JP2006328527A - 水素製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造容易で優れた電解効率を得ることができる水素製造装置を提供する。
【解決手段】固体高分子電解質膜2と、1対の剛性を備える給電体3,4と、セパレータ5,6と、セパレータ5,6と給電体3,4とを固体高分子電解質膜2に押圧する押圧手段15,16と、各セパレータ5,6に設けられた圧接面17、凹部18と、流体通路8,10とを備える。各給電体3,4に通電して水を電解し、水素ガスを得る。少なくともカソード側セパレータ5に配設された給電体3の表面3aと圧接面17との間に、固体高分子電解質膜2の本来の厚さ未満の範囲の間隔Gを備える。固体高分子電解質膜2は、その弾性により間隔Gに侵入している。アノード側セパレータ6に配設された給電体4の表面4aと圧接面17との間に、固体高分子電解質膜2の本来の厚さ未満の範囲の間隔Gを備える。間隔Gは、固体高分子電解質膜の本来の厚さの15%以上100%未満の範囲である。
【選択図】 図2
【解決手段】固体高分子電解質膜2と、1対の剛性を備える給電体3,4と、セパレータ5,6と、セパレータ5,6と給電体3,4とを固体高分子電解質膜2に押圧する押圧手段15,16と、各セパレータ5,6に設けられた圧接面17、凹部18と、流体通路8,10とを備える。各給電体3,4に通電して水を電解し、水素ガスを得る。少なくともカソード側セパレータ5に配設された給電体3の表面3aと圧接面17との間に、固体高分子電解質膜2の本来の厚さ未満の範囲の間隔Gを備える。固体高分子電解質膜2は、その弾性により間隔Gに侵入している。アノード側セパレータ6に配設された給電体4の表面4aと圧接面17との間に、固体高分子電解質膜2の本来の厚さ未満の範囲の間隔Gを備える。間隔Gは、固体高分子電解質膜の本来の厚さの15%以上100%未満の範囲である。
【選択図】 図2
Description
本発明は、水の電解により水素を製造する水素製造装置に関するものである。
従来、図1に示すように、水素製造装置1として、固体高分子電解質膜2と、そのカソード側とアノード側とに相対向して設けられた給電体3,4と、各給電体3,4に積層されたセパレータ5,6とを備える単セル7を備え、複数の単セル7,7を積層したものが知られている。前記固体高分子電解質膜2は両面に図示しない触媒電極層を備えている。
前記積層された単セル7,7は、両側からエンドプレート14,14で挟持され、エンドプレート14,14に挿通されたボルト15にナット16を螺着して締め付けることにより固定されている。この結果、各給電体3,4と、各セパレータ5,6とが固体高分子電解質膜2に押圧されている。
水素製造装置1では、前記セパレータ5,6は、図2(a)に示すように、外縁部に固体高分子電解質膜2に圧接される圧接面17,17を備えると共に、圧接面17,17に囲まれた内方に凹部18を備え、凹部18に給電体3,4が配設されるようになっている。また、セパレータ5,6は、内部に給電体3,6が露出する流体通路8,10を備えている。給電体3,4は、多孔質体であり、図示しない通電手段によりセパレータ5,6を介して通電される。
水素製造装置1では、各給電体3,4と、各セパレータ5,6とが固体高分子電解質膜2に押圧されている状態で、アノード側のセパレータ6の流体通路10に水を供給すると共に、給電体3,4に通電すると、流体通路10に供給された水が固体高分子電解質膜2のアノード側の触媒電極層で電気分解され、水素イオン、電子、酸素ガスを生成する。前記水素イオンは、水分子を伴って固体高分子電解質膜2を透過してカソード側に移動し、カソード側の触媒電極層から電子を受け取って水素ガスとなる。前記水素ガスは多孔質の給電体3を通ってセパレータ5の流体通路8に移動する。この結果、水素製造装置1では、カソード側の流体通路8に水素を得ることができる。
ところで、水素製造装置1に用いられる前記給電体3,4として、球形チタン粒子を焼結して得られる多孔質体等の剛性を備えるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
給電体3,4として、前記剛性を備えるものを用いる場合には、図4(a)に示すように給電体3,4の厚さがセパレータ5,6の凹部18の深さに一致するようにして、給電体3,4の表面3a,4aがセパレータ5,6の圧接面17と面一になるようにされている。これは、給電体3,4の厚さがセパレータ5,6の凹部18の深さ以上であると、例えば図4(b)に示すように給電体3が凹部18から突出して、給電体3の表面3aがセパレータ5の圧接面17の外側に位置することとなり、固体高分子電解質膜2の表面とセパレータ5の圧接面17との間の間隙Sから、カソード側で生成した水素ガスが漏洩するためである。
しかしながら、給電体3,4の表面3a,4aがセパレータ5,6の圧接面17と面一になるようにするには、給電体3,4、セパレータ5,6とも高精度に加工することが必要とされ、製造が難しくなるという不都合がある。給電体3,4が凹部18から突出した場合には、突出した部分を研削加工することにより給電体3,4の表面3a,4aをセパレータ5,6の圧接面17と面一にすることが考えられるが、この場合には多孔質体である給電体3,4の孔部が閉塞され、水素イオン、水素ガス等の移動が妨げられるために電解効率が低減する。
また、給電体3,4の表面3a,4aをセパレータ5,6の圧接面17と面一にすると、各給電体3,4と、各セパレータ5,6の圧接面17とが固体高分子電解質膜2に押圧されたときに、固体高分子電解質膜2が均一に圧縮されて水分の保持率が低くなるという不都合がある。固体高分子電解質膜2のアノード側で生成した水素イオンは、前述のように水分子を伴ってカソード側に透過するので、固体高分子電解質膜2の水分の保持率が低くなると水素イオンの透過が抑制され、電解効率が低減する。
特開2000−−71456号公報
本発明は、かかる不都合を解消して、製造容易で、優れた電解効率を得ることができる水素製造装置を提供することを目的とする。
かかる目的を達成するために、本発明は、弾性を備える固体高分子電解質膜と、該固体高分子電解質膜のカソード側とアノード側とに相対向して設けられた1対の剛性を備える給電体と、各給電体に積層されたセパレータと、各セパレータと各給電体とを該固体高分子電解質膜に押圧する押圧手段と、各セパレータの外縁部に設けられ該固体高分子電解質膜に圧接される圧接面と、各セパレータの該圧接面に囲まれた内方に設けられ該給電体が配設される凹部と、各セパレータに設けられ各給電体が露出する流体通路とを備え、アノード側セパレータの流体通路に水を供給すると共に各給電体に通電することにより、アノード側セパレータの流体通路に供給された水を電気分解し、カソード側セパレータの流体通路に水素ガスを得る水素製造装置において、少なくともカソード側セパレータの凹部に配設された該給電体の表面を該凹部の内側に位置せしめ、該給電体の表面と該セパレータの圧接面との間に、各給電体と各セパレータとが押圧される前の該固体高分子電解質膜の厚さの100%未満の範囲の間隔を備えることを特徴とする。
本発明の水素製造装置では、前記セパレータは、その外縁部に前記固体高分子電解質膜に圧接される圧接面を備えており、該圧接面に囲まれた内方に設けられた前記凹部に前記給電体が配設されている。そして、少なくともカソード側セパレータにおいて、前記給電体は、その表面が前記凹部の内側に位置せしめられており、該表面と該セパレータの圧接面との間に前記範囲の間隔を備えている。
前記構成によれば、各給電体と各セパレータとが前記押圧手段により前記固体高分子電解質膜に押圧されると、該固体高分子電解質膜はその外縁部が各セパレータの前記圧接面により圧縮されて挟持される。一方、少なくともカソード側セパレータでは、前記給電体の表面が前記凹部の内側に位置せしめられており、該表面と該セパレータの圧接面との間に前記範囲の間隔があるので、前記固体高分子電解質膜は、各給電体と各セパレータとが押圧されたときに、該給電体に対向する部分がその弾性により、該給電体の表面と該セパレータの圧接面との間隔に侵入している。
この結果、前記固体高分子電解質膜は、前記凹部内の前記給電体に対向する部分では、前記圧接面に挟持されている部分に比較して、圧縮される程度が小さい。従って、前記固体高分子電解質膜は、前記凹部内の前記給電体に対向する部分に水分を保持することができ、アノード側で生成した水素イオンが該固体高分子電解質膜を透過して容易にカソード側に移動することができる。
また、前記給電体の表面と前記セパレータの圧接面との間隔は、固体高分子電解質膜本来の厚さの100%未満の範囲とされているので、該固体高分子電解質膜は、該給電体に対向する部分ではその弾性により該給電体に当接することができる。
上述のように、本発明の水素製造装置によれば、前記固体高分子電解質膜は前記凹部内の前記給電体に対向する部分では圧縮される程度が小さく、しかも該給電体の表面と前記セパレータの圧接面との間に前記範囲の間隔があっても、該固体高分子電解質膜はその弾性により該給電体に当接することができるので、優れた電解効率を得ることができる。
また、本発明の水素製造装置は、少なくともカソード側セパレータでは、前記給電体の表面と該セパレータの圧接面との間隔が前記範囲となるように、該給電体の厚さを前記凹部の深さより小さくしておけばよく、該給電体の表面と該セパレータの圧接面とを面一にするような高精度の加工を必要としないので、容易に製造することができる。
さらに、少なくともカソード側セパレータにおいて、前記給電体の表面が前記凹部の内部に位置せしめられていることにより、各給電体と各セパレータとが前記固体高分子電解質膜に押圧されたときに、カソード側の前記給電体の外周が前記カソード側セパレータの圧接面で囲まれて確実に密封される。この結果、カソード側の前記給電体が前記固体高分子電解質膜に接触する領域で、発生する水素ガスの漏洩を確実に阻止することができる。
本発明の水素製造装置において、前記給電体の表面と前記セパレータの圧接面との間隔は、固体高分子電解質膜本来の厚さの100%未満の範囲とすることが必要である。前記間隔が、固体高分子電解質膜本来の厚さの100%を超えるときには、該固体高分子電解質膜の前記給電体に対向する部分が該給電体に当接できず、該給電体からの給電が受けられなくなるので、水の電解自体が不可能になる。
本発明の水素製造装置では、少なくともカソード側セパレータにおいて、前記凹部に配設される給電体の表面が該凹部の内側に位置せしめられ、該給電体の表面と該セパレータの圧接面との間に前記範囲の間隔が設けられていればよい。但し、アノード側のセパレータにおいても、前記凹部に配設される給電体の表面が該凹部の内側に位置せしめられ、該給電体の表面と該セパレータの圧接面との間に前記範囲の間隔が設けられていることが好ましい。このようにすることにより、カソード側とアノード側との両方のセパレータと給電体とを容易に製造することができる。
また、本発明の水素製造装置では、前記給電体の表面と前記セパレータの圧接面との間隔は、前述の理由により固体高分子電解質膜本来の厚さの100%未満の範囲とすることが必要であるが、さらに固体高分子電解質膜本来の厚さの15%以上100%未満の範囲であることが好ましく、このようにすることにより確実に優れた電解効率を得ることができる。
前記給電体の表面と前記セパレータの圧接面との間隔が、前記固体高分子電解質膜本来の厚さの15%未満であるときには、各給電体と各セパレータとが前記固体高分子電解質膜に押圧されたときに、該固体高分子電解質膜の該給電体に対向する部分の圧縮される程度が大になり、十分な水分を保持できず、十分な電解効率が得られなくなることがある。
次に、添付の図面を参照しながら本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。図1は本実施形態の水素製造装置の構成を示す説明的断面図であり、図2は図1の要部拡大図、図3は本実施形態の水素製造装置における生成した水素ガスの圧力と電解電圧との関係を示すグラフである。
図1に示すように、本実施形態の水素製造装置1は、固体高分子電解質膜2と、そのカソード側とアノード側とに相対向して設けられたカソード側給電体3、アノード側給電体4と、各給電体3,4にそれぞれ積層されたカソード側セパレータ5、アノード側セパレータ6とを備える単セル7を備え、単セル7を2層積層した構成となっている。単セル7,7は、一方の単セル7のカソード側セパレータ5に、他方の単セル7のアノード側セパレータ6が積層されている。
各単セル7において、カソード側セパレータ5は、カソード側給電体3が露出する流体通路8と、流体通路8に連通する水素取出口9とを備え、アノード側セパレータ6は、アノード側給電体4が露出する流体通路10と、流体通路10の一方の端部に連通する給水口11と、流体通路10の他方の端部に連通する排水口12とを備えている。
各給電体3,4は、図示しない通電手段により、それぞれセパレータ5,6を介して通電されるようになっている。このとき、前述のように、一方の単セル7のカソード側セパレータ5に、他方の単セル7のアノード側セパレータ6が積層されていることにより、各単セル7,7が直列に接続されることになるので有利である。
単セル7,7は、その両側で絶縁部材13,13を介してエンドプレート14,14に挟持されており、エンドプレート14,14に取着されたボルト15とナット16とにより締め付けられ、相互に密着せしめられて固定されている。この結果、各給電体3,4と、各セパレータ5,6とが固体高分子電解質膜2に押圧されている。
尚、水素取出口9、給水口11、排水口12は、いずれも、各単セル7,7間で連通すると共に、絶縁部材13、エンドプレート14を貫通して設けられている。
水素製造装置1において、固体高分子電解質膜2は陽イオン透過膜であり、例えばNafion(登録商標、デュポン社製)、Aciplex(商品名、旭化成株式会社製)等を用いることができる。固体高分子電解質膜2は、アノード側には例えばRuIrFeOX触媒を含む電極触媒層(図示せず)を備え、カソード側には例えば白金触媒を含む電極触媒層(図示せず)を備えている。
カソード側給電体3、アノード側給電体4は、例えば、チタン製多孔質焼結体により形成することができ、表面に白金メッキが施されている。前記チタン製多孔質焼結体は、例えば、チタンの溶融飛沫を飛散中に凝固させるガスアトマイズ法により製造された球状ガスアトマイズチタン粉末を、所定形状の焼結容器に充填して真空焼結することにより得られる。前記チタン製多孔質焼結体は、チタン製薄板コイルを切削して繊維にするコイル材切削法により製造されたチタン繊維を、所定形状の焼結容器に充填して真空焼結することにより得たものであってもよい。
また、カソード側セパレータ5、アノード側セパレータ6は、例えば、チタンプレートにより形成されており、図2(a)に示すように、外縁部に固体高分子電解質膜2に圧接される圧接面17を備えると共に、圧接面17に囲まれた内方に、カソード側給電体3、アノード側給電体4が配設される凹部18を備えている。流体通路8,10は、それぞれ凹部18の底部に形成されており、凹部18にカソード側給電体3、アノード側給電体4が配設されたときに、流体通路8にカソード側給電体3が、流体通路10にアノード側給電体4が露出されるようになっている。
水素製造装置1では、カソード側セパレータ5は、図2(b)に示すように、カソード側給電体3が凹部18に配設されたときに、カソード側給電体3の表面3aが凹部18の内部に位置せしめられ、表面3aと、カソード側セパレータ5の圧接面17との間に間隔Gが設けられている。間隔Gは、カソード側給電体3、アノード側給電体4と、カソード側セパレータ5、アノード側セパレータ6とが押圧される前の固体高分子電解質膜2の厚さ(以下、「固体高分子電解質膜2の本来の厚さ」と略記する)の15%以上100%未満の範囲に設定されている。
前記のように、カソード側給電体3の表面3aが凹部18の内部に位置せしめられるようにするときには、カソード側給電体3の厚さを凹部18の深さより小さくしておけばよいので、カソード側セパレータ5とカソード側給電体3とを容易に製造することができる。
一方、アノード側セパレータ6は、アノード側給電体4が凹部18に配設されたときに、アノード側給電体4の表面4aと圧接面17とが面一になっている。これは、図2(b)において、間隔Gが0である場合に相当する。
カソード側給電体3が配設されたカソード側セパレータ5と、アノード側給電体4が配設されたアノード側セパレータ6とは、図2(c)に示すように、それぞれ固体高分子電解質膜2のカソード側、アノード側に積層されることにより、単セル7を構成する。
尚、図2(a)〜(c)では、水素取出口9、給水口11、排水口12を省略して示している。
水素製造装置1では、少なくともカソード側セパレータ5の凹部18に配設されるカソード側給電体3の表面3aが凹部18の内部に位置せしめられ、表面3aとカソード側セパレータ6の圧接面17との間に間隔Gが設けられていればよい。但し、アノード側セパレータ6の凹部18に配設されるアノード側給電体4についても、その表面4aが凹部18の内部に位置せしめられ、該表面4aとアノード側セパレータ6の圧接面17との間に間隔Gが設けられていることが好ましい。このようにすることにより、アノード側セパレータ6とアノード側給電体4とを容易に製造することができる。
また、本実施形態の水素製造装置1では、単セル7を2層積層するものとして説明しているが、単セル7は単層でもよく、さらに3層以上積層するものであってもよい。
次に、水素製造装置1の作動について説明する。
前記構成を備える水素製造装置1では、まず、単セル7,7を積層し、積層された単セル7,7の両側から絶縁部材13,13を介してエンドプレート14,14で挟持し、ボルト15とナット16とにより締め付け、相互に密着させて固定することにより装置を組み立てる。この結果、各給電体3,4と、各セパレータ5,6とが、固体高分子電解質膜2に押圧される。
このとき、図2(b)に示すように、カソード側セパレータ5の凹部18に配設されたカソード側給電体3は、表面3aが凹部18の内部に位置せしめられている。そして、表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17との間には、固体高分子電解質膜2の本来の厚さの15%以上100%未満の範囲の間隔Gが設けられている。また、アノード側セパレータ6の凹部18に配設されたアノード側給電体4は、図2(b)において間隔Gが0とされており、表面4aとアノード側セパレータ6の圧接面17とが面一になっている。
そこで、各給電体3,4と、各セパレータ5,6とが、固体高分子電解質膜2に押圧されると、図2(c)に単セル7として示すように、固体高分子電解質膜2の外縁部がカソード側セパレータ5、アノード側セパレータ6の圧接面17により圧縮されて挟持される。その一方で、カソード側セパレータ5では、固体高分子電解質膜2が、凹部18内のカソード側給電体3に対向する部分で、カソード側給電体3の表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17との間の間隔Gに侵入している。
従って、固体高分子電解質膜2は、凹部18内のカソード側給電体3に対向する部分では、圧接面17に挟持されている部分に比較して圧縮される程度が小さく、この部分に水分を保持することができる。また、固体高分子電解質膜2は、凹部18内のカソード側給電体3に対向する部分で、その弾性によりカソード側給電体3に当接することができる。
水素製造装置1では、前記状態で、給水口11からアノード側セパレータ6の流体通路10に水を供給する。そして、図示しない通電手段により、カソード側セパレータ5とアノード側セパレータ6とを介してカソード側給電体3とアノード側給電体4とにそれぞれ通電することにより、前記水の電気分解を行う。前記電気分解によれば、流体通路10から供給される水が固体高分子電解質膜2のアノード側で電気分解されて、水素イオン、電子、酸素ガスが生成する。前記水素イオンは、カソード側給電体3とアノード側給電体4との電位差により、陽イオン透過膜である固体高分子電解質膜2を透過して、カソード側給電体3側に移動する。そして、前記水素イオンが固体高分子電解質膜2のカソード側でカソード側給電体3から電子を受け取って分子化することにより、カソード側セパレータ5の流体通路8に水素ガスが得られる。前記水素ガスは水と共に、流体通路8から水素取出口9を介して取出される。尚、排水口12からは、固体高分子電解質膜2のアノード側で生成した酸素ガスを含む水が取出される。
このとき、固体高分子電解質膜2は、凹部18内のカソード側給電体3に対向する部分がカソード側給電体3に当接しているので、カソード側給電体3から給電を受けることができ、凹部18内のカソード側給電体3に対向する部分に水分を保持することができる。従って、アノード側で生成した水素イオンが水分子を伴って容易にカソード側に移動することができる。
また、水素製造装置1では、給電体3,4の外周がセパレータ5,6の圧接面17,17で囲まれており、圧接面17、17は固体高分子電解質膜2に圧接されている。従って、固体高分子電解質膜2の凹部18内でカソード側給電体3に対向する部分が、圧接面17,17により密封されている。この結果、固体高分子電解質膜2の凹部18内でカソード側給電体3に対向する部分で発生する水素ガスが、外部に漏洩することを確実に阻止することができる。
次に、本発明の実施例と比較例とを示す。
本実施例では、まず、厚さ0.13mmの固体高分子電解質膜2のアノード側に触媒としてRuIrFeOxを含む触媒電極層を形成すると共に、カソード側に触媒としてPtを含む触媒電極層を形成して、膜−電極構造体(MEA)を製造した。
次に、チタンプレートを用いて、図2(a)に示す圧接面17、凹部18、流体通路8を備えるカソード側セパレータ5、アノード側セパレータ6を製造した。
次に、表面に白金メッキを施したチタン繊維焼結体を用いて、直径30mm、厚さ
0.5mmのカソード側給電体3を製造し、図2(b)に示すように、前記カソード側セパレータ5の凹部18に配設した。このとき、凹部18の深さを調整し、カソード側給電体3の表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17との間隔Gが0.02mmとなるようにした。本実施例における間隔Gは、固体高分子電解質膜2の本来の厚さ(0.13mm)の15%に当たる。
0.5mmのカソード側給電体3を製造し、図2(b)に示すように、前記カソード側セパレータ5の凹部18に配設した。このとき、凹部18の深さを調整し、カソード側給電体3の表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17との間隔Gが0.02mmとなるようにした。本実施例における間隔Gは、固体高分子電解質膜2の本来の厚さ(0.13mm)の15%に当たる。
次に、表面に白金メッキを施したチタン粉末焼結体を用いて、直径30mm、厚さ
0.5mmのアノード側給電体4を製造し、図2(b)に示すように、前記アノード側セパレータ6の凹部18に配設した。このとき、凹部18の深さを調整し、図2(b)における間隔Gが0となり、アノード側給電体4の表面4aとアノード側セパレータ6の圧接面17とが面一になるようにした。
0.5mmのアノード側給電体4を製造し、図2(b)に示すように、前記アノード側セパレータ6の凹部18に配設した。このとき、凹部18の深さを調整し、図2(b)における間隔Gが0となり、アノード側給電体4の表面4aとアノード側セパレータ6の圧接面17とが面一になるようにした。
次に、前記膜−電極構造体のカソード側に、カソード側給電体3を配設したカソード側セパレータ5を積層した。また、これと共に、前記膜−電極構造体のアノード側に、アノード側給電体4を配設したアノード側セパレータ6を積層して、図2(c)に示す単セル7を構成した。そして、単セル7を3層積層すると共に、両側から絶縁部材13,13を介してエンドプレート14,14により挟持し、エンドプレート14,14に取着されたボルト15とナット16とにより締め付けた。このようにして、単セル7が3層積層されていることを除いて、図1に示すものと同様の水素製造装置1を組み立てた。締め付け圧は40MPaとした。
このようにすると、図2(c)において、固体高分子電解質膜2の圧接面17,17に挟持されている部分には、前記締め付け圧40MPaが全て作用し、この部分の厚さd1は25μmになる。一方、固体高分子電解質膜2は、凹部18内のカソード側電極3に対向する部分では、カソード側給電体3の表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17との間隔Gに侵入し、その弾性によりカソード側給電体3に当接している。凹部18内のカソード側電極3に対向する部分では、固体高分子電解質膜2には10MPaの圧力が作用しており、固体高分子電解質膜2の厚さd2が65μmとなっている。
この結果、固体高分子電解質膜2は厚さd2=65μmの部分では水分を保持して水素イオンが透過しやすくなっているが、厚さd1=25μmの部分では厳しく圧縮されているために水分に乏しく、水素イオン、水素ガスが透過しにくくなっている。従って、固体高分子電解質膜2は、厚さd1=25μmの部分からの水素ガスの漏洩を阻止することができる。
次に、本実施例の水素製造装置1に、給水口11から水温80℃の水を供給して、水の電解により水素を製造した。このとき、カソード側に得られた水素ガスの圧力と、電解電圧との関係を図3に示す。
本実施例では、カソード側給電体3の表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17との間隔Gが0.04mmとなるようにした以外は、実施例1と全く同一にして、図1に示すものと同様の水素製造装置1を組み立てた。本実施例における間隔Gは、固体高分子電解質膜2の本来の厚さの31%に当たる。
次に、本実施例の水素製造装置1に、給水口11から水温80℃の水を供給して、水の電解により水素を製造した。このとき、カソード側に得られた水素ガスの圧力と、電解電圧との関係を図3に示す。
本実施例では、カソード側給電体3の表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17との間隔Gが0.06mmとなるようにした以外は、実施例1と全く同一にして、図1に示すものと同様の水素製造装置1を組み立てた。本実施例における間隔Gは、固体高分子電解質膜2の本来の厚さの46%に当たる。
次に、本実施例の水素製造装置1に、給水口11から水温80℃の水を供給して、水の電解により水素を製造した。このとき、カソード側に得られた水素ガスの圧力と、電解電圧との関係を図3に示す。
本実施例では、カソード側給電体3の表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17との間隔Gが0.08mmとなるようにした以外は、実施例1と全く同一にして、図1に示すものと同様の水素製造装置1を組み立てた。本実施例における間隔Gは、固体高分子電解質膜2の本来の厚さの62%に当たる。
次に、本実施例の水素製造装置1に、給水口11から水温80℃の水を供給して、水の電解により水素を製造した。このとき、カソード側に得られた水素ガスの圧力と、電解電圧との関係を図3に示す。
本実施例では、カソード側給電体3の表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17との間隔Gが0.10mmとなるようにした以外は、実施例1と全く同一にして、図1に示すものと同様の水素製造装置1を組み立てた。本実施例における間隔Gは、固体高分子電解質膜2の本来の厚さの77%に当たる。
次に、本実施例の水素製造装置1に、給水口11から水温80℃の水を供給して、水の電解により水素を製造した。このとき、カソード側に得られた水素ガスの圧力と、電解電圧との関係を図3に示す。
〔比較例1〕
本比較例では、カソード側給電体3の表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17とが面一になり、間隔Gが0となるようにした以外は、実施例1と全く同一にして、図1に示すものと同様の水素製造装置1を組み立てた。本比較例における間隔Gは、固体高分子電解質膜2の本来の厚さの0%に当たる。
〔比較例1〕
本比較例では、カソード側給電体3の表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17とが面一になり、間隔Gが0となるようにした以外は、実施例1と全く同一にして、図1に示すものと同様の水素製造装置1を組み立てた。本比較例における間隔Gは、固体高分子電解質膜2の本来の厚さの0%に当たる。
次に、本比較例の水素製造装置1に、給水口11から水温80℃の水を供給して、水の電解により水素を製造した。このとき、カソード側に得られた水素ガスの圧力と、電解電圧との関係を図3に示す。
〔比較例2〕
本比較例では、カソード側給電体3の表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17との間隔Gが0.15mmとなるようにした以外は、実施例1と全く同一にして、図1に示すものと同様の水素製造装置1を組み立てた。本比較例における間隔Gは、固体高分子電解質膜2の本来の厚さの115%に当たる。
〔比較例2〕
本比較例では、カソード側給電体3の表面3aとカソード側セパレータ5の圧接面17との間隔Gが0.15mmとなるようにした以外は、実施例1と全く同一にして、図1に示すものと同様の水素製造装置1を組み立てた。本比較例における間隔Gは、固体高分子電解質膜2の本来の厚さの115%に当たる。
次に、本比較例の水素製造装置1に、給水口11から水温80℃の水を供給して、水の電解により水素を製造した。このとき、カソード側に得られた水素ガスの圧力と、電解電圧との関係を図3に示す。
図3から、間隔Gが固体高分子電解質膜2の本来の厚さの15〜77%の範囲にある実施例1〜5の水素製造装置1によれば、カソード側の水素ガスの圧力が35MPa以下の範囲で電解電圧が十分に低く、電解効率に優れていることが明らかである。
これに対して、間隔Gが0である比較例1の水素製造装置1では、初期の電解電圧が前記実施例1〜3よりも高くなっていることが明らかである。比較例1の水素製造装置1において、初期の電解電圧が前記実施例1〜5よりも高くなる理由としては、固体高分子電解質膜2が、給電体3,4、セパレータ5,6により均一に圧縮されて、十分な水分を保持できないためと考えられる。
また、間隔Gが固体高分子電解質膜2の本来の厚さの100%を超えている比較例2の水素製造装置1では、電解電圧が著しい上昇を示し、電解自体が不可能になっていることが明らかである。比較例2の水素製造装置1において、電解電圧が著しい上昇を示す理由としては、間隔Gが固体高分子電解質膜2の本来の厚さの100%を超えているために、カソード側セパレータ5の凹部18内で、固体高分子電解質膜2が給電体3に十分に当接していないことが考えられる。
1…水素製造装置、 2…固体高分子電解質膜、 3,4…給電体、 5,6…セパレータ、 8,10…流体通路、 17…圧接面、 18…凹部。
Claims (4)
- 弾性を備える固体高分子電解質膜と、該固体高分子電解質膜のカソード側とアノード側とに相対向して設けられた1対の剛性を備える給電体と、各給電体に積層されたセパレータと、各セパレータと各給電体とを該固体高分子電解質膜に押圧する押圧手段と、各セパレータの外縁部に設けられ該固体高分子電解質膜に圧接される圧接面と、各セパレータの該圧接面に囲まれた内方に設けられ該給電体が配設される凹部と、各セパレータに設けられ各給電体が露出する流体通路とを備え、アノード側セパレータの流体通路に水を供給すると共に各給電体に通電することにより、アノード側セパレータの流体通路に供給された水を電気分解し、カソード側セパレータの流体通路に水素ガスを得る水素製造装置において、
少なくともカソード側セパレータの凹部に配設された該給電体の表面を該凹部の内側に位置せしめ、該給電体の表面と該セパレータの圧接面との間に、各給電体と各セパレータとが押圧される前の該固体高分子電解質膜の厚さの100%未満の範囲の間隔を備えることを特徴とする水素製造装置。 - 前記固体高分子電解質膜は、各給電体と各セパレータとが押圧されたときに、前記給電体に対向する部分がその弾性により、該給電体の表面と該セパレータの圧接面との間隔に侵入していることを特徴とする請求項1記載の水素製造装置。
- アノード側セパレータの凹部に配設された前記給電体の表面を該凹部の内側に位置せしめ、該給電体の表面と該セパレータの圧接面との間に、各給電体と各セパレータとが押圧される前の該固体高分子電解質膜の厚さの100%未満の範囲の間隔を備えることを特徴とする請求項1記載の水素製造装置。
- 前記給電体の表面と前記セパレータの圧接面との間隔は、各給電体と各セパレータとが押圧される前の前記固体高分子電解質膜の厚さの15%以上100%未満の範囲であることを特徴とする請求項1記載の水素製造装置。
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