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JP2006269133A - Meaおよびその製造方法 - Google Patents

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JP2006269133A JP2005082645A JP2005082645A JP2006269133A JP 2006269133 A JP2006269133 A JP 2006269133A JP 2005082645 A JP2005082645 A JP 2005082645A JP 2005082645 A JP2005082645 A JP 2005082645A JP 2006269133 A JP2006269133 A JP 2006269133A
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Takao Maruyama
高生 丸山
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Nissan Motor Co Ltd
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Abstract

【課題】 電解質膜のプロトン伝導度を低下させることなく化学的な劣化に対する耐久性の向上したMEAを提供する。
【解決手段】 本発明は、電解質膜と前記電解質膜を挟持する一対の触媒層とを含むMEAであり、前記電解質膜と前記触媒層とに含まれる固体高分子電解質は、無機酸化物と、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物とを含むことを特徴とするMEAにより上記課題を解決する。
【選択図】 なし

Description

本発明は燃料電池用のMEAおよびその製造方法に関する。より詳細には、化学的耐久性を向上させたMEAおよびその製造方法に関する。
燃料電池は、エネルギー問題を解決する発電システムとして注目され、特に固体高分子型燃料電池(PEFC)は、他の燃料電池と比較し低温で作動することから、自動車等の移動体用動力源として期待されている。
固体高分子型燃料電池の技術的課題の一つとして、触媒層で発生し、MEA中に拡散するHに起因する膜・電極接合体(以下、MEAと記載する)の化学的な劣化の防止が挙げられる。詳しいメカニズムは必ずしも明らかになっていないが、HによるMEAの劣化は、ラジカル化したHがMEAの構成要素である触媒層と電解質膜とに含まれる固体高分子電解質を劣化することが原因であると考えられている。非特許文献1では、電解質膜への不純物の混入の影響を考え、種々のイオンでイオン交換したナフィオン(登録商標)膜の耐性試験を行ったところ、発生したHおよびFeイオンにより下記化学式1に示すFenton反応が引き起こされてヒドロキシラジカルが発生し、ナフィオン(登録商標)膜が劣化したことが報告されている。
触媒層に含まれる固体高分子電解質が劣化すると、固体高分子電解質に担持されていた電極触媒同士が凝集したり、ガスの拡散経路が塞がれたりするため触媒活性が低下し、電解質膜に含まれる固体高分子電解質が劣化すると、プロトン伝導性が低下して電池性能が低下する。
による固体高分子電解質の劣化を防止する方法として、特許文献1には、過酸化物を接触分解する触媒能を有する遷移金属酸化物を高分子電解質材料中に分散させ、発生したHをHOとOとに分解する方法が開示されている。
特開2001−118591号公報 新エネルギー・産業技術総合開発機構、平成13年度成果報告書固体高分子形燃料電池の研究開発 固体高分子形燃料電池の劣化要因に関する研究 劣化要因の基礎研究(1)電極触媒/電解質界面の劣化要因、24ページ
しかしながら、上述の特許文献1に記載の方法を用いると電解質膜のプロトン伝導度が低下し、更に、遷移金属酸化物のみを添加することで遷移金属酸化物の使用量も多くなるため材料コストが上昇する。
本発明は、電解質膜のプロトン伝導度を低下させることなく化学的な劣化に対する耐久性の向上したMEAを提供することを目的とする。
本発明者は、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物と、無機酸化物とを併用することにより、プロトン伝導度を低下させることなく、触媒層および電解質膜の化学的耐久性を向上させられることを見出した。すなわち本発明は、電解質膜と前記電解質膜を挟持する一対の触媒層とを含むMEAであり、前記電解質膜と前記触媒層とに含まれる固体高分子電解質は、無機酸化物と、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物とを含むことを特徴とするMEAにより上記課題を解決する。
本発明により電解質膜のプロトン伝導度を低下させることなく化学的耐久性の向上したMEAを得ることができる。
本発明の第一は、電解質膜と前記電解質膜を挟持する一対の触媒層とを含むMEAであり、前記電解質膜と前記触媒層とに含まれる固体高分子電解質は、無機酸化物と、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物とを含むMEAである。
本発明のMEAの構成要素である電解質膜および触媒層、ならびにこれらの構成材料について詳細に説明する。
(電解質膜)
電解質膜は、固体高分子電解質からなる膜に無機酸化物と、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物とを分散させたものから成り、電解質膜に無機酸化物と、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物とを含むことにより電解質膜の化学的耐久性を向上できる点で好ましく、触媒層にのみ含む場合と比較して電解質膜の化学的耐久性をより向上させられることができるといった点で好ましい。H分解能を有する金属、およびH分解能を有する金属酸化物、無機酸化物、固体高分子電解質の詳細については後述する。電解質膜の膜厚は、得られる燃料電池の特性を考慮して適宜決定することができるが、5〜300μmが好ましく、より好ましくは10〜200μm、特に好ましくは15〜150μmである。電解質膜の膜厚が5μm以上であると製膜時の強度や燃料電池作動時の耐久性の点から好ましく、300μm以下であると燃料電池作動時の出力特性の点から好ましい。
(触媒層)
触媒層は、電極触媒、無機酸化物、ならびに、H分解能を有する金属および/または金属酸化物を分散させた固体高分子電解質を含み、触媒層にH分解能を有する金属および/または金属酸化物を含むことにより触媒層の化学的耐久性を向上できる点で好ましい。H分解能を有する金属、およびH分解能を有する金属酸化物、無機酸化物、固体高分子電解質の詳細については後述する。
触媒層に用いられる電極触媒として、Ru;Rh;Pa;Os;Pt;Al、Si、P、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Ge、Se、Zr、Mo、Sn、Sb、Te、V、W、Re、Ir、Ti、ZnおよびBiよりなる群から選択される少なくとも1種とRu、Rh、Pa、Os、およびPtよりなる群から選択される少なくとも1種との合金;またはこれらの合金などを用いることができる。
触媒層の厚さは特に限定されないが、0.1〜100μmが好ましく、より好ましくは1〜20μmである。触媒層の厚さが0.1μm以上であると所望する発電量が得られる点で好ましく、100μm以下であると高出力を維持できる点で好ましい。
(H分解能を有する金属)
分解能を有する金属は、特に限定されないが貴金属からなることが好ましい。貴金属としては、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt、Auが好ましく、より好ましくはPtである。これらは一種単独で用いても良いし、二種以上を併用してもよい。これらを用いることにより効果的にHを分解することができる点で好ましい。
分解能を有する金属の平均粒径は0.1〜1000nmが好ましく、より好ましくは1〜100nmである。H分解能を有する金属の平均粒径が0.1nm以上であると望ましいH分解効果を示す点で好ましく、1000nm以下であると粒径に見合ったH分解能を得られる点で好ましい。平均粒径は、X線回折により求められる結晶子径、または透過型電子顕微鏡像より得られる粒子の粒径から、平均値を求めることにより得ることができる。
(H分解能を有する金属酸化物)
分解能を有する金属酸化物は、特に限定されないが遷移金属酸化物からなることが好ましい。遷移金属酸化物としては酸化マンガン、酸化ルテニウム、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化クロム、酸化イリジウム、および酸化鉛が好ましく、より好ましくはMnOである。これらは一種単独で用いても良いし、二種以上を併用してもよい。これらを用いることにより効果的にHを分解することができる点で好ましい。
遷移金属酸化物の平均粒径は0.1〜1000nmが好ましく、より好ましくは1〜500nmである。遷移金属酸化物の平均粒径が0.1nm以上であると望ましいH分解効果を示す点で好ましく、1000nm以下であると粒径に見合ったH分解能を得られる点で好ましい。平均粒径は、X線回折により求められる結晶子径、または透過型電子顕微鏡像より得られる粒子の粒径から、平均値を求めることにより得ることができる。
分解能を有する金属とH分解能を有する金属酸化物とは、単独で用いても良いし併用してもよい。
分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物の分散度は、電解質膜では1〜1010個/cmが好ましく、より好ましくは10〜1010個/cmであり、分散度が前記範囲内であると効率的にHを分解することができる。触媒層では1〜10個/cmが好ましく、より好ましくは1〜10個/cmであり、分散度が前記範囲内であると効率的にHを分解することができる。なお、電解質膜および触媒層における、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物の分散度は、電解質膜および触媒層の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)で撮影し、SEM撮影写真から粒子の個数を数え、単位面積当りの粒子数を算出した値とする。
(無機酸化物)
電解質膜および触媒層に無機酸化物を含むことにより、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物を電解質膜および触媒層に添加した際に発生するプロトン伝導度の低下を防止することができる。
無機酸化物を含むことによりプロトン伝導度の低下を防止することができる理由としては、無機酸化物がプロトン伝導度を向上させる作用を有し、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物を添加することにより生じるプロトン伝導度の低下分を相殺できるためであると考えられる。
より詳細に述べると、図1に示すように、無機酸化物を添加していないナフィオン(登録商標)膜(図1中ではS5と記載)およびスルホン化ポリエーテルスルホン膜(S−PES膜、図1中ではS6と記載)と、ナフィオン(登録商標)膜に無機酸化物としてSiOを添加した膜(図1中ではS1、S2と記載)およびS−PES膜にSiOを添加した膜(図1中ではS3と記載)とでは、SiOを添加していない膜に比べてSiOを添加した膜の方がプロトン伝導度が向上していることがわかる。無機酸化物がプロトン伝導度を向上させる仕組みについては明らかではないが、図1において、40℃かつ相対湿度30%(図1中では40℃/30%RHと記載)でプロトン伝導度を測定した結果、60℃かつ相対湿度60%(図1中では60℃/60%RHと記載)でプロトン伝導度を測定した結果、および80℃かつ相対湿度95%(図1中では80℃/95%RHと記載)でプロトン伝導度を測定した結果では、最も低過湿状態である40℃/30%RHにおいて無機酸化物の効果が顕著であることから、無機酸化物が水分を保持することにより無機酸化物を添加した膜の保水性が向上し、その結果プロトン伝導度が向上するのではないかと予想される。S1、S2、S3、S5、S6の膜の作製方法の詳細については後述の参考例1〜3、5、6の項に記載する。
更に、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物を無機酸化物に担持させると、これらの金属および金属酸化物がプロトンの伝導を阻害することを抑制できる点で好ましく、また、これらの金属および金属酸化物の凝集を抑制し、無機酸化物に担持させない場合よりも高分散で担持することができ、これらの金属および金属酸化物の使用量をより少量で済ませることができる点でも好ましい。
無機酸化物は、特に限定されないがSiO、ZrO、Fe、Al、およびゼオライトからなる群より選択される少なくとも一種であることが好ましく、より好ましくはSiOである。これらを用いると、触媒層および電解質膜の保水性を向上させられるため好ましい。
無機酸化物の粒径は0.001〜1μmが好ましく、より好ましくは0.01〜0.5μmである。粒径が0.001μm以上であるとH分解能を有する金属またはH分解能を有する金属酸化物を高分散させられるため好ましく、1μm以下であると水への分散性が高まる点や電解質膜および触媒層の厚みを薄くできる点で好ましい。無機酸化物はポーラス構造など、高比表面積を有していることが好ましい。
無機酸化物の比表面積としては50〜550m/gであることが好ましく、より好ましくは200〜550m/gである。無機酸化物の比表面積が前記範囲内であると細孔中にもH分解能を有する金属および/またはH分解能を有する遷移金属酸化物が配置され、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する遷移金属酸化物を高分散させられる。比表面積はBET測定装置により測定することができる。
触媒層の場合、無機酸化物とH分解能を有する金属との質量比は30:1〜0.6:1が好ましく、質量比が前記範囲内にあるとHの分解効率が高い。無機酸化物とH分解能を有する金属酸化物との質量比は30:1〜0.6:1が好ましく、質量比が前記範囲内にあるとHの分解効率が高い。
電解質膜の場合、無機酸化物とH分解能を有する金属との質量比は30:1〜0.6:1が好ましく、質量比が前記範囲内にあるとHの分解効率が高いため好ましい。無機酸化物とH分解能を有する金属酸化物との質量比は30:1〜0.6:1が好ましく、質量比が前記範囲内にあるとHの分解効率が高い。
(固体高分子電解質)
本願で用いられる固体高分子電解質としては特に限定されず公知のものを用いることができるが、高いプロトン伝導度を有するものが好ましく、より好ましくはパーフルオロカーボン重合体およびハイドロカーボン重合体である。パーフルオロカーボン重合体としては、デュポン株式会社製ナフィオン(登録商標)、旭硝子株式会社製フレミオン(登録商標)、旭化成ケミカルズ株式会社製アシプレックス(登録商標)などが挙げられる。ハイドロカーボン重合体としては、S−PESおよびS−PEKなどが挙げられる。これらは、一種単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。電解質膜と電極とで同じものを用いてもよいし、異なるものを用いても良い。
電解質膜において、固体高分子電解質とH分解能を有する金属との質量比は1200:1〜1.2:1が好ましく、質量比が前記範囲内にあるとHの分解効率が高い。固体高分子電解質とH分解能を有する金属酸化物との質量比は1200:1〜1.2:1が好ましく、質量比が前記範囲内にあるとHの分解効率が高い。
触媒層において、固体高分子電解質とH分解能を有する金属との質量比は1200:1〜1.2:1が好ましく、質量比が前記範囲内にあるとHの分解効率が高い。固体高分子電解質とH分解能を有する金属酸化物との質量比は1200:1〜1.2:1が好ましく、質量比が前記範囲内にあるとHの分解効率が高い。
本発明の第二は、上述のMEAを含む固体高分子型燃料電池である。
上述のMEAを、固体高分子型燃料電池に含むことにより、プロトン伝導度を低下させることなく化学的耐久性の向上した固体高分子型燃料電池を得ることができる。更に、一般的には酸化剤ガスの湿度が低い方が固体高分子電解質の劣化が顕著であるが、これは供給される酸化剤ガスの湿度が低い場合には発生したHの濃度が薄められることがなく、発電に伴い発生する水と共に排出され難いためであると考えられる。しかし、本発明の固体高分子型燃料電池では、H分解能を有する金属および/または金属酸化物が効率よくHを分解するため、低加湿状態でも優れた化学的耐久性を示すことができる。
図2に固体高分子型燃料電池の断面模式図を例示するが、本発明はこれに限定されない。図2において固体高分子型燃料電池は、電解質膜110を挟持するアノード側触媒層120aとカソード側触媒層120bとからなるMEA100と、MEA100を挟持するアノード側ガス拡散層130aとカソード側ガス拡散層130bとを含み、アノード側ガス拡散層130aのMEAと接していない面には、燃料ガス供給溝141aを備えたアノード側セパレーター140aが配置され、カソード側ガス拡散層130bのMEAと接していない面には、酸化剤ガス供給溝141bを備えたカソード側セパレーター140bが配置される。MEA以外の固体高分子型燃料電池の構成要素は、従来公知の技術を適用することができる。
本発明の第三は、電解質膜と前記電解質膜を挟持する一対の触媒層とからなるMEAの製造方法であり、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物を無機酸化物に担持させてから固体高分子電解質に分散させる工程を含むMEAの製造方法である。
(電解質膜の製造方法)
分解能を有する金属としてPt、無機酸化物としてSiOを用い、PtをSiOに担持させてから固体高分子電解質に分散させる場合の電解質膜の製造方法の一例を以下に示すが、本発明はこれに限定されない。
粒状のSiOをPt(NHCl溶液に加えて攪拌後に還元剤を添加してPt粒子をSiO表面に析出させた後に、焼成することでPt担持SiOを得る。次に、Pt担持SiOをボールミルにより粉砕して水に分散した後、固体高分子電解質を溶解した溶液に添加してインクを得る。インクを基材に塗布して乾燥することによりPt担持SiOが分散された電解質膜を得ることができる。
(触媒層の製造方法)
電極触媒としてPt、H分解能を有する金属としてPt、無機酸化物としてSiOを用い、PtをSiOに担持させてから固体高分子電解質に分散させる場合の触媒層の製造方法の一例を以下に示すが、本発明はこれに限定されない。
粒状のSiOをPt(NHCl溶液に加えて攪拌後に還元剤を添加してPt粒子をSiO表面に析出させた後に、焼成することでPt担持SiOを得る。次に、Pt担持SiOを水に分散したものとPt/Cが分散した溶液とを、固体高分子電解質を溶解した溶液に添加し、インクを得る。インクを電解質膜に塗布して乾燥することによりPt担持SiOが分散された触媒層を得ることができる。
電解質膜の製造方法および触媒層の製造方法において、H分解能を有する金属としてPtを析出させる場合にはPt(NHCl溶液の他にもPt(NHCl溶液、塩化白金酸溶液またはジニトロジアミン白金錯体溶液などを用いることができ、Ruを析出させる場合にはRuCl・3HOを用いることができ、Rhを析出させる場合にはRh(NO・4HOを用いることができ、Pdを析出させる場合にはPd(NH(NOを用いることができ、Agを析出させる場合にはAgNOを用いることができ、Osを析出させる場合にはOsClを用いることができ、Irを析出させる場合にはIrClを用いることができ、Auを析出させる場合にはHAuCl・4HOを用いることができる。H分解能を有する金属酸化物としてMnOを析出させる場合には硝酸マンガン水溶液などを用いることができる。還元剤としてはNaBH、有機酸類、アルコール類、アルデヒド類、水酸化ホウ素ナトリウムおよびヒドラジンなどを用いることができる。H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物の析出量、粒径、および分散度などは公知の技術を用いることにより適宜調節することができる。固体高分子電解質の溶媒としては、イソプロピルアルコール(IPA)と水との混合物などを用いることができる。焼成の際の温度は150〜400℃が好ましい。H分解能を有する金属、H分解能を有する金属酸化物、無機酸化物の好ましい例については、上述の各項で述べたとおりである。インクの塗布はダイコーター法、スクリーン印刷法、ドクターブレード法、スプレー法、またはカーテンコーター法などを用いることができる。インクを塗布する基材としてガス拡散層、またはテフロンシートなどを用いてもよいし、先に作製した触媒層の片面に電解質膜のインクを塗布してもよいし、先に作製した電解質膜の両面に触媒層のインクを塗布してもよい。
無機酸化物は、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物を担持する前に好ましい粒径に粉砕してもよいし、担持した後に好ましい粒径に粉砕してもよい。H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物を担持した後に粉砕すると、取り扱い易い点で好ましい。上述の方法は、触媒層においてH分解能を有する金属と電極触媒とを併用する場合の製造方法であるが、併用しない場合には、固体高分子電解質を溶解した溶液を乾燥する前に、触媒金属水溶液と還元剤とを添加することにより、固体高分子電解質中に触媒金属を担持させることができる。
(MEAの製造方法)
上述の方法により作製された電解質膜および触媒層を、電解質膜を一対の触媒層が挟持するように配置した後にホットプレスするなど、従来公知の方法によりMEAを作製することができる。本発明のMEAの製造方法により、化学的耐久性の向上したMEAを製造することができる。
本発明の第四は、電解質膜と前記電解質膜を挟持する一対の触媒層とからなるMEAの製造方法であり、無機酸化物を添加した固体高分子電解質に、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物を分散させる工程を含むMEAの製造方法である。
(電解質膜の製造方法)
分解能を有する金属としてPt、無機酸化物としてSiOを用い、SiOを添加した固体高分子電解質に、Ptを分散させる場合の電解質膜の製造方法の一例を以下に示すが、本発明はこれに限定されない。粒状のSiOをボールミルにより粉砕して水に分散させたものを固体高分子電解質を溶解した溶液に添加した後、基材に塗布・乾燥して固体高分子電解質の膜を得る。次に、Pt(NH)4Cl溶液に固体高分子電解質の膜を浸漬し、Pt2+で陽イオン交換された固体高分子電解質の膜を得て、還元剤によりPtを還元し、PtおよびSiO担持電解質膜を得ることができる。
(触媒層の製造方法)
電極触媒としてPt、H分解能を有する金属酸化物としてMnO、無機酸化物としてSiOを用い、SiOを添加した固体高分子電解質にPtおよびMnOを分散させる場合の電解質膜の製造方法の一例を以下に示すが、本発明はこれに限定されない。粒状のSiOを水に分散させたものに、Pt(NHCl溶液を浸漬し、還元剤を添加することによりPt粒子を析出させる。次に、硝酸マンガン水溶液に固体高分子電解質の膜を浸漬して還元剤を添加することによりMnO粒子を析出させ、その後、Pt/Cを添加することにより、Pt、MnOおよびSiO担持触媒層を得ることができる。
電解質膜の製造方法および触媒層の製造方法において、H分解能を有する金属溶液、H分解能を有する金属酸化物溶液、還元剤、固体高分子電解質の溶媒、インクの塗布方法、およびインクを塗布する基材の好ましい例については上記したとおりである。H分解能を有する金属、H分解能を有する金属酸化物、無機酸化物の好ましい例については、各項で述べたとおりである。H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物の析出量、粒径、および分散度などは公知の技術を用いることにより適宜決定することができる。
水に分散させる前に無機酸化物を望ましい粒径に粉砕する際には、ボールミルなどを用いることができる。固体高分子電解質の膜は、KCl溶液に浸漬してKで陽イオン交換してから、Pt(NH)4Cl溶液に浸漬させると、Ptイオンがより電解質に担持されやすくなるため好ましい。
(MEAの製造方法)
上述の方法により作製された電解質膜および触媒層を、電解質膜を一対の触媒層が挟持するように配置した後にホットプレスするなど、従来公知の方法によりMEAを作製することができる。本発明のMEAの製造方法により、化学的耐久性の向上したMEAを製造することができる。
次に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、これらの実施例は何ら本発明を制限するものではない。
(比較例1)
15mm角のナフィオン(登録商標)(デュポン株式会社製、NRE212)膜を3%H溶液中で1h煮沸し、純水中で1h煮沸し、1MのHSO中で1h煮沸し、純水中で1h煮沸し、0.1MのKCl溶液に一晩浸漬してKで陽イオン交換し、0.00001MのPt(NHCl溶液に一晩浸漬し、Pt2+で陽イオン交換されたナフィオン(登録商標)膜を得た。次に室温で0.5%NaBH−3%NaOH水溶液によりPtを還元し、膜表面および膜内部にPtを担持したPt担持ナフィオン(登録商標)膜を得た。膜厚は50μm、Ptの平均粒径は100nmであった。
得られたPt担持ナフィオン(登録商標)膜にF−フェントン試験を実施し、耐ラジカル性能を調査した結果およびプロトン伝導度を測定した結果を表1に示す。
F−フェントン試験は、80℃で保持されたFe2+濃度12ppmの10%H溶液を用意し、Pt担持ナフィオン(登録商標)膜の浸漬時点を0hとして、3h、6h、9h、12h、15h、18hの上澄み液をイオンクロマトグラフィーを用いてF濃度を測定することにより行った。Fe2+濃度12ppmの10%H溶液は、3時間毎に新しい溶液を用意し、F濃度は各溶液毎の濃度を積算していった。
プロトン伝導度は40℃かつ相対湿度30%、60℃かつ相対湿度60%、および80℃かつ相対湿度95%の際のプロトン伝導度を、プロトン伝導度測定装置を用いて測定を行った。
(比較例2)
S−PES膜を0.1MのKCl溶液に一晩浸漬してKで陽イオン交換し、0.00001MのPt(NHCl溶液に一晩浸漬し、Pt2+で陽イオン交換されたS−PES膜を得た。次に室温で0.5%NaBH−3%NaOH水溶液によりPtを還元し、Pt担持S−PES膜を得た。膜厚は22μm、Ptの平均粒径は100nmであった。
得られたPt担持S−PES膜にS−フェントン試験を実施し、耐ラジカル性能を調査した結果およびプロトン伝導度を測定した結果を表1に示す。
S−フェントン試験は、80℃で保持されたFe2+濃度0.2ppmの0.5%H溶液を用意し、Pt担持S−PES膜の浸漬時点を0hとして、9hのS量をICP(プラズマ発光分析装置、エスアイアイ・ナノテクノロジー製、型番SPS−1700HVR型)を用いてS濃度を測定することにより行った。
(比較例3)
15mm角のナフィオン(登録商標)(デュポン株式会社製、NRE212)膜を3%H溶液中で1h煮沸し、純水中で1h煮沸し、1MのHSO中で1h煮沸し、純水中で1h煮沸し、0.1MのKCl溶液に一晩浸漬してKで陽イオン交換し、5wt%の硝酸マンガン水溶液(Mn(NO・6HO)に一晩浸漬し、Mn2+で陽イオン交換されたナフィオン(登録商標)膜を得た。次に室温で0.5%NaBH−3%NaOH水溶液によりMnOを析出させ、膜表面および膜内部にMnOを担持したMnO担持ナフィオン(登録商標)膜を得た。
得られたMnO担持ナフィオン(登録商標)膜にF−フェントン試験を実施し、耐ラジカル性能を調査した結果およびプロトン伝導度を測定した結果を表1に示す。
(参考例1)
比表面積450m/gのポーラスシリカ(富士シリシア化学株式会社、Q−6、粒径60μm)をボールミルにより平均粒径1μmまで粉砕し、濃度が1.2wt%SiOとなるように水に分散させた。次に、20%ナフィオン(登録商標)溶液(IPA:水=1:1)10gに1.2wt%SiO分散液を16.7g分散後、テフロンシートに塗布し、一昼夜乾燥して、膜厚50μm、10cm角のSiO分散ナフィオン(登録商標)膜を得た。
得られたSiO分散ナフィオン(登録商標)膜にF−フェントン試験を実施し、耐ラジカル性能を調査した結果およびプロトン伝導度を測定した結果を表1に示す。
(参考例2)
比表面積450m/gのポーラスシリカの代わりに、比表面積200m/gのポーラスシリカ(富士シリシア化学株式会社、Q−15、粒径40μm)を用いたこと以外は参考例1と同様にしてSiO分散ナフィオン(登録商標)膜を得て、同様にF−フェントン試験およびプロトン伝導度を測定した。各測定結果を表1に示す。
(参考例3)
ナフィオン(登録商標)溶液の代わりに、20%S−PES溶液(IPA:水=1:1)10gを用いたこと以外は参考例1と同様にしてSiO分散S−PES膜を得て、同様にF−フェントン試験およびプロトン伝導度を測定した。各測定結果を表1に示す。
(参考例4)
参考例1で用いたものと同様のナフィオン溶液と参考例3で用いたものと同様のS−PES溶液とを、1:1で混合し、比表面積450m/gのポーラスシリカ(富士シリシア化学株式会社、Q−10、粒径0.2μm)が1wt%となるように添加し、SiO分散ナフィオン−S−PES膜を得た。
得られたSiO分散ナフィオン−S−PES膜にS−フェントン試験を実施し、耐ラジカル性能を調査した結果およびプロトン伝導度を測定した結果を表1に示す。
(参考例5)
15mm角のナフィオン(登録商標)(デュポン株式会社製、NRE212)膜にF−フェントン試験を実施し、耐ラジカル性能を調査した結果およびプロトン伝導度を測定した結果を表1に示す。
(参考例6)
15mm角のS−PES膜にS−フェントン試験を実施し、耐ラジカル性能を調査した結果およびプロトン伝導度を測定した結果を表1に示す。
(実施例1)
比表面積450m/gのポーラスシリカ(富士シリシア化学株式会社、Q−6、粒径60μm)を1wt%のPt(NH)4Cl溶液に加えて2h攪拌後に0.5%NaBH−3%NaOH水溶液を10g添加してPtを析出させた後に、400℃の乾燥炉で2h焼成して得た1wt%Pt担持SiOをボールミルにより平均粒径1μmまで粉砕し、濃度が1.2wt%となるように1wt%Pt担持SiOを水に分散させた。次に、20%ナフィオン(登録商標)溶液(IPA:水=1:1)10gに1.2wt%SiO分散液を16.7g分散後、テフロンシート上で一昼夜室温で乾燥した後に6h真空乾燥機内で保存し、膜厚50μm、10cm角のPt−SiO分散ナフィオン(登録商標)膜を得た。
得られたPt−SiO分散ナフィオン(登録商標)膜にF−フェントン試験を実施し、耐ラジカル性能を調査した結果およびプロトン伝導度を測定した結果を表1に示す。
(実施例2)
BET比表面積が176m/gのポーラスシリカ(扶桑化学製 HK−4220 粒径15μm)を含む12.6wt%SiO溶液(IPA:水=87.2:0.2)に1wt%のPt(NH)4Cl溶液を1g添加し一昼夜攪拌後、室温で0.5%NaBH−3%NaOH水溶液によりPtを還元し、1wt%Pt担持SiOを得た。Ptの平均粒径は15nmであった。得られた1wt%Pt担持SiOを濃度が1.2wt%となるように水に分散させ、20%ナフィオン(登録商標)溶液(IPA:水=1:1)10gに1.2wt%SiO分散液を16.7g分散後、テフロンシート上で一昼夜室温で乾燥した後に6h真空乾燥機内で保存し、膜厚50μm、10cm角のPt−SiO分散ナフィオン(登録商標)膜を得た。
得られたPt−SiO分散ナフィオン(登録商標)膜にF−フェントン試験を実施し、耐ラジカル性能を調査した結果およびプロトン伝導度を測定した結果を表1に示す。
(実施例3)
比表面積450m/gのポーラスシリカ(富士シリシア化学株式会社、Q−6、粒径60μm)を5wt%の硝酸マンガン水溶液に加え、2h攪拌後に0.5%NaBH−3%NaOH水溶液を10g添加してMnOを析出させた後に、乾燥炉にて80℃で一晩乾燥後、200℃の乾燥炉で2h焼成して得た5wt%MnO−SiOをボールミルにより平均粒径1μmまで粉砕し、濃度が1.2wt%MnO−SiOとなるように水に分散させた。次に、20%ナフィオン(登録商標)溶液(IPA:水=1:1)10gに1.2wt%SiO分散液を16.7g分散後、テフロンシート上で一昼夜室温で乾燥した後に6h真空乾燥機内で保存し、膜厚50μm、10cm角のMnO−SiO分散ナフィオン(登録商標)膜を得た。
得られたMnO−SiO分散ナフィオン(登録商標)膜にF−フェントン試験を実施し、耐ラジカル性能を調査した結果およびプロトン伝導度を測定した結果を表1に示す。
(実施例4)
ポーラスシリカの代わりに比表面積200m/gのポーラスアルミナ(コンデア製 SBA200 粒径48μm)を用いたこと以外は実施例1と同様にして1wt%Pt−Al分散ナフィオン(登録商標)膜を得て、同様にF−フェントン試験およびプロトン伝導度を測定した。各測定結果を表1に示す。
(実施例5)
比表面積450m/gのポーラスシリカ(富士シリシア化学株式会社、Q−6、粒径60μm)をボールミルにより平均粒径1μmまで粉砕し、濃度が10wt%SiOとなるように水に分散させた。次に、20%ナフィオン(登録商標)溶液(IPA:水=1:1)10gに1.2wt%SiO分散液を16.9g分散後、テフロンシート上で一昼夜乾燥して、10cm角のSiO分散ナフィオン(登録商標)膜を得た。次に、0.1MのKCl溶液に一晩浸漬してKで陽イオン交換し、1wt%のPt(NH)4Cl溶液に一晩浸漬し、Pt2+で陽イオン交換されたナフィオン(登録商標)膜を得た。次に室温で0.5%NaBH−3%NaOH水溶液によりPtを還元し、Pt担持ナフィオン(登録商標)膜を得た。膜厚50μm、Ptの平均粒径は20nmであった。
得られたPt担持ナフィオン(登録商標)膜にF−フェントン試験を実施し、耐ラジカル性能を調査した結果およびプロトン伝導度を測定した結果を表1に示す。
(実施例6)
ナフィオン(登録商標)溶液の代わりに、20%S−PES溶液を用いたこと以外は実施例1と同様にして1wt%Pt−SiO分散S−PES膜を得た。得られた1wt%Pt−SiO2分散S−PES膜を用いてS−フェントン試験およびプロトン伝導度を測定した。各測定結果を表1に示す。
(実施例7)
参考例1で用いたものと同様のナフィオン溶液と参考例3で用いたものと同様のS−PES溶液とを、1:1で混合し、実施例1で得た1wt%Pt−SiOが1wt%となるように添加し、1wt%Pt−SiO分散ナフィオン−S−PES膜を得た。得られたSiO分散ナフィオン−S−PES膜にS−フェントン試験を実施し、耐ラジカル性能を調査した結果およびプロトン伝導度を測定した結果を表1に示す。
表1および図3に示すように、比較例1と参考例5、比較例2と参考例6とを比較すると、無機酸化物を添加せずにH分解能を有する金属を添加するとプロトン伝導度が低下することがわかる。一方、表1に示すように実施例1〜7は、Hによる固体高分子電解質の酸化を抑制することができ、かつ、表1および図3に示すようにプロトン伝導度を向上させることができる。
また、参考例1、2と参考例5、参考例3と参考例6とを比較すると、無機酸化物を添加することにより、固体高分子電解質の分解量が低下していることがわかる。これは、SiOがHラジカルクエンチャー、Hラジカル分解剤またはHラジカルトラップとして働いている可能性を示唆している。
無機酸化物を含む場合と含まない場合とのプロトン伝導度を示した棒グラフである。 固体高分子型燃料電池の断面模式図である。 比較例1〜2、および実施例1、2、4、5、6のプロトン伝導度を示した棒グラフである。
符号の説明
10 固体高分子型燃料電池、
100 MEA、
110 電解質膜、
120a アノード側触媒層、
120b カソード側触媒層、
130a アノード側ガス拡散層、
130b カソード側ガス拡散層、
140a アノード側セパレーター、
140b カソード側セパレーター、
141a 燃料ガス供給溝、
141b 酸化剤ガス供給溝、
H1 比較例1のプロトン伝導度、
H2 比較例2のプロトン伝導度、
S1 参考例1のプロトン伝導度、
S2 参考例2のプロトン伝導度、
S3 参考例3のプロトン伝導度、
S5 参考例5のプロトン伝導度、
S6 参考例6のプロトン伝導度、
J1 実施例1のプロトン伝導度、
J2 実施例2のプロトン伝導度、
J4 実施例4のプロトン伝導度、
J5 実施例5のプロトン伝導度。

Claims (9)

  1. 電解質膜と前記電解質膜を挟持する一対の触媒層とを含むMEAであり、
    前記電解質膜と前記触媒層とに含まれる固体高分子電解質は、無機酸化物と、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物とを含むことを特徴とするMEA。
  2. 前記固体高分子電解質に前記H分解能を有する金属が含まれる場合、
    前記金属は貴金属であることを特徴とする請求項1に記載のMEA。
  3. 前記固体高分子電解質に前記H分解能を有する金属酸化物が含まれる場合、
    前記金属酸化物は遷移金属酸化物であることを特徴とする請求項1または2に記載のMEA。
  4. 前記無機酸化物はSiO、ZrO、Fe、Al、およびゼオライトからなる群より選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のMEA。
  5. 前記電解質膜がパーフルオロカーボン重合体および/またはハイドロカーボン重合体であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のMEA。
  6. 前記H分解能を有する金属および/または前記H分解能を有する金属酸化物が無機酸化物に担持されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のMEA。
  7. 請求項1〜6のいずれかに記載のMEAを含む固体高分子型燃料電池。
  8. 電解質膜と前記電解質膜を挟持する一対の触媒層とを含むMEAの製造方法であり、
    分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物を無機酸化物に担持させてから固体高分子電解質に分散させる工程を含むことを特徴とするMEAの製造方法。
  9. 電解質膜と前記電解質膜を挟持する一対の触媒層とを含むMEAの製造方法であり、
    無機酸化物を添加した固体高分子電解質に、H分解能を有する金属および/またはH分解能を有する金属酸化物を分散させる工程を含むことを特徴とするMEAの製造方法。
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