JP2006278526A - Light emitting diode drive device - Google Patents
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Abstract
【課題】発光ダイオードの温度が上昇した時、発光ダイオードの許容順方向電流値が変化し、発光ダイオードの破損を起こす問題がある。
【解決手段】発光ダイオードに電流を供給するスイッチング駆動回路は、スイッチング素子と接合型FETからなるスイッチング素子ブロックと、発光ダイオードの温度変化による許容順方向電流の変動に対してスイッチング素子の電流を制御する保護回路を含む制御回路からなる制御回路ブロックを備える。制御回路ブロックは、発光ダイオードの温度が上昇した時、スイッチング素子ブロックのオンデューティー比を減少させ平均電流を減少させる。そのため過大な電流が発光ダイオードを流れるのを防ぎ、発光ダイオードの破損を防ぐ。
【選択図】図1
When the temperature of the light emitting diode rises, there is a problem that the allowable forward current value of the light emitting diode changes and the light emitting diode is damaged.
A switching drive circuit for supplying a current to a light emitting diode includes a switching element block including a switching element and a junction FET, and controls a current of the switching element with respect to a variation in an allowable forward current due to a temperature change of the light emitting diode. A control circuit block including a control circuit including a protection circuit. When the temperature of the light emitting diode rises, the control circuit block decreases the on-duty ratio of the switching element block and decreases the average current. Therefore, an excessive current is prevented from flowing through the light emitting diode, and the light emitting diode is prevented from being damaged.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は発光ダイオード駆動装置に関するものであり、特に発光ダイオードを用いた照明装置に関する。 The present invention relates to a light emitting diode driving device, and more particularly to a lighting device using a light emitting diode.
発光ダイオード(以下、LEDという)は高い発光効率と長寿命を有することから、各種の照明装置に広く使用されている。以下にLEDを点灯するための発光ダイオードの駆動装置の従来例について説明する。図11は、特許文献1に示されている第1の従来例の発光ダイオードの駆動装置の回路図である。図11の発光ダイオード駆動装置では、交流電源ACに接続された全波整流回路DBにより交流を全波整流し、直流をスイッチ接点S2(+)と回路グランドG(−)間に出力している。また交流ACを半波整流した直流をスイッチ接点S1(+)と回路グランドG(−)間に出力している。スイッチ接点S1、S2に離接する多数のスイッチ接点A1、A2・・・Amのそれぞれと回路グランドG間には、複数のLEDを直列に接続したLEDアレイ1〜mに限流素子Z1〜Zmをそれぞれ直列に接続した直列接続体が接続されている。すなわち直列接続体は1からm(mは2以上の整数)までのものがスイッチ接点A1〜Amと回路グランドG間に接続されている。
この従来例の発光ダイオード駆動装置では、mが2の場合、すなわち2つのLEDアレイ1及び2がスイッチ接点A1、A2にそれぞれ接続されている場合には、スイッチ接点A1、A2をスイッチ接点S1、S2に離接する組合せにより、4段階の光量に調節(調光)することができる。
Light emitting diodes (hereinafter referred to as LEDs) are widely used in various lighting devices because of their high luminous efficiency and long life. A conventional example of a light emitting diode driving device for lighting an LED will be described below. FIG. 11 is a circuit diagram of a light emitting diode driving apparatus of the first conventional example shown in
In this conventional LED driving device, when m is 2, that is, when the two
図12は特許文献2に示されている第2の従来例の発光ダイオード駆動装置の回路図である。
図12の発光ダイオード駆動装置は、直流の供給により発光する電流駆動素子としてのLED101と、LED101に直列接続されたコイル102とを有している。また、LED101とコイル102に対して逆並列にダイオード103が接続されている。ダイオード103は、コイル102に生じた逆起電力をLED101に供給するために設けられている。
LED101、コイル102、及びダイオード103にパルス電圧を印加するための電源部として、直流電源105と、直流電源105の出力を断続するスイッチとして機能するスイッチング素子104とを有している。スイッチング素子104は、図示を省略した例えばスイッチング・トランジスタと発振器とから構成されている。ダイオード103は、カソードが直流電源105の正の出力端に接続されている。
FIG. 12 is a circuit diagram of a light emitting diode driving device of a second conventional example shown in
The LED driving device of FIG. 12 includes an
As a power supply unit for applying a pulse voltage to the
この第2の従来例の発光ダイオード駆動装置においては、LED101を発光させる所望の発光タイミングに応じてスイッチング素子104をオンオフ動作させると、直流電源105の出力電圧がコイル102及びLED101に断続的に印加される。図13の(a)は、スイッチング素子104に印加される制御パルス(スイッチング・パルス)SWを示し、同(b)及び(c)はそれぞれコイル102を流れる電流IL及びLED101を流れる電流ILEDを示している。図13の(a)に示すように、スイッチング素子104は、スイッチング素子104に入力するスイッチング・パルスSWの立ち下がりエッジでオンになる。スイッチング素子104がオンになると、直流電源105からの直流電圧VDDがコイル102とダイオード103に印加される。ダイオード103は逆バイアスされているため電流は流れない。図13の(b)及び(c)に示すように、スイッチング・パルスSWが“L”状態で、コイル102に電流ILが流れ、コイル102に直列接続されたLED101にも同量の電流ILEDが流れてLED101が発光する。電流IL及び電流ILEDの電流値は時間tと共に変化する。コイル102の電流ILは0〜i0まで増加し、LED101に流れる電流ILEDも0〜i0まで増加する。
In the light emitting diode driving device of the second conventional example, when the
次に図13の(a)に示すように、スイッチング素子104がスイッチング・パルスSWの立ち上がりエッジでオフになると、直流電源105からの電圧の印加が遮断され、コイル102に逆起電力が発生する。この逆起電力によりコイル102には電流ILが流れる。電流ILは時間tと共に変化してi0から0まで減少する。回路に生じる逆起電圧は、LED101及びダイオード103に順方向に印加されるので、コイル102の電流ILはLED101及びダイオード103を流れる。従って、図13の(c)に示すように、LED101には電流ILEDがi0〜0まで減少しつつ流れ、この電流によりLED101は発光する。
Next, as shown in FIG. 13A, when the
この第2の従来例の発光ダイオード駆動装置によれば、スイッチング素子104によるスイッチがオンになっているときには、直流電源105からの出力電圧の印加によりLED101を発光させ、スイッチがオフになっているときにはコイル102の逆起電力を利用してLED101を発光させるようにしている。
特許文献1に示されている第1の従来例の発光ダイオード駆動装置においては以下の問題がある。各LEDアレイ1〜mの電流値は抵抗などの限流素子Z1〜Zmの値で決定される。そのため、LEDの温度が上昇してLEDの順方向抵抗が減少すると電流が増加し、限流素子とLEDの温度特性の不一致が起こると、LEDアレイ1〜mの電流値の変化によっては、許容順方向電流を超える電流がLEDを流れてLEDが破損することがある。
The light emitting diode driving device of the first conventional example shown in
また、特許文献2に示されている従来の発光ダイオード駆動装置においても同様の問題がある。スイッチング素子104が単にスイッチング・トランジスタと発振器との組み合わせであるので、LED101の温度及びスイッチング・トランジスタの温度が上昇した時、LED101の順方向電流が増加する。そのためLED101が破損することがある。
The conventional light emitting diode driving device disclosed in
本発明は、通電電流が温度により変化してもLEDが破損しにくい発光ダイオード駆動装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a light emitting diode driving device in which an LED is not easily damaged even when an energization current changes with temperature.
請求項1の発明の発光ダイオード駆動装置は、少なくとも1つの発光ダイオードを有する発光ダイオードブロック、前記発光ダイオードブロックに直列に接続されたチョークコイル、前記直列接続されたチョークコイルと発光ダイオードブロックに並列に接続され、前記チョークコイルに生じる逆起電力を前記発光ダイオードブロックに供給するダイオード、前記発光ダイオードブロックと前記チョークコイルに直流電流を供給する直流電源、及び前記発光ダイオードブロックに供給する直流電流をオンオフするスイッチング回路を備え、
前記スイッチング回路は、少なくとも1つのスイッチング素子を有するスイッチング素子ブロック、前記発光ダイオードの温度変化に基づいて、前記スイッチング素子のオンデューティー比を変えるオンデューティー比変更回路、前記直流電源の出力電圧が所定値以上のとき、前記スイッチング素子を所定の発振周波数でオンオフ制御し、前記出力電圧が前記所定値より低いときは前記オンオフ制御を停止する起動/停止回路、前記スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出回路、及び前記電流検出回路からの検出信号を受けて、前記スイッチング素子を流れる平均電流を所定のオンデューティー比において一定となるようにオンオフ制御する制御回路を有する制御回路ブロック、を備えたことを特徴とする。
A light emitting diode driving device according to
The switching circuit includes a switching element block having at least one switching element, an on-duty ratio changing circuit for changing an on-duty ratio of the switching element based on a temperature change of the light-emitting diode, and an output voltage of the DC power supply being a predetermined value At this time, the switching element is on / off controlled at a predetermined oscillation frequency, and when the output voltage is lower than the predetermined value, a start / stop circuit that stops the on / off control, and a current detection that detects a current flowing through the switching element And a control circuit block having a control circuit that receives a detection signal from the current detection circuit and performs on / off control so that an average current flowing through the switching element becomes constant at a predetermined on-duty ratio. Features.
この発明によれば、スイッチング素子がオン状態にあるときは、チョークコイル→発光ダイオード→スイッチング素子の向きに電流が流れる。またスイッチング素子がオフ状態にあるときは、チョークコイル、発光ダイオード及びダイオードで構成される回路ループをチョークコイル→発光ダイオード→ダイオードの向きに電流が流れて、降圧チョッパに類似の動作をする。従って、電力変換効率が高く、入力電圧が変動しても発光ダイオードブロックに流れる平均電流を一定に制御できる。この発明の発光ダイオード駆動装置は所定のオンデューティー比を有する電圧でオンオフ動作をするので、1周期中で電流が流れる期間と流れない期間との比率を調整できる。すなわち発光ダイオードの温度の変化に対してスイッチング素子に流れる電流を制御できるので、温度が変化した場合でもLEDの破損を防ぐ発光ダイオード駆動装置が実現できる。 According to the present invention, when the switching element is in the ON state, a current flows in the direction of the choke coil → the light emitting diode → the switching element. When the switching element is in the OFF state, a current flows through the circuit loop including the choke coil, the light emitting diode, and the diode in the direction of the choke coil → the light emitting diode → the diode, and operates similar to the step-down chopper. Therefore, the power conversion efficiency is high, and the average current flowing through the light emitting diode block can be controlled to be constant even when the input voltage varies. Since the light emitting diode driving device of the present invention performs an on / off operation with a voltage having a predetermined on-duty ratio, the ratio of the period during which current flows and the period during which current does not flow can be adjusted in one cycle. That is, since the current flowing through the switching element can be controlled with respect to a change in the temperature of the light emitting diode, a light emitting diode driving device that prevents damage to the LED even when the temperature changes can be realized.
請求項2の発明の発光ダイオード駆動装置は、前記オンデューティー比変更回路が、前記発光ダイオードの順方向電圧の温度による変化に基づいて、前記スイッチング素子のオンデューティー比を変えることを特徴とする。
この発明によれば、発光ダイオードの順方向電圧の温度による変化に基づいてオンデューティー比を変えることにより、温度が変化したときの発光ダイオードの電流を制御する。
According to a second aspect of the present invention, the on-duty ratio changing circuit changes the on-duty ratio of the switching element based on a change in the forward voltage of the light-emitting diode due to temperature.
According to the present invention, the current of the light emitting diode when the temperature changes is controlled by changing the on-duty ratio based on the change of the forward voltage of the light emitting diode with the temperature.
請求項3の発明の発光ダイオード駆動装置は、前記オンデューティー比変更回路が、前記発光ダイオードブロックの温度を検出する温度検出手段を有することを特徴とする。
この発明によれば、温度の変化を温度検出手段により検出し、その検出出力で、オンデューティー比を変更して発光ダイオードの電流を制御する。これにより温度が上昇したときに発光ダイオードに過大な電流が流れて破壊されるのを防止する。
According to a third aspect of the present invention, the on-duty ratio changing circuit includes temperature detecting means for detecting a temperature of the light-emitting diode block.
According to the present invention, the temperature change is detected by the temperature detection means, and the on-duty ratio is changed by the detection output to control the current of the light emitting diode. This prevents an excessive current from flowing through the light emitting diode when the temperature rises.
請求項4の発明の発光ダイオード駆動装置は、前記スイッチング素子ブロックは制御端子、高電位側端子及び低電位側端子を有し、前記制御端子に前記制御回路ブロックの出力端子と前記スイッチング素子の制御端子が接続され、前記低電位側端子に前記スイッチング素子の一方の出力端子と前記制御回路ブロックのグランド端子が接続され、前記高電位側端子に前記接合型FETの入力端子が接続され、前記接合型FETの出力端子に前記スイッチング素子の他方の出力端子と前記制御回路ブロックの入力端子が接続されたことを特徴とする。 According to a light emitting diode driving apparatus of a fourth aspect of the present invention, the switching element block has a control terminal, a high potential side terminal, and a low potential side terminal, and the control terminal controls the output terminal of the control circuit block and the switching element. A terminal is connected, one output terminal of the switching element and the ground terminal of the control circuit block are connected to the low potential side terminal, an input terminal of the junction FET is connected to the high potential side terminal, and the junction The other output terminal of the switching element and the input terminal of the control circuit block are connected to the output terminal of the type FET.
請求項5の発明の発光ダイオード駆動装置は、前記スイッチング素子ブロックは、制御端子、高電位側端子及び低電位側端子を有し、前記制御端子に前記制御回路ブロックの出力端子と前記スイッチング素子の制御端子が接続され、前記低電位端子に前記スイッチング素子の一方の出力端子と前記制御回路ブロックのグランド端子が接続され、前記高電位側端子に前記接合型FETの入力端子と前記スイッチング素子の他方の出力端子が接続され、前記接合型FETの出力端子に前記制御回路ブロックの入力端子が接続されたことを特徴とする。 In the light emitting diode driving device according to the fifth aspect of the present invention, the switching element block has a control terminal, a high potential side terminal, and a low potential side terminal, and the control terminal includes an output terminal of the control circuit block and the switching element. A control terminal is connected, one output terminal of the switching element and the ground terminal of the control circuit block are connected to the low potential terminal, and an input terminal of the junction FET and the other of the switching element are connected to the high potential side terminal. The output terminal of the control circuit block is connected to the output terminal of the junction FET.
請求項6の発明の発光ダイオード駆動装置は、前記スイッチング素子ブロックは、制御端子、整流電圧源端子、高電位側端子及び低電位側端子を有し、前記制御端子に前記制御回路ブロックの出力端子と前記スイッチング素子の制御端子が接続され、前記低電位端子に前記スイッチング素子の一方の出力端子と前記制御回路ブロックのグランド端子が接続され、前記高電位側端子に前記スイッチング素子の他方の出力端子が接続され、前記整流電源端子に交流電圧を整流する前記整流回路の出力端子と接合型FETの入力端子が接続され、前記接合型FETの出力端子に前記制御回路ブロックの入力端子が接続されることを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, the switching element block has a control terminal, a rectified voltage source terminal, a high potential side terminal, and a low potential side terminal, and the control terminal is an output terminal of the control circuit block. And the control terminal of the switching element is connected, one output terminal of the switching element and the ground terminal of the control circuit block are connected to the low potential terminal, and the other output terminal of the switching element is connected to the high potential side terminal Is connected to the output terminal of the rectifier circuit that rectifies an AC voltage and the input terminal of the junction FET, and the input terminal of the control circuit block is connected to the output terminal of the junction FET. It is characterized by that.
請求項3、4、5及び6の発明によれば、上記の効果に加えて接合型FETによるピンチオフ効果により、接合型FETの高電位側に印加される高電圧は接合型FETの低電位側では低い電圧でピンチオフされる。そのため、スイッチング素子ブロックから制御回路への電力供給が可能となり起動抵抗等による電力損失が少なくなる。また、温度上昇による発光ダイオードの許容順方向電流の変化に応じて電流を加減することで発光ダイオードの破壊を防止できる。
According to the inventions of
本発明によれば、発光ダイオードの温度が変化して許容順方向電流が変化したとき、温度変化に応じて発光ダイオードを流れる平均電流を段階的に変化させる。これにより温度変化による過大な電流が発光ダイオードを流れるのを防ぎ、発光ダイオードが破損するのを防ぐことのできる。 According to the present invention, when the temperature of the light emitting diode changes and the allowable forward current changes, the average current flowing through the light emitting diode is changed stepwise according to the temperature change. Accordingly, it is possible to prevent an excessive current due to a temperature change from flowing through the light emitting diode and prevent the light emitting diode from being damaged.
以下、本発明の発光ダイオード駆動装置の好適な実施の形態について図1から図10を参照して説明する。
《実施の形態1》
Hereinafter, preferred embodiments of the light emitting diode driving device of the present invention will be described with reference to FIGS.
本発明の実施の形態1の発光ダイオード駆動装置を図1から図5を参照して説明する。
図1は本発明の実施の形態1の発光ダイオード駆動装置の回路図である。
交流電源1に接続された全波整流回路2の高電位側(正端子2a)にはチョークコイル3の一端とダイオード4のカソード端子が接続されている。チョークコイル3の他端には発光ダイオードアレイ5の図において最上部の発光ダイオード5aのアノード端子が接続されている。発光ダイオードアレイ5は1つあるいは複数のダイオードが直列接続された発光ダイオードブロックである。最下部の発光ダイオード5bのカソード端子には、制御回路6内のスイッチング素子ブロック7の高電位側の入力端子VDとダイオード4のアノード端子が接続されている。
A light emitting diode driving apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a circuit diagram of a light-emitting diode driving apparatus according to
One end of the
スイッチング素子ブロック7は、接合型FETのスイッチング素子9(以下、接合型FET9という)とFETのスイッチング素子10の直列接続体で構成され、その高電位側の入力端子VDに接合型FET9のドレイン端子が接続され、低電位側端子の接続点7aには接合型FET9のソース端子が接続され、制御端子はグランド端子Gに接続されている。接合型FET9とスイッチング素子10の接続点7aには制御回路ブロック8の入力端子VJが接続されている。スイッチング素子10の制御端子には制御回路ブロック8の出力端子8aが接続されている。
The switching
制御回路ブロック8は、整流電圧端子IN1、入力端子VJ、入力端子VD、出力端子8a、グランド端子G、基準電圧端子36、及びVF電圧端子IN2を有している。整流電圧端子IN1は入力電圧検出回路21に接続されている。基準電圧端子36とグランド端子G間にはコンデンサ24が接続されている。入力端子VJには、レギュレータ11の一端と、検出基準電圧Vsnが入力されるドレイン電流検出回路18(電流検出回路)の検出端子が接続されている。基準電圧端子36にはレギュレータ11の他端が接続されている。入力端子VDにはVF電圧検出回路27の第1の端子27aが接続され、VF電圧端子IN2にはVF電圧検出回路27の第2の端子27bが接続されている。VF電圧検出回路27の第1及び第2の端子27a、27bは、それぞれ発光ダイオード5bの両端子に接続され、その順方向の電圧VF(Voltage Forwardの頭文字)を検出する。VF電圧検出回路27の出力は、詳細な回路構成を図10に示すオンデューティー比変更回路35に入力される。オンデューティー比変更回路35には、MAX DUTY信号19a、VF電圧検出回路27の出力信号27c、クロック信号19b、入力電圧VJ及びオン時ブランキングパルス発生器の出力信号14aが入力され、出力信号35aがAND回路13に出力される。
The
AND回路13の出力端子8aは、スイッチング素子ブロック7のスイッチング素子10の制御端子とオン時ブランキングパルス発生器14の入力端子に接続されている。AND回路13の4つの入力端子には、起動/停止回路12の出力信号が出る出力端子、発振器19のMAX DUTY信号出力端子、RSフリップフロップ回路15の出力端子Q及びオンデューティー比変更回路35の出力端子35aが接続されている。AND回路17の入力端子には、ドレイン電流検出回路18の出力端子とオン時ブランキングパルス発生器14の出力端子が接続されている。OR回路16の2つの入力端子にはそれぞれAND回路17の出力信号と発振器19のMAX DUTY信号の反転信号が入力され、出力信号はRSフリップフロップ回路15のリセット信号端子Rに入力される。
The
入力電圧検出回路21は検出基準電圧Vstが(−)端子に入力されるコンパレータ20と、直列に接続された2つの抵抗22、23で構成される。直列接続の抵抗22、23の高電位側は制御回路ブロック8の整流電圧端子IN1に接続され、低電位側は制御回路ブロック8のグランド端子Gに接続されている。抵抗22、23の接続点はコンパレータ20の(+)端子に接続されている。コンパレータ20の出力端子は起動/停止回路12の入力端子に接続されている。
The input
図2の(a)は図1に示す発光ダイオード駆動装置における正端子2aの電圧Vinの電圧波形を示し、同(b)は発光ダイオードアレイ5を流れる電流波形(IL)を示している。図2の(c)は基準電圧Vccの電圧波形である。
図3は、横軸に入力電圧VDをとり、縦軸に入力電圧VJをとった、両入力電圧の関係を示すグラフである。図1、図2及び図3を用いて、本発明の実施の形態1の発光ダイオード駆動装置の動作を説明する。
2A shows a voltage waveform of the voltage Vin at the
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the two input voltages with the input voltage VD on the horizontal axis and the input voltage VJ on the vertical axis. The operation of the light-emitting diode driving apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
全波整流回路2から出力された電圧Vinは図2の(a)のように交流電圧を全波整流した波形となる。全波整流の電圧Vinは、チョークコイル3と発光ダイオードアレイ5を経て入力端子VDからスイッチング素子ブロック7の接合型FET9の高電位側に印加される。図3の横軸の入力電圧VDが徐々に上昇すると、入力電圧VDの上昇と共に低電位側の入力電圧VJも上昇する(領域A)。更に入力電圧VDが上昇して、ピンチオフ電圧VDP以上になると、FET9はピンチオフして、入力電圧VJは電圧VJPと等しくなる(領域B)。
The voltage Vin output from the full-
接合型FET9の低電位側に接続されたレギュレータ11から供給される電流により、制御回路ブロック8の基準電圧端子36の電圧Vccも上昇する。高電位側の入力電圧VDが電圧VDSTART(図3)になり、低電位側入力電圧VJが起動電圧Vcc0(図2の(c))に達すると、電圧Vccはレギュレータ11により常に一定の起動電圧Vcc0となるように制御され、制御回路ブロック8の発振器19の発振が開始される。基準電圧端子36の電圧が起動電圧Vcc0を下回ると発振器19の発振は停止するようになされている。
Due to the current supplied from the
電圧Vinは整流電源端子IN1を通って入力電圧検出回路21中の抵抗22の高電位側に印加され、抵抗22、23で分圧された電圧Vin’がコンパレータ20の(+)端子に印加される。コンパレータ20の(−)端子には所定の基準電圧Vstが印加されており、抵抗22、23で分圧された電圧Vin’が基準電圧Vstに達すると、コンパレータ20は起動/停止回路12に起動信号を送る。起動信号はAND回路13を経てスイッチング素子10のゲートに印加され、スイッチング素子10の起動を制御する。
The voltage Vin is applied to the high potential side of the
この際、図2の(a)に示すように、入力電圧VJが起動電圧Vcc0に達する時の電圧Vin2よりも、電圧Vin’が基準電圧Vstに達する時の電圧Vin1のほうが高くなるように設定されているため、制御回路ブロック8によるスイッチング素子10の断続的なオンオフ制御が開始される。抵抗22、23で分圧された電圧Vin’が基準電圧Vstを下回ると、コンパレータ20は起動/停止回路12に停止信号を送り、制御回路ブロック8はスイッチング素子10をオフ状態に保つ。
At this time, as shown in FIG. 2A, the voltage Vin1 when the voltage Vin ′ reaches the reference voltage Vst is set higher than the voltage Vin2 when the input voltage VJ reaches the starting voltage Vcc0. Therefore, intermittent ON / OFF control of the switching element 10 by the
すなわち、図2の(b)に示すように、電圧Vin’が基準電圧Vst以上の期間T1はスイッチング素子10のオンオフ制御が行われ、発光ダイオードアレイ5に定電流ILが流れる。電圧Vin’が基準電圧Vstより小さい期間T2はスイッチング素子10はオフ状態を保ち、発光ダイオードアレイ5には電流が流れない。
That is, as shown in FIG. 2B, on / off control of the switching element 10 is performed during a period T <b> 1 where the voltage Vin ′ is equal to or higher than the reference voltage Vst, and a constant current IL flows through the light emitting
本実施の形態1の発光ダイオード駆動装置の、ダイオードアレイ5の温度が一定の場合の、定電流出力動作について図4を参照して説明する。
起動/停止回路12の起動信号によってAND回路13から発振器19の出力が出て制御回路ブロック8によるスイッチング素子10のオンオフ制御が開始される。スイッチング素子10のスイッチング周波数及びオンデューティー比(スイッチング素子10がオンになる期間のデューティー比)は、それぞれ発振器19のCLOCK信号及びMAX DUTY信号により定まる。スイッチング素子10を流れる電流は、スイッチング素子10のオン電圧(入力電圧VJ)をドレイン電流検出回路18の検出基準電圧Vsnと比較することにより検出される。スイッチング素子10のオン電圧が検出基準電圧Vsnに達すると、発振器19の次のCLOCK信号がRSフリップフロップ15の入力Sに入るまで、スイッチング素子10はオフ状態になる。即ち、スイッチング素子10のオンデューティー比は、発振器19の出力のMAX DUTY信号の反転信号と、ドレイン電流検出回路18の出力信号が入力されたOR回路16の出力信号により定まる。
A constant current output operation in the case where the temperature of the
In response to the start signal from the start /
スイッチング素子10の制御端子にはオン時ブランキングパルス発生器14が接続されており、このオン時ブランキングパルス発生器14の出力信号とドレイン電流検出回路18の出力信号がAND回路17に入力される。AND回路17の出力とMAX DUTY信号をOR回路16に入力し、OR回路の出力をRSフリップフロップ15の入力Rに印加することにより、スイッチング素子10がオフ状態からオン状態になるときに発生するリンギングによるスイッチング素子10のオンオフ制御の誤動作を防いでいる。VF電圧検出回路27は、VF電圧入力端子IN2と入力端子VDとの間に接続された1個(あるいは複数個)の発光ダイオード5bの電圧VFを検出してオンデューティー比変更回路35に入力する。オンデューティー比変更回路35はVF電圧に応じてオンデューティー比を変化させる信号をAND回路13に出力する。これによりAND回路13の出力のオンデューティー比が変わるので、スイッチング素子10のオンデューティー比も変化して、スイッチング素子10に流れる電流が制御される。
上記の動作を図4を参照して詳細に説明する。図4の(a)は入力電圧VDの波形であり、図4の(b)は一定レベルの基準の電圧Vccを示す。
An ON-time blanking
The above operation will be described in detail with reference to FIG. 4A shows the waveform of the input voltage VD, and FIG. 4B shows the reference voltage Vcc at a constant level.
制御回路ブロック8によってスイッチング素子10はオンオフ制御され、スイッチング素子10に流れる電流IDは図4の(c)に示すようになる。すなわち、スイッチング素子10がオン状態にあるとき、ピーク電流IDPをピークとする電流IDが、チョークコイル3→発光ダイオードアレイ5→接合型FET9→スイッチング素子10を矢印の向きに流れる。またスイッチング素子10がオフ状態にあるとき、電流はチョークコイル3→発光ダイオードアレイ5→ダイオード4の閉ループを矢印の向きに流れる。その結果、チョークコイル3を流れる電流IL(即ち、発光ダイオードアレイ5に流れる電流)は図4の(d)に示すようなピーク値がIDPののこぎり歯状の波形となり、発光ダイオードアレイ5を流れる平均電流は図4の(d)の電流IL0となる。これにより、ダイオードアレイ5はほぼ一定の光度で点灯する。図4の(e)は電圧VJ及び電圧Vsnのレベルを示す。図4の(f)はダイオードアレイ5の温度Tを示す。
The switching element 10 is on / off controlled by the
次に本実施の形態1の発光ダイオード駆動装置において、発光ダイオードアレイ5の温度が上昇する時の動作を図5を参照して説明する。図5の(f)に示すように、発光ダイオードアレイ5の温度Tが時間tの経過と共に上昇すると、発光ダイオード5bの順方向抵抗が低下するので、電圧VFも時間tの経過と共に低下する。電圧VFはVF電圧検出回路27で検出され、検出出力がオンデューティー比変更回路35に印加される。オンデューティー比変更回路35は、前記検出出力のレベルに応じて、例えば3段階にオンデューティー比を変化させるパルス出力を接続線35aを経てAND回路13に印加する。これによりAND回路13の出力でオンオフ制御されるスイッチング素子10を流れる電流IDは図5の(c)のようになり、電圧VDは図5の(a)のようになる。
Next, the operation when the temperature of the light-emitting
図5において、温度Tが温度T1以下である時刻t0からt1はオンデューティー比が「大」である。温度TがT1を超えて上昇すると、時刻t2でオンデューティー比は「中」に変化し、温度Tが温度T2以下である時刻t3まではこのオンデューティー比を保つ。温度Tが更に上昇してT2を超えると、時刻t4でオンデューティー比は「小」に変化する。上記の例では温度Tが上昇するときオンデューティー比を3段階に変化させたが、この変化は3段階に限られるものではなく、より多段階に変化させてもよい。また段階的に変化させるのではなく、連続的に変化させてPWM制御してもよい。 In FIG. 5, the on-duty ratio is “high” from time t0 to t1 when the temperature T is equal to or lower than the temperature T1. When the temperature T rises above T1, the on-duty ratio changes to “medium” at time t2, and this on-duty ratio is maintained until time t3 when the temperature T is equal to or lower than the temperature T2. When the temperature T further rises and exceeds T2, the on-duty ratio changes to “small” at time t4. In the above example, when the temperature T rises, the on-duty ratio is changed in three stages. However, this change is not limited to three stages, and may be changed in more stages. Further, the PWM control may be performed by changing continuously instead of changing stepwise.
オンデューティー比の減少により、図5の(c)に示すように、電流IDの波高値IDPも3段階に減少する。これはオンデューティー比の減少により、コイル3に蓄えられる電磁エネルギーも減少するからである。発光ダイオードアレイ5を流れる電流ILは図5の(d)に示す波形の平均電流ILOになる。
本実施の形態によれば、発光ダイオードアレイ5の温度が上昇して、順方向抵抗が低下するとき、発光ダイオードアレイ5を流れる平均電流ILOを減少させて、発光ダイオードアレイ5に過大な電流が流れないようにする。従って本実施の形態の発光ダイオード駆動装置は、温度変化の大きい用途、例えば日中は太陽光が当たって相当の高温(例えば80℃)になり、夜間は温度が大幅に低下する(例えば10℃)ような屋外での使用においても、発光ダイオードが破壊されるのを防ぐことができる。
As the on-duty ratio decreases, the peak value IDP of the current ID also decreases in three stages, as shown in FIG. This is because the electromagnetic energy stored in the
According to the present embodiment, when the temperature of the light-emitting
上記の説明では、VF電圧検出回路27で検出する発光ダイオード5bの電圧VFの温度による変化に対して発光ダイオードアレイ5の平均電流が小さくなるものとして説明したが、VF電圧検出回路27で検出する電圧VFの変動に対して発光ダイオードアレイ5の平均電流が大きくなるように動作させてもよい。また発光ダイオード5bの電圧VFの変化に対して、発光ダイオードアレイ5の平均電流をリニアに変化させても良く、これらは以後の各実施の形態においても同様である。
In the above description, it has been described that the average current of the light emitting
実施の形態1の発光ダイオード駆動装置の効果を以下に詳細に説明する。
通常の発光ダイオードは、温度が上昇すると、順方向抵抗が減少するとともに、許容順方向電流が減少する。従来の発光ダイオード駆動装置では、発光ダイオードの温度が上昇して、順方向抵抗が減少し発光ダイオードの電流が増加した時、電流値が発光ダイオードの許容順方向電流値を超えて発光ダイオードが破壊されることがある。
本実施の形態1の発光ダイオード駆動装置では、温度上昇で変化する発光ダイオードの電圧VFの変化を検出して、電圧VFに応じてスイッチング素子10に流れる電流のオンデューティー比を小さくし、平均電流ILOを低減することにより発光ダイオードの破損を防ぐことができる。
The effect of the light emitting diode driving apparatus of the first embodiment will be described in detail below.
In a normal light emitting diode, when the temperature rises, the forward resistance decreases and the allowable forward current decreases. In the conventional LED driving device, when the LED temperature rises, the forward resistance decreases and the LED current increases, the current value exceeds the LED's allowable forward current value and the LED is destroyed. May be.
In the light emitting diode driving apparatus according to the first embodiment, the change in the voltage VF of the light emitting diode that changes with a temperature rise is detected, the on-duty ratio of the current flowing through the switching element 10 is reduced according to the voltage VF, and the average current is increased. By reducing the ILO, the light emitting diode can be prevented from being damaged.
また、発光ダイオードの種類によって温度上昇により発光ダイオードの許容順方向電流が増加する場合には、スイッチング素子10に流れる電流値を大きくすることで、発光ダイオードの光度の調整を行なうこともできる。 Further, when the allowable forward current of the light emitting diode increases due to the temperature rise depending on the type of the light emitting diode, the luminous intensity of the light emitting diode can be adjusted by increasing the value of the current flowing through the switching element 10.
本実施の形態1の発光ダイオード駆動装置では、図1に示すスイッチング素子ブロック7と制御回路ブロック8を同一基板上に形成して制御装置6を構成しているので、発光ダイオード駆動装置が小型化される。この構成は以下の各実施の形態においても同様である。
図1の回路では、交流電源1の交流を整流するために全波整流回路2を用いているが、半波整流回路を用いても同様の効果が得られる。この点については以下の各実施の形態においても同様である。
In the light emitting diode driving device according to the first embodiment, the switching
In the circuit of FIG. 1, the full-
制御回路ブロック8によるスイッチング素子10のオンオフ動作において、スイッチング素子10がオン状態からオフ状態へ移行するときに、スイッチング素子ブロック7の高電圧側端子の入力電圧VDが、配線の静電容量やインダクタンスによって生ずるリンギングによりスイッチング素子10の耐圧を超える場合がある。このような場合スイッチング素子10が破壊されるおそれがある。
In the on / off operation of the switching element 10 by the
本実施の形態では、スイッチング素子10の破壊を防ぐために、図1に示すように、スイッチング素子ブロック7の高電位側の入力端子VDと低電位側の回路グランドG間に並列にツェナーダイオード40などのクランプ回路を接続するのが望ましい。クランプ回路のクランプ電圧はスイッチング素子10の耐圧よりも低く設定しておけば、スイッチング素子ブロック7の入力電圧VDはこのクランプ電圧でクランプされる。従って、スイッチング素子10の破壊を防ぐことができ、安全性の高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。
以下の各実施の形態においても、同様にクランプ回路を追加することで同様の効果を得ることができる。
《実施の形態2》
In the present embodiment, in order to prevent destruction of the switching element 10, as shown in FIG. 1, a
In each of the following embodiments, the same effect can be obtained by adding a clamp circuit in the same manner.
<<
本発明の実施の形態2の発光ダイオード駆動装置を、図6の回路図を参照して説明する。
図6に示す実施の形態2の発光ダイオード駆動装置では、図1に示すVF電圧検出回路27の代わりに温度検出回路28を設けている。その他の構成は図1に示す前記実施の形態1の回路構成と同じである。
A light-emitting diode driving apparatus according to
In the light emitting diode driving apparatus according to the second embodiment shown in FIG. 6, a
温度検出回路28は温度センサ28aを有し、発光ダイオードアレイ5又は発光ダイオード駆動装置の周囲温度を検出する。温度検出回路28の出力はオンデューティー比変更回路35に印加されている。オンデューティー比変更回路35の動作は前記実施の形態1において説明したものと同様であり、温度検出回路28の検出出力によりオンデューティー比が変わる。オンデューティー比変更回路35の出力はAND回路13に印加される。温度検出回路28の出力によって、AND回路13の出力であるスイッチング素子10のゲート電圧のオンデューティー比が変化して、スイッチング素子10を流れる電流を変化させる。
The
図5と実質的に同じ図である図7を参照して、実施の形態2の発光ダイオード駆動装置の動作を説明する。図7の(f)に示すように温度が変化すると、温度の変化に応じて図7の(a)に示すように例えば3段階でオンデューティー比を変化させる。これにより、図7の(c)に示すように、スイッチング素子10を流れる電流IDも3段階で変化する。スイッチング素子10には、図7の(c)に示すPWM制御された電流IDが流れるので、チョークコイル3に流れる電流は図7の(d)に示す電流ILになる。発光ダイオードアレイ5の平均電流ILOは図7の(d)に示すようになる。
With reference to FIG. 7, which is substantially the same as FIG. 5, the operation of the light emitting diode driving apparatus according to the second embodiment will be described. When the temperature changes as shown in FIG. 7 (f), the on-duty ratio is changed in three stages, for example, as shown in FIG. 7 (a) according to the change in temperature. As a result, as shown in FIG. 7C, the current ID flowing through the switching element 10 also changes in three stages. Since the PWM-controlled current ID shown in FIG. 7C flows through the switching element 10, the current flowing through the
本実施の形態では、発光ダイオード駆動装置、もしくは発光ダイオードアレイ5の温度変化に対して発光ダイオードアレイ5の平均電流が小さくなるものとして説明したが、発光ダイオードアレイ5の平均電流が大きくなるように動作させてもよい。また温度の変化に対して、発光ダイオードアレイ5の平均電流をリニアに変化させても良い。
In the present embodiment, it has been described that the average current of the light emitting
本実施の形態2の発光ダイオード駆動装置の効果を以下に説明する。本実施の形態2では、発光ダイオードアレイ5の温度又は発光ダイオード駆動装置の周囲温度に応じて発光ダイオードアレイ5を流れる電流を制御する。従って発光ダイオードアレイ5の個々の発光ダイオードの電圧VFにばらつきが存在する場合でも、その影響を受けるおそれはない。そのため、周囲温度の変化により発光ダイオードの許容順方向電流が減少した場合においても発光ダイオードの破壊を防ぐことができる。
《実施の形態3》
The effect of the light emitting diode driving apparatus of the second embodiment will be described below. In the second embodiment, the current flowing through the light emitting
<<
本発明の実施の形態3の発光ダイオード駆動装置と図8の回路図を参照して説明する。
図8に示す本発明の実施の形態3の発光ダイオード駆動装置では、スイッチング素子ブロック7aの接合型FET9の接続方法が図1に示す回路と異なっている。図8において、接合型FET9はゲートがグランドGに接続され、ソース、ドレインがそれぞれ入力端子VDとレギュレータ11に接続されている。さらにスイッチング素子10にもう1つのスイッチング素子25が並列に接続されている。スイッチング素子25のドレインは、抵抗26を介してグランドGに接続されるとともにドレイン電流検出回路18に接続されている。これによりドレイン電流検出回路18の検出方法は、図1に示す前記実施の形態1と異なるが、本実施の形態3の発光ダイオード駆動装置の動作は、実質的に前記実施の形態1と同様である。
実施の形態3におけるドレイン電流検出回路18の入力は、スイッチング素子10に流れる電流よりも小さく、且つ一定の電流比の電流が流れるスイッチング素子25と抵抗26の直列接続体の接続点26aの電圧である。すなわち、スイッチング素子25を流れる電流により抵抗26の両端に生じる電圧である。このような構成にすると、抵抗26に直接大電流が流れないため、電力損失が低減される。
《実施の形態4》
A description will be given with reference to the light-emitting diode driving apparatus according to
In the light emitting diode driving apparatus according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 8, the connection method of the junction type FET 9 of the switching element block 7a is different from the circuit shown in FIG. In FIG. 8, the junction FET 9 has a gate connected to the ground G, and a source and a drain connected to the input terminal VD and the
The input of the drain
<< Embodiment 4 >>
本発明の実施の形態4の発光ダイオード駆動装置を図9の回路図を参照して説明する。
図9に示す実施の形態4の発光ダイオード駆動装置では、スイッチング素子ブロック7の接合型FET9の接続が異なること以外は、図8に示す実施の形態3の回路構成と同じである。
A light-emitting diode driving apparatus according to Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to the circuit diagram of FIG.
The light emitting diode driving apparatus according to the fourth embodiment shown in FIG. 9 has the same circuit configuration as that of the third embodiment shown in FIG. 8 except that the connection of the junction FET 9 of the switching
実施の形態4におけるドレイン電流検出回路18の入力は、スイッチング素子10に流れる電流よりも小さく、且つ一定の電流比の電流が流れるスイッチング素子25と抵抗26の直列接続体の接続点26aの電圧である。すなわち、スイッチング素子25を流れる電流により抵抗26の両端に生じる電圧である。このような構成にすると、抵抗26に直接大電流が流れないため、電力損失が低減される。
実施の形態3及び実施の形態4は、VF電圧検出回路27を有する構成を図示したが、VF電圧検出回路27を実施の形態2のように温度検出回路28に代えても同様の効果が得られる。
The input of the drain
In the third and fourth embodiments, the configuration including the VF
LED照明機器等の発光ダイオード使用した装置及び機器に利用可能である。 It can be used for devices and devices using light emitting diodes such as LED lighting devices.
1 交流電源
2 整流回路
3 チョークコイル
4 ダイオード
5 発光ダイオードアレイ
7 スイッチング素子ブロック
8 制御回路ブロック
9 接合型FET
10 スイッチング素子
11 レギュレータ
12 起動/停止回路
13 AND回路
14 オン時ブランキングパルス発生器
15 RSフリップフロップ回路
16 OR回路
17 AND回路
18 ドレイン電流検出回路
19 発振器
20 コンパレータ
21 入力電圧検出回路
22、23、26 抵抗
24 コンデンサ
25 N型MOSFET
27 VF電圧検出回路
28 温度検出回路
35 オンデューティー比変更回路
101 発光ダイオード(LED)
102 コイル
103 ダイオード
104 スイッチング素子
105 直流電源
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10
27 VF
102
Claims (6)
前記発光ダイオードブロックに直列に接続されたチョークコイル、
前記直列に接続されたチョークコイルと発光ダイオードブロックに並列に接続され、前記チョークコイルに生じる逆起電力を前記発光ダイオードブロックに供給するダイオード、
前記発光ダイオードブロックと前記チョークコイルに直流電流を供給する直流電源、及び
前記発光ダイオードブロックに供給する直流電流をオンオフするスイッチング回路を備え、
前記スイッチング回路は、
少なくとも1つのスイッチング素子を有するスイッチング素子ブロック、
前記発光ダイオードの温度変化に基づいて、前記スイッチング素子のオンデューティー比を変えるオンデューティー比変更回路、
前記直流電源の出力電圧が所定値以上のとき、前記スイッチング素子を所定の発振周波数でオンオフ制御し、前記出力電圧が前記所定値より低いときは前記オンオフ制御を停止する起動/停止回路、
前記スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出回路、及び
前記電流検出回路からの検出信号を受けて、前記スイッチング素子を流れる平均電流を所定のオンデューティー比において一定となるようにオンオフ制御する制御回路を有する制御回路ブロック、
を備えたことを特徴とする発光ダイオード駆動装置。 A light emitting diode block having at least one light emitting diode;
A choke coil connected in series to the light emitting diode block;
A diode connected in parallel to the choke coil and the light emitting diode block connected in series, and supplying back electromotive force generated in the choke coil to the light emitting diode block;
A DC power supply for supplying a direct current to the light emitting diode block and the choke coil, and a switching circuit for turning on and off the direct current supplied to the light emitting diode block,
The switching circuit is
A switching element block having at least one switching element;
An on-duty ratio changing circuit for changing an on-duty ratio of the switching element based on a temperature change of the light-emitting diode;
A start / stop circuit for controlling on / off of the switching element at a predetermined oscillation frequency when the output voltage of the DC power supply is equal to or higher than a predetermined value, and stopping the on / off control when the output voltage is lower than the predetermined value;
A current detection circuit that detects a current flowing through the switching element; and a control circuit that receives a detection signal from the current detection circuit and performs on / off control so that an average current flowing through the switching element is constant at a predetermined on-duty ratio. A control circuit block having
A light-emitting diode driving device comprising:
前記制御端子に、前記制御回路ブロックの出力端子と前記スイッチング素子の制御端子が接続され、
前記低電位側端子に、前記スイッチング素子の一方の出力端子と前記制御回路ブロックのグランド端子が接続され、
前記高電位側端子に、接合型FETの入力端子が接続され、
前記接合型FETの出力端子に前記スイッチング素子の他方の出力端子と前記制御回路ブロックの入力端子が接続されたことを特徴とする請求項1、2または3記載の発光ダイオード駆動装置。 The switching element block has a control terminal, a low potential side terminal, and a high potential side terminal,
An output terminal of the control circuit block and a control terminal of the switching element are connected to the control terminal,
The output terminal of the switching element and the ground terminal of the control circuit block are connected to the low potential side terminal,
An input terminal of a junction FET is connected to the high potential side terminal,
4. The light emitting diode driving device according to claim 1, wherein the output terminal of the junction FET is connected to the other output terminal of the switching element and the input terminal of the control circuit block.
前記制御端子に、前記制御回路ブロックの出力端子と前記スイッチング素子の制御端子が接続され、
前記低電位側端子に、前記スイッチング素子の一方の出力端子と前記制御回路ブロックのグランド端子が接続され、
前記高電位側端子に、前記接合型FETの入力端子と前記スイッチング素子の他方の出力端子が接続され、
前記接合型FETの出力端子に、前記制御回路ブロックの入力端子が接続されたことを特徴とする請求項1、2または3記載の発光ダイオード駆動装置。 The switching element block has a control terminal, a low potential side terminal, and a high potential side terminal,
An output terminal of the control circuit block and a control terminal of the switching element are connected to the control terminal,
The output terminal of the switching element and the ground terminal of the control circuit block are connected to the low potential side terminal,
The input terminal of the junction FET and the other output terminal of the switching element are connected to the high potential side terminal,
4. The light emitting diode driving device according to claim 1, wherein an input terminal of the control circuit block is connected to an output terminal of the junction FET.
前記制御端子に、前記制御回路ブロックの出力端子と前記スイッチング素子の制御端子が接続され、
前記低電位側端子に、前記スイッチング素子の一方の出力端子と前記制御回路ブロックのグランド端子が接続され、
前記高電位側端子に、前記スイッチング素子の他方の出力端子が接続され、
前記整流電圧源端子に、交流電圧を整流する前記整流回路の出力端子と接合型FETの入力端子が接続され、
前記接合型FETの出力端子に、前記制御回路ブロックの入力端子が接続されることを特徴とする請求項1、2または3記載の発光ダイオード駆動装置。
The switching element block has a control terminal, a low potential side terminal, a high potential side terminal, and a rectified voltage source terminal,
An output terminal of the control circuit block and a control terminal of the switching element are connected to the control terminal,
The output terminal of the switching element and the ground terminal of the control circuit block are connected to the low potential side terminal,
The other output terminal of the switching element is connected to the high potential side terminal,
An output terminal of the rectifier circuit that rectifies an AC voltage and an input terminal of a junction FET are connected to the rectified voltage source terminal,
4. The light emitting diode driving device according to claim 1, wherein an input terminal of the control circuit block is connected to an output terminal of the junction FET.
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