centrifuging, the liquid content of the obtained wet crystals was 65% by weight, and the adjusted photoresist resin solution had a water content of 0.5% by weight, and the total of heptane and ethyl acetate was 0.1% by weight. Met. The obtained polymer compound had a molecular weight of 8,000 and a molecular weight distribution of 2.0.
Comparative Example 1
Manufacture of resin solution for photoresist containing resin of the following structure

Figure 2006335777
重合に仕込まれたモノマーは、2−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(2MMA)2.3kg(10モル)、2−アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(2AMA)8.8kg(40モル)、5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルニルカルボラクトン(MNBL)6.7kg(30モル)、1−アクリロイルオキシ−3−ヒドロキシアダマンタン(HAA)4.4kg(20モル)である以外は実施例1と同様な操作を実施した。遠心分離機に沈殿物が付着して、固液分離することが出来なかった。

比較例2
下記構造の樹脂を含むフォトレジスト用樹脂溶液の製造
Figure 2006335777
Monomers charged for polymerization were 2.3 kg (10 mol) of 2-methacryloyloxy-2-methyladamantane (2MMA), 8.8 kg (40 mol) of 2-acryloyloxy-2-methyladamantane (2AMA), 5- Example 1 except that methacryloyloxy-2,6-norbornylcarbolactone (MNBL) is 6.7 kg (30 mol) and 1-acryloyloxy-3-hydroxyadamantane (HAA) is 4.4 kg (20 mol). Similar operations were performed. A precipitate adhered to the centrifuge, and solid-liquid separation could not be performed.

Comparative Example 2
Manufacture of resin solution for photoresist containing resin of the following structure

Figure 2006335777
重合に仕込まれたモノマーは、2−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(2MMA)4.7kg(20モル)、2−アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(2AMA)7.0kg(30モル)、5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルニルカルボラクトン(MNBL)6.7kg(30モル)、1−アクリロイルオキシ−3−ヒドロキシアダマンタン(HAA)4.4kg(20モル)である以外は実施例1と同様な操作を実施した。遠心分離機に沈殿物が付着して、固液分離することが出来なかった。


Figure 2006335777
The monomers charged for polymerization were 2-methacryloyloxy-2-methyladamantane (2MMA) 4.7 kg (20 mol), 2-acryloyloxy-2-methyladamantane (2AMA) 7.0 kg (30 mol), 5- Example 1 except that methacryloyloxy-2,6-norbornylcarbolactone (MNBL) is 6.7 kg (30 mol) and 1-acryloyloxy-3-hydroxyadamantane (HAA) is 4.4 kg (20 mol). Similar operations were performed. A precipitate adhered to the centrifuge, and solid-liquid separation could not be performed.


Claims (7)

酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有するモノマーAと、極性基含有脂環式骨格を有するモノマーBとを少なくとも含むモノマーおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させ、重合溶液を貧溶媒(沈殿溶媒)に添加して、ポリマーを沈殿させ、沈殿を遠心分離機により遠心分離で、溶媒を除去後、湿結晶を溶媒に溶解し、減圧蒸留にて濃縮してフォトレジスト高分子化合物の溶液を製造する方法において、重合に使用される全モノマーに対して、メタクリル酸エステルのモル比が60モル%以上であることを特徴としたフォトレジスト用高分子化合物の製造方法。 A monomer including a monomer A having a group that becomes alkali-soluble upon elimination by acid and a monomer B having a polar group-containing alicyclic skeleton and a polymerization initiator are dissolved in a solvent, and the temperature is raised to the polymerization temperature. Add the polymerization solution to a poor solvent (precipitation solvent) to precipitate the polymer, centrifuge the precipitate with a centrifuge to remove the solvent, and then dissolve the wet crystals in the solvent. In the method for producing a solution of a photoresist polymer compound by concentration by distillation under reduced pressure, the molar ratio of methacrylic acid ester is 60 mol% or more with respect to all monomers used for polymerization. Method for producing a high molecular compound for photoresist. モノマーAが下記式(1a)〜(1c)
Figure 2006335777
(式中、環Zは置換基を有していてもよい炭素数6〜20の脂環式炭化水素環を示す。Rは水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を示す。R1〜R3は、同一又は異なって、炭素数1〜6のアルキル基を示す。R4は環Zに結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。但し、n個のR4のうち少なくとも1つは、−COORa基を示す。前記Raは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。nは1〜3の整数を示す)から選択された少なくとも1種のモノマーであることを特徴とする請求項1記載のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法。
Monomer A is represented by the following formulas (1a) to (1c)
Figure 2006335777
(In the formula, ring Z represents an alicyclic hydrocarbon ring having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent. R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 1 to R 3 is the same or different and represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 4 is a substituent bonded to the ring Z, and is the same or different and represents an oxo group, an alkyl group, or a protecting group. A hydroxyl group which may be protected, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, provided that at least one of n R 4 is And —COOR a group, wherein R a represents an optionally substituted tertiary hydrocarbon group, tetrahydrofuranyl group, tetrahydropyranyl group, or oxepanyl group, n is an integer of 1 to 3. At least one monomer selected from The method for producing a polymer compound for photoresist according to claim 1, wherein:
モノマーBが下記式(2a)〜(2e)
Figure 2006335777
(式中、Rは水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を示す。R5〜R7は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示し、V1〜V3は、同一又は異なって、−CH2−、−CO−又は−COO−を示す。但し、(i)V1〜V3のうち少なくとも1つは−CO−若しくは−COO−であるか、又は(ii)R5〜R7のうち少なくとも1つは、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基である。R8〜R12は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。R13〜R21は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。R22〜R30は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す)から選択された少なくとも1種のモノマーであることを特徴とする請求項1記載のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法。
Monomer B is represented by the following formulas (2a) to (2e)
Figure 2006335777
(In the formula, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 5 to R 7 are the same or different and are a hydrogen atom, an alkyl group, or a hydroxyl group optionally protected by a protecting group, A hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, V 1 to V 3 are the same or different and represent —CH 2 —, —CO— or —; COO— provided that (i) at least one of V 1 to V 3 is —CO— or —COO—, or (ii) at least one of R 5 to R 7 is a protecting group A hydroxyl group which may be protected with, a hydroxyalkyl group which may be protected with a protecting group, or a carboxyl group which may be protected with a protecting group, R 8 to R 12 may be the same or different; Protected with hydrogen atom, alkyl group, protecting group A hydroxyl group that may be protected, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protecting group, and a carboxyl group that may be protected with a protecting group, R 13 to R 21 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, An alkyl group, a hydroxyl group that may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protecting group, or a carboxyl group that may be protected with a protecting group, R 22 to R 30 are the same. Or a hydrogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group that may be protected with a protecting group, a hydroxyalkyl group that may be protected with a protecting group, or a carboxyl group that may be protected with a protecting group) 2. The method for producing a polymer compound for photoresist according to claim 1, wherein the monomer is at least one selected monomer.
遠心分離後の湿結晶を溶解する溶媒が、グリコールエーテル系またはエステル系溶媒から選択された1種の溶媒であることを特徴とする請求項1記載のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法。 2. The method for producing a photoresist polymer compound according to claim 1, wherein the solvent for dissolving the wet crystal after centrifugation is one solvent selected from glycol ether solvents and ester solvents. 貧溶媒(沈殿溶媒)が、炭化水素系溶媒と極性溶媒の混合物であることを特徴とする請求項1記載のフォトレジスト用高分子化合物の製造方法。 The method for producing a photoresist polymer compound according to claim 1, wherein the poor solvent (precipitation solvent) is a mixture of a hydrocarbon solvent and a polar solvent. 酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有するモノマーAと、極性基含有脂環式骨格を有するモノマーBとを少なくとも含むモノマーおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させ、重合溶液を貧溶媒に添加して、ポリマーを沈殿させ、沈殿を遠心分離機により遠心分離で、溶媒を除去後、湿結晶をグリコール系溶媒に溶解し、減圧蒸留にて濃縮してフォトレジスト樹脂溶液を製造する方法によるものであって、さらに請求項1〜5のいずれかに記載されたことを特徴として製造されたフォトレジスト用高分子化合物と光酸発生剤を少なくとも含むフォトレジスト用樹脂組成物。 A monomer including a monomer A having a group that becomes alkali-soluble upon elimination by an acid and a monomer B having a polar group-containing alicyclic skeleton and a polymerization initiator are dissolved in a solvent, and the temperature is raised to the polymerization temperature. The polymer is added dropwise to a poor solvent, the polymer is precipitated, the precipitate is centrifuged by a centrifuge, the solvent is removed, and the wet crystals are dissolved in a glycol solvent. A method for producing a photoresist resin solution by concentrating by distillation under reduced pressure, and further comprising a polymer compound for photoresist and a photoacid produced according to any one of claims 1 to 5 A photoresist resin composition comprising at least a generator. 請求項6記載のフォトレジスト用樹脂組成物を基板上に塗布し、波長193nmの光により露光することを特徴とする半導体の製造方法。




A method for producing a semiconductor, comprising applying the resin composition for a photoresist according to claim 6 on a substrate and exposing the substrate to light with a wavelength of 193 nm.




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