[go: up one dir, main page]

JP2006261380A - Optical communication module - Google Patents

Optical communication module Download PDF

Info

Publication number
JP2006261380A
JP2006261380A JP2005076695A JP2005076695A JP2006261380A JP 2006261380 A JP2006261380 A JP 2006261380A JP 2005076695 A JP2005076695 A JP 2005076695A JP 2005076695 A JP2005076695 A JP 2005076695A JP 2006261380 A JP2006261380 A JP 2006261380A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light receiving
receiving element
communication module
light
driving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005076695A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomoharu Horio
友春 堀尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2005076695A priority Critical patent/JP2006261380A/en
Publication of JP2006261380A publication Critical patent/JP2006261380A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical communication module in which the size can be reduced. <P>SOLUTION: An infrared data communication module A1 comprises a substrate 1, a light emitting element 2 mounted on the substrate 1, a light receiving element 3 having a light receiving portion 31, a drive IC 4 performing drive control of the light emitting element 2 and the light receiving element 3, and a resin package 5 having two lenses 51 and 52 formed, respectively, in front of the light emitting element 2 and the light receiving element 3 and covering the light emitting element 2 and the light receiving element 3, wherein the light receiving element 3 is mounted on the drive IC 4. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、光通信モジュールに関する。   The present invention relates to an optical communication module.

発光素子および受光素子を備えることにより双方向通信が可能とされた光通信モジュールとしては、たとえばＩｒＤＡ準拠の赤外線データ通信モジュールがある。このような赤外線データ通信モジュールは、ノートパソコン、携帯型電話機、電子手帳などの電子機器に普及している。   As an optical communication module capable of bidirectional communication by including a light emitting element and a light receiving element, for example, there is an IrDA compliant infrared data communication module. Such infrared data communication modules are widely used in electronic devices such as notebook computers, mobile phones, and electronic notebooks.

この種の従来の赤外線データ通信モジュールの一例を図５に示す。この赤外線データ通信モジュールＸは、基板９１と、この基板９１に搭載された発光素子９２、受光素子９３、および駆動ＩＣ９４と、樹脂パッケージ９５とを備えている。樹脂パッケージ９５のうち発光素子９２および受光素子９３の正面部分には、２つのレンズ部がそれぞれ形成されている。駆動ＩＣ９４は、いわゆるフリップチップ形式により基板９１に搭載されている。このような方式を用いれば、駆動ＩＣ９４を基板９１に搭載するためのワイヤが備えられていないため、基板９１にはこのようなワイヤをボンディングするためのスペースが不要である。これにより、赤外線データ通信モジュールＸにおいては、図中左右方向における小型化が図られている。   An example of this type of conventional infrared data communication module is shown in FIG. The infrared data communication module X includes a substrate 91, a light emitting element 92 mounted on the substrate 91, a light receiving element 93, a driving IC 94, and a resin package 95. Two lens portions are formed in front portions of the light emitting element 92 and the light receiving element 93 in the resin package 95, respectively. The drive IC 94 is mounted on the substrate 91 in a so-called flip chip format. If such a method is used, since a wire for mounting the driving IC 94 on the substrate 91 is not provided, the substrate 91 does not require a space for bonding such a wire. Thereby, in the infrared data communication module X, size reduction in the left-right direction in the figure is achieved.

しかしながら、近年におけるノートパソコン、携帯型電話機、および電子手帳などの電子機器の小型化はめざましく、赤外線データ通信モジュールＸとしてもさらなる小型化が求められている。発光素子９２、受光素子９３、および駆動ＩＣ９４は、それぞれの機能を適切に発揮させるためには、それに応じた大きさが必要である。また、これらを基板９１に配置し、所定の電気的接続を施すためには、そのためのスペースが必要となる。このため赤外線データ通信モジュールＸの小型化が困難となっており、上記電子機器の小型化に十分に対応できない場合があった。   However, in recent years, electronic devices such as notebook computers, portable telephones, and electronic notebooks are remarkably miniaturized, and the infrared data communication module X is required to be further miniaturized. The light emitting element 92, the light receiving element 93, and the driving IC 94 are required to have sizes corresponding to the respective functions in order to appropriately exhibit their functions. Moreover, in order to arrange these on the substrate 91 and to make a predetermined electrical connection, a space for that is required. For this reason, it is difficult to reduce the size of the infrared data communication module X, and in some cases, it is not possible to sufficiently cope with the downsizing of the electronic device.

特開２０００−１１４５８８号公報JP 2000-114588 A

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化を図ることが可能な光通信モジュールを提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and an object of the present invention is to provide an optical communication module that can be miniaturized.

上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。   In order to solve the above problems, the present invention takes the following technical means.

本発明によって提供される光通信モジュールは、基板と、上記基板に搭載された発光素子と、受光部を有する受光素子と、上記発光素子および受光素子を駆動制御するための駆動ＩＣと、上記発光素子および受光素子のそれぞれの正面に形成された２つレンズ部を有し、かつ上記発光素子および受光素子を覆う樹脂パッケージと、を備えた光通信モジュールであって、上記受光素子は、上記駆動ＩＣに搭載されていることを特徴としている。   An optical communication module provided by the present invention includes a substrate, a light emitting element mounted on the substrate, a light receiving element having a light receiving portion, a drive IC for driving and controlling the light emitting element and the light receiving element, and the light emission. An optical communication module having two lens portions formed on the front surface of each of the element and the light receiving element, and a resin package covering the light emitting element and the light receiving element. It is characterized by being mounted on an IC.

このような構成によれば、上記基板には上記受光素子を搭載するためのスペースが不要である。したがって、上記光通信モジュールの小型化を図ることが可能であり、この光通信モジュールが用いられる電子機器などの小型化に適切に対応することができる。   According to such a structure, the board | substrate does not need the space for mounting the said light receiving element. Therefore, it is possible to reduce the size of the optical communication module, and it is possible to appropriately cope with the downsizing of electronic devices and the like in which the optical communication module is used.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記受光素子は、上記駆動ＩＣの一端寄りに配置されている。このような構成によれば、上記駆動ＩＣを上記基板の中央寄りに配置することができる。これは、上記光通信モジュールの小型化に好ましい。   In a preferred embodiment of the present invention, the light receiving element is disposed near one end of the drive IC. According to such a configuration, the driving IC can be arranged near the center of the substrate. This is preferable for miniaturization of the optical communication module.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記駆動ＩＣのうち上記一端にある側面と上記受光素子の一側面とは、互いに面一とされている。このような構成によれば、上記駆動ＩＣの上記一端を上記受光素子から突出させないことが可能である。したがって、上記光通信モジュールの小型化に有利である。   In a preferred embodiment of the present invention, the side surface at the one end of the driving IC and the one side surface of the light receiving element are flush with each other. According to such a configuration, it is possible to prevent the one end of the driving IC from protruding from the light receiving element. Therefore, it is advantageous for downsizing the optical communication module.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記駆動ＩＣは、上記基板に対してフリップチップ方式により接続されている。本発明でいうフリップチップ方式とは、上記駆動ＩＣなどの半導体素子を実装するための実装技術のひとつであり、半導体素子に形成された電極と、基板に形成された電極とを位置合わせして実装する方式をいう。このような構成によれば、たとえば上記駆動ＩＣを電気的に接続するためのワイヤが不要であり、上記基板においてこのワイヤを接続するためのスペースを削減することができる。したがって、上記光通信モジュールの小型化に好適である。   In a preferred embodiment of the present invention, the driving IC is connected to the substrate by a flip chip method. The flip-chip method referred to in the present invention is one of mounting techniques for mounting a semiconductor element such as the driving IC, and aligns an electrode formed on the semiconductor element and an electrode formed on the substrate. The method to implement. According to such a configuration, for example, a wire for electrically connecting the drive IC is unnecessary, and a space for connecting the wire on the substrate can be reduced. Therefore, it is suitable for downsizing of the optical communication module.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記駆動ＩＣを覆う遮光樹脂をさらに備えており、かつ、上記受光素子のうち少なくとも上記受光部は、上記樹脂パッケージにより直接覆われている。このような構成によれば、上記駆動ＩＣに向かってくる外来の光を遮蔽することが可能であり、上記駆動ＩＣの誤動作を防止することができる。また、上記駆動ＩＣのうち上記受光素子により覆われた部分は、上記遮光樹脂により覆う必要がない。これは、上記遮光樹脂の使用量を少なくし、コスト抑制に有利である。   In a preferred embodiment of the present invention, a light shielding resin that covers the drive IC is further provided, and at least the light receiving portion of the light receiving element is directly covered with the resin package. According to such a configuration, it is possible to shield extraneous light coming toward the drive IC, and it is possible to prevent malfunction of the drive IC. Further, it is not necessary to cover the portion of the drive IC covered with the light receiving element with the light shielding resin. This reduces the amount of the light-shielding resin used and is advantageous for cost reduction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記発光素子と上記基板に形成された配線パターンとを導通させ、かつこの配線パターンとの接合部が上記遮光樹脂により覆われたワイヤをさらに備えている。このような構成によれば、上記遮光樹脂によりこのワイヤの接合部を保護することができる。したがって、上記樹脂パッケージの形成工程などにおいて、上記ワイヤが剥離してしまうことを防止することができる。   In a preferred embodiment of the present invention, the light emitting device and a wiring pattern formed on the substrate are electrically connected, and a wire in which a joint portion with the wiring pattern is covered with the light shielding resin is further provided. According to such a configuration, the joint portion of the wire can be protected by the light shielding resin. Therefore, it is possible to prevent the wires from being peeled off in the resin package forming process or the like.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記受光素子と上記基板に形成された配線パターンとを導通させ、かつこの配線パターンとの接合部が上記遮光樹脂により覆われたワイヤをさらに備えている。このような構成によれば、上記遮光樹脂によりこのワイヤの接合部を保護することができる。   In a preferred embodiment of the present invention, the light receiving element and a wiring pattern formed on the substrate are electrically connected, and a wire having a junction with the wiring pattern covered with the light shielding resin is further provided. According to such a configuration, the joint portion of the wire can be protected by the light shielding resin.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記受光素子と上記駆動ＩＣとを導通させ、かつ上記駆動ＩＣとの接合部が上記遮光樹脂により覆われたワイヤをさらに備えている。このような構成によれば、このワイヤの接合部を上記遮光樹脂により保護することが可能である。さらに、上記封止樹脂を形成する際に、流動性の高い樹脂材料を用いる場合には、この樹脂材料と上記ワイヤの接合部との間の表面張力を利用して、上記樹脂材料を盛り上げるように塗布することができる。これにより、上記遮光樹脂の厚さを大きくすることが可能であり、上記駆動ＩＣの誤動作防止効果をさらに高めることができる。   In a preferred embodiment of the present invention, there is further provided a wire for electrically connecting the light receiving element and the driving IC, and a joint portion with the driving IC covered with the light shielding resin. According to such a configuration, the joint portion of the wire can be protected by the light shielding resin. Further, when a resin material having high fluidity is used when forming the sealing resin, the resin material is raised using the surface tension between the resin material and the bonding portion of the wire. Can be applied. Thereby, the thickness of the light shielding resin can be increased, and the malfunction prevention effect of the drive IC can be further enhanced.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記受光素子は、上記駆動ＩＣに対して導電性樹脂を介してダイボンディングされている。このような構成によれば、上記駆動ＩＣには、たとえばワイヤを接続するためのスペースが不要である。したがって、たとえば上記受光素子が上記駆動ＩＣとほぼ同程度の大きさであっても、この受光素子を適切に搭載することができる。   In a preferred embodiment of the present invention, the light receiving element is die-bonded to the driving IC via a conductive resin. According to such a configuration, the drive IC does not require a space for connecting wires, for example. Therefore, for example, even if the light receiving element is approximately the same size as the drive IC, the light receiving element can be appropriately mounted.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図１〜図３は、本発明に係る赤外線データ通信モジュールの一例を示している。図１に示すように、本実施形態の赤外線データ通信モジュールＡ１は、基板１、発光素子２、受光素子３、駆動ＩＣ４、樹脂パッケージ５、および遮光樹脂６を具備して構成されている。なお、図３においては、樹脂パッケージ５を省略した上で、遮光樹脂６を想像線で表している。   1 to 3 show an example of an infrared data communication module according to the present invention. As shown in FIG. 1, the infrared data communication module A1 of this embodiment includes a substrate 1, a light emitting element 2, a light receiving element 3, a driving IC 4, a resin package 5, and a light shielding resin 6. In FIG. 3, the resin package 5 is omitted and the light shielding resin 6 is represented by an imaginary line.

基板１は、ガラスエポキシなどの樹脂からなり、図３に示すように全体として平面視長矩形状に形成されている。基板１の表面には、配線パターン１１が形成されている。図１に示すように、基板１には、凹部１ａが形成されている。この凹部１ａの表面には、メッキ１２が形成されている。このメッキ１２は、たとえばＣｕメッキ、Ｎｉメッキ、およびＡｕメッキが積層されたものである。凹部１ａの底面には、発光素子２が搭載されている。また、基板１の図中上面には、駆動ＩＣ４が搭載されている。   The board | substrate 1 consists of resin, such as glass epoxy, and is formed in planar view long rectangular shape as a whole, as shown in FIG. A wiring pattern 11 is formed on the surface of the substrate 1. As shown in FIG. 1, a recess 1 a is formed in the substrate 1. A plating 12 is formed on the surface of the recess 1a. The plating 12 is formed by stacking, for example, Cu plating, Ni plating, and Au plating. The light emitting element 2 is mounted on the bottom surface of the recess 1a. A driving IC 4 is mounted on the upper surface of the substrate 1 in the drawing.

発光素子２は、たとえば、赤外線を発することができる赤外線発光ダイオードなどからなる。発光素子２の図中下面は、導電性樹脂７２を介して凹部１ａのメッキ１２に接合されている。一方、発光素子２の図中上面は、ワイヤ８２により配線パターン１１の一部と接続されている。   The light emitting element 2 is made of, for example, an infrared light emitting diode capable of emitting infrared light. The lower surface of the light emitting element 2 in the figure is joined to the plating 12 of the recess 1 a via a conductive resin 72. On the other hand, the upper surface of the light emitting element 2 in the drawing is connected to a part of the wiring pattern 11 by a wire 82.

駆動ＩＣ４は、発光素子２および受光素子３による送受信動作を制御するためのものであり、いわゆるフリップチップ方式により、基板１に搭載されている。すなわち、駆動ＩＣの図中下面には、複数の下面電極４２が形成されている。一方、基板１には、下面電極４２に対応する位置に配線パターン１１の一部が形成されている。基板１と駆動ＩＣ４との間には、異方性導電性樹脂７１が介在している。図２に示すように、異方性導電性樹脂７１は、エポキシ樹脂７１ａを主成分とし、多数の導電性粒子７１ｂが分散されたものである。導電性粒子７１ｂは、少なくともその表面がＡｕまたはＮｉなどにより形成されている。たとえば、基板１に対して駆動ＩＣ４が押し付けられた後に、エポキシ樹脂７１ａが硬化することにより、配線パターン１１と下面電極４２とは導電性粒子７１ｂを介して互いに導通している。   The drive IC 4 is for controlling transmission / reception operations by the light emitting element 2 and the light receiving element 3 and is mounted on the substrate 1 by a so-called flip chip method. That is, a plurality of lower surface electrodes 42 are formed on the lower surface of the driving IC in the drawing. On the other hand, a part of the wiring pattern 11 is formed on the substrate 1 at a position corresponding to the lower surface electrode 42. An anisotropic conductive resin 71 is interposed between the substrate 1 and the driving IC 4. As shown in FIG. 2, the anisotropic conductive resin 71 has an epoxy resin 71a as a main component and a large number of conductive particles 71b dispersed therein. At least the surface of the conductive particles 71b is formed of Au, Ni, or the like. For example, after the driving IC 4 is pressed against the substrate 1, the epoxy resin 71a is cured, so that the wiring pattern 11 and the lower surface electrode 42 are electrically connected to each other through the conductive particles 71b.

受光素子３は、たとえば、赤外線を感知することができるＰＩＮフォトダイオードなどからなり、図１および図３に示すように赤外線を受光する受光部３１を有している。図１に示すように受光素子３は、導電性樹脂７２を介して駆動ＩＣ４の図中上面にいわゆるダイボンディングされている。図１および図３に示すように、受光素子３は、駆動ＩＣ４の図中左端寄りに配置されている。また、受光素子３の側面３ａと駆動ＩＣ４の側面４ａとは、面一とされている。受光素子３は、たとえばＰＮ接合型の半導体として形成されており、図１における下側部分は、Ｎ型半導体層となっている。駆動ＩＣ４の図中上面には、上面電極４１が形成されている。受光素子３の上記Ｎ型半導体層と上面電極４１とは、導電性樹脂７２により導通している。一方、受光素子３の図中上側部分は、Ｐ型半導体層となっている。このＰ型半導体層は、ワイヤ８１を介して基板１の配線パターン１１の一部と導通している。   The light receiving element 3 is composed of, for example, a PIN photodiode capable of sensing infrared rays, and has a light receiving unit 31 that receives infrared rays as shown in FIGS. 1 and 3. As shown in FIG. 1, the light receiving element 3 is so-called die-bonded on the upper surface of the driving IC 4 through a conductive resin 72. As shown in FIGS. 1 and 3, the light receiving element 3 is disposed near the left end of the driving IC 4 in the drawing. The side surface 3a of the light receiving element 3 and the side surface 4a of the drive IC 4 are flush with each other. The light receiving element 3 is formed, for example, as a PN junction type semiconductor, and the lower portion in FIG. 1 is an N-type semiconductor layer. An upper surface electrode 41 is formed on the upper surface of the driving IC 4 in the drawing. The N-type semiconductor layer of the light receiving element 3 and the upper surface electrode 41 are electrically connected by a conductive resin 72. On the other hand, the upper part of the light receiving element 3 in the figure is a P-type semiconductor layer. This P-type semiconductor layer is electrically connected to a part of the wiring pattern 11 of the substrate 1 through the wire 81.

図１に示すように、駆動ＩＣ４、および受光素子３の図中下側部分は、遮光樹脂６により覆われている。遮光樹脂６は、外来の光を遮蔽して駆動ＩＣ４が誤動作することを防止するためのものである。遮光樹脂６は、たとえばエポキシ樹脂を主成分として、可視光を遮断吸収するための染料、紫外線の一部を遮断吸収するための黒色顔料であるカーボンブラック、および広い領域の波長の光を吸収可能な酸化チタンなどが含有されたものである。受光素子３のうち受光部３１を含む部分は、遮光樹脂６によっては覆われておらず、樹脂パッケージ５により直接覆われている。また、ワイヤ８１のうち配線パターン１１との接合部８１ａは、遮光樹脂６により覆われている。同様に、ワイヤ８２のうち配線パターン１１との接合部８２ａは、遮光樹脂６により覆われている。   As shown in FIG. 1, the lower part of the driving IC 4 and the light receiving element 3 in the drawing is covered with a light shielding resin 6. The light shielding resin 6 is for shielding extraneous light and preventing the drive IC 4 from malfunctioning. The light shielding resin 6 is mainly composed of, for example, an epoxy resin, a dye for blocking and absorbing visible light, carbon black as a black pigment for blocking and absorbing a part of ultraviolet rays, and light of a wide wavelength range. In this case, titanium oxide or the like is contained. A portion including the light receiving portion 31 in the light receiving element 3 is not covered with the light shielding resin 6 but directly covered with the resin package 5. Further, the joint 81 a of the wire 81 with the wiring pattern 11 is covered with the light shielding resin 6. Similarly, a joint 82 a of the wire 82 with the wiring pattern 11 is covered with the light shielding resin 6.

樹脂パッケージ５は、たとえば顔料を含んだエポキシ樹脂により形成されており、可視光に対しては透光性を有しない反面、赤外線に対しては透光性を有する。この樹脂パッケージ５は、トランスファーモールド法などの手法により形成されており、図１に示すように、発光素子２、受光素子３、および駆動ＩＣ４を覆うように基板１上に設けられている。樹脂パッケージ５には、２つのレンズ部５１，５２が一体的に形成されている。レンズ部５１，５２は、いずれも図中上方に膨出した形状とされている。レンズ部５１は、発光素子２の正面に位置しており、発光素子２から放射された赤外線を集光しつつ出射するように構成されている。レンズ部５２は、受光素子３の正面に位置しており、赤外線データ通信モジュールＡ１に送信されてきた赤外線を集光して受光素子３に入射するように構成されている。   The resin package 5 is formed of, for example, an epoxy resin containing a pigment, and has no translucency for visible light, but has translucency for infrared rays. The resin package 5 is formed by a transfer molding method or the like, and is provided on the substrate 1 so as to cover the light emitting element 2, the light receiving element 3, and the driving IC 4 as shown in FIG. Two lens portions 51 and 52 are integrally formed in the resin package 5. Each of the lens portions 51 and 52 has a shape bulging upward in the drawing. The lens unit 51 is positioned in front of the light emitting element 2 and is configured to emit infrared light emitted from the light emitting element 2 while condensing. The lens unit 52 is positioned in front of the light receiving element 3 and is configured to collect the infrared light transmitted to the infrared data communication module A <b> 1 and enter the light receiving element 3.

次に、赤外線データ通信モジュールＡ１の作用について説明する。   Next, the operation of the infrared data communication module A1 will be described.

本実施形態によれば、基板１には受光素子３を搭載するためのスペースが不要である。これにより、少なくとも受光素子３のサイズに相当する分だけ、基板１の図１における左右方向長さを小さくすることができる。したがって、赤外線データ通信モジュールＡ１の小型化を図ることが可能であり、この赤外線データ通信モジュールＡ１が用いられる電子機器などの小型化に適切に対応することができる。   According to the present embodiment, the substrate 1 does not require a space for mounting the light receiving element 3. Thereby, the length in the left-right direction in FIG. 1 of the substrate 1 can be reduced by an amount corresponding to at least the size of the light receiving element 3. Therefore, it is possible to reduce the size of the infrared data communication module A1, and it is possible to appropriately cope with the downsizing of electronic devices and the like in which the infrared data communication module A1 is used.

また、図１に示すように、受光素子３を駆動ＩＣ４の左端寄りに配置することにより、受光素子３を基板１の左端寄りに配置しつつ、駆動ＩＣ４を基板１の中央寄りに配置することができる。特に、本実施形態においては、受光素子３の側面３ａと駆動ＩＣ４の側面４ａとが面一とされていることにより、駆動ＩＣ４を受光素子３から図中左方に突出させないことが可能である。したがって、赤外線データ通信モジュールＡ１の小型化に有利である。なお、側面３ａ，４ａを面一としない構成であっても、受光素子３を駆動ＩＣ４の図中左端寄りに配置すれば、赤外線データ通信モジュールＡ１の小型化という効果が得られる。   In addition, as shown in FIG. 1, the light receiving element 3 is arranged near the left end of the driving IC 4, and the driving IC 4 is arranged near the center of the substrate 1 while the light receiving element 3 is arranged near the left end of the substrate 1. Can do. In particular, in the present embodiment, since the side surface 3a of the light receiving element 3 and the side surface 4a of the drive IC 4 are flush with each other, it is possible to prevent the drive IC 4 from projecting to the left in the figure. . Therefore, it is advantageous for miniaturization of the infrared data communication module A1. Even if the side surfaces 3a and 4a are not flush with each other, if the light receiving element 3 is arranged closer to the left end of the driving IC 4 in the figure, the effect of reducing the size of the infrared data communication module A1 can be obtained.

駆動ＩＣ４がフリップチップ方式により基板１に接続されていることにより、たとえば駆動ＩＣ４を配線パターン１１に導通させるためのワイヤが不要である。これにより、基板１においてはこのようなワイヤを接続するためのスペースを削減することができる。したがって、赤外線データ通信モジュールＡ１の小型化に好適である。   Since the driving IC 4 is connected to the substrate 1 by the flip chip method, for example, a wire for electrically connecting the driving IC 4 to the wiring pattern 11 is unnecessary. Thereby, in the board | substrate 1, the space for connecting such a wire can be reduced. Therefore, it is suitable for miniaturization of the infrared data communication module A1.

駆動ＩＣ４を遮光樹脂６によって覆うことにより、駆動ＩＣ４の誤動作を防止することができる。また、駆動ＩＣ４のうち受光素子３により覆われた部分は、遮光樹脂６により覆う必要がない。これは、遮光樹脂６の使用量を少なくし、コスト抑制に有利である。さらに、遮光樹脂６を形成する際に、遮光樹脂６の材料として流動性の高い樹脂材料を用いる場合には、この樹脂材料と受光素子３との間に生じる表面張力により、この樹脂材料を駆動ＩＣ４の図中上面に多く残留させる、いわゆるアンカー効果が期待できる。したがって、遮光樹脂６により駆動ＩＣ４を適切に覆うことが可能であり、駆動ＩＣ４の誤動作防止に適している。   Covering the drive IC 4 with the light shielding resin 6 can prevent the drive IC 4 from malfunctioning. Further, the portion of the driving IC 4 covered with the light receiving element 3 does not need to be covered with the light shielding resin 6. This reduces the amount of light shielding resin 6 used, and is advantageous for cost reduction. Further, when a resin material having high fluidity is used as the material of the light shielding resin 6 when forming the light shielding resin 6, the resin material is driven by the surface tension generated between the resin material and the light receiving element 3. A so-called anchor effect can be expected to remain on the upper surface of the IC 4 in the figure. Therefore, the drive IC 4 can be appropriately covered with the light shielding resin 6, and is suitable for preventing malfunction of the drive IC 4.

また、遮光樹脂６によりワイヤ８１の接合部８１ａを保護することができる。したがって、樹脂パッケージ５の形成工程などにおいて、ワイヤ８１が配線パターン１１から剥離してしまうことを防止することができる。さらに、遮光樹脂６を形成する際に、流動性の高い樹脂材料を用いる場合には、この樹脂材料とワイヤ８１との間の表面張力を利用して、この樹脂材料を接合部８１ａを含む領域に行き渡らせやすくなる。これによっても、遮光樹脂６により駆動ＩＣ４を適切に覆うことができる。これと同様に、遮光樹脂６によりワイヤ８２の接合部８２ａを保護することができる。また、表面張力を利用して、上記樹脂材料をワイヤ８２の接合部８２ａを含む領域に行き渡らせつつ、上記樹脂材料が接合部８２ａを超えて、図１における図中右方へと大きくはみ出してしまうことを抑制することが可能である。これにより、遮光樹脂６が凹部１ａや発光素子２を不当に覆ってしまうことを防止できる。   Further, the joint 81 a of the wire 81 can be protected by the light shielding resin 6. Therefore, it is possible to prevent the wires 81 from being peeled off from the wiring pattern 11 in the process of forming the resin package 5 or the like. Further, in the case of using a resin material having high fluidity when forming the light shielding resin 6, an area including the bonding portion 81 a is used by utilizing the surface tension between the resin material and the wire 81. It becomes easy to spread to. Also by this, the drive IC 4 can be appropriately covered with the light shielding resin 6. Similarly, the joint portion 82 a of the wire 82 can be protected by the light shielding resin 6. Further, using the surface tension, the resin material spreads over the region including the bonding portion 82a of the wire 82, and the resin material greatly exceeds the bonding portion 82a and protrudes to the right in FIG. It can be suppressed. Thereby, it can prevent that the light shielding resin 6 covers the recessed part 1a and the light emitting element 2 illegally.

受光素子３をダイボンディングの手法を用いて駆動ＩＣ４に搭載することにより、駆動ＩＣ４上には、たとえばワイヤを接続するためのスペースが不要である。たとえば本実施形態とは異なり、受光素子３が駆動ＩＣ４とほぼ同程度の大きさであっても、この受光素子３を適切に搭載することができる。   By mounting the light receiving element 3 on the drive IC 4 using a die bonding technique, a space for connecting wires, for example, is not necessary on the drive IC 4. For example, unlike the present embodiment, even if the light receiving element 3 is approximately the same size as the drive IC 4, the light receiving element 3 can be appropriately mounted.

図４は、本発明に係る赤外線データ通信モジュールの他の例を示している。なお、図４においては、上述した実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。   FIG. 4 shows another example of the infrared data communication module according to the present invention. In FIG. 4, the same or similar elements as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the above-described embodiment, and description thereof will be omitted as appropriate.

図４に示された赤外線データ通信モジュールＡ２においては、受光素子３は、絶縁性樹脂７３を介して駆動ＩＣ４にボンディングされており、この点が上述した実施形態と異なっている。また、駆動ＩＣ４の図中上面のうち受光素子３に覆われていない部分には、上面電極４１が形成されている。この上面電極４１と受光素子３の図中上面とは、ワイヤ８３により接続されている。ワイヤ８３のうち上面電極４１との接合部８３ａは、遮光樹脂６により覆われている。   In the infrared data communication module A2 shown in FIG. 4, the light receiving element 3 is bonded to the drive IC 4 via an insulating resin 73, which is different from the above-described embodiment. An upper surface electrode 41 is formed on a portion of the upper surface of the drive IC 4 that is not covered by the light receiving element 3 in the drawing. The upper surface electrode 41 and the upper surface of the light receiving element 3 in the drawing are connected by a wire 83. A joint 83 a of the wire 83 with the upper surface electrode 41 is covered with the light shielding resin 6.

このような実施形態によっても、駆動ＩＣ４のサイズが受光素子３よりも大きければ、駆動ＩＣ４にワイヤ８３を接続するためのスペースを確保しつつ、赤外線データ通信モジュールＡ２の小型化を図ることができる。また、ワイヤ８３の接合部８３ａを遮光樹脂６により保護することが可能であり、樹脂パッケージ５の形成工程などにおいて、ワイヤ８３が上面電極４１から剥離してしまうことを防止することができる。さらに、封止樹脂６を形成する際に、流動性の高い樹脂材料を用いる場合には、この樹脂材料とワイヤ８３の接合部８３ａとの間の表面張力を利用して、上記樹脂材料を図中上方へと盛り上げるように塗布することができる。これにより、遮光樹脂６のうち駆動ＩＣ４の図中上面を覆う部分の厚さを大きくすることが可能であり、駆動ＩＣ４の誤動作防止効果をさらに高めることができる。   Even in such an embodiment, if the size of the driving IC 4 is larger than that of the light receiving element 3, it is possible to reduce the size of the infrared data communication module A2 while securing a space for connecting the wire 83 to the driving IC 4. . Further, the bonding portion 83a of the wire 83 can be protected by the light shielding resin 6, and the wire 83 can be prevented from being peeled off from the upper surface electrode 41 in the process of forming the resin package 5 or the like. Further, when a resin material having high fluidity is used when forming the sealing resin 6, the resin material is illustrated using the surface tension between the resin material and the joint 83 a of the wire 83. It can apply | coat so that it may swell to middle upper direction. As a result, it is possible to increase the thickness of the portion of the light shielding resin 6 that covers the upper surface of the drive IC 4 in the drawing, and to further improve the malfunction prevention effect of the drive IC 4.

本発明に係る光通信モジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る光通信モジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The optical communication module according to the present invention is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the optical communication module according to the present invention can be modified in various ways.

フリップチップ方式の接続は、上述した異方性導電性樹脂を用いたものに限定されない。駆動ＩＣに形成された電極とこれに対応する基板の配線パターンとを位置合わせして接続する方式であれば、いわゆる異方性導電性フィルムを用いた方式や、駆動ＩＣおよび基板の双方に互いに突出するバンプを形成しておき、これらを互いに当接させた状態で絶縁性樹脂により接合する方式でもよい。   The flip-chip connection is not limited to that using the above-described anisotropic conductive resin. As long as the electrode formed on the driving IC and the wiring pattern of the substrate corresponding thereto are aligned and connected, a method using a so-called anisotropic conductive film or both the driving IC and the substrate A method may be used in which protruding bumps are formed and bonded with an insulating resin while these bumps are in contact with each other.

光通信モジュールとしては、赤外線を発光および受光可能な発光素子および受光素子を備えたＩｒＤＡ準拠の赤外線データ通信モジュールに限定されず、赤外線以外のあらゆる波長の光を発光および受光可能な発光素子および受光素子を用いた構成としてもよい。   The optical communication module is not limited to an IrDA-compliant infrared data communication module including a light emitting element capable of emitting and receiving infrared light and a light receiving element, and a light emitting element and a light receiving element capable of emitting and receiving light of any wavelength other than infrared light. It is good also as a structure using an element.

本発明に係る光通信モジュールの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the optical communication module which concerns on this invention. 本発明に係る光通信モジュールの一例を示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view which shows an example of the optical communication module which concerns on this invention. 本発明に係る光通信モジュールの一例を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows an example of the optical communication module which concerns on this invention. 本発明に係る光通信モジュールの他の例を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the other example of the optical communication module which concerns on this invention. 従来の光通信モジュールの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the conventional optical communication module.

符号の説明Explanation of symbols

Ａ１，Ａ２ 赤外線データ通信モジュール（光通信モジュール）
１ 基板
１ａ 凹部
２ 発光素子
３ 受光素子
３ａ 側面
４ 駆動ＩＣ
４ａ 側面
５ 樹脂パッケージ
６ 遮光樹脂
１１ 配線パターン
１２ メッキ
３１ 受光部
４１ 上面電極
４２ 下面電極
５１，５２ レンズ部
７１ 異方性導電性樹脂
７１ａ エポキシ樹脂
７１ｂ 導電性粒子
７２ 導電性樹脂
７３ 絶縁樹脂
８１，８２，８３ ワイヤ
８１ａ，８２ａ，８３ａ 接合部 A1, A2 Infrared data communication module (optical communication module)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 1a Recessed part 2 Light emitting element 3 Light receiving element 3a Side face 4 Drive IC
4a Side surface 5 Resin package 6 Light shielding resin 11 Wiring pattern 12 Plating 31 Light receiving part 41 Upper surface electrode 42 Lower surface electrode 51, 52 Lens part 71 Anisotropic conductive resin 71a Epoxy resin 71b Conductive particle 72 Conductive resin 73 Insulating resin 81, 82,83 Wire 81a, 82a, 83a Joint part

Claims (9)

基板と、
上記基板に搭載された発光素子と、
受光部を有する受光素子と、
上記発光素子および受光素子を駆動制御するための駆動ＩＣと、
上記発光素子および受光素子のそれぞれの正面に形成された２つレンズ部を有し、かつ上記発光素子および受光素子を覆う樹脂パッケージと、を備えた光通信モジュールであって、
上記受光素子は、上記駆動ＩＣに搭載されていることを特徴とする、光通信モジュール。 A substrate,
A light emitting device mounted on the substrate;
A light receiving element having a light receiving portion;
A driving IC for driving and controlling the light emitting element and the light receiving element;
An optical communication module having two lens portions formed on the front surfaces of the light emitting element and the light receiving element, and a resin package covering the light emitting element and the light receiving element,
The optical communication module, wherein the light receiving element is mounted on the driving IC. 上記受光素子は、上記駆動ＩＣの一端寄りに配置されている、請求項１に記載の光通信モジュール。   The optical communication module according to claim 1, wherein the light receiving element is disposed near one end of the driving IC. 上記駆動ＩＣのうち上記一端にある側面と上記受光素子の一側面とは、互いに面一とされている、請求項２に記載の光通信モジュール。   The optical communication module according to claim 2, wherein a side surface at the one end of the driving IC and a side surface of the light receiving element are flush with each other. 上記駆動ＩＣは、上記基板に対してフリップチップ方式により接続されている、請求項１ないし３のいずれかに記載の光通信モジュール。   The optical communication module according to claim 1, wherein the driving IC is connected to the substrate by a flip chip method. 上記駆動ＩＣを覆う遮光樹脂をさらに備えており、かつ、
上記受光素子のうち少なくとも上記受光部は、上記樹脂パッケージにより直接覆われている、請求項１ないし４のいずれかに記載の光通信モジュール。 A light-shielding resin that covers the drive IC; and
5. The optical communication module according to claim 1, wherein at least the light receiving portion of the light receiving element is directly covered with the resin package. 上記発光素子と上記基板に形成された配線パターンとを導通させ、かつこの配線パターンとの接合部が上記遮光樹脂により覆われたワイヤをさらに備えている、請求項５に記載の光通信モジュール。   The optical communication module according to claim 5, further comprising a wire that electrically connects the light emitting element and a wiring pattern formed on the substrate, and a joint between the light emitting element and the wiring pattern is covered with the light shielding resin. 上記受光素子と上記基板に形成された配線パターンとを導通させ、かつこの配線パターンとの接合部が上記遮光樹脂により覆われたワイヤをさらに備えている、請求項５または６に記載の光通信モジュール。   7. The optical communication according to claim 5, further comprising a wire that electrically connects the light receiving element and a wiring pattern formed on the substrate, and a joint between the light receiving element and the wiring pattern is covered with the light shielding resin. module. 上記受光素子と上記駆動ＩＣとを導通させ、かつ上記駆動ＩＣとの接合部が上記遮光樹脂により覆われたワイヤをさらに備えている、請求項５ないし７のいずれかに記載の光通信モジュール。   8. The optical communication module according to claim 5, further comprising a wire that electrically connects the light receiving element and the driving IC, and a joint between the light receiving element and the driving IC is covered with the light shielding resin. 9. 上記受光素子は、上記駆動ＩＣに対して導電性樹脂を介してダイボンディングされている、請求項１ないし６のいずれかに記載の光通信モジュール。   The optical communication module according to claim 1, wherein the light receiving element is die-bonded to the driving IC via a conductive resin.
JP2005076695A 2005-03-17 2005-03-17 Optical communication module Pending JP2006261380A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005076695A JP2006261380A (en) 2005-03-17 2005-03-17 Optical communication module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005076695A JP2006261380A (en) 2005-03-17 2005-03-17 Optical communication module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006261380A true JP2006261380A (en) 2006-09-28

Family

ID=37100285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005076695A Pending JP2006261380A (en) 2005-03-17 2005-03-17 Optical communication module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006261380A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8841597B2 (en) 2010-12-27 2014-09-23 Avago Technologies Ip (Singapore) Pte. Ltd. Housing for optical proximity sensor
US8957380B2 (en) 2009-06-30 2015-02-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
DE102010040011B4 (en) * 2009-09-10 2015-06-11 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Package-on-Package (POP) optical proximity sensor
US9525093B2 (en) 2009-06-30 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
JP2016225631A (en) * 2015-06-02 2016-12-28 ラディアル Photoelectric module for non-contact free space optical link, associated multi-channel module, associated interconnection system, substrate manufacturing and connection method
US9733357B2 (en) 2009-11-23 2017-08-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared proximity sensor package with improved crosstalk isolation
CN109801982A (en) * 2017-11-16 2019-05-24 斯坦雷电气株式会社 S/N is than improved photoelectricity testing part and its manufacturing method
WO2024127552A1 (en) * 2022-12-14 2024-06-20 日本電信電話株式会社 Semiconductor light-receiving element

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1041539A (en) * 1996-07-23 1998-02-13 Shichizun Denshi:Kk Structure of inflared ray transmitting/receiving module
JP2000114588A (en) * 1998-10-01 2000-04-21 Matsushita Electric Works Ltd Optical transmission element
JP2000164897A (en) * 1998-11-26 2000-06-16 Sanyo Electric Co Ltd Optical semiconductor device and optical semiconductor module
JP2000183391A (en) * 1998-12-17 2000-06-30 Nec Corp Optical transmission/reception module for infrared-ray communication
JP2000323748A (en) * 1999-05-11 2000-11-24 Rohm Co Ltd Transceiver module for optical communication
JP2001077408A (en) * 1999-09-09 2001-03-23 Rohm Co Ltd Infrared transmission/reception module and manufacture thereof
JP2002324916A (en) * 2001-04-24 2002-11-08 Rohm Co Ltd Infrared data communication module and manufacturing method thereof
JP2004158831A (en) * 2002-08-30 2004-06-03 Agilent Technol Inc Signal communication structure and method of manufacturing the same
JP2005020029A (en) * 2004-10-12 2005-01-20 Matsushita Electric Works Ltd Method of manufacturing infrared data communication module

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1041539A (en) * 1996-07-23 1998-02-13 Shichizun Denshi:Kk Structure of inflared ray transmitting/receiving module
JP2000114588A (en) * 1998-10-01 2000-04-21 Matsushita Electric Works Ltd Optical transmission element
JP2000164897A (en) * 1998-11-26 2000-06-16 Sanyo Electric Co Ltd Optical semiconductor device and optical semiconductor module
JP2000183391A (en) * 1998-12-17 2000-06-30 Nec Corp Optical transmission/reception module for infrared-ray communication
JP2000323748A (en) * 1999-05-11 2000-11-24 Rohm Co Ltd Transceiver module for optical communication
JP2001077408A (en) * 1999-09-09 2001-03-23 Rohm Co Ltd Infrared transmission/reception module and manufacture thereof
JP2002324916A (en) * 2001-04-24 2002-11-08 Rohm Co Ltd Infrared data communication module and manufacturing method thereof
JP2004158831A (en) * 2002-08-30 2004-06-03 Agilent Technol Inc Signal communication structure and method of manufacturing the same
JP2005020029A (en) * 2004-10-12 2005-01-20 Matsushita Electric Works Ltd Method of manufacturing infrared data communication module

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8957380B2 (en) 2009-06-30 2015-02-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
US9525093B2 (en) 2009-06-30 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
DE102010040011B4 (en) * 2009-09-10 2015-06-11 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Package-on-Package (POP) optical proximity sensor
US9733357B2 (en) 2009-11-23 2017-08-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared proximity sensor package with improved crosstalk isolation
US8841597B2 (en) 2010-12-27 2014-09-23 Avago Technologies Ip (Singapore) Pte. Ltd. Housing for optical proximity sensor
JP2016225631A (en) * 2015-06-02 2016-12-28 ラディアル Photoelectric module for non-contact free space optical link, associated multi-channel module, associated interconnection system, substrate manufacturing and connection method
US10337913B2 (en) 2015-06-02 2019-07-02 Radiall Optoelectronic module for a contactless free-space optical link, associated multichannel modules, associated interconnection system, method of production and connection to a board
CN109801982A (en) * 2017-11-16 2019-05-24 斯坦雷电气株式会社 S/N is than improved photoelectricity testing part and its manufacturing method
JP2019091844A (en) * 2017-11-16 2019-06-13 スタンレー電気株式会社 Semiconductor light receiving device and manufacturing method of the same
CN109801982B (en) * 2017-11-16 2024-06-07 斯坦雷电气株式会社 Photoelectric detection device with improved S/N ratio and method for manufacturing the same
WO2024127552A1 (en) * 2022-12-14 2024-06-20 日本電信電話株式会社 Semiconductor light-receiving element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5037450B2 (en) Display element / electronic element module and electronic information device
US8531019B2 (en) Heat dissipation methods and structures for semiconductor device
US9760754B2 (en) Printed circuit board assembly forming enhanced fingerprint module
EP3780092B1 (en) Chip packaging structure and electronic device
CN101853846A (en) Semiconductor module and camera module equipped with the same
WO2009098875A1 (en) Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
JP2019050363A (en) Semiconductor package structure
JP2010045082A (en) Display element/electronic element module and its manufacturing method, and electronic information equipment
JP4426279B2 (en) Infrared data communication module
KR102811404B1 (en) Display device
JP3851418B2 (en) Infrared data communication module
JP4823729B2 (en) Optical communication module
JP2006261380A (en) Optical communication module
JPH11121805A (en) Infrared ray data communication module
CN109417081B (en) Chip packaging structure, method and electronic equipment
US6897485B2 (en) Device for optical and/or electrical data transmission and/or processing
JP4238126B2 (en) Semiconductor module
US20250160012A1 (en) Semiconductor device, electronic device, and manufacturing method for semiconductor device
US20230069296A1 (en) Display device
CN114388545B (en) Imaging module and electronic equipment
JP4969055B2 (en) Optical communication module
US20190165013A1 (en) Package for iris recognition imaging module and manufacturing method thereof
CN116917767A (en) Sensing device
JP2006245447A (en) Optical communication module
JP4801339B2 (en) Optical communication module

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070920

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100506

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100525

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100726

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101207