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JP2006272132A - Method and apparatus for manufacture of chemical substance - Google Patents

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JP2006272132A
JP2006272132A JP2005094281A JP2005094281A JP2006272132A JP 2006272132 A JP2006272132 A JP 2006272132A JP 2005094281 A JP2005094281 A JP 2005094281A JP 2005094281 A JP2005094281 A JP 2005094281A JP 2006272132 A JP2006272132 A JP 2006272132A
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Japan
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mixing
reaction
degassing
gas
chemical substance
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JP2005094281A
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Japanese (ja)
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Fumiko Shiraishi
文子 白石
Eiji Nagasawa
英治 長澤
Yasunori Ichikawa
靖典 市川
Kokichi Waki
幸吉 脇
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Priority to US11/910,263 priority patent/US20090087683A1/en
Priority to EP06730961A priority patent/EP1866073A1/en
Priority to PCT/JP2006/307013 priority patent/WO2006104241A1/en
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    • H01F1/0036Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
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    • H01F1/0063Zero dimensional, e.g. nanoparticles, soft nanoparticles for medical/biological use in a non-magnetic matrix, e.g. granular solids

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for manufacturing a chemical substance which enable manufacture of a high-quality chemical substance because, even for a reaction system producing a gas during the first mixing reaction, the mixing can be performed uniformly and efficiently without disturbance of bubbles of the gas, while the gas in the reaction solution can be degassed thoroughly before the second mixing reaction. <P>SOLUTION: The method of manufacturing a chemical substance through a reaction producing a gas has the first mixing process of carrying out the first mixing reaction of two or more solutions L1 and L2 in the first tightly closed mixer 12, a degassing process of degassing bubbles 98 of the gas produced in the reaction solution LM prepared in the first mixing process, in a degassing unit 14 equipped with a gas-liquid interface 84 and the second mixing process of adding an additional solution L3 to the reaction solution LM degassed in the degassing process to carry out the second mixing reaction in the second mixer 13. The reaction solution LM is fed rapidly from the first mixing process to the degassing process, while fed to the second mixing process after completion of the degassing in the degassing process. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は化学物質の製造方法及び装置に係り、特に液液反応でガスの気泡が発生する反応系において化学物質を製造するのに好適な化学物質の製造方法及び装置に関する。   The present invention relates to a method and apparatus for producing a chemical substance, and more particularly to a method and apparatus for producing a chemical substance suitable for producing a chemical substance in a reaction system in which gas bubbles are generated by a liquid-liquid reaction.

液液反応でガスの気泡が発生する反応系を取り扱う場合、反応開始時及び反応進行過程での反応を安定させるためには、バッチプロセス及び連続フロープロセスの何れの場合にも気泡を積極的に脱ガスする必要がある。   When handling a reaction system in which gas bubbles are generated in a liquid-liquid reaction, in order to stabilize the reaction at the start of the reaction and in the course of the reaction, the bubbles are actively removed in both the batch process and the continuous flow process. Need to degas.

ガスを発生する反応系としては、例えば磁気記録媒体の磁性層に含有される磁性粒子の製造がある。そして、粒子サイズが小さく単分散性に優れた磁性粒子を製造するために、金属微粒子形成の反応を開始させる液体同士の混合を均一且つ効率的に行わなくてはならず、反応によって発生するガス(例えば水素ガス)が混合を邪魔しないように速やかに除去する必要がある。   An example of a reaction system that generates a gas is the production of magnetic particles contained in a magnetic layer of a magnetic recording medium. In order to produce magnetic particles having a small particle size and excellent monodispersity, the liquids that initiate the reaction for forming the metal fine particles must be mixed uniformly and efficiently, and the gas generated by the reaction It is necessary to remove it quickly so that (for example, hydrogen gas) does not interfere with the mixing.

しかし、ガスの発生を伴う反応系は連続処理が難しく、殆ど先行技術がないのが実情である。これは、連続処理の場合、気泡が混入していると連続処理の流れが不安定になって混合場や反応場が不均一になると共に、反応の平衡が反応促進側に進みにくくなるだけでなく、後工程への送液が不安定になり、製造される化学物質の品質が均一になりにくいためである。   However, the reaction system with gas generation is difficult to continuously process, and there is almost no prior art. This is because, in the case of continuous processing, if bubbles are mixed, the flow of continuous processing becomes unstable, the mixing field and reaction field become non-uniform, and the reaction equilibrium does not easily advance to the reaction promoting side. This is because the liquid feeding to the subsequent process becomes unstable and the quality of the chemical substance to be produced is difficult to be uniform.

従来の脱ガス機能を備えた製造装置としては、特許文献1があり、化学反応を行う反応槽内の下部に混合用の攪拌機を設けると共に、反応槽内の上部に消泡翼を設け、反応液中を浮上してくるガスの気泡を消泡翼の勢断力で破壊することで機械的に消泡することが開示されている。
特開平9−10507号公報
As a conventional manufacturing apparatus having a degassing function, there is Patent Document 1, in which a stirrer for mixing is provided in a lower part in a reaction tank for performing a chemical reaction, and a defoaming blade is provided in an upper part in the reaction tank. It is disclosed that the bubbles of gas floating in the liquid are mechanically defoamed by destroying the bubbles of the gas with the force of the defoaming blade.
JP-A-9-10507

しかしながら、特許文献1の製造装置は、タンクから溶液を反応槽に送液して反応槽で一定時間撹拌してから排出する場合、反応槽内では、撹拌機での混合反応操作と脱ガス操作が同時進行することになる。これにより、反応槽内に気泡が多少なりとも蓄積されてくるので、攪拌機による反応液同士の混合を気泡が邪魔し、攪拌効率が低下する。この攪拌効率の低下により、反応を開始するための混合が均一に行われないために反応開始時及び反応進行過程での反応が不安定になる。   However, in the manufacturing apparatus of Patent Document 1, when a solution is fed from a tank to a reaction tank and stirred for a certain time in the reaction tank and then discharged, a mixing reaction operation and a degas operation with a stirrer are performed in the reaction tank. Will proceed simultaneously. As a result, bubbles are accumulated in the reaction tank, so that the bubbles interfere with the mixing of the reaction liquids by the stirrer and the stirring efficiency is lowered. Due to the decrease in the stirring efficiency, the mixing for starting the reaction is not uniformly performed, so that the reaction at the start of the reaction and the reaction progressing process becomes unstable.

また、磁性粒子の製造のように、1 回目の混合反応での反応液に対して添加液を添加して2回目の混合反応を行わなくてはならない場合、1 回目の混合反応で発生したガスの気泡を十分に脱ガスしてから2回目の混合反応を行わないと、微細で且つ単分散性の良い磁性粒子を製造できないという問題がある。   In addition, when the additive solution must be added to the reaction solution in the first mixing reaction and the second mixing reaction must be performed as in the production of magnetic particles, the gas generated in the first mixing reaction There is a problem that fine and monodispersed magnetic particles cannot be produced unless a second mixing reaction is performed after sufficiently degassing the bubbles.

本発明は係る事情に鑑みてなされたもので、1 回目の混合反応に伴ってガスが発生する反応系であっても、ガスの気泡に邪魔されずに混合を均一且つ効率的に行うことができると共に、2回目の混合反応までに反応液中のガスを十分に脱ガスすることができるので、高品質な化学物質を製造することができる化学物質の製造方法及び装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and even in a reaction system in which gas is generated during the first mixing reaction, mixing can be performed uniformly and efficiently without being obstructed by gas bubbles. An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for producing a chemical substance capable of producing a high-quality chemical substance because the gas in the reaction solution can be sufficiently degassed before the second mixing reaction. And

本発明の請求項1 は前記目的を達成するために、反応に伴ってガスが発生する化学物を製造する化学物質の製造方法において、複数の溶液を密閉系の第1混合部で混合反応を行う第1混合工程と、前記第1混合工程で混合反応された反応液から発生するガスの気泡を、気液界面を備えた脱ガス部で脱ガス処理する脱ガス工程と、前記脱ガス工程で脱ガス処理された反応液に添加溶液を添加して第2混合部で混合反応を行う第2混合工程と、を備え、前記第1混合工程から前記脱ガス工程に反応液を送液すると共に、前記脱ガス工程での脱ガス終了後に前記第2混合工程に送液することを特徴とする化学物質の製造方法を提供する。   According to claim 1 of the present invention, in order to achieve the above object, in a method for producing a chemical substance that produces a chemical that generates gas along with the reaction, a plurality of solutions are mixed and reacted in a first mixing unit of a closed system. A first mixing step to be performed; a degassing step of degassing a gas bubble generated from the reaction solution mixed and reacted in the first mixing step in a degassing section having a gas-liquid interface; and the degassing step And a second mixing step in which an addition solution is added to the reaction solution degassed in step 2 and a mixing reaction is performed in the second mixing unit, and the reaction solution is sent from the first mixing step to the degassing step. In addition, the present invention provides a method for producing a chemical substance, characterized in that after the degassing in the degassing step is completed, the liquid is sent to the second mixing step.

本発明の請求項1によれば、1回目の混合反応を行う第1混合工程の密閉系の第1混合部と、混合により反応が開始されて発生するガスの気泡を反応液から除去する気液界面を有する脱ガス部とを分離した。そして、第1混合工程で混合した反応液を脱ガス工程に送液するようにしたので、第1混合部では反応に伴って発生するガスの気泡に邪魔されずに混合を均一且つ効率的に行うことができる。これにより、反応開始時の反応を安定化させることができる。   According to the first aspect of the present invention, the first mixing portion of the closed system in the first mixing step in which the first mixing reaction is performed, and the gas bubbles generated when the reaction is started by mixing are removed from the reaction solution. The degassing part having a liquid interface was separated. And since the reaction liquid mixed at the 1st mixing process was sent to the degassing process, mixing was performed uniformly and efficiently in the 1st mixing part without being disturbed by the gas bubble generated with reaction. It can be carried out. Thereby, the reaction at the start of the reaction can be stabilized.

また、反応の進行に伴って発生するガスの気泡は、脱ガス部において気液界面から効率良く脱ガスされる。これにより、反応進行過程での反応も安定化できると共に、脱ガス部での反応液の流れが安定する。従って、脱ガス工程から第2混合工程への送液量を安定化できるので、正確な混合比率で混合できると共に、気泡に邪魔されずに混合を均一且つ効率的に行うことができる。   Further, gas bubbles generated as the reaction proceeds are efficiently degassed from the gas-liquid interface in the degassing section. Thereby, the reaction in the course of the reaction can be stabilized, and the flow of the reaction liquid in the degassing part is stabilized. Therefore, since the liquid feeding amount from the degassing step to the second mixing step can be stabilized, mixing can be performed at an accurate mixing ratio, and mixing can be performed uniformly and efficiently without being disturbed by bubbles.

ここで、第1混合部から反応液を脱ガス部に送液する時間であるが、取り扱う反応速度により方式を選択することが好ましい。例えば、反応速度が速く混合終了後直ちにガスの気泡が発生する場合には、第1混合部で混合終了後0.1〜5秒以内に反応液を直ちに脱ガス部に送液することが好ましく、0.1〜3秒以内であることがより好ましい。   Here, although it is time to send the reaction liquid from the first mixing section to the degassing section, it is preferable to select the method according to the reaction rate to be handled. For example, when gas bubbles are generated immediately after completion of mixing at a high reaction rate, it is preferable to immediately send the reaction solution to the degassing unit within 0.1 to 5 seconds after mixing in the first mixing unit. More preferably, it is within 0.1 to 3 seconds.

また、本発明の化学物質の製造方法は、第1混合部に仕込んだ液体をバッチ混合し、混合が終了したら第1混合部で混合された反応液の全てを脱ガス部に仕込んで脱ガスし、脱ガスの終了した反応液を第2混合部に仕込むバッチ方式に使用してもよく、あるいは液体を貯留するタンク等を用意して、タンクから第1混合部、脱ガス部、第2混合部の順に連続して流す連続フロー方式に使用してもよい。   In addition, the method for producing a chemical substance of the present invention batch-mixes the liquid charged in the first mixing unit, and when the mixing is completed, all the reaction liquid mixed in the first mixing unit is charged in the degassing unit. In addition, it may be used for a batch system in which the degassed reaction liquid is charged into the second mixing unit, or a tank for storing liquid is prepared, and the first mixing unit, degassing unit, second tank are prepared from the tank. You may use for the continuous flow system which flows continuously in the order of a mixing part.

請求項2は請求項1において、前記第1混合工程と前記脱ガス工程を一組とした混合・脱ガスユニットが複数段直列に設けられることを特徴とする。   A second aspect of the present invention is characterized in that, in the first aspect, a plurality of stages of mixing / degassing units including the first mixing step and the degassing step are provided in series.

反応系によっては、このように第1混合工程と前記脱ガス工程を一組とした混合・脱ス工程を複数段直列に設けるようにしてもよい。   Depending on the reaction system, a plurality of stages of mixing and desulfurization processes in which the first mixing process and the degassing process are combined may be provided in series.

請求項3は請求項1又は2において、前記第1混合工程では、周期律表の8、9及び10族から選ばれる2種以上の金属イオンを含有する第1の溶液と、還元剤を含有する第2の溶液とを混合し、前記第2混合工程では、前記第1混合工程で混合された反応液に周期律表の11、12、13、14及び15族から選ばれる1種以上の金属イオンを含有する第3の溶液を添加して混合し、前記化学物質として磁性粒子を製造することを特徴とする。   A third aspect of the present invention provides the first solution according to the first or second aspect, wherein the first mixing step includes a first solution containing two or more metal ions selected from groups 8, 9 and 10 of the periodic table, and a reducing agent. In the second mixing step, the reaction solution mixed in the first mixing step is mixed with one or more selected from Group 11, 12, 13, 14 and 15 of the periodic table. A third solution containing metal ions is added and mixed to produce magnetic particles as the chemical substance.

請求項3は、化学物質として磁性粒子を製造するための好ましい溶液を規定したものであり、本発明の効果を有効に発揮させることができるので、微細で単分散性に優れた磁性粒子を製造できる。   Claim 3 defines a preferable solution for producing magnetic particles as a chemical substance, and can effectively exhibit the effects of the present invention, so that magnetic particles excellent in monodispersity can be produced. it can.

請求項4は請求項1〜3の何れか1において、前記第1混合工程と第2混合工程のうちの少なくとも第1混合工程では瞬時混合を行うことを特徴とする。   A fourth aspect of the present invention is characterized in that in any one of the first to third aspects, instantaneous mixing is performed in at least the first mixing step of the first mixing step and the second mixing step.

これは、第1混合工程において混合開始から混合終了までの時間が長いと、混合後半部では発生したガスが混合効率を低下させる問題があるが、瞬時混合を行えばそのような問題もない。   This is because if the time from the start of mixing to the end of mixing is long in the first mixing step, there is a problem that the gas generated in the latter half of the mixing lowers the mixing efficiency, but there is no such problem if instantaneous mixing is performed.

請求項5は請求項1〜4の何れか1において、前記脱ガス部は、前記反応液による液体部と該反応液から除去されたガスが溜まる空間部とにより前記気液界面を形成する通路であって、前記通路を流れる反応液中のガスの気泡を前記空間部に除去することを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, the degassing part is a passage that forms the gas-liquid interface by a liquid part formed by the reaction liquid and a space part in which the gas removed from the reaction liquid is accumulated. And the bubble of the gas in the reaction liquid which flows through the said channel | path is removed to the said space part, It is characterized by the above-mentioned.

請求項5は、脱ガス部を、反応液による液体部と反応液から除去されたガスが溜まる空間部との気液界面を有する通路として構成したので、反応の進行に伴って発生するガスの気泡を気液界面から連続的に効率よく除去することができる。また、通路にすることで脱ガスのための路長を長く確保することができるので、確実に脱ガスすることができる。   Since the degassing part is configured as a passage having a gas-liquid interface between the liquid part by the reaction liquid and the space part in which the gas removed from the reaction liquid is accumulated, the gas generated as the reaction proceeds Bubbles can be removed continuously and efficiently from the gas-liquid interface. Moreover, since the passage length for degassing can be ensured long by using the passage, degassing can be reliably performed.

請求項6は請求項5において、前記空間部の圧力を減圧することを特徴とする。   A sixth aspect of the present invention according to the fifth aspect is characterized in that the pressure in the space portion is reduced.

このように、空間部の圧力を減圧することで、反応液中のガスの気泡が空間部に抜けくなる。   In this way, by reducing the pressure in the space, gas bubbles in the reaction solution will escape into the space.

請求項7は請求項5又は6において、前記通路は、前記反応液が連続して流れる上昇通路と下降通路とを有し、前記上昇通路から前記下降通路に流れが反転する部分に前記気
界面を形成することを特徴とする。
A seventh aspect of the present invention is the method according to the fifth or sixth aspect, wherein the passage has an ascending passage and a descending passage through which the reaction solution continuously flows, and the air interface is provided at a portion where the flow is reversed from the ascending passage to the descending passage. It is characterized by forming.

請求項7によれば、上昇通路から下降通路に反応液の流れが反転する部分に気液界面が形成されているので、上昇通路を反応液と共に上昇した気泡は気液界面に滞留し、反応のみが下降通路を下降する。気液界面に滞留する気泡は次第に気泡が破れて空間部にガスとして溜まる。このように、通路中に反応液の上昇通路を設けることで、気泡の浮上力と反応液の上昇力との両方を利用することができるので、気泡をより効果的に浮上分離させることができる。   According to the seventh aspect, since the gas-liquid interface is formed in the portion where the flow of the reaction liquid is reversed from the ascending passage to the descending passage, the bubbles rising together with the reaction solution in the ascending passage stay at the gas-liquid interface, and the reaction Only descend the down passage. Bubbles staying at the gas-liquid interface are gradually broken and collected as gas in the space. In this way, by providing the reaction liquid ascending passage in the passage, both the buoyancy of the bubbles and the ascent of the reaction liquid can be used, so that the bubbles can be more effectively levitated and separated. .

請求項8は請求項5〜7の何れか1において、前記脱ガス部を流れる反応液を加熱又は冷却して反応温度を制御することを特徴とする。   An eighth aspect is characterized in that, in any one of the fifth to seventh aspects, the reaction temperature is controlled by heating or cooling the reaction liquid flowing through the degassing section.

脱ガス部を流れる反応液を加熱又は冷却して反応温度を制御することにより、気温や室内の温度に左右されずに常に反応条件を一定にできるので、発生するガス量も気温に影響されずに一定に維持することができる。これにより、精度の良い脱ガス処理を行うことができると共に、設計した脱ガス装置内での脱ガス量が季節や室内の温度によらずに精度よく再現されるので、装置の形状や容量を固定できる。   By controlling the reaction temperature by heating or cooling the reaction liquid flowing through the degassing section, the reaction conditions can be kept constant regardless of the temperature and room temperature, so the amount of gas generated is not affected by the temperature. Can be kept constant. This makes it possible to perform degassing with high accuracy and accurately reproduce the degassing amount in the designed degassing device regardless of the season and room temperature. Can be fixed.

請求項9は請求項5〜8の何れか1において、前記脱ガス部を流れる反応液に超音波
付与することを特徴とする。
A ninth aspect is characterized in that in any one of the fifth to eighth aspects, ultrasonic waves are applied to the reaction liquid flowing through the degassing section.

通路の壁面に付着した気泡は脱ガスされにくいが、脱ガス部を流れる反応液に超音波付与して反応液を振動させることにより壁面に付着した気泡は剥離され易くなるので、より効果的に気泡を脱ガスすることができる。   Bubbles attached to the wall of the passage are difficult to be degassed, but by attaching ultrasonic waves to the reaction liquid flowing through the degassing part and vibrating the reaction liquid, the bubbles attached to the wall surface are easily peeled off. Bubbles can be degassed.

請求項10は請求項5〜9の何れか1において、前記下降通路を流れる反応液の流速
、前記気泡の上昇速度よりも遅いことを特徴とする。
A tenth aspect of the present invention is characterized in that, in any one of the fifth to ninth aspects, the flow rate of the reaction liquid flowing through the descending passage is slower than the rising speed of the bubbles.

下降通路を流れる反応液にもガスの気泡が発生するが、下降通路では気泡の浮上力と応液の流れとが逆向きになり、気泡が気液界面に浮上分離しにくくなる。従って、下降通路を流れる反応液の流速を、気泡の上昇速度よりも遅くすれば、下降通路でも気泡を効率的に浮上分離させることができる。   Gas bubbles are also generated in the reaction liquid flowing in the descending passage, but in the descending passage, the buoyancy of the bubbles and the flow of the reaction liquid are reversed, and the bubbles are less likely to float and separate at the gas-liquid interface. Therefore, if the flow rate of the reaction liquid flowing in the descending passage is made slower than the rising speed of the bubbles, the bubbles can be efficiently levitated and separated also in the descending passage.

請求項11は請求項1〜10の何れか1において、前記脱ガス部は、内部が透視可能
あることを特徴とする。
An eleventh aspect is characterized in that, in any one of the first to tenth aspects, the inside of the degassing part can be seen through.

脱ガス部の内部が透視可能なので、脱ガス状態を的確に把握できる。   Since the inside of the degassing part can be seen through, the degassing state can be accurately grasped.

本発明の請求項12は前記目的を達成するために、反応に伴ってガスが発生する化学物質を製造する化学物質の製造装置において、複数の溶液で混合反応を行う密閉系の第1混合部と、前記第1混合部で混合された反応液に添加溶液を添加して混合反応を行う第2混合部との間に、前記第1混合部で混合反応された反応液から発生するガスの気泡を該反応液から除去するための気液界面を有する脱ガス部を配設したことを特徴とする化学物質の製造装置を提供する。   According to a twelfth aspect of the present invention, in order to achieve the above object, in a chemical substance production apparatus for producing a chemical substance that generates a gas in response to a reaction, a closed first mixing unit that performs a mixing reaction with a plurality of solutions. Between the reaction solution mixed in the first mixing unit and the second mixing unit in which the addition solution is added to the reaction solution mixed in the first mixing unit to perform a mixing reaction. There is provided a chemical substance production apparatus characterized in that a degassing part having a gas-liquid interface for removing bubbles from the reaction liquid is provided.

請求項12は、本発明を装置として構成したものであり、第1混合部では反応に伴って発生するガスの気泡に邪魔されずに混合を均一に行うことができるので、反応開始時及び反応進行過程での反応を安定化させることができる。また、反応の進行に伴って発生するガスの気泡は、脱ガス部において気液界面から効率良く脱ガスされるので、反応進行過程での反応も安定化できると共に、脱ガス部での反応液の流れが安定するので、2回目の混合反応を行う第2混合部へ安定した送液を行うことができる。これにより、第2混合部でも気泡に邪魔されずに混合を均一且つ効率的に行うことができる。   The twelfth aspect of the present invention is configured as an apparatus, and in the first mixing section, the mixing can be performed uniformly without being obstructed by gas bubbles generated by the reaction. The reaction in the course of progress can be stabilized. In addition, since the gas bubbles generated as the reaction proceeds are efficiently degassed from the gas-liquid interface in the degassing part, the reaction in the reaction progressing process can be stabilized and the reaction liquid in the degassing part can be stabilized. Therefore, the liquid can be stably fed to the second mixing unit that performs the second mixing reaction. Thereby, even in the second mixing unit, mixing can be performed uniformly and efficiently without being disturbed by bubbles.

請求項13は請求項12において、前記第1混合部と第2混合部のうちの少なくとも第1混合部は、滞留時間が5秒以下の混合室に、前記複数の液体の少なくとも一つの液体を1MPa以上の高圧ジェット流で供給して他の液体と瞬時混合する高圧混合装置であることを特徴とする。   In a thirteenth aspect of the present invention, in the twelfth aspect, at least one of the first mixing section and the second mixing section has at least one liquid of the plurality of liquids in a mixing chamber having a residence time of 5 seconds or less. A high-pressure mixing device that supplies a high-pressure jet flow of 1 MPa or more and instantaneously mixes with another liquid.

第1混合部と第2混合部のうちの少なくとも第1混合部は、滞留時間が5秒以下の混室に、前記複数の液体の少なくとも一つの液体を1MPa以上の高圧ジェット流で供給して他の液体と瞬時混合する高圧混合装置としたので、第1混合部で瞬時混合を行うことができる。   At least the first mixing unit of the first mixing unit and the second mixing unit supplies at least one liquid of the plurality of liquids to a mixed chamber having a residence time of 5 seconds or less by a high-pressure jet flow of 1 MPa or more. Since the high-pressure mixing device instantaneously mixes with other liquids, instantaneous mixing can be performed in the first mixing unit.

請求項14は請求項12又は13において、前記脱ガス部は、前記反応液による液体部と該反応液から除去されたガスが溜まる空間部とにより前記気液界面を形成する通路でって、前記反応液の入口と出口を有する脱ガス容器と、前記脱ガス容器の底部から立設されると共に上端が前記気液界面よりも下に位置する複数の堰板と、前記堰板同士の間に設けられ上端が前記気液界面よりも上に位置すると共に下端が前記脱ガス容器の底部から離間した邪魔板とで構成され、前記脱ガス容器内には、前記反応液が連続して流れる上昇通路と下降通路とが形成されると共に、前記上昇通路から前記下降通路に流れが反転する部分に前記気液界面が形成されることを特徴とする。   A fourteenth aspect of the present invention is the method according to the twelfth or thirteenth aspect, wherein the degassing part is a passage that forms the gas-liquid interface by a liquid part by the reaction liquid and a space part in which the gas removed from the reaction liquid is accumulated. A degassing vessel having an inlet and an outlet for the reaction solution, a plurality of dam plates standing from the bottom of the degassing vessel and having an upper end located below the gas-liquid interface, and between the dam plates The upper end is located above the gas-liquid interface and the lower end is a baffle plate spaced from the bottom of the degassing container, and the reaction solution continuously flows in the degassing container. An ascending passage and a descending passage are formed, and the gas-liquid interface is formed at a portion where the flow is reversed from the ascending passage to the descending passage.

請求項14は、脱ガス部を、反応液と空間部との気液界面を有する通路として構成する好ましい態様を示したものであり、上記の如く脱ガス容器内に堰板と邪魔板とにより通路を構成したものである。   Claim 14 shows a preferred embodiment in which the degassing part is configured as a passage having a gas-liquid interface between the reaction liquid and the space part. As described above, the degassing container includes a dam plate and a baffle plate. It constitutes a passage.

請求項15は請求項14において、前記空間部は前記邪魔板によって仕切られないことを特徴とする。   A fifteenth aspect is characterized in that in the fourteenth aspect, the space portion is not partitioned by the baffle plate.

このように、空間部を邪魔板で仕切らないようにすることで、空間部全体の圧力を均等化することができる。この場合、空間部に対応する部分に邪魔板を設けないようにしてもよく、或いは邪魔板の空間部に対応する部分に連通孔を形成するようにしてもよい。   Thus, the pressure of the whole space part can be equalized by not partitioning a space part with a baffle plate. In this case, a baffle plate may not be provided in a portion corresponding to the space portion, or a communication hole may be formed in a portion corresponding to the space portion of the baffle plate.

請求項16は請求項14又は15において、前記堰板の高さが前記脱ガス容器の入口
ら出口にいくに従って低くなっていることを特徴とする。
A sixteenth aspect is characterized in that, in the fourteenth or fifteenth aspect, the height of the weir plate is lowered from the entrance to the exit of the degassing vessel.

これは、脱ガス容器内に形成される通路のうち、入口側に近いほど反応液からのガス生量が多く、出口側にいくほどガス発生量は少なくなる。この為、通路の入口側ほど気液界面までの通路長を長く確保する必要がある。従って、堰板の高さを脱ガス容器の入口から出口にいくに従って低くすれば、ガスの発生量に即して気液界面までの通路長を形成でき、いたずらに通路長を長くする必要がない。   This is because, in the passage formed in the degassing vessel, the closer to the inlet side, the larger the amount of gas generated from the reaction solution, and the smaller the amount of gas generated toward the outlet side. For this reason, it is necessary to ensure a longer passage length to the gas-liquid interface on the inlet side of the passage. Therefore, if the height of the weir plate is lowered as it goes from the inlet to the outlet of the degassing vessel, the passage length to the gas-liquid interface can be formed according to the amount of gas generated, and it is necessary to unnecessarily increase the passage length. Absent.

請求項17は請求項14〜16の何れか1において、前記空間部の圧力を調整する圧
調整手段が設けらていることを特徴とする。
A seventeenth aspect is characterized in that in any one of the fourteenth to sixteenth aspects, a pressure adjusting means for adjusting the pressure of the space portion is provided.

圧力調整手段により空間部の圧力を調整することで、通路を流れる反応液から気泡が抜け易い空間部圧力を形成することができる。   By adjusting the pressure in the space by the pressure adjusting means, it is possible to form a space pressure in which bubbles can easily escape from the reaction solution flowing through the passage.

請求項18は請求項12〜17の何れか1前記脱ガス部には、前記脱ガス部には、前記反応液を加熱又は冷却して反応温度を制御する温度調整手段が設けられることを特徴とする。   According to an eighteenth aspect of the present invention, in the degassing section according to any one of the twelfth to seventeenth aspects, the degassing section is provided with a temperature adjusting means for controlling a reaction temperature by heating or cooling the reaction liquid. And

脱ガス部を流れる反応液を加熱又は冷却して反応温度を制御することにより、気温や室内の温度に左右されずに常に反応条件を一定にできるので、発生するガス量も気温に影響されずに一定に維持することができる。これにより、精度の良い脱ガス処理を行うことができると共に、設計した脱ガス装置内での脱ガス量が季節や室内の温度によらずに精度よく再現されるので、装置の形状や容量を固定できる。   By controlling the reaction temperature by heating or cooling the reaction liquid flowing through the degassing section, the reaction conditions can be kept constant regardless of the temperature and room temperature, so the amount of gas generated is not affected by the temperature. Can be kept constant. This makes it possible to perform degassing with high accuracy and accurately reproduce the degassing amount in the designed degassing device regardless of the season and room temperature. Can be fixed.

請求項19は請求項12〜18の何れか1において、前記脱ガス部には、前記反応液に超音波を付与する超音波付与手段が設けられることを特徴とする。   According to a nineteenth aspect of the present invention, in any one of the twelfth to eighteenth aspects, the degassing unit is provided with an ultrasonic wave applying unit that applies an ultrasonic wave to the reaction solution.

通路を流れる反応液に超音波を照射することで脱ガス効率を向上することができる。   Degassing efficiency can be improved by irradiating the reaction liquid flowing through the passage with ultrasonic waves.

請求項20は請求項14〜19の何れか1において、前記脱ガス容器内に形成された
昇通路の底部には、滞留を防止する流れを形成する撹拌機が設けられていることを特徴とする。
A twentieth aspect of the present invention is characterized in that, in any one of the fourteenth to nineteenth aspects, a stirrer that forms a flow that prevents stagnation is provided at the bottom of the ascending passage formed in the degassing vessel. To do.

例えば磁性粒子の製造のように反応によって金属微粒子が生成される場合には、脱ガス容器の底部に金属微粒子が沈降し易くなるが、上昇通路の底部に滞留を防止する流れを形成する撹拌機を設けることで沈降しにくくできる。   For example, when metal fine particles are generated by reaction as in the production of magnetic particles, the metal fine particles easily settle at the bottom of the degassing vessel, but a stirrer that forms a flow that prevents stagnation at the bottom of the ascending passage It is possible to make it difficult to settle.

請求項21は請求項14〜20の何れか1において、前記上昇通路に対する前記下降通路の通路断面積を異なるようにしたことを特徴とする。   A twenty-first aspect is characterized in that, in any one of the fourteenth to twentieth aspects, a cross-sectional area of the descending passage with respect to the ascending passage is made different.

例えば、通路を流れる反応液の流速が上昇通路よりも下降通路の方が遅くなるようにすれば、下降通路で発生した気泡も気液界面に浮上分離し易くなる。   For example, if the flow rate of the reaction liquid flowing through the passage is set to be slower in the descending passage than in the ascending passage, bubbles generated in the descending passage are also easily floated and separated at the gas-liquid interface.

請求項22は請求項14〜21の何れか1において、前記脱ガス容器の内面、前記堰板の表面、前記邪魔板の表面には、前記ガスの気泡が付着しにくい表面加工が施されていることを特徴とする。   A twenty-second aspect of the present invention is the method according to any one of the fourteenth to twenty-first aspects, wherein the inner surface of the degassing vessel, the surface of the barrier plate, and the surface of the baffle plate are subjected to a surface treatment that prevents the gas bubbles from adhering. It is characterized by being.

脱ガス容器の内面、堰板の表面、邪魔板の表面にガスの気泡が付着しにくい表面加工を施したので、気泡が付着しにくくなり、脱ガスされ易くなる。   Since surface treatment that prevents gas bubbles from adhering to the inner surface of the degassing container, the surface of the weir plate, and the surface of the baffle plate has been performed, the bubbles are less likely to adhere and are easily degassed.

請求項23は請求項14〜22の何れか1において、前記反応液の流れが前記下降流から前記上昇通路に反転する脱ガス容器の底部形状が円弧状に形成されることを特徴とする。   A twenty-third aspect is characterized in that, in any one of the fourteenth to twenty-second aspects, a bottom shape of a degassing container in which the flow of the reaction solution is reversed from the downward flow to the upward passage is formed in an arc shape.

下降通路から上昇通路に反転する脱ガス容器の底部形状を円弧状に形成したので、通路中を反応液がスムーズに流れると共に、上述したように反応によって微細粒子が生成される場合でも、容器底部に微細粒子が堆積されにくくできる。   Since the bottom shape of the degassing vessel that reverses from the descending passage to the ascending passage is formed in an arc shape, the reaction solution flows smoothly in the passage, and even when fine particles are generated by the reaction as described above, the bottom of the container Therefore, it is difficult to deposit fine particles.

請求項24及び25は、本発明の化学物質の製造方法及び装置によって製造された磁性粒子であり、請求項26は、その磁性粒子を磁性層に含有する磁気記録メディアである。   Claims 24 and 25 are magnetic particles produced by the method and apparatus for producing a chemical substance of the present invention, and claim 26 is a magnetic recording medium containing the magnetic particles in a magnetic layer.

以上説明したように、本発明の化学物質の製造方法及び装置によれば、1回目の混合反応に伴ってガスが発生する反応系であっても、ガスの気泡に邪魔されずに混合を均一且つ効率的に行うことができると共に、2回目の混合反応までに反応液中のガスを十分脱ガスすることができるので、高品質な化学物質を製造することができる。従って、本発明は例えば磁気記録媒体の磁性層に含有される磁性粒子の製造に有効である。   As described above, according to the method and apparatus for producing a chemical substance of the present invention, even in a reaction system in which gas is generated during the first mixing reaction, mixing is performed uniformly without being disturbed by gas bubbles. In addition, since the gas in the reaction solution can be sufficiently degassed by the second mixing reaction, a high-quality chemical substance can be produced. Therefore, the present invention is effective for the production of magnetic particles contained in the magnetic layer of a magnetic recording medium, for example.

以下、添付図面に従って、本発明に係る化学物質の製造方法及び装置の好ましい実施態様について説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of a method and an apparatus for producing a chemical substance according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1は本発明の化学物質の製造装置10の全体構成図である。   FIG. 1 is an overall configuration diagram of a chemical substance manufacturing apparatus 10 according to the present invention.

本発明の化学物質の製造装置10は、液相反応法(液液反応)において、反応の進行に伴ってガスを連続的に発生させる反応であればバッチ方式と連続フロー方式の何れにも適用できるが、本実施の形態では磁気記録媒体の磁性層に含有する金属微粒子を連続フロー方式で製造する例で以下に説明する。   The chemical substance production apparatus 10 of the present invention can be applied to both a batch method and a continuous flow method in a liquid phase reaction method (liquid-liquid reaction) as long as it is a reaction that continuously generates gas as the reaction proceeds. However, in the present embodiment, an example in which metal fine particles contained in a magnetic layer of a magnetic recording medium are manufactured by a continuous flow method will be described below.

図1に示すように、化学物質の製造装置10は、主として、第1の溶液L1と第2の溶液L2とを混合して反応を開始する密閉系の第1混合装置12と、第1混合装置12で混合反応された反応液LMに対して第3の溶液L3を添加して混合反応を行う第2混合装置13との間に、第1混合装置12で混合反応された反応液LMから発生するガスの気泡を該反応液LMから除去する脱ガス装置14を配設して構成される。   As shown in FIG. 1, the chemical substance manufacturing apparatus 10 mainly includes a first mixing device 12 in a closed system that starts a reaction by mixing a first solution L1 and a second solution L2, and a first mixing device. From the reaction solution LM mixed and reacted in the first mixing device 12 between the second mixing device 13 that performs the mixing reaction by adding the third solution L3 to the reaction solution LM mixed and reacted in the device 12 A degassing device 14 for removing generated gas bubbles from the reaction liquid LM is provided.

第1の溶液L1としては、周期律表の8、9、及び10族から選ばれる2種類以上の金属イオンを含有する溶液を好適に使用することができ、Fe,Pt,Co,Ni,Pdの金属イオンが好ましい。第2の溶液L2としては、還元剤溶液を好適に使用することができる。第3の溶液L3としては、周期率表の11、12、13、14、及び15族から選ばれる1種以上の金属イオンを含有する溶液を好適に使用することができ、Cu,Ag,Au,Al,Zn、Snの金属イオンが好ましい。   As the first solution L1, a solution containing two or more kinds of metal ions selected from groups 8, 9, and 10 of the periodic table can be suitably used. Fe, Pt, Co, Ni, Pd The metal ions are preferred. As the second solution L2, a reducing agent solution can be suitably used. As the third solution L3, a solution containing one or more metal ions selected from the groups 11, 12, 13, 14, and 15 of the periodic rate table can be suitably used. Cu, Ag, Au , Al, Zn, and Sn are preferred.

また、液相反応法の中でも金属微粒子の粒子サイズを制御し易い逆ミセル法が好ましく、第1〜第3の溶液L1、L2、L3を界面活性剤を含有する非水溶性有機溶媒を使用して逆ミセル溶液として調製することが好ましい。使用する界面活性剤としては油溶性界面活性剤が用いられる。具体的には、スルホン酸塩型(例えば、エーロゾルOT(和光純薬製)、4級アンモニウム塩型(例えば、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド)、エーテル型(例えば、ペンタエチレングリコールドデシルエーテル)等が挙げられる。また、界面活性剤を溶解する非水溶性有機溶媒として好ましいものは、アルカン、エーテル及びアルコール等が挙げられる。アルカンとしては、炭素数7〜12のアルカン類であることが好ましい。具体的には、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等が好ましい。エーテルとしては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル等が好ましい。アルコールとしては、エトキシエタノール、エトキシプロパノール等が好ましい。また、還元剤溶液中の還元剤としては、アルコール類;ポリアルコール類;H2 ;HCHO、S2 6 2-、BH4 - 、N2 5 + 、H2 PO3 - 等を含む化合物を単独で使用することができるが2種以上を併用することが好ましい。 Of the liquid phase reaction methods, the reverse micelle method that allows easy control of the particle size of the metal fine particles is preferable, and the first to third solutions L1, L2, and L3 are made of a water-insoluble organic solvent containing a surfactant. It is preferable to prepare a reverse micelle solution. An oil-soluble surfactant is used as the surfactant to be used. Specifically, sulfonate type (for example, aerosol OT (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), quaternary ammonium salt type (for example, cetyltrimethylammonium bromide), ether type (for example, pentaethylene glycol dodecyl ether) and the like can be mentioned. Further, preferable examples of the water-insoluble organic solvent for dissolving the surfactant include alkanes, ethers, alcohols, etc. The alkanes are preferably alkanes having 7 to 12 carbon atoms. Is preferably heptane, octane, isooctane, nonane, decane, undecane, dodecane, etc. The ether is preferably diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, etc. The alcohol is preferably ethoxyethanol, ethoxypropanol, or the like. , Reducing agent solution The reducing agent, alcohols, polyalcohols; H 2; HCHO, S 2 O 6 2-, BH 4 -, + N 2 H 5, H 2 PO 3 - be used alone compounds containing such However, it is preferable to use two or more in combination.

第1の溶液L1と第2の溶液L2は、第1の混合装置12の近傍に配設された第1の調製タンク16と第2の調製タンク18とで別々に調製される。即ち、第1の調製タンク16では、界面活性剤を含有する非水溶性有機溶媒と周期律表の8、9、10族から選ばれる2種類以上の金属イオンを含有する金属塩水溶液とを攪拌機16aで混合して第1の溶液L1の逆ミセル溶液を調製する。第2の調製タンク18では、界面活性剤を含有する非水溶性有機溶媒と還元剤水溶液とを攪拌機18aで混合し、第2の溶液L2の逆ミセル溶液を調製する。また、第1の調製タンク16と第2の調製タンク18のそれぞれの外周には、加熱ジャケット20、20が設けられ、初期反応を行う適切な温度まで加熱される。   The first solution L1 and the second solution L2 are separately prepared in the first preparation tank 16 and the second preparation tank 18 disposed in the vicinity of the first mixing device 12. That is, in the first preparation tank 16, a water-insoluble organic solvent containing a surfactant and a metal salt aqueous solution containing two or more kinds of metal ions selected from Groups 8, 9, and 10 of the periodic table are stirred. A reverse micelle solution of the first solution L1 is prepared by mixing at 16a. In the second preparation tank 18, a water-insoluble organic solvent containing a surfactant and a reducing agent aqueous solution are mixed with a stirrer 18a to prepare a reverse micelle solution of the second solution L2. In addition, heating jackets 20 and 20 are provided on the outer peripheries of the first preparation tank 16 and the second preparation tank 18, respectively, and are heated to an appropriate temperature at which an initial reaction is performed.

また、第3の溶液は、第2の混合装置13の近傍に配設された第3の調製タンク15で調製される。即ち、界面活性剤を含有する非水溶性有機溶媒と周期律表の11、12、13、14、及び15族から選ばれる1種以上の金属イオンを含有する金属水溶液とを攪拌機15aで混合して第3の溶液L3の逆ミセル溶液を調製する。第3の調製タンク15の外周には、加熱ジャケット20が設けられ、適切な温度まで加熱される。   Further, the third solution is prepared in a third preparation tank 15 disposed in the vicinity of the second mixing device 13. That is, a water-insoluble organic solvent containing a surfactant and a metal aqueous solution containing one or more metal ions selected from Groups 11, 12, 13, 14, and 15 of the periodic table are mixed with a stirrer 15a. A reverse micelle solution of the third solution L3 is prepared. A heating jacket 20 is provided on the outer periphery of the third preparation tank 15 and heated to an appropriate temperature.

第1及び第2の調製タンク16、18で調製された第1及び第2の溶液L1、L2は、それぞれの供給配管22、24を介して第1の混合装置12に供給ポンプ26、28で供給される。第1の混合装置12では、この2つの溶液L1、L2を瞬時に混合して第1の混合装置12から速やかに排出し、配管30を流れて脱ガス装置14に送液する。かかる第1の混合装置12での混合により反応が開始され、反応の進行に伴って反応液LMからガスが連続的に発生する。第1混合装置12で反応を開始した反応液LMは、脱ガス装置14において反応が進行すると共に、発生するガスが気液界面を介して連続的に脱ガスされる。脱ガスが終了した反応液LMは配管32を流れて第2混合装置13に送液されると共に、第3の調製タンク15から供給ポンプ17で第3の溶液L3が第2混合装置13に添加される。第2の混合装置13では、脱ガス装置14で脱ガスされた反応液LMと第3の溶液L3とを混合して、初期反応で形成した金属微粒子の結晶格子に異種金属原子を連続的に導入(ドーピング)する。これにより、多元系合金の金属微粒子が製造される。生成された金属微粒子を含む生成液は配管19を介して製品タンク21に送液される。この場合、第2混合装置13で混合された生成液にキレート剤溶液と還元剤溶液を混ぜた第4の溶液L4を添加混合することが好ましい。従って、製品タンク21には、攪拌機21aが設けられると共に、外周にはジャケット20が設けられ、必要に応じて生成液を加熱又は冷却する。   The first and second solutions L1 and L2 prepared in the first and second preparation tanks 16 and 18 are supplied to the first mixing device 12 via the supply pipes 22 and 24 by the supply pumps 26 and 28, respectively. Supplied. In the first mixing device 12, the two solutions L 1 and L 2 are instantaneously mixed and quickly discharged from the first mixing device 12, flowing through the pipe 30, and sent to the degassing device 14. The reaction is started by the mixing in the first mixing device 12, and gas is continuously generated from the reaction liquid LM as the reaction proceeds. The reaction liquid LM that has started the reaction in the first mixing device 12 proceeds in the degassing device 14, and the generated gas is continuously degassed via the gas-liquid interface. After the degassing, the reaction solution LM flows through the pipe 32 and is sent to the second mixing device 13, and the third solution L 3 is added from the third preparation tank 15 to the second mixing device 13 by the supply pump 17. Is done. In the second mixing device 13, the reaction liquid LM degassed by the degassing device 14 and the third solution L3 are mixed, and different metal atoms are continuously introduced into the crystal lattice of the metal fine particles formed by the initial reaction. Introduce (doping). Thereby, metal fine particles of a multi-component alloy are produced. The produced liquid containing the produced metal fine particles is sent to the product tank 21 through the pipe 19. In this case, it is preferable to add and mix the fourth solution L4 obtained by mixing the chelating agent solution and the reducing agent solution to the product solution mixed by the second mixing device 13. Accordingly, the product tank 21 is provided with a stirrer 21a, and a jacket 20 is provided on the outer periphery, and the product liquid is heated or cooled as necessary.

化学反応によりガスを発生させる反応系は、発生するガスにより混合が邪魔されることなく第1及び第2の溶液Ll、L2を第1混合装置12で効率良く混合でき、更には反応の進行に伴って発生するガスを脱ガス装置14で連続的に効率良く脱ガスし、第2混合装置13への反応液中にガスの気泡を残存させないことが重要になる。   In the reaction system that generates gas by chemical reaction, the first and second solutions Ll and L2 can be efficiently mixed by the first mixing device 12 without being disturbed by the generated gas, and further, the reaction proceeds. It is important that the generated gas is continuously and efficiently degassed by the degassing device 14 so that no gas bubbles remain in the reaction liquid to the second mixing device 13.

本発明の化学物質の製造装置10によれば、複数の溶液L1、L2を混合して反応を開始するための密閉系の混合装置12と、混合により反応が開始されて発生するガスの気泡を反応液LMから除去する気液界面を有する脱ガス装置14とを分離し、混合装置12で混合した反応液LMを脱ガス装置14に送液するようにしたので、混合装置12では反応に伴って発生するガスの気泡に邪魔されずに混合を均一且つ効率的に行うことができる。これにより、混合効率を上げることができるので、未反応物がなくなり、金属微粒子の収率を上げることができる。   According to the chemical substance manufacturing apparatus 10 of the present invention, a closed-system mixing apparatus 12 for mixing a plurality of solutions L1 and L2 to start a reaction, and gas bubbles generated when the reaction is started by mixing are generated. Since the degassing device 14 having a gas-liquid interface to be removed from the reaction liquid LM is separated and the reaction liquid LM mixed by the mixing device 12 is sent to the degassing device 14, the mixing device 12 accompanies the reaction. Thus, mixing can be performed uniformly and efficiently without being obstructed by the gas bubbles generated. Thereby, since mixing efficiency can be raised, an unreacted substance is lost and the yield of metal fine particles can be raised.

また、反応の進行に伴って発生するガスの気泡は、脱ガス装置14において連続的に効率良く脱ガスされるので、反応進行過程での反応も安定化できると共に、連続的に脱ガスすることにより脱ガス装置14での反応液LMの流れが安定するので、後工程へ安定した送液を行うことができる。これにより、第2混合装置13には、反応液LMが常時安定した送液量で送液されるので、第3の調製タンク15から規定の添加量で添加される第3の溶液L3との間で正確な比率での混合反応を行うことができる。また、第2混合装置13へ送液される反応液LM中には気泡が残存しないので、第2混合装置13では気泡に邪魔されずに混合を均一且つ効率的に行うことができる。これにより、混合効率を上げることができるので、未反応物がなくなり、金属微粒子の収率を上げることができる。   In addition, since the gas bubbles generated as the reaction progresses are continuously and efficiently degassed in the degassing device 14, the reaction in the course of the reaction can be stabilized and continuously degassed. As a result, the flow of the reaction liquid LM in the degassing device 14 is stabilized, so that stable liquid feeding can be performed to the subsequent process. Thereby, since the reaction liquid LM is always sent to the second mixing device 13 in a stable liquid feeding amount, the reaction liquid LM is supplied from the third preparation tank 15 with the third solution L3 added in the specified addition amount. The mixing reaction can be performed at an accurate ratio between the two. In addition, since no bubbles remain in the reaction liquid LM fed to the second mixing device 13, the second mixing device 13 can perform mixing uniformly and efficiently without being disturbed by the bubbles. Thereby, since mixing efficiency can be raised, an unreacted substance is lost and the yield of metal fine particles can be raised.

尚、本発明において、例えば反応速度が速く、第1混合装置12での混合終了後直ちにガスの気泡が発生する場合、第1混合装置12で混合を終了してから脱ガス装置14でガスを開始するまでの時間としては、0.1秒〜5秒程度が好ましく、0.1秒〜3秒程度がより好ましい。   In the present invention, for example, when the reaction rate is high and gas bubbles are generated immediately after the mixing in the first mixing device 12, the gas is discharged by the degassing device 14 after the mixing is completed by the first mixing device 12. The time until the start is preferably about 0.1 to 5 seconds, more preferably about 0.1 to 3 seconds.

以下、本発明における第1及び第2の混合装置12、13と脱ガス装置14の好ましい態様について説明する。尚、第1及び第2の混合装置12、13のうち、少なくとも第1混合装置12については、下記に説明するタイプの混合装置を使用することが好ましく、説明も第1混合装置12の例で説明する。   Hereinafter, the preferable aspect of the 1st and 2nd mixing apparatuses 12 and 13 and the degassing apparatus 14 in this invention is demonstrated. Of the first and second mixing devices 12 and 13, at least the first mixing device 12 is preferably a mixing device of the type described below. The description is also an example of the first mixing device 12. explain.

(A)混合装置について
第1混合装置12は、瞬時混合を行い混合した反応液LMを直ちに排出できる方式のものが好ましく、例えば高圧混合方式を好適に使用することができる。以下にワンジェット型、T字型・Y字型、ツージェット対向型の3種類の高圧混合方式について説明する。尚、瞬時混合を行うことが可能であれば、高圧混合方式に限らずどのような混合方式でもよく、例えばスタティックミキサー等も使用できる。
(A) Mixing Device The first mixing device 12 is preferably of a type that can immediately discharge the reaction liquid LM that has been mixed by instantaneous mixing, and for example, a high-pressure mixing method can be suitably used. In the following, three types of high-pressure mixing methods of a one-jet type, a T-shape / Y-shape, and a two-jet facing type will be described. In addition, as long as instantaneous mixing is possible, not only a high pressure mixing system but any mixing system may be used, for example, a static mixer or the like can be used.

a)ワンジェット型
図2は、ワンジェット型の第1混合装置12の概念を示した断面図である。
a) One-Jet Type FIG. 2 is a cross-sectional view showing the concept of the one-jet type first mixing device 12.

図2に示すように、第1混合装置12は、第1及び第2の溶液L1と溶液L2とを混合して反応させる筒状の混合室38(混合場)が形成された混合器40の一端側開口に、第1の溶液L1を混合室38に導入する第1の導管42が接続されると共に、他端側開口に混合室38で混合され反応する反応液LMの排出管44が接続される。また、混合器40の側面側で第1の導管42の出口近傍に、第2の溶液L2を混合室38に導入する第2の導管46が接続される。第1の導管42と第2の導管46の先端内部には、それぞれ第1のオリフィス48と第2のオリフィス50が形成され、これにより、第1の導管42と第2の導管46には乱流の液体を噴射する第1のノズル52と第2のノズル54が形成される。図2では、第1の導管42から第1の溶液L1を導入し、第2の導管46から第2の溶液L2を導入するようにしたが、両液を逆にすることができる。また、排出管44の接続位置は、混合器40の他端側近傍であれば、混合器40の側面部に接続してもよい。   As shown in FIG. 2, the first mixing device 12 includes a mixer 40 having a cylindrical mixing chamber 38 (mixing field) in which the first and second solutions L1 and L2 are mixed and reacted. A first conduit 42 for introducing the first solution L1 into the mixing chamber 38 is connected to the one end side opening, and a discharge pipe 44 for the reaction liquid LM mixed and reacted in the mixing chamber 38 is connected to the other end side opening. Is done. Further, a second conduit 46 for introducing the second solution L2 into the mixing chamber 38 is connected to the side of the mixer 40 near the outlet of the first conduit 42. A first orifice 48 and a second orifice 50 are formed in the distal ends of the first conduit 42 and the second conduit 46, respectively, thereby disturbing the first conduit 42 and the second conduit 46. A first nozzle 52 and a second nozzle 54 are formed for ejecting a stream of liquid. In FIG. 2, the first solution L1 is introduced from the first conduit 42 and the second solution L2 is introduced from the second conduit 46. However, both solutions can be reversed. Further, if the connection position of the discharge pipe 44 is in the vicinity of the other end side of the mixer 40, the discharge pipe 44 may be connected to the side surface portion of the mixer 40.

また、混合器40の外周には、水やオイル等の熱容量が比較的大きな熱媒体が流れるジャケット56が巻回され、ジャケットの熱媒体流入口56Aと熱媒体流出口56Bとが示しない熱媒体供給装置に接続される。混合反応温度は、第1及び第2の溶液L1、L2の種類等によって、初期反応に適した所定温度に適宜設定することが好ましい。   A jacket 56 through which a heat medium having a relatively large heat capacity such as water and oil flows is wound around the outer periphery of the mixer 40, and the heat medium inlet 56A and the heat medium outlet 56B of the jacket do not show the heat medium. Connected to the supply device. The mixing reaction temperature is preferably set appropriately to a predetermined temperature suitable for the initial reaction depending on the types of the first and second solutions L1 and L2.

尚、複数種の金属原子の数だけ第1の溶液L1を調製し、これら複数の溶液と第2の溶液L2を混合させる場合には、これらの溶液のうちの1つを1MPa以上の高圧ジェット流とすればよい。従って、混合器40の側面側に複数の第1の溶液L1を噴出するノズル位置を複数設けても良く、或いは1つのノズル位置から複数の第1の溶液L1を順番に噴出するようにしてもよい。従って、直進流の高圧ジェット流のノズルは基本的に1本であるが、直進流に対して直交する直交流のノズルは複数本あってもよい。   In addition, when preparing the 1st solution L1 by the number of multiple types of metal atoms, and mixing these multiple solutions and the 2nd solution L2, one of these solutions is a high-pressure jet of 1 MPa or more. Just flow. Therefore, a plurality of nozzle positions for ejecting the plurality of first solutions L1 may be provided on the side surface side of the mixer 40, or the plurality of first solutions L1 may be ejected in order from one nozzle position. Good. Accordingly, the number of nozzles of the straight flow high-pressure jet flow is basically one, but there may be a plurality of nozzles of cross flow orthogonal to the straight flow.

ブロック状のオリフィス材58に、第1及び第2のオリフィス48、50を穿設加工する方法としては、金属、セラミックス、ガラス等のオリフィス材58に100μm程度の噴出孔を精密に開ける加工方法として公知のマイクロ切削加工、マイクロ研削加工、噴射加工、マイクロ放電加工、LIGA法、レーザー加工、SPM加工等を好適に使用できる。   As a method of drilling the first and second orifices 48 and 50 in the block-shaped orifice material 58, as a processing method of precisely opening an ejection hole of about 100 μm in the orifice material 58 of metal, ceramics, glass or the like. Known micro cutting processing, micro grinding processing, injection processing, micro electric discharge processing, LIGA method, laser processing, SPM processing and the like can be suitably used.

オリフィス材58の材質としては、加工性が良く、硬度がダイヤモンドに近い材質のものが好ましい。従って、ダイヤモンド以外の材質としては、種々の金属や金属合金に焼入れ、窒化処理、焼結処理等の硬化処理したものを好適に使用することができる。また、セラミックスも硬度が高く、ダイヤモンドよりも加工性が優れているので好適に使用できる。尚、本実施の形態では、第1のノズル52及び第2のノズル54の絞り構造としてオリフィスの例で説明するが、乱流の液体を噴射する機能を有するものであれば、オリフィスに限らず他の方法を用いることができる。   The material of the orifice material 58 is preferably a material having good workability and a hardness close to diamond. Therefore, as materials other than diamond, those obtained by hardening various metals and metal alloys such as quenching, nitriding, and sintering can be preferably used. Ceramics can also be suitably used because of its high hardness and superior workability than diamond. In the present embodiment, an example of an orifice will be described as the throttle structure of the first nozzle 52 and the second nozzle 54. However, the orifice structure is not limited to the orifice as long as it has a function of ejecting turbulent liquid. Other methods can be used.

また、第1の導管42と第2の導管46には、図示しない加圧手段が設けられ、第1の溶液L1と第2の溶液L2とが第1及び第2のノズル52、54に加圧供給される。但し、第2のノズル54から混合室38に噴出する圧力は、第1のノズル52から混合室38に噴出する高圧ジェット流の圧力よりも小さくする。液体に高圧力をかける加圧手段としては、種々の手段が知られており何れの手段も使用可能であるが、比較的入手し易く安価な手段としてはプランジャーポンプや増圧ポンプのような往復ポンプを使用することが好ましい。また、往復ポンプほど高圧を発生することはできないが、ロータリポンプの中にも高圧発生型のものがあるので、このようなポンプを使用することもできる。   The first conduit 42 and the second conduit 46 are provided with pressurizing means (not shown), and the first solution L1 and the second solution L2 are applied to the first and second nozzles 52 and 54, respectively. Pressure supplied. However, the pressure ejected from the second nozzle 54 to the mixing chamber 38 is made smaller than the pressure of the high-pressure jet stream ejected from the first nozzle 52 to the mixing chamber 38. Various means are known as pressurizing means for applying a high pressure to the liquid, and any means can be used. However, relatively easy and inexpensive means such as a plunger pump and a booster pump are available. It is preferable to use a reciprocating pump. In addition, although a high pressure cannot be generated as much as a reciprocating pump, some rotary pumps can generate a high pressure, and such a pump can be used.

そして、第1のノズル52から第1の溶液L1が1MPa以上の高圧ジェット流で且つ混合室38に流入する時のレイノルズ数が10000以上の乱流として混合室38に噴出され、第2のノズル54から圧力が第1の溶液L1よりも低い第2の溶液L2が第1の溶液L1に対して略直交する直交流として混合室38に噴出する。この場合、第2の溶液L2が第1の溶液L1に対して900の角度で完全に直交しなくても、直交する速度ベクトル成分を主成分とするものであればよい。これにより、第1の溶液L1と第2の溶液L2とを適切な混合反応温度条件下で瞬時に且つ効率的に混合し、反応した反応液LMは排出管44から直ちに排出される。この場合、混合室38での滞留時間は5秒以下であることが好ましい。この結果、微小サイズで単分散性のよい金属微粒子が形成される。   The first solution L1 is ejected from the first nozzle 52 to the mixing chamber 38 as a turbulent flow having a high pressure jet flow of 1 MPa or more and flowing into the mixing chamber 38 with a Reynolds number of 10,000 or more. The second solution L2 having a pressure lower than that of the first solution L1 is ejected from the mixing chamber 38 as an orthogonal flow substantially orthogonal to the first solution L1. In this case, even if the second solution L2 is not completely orthogonal to the first solution L1 at an angle of 900, the second solution L2 only needs to have an orthogonal velocity vector component as a main component. Thus, the first solution L1 and the second solution L2 are instantaneously and efficiently mixed under an appropriate mixing reaction temperature condition, and the reacted reaction solution LM is immediately discharged from the discharge pipe 44. In this case, the residence time in the mixing chamber 38 is preferably 5 seconds or less. As a result, fine metal particles having a fine size and good monodispersibility are formed.

かかる混合反応は、図3に模式的に示すように、乱流の高速な高圧ジェット流の第1の溶液L1に、第1の溶液L1に対して略直交方向から噴出される第2の溶液L2を同伴させるように巻き込むことにより、第1の溶液L1と第2の溶液L2とが混ざり合って発生する大きな渦粘性を利用することで高性能な混合効率を得るものであり、第1混合装置12の上記した混合室38、第1及び第2のノズル52、54、排出管44は次の関係を有するように形成される。   As schematically shown in FIG. 3, the mixing reaction is performed by the second solution ejected from the substantially orthogonal direction with respect to the first solution L <b> 1 to the first solution L <b> 1 having a high-speed turbulent high-pressure jet flow. By entraining so as to entrain L2, by utilizing the large eddy viscosity generated by mixing the first solution L1 and the second solution L2, high-performance mixing efficiency is obtained. The mixing chamber 38, the first and second nozzles 52 and 54, and the discharge pipe 44 of the apparatus 12 are formed to have the following relationship.

即ち、混合室38に渦粘性が形成されることが必要であり、混合室38の筒径D1が第1のノズル52のオリフィス径D 2、第2のノズル54のオリフィス径D3よりも大径に形成される。特に直進流Aである第1の溶液L1の作る渦粘性は混合効率を良くする上で重要であり、第1のノズル52のオリフィス径D2に対する混合室38の筒径D1の寸法比は、1.1倍〜50倍の範囲が好ましく、更に好ましくは1.1倍〜20倍の範囲である。また、直進流Aに対して直交する直交流Bである第2の溶液L2が直進流Aの溶液L1に巻き込まれ易くするためには、直交流Bの圧力を直進流Aの圧力よりも低くして、噴出流速が直進流Aの噴出流速以下になるようにすることが好ましい。具体的には直進流Aの噴出流速に対する直交流Bの噴出流速の流速比は、0.05倍〜0.4倍、更に好ましくは0.1倍〜0.3倍がよい。   That is, eddy viscosity needs to be formed in the mixing chamber 38, and the cylinder diameter D1 of the mixing chamber 38 is larger than the orifice diameter D2 of the first nozzle 52 and the orifice diameter D3 of the second nozzle 54. Formed. In particular, the eddy viscosity produced by the first solution L1 which is a straight flow A is important for improving the mixing efficiency, and the dimensional ratio of the cylinder diameter D1 of the mixing chamber 38 to the orifice diameter D2 of the first nozzle 52 is 1 The range of 1 to 50 times is preferable, and the range of 1.1 to 20 times is more preferable. Further, in order to make the second solution L2 that is a cross flow B orthogonal to the straight flow A easy to be caught in the solution L1 of the straight flow A, the pressure of the cross flow B is lower than the pressure of the straight flow A. Thus, it is preferable that the jet flow velocity be equal to or less than the jet flow velocity of the straight flow A. Specifically, the flow rate ratio of the jet flow velocity of the cross flow B to the jet flow velocity of the straight flow A is 0.05 to 0.4 times, more preferably 0.1 to 0.3 times.

また、直進流Aが小径な第1のノズル52からそれよりも大径な混合室38に噴出されることにより形成される渦粘性Cが最大になる以前の位置で直交流Bを混合室38に噴出させることが必要であり、第1のノズル52と渦粘性Cの最大位置との間に第2のノズル54を配置することが必要である。従って、渦粘性Cが最大になる位置を知る必要があるが、渦粘性Cが最大になる混合室38の位置は、流動解析ソフトとして既に日本で市販されて流動解析ソフトとして良く知られているアールフロー社製の数値解析ソフト、R −F lowを用いて予めシミュレーションを行うことによって把握することができる。この場合、図3から分かるように、渦粘性Cが最大になる位置はピンポイントではなく領域を有するので、渦粘性Cの最大位置を渦粘性Cの略中心部であるポイントPとすればよい。従って、ポイントP以前に第2のノズル54を位置決めすればよいが、より好ましくは渦粘性C の形成初期の段階で直交流Bを噴出できるように第2のノズル54を位置決めするのが好ましい。   Further, the cross flow B is mixed in the mixing chamber 38 at a position before the eddy viscosity C formed by the straight flow A being ejected from the first nozzle 52 having a small diameter into the mixing chamber 38 having a larger diameter is maximized. The second nozzle 54 needs to be disposed between the first nozzle 52 and the maximum position of the eddy viscosity C. Therefore, it is necessary to know the position where the eddy viscosity C is maximized, but the position of the mixing chamber 38 where the eddy viscosity C is maximized is already commercially available in Japan as flow analysis software and is well known as flow analysis software. This can be grasped by performing a simulation in advance using R-flow, a numerical analysis software manufactured by R-Flow. In this case, as can be seen from FIG. 3, the position where the eddy viscosity C is maximum has a region instead of a pin point, and therefore the maximum position of the eddy viscosity C may be set to a point P that is substantially the center of the eddy viscosity C. . Therefore, the second nozzle 54 may be positioned before the point P, but more preferably, the second nozzle 54 is positioned so that the cross flow B can be ejected at the initial stage of formation of the eddy viscosity C 1.

また、上記の数値解析ソフトで解析すると、渦粘性Cが出現する街域の中心ポイントPは直進流Aの流速と関係があり、直進流Aの最大流速(通常は第1のノズル位置での流速)が1/10に減少する位置に略相当する。従って、直進流Aの最大流速が1/10に減少する位置を計算して、そのポイント以前に直交流Bを噴出できるように第2のノズル4を位置決めすれば、ポイントPを計算する必要もない。   Further, when analyzed with the above numerical analysis software, the central point P of the city area where the eddy viscosity C appears is related to the flow velocity of the straight flow A, and the maximum flow velocity of the straight flow A (usually at the first nozzle position). This corresponds approximately to the position where the (flow velocity) decreases to 1/10. Therefore, if the position where the maximum flow velocity of the straight flow A is reduced to 1/10 is calculated and the second nozzle 4 is positioned so that the orthogonal flow B can be ejected before that point, it is also necessary to calculate the point P. Absent.

また、最大の渦粘性Cを混合室38に形成するために必要な混合室38の長さL(図2参照)を確保する必要があるが、あまり長すぎると反応液LMが混合室38で滞留や逆流が生じ易くなり、金属微粒子の粒子サイズの微粒子化や単分散性に悪影響を及ぼす。従って、混合室38の長さLは第1のノズル52から渦粘性Cの最大位置であるポイントPまでの距離の2倍〜5倍が好ましく、更に好ましくは2倍〜3倍がよい。   Further, it is necessary to ensure the length L (see FIG. 2) of the mixing chamber 38 necessary for forming the maximum eddy viscosity C in the mixing chamber 38. Stagnation and backflow are likely to occur, which adversely affects the fine particle size and monodispersity of the metal fine particles. Therefore, the length L of the mixing chamber 38 is preferably 2 to 5 times the distance from the first nozzle 52 to the point P which is the maximum position of the eddy viscosity C, and more preferably 2 to 3 times.

更に、小径な第1のノズル52や第2のノズル54からそれよりも大径な混合室38に高速流で液体が噴出されると、キャビテーションを起こし易く、このキャビテーションにより混合室38に気液界面が形成されて混合効率を低下させる。従って、渦粘性Cを利用して混合効率を上げるためには、混合室38に気液界面が形成されないようにすることが必要である。従って、図2のように、排出管44の口径D4 を第3のオリフィス60で絞って混合室38の管径D1 よりも小さくし、混合室38の圧力を上げた状態で混合することが必要である。これにより、キャビテーションを解消できるので、混合効率が一層向上する。尚、排出管44内の混合に寄与しない部分での滞留時間を極力短くする為、混合室38内の出口を絞ると共に、少なくとも混合室38の管径D1 よりも小さな内径の排出管38を極力短くして配管30に接続するとよい。このように、第1混合装置12から脱ガス装置14までの距離を短くすることで、第1混合装置12での反応で発生したガスが排出管44や配管30で滞留することなく直ちに脱ガス装置14での脱ガスを開始できる。 Further, when a liquid is ejected from the first nozzle 52 or the second nozzle 54 with a high-speed flow from the first nozzle 52 or the second nozzle 54 to the larger-diameter mixing chamber 38, cavitation is likely to occur. An interface is formed, reducing the mixing efficiency. Therefore, in order to increase the mixing efficiency by using the eddy viscosity C, it is necessary to prevent the gas-liquid interface from being formed in the mixing chamber 38. Therefore, as shown in FIG. 2, the diameter D 4 of the discharge pipe 44 is reduced by the third orifice 60 so as to be smaller than the pipe diameter D 1 of the mixing chamber 38, and mixing is performed with the pressure in the mixing chamber 38 increased. is required. Thereby, since cavitation can be eliminated, mixing efficiency is further improved. In order to shorten the residence time in the portion not contributing to mixing in the discharge pipe 44 as much as possible, the outlet in the mixing chamber 38 is throttled, and at least the discharge pipe 38 having an inner diameter smaller than the pipe diameter D 1 of the mixing chamber 38 is provided. It is good to connect to the piping 30 as short as possible. In this way, by reducing the distance from the first mixing device 12 to the degassing device 14, the gas generated by the reaction in the first mixing device 12 is immediately degassed without staying in the discharge pipe 44 or the pipe 30. Degassing at the device 14 can begin.

また、第1のノズル52から混合室38へ噴出される噴出流形状は第1のノズル52に設けた第1のオリフィス48により規制され、この噴出流形状は混合性能に影響する。従って、混合反応の目的に応じて、糸線状、円錐状、スリット状、扇状等の噴出流形状を形成する第1のオリフィス48を適宜使用することが好ましい。例えば、ミリ秒オーダーの非常に反応速度の速い反応の場合には、瞬時にできるだけ狭い範囲で渦粘性Cが最大になるように直進流Aと直交流Bを噴出させることが必要であり、糸線状の噴出流形状を形成する第1のオリフィス48が好ましい。また、反応速度が比較的遅い場合には、できるだけ広い範囲で渦粘性Cが最大になるように直進流Aと直交流Bを噴出させて、直進流Aが作る同伴界面積を増やす方がよく、この場合には薄膜な噴出流形状を形成する第1のオリフィス48が好ましい。また、ミリ秒オーダーの非常に速い反応速度と比較的遅い反応速度との中間的な反応速度の場合には、円錐状の噴出流形状を形成する第1のオリフィス48が好ましい。   Further, the shape of the jet flow ejected from the first nozzle 52 into the mixing chamber 38 is regulated by the first orifice 48 provided in the first nozzle 52, and this jet flow shape affects the mixing performance. Therefore, it is preferable to appropriately use the first orifice 48 that forms a jet flow shape such as a filament shape, a conical shape, a slit shape, or a fan shape in accordance with the purpose of the mixing reaction. For example, in the case of a reaction with a very fast reaction speed on the order of milliseconds, it is necessary to eject the straight flow A and the cross flow B so that the eddy viscosity C is instantaneously maximized in the narrowest possible range. A first orifice 48 that forms a linear jet shape is preferred. Also, when the reaction rate is relatively slow, it is better to increase the entrained interface area created by the straight flow A by jetting the straight flow A and the cross flow B so that the eddy viscosity C is maximized in the widest possible range. In this case, the first orifice 48 which forms a thin jet flow shape is preferable. In the case of an intermediate reaction rate between a very high reaction rate on the order of milliseconds and a relatively low reaction rate, the first orifice 48 that forms a conical jet flow shape is preferable.

図4〜図7は糸線状、円錐状、スリット状、扇状の各噴出流形状を形成するための第1のオリフィス48を図示したものであり、それぞれの図における(a)はオリフィスを先端側から見た図、(b)はオリフィスの縦断面図、(c)はオリフィスの横断面図である。   FIGS. 4 to 7 illustrate the first orifice 48 for forming the shape of each of the thread-line shape, the conical shape, the slit shape, and the fan shape, and (a) in each figure shows the orifice at the tip. FIG. 2B is a longitudinal sectional view of the orifice, and FIG. 3C is a transverse sectional view of the orifice.

図4は、糸線状の直進流A を混合室38に噴出するための第1のオリフィス48であり糸線状に形成される。図5は、円錐状の直進流A を混合室38に噴出するための第1のオリフィス48であり、先端部が開いたラッパ管状に形成される。図6は、薄膜の直進流Aを混合室38に噴出するための第1のオリフィス48であり矩形なスリット状に形成される。図7は、扇状な薄膜の直進流Aを混合室38に噴出するための第1のオリフィス48であり、先端部が扇状に拡径して形成される。   FIG. 4 shows a first orifice 48 for ejecting the straight linear flow A to the mixing chamber 38, which is formed in a filament shape. FIG. 5 shows a first orifice 48 for ejecting a conical straight flow A to the mixing chamber 38, which is formed in a trumpet shape having an open front end. FIG. 6 shows the first orifice 48 for ejecting the straight flow A of the thin film into the mixing chamber 38, which is formed in a rectangular slit shape. FIG. 7 shows a first orifice 48 for ejecting a straight flow A of a fan-shaped thin film into the mixing chamber 38, and the tip portion is formed in a fan-like diameter.

尚、ワンジェット混合方式の第1混合装置12は上述した図2に限定するものではなく、第1の溶液L1と第2の溶液L2とをそれぞれのノズルから該ノズルの口径よりも大径な混合場に噴出して混合反応させると共に混合反応液LMを混合場の径よりも小径な排出口から排出する静的混合装置を使用し、溶液L1と溶液L2の少なくとも一つの溶液を1MPa以上の高圧ジェット流で且つ混合場に流入する時のレイノルズ数が10000以上の乱流として混合場に噴出し、該高圧ジェット流が流れ方向に対して形成する渦粘性が最大になる以前の位置に、残りの溶液を前記高圧ジェット流よりも低い圧力で添加することのできるものであればよい。   The first mixing device 12 of the one-jet mixing method is not limited to the above-described FIG. 2, and the first solution L1 and the second solution L2 are larger than the nozzle diameter from each nozzle. A static mixing device is used to eject the mixed reaction liquid LM from a discharge port having a diameter smaller than the diameter of the mixing field by ejecting the mixture to the mixing field, and at least one solution of the solution L1 and the solution L2 is 1 MPa or more. In a high-pressure jet flow and a turbulent flow with a Reynolds number of 10,000 or more when flowing into the mixing field, it is jetted into the mixing field, and at a position before the eddy viscosity formed by the high-pressure jet flow in the flow direction is maximized, What is necessary is just to be able to add the remaining solution at a pressure lower than the high-pressure jet stream.

b)T字型・Y字型
図8及び図9は、T字型・Y字型の第1混合装置12の断面図であり、図8はT字管、図9はY字管の場合である。
b) T-shaped / Y-shaped FIGS. 8 and 9 are sectional views of the first mixing device 12 of T-shaped / Y-shaped, FIG. 8 is a T-shaped tube, and FIG. 9 is a Y-shaped tube. It is.

図8及び図9に示すように、T字管やY字管のような非常に細い配管の交点(混合場)で、第1の溶液L1と第2の溶液L2とを1MPa以上の高圧ジェット流で衝突させることにより両液を瞬時に混合させ、反応した反応液LMを排出管から短時間で排出する。即ち、第1の添加配管62から第1の溶液L1を1MPa以上の高圧ジェット流で混合場64に噴出させると共に、第2の添加配管66から第2の溶液L2を1MPa以上の高圧ジェット流で混合場64に噴出させて両溶液を衝突させる。衝突によるエネルギーで混合され、反応した反応液LMを排出管68から短時間で排出する。尚、第1の溶液L1と第2の溶液L2の圧力は1MPa以上であれば、同じでも異なっていてもよい。また、第1の添加配管62、第2の添加配管66、及び排出管68の外周にはジャケット70が巻回され、混合場64における第1及び第2の溶液L1、L2との混合反応温度が制御される。尚、図8、図9の符号70Aはジャケット70の熱媒体入口であり、符号70Bは熱媒体出口である。   As shown in FIGS. 8 and 9, the first solution L1 and the second solution L2 are fed at a pressure of 1 MPa or more at an intersection (mixing field) of very thin pipes such as a T-shaped tube and a Y-shaped tube. The two liquids are mixed instantaneously by colliding with the flow, and the reacted reaction liquid LM is discharged from the discharge pipe in a short time. That is, the first solution L1 is ejected from the first addition pipe 62 to the mixing field 64 with a high-pressure jet flow of 1 MPa or more, and the second solution L2 is ejected from the second addition pipe 66 with a high-pressure jet flow of 1 MPa or more. Both solutions are made to collide by being ejected to the mixing field 64. The reaction liquid LM that has been mixed and reacted by the energy resulting from the collision is discharged from the discharge pipe 68 in a short time. The pressures of the first solution L1 and the second solution L2 may be the same or different as long as the pressure is 1 MPa or more. A jacket 70 is wound around the outer periphery of the first addition pipe 62, the second addition pipe 66, and the discharge pipe 68, and the mixing reaction temperature with the first and second solutions L 1 and L 2 in the mixing field 64. Is controlled. 8 and 9, reference numeral 70A denotes a heat medium inlet of the jacket 70, and reference numeral 70B denotes a heat medium outlet.

これにより、第1の溶液L1と第2の溶液L2とは適切な混合反応温度条件下で瞬時に且つ効率的に混合して反応し、反応液LMが直ちに排出管68から排出されるので、微小サイズで単分散性の良い金属微粒子を形成することができる。この場合、滞留時間は5秒以下であることが好ましい。   As a result, the first solution L1 and the second solution L2 are reacted instantaneously and efficiently under an appropriate mixing reaction temperature condition, and the reaction solution LM is immediately discharged from the discharge pipe 68. Metal fine particles having a fine size and good monodispersibility can be formed. In this case, the residence time is preferably 5 seconds or less.

C)ツージェット対向型
図10は、T字型に渦粘性の概念を加味した混合法であり、図2と同じ部材には同符号を付して説明する。この混合法は、第1の溶液L1と第2の溶液L2を対向する方向から1MPa 以上の高圧ジェット流で、該L1溶液とL2溶液を噴出するノズル径よりも大径な混合室38(混合場)に噴出して衝突させ、両溶液に発生する渦粘性を利用して混合し、反応液LMを混合室38の径よりも小径な排出管44から排出するものである。
C) Two-jet opposed type FIG. 10 shows a mixing method in which the concept of eddy viscosity is added to the T-shape, and the same members as those in FIG. In this mixing method, the first chamber L1 and the second solution L2 are mixed in a high-pressure jet flow of 1 MPa or more from the facing direction, and a mixing chamber 38 (mixing chamber) having a diameter larger than the nozzle diameter for ejecting the L1 solution and the L2 solution. The reaction liquid LM is discharged from the discharge pipe 44 having a diameter smaller than the diameter of the mixing chamber 38 by mixing with the eddy viscosity generated in both solutions.

図10の第1混合装置12は、第1の溶液L1と第2の溶液L2とを混合して反応させる筒状の混合室38が形成された混合器40の一端側開口に、第1の溶液L1を混合室38に導入する第1の導管42が接続されると共に、他端側開口に第2の溶液L2を混合室38に導入する第2の導管46が接続される。また、混合器40の中央部開口には、混合室38で混合されて反応した反応液LMを該混合室38から排出する排出管44が接続される。   The first mixing device 12 in FIG. 10 has a first opening on the one end side of the mixer 40 in which a cylindrical mixing chamber 38 in which the first solution L1 and the second solution L2 are mixed and reacted is formed. A first conduit 42 for introducing the solution L1 into the mixing chamber 38 is connected, and a second conduit 46 for introducing the second solution L2 into the mixing chamber 38 is connected to the other end side opening. A discharge pipe 44 for discharging the reaction liquid LM mixed and reacted in the mixing chamber 38 from the mixing chamber 38 is connected to the central opening of the mixer 40.

第1の導管42と第2の導管46の先端内部には、それぞれ第1のオリフィス48と第2のオリフィス50が設けられ、これにより、第1の導管42と第2の導管46には乱流の直進流A1、A2を噴射する第1のノズル52と第2のノズル54が形成される。尚、本実施の形態では、第1のノズル52から第1の溶液L1を噴出し、第2のノズル54から第2の溶液L2を噴出する例で説明するが、逆にしてもよい。   A first orifice 48 and a second orifice 50 are provided inside the distal ends of the first conduit 42 and the second conduit 46, respectively, so that the first conduit 42 and the second conduit 46 are not disturbed. A first nozzle 52 and a second nozzle 54 that inject a straight flow A1, A2 are formed. In the present embodiment, an example in which the first solution L1 is ejected from the first nozzle 52 and the second solution L2 is ejected from the second nozzle 54 will be described.

また、混合器40の外周にはジャケット56が巻回され、図2で説明したと同様に、混合器40内における第1及び第2の溶液L1,L2との混合反応温度が制御される。   A jacket 56 is wound around the outer periphery of the mixer 40, and the mixing reaction temperature with the first and second solutions L1, L2 in the mixer 40 is controlled in the same manner as described with reference to FIG.

また、混合室38の管径D1、第1のノズル52のオリフィス径D2 、第2のノズル54のオリフィス径D3 、及びこれらの寸法関係はワンジェット型と同様である。更に、第1及び第2のオリフィス48、50を形成する方法、オリフィス材58の材質、加圧手段もワンジェット型で説明したのと同様である。また、直進流A1、A2の形状もワンジェット型で説明した糸線状、円錐状、スリット状、扇状の各噴出流形状を形成することができる。 Further, the pipe diameter D1 of the mixing chamber 38, the orifice diameter D 2 of the first nozzle 52, the orifice diameter D 3 of the second nozzle 54, and their dimensional relationship is the same as the one-jet type. Further, the method of forming the first and second orifices 48 and 50, the material of the orifice material 58, and the pressurizing means are the same as described in the one-jet type. Moreover, the shape of the straight flow A1, A2 can also be formed in the shape of each of the yarn-line shape, the conical shape, the slit shape and the fan-like shape described in the one-jet type.

そして、図11に示すように、第1のノズル52と第2のノズル54から第1の溶液L1と第2の溶液L2とを1MPa以上の高圧ジェット流で混合室38の一方端と他方端から噴出し、対向する乱流の直進流A1、A2として混合室38で衝突させる。この2本の直進流A1、A2によって形成させる2つの渦粘性C、Dをオーバーラップさせることにより溶液L1と溶液L2とを適切な混合反応温度条件下で瞬時に混合され、反応した反応液LMは排出管44から直ちに排出される。この場合、混合室38での滞留時間は5秒以下であることが好ましい。これにより、微小サイズで単分散性の良い金属微粒子を形成することができる。   11, the one end and the other end of the mixing chamber 38 are fed from the first nozzle 52 and the second nozzle 54 to the first solution L1 and the second solution L2 by a high-pressure jet flow of 1 MPa or more. And collide in the mixing chamber 38 as turbulent straight flow A1 and A2 facing each other. By overlapping the two eddy viscosities C and D formed by the two straight flow streams A1 and A2, the solution L1 and the solution L2 are instantaneously mixed under an appropriate mixing reaction temperature condition and reacted. Is immediately discharged from the discharge pipe 44. In this case, the residence time in the mixing chamber 38 is preferably 5 seconds or less. Thereby, fine metal particles having a fine size and good monodispersibility can be formed.

かかる混合反応は、対向する乱流の高速な2本の直進流A1、A2によって混合室38に形成されるそれぞれの渦粘性C、Dが最大になった時点で、重なる部分Eが極力大きくなるようにオーバーラップさせることで高性能な混合効率を得るものである。従って、直進流A1、A2は、混合室38に噴出直後で衝突することなく、且つ直進流A1、A2によって混合室38に形成される2つの渦粘性C、Dがオーバーラップする部分Eを極力大きくすることが好ましい。このためには、対向する第1のノズル52と第2のノズル54の離間距離L(図10参照)を、換言すると混合場の長さを適切に設定することが好ましい。このように、第1のノズル52と第2のノズル54の離間距離Lを適切に設定することで、最大になった渦粘性C、D同士のオーバーラップする部分Eを確実に大きくすることができ、2つの渦粘性C、D同士を略完全にオーバーラップさせることも可能である。従って、渦粘性C、Dが最大になる位置を知る必要があるが、渦粘性C、Dが最大になる混合室38の位置は、流動解析ソフトとして既に日本で市販されて流動解析ソフトとして良く知られているアールフロー社製の数値解析ソフト、R −Flowを用いて予めシミュレーションすることで、第1のノズル52から渦粘性Cまでの距離、及び第2のノズル54から渦粘性Dまでの距離を把握することができる。この場合、図11から分かるように、渦粘性C、Dが最大になる位置はピンポイントではなく嶺域を有する。従って、第1のノズル52と第2のノズル54の離間距離Lは、渦粘性C、Dの最大位置を渦粘性C、Dの略中心部であるポイントP1,P2とし、ポイントP1とポイントP2とを一致させたときの第1のノズル52からポイントP1までと第2のノズル54からポイントP2までの合計値とすればよい。また、ポイントP1、P2を把握する別の方法としては、上記の数値解析ソフトで解析すると、直進流A1、A2による渦粘性C,Dが最大になるポイントP1、P2は直進流A1、A2の流速と関係があり、直進流A1、A2 の最大流速(通常は第1又は第2のノズル位置での流速)が1/10に減少する位置に略相当する。従って、直進流A1、A2の最大流速が1/10に減少する位置を計算して、ポイントP1、P2を把握してもよい。このように、渦粘性C、Dが最大になった位置で渦粘性C、D同士をオーバーラップさせることで、直進流A1と直進流A2の液液界面での接触効率を大きくして混合反応性能を向上させる効果の他に、直進流A1と直進流A2が衝突することによる液液摩擦に伴う発熱を抑制する効果もある。   In such a mixing reaction, when the respective eddy viscosities C and D formed in the mixing chamber 38 by the two high-speed straight flow A1 and A2 of the opposing turbulent flow become maximum, the overlapping portion E becomes as large as possible. In this way, high-performance mixing efficiency is obtained. Therefore, the straight flow A1, A2 does not collide with the mixing chamber 38 immediately after jetting, and a portion E where the two eddy viscosities C, D formed in the mixing chamber 38 by the straight flow A1, A2 overlap as much as possible. It is preferable to enlarge it. For this purpose, it is preferable to appropriately set the separation distance L (see FIG. 10) between the first nozzle 52 and the second nozzle 54 facing each other, in other words, the length of the mixing field. Thus, by appropriately setting the separation distance L between the first nozzle 52 and the second nozzle 54, it is possible to reliably increase the overlapping portion E between the eddy viscosities C and D that are maximized. In addition, the two eddy viscosities C and D can be substantially completely overlapped. Therefore, it is necessary to know the position where the eddy viscosities C and D are maximized. However, the position of the mixing chamber 38 where the eddy viscosities C and D are maximized is already commercially available in Japan as flow analysis software and is good as flow analysis software. The distance from the first nozzle 52 to the eddy viscosity C and the distance from the second nozzle 54 to the eddy viscosity D are simulated in advance using a known numerical analysis software, R-Flow, manufactured by R-Flow. The distance can be grasped. In this case, as can be seen from FIG. 11, the position where the eddy viscosities C and D are maximized has not a pinpoint but a saddle region. Accordingly, the separation distance L between the first nozzle 52 and the second nozzle 54 is such that the maximum position of the eddy viscosities C and D is the points P1 and P2 that are substantially central portions of the eddy viscosities C and D, and the points P1 and P2 And the total value from the first nozzle 52 to the point P1 and the second nozzle 54 to the point P2. As another method for grasping the points P1 and P2, the points P1 and P2 at which the eddy viscosities C and D caused by the straight flow A1 and A2 become maximum are analyzed by the above numerical analysis software. This is related to the flow velocity, and corresponds approximately to the position where the maximum flow velocity of the straight flow A1, A2 (usually the flow velocity at the first or second nozzle position) is reduced to 1/10. Therefore, the points P1 and P2 may be grasped by calculating the position where the maximum flow velocity of the straight flow A1 and A2 decreases to 1/10. In this way, by making the eddy viscosities C and D overlap at the position where the eddy viscosities C and D are maximized, the contact efficiency at the liquid-liquid interface between the straight flow A1 and the straight flow A2 is increased and the mixing reaction is performed. In addition to the effect of improving the performance, there is also an effect of suppressing heat generation due to liquid-liquid friction caused by the collision between the straight flow A1 and the straight flow A2.

(B)脱ガス装置について
本発明における脱ガス装置14は、反応の進行に伴って発生するガスの気泡を反応液LMから効率よく脱ガスして、反応の進行や反応液LMの流れを阻害しないようにできればどのような装置でもよいが、次に説明する脱ガス装置14を好適に使用することができる。
(B) About degassing apparatus The degassing apparatus 14 in the present invention efficiently degass gas bubbles generated with the progress of the reaction from the reaction liquid LM, thereby inhibiting the progress of the reaction and the flow of the reaction liquid LM. Any device can be used as long as it can be avoided, but a degassing device 14 to be described below can be preferably used.

a)上下蛇行流方式
図12及び図13に示す上下蛇行流方式の脱ガス装置14は、反応液LMによる液体部80と、該反応液LMから除去されたガスが溜まる空間部82との気液界面84を有する通路86として形成される。即ち、入口88Aと出口88Bを有する脱ガス容器88内には、脱ガス容器88の底部から複数の堰板90、90…が間隔を開けて立設されると共に、堰板90上端は気液界面84よりも下に位置するように形成される。また、堰板90同士のそれぞれの間には、脱ガス容器88の天井板から複数の邪魔板92が垂下するように設けられ、邪魔板92の下端は脱ガス容器88の底部から離間するように形成される。これにより、図13に示すように、脱ガス容器88内には、反応液LMが連続して流れる上昇通路86Aと下降通路86Bとが交互に連続して形成されると共に、上昇通路86Aから下降通路86Bに流れが反転する部分に気液界面84が形成される。上昇通路86Aと下降通路86Bとから成る通路86全体の長さは脱ガスを十分に行えるに足る長さであることが必要である。また、脱ガス容器88の入口88Aには流入管94が接続され、この流入管94がフランジを介して配管30(図1参照)に接続される。一方、脱ガス容器88の出口88Bには流出管96が接続され、この流出管96がフランジを介して配管32(図1参照)に接続される。この流出管96の接続位置は堰板90の上端よりも少し上側位置になるように接続し、堰板90上端よりも高い気液界面84高さを確保することが必要である。但し、流出管96にバルブを設けて、流出管96からの流出量を流入管94からの流入量により絞る場合には、流出管96を脱ガス容器88の下部位置に接続してもよい。
a) Up-and-down meandering flow method The up-and-down serpentine-flow type degassing device 14 shown in FIGS. 12 and 13 is configured so that the liquid part 80 by the reaction liquid LM and the space part 82 in which the gas removed from the reaction liquid LM accumulates are separated. It is formed as a passage 86 having a liquid interface 84. That is, in the degassing container 88 having the inlet 88A and the outlet 88B, a plurality of weir plates 90, 90... Are provided at intervals from the bottom of the degassing container 88, and the upper end of the weir plate 90 is gas-liquid. It is formed so as to be located below the interface 84. A plurality of baffle plates 92 are provided between the barrier plates 90 so as to hang down from the ceiling plate of the degassing container 88, and the lower ends of the baffle plates 92 are separated from the bottom of the degassing container 88. Formed. As a result, as shown in FIG. 13, ascending passages 86 </ b> A and descending passages 86 </ b> B in which the reaction liquid LM continuously flows are formed continuously in the degassing vessel 88 and descend from the ascending passage 86 </ b> A. A gas-liquid interface 84 is formed at a portion where the flow is reversed in the passage 86B. The entire length of the passage 86 composed of the ascending passage 86A and the descending passage 86B needs to be long enough for degassing. An inflow pipe 94 is connected to the inlet 88A of the degassing container 88, and the inflow pipe 94 is connected to the pipe 30 (see FIG. 1) via a flange. On the other hand, an outlet pipe 96 is connected to the outlet 88B of the degassing container 88, and the outlet pipe 96 is connected to the pipe 32 (see FIG. 1) via a flange. It is necessary to connect the outflow pipe 96 so that the connection position of the outflow pipe 96 is slightly above the upper end of the dam plate 90 and to secure a height of the gas-liquid interface 84 higher than the upper end of the dam plate 90. However, when the outflow pipe 96 is provided with a valve and the outflow amount from the outflow pipe 96 is restricted by the inflow amount from the inflow pipe 94, the outflow pipe 96 may be connected to a lower position of the degassing container 88.

このように構成された上下蛇行流方式の脱ガス装置14によれば、第1混合装置12で混合された反応液LMは、流入管94から脱ガス装置14内に流入する。そして、反応液LMが上昇通路86Aと下降通路86Bを交互に流れながら、反応の進行に伴って発生するガスの気泡98は通路86内を気液界面84に向けて浮上し、気液界面84から空間部82に除去される。この場合、反応液LMの流れが下降通路86Bから上昇通路86Aに反転する脱ガス容器88の底部形状が円弧状に形成されることが好ましい。これにより、反応液LMの流れが脱ガス容器88の底部で滞留することなくスムーズに流れるので、気泡98や反応生成物である金属微粒子が底部に滞ることがない。別の態様としては、図14に示すように、上昇通路86Aの底部に滞留を防止する流れを発生させる捜拝機100を設けるようにしてもよい。この撹拌機100を設ければ、反応液LMが下降通路86Bから上昇通路86Aに反転する際に大きな力の反転流を形成できるので、気泡98や金属微粒子が脱ガス容器88の底部に滞ることを防止できる。   According to the degassing device 14 of the vertical meandering flow system configured as described above, the reaction liquid LM mixed in the first mixing device 12 flows into the degassing device 14 from the inflow pipe 94. Then, while the reaction liquid LM alternately flows in the ascending passage 86A and the descending passage 86B, the gas bubbles 98 generated as the reaction proceeds rises toward the gas-liquid interface 84 in the passage 86, and the gas-liquid interface 84 To the space 82. In this case, it is preferable that the bottom shape of the degassing container 88 in which the flow of the reaction liquid LM is reversed from the descending passage 86B to the ascending passage 86A is formed in an arc shape. Thereby, since the flow of the reaction liquid LM flows smoothly without staying at the bottom of the degassing container 88, the bubbles 98 and the metal fine particles which are reaction products do not stagnate at the bottom. As another aspect, as shown in FIG. 14, a searcher 100 that generates a flow that prevents staying may be provided at the bottom of the ascending passage 86 </ b> A. If this stirrer 100 is provided, a reversal flow with a large force can be formed when the reaction liquid LM is reversed from the descending passage 86B to the ascending passage 86A, so that bubbles 98 and metal fine particles are trapped in the bottom of the degassing container 88. Can be prevented.

また、無駄に通路86の長さを長くしないためには、堰板90の高さが脱ガス装置14の入口88Aから出口88Bにいくに従って低くなるようにすることが好ましい。これは、脱ガス容器88に形成される通路86のうち、入口側に近いほど反応液LMからのガス発生量が多く、出口側にいくほどガス発生量は少なくなるためである。従って、通路86の入口側ほど気液界面84までの通路長を長く確保する必要があり、堰板90の高さを脱ガス容器88の入口88Aから出口88Bにいくに従って低くすれば、ガスの発生量に即して気液界面84までの通路長を適切に形成できる。これにより、通路86長を無駄に長くすることが防止されるので、短時間で効率的な脱ガスを行うことができる。   Further, in order not to lengthen the length of the passage 86 unnecessarily, it is preferable that the height of the weir plate 90 is lowered as it goes from the inlet 88A to the outlet 88B of the degassing device 14. This is because, in the passage 86 formed in the degassing container 88, the gas generation amount from the reaction liquid LM is larger as it is closer to the inlet side, and the gas generation amount is smaller toward the outlet side. Accordingly, it is necessary to secure a longer passage length to the gas-liquid interface 84 toward the inlet side of the passage 86. If the height of the weir plate 90 is decreased from the inlet 88A to the outlet 88B of the degassing container 88, the gas The passage length to the gas-liquid interface 84 can be appropriately formed in accordance with the generation amount. As a result, it is possible to prevent the passage 86 from being lengthened unnecessarily, so that efficient degassing can be performed in a short time.

また、図12及び図13に示すように、脱ガス装置14には、気泡発生に伴い変化する空間部82の圧力を調整する圧力調整手段102を設けることが好ましい。この場合、圧力調整手段102で空間部82全体の圧力が均一になるように調整する場合には、邪魔板92の空間部82に対応する部分に連通孔92Aを形成するとよい。   As shown in FIGS. 12 and 13, the degassing device 14 is preferably provided with a pressure adjusting means 102 that adjusts the pressure of the space portion 82 that changes as bubbles are generated. In this case, when the pressure adjusting means 102 adjusts the pressure of the entire space portion 82 to be uniform, the communication hole 92 </ b> A may be formed in a portion corresponding to the space portion 82 of the baffle plate 92.

この圧力調整手段102は、主として、空間部82の圧力を測定する圧力センサ106と、空間部82に溜まったガスを排出するバルブ108付きのガス抜き管110と、ガス抜き管110に接続される減圧手段112と、空間部82に窒素ガス等の不活性ガスを供給するバルブ114付きのガス供給配管116と、制御装置118とで構成される。減圧手段112としては、真空ポンプやアスピレータを使用することができる。そして、制御装置118は、圧力センサ106で測定される空間部82の圧力値に基づいてガス抜き管110及び/又はガス供給配管116のバルブ108、114を調整することで空間部82の圧力を適切に調整する。即ち、脱ガス装置14の通路86を流れる反応液LM中の気泡98が気液界面84を介して空間部82に脱ガスされ易いように空間部82の圧力を調整する。脱ガスされ易くするには空間部82の圧力を減圧する方がよいが、減圧し過ぎると反応液LMが沸騰してしまい流れが乱れるので良くない。従って、減圧し過ぎた場合には、空間部82に窒素ガス等の不活性ガスを供給して調整する。どの程度減圧するかは、発生するガスの気泡量や気泡の大きさによる浮上力等により異なるので、脱ガス状態をモニタリングしながら減圧度を調整するとよい。従って、通路86を流れる反応液LMから気泡98が抜ける状態が観察できることが好ましく、脱ガス容器88を透明な容器で形成することが好ましい。   The pressure adjusting means 102 is mainly connected to the pressure sensor 106 that measures the pressure in the space 82, the gas vent pipe 110 with a valve 108 that discharges the gas accumulated in the space 82, and the gas vent pipe 110. The pressure reducing means 112, a gas supply pipe 116 with a valve 114 for supplying an inert gas such as nitrogen gas to the space 82, and a control device 118 are configured. As the decompression means 112, a vacuum pump or an aspirator can be used. Then, the control device 118 adjusts the valves 108 and 114 of the gas vent pipe 110 and / or the gas supply pipe 116 based on the pressure value of the space part 82 measured by the pressure sensor 106, thereby adjusting the pressure of the space part 82. Adjust appropriately. That is, the pressure of the space portion 82 is adjusted so that the bubbles 98 in the reaction liquid LM flowing through the passage 86 of the degassing device 14 are easily degassed to the space portion 82 via the gas-liquid interface 84. In order to facilitate degassing, it is better to reduce the pressure in the space portion 82. However, if the pressure is reduced too much, the reaction liquid LM will boil and the flow will be disturbed. Therefore, when the pressure is reduced too much, the space 82 is adjusted by supplying an inert gas such as nitrogen gas. How much pressure is reduced depends on the amount of bubbles in the generated gas, the levitation force depending on the size of the bubbles, and the like, so the degree of pressure reduction may be adjusted while monitoring the degassing state. Therefore, it is preferable that the state where the bubbles 98 are removed from the reaction liquid LM flowing through the passage 86 can be observed, and the degassing container 88 is preferably formed of a transparent container.

この脱ガスにおいて、空間部82の圧力を一定に精度良く保ちながら、発生するガスを反応液LMからスムーズ(液の流れを乱さないように)に連続脱ガスし、反応液LMの流れを安定化させることが、反応の安定化及び均一化を図る上で非常に重要である。   In this degassing, the generated gas is continuously degassed smoothly from the reaction liquid LM (so as not to disturb the flow of the liquid) while maintaining the pressure in the space 82 constant and accurately, and the flow of the reaction liquid LM is stabilized. It is very important to stabilize the reaction and to make it uniform.

このことから、圧力調整手段102に使用するバルブ108,114は10ミリ秒以下、より好ましくは5ミリ秒以下のレベルの応答速度で開閉するバルブ108,114を使用することが好ましい。5ミリ秒以下のレベルの応答速度で開閉するバルブ108,114としては、サーボバルブを使用することができる。これにより、予め設定した空間部82の圧力設定値に対して圧力センサ106の測定値が振れたときに、非常に速い開閉速度でバルブ108,114が開閉するので、空間部82の圧力変動がないようにできる。また、バルブ108,114の応答速度が10ミリ秒以上の場合には、バルブバルブ108,114を含めたガス抜き管110内のどこかにガスの放出速度を遅くする抵抗体(図示せず)を設け、圧力制御をし易くするようにしてもよい。抵抗体としては、オリフィスやフィルタ等を好適に使用することができる。   For this reason, it is preferable to use the valves 108 and 114 that open and close at a response speed of a level of 10 milliseconds or less, more preferably 5 milliseconds or less. Servovalves can be used as the valves 108 and 114 that open and close at a response speed of 5 milliseconds or less. As a result, when the measured value of the pressure sensor 106 fluctuates with respect to the preset pressure setting value of the space portion 82, the valves 108 and 114 open and close at a very fast opening / closing speed. I can not. Further, when the response speed of the valves 108 and 114 is 10 milliseconds or more, a resistor (not shown) that slows the gas release speed somewhere in the gas vent pipe 110 including the valve valves 108 and 114. May be provided to facilitate the pressure control. As the resistor, an orifice, a filter, or the like can be preferably used.

また、反応が空気中の酸素を嫌う反応であったり、反応に伴って発生するガスが水素ガスのように酸素があると危険な場合がある。この場合には、ガス供給配管116から窒素ガス等の不活性ガスを供給できるので、反応装置10を運転する前にガス供給配管116から脱ガス容器88内に不活性ガスをパージして脱ガス容器88内の空気を不活性ガスで置換することが好ましい。   In addition, there are cases where the reaction is a reaction that dislikes oxygen in the air, or when the gas generated by the reaction is oxygen such as hydrogen gas, it may be dangerous. In this case, since an inert gas such as nitrogen gas can be supplied from the gas supply pipe 116, the inert gas is purged from the gas supply pipe 116 into the degassing container 88 before the reactor 10 is operated. It is preferable to replace the air in the container 88 with an inert gas.

尚、本実施の形態では、邪魔板92の空間部82に対応する部分に連通孔92Aを形成したが、連通孔92Aを形成せずに、邪魔板92同士で区画される空間部82ごとに圧力調製手段102を設けて圧力を各空間部82ごとに個別に調整できるようにしてもよい。これは、上述したように、脱ガス装置14の入口側に近いほど反応液LMからのガス発生量が多く、出口側にいくはどガス発生量は少なくなるので、入口側の空間部82ほど脱ガスされたガスを空間部82から速く除去して空間部82の圧力が上がらないようにすることが必要になる。従って、邪魔板92同士で区画される空間部82ごとに圧力を調整できるようにすれば、ガス発生量に応じて各空間部82の圧力を適切に制御し、各空間部82ごとに気泡98が脱ガスされ易い圧力を形成できる。   In the present embodiment, the communication hole 92A is formed in the portion corresponding to the space portion 82 of the baffle plate 92. Pressure adjusting means 102 may be provided so that the pressure can be individually adjusted for each space 82. As described above, the closer to the inlet side of the degassing device 14, the more gas is generated from the reaction liquid LM, and the gas generation amount decreases toward the outlet side. It is necessary to quickly remove the degassed gas from the space 82 so that the pressure in the space 82 does not increase. Therefore, if the pressure can be adjusted for each space 82 divided by the baffle plates 92, the pressure in each space 82 is appropriately controlled according to the amount of gas generated, and the bubble 98 is generated for each space 82. Can form a pressure that is easily degassed.

また、反応液LM中からの気泡98の脱ガスを促進するには、図13に示すように、流入管94の途中に脱ガス装置14に流入する反応液LMを加熱又は冷却する温度調整手段120を設けることが好ましい。この場合、脱ガス容器88、堰板90、及び邪魔板92の内部にヒーターや冷却コイルを埋め込む等により脱ガス装置14の全体を加熱又は冷却するようにしてもよい。反応液LMをどの程度加熱又は冷却するかは、気泡98が抜ける状態を観察しながら温度調整手段120等の温度を適宜設定すればよい。   Further, in order to promote the degassing of the bubbles 98 from the reaction liquid LM, as shown in FIG. 13, temperature adjusting means for heating or cooling the reaction liquid LM flowing into the degassing device 14 in the middle of the inflow pipe 94. 120 is preferably provided. In this case, the entire degassing device 14 may be heated or cooled by embedding a heater or a cooling coil in the degassing container 88, the weir plate 90, and the baffle plate 92. To what degree the reaction liquid LM is heated or cooled, the temperature of the temperature adjusting means 120 or the like may be appropriately set while observing the state where the bubbles 98 are removed.

これにより、脱ガス装置14内を流れる反応液LMを加熱又は冷却して反応温度を制御することにより、気温や室内の温度に左右されずに常に反応条件を一定にできるので、発生するガス量も気温に影響されずに一定に維持することができる。従って、精度の良い脱ガス処理を行うことができると共に、設計した脱ガス装置内での脱ガス量が季節や室内の温度によらずに精度よく再現されるので、装置の形状や容量を固定できる。   Thus, by controlling the reaction temperature by heating or cooling the reaction liquid LM flowing in the degassing device 14, the reaction conditions can be made constant regardless of the air temperature or the room temperature. Can be kept constant regardless of the temperature. Therefore, accurate degassing treatment can be performed, and the degassing amount in the designed degassing device is accurately reproduced regardless of the season and room temperature, so the shape and capacity of the device are fixed. it can.

また、反応液LM中からの気泡98の脱ガスを促進するには、図13に示すように、超音波発生器122を設けることも好ましい方法である。超音波発生器122を設ける場所は特に限定されないが、例えば図13のように脱ガス装置14の底部外側に設けるとよい。超音波の振動周波数は1kHz 〜10MHz の範囲が好ましく、1kHz 〜1MHz の範囲がより好ましく、20kHz 〜200kHz の範囲が特に好ましい。超音波の出力は1W〜10kWの範囲が好ましく、10W〜5kWの範囲がより好ましく、100W〜2kWの範囲が特に好ましい。このように,反応液LMに超音波振動を付与することで、反応液LM中の気泡98の脱ガスを促進できるだけでなく、脱ガス容器88の内壁面、堰板90の表面、邪魔板92の表面に付着した気泡98を脱離させ易くなる。この場合、脱ガス容器88の内壁面、堰板90の表面、邪魔板92の表面に、テフロン(商標)加工等のように気泡98が付着されにくくする表面加工を施すと更によい。   In order to promote the degassing of the bubbles 98 from the reaction liquid LM, it is also a preferable method to provide an ultrasonic generator 122 as shown in FIG. Although the place where the ultrasonic generator 122 is provided is not particularly limited, for example, it may be provided outside the bottom of the degassing apparatus 14 as shown in FIG. The ultrasonic vibration frequency is preferably in the range of 1 kHz to 10 MHz, more preferably in the range of 1 kHz to 1 MHz, and particularly preferably in the range of 20 kHz to 200 kHz. The ultrasonic output is preferably in the range of 1 W to 10 kW, more preferably in the range of 10 W to 5 kW, and particularly preferably in the range of 100 W to 2 kW. Thus, by applying ultrasonic vibration to the reaction liquid LM, not only can the degassing of the bubbles 98 in the reaction liquid LM be promoted, but also the inner wall surface of the degassing container 88, the surface of the weir plate 90, and the baffle plate 92. It becomes easy to detach | desorb the bubble 98 adhering to the surface. In this case, it is better to apply a surface treatment that makes it difficult for the bubbles 98 to adhere to the inner wall surface of the degassing container 88, the surface of the dam plate 90, and the surface of the baffle plate 92, such as Teflon (trademark) processing.

また、反応液LM中からの気泡98の脱ガスを促進するには、図15に示すように、上昇通路86Aの幅W1よりも下降通路86B の幅W2を大きくして、上昇通路86Aの通路断面積よりも下降通路86Bの通路断面積を大きくすることが好ましい。即ち、上昇路86Aでは、反応液LMの流れ方向と気泡98の浮上方向が同じなので、気泡98が気液界面84において浮上分離され易いが、下降通路86Bでは、反応液LMの流れ方向と気泡98の浮上方向が逆なので、気泡98が気液界面84において浮上分離され難い。従って、下降通路86Bでは、反応液LMの下降流速度が気泡98の上昇速度よりも小さくする必要がある。この場合、気泡98の上昇速度は気泡径によって異なるので、気泡径の大きさ、即ち浮上速度に応じて下降通路86B の下降流速度を適宜設計することが必要である。尚、図14、図15では圧力調整手段102は省略されている。   Further, in order to promote the degassing of the bubbles 98 from the reaction liquid LM, as shown in FIG. 15, the width W2 of the descending passage 86B is made larger than the width W1 of the ascending passage 86A, and the passage of the ascending passage 86A. It is preferable to make the passage sectional area of the descending passage 86B larger than the sectional area. That is, in the ascending path 86A, the flow direction of the reaction liquid LM and the rising direction of the bubbles 98 are the same, so the bubbles 98 are likely to float and separate at the gas-liquid interface 84. Since the rising direction of 98 is reversed, the bubble 98 is difficult to be lifted and separated at the gas-liquid interface 84. Therefore, in the descending passage 86B, it is necessary to make the descending flow rate of the reaction liquid LM smaller than the ascending rate of the bubbles 98. In this case, since the rising speed of the bubble 98 varies depending on the bubble diameter, it is necessary to appropriately design the descending flow speed of the descending passage 86B in accordance with the size of the bubble diameter, that is, the rising speed. 14 and 15, the pressure adjusting means 102 is omitted.

図16は、脱ガス装置14を、入口ユニット124、中間部ユニット126、出口ユニット128にそれぞれユニット化することで、通路86全体の長さを簡単に調整できるようにしたものである。   In FIG. 16, the degassing device 14 is unitized into an inlet unit 124, an intermediate unit 126, and an outlet unit 128 so that the entire length of the passage 86 can be easily adjusted.

図16に示すように、入口ユニット124は、箱体130の内部に上述した堰板90が立設されると共に、箱体124の一方側面の下部に流入管94が接続され、他方側面の下部に出口ダクト132が横向きに突設される。中間ユニット126は、箱体134の内部に上述した堰板90が立設されると共に、箱体134の一方側面の下部に入口ダクト136が横向きに突設され、他方側面の下部に出口ダクト138が横向きに突設される。出口ユニット128は、箱体140の一方側面の下部に入口ダクト142が突設され、他方側面の上部に流出管96が接続される。各ユニット124、126、128には、上述した空間部82の圧力を均等化するための連通孔92A が形成される。また、各ユニット124、126、128における入口ダクト136,142と出口ダクト132,238とは水密状態で嵌合される。   As shown in FIG. 16, the inlet unit 124 has the above-described weir plate 90 standing inside the box body 130, an inflow pipe 94 connected to the lower portion of one side surface of the box body 124, and the lower portion of the other side surface. The outlet duct 132 is provided so as to project sideways. In the intermediate unit 126, the above-described weir plate 90 is erected inside the box body 134, and an inlet duct 136 protrudes laterally at a lower portion of one side surface of the box body 134, and an outlet duct 138 is formed at the lower portion of the other side surface. Is projected sideways. The outlet unit 128 has an inlet duct 142 projecting from the lower part of one side surface of the box 140 and an outflow pipe 96 connected to the upper part of the other side surface. Each unit 124, 126, 128 is formed with a communication hole 92A for equalizing the pressure in the space 82 described above. In addition, the inlet ducts 136 and 142 and the outlet ducts 132 and 238 in each unit 124, 126, and 128 are fitted in a watertight state.

そして、これら入口ユニット124、中間部ユニット126、出口ユニット128により脱ガス装置14を組み立てるには、入口ユニット124の出口ダクト132と中間ユニット126の入口ダクト136を嵌合すると共に、中間ユニット126の出口ダクト18と出口ユニット128の入口ダクト142を嵌合する。この嵌合によって合わさる各ユニット124、126、128の側面が、上述した邪魔板92になる。これにより、簡単に脱ガス装置14を製作することができると共に、中間ユニット126の数を変えるだけで脱ガス装置14内の通路86全体の長さを任意に調整することができる。尚、各ユニット124、126、128に連通孔92Aを形成する場合には、何れかのユニットに上述した圧力調整手段を設ければよい。また、連通孔92Aを形成しない場合には、各ユニットごとに空間部82の圧力を調整するための圧力調整手段102を設ければよい。また、温度調整手段120、超音波付与手段122、撹拌機100等を設けたり、ユニット底部を円弧状に形成する等のように、脱ガスを促進する各種の手段や形状を設ければ更によい。   In order to assemble the degassing device 14 with the inlet unit 124, the intermediate unit 126, and the outlet unit 128, the outlet duct 132 of the inlet unit 124 and the inlet duct 136 of the intermediate unit 126 are fitted together, The outlet duct 18 and the inlet duct 142 of the outlet unit 128 are fitted. The side surfaces of the units 124, 126, and 128 that are brought together by this fitting become the baffle plate 92 described above. As a result, the degassing device 14 can be easily manufactured, and the length of the entire passage 86 in the degassing device 14 can be arbitrarily adjusted only by changing the number of intermediate units 126. When the communication hole 92A is formed in each unit 124, 126, 128, the pressure adjusting means described above may be provided in any unit. Further, when the communication hole 92A is not formed, the pressure adjusting means 102 for adjusting the pressure in the space 82 may be provided for each unit. Further, it is more preferable to provide various means and shapes for promoting degassing, such as providing the temperature adjusting means 120, the ultrasonic wave applying means 122, the stirrer 100, etc., or forming the unit bottom in an arc shape. .

b)気体透過方式
図17に示すように、気体透過方式の脱ガス装置14は、脱ガス容器88の一方側面の上部に流入管94が接続されると共に、地方側面の下部に流出管96が接続される。そして、脱ガス容器88内には、液体は通さずに気体を通す気体透過部材で形成された脱ガス管150が逆S字状に収納されると共に、脱ガス管150の一端が流入管94に接続され、他端が流出管96に接続される。また、脱ガス管150の複数箇所が、保持具152を介して脱ガス容器88の内壁面に支持される。
b) Gas Permeation Method As shown in FIG. 17, the gas permeation method degassing apparatus 14 has an inflow pipe 94 connected to the upper part of one side surface of the degassing container 88 and an outflow pipe 96 at the lower part of the local side surface. Connected. In the degassing container 88, a degassing pipe 150 formed of a gas permeable member that allows gas to pass through without passing liquid is housed in an inverted S shape, and one end of the degassing pipe 150 is connected to the inflow pipe 94. The other end is connected to the outflow pipe 96. Further, a plurality of locations of the degassing pipe 150 are supported on the inner wall surface of the degassing container 88 via the holder 152.

この気体透過方式の脱ガス装置14を製作する上で、最も重要なポイントは如何に気体透過性の良い気体透過部材を使用するかであり、近年の高分子技術の進歩により例えばゴアテックス膜(商標)のような気体透過性のよい膜が市販されており、このような膜を使用することができる。また、近年のマイクロマシンニング技術の進歩により、液体は通さないが気体は通す極めて微細な孔を金属やプラスチック樹脂等の硬質樹脂に開けることが可能になってきており、このような技術を使用して気体透過部材を製作することも可能である。いずれにしても、この気体透過方式の脱ガス装置14は、技術の進歩如何にかかわらず、液液反応により発生するガスだけを透過させる気体透過部材であればどのようなものでもよい。この場合、脱ガス管150の全てを気体透過部材で形成することに限定さ
ず、脱ガス管150の少なくとも上部が気体透過部材で形成されていればよい。これにより、脱ガス容器88内には、反応液LMによる液体部80と、反応液LMから除去されたガスが溜まる空間部82との気液界面が気体透過部材で形成された脱ガス管150で仕切られた構造の脱ガス装置14が形成される。
The most important point in manufacturing the gas permeable degassing apparatus 14 is how to use a gas permeable member having good gas permeability. For example, Gore-Tex membrane ( Membranes with good gas permeability such as trademark are commercially available, and such membranes can be used. In addition, due to recent advances in micromachining technology, it has become possible to open extremely fine holes that do not allow liquids to pass through but allow gas to pass through hard resins such as metals and plastic resins. It is also possible to manufacture a gas permeable member. In any case, the gas permeable degassing device 14 may be any gas permeable member that allows only gas generated by the liquid-liquid reaction to permeate, regardless of technological progress. In this case, the entire degassing pipe 150 is not limited to being formed of a gas permeable member, and at least the upper part of the degassing pipe 150 may be formed of a gas permeable member. Thereby, in the degassing container 88, the degassing pipe 150 in which the gas-liquid interface between the liquid part 80 by the reaction liquid LM and the space part 82 in which the gas removed from the reaction liquid LM accumulates is formed by the gas permeable member. A degassing device 14 having a structure partitioned by is formed.

このように構成された気体透過方式の脱ガス装置14によれば、第1混合装置12で混合された反応液LMは、流入管94から脱ガス装置14に流入する。そして、反応液LMが脱ガス管150内を流れながら、反応に伴って発生するガスは反応液中を気泡98となって上昇し、気体透過部材で形成された脱ガス管150を透過して空間部82へ脱ガスされる。   According to the gas-permeable degassing device 14 configured as described above, the reaction liquid LM mixed in the first mixing device 12 flows into the degassing device 14 from the inflow pipe 94. Then, while the reaction liquid LM flows in the degassing pipe 150, the gas generated by the reaction rises as bubbles 98 in the reaction liquid and permeates through the degassing pipe 150 formed by the gas permeable member. Degassed to the space 82.

かかる脱ガスにおいて、脱ガス管150を形成する気体透過部材の気体透過性能にもよるが、空間部82の圧力を調整する圧力調整手段を設け、空間部82内を減圧することが好ましい。圧力調整手段102の構成は上下蛇行流方式の脱ガス装置で説明したと同様であるので、説明は省略する。   In such degassing, although depending on the gas permeation performance of the gas permeable member forming the degassing pipe 150, it is preferable to provide pressure adjusting means for adjusting the pressure of the space portion 82 to depressurize the space portion 82. Since the configuration of the pressure adjusting means 102 is the same as that described in the degassing apparatus of the up and down meandering flow method, the description is omitted.

以上説明したように本発明の化学物質の製造装置10によれば、第1混合装置12と脱ガス装置14とを分離して、反応に伴って発生するガスの気泡98に邪魔されずに混合を均一且つ効率的に行うことができるので、反応開始時及び反応進行過程での反応を安定化させることができると共に、後工程へ安定した送液を行うことができる。   As described above, according to the chemical substance manufacturing apparatus 10 of the present invention, the first mixing device 12 and the degassing device 14 are separated and mixed without being obstructed by the gas bubbles 98 generated by the reaction. Can be performed uniformly and efficiently, so that the reaction at the start of the reaction and in the course of the reaction can be stabilized, and stable liquid feeding can be performed to the subsequent process.

また、本発明の化学物質の製造装置10によれば、第1混合装置12として高圧混合方式を使用することにより、瞬時混合を行うことができると共に、混合による反応の開始によりガスが発生した反応液LMを直ちに脱ガス装置14に送ることができる。これにより、第1混合装置12において、ガスの気泡により混合が邪魔されることがない。   In addition, according to the chemical substance manufacturing apparatus 10 of the present invention, by using a high-pressure mixing system as the first mixing apparatus 12, instantaneous mixing can be performed, and a reaction in which gas is generated due to the start of the reaction by mixing. The liquid LM can be immediately sent to the degasser 14. Thereby, in the 1st mixing apparatus 12, mixing is not disturbed by the bubble of gas.

また、本発明の化学物質の製造装置10によれば、脱ガス装置14として、反応液LMによる液体部80と反応液LMから除去されたガスが溜まる空間部82との気液界面84を有する通路86を形成し、通路86を流れる反応液中のガスの気泡98を空間部82に連続的に除去するようにしたので、気泡98の浮上力を利用した効率的な脱ガスを行うことができる。   Moreover, according to the chemical substance manufacturing apparatus 10 of the present invention, the degassing apparatus 14 has the gas-liquid interface 84 between the liquid part 80 by the reaction liquid LM and the space part 82 in which the gas removed from the reaction liquid LM accumulates. Since the passage 86 is formed and the gas bubbles 98 in the reaction liquid flowing through the passage 86 are continuously removed to the space portion 82, efficient degassing using the floating force of the bubbles 98 can be performed. it can.

従って、本発明の化学物質の製造装置10は、ガスを発生する反応を反応液LMの流れの中で行わせるフロー方式での反応系に好適である。特に磁気記録媒体の磁性層に含有する磁性粒子の連続製造に本発明の製造装置10を採用すれば、ガスの発生を伴う反応の均一化が可能となる。また、連続的に脱ガスすることで反応の平衡が反応促進側に進むと考えられ、反応性が向上するので迅速な反応を可能とし、結果的に磁性粒子の微小化を図ることができる。また、脱ガスのための液温制御を行う場合、ガスを連続処理の流れの中で効率的に除去することができるので、液温制御の精度を向上させることができる。これにより、微小サイズで単分散性の良い磁性粒子を製造することができると共に、この磁性粒子を磁性層に含有することで高精度な磁気記録メディアを製造することができる。   Therefore, the chemical substance production apparatus 10 of the present invention is suitable for a reaction system in a flow system in which a reaction for generating a gas is performed in the flow of the reaction liquid LM. In particular, if the production apparatus 10 of the present invention is used for continuous production of magnetic particles contained in the magnetic layer of a magnetic recording medium, it is possible to make the reaction accompanied by gas generation uniform. Further, it is considered that the equilibrium of the reaction proceeds toward the reaction promoting side by continuously degassing, and the reactivity is improved, so that a quick reaction is possible, and as a result, the magnetic particles can be miniaturized. In addition, when performing liquid temperature control for degassing, the gas can be efficiently removed in the flow of continuous processing, so that the accuracy of liquid temperature control can be improved. Thereby, magnetic particles having a fine size and good monodispersibility can be produced, and a high-precision magnetic recording medium can be produced by containing the magnetic particles in the magnetic layer.

高純度の窒素ガス中で下記の操作を行った。   The following operation was performed in high purity nitrogen gas.

三シュウ酸三アンモニウム鉄(Fe(NH4 ) 3 (C2 4 ) 3 )(和光純薬製)0.46gと塩化白金酸カリウム(K2 PtCl4 )(和光純薬製)0.46gとを、H2 O(脱酸素処理済み)24mlに溶解した金属塩水溶液に、エーロゾルOT(和光純薬製)14.0gをデカン(和光純薬製)80mlに溶解したアルカン溶液を添加、混合して第1の溶液L1の逆ミセル溶液を調製した。 Triammonium iron oxalate (Fe (NH 4 ) 3 (C 2 O 4 ) 3 ) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.46 g and potassium chloroplatinate (K 2 PtCl 4 ) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.46 g And alkane solution in which 14.0 g of aerosol OT (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) is dissolved in 80 ml of decane (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) is added to and mixed with an aqueous solution of metal salt dissolved in 24 ml of H 2 O (deoxygenated). Thus, a reverse micelle solution of the first solution L1 was prepared.

NaBH4 (和光純薬製)0.50gをH2 O(脱酸素処理済み)12mlに溶解した還元剤水溶液に、エーロゾルOT5.4gをデカン(和光純薬製)40mlに溶解したアルカン溶液を添加、混合して第2の溶液L2の逆ミセル溶液を調製した。 NaBH 4 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.50 g of H 2 O (deoxygenated) dissolved in 12 ml of reducing agent aqueous solution and aerosol OT 5.4 g of decane (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 40 ml of alkane solution added The reverse micelle solution of the second solution L2 was prepared by mixing.

塩化銅(CuCl2 ・6H2 O)(和光純薬製)0.09gをH2 O(脱酸素処理済み)2mlに溶解した金属塩水溶液に、エーロゾルOT(和光純薬製)3.5gをデカン(和光純薬製)20mlに溶解したアルカン溶液を添加、混合して第3の溶液L3の逆ミセル溶液を調製した。 To a metal salt aqueous solution obtained by dissolving 0.09 g of copper chloride (CuCl 2 · 6H 2 O) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) in 2 ml of H 2 O (deoxygenated), 3.5 g of aerosol OT (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) An alkane solution dissolved in 20 ml of decane (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added and mixed to prepare a reverse micelle solution of the third solution L3.

アスコルビン酸(和光純薬製)0.88gとキレート剤(DHEG)0.33gをH2 O(脱酸素処理済み)12mlに溶解した水溶液に、エーロゾルOT(和光純薬製)5.4gとオレインアミン(東京化成製)2mlとをデカン(和光純薬製)40mlに溶解したアルカン溶液を添加、混合して第4の溶液LM4の逆ミセル溶液を調製した。 In an aqueous solution obtained by dissolving 0.88 g of ascorbic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) and 0.33 g of a chelating agent (DHEG) in 12 ml of H 2 O (deoxygenated), 5.4 g of aerosol OT (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) and olein An alkane solution obtained by dissolving 2 ml of amine (manufactured by Tokyo Chemical Industry) in 40 ml of decane (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added and mixed to prepare a reverse micelle solution of the fourth solution LM4.

従来法による金属微粒子の製造方法では、バッチ式で1つのタンクで上記4つの逆ミセル溶液(LM1,2,3,4)を次のように混合した。逆ミセル溶液(L1)を22°Cでオムニミキサー(ヤマト科学製)で高速攪拌しながら、逆ミセル溶液(L2)を瞬時に添加した。3分後、更に、逆ミセル溶液(L3)を約2.4ml/分の速度で約10分かけて添加した。添加終了5分後に、オムニミキサーからマグネチックスターラー攪拌に変更して、40°Cに上温させた後、逆ミセル溶液(L4)を添加して、120分間熟成した。これにより、得られた金属微粒子を従来法サンプルと呼ぶ。   In the method for producing fine metal particles according to the conventional method, the above four reverse micelle solutions (LM1, 2, 3, 4) were mixed as follows in a single tank. While the reverse micelle solution (L1) was stirred at a high speed with an omni mixer (manufactured by Yamato Kagaku) at 22 ° C., the reverse micelle solution (L2) was added instantaneously. Three minutes later, reverse micelle solution (L3) was further added at a rate of about 2.4 ml / min over about 10 minutes. Five minutes after the completion of the addition, the stirring was changed from the omni mixer to the magnetic stirrer and the temperature was raised to 40 ° C., and then the reverse micelle solution (L4) was added, followed by aging for 120 minutes. Thus, the obtained metal fine particles are referred to as a conventional method sample.

これに対し、本発明の化学物質の製造装置10では、逆ミセル溶液(L1)と逆ミセル溶液(L2)とを図2の第1混合装置12で瞬時に混合した。混合終了と同時に第1混合装置12から反応液LMを取り出し、図12の上下蛇行流型の脱ガス装置14により反応副生ガスを除去しながら、10分後に図1に示す第2混合装置13へ反応液LMを送った。この第2混合装置13に逆ミセル溶液(L3)を添加して瞬時に混合した。第2混合装置13からの液を製品タンク21に回収し、逆ミセル溶液(L3)添加終了5分後に、攪拌翼21aによるゆるやかな攪拌に変更し、40°Cに昇温した後、逆ミセル溶液(L4)を添加して、120分間熟成した。これにより、得られた金属微粒子を本発明法サンプルと呼ぶ。   On the other hand, in the chemical substance manufacturing apparatus 10 of the present invention, the reverse micelle solution (L1) and the reverse micelle solution (L2) were instantaneously mixed by the first mixing device 12 of FIG. Simultaneously with the end of mixing, the reaction liquid LM is taken out from the first mixing device 12, and the reaction byproduct gas is removed by the up-and-down meandering type degassing device 14 in FIG. 12, and the second mixing device 13 shown in FIG. The reaction solution LM was sent to. The reverse micelle solution (L3) was added to the second mixing device 13 and mixed instantaneously. The liquid from the second mixing device 13 is collected in the product tank 21, 5 minutes after the addition of the reverse micelle solution (L3) is changed to gentle stirring by the stirring blade 21 a, the temperature is raised to 40 ° C., and then reverse micelle Solution (L4) was added and aged for 120 minutes. Thus, the obtained metal fine particles are referred to as a sample according to the present invention.

そして、従来法サンプル及び本発明法サンプルともに、室温まで冷却後、オレイン酸(和光純薬製)2mlを添加、混合して、大気中に取り出した。逆ミセルを破壊するため、H2 O200mlとメタノール200mlとの混合液を添加して水相と油相とに分離した。油相側に金属ナノ粒子が分散した状態が得られた。油相側をH2 O600mlとメタノール200mlとの混合液で5回洗浄した。その後、メタノールを1300ml添加して金属ナノ粒子にフロキュレーションを起こさせて沈降させた。上澄み液を除去して、ヘプタン(和光純薬製)20mlを添加して再分散した後、メタノール100mlを添加して金属ナノ粒子を沈降させた。この処理を2回繰り返して、最後にオクタン(和光純薬製)5mlを添加して、FeCuPtの多元系合金で粒径がナノレベルの金属微粒子を含む金属ナノ粒子分散液を得た。 Then, both the conventional method sample and the present invention method sample were cooled to room temperature, 2 ml of oleic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added, mixed, and taken out into the atmosphere. In order to destroy the reverse micelle, a mixed solution of 200 ml of H 2 O and 200 ml of methanol was added to separate into an aqueous phase and an oil phase. A state in which the metal nanoparticles were dispersed on the oil phase side was obtained. The oil phase side was washed 5 times with a mixed solution of 600 ml of H 2 O and 200 ml of methanol. Thereafter, 1300 ml of methanol was added to cause flocculation of the metal nanoparticles and sedimentation. After removing the supernatant, 20 ml of heptane (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added and redispersed, and then 100 ml of methanol was added to precipitate the metal nanoparticles. This treatment was repeated twice, and finally 5 ml of octane (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added to obtain a metal nanoparticle dispersion liquid containing FeCuPt multi-component alloy containing metal fine particles having a nano particle size.

得られた従来法の金属ナノ粒子と本発明法の金属ナノ粒子について、収率、組成、体積平均粒径と粒径分布(変動係数)、及び保磁力の測定を行った。尚、組成及び収率は、ICP分光分析(誘導結合高周波プラズマ分光分析)で測定し、体積及び平均粒径と粒径分布は、TEM撮影した粒子を計測して統計処理により求めた。また、保磁力の測定は、東英工業製の高感度磁化ベクトル測定機と同社製のDATA処理装置を使用し、印加磁場790kA/m(10kOe)の条件で行った。測定用金属ナノ粒子は、調製した金属ナノ粒子分散液から金属ナノ粒子を捕集し、十分に乾燥させ、電気炉において550°Cで30分加熱後のものを使用して測定した。   The yield, composition, volume average particle size and particle size distribution (variation coefficient), and coercive force of the obtained conventional metal nanoparticles and the metal nanoparticles of the present invention were measured. The composition and yield were measured by ICP spectroscopic analysis (inductively coupled high-frequency plasma spectroscopic analysis), and the volume, average particle size, and particle size distribution were determined by statistical processing by measuring particles taken by TEM. The coercive force was measured using a high sensitivity magnetization vector measuring machine manufactured by Toei Kogyo Co., Ltd. and a DATA processing apparatus manufactured by the same company under the condition of an applied magnetic field of 790 kA / m (10 kOe). The metal nanoparticles for measurement were measured using metal nanoparticles collected from the prepared metal nanoparticle dispersion, sufficiently dried, and heated in an electric furnace at 550 ° C. for 30 minutes.

従来法の金属ナノ粒子と本発明法の金属ナノ粒子の上記測定結果を表1に示す。   Table 1 shows the measurement results of the conventional metal nanoparticles and the metal nanoparticles of the present invention.

Figure 2006272132
表1の結果から分かるように、本発明法の金属ナノ粒子は、従来法の金属ナノ粒子に比べて、小サイズで且つ単分散の粒子の良い金属ナノ粒子が得られた。また、本発明法は従来法に比べて、収率が向上すると共に、組成におけるPtの含有率が増加し、保磁力も大きくなった。
Figure 2006272132
As can be seen from the results in Table 1, the metal nanoparticles of the method of the present invention were small and had good monodisperse metal nanoparticles compared to the metal nanoparticles of the conventional method. Further, the method of the present invention improved the yield, increased the Pt content in the composition, and increased the coercive force as compared with the conventional method.

本発明の化学物質の製造装置の全体構成を説明する概念図The conceptual diagram explaining the whole structure of the manufacturing apparatus of the chemical substance of this invention 本発明の化学物質の製造装置におけるワンジェット型の高圧混合方式の混合装置を示す断面図Sectional drawing which shows the mixing apparatus of the one jet type high pressure mixing system in the manufacturing apparatus of the chemical substance of this invention ワンジェット型の高圧混合方式の混合理論を説明する説明図Explanatory drawing explaining the mixing theory of the one-jet type high-pressure mixing method ワンジェット型の高圧混合方式の混合装置の第1のノズルの形状を説明する説明図Explanatory drawing explaining the shape of the 1st nozzle of the mixing apparatus of a one jet type high pressure mixing system 第1のノズルの別の形状を説明する説明図Explanatory drawing explaining another shape of the 1st nozzle 第1のノズルの更に別の形状を説明する説明図Explanatory drawing explaining further another shape of the 1st nozzle 第1のノズルの他の形状を説明する説明図Explanatory drawing explaining the other shape of the 1st nozzle T字型の高圧混合方式の混合装置を示す断面図Sectional view showing a T-shaped high-pressure mixing device Y字型の高圧混合方式の混合装置を示す断面図Sectional view showing a Y-shaped high pressure mixing system ツージェット対向型の高圧混合方式の混合装置を示す断面図Sectional view showing a two-jet opposed high-pressure mixing device ツージェット対向型の高圧混合方式の混合理論を説明する説明図Explanatory drawing explaining the mixing theory of the two-jet opposed high-pressure mixing method 本発明の反応装置における上下蛇行流方式の脱ガス装置を示す斜視図The perspective view which shows the degassing apparatus of the up-and-down meander flow system in the reaction apparatus of this invention 上下蛇行流方式の脱ガス装置の概念を示す断面図Sectional drawing which shows the concept of the degassing apparatus of an up-and-down meander flow 上下蛇行流方式の脱ガス装置の底部に撹拌機を設けた態様の断面図Sectional drawing of the aspect which provided the stirrer in the bottom part of the degassing apparatus of an up-and-down meandering type 上下蛇行流方式の脱ガス装置の上昇通路と下降通路の幅を変えた断面図Cross-sectional view of the width of the ascending and descending passages of the degassing device of the up and down meandering flow system 上下蛇行流方式の脱ガス装置をユニット化した分解図Upper / lower meandering flow type degassing unit as an exploded view 気体透過方式の脱ガス装置の概念を示す断面図Sectional view showing the concept of a gas permeation type degassing device

符号の説明Explanation of symbols

10…製造装置、12…第1混合装置、13…第2混合装置、14…脱ガス装置、15、16、18…調製タンク、20…加熱ジャケット、22、24…供給配管、17、26、28…供給ポンプ、30、32…配管、34…製品タンク、36…加熱・冷却ジャケット、38…混合室、40…混合器、42…第1の導管、44…排出管、46…第2の導管、48…第1のオリフィス、50…第2のオリフィス、52…第1のノズル、54…第2のノズル、56…ジャケット、58…オリフィル材、60…第3のオリフィス、62…第1の添加配管、64…混合場、66…第2の添加配管、68…排出管、70…ジャケット、80…液体部、82…空間部、84…気液界面、86…通路、86A…上昇通路、86B…下降通路、88…脱ガス容器、90…堰板、92…邪魔板、92A…連通孔、94…流入管、96…流出管、98…気泡、100…攪拌機、102…圧力調整手段、106…圧力センサ、108…バルブ、110…ガス抜き管、112…減圧手段、114…バルブ、116…ガス供給配管、118…制御装置、120…温度調整手段、122…超音波付与手段、124…入口ユニット、126‥中間ユニット、128…出口ユニット、130、134、140…箱体、132、138…出口ダクト、136、142…入口ダクト、150…脱ガス管、L1…第1の溶液、L2…第2の溶液、L3…第3の溶液、LM…反応液 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Manufacturing apparatus, 12 ... 1st mixing apparatus, 13 ... 2nd mixing apparatus, 14 ... Degassing apparatus, 15, 16, 18 ... Preparation tank, 20 ... Heating jacket, 22, 24 ... Supply piping, 17, 26, 28 ... Supply pump, 30, 32 ... Piping, 34 ... Product tank, 36 ... Heating / cooling jacket, 38 ... Mixing chamber, 40 ... Mixer, 42 ... First conduit, 44 ... Discharge tube, 46 ... Second Conduit, 48 ... first orifice, 50 ... second orifice, 52 ... first nozzle, 54 ... second nozzle, 56 ... jacket, 58 ... orifil material, 60 ... third orifice, 62 ... first 64 ... mixing field, 66 ... second addition pipe, 68 ... discharge pipe, 70 ... jacket, 80 ... liquid part, 82 ... space part, 84 ... gas-liquid interface, 86 ... passage, 86A ... rising passage , 86B ... descending passage, 88 ... degassing capacity , 90 ... Dam plate, 92 ... Baffle plate, 92A ... Communication hole, 94 ... Inflow pipe, 96 ... Outflow pipe, 98 ... Bubble, 100 ... Stirrer, 102 ... Pressure adjusting means, 106 ... Pressure sensor, 108 ... Valve, 110 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Gas vent pipe, 112 ... Pressure-reducing means, 114 ... Valve, 116 ... Gas supply piping, 118 ... Control apparatus, 120 ... Temperature adjustment means, 122 ... Ultrasonic application means, 124 ... Inlet unit, 126 ... Intermediate unit, 128 ... Outlet unit, 130, 134, 140 ... box body, 132, 138 ... outlet duct, 136, 142 ... inlet duct, 150 ... degassing pipe, L1 ... first solution, L2 ... second solution, L3 ... third Solution of LM ... reaction solution

Claims (26)

反応に伴ってガスが発生する化学物質を製造する化学物質の製造方法において、
複数の溶液を密閉系の第1混合部で混合反応を行う第1混合工程と、
前記第1混合工程で混合反応された反応液から発生するガスの気泡を、気液界面を備えた脱ガス部で脱ガス処理する脱ガス工程と、
前記脱ガス工程で脱ガス処理された反応液に添加溶液を添加して第2混合部で混合反応を行う第2混合工程と、を備え、前記第1混合工程から前記脱ガス工程に反応液を送液すると共に、前記脱ガス工程での脱ガス終了後に前記第2混合工程に送液することを特徴とする化学物質の製造方法。
In a method for producing a chemical substance that produces a chemical substance that generates gas in response to a reaction,
A first mixing step of performing a mixing reaction of a plurality of solutions in a first mixing unit of a closed system;
A degassing step of degassing a gas bubble generated from the reaction solution mixed and reacted in the first mixing step in a degassing section having a gas-liquid interface;
And a second mixing step in which an addition solution is added to the reaction solution degassed in the degassing step and a mixing reaction is performed in a second mixing unit, and the reaction solution is transferred from the first mixing step to the degassing step. And a liquid is fed to the second mixing step after completion of the degassing in the degassing step.
前記第1混合工程と前記脱ガス工程を一組とした混合・脱ガス工程を複数段直列に設けることを特徴とする請求項1の化学物質の製造方法。   The method for producing a chemical substance according to claim 1, wherein a plurality of stages of mixing and degassing steps are provided in series, the first mixing step and the degassing step. 前記第1混合工程では、周期律表の8、9及び10族から選ばれる2種以上の金属イオンを含有する第1の溶液と、還元剤を含有する第2の溶液とを混合し、
前記第2混合工程では、前記第1混合工程で混合された反応液に周期律表の11、12、13、14及び15族から選ばれる1種以上の金属イオンを含有する第3の溶液を添加して混合し、前記化学物質として磁性粒子を製造することを特徴とする請求項1又は2の化学物質の製造方法。
In the first mixing step, a first solution containing two or more metal ions selected from groups 8, 9 and 10 of the periodic table is mixed with a second solution containing a reducing agent,
In the second mixing step, a third solution containing one or more metal ions selected from Groups 11, 12, 13, 14 and 15 of the periodic table is added to the reaction solution mixed in the first mixing step. The method for producing a chemical substance according to claim 1 or 2, wherein magnetic particles are produced as the chemical substance by adding and mixing.
前記第1混合工程と第2混合工程のうちの少なくとも第1混合工程では瞬時混合を行うことを特徴とする請求項1〜3の何れか1の化学物質の製造方法。   The method for producing a chemical substance according to any one of claims 1 to 3, wherein instantaneous mixing is performed in at least the first mixing step of the first mixing step and the second mixing step. 前記脱ガス部は、前記反応液による液体部と該反応液から除去されたガスが溜まる空間部とにより前記気液界面を形成する通路であって、前記通路を流れる反応液中のガスの気泡を前記空間部に除去することを特徴とする請求項1〜4の何れか1の化学物質の製造方法。   The degassing part is a passage that forms the gas-liquid interface by a liquid part by the reaction liquid and a space part in which the gas removed from the reaction liquid is accumulated, and bubbles of gas in the reaction liquid flowing through the passage The method for producing a chemical substance according to any one of claims 1 to 4, wherein the chemical substance is removed in the space portion. 前記空間部の圧力を減圧することを特徴とする請求項5の化学物質の製造方法。   6. The method for producing a chemical substance according to claim 5, wherein the pressure in the space is reduced. 前記通路は、前記反応液が連続して流れる上昇通路と下降通路とを有し、前記上昇通路から前記下降通路に流れが反転する部分に前記気液界面を形成することを特徴とする請求項5又は6の化学物質の製造方法。   The passage has an ascending passage and a descending passage through which the reaction solution continuously flows, and forms the gas-liquid interface at a portion where the flow is reversed from the ascending passage to the descending passage. A method for producing 5 or 6 chemical substances. 前記脱ガス部を流れる反応液を加熱又は冷却して反応温度を制御することを特徴とする請求項5〜7の何れか1の化学物質の製造方法。   The method for producing a chemical substance according to any one of claims 5 to 7, wherein the reaction temperature is controlled by heating or cooling the reaction liquid flowing through the degassing section. 前記脱ガス部を流れる反応液に超音波を付与することを特徴とする請求項5〜8の何れか1の化学物質の製造方法。   The method for producing a chemical substance according to any one of claims 5 to 8, wherein an ultrasonic wave is applied to the reaction liquid flowing through the degassing section. 前記下降通路を流れる反応液の流速は、前記気泡の上昇速度よりも遅いことを特徴とする請求項5〜9の何れか1の化学物質の製造方法。   The method for producing a chemical substance according to any one of claims 5 to 9, wherein a flow rate of the reaction liquid flowing through the descending passage is slower than a rising speed of the bubbles. 前記脱ガス部は、内部が透視可能であることを特徴とする請求項1〜10の何れか1の化学物質の製造方法。   The method for producing a chemical substance according to any one of claims 1 to 10, wherein an inside of the degassing part can be seen through. 反応に伴ってガスが発生する化学物質を製造する化学物質の製造装置において、
複数の溶液で混合反応を行う密閉系の第1混合部と、前記第1混合部で混合された反応液に添加溶液を添加して混合反応を行う第2混合部との間に、前記第1混合部で混合反応された反応液から発生するガスの気泡を該反応液から除去するための気液界面を有する脱ガス部を配設したことを特徴とする化学物質の製造装置。
In the chemical substance production equipment that produces chemical substances that generate gas with the reaction,
Between the first mixing unit of a closed system that performs a mixing reaction with a plurality of solutions and the second mixing unit that performs a mixing reaction by adding an additive solution to the reaction liquid mixed in the first mixing unit. An apparatus for producing a chemical substance, comprising a degassing unit having a gas-liquid interface for removing gas bubbles generated from a reaction solution mixed and reacted in one mixing unit from the reaction solution.
前記第1混合部と第2混合部のうちの少なくとも第1混合部は、滞留時間が5秒以下の混合室に、前記複数の溶液の少なくとも一つの溶液を1MPa以上の高圧ジェット流で供給して他の溶液と瞬時混合する高圧混合装置であることを特徴とする請求項12の化学物質の製造装置。   At least the first mixing unit of the first mixing unit and the second mixing unit supplies at least one solution of the plurality of solutions in a high pressure jet flow of 1 MPa or more to a mixing chamber having a residence time of 5 seconds or less. 13. The chemical substance production apparatus according to claim 12, wherein the chemical substance production apparatus is a high-pressure mixing apparatus that instantaneously mixes with another solution. 前記脱ガス部は、前記反応液による液体部と該反応液から除去されたガスが溜まる空間部とにより前記気液界面を形成する通路であって、
前記反応液の入口と出口を有する脱ガス容器と、
前記脱ガス容器の底部から立設されると共に上端が前記気液界面よりも下に位置する複数の堰板と、
前記堰板同士の間に設けられ、上端が前記気液界面よりも上に位置すると共に下端が前記脱ガス容器の底部から離間した邪魔板とで構成され、
前記脱ガス容器内には、前記反応液が連続して流れる上昇通路と下降通路とが形成されると共に、前記上昇通路から前記下降通路に流れが反転する部分に前記気液界面が形成されることを特徴とする請求項12又は13の化学物質の製造装置。
The degassing part is a passage that forms the gas-liquid interface by a liquid part by the reaction liquid and a space part in which the gas removed from the reaction liquid is accumulated,
A degassing vessel having an inlet and an outlet for the reaction solution;
A plurality of dam plates standing from the bottom of the degassing vessel and having an upper end located below the gas-liquid interface;
Provided between the barrier plates, the upper end is located above the gas-liquid interface and the lower end is composed of a baffle plate spaced from the bottom of the degassing container,
An ascending passage and a descending passage through which the reaction solution continuously flows are formed in the degassing container, and the gas-liquid interface is formed at a portion where the flow is reversed from the ascending passage to the descending passage. 14. The chemical substance production apparatus according to claim 12, wherein the chemical substance production apparatus is a chemical substance production apparatus.
前記空間部は前記邪魔板によって仕切られないことを特徴とする請求項14の化学物質の製造装置。   15. The chemical substance manufacturing apparatus according to claim 14, wherein the space portion is not partitioned by the baffle plate. 前記堰板の高さが前記脱ガス容器の入口から出口にいくに従って低くなっていることを特徴とする請求項14又は15の化学物質の製造装置。   16. The apparatus for producing a chemical substance according to claim 14, wherein the height of the weir plate is lowered from the entrance to the exit of the degassing vessel. 前記空間部の圧力を調整する圧力調整手段が設けられていることを特徴とする請求項14〜16の何れか1の化学物質の製造装置。   The chemical substance manufacturing apparatus according to any one of claims 14 to 16, further comprising pressure adjusting means for adjusting the pressure in the space. 前記脱ガス部には、前記反応液を加熱又は冷却して反応温度を制御する温度調整手段が設けられることを特徴とする請求項12〜17の何れか1の化学物質の製造装置。   The apparatus for producing a chemical substance according to any one of claims 12 to 17, wherein the degassing unit is provided with temperature adjusting means for controlling the reaction temperature by heating or cooling the reaction solution. 前記脱ガス部には、前記反応液に超音波を付与する超音波付与手段が設けられることを特徴とする請求項12〜18の何れか1の化学物質の製造装置。   The apparatus for producing a chemical substance according to any one of claims 12 to 18, wherein the degassing unit is provided with an ultrasonic wave applying means for applying an ultrasonic wave to the reaction liquid. 前記脱ガス容器内に形成された上昇通路の底部には、滞留を防止する流れを形成する攪拌機が設けられていることを特徴とする請求項14〜19の何れか1の化学物質の製造装置。   The chemical substance manufacturing apparatus according to any one of claims 14 to 19, wherein a stirrer for forming a flow for preventing stagnation is provided at a bottom of the rising passage formed in the degassing vessel. . 前記上昇通路に対する前記下降通路の通路断面積を異なるようにしたことを特徴とする請求項14〜20の何れか1の化学物質の製造装置。   21. The chemical substance manufacturing apparatus according to claim 14, wherein a cross-sectional area of the descending passage is different from that of the ascending passage. 前記脱ガス容器の内面、前記堰板の表面、前記邪魔板の表面には、前記ガスの気泡が付着しにくい表面加工が施されていることを特徴とする請求項14〜21の何れか1の化学物質の製造装置。   22. The surface treatment according to claim 14, wherein the inner surface of the degassing vessel, the surface of the barrier plate, and the surface of the baffle plate are subjected to a surface treatment that prevents the gas bubbles from adhering. Chemical substance manufacturing equipment. 前記反応液の流れが前記下降通路から前記上昇通路に反転する脱ガス容器の底部形状が円弧状に形成されることを特徴とする請求項14〜22の何れか1の化学物質の製造装置。   The chemical substance manufacturing apparatus according to any one of claims 14 to 22, wherein a bottom shape of a degassing container in which the flow of the reaction liquid is reversed from the descending passage to the ascending passage is formed in an arc shape. 請求項1〜11に記載の何れか1の化学物質の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする磁性粒子。   Magnetic particles produced using the method for producing a chemical substance according to any one of claims 1 to 11. 請求項12〜23に記載の何れか1の化学物質の製造装置を用いて製造されたことを特徴とする磁性粒子。   Magnetic particles produced using the chemical substance producing apparatus according to any one of claims 12 to 23. 請求項24又は25に記載の磁性粒子が磁性層に含有されていることを特徴とする磁気記録メディア。   A magnetic recording medium comprising the magnetic particles according to claim 24 or 25 in a magnetic layer.
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