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JP2006332378A - Method and apparatus for positioning article, and for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method and apparatus for positioning article, and for manufacturing semiconductor device Download PDF

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JP2006332378A
JP2006332378A JP2005154654A JP2005154654A JP2006332378A JP 2006332378 A JP2006332378 A JP 2006332378A JP 2005154654 A JP2005154654 A JP 2005154654A JP 2005154654 A JP2005154654 A JP 2005154654A JP 2006332378 A JP2006332378 A JP 2006332378A
Authority
JP
Japan
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positioning
substrate
article
semiconductor circuit
circuit member
Prior art date
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Pending
Application number
JP2005154654A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Mitani
昌弘 三谷
Takashi Itoga
隆志 糸賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus capable of positioning a plurality of semiconductor circuit members with high precision without producing dust etc. in the positioning process, and to provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the positioning method and apparatus. <P>SOLUTION: By using the positioning apparatus 1 wherein an air current generator 4, a tilting means 5, and a sensor 7 are provided for each of a plurality of positioning stoppers 3 provided on a positioning substrate 2; the positions of the plurality of semiconductor circuit members can be detected by respective sensors 7, a control means 8 can individually control respective air current generators 4 in accordance with the detected results, and the semiconductor circuit members 10 are temporarily fixed on the positioning substrate 2 from the member 10 for which the positioning has been carried out. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、物品の位置決め方法および位置決め装置、並びに半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置に関し、詳細には、高い位置決め精度を有するとともに、位置決め過程においてダストやチッピングを発生させることなく、複数の物品を一括して位置決めすることができる物品の位置決め方法および位置決め装置、並びに半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置に関するものである。   The present invention relates to an article positioning method and positioning apparatus, and a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device manufacturing apparatus. More specifically, the present invention has a high positioning accuracy and does not generate dust or chipping in the positioning process. The present invention relates to an article positioning method and positioning apparatus capable of positioning the articles collectively, a semiconductor device manufacturing method, and a semiconductor device manufacturing apparatus.

近年、一枚のパネル上に様々な機能を有する回路を形成するシステムオンパネル(以下、「SOP」と略す。)の開発が進められている。例えば、移動度が比較的高い多結晶シリコンを用いて、ガラス等の透明絶縁基板上に画像を表示する表示部の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下「TFT」と略す。)と、表示部を駆動するドライバ回路部のTFTとを同時に形成するドライバモノリシック型の表示パネルの開発もその一例である。   In recent years, development of a system-on-panel (hereinafter abbreviated as “SOP”) in which circuits having various functions are formed on a single panel has been advanced. For example, thin film transistors (hereinafter abbreviated as “TFT”) for displaying an image on a transparent insulating substrate such as glass and driving the display unit using polycrystalline silicon having relatively high mobility. One example is the development of a driver monolithic display panel that simultaneously forms the TFT of the driver circuit portion to be formed.

しかしながら、現状では、多結晶シリコンでは単結晶シリコンと同等な性能のドライバ回路を作製するのは極めて困難であり、モノリシックに作ることができるのは、アナログドライバや低ビット・デジタルドライバ等に留まっている。すなわち、より一層の高速動作を必要とする線順次駆動のデジタルドライバ回路、または発振回路やCPU等の回路は、多結晶シリコンでモノリシックに形成することができない。そのため、別途これらの回路が形成された単結晶シリコンウェハを切り出したIC(Integrated Circuit)チップやLSI(Large Size Integrated Circuit)チップを、チップオンガラス(Chip On Glass、以下「COG」と略す。)技術や、チップオンフィルム(Chip On Film、以下「COF」と略す。)技術により液晶パネルと外部接続することによって、パネルに回路を組み込んでいる。このCOG技術は、パネルの端部付近にICチップを接合するスペースと接続用の配線パターンとを設け、そこにシリコンウェハから切り出したICチップを異方性導電膜(Anisotropic Conducting Film、以下「ACF」と略す。)という接着剤を用いて圧着させて、パネルにICチップを直接貼り合わせる手法である。   However, at present, it is extremely difficult to produce a driver circuit with the same performance as that of single crystal silicon with polycrystalline silicon, and only monolithic drivers can be made with analog drivers and low bit digital drivers. Yes. In other words, a line-sequentially driven digital driver circuit that requires even higher speed operation, or a circuit such as an oscillation circuit or a CPU cannot be formed monolithically with polycrystalline silicon. Therefore, an IC (Integrated Circuit) chip and an LSI (Large Size Integrated Circuit) chip obtained by cutting out a single crystal silicon wafer on which these circuits are separately formed are referred to as chip on glass (hereinafter abbreviated as “COG”). A circuit is incorporated in the panel by externally connecting to the liquid crystal panel using a technology or a chip on film (hereinafter abbreviated as “COF”) technology. In this COG technology, a space for joining an IC chip and a wiring pattern for connection are provided near the edge of the panel, and the IC chip cut out from the silicon wafer is provided with an anisotropic conductive film (ACF). This is a technique in which an IC chip is directly bonded to a panel by using an adhesive called “.

ところが、従来のCOG技術は、1枚の液晶パネルに対して、ICチップを1個ずつ位置決めして貼り合せていく手法であるため、スループットが良くないという問題点があった。   However, since the conventional COG technique is a method of positioning and bonding IC chips one by one to a single liquid crystal panel, there is a problem that throughput is not good.

そこで、特許文献1および特許文献2に、基板上で複数の電子部品を一括して位置決めし、一括して貼り合せる手法が開示されている。この手法により、スループットの向上を図ることが可能となっている。特許文献1に開示された手法としては、基板上に複数の電子部品を載置した後、基板に振動を印加して、基板上の所望の位置に設けられた複数の凹部に、複数の電子部品を同時に落とし込むことによって位置決めを行なう方法が開示されている。また、特許文献2には、基板上の所望の位置に磁気パターンが設けられており、一方、半導体チップには裏面に磁化された磁気層が各々設けられており、この磁気パターンと磁気層との磁気的な引力で半導体チップの位置決めを行なう方法が開示されている。
特開2003−209129号公報(2003年7月25日公開) 特開平03−84999号公報(1991年4月10日公開) 特開平02−92475号公報(1990年4月3日公開)
Therefore, Patent Documents 1 and 2 disclose a technique in which a plurality of electronic components are collectively positioned on a substrate and bonded together. By this method, it is possible to improve the throughput. As a technique disclosed in Patent Document 1, after placing a plurality of electronic components on a substrate, vibration is applied to the substrate, and a plurality of electrons are placed in a plurality of recesses provided at desired positions on the substrate. A method for positioning by dropping parts simultaneously is disclosed. In Patent Document 2, a magnetic pattern is provided at a desired position on the substrate, while a semiconductor chip is provided with a magnetic layer magnetized on the back surface. A method of positioning a semiconductor chip with a magnetic attraction force is disclosed.
JP 2003-209129 A (published July 25, 2003) Japanese Patent Laid-Open No. 03-84999 (published on April 10, 1991) Japanese Patent Laid-Open No. 02-92475 (published on April 3, 1990)

しかしながら、特許文献1および特許文献2に開示された方法では、以下のような問題点がある。   However, the methods disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2 have the following problems.

すなわち、特許文献1では、
(1)基板全体に振動を与えて、複数の電子部品を同時に滑らせるので、位置決め途中で動かなくなったり、凹部に落ち込む時に引っかかったり、凹部を乗り越えたりして、位置決めできなくなった電子部品が発生した場合に、その電子部品のみを動かして位置を修正することが困難である。
(2)基板全体に振動を与えて、複数の電子部品を一括して位置決めするので、全ての電子部品が正しい位置に位置決めされるまでの間、基板全体に振動を与え続ける必要がある。したがって、早い段階で正しく位置決めされた電子部品であっても、振動を受け続けているうちに正しい位置からずれたり、位置決め部の段差(凹部)から外れたりすることから、位置決めの精度や、スループットが低下する。
(3)最初に位置決めが完了した電子部品は、全ての電子部品が位置決めされるまでの間、凹部の側壁に接した状態で振動を受けることになるので、こすれや衝突によるダストやチッピングが発生して、後工程の貼り合わせ精度や歩留まりを低下させる。
という問題がある。
That is, in Patent Document 1,
(1) Since vibration is applied to the entire board and multiple electronic components are slid at the same time, electronic components that cannot be positioned are generated because they cannot move during positioning, get caught when falling into the recess, or get over the recess. In this case, it is difficult to correct the position by moving only the electronic component.
(2) Since vibration is applied to the entire substrate and a plurality of electronic components are collectively positioned, it is necessary to continue applying vibration to the entire substrate until all the electronic components are positioned at the correct positions. Therefore, even if an electronic component is correctly positioned at an early stage, it will be displaced from the correct position while continuing to receive vibrations, and it will be disengaged from the step (concave portion) of the positioning part. Decreases.
(3) The electronic parts that have been positioned first will be vibrated while being in contact with the side walls of the recess until all the electronic parts are positioned, so dust and chipping due to rubbing and collision will occur. As a result, the bonding accuracy and yield of the subsequent process are lowered.
There is a problem.

なお、特許文献1には、
(4)基板の中央と端で振動の振幅が異なるために、電子部品の個数が増えて基板サイズが大きくなる程、全ての電子部品に最適な振動を与え一括して位置決めすることが難しくなる。
という問題もある。
In Patent Document 1,
(4) Since the amplitude of vibration differs between the center and the edge of the board, the larger the number of electronic components and the larger the board size, the more difficult it is to position all the electronic parts at the same time and give them the optimum vibration. .
There is also a problem.

また、特許文献2においても、
(5)エキスパンドフィルム全体に熱を与えて、全ての半導体チップを同時にエキスパンドフィルムから剥離し磁力によって位置決めさせるので、うまく位置決めされなかった半導体チップが発生した場合に、その半導体チップのみを動かして位置を修正することが困難である。
という問題がある。
Also in Patent Document 2,
(5) Heat is applied to the entire expanded film, and all the semiconductor chips are peeled off from the expanded film at the same time and positioned by magnetic force. Therefore, when a semiconductor chip that is not positioned properly is generated, only the semiconductor chip is moved and positioned. It is difficult to correct.
There is a problem.

そこで本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、位置決め過程においてダストやチッピングを発生させることなく、高い位置決め精度で複数の半導体回路部材を一括して位置決めすることができる半導体回路部材の位置決め方法および位置決め装置を提供することにある。   Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described problems, and its purpose is to collectively position a plurality of semiconductor circuit members with high positioning accuracy without generating dust or chipping in the positioning process. It is an object of the present invention to provide a semiconductor circuit member positioning method and positioning apparatus capable of performing the above.

本発明に係る位置決め方法は、上述した課題を解決するために、複数の物品を、位置決め用基板上に設けられた複数の位置決め部にそれぞれ位置決めする物品の位置決め方法であって、上記物品を、上記位置決め用基板の表面に対して非接触状態で移動させるとともに、上記位置決め部に対する上記物品の位置を各々検知することによって、上記複数の物品のうち、位置決めされた物品を上記位置決め用基板に一時固定するとともに、位置決めされなかった物品を、再度、上記非接触状態で移動させて位置決めすることを特徴としている。   A positioning method according to the present invention is a method for positioning an article for positioning a plurality of articles on a plurality of positioning portions provided on a positioning substrate, in order to solve the above-described problem. By moving the surface of the positioning substrate in a non-contact state and detecting the position of the article with respect to the positioning portion, the positioned article among the plurality of articles is temporarily transferred to the positioning substrate. While fixing, the article which was not positioned is moved and positioned again in the said non-contact state, It is characterized by the above-mentioned.

同じく、本発明に係る位置決め方法は、上述した課題を解決するために、複数の物品を、位置決め用基板上に設けられた複数の位置決め部にそれぞれ位置決めする物品の位置決め方法であって、上記物品を、上記位置決め用基板の表面に対して非接触状態で移動させる移動工程と、上記位置決め部に対する上記物品の位置を検知する検知工程と、上記検知工程によって上記位置決め部に位置決めされたことが検知された上記物品を、上記位置決め用基板に一時固定する固定工程とを含んでおり、上記複数の物品それぞれに対して互いに独立して上記移動工程と検知工程と固定工程とが実行され、上記位置決め部に位置決めされなかったことが上記検知工程によって検知された上記物品に対しては、再度、上記移動工程および検知工程が実行されることを特徴としている。   Similarly, the positioning method according to the present invention is a method for positioning an article for positioning a plurality of articles on a plurality of positioning portions provided on a positioning substrate, in order to solve the above-described problem. Moving in a non-contact state with respect to the surface of the positioning substrate, a detecting step for detecting the position of the article with respect to the positioning portion, and detecting that the positioning portion has been positioned by the detecting step A fixing step of temporarily fixing the article to the positioning substrate, and the moving step, the detecting step, and the fixing step are performed independently of each other for the plurality of articles, and the positioning is performed. The moving step and the detecting step are performed again on the article that has been detected by the detecting step as being not positioned on the part. It is characterized in Rukoto.

上記の構成によれば、位置決め部に位置決めされている物品と、位置決め部に位置決めされていない物品とに対する対応を変えることができるため、精度よく、かつ良好で迅速な位置決めを行なうことが可能となる。   According to the above configuration, the correspondence between the article positioned in the positioning portion and the article not positioned in the positioning portion can be changed, so that accurate, good and quick positioning can be performed. Become.

すなわち、本発明の位置決め方法によれば、複数の物品のうち、位置決め部に位置決めされなかった物品を再度位置決めすることができる。そのため、複数の物品を位置決めする場合であっても、位置決めを正確に行なうことができる。   That is, according to the positioning method of the present invention, among a plurality of articles, an article that has not been positioned by the positioning unit can be positioned again. Therefore, positioning can be performed accurately even when positioning a plurality of articles.

また、複数の物品のうち、位置決め部に位置決めされたものから順次基板に一時固定されるため、位置決め部に位置決めされなかった物品を再度位置決めする際、既に位置決め部に位置決めされている上記物品は移動しない。言い換えれば、複数の物品のうち、位置決め部に位置決めされなかった物品に対してのみ、再度位置決めを行なうことができる。   In addition, among the plurality of articles, since the articles positioned in the positioning unit are temporarily fixed sequentially to the substrate, when the articles that have not been positioned in the positioning unit are positioned again, the articles already positioned in the positioning unit are Do not move. In other words, positioning can be performed again only for an article that has not been positioned by the positioning unit among the plurality of articles.

これにより、位置決め部に位置決めされなかった物品を再度位置決めする間に、既に位置決め部に位置決めされた物品が位置決め部からずれたり、外れたりすることがなく、位置決めされた物品を再び位置決めし直すことがない。したがって、本発明の方法によれば、複数の物品を位置決めする場合であっても、迅速、かつ正確に位置決めを行なうことができる。   As a result, while positioning the article that has not been positioned by the positioning unit again, the article that has already been positioned by the positioning unit is not shifted from or detached from the positioning unit, and the positioned article is re-positioned again. There is no. Therefore, according to the method of the present invention, positioning can be performed quickly and accurately even when positioning a plurality of articles.

また、既に位置決め部に位置決めされた物品は一時固定されているので、当該物品が、位置決めされていない物品を再度位置決めするための操作によって、位置決め部などの他の部材とこすれる可能性を著しく低減させることができる。   In addition, since the article already positioned in the positioning unit is temporarily fixed, the possibility that the article will be rubbed with other members such as the positioning unit by re-positioning the unpositioned article is significantly reduced. Can be made.

これにより、こすれによる物品の破損や、ダストの発生を回避することが可能となり、複数の物品を全て良好に位置決めすることができる。   Thereby, it becomes possible to avoid the damage of the article | item by dust and generation | occurrence | production of dust, and all the some articles | goods can be positioned favorably.

さらに、上記の構成によれば、全ての物品は、位置決め用基板の表面に対して非接触状態で移動するため、移動中に物品が振動して位置決め用基板や位置決め部に衝突する虞はなく、物品の破損や、ダストの発生をなくすことが可能となる。   Furthermore, according to the above configuration, since all articles move in a non-contact state with respect to the surface of the positioning substrate, there is no possibility that the article vibrates and collides with the positioning substrate or the positioning unit during the movement. It is possible to eliminate damage to the articles and generation of dust.

したがって、本発明の方法によれば、複数の物品を、精度よく、かつ良好で迅速に位置決めをすることが可能となる。   Therefore, according to the method of the present invention, it is possible to position a plurality of articles with good accuracy and good speed.

なお、ここで「一時固定」とは、物品が位置決め用基板表面に半永久的に固定するのではなく、物品を後の工程で基板から離脱させることを前提として、一時的に位置決め用基板に固定することをいう。すなわち、通常、本発明の位置決め装置および位置決め方法は、上記物品が半導体回路部材である場合、複数の半導体回路部材を他の部材(例えば接合基板)に配置する場合に半導体回路部材を予め配列しておくために用いられる。そのため、物品は基板に半永久的に固定するのではなく、一時的に固定する必要がある。   Here, “temporarily fixed” means that the article is not fixed to the positioning substrate surface semi-permanently, but is temporarily fixed to the positioning substrate on the assumption that the article is detached from the substrate in a later process. To do. That is, the positioning device and the positioning method of the present invention usually arrange the semiconductor circuit members in advance when the article is a semiconductor circuit member and a plurality of semiconductor circuit members are arranged on another member (for example, a bonded substrate). Used to keep. For this reason, it is necessary to fix the article temporarily rather than semi-permanently.

また、本発明に係る位置決め方法は、上記物品を、上記位置決め用基板の表面から排出する気体の圧力を用いて上記非接触状態にさせるとともに、当該位置決め用基板を傾斜させることによって当該物品の自重を用いて移動させることが好ましい。   Further, the positioning method according to the present invention causes the article to be brought into the non-contact state by using the pressure of the gas discharged from the surface of the positioning substrate, and the weight of the article is inclined by inclining the positioning substrate. It is preferable to move using.

また、本発明に係る位置決め方法は、上記物品と上記位置決め用基板との間に斥力を形成することによって上記非接触状態にさせるとともに、当該位置決め用基板を傾斜させることによって当該物品の自重を用いて移動させることが好ましい。   Further, the positioning method according to the present invention uses the weight of the article by tilting the positioning substrate while making the non-contact state by forming a repulsive force between the article and the positioning substrate. It is preferable to move them.

上記の構成とすれば、物品を位置決め用基板の表面に対して非接触状態で移動させることから、全ての物品を、物品の破損や、ダストの発生なく良好に位置決めを行なうことができる。   With the above configuration, since the articles are moved in a non-contact state with respect to the surface of the positioning substrate, it is possible to position all the articles satisfactorily without damaging the articles or generating dust.

また、流体力を用いて物品を移動させるため、従来技術において電子部品の移動に用いられていた振動の場合のような共振現象による周波数や振幅の変動が起こらない。そのため、位置決め用基板上の面内に渡って、物品を安定して移動させることが可能であり、よって、物品の個数が増えて基板サイズが大きくなった場合であっても、これらを一括して位置決めしやすい。   In addition, since the article is moved using the fluid force, the frequency and the amplitude are not changed by the resonance phenomenon as in the case of the vibration used for moving the electronic component in the prior art. Therefore, it is possible to move the article stably over the surface on the positioning substrate. Therefore, even when the number of articles is increased and the substrate size is increased, these are collectively collected. Easy to position.

また、本発明に係る位置決め方法では、上記位置決め部に対する上記物品の位置の検知は、上記位置決め用基板の表面に沿った二次元方向、および当該位置決め用基板の表面に対して垂直方向の位置が検知されることが好ましい。   In the positioning method according to the present invention, the position of the article relative to the positioning unit is detected in a two-dimensional direction along the surface of the positioning substrate and in a direction perpendicular to the surface of the positioning substrate. Preferably it is detected.

上記の構成とすれば、高精度で物品の位置決めを実行することが可能となる。   If it is said structure, it will become possible to perform positioning of an article | item with high precision.

具体的には、本発明の位置決め方法は、上記位置決め用基板の表面に沿った二次元方向の検知と、上記位置決め用基板の表面に対して垂直方向の検知との2種類の検知を行ない、これらの検知結果に基づいて、位置決め用基板への物品の一時固定、あるいは再度位置決めが行なわれる。これにより、本発明の位置決め方法によれば、特に上記二次元方向において、数〜10μm程度の位置決め精度を得ることが可能となる。   Specifically, the positioning method of the present invention performs two types of detection: detection in a two-dimensional direction along the surface of the positioning substrate and detection in a direction perpendicular to the surface of the positioning substrate, Based on these detection results, the article is temporarily fixed to the positioning substrate or positioned again. Thereby, according to the positioning method of the present invention, it is possible to obtain positioning accuracy of about several to 10 μm, particularly in the two-dimensional direction.

したがって、本発明の位置決め方法によれば、例えば回路等が形成された接合基板に、半導体回路部材である半導体チップを貼り合わせ、電気的に接続するような場合の、当該半導体チップの位置決めであっても、正確、かつ高精度で実行することが可能である。   Therefore, according to the positioning method of the present invention, for example, when a semiconductor chip as a semiconductor circuit member is bonded to and electrically connected to a bonding substrate on which a circuit or the like is formed, the semiconductor chip is positioned. However, it is possible to execute it accurately and with high accuracy.

また、本発明に係る位置決め方法は、上記二次元方向における上記物品の位置の検知は、撮像部を備えた画像表示手段を用いて上記物品と上記位置決め部とを撮像することによって行なうことができる。   In the positioning method according to the present invention, the position of the article in the two-dimensional direction can be detected by imaging the article and the positioning unit using an image display unit including an imaging unit. .

例えばCCD(charge coupled device:電荷結合素子)カメラのような画像表示手段を用いて、基板上の位置決め部および物品の位置を上方から撮影するというような構成によって上記の構成を実現することができる。   For example, the above-described configuration can be realized by a configuration in which an image display unit such as a CCD (charge coupled device) camera is used to photograph the position of the positioning unit and the article on the substrate from above. .

また、本発明に係る位置決め方法は、上記二次元方向における上記物品の位置の検知は、レーザー光を用いて行なうことができる。   In the positioning method according to the present invention, the position of the article in the two-dimensional direction can be detected using a laser beam.

例えば、レーザー光を用いてその変位を計測するようなレーザー変位計を用いることができる。   For example, a laser displacement meter that measures the displacement using laser light can be used.

また、本発明に係る位置決め方法は、上記位置決め用基板の上に一時固定した複数の上記物品を、接合基板に一括して接合する工程を含むことができる。   The positioning method according to the present invention may include a step of collectively bonding the plurality of articles temporarily fixed on the positioning substrate to the bonding substrate.

上記の構成とすれば、例えば上記物品として半導体回路部材を用いた場合、上記の工程によって接合基板に一括して接合された半導体回路部材は、上述したように、精度よく、かつ良好に位置決めされる。よって、本発明に係る位置決め方法を用いることにより、例えば半導体回路部材として半導体チップを用いて、これを回路等が形成された接合基板に接合した場合であっても精度よく接合することができる。そのため、接合基板と半導体チップとを電気的に接続して半導体装置を製造する場合に、高精度の半導体装置を提供することができる。   With the above configuration, for example, when a semiconductor circuit member is used as the article, the semiconductor circuit member collectively bonded to the bonding substrate by the above steps is accurately and well positioned as described above. The Therefore, by using the positioning method according to the present invention, for example, a semiconductor chip can be used as a semiconductor circuit member, and bonding can be performed with high precision even when the chip is bonded to a bonding substrate on which a circuit or the like is formed. Therefore, when a semiconductor device is manufactured by electrically connecting the bonding substrate and the semiconductor chip, a highly accurate semiconductor device can be provided.

また、本発明の位置決め装置は、上記した位置決め方法を用いることを特徴としている。   The positioning device of the present invention is characterized by using the above-described positioning method.

これにより、位置決め部に位置決めされている物品と、位置決め部に位置決めされていない物品とに対する対応を変えることができるため、精度よく、かつ良好で迅速な位置決めを行なう位置決め装置を提供することができる。   Thereby, since the correspondence with respect to the article positioned in the positioning portion and the article not positioned in the positioning portion can be changed, it is possible to provide a positioning device that performs accurate, good and quick positioning. .

また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記した位置決め方法を用いて半導体装置を製造することを特徴としている。   The semiconductor device manufacturing method of the present invention is characterized in that the semiconductor device is manufactured using the positioning method described above.

これにより、高精度の半導体装置を製造することができるとともに、そのスループットを従来と比較して向上させることが可能となる。   As a result, a highly accurate semiconductor device can be manufactured, and the throughput can be improved as compared with the conventional one.

また、本発明に係る半導体装置の製造装置は、上記した位置決め方法を用いることを特徴としている。   A semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention is characterized by using the positioning method described above.

これにより、高精度の半導体装置を製造することができるとともに、そのスループットを従来と比較して向上させた半導体装置の製造装置を提供することができる。   As a result, a highly accurate semiconductor device can be manufactured, and a semiconductor device manufacturing apparatus having an improved throughput as compared with the related art can be provided.

また、本発明に係る位置決め装置は、上述した課題を解決するために、複数の物品を位置決め用基板上に位置決めする位置決め装置であって、複数の位置決め部が設けられた位置決め用基板と、上記物品を移動させるとともに、当該物品を当該位置決め用基板に一時固定するように構成された操作手段と、上記位置決め部に対する上記物品の位置を検知する検知手段と、上記操作手段を制御する制御手段とを備えており、上記操作手段および検知手段は、上記複数の位置決め部それぞれに対応するように設けられており、上記制御手段は、各上記位置決め部に対応する各上記検知手段の検知結果に基づいて、上記複数の物品のうち、上記位置決め部に位置決めされた物品を上記位置決め用基板に一時固定するように、かつ上記位置決め部に位置決めされなかった物品を再度移動させて当該位置決め部に位置決めするように、各々の位置決め部に対応する上記操作手段を制御することを特徴としている。   The positioning device according to the present invention is a positioning device for positioning a plurality of articles on a positioning substrate in order to solve the above-described problem, and the positioning substrate provided with a plurality of positioning portions, An operating means configured to move the article and temporarily fix the article to the positioning substrate; a detecting means for detecting the position of the article relative to the positioning portion; and a control means for controlling the operating means; The operation means and the detection means are provided so as to correspond to each of the plurality of positioning portions, and the control means is based on detection results of the detection means corresponding to the positioning portions. Among the plurality of articles, the article positioned in the positioning unit is temporarily fixed to the positioning substrate and positioned in the positioning unit. Moves that were not determined article again so as to position the positioning portion, is characterized by controlling the operation means corresponding to each of the positioning unit.

上記の構成によれば、上記操作手段および検知手段が、位置決め部の数設けられており、各位置決め部に対応するように設けられている。さらに、上記制御手段は、上記検知手段によって上記位置決め部に位置決めされたことが検知された上記半導体回路部材を上記位置決め用基板上に一時固定するように、反対に位置決め部に位置決めされなかったことが検知された上記半導体回路部材を再度移動させて、当該位置決め部に位置決めするように上記操作手段を制御することができることから、位置決め部に位置決めされている半導体回路部材と、位置決め部に位置決めされていない半導体回路部材とに対する対応を変えることができるため、精度よく、かつ良好で迅速な位置決めを行なうことが可能となる。   According to said structure, the said operation means and the detection means are provided in the number of positioning parts, and are provided corresponding to each positioning part. Further, the control means was not positioned by the positioning section, so as to temporarily fix the semiconductor circuit member detected by the detection means to the positioning section on the positioning substrate. Since the operation means can be controlled so as to move the semiconductor circuit member detected again to position the positioning portion, the semiconductor circuit member positioned by the positioning portion and the positioning portion are positioned. Since it is possible to change the correspondence to the semiconductor circuit member that is not, it is possible to perform accurate, good and quick positioning.

すなわち、本発明の位置決め装置によれば、複数の物品のうち、位置決め部に位置決めされなかった物品を再度位置決めすることができる。そのため、複数の物品を位置決めする場合であっても、位置決めを高精度で行なうことができる。   That is, according to the positioning device of the present invention, among a plurality of articles, an article that has not been positioned by the positioning unit can be positioned again. Therefore, even when positioning a plurality of articles, positioning can be performed with high accuracy.

また、複数の物品のうち、位置決め部に位置決めされたものから順次位置決め用基板に一時固定されるため、位置決め部に位置決めされなかった物品を再度位置決めする際、既に位置決め部に位置決めされている上記物品は移動しない。言い換えれば、複数の物品のうち、位置決め部に位置決めされなかった物品に対してのみを位置決めを再度行なうことができる。   Further, among the plurality of articles, since the articles positioned in the positioning unit are temporarily fixed sequentially to the positioning substrate, when the article that has not been positioned in the positioning unit is positioned again, the article is already positioned in the positioning unit. The article does not move. In other words, it is possible to perform positioning again only for an article that has not been positioned by the positioning unit among the plurality of articles.

これにより、既に位置決め部に位置決めされて位置決め用基板に一時固定された物品が、位置決め部に位置決めされなかった物品を再度位置決めする間に位置決め部からずれたり、外れたりしてしまうことはない。したがって、複数の物品を位置決めする場合であっても、迅速に位置決めを行なうことができる。   Accordingly, the article that has already been positioned by the positioning unit and temporarily fixed to the positioning substrate is not displaced or detached from the positioning unit while repositioning the article that has not been positioned by the positioning unit. Therefore, even when positioning a plurality of articles, positioning can be performed quickly.

また、上記の構成とすることにより、既に位置決め部に位置決めされた物品が、位置決めされていない物品を再度位置決めするための操作によって、位置決め部などの他の部材とこすれる可能性を著しく低減させることができる。   In addition, with the above-described configuration, the possibility that an article that has already been positioned in the positioning portion will be rubbed with other members such as the positioning portion due to an operation for re-positioning an unpositioned article is significantly reduced. Can do.

これにより、こすれによる物品の破損や、ダストの発生を回避することが可能となり、複数の物品を全て良好に位置決めすることができる。   Thereby, it becomes possible to avoid the damage of the article | item by dust and generation | occurrence | production of dust, and all the some articles | goods can be positioned satisfactorily.

したがって、上記の構成とすることにより、複数の物品を、精度よく、かつ迅速に位置決めを行なうことが可能である位置決め装置を提供することができる。   Therefore, with the above configuration, it is possible to provide a positioning device capable of positioning a plurality of articles with high accuracy and speed.

また、本発明に係る位置決め装置は、上記操作手段は、上記位置決め用基板の表面に対して上記物品を非接触状態で移動させるように構成されていることが好ましい。   In the positioning device according to the present invention, it is preferable that the operation means is configured to move the article in a non-contact state with respect to the surface of the positioning substrate.

上記の構成によれば、物品が移動中に位置決め用基板と接触および衝突することがなく、物品の破損や、ダストの発生をなくすことが可能となる。   According to the above configuration, the article does not come into contact with or collide with the positioning substrate during movement, and the article can be prevented from being damaged or dust generated.

また、本発明に係る位置決め装置は、上記検知手段が、上記位置決め用基板の表面に沿った二次元方向における上記物品の位置を検知する第1検知部および、上記位置決め用基板の表面に対して垂直方向における上記物品の位置を検知する第2検知部を有していることが好ましい。   In the positioning device according to the present invention, the detection means detects the position of the article in a two-dimensional direction along the surface of the positioning substrate, and the surface of the positioning substrate. It is preferable to have a second detection unit that detects the position of the article in the vertical direction.

上記の構成とすれば、検知手段が、上記二次元方向における上記物品の位置を検知する第1検知部および、上記垂直方向における上記物品の位置を検知する第2検知部を構成していることから、高精度で位置決めを実行することが可能となる。具体的には、本発明の位置決め装置は、第1検知部および第2検知部によって物品の位置を検知し、その双方の検知結果に基づいて、操作手段が制御される。これにより、特に上記第1検知部を用いることによって、位置決め部と物品との間の隙間を数〜10μm程度の高い精度で制御することができる。   With the above configuration, the detection means constitutes a first detection unit that detects the position of the article in the two-dimensional direction and a second detection unit that detects the position of the article in the vertical direction. Therefore, positioning can be executed with high accuracy. Specifically, in the positioning device of the present invention, the position of the article is detected by the first detection unit and the second detection unit, and the operation means is controlled based on both detection results. Thereby, especially the said 1st detection part can be used, and the clearance gap between a positioning part and articles | goods can be controlled with a high precision of about several 10 micrometers.

したがって、本発明の位置決め方法によれば、例えば回路等が形成された接合基板に、物品である半導体チップを貼り合わせ、電気的に接続するような場合の当該半導体チップの位置決めであっても、正確に位置決めを実行することが可能である。   Therefore, according to the positioning method of the present invention, for example, when the semiconductor chip as an article is bonded and electrically connected to a bonded substrate on which a circuit or the like is formed, It is possible to perform positioning accurately.

また、本発明に係る位置決め装置は、上記位置決め用基板に貫通穴が設けられており、上記操作手段は、上記貫通穴を通じて上記位置決め用基板の表面に、気体を排出または吸引するように構成されていることが好ましい。   In the positioning device according to the present invention, a through hole is provided in the positioning substrate, and the operation means is configured to discharge or suck gas to the surface of the positioning substrate through the through hole. It is preferable.

上記の構成とすれば、物品は、位置決め用基板の表面に設けられた貫通穴から排出された気体によって当該位置決め用基板の表面に対して非接触状態となる。非接触状態となったところで、例えば位置決め用基板を傾斜するような手段を操作手段に備えることによって、位置決め用基板を傾斜すれば、物品は自重で位置決め用基板の表面を移動することができる。   With the above configuration, the article is brought into a non-contact state with respect to the surface of the positioning substrate by the gas discharged from the through hole provided on the surface of the positioning substrate. When the non-contact state is reached, for example, by providing means for tilting the positioning substrate in the operating means, the article can move on the surface of the positioning substrate by its own weight if the positioning substrate is tilted.

したがって、上記の構成とすれば、全ての物品を、物品の破損や、ダストの発生なく良好に位置決めを行なうことができる。   Therefore, if it is set as said structure, all articles | goods can be positioned satisfactorily without the damage of articles | goods or generation | occurrence | production of dust.

また、流体力を用いて物品を移動させるため、従来技術において電子部品の移動に用いられていた振動の場合のような共振現象による周波数や振幅の変動が起こらない。そのため、位置決め用基板上の面内に渡って、物品を安定して移動させることが可能であり、よって、物品の個数が増えて位置決め用基板サイズが大きくなった場合であっても、これらを一括して位置決めしやすい。   In addition, since the article is moved using the fluid force, the frequency and the amplitude are not changed by the resonance phenomenon as in the case of the vibration used for moving the electronic component in the prior art. Therefore, it is possible to stably move the article over the surface on the positioning substrate, and therefore, even when the number of articles is increased and the positioning substrate size is increased. Easy to position all at once.

また、本発明に係る位置決め装置は、上記物品には、当該物品が上記位置決め用基板に一時固定された際、上記位置決め用基板と上記位置決め部とに当接する当接部材が設けられていることが好ましい。   In the positioning device according to the present invention, the article is provided with an abutting member that abuts the positioning substrate and the positioning portion when the article is temporarily fixed to the positioning substrate. Is preferred.

上記の構成とすれば、上記位置決め用基板と上記位置決め部とに当接する当接部材が物品に設けられているため、特に、物品が、位置決め部に位置決めされたことが検知されて位置決め用基板に一時固定される際、位置決め用基板および位置決め部に接触することがない。   With the above configuration, since the article is provided with a contact member that contacts the positioning substrate and the positioning portion, in particular, the positioning substrate is detected when the article is positioned on the positioning portion. When temporarily fixed to the positioning substrate, there is no contact with the positioning substrate and the positioning portion.

これにより、物品を破損させることなく位置決めを行なうことができる。   Thereby, positioning can be performed without damaging an article.

また、本発明に係る位置決め装置は、上記物品には、第1磁性体が形成されており、上記操作手段には、上記第1磁性体に対して引力および斥力を有する第2磁性体が設けられていることが好ましい。   In the positioning device according to the present invention, a first magnetic body is formed on the article, and a second magnetic body having attraction and repulsive force with respect to the first magnetic body is provided on the operating means. It is preferable that

上記の構成とすれば、当接部材が設けられた物品と、位置決め用基板とを引力および斥力によって操作することができる。すなわち、したがって、第2磁性体が設けられた操作手段によって、当接部材に設けられた第1磁性体との間に斥力を形成することによって、物品と位置決め用基板との間を非接触状態にすることができる。上記物品と位置決め用基板とが非接触状態となったところで、例えば位置決め用基板を傾斜するような手段を操作手段に備えることによって、位置決め用基板を傾斜すれば、物品は自重で位置決め用基板の表面を移動することができる。一方、第2磁性体が設けられた操作手段によって、当接部材に設けられた第1磁性体との間に引力を形成することによって、物品を位置決め用基板に一時固定することができる。   With the above configuration, the article provided with the contact member and the positioning substrate can be operated by attractive force and repulsive force. That is, therefore, the repulsive force is formed between the first magnetic body provided on the contact member by the operating means provided with the second magnetic body, so that the article and the positioning substrate are not in contact with each other. Can be. When the article and the positioning substrate are not in contact with each other, for example, by providing the operating means with a means for tilting the positioning substrate, if the positioning substrate is tilted, the article is weighted by the weight of the positioning substrate. The surface can be moved. On the other hand, the article can be temporarily fixed to the positioning substrate by forming an attractive force with the first magnetic body provided on the contact member by the operating means provided with the second magnetic body.

このように、第1磁性体および第2磁性体を設けることによって、全ての物品を、破損やダストの発生なく位置決めを良好に行なうことができる。   As described above, by providing the first magnetic body and the second magnetic body, it is possible to satisfactorily position all articles without causing damage or dust.

また、磁力を用いて物品を移動させるため、従来技術において電子部品の移動に用いられていた振動の場合のような共振現象による周波数や振幅の変動が起こらない。そのため、位置決め用基板上の面内に渡って、物品を安定して移動させることが可能であり、よって、物品の個数が増えて位置決め用基板サイズが大きくなった場合であっても、これらを一括して位置決めしやすい。   Further, since the article is moved using the magnetic force, the frequency and the amplitude are not changed by the resonance phenomenon as in the case of the vibration used for the movement of the electronic component in the prior art. Therefore, it is possible to stably move the article over the surface on the positioning substrate, and therefore, even when the number of articles is increased and the positioning substrate size is increased. Easy to position all at once.

なお、物品自体に上記第1磁性体に相当する部材が設けられている場合は、上記当接部材を備えることなく、当該物品と位置決め用基板とを磁力を用いて移動および一時固定することが可能である。   In addition, when the article itself is provided with a member corresponding to the first magnetic body, the article and the positioning substrate can be moved and temporarily fixed using magnetic force without providing the contact member. Is possible.

また、本発明に係る位置決め装置は、上記第1検知部には、撮像部を備えた画像表示手段を備えることができる。   In the positioning device according to the present invention, the first detection unit may include image display means including an imaging unit.

上記画像表示手段として例えばCCDカメラを用いて、位置決め用基板上の位置決め部と物品の位置を上方から撮影するというような構成とすることによって、上記位置決め用基板の表面に沿った二次元方向の物品の位置を検知することが可能となる。   For example, a CCD camera is used as the image display means, and the position of the positioning portion and the article on the positioning substrate is photographed from above, so that a two-dimensional direction along the surface of the positioning substrate is obtained. The position of the article can be detected.

上記物品としてシリコンチップが用いられた場合、鏡面研磨されたシリコンチップ表面の反射率は高い一方、金属やガラスからなる位置決め用基板表面の反射率は低いため、シリコンチップと位置決め部との間に隙間があれば、隙間の部分はモニタ画像上では暗く映ることになり、チップが正しく位置決めできていないと検知することができる。反対に、シリコンチップと位置決め部との間に隙間がなければ(すなわち、位置決め部にシリコンチップがきちんと接して位置決めされていれば)モニタ画面上ではシリコンチップ表面の明るい画像が映ることになり、シリコンチップが正しく位置決めされていると検知することができる。   When a silicon chip is used as the article, the reflectance of the mirror-polished silicon chip surface is high, while the reflectance of the positioning substrate surface made of metal or glass is low. If there is a gap, the gap will appear dark on the monitor image, and it can be detected that the chip is not correctly positioned. On the contrary, if there is no gap between the silicon chip and the positioning part (that is, if the silicon chip is positioned in contact with the positioning part), a bright image of the silicon chip surface will be displayed on the monitor screen, It can be detected that the silicon chip is correctly positioned.

また、上記画像表示手段は、物品の状態を検知した後、その検知結果を操作手段に送り、正しく位置決めできた物品における気体の排出(もしくは斥力の形成)を止め、当該物品を真空吸着によって(引力によって)、位置決め用基板に一時固定させることができる。なお、この時、上記第2検知部は、位置決め用基板の表面と物品(または当接部材)の裏面との距離を検知して気体の排出量(もしくは斥力)を調節し、物品がゆっくりと非接触状態から接触状態に移行するように働くことができる。   Further, the image display means detects the state of the article, and then sends the detection result to the operation means, stops the discharge of gas (or formation of repulsive force) in the article that has been correctly positioned, and removes the article by vacuum suction ( Can be temporarily fixed to the positioning substrate). At this time, the second detection unit detects the distance between the front surface of the positioning substrate and the back surface of the article (or contact member) to adjust the gas discharge amount (or repulsive force), and the article is slowly It can act to transition from a non-contact state to a contact state.

また、本発明に係る位置決め装置は、上記第1検知部をレーザー変位計とすることができる。   In the positioning device according to the present invention, the first detection unit can be a laser displacement meter.

上記レーザー変位計として、位置決め用基板の表面に対して垂直方向の変位を検出できるように構成されたものを用いることによって、位置決め用基板面の高さ(仮にゼロと設定)を検出すれば、所定の位置に物品が配置されていないことを意味し、物品が正しく位置決めできていないと検知できる。一方、物品の高さ(半導体回路部材の厚みに相当)を検出すれば、所定の位置に物品があることを意味し、物品が正しく位置決めされていると検知することができる。   If the height of the positioning substrate surface (assumed to be set to zero) is detected by using a laser displacement meter configured to detect displacement in the direction perpendicular to the surface of the positioning substrate, This means that the article is not arranged at a predetermined position, and it can be detected that the article is not correctly positioned. On the other hand, if the height of the article (corresponding to the thickness of the semiconductor circuit member) is detected, it means that the article is at a predetermined position, and it can be detected that the article is correctly positioned.

また、本発明に係る半導体装置の製造装置は、上記した特徴を有する位置決め装置を備えていることを特徴としている。   In addition, a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention includes a positioning device having the above-described characteristics.

上記の構成とすれば、半導体回路部材は、上記位置決め用基板上に精度よく、かつ良好に位置決めされていることから、続いて回路等が形成された接合基板上に一括して接合し、半導体回路部材と接合基板とを電気的に接続して半導体装置を製造する場合に、高精度の半導体装置を製造できる。   With the above configuration, since the semiconductor circuit member is positioned accurately and satisfactorily on the positioning substrate, the semiconductor circuit member is then collectively bonded onto the bonding substrate on which the circuit and the like are formed, and the semiconductor When a semiconductor device is manufactured by electrically connecting the circuit member and the bonding substrate, a highly accurate semiconductor device can be manufactured.

これにより、高精度の半導体装置を製造することができるとともに、そのスループットを従来と比較して向上させた半導体装置の製造装置を提供することできる。   As a result, a highly accurate semiconductor device can be manufactured, and a semiconductor device manufacturing apparatus having an improved throughput as compared with the related art can be provided.

本発明に係る位置決め方法は、以上のように、複数の物品を、位置決め用基板上に設けられた複数の位置決め部にそれぞれ位置決めする物品の位置決め方法であって、上記物品を、上記位置決め用基板の表面に対して非接触状態で移動させるとともに、上記位置決め用基板上における上記物品の位置を各々検知することによって、上記複数の物品のうち、位置決めされた物品を上記位置決め用基板に一時固定するとともに、位置決めされなかった物品を、再度、上記非接触状態で移動させて位置決めすることを特徴としている。   As described above, the positioning method according to the present invention is a method for positioning an article for positioning a plurality of articles on a plurality of positioning portions provided on a positioning substrate, wherein the article is placed on the positioning substrate. The surface of the plurality of articles is temporarily fixed to the positioning substrate by detecting the position of the article on the positioning substrate and detecting the position of the article on the positioning substrate. At the same time, an article that has not been positioned is again moved and positioned in the non-contact state.

また同じく、本発明に係る位置決め方法は、上述した課題を解決するために、複数の物品を、位置決め用基板上に設けられた複数の位置決め部にそれぞれ位置決めする物品の位置決め方法であって、上記物品を、上記位置決め用基板の表面に対して非接触状態で移動させる移動工程と、上記位置決め用基板上における上記物品の位置を検知する検知工程と、上記検知工程によって上記位置決め部に位置決めされたことが検知された上記物品を、上記位置決め用基板に一時固定する固定工程とを含んでおり、上記複数の物品それぞれに対して互いに独立して上記移動工程と検知工程と固定工程とが実行され、上記位置決め部に位置決めされなかったことが上記検知工程によって検知された上記物品に対しては、再度、上記移動工程および検知工程が実行されることを特徴としている。   Similarly, the positioning method according to the present invention is a method for positioning an article for positioning a plurality of articles on a plurality of positioning portions provided on a positioning substrate in order to solve the above-described problem. The article is positioned on the positioning portion by the moving step of moving the article in a non-contact state with respect to the surface of the positioning substrate, the detecting step of detecting the position of the article on the positioning substrate, and the detecting step. A fixing step of temporarily fixing the detected article to the positioning substrate, and the moving step, the detecting step, and the fixing step are performed independently of each other for the plurality of articles. For the article that has been detected by the detection process to have not been positioned by the positioning unit, the movement process and the detection process are performed again. It is characterized by but is executed.

さらに、本発明に係る位置決め装置は、以上のように、複数の物品を位置決め用基板上に位置決めする位置決め装置であって、複数の位置決め部が設けられた位置決め用基板と、上記物品を移動させるとともに、当該物品を当該位置決め用基板に一時固定するように構成された操作手段と、上記位置決め用基板上における上記物品の位置を検知する検知手段と、上記操作手段を制御する制御手段とを備えており、上記操作手段および検知手段は、上記複数の位置決め部それぞれに対応するように設けられており、上記制御手段は、各上記位置決め部に対応する各上記検知手段の検知結果に基づいて、上記複数の物品のうち、上記位置決め部に位置決めされた物品を上記位置決め用基板に一時固定するように、かつ上記位置決め部に位置決めされなかった物品を再度移動させて当該位置決め部に位置決めするように、各々の位置決め部に対応する上記操作手段を制御することを特徴としている。   Furthermore, the positioning device according to the present invention is a positioning device that positions a plurality of articles on a positioning substrate as described above, and moves the article with a positioning substrate provided with a plurality of positioning portions. And an operating means configured to temporarily fix the article to the positioning substrate, a detecting means for detecting the position of the article on the positioning substrate, and a control means for controlling the operating means. The operation means and the detection means are provided so as to correspond to each of the plurality of positioning portions, and the control means is based on the detection results of the detection means corresponding to the positioning portions, Among the plurality of articles, the article positioned in the positioning unit is positioned on the positioning unit so as to be temporarily fixed to the positioning substrate. The never been article is moved back to position to the positioning unit, it is characterized by controlling the operation means corresponding to each of the positioning unit.

以上の構成により、本発明によれば、位置決め部に位置決めされている半導体回路部材と、位置決め部に位置決めされていない半導体回路部材とに対する対応を変えることができるため、精度よく、かつ迅速に位置決めを行なうことが可能となる。   With the above configuration, according to the present invention, since the correspondence between the semiconductor circuit member positioned at the positioning portion and the semiconductor circuit member not positioned at the positioning portion can be changed, positioning can be performed accurately and quickly. Can be performed.

また、本発明によれば、半導体回路部材を位置決め用基板の表面に対して非接触状態で移動させるため、半導体回路部材が位置決め用基板や位置決め部と衝突することがなく、半導体回路部材の破損や、ダストの発生をなくすことが可能となる。   Further, according to the present invention, since the semiconductor circuit member is moved in a non-contact state with respect to the surface of the positioning substrate, the semiconductor circuit member does not collide with the positioning substrate or the positioning portion, and the semiconductor circuit member is damaged. In addition, it is possible to eliminate the generation of dust.

〔実施の形態1〕
本発明に係る位置決め方法および位置決め装置、並びに当該位置決め方法および位置決め装置を用いた半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置についての一実施形態を説明する。
[Embodiment 1]
An embodiment of a positioning method and a positioning apparatus according to the present invention, and a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device manufacturing apparatus using the positioning method and positioning apparatus will be described.

なお、以下の説明では、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲が、以下の実施形態および図面に限定されるものではない。   In the following description, various technically preferable limitations for carrying out the present invention are given, but the scope of the present invention is not limited to the following embodiments and drawings.

また、以下の説明では、半導体回路部品の位置決め方法および位置決め装置について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体回路部品以外にも、センサー等の電子部品や、機械部品、バイオチップ等の生物化学部品などに本発明を適用することが可能である。   Further, in the following description, a semiconductor circuit component positioning method and positioning device will be described, but the present invention is not limited to this, in addition to semiconductor circuit components, electronic components such as sensors, mechanical components, The present invention can be applied to biochemical components such as biochips.

まず、図1ないし図13に基づいて本発明に係る位置決め方法および位置決め装置について以下に説明する。   First, a positioning method and positioning device according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

図1は、本発明の一実施形態である位置決め装置1の構成を示した断面図である。図1に示す位置決め装置1は、例えば後述するような半導体装置の製造において半導体チップを予め位置決めし、その後、接合基板上の所定の位置に半導体チップを配置する場合に、その位置決めを行なうために用いることができる。そのため、本発明の一実施形態である位置決め装置1は、図1に示すように位置決め用基板2と、位置決めストッパー(位置決め部)3と、気流発生装置4および傾斜手段5からなる操作手段6と、第1センサー部7aおよび第2センサー部7bからなるセンサー(検知手段)7と、制御手段8とを備えている。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a positioning device 1 according to an embodiment of the present invention. The positioning device 1 shown in FIG. 1 is used to position a semiconductor chip in advance when, for example, a semiconductor device is manufactured as described later, and then the semiconductor chip is placed at a predetermined position on the bonding substrate. Can be used. Therefore, as shown in FIG. 1, the positioning device 1 according to an embodiment of the present invention includes a positioning substrate 2, a positioning stopper (positioning portion) 3, an airflow generating device 4, and an operating means 6 including an inclination means 5. , A sensor (detecting means) 7 including a first sensor portion 7a and a second sensor portion 7b, and a control means 8 are provided.

上記位置決め用基板2の表面に複数の上記位置決めストッパー3が設けられており、上記の気流発生装置4とセンサー7とは、各位置決めストッパー3に対応するように配設されている。また、上記の気流発生装置4と、操作手段6と、センサー7とは制御手段8に接続されている。   A plurality of the positioning stoppers 3 are provided on the surface of the positioning substrate 2, and the airflow generation device 4 and the sensor 7 are disposed so as to correspond to the positioning stoppers 3. The airflow generation device 4, the operation means 6, and the sensor 7 are connected to the control means 8.

なお、図1に示す本実施形態の位置決め装置1では、位置決め用基板2上に2つの位置決めストッパー3が配設された構成となっており、2つの半導体回路部材を位置決めできるように構成されている。しかしながら、本発明では、位置決めストッパー3の数はこれに限定されるものではなく、3つ以上の位置決めストッパー3を有した位置決め用基板2であってもよいことは言うまでもない。   In the positioning device 1 according to the present embodiment shown in FIG. 1, two positioning stoppers 3 are arranged on the positioning substrate 2 so that the two semiconductor circuit members can be positioned. Yes. However, in the present invention, the number of the positioning stoppers 3 is not limited to this, and needless to say, the positioning substrate 2 having three or more positioning stoppers 3 may be used.

上記位置決め用基板2は、位置決めの対象となる図示しない複数の半導体回路部材(物品)を載置できるとともに、当該半導体回路部材を移動させて、位置決めストッパー3に位置決めさせた半導体回路部材を一時固定することができる。位置決め用基板2としては、ガラス、窒化珪素、コバール、インバーと言った材料を用いて構成することができる。   The positioning substrate 2 can place a plurality of semiconductor circuit members (articles) (not shown) to be positioned, and the semiconductor circuit members positioned by the positioning stopper 3 are temporarily fixed by moving the semiconductor circuit members. can do. The positioning substrate 2 can be configured using materials such as glass, silicon nitride, Kovar, and Invar.

上記位置決め用基板2には複数の貫通穴9が設けられている。上記貫通穴9は、その一端が、半導体回路部材を一時固定する側にて開口しており、他端は気流発生装置4に接続されており、後述するように、気流発生装置4によって貫通穴9の内部を気体が流れるように構成されている。   A plurality of through holes 9 are provided in the positioning substrate 2. One end of the through-hole 9 is open on the side where the semiconductor circuit member is temporarily fixed, and the other end is connected to the airflow generation device 4. It is comprised so that gas may flow through the inside of 9.

なお、上記位置決め用基板2には、後の工程で例えば接合基板と半導体回路部材とを貼り付けることを想定して、図1に示すように位置合わせ用マーカー30・30が設けられていてもよい。   Note that the positioning substrate 2 is provided with alignment markers 30 and 30 as shown in FIG. 1, assuming that, for example, a bonding substrate and a semiconductor circuit member are attached in a later step. Good.

また、本実施形態の位置決め装置1では、3つの貫通穴9が1つの気流発生装置4に接続されているが、本発明はその数に限定されるものではない。   Moreover, in the positioning device 1 of the present embodiment, the three through holes 9 are connected to the single airflow generation device 4, but the present invention is not limited to that number.

上記位置決めストッパー3は、半導体回路部材を位置決めする際の基準となり、上記位置決め用基板2上に配設されている。後述するように、半導体回路部材は、この位置決めストッパー3で止まり、そこで一時固定される。図2に位置決め用基板2、貫通穴9、位置決めストッパー3、第2センサー部7bの具体的な配置位置を示す。   The positioning stopper 3 serves as a reference for positioning the semiconductor circuit member, and is disposed on the positioning substrate 2. As will be described later, the semiconductor circuit member stops at the positioning stopper 3 and is temporarily fixed there. FIG. 2 shows specific arrangement positions of the positioning substrate 2, the through hole 9, the positioning stopper 3, and the second sensor portion 7b.

図2に示すように、貫通穴9は位置決め用基板2表面の全面に形成されている。また、位置決めストッパー3は、図2に示すようにL字型に構成されている。この位置決めストッパー3には、後述するように半導体回路部材がその隣接する2辺をL字型に当接させて止まる。   As shown in FIG. 2, the through hole 9 is formed on the entire surface of the positioning substrate 2. Further, the positioning stopper 3 is formed in an L shape as shown in FIG. As will be described later, the semiconductor circuit member stops at the positioning stopper 3 by abutting two adjacent sides in an L shape.

なお、上記位置決めストッパー3の形状や位置決め用基板2表面からの高さ(すなわち、位置決めストッパー3の厚み)は、半導体回路部材を止めることができれば特に限定されるものではなく、形状に関しては、例えば図3に示すように、L字型の角部がない形状の位置決めストッパー3a(図3(a))や、半円型の位置決めストッパー3b(図3(b))などであってもよく、半導体回路部材の形状や大きさに応じて適宜設定することができる。   The shape of the positioning stopper 3 and the height from the surface of the positioning substrate 2 (that is, the thickness of the positioning stopper 3) are not particularly limited as long as the semiconductor circuit member can be stopped. As shown in FIG. 3, it may be a positioning stopper 3a (FIG. 3 (a)) having no L-shaped corners, a semicircular positioning stopper 3b (FIG. 3 (b)), It can be appropriately set according to the shape and size of the semiconductor circuit member.

上記操作手段6は、位置決め用基板2上に載置された複数の半導体回路部材を各位置決めストッパー3まで移動させるとともに、各位置決めストッパー3にて位置決めされた半導体回路部材を位置決め用基板2に一時固定できるように構成されている。   The operation means 6 moves a plurality of semiconductor circuit members placed on the positioning substrate 2 to the positioning stoppers 3 and temporarily moves the semiconductor circuit members positioned by the positioning stoppers 3 to the positioning substrate 2. It is configured to be fixed.

具体的には、操作手段6は、図1に示すように気流発生装置4および傾斜手段5から構成されている。   Specifically, the operating means 6 is composed of an airflow generation device 4 and an inclination means 5 as shown in FIG.

上記気流発生装置4は、貫通穴9の一端に接続されており、位置決め用基板2の半導体回路部材載置側に向けて気体を排出(排気)でき、かつ同じ側から外気を吸入(吸気)できる。これにより、詳細は後述するが、排気によって、位置決め用基板2に載置された半導体回路部材を位置決め用基板2表面に対して非接触状態にすることができる。また、吸気によって、非接触状態であった半導体回路部材を位置決め用基板2表面に対して吸着させることができる。吸着させることができることによって、各位置決めストッパー3に位置決めされた各半導体回路部材を位置決め用基板2上に一時固定することができる。   The airflow generation device 4 is connected to one end of the through hole 9, can discharge (exhaust) gas toward the semiconductor circuit member mounting side of the positioning substrate 2, and inhale outside air from the same side (intake). it can. Thereby, although details will be described later, the semiconductor circuit member placed on the positioning substrate 2 can be brought into a non-contact state with respect to the surface of the positioning substrate 2 by exhaust. Further, the semiconductor circuit member that has been in a non-contact state can be adsorbed to the surface of the positioning substrate 2 by the intake air. By being able to adsorb, each semiconductor circuit member positioned by each positioning stopper 3 can be temporarily fixed on the positioning substrate 2.

なお、ここで「一時固定」とは、半導体回路部材が位置決め用基板2表面に半永久的に固定するのではなく、半導体回路部材を後の工程で位置決め用基板2から離脱することを前提として、一時的に位置決め用基板2に固定することをいう。すなわち、通常、本実施形態の位置決め装置および位置決め方法は、複数の半導体回路部材を、他の部材(例えば接合基板)に配置する場合に半導体回路部材を予め配列しておくために用いられる。そのため、半導体回路部材は位置決め用基板2に半永久的に固定するのではなく、一時的に固定する必要がある。   Here, “temporary fixing” is based on the premise that the semiconductor circuit member is not semi-permanently fixed to the surface of the positioning substrate 2 but is removed from the positioning substrate 2 in a later step. It means temporarily fixing to the positioning substrate 2. That is, the positioning device and the positioning method of the present embodiment are normally used for arranging semiconductor circuit members in advance when a plurality of semiconductor circuit members are arranged on another member (for example, a bonded substrate). For this reason, the semiconductor circuit member needs to be temporarily fixed rather than semi-permanently fixed to the positioning substrate 2.

また、上記気流発生装置4それぞれは、図1に示すように制御手段8に接続されており、詳細は後述するが制御手段8の制御を受ける。上記気流発生装置4としては、例えばコンバム、あるいは窒素配管と真空配管を組み合わせたものを用いることができる。   Each of the airflow generation devices 4 is connected to the control means 8 as shown in FIG. 1 and is controlled by the control means 8 as will be described in detail later. As the airflow generation device 4, for example, a comb or a combination of nitrogen piping and vacuum piping can be used.

上記傾斜手段5は、位置決め用基板2を傾斜させるために設けられている。上記傾斜手段5は、図1に示すように位置決め用基板2における半導体回路部材を載置する側とは反対側に設けられている。上記傾斜手段5は制御手段8に接続されており、詳細は後述するが制御手段8の制御を受ける。上記傾斜手段5としては、例えば傾斜ステージ、昇降ステージ等を用いることができる。   The tilting means 5 is provided for tilting the positioning substrate 2. The tilting means 5 is provided on the opposite side of the positioning substrate 2 from the side on which the semiconductor circuit member is placed, as shown in FIG. The tilting means 5 is connected to the control means 8 and is controlled by the control means 8 as will be described in detail later. As the tilting means 5, for example, a tilting stage, an elevating stage or the like can be used.

上記センサー7は、位置決め用基板2上における半導体回路部材の位置を検知するために設けられており、第1センサー部7aおよび第2センサー部7bから構成されている。以下に、第1センサー部7aおよび第2センサー部7bについて詳述する。   The sensor 7 is provided to detect the position of the semiconductor circuit member on the positioning substrate 2, and is composed of a first sensor portion 7a and a second sensor portion 7b. Below, the 1st sensor part 7a and the 2nd sensor part 7b are explained in full detail.

上記第1センサー部7aは、位置決め用基板2の表面に沿った方向(以下、これを二次元方向と呼ぶ)における半導体回路部材の位置を検知できる。   The first sensor unit 7a can detect the position of the semiconductor circuit member in a direction along the surface of the positioning substrate 2 (hereinafter referred to as a two-dimensional direction).

上記第1センサー部7aには、撮像部および表示部を備えた画像表示手段を用いることができる他、実施の形態2において説明するようにレーザー変位計を用いることも可能である。本実施形態では、図1に示すように撮像部7a−1および表示部7a−2を備えた画像表示手段(以下、第1センサー部7aと呼ぶ)を用いている。特に、半導体回路部材が単結晶シリコンチップである場合は、単結晶シリコンチップ表面の反射率は、位置決め用基板2表面の反射率に比べて著しく高いため、上記画像表示手段が好適である。   As the first sensor unit 7a, an image display unit including an imaging unit and a display unit can be used, and a laser displacement meter can be used as described in the second embodiment. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, an image display means (hereinafter, referred to as a first sensor unit 7a) including an imaging unit 7a-1 and a display unit 7a-2 is used. In particular, when the semiconductor circuit member is a single crystal silicon chip, the image display means is suitable because the reflectance of the surface of the single crystal silicon chip is significantly higher than the reflectance of the surface of the positioning substrate 2.

以下に、本実施形態の第1センサー部7aの検知原理を図4(a)・(b)に基づいて説明する。図4(a)・(b)は、撮像部7a−1で撮像され、表示部7a−2に表示された半導体回路部材10の撮像画像を示した図である。   Below, the detection principle of the 1st sensor part 7a of this embodiment is demonstrated based on Fig.4 (a) * (b). 4A and 4B are diagrams illustrating captured images of the semiconductor circuit member 10 captured by the imaging unit 7a-1 and displayed on the display unit 7a-2.

半導体回路部材10として単結晶シリコンチップ(以下、半導体回路部材と呼ぶ)を用いる場合、上記したように、半導体回路部材10と位置決め用基板2との反射率の差を利用することができ、撮像画像でみると半導体回路部材10が位置決め用基板2に比べて明るく表示される。これにより、半導体回路部材10の位置を検知することができる。具体的には、図4(a)に示すように、位置決めストッパー3と半導体回路部材10との間に暗く表示された領域Dが確認できれば、半導体回路部材10と位置決めストッパー3との間に隙間があることを示し、よって、半導体回路部材10が正確に位置決めされていないと判断することができる。一方、図4(b)では、位置決めストッパー3と半導体回路部材10との間に領域Dが確認できない。すなわち、半導体回路部材10が位置決めストッパー3に正確に位置決めされていると判断することができる。   When a single crystal silicon chip (hereinafter referred to as a semiconductor circuit member) is used as the semiconductor circuit member 10, as described above, the difference in reflectance between the semiconductor circuit member 10 and the positioning substrate 2 can be used, and imaging is performed. As seen from the image, the semiconductor circuit member 10 is displayed brighter than the positioning substrate 2. Thereby, the position of the semiconductor circuit member 10 can be detected. Specifically, as shown in FIG. 4A, if a darkly displayed area D is confirmed between the positioning stopper 3 and the semiconductor circuit member 10, a gap is formed between the semiconductor circuit member 10 and the positioning stopper 3. Therefore, it can be determined that the semiconductor circuit member 10 is not accurately positioned. On the other hand, in FIG. 4B, the region D cannot be confirmed between the positioning stopper 3 and the semiconductor circuit member 10. That is, it can be determined that the semiconductor circuit member 10 is accurately positioned on the positioning stopper 3.

次に、図1および図2に示す上記第2センサー部7bは、位置決め用基板2の表面に対して垂直方向の半導体回路部材の位置を検知するために設けられている。すなわち、第2センサー部7bは、位置決め用基板2と半導体回路部材との距離を検知することができる。上記第2センサー部7bは、図1および図2に示すように、L字型の位置決めストッパー3の角部に近接した位置決め用基板2上にその検知する面が設けられるように配設されている。   Next, the second sensor portion 7 b shown in FIGS. 1 and 2 is provided for detecting the position of the semiconductor circuit member in the direction perpendicular to the surface of the positioning substrate 2. That is, the second sensor unit 7b can detect the distance between the positioning substrate 2 and the semiconductor circuit member. As shown in FIGS. 1 and 2, the second sensor portion 7 b is disposed on the positioning substrate 2 close to the corner of the L-shaped positioning stopper 3 so that a surface to be detected is provided. Yes.

上記第2センサー部7bとしては、距離測定センサーやレーザー変位計を用いることができるが、これに限定されるものではない。   As the second sensor unit 7b, a distance measuring sensor or a laser displacement meter can be used, but is not limited thereto.

図1に示す上記制御手段8は、半導体回路部材の位置に関する信号を第1センサー部7aおよび第2センサー部7bから受け、図1に示す各気流発生装置4と各傾斜手段5を制御することができるように構成されている。   The control means 8 shown in FIG. 1 receives signals relating to the position of the semiconductor circuit member from the first sensor part 7a and the second sensor part 7b, and controls each airflow generating device 4 and each inclination means 5 shown in FIG. It is configured to be able to.

上記制御手段8の具体的な機能については、以下に説明する本実施の形態の位置決め方法とともに説明する。   Specific functions of the control means 8 will be described together with the positioning method of the present embodiment described below.

図5(a)〜(e)は、本実施の形態の位置決め方法を説明するための説明図である。なお、図5(a)〜(e)には一部、部材間を接続する配線を省略している箇所がある。   FIGS. 5A to 5E are explanatory diagrams for explaining the positioning method of the present embodiment. 5 (a) to 5 (e) include a part where wiring for connecting members is omitted.

まず、半導体回路部材10を位置決め用基板2上に載置して、気流発生装置4から位置決め用基板2表面に向けて排気する(気流を図中に矢印で示す)ことにより、図5(a)に示すように、半導体回路部材10が位置決め用基板2の表面に対して非接触状態となる。この状態で、傾斜手段5を用いて位置決め用基板2を傾斜させことによって、図5(b)に示すように、複数の半導体回路部材10を各々の自重で移動させることができる(移動工程)。なお、上記した気流発生装置4および傾斜手段5は制御手段によって制御されている。   First, the semiconductor circuit member 10 is placed on the positioning substrate 2 and exhausted from the airflow generator 4 toward the surface of the positioning substrate 2 (the airflow is indicated by an arrow in the figure), whereby FIG. ), The semiconductor circuit member 10 is not in contact with the surface of the positioning substrate 2. In this state, by tilting the positioning substrate 2 using the tilting means 5, the plurality of semiconductor circuit members 10 can be moved by their own weights as shown in FIG. 5B (moving step). . The airflow generation device 4 and the tilting means 5 described above are controlled by the control means.

移動中の各半導体回路部材10の位置は、図5(b)に示すように、各位置決めストッパー3に設けられている第1センサー部7aおよび第2センサー部7bを用いて検知することができる(検知工程)。具体的には、位置決め用基板2の表面に沿った二次元方向における半導体回路部材10の位置を第1センサー部7aで検知し、かつ位置決め用基板2の表面に対して垂直方向における半導体回路部材10の位置を第2センサー部7bで検知する。   As shown in FIG. 5B, the position of each semiconductor circuit member 10 that is moving can be detected by using the first sensor portion 7 a and the second sensor portion 7 b provided on each positioning stopper 3. (Detection process). Specifically, the position of the semiconductor circuit member 10 in the two-dimensional direction along the surface of the positioning substrate 2 is detected by the first sensor unit 7a, and the semiconductor circuit member in the direction perpendicular to the surface of the positioning substrate 2 is used. The position of 10 is detected by the second sensor unit 7b.

各半導体回路部材10の第1センサー部7aおよび第2センサー部7bによる検知信号は、それぞれ上記制御手段8に送られる。   Detection signals from the first sensor portion 7a and the second sensor portion 7b of each semiconductor circuit member 10 are sent to the control means 8, respectively.

次に、制御手段8が各第1センサー部7aおよび各第2センサー部7bから受けた検知信号に基づいて、複数の半導体回路部材10のうち、図5(b)の左側に示すように位置決めストッパー3に正確に位置決めされていると判断すると、位置決めされた半導体回路部材10に対応する気流発生装置4を制御して、その気流発生装置4に吸気を行なわせる。これにより、位置決めストッパー3に正確に位置決めされた半導体回路部材10は、位置決め用基板2に一時固定される。続いて、制御手段8が位置決め用基板2を水平に戻すように傾斜手段5を制御する。こうして、図5(c)の左側に示すように、位置決めストッパー3に正確に位置決めされた半導体回路部材10は、位置決め用基板2に一時固定される(固定工程)。   Next, the control means 8 is positioned as shown on the left side of FIG. 5B among the plurality of semiconductor circuit members 10 based on the detection signals received from the first sensor portions 7a and the second sensor portions 7b. If it is determined that the stopper 3 is accurately positioned, the airflow generation device 4 corresponding to the positioned semiconductor circuit member 10 is controlled to cause the airflow generation device 4 to perform intake. Thereby, the semiconductor circuit member 10 accurately positioned by the positioning stopper 3 is temporarily fixed to the positioning substrate 2. Subsequently, the control means 8 controls the tilting means 5 so as to return the positioning substrate 2 to the horizontal position. Thus, as shown on the left side of FIG. 5C, the semiconductor circuit member 10 accurately positioned by the positioning stopper 3 is temporarily fixed to the positioning substrate 2 (fixing step).

一方、図5(c)の時点で、制御手段8によって位置決めストッパー3に位置決めされていないと判断された半導体回路部材10(図5(b)(c)の右側)に対しては、制御手段8は、この半導体回路部材10に対応する気流発生装置4に再度排気させるように制御して、この半導体回路部材10を再度非接触状態にするとともに、図5(d)に示すように、再度位置決め用基板2が傾斜するように傾斜手段5を制御して、この半導体回路部材10の位置決めを再度行なう。   On the other hand, for the semiconductor circuit member 10 (right side of FIGS. 5B and 5C) that is determined not to be positioned by the positioning stopper 3 by the control means 8 at the time of FIG. 8 controls the airflow generation device 4 corresponding to the semiconductor circuit member 10 to exhaust again, thereby bringing the semiconductor circuit member 10 into a non-contact state again, and again as shown in FIG. The tilting means 5 is controlled so that the positioning substrate 2 is tilted, and the semiconductor circuit member 10 is positioned again.

再度位置決めを行なった結果、対応する第1センサー部7aおよび第2センサー部7bの検知結果に基づいて、制御手段8が、その半導体回路部材10が位置決めストッパー3に正確に位置決めされていると判断すると、図5(b)〜(d)の左側の半導体回路部材10と同様の工程を経て、位置決め用基板2に一時固定することができる。   As a result of positioning again, the control means 8 determines that the semiconductor circuit member 10 is accurately positioned on the positioning stopper 3 based on the detection results of the corresponding first sensor portion 7a and second sensor portion 7b. Then, it can be temporarily fixed to the positioning substrate 2 through the same process as the semiconductor circuit member 10 on the left side of FIGS.

また、制御手段8では、第2センサー部7bの検知結果に基づいて、排気している途中の気流発生装置4を制御し、その排気量を調整することができる。これにより、排気から吸気への切替えを段階的に行なうことができる。そのため、急激な切替えによる位置決めストッパー3や位置決め用基板2への半導体回路部材10の衝突、および衝突による破損を回避することができる。   Moreover, the control means 8 can control the airflow generation device 4 in the middle of exhausting and adjust the exhaust amount based on the detection result of the second sensor unit 7b. Thereby, switching from exhaust to intake can be performed in stages. Therefore, the collision of the semiconductor circuit member 10 with the positioning stopper 3 and the positioning substrate 2 due to abrupt switching and the damage due to the collision can be avoided.

以上のように、本実施形態の位置決め方法によれば、複数の半導体回路部材10のうち、位置決めストッパー3に位置決めされなかった半導体回路部材10を再度位置決めすることができる。そのため、複数の半導体回路部材10を位置決めする場合であっても、位置決めを正確に行なうことができる。   As described above, according to the positioning method of the present embodiment, the semiconductor circuit member 10 that has not been positioned by the positioning stopper 3 among the plurality of semiconductor circuit members 10 can be positioned again. Therefore, even when positioning a plurality of semiconductor circuit members 10, positioning can be performed accurately.

また、複数の半導体回路部材10のうち、位置決めストッパー3に位置決めされたものから順次位置決め用基板2に一時固定されるため、位置決めストッパー3に位置決めされなかった半導体回路部材10を再度位置決めする際、既に位置決めストッパー3に位置決めされている半導体回路部材10は、図5(c)〜(e)の左側に示すように一時固定して、移動できない構成となっている。言い換えれば、複数の半導体回路部材10のうち、位置決めストッパー3に位置決めされなかった半導体回路部材10に対してのみ、位置決めを行なうことができる。   Further, among the plurality of semiconductor circuit members 10, since the semiconductor circuit member 10 that has not been positioned by the positioning stopper 3 is re-positioned because it is temporarily fixed to the positioning substrate 2 sequentially from the one positioned by the positioning stopper 3. The semiconductor circuit member 10 that has already been positioned by the positioning stopper 3 is temporarily fixed and cannot move as shown on the left side of FIGS. In other words, positioning can be performed only for the semiconductor circuit member 10 that is not positioned by the positioning stopper 3 among the plurality of semiconductor circuit members 10.

これにより、位置決めストッパー3に位置決めされなかった半導体回路部材10を再度位置決めする間に、既に位置決めされた半導体回路部材10が、対応する位置決めストッパー3からずれたり、外れたりすることがなく、位置決めされていた半導体回路部材10を再び位置決めし直すことがない。したがって、本実施形態の位置決め方法によれば、複数の半導体回路部材10を位置決めする場合であっても、迅速、かつ正確に位置決めを行なうことができる。   Thus, while the semiconductor circuit member 10 that has not been positioned by the positioning stopper 3 is positioned again, the already-positioned semiconductor circuit member 10 is positioned without being displaced from or disengaged from the corresponding positioning stopper 3. The semiconductor circuit member 10 that has been used is not repositioned. Therefore, according to the positioning method of this embodiment, positioning can be performed quickly and accurately even when positioning a plurality of semiconductor circuit members 10.

また、既に位置決めされている半導体回路部材10は一時固定されていることから、この半導体回路部材10が位置決めされていない半導体回路部材10を再度位置決めするための操作によって、位置決めストッパー3などの他の部材と半導体回路部材10がこすれる可能性を著しく低減させることができる。   Further, since the already positioned semiconductor circuit member 10 is temporarily fixed, another operation such as positioning stopper 3 is performed by an operation for repositioning the semiconductor circuit member 10 where the semiconductor circuit member 10 is not positioned. The possibility of rubbing the member and the semiconductor circuit member 10 can be significantly reduced.

これにより、こすれによる半導体回路部材10の破損や、ダストの発生を回避することが可能となり、複数の半導体回路部材10を全て良好な状態で位置決めすることができる。   As a result, it is possible to avoid damage to the semiconductor circuit member 10 and generation of dust due to rubbing, and it is possible to position the plurality of semiconductor circuit members 10 in a good state.

さらに、上記の構成によれば、全ての半導体回路部材10は、位置決め用基板2の表面に対して非接触状態で移動するため、移動中に半導体回路部材10が位置決め用基板2や位置決めストッパー3に衝突する虞はなく、半導体回路部材10の破損や、ダストの発生をなくすことが可能となる。   Further, according to the above configuration, since all the semiconductor circuit members 10 move in a non-contact state with respect to the surface of the positioning substrate 2, the semiconductor circuit members 10 move while the positioning substrate 2 and the positioning stopper 3 are moving. It is possible to eliminate the damage of the semiconductor circuit member 10 and the generation of dust.

また、上記した位置決め方法では、位置決め用基板2の表面に沿った二次元方向の検知と、位置決め用基板2の表面に対して垂直方向の検知との2種類の検知を行ない、これらの検知結果に基づいて、位置決め用基板2への半導体回路部材10の一時固定が行なわれるか、再び位置決めが行なわれるか判断される。特に、二次元方向の検知を行なうことによって、本発明の位置決め方法によれば、二次元方向において数〜10μm程度の位置決め精度を得ることができる。   In the positioning method described above, two types of detection are performed: two-dimensional detection along the surface of the positioning substrate 2 and detection in the vertical direction with respect to the surface of the positioning substrate 2. Based on the above, it is determined whether the semiconductor circuit member 10 is temporarily fixed to the positioning substrate 2 or is positioned again. In particular, by performing detection in a two-dimensional direction, according to the positioning method of the present invention, a positioning accuracy of about several to 10 μm can be obtained in the two-dimensional direction.

例えば、二次元方向の検知およびその検知結果に応じて位置決めを判断する本発明の工程がなく、位置決め用基板に設けた突起部と、位置決め対象である部材に設けた溝部との整合によってのみ位置決めが行なわれる場合では、上記二次元方向の精度は、溝部と突起部とのクリアランスを約0.1mm以上とるため、数百μm程度である。   For example, there is no process of the present invention for determining the positioning according to the detection in the two-dimensional direction and the detection result, and positioning is performed only by alignment between the protrusion provided on the positioning substrate and the groove provided on the member to be positioned. Is performed, the accuracy in the two-dimensional direction is about several hundred μm because the clearance between the groove and the protrusion is about 0.1 mm or more.

したがって、本実施形態の位置決め方法によれば、二次元方向の検知を行ない、かつその検知結果がフィードバックされるため、高い位置決め精度を得ることができる。   Therefore, according to the positioning method of the present embodiment, detection in the two-dimensional direction is performed and the detection result is fed back, so that high positioning accuracy can be obtained.

よって、例えば回路等が形成された接合基板に、半導体回路部材である半導体チップを貼り合わせ、電気的に接続するような場合の半導体チップの位置決めであっても正確、かつ高精度で実行することができる。   Therefore, for example, when a semiconductor chip as a semiconductor circuit member is bonded to a bonding substrate on which a circuit or the like is formed and electrically connected, the positioning of the semiconductor chip is performed accurately and with high accuracy. Can do.

以上のように、上記の方法によれば、複数の半導体回路部材10を、精度よく、かつ良好で迅速に位置決めをすることが可能となる。   As described above, according to the above method, the plurality of semiconductor circuit members 10 can be accurately and satisfactorily and quickly positioned.

なお、図5(a)〜(e)では、2つの半導体回路部材10を位置決めする方法について説明したが、本発明の位置決め装置および位置決め方法はこの数に限定されるものではない。   5A to 5E, the method for positioning the two semiconductor circuit members 10 has been described. However, the positioning device and the positioning method of the present invention are not limited to this number.

本実施形態のように流体力を用いて半導体回路部材10を移動させることによって、振動によって電子部品の移動を行なっていた従来技術の場合のような共振現象による周波数や振幅の変動が起こらない。流体力を用いることによって、位置決め用基板2上の面内に渡って、半導体回路部材10を安定して移動させることが可能であり、よって、半導体回路部材10の個数が増えて位置決め用基板2のサイズが大きくなった場合であっても、これらを一括して位置決めしやすい。   By moving the semiconductor circuit member 10 using fluid force as in the present embodiment, fluctuations in frequency and amplitude due to a resonance phenomenon as in the case of the prior art in which electronic components are moved by vibration do not occur. By using the fluid force, it is possible to stably move the semiconductor circuit member 10 over the surface on the positioning substrate 2. Therefore, the number of the semiconductor circuit members 10 is increased and the positioning substrate 2 is increased. Even when the size of the is increased, it is easy to position them collectively.

また、図5(a)〜(e)に基づいて説明した本実施形態の位置決め方法では、図5(b)・(c)の右側に示した位置決めされていない半導体回路部材10は、図5(d)(e)を経て位置決めストッパー3に位置決めを完了することができたが、本発明はこれに限定されるものではなく、図5(d)・(e)を経ても位置決めストッパー3に位置決めを行なうことができない場合は、位置決めできるまで図5(d)・(e)に示す操作を繰り返すことができる。   Further, in the positioning method of the present embodiment described with reference to FIGS. 5A to 5E, the unpositioned semiconductor circuit member 10 shown on the right side of FIGS. (D) Although positioning to the positioning stopper 3 could be completed through (e), the present invention is not limited to this, and the positioning stopper 3 is not limited to this through FIGS. 5 (d) and (e). If positioning cannot be performed, the operations shown in FIGS. 5D and 5E can be repeated until positioning is possible.

なお、本実施形態では、センサー7として第1センサー部7aおよび第2センサー部7bの2つの部材を設けているが、上記した効果を奏することができれば、1つのセンサー部によって実施することも可能である。   In the present embodiment, the two members of the first sensor unit 7a and the second sensor unit 7b are provided as the sensor 7. However, if the above-described effects can be obtained, the sensor 7 can be implemented by one sensor unit. It is.

次に、上記で説明した本実施形態の位置決め方法および位置決め装置を用いて位置決めされる半導体回路部材について説明する。   Next, a semiconductor circuit member that is positioned using the positioning method and positioning apparatus of the present embodiment described above will be described.

図4(a)・(b)に基づいて説明したように、本実施形態の位置決め方法および位置決め装置では、第1センサー部7aとして画像表示手段を用いることができる。そこで、以下では、単結晶シリコンチップを半導体回路部材10として用いた場合の半導体回路部材10の構成について説明する。   As described with reference to FIGS. 4A and 4B, in the positioning method and positioning device of the present embodiment, an image display means can be used as the first sensor unit 7a. Therefore, hereinafter, the configuration of the semiconductor circuit member 10 when a single crystal silicon chip is used as the semiconductor circuit member 10 will be described.

(半導体回路部材)
図6は、半導体回路部材10の構成を示す断面図である。図6に示す半導体回路部材10には、表面にソース・ドレイン部不純物注入部11が形成された単結晶シリコン(Si)基板(以下、「単結晶Si基板」という)12の上にゲート酸化膜13が形成され、その上に、ゲート電極14が形成され、さらにその上に、このゲート電極14等を覆うために層間絶縁膜15が形成されている。また、単結晶Si基板12におけるソース・ドレイン部不純物注入部11の所定の深さには、水素イオン注入層16が形成されている。上記工程は、例えば0.5μm程度の微細加工プロセスにより行われている。この半導体回路部材10は、例えば、10mm程度×10mm程度の大きさである。
(Semiconductor circuit members)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor circuit member 10. A semiconductor circuit member 10 shown in FIG. 6 includes a gate oxide film on a single crystal silicon (Si) substrate (hereinafter referred to as “single crystal Si substrate”) 12 having a source / drain portion impurity implantation portion 11 formed on the surface thereof. 13 is formed, a gate electrode 14 is formed thereon, and an interlayer insulating film 15 is further formed thereon to cover the gate electrode 14 and the like. Further, a hydrogen ion implanted layer 16 is formed at a predetermined depth of the source / drain impurity implanted portion 11 in the single crystal Si substrate 12. The above process is performed by, for example, a microfabrication process of about 0.5 μm. The semiconductor circuit member 10 has a size of about 10 mm × 10 mm, for example.

次に半導体回路部材10の作製方法について、図7(a)〜(c)に基づいて説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor circuit member 10 will be described with reference to FIGS.

図7(a)に示すように、直径6インチ(約15cm)又は8インチ(約20cm)程度の単結晶シリコンウェハ12aの状態から、一般的なICプロセスに従って、必要があればロコス(LOCOS(Local Oxidation of Silicon:選択酸化法))酸化分離(Isolation)処理や場合によってはシャロー・トレンチ・アイソレーション処理をして分離を行ない、図6に示したように、ゲート酸化膜13の熱酸化、ゲート電極14の形成およびパターニング、ソース・ドレイン部不純物注入部11への不純物の注入、不純物活性化、層間絶縁膜15の形成、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械研磨)による層間絶縁膜15の平坦化、水素イオン注入層16への水素イオン注入のプロセスを経る。水素イオン注入の際に、水素元素と他の元素(例えば、He元素)をco−implantしても良い。   As shown in FIG. 7A, from the state of the single crystal silicon wafer 12a having a diameter of about 6 inches (about 15 cm) or 8 inches (about 20 cm), if necessary, LOCOS (LOCOS ( Local Oxidation of Silicon: Selective oxidation method)) Oxidation isolation (isolation) or, in some cases, shallow trench isolation, is performed for isolation, and as shown in FIG. Formation and patterning of the gate electrode 14, implantation of impurities into the source / drain impurity implantation portion 11, impurity activation, formation of the interlayer insulation film 15, and formation of the interlayer insulation film 15 by CMP (Chemical Mechanical Polishing). A process of planarization and hydrogen ion implantation into the hydrogen ion implantation layer 16 is performed. At the time of hydrogen ion implantation, a hydrogen element and another element (for example, a He element) may be co-implanted.

なお、上記のプロセスにおいて、層間絶縁膜15を成膜後、図示しないコンタクトホール開口、ソース・ドレインメタル成膜、そのパターニング、パッシベーション膜成膜、そのCMPによる平坦化した後、上記水素イオン注入層16への水素イオン注入というように、工程を進めておいても良い。   In the above process, after the interlayer insulating film 15 is formed, contact hole opening (not shown), source / drain metal film formation, patterning, passivation film formation, planarization by CMP, and the hydrogen ion implantation layer are performed. The process may be advanced such as hydrogen ion implantation into 16.

上記の工程を進めることにより、図7(b)に示すように、区切られたそれぞれの領域に単結晶Siトランジスタからなる半導体回路がそれぞれ形成された単結晶シリコンウェハ10aが完成する。次に、図6に示すように、保護膜17を塗布する。   By proceeding with the above steps, as shown in FIG. 7B, a single crystal silicon wafer 10a in which semiconductor circuits each made of a single crystal Si transistor are formed in each partitioned region is completed. Next, as shown in FIG. 6, a protective film 17 is applied.

最後に、図7(c)に示すように、単結晶シリコンウェハ10aを、通常のブレードダイシング装置またはレーザーダインシング法等で、チップ状の半導体回路部材10に分断する。以上の方法によって半導体回路部材10を作製することができる。   Finally, as shown in FIG. 7C, the single crystal silicon wafer 10a is divided into chip-like semiconductor circuit members 10 by a normal blade dicing apparatus or a laser dicing method. The semiconductor circuit member 10 can be produced by the above method.

なお、さらに望ましくは、この半導体回路部材10に、当接部材が設けられていてもよい。すなわち、図21(a)に示すように、図6で説明した半導体回路部材10の構成に加えて、半導体基板の表面に当接部材45が設けられた半導体回路部材10-(1)であってもよい。   More preferably, the semiconductor circuit member 10 may be provided with a contact member. That is, as shown in FIG. 21A, in addition to the configuration of the semiconductor circuit member 10 described with reference to FIG. 6, the semiconductor circuit member 10- (1) has a contact member 45 provided on the surface of the semiconductor substrate. May be.

上記当接部材45は、例えばレジストやドライフィルムレジストといった感光性樹脂から構成することができる。   The contact member 45 can be made of a photosensitive resin such as a resist or a dry film resist.

上記当接部材45を設けることによって、半導体回路部材10-(1)が、位置決めストッパー3に位置決めされたことが検知されて位置決め用基板2に一時固定される際、半導体回路部材10-(1)における当接部材45以外の部分を位置決め用基板2および位置決めストッパー3に接触させないようにすることができる。これにより、半導体回路部材10-(1)の当接部材45以外の部分を破損させることなく位置決めを行なうことができる。   By providing the contact member 45, when the semiconductor circuit member 10- (1) is detected to be positioned by the positioning stopper 3 and is temporarily fixed to the positioning substrate 2, the semiconductor circuit member 10- (1) ) Other than the contact member 45 can be prevented from contacting the positioning substrate 2 and the positioning stopper 3. Thereby, positioning can be performed without damaging parts other than the contact member 45 of the semiconductor circuit member 10- (1).

以下に、当接部材45が形成された半導体回路部材10-(1)を作製する方法を説明する。なお、説明の便宜上、以下の説明では先に述べた半導体回路部材10と同一の作製工程は省略する。   Hereinafter, a method for manufacturing the semiconductor circuit member 10- (1) in which the contact member 45 is formed will be described. For convenience of description, the same manufacturing steps as those of the semiconductor circuit member 10 described above are omitted in the following description.

まず、図22(a)に示すように、先に述べた半導体回路部材10の作製方法と同様の方法で、区切られたそれぞれの領域に単結晶Siトランジスタからなる半導体回路がそれぞれ形成された単結晶シリコンウェハ10aを作成する。   First, as shown in FIG. 22A, a single circuit in which a semiconductor circuit made of a single crystal Si transistor is formed in each of the divided regions by a method similar to the method for manufacturing the semiconductor circuit member 10 described above. A crystalline silicon wafer 10a is created.

次に、上記単結晶シリコンウェハ10aの表面に、図6に示すような保護膜17を形成した後、その上に感光性樹脂を塗布又はラミネートする。保護膜17としては、感光性のない樹脂や金属薄膜を用いる。感光性樹脂としては、例えば、フォトレジストやドライフィルムレジストを用いる。   Next, after forming a protective film 17 as shown in FIG. 6 on the surface of the single crystal silicon wafer 10a, a photosensitive resin is applied or laminated thereon. As the protective film 17, a non-photosensitive resin or metal thin film is used. For example, a photoresist or a dry film resist is used as the photosensitive resin.

分断後の半導体回路部材10-(1)が高精度に位置決めできるように、単結晶シリコンウェハ10aの表側に形成した半導体回路デバイスの位置を基準として、感光性樹脂をフォトリソグラフィにより、露光、及び現像して、当接部材45を形成する(図22(b))。上記当接部材45の高さとしては、半導体回路部材10-(1)が位置決め用基板2上に形成した位置決めストッパー3に引っかかる程度の段差があれば良いが、位置決めストッパー3の高さよりも高くしておくことが好ましい。具体的には、1〜50μm程度の段差を設けることができる。   The photosensitive resin is exposed by photolithography using the position of the semiconductor circuit device formed on the front side of the single crystal silicon wafer 10a as a reference so that the divided semiconductor circuit member 10- (1) can be positioned with high accuracy. Development is performed to form the contact member 45 (FIG. 22B). As the height of the contact member 45, it is sufficient if there is a level difference enough to cause the semiconductor circuit member 10- (1) to be caught by the positioning stopper 3 formed on the positioning substrate 2, but it is higher than the height of the positioning stopper 3. It is preferable to keep it. Specifically, a step of about 1 to 50 μm can be provided.

続いて、図22(c)に示すように、表面に当接部材45が形成された単結晶シリコンウェハ10aを、通常のブレードダイシング装置或いはレーザーダインシング法等で、チップ状の半導体回路部材10-(1)に分断する。一般的に、ブレードダンシング装置によるチップの外形加工精度は、±10μm程度であり、精度は良くない。また、YAGレーザー等を用いたレーザーダイシングはチッピングが発生し易く加工精度はよくない。しかし、本実施の形態においては、半導体回路部材10-(1)の表面に塗布又はラミネートされた感光性樹脂をフォトリソグラフィすることにより、半導体回路部材10の表面にある半導体回路デバイスの位置に対して高精度に位置合わせ(フォトリソグラフィ精度:±0.26μm程度)及び加工(加工精度:±0.3μm程度)された当接部材45(フォトリソグラフィ精度と加工精度との2乗和:±0.4μm程度)が形成されているため、例え分断時の半導体回路部材10-(1)の外形加工精度が悪くても半導体回路部材10-(1)の位置決めには全く影響を及ぼさない。従って、当接部材を設けない外形合わせの場合に比べて、より高精度に半導体回路部材を位置決めすることが出来る。   Subsequently, as shown in FIG. 22 (c), the single-crystal silicon wafer 10a having the contact member 45 formed on the surface thereof is converted into a chip-like semiconductor circuit member 10 by a normal blade dicing apparatus or a laser dicing method. -Divide into (1). In general, the accuracy of external processing of a chip by a blade dancing device is about ± 10 μm, and the accuracy is not good. In addition, laser dicing using a YAG laser or the like is likely to cause chipping, and the processing accuracy is not good. However, in the present embodiment, the photosensitive resin coated or laminated on the surface of the semiconductor circuit member 10- (1) is photolithography so that the position of the semiconductor circuit device on the surface of the semiconductor circuit member 10 is reduced. And a contact member 45 (photolithographic accuracy and processing accuracy square sum: ± 0) that has been aligned (photolithographic accuracy: about ± 0.26 μm) and processed (processing accuracy: about ± 0.3 μm). Therefore, the positioning of the semiconductor circuit member 10- (1) is not affected at all even if the accuracy of the outer shape of the semiconductor circuit member 10- (1) at the time of division is poor. Accordingly, it is possible to position the semiconductor circuit member with higher accuracy than in the case of the outer shape matching without providing the contact member.

このように作製された半導体回路部材10(又は10-(1))は、上記した位置決め方法および位置決め装置によって位置決め用基板2に位置決めした後、回路等が形成された接合基板に貼り付けて半導体装置を製造する。以下に、この接合基板について説明する。   The semiconductor circuit member 10 (or 10- (1)) manufactured in this way is positioned on the positioning substrate 2 by the positioning method and positioning device described above, and then attached to a bonding substrate on which a circuit or the like is formed. Manufacture equipment. Hereinafter, the bonded substrate will be described.

(接合基板)
図8(a)〜(d)は、接合基板の作製工程を説明した図である。接合基板18aは、図8(d)に示すように、マザーガラス19と、このマザーガラス19上に形成された二酸化ケイ素系絶縁膜20と、さらにその上に形成された複数のパネルに含まれる多結晶シリコンデバイス21とからなっており、複数のパネル18bを含んでいる。
(Bonded substrate)
8A to 8D are diagrams illustrating a manufacturing process of a bonded substrate. As shown in FIG. 8D, the bonding substrate 18a is included in a mother glass 19, a silicon dioxide insulating film 20 formed on the mother glass 19, and a plurality of panels formed thereon. It consists of a polycrystalline silicon device 21 and includes a plurality of panels 18b.

上記接合基板18aを作製するときには、図8(a)に示すように、まず、マザーガラス19上に、プラズマCVD法によりTEOS膜を50〜200nm程度デポジションし、二酸化ケイ素系絶縁膜20を形成する。   When the bonding substrate 18a is manufactured, as shown in FIG. 8A, first, a TEOS film is deposited on the mother glass 19 by a plasma CVD method to a thickness of about 50 to 200 nm to form a silicon dioxide insulating film 20. To do.

次いで、プラズマCVD法により非晶質シリコン膜22を30〜200nm程度形成し、非晶質シリコン膜22中の水素を離脱させるため、450〜600℃程度の熱で30〜60分熱処理(アニール)する。この熱処理により、非晶質シリコン膜22中の水素含有量を1×1019cm−3以下にすることができる。なお、固相結晶成長も兼ねても良い。 Next, an amorphous silicon film 22 is formed to a thickness of about 30 to 200 nm by plasma CVD, and a heat treatment (annealing) is performed for 30 to 60 minutes with heat of about 450 to 600 ° C. in order to release hydrogen in the amorphous silicon film 22. To do. By this heat treatment, the hydrogen content in the amorphous silicon film 22 can be reduced to 1 × 10 19 cm −3 or less. It may also serve as solid phase crystal growth.

次に、図8(b)に示すように、上記半導体回路部材10を接合する箇所のみ、上記非晶質シリコン膜22をパターニング・エッチングして除去しておく。このパターニング除去を行なうことにより、マザーガラス19に、逐次、エキシマレーザ(λ=308nm)照射して非晶質シリコンを多結晶化させても、接合を行なう箇所はレーザー光が透過するので、マザーガラス19の表面が非晶質シリコンの融点付近にまで温度上昇することはなく、熱的ダメージを受けずに済む。   Next, as shown in FIG. 8B, the amorphous silicon film 22 is removed by patterning and etching only at the portion where the semiconductor circuit member 10 is joined. By performing this patterning removal, even if the mother glass 19 is sequentially irradiated with an excimer laser (λ = 308 nm) to crystallize amorphous silicon, laser light is transmitted through the portion to be bonded. The temperature of the surface of the glass 19 does not rise to the vicinity of the melting point of amorphous silicon, and thermal damage can be avoided.

非晶質シリコンをレーザー照射により多結晶化した後は、フォトリソグラフィ及びドライエッチング法により、多結晶シリコン膜23をトランジスタ形状にパターニングする。   After the amorphous silicon is polycrystallized by laser irradiation, the polycrystal silicon film 23 is patterned into a transistor shape by photolithography and dry etching.

次いで、図8(c)に示すように、プラズマCVD法によりTEOS膜を100nm程度デポジションし、ゲート絶縁膜24を形成する。さらに、ゲート電極材料を形成し、フォトリソグラフィによりパターニングを行ってゲート電極34を形成する。ゲート電極材料としては、例えばW/TiTaの2層構造を用いる。   Next, as shown in FIG. 8C, a TEOS film is deposited by about 100 nm by plasma CVD, and a gate insulating film 24 is formed. Further, a gate electrode material is formed and patterned by photolithography to form the gate electrode 34. As the gate electrode material, for example, a two-layer structure of W / TiTa is used.

次いで、図8(d)に示すように、多結晶シリコンのソース・ドレイン部へイオンドーピング法等により不純物注入を行った後、プラズマCVD法によりTEOS膜を100〜400nm程度デポジションし、絶縁膜25を形成する。さらに、位置決め用基板2との位置合わせ用アライメントマーカー26・26を形成することにより、接合基板18aが完成する。   Next, as shown in FIG. 8D, after implanting impurities into the source / drain portions of the polycrystalline silicon by an ion doping method or the like, a TEOS film is deposited by a plasma CVD method to about 100 to 400 nm to form an insulating film. 25 is formed. Furthermore, by forming alignment markers 26 and 26 for alignment with the positioning substrate 2, the bonded substrate 18a is completed.

次に、上記した作製方法によって作製した半導体回路部材10(又は10-(1))と接合基板18aとの貼り付け方法を説明する。   Next, a method of attaching the semiconductor circuit member 10 (or 10- (1)) manufactured by the above manufacturing method and the bonding substrate 18a will be described.

まず、図6に示した半導体回路部材10(又は10-(1))の裏面側(単結晶Si基板12側)が第1センサー部7aの撮像部に撮像されるように上向きに、トランジスタが形成されている表面側が位置決め用基板2と接するよう下向きに配置されている場合について述べる。ここで、接合基板18aには、半導体回路部材10のトランジスタ形成面側が貼りつけられるため、本実施形態の位置決め方法を用いた場合は、位置決め用基板2に位置決めされた半導体回路部材10(又は10-(1))を別の基板(以下、これを補助基板と呼ぶ)にトランスファ固定する必要がある。   First, the transistor is turned upward so that the back side (single crystal Si substrate 12 side) of the semiconductor circuit member 10 (or 10- (1)) shown in FIG. 6 is imaged by the imaging unit of the first sensor unit 7a. A case where the formed surface side is disposed downward so as to be in contact with the positioning substrate 2 will be described. Here, since the transistor formation surface side of the semiconductor circuit member 10 is affixed to the bonding substrate 18a, when the positioning method of this embodiment is used, the semiconductor circuit member 10 (or 10) positioned on the positioning substrate 2 is used. -It is necessary to transfer and fix (1)) to another board (hereinafter referred to as an auxiliary board).

そこで、以下に補助基板の構成と、位置決めされた半導体回路部材10(又は10-(1))の補助基板へのトランスファ固定と、半導体回路部材10(又は10-(1))と接合基板18aとの貼り付けについて説明する。   Therefore, the configuration of the auxiliary substrate, the transfer fixing of the positioned semiconductor circuit member 10 (or 10- (1)) to the auxiliary substrate, the semiconductor circuit member 10 (or 10- (1)) and the bonding substrate 18a are described below. The pasting will be described.

(補助基板へのトランスファ固定)
本実施の形態に用いることができる補助基板の一例を図9(a)〜(c)に基づいて説明する。なお、本発明はこれに限定されるものではない。
(Transfer fixing to auxiliary board)
An example of an auxiliary substrate that can be used in this embodiment will be described with reference to FIGS. Note that the present invention is not limited to this.

図9(a)〜(c)に示すように、補助基板27は、真空吸着により半導体回路部材10(又は10-(1))を吸着できるように構成されている。この構成以外にも、例えば補助基板27の表面に接着剤を塗布又はラミネートして、半導体回路部材10(又は10-(1))を接着するような構成であってもよい。接着剤としては、熱剥離性樹脂または光剥離性樹脂を用いることができる。なお、図9に示すように、補助基板27上には深さ100〜300nm程度の溝状の位置合わせ用マーク28・28が形成されている。   As shown in FIGS. 9A to 9C, the auxiliary substrate 27 is configured to be able to suck the semiconductor circuit member 10 (or 10- (1)) by vacuum suction. In addition to this configuration, for example, a configuration may be employed in which the semiconductor circuit member 10 (or 10- (1)) is bonded by applying or laminating an adhesive to the surface of the auxiliary substrate 27. As the adhesive, a heat peelable resin or a light peelable resin can be used. As shown in FIG. 9, groove-shaped alignment marks 28 and 28 having a depth of about 100 to 300 nm are formed on the auxiliary substrate 27.

図9(a)に示すように、位置決め用基板2上に位置決めされた複数の半導体回路部材10(又は10-(1))が、その相対位置を保ったまま一括して補助基板27へ移し替えることができるように、補助基板27の位置合わせ用マーク28・28と位置決め用基板2の位置合わせ用マーク30・30を用いて、位置決め用基板2と補助基板27との位置合わせを行なう。なお、この位置決め用基板2と補助基板27とのアライメントは必ずしも必要ではなく省くことも可能である。これは、位置決め用基板2上で位置決めした半導体回路部材10(又は10-(1))の相対位置だけが補助基板27へきちんとトランスファされていれば、接合基板18aとの最終貼り付け工程において、ある半導体回路部材10(又は10-(1))の表面側にあるアライメントマーカーと、接合基板18aのアライメントマーカー同士をアライメントすることによって、他の半導体回路部材10の貼り付け位置は必然的に決まるためである。この場合、このように補助基板27を介した貼り付け方法を用いた場合であっても、時間のかかるアライメント合わせが1回で済むので、スループットが低下することはない。   As shown in FIG. 9A, a plurality of semiconductor circuit members 10 (or 10- (1)) positioned on the positioning substrate 2 are moved to the auxiliary substrate 27 in a lump while maintaining their relative positions. The positioning substrate 2 and the auxiliary substrate 27 are aligned using the alignment marks 28 and 28 of the auxiliary substrate 27 and the alignment marks 30 and 30 of the positioning substrate 2 so that they can be changed. The alignment between the positioning substrate 2 and the auxiliary substrate 27 is not always necessary and can be omitted. If only the relative position of the semiconductor circuit member 10 (or 10- (1)) positioned on the positioning substrate 2 is properly transferred to the auxiliary substrate 27, in the final bonding step with the bonding substrate 18a, By aligning the alignment markers on the surface side of a certain semiconductor circuit member 10 (or 10- (1)) with the alignment markers on the bonding substrate 18a, the attachment positions of other semiconductor circuit members 10 are inevitably determined. Because. In this case, even when the attaching method via the auxiliary substrate 27 is used as described above, time-consuming alignment is only required once, so that the throughput is not lowered.

次いで、図9(b)に示すように、位置決め用基板2と補助基板27とを密着させ、位置決め用基板2上の半導体回路部材10(又は10-(1))を補助基板27に真空吸着させた後、位置決め用基板2の真空チャックを切り離すことによって、半導体回路部材10(又は10-(1))を補助基板27に一括して移し替える。   Next, as shown in FIG. 9B, the positioning substrate 2 and the auxiliary substrate 27 are brought into close contact with each other, and the semiconductor circuit member 10 (or 10- (1)) on the positioning substrate 2 is vacuum-adsorbed to the auxiliary substrate 27. Then, the semiconductor circuit member 10 (or 10- (1)) is collectively transferred to the auxiliary substrate 27 by separating the vacuum chuck of the positioning substrate 2.

次いで、図9(c)に示すように、補助基板27を反転させ、補助基板27毎、剥離洗浄処理することによって複数の半導体回路部材10の表面にある保護膜17を一括して除去する。なお、この保護膜17が薄い金属膜等で形成されている場合は、酸系のエッチング液等に浸すことによって保護膜17を溶かす。なお、当接部材が形成された半導体回路部材10-(1)の場合は、補助基板27毎、アッシング処理をして当接部材を一括除去し、続いて剥離洗浄処理することによって保護膜17を一括除去する。あるいは、酸系のエッチング液等により金属膜からなる保護膜17を溶かすことで、その上に形成された当接部材45も一緒にリフトオフさせて一括除去する。   Next, as shown in FIG. 9C, the auxiliary substrate 27 is inverted, and the protective film 17 on the surface of the plurality of semiconductor circuit members 10 is removed in a lump by removing and cleaning each auxiliary substrate 27. When the protective film 17 is formed of a thin metal film or the like, the protective film 17 is dissolved by being immersed in an acid-based etching solution or the like. In the case of the semiconductor circuit member 10- (1) in which the contact member is formed, the protective film 17 is obtained by performing ashing processing for each auxiliary substrate 27 to remove the contact member at a time, and subsequently performing a peeling cleaning process. Remove all at once. Alternatively, by dissolving the protective film 17 made of a metal film with an acid-based etching solution or the like, the contact member 45 formed thereon is lifted off together and removed at once.

このようにして、複数の半導体回路部材10(又は10-(1))が、その表面が出た状態で、補助基板27にトランスファ固定された(移し替えられた)状態が得られる。   In this way, a state is obtained in which the plurality of semiconductor circuit members 10 (or 10- (1)) are transfer-fixed (transferred) to the auxiliary substrate 27 with the surface thereof protruding.

一方、図6に示した半導体回路部材10の表面側(トランジスタが形成されている面側)が第1センサー部7aの撮像部に撮像されるように上向きに、裏面側(単結晶Si基板側)が位置決め用基板2と接するよう下向きに配置されている場合は、半導体表面側が上を向いているので、補助基板へトランスファ固定する工程は必要なくなり、位置決め基板上で位置決めされた半導体回路部材10の表面の保護膜17を剥離洗浄処理等により除去してやれば、直接、接合基板に貼り合せることが出来、工程を簡略化することが出来る。   On the other hand, the front surface side (surface side on which the transistor is formed) of the semiconductor circuit member 10 shown in FIG. 6 faces upward so that the imaging portion of the first sensor portion 7a is imaged, and the back surface side (single crystal Si substrate side) ) Is disposed so as to be in contact with the positioning substrate 2, the semiconductor surface side faces upward, so that the step of transfer fixing to the auxiliary substrate is not necessary, and the semiconductor circuit member 10 positioned on the positioning substrate is not required. If the protective film 17 on the surface is removed by a peeling cleaning process or the like, it can be directly bonded to the bonding substrate, and the process can be simplified.

この場合も、先に述べた場合と同様に、半導体回路部材10の裏面側にさらに当接部材が設けられていてもよい。例えば、図21(b)に示すように、図6で説明した半導体回路部材10の構成に加えて、半導体基板の裏面に当接部材45が設けられた半導体回路部材10-(2)としてもよい。このような構造とすることで、当接部材を設けていない場合の位置決めに比べて、より高精度に半導体回路部材10-(2)を位置決めすることができる。   Also in this case, a contact member may be further provided on the back surface side of the semiconductor circuit member 10 as in the case described above. For example, as shown in FIG. 21B, in addition to the configuration of the semiconductor circuit member 10 described in FIG. 6, a semiconductor circuit member 10- (2) in which a contact member 45 is provided on the back surface of the semiconductor substrate may be used. Good. By adopting such a structure, the semiconductor circuit member 10- (2) can be positioned with higher accuracy than the positioning when the contact member is not provided.

(接合基板への貼り付け)
図10(a)(b)に示すように、補助基板27上に接着された半導体回路部材10の絶縁膜15の表面、および接合基板18aの絶縁膜25の表面とを、それぞれアンモニア水と過酸化水素水と純水との混合液(SC1液)で洗浄する。この処理によって絶縁膜15および絶縁膜25の表面にOH基が付着し、接合するのに活性な状態となる。なお、必ずしもこれに限らず、例えば、SC1洗浄による表面活性化の代わりに、酸素プラズマ中に曝して、表面を活性化しても良い。
(Affixing to bonded substrate)
As shown in FIGS. 10A and 10B, the surface of the insulating film 15 of the semiconductor circuit member 10 bonded onto the auxiliary substrate 27 and the surface of the insulating film 25 of the bonding substrate 18a are respectively mixed with ammonia water and excess water. Wash with a mixed solution of hydrogen oxide water and pure water (SC1 solution). By this treatment, OH groups adhere to the surfaces of the insulating film 15 and the insulating film 25 and become active for bonding. For example, instead of surface activation by SC1 cleaning, the surface may be activated by exposure to oxygen plasma.

次いで、図11(a)に示すように、補助基板27上にトランスファ固定された複数の半導体回路部材10が、その相対位置を保ったまま一括して接合基板18aに貼り付けられるように、位置合わせ用マーク28・28および位置合わせ用マーク26・26を用いて、補助基板27と、接合基板18aとの位置合わせを行なう。   Next, as shown in FIG. 11A, the plurality of semiconductor circuit members 10 transfer-fixed on the auxiliary substrate 27 are attached to the bonding substrate 18a all together while maintaining the relative positions. Using the alignment marks 28 and 28 and the alignment marks 26 and 26, the auxiliary substrate 27 and the bonding substrate 18a are aligned.

次いで、補助基板27上の半導体回路部材10を接合基板18aに接触させ、僅かな力で押す。表面処理の結果生じる自己接合力によって接合が進行して行き、半導体回路部材10は接合基板18aへ接合(ボンディング)される。   Next, the semiconductor circuit member 10 on the auxiliary substrate 27 is brought into contact with the bonding substrate 18a and pressed with a slight force. Bonding proceeds by the self-bonding force generated as a result of the surface treatment, and the semiconductor circuit member 10 is bonded (bonded) to the bonding substrate 18a.

次いで、図11(b)に示すように、補助基板27を真空吸着から排気に切替えて、半導体回路部材10を補助基板27からリリースする。   Next, as shown in FIG. 11B, the auxiliary substrate 27 is switched from vacuum suction to exhaust, and the semiconductor circuit member 10 is released from the auxiliary substrate 27.

半導体回路部材10の表面側(トランジスタが形成されている面側)が上向きに、裏面側(単結晶Si基板側)が位置決め用基板2と接するよう下向きに配置されている場合は、上記接合基板の貼り付け工程(図10〜図11)において、位置決め用基板2が上記補助基板27に相当すると考えて同様の処理(SC1処理〜接合〜真空吸着解除)を行えば良い。   When the semiconductor circuit member 10 is disposed so that the front surface side (the surface on which the transistor is formed) faces upward and the back surface side (the single crystal Si substrate side) contacts the positioning substrate 2, the bonding substrate In the pasting step (FIGS. 10 to 11), the same processing (SC1 processing to bonding to vacuum suction release) may be performed on the assumption that the positioning substrate 2 corresponds to the auxiliary substrate 27.

次いで、図12に示すように、半導体回路部材10がボンディングされた接合基板18aに、プラズマCVD法でTEOS膜を200〜600nm程度デポジションし、段差低減のための層間絶縁膜32を形成する。   Next, as shown in FIG. 12, a TEOS film is deposited on the bonding substrate 18a to which the semiconductor circuit member 10 is bonded by a plasma CVD method to about 200 to 600 nm to form an interlayer insulating film 32 for reducing the step.

次いで、図13に示すように、半導体回路部材10がボンディングされた接合基板18aに、600℃程度の熱処理を行なうことにより、半導体回路部材10の水素イオン注入層16から単結晶Si基板12の剥離を行なう。これにより、デバイスが形成された半導体回路部材10の表側部分は接合基板18aに転写され、一方、剥離した半導体回路部材10の裏側部分は不要部分10aとして除外される。なお、本実施例では、半導体回路部材10が接合基板18aに転写された後も、接合基板18aのことを接合基板と呼ぶ。   Next, as shown in FIG. 13, the single-crystal Si substrate 12 is peeled from the hydrogen ion implanted layer 16 of the semiconductor circuit member 10 by performing a heat treatment at about 600 ° C. on the bonding substrate 18 a to which the semiconductor circuit member 10 is bonded. To do. Thereby, the front side portion of the semiconductor circuit member 10 on which the device is formed is transferred to the bonding substrate 18a, while the back side portion of the peeled semiconductor circuit member 10 is excluded as the unnecessary portion 10a. In the present embodiment, even after the semiconductor circuit member 10 is transferred to the bonding substrate 18a, the bonding substrate 18a is referred to as a bonding substrate.

最後に、半導体回路部材10が、多結晶Siデバイスを有する接合基板18aに転写された後の工程について述べる。   Finally, a process after the semiconductor circuit member 10 is transferred to the bonding substrate 18a having a polycrystalline Si device will be described.

図14(a)に示すように、接合基板18a全面をドライエッチングして、転写した半導体回路部材10を100〜200nm程度まで薄膜化する。次に、接合基板18aに、ドーピングした不純物の活性化と、転写したシリコンデバイスの欠陥回復を目的として、600〜650℃、4h程度の熱処理を行なう。さらに、図14(b)に示すように、プラズマCVD法により、層間絶縁膜36として、SiNx膜を100〜300nm程度、TEOS膜63を400〜1000nm程度デポする。   As shown in FIG. 14A, the entire surface of the bonding substrate 18a is dry-etched to thin the transferred semiconductor circuit member 10 to about 100 to 200 nm. Next, the bonding substrate 18a is subjected to heat treatment at about 600 to 650 ° C. for about 4 hours for the purpose of activating the doped impurities and recovering defects of the transferred silicon device. Further, as shown in FIG. 14B, the SiNx film is deposited to about 100 to 300 nm and the TEOS film 63 is deposited to about 400 to 1000 nm as the interlayer insulating film 36 by plasma CVD.

次いで、図15(a)に示すように、フォトリソグラフィにより、単結晶Siデバイス及び多結晶Siデバイスの配線箇所のコンタクトホール37を開口する。続いて、メタル膜をスパッタ・パターニングし、メタル配線38を形成する。これにより、転写した半導体回路部材10からなる単結晶Siデバイスと、接合基板18a上の多結晶Siデバイスとが電気的に接続された状態となり、混載デバイスが完成する。   Next, as shown in FIG. 15A, a contact hole 37 in the wiring portion of the single crystal Si device and the polycrystalline Si device is opened by photolithography. Subsequently, the metal film is sputtered and patterned to form a metal wiring 38. As a result, the transferred single crystal Si device composed of the semiconductor circuit member 10 and the polycrystalline Si device on the bonding substrate 18a are electrically connected to complete the hybrid device.

その後、図15(b)に示すように、接合基板18aと対向基板90を貼り合せた後、その間に液晶100を注入した後、接合基板18aを複数のパネル40bに分断することによって、例えば、1つの液晶ディスプレイパネルに、画素のスイッチングのための多結晶シリコンデバイスと、走査信号線駆動回路及びデータ信号線駆動回路のドライバICとなる単結晶Siデバイスとを備えた半導体装置50が完成する。   Then, as shown in FIG. 15B, after bonding the bonding substrate 18a and the counter substrate 90, after injecting the liquid crystal 100 therebetween, the bonding substrate 18a is divided into a plurality of panels 40b, for example, A semiconductor device 50 is completed, which includes a polycrystalline silicon device for switching pixels and a single-crystal Si device serving as a driver IC for a scanning signal line driving circuit and a data signal line driving circuit in one liquid crystal display panel.

以上のような工程を経て、半導体装置50を製造することができる。すなわち、半導体装置50の製造方法は上記した位置決め方法を用いて位置決めされた半導体回路部材10を貼り付けて製造されるため、高精度の半導体装置50を製造することができる。また、従来技術と比較して半導体回路部材10の位置決め方法が迅速に行なうことができるため、本実施形態の半導体装置50の製造方法を用いることにより、そのスループットを向上させることができる。   The semiconductor device 50 can be manufactured through the steps as described above. That is, the manufacturing method of the semiconductor device 50 is manufactured by attaching the semiconductor circuit member 10 positioned by using the above-described positioning method, so that the highly accurate semiconductor device 50 can be manufactured. Further, since the semiconductor circuit member 10 can be positioned more quickly than in the prior art, the throughput can be improved by using the manufacturing method of the semiconductor device 50 of the present embodiment.

〔実施の形態2〕
本発明にかかる他の実施の形態について、図16ないし図22に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施の形態では、上記実施の形態1との相違点について説明するため、説明の便宜上、実施の形態1で説明した部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を付し、その説明を省略する。
[Embodiment 2]
Another embodiment according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In this embodiment, in order to explain the difference from the first embodiment, for the sake of convenience of explanation, members having the same functions as those described in the first embodiment are denoted by the same member numbers, and Description is omitted.

図16は、本実施形態の位置決め装置1’の構成を示す断面図である。図16に示す位置決め装置1’は、上記実施の形態1にて説明した位置決め装置1に備えられた貫通穴9、気流発生装置4に代えて、第2磁性体40、調整手段41を備えている。さらに、上記実施の形態1にて説明した位置決め装置1に備えられた第1センサー部7aに代えて、本実施の形態ではレーザー変位計を第1センサー部7a’として用いている。   FIG. 16 is a cross-sectional view showing the configuration of the positioning device 1 ′ of this embodiment. A positioning device 1 ′ shown in FIG. 16 includes a second magnetic body 40 and an adjusting means 41 in place of the through hole 9 and the airflow generation device 4 provided in the positioning device 1 described in the first embodiment. Yes. Furthermore, instead of the first sensor unit 7a provided in the positioning device 1 described in the first embodiment, a laser displacement meter is used as the first sensor unit 7a 'in this embodiment.

また本実施の形態では、上記実施の形態1にて説明した半導体回路部材10の構成に加えて、図17(a)に示すように上記第2磁性体40に対応する第1磁性体42が必要である。   In the present embodiment, in addition to the configuration of the semiconductor circuit member 10 described in the first embodiment, a first magnetic body 42 corresponding to the second magnetic body 40 is provided as shown in FIG. is necessary.

上記位置決め装置1’に設けられた第2磁性体40は、半導体回路部材の第1磁性体42との間に引力を形成することによって、半導体回路部材を位置決め用基板2’に対して非接触状態にすることができ、反対に、斥力を形成することによって、位置決めストッパー3に位置決めされた半導体回路部材を位置決め用基板2’に一時固定することができる。   The second magnetic body 40 provided in the positioning device 1 ′ forms an attractive force with the first magnetic body 42 of the semiconductor circuit member so that the semiconductor circuit member is not in contact with the positioning substrate 2 ′. On the contrary, by forming a repulsive force, the semiconductor circuit member positioned by the positioning stopper 3 can be temporarily fixed to the positioning substrate 2 ′.

上記第2磁性体40は、例えば磁性薄膜や磁性フィルムから構成することができる。また、第2磁性体40は、上記調整手段41に接続している。   The said 2nd magnetic body 40 can be comprised from a magnetic thin film or a magnetic film, for example. Further, the second magnetic body 40 is connected to the adjusting means 41.

上記調整手段41は、第2磁性体40と第1磁性体42との間に形成される引力または斥力の切替える(調整)ために設けられており、具体的には、第2磁性体40を調整することによって切替えを行なうように構成されている。調整手段41は、制御手段8に接続されており、当該制御手段8の制御を受けるように構成されている。なお、調整手段41による第2磁性体40の調整、および制御手段8による調整手段41の制御については後述する。   The adjusting means 41 is provided for switching (adjusting) the attractive force or repulsive force formed between the second magnetic body 40 and the first magnetic body 42. It is configured to switch by adjusting. The adjusting means 41 is connected to the control means 8 and is configured to receive control of the control means 8. The adjustment of the second magnetic body 40 by the adjusting means 41 and the control of the adjusting means 41 by the control means 8 will be described later.

上記第1センサー部7a’は、位置決め用基板2’の表面に沿った二次元方向において半導体回路部材の位置を検知することができるように構成されている。本実施形態では、第1センサー部7a’としてレーザー変位計(以下、第1センサー部7a’と呼ぶ)を用いた場合について説明する。   The first sensor portion 7a 'is configured to detect the position of the semiconductor circuit member in a two-dimensional direction along the surface of the positioning substrate 2'. In the present embodiment, a case where a laser displacement meter (hereinafter referred to as a first sensor unit 7a ') is used as the first sensor unit 7a' will be described.

上記第1センサー部7a’は、レーザー光源と受光手段とから構成されており、図16に示すように、位置決めストッパー3それぞれに対応するように設けられている。また、第1センサー部7a’は、半導体回路部材10’の位置を検知した検知信号を制御手段8に伝えることができるように制御手段8に接続されている。   The first sensor portion 7a 'is composed of a laser light source and light receiving means, and is provided so as to correspond to each of the positioning stoppers 3 as shown in FIG. The first sensor portion 7a 'is connected to the control means 8 so that a detection signal for detecting the position of the semiconductor circuit member 10' can be transmitted to the control means 8.

以下に、これら第1センサー部7a’の具体的な配置位置および第1センサー部7a’の原理を図18(a)・(b)に基づいて説明すれば以下の通りである。   Hereinafter, the specific arrangement position of the first sensor unit 7a 'and the principle of the first sensor unit 7a' will be described with reference to FIGS. 18A and 18B.

図18(a)・(b)は、位置決め用基板2’上に設けられた位置決めストッパー3、および位置決めの対象である半導体回路部材を示すとともに、第1センサー部7a’の配設位置を示した説明図である。なお、図18(a)・(b)には説明の便宜上、位置決め用基板2’、位置決めストッパー3、半導体回路部材10’、第1センサー部7a’のみを示す。   18 (a) and 18 (b) show the positioning stopper 3 provided on the positioning substrate 2 ′ and the semiconductor circuit member to be positioned, and the arrangement position of the first sensor portion 7a ′. FIG. 18A and 18B, only the positioning substrate 2 ', the positioning stopper 3, the semiconductor circuit member 10', and the first sensor portion 7a 'are shown for convenience of explanation.

図18(a)に示すように、半導体回路部材10’が位置決めストッパー3に正確に位置決めされていない場合、第1センサー部7a’は、当該第1センサー部7a’から位置決め用基板2’の表面までの高さh(仮にゼロと設定)を検出する。一方、図18(b)に示すように、半導体回路部材が位置決めストッパー3に正確に位置決めされている場合、第1センサー部7a’は半導体回路部材の高さh(半導体回路部材10’の厚みに相当)を検出する。 As shown in FIG. 18A, when the semiconductor circuit member 10 ′ is not accurately positioned by the positioning stopper 3, the first sensor portion 7a ′ is moved from the first sensor portion 7a ′ to the positioning substrate 2 ′. The height h 0 up to the surface (assumed to be set to zero) is detected. On the other hand, as shown in FIG. 18B, when the semiconductor circuit member is accurately positioned on the positioning stopper 3, the first sensor portion 7a ′ has a height h 1 of the semiconductor circuit member (of the semiconductor circuit member 10 ′). (Corresponding to the thickness).

以上のような原理の第1センサー部7a’を各位置決めストッパー3それぞれに対応するように備えることによって、半導体回路部材10’の二次元方向の位置を検知することができる。   By providing the first sensor portion 7a 'based on the above principle so as to correspond to each positioning stopper 3, the position of the semiconductor circuit member 10' can be detected in the two-dimensional direction.

本実施形態では、第1センサー部7a’は、各位置決めストッパー3に対して3つ設けられており、図18(a)・(b)に示したように、位置決め用基板2’の表面における、L字型の位置決めストッパー3の角部および両端部に近接した領域にレーザー光が照射するように構成されている。この配置によって、二次元方向の半導体回路部材10’の位置を効率的かつ正確に検知することができる。しかしながら、本発明はこの数に限定されるものではなく、位置決めストッパー3の形状に応じて適宜設定すればよい。   In the present embodiment, three first sensor portions 7a ′ are provided for each positioning stopper 3, and as shown in FIGS. 18A and 18B, on the surface of the positioning substrate 2 ′. The L-shaped positioning stopper 3 is configured to irradiate laser light to the corners and regions close to both ends. With this arrangement, the position of the semiconductor circuit member 10 'in the two-dimensional direction can be detected efficiently and accurately. However, the present invention is not limited to this number, and may be set as appropriate according to the shape of the positioning stopper 3.

次に、本実施の形態で用いる第1磁性体42が設けられた半導体回路部材10’について説明する。   Next, the semiconductor circuit member 10 ′ provided with the first magnetic body 42 used in the present embodiment will be described.

(半導体回路部材)
図17(a)は、本実施形態の半導体回路部材10’の構成を示した断面図である。半導体回路部材10’には、上記実施の形態1にて説明した半導体回路部材10の構成に加えて第1磁性体42が設けられている。なお、以下の説明では第1磁性体42が形成されていない時点での半導体回路部材も半導体回路部材と呼ぶ。
(Semiconductor circuit members)
FIG. 17A is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor circuit member 10 ′ of the present embodiment. The semiconductor circuit member 10 ′ is provided with a first magnetic body 42 in addition to the configuration of the semiconductor circuit member 10 described in the first embodiment. In the following description, the semiconductor circuit member at the time when the first magnetic body 42 is not formed is also referred to as a semiconductor circuit member.

上記第1磁性体42を備えた半導体回路部材10’の作製方法は、上記実施の形態1にて説明した半導体回路部材10の作製方法に基づいて作製することができる。まず、図19(a)に示すように、直径6インチ(約15cm)又は8インチ(約20cm)程度の単結晶シリコンウェハに、ゲート酸化膜13、ゲート電極14、層間絶縁膜15、水素イオン注入層16を形成し、単結晶シリコンウェハ10a’を作製する。ゲート酸化膜13を始めとする各膜の作製方法は、上記実施の形態1で既に説明しているため、ここでは省略する。続いて、図19(b)に示すように、上記単結晶シリコンウェハ10a’の表面側(トランジスタ形成面側)に、スパッタ法あるいはレーザーアブレーション法を用いてNd−Fe−B系やR−Fe−B系の磁性薄膜を成膜して第1磁性体42を形成する。さらに、第1磁性体42の上に保護膜17を塗布して形成してもよい。   The manufacturing method of the semiconductor circuit member 10 ′ including the first magnetic body 42 can be manufactured based on the manufacturing method of the semiconductor circuit member 10 described in the first embodiment. First, as shown in FIG. 19A, a gate oxide film 13, a gate electrode 14, an interlayer insulating film 15, hydrogen ions are formed on a single crystal silicon wafer having a diameter of about 6 inches (about 15 cm) or 8 inches (about 20 cm). An injection layer 16 is formed to produce a single crystal silicon wafer 10a ′. Since a method for manufacturing each film including the gate oxide film 13 has already been described in the first embodiment, description thereof is omitted here. Subsequently, as shown in FIG. 19B, an Nd—Fe—B system or R—Fe is formed on the surface side (transistor formation surface side) of the single crystal silicon wafer 10a ′ by using a sputtering method or a laser ablation method. A first magnetic body 42 is formed by forming a -B-based magnetic thin film. Further, the protective film 17 may be applied on the first magnetic body 42.

最後に、図19(c)に示すように、上記実施の形態1と同様に単結晶シリコンウェハ10a’を分断し、チップ状の半導体回路部材10’が作製される。   Finally, as shown in FIG. 19C, the single crystal silicon wafer 10a 'is divided in the same manner as in the first embodiment, and the chip-shaped semiconductor circuit member 10' is manufactured.

さらに望ましくは、この半導体回路部材10’に、当接部材が設けられていてもよい。具体的には、図23(a)に示すように、図17(a)で説明した半導体回路部材10’の構成に加えて、半導体基板の表面に当接部材45’が設けられた半導体回路部材10’-(1)であってもよい。   More desirably, the semiconductor circuit member 10 ′ may be provided with a contact member. Specifically, as shown in FIG. 23A, in addition to the configuration of the semiconductor circuit member 10 ′ described in FIG. 17A, a semiconductor circuit in which a contact member 45 ′ is provided on the surface of the semiconductor substrate. The member 10 ′-(1) may be used.

上記当接部材45’は、例えばレジストやドライフィルムレジストといった感光性樹脂から構成することができる。あるいは、磁性体を含んだ感光性樹脂から構成してもよい。   The contact member 45 ′ can be made of a photosensitive resin such as a resist or a dry film resist. Or you may comprise from the photosensitive resin containing a magnetic body.

上記当接部材45’を設けることによって、半導体回路部材10’-(1)が、位置決めストッパー3に位置決めされたことが検知されて位置決め用基板2に一時固定される際、半導体回路部材10’-(1)における当接部材45’以外の部分を位置決め用基板2および位置決めストッパー3に接触させないようにすることができる。これにより、半導体回路部材10’-(1)の当接部材45’以外の部分を半導体回路部材10’を破損させることなく位置決めを行なうことができる。   By providing the contact member 45 ′, when the semiconductor circuit member 10 ′-(1) is detected to be positioned on the positioning stopper 3 and is temporarily fixed to the positioning substrate 2, the semiconductor circuit member 10 ′. The part other than the contact member 45 ′ in (1) can be prevented from contacting the positioning substrate 2 and the positioning stopper 3. As a result, the portions other than the contact member 45 'of the semiconductor circuit member 10'-(1) can be positioned without damaging the semiconductor circuit member 10 '.

当接部材45が形成された半導体回路部材10’-(1)を作製する方法としては、上記実施の形態1で既に述べた方法と同様に、図19(b)の工程の後に、感光性樹脂を塗布又はラミネートし、分断後の半導体回路部材10’が高精度に位置決めできるように単結晶シリコンウェハ10a’の表側に形成した半導体回路デバイスの位置を基準として、感光性樹脂をフォトリソグラフィにより、露光、及び現像して、当接部材45を形成する(図24(a))。最後に、図24(b)に示すように、単結晶シリコンウェハ10a’を分断し、チップ状の半導体回路部材10’-(1)が形成される。   As a method of manufacturing the semiconductor circuit member 10 ′-(1) in which the contact member 45 is formed, the method described in the first embodiment is similar to the method already described in the first embodiment, after the step of FIG. Resin is applied or laminated, and the photosensitive resin is formed by photolithography on the basis of the position of the semiconductor circuit device formed on the front side of the single crystal silicon wafer 10a ′ so that the semiconductor circuit member 10 ′ after the division can be positioned with high accuracy. Then, the contact member 45 is formed by exposure and development (FIG. 24A). Finally, as shown in FIG. 24B, the single-crystal silicon wafer 10a 'is divided to form a chip-like semiconductor circuit member 10'-(1).

次に、本実施形態における位置決め方法について説明する。図20(a)〜(e)は、本実施の形態の位置決め方法を説明するための説明図である。なお、図20(a)〜(e)には一部、部材間を接続する配線を省略している部分がある。   Next, the positioning method in this embodiment is demonstrated. 20A to 20E are explanatory diagrams for explaining the positioning method of the present embodiment. 20 (a) to 20 (e) include a part in which wiring for connecting members is omitted.

まず、半導体回路部材10’を位置決め用基板2上に載置して、位置決め用基板2の第2磁性体40と半導体回路部材10’の第1磁性体42との間に斥力が形成されるように、調整手段41によって第2磁性体40を調整する。これにより、図20(a)に示すように、半導体回路部材10’が位置決め用基板2’の表面に対して非接触状態となる。この状態で、傾斜手段5を用いて位置決め用基板2を傾斜させことによって、図20(b)に示すように、複数の半導体回路部材10’を各々の自重で移動させるができる(移動工程)。なお、上記した気流発生装置4および傾斜手段5は制御手段によって制御されている。   First, the semiconductor circuit member 10 'is placed on the positioning substrate 2, and a repulsive force is formed between the second magnetic body 40 of the positioning substrate 2 and the first magnetic body 42 of the semiconductor circuit member 10'. As described above, the second magnetic body 40 is adjusted by the adjusting means 41. As a result, as shown in FIG. 20A, the semiconductor circuit member 10 'is not in contact with the surface of the positioning substrate 2'. In this state, by tilting the positioning substrate 2 using the tilting means 5, a plurality of semiconductor circuit members 10 ′ can be moved by their own weights as shown in FIG. 20B (moving step). . The airflow generation device 4 and the tilting means 5 described above are controlled by the control means.

移動中の各半導体回路部材10’の位置は、図20(b)に示すように、各位置決めストッパー3に設けられている第1センサー部7a’および第2センサー部7bによって検知することができる(検知工程)。第1センサー部7a’では、上述した方法によって、位置決め用基板2’の表面に沿った二次元方向における半導体回路部材10’の位置を検知でき、第2センサー部7bは、位置決め用基板2’の表面に対して垂直方向における半導体回路部材10’の位置を検知できる。   As shown in FIG. 20B, the position of each semiconductor circuit member 10 ′ during movement can be detected by the first sensor portion 7a ′ and the second sensor portion 7b provided in each positioning stopper 3. (Detection process). In the first sensor unit 7a ′, the position of the semiconductor circuit member 10 ′ in the two-dimensional direction along the surface of the positioning substrate 2 ′ can be detected by the method described above, and the second sensor unit 7b can detect the position of the positioning substrate 2 ′. It is possible to detect the position of the semiconductor circuit member 10 ′ in the direction perpendicular to the surface of the semiconductor circuit.

各半導体回路部材10’の第1センサー部7a’および第2センサー部7bによる検知信号は、それぞれ上記制御手段8に送られる。   Detection signals from the first sensor portion 7a 'and the second sensor portion 7b of each semiconductor circuit member 10' are sent to the control means 8, respectively.

各半導体回路部材10に対応するように設けられた第1センサー部7a’および第2センサー部7bによって、複数ある半導体回路部材10’のうち、図20(b)の左側に示すように位置決めストッパー3に正確に位置決めされていると検知した検知信号が制御手段8に送られると、制御手段8は、調整手段41を制御して、位置決めされた半導体回路部材10’に対応する第2磁性体40を、第1磁性体42との間に引力を形成するように制御する。さらに、制御手段8は、位置決め用基板2’を水平に戻すように傾斜手段を制御する。   Positioning stoppers as shown on the left side of FIG. 20B among the plurality of semiconductor circuit members 10 ′ by the first sensor portion 7a ′ and the second sensor portion 7b provided so as to correspond to the respective semiconductor circuit members 10. 3 is sent to the control means 8, the control means 8 controls the adjustment means 41 and the second magnetic body corresponding to the positioned semiconductor circuit member 10 ′. 40 is controlled to form an attractive force with the first magnetic body 42. Further, the control means 8 controls the tilting means so as to return the positioning substrate 2 'to the horizontal.

これにより、位置決めストッパー3に正確に位置決めされた半導体回路部材10’は、図20(c)の左側に示すように、位置決め用基板2に一時固定される(固定工程)。   As a result, the semiconductor circuit member 10 ′ accurately positioned by the positioning stopper 3 is temporarily fixed to the positioning substrate 2 as shown on the left side of FIG. 20C (fixing step).

一方、位置決め用基板2を水平に戻した状態(図20(c))において、位置決めストッパー3に位置決めされていないと検知された半導体回路部材10’(図20(b)(c)の右側)に対しては、制御手段8は、この半導体回路部材10’に対応する調整手段41を再度制御して、第2磁性体40が第1磁性体42との間に斥力が形成されるように調整し、この半導体回路部材10’を位置決め用基板2’の表面に対して再度非接触状態にする。そして制御手段8は、図5(d)に示すように、傾斜手段5を制御して再度位置決め用基板2’を傾斜させ、この半導体回路部材10’の位置決めを試みる。   On the other hand, in the state where the positioning substrate 2 is returned to the horizontal position (FIG. 20C), the semiconductor circuit member 10 ′ detected as not being positioned by the positioning stopper 3 (right side of FIGS. 20B and 20C). On the other hand, the control means 8 controls again the adjustment means 41 corresponding to the semiconductor circuit member 10 ′ so that a repulsive force is formed between the second magnetic body 40 and the first magnetic body 42. The semiconductor circuit member 10 ′ is adjusted to a non-contact state again with respect to the surface of the positioning substrate 2 ′. Then, as shown in FIG. 5 (d), the control unit 8 controls the tilting unit 5 to tilt the positioning substrate 2 'again and tries to position the semiconductor circuit member 10'.

この半導体回路部材10’が、これに対応する第1センサー部7a’および第2センサー部7bによって、位置決めストッパー3に正確に位置決めされていることが検知されると、図20(b)〜(d)の左側の半導体回路部材10と同様の工程を経て、位置決め用基板2に一時固定することができる。   When it is detected that the semiconductor circuit member 10 ′ is accurately positioned on the positioning stopper 3 by the corresponding first sensor portion 7a ′ and second sensor portion 7b, FIGS. It can be temporarily fixed to the positioning substrate 2 through the same process as the semiconductor circuit member 10 on the left side of d).

また、第2センサー部7bの検知結果に基づいて、制御手段8では、斥力を形成している途中の調整手段41を制御し、その磁力を調整することができる。これにより、斥力から引力への切替えを段階的に行なうことができる。そのため、急激な切替えによる位置決めストッパー3や位置決め用基板2’への半導体回路部材10’の衝突、および衝突による破損を回避することができる
以上のように、本実施形態の位置決め方法によれば、半導体回路部材10’を第2磁性体40が第1磁性体42との間で引力および斥力を形成することによって、位置決め用基板2’上で操作するとともに、一時固定することができる。
Moreover, based on the detection result of the 2nd sensor part 7b, the control means 8 can control the adjustment means 41 in the middle of forming the repulsive force, and can adjust the magnetic force. Thereby, switching from repulsive force to attractive force can be performed in stages. Therefore, it is possible to avoid the collision of the semiconductor circuit member 10 ′ to the positioning stopper 3 and the positioning substrate 2 ′ due to rapid switching, and the damage due to the collision. As described above, according to the positioning method of the present embodiment, The semiconductor circuit member 10 ′ can be operated and temporarily fixed on the positioning substrate 2 ′ by forming an attractive force and a repulsive force between the second magnetic body 40 and the first magnetic body 42.

このように、半導体回路部材10’を非接触状態で位置決め用基板2’上で位置決めさせることができるため、全ての半導体回路部材を、破損やダストの発生なく良好に位置決めを行なうことができる。   Thus, since the semiconductor circuit member 10 ′ can be positioned on the positioning substrate 2 ′ in a non-contact state, all the semiconductor circuit members can be positioned satisfactorily without generation of damage or dust.

また、本実施形態では磁力(引力および斥力)を用いて半導体回路部材10’を移動させるため、従来技術において電子部品の移動に用いられていた振動の場合のような共振現象による周波数や振幅の変動が起こらない。そのため、位置決め用基板2’上の面内に渡って、半導体回路部材10’を安定して移動させることが可能であり、よって、半導体回路部材10’の個数が増えて位置決め用基板2’サイズが大きくなった場合であっても、これらを一括して位置決めしやすい。   Further, in this embodiment, since the semiconductor circuit member 10 ′ is moved using magnetic force (attraction and repulsion), the frequency and amplitude due to the resonance phenomenon as in the case of the vibration used for the movement of the electronic component in the prior art is increased. Fluctuation does not occur. Therefore, it is possible to stably move the semiconductor circuit member 10 'over the surface on the positioning substrate 2'. Therefore, the number of the semiconductor circuit members 10 'is increased and the size of the positioning substrate 2' is increased. Even if this becomes large, it is easy to position them collectively.

上記した位置決め方法および位置決め装置によって位置決め用基板2’に位置決めされた半導体回路部材10’は、以下の工程によって回路等が形成された接合基板に貼り付けて半導体装置を製造する。   The semiconductor circuit member 10 ′ positioned on the positioning substrate 2 ′ by the positioning method and positioning device described above is attached to a bonding substrate on which a circuit or the like is formed by the following steps to manufacture a semiconductor device.

次に、上記した作製方法によって作製した半導体回路部材10’(又は10’-(1))と接合基板18aとの貼り付け方法を説明する。   Next, a method for attaching the semiconductor circuit member 10 ′ (or 10 ′-(1)) manufactured by the above manufacturing method and the bonding substrate 18 a will be described.

図17(a)(又は図23(a))に示すような半導体回路部材10’(又は10’-(1))は、その裏面側(単結晶Si基板12側)が第1センサー部7a’の撮像部に撮像されるよう上向きに、トランジスタと第1磁性体42が形成されている表面側が位置決め用基板2と接するよう下向きに配置される。従って、接合基板18aには、半導体回路部材10のトランジスタ形成面側が貼りつけられるため、本実施形態の位置決め方法を用いた場合は、上記の実施の形態1で述べた方法と同様な方法で、位置決め用基板2に位置決めされた半導体回路部材10’(又は10’-(1))を補助基板にトランスファ固定する必要がある。すなわち、図9(a)〜(c)の工程において、真空吸着を用いた位置決め装置1の部分が、磁力を用いた位置決め装置1’に置き換わるだけで、後は同様の考え方で処理することで、補助基板27に一括して移し替えられる。   In the semiconductor circuit member 10 ′ (or 10 ′-(1)) as shown in FIG. 17A (or FIG. 23A), the back surface side (single crystal Si substrate 12 side) is the first sensor portion 7a. The surface of the transistor and the first magnetic body 42 formed thereon is arranged downward so as to be in contact with the positioning substrate 2 so as to be picked up by the image pickup portion '. Therefore, since the transistor formation surface side of the semiconductor circuit member 10 is affixed to the bonding substrate 18a, when the positioning method of this embodiment is used, the method is the same as the method described in Embodiment 1 above. It is necessary to transfer-fix the semiconductor circuit member 10 '(or 10'-(1)) positioned on the positioning substrate 2 to the auxiliary substrate. That is, in the steps of FIGS. 9A to 9C, the part of the positioning device 1 using vacuum suction is simply replaced with the positioning device 1 ′ using magnetic force, and the rest is processed in the same way. Then, it is transferred to the auxiliary substrate 27 at once.

補助基板27に一括して移し替えた後、当接部材45’が設けられている場合(10’-(1))は、アルカリ系の剥離液に浸すことによって当接部材45を一括して除去する。続いて補助基板27毎、アッシング処理及び剥離洗浄処理することによって、半導体回路部材10’(又は10’-(1))表面の保護膜17を一括して除去する。なお、この保護膜17が薄い金属膜等で形成されている場合は、酸系のエッチング液等に浸すことによって保護膜17を溶かし、当接部材45をリフトオフさせて同時に除去してもよい。この方法は、当接部材45を同時に除去することができるので、当接部材45の材料選定の自由度が広がったり、工程が簡略化できたりするメリットがある。   After the transfer to the auxiliary substrate 27 in a lump, when the abutment member 45 ′ is provided (10 ′-(1)), the abutment member 45 is lump in a lump by immersing it in an alkaline stripping solution. Remove. Subsequently, the protective film 17 on the surface of the semiconductor circuit member 10 ′ (or 10 ′-(1)) is removed at a time by performing ashing processing and peeling cleaning processing for each auxiliary substrate 27. When the protective film 17 is formed of a thin metal film or the like, the protective film 17 may be dissolved by immersing it in an acid-based etching solution, and the contact member 45 may be lifted off and simultaneously removed. This method is advantageous in that the contact member 45 can be removed at the same time, so that the degree of freedom in selecting the material of the contact member 45 can be expanded and the process can be simplified.

最後に、第1磁性体42を、反応性エッチングやウェットエッチング等で除去する。このようにして、複数の半導体回路部材10’(又は10’-(1))が、その表面が出た状態で、補助基板27にトランスファ固定された(移し替えられた)状態が得られる。これ以降の貼り付け方法は上記実施の形態1と同じであるため、説明を省略する。

なお、本実施形態では、図17(a)に示したように第1磁性体42を半導体回路部材10’の表面側(トランジスタ形成面側)に形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、第1磁性体42を、図17(b)に示したように半導体回路部材の裏面側(単結晶Si基板側)に形成することも可能である。この場合は、半導体回路部材10’の表面側(トランジスタが形成面側)が第1センサー部7aの撮像部に撮像されるように上向きに、裏面側(単結晶Si基板側)が位置決め用基板2と接するよう下向きに配置される。従って、半導体表面側が上を向いているので、補助基板へトランスファ固定する工程は必要なくなり、位置決め基板上で位置決めされた半導体回路部材10’の表面の保護膜17を剥離洗浄処理で除去してやれば、直接、接合基板に貼り合せることができ、工程を簡略化することが出来る。
Finally, the first magnetic body 42 is removed by reactive etching, wet etching, or the like. In this manner, a state is obtained in which the plurality of semiconductor circuit members 10 ′ (or 10 ′-(1)) are transfer-fixed (transferred) to the auxiliary substrate 27 with the surface thereof protruding. Since the subsequent pasting method is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.

In the present embodiment, as shown in FIG. 17A, the first magnetic body 42 is formed on the surface side (transistor formation surface side) of the semiconductor circuit member 10 ′, but the present invention is not limited to this. Instead, the first magnetic body 42 can also be formed on the back surface side (single crystal Si substrate side) of the semiconductor circuit member as shown in FIG. In this case, the front surface side (transistor forming surface side) of the semiconductor circuit member 10 ′ is directed upward so that the imaging portion of the first sensor portion 7 a is imaged, and the back surface side (single crystal Si substrate side) is the positioning substrate. 2 is placed downward to contact 2. Therefore, since the semiconductor surface side is facing upward, the step of transfer fixing to the auxiliary substrate is not necessary, and if the protective film 17 on the surface of the semiconductor circuit member 10 ′ positioned on the positioning substrate is removed by the peeling cleaning process, It can be directly bonded to the bonding substrate, and the process can be simplified.

半導体回路部材10’の裏面側に残った第1磁性体42は、接合基板に貼りあわせた後に反応性エッチングやウェットエッチング等により除去される。あるいは、貼りあわせ後にエッチングで除去しなくても、接合後の熱処理によって半導体回路部材10’の水素イオン注入層16から単結晶Si基板12が剥離されるので、一緒にリフトオフして除去される。   The first magnetic body 42 remaining on the back side of the semiconductor circuit member 10 ′ is removed by reactive etching, wet etching, or the like after being bonded to the bonding substrate. Alternatively, the single crystal Si substrate 12 is peeled off from the hydrogen ion implanted layer 16 of the semiconductor circuit member 10 ′ by the heat treatment after bonding without being removed by etching after bonding, and is removed by lifting off together.

図17(b)に示す半導体回路部材10’の場合でも、先に述べた場合と同様に、さらに望ましくは、図23(b)に示すように、半導体回路部材10の裏面側にさらに当接部材45が設けられていてもよい。このような構造とすることで、当接部材を設けない位置合わせの場合と比べて、より高精度に半導体回路部材10’-(2)を位置決めすることができる。この場合、表面側の保護膜17を剥離液等で除去し接合基板と接合させた後、接合基板毎一括して半導体回路部材裏面側の当接部材45を酸素プラズマ等のアッシング処理で除去し、第1磁性体42を反応性エッチングやウェットエッチング等で除去すればよい。しかし、接合後の熱処理で、第1磁性体42が形成された単結晶Si裏面側は水素イオン注入層16から単結晶Si基板12が剥離されるので、必ずしも第1磁性体42を事前に除去する必要はない。   Even in the case of the semiconductor circuit member 10 ′ shown in FIG. 17B, it is more preferable that the semiconductor circuit member 10 ′ further contacts the back surface side of the semiconductor circuit member 10 as shown in FIG. A member 45 may be provided. By adopting such a structure, the semiconductor circuit member 10 '-(2) can be positioned with higher accuracy than in the case of alignment without providing the contact member. In this case, after the protective film 17 on the front surface side is removed with a stripping solution and bonded to the bonding substrate, the contact member 45 on the back surface side of the semiconductor circuit member is removed together with the bonding substrate by ashing treatment such as oxygen plasma. The first magnetic body 42 may be removed by reactive etching, wet etching, or the like. However, since the single crystal Si substrate 12 is peeled off from the hydrogen ion implanted layer 16 on the back side of the single crystal Si on which the first magnetic body 42 is formed by the heat treatment after bonding, the first magnetic body 42 is not necessarily removed in advance. do not have to.

これ以降の工程は上記実施の形態1と同じであるため、説明を省略する。   Since the subsequent steps are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted.

なお、本発明は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims, and obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Such embodiments are also included in the technical scope of the present invention.

なお、本発明は以下のように換言することもできる。具体的には、複数の半導体部品を基板上の所定の位置に一括して位置決めする装置において、半導体部品の位置を感知するセンサーと、該センサーの結果に基づき任意の場所の半導体部品のみを浮上もしくは移動もしくは下降させる制御機構とを有し、任意の場所の半導体部品の位置決めを修正することができることを特徴とする半導体部品の位置決め、検査、修正装置であると換言することができる。   In addition, this invention can also be paraphrased as follows. Specifically, in an apparatus that collectively positions a plurality of semiconductor components at a predetermined position on a substrate, only a sensor that senses the position of the semiconductor component and a semiconductor component at an arbitrary location is levitated based on the result of the sensor. In other words, it is a semiconductor component positioning, inspection, and correction device characterized in that it has a control mechanism for moving or lowering and can correct the positioning of the semiconductor component at an arbitrary place.

また、上記において、上記半導体部品の浮上もしくは移動もしくは下降を、流体力もしくは磁力によって行なうことを特徴とする請求項1に記載の位置決め、検査、修正装置であると換言することができる。   Further, in the above, it can be said that the semiconductor device is a positioning, inspection, and correction device according to claim 1, wherein the semiconductor component is floated, moved, or lowered by fluid force or magnetic force.

本発明の位置決め方法および位置決め装置は、複数の半導体回路部材の位置を検知するとともに、各検知結果に応じて、位置決めされた半導体回路部材と位置決めされていない半導体回路部材との対応を変え、位置決めされた半導体回路部材は基板に一時固定しておき、その間に位置決めされていない半導体回路部材を再度位置決めさせることができる。さらに、位置決めに際して、半導体回路部材は基板に対して非接触状態であるため、半導体回路部材の破損やダスト発生を著しく低減することができる。   The positioning method and positioning device of the present invention detect the positions of a plurality of semiconductor circuit members, change the correspondence between the positioned semiconductor circuit members and the unpositioned semiconductor circuit members according to the detection results, and perform positioning. The formed semiconductor circuit member is temporarily fixed to the substrate, and the semiconductor circuit member that is not positioned therebetween can be positioned again. Furthermore, since the semiconductor circuit member is not in contact with the substrate during positioning, damage to the semiconductor circuit member and generation of dust can be significantly reduced.

したがって、半導体装置に用いられる半導体チップの一括位置決めを、高精度、かつ迅速に行なうことができる。本発明の位置決め方法および位置決め装置は、半導体チップの一括位置決め以外にも、電子部品やバイオチップの整列、位置決め、一括動作処理にも適用できる。   Therefore, batch positioning of semiconductor chips used in the semiconductor device can be performed with high accuracy and speed. The positioning method and positioning apparatus of the present invention can be applied to alignment, positioning, and batch operation processing of electronic components and biochips in addition to batch positioning of semiconductor chips.

本発明の一実施形態に係る位置決め装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the positioning device which concerns on one Embodiment of this invention. 図1に示した位置決め装置における位置決め用基板の上の構成について示した斜視図である。It is the perspective view shown about the structure on the board | substrate for a positioning in the positioning apparatus shown in FIG. 図1に示した位置決め装置に設けられた位置決めストッパーの他の構造を示した斜視図である。It is the perspective view which showed the other structure of the positioning stopper provided in the positioning apparatus shown in FIG. (a)および(b)は、図1に示した位置決め装置に設けられた第1センサー部の検知原理を説明した図である。(A) And (b) is the figure explaining the detection principle of the 1st sensor part provided in the positioning apparatus shown in FIG. (a)〜(e)は図1に示した位置決め装置を用いて半導体回路部材を位置決めする過程をそれぞれ示した断面図である。(A)-(e) is sectional drawing which each showed the process of positioning a semiconductor circuit member using the positioning device shown in FIG. 図1に示した位置決め装置によって位置決めされる半導体回路部材の構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the semiconductor circuit member positioned by the positioning apparatus shown in FIG. (a)〜(c)は、図6に示した半導体回路部材の製造過程を示した斜視図である。(A)-(c) is the perspective view which showed the manufacturing process of the semiconductor circuit member shown in FIG. 本発明に係る半導体装置の製造方法において用いることができる接合基板の製造過程を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the manufacture process of the bonded substrate which can be used in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this invention. (a)〜(c)は、本発明に係る半導体装置の製造方法において、位置決め装置によって位置決めされた半導体回路部材を補助基板にトランスファ固定する過程を示した断面図である。(A)-(c) is sectional drawing which showed the process in which the semiconductor circuit member positioned by the positioning device is transfer-fixed to an auxiliary substrate in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this invention. (a)は補助基板に固定された半導体回路部材の表面を活性化する工程を示す断面図であり、(b)は接合基板の表面を活性化する工程を示す断面図である。(A) is sectional drawing which shows the process of activating the surface of the semiconductor circuit member fixed to the auxiliary substrate, (b) is sectional drawing which shows the process of activating the surface of a joining board | substrate. (a)は補助基板に固定された半導体回路部材を接合基板に接合する工程を示す断面図であり、(b)は接合基板に接合された半導体回路部材から補助基板を剥離する工程を示す断面図である。(A) is sectional drawing which shows the process of joining the semiconductor circuit member fixed to the auxiliary | assistant board | substrate to a joining board | substrate, (b) is a cross section which shows the process of peeling an auxiliary | assistant board | substrate from the semiconductor circuit member joined to the joining board | substrate. FIG. 半導体回路部材を接合した後の、多結晶シリコンデバイスを搭載した接合基板の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the joining board | substrate carrying a polycrystalline silicon device after joining a semiconductor circuit member. 図12に示した工程において、接合基板に接合した半導体回路部材を熱処理によって単結晶シリコン膜を剥離させる工程を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a process of peeling a single crystal silicon film by heat treatment of a semiconductor circuit member bonded to a bonding substrate in the process illustrated in FIG. 12. (a)および(b)は、半導体装置の製造方法において、半導体回路部材が搭載された接合基板に配線パターンを形成する工程を示す断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which shows the process of forming a wiring pattern in the joining board | substrate with which the semiconductor circuit member was mounted in the manufacturing method of a semiconductor device. (a)および(b)は、図14(b)の続きの工程を示す断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which shows the process of the continuation of FIG.14 (b). 本発明の他の実施形態に係る位置決め装置の構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the positioning device which concerns on other embodiment of this invention. (a)および(b)は、図16に示した位置決め装置によって位置決めされる半導体回路部材の構成を示した断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which showed the structure of the semiconductor circuit member positioned by the positioning apparatus shown in FIG. (a)および(b)は、図16に示した位置決め装置に設けられた第1センサー部の検知原理を説明した図である。(A) And (b) is the figure explaining the detection principle of the 1st sensor part provided in the positioning device shown in FIG. (a)〜(c)は、図17(a)に示した半導体回路部材の製造過程を示した斜視図である。(A)-(c) is the perspective view which showed the manufacturing process of the semiconductor circuit member shown to Fig.17 (a). (a)〜(e)は図16に示した位置決め装置を用いて半導体回路部材を位置決めする過程をそれぞれ示した断面図である。(A)-(e) is sectional drawing which each showed the process of positioning a semiconductor circuit member using the positioning device shown in FIG. (a)および(b)は、図1に示した位置決め装置によって位置決めされる半導体回路部材の他の構成を示した断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which showed the other structure of the semiconductor circuit member positioned by the positioning apparatus shown in FIG. (a)〜(c)は、図21(a)に示した半導体回路部材の製造過程を示した斜視図である。(A)-(c) is the perspective view which showed the manufacturing process of the semiconductor circuit member shown to Fig.21 (a). (a)および(b)は、図16に示した位置決め装置によって位置決めされる半導体回路部材の他の構成を示した断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which showed the other structure of the semiconductor circuit member positioned by the positioning apparatus shown in FIG. (a)および(b)は、図23(a)に示した半導体回路部材の製造過程を示した斜視図である。(A) And (b) is the perspective view which showed the manufacturing process of the semiconductor circuit member shown to Fig.23 (a).

符号の説明Explanation of symbols

1、1’ 位置決め装置
2、2’ 位置決め用基板(基板)
3 位置決めストッパー(位置決め部)
4 気流発生装置(操作手段)
5 傾斜手段(操作手段)
6 操作手段
7 センサー(検知手段)
7a、7a’ 第1センサー部(第1検知部)
7a−1 撮像部
7a−2 表示部
7b 第2センサー部(第2検知部)
8 制御手段
9 貫通穴
10、10−(1)、10−(2) 半導体回路部材(物品)
10’、10’−(1)、10’−(2) 半導体回路部材(物品)
40 第2磁性体(操作手段)
41 調整手段(操作手段)
42 第1磁性体(操作手段)
45、45’ 当接部材
50 半導体装置
1, 1 'positioning device 2, 2' positioning substrate (substrate)
3 Positioning stopper (positioning part)
4 Airflow generator (operating means)
5 Inclination means (operation means)
6 Operation means 7 Sensor (detection means)
7a, 7a '1st sensor part (1st detection part)
7a-1 Imaging unit 7a-2 Display unit 7b Second sensor unit (second detection unit)
8 Control means 9 Through hole 10, 10- (1), 10- (2) Semiconductor circuit member (article)
10 ', 10'-(1), 10 '-(2) Semiconductor circuit member (article)
40 Second magnetic body (operation means)
41 Adjustment means (operation means)
42 1st magnetic body (operation means)
45, 45 'contact member 50 semiconductor device

Claims (20)

複数の物品を、位置決め用基板上に設けられた複数の位置決め部にそれぞれ位置決めする物品の位置決め方法であって、
上記物品を、上記位置決め用基板の表面に対して非接触状態で移動させるとともに、上記位置決め部に対する上記物品の位置を各々検知することによって、上記複数の物品のうち、位置決めされた物品を上記位置決め用基板に一時固定するとともに、位置決めされなかった物品を、再度、上記非接触状態で移動させて位置決めすることを特徴とする位置決め方法。
An article positioning method for positioning a plurality of articles respectively on a plurality of positioning portions provided on a positioning substrate,
The article is moved in a non-contact state with respect to the surface of the positioning substrate, and the position of the article among the plurality of articles is detected by detecting the position of the article with respect to the positioning portion. A positioning method characterized by temporarily fixing an article that has not been positioned to a working substrate and moving the article again in the non-contact state.
複数の物品を、位置決め用基板上に設けられた複数の位置決め部にそれぞれ位置決めする物品の位置決め方法であって、
上記物品を、上記位置決め用基板の表面に対して非接触状態で移動させる移動工程と、
上記位置決め部に対する上記物品の位置を検知する検知工程と、
上記検知工程によって上記位置決め部に位置決めされたことが検知された上記物品を、上記位置決め用基板に一時固定する固定工程とを含んでおり、
上記複数の物品それぞれに対して互いに独立して上記移動工程と検知工程と固定工程とが実行され、
上記位置決め部に位置決めされなかったことが上記検知工程によって検知された上記物品に対しては、再度、上記移動工程および検知工程が実行されることを特徴とする物品の位置決め方法。
An article positioning method for positioning a plurality of articles respectively on a plurality of positioning portions provided on a positioning substrate,
A moving step of moving the article in a non-contact state with respect to the surface of the positioning substrate;
A detection step of detecting the position of the article with respect to the positioning portion;
A fixing step of temporarily fixing the article detected to be positioned on the positioning portion by the detection step to the positioning substrate;
The moving step, the detecting step, and the fixing step are performed independently for each of the plurality of articles,
The article positioning method, wherein the moving step and the detecting step are performed again on the article that has been detected by the detecting step as not being positioned by the positioning portion.
上記物品を、上記位置決め用基板の表面から排出する気体の圧力を用いて上記非接触状態にさせるとともに、当該位置決め用基板を傾斜させることによって当該物品の自重を用いて移動させることを特徴とする請求項1または2に記載の位置決め方法。   The article is brought into the non-contact state by using the pressure of gas discharged from the surface of the positioning substrate, and is moved using its own weight by inclining the positioning substrate. The positioning method according to claim 1 or 2. 上記物品と上記位置決め用基板との間に斥力を形成することによって上記非接触状態にさせるとともに、当該位置決め用基板を傾斜させることによって当該物品の自重を用いて移動させることを特徴とする請求項1または2に記載の位置決め方法。   The non-contact state is formed by forming a repulsive force between the article and the positioning substrate, and the article is moved using its own weight by inclining the positioning substrate. 3. The positioning method according to 1 or 2. 上記位置決め部に対する上記物品の位置の検知は、上記位置決め用基板の表面に沿った二次元方向、および当該位置決め用基板の表面に対して垂直方向の位置が検知されることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の位置決め方法。   The position of the article with respect to the positioning part is detected in a two-dimensional direction along the surface of the positioning substrate and in a direction perpendicular to the surface of the positioning substrate. 5. The positioning method according to any one of 1 to 4. 上記二次元方向における上記物品の位置の検知は、撮像部を備えた画像表示手段を用いて上記物品と上記位置決め部とを撮像することによって行なうことを特徴とする請求項5に記載の位置決め方法。   6. The positioning method according to claim 5, wherein the position of the article in the two-dimensional direction is detected by imaging the article and the positioning unit using an image display unit including an imaging unit. . 上記二次元方向における上記物品の位置の検知は、レーザー光を用いて行なうことを特徴とする請求項5に記載の位置決め方法。   6. The positioning method according to claim 5, wherein the position of the article in the two-dimensional direction is detected using a laser beam. 上記位置決め用基板の上に一時固定した複数の上記物品を、接合基板に一括して接合する工程を含むことを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の位置決め方法。   The positioning method according to claim 1, further comprising a step of collectively bonding the plurality of articles temporarily fixed on the positioning substrate to the bonding substrate. 請求項1から8の何れか1項に記載の位置決め方法を用いることを特徴とする位置決め装置。   A positioning apparatus using the positioning method according to claim 1. 請求項1から8の何れか1項に記載の位置決め方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。   A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the positioning method according to claim 1. 請求項1から8の何れか1項に記載の位置決め方法を用いることを特徴とする半導体装置の製造装置。   9. A semiconductor device manufacturing apparatus using the positioning method according to claim 1. 複数の物品を基板上に位置決めする位置決め装置であって、
複数の位置決め部が設けられた位置決め用基板と、
上記物品を移動させるとともに、当該物品を当該位置決め用基板に一時固定するように構成された操作手段と、
上記位置決め部に対する上記物品の位置を検知する検知手段と、
上記操作手段を制御する制御手段とを備えており、
上記操作手段および検知手段は、上記複数の位置決め部それぞれに対応するように設けられており、
上記制御手段は、各上記位置決め部に対応する各上記検知手段の検知結果に基づいて、上記複数の物品のうち、上記位置決め部に位置決めされた物品を上記位置決め用基板に一時固定するように、かつ上記位置決め部に位置決めされなかった物品を再度移動させて当該位置決め部に位置決めするように、各々の位置決め部に対応する上記操作手段を制御することを特徴とする位置決め装置。
A positioning device for positioning a plurality of articles on a substrate,
A positioning substrate provided with a plurality of positioning portions;
Operating means configured to move the article and temporarily fix the article to the positioning substrate;
Detecting means for detecting the position of the article with respect to the positioning unit;
Control means for controlling the operation means,
The operation means and the detection means are provided so as to correspond to each of the plurality of positioning portions,
The control means, based on the detection results of the detection means corresponding to the positioning portions, so as to temporarily fix the article positioned by the positioning portion among the plurality of articles to the positioning substrate. And a positioning device that controls the operation means corresponding to each positioning unit so that an article that has not been positioned by the positioning unit is moved again to be positioned by the positioning unit.
上記操作手段は、上記位置決め用基板の表面に対して上記物品を非接触状態で移動させるように構成されていることを特徴とする請求項12に記載の位置決め装置。   The positioning device according to claim 12, wherein the operation unit is configured to move the article in a non-contact state with respect to a surface of the positioning substrate. 上記検知手段は、上記位置決め用基板の表面に沿った二次元方向における上記物品の位置を検知する第1検知部および、上記位置決め用基板の表面に対して垂直方向における上記物品の位置を検知する第2検知部を有していることを特徴とする請求項12または13に記載の位置決め装置。   The detection means detects a position of the article in a direction perpendicular to the surface of the positioning substrate and a first detection unit that detects the position of the article in a two-dimensional direction along the surface of the positioning substrate. The positioning device according to claim 12, further comprising a second detection unit. 上記位置決め用基板には、貫通穴が設けられており、
上記操作手段は、上記貫通穴を通じて上記位置決め用基板の表面に、気体を排出または吸引するように構成されていることを特徴とする請求項12から14の何れか1項に記載の位置決め装置。
The positioning substrate is provided with a through hole,
The positioning device according to any one of claims 12 to 14, wherein the operating means is configured to discharge or suck gas to the surface of the positioning substrate through the through hole.
上記物品には、当該物品が上記位置決め用基板に一時固定された際、上記位置決め用基板と上記位置決め部とに当接する当接部材が設けられていることを特徴とする請求項12から15の何れか1項に記載の位置決め装置。   16. The article according to claim 12, further comprising an abutting member that abuts against the positioning substrate and the positioning portion when the article is temporarily fixed to the positioning substrate. The positioning device according to any one of the above. 上記物品には、第1磁性体が形成されており、
上記操作手段には、上記第1磁性体に対して吸引力および斥力を有する第2磁性体が設けられていることを特徴とする請求項12から14の何れか1項に記載の位置決め装置。
A first magnetic body is formed on the article,
The positioning device according to any one of claims 12 to 14, wherein the operating means is provided with a second magnetic body having an attractive force and a repulsive force with respect to the first magnetic body.
上記第1検知部には、撮像部を備えた画像表示手段が設けられていることを特徴とする請求項14に記載の位置決め装置。   The positioning device according to claim 14, wherein the first detection unit is provided with an image display unit including an imaging unit. 上記第1検知部は、レーザー変位計であることを特徴とする請求項14に記載の位置決め装置。   The positioning device according to claim 14, wherein the first detection unit is a laser displacement meter. 請求項12から19の何れか1項に記載の位置決め装置を備えていることを特徴とする半導体装置の製造装置。   An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising the positioning device according to claim 12.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009117571A (en) * 2007-11-06 2009-05-28 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, coating apparatus, and coating method
JP2009200377A (en) * 2008-02-25 2009-09-03 Panasonic Corp Die bonding device
JP2015122490A (en) * 2013-12-13 2015-07-02 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation Methods and systems for forming semiconductor laminate structures
KR101818070B1 (en) 2012-01-18 2018-01-12 주식회사 케이씨텍 Substrate treating apparatus
KR20180134886A (en) * 2016-04-14 2018-12-19 뮐바우어 게엠베하 운트 콤파니 카게 Electronic device alignment device, system and electronic part alignment method
KR20230081641A (en) * 2021-11-30 2023-06-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate transfer device and substrate transfer method

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009117571A (en) * 2007-11-06 2009-05-28 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, coating apparatus, and coating method
JP2009200377A (en) * 2008-02-25 2009-09-03 Panasonic Corp Die bonding device
KR101818070B1 (en) 2012-01-18 2018-01-12 주식회사 케이씨텍 Substrate treating apparatus
JP2015122490A (en) * 2013-12-13 2015-07-02 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation Methods and systems for forming semiconductor laminate structures
KR20180134886A (en) * 2016-04-14 2018-12-19 뮐바우어 게엠베하 운트 콤파니 카게 Electronic device alignment device, system and electronic part alignment method
JP2019514220A (en) * 2016-04-14 2019-05-30 ミュールバウアー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディトゲゼルシャフト Apparatus, system and method for positioning electronic components
KR102186430B1 (en) 2016-04-14 2020-12-03 뮐바우어 게엠베하 운트 콤파니 카게 Device, system and electronic component alignment methods for electronic component alignment
KR20230081641A (en) * 2021-11-30 2023-06-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate transfer device and substrate transfer method
KR102723103B1 (en) * 2021-11-30 2024-10-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate transfer device and substrate transfer method

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