JP2006278606A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】迅速かつ確実に薬液を純水に置換することができ、しかも純水消費量の増加を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置はエッチングユニット１０およびリンスユニット３０を備える。基板Ｗは搬送ローラ２によって矢印ＡＲ１の向きに搬送される。浸漬エッチング処理を行うディップ槽２０から搬出された直後の基板Ｗの表面には多量のエッチング液が残留している。そのエッチング液を吸引回収ヘッド１１によって回収し、なお残留しているエッチング液をエアナイフ１５によって液切り除去する。これによって概ねエッチング液が除去された基板Ｗの表面に二流体スリットノズル３１から純水液滴を含む混合流体を吐出することによりエッチング液を純水に置換する置換水洗を行う。混合流体の吐出によって飛散したミストは排気ノズル３５から装置外に排出する。
【選択図】図１

Description

この発明は、液晶表示装置用ガラス基板や半導体ウェハー等の薄板状電子部品用基板（以下、単に「基板」と称する）を略水平方向に搬送しつつ所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関し、特に基板の表面に薬液を供給してエッチング処理、現像処理、剥離処理等を行う基板処理技術に関する。

従来より、液晶表示装置用ガラス基板のような大型の角型基板にエッチング処理や現像処理を行う際には、薬液処理部、リンス処理部、乾燥処理部等を直線状に配置し、ローラ搬送によって基板を水平方向に移動させてそれら各処理部に順次搬送して一連の処理を行うようにしている（例えば、特許文献１，２参照）。

図７は、基板にエッチング処理を行うための従来の基板処理装置の一例を示す概略構成図である。この装置は、基板にエッチング処理を行うエッチングユニット１１０と、エッチング処理後の基板を洗浄するリンスユニット１２０と、を備えている。基板Ｗ（ここの例では液晶表示装置用ガラス基板）は、矢印ＡＲ７にて示すように、図の左側から右側に向かって搬送される。なお、エッチングユニット１１０の前段には基板Ｗを受け入れるための基板導入ユニットが配置され、リンスユニット１２０の後段には仕上げ洗浄を行うための精密リンスユニットおよび乾燥ユニットが配置される。

エッチングユニット１１０内には、ディップ槽１１１が設けられている。搬送ローラ１０１によってエッチングユニット１１０に水平搬送された基板Ｗはディップ槽１１１内に搬入される。ディップ槽１１１内では、基板Ｗを所定のエッチング液に浸すことによってエッチング処理が行われる。所定時間ディップ槽１１１内にてエッチング処理が行われた後、基板Ｗはディップ槽１１１から搬出される。このときに、エアナイフ１１２によって基板Ｗの表面に付着したエッチング液の液切りが行われる。エアナイフ１１２による液切りについては、例えば特許文献２，３に開示されている。

エアナイフ１１２によって液切りがなされた基板Ｗは搬送ローラ１０１によってリンスユニット１２０へと搬送される。リンスユニット１２０内には、スリットカーテンノズル１２１および置換スプレーノズル１２２が基板Ｗの搬送路の上下に配置されている。リンスユニット１２０に搬送されてきた基板Ｗの上下面には、まずスリットカーテンノズル１２１からカーテン状に純水が吐出される。これにより、基板Ｗの上下面に付着したエッチング液の濃度が薄くなり、エッチング処理が実質的に停止する。スリットカーテンノズル１２１はカーテン状に、つまり基板Ｗの幅方向に沿って直線状に一斉に純水を吐出するため、基板Ｗの幅方向では時間差無く同時にエッチング処理が停止することとなる。

次に、エッチング処理の停止した基板Ｗの上下面には置換スプレーノズル１２２から純水が噴射される。この置換水洗により、基板Ｗの上下面に残留していたエッチング液はさらに希釈され除去される。この後、基板Ｗはリンスユニット１２０から次工程へと搬出される。

特開２００１−１０２２８９号公報 特開２００３−１７３９５号公報 特開２００２−４３２６６号公報

しかしながら、上述したような従来の装置構成においては、まずエアナイフ１１２の液切り性能が充分でなかった。特に上記の例では、ディップ槽１１１において浸漬処理を行っているため、ディップ槽１１１から搬出された直後の基板Ｗには多量のエッチング液が付着しており、エアナイフ１１２によって充分にエッチング液を除去することが困難であった。そして、充分に液切りがなされていない基板Ｗがリンスユニット１２０に搬送されることとなるため、リンスユニット１２０においては大量の純水を吐出しなければエッチング液の濃度を低下させてエッチング処理を停止させることができなかった。また、次工程である精密リンス工程以降にエッチング液を持ち込むことは極力避ける必要があるため、この目的のためにも、リンスユニット１２０においては大量の純水を長時間使用して基板Ｗに付着したエッチング液を置換しなければならなかった。

その結果、リンスユニット１２０においては大量の純水を消費するとともに、薬液を含んだ大量の排水も生じることとなり、純水製造設備や排液処理設備の負担が増加するという問題があった。特に、第７世代（１８００ｍｍ×２２００ｍｍ）以上の大型ガラス基板を処理する場合には、この問題はさらに顕著なものとなる。

エアナイフ１１２によって充分に液切りを行うためには、吹き付ける空気の流量および流速を大きくすれば良いのであるが、そうするとエアナイフ１１２から強力なエア吹き付けが行われた結果、エッチングユニット１１０内でエッチング液のミスト飛散が多量に発生し、そのミストがリンスユニット１２０以降の下流ユニットにも流れ込み、洗浄後の基板Ｗに付着して汚染するという問題が生じる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、迅速かつ確実に薬液を純水に置換することができ、しかも純水消費量の増加を抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を略水平方向に搬送しつつ所定の処理を行う基板処理装置において、薬液によって基板の表面に薬液処理を行う薬液処理部と、前記薬液処理の後に基板の表面に残留している薬液を吸引回収する吸引回収手段と、前記吸引回収の後になお基板の表面に残留している薬液を除去する薬液除去手段と、薬液が除去された基板の表面に純水の液滴を生成して吐出する液滴吐出手段と、基板の表面に液滴が吐出されることによって生じたミストを排気するミスト排気手段と、前記薬液処理部から前記吸引回収手段、前記薬液除去手段、前記液滴吐出手段、前記ミスト排気手段の順に基板を略水平方向に沿って搬送する搬送手段と、を備える。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記液滴吐出手段に、前記ミスト排気手段の側に向かう斜め下方に向けて液滴を吐出させている。

また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記液滴吐出手段に、基板の搬送方向の上流側から下流側を臨む斜め下方に向けて液滴を吐出させている。

また、請求項４の発明は、基板を略水平方向に搬送しつつ所定の処理を行う基板処理方法において、薬液によって基板の表面に薬液処理を行う薬液処理工程と、前記薬液処理の後に基板の表面に残留している薬液を吸引回収する吸引回収工程と、前記吸引回収が行われた後になお基板の表面に残留している薬液を除去する薬液除去工程と、薬液が除去された基板の表面に純水の液滴を生成して吐出する液滴吐出工程と、基板の表面に液滴が吐出されることによって生じたミストを排気するミスト排気工程と、を備える。

請求項１の発明によれば、基板の表面に残留している薬液を吸引回収した後になお残留している薬液を除去することによって概ね薬液が取り除かれた基板の表面に純水の液滴を吐出しているため、迅速かつ確実に薬液を純水に置換することができ、しかも純水消費量の増加を抑制することができる。

また、請求項２の発明によれば、ミスト排気手段の側に向かう斜め下方に向けて液滴吐出手段が液滴を吐出しているため、ミスト排気手段によるミスト排出効率が高くなる。

また、請求項３の発明によれば、基板の搬送方向の上流側から下流側を臨む斜め下方に向けて液滴を吐出しているため、ミスト排気手段によるミスト排出効率が高くなる。

また、請求項４の発明によれば、基板の表面に残留している薬液を吸引回収した後になお残留している薬液を除去することによって概ね薬液が取り除かれた基板の表面に純水の液滴を吐出しているため、迅速かつ確実に薬液を純水に置換することができ、しかも純水消費量の増加を抑制することができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。この基板処理装置は、液晶表示装置用ガラス基板にエッチング処理を行う装置であり、エッチング処理を行うエッチングユニット１０および置換水洗を行うリンスユニット３０を備える。エッチングユニット１０およびリンスユニット３０は、互いに隣接して設置されている。そして、さらにエッチングユニット１０の前段（図中左側）には基板Ｗを受け入れるための基板導入ユニットが配置され、リンスユニット３０の後段（図中右側）には仕上げ洗浄を行うための精密リンスユニットおよび乾燥ユニット（いずれも図示省略）が配置される。基板Ｗは、図１の矢印ＡＲ１にて示すように、図の左側から右側に向かって水平方向に搬送される。

基板Ｗの搬送は、複数の搬送ローラ２によって構成される搬送手段たるローラコンベアによって行われる。複数の搬送ローラ２は、上述した各処理ユニットの全体にわたって列設されている。なお、各搬送ローラ２は、基板Ｗの搬送方向と垂直な方向に沿って軸支されており、図外の駆動機構によって同期回転される。複数の搬送ローラ２上に基板Ｗを載置するとともに、各搬送ローラ２を同期回転させることにより、その基板Ｗは図１の矢印ＡＲ１の向きに水平搬送される。

エッチングユニット１０内には、上流側（図１の左側）から順にディップ槽２０、吸引回収ヘッド１１およびエアナイフ１５が設置されている。ディップ槽２０は、内部に薬液（例えばＡｌエッチング液）を貯留し、その中に基板Ｗを浸してエッチング処理を進行させる浸漬処理槽である。ディップ槽２０には、入口ゲート２１および出口ゲート２２が設けられている。入口ゲート２１は、ディップ槽２０の入口側開口を開閉する。一方、出口ゲート２２は、ディップ槽２０の出口側開口を開閉する。入口ゲート２１および出口ゲート２２が開口を閉じているときには、ディップ槽２０の内部が密閉空間となってエッチング液を貯留することができる。また、ディップ槽２０に基板Ｗを搬入するときには入口ゲート２１が入口側開口を開放し、ディップ槽２０から基板Ｗを搬出するときには出口ゲート２２が出口側開口を開放する。

ディップ槽２０の内部には専用の複数の搬送ローラ２５が軸支されて設けられている。搬送ローラ２５は、搬送ローラ２から独立した独自の駆動機構によって回転駆動される。また、ディップ槽２０には図示を省略するエッチング液供給機構と排液機構とが設けられている。

図２は、吸引回収ヘッド１１およびエアナイフ１５を上面から見た平面図である。吸引回収ヘッド１１は、搬送ローラ２によって基板Ｗが搬送される搬送経路の直上位置に設けられている。吸引回収ヘッド１１は、スリット状の吸引口１１ａを備えたいわゆるスリットノズルである。吸引口１１ａの長手方向長さは基板Ｗの幅よりも長い。吸引回収ヘッド１１にはポンプ１２が連通接続されており、ポンプ１２を作動させることによって吸引回収ヘッド１１の吸引口１１ａに負圧を付与することができる。

エアナイフ１５は、搬送ローラ２によって基板Ｗが搬送される搬送経路の上下に相対向して１個ずつ設けられている。エアナイフ１５には、スリット状の吐出口１５ａが形設されている。吐出口１５ａの長さは基板Ｗの幅よりも長い。それぞれのエアナイフ１５はエア供給部１６と連通接続されており、エア供給部１６から空気を送給することによってエアナイフ１５の吐出口１５ａから空気流を吐出することができる。また、エアナイフ１５から吐出される空気流の向きが基板Ｗの搬送方向の下流側から上流側に向かう斜め下方となるように、エアナイフ１５は設置されている。

また、エッチングユニット１０には、基板Ｗが通過可能な上流側開口と下流側開口とが形成されている。上流側開口はエッチングユニット１０の前段ユニットの下流側開口と接続されている。一方、エッチングユニット１０の下流側開口はリンスユニット３０の上流側開口と接続されている。

リンスユニット３０内には、上流側から順に二流体スリットノズル３１および排気ノズル３５が設置されている。二流体スリットノズル３１は、搬送ローラ２によって基板Ｗが搬送される搬送経路の直上位置に設けられている。図４は二流体スリットノズル３１をスリット吐出口側から見た図であり、図５は二流体スリットノズル３１を正面から見た部分断面図である。図４および図５に示すように、二流体スリットノズル３１は、基板Ｗの幅よりも長い長手方向長さを有するスリット状の開口であるスリット吐出口３４を備える。また、二流体スリットノズル３１の内部には複数の液滴生成部３７が設けられている。各液滴生成部３７は、エア供給部３２および純水供給部３３からそれぞれ供給される空気および純水（ＤＩＷ）を内部にて混合することによりミスト状の純水の液滴を生成して吐出するいわゆる内部混合型の二流体ノズルである。図５に示すように、各液滴生成部３７は純水が供給される純水導入管４５内に、空気が供給されるガス導入管４６が挿入された二重管構造となっている。また、純水導入管４５内のガス導入管４６端部より下流側は、空気と純水とが混合される混合部４７となっている。各液滴生成部３７の純水導入管４５は純水供給部３３と連通接続され、ガス導入管４６はエア供給部３２と連通接続されている。

エア供給部３２から加圧送給された空気と純水供給部３３から供給された純水とが混合部４７において混合されることによりミスト状の純水液滴を含む混合流体が形成される。形成された混合流体は、混合部４７の下流側の加速管４８によって加速され、吐出孔４９から吐出される。このときに混合流体がスリット吐出口３４に向けて吐出されるようにそれぞれの液滴生成部３７は設置されている。

複数の液滴生成部３７から吐出された混合流体のうちスリット吐出口３４を通過したもののみが二流体スリットノズル３１の外部に向けて吐出されることとなる。つまり、複数の液滴生成部３７から吐出された混合流体はスリット吐出口３４によって整流されてノズル外部に吐出されるのである。その結果、二流体スリットノズル３１からはミスト状の純水液滴を含む混合流体がスリット吐出口３４の形状によって規定されるカーテン状に吐出されることとなる。

また、二流体スリットノズル３１から吐出される純水液滴を含む混合流体の向きが鉛直方向よりも排気ノズル３５の側に向くように、二流体スリットノズル３１は傾斜されて設置されている。二流体スリットノズル３１の方が排気ノズル３５よりも基板搬送方向の上流側に設置されているため、二流体スリットノズル３１から吐出される純水液滴を含む混合流体の向きは基板Ｗの搬送方向の上流側から下流側に向くこととなる。すなわち、基板搬送方向の下流側（排気ノズル３５が設置された側）を臨む斜め下方に向けてミスト状の純水液滴を含む混合流体を吐出するように、二流体スリットノズル３１は構成されているのである。

排気ノズル３５は、搬送ローラ２によって基板Ｗが搬送される搬送経路の直上位置に設けられている。排気ノズル３５は、図示省略の排気口を備えるとともに、排気ポンプ３６と連通接続されている。排気ポンプ３６を作動させることによって排気ノズル３５の排気口に負圧を付与して周辺雰囲気を吸引排気することができる。なお、リンスユニット３０にも基板Ｗが通過可能な上流側開口と下流側開口とが形成されている。その上流側開口はエッチングユニット１０の下流側開口と接続されている。また、リンスユニット３０の下流側開口はその後段の処理ユニットの上流側開口と接続されている。

次に、上記構成を有する基板処理装置における処理内容について説明する。基板Ｗはエッチング処理の前工程から搬送ローラ２によって図１の矢印ＡＲ１の向きに水平搬送されてエッチングユニット１０に搬入される。このときには入口ゲート２１がディップ槽２０の入口側開口を開放している。よって、エッチングユニット１０に搬送されてきた基板Ｗは直ちにディップ槽２０内に搬入されることとなる。

基板Ｗの全体がディップ槽２０内に完全に搬入されて搬送ローラ２５に載置された後、入口ゲート２１がディップ槽２０の入口側開口を閉鎖するとともに、ディップ槽２０内へのエッチング液供給が開始される。なお、このときには出口ゲート２２がディップ槽２０の出口側開口を閉鎖しているため、エッチング液が開口から漏れ出ることはない。やがて、基板Ｗの表面全体が浸る程度にディップ槽２０内にエッチング液が貯留された時点でエッチング液供給が停止される。そして、ディップ槽２０内のエッチング液中にて基板Ｗが前後に往復移動するように、搬送ローラ２５が正回転および逆回転を繰り返す。このようにして基板Ｗの表面のエッチング処理が進行する。

所定時間のエッチング処理が終了すると、ディップ槽２０からエッチング液が排液されるとともに、出口ゲート２２がディップ槽２０の出口側開口を開放する。そして、ディップ槽２０の搬送ローラ２５が同期回転することによって基板Ｗが矢印ＡＲ１の向きに移送されてディップ槽２０から搬出される。このとき、浸漬処理直後の基板Ｗの表面には多量のエッチング液が残留している。なお、基板搬出時には入口ゲート２１はディップ槽２０の入口側開口を閉鎖したままである。

ディップ槽２０から搬出された基板Ｗの先端が吸引回収ヘッド１１の直下を通過する前に、ポンプ１２が運転を開始し、吸引回収ヘッド１１の吸引口１１ａに負圧を付与する。また、エア供給部１６が空気送給を開始し、エアナイフ１５の吐出口１５ａから空気流を吐出する。この状態にて基板Ｗが吸引回収ヘッド１１の直下および上下のエアナイフ１５の間を連続して通過する。

図３は、吸引回収ヘッド１１およびエアナイフ１５による処理の様子を示す図である。同図に示すように、浸漬処理直後の基板Ｗの表面には多量のエッチング液が残留しているのであるが、そのうちの相当量は吸引回収ヘッド１１によって吸引回収されることとなる。続いて、ある程度まで残留量は少なくなったものの、依然としてなおエッチング液が残留している状態の基板Ｗの表面にエアナイフ１５から空気流が吐出される。これによって、残留エッチング液が基板Ｗの表面から概ね除去されることとなる。

このように本実施形態のエッチングユニット１０においては、吸引回収ヘッド１１およびエアナイフ１５が協働して浸漬処理後の残留エッチング液の除去処理を行う。基板Ｗの表面に多量にエッチング液が付着した状態でディップ槽２０から搬出されたとしても、まず吸引回収ヘッド１１によって粗くエッチング液を吸引回収し、なお残留しているエッチング液をエアナイフ１５によって除去するようにしているため、エアナイフ１５の負担を重くすることなくエッチング液を充分に基板Ｗから除去することができる。すなわち、エアナイフ１５から吹き付ける空気の流量および流速を大きくすることなく充分な液切りを行うことができるのである。従って、次工程であるリンスユニット３０に持ち込まれるエッチング液の量は最小限に抑制することができ、しかもエアナイフ１５からの空気吹き付けに起因したミスト飛散も防止することができる。

吸引回収ヘッド１１およびエアナイフ１５によって残留エッチング液が除去された後の基板Ｗは搬送ローラ２の同期回転によってエッチングユニット１０からリンスユニット３０へと搬送される。この時点での基板Ｗの表面においては、概ねエッチング液が除去されているものの、若干量のエッチング液は依然として付着しており、エッチング処理は未だ停止していない状態である。そして、この基板Ｗの先端が二流体スリットノズル３１の直下を通過する前に、エア供給部３２からの空気送給と純水供給部３３からの純水供給が開始され、液滴生成部３７にてミスト状の純水液滴を含む混合流体が生成され、その混合流体が二流体スリットノズル３１のスリット吐出口３４からカーテン状に吐出される。また、それと同時に排気ポンプ３６の運転が開始され、排気ノズル３５の周辺雰囲気が吸引排気される。

図６は、二流体スリットノズル３１から基板Ｗに混合流体が吹き付けられる様子を示す図である。純水液滴を含む混合流体が基板Ｗの表面に吐出されることによって、基板Ｗの表面に若干量付着していたエッチング液が純水に置換される。このときに、純水液滴が基板Ｗに衝突する際の運動エネルギーの作用により、残留エッチング液が高効率にて迅速かつ確実に純水に置換される。よって、短時間のうちに充分な置換水洗が行われることとなり、置換に要する純水の消費量を従来の置換スプレー方式に比較して格段に少なくすることが可能となる。その結果、リンスユニット３０からの総排液量も従来より大幅に少なくすることができる。また、リンスユニット３０よりも後段の工程にエッチング液を持ち出すことも防止できる。

基板Ｗの表面に付着していたエッチング液が純水に置換されることによってエッチング液の濃度が低下し、それによってエッチング処理が停止する。本実施形態では、二流体スリットノズル３１のスリット吐出口３４から純水液滴を含む混合流体をカーテン状に吐出しているため、基板Ｗの幅方向に沿ったライン上では均一に時間差無くエッチング処理が一斉に停止することとなる。

ところで、図６に示すように、純水液滴を含む混合流体が基板Ｗの表面に吐出されると、純水液滴の運動エネルギーによってミスト飛散が生じる。発生したミストは排気ノズル３５から吸引されて装置外に排出される。このときに、排気ノズル３５側を臨む斜め下方に向けてミスト状の純水液滴を含む混合流体を吐出するように、二流体スリットノズル３１が傾斜配置されているため、ほとんどのミスト飛散は排気ノズル３５に向けて生じることとなり、排気ノズル３５によるミスト排出効率が高くなる。その結果、リンスユニット３０の外部にミストが拡散することを最小限に抑制することができる。

このようにして置換水洗の終了した基板Ｗは搬送ローラ２の同期回転によってリンスユニット３０から後段の次工程ユニットへと搬送される。このときには、基板Ｗに付着していたエッチング液が充分に純水に置換されているため、次工程ユニットへと持ち込まれるエッチング液量は極微量なものである。

以上のように、本実施形態の基板処理装置においては、ディップ槽２０での浸漬処理直後の基板Ｗ表面に多量に残留しているエッチング液をまず吸引回収ヘッド１１およびエアナイフ１５の協働によって概ね除去し、その後若干量のエッチング液が残留付着している基板Ｗの表面に二流体スリットノズル３１から純水液滴を吹き付けて置換水洗を行っている。二流体スリットノズル３１の基本特性は少ない純水消費量で高い純水置換効率を得ることができるというものであり、その特性を最大限有効なものとするために、吸引回収ヘッド１１およびエアナイフ１５の協働によってほとんどの残留エッチング液を予め除去しているのである。このようにすることによって、装置全体としての純水消費量の増加を抑制しつつも、基板Ｗに付着したエッチング液を迅速かつ確実に純水に置換することができる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、Ａｌエッチング液によって基板Ｗにエッチング処理を行うようにしていたが、これに限定されるものではなく、現像液によって現像処理を行うものであっても良いし、剥離液によって基板Ｗ上の薄膜を剥離する処理であってもよい。すなわち、所定の薬液によって基板Ｗに薬液処理を行い、基板Ｗの表面に残留付着している薬液を純水にて置換水洗することによって反応を停止させる装置であれば本発明に係る技術を適用することが可能である。

また、上記実施形態では吸引回収ヘッド１１としてスリット状の吸引口１１ａを備えたスリットノズルを使用していたが、基板表面に残留している薬液を吸引回収できるものであれば良く、例えば基板Ｗの幅以上の長さを有する吸引ローラを使用するようにしても良い。

また、上記実施形態においては、複数の液滴生成部３７から吐出された純水液滴を含む混合流体をスリット吐出口３４で整流してカーテン状の混合流体を形成する二流体スリットノズル３１を使用するようにしていたが、この方式に限定されるものではなく、基板Ｗの幅以上の長さを有するカーテン状の混合流体を形成できる二流体スリットノズルであればよい。

さらに、本発明に係る基板処理装置によって処理対象となる基板は液晶表示装置用ガラス基板に限定されるものではなく、半導体ウェハであっても良い。

本発明に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 吸引回収ヘッドおよびエアナイフを上面から見た平面図である。 吸引回収ヘッドおよびエアナイフによる処理の様子を示す図である。 二流体スリットノズルを吐出口側から見た図である。 二流体スリットノズルを正面から見た部分断面図である。 二流体スリットノズルから基板に混合流体が吹き付けられる様子を示す図である。 従来の基板処理装置の概略構成図である。

符号の説明

２ 搬送ローラ
１０ エッチングユニット
１１ 吸引回収ヘッド
１５ エアナイフ
２０ ディップ槽
３０ リンスユニット
３１ 二流体スリットノズル
３５ 排気ノズル
Ｗ 基板

Claims (4)

1. 基板を略水平方向に搬送しつつ所定の処理を行う基板処理装置であって、
   薬液によって基板の表面に薬液処理を行う薬液処理部と、
   前記薬液処理の後に基板の表面に残留している薬液を吸引回収する吸引回収手段と、
   前記吸引回収の後になお基板の表面に残留している薬液を除去する薬液除去手段と、
   薬液が除去された基板の表面に純水の液滴を生成して吐出する液滴吐出手段と、
   基板の表面に液滴が吐出されることによって生じたミストを排気するミスト排気手段と、
   前記薬液処理部から前記吸引回収手段、前記薬液除去手段、前記液滴吐出手段、前記ミスト排気手段の順に基板を略水平方向に沿って搬送する搬送手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１記載の基板処理装置において、
   前記液滴吐出手段は、前記ミスト排気手段の側に向かう斜め下方に向けて液滴を吐出することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２記載の基板処理装置において、
   前記液滴吐出手段は、基板の搬送方向の上流側から下流側を臨む斜め下方に向けて液滴を吐出することを特徴とする基板処理装置。
4. 基板を略水平方向に搬送しつつ所定の処理を行う基板処理方法であって、
   薬液によって基板の表面に薬液処理を行う薬液処理工程と、
   前記薬液処理の後に基板の表面に残留している薬液を吸引回収する吸引回収工程と、
   前記吸引回収が行われた後になお基板の表面に残留している薬液を除去する薬液除去工程と、
   薬液が除去された基板の表面に純水の液滴を生成して吐出する液滴吐出工程と、
   基板の表面に液滴が吐出されることによって生じたミストを排気するミスト排気工程と、
   を備えることを特徴とする基板処理方法。

Images