JP2006269807A - 半導体発光ダイオード - Google Patents

Abstract

【課題】 光の取り出し効率を高めることができる半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 半導体層１０の第１クラッド層１１の側には、第１領域１０Ａに第１電極２０を設けると共に、それ以外の第２領域１０Ｂに高反射膜３０を設ける。半導体層１０の第２クラッド層１３の側には、第１領域１０Ａに対向する第３領域１０Ｃと、それ以外の第４領域１０Ｄとを設け、第４領域１０Ｄ内には第２電極４０を設けると共に、第３領域１０Ｃに対向するように半導体層１０の一部が削除された凹部５０を設ける。電流は凹部５０の周辺を流れ、高反射膜３０の上部で発光が生じ、その光は高反射膜３０で効率よく反射させて外部に取り出される。凹部５０は、活性層１２まで、あるいは、第１クラッド層１１の厚み方向一部まで削除して設けてもよい。更に、凹部５０の底面に反射膜を設け、凹部５０の側面から出射される光を反射させて外部に取り出すようにしてもよい。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体層を間に挟んで第１電極および第２電極を設けた半導体発光ダイオードに関する。

半導体発光ダイオード（ＬＥＤ；Light Emitting Diode）の高効率化にともない、図９に示したような薄膜型の構造が作製されている。この半導体発光ダイオードは、例えば、第１クラッド層１１１、活性層１１２および第２クラッド層１１３を順に積層した半導体層１１０を有し、半導体層１１０の下面には第１電極１２０および高反射膜１３０が設けられ、上面には第２電極１４０が設けられている。このような薄膜型の半導体発光ダイオードは、例えば、ＧａＡｓ等よりなる成膜用基板（図示せず）上に半導体層１１０、高反射膜１３０および第１電極１２０を形成し、エッチングなどにより成膜用基板を除去したのち第２電極１４０を設けることにより製造されたものであり、これにより成膜用基板による光の吸収をなくしている。

高反射膜１３０としては、いわゆるＯＤＲ（Omni Directional Reflector）構造が考案されている（例えば、非特許文献１参照。）。これは、ＳｉＯ₂ などよりなる誘電体膜１３１と、銀（Ａｇ）などよりなる金属膜１３２とを半導体層１１０側から順に積層し、且つ誘電体膜１３１の光学的厚みを波長の４分の１としたものである。
Ｔ．ゲスマン（Gessmann）、外１名，「ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス（the Journal of Applied Physics）」、（米国）、２００４年、第９５巻、第５号、ｐ．２２０３−２２１６

しかしながら、ＯＤＲ構造の高反射膜１３０を採用する場合には、誘電体膜１３１に開口１３０Ａを設け、この開口１３０Ａで第１電極１２０を直接半導体層１１０に接するようにする必要がある。また、第２電極１４０は、光の取り出し効率を高めるため、第１電極１２０と重ならない位置に部分的に形成する。ここで、第１クラッド層１１１がｐ型、第２クラッド層１１３がｎ型である場合、ｐ型の第１クラッド層１１１の抵抗率が高いので、図９の細点線の矢印で示したように、第１電極１２０の直上で活性層１１２を横切るような電流パスとなる。そのため、活性層１１２における発光は、図９の太点線の矢印で示したように、主に第１電極１２０の上部で生じる。第１電極１２０は金属なので、ある程度の反射率は保たれるものの、製造工程においてコンタクト性を良くするために熱処理を施し、半導体層１１０と合金化することにより、その反射率は低下してしまっている。このため、せっかく高反射膜１３０を形成したにもかかわらず、反射率の劣る第１電極１２０付近で主に発光するので、第１電極１２０で反射されてから取り出される光の損失が大きくなってしまい、高反射膜１３０が有効に活用されていないという問題があった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、光の取り出し効率を高めることができる半導体発光ダイオードを提供することにある。

本発明による半導体発光ダイオードは、第１クラッド層，活性層および第２クラッド層を順に積層した半導体層を備えた半導体発光ダイオードであって、半導体層の第１クラッド層の側には、第１領域と、それ以外の第２領域とがあり、第１領域には第１電極が設けられると共に、第２領域内には高反射膜が設けられており、半導体層の第２クラッド層の側には、第１領域に対向する第３領域と、それ以外の第４領域とがあり、第４領域内には第２電極が設けられると共に、第３領域の少なくとも一部には半導体層の一部を削除した凹部が設けられたものである。

本発明の半導体発光ダイオードによれば、第３領域の少なくとも一部に半導体層の一部を削除した凹部を設けるようにしたので、電流は凹部の周辺を流れることになり、高反射膜の上部で発光を生じさせることができる。よって、発生した光を高反射膜で効率よく反射させて外部に取り出すことができ、光の取り出し効率を高めることができる。

特に、凹部を、第３領域を超えて第４領域にかかるように形成すれば、第１電極の上部で発光する成分をなくすことができ、光の取り出し効率を更に上昇させることができる。

また、凹部の底面の少なくとも一部に反射膜を設けるようにすれば、凹部の側面から出射された光を反射膜で反射させて外部に取り出すことができ、光の取り出し効率を更に向上させることができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光ダイオードの平面構成を表したものであり、図２はその断面構成を表したものである。この半導体発光ダイオードは、例えばディスプレイに用いられるものであり、第１クラッド層１１、活性層１２および第２クラッド層１３を順に積層した半導体層１０を備えた薄膜型のものである。

半導体層１０の第１クラッド層１１の側には、第１領域１０Ａと、それ以外の第２領域１０Ｂとがあり、第１領域１０Ａには第１電極２０が設けられると共に、第２領域１０Ｂには高反射膜３０が設けられている。半導体層１０の第２クラッド層１３の側には、第１領域１０Ａに対向する第３領域１０Ｃと、それ以外の第４領域１０Ｄとがあり、第４領域１０Ｄ内には第２電極４０が設けられると共に、第３領域１０Ｃに対向するように半導体層１０の一部が削除された凹部５０が設けられている。これにより、この半導体発光ダイオードでは、図２の細点線の矢印で示したように、電流が凹部５０の周辺を流れるようになり、図２の太点線の矢印で示したように、高反射膜３０の上部で発光を生じさせ、その光を高反射膜３０で効率よく反射させて外部に取り出すことができるようになっている。

なお、第２領域１０Ｂは第１領域１０Ａ以外の領域全部であり、第４領域１０Ｄは第３領域１０Ｃ以外の領域全部である。高反射膜３０は必ずしも第２領域１０Ｂの全部に形成されている必要はなく、第２領域１０Ｂの一部に形成されていてもよい。第２電極４０は、発光領域を広くするため、第４領域１０Ｄの一部に形成されている。

半導体層１０の第１クラッド層１１は、例えば、積層方向における厚み（以下、単に「厚み」という。）が１μｍないし６μｍ程度であり、ｐ型（Ａｌ_0.7 Ｇａ_0.3 ）_0.5 Ｉｎ_0.5 Ｐまたはｐ型Ａｌ_0.5 Ｉｎ_0.5 Ｐにより構成されている。活性層１２は例えばＧａ_0.5 Ｉｎ_0.5 Ｐにより構成されている。第２クラッド層１３は、例えば、厚みが１μｍないし６μｍ程度であり、ｎ型（Ａｌ_0.7 Ｇａ_0.3 ）_0.5 Ｉｎ_0.5 Ｐまたはｎ型Ａｌ_0.5 Ｉｎ_0.5 Ｐにより構成されている。

第１電極２０は、例えば直径１０μｍの円形とされ、半導体層１０の下面に二次元配置されている。第１電極２０は、例えば、金ゲルマニウム（ＡｕＧｅ）層，ニッケル（Ｎｉ）層および金（Ａｕ）層を半導体層１０側から順に積層した構成を有し、高反射膜３０の開口３０Ａで第１クラッド層１１に電気的に接続されている。

高反射膜３０は、ＳｉＯ₂ などよりなる誘電体膜３１と、アルミニウム（Ａｌ）または金などよりなる金属膜３２とを半導体層１０側から順に積層し、且つ誘電体膜３１の光学的厚みを波長の４分の１としたＯＤＲ構造を有している。

なお、第１電極２０および高反射膜３０の下面には、金（Ａｕ）などよりなる接着層を間にしてＧａＡｓなどよりなる支持基板（図２には図示せず、図４（Ｃ）参照。）が配設され、この支持基板の下面には裏面電極（図２には図示せず、図４（Ｃ）参照。）が形成されている。この裏面電極は、支持基板および接着層を介して第１電極２０に電気的に接続されている。

第２電極４０は、例えば桟状に形成されている。第２電極４０は、例えば、チタン（Ｔｉ）層，白金（Ｐｔ）層および金層を半導体層１０側から順に積層した構成を有し、第２クラッド層１３に電気的に接続されている。

凹部５０は、積層方向において、例えば、第２クラッド層１３の少なくとも一部まで削除されている。また、凹部５０は、第３領域１０Ｃの少なくとも一部に設けられていればよい。第１電極２０の上部で発光する成分が減少し、高反射膜３０の上部で発光する成分が増加するので、光の取り出し効率を上昇させることができるからである。

更に、凹部５０は、第３領域１０Ｃを超えて第４領域１０Ｄにかかるように形成されていることが好ましい。第１電極２０の上部で発光する成分をなくすことができ、光の取り出し効率をより上昇させることができるからである。

このように凹部５０を第３領域１０Ｃを超えて大きくする場合、凹部５０と第１電極２０との最短距離Ｄは５μｍ以内であることが好ましい。凹部５０が大きいほど発光出力の向上の点からは有利であるが、大きすぎると、電流は、抵抗の高いｐ型の第１クラッド層１１内を長距離にわたって流れなければならなくなり、直列抵抗成分が増加して動作電圧の上昇を招くおそれがあるからである。すなわち、本実施の形態では第１電極２０が直径１０μｍの円形であるので、凹部５０は最大で直径２０μｍの円形であることが好ましい。ここで、凹部５０と第１電極２０との最短距離Ｄとは、凹部５０の底面の端縁と第１電極２０の端縁との間の距離をいう。

なお、半導体層１０の上には、更に、透明樹脂層（図示せず）が設けられている。この透明樹脂層は、空気（屈折率１）と半導体層１０（屈折率約３）との屈折率差を緩和し、全反射を抑制するためのものであり、シリコーン樹脂などの屈折率約１．５程度の材料により構成されている。また、透明樹脂層は、半導体層１０を外気から遮断するための保護層としての機能も有している。透明樹脂層は、光の取り出し効率を高めるため、多数の半導体発光ダイオードにより構成されたチップに対して半球状に盛られていることが望ましい。

この半導体発光ダイオードは、例えば次のようにして製造することができる。

まず、例えば、図３（Ａ）に示したように、ＧａＡｓよりなる成膜用基板６０を用意し、この成膜用基板６０の上に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成長）法により、上述した厚みおよび材料よりなる第２クラッド層１３、活性層１２および第１クラッド層１１を順に成膜し、半導体層１０を形成する。次いで、同じく図３（Ａ）に示したように、半導体層１０の上に、例えば蒸着法により、誘電体層３１および金属膜３２を順に成膜し、高反射膜３０を形成する。

続いて、図３（Ｂ）に示したように、高反射膜３０に開口３０Ａを形成し、この開口３０Ａに上述した材料よりなる第１電極２０を形成する。これにより、半導体層１０の下面においては、第１領域１０Ａに第１電極２０が設けられ、それ以外の第２領域１０Ｂには高反射膜３０が設けられる。

第１電極２０を形成したのち、図４（Ａ）に示したように、第１電極２０および高反射膜３０の下面に、金などよりなる接着層７０，８０を間にしてＧａＡｓなどよりなる支持基板９０を貼り合わせる。その際、例えば、第１電極２０および高反射膜３０の下面に、最表面に金層を有する多層金属膜よりなる接着層７０を形成する一方、支持基板９０の一面に金よりなる接着層８０を形成し、加熱および加圧することにより接着層７０の最表面の金層と接着層８０とを貼り合わせる。

第１電極２０および高反射膜３０の下面に支持基板９０を貼り合わせたのち、図４（Ｂ）に示したように、成膜用基板６０を除去する。その際、成膜用基板６０の厚み方向一部を研削（ラッピング）したのち、残部を例えばウェットエッチングにより除去する。なお、第２クラッド層１３は四元系材料よりなるので、ウェットエッチングにより成膜用基板６０のみを選択的に除去することができる。

成膜用基板６０を除去したのち、図５（Ａ）に示したように、第２クラッド層１３上に図示しないフォトレジスト層を形成し、このフォトレジスト層をマスクとして例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching ；反応性イオンエッチング）法により、第１領域１０Ａに対向する第３領域１０Ｃにおいて第２クラッド層１３の一部を選択的に除去すると共に、積層方向において第２クラッド層１３まで削除することにより、凹部５０を形成する。その際、アルミニウム組成比の高い層のエッチング選択比が高いエッチャントを使用することにより、第２クラッド層１３と活性層１２との境界面でエッチングを停止させることができる。なお、このとき、凹部５０を、第３領域１０Ｃを越えて第４領域１０Ｄにかかるように形成することが好ましい。

凹部５０を設けたのち、図５（Ｂ）に示したように、第４領域１０Ｄ内に上述した材料よりなる第２電極４０を形成する。また、支持基板９０を裏側から所定の厚みに研削して、上述した材料よりなる裏面電極９１を形成する。これにより、図１および図２に示した半導体発光ダイオードが完成する。

この半導体発光ダイオードでは、第１電極２０と第２電極４０との間に所定の電圧が印加されると、活性層１２に電流が注入されて、電子−正孔再結合により発光が起こる。ここでは、第１領域１０Ａに対向するように第２クラッド層１３の厚み方向全部を削除した凹部５０が設けられているので、図２の細点線の矢印で示したように、電流は凹部５０の周辺を流れる。よって、図２の太点線の矢印で示したように、高反射膜３０の上部で発光が生じ、その光は高反射膜３０で効率よく反射して外部に取り出される。

なお、この半導体発光ダイオードを上述した製造方法により実際に作製し、得られた半導体発光ダイオードについて光出力を調べたところ、図９に示した従来構造のものに比べて約１４％の光出力の向上が認められた。

このように本実施の形態では、第３領域１０Ｃに凹部５０を設けるようにしたので、高反射膜３０の上部で発光を生じさせ、その光を高反射膜３０で効率よく反射させて外部に取り出すことができ、光の取り出し効率を向上させることができる。

また、凹部５０を、第３領域１０Ｃを超えて第４領域１０Ｄにかかるように形成したので、第１電極２０の上部で発光する成分をなくすことができ、光の取り出し効率を更に上昇させることができる。

なお、本実施の形態では、発光色が赤の場合について説明したが、青または緑でもよい。その場合、半導体層１０の構成材料としては、例えば、第１クラッド層１１はｐ型ＧａＮ、活性層１２はＧａＩｎＮ、第２クラッド層１３はｎ型ＧａＮにより構成され、活性層１２に含まれるインジウム組成比は、青では０．１５ないし０．２５、緑では０．３以下、例えば０．２５程度とすることが好ましい。高反射膜３０の金属膜３２は、アルミニウムのほか、例えば銀により構成してもよい。また、製造工程においては、成膜用基板６０として、例えばサファイアよりなるものを用いることができる。支持基板９０としては、ＧａＡｓのほか、ゲルマニウム（Ｇｅ）または銅モリブデン（ＣｕＭｏ）よりなるものが挙げられる。特に、銅モリブデンよりなる支持基板９０は、熱はけが良いので好ましい。

（第２の実施の形態）
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体発光ダイオードの断面構造を表したものである。この半導体発光ダイオードは、凹部５０を、積層方向において、活性層１２まで削除して設けるようにしたことを除いては、第１の実施の形態の半導体発光ダイオードと同一の構成を有している。

凹部５０は、積層方向において、必ずしも活性層１２の全部が削除されている必要はなく、活性層１２の少なくとも一部まで削除されていればよい。また、凹部５０は、第１の実施の形態と同様に、第３領域１０Ｃを超えて第４領域１０Ｄにかかるように形成されていることが好ましい。また、凹部５０と第１電極２０との最短距離Ｄは、第１の実施の形態と同様に、５μｍ以下であることが好ましい。

この半導体発光ダイオードは、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。

この半導体発光ダイオードでは、第１の実施の形態と同様に、第１電極２０と第２電極４０との間に所定の電圧が印加されると、活性層１２に電流が注入されて、電子−正孔再結合により発光が起こる。ここでは、凹部５０が、積層方向において、活性層１２まで削除されているので、第１電極２０の上部における発光が確実に抑制され、高反射膜３０の上部で発光が生じ、その光は高反射膜３０で効率よく反射して外部に取り出される。

このように本実施の形態では、凹部５０を、積層方向において、活性層１２まで削除して設けるようにしたので、第１電極２０の上部で発光が生じることを確実に抑制することができ、光の取り出し効率をより向上させることができる。

（第３の実施の形態）
図７は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体発光ダイオードの断面構造を表したものである。この半導体発光ダイオードは、凹部５０を、積層方向において、第１クラッド層１１の一部まで削除して設けるようにしたことを除いては、第１の実施の形態の半導体発光ダイオードと同一の構成を有している。

凹部５０は、第１の実施の形態と同様に、第３領域１０Ｃを超えて第４領域１０Ｄにかかるように形成されていることが好ましい。また、凹部５０と第１電極２０との最短距離Ｄは、第１の実施の形態と同様に、５μｍ以下であることが好ましい。

第１クラッド層１１の残部の厚みは例えば１μｍ程度であることが好ましい。凹部５０が深すぎて第１クラッド層１１の残部の厚みがあまりに薄いと、抵抗成分が大きくなってしまうおそれがあるからである。

この半導体発光ダイオードは、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。

この半導体発光ダイオードでは、第１の実施の形態と同様に、第１電極２０と第２電極４０との間に所定の電圧が印加されると、活性層１２に電流が注入されて、電子−正孔再結合により発光が起こる。ここでは、凹部５０が第２クラッド層１３と、活性層１２と、第１クラッド層１１の厚み方向一部とを削除して設けられているので、第１電極２０の上部における発光が確実に抑制され、図７の太点線の矢印で示したように、高反射膜３０の上部で発光が生じ、その光は高反射膜３０で効率よく反射して外部に取り出される。

このように本実施の形態では、凹部５０を、積層方向において、第１クラッド層１１の一部まで削除して設けるようにしたので、第１電極２０の上部で発光が生じることを確実に抑制することができ、光の取り出し効率をより向上させることができる。

（第４の実施の形態）
図８は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体発光ダイオードの断面構造を表したものである。この半導体発光ダイオードは、凹部５０の底面に反射膜５１を有することを除いては、第３の実施の形態の半導体発光ダイオードと同一の構成を有している。

反射膜５１は、凹部５０の側面から出射された光を反射させるものである。凹部５０の側面近傍は電流が流れやすく発光も起こりやすいが、そこで発生した光は凹部５０の側面から出射され、再度第１クラッド層１１の結晶中に入射してしまうおそれがある。しかし、凹部５０の底面に反射膜５１を設けることにより、凹部５０の側面から出射された光が再度第１クラッド層１１の結晶中に入射されることを妨げ、光の取り出し効率を更に向上させることができる。

なお、反射膜５１は、凹部５０の底面の少なくとも一部に設けられていればよいが、凹部５０の底面の全部に設けるようにすればより好ましい。光の取り出し効率をより高めることができるからである。

反射膜５１は、高反射膜３０の金属膜３２と同一の材料により構成されている。また、反射膜５１は、金属膜の単層構造に限られず、例えば、高反射膜３０と同様に誘電体膜と金属膜とを第１クラッド層１１側から順に積層した構造としてもよい。これにより、反射膜５１の金属膜と半導体層１０の第１クラッド層１１との絶縁性を保つことができる。

この半導体発光ダイオードは、凹部５０を形成したのち、凹部５０の底面に反射膜５１を形成することを除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。

この半導体発光ダイオードでは、第１の実施の形態と同様に、第１電極２０と第２電極４０との間に所定の電圧が印加されると、活性層１２に電流が注入されて、電子−正孔再結合により発光が起こる。ここでは、凹部５０の底面に反射膜５１が設けられているので、図８の太点線の矢印で示したように、凹部５０の側面から出射された光は、反射膜５１で反射され、再度第１クラッド層１１の結晶中に入射してしまうことなく外部に取り出される。

このように本実施の形態では、凹部５０の底面に反射膜５１を設けるようにしたので、凹部５０の側面から出射された光を反射膜５１で反射させて外部に取り出すことができ、光の取り出し効率を更に向上させることができる。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、第１電極２０が円形であり、凹部５０も円形である場合について説明したが、第１電極２０および凹部５０の形状は円形に限られず、例えば第１電極２０が四角形、凹部５０も四角形であってもよい。この場合も、凹部５０と第１電極２０との最短距離Ｄは５μｍ以下であることが好ましい。

また、凹部５０の形状は必ずしも第１電極２０の相似形である必要はなく、例えば、第１電極２０は円形で、凹部５０は四角形または溝形状などであってもよい。この場合にも、凹部５０は、第３領域１０Ｃを超えて第４領域１０Ｄにかかるように形成されていることが好ましい。また、凹部５０と第１電極２０との最短距離Ｄは５μｍ以下であることが好ましい。

更に、凹部５０の側面は必ずしも傾斜面である必要はなく、垂直面であってもよい。

加えて、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、半導体層１０の構成材料を具体的に挙げて説明したが、半導体層１０は、３Ｂ族元素のうちアルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうちリン（Ｐ）とを含む他のリン系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されていてもよい。あるいは、半導体層１０は、３Ｂ族元素のうちアルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうち窒素（Ｎ）とを含む他の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されていてもよい。

更にまた、例えば、上記実施の形態では、半導体層１０をＭＯＣＶＤ法により形成する場合について説明したが、ＭＯＶＰＥ法等の他の有機金属気相成長法により形成してもよく、あるいは、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキシー）法等を用いてもよい。

加えてまた、例えば、上記実施の形態では、半導体発光ダイオードの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また他の層を更に備えていてもよい。例えば、半導体層１０は、第１クラッド層１１，活性層１２および第２クラッド層１３のほかに、第１電極２０または第２電極４０とのコンタクト性を高めるためのコンタクト層を有していてもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光ダイオードの全体構成を表す平面図である。 図１に示した半導体発光ダイオードのＩＩ−ＩＩ線における断面図である。 図１に示した半導体発光ダイオードの製造方法を工程順に表す断面図である。 図３に示した工程に続く工程を表す断面図である。 図４に示した工程に続く工程を表す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体発光ダイオードの構成を表す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る半導体発光ダイオードの構成を表す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る半導体発光ダイオードの構成を表す断面図である。 従来の半導体発光ダイオードの構成を表す断面図である。

符号の説明

１０…半導体層、１０Ａ…第１領域、１０Ｂ…第２領域、１０Ｃ…第２領域に対向する領域、１０Ｄ…第１領域に対向する領域、１１…第１クラッド層、１２…活性層、１３…第２クラッド層、２０…第１電極、３０…高反射膜、３１…誘電体層、３２…金属膜、４０…第２電極、５０…凹部、５１…反射膜

Claims (8)

1. 第１クラッド層，活性層および第２クラッド層を順に積層した半導体層を備えた半導体発光ダイオードであって、
   前記半導体層の前記第１クラッド層の側には、第１領域と、それ以外の第２領域とがあり、前記第１領域には第１電極が設けられると共に、前記第２領域内には高反射膜が設けられており、
   前記半導体層の前記第２クラッド層の側には、前記第１領域に対向する第３領域と、それ以外の第４領域とがあり、前記第４領域内には第２電極が設けられると共に、前記第３領域の少なくとも一部には前記半導体層の一部を削除した凹部が設けられた
   ことを特徴とする半導体発光ダイオード。
2. 前記凹部は、前記第３領域を超えて前記第４領域にかかるように形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光ダイオード。
3. 前記凹部は、積層方向において、前記第２クラッド層の少なくとも一部まで削除されたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光ダイオード。
4. 前記凹部は、積層方向において、前記活性層の少なくとも一部まで削除されたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光ダイオード。
5. 前記凹部は、積層方向において、前記第１クラッド層の一部まで削除されたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光ダイオード。
6. 前記凹部の底面の少なくとも一部に反射膜を有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光ダイオード。
7. 前記半導体層は、３Ｂ族元素のうちアルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうちリン（Ｐ）とを含むリン系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光ダイオード。
8. 前記半導体層は、３Ｂ族元素のうちアルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）のうちの少なくとも１種と、５Ｂ族元素のうち窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光ダイオード。
   

Images