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JP2006310767A - 基板処理装置 - Google Patents

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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

【課題】 薬液処理が完了した基板について、良好な洗浄処理を可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】 第２処理槽１１０にて薬液処理が完了した複数枚の基板Ｗを第１処理槽１０に貯留された純水に浸漬させる。この場合、保持棒３２ａ、３２ｃの高さ方向の位置が純水ノズル１９と略同一となるように、保持機構３０を下降させる。また、純水ノズル１７からは純水が供給されており、内槽１１から外槽２０に純水が溢れ出る。続いて、保持棒３２ａ、３２ｃに向けて、対応する純水ノズル１９から純水が吐出される。これにより、保持棒３２ａ、３２ｃに十分な強さの水流を付与でき、これら保持棒３２ａ、３２ｃの保持溝３５に付着した残留物３５ａを良好に洗浄できる。また、保持棒３２ｂの保持溝３５は、２つの純水ノズル１７から供給される純水により形成される水流によって、良好に洗浄される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、処理槽に貯留された薬液、純水等の処理液に半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を浸漬してエッチング、洗浄等の処理を行う基板処理装置に関する。
従来より、複数の処理槽の間をリフターによって移動させることにより、基板に所定の処理を行う装置が知られている（例えば、特許文献１）。
特開平０５−３３５４０１号公報
しかし、特許文献１の基板処理装置において、フッ酸や緩衝フッ酸（ＢＨＦ）等の薬液による処理が完了した基板を、薬液処理を行った処理槽から純水リンス処理を行う処理槽に搬送する際に、リフターの保持棒の保持溝に薬液が残留する場合がある。そして、この残留した薬液が純水リンス処理によっても洗浄できない場合、この残留薬液がパーティクル発生源となり、基板の処理不良が発生するという問題が生ずる。
さらに、この問題は、上述の場合だけでなく、薬液または純水を貯留して単一槽内で各種の薬液処理や水洗処理を行う多機能槽につき、そのリフター保持部の保持溝に残留する薬液によっても同様に生ずる。
そこで、本発明では、薬液処理が完了した基板について、良好な洗浄処理を可能とする基板処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、純水を貯留する第１処理槽と、薬液を貯留する第２処理槽と、複数の基板を保持する保持溝を有し、前記保持溝により複数の基板を保持しつつ前記第２処理槽内から前記第１処理槽内へ移動可能な保持機構と、前記第１処理槽内に純水を供給する第１供給部と、前記第１処理槽内にある前記保持機構の保持溝へ向けて純水を吐出する第２供給部と、を備えることを特徴とする。
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記第１処理槽内において前記第２供給部より上方に設けられ、前記保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部をさらに備え、前記保持部により複数の基板を保持した状態で、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて純水を吐出することを特徴とする。
また、請求項３の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記第１処理槽内に設けられており、前記保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部をさらに備え、前記保持部により複数の基板を保持した状態で、前記第２供給部は前記保持機構の前記保持溝の上側から前記保持溝に向けて純水を吐出可能なことを特徴とする。
また、請求項４の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記第２供給部は、前記保持部に設けられていることを特徴とする。
また、請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１供給部から前記第１処理槽へ純水を供給する前に、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて純水を吐出することを特徴とする。
また、請求項６の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１供給部から前記第１処理槽へ純水を供給する際に、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて純水を吐出することを特徴とする。
また、請求項７の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、複数の基板を保持した前記保持機構を前記第１処理槽に貯留された純水に浸漬させた状態で、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて純水を吐出することを特徴とする。
また、請求項８の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、複数の基板を保持する保持溝を有し、前記処理槽内に収容される保持機構と、前記処理槽内に処理液を供給する第１供給部と、前記処理槽内にある前記保持機構の保持溝へ向けて処理液を吐出する第２供給部と、を備えることを特徴とする。
また、請求項９の発明は、請求項８に記載の基板処理装置において、前記処理槽内において前記第２供給部より上方に設けられ、前記保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部をさらに備え、前記保持部により複数の基板を保持した状態で、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて処理液を吐出することを特徴とする。
また、請求項１０の発明は、請求項８に記載の基板処理装置において、前記処理槽内に設けられており、前記保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部をさらに備え、前記保持部により複数の基板を保持した状態で、前記第２供給部は前記保持機構の前記保持溝の上側から前記保持溝に向けて純水を吐出可能なことを特徴とする。
また、請求項１１の発明は、請求項１０に記載の基板処理装置において、前記第２供給部は、前記保持部に設けられていることを特徴とする。
また、請求項１２の発明は、請求項８ないし請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１供給部から前記処理槽へ処理液を供給する前に、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて処理液を吐出することを特徴とする。
また、請求項１３の発明は、請求項８ないし請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１供給部から前記処理槽へ処理液を供給する際に、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて処理液を吐出することを特徴とする。
また、請求項１４の発明は、請求項８ないし請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置において、複数の基板を保持した前記保持機構を前記処理槽に貯留された処理液に浸漬させた状態で、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて処理液を吐出することを特徴とする。
また、請求項１５の発明は、請求項８ないし請求項１４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理液は純水であり、前記第１供給部は前記処理槽へ薬液を供給可能であり、複数の基板を保持した前記保持機構を前記第１供給部から前記処理槽へ供給された薬液に浸漬した後、前記第１供給部から供給された純水により複数の基板の処理が行われることを特徴とする。
また、請求項１６の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、純水を貯留する第１処理槽と、薬液を貯留する第２処理槽と、複数の基板を保持する保持溝を有し、前記保持溝により複数の基板を保持しつつ前記第２処理槽内から前記第１処理槽内へ移動可能であり、かつ前記第１処理槽内において昇降可能な保持機構と、前記第１処理槽内に純水を供給する供給部と、前記第１処理槽内において前記供給部より上方に設けられ、前記保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部と、を備え、複数の基板を保持した前記保持機構を前記第１処理槽に貯留された純水に浸漬させた状態で、前記保持機構を昇降させることにより複数の基板を前記保持機構の保持溝に保持させた状態と前記保持部に保持させた状態とを繰り返させることを特徴とする。
また、請求項１７の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、複数の基板を保持する保持溝を有し、前記処理槽内において昇降可能な保持機構と、前記処理槽内に処理液を供給する供給部と、前記処理槽内において前記供給部より上方に設けられ、前記保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部と、を備え、複数の基板を保持した前記保持機構を前記処理槽に貯留された処理液に浸漬させた状態で、前記保持機構を昇降させることにより複数の基板を前記保持機構の保持溝に保持された状態と前記保持部に保持された状態とを繰り返させることを特徴とする。
また、請求項１８の発明は、請求項１７に記載の基板処理装置において、前記処理液は純水であり、前記供給部は前記処理槽へ薬液を供給可能であり、複数の基板を保持した前記保持機構を前記供給部から前記処理槽内へ供給された薬液に浸漬した後、前記供給部から供給された純水により複数の基板の処理が行われることを特徴とする。
請求項１から請求項７に記載の発明によれば、第２処理槽により薬液処理が行われた保持機構の保持溝に薬液が付着している場合であっても、第２供給部が第１処理槽内にある保持機構の保持溝へ向けて純水を吐出するので、保持溝に残留する薬液に起因するパーティクルの発生を抑制でき、基板の処理不良を防止できる。
特に、請求項２に記載の発明によれば、保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部を備え、保持部により複数の基板を保持した状態で、第２供給部が保持機構の保持溝へ向けて純水を吐出するので、保持溝と基板との間に隙間ができることにより、保持溝に確実に純水が供給され、保持溝に残留する薬液に起因するパーティクルを確実に抑制できる。
特に、請求項３および請求項４に記載の発明によれば、保持部によって複数の基板を保持することにより、基板が保持されていない保持溝の上側から純水を吐出できる。そのため、保持溝に残留する薬液をさらに良好に除去できる。その結果、薬液に起因するパーティクルの発生を抑制でき、基板の処理不良をさらに防止できる。
また、請求項８から請求項１５に記載の発明によれば、保持機構の保持溝にパーティクルが付着している場合であっても、第２供給部が処理槽内にある保持機構の保持溝へ向けて処理液を吐出するので、保持溝に残留するパーティクルを除去でき、基板の処理不良を防止できる。
特に、請求項９に記載の発明によれば、保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部を備え、保持部により複数の基板を保持した状態で、第２供給部が保持機構の保持溝へ向けて処理液を吐出するので、保持溝と基板との間に隙間ができることにより、保持溝に確実に純水が供給され、保持溝に残留するパーティクルを確実に抑制できる。
特に、請求項１０および請求項１１に記載の発明によれば、保持部によって複数の基板を保持することにより、基板が保持されていない保持溝の上側から純水を吐出できる。そのため、保持溝に残留する薬液をさらに良好に除去できる。その結果、薬液に起因するパーティクルの発生を抑制でき、基板の処理不良をさらに防止できる。
また、請求項１６に記載の発明によれば、複数の基板を保持した保持機構を第１処理槽に貯留された純水に浸漬させた状態で、保持機構を昇降させることにより複数の基板を前記保持機構の保持溝に保持された状態と、前記保持部に保持された状態とを繰り返させているので、保持機構の昇降により保持溝に残留する薬液が除去され、薬液に起因するパーティクルの発生を抑制でき、基板の処理不良を防止できる。
また、請求項１７および請求項１８に記載の発明によれば、複数の基板を保持した保持機構を処理槽に貯留された処理液に浸漬させた状態で、保持機構を昇降させることにより複数の基板を保持機構の保持溝に保持させた状態と前記保持部に保持させた状態とを繰り返させているので、保持機構の昇降により保持溝に残留するパーティクルを除去でき、基板の処理不良を防止できる。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置１の全体構成を説明するための図である。基板処理装置１は、複数の基板Ｗに対して一度に基板処理を行うバッチ式の装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、主として、第１処理槽１０、第２処理槽１１０と、保持機構３０と、を備える。
第１処理槽１０は、貯留された純水に複数の基板Ｗを浸漬させることによって基板Ｗに対する純水による洗浄処理（リンス処理）を施す槽である。図１に示すように、第１処理槽１０は、主として、内槽１１と外槽２０とを備える。
内槽１１は、純水を貯留する貯留槽である。内槽１１に貯留された純水１５に複数枚の基板Ｗを浸漬することにより、複数の基板Ｗのぞれぞれに対して一度に同様な洗浄処理を実行できる。
内槽１１の底部近傍には、内槽１１の内側に純水を吐出する２本の純水ノズル１７が配置される。また、各純水ノズル１７は、対応する分岐管６２、配管４８ａ、および共通配管４５を介して、純水供給源４６と連通接続される。さらに、配管４８ａには、開閉可能なバルブ４７ａが設けられている。
また、内槽１１の内側であって純水ノズル１７の上方には、２本の純水ノズル１９が配置される。各純水ノズル１９は、対応する分岐管４９、配管４８ｂ、および共通配管４５を介して、純水供給源４６と連通接続される。さらに、配管４８ｂには、開閉可能なバルブ４７ｂが設けられている。
したがって、バルブ４７ａ、４７ｂの両方が開放されることにより、純水ノズル１７からは矢印ＡＲ１方向に、純水ノズル１９からは矢印ＡＲ２方向に、純水が吐出される。また、バルブ４７ａが開放されてバルブ４７ｂが閉鎖されることにより、純水ノズル１７から内槽１１の内側に純水が供給される。さらに、バルブ４７ｂが開放されてバルブ４７ａが閉鎖されることにより、純水ノズル１９から内槽１１の内側に純水が供給される。
このように、第１処理槽１０の内槽１１では、純水ノズル１７および純水ノズル１９から供給される純水によって洗浄処理（リンス処理）を実行できる。
なお、本実施の形態において、純水ノズル１７は、主として内槽１１に貯留する純水を供給するために、また、純水ノズル１９は、主として後述する保持機構３０の保持棒３２（３２ａ、３２ｃ）を洗浄する純水を吐出するために、それぞれ使用される。
外槽２０は、図１に示すように、内槽１１の上端部を取り囲むように配設された回収槽である。これにより、外槽２０は、内槽１１に供給されて溢れ出した純水を回収できる。
また、第１処理槽１０において洗浄処理に使用された純水が排液として排液される場合、この使用済みの排液は、基板処理装置１の外部に設けらており、半導体工場内の共通設備として使用される排液ドレイン５９に排出される。
すなわち、図１に示すように、外槽２０の内側領域は、分岐排液管５１ａと連通しており、分岐排液管５１ａには開閉可能なバルブ５６ａが設けられている。また、内槽１１の内側領域は分岐排液管５１ｂと連通しており、分岐排液管５１ｂには開閉可能なバルブ５６ｂが設けられている。また、分岐排液管５１ａ、５１ｂは、連通位置８１にて排液管５４と連通する。さらに、排液管５４は共通排液管５２を介して排液ドレイン５９と連通接続される。
したがって、ポンプ５３が駆動させられとともに、バルブ５６ａが開放され、バルブ５６ｂが閉鎖されることにより、外槽２０に回収された処理液２５は排液ドレイン５９に排出される。一方、ポンプ５３が駆動させられとともに、バルブ５６ｂが開放され、バルブ５６ａが閉鎖されることにより、内槽１１に貯留された純水１５は、排液ドレイン５９に排出される。
第２処理槽１１０は、貯留されたフッ酸（ＨＦ）等の処理液に複数の基板Ｗを浸漬させることによって洗浄処理、エッチング処理等の所定の処理を施す槽である。図１に示すように、第２処理槽１１０は、主として、内槽１１１と外槽１２０とを備える。
内槽１１１は、処理液を貯留する貯留槽であり、その内側に貯留された処理液１１５に複数枚の基板Ｗを浸漬することにより、複数の基板Ｗのそれぞれに対して一度に同様な洗浄処理等を実行できる。
内槽１１１の底部近傍には、内槽１１１の内側に処理液を吐出する２本の処理液ノズル１１７が配置される。また、各処理液ノズル１１７は、対応する分岐管１６２、および共通配管４０を介して、フッ酸供給源４１と連通接続される。さらに共通配管４０には、開閉可能なバルブ４２が設けられている。
したがって、バルブ４２が開放されることにより、処理液ノズル１１７からは矢印ＡＲ３方向にフッ酸が供給され、内槽１１１にフッ酸が貯留される。
外槽１２０は、図１に示すように、内槽１１１の上端部を取り囲むように配設された回収槽である。これにより、外槽１２０は、外槽２０と同様に、内槽１１１に供給されて溢れ出した処理液を回収できる。
また、第２処理槽１１０において基板処理に使用された処理液が排液として排液される場合、使用済みの排液は、第１処理槽１０と同様に、排液ドレイン５９に排出される。すなわち、図１に示すように、外槽１２０の内側領域は、分岐排液管１５１ａと連通しており、分岐排液管１５１ａには開閉可能なバルブ１５６ａが設けられている。また、内槽１１１の内側領域は分岐排液管１５１ｂと連通しており、分岐排液管１５１ｂには開閉可能なバルブ１５６ｂが設けられている。また、分岐排液管１５１ａ、１５１ｂは、連通位置１８１にて排液管１５４と連通する。さらに、排液管１５４は共通排液管５２を介して排液ドレイン５９と連通接続される。
したがって、ポンプ１５３が駆動させられとともに、バルブ１５６ａが開放され、バルブ１５６ｂが閉鎖されることにより、外槽１２０に回収された処理液１２５は排液ドレイン５９に排出される。一方、ポンプ１５３が駆動させられとともに、バルブ１５６ｂが開放され、バルブ１５６ａが閉鎖されることにより、内槽１１１に貯留された処理液１１５は、排液ドレイン５９に排出される。
保持機構３０は、複数枚の基板Ｗを、保持しつつ第１処理槽１０、第２処理槽１１０の間で搬送するものである。図１に示すように、保持機構３０は、主として、リフター３１と、複数の保持棒３２（３２ａ〜３２ｃ）と、を備える。リフター３１は、不図示の駆動機構により、矢印ＡＲ４方向（Ｚ軸方向）に昇降可能とされ、かつ、矢印ＡＲ５方向（Ｘ軸方向）に水平移動可能とされる。
図２は、保持棒３２ｃ側から保持棒３２ａを見た図である。図１および図２に示すように、複数の保持棒３２（３２ａ〜３２ｃ）のそれぞれは、Ｙ軸方向に沿って延びる棒状部材であり、各保持棒３２（３２ａ〜３２ｃ）の一端部はリフター３１に取り付けられる。
すなわち、図１に示すように、保持棒３２ａ、３２ｃは、保持機構３０を内槽１１の内側まで下降させた場合に、対応する純水ノズル１９の付近に到達するように、また保持棒３２ｂは、２つの純水ノズル１７のそれぞれから略等距離となるように、リフター３１に取り付けられる。
また、３本の保持棒３２のそれぞれには複数の保持溝３５（図２参照）が設けられている。各保持溝３５は、Ｘ軸方向（すなわち、各保持棒３２の幅方向）から見た断面が略Ｕ字形状の切欠部であり、各保持溝３５の上部は開口する。これにより、各基板Ｗは、その外縁部が対応する保持溝に嵌め込まれると、起立姿勢にて保持される。
したがって、不図示の駆動機構の動作状況を制御することにより、複数の保持棒３２にて保持された複数枚の基板Ｗを、内槽１１に貯留された純水、及び内槽１１１に貯留された処理液に浸漬でき、所定の処理を実行できる。また、保持機構３０の高さ方向（Ｚ軸方向）の位置を制御することにより、保持棒３２ａ、３２ｃと純水ノズル１９とを略同一高さにできる。
制御部９０は、図１に示すように、プログラムや変数等を格納するメモリ９１と、メモリ９１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ９２とを備える。したがって、ＣＰＵ９２は、メモリ９１に格納されたプログラムに従って、バルブ４２、４７ａ、４７ｂ、５６ａ、５６ｂ、１５６ａ、１５６ｂの開閉制御や、ポンプ５３、１５３、およびリフター３１の駆動制御等を所定のタイミングで実行できる。
＜１．２．保持棒の洗浄手順＞
本実施の形態の基板処理装置１において、複数枚の基板Ｗに対して施される薬液処理および洗浄処理は、以下の手順によって実行される。すなわち、（１）複数枚の基板Ｗを、保持機構３０にて保持しつつ第２処理槽１１０に貯留されたフッ酸に浸漬させることにより、各基板Ｗに対して薬液処理が施される。次に、（２）薬液処理が完了した複数枚の基板Ｗは、保持機構３０にて保持されつつ第１処理槽１０に搬送される。続いて、（３）複数枚の基板Ｗを第１処理槽１０の内槽１１に貯留された純水に浸漬させることにより、各基板Ｗに洗浄処理が施される。
この場合、保持機構３０は薬液処理中も複数枚の基板Ｗを保持することになるため、保持棒３２の保持溝３５には内槽１１１に貯留された薬液１１５が付着することになる。そして、場合によっては、内槽１１に貯留された純水１５によって洗浄処理を施したとしても、保持溝３５から薬液の残留物３５ａが排出されずに付着したまま残留することがある。その結果、保持溝３５の残留物３５ａがパーティクル発生源となり、基板Ｗの処理不良が発生する。
ここで、この残留物３５ａの影響は、保持棒３２ａおよび保持棒３２ｃの保持溝３５において特に問題となる。すなわち、内槽１１に純水が貯留されている場合において、２つの純水ノズル１７から吐出される純水により形成される水流は、保持溝３５の残留物３５ａを洗い流すために十分な強さを有する。すなわち、この水流が到達することにより、保持棒３２ｂの保持溝３５に残留する残留物３５ａが保持溝３５から排出される。そのため、保持棒３２ｂについては、特別なハードウェアを追加することなく、良好に保持溝３５の洗浄処理を実行できる。
これに対して、純水ノズル１７から吐出されて保持棒３２ａ、３２ｃに到達する水流の強さは、保持棒３２ｂに到達する水流の強さと比較して弱く、その結果、残留物３５ａを十分に洗い流すことができない場合が生ずる。
そこで、本実施の形態では、保持棒３２ａ、３２ｃに向けて純水を吐出できる純水ノズル１９をさらに追加している。この純水ノズル１９から吐出される純水により、保持棒３２ａ、３２ｃに到達する水流の強さを残留物３５ａの洗浄に十分な強さとすることができる。そのため、保持溝３５に残留物３５ａが付着し続けて残留することを防止でき、基板の処理不良を防止できる。
具体的には、以下の手順によって各保持棒３２の洗浄処理が実行される。なお、この洗浄処理に先立って、純水ノズル１７から純水が供給され、内槽１１には純水が貯留される。すなわち、保持棒３２の洗浄処理は、内槽１１に純水を貯留する処理が完了した後において実行される。
まず、複数枚の基板Ｗが保持された保持機構３０を内槽１１に貯留された純水に浸漬させる。この場合、保持棒３２ａ、３２ｃの高さ方向の位置が純水ノズル１９と略同一となるように、保持機構３０を下降させる。また、純水ノズル１７からは純水が供給されており、内槽１１から外槽２０に純水が溢れ出る。
続いて、保持棒３２ａ、３２ｃに向けて、対応する純水ノズル１９から純水が吐出される。これにより、保持棒３２ａ、３２ｃに対して十分な強さの水流を付与でき、これら保持棒３２ａ、３２ｃの保持溝３５に付着した残留物３５ａを良好に排出して洗浄できる。
なお、純水ノズル１９から純水が吐出される期間においても、純水ノズル１７からは純水が供給され続ける。これにより、保持棒３２ｂの保持溝３５は、２つの純水ノズル１７から供給される純水によって形成される水流によって良好に洗浄される。また、保持機構３０によって保持された複数枚の基板Ｗも洗浄される。
そして、所定時間が経過して純水ノズル１９からの純水吐出が停止させられる。なお、純水ノズル１９からの純水吐出が停止した後も、純水ノズル１７からは純水が供給し続けられる。そのため、基板Ｗの洗浄処理は引き続き実行される。
＜１．３．第１の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第１の実施の形態の基板処理装置１は、保持棒３２ａ、３２ｃの保持溝３５に向けて純水ノズル１９から吐出される純水を供給できる。これにより、純水ノズル１７から供給される純水だけでは洗い流すことが十分にできない保持溝３５の残留物３５ａを良好に洗い流すことができる。そのため、パーティクルの発生を防止でき、基板の処理不良を防止できる。
＜２．第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。この第２の実施の形態における基板処理装置２００は、第１の実施の形態の基板処理装置１と比較して、薬液処理および洗浄処理が１つの処理槽２１０で実行される点を除いては、第１の実施の形態と同様である。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。
なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。
＜２．１．基板処理装置の構成＞
図３は、本発明の第２の実施の形態における基板処理装置２００の全体構成を説明するための図である。基板処理装置２００は、基板処理装置１と同様に、バッチ式の装置である。図３に示すように、基板処理装置２００は、主として、処理槽２１０と、保持機構３０とを備える。
処理槽２１０は、薬液または純水を貯留して単一槽内で各種の薬液処理や水洗処理の実行が可能な多機能槽である。図３に示すように、処理槽２１０は、主として、内槽１１および外槽２０を備える。内槽１１は、薬液、純水等の処理液を貯留する貯留槽であり、その内側に貯留された処理液１５に複数枚の基板Ｗを浸漬することによって所定の基板処理を実行できる。
内槽１１の底部近傍には、内槽１１の内側に処理液を吐出する２本の処理液ノズル１７が配置されており、対応する分岐管６２、配管２４３、配管４８ａ、および共通配管４５を介して純水供給源４６と連通接続される。また、処理液ノズル１７は、対応する分岐管６２、２４３、共通配管４０を介して、フッ酸供給源４１と連通接続される。さらに、配管４８ａ、共通配管４０には、それぞれ開閉可能なバルブ４７ａ、４２が設けられている。
また、内槽１１の内側であって処理液ノズル１７の上方には、２本の純水ノズル１９が配置される。各純水ノズル１９は、対応する分岐管４９、配管４８ｂ、および共通配管４５を介して、純水供給源４６と連通接続される。さらに、配管４８ｂには、開閉可能なバルブ４７ｂが設けられている。
したがって、バルブ４７ａ、４７ｂの両方が開放され、バルブ４２が閉鎖されることにより、処理液ノズル１７からは矢印ＡＲ１方向に、純水ノズル１９からは矢印ＡＲ２方向に、純水が吐出される。また、バルブ４７ａが開放され、バルブ４２、４７ｂが閉鎖されることにより、処理液ノズル１７から内槽１１の内側に純水が供給される。また、バルブ４７ｂが開放され、バルブ４２、４７ａが閉鎖されることにより、純水ノズル１９から内槽１１の内側に純水が供給される。さらに、バルブ４２が開放され、バルブ４７ａ、４７ｂが閉鎖されることにより、処理液ノズル１７から内槽１１の内側に薬液としてフッ酸（ＨＦ）が供給される。
このように、第１処理槽１０の内槽１１では、処理液ノズル１７および純水ノズル１９から供給される薬液および純水により、薬液処理および洗浄処理を実行できる。
外槽２０は、図３に示すように、内槽１１の上端部を取り囲むように配設された回収槽であり、外槽２０は、内槽１１に供給されて溢れ出した処理液を回収できる。
また、処理槽２１０において基板処理に使用された処理液が、排液として排液される場合、使用済みの排液は、排液ドレイン５９に排出される。すなわち、図３に示すように、外槽２０の内側領域は、分岐排液管５１ａと連通しており、分岐排液管５１ａには開閉可能なバルブ５６ａが設けられている。また、内槽１１の内側領域は分岐排液管５１ｂと連通しており、分岐排液管５１ｂには開閉可能なバルブ５６ｂが設けられている。また、分岐排液管５１ａ、５１ｂは、連通位置８１にて排液管５４と連通する。さらに、排液管５４は排液ドレイン５９と連通接続される。
したがって、ポンプ５３が駆動させられとともに、バルブ５６ａが開放され、バルブ５６ｂが閉鎖されることにより、外槽２０に回収された処理液２５は排液ドレイン５９に排出される。一方、ポンプ５３が駆動させられとともに、バルブ５６ｂが開放され、バルブ５６ａが閉鎖されることにより、内槽１１に貯留された処理液１５は、排液ドレイン５９に排出される。
保持機構３０は、複数枚の基板Ｗを、保持しつつ搬送するものである。図３に示すように、保持機構３０は、主として、リフター３１と、複数の保持棒３２（３２ａ〜３２ｃ）と、を備える。リフター３１は、不図示の駆動機構により、少なくとも矢印ＡＲ４方向（Ｚ軸方向）に昇降可能とされる。
したがって、不図示の駆動機構の動作状況を制御することにより、複数の保持棒３２にて保持された複数枚の基板Ｗを、内槽１１に貯留された処理液に浸漬でき、所定の処理を実行できる。また、保持機構３０の高さ方向（Ｚ軸方向）の位置を制御することにより、保持棒３２ａ、３２ｃと純水ノズル１９とを略同一高さにできる。
＜２．２．保持棒の洗浄手順＞
本実施の形態の基板処理装置２００において複数枚の基板Ｗに対して施される薬液処理および洗浄処理は、以下の手順によって実行される。すなわち、（１）複数枚の基板Ｗを、保持機構３０にて保持しつつ処理槽２１０の内槽１１に貯留されたフッ酸に浸漬させることにより、各基板Ｗに対して薬液処理が施される。次に、（２）内槽１１からフッ酸が排液されるとともに、内槽１１に純水が貯留される。続いて、（３）複数枚の基板Ｗを内槽１１に貯留された純水に浸漬させることにより、各基板Ｗに洗浄処理が施される。
この場合、保持機構３０は薬液処理中も複数枚の基板Ｗを保持することになるため、保持棒３２の保持溝３５には薬液処理に使用された薬液（フッ酸）が付着することになる。そして、場合によっては、排液後内槽１１に貯留された純水によって洗浄処理を施したとしても、保持溝３５から薬液の残留物３５ａが排出されずに付着したまま残留することがある。その結果、保持溝３５の残留物３５ａがパーティクル発生源となり、基板Ｗの処理不良が発生する。
そこで、本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、純水ノズル１９から保持棒３２ａ、３２ｃに向けて純水を吐出する。これにより、保持棒３２ａ、３２ｃに到達する水流の強さを、第１の実施の形態と同様に、残留物３５ａの洗浄に十分な強さとすることができる。そのため、保持溝３５に残留物３５ａが付着し続けて残留することを防止でき、基板の処理不良を防止できる。
具体的には、以下の手順によって各保持棒３２の洗浄処理が実行される。なお、この洗浄処理に先立って、内槽１１からは薬液処理に使用されたフッ酸が排液され、純水が貯留される。すなわち、保持棒３２の洗浄処理は、内槽１１に純水を貯留する処理が完了した後において実行される。
内槽１１に純水を貯留する処理が完了すると、保持棒３２ａ、３２ｃの高さ方向の位置が純水ノズル１９と略同一となるように、保持機構３０が移動する。このとき、処理液ノズル１７からは純水が供給されており、内槽１１から外槽２０に純水が溢れ出る。
次に、保持棒３２ａ、３２ｃに向けて、対応する純水ノズル１９から純水が吐出される。これにより、保持棒３２ａ、３２ｃに十分な強さの水流を付与でき、保持溝３５に付着した残留物３５ａを良好に洗浄できる。
なお、純水ノズル１９から純水が吐出される期間においても、処理液ノズル１７からは純水が供給され続けている。これにより、保持棒３２ｂの保持溝３５は、２つの処理液ノズル１７から供給される純水によって形成される水流によって良好に洗浄される。また、保持機構３０によって保持された複数枚の基板Ｗも洗浄される。
そして、所定時間が経過して純水ノズル１９からの純水吐出が停止させられる。なお、純水ノズル１９からの純水吐出が停止した後も、処理液ノズル１７からは純水が供給し続けられる。そのため、基板Ｗの洗浄処理が引き続き実行される。
＜２．３．第２の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第２の実施の形態の基板処理装置２００は、第１の実施の形態と同様に、保持棒３２ａ、３２ｃの保持溝３５に向けて純水ノズル１９から吐出される純水を供給できる。そのため、パーティクルの発生を防止でき、基板の処理不良を防止できる。
＜３．第３の実施の形態＞
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。この第３の実施の形態における基板処理装置３００は、第１の実施の形態の基板処理装置１と比較して、
（１）内槽１１に固定保持部３１４が配設される点と、
（２）各保持棒３２の洗浄手順が相違する点と、
を除いては、第１の実施の形態と同様である。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。
なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。
＜３．１．基板処理装置の構成＞
図４は、本発明の第３の実施の形態における基板処理装置３００の全体構成を説明するための図である。基板処理装置３００は、基板処理装置１と同様に、バッチ式の装置である。図４に示すように、基板処理装置３００は、主として、第１処理槽３１０と、第２処理槽１１０と、保持機構３０とを備える。
第１処理槽３１０は、第１の実施の形態の第１処理槽１０に固定保持部３１４を付加したものである。すなわち、固定保持部３１４は、図４に示すように、第１処理槽３１０の内槽１１の内側であって純水ノズル１７および純水ノズル１９の上方に固定された２つの保持部材３１４ａを備える。ここで、２つの保持部材３１４ａのそれぞれには、複数の保持溝（図示省略）が設けられており、各基板Ｗはその外縁部が対応する保持溝に嵌り込むことによって起立姿勢にて保持される。
＜３．２．保持棒の洗浄手順＞
本実施の形態の基板処理装置３００において施される基板処理は、基板処理装置１と同様である。すなわち、（１）第２処理槽１１０において薬液処理が施され、次に、（２）薬液処理が完了した後に、第２処理槽１１０から第１処理槽３１０に複数枚の基板Ｗが搬送され、続いて、（３）第１処理槽３１０において純水による洗浄処理が施される。そのため、第１の実施の形態の基板処理装置１と同様に、保持溝３５の残留物３５ａがパーティクル発生源となり、基板Ｗの処理不良が発生する。
そこで、本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、純水ノズル１９から吐出される純水によって保持溝３５の洗浄処理を実行する。図５ないし図７は、各保持棒３２の洗浄手順を説明するための図である。各保持棒３２は、以下の手順によって洗浄される。なお、この洗浄処理に先だって、純水ノズル１７から純水が供給され、内槽１１には純水が貯留される。
まず、第２処理槽１１０から搬送された複数枚の基板Ｗが、保持機構３０によって第１処理槽３１０の内側に矢印ＡＲ８方向に下降させられる。その際、保持機構３０の高さ方向（Ｚ軸方向）の位置ＺがＺ１となると、各基板Ｗの外縁部は、保持棒３２の保持溝３５と保持部材３１４ａの保持溝とのそれぞれに嵌り込む（図５参照）。
さらに保持機構３０を下降させると、各基板Ｗは２つの保持部材３１４ａによって保持され、保持棒３２は各基板Ｗから離隔する。すなわち、保持棒３２は基板Ｗを保持しない状態で下降させられる。
そして、保持機構３０の高さ位置が保持棒３２ａ、３２ｃと純水ノズル１９との高さ方向の位置が略同一高さとなる位置Ｚ２（図６参照）まで到達すると、保持機構３０の下降動作が停止させられる。なお、保持機構３０が下降している期間において、純水ノズル１７からは純水が供給されており，内槽１１から外槽２０に純水が溢れ出る。
次に、保持棒３２ａ、３２ｃに向けて、対応する純水ノズル１９から純水が吐出される。すなわち、基板Ｗが嵌り込んでいない保持棒３２ａ、３２ｃの保持溝３５については、純水ノズル１９からの純水による水流を付与できる。これにより、保持溝３５に付着した残留物３５ａをさらに良好に洗い流すことができる。そのため、保持棒３２ａ、３２ｃの保持溝３５に残留物３５ａが残留することをさらに防止でき、基板の処理不良をさらに防止できる。
また、純水ノズル１９から純水が吐出される期間においても、純水ノズル１７からは純水が供給され続けている。そのため保持棒３２ｂの保持溝３５は、２つの純水ノズル１７からの純水による水流によって良好に洗浄される。さらに、固定保持部３１４に保持された各基板Ｗは、純水ノズル１７からの水流によって洗浄される。そして、所定時間が経過して純水ノズル１９からの純水吐出が停止させられる。
なお、各保持棒３２の洗浄処理が完了すると、保持機構３０は矢印ＡＲ９方向に上昇させられ、保持機構３０の位置がＺ０まで移動する（図７参照）。この上昇動作により、複数枚の基板Ｗは、固定保持部３１４から保持機構３０に受け渡される。そして、各基板Ｗは、保持機構３０に保持された状態で、純水ノズル１７から吐出される水流によって洗浄処理が施される。
＜３．３．第３の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第３の実施の形態の基板処理装置３００は、保持棒３２ａ〜３２ｃから基板Ｗを離隔させつつ各保持溝３５に付着した残留物３５ａを洗い流すことができる。そのため、パーティクルの発生をさらに防止でき、基板の処理不良を防止できる。
＜４．第４の実施の形態＞
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。図８は、本実施の形態における基板処理装置４００の全体構成を説明するための図である。図８に示すように、本実施の形態における基板処理装置４００は、第２の実施の形態の基板処理装置２００と比較して、
（１）第３の実施の形態で説明した固定保持部３１４が、処理槽４１０の内槽１１に配設される点と、
（２）各保持棒３２の洗浄手順が第３の実施の形態の手順と同様である点と、
を除いては、第２の実施の形態と同様である。
これにより、第４の実施の形態の基板処理装置４００は、第３の実施の形態と同様に、保持棒３２ａ〜３２ｃから基板Ｗを離隔させつつ各保持溝３５に付着した残留物３５ａを洗い流すことができる。そのため、パーティクルの発生をさらに防止でき、基板の処理不良を防止できる。
＜５．第５の実施の形態＞
次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。本実施の形態における基板処理装置は、第３の実施の形態と同様なハードウェア構成を有しており、各保持棒３２の洗浄手順のみが相違する。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。
図９は、本実施の形態における各保持棒３２の洗浄手順を説明するための図である。本実施の形態において、各保持棒３２の洗浄処理は、保持機構３０を、保持棒３２の保持溝３５と保持部材３１４ａの保持溝のそれぞれに嵌り込む位置Ｚ０（図９の一点鎖線位置）と、保持棒３２の保持溝３５から各基板Ｗが離隔する位置Ｚ６（図９の実線位置）との間で昇降させることにより実行される。すなわち、保持機構３０は、高さ方向の位置Ｚ１と位置Ｚ０との間で揺動する。これにより、基板Ｗが嵌り込んでいない保持溝３５に対して、保持機構３０の昇降動作によって形成された水流を付与できる。そのため、各保持棒３２の保持溝３５に付着した残留物３５ａを良好に洗い流すことができ、パーティクルによる基板の処理不良を防止できる。
＜６．第６の実施の形態＞
次に、本発明の第６の実施の形態について説明する。本実施の形態における基板処理装置は、第４の実施の形態と同様なハードウェア構成を有しており、各保持棒３２の洗浄処理が第５の実施の形態と同様な手順によって行われる点のみが相違する。
これにより、第６の実施の形態では、第５の実施の形態と同様に、保持機構３０を高さ方向の位置Ｚ１と位置Ｚ０との間で揺動させることができる。そのため、基板Ｗが嵌り込んでいない保持溝３５に対して、保持機構３０の昇降動作によって形成された水流を付与できその結果、各保持棒３２の保持溝３５に付着した残留物３５ａを良好に洗い流すことができ、パーティクルによる基板の処理不良を防止できる。
＜７．第７の実施の形態＞
次に、本発明の第７の実施の形態について説明する。この第７の実施の形態における基板処理装置５００は、第３の実施の形態の基板処理装置３００と比較して、
（１）内槽１１に設けられた純水ノズル５１９の取り付け位置が異なる点と、
（２）各保持棒３２の洗浄手順が相違する点と、
を除いて、第３の実施の形態のものと同様である。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。
なお、以下の説明において、第３の実施の形態の基板処理装置３００における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第３の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。
＜７．１．基板処理装置の構成＞
図１０は、本発明の第７の実施の形態における基板処理装置５００の全体構成を説明するための図である。基板処理装置５００は、基板処理装置３００と同様に、バッチ式の装置である。図１０に示すように、基板処理装置５００は、主として、第１処理槽５１０と、第２処理槽１１０と、保持機構３０とを備える。
第１処理槽５１０の内槽１１内には、固定保持部３１４が設けられている。固定保持部３１４は、２つの保持部材３１４ａを備えており、各保持部材３１４ａには、対応する純水ノズル５１９が設けられている。
２本の純水ノズル５１９は、図１０に示すように、対応する分岐管４９、配管４８ｂ、および共通配管４５を介して、純水供給源４６と連通接続されている。さらに、配管４８ｂには、開閉可能なバルブ４７ｂが設けられている。
これにより、バルブ４７ａが開放されてバルブ４７ｂが閉鎖されると、純水ノズル１７から矢印ＡＲ１方向（斜め上方）に純水が吐出される。また、バルブ４７ｂが開放されてバルブ４７ａが閉鎖されると、純水ノズル５１９から矢印ＡＲ１０方向（斜め下方）に純水が吐出される。さらに、バルブ４７ａ、４７ｂの両方が開放されると、ノズル１７、５１９のそれぞれから純水が吐出される。
＜７．２．保持棒の洗浄手順＞
図１１は、各保持棒３２の洗浄手順を説明するための図である。ここでは、第２処理槽１１０で薬液処理が施され、各保持棒３２の保持溝３５に残留物３５ａが付着している場合において、各保持棒３２を洗浄する手順について説明する。なお、この洗浄処理に先だって、純水ノズル１７から純水が供給され、内槽１１には純水が貯留されている。
本実施の形態の洗浄手順では、まず、第２処理槽１１０から搬送された複数枚の基板Ｗが保持機構３０によって第１処理槽５１０内に下降させられる。これにより、２つの保持部材３１４ａは、保持機構３０の保持棒３２から受け渡された各基板Ｗを保持し、保持機構３０は、各保持棒３２（３２ａ〜３２ｃ）の保持溝３５に基板Ｗを保持しない状態でさらに下降させられる。そして、保持棒３２ａ、３２ｃが対応する純水ノズル５１９の下方に到達すると、保持機構３０の下降動作が停止させられる（図１１参照）。なお、保持機構３０が下降している期間において、純水ノズル１７からは純水が供給されており，内槽１１から外槽２０に純水が溢れ出る。
次に、２つの保持部材３１４ａによって複数の基板Ｗが保持された状態で、純水ノズル５１９から対応する保持棒３２ａ、３２ｃの保持溝３５に向けて（すなわち、基板Ｗが保持されていない保持溝３５の上側から保持溝３５に向けて）、純水が吐出される。
これにより、各保持溝３５上部の開口から保持溝３５の内壁付近に効率的に純水を供給し、保持溝３５に残留する薬液をさらに良好に除去できる。そのため、薬液に起因するパーティクルの発生を抑制でき、基板Ｗの処理不良をさらに防止できる。
また、純水ノズル５１９から純水が吐出される期間において、純水ノズル１７からは純水が供給され続けている。そのため保持棒３２ｂの保持溝３５は、２つの純水ノズル１７からの純水による水流によって良好に洗浄される。さらに、固定保持部３１４に保持された各基板Ｗは、純水ノズル１７からの水流によって洗浄される。そして、所定時間が経過すると、純水ノズル５１９からの純水吐出が停止させられ、各保持棒３２の洗浄処理が完了する。
なお、保持棒３２の洗浄処理が完了すると、保持機構３０は上昇させられ、複数枚の基板Ｗは固定保持部３１４から保持機構３０に受け渡される。そして、各基板Ｗは、保持機構３０に保持された状態で、処理液ノズル１７から吐出される水流によって洗浄処理が施される。
＜７．３．第７の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第７の実施の形態の基板処理装置５００は、保持棒３２ａ〜３２ｃから基板Ｗを離隔させるとともに、保持棒３２ａ、３２ｃの保持溝３５に対しては、純水ノズル５１９によって保持溝３５の上側から純水を供給できる。そのため、保持溝３５に付着した残留物３５ａをさらに良好に洗い流すことができ、基板の処理不良をさらに防止できる。
＜８．第８の実施の形態＞
次に、本発明の第８の実施の形態について説明する。この第８の実施の形態における基板処理装置６００は、第４の実施の形態の基板処理装置４００と比較して、
（１）内槽１１に設けられた純水ノズル６１９の取付位置が異なる点と、
（２）各保持棒３２の洗浄手順が第７の実施の形態の手順と同様である点と、
を除いて第４の実施の形態のものと同様である。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。
なお、以下の説明において、第４の実施の形態の基板処理装置４００における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第４の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。
図１２は、本発明の第８の実施の形態における基板処理装置６００の全体構成を説明するための図である。基板処理装置６００は、基板処理装置４００と同様に、バッチ式の装置である。図１２に示すように、基板処理装置６００は、主として、処理槽６１０と、保持機構３０とを備える。
処理槽６１０の内槽１１内には、固定保持部３１４が設けられている。固定保持部３１４は、２つの保持部材３１４ａを備えており、各保持部材３１４ａには、対応する純水ノズル６１９が設けられている。
２本の純水ノズル６１９は、図１２に示すように、対応する分岐管４９（４９ａ、４９ｂ）、配管４８ｂ、および共通配管４５を介して、純水供給源４６と連通接続されている。さらに、配管４８ｂには、開閉可能なバルブ４７ｂが設けられている。
これにより、バルブ４７ａが開放されてバルブ４７ｂが閉鎖されると、処理液ノズル１７から矢印ＡＲ１方向（斜め上方）に処理液が吐出される。また、バルブ４７ｂが開放されてバルブ４７ａが閉鎖されると、純水ノズル６１９から矢印ＡＲ１１方向（斜め下方）に純水が吐出される。さらに、バルブ４７ａ、４７ｂの両方が開放されると、ノズル１７、６１９のそれぞれから純水が吐出される。
このようなハードウェア構成を採用することにより、第８の実施の形態の基板処理装置６００は、２つの保持部材３１４ａによって複数の基板Ｗが保持された状態において、純水ノズル６１９から対応する保持棒３２ａ、３２ｃの保持溝３５に向けて（すなわち、基板Ｗが保持されていない保持溝３５の上側から保持溝３５に向けて）、純水を吐出できる。
そのため、第８の実施の形態の基板処理装置６００は、第７の実施の形態の基板処理装置５００と同様に、各保持溝３５上部の開口から保持溝３５の内壁付近に効率的に純水を供給し、保持溝３５に残留する薬液をさらに良好に除去できる。その結果、薬液に起因するパーティクルの発生を抑制でき、基板Ｗの処理不良をさらに防止できる。
＜９．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
（１）第１、第３、第５、および第７の実施の形態において、第１処理槽１０（３１０、５１０）、および第２処理槽１１０のそれぞれは、純水のみを貯留するものとして説明したが、これに限定されるものではない。第１処理槽１０（３１０、５１０）、および第２処理槽１１０のいずれか一方、または両方とも複数種の処理液を貯留可能な多機能処理槽であってもよい。すなわち、第１処理槽１０（３１０、５１０）にて少なくとも純水が貯留でき、第２処理槽１１０にて少なくとも薬液が貯留できればよい。
（２）第１、第３、第５、および第７の実施の形態の第２処理槽１１０と、第２、第４、お、第６、および第８の実施の形態の第２処理槽２１０、４１０、６１０とにおいて、内槽１１１、１１から溢れ出した処理液は排液ドレイン５９に排液するものとして説明したが、これに限定されるものでなく、外槽１２０、２０から溢れ出した処理液（特に、薬液）を再度内槽１１１、１１に供給できるような（すなわち、処理液の循環処理が可能となるような）ハードウェア構成を採用しても良い。
（３）第１、第３、第５、および第７の実施の形態においては処理槽は２つであるものとして、また、第２、第４、第６、および第８の実施の形態においては処理槽は１つであるものとして説明したがこれに限定されるものではない。すなわち、第１、第３、第５、および第７の実施の形態においては処理槽は３つ以上であっても良いし、第２、第４、第６、および第８の実施の形態においては処理槽は２つ以上であってもよい。
（４）第１ないし第４、第７、および第８の実施の形態において、純水ノズル１９、５１９、６１９から吐出される純水によって保持棒３２ａ、３２ｃを洗浄する処理は、内槽１１に純水が貯留された後に実行するものとして説明したがこれに限定されるものではない。
例えば、内槽１１に純水を貯留する処理が開始される前の時点において保持棒３２ａ、３２ｃの洗浄を完了させてもよい。また、純水ノズル１７から内槽１１に純水を貯留しつつ（すなわち、内槽１１に純水が貯留される際に）、純水ノズル１９から純水を吐出することによって保持棒３２ａ、３２ｃを洗浄してもよい。
（５）また、第２および第４の実施の形態において、保持棒３２ａ、３２ｃの高さ方向の位置と純水ノズル１９とが略同一となるように保持機構３０を移動させる処理は、内槽１１に純水を貯留する処理が完了した後に実行されているが、これに限定されるものではない。例えば、内槽１１に貯留用の純水が供給される前であってもよいし、貯留用の純水が供給される際であってもよい。また、第８の実施の形態において、保持棒３２ａ、３２ｃを対応する純水ノズル５１９の下方に移動させる処理も、内槽１１に純水を貯留する処理が完了した後だけでなく、内槽１１に貯留用の純水が供給される前や、貯留用の純水が供給される際に実行されてもよい。
（６）さらに、第５および第６の実施の形態では、固定保持部３１４に複数枚の基板Ｗを保持しつつ、保持機構３０を昇降させることにより、各保持棒３２の保持溝３５の洗浄処理を実行しているが、これに限定されるものではない。例えば、保持機構３０の昇降動作に加えて純水ノズル１９および処理液ノズル１７から純水を吐出することにより、各保持棒３２の保持溝３５に残留する保持溝３５を排出してもよい。
本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。 保持機構の保持棒を説明するための図である。 本発明の第２の実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。 本発明の第３の実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。 第３および第４の実施の形態における各保持棒の洗浄手順を説明するための図である。 第３および第４の実施の形態における各保持棒の洗浄手順を説明するための図である。 第３および第４の実施の形態において基板を洗浄する方法を説明するための図である。 本発明の第４の実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。 本発明の第５および第６の実施の形態における各保持棒の洗浄手順を説明するための図である。 本発明の第７の実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。 第７および第８の実施の形態における各保持棒の洗浄手順を説明するための図である。 本発明の第８の実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す図である。
符号の説明
１、２００、３００、４００、５００、６００ 基板処理装置
１０、３１０、５１０ 第１処理槽
１５、２５ 純水
１７ 純水ノズル（処理液ノズル）
１９、５１９、６１９ 純水ノズル
３０ 保持機構
３１ リフター
３２（３２ａ〜３２ｃ） 保持棒
３５ 残留物
４０ 共通配管
４１ フッ酸供給源
４２、４７ａ、４７ｂ、５６ａ、５６ｂ、１５６ａ、１５６ｂ バルブ
４５ 共通配管
４６ 純水供給源
４８ａ、４８ｂ、２４３ 配管
４９、６２、１６２ 分岐管
５１ａ、５１ｂ、１５１ａ、１５１ｂ 分岐排液管
５２ 共通排液管
５３、１５３ ポンプ
５４ 排液管
５９ 排液ドレイン
９０ 制御部
１１０ 第２処理槽
１１５、１２５ 処理液
１１７ 処理液ノズル
２１０、４１０、６１０ 処理槽
３１４ 固定保持部
Ｗ 基板

Claims (18)

  1. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    純水を貯留する第１処理槽と、
    薬液を貯留する第２処理槽と、
    複数の基板を保持する保持溝を有し、前記保持溝により複数の基板を保持しつつ前記第２処理槽内から前記第１処理槽内へ移動可能な保持機構と、
    前記第１処理槽内に純水を供給する第１供給部と、
    前記第１処理槽内にある前記保持機構の保持溝へ向けて純水を吐出する第２供給部と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記第１処理槽内において前記第２供給部より上方に設けられ、前記保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部をさらに備え、
    前記保持部により複数の基板を保持した状態で、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて純水を吐出することを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記第１処理槽内に設けられており、前記保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部をさらに備え、
    前記保持部により複数の基板を保持した状態で、前記第２供給部は前記保持機構の前記保持溝の上側から前記保持溝に向けて純水を吐出可能なことを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
    前記第２供給部は、前記保持部に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１供給部から前記第１処理槽へ純水を供給する前に、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて純水を吐出することを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１供給部から前記第１処理槽へ純水を供給する際に、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて純水を吐出することを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    複数の基板を保持した前記保持機構を前記第１処理槽に貯留された純水に浸漬させた状態で、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて純水を吐出することを特徴とする基板処理装置。
  8. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    処理液を貯留する処理槽と、
    複数の基板を保持する保持溝を有し、前記処理槽内に収容される保持機構と、
    前記処理槽内に処理液を供給する第１供給部と、
    前記処理槽内にある前記保持機構の保持溝へ向けて処理液を吐出する第２供給部と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  9. 請求項８に記載の基板処理装置において、
    前記処理槽内において前記第２供給部より上方に設けられ、前記保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部をさらに備え、
    前記保持部により複数の基板を保持した状態で、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて処理液を吐出することを特徴とする基板処理装置。
  10. 請求項８に記載の基板処理装置において、
    前記処理槽内に設けられており、前記保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部をさらに備え、
    前記保持部により複数の基板を保持した状態で、前記第２供給部は前記保持機構の前記保持溝の上側から前記保持溝に向けて純水を吐出可能なことを特徴とする基板処理装置。
  11. 請求項１０に記載の基板処理装置において、
    前記第２供給部は、前記保持部に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
  12. 請求項８ないし請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１供給部から前記処理槽へ処理液を供給する前に、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて処理液を吐出することを特徴とする基板処理装置。
  13. 請求項８ないし請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１供給部から前記処理槽へ処理液を供給する際に、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて処理液を吐出することを特徴とする基板処理装置。
  14. 請求項８ないし請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    複数の基板を保持した前記保持機構を前記処理槽に貯留された処理液に浸漬させた状態で、前記第２供給部は前記保持機構の保持溝へ向けて処理液を吐出することを特徴とする基板処理装置。
  15. 請求項８ないし請求項１４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理液は純水であり、
    前記第１供給部は前記処理槽へ薬液を供給可能であり、
    複数の基板を保持した前記保持機構を前記第１供給部から前記処理槽へ供給された薬液に浸漬した後、前記第１供給部から供給された純水により複数の基板の処理が行われることを特徴とする基板処理装置。
  16. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    純水を貯留する第１処理槽と、
    薬液を貯留する第２処理槽と、
    複数の基板を保持する保持溝を有し、前記保持溝により複数の基板を保持しつつ前記第２処理槽内から前記第１処理槽内へ移動可能であり、かつ前記第１処理槽内において昇降可能な保持機構と、
    前記第１処理槽内に純水を供給する供給部と、
    前記第１処理槽内において前記供給部より上方に設けられ、前記保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部と、を備え、
    複数の基板を保持した前記保持機構を前記第１処理槽に貯留された純水に浸漬させた状態で、前記保持機構を昇降させることにより複数の基板を前記保持機構の保持溝に保持させた状態と前記保持部に保持させた状態とを繰り返させることを特徴とする基板処理装置。
  17. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    処理液を貯留する処理槽と、
    複数の基板を保持する保持溝を有し、前記処理槽内において昇降可能な保持機構と、
    前記処理槽内に処理液を供給する供給部と、
    前記処理槽内において前記供給部より上方に設けられ、前記保持機構から受け渡された複数の基板を保持する保持部と、を備え、
    複数の基板を保持した前記保持機構を前記処理槽に貯留された処理液に浸漬させた状態で、前記保持機構を昇降させることにより複数の基板を前記保持機構の保持溝に保持された状態と前記保持部に保持された状態とを繰り返させることを特徴とする基板処理装置。
  18. 請求項１７に記載の基板処理装置において、
    前記処理液は純水であり、
    前記供給部は前記処理槽へ薬液を供給可能であり、
    複数の基板を保持した前記保持機構を前記供給部から前記処理槽内へ供給された薬液に浸漬した後、前記供給部から供給された純水により複数の基板の処理が行われることを特徴とする基板処理装置。
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