JP2006237794A - High frequency filter and high frequency apparatus using the same - Google Patents
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Abstract
【課題】バンドパスフィルタの3dB通過帯域幅は固定であり、希望信号に近接した妨害信号を除去することができなかった。
【解決手段】入力端子25とグランド間に接続された同調回路24と、この同調回路24と略等しい共振周波数を有するとともに出力端子29とグランド間に接続された同調回路28とを備え、入力端子25と出力端子29はバリキャップダイオード31で高周波結合されるとともに、バリキャップダイオード31に印加する制御電圧でバンドパスフィルタ21の3dB通過帯域幅41を制御する。これにより、所期の目的を達成することができる。
【選択図】図1The band-pass filter has a fixed 3 dB passband width, and an interference signal close to a desired signal cannot be removed.
A tuning circuit connected between an input terminal and ground, and a tuning circuit having a resonance frequency substantially equal to that of the tuning circuit and connected between an output terminal and ground. 25 and the output terminal 29 are high-frequency coupled by a varicap diode 31, and a 3 dB passband width 41 of the bandpass filter 21 is controlled by a control voltage applied to the varicap diode 31. Thereby, the intended purpose can be achieved.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、高周波フィルタとこれを用いた高周波装置に関するものである。 The present invention relates to a high frequency filter and a high frequency device using the same.
以下、高周波装置等に用いられる従来の高周波フィルタとしてのバンドパスフィルタについて説明する。従来のバンドパスフィルタは、図10に示すように、入力端子1とグランド間に接続された同調回路2と、この同調回路2と略等しい共振周波数を有するとともに出力端子3とグランド間に接続された同調回路4とで構成されていた。
Hereinafter, a band-pass filter as a conventional high-frequency filter used in a high-frequency device or the like will be described. As shown in FIG. 10, the conventional band-pass filter has a tuning circuit 2 connected between the input terminal 1 and the ground, a resonance frequency substantially equal to that of the tuning circuit 2, and is connected between the
そして、このバンドパスフィルタの中心周波数は同調回路2と同調回路4の共振周波数で決定されており、その3dB通過帯域幅は同調回路2を構成するインダクタ5と同調回路4を構成するインダクタ6の誘導結合7で決定されていた。 The center frequency of the bandpass filter is determined by the resonance frequency of the tuning circuit 2 and the tuning circuit 4, and the 3 dB pass band width of the inductor 5 constituting the tuning circuit 2 and the inductor 6 constituting the tuning circuit 4. Inductive coupling 7 was determined.
図11は、このバンドパスフィルタの特性曲線図である。図11において、横軸8は周波数(MHz)であり、縦軸9は減衰量(dB)である。10は、バンドパスフィルタの特性曲線であり、11はその中心周波数である。また、12はその3dB通過帯域幅である。
FIG. 11 is a characteristic curve diagram of this bandpass filter. In FIG. 11, the horizontal axis 8 is frequency (MHz), and the vertical axis 9 is attenuation (dB). 10 is a characteristic curve of the bandpass filter, and 11 is its center frequency.
この3dB通過帯域幅12は、インダクタ5とインダクタ6の相互位置を遠近させることにより誘導結合度を調整して決定していた。このように誘導結合度を固定として用い、3dB通過帯域幅が固定のバンドパスフィルタを得ていた。
The 3
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
しかしながら、このような従来の高周波フィルタの3dB通過帯域幅は固定であり、例えば、通過帯域の近傍に妨害信号等が存在する場合、この妨害信号を除去することはできなかった。 However, such a conventional high-frequency filter has a fixed 3 dB passband width. For example, when an interference signal or the like is present in the vicinity of the passband, the interference signal cannot be removed.
そこで本発明は、このような問題を解決したもので、通過帯域近傍に存在する妨害信号を除去することができる高周波フィルタを提供することを目的としたものである。 Accordingly, the present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a high-frequency filter that can remove an interference signal existing in the vicinity of the passband.
この目的を達成するために本発明の高周波フィルタの入力端子と出力端子との間は第1のバリキャップダイオードで高周波結合されるとともに、前記第1のバリキャップダイオードに印加する制御電圧で3dB通過帯域幅を制御するものである。 In order to achieve this object, the input terminal and the output terminal of the high-frequency filter of the present invention are high-frequency coupled by a first varicap diode and pass by 3 dB with a control voltage applied to the first varicap diode. It controls the bandwidth.
以上のように本発明によれば、入力端子と出力端子との間は第1のバリキャップダイオードで高周波結合されるとともに、前記第1のバリキャップダイオードに印加する制御電圧で3dB通過帯域幅を制御するものであり、第1のバリキャップダイオードに印加する制御電圧で3dB通過帯域幅を制御することにより、高周波結合を変化させ、3dB通過帯域幅を可変することができる。 As described above, according to the present invention, the input terminal and the output terminal are high-frequency coupled by the first varicap diode, and the control voltage applied to the first varicap diode has a 3 dB passband width. By controlling the 3 dB pass bandwidth with the control voltage applied to the first varicap diode, the high frequency coupling can be changed and the 3 dB pass bandwidth can be varied.
従って、たとえ通過帯域の近傍に妨害信号等がある場合であっても、この妨害信号を除去することができる。 Therefore, even if there is an interference signal or the like in the vicinity of the pass band, the interference signal can be removed.
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態1におけるバンドパスフィルタ(高周波フィルタの一例として用いた)21の回路図である。
(Embodiment 1)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a bandpass filter (used as an example of a high frequency filter) 21 in Embodiment 1 of the present invention.
図1において、インダクタ22とバリキャップダイオード(可変容量ダイオード)23を並列接続して、同調回路24を形成している。この同調回路24を形成するバリキャップダイオード23のアノード側はグランドに接続されるとともに、カソード側は入力端子25に接続されている。
In FIG. 1, an
また、インダクタ26とバリキャップダイオード27を並列接続して、同調回路28を形成している。この同調回路28を形成するバリキャップダイオード27のアノード側はグランドに接続されるとともに、カソード側は出力端子29に接続されている。
Further, the
そして、同調回路24を形成するバリキャップダイオード23のカソード側と、同調回路28を形成するバリキャップダイオード27のカソード側との間には、固定コンデンサ30とバリキャップダイオード31と固定コンデンサ32とがこの順に直列接続されている。この固定コンデンサ30とバリキャップダイオード31のアノード側の接続点と、グランドとの間には、抵抗33が接続されている。また、バリキャップダイオード31のカソード側及び固定コンデンサ32の接続点、並びに3dB通過帯域幅制御端子34との間には、抵抗35が接続されている。
Between the cathode side of the
また、同調回路24を形成するバリキャップダイオード23のカソード側と、同調回路28を形成するバリキャップダイオード27のカソード側からは夫々抵抗36、37を介して、中心周波数制御端子38に接続されている。ここで、抵抗33、35、36、37は、数十キロオームのものを用いている。
Also, the cathode side of the
なお、バリキャップダイオード23、27の代わりに、固定コンデンサを用いることもできる。この場合には、抵抗36、37及び中心周波数制御端子38は不要となる。
A fixed capacitor can be used instead of the
以上のように構成されたバンドパスフィルタ21について、以下にその動作を説明する。図2は、このバンドパスフィルタ21の特性曲線である。即ち、バンドパスフィルタ21の入力端子25に入力レベルが一定で連続して周波数が変化する信号を加えたとき、出力端子29から出力される応答特性である。
The operation of the
図2において、40は中心周波数であり、41は3dB通過帯域幅である。43は、バリキャップダイオード31の容量が大きいときの特性曲線であり、44は、バリキャップダイオード31の容量が小さいときの特性曲線である。なお、横軸45は、周波数(MHz)であり、縦軸46は、減衰量(dB)である。
In FIG. 2, 40 is a center frequency and 41 is a 3 dB passband width. 43 is a characteristic curve when the capacitance of the varicap diode 31 is large, and 44 is a characteristic curve when the capacitance of the varicap diode 31 is small. The
同調回路24と同調回路28とは、ほぼ同一の並列共振周波数を有しており、この並列共振周波数が中心周波数40となる。ここで、中心周波数制御端子38に低い電圧を加えると、バリキャップダイオード23、27の容量は増加し、同調回路24、28の並列共振周波数は低くなる。即ち、中心周波数40は低くなる。
The
逆に、中心周波数制御端子38に高い電圧を加えると、バリキャップダイオード23、27の容量は減少し、同調回路24、28の並列共振周波数は高くなる。即ち、中心周波数40は高くなる。このように、中心周波数制御端子38に加える制御電圧で、中心周波数40は横軸45上を移動する。中心周波数制御端子38に加える制御電圧を連続して変化させれば、中心周波数40は連続して変化する。従って、中心周波数40を連続的に制御できるバンドパスフィルタ21を得ることができる。
On the contrary, when a high voltage is applied to the center
なお、バリキャップダイオード23、27の代りに固定容量のコンデンサを用いる場合には、中心周波数40も固定となる。
When a fixed capacitor is used instead of the
また、3dB通過帯域幅制御端子34に高い電圧を加えると、バリキャップダイオード31の容量は減少し、同調回路24と同調回路28との容量結合(高周波結合の一例として用いた)が減少する。即ち、3dB通過帯域幅41は狭くなる。従って、通過帯域に近接した妨害信号をより抑圧することができる。
Further, when a high voltage is applied to the 3 dB pass
逆に、3dB通過帯域幅制御端子34に低い電圧を加えると、バリキャップダイオード31の容量は増加し、同調回路24と同調回路28との容量結合が増大する。即ち、3dB通過帯域幅41は広くなる。また、この場合、通過帯域内における損失42は減少する。
Conversely, when a low voltage is applied to the 3 dB
このように、3dB通過帯域幅制御端子34に加える制御電圧で、3dB通過帯域幅41は狭帯域になったり、広帯域になったりする。3dB通過帯域幅制御端子34に加える制御電圧を連続に変化させれば、3dB通過帯域幅41は連続して変化する。従って、3dB通過帯域幅41を連続的に制御できるバンドパスフィルタ21を得ることができる。
Thus, the control voltage applied to the 3 dB pass
従って、たとえ、3dB通過帯域幅41の近傍に妨害信号があったとしても、3dB通過帯域幅41を狭くすることにより、妨害信号を除去することができる。また、弱電界地域においては、3dB通過帯域幅41を広くすることにより、通過損失を減少させて受信感度等を向上させることができる。
Therefore, even if there is an interference signal in the vicinity of the 3
なお、バリキャップダイオード31の両端に微少容量(2〜5pF)のコンデンサを並列に接続することにより、バリキャップダイオード31の容量の減少度合いを抑制することができ、ハイエンド側で通過帯域幅41が狭くなり過ぎることを抑圧することができる。
In addition, by connecting a capacitor with a very small capacity (2 to 5 pF) at both ends of the varicap diode 31 in parallel, the degree of decrease in the capacitance of the varicap diode 31 can be suppressed, and the
また、コンデンサ30、32は直流カットの役目と、3dB通過帯域幅41の制御量への寄与度を制御する役目とを有している。即ち、コンデンサ30、32によって、バリキャップダイオード31の容量変化の寄与を決定できる。このバリキャップダイオード31の容量変化によって、3dB通過帯域幅41を制御できる。さらに、バリキャップダイオード31とバリキャップダイオード23および27の制御を互いに独立に行うことができる。
Further, the
以上のように、コンデンサ30、32の容量を大きくすれば、同じ通過帯域制御電圧の変化に対して、3dB通過帯域幅41の変化を大きくすることができる。逆に、コンデンサ30、32の容量を小さくすれば、同じ通過帯域制御電圧の変化に対して、3dB通過帯域幅41の変化を小さくすることができる。即ち、微調整をすることができる。
As described above, if the capacitances of the
また、通過帯域制御電圧の高低によって、高域での減衰量の差47の方が低域での減衰量の差48より大きくなる。
Further, due to the level of the passband control voltage, the
(実施の形態2)
本実施の形態では、実施の形態1で述べたバンドパスフィルタ21を用いた高周波装置について述べる。バンドパスフィルタ21は上記特徴を有しているので、以下に述べるような高周波装置に用いると、その効果を充分に発揮することができる。
(Embodiment 2)
In this embodiment, a high-frequency device using the
この高周波装置は、以下のような構成となっている。即ち、高周波信号が入力されるアンテナ入力端子と、このアンテナ入力端子に接続された入力回路と、この入力回路に接続された高周波増幅器と、この高周波増幅器の出力に接続された段間回路と、この段間回路の出力が一方の入力に接続されるとともに他方の入力には、発振器の出力が接続された混合器と、この混合器の出力が接続された中間周波フィルタと、この中間周波フィルタの出力が供給される出力端子とから構成されている。 This high-frequency device has the following configuration. That is, an antenna input terminal to which a high frequency signal is input, an input circuit connected to the antenna input terminal, a high frequency amplifier connected to the input circuit, an interstage circuit connected to the output of the high frequency amplifier, The output of the interstage circuit is connected to one input and the other input is connected to a mixer to which the output of the oscillator is connected, an intermediate frequency filter to which the output of the mixer is connected, and the intermediate frequency filter And an output terminal to which the output is supplied.
以上のように構成された高周波装置の段間回路に実施の形態1で説明したバンドパスフィルタ21を用いれば、3dB通過帯域幅制御端子34に低い電圧を加えることにより、バンドパスフィルタ21による損失が低減される。これにより、高周波装置としての雑音指数を低減することができるので、微弱な受信エリアでの受信感度を向上させることができる。
If the
逆に3dB通過帯域幅制御端子34に高い電圧を加えることにより、バリキャップダイオード31の容量は減少し、バンドパスフィルタ21による周波数選択度が向上するので、近接した妨害信号をより抑圧することができる。
Conversely, by applying a high voltage to the 3 dB pass
また、高周波装置の入力回路に本実施の形態で説明したバンドパスフィルタ21を用いることもできる。即ち、大きな妨害信号の存在する受信エリアでは3dB通過帯域幅制御端子34に高い電圧を加えることにより、妨害信号を最適に抑圧できる。また、希望信号の微弱な受信エリアでは3dB通過帯域幅制御端子34に低い電圧を加えることにより、バンドパスフィルタ21による損失を最小値にすることができる。
Further, the band-
また、中心周波数40を固定としたバンドパスフィルタ21は、この混合器の出力に接続される中間周波フィルタとして用いることもできる。
Further, the
以上のように、このバンドパスフィルタ21を用いることによって、希望信号に近接した妨害信号を最適に抑圧することができる。また、バンドパスフィルタ21の損失を最小値にすることもできる。これらのいずれかを必要に応じて適宜選択することができる。
As described above, by using this
従って、希望信号に近接して妨害信号が存在するエリアでの受信、あるいは弱電界エリアでの受信のそれぞれに対応する高周波装置を提供することができる。 Therefore, it is possible to provide a high-frequency device corresponding to reception in an area where an interference signal is present close to a desired signal or reception in a weak electric field area.
(実施の形態3)
図3は、実施の形態3におけるバンドパスフィルタ51の回路図である。図3において、入力端子52と出力端子53との間にインダクタ54とインダクタ55とが直列に接続されている。そして、このインダクタ54と55との接続点とグランドとの間にインダクタ56とコンデンサ57とバリキャップダイオード58とがこの順に直列接続されている。そして、バリキャップダイオード58のアノード側がグランドに接続されている。即ち、インダクタ54、56、55はいわゆる「T」形状に接続されている。また、バリキャップダイオード58のカソード側とコンデンサ57の接続点からは抵抗59を介して3dB通過帯域幅制御端子60に接続されている。
(Embodiment 3)
FIG. 3 is a circuit diagram of the
入力端子52とインダクタ54との接続点61aとグランドとの間には、バリキャップダイオード61が接続されており、出力端子53とインダクタ55との接続点62aとグランドとの間には、バリキャップダイオード62が接続されている。また、接続点62aとインダクタ55の接続点からは、抵抗63を介して中心周波数制御端子64に接続されている。ここで、抵抗59、63は数十キロオームのものを用いている。
A
さらに、コンデンサ57とバリキャップダイオード58との直列回路による容量値と、インダクタ56とにより直列共振回路56aが構成されている。
Further, a series
なお、バリキャップダイオード61、62の代わりに、固定コンデンサを用いることもできる。この場合には、抵抗63及び中心周波数制御端子64は不要となる。
A fixed capacitor can be used in place of the
以上のように構成されたバンドパスフィルタ51について、以下にその動作を説明する。図4は、このバンドパスフィルタ51の特性曲線である。即ち、バンドパスフィルタ51の入力端子52に入力レベルが一定で連続して周波数が変化する信号を加えたとき、出力端子53から出力される応答特性である。
The operation of the
図4において、65は中心周波数であり、66は3dB通過帯域幅である。67は、バリキャップダイオード58の容量が大きいときの特性曲線であり、68は、バリキャップダイオード58の容量が小さいときの特性曲線である。なお、横軸45は、周波数(MHz)であり、縦軸46は、減衰量(dB)である。
In FIG. 4, 65 is the center frequency and 66 is the 3 dB passband width. 67 is a characteristic curve when the capacitance of the
ここで、インダクタ54とインダクタ56とコンデンサ57とバリキャップダイオード58とがこの順に直列接続された第1の直列接続体と、この第1の直列接続体とバリキャップダイオード61とが並列接続されて第1の同調回路を形成している。また、インダクタ55とインダクタ56とコンデンサ57とバリキャップダイオード58とがこの順に直列接続された第2の直列接続体と、この第2の直列接続体とバリキャップダイオード62とが並列接続されて第2の同調回路を形成している。
Here, a first series connection body in which the inductor 54, the
なお、第1の同調回路の共振周波数はバリキャップダイオード61とインダクタ54の定数が支配的である。また、第2の同調回路の共振周波数はバリキャップダイオード62とインダクタ55の定数が支配的である。
Note that the resonance frequency of the first tuning circuit is dominated by the constants of the
そして、直列共振回路56aの直列共振周波数は、第1および第2の同調回路の同調周波数より低く設定している。これにより、直列共振回路56aは、第1および第2の同調回路の同調周波数において、インダクタンス性を有することになる。従って、バリキャップダイオード58の容量値を制御電圧で可変することにより、第1および第2の同調回路の直列共振回路56aのインピーダンスは同調周波数においてインダクタンスとなり、その値を可変することができる。即ち、直列共振回路56aを形成するインダクタ56とコンデンサ57とバリキャップダイオード58のインダクタンス成分が誘導結合(高周波結合の一例として用いた)の結合度合いに寄与することになる。
The series resonance frequency of the
以上のように構成された第1の同調回路と第2の同調回路とは同一の並列共振周波数を有している。この並列共振周波数がバンドパスフィルタ51の中心周波数65となる。ここで、中心周波数制御端子64に低い電圧を加えると、バリキャップダイオード61、62の容量は増加し、第1、第2の同調回路の並列共振周波数は低くなる。即ち、中心周波数65は低くなる。
The first tuning circuit and the second tuning circuit configured as described above have the same parallel resonance frequency. This parallel resonance frequency becomes the
逆に、中心周波数制御端子64に高い電圧を加えると、バリキャップダイオード61、62の容量は減少し、第1、第2の同調回路の並列共振周波数は高くなる。即ち、中心周波数65は高くなる。このように、中心周波数制御端子64に加える制御電圧で、中心周波数65は横軸45上を移動する。即ち、中心周波数制御端子64に加える制御電圧を連続に変化させれば、中心周波数65は連続して変化する。従って、中心周波数65を連続的に制御できるバンドパスフィルタ51を得ることができる。
On the contrary, when a high voltage is applied to the center
なお、バリキャップダイオード61、62の代りに固定容量のコンデンサを用いる場合には、中心周波数65も固定となる。
When a fixed capacitor is used instead of the
また、3dB通過帯域幅制御端子60に高い電圧を加えると、バリキャップダイオード58の容量は減少し、第1の同調回路と第2の同調回路との誘導結合が減少する。即ち、3dB通過帯域幅66は狭くなる。従って、通過帯域に近接した妨害信号を抑圧することができる。
Further, when a high voltage is applied to the 3 dB pass
逆に、3dB通過帯域幅制御端子60に低い電圧を加えると、バリキャップダイオード58の容量は増加し、第1の同調回路と第2の同調回路との誘導結合が増大する。即ち、3dB通過帯域幅66は広くなる。また、この場合、通過帯域内における損失69は減少する。従って、NFが良化し、受信感度は向上する。
Conversely, when a low voltage is applied to the 3 dB
このように、3dB通過帯域幅制御端子60に加える制御電圧により、3dB通過帯域幅66を狭帯域としたり、広帯域としたりすることができる。3dB通過帯域幅制御端子60に加える制御電圧を連続して変化させれば、3dB通過帯域幅66は連続して変化する。従って、3dB通過帯域幅66を連続的に制御できるバンドパスフィルタ51を得ることができる。従って、たとえ、3dB通過帯域幅66の近傍に妨害信号があったとしても、この妨害信号を除去することができる。
As described above, the control voltage applied to the 3 dB pass
また、コンデンサ57は直流カットの役目と、3dB通過帯域幅66の制御量の寄与度を制御する役目とを有している。即ち、コンデンサ57によって、バリキャップダイオード58による3dB通過帯域幅66の制御と、バリキャップダイオード58と、バリキャップダイオード61、62の制御とを分離して独立に行うことができる。このコンデンサ57の容量を大きくすれば、同じ通過帯域制御電圧の変化に対して、3dB通過帯域幅66の変化を大きくすることができる。逆に、コンデンサ57の容量を小さくすれば、同じ通過帯域制御電圧の変化に対して、3dB通過帯域幅66の変化を小さくすることができる。即ち、微調整をすることができる。
Further, the
また、通過帯域制御電圧の高低によって、低域での減衰量の差70の方が高域での減衰量の差71より大きくなる。
Further, due to the level of the passband control voltage, the
さらに、インダクタ56を用いて誘導結合としているので、高域での減衰量は、容量結合とした実施の形態1における高域の減衰量に比べて、減衰量が大きい。
Furthermore, since the
このバンドパスフィルタ51を、高周波信号受信部に用いると、実施の形態1と同様に、希望信号に近接して妨害信号が存在するエリアでの受信、あるいは弱電界エリアでの受信に対して最適な選択をすることにより、良好な受信をすることができる。
When this band-
(実施の形態4)
図5は、実施の形態4における高周波フィルタ75の回路図である。図5において、入力端子76とグランドとの間には、インダクタ77とバリキャップダイオード78とが直列接続された直列共振回路79が形成されている。この直列共振回路79を形成するバリキャップダイオード78のアノード側はグランドに接続されている。
(Embodiment 4)
FIG. 5 is a circuit diagram of the
また、出力端子80とグランドとの間には、インダクタ81とバリキャップダイオード82を直列接続して、直列共振回路83を形成している。この直列共振回路83を形成するバリキャップダイオード82のアノード側はグランドに接続されている。
An
この直列共振回路79及び入力端子76の接続点、並びに直列共振回路83及び出力端子80の接続点との間には、固定コンデンサ84とバリキャップダイオード85と固定コンデンサ86とがこの順に直列接続されている。この固定コンデンサ84及びバリキャップダイオード85のアノード側との接続点、並びにグランドとの間には、抵抗87が接続されている。また、バリキャップダイオード85のカソード側及び固定コンデンサ86の接続点、並びに3dB通過帯域幅制御端子88との間には、抵抗89が接続されている。
A fixed
また、直列共振回路79を形成するバリキャップダイオード78のカソード側と、第1のノッチ周波数制御端子90との間には抵抗91が接続されている。また、直列共振回路83を形成するバリキャップダイオード82のカソード側と、第2のノッチ周波数制御端子92との間には抵抗93が接続されている。
A
なお、バリキャップダイオード78、82の代わりに、固定コンデンサを用いることもできる。この場合には、抵抗91、93及びノッチ周波数制御端子90、92は不要となる。ここで、抵抗87、89、91、93は数十キロオームのものを用いている。
A fixed capacitor can be used instead of the
以上のように構成された高周波フィルタ75について、以下にその動作を説明する。図6は、この高周波フィルタ75の特性曲線である。即ち、高周波フィルタ75の入力端子76に入力レベルが一定で連続して周波数が変化する信号を加えたとき、出力端子80から出力される応答特性である。
The operation of the
図6において、95は直列共振回路79におけるノッチ周波数(直列共振周波数)であり、96は直列共振回路83におけるノッチ周波数である。本実施の形態では、直列共振回路79におけるノッチ周波数95より、直列共振回路83におけるノッチ周波数96の方を高くしている。従って、このノッチ周波数95とノッチ周波数96の間の通過凸部幅100を有する高周波フィルタ75を得ることができる。この通過凸部幅100は、ノッチ周波数制御端子90、92に加える電圧で可変することができる。
In FIG. 6, 95 is a notch frequency (series resonance frequency) in the
また、ノッチ周波数95或いは96を妨害信号の周波数に合わせれば、直接妨害信号を効率良く除去することができる。
Further, if the
97は高周波フィルタ75の3dB通過帯域幅である。98は、バリキャップダイオード85の容量が大きいときの特性曲線であり、99は、バリキャップダイオード85の容量が小さいときの特性曲線である。なお、横軸45は、周波数(MHz)であり、縦軸46は、減衰量(dB)である。
直列共振回路79と直列共振回路83とは異なる直列共振周波数を有している。ここで、ノッチ周波数制御端子90、92に低い電圧を加えると、バリキャップダイオード78、82の容量は増加し、直列共振回路79、83の直列共振周波数は低くなる。
The
逆に、ノッチ周波数制御端子90、92に高い電圧を加えると、バリキャップダイオード78、82の容量は減少し、直列共振回路79、83の直列共振周波数は高くなる。このように、ノッチ周波数制御端子90、92に加える制御電圧で、通過凸部幅100は横軸45上を移動する。ノッチ周波数制御端子90、92に加える制御電圧を連続に変化させれば、ノッチ周波数95、96は連続して変化する。従って、ノッチ周波数95、96を連続的に制御できる高周波フィルタ75を得ることができる。
Conversely, when a high voltage is applied to the notch
また、ノッチ周波数制御端子90、92を接続して共通端子とし、この共通端子に制御電圧を加えてもよい。この場合、直列共振回路79、83のそれぞれの直列共振周波数は、ノッチ周波数は95、96となるように設定しておく。
Further, the notch
以上のように、直列共振回路79、83とバリキャップダイオード85に加える制御電圧によって、特性曲線98、99が決定される。この特性曲線98、99の中心周波数97a付近の特性は、直列共振回路79、83を形成するそれぞれインダクタ77、81の大きさにより影響される。以下にその説明を行う。
As described above, the
ここで、直列共振回路79、83のリアクタンス・スロープパラメータを、直列共振回路79、83のノッチ周波数95、96におけるリアクタンスの周波数に対する変化率である直列共振角周波数ωoとそれぞれのインダクタ77、81の大きさとの積として定義する。すなわち、このリアクタンス・スロープパラメータは、直列共振角周波数ωoとインダクタ77、81の大きさによって決定されるものである。
Here, the reactance slope parameters of the
例えば、通過帯域の低域側にノッチ周波数95を形成する直列共振回路79のインダクタ77を大きく設定すると、直列共振回路79のリアクタンス・スロープパラメータが大きくなり、また通過帯域の高域側にノッチ周波数96を形成する直列共振回路83のインダクタ81を小さく設定すると、直列共振回路83のスロープパラメータは小さくなり、バリキャップダイオード85の容量値を小さく設定する必要がある。
For example, if the
反対に、通過帯域の低域側にノッチ周波数95を形成する直列共振回路79のインダクタ77を小さく設定すると、直列共振回路79のリアクタンス・スロープパラメータが小さくなり、また通過帯域の高域側にノッチ周波数96を形成する直列共振回路83のインダクタ81を大きく設定すると、直列共振回路83のリアクタンス・スロープパラメータは大きくなり、バリキャップダイオード85の容量値を大きく設定する必要がある。
On the other hand, when the
このように、直列共振回路79、83とバリキャップダイオード85との整合を合わすことにより、所定の特性曲線98、99が得られる。
In this way, predetermined
なお、バリキャップダイオード78、82の代わりに固定コンデンサを用いれば、通過凸部幅100と通過周波数は固定となる。
If a fixed capacitor is used instead of the
また、3dB通過帯域幅制御端子88に高い電圧を加えると、バリキャップダイオード85の容量は減少し、直列共振回路79と直列共振回路83との間の容量結合(高周波結合の一例として用いた)が減少する。即ち、3dB通過帯域幅97は狭くなる。
Further, when a high voltage is applied to the 3 dB pass
逆に、3dB通過帯域幅制御端子88に低い電圧を加えると、バリキャップダイオード85の容量は増加し、直列共振回路79と直列共振回路83との間の容量結合が増大する。即ち、3dB通過帯域幅97は広くなる。また、この場合、通過帯域内における損失101は減少する。従って、NFは良化し、受信感度は向上する。
Conversely, when a low voltage is applied to the 3 dB pass
このように、3dB通過帯域幅制御端子88に加える制御電圧で、3dB通過帯域幅97を狭帯域にしたり、広帯域にしたりすることができる。3dB通過帯域幅制御端子88に加える制御電圧を連続して変化させれば、3dB通過帯域幅97は連続して変化する。従って、3dB通過帯域幅97を連続的に制御できる高周波フィルタ75を得ることができる。また、妨害信号は直接ノッチ周波数95、96で除去することができる。
In this way, the control voltage applied to the 3 dB pass
また、コンデンサ84、86は直流カットの役目と、3dB通過帯域幅97の制御量の寄与度を制御する役目とを有している。即ち、コンデンサ84、86によって、3dB通過帯域幅97の制御と、ノッチ周波数95、96の制御を独立に行うことができる。また、コンデンサ84、86の容量を大きくすれば、同じ通過帯域制御電圧の変化に対して、3dB通過帯域幅97の変化を大きくすることができる。逆に、コンデンサ84、86の容量を小さくすれば、同じ通過帯域制御電圧の変化に対して、3dB通過帯域幅97の変化を小さくすることができる。即ち、微調整をすることができる。
また、通過帯域制御電圧の高低によって、高域での減衰量の差102の方が低域での減衰量の差103より大きくなる。
Further, due to the level of the passband control voltage, the
この高周波フィルタ75を、高周波信号受信部に用いると、実施の形態1と同様に、希望信号に近接して妨害信号が存在するエリアでの受信、あるいは弱電界エリアでの受信のそれぞれに対して最適な選択をすることにより、良好な受信をすることができる。
When this high-
さらに、この高周波フィルタ75によって、ノッチ周波数95、96を直接妨害信号に合わせると、妨害信号除去に大きな効果を有する。
Furthermore, if the
(実施の形態5)
図7は、実施の形態5における高周波フィルタ105の回路図である。実施の形態5は、実施の形態4における入力端子76と、本実施の形態における入力端子106との間に直列共振回路107を設けるとともに、更に、実施の形態4における出力端子80と、本実施の形態における出力端子108との間に直列共振回路109を設けたものである。なお、実施の形態4と同じものには同符号を付して説明を簡略化する。
(Embodiment 5)
FIG. 7 is a circuit diagram of high-
図7において、直列共振回路107は、入力端子106に接続されたインダクタ110と、バリキャップダイオード111と、コンデンサ112とがこの順に直列接続されており、コンデンサ112の端は実施の形態4で示した直列共振回路79に接続されている。
In FIG. 7, the series
また、直列共振回路107を形成するインダクタ110及びバリキャップダイオード111のアノード側との接続点、並びにグランドとの間には抵抗113が接続されており、バリキャップダイオード111のカソード側とコンデンサ112の接続点と、通過信号制御端子114との間には抵抗115が接続されている。
A
直列共振回路109は、実施の形態4で示した直列共振回路83に接続されたコンデンサ116と、インダクタ117と、バリキャップダイオード118とがこの順に直列接続されており、バリキャップダイオード118のカソード側が出力端子108に接続されている。
In the
また、直列共振回路109を形成するインダクタ117及びバリキャップダイオード118のアノード側との接続点、並びにグランドとの間には抵抗119が接続されており、バリキャップダイオード118のカソード側及び出力端子108の接続点、並びに通過信号制御端子114との間には抵抗121が接続されている。ここで、抵抗113、115、119、121は数十キロオームのものを用いている。
A
なお、この直列共振回路107、109の直列共振周波数は通過凸部幅100内に設定されている。
Note that the series resonant frequency of the series
以上のように構成された高周波フィルタ105について、以下にその動作を説明する。図8は、この高周波フィルタ105の特性曲線である。即ち、この高周波フィルタ105は、実施の形態4で述べた高周波フィルタ75の入力と出力に直列共振回路107、109が接続されたものである。従って、その特性曲線は、実施の形態4に比べて通過凸部幅100以外の周波数帯がさらに抑圧されることになる。
The operation of the
また、この通過凸部幅100内において、希望信号の周波数になるように直列共振回路107、109の直列共振周波数を設定している。このことにより、妨害信号を除去する高周波フィルタ105を実現することができる。
Further, the series resonance frequency of the
また、ノッチ周波数制御端子90、92を接続して共通端子とし、この共通端子に制御電圧を加えてもよい。この場合、直列共振回路79、83のそれぞれの直列共振周波数は、ノッチ周波数は95、96となるように設定しておく。
Further, the notch
さらに、ノッチ周波数制御端子90、92と通過信号制御端子114とを接続して共通端子とし、この共通端子に制御電圧を加えてもよい。この場合、直列共振回路79、83のそれぞれの直列共振周波数は、ノッチ周波数は95、96とし、直列共振回路107、109の直列共振周波数は、通過凸部幅100内に設定しておく。
Further, the notch
97は高周波フィルタ105の3dB通過帯域幅である。125は、バリキャップダイオード85の容量が大きいときの特性曲線であり、126は、バリキャップダイオード85の容量が小さいときの特性曲線である。
また、通過帯域制御電圧の高低によって、高域での減衰量の差127の方が低域での減衰量の差128より大きくなる。
Further, due to the level of the passband control voltage, the
(実施の形態6)
実施の形態6は、実施の形態5における直列共振回路107の入力と出力との間に第1の電子スイッチを設けて、直列共振回路107の入力と出力との間を開放或いは短絡するものである。また、直列共振回路109の入力と出力との間にも第2の電子スイッチを設けて、直列共振回路109の入力と出力との間を開放或いは短絡するものである。
(Embodiment 6)
In the sixth embodiment, a first electronic switch is provided between the input and output of the series
この第1の電子スイッチと第2の電子スイッチとは、連動して開放或いは短絡をしても良いし、夫々独立して開放或いは短絡しても良い。連動して開放或いは短絡する場合は、妨害信号が大きな場合と殆ど存在しない場合に用いることができる。また、妨害信号の大きさがその中間の場合には、夫々の電子スイッチを独立して開放或いは短絡すると良い。 The first electronic switch and the second electronic switch may be opened or shorted in conjunction with each other, or may be opened or shorted independently. When opening or shorting in conjunction with each other, it can be used when there is a large interference signal and when there is almost no interference signal. Further, when the magnitude of the interference signal is in the middle, each electronic switch may be opened or short-circuited independently.
この第1、第2の電子スイッチの制御データは、夫々の希望信号と妨害信号の大きさの比率に応じてメモリに格納しておき、夫々の状況に応じて制御するようにすると良い。 The control data of the first and second electronic switches may be stored in a memory in accordance with the ratio between the magnitudes of the desired signal and the interference signal, and controlled according to the respective situations.
(実施の形態7)
本実施の形態では、実施の形態5で説明した高周波フィルタ105を用いた高周波装置について説明する。この高周波フィルタ105を、高周波装置に用いると、実施の形態4と同様の効果を奏するとともに、通過帯域外の妨害信号を大きく抑圧することができる。
(Embodiment 7)
In this embodiment, a high-frequency device using the high-
図9は、本発明の実施の形態7における高周波装置のブロック図である。図9を用いて、131は、高周波信号が入力する入力端子であり、この入力端子131は高周波増幅器132に接続されている。この高周波増幅器132の出力は実施の形態5で説明した高周波フィルタ105(なお、この高周波フィルタ105は実施の形態4で説明した高周波フィルタ75であっても良い)に接続されており、この高周波フィルタ105の出力は混合器133の一方の入力に接続されている。
FIG. 9 is a block diagram of the high-frequency device according to Embodiment 7 of the present invention. With reference to FIG. 9, 131 is an input terminal for inputting a high-frequency signal, and this
また、この混合器133の他方の入力にはPLL回路134の出力が接続されている。このPLL回路134には発振器と位相比較器とローパスフィルタがループ状に接続されて内蔵されており、この発振器の出力が混合器133の他方の入力に接続されている。
The output of the
混合器133の出力は中間周波フィルタ135の一方側に接続されており、この中間周波フィルタ135の他方側は中間周波増幅器136を介して出力端子137に接続されている。
The output of the
また、この中間周波増幅器136の出力は中間周波検波器138の入力に接続されており、その出力は利得制御器145を介して中間周波増幅器136の利得制御端子に接続されている。なお、この中間周波検波器138の入力は、混合器133の出力からフィルタを介して接続しても良いし、出力端子137に接続される復調器から出力される信号を入力しても良い。
The output of the
この中間周波検波器138の出力はフィルタ制御部139にも接続されており、このフィルタ制御部139の出力は高周波フィルタ105の各制御端子に接続されて高周波フィルタ105を制御している。
The output of the
フィルタ制御部139は、検波出力用減算器140と、基準電圧器141と、フィルタ用加算器142と、フィルタ用減算器143とで構成されており、以下その接続を説明する。
The
検波出力用減算器140の一方の入力には、中間周波検波器138の出力が接続されており、他方の入力には基準電圧器141の出力が接続されている。そして、この検波出力用減算器140の出力は、フィルタ用加算器142とフィルタ用減算器143の夫々の一方の入力と、高周波フィルタ105の3dB通過帯域幅制御端子88に接続されている。
The output of the
また、フィルタ用加算器142とフィルタ用減算器143の夫々の他方の入力には、PLL回路134を構成するローパスフィルタからの出力134aが接続されている。また、このローパスフィルタの出力134aは高周波フィルタ105の通過信号制御端子114にも接続されている。
The other input of each of the
フィルタ用加算器142の出力は、高周波フィルタ105のノッチ周波数制御端子90に接続されるとともに、フィルタ用減算器143の出力は、高周波フィルタ105のノッチ周波数制御端子92に接続されている。
The output of the
また、144はデータ入力端子であり、このデータ入力端子144はPLL回路134の入力に接続されるとともに、このPLL回路134の出力134bは基準電圧器141の入力に接続されている。
以上のように構成された高周波装置について、以下にその動作を説明する。入力端子131から入力された高周波入力信号は、高周波増幅器132で利得制御される。この高周波増幅器132からの出力信号は、高周波フィルタ105により妨害信号が抑圧された後、混合器133でPLL回路134の出力で周波数変換される。この混合器133から出力される中間周波数信号は、中間周波フィルタ135により妨害信号が抑圧された後、中間周波増幅器136で増幅される。そして、この増幅された信号は出力端子137から出力される。
The operation of the high-frequency device configured as described above will be described below. The high frequency input signal input from the
さらに、中間周波増幅器136の出力は、中間周波検波器138に入力される。これにより、中間周波検波器138において中間周波数信号が検波されて、検波電圧Aが出力される。この検波電圧Aは、フィルタ制御部139に入力される。
Further, the output of the
フィルタ制御部139を構成する検波出力用減算器140では、基準電圧器141の基準電圧Bから検波電圧Aを減算し、その結果である減算電圧(B−A)をフィルタ用加算器142とフィルタ用減算器143のそれぞれ一方の入力に供給する。なお、設定する基準電圧Bは、検波電圧Aより大きいものとし、説明する。
In the
一方、PLL回路134の出力134aからは、高周波フィルタ105の中心周波数(通過信号)を制御する制御電圧Cが出力されるとともに、フィルタ用加算器142とフィルタ用減算器143の他方の入力に供給される。フィルタ用加算器142では、制御電圧Cと減算電圧(B−A)とが加算され、その加算結果(C+(B−A))が、フィルタ用加算器142から出力されて高周波フィルタ105のノッチ周波数制御端子90に入力される。これにより、高周波フィルタ105の直列共振回路79のノッチ周波数95が制御される。
On the other hand, the
また、フィルタ用減算器143では、制御電圧Cから減算電圧(B−A)が減算され、その減算結果(C−(B−A))が、高周波フィルタ105のノッチ周波数制御端子92に入力される。これにより、高周波フィルタ105の直列共振回路83のノッチ周波数96が制御される。
The
以上の動作によってフィルタ用加算器142、フィルタ用減算器143において、それぞれ高周波フィルタ105の制御電圧が作られる。これら制御電圧による高周波フィルタ105の制御について以下、説明する。
With the above operation, the
例えば、妨害信号がなく、希望信号のみが入力される場合には、検波電圧Aが基準電圧Bに近くなり、減算電圧(B−A)は、小さくなる。従って、フィルタ用加算器142からの加算結果(C+(B−A))および減算結果(C−(B−A))の電圧は、それぞれ制御電圧Cに近くなるとともに、直列共振回路79、83のそれぞれのバリキャップダイオード78、82に印加されることになる。これにより、直列共振回路79、83のそれぞれのノッチ周波数95、96が制御される。
For example, when there is no interfering signal and only the desired signal is input, the detection voltage A becomes close to the reference voltage B, and the subtraction voltage (BA) becomes small. Therefore, the voltage of the addition result (C + (B−A)) and the subtraction result (C− (B−A)) from the
このように、妨害信号がなく、希望信号のみが入力される場合には、加算結果(C+(B−A))と減算結果(C−(B−A))の間を広くして、高周波フィルタ105の3dB通過帯域幅を広くするとともに、3dB通過帯域幅97を広く設定すれば良い。これにより、高周波フィルタ105の通過周波数での損失を最小にできる。
Thus, when there is no interfering signal and only the desired signal is input, the gap between the addition result (C + (B−A)) and the subtraction result (C− (B−A)) is widened to increase the high frequency. The 3 dB pass band width of the
次に、希望信号よりも大きな妨害信号が入力される場合には、高周波増幅器132からの希望信号が抑圧される。従って、希望信号による検波電圧Aが基準電圧Bより小さくなるので、減算電圧(B−A)は大きくなる。この場合には、フィルタ用加算器142から出力される加算結果(C+(B−A))は、大きい電圧値となる。この大きい電圧値が、高周波フィルタ105のノッチ周波数制御端子90を通じて、バリキャップダイオード78に印加されるので、容量値が小さくなる。この結果、低域側ノッチ周波数95が高域側へ移行し、3dB通過帯域幅は狭くなる。
Next, when an interference signal larger than the desired signal is input, the desired signal from the
一方、フィルタ用減算器143からの減算結果(C−(B−A))は、小さい電圧値となる。この小さい電圧値が、高周波フィルタ105のノッチ周波数制御端子92を通じて、バリキャップダイオード82に印加されるので、容量値が大きくなる。この結果、高域側ノッチ周波数96が低域側へ移行し、3dB通過帯域幅は狭くなる。
On the other hand, the subtraction result (C− (B−A)) from the
さらに、妨害波信号に対して希望波信号が大きい場合、検波出力用減算器140での減算電圧(B−A)は小さくなる。減算電圧(B−A)が高周波フィルタ105の3dB通過帯域幅制御端子88に入力され、バリキャップダイオード85の容量が大きくなる。その結果、3dB通過帯域幅97が広くなり、高周波フィルタ105のロスを小さくできる。
Further, when the desired wave signal is larger than the interference wave signal, the subtraction voltage (BA) in the
一方、希望波信号に対して妨害信号が大きい場合、検波出力用減算器140での減算電圧(B−A)が大きくなる。減算電圧(B−A)が高周波フィルタ105の3dB通過帯域幅制御端子88に入力され、バリキャップダイオード85の容量が小さくなる。その結果、3dB通過帯域幅97が狭くなり、高周波フィルタ105は妨害信号を低減することができる。
On the other hand, when the interference signal is larger than the desired wave signal, the subtraction voltage (B-A) in the
このようにして、高周波フィルタ105の3dB通過帯域幅97を制御することにより、妨害信号を抑圧し、最適な受信状態を実現することができる。なお、基準電圧器141の基準電圧Bについては、データ入力端子144からの制御データにより設定することが可能である。すなわち、データ入力端子144から入力される制御データをPLL回路134に入力し、このPLL回路134からの出力134bにより基準電圧器141の基準電圧Bを任意に変えることができる。これにより、高周波フィルタ105の3dB通過帯域幅97を最適化できる。
In this way, by controlling the 3
なお、中間周波検波器138は、混合器133の出力に接続した中間周波増幅器136の出力に接続した場合を説明したが、さらに後段に接続されているデジタルフィルタの出力に接続して希望信号を検出しても良い。その場合は、妨害信号による影響がなくなるので、精度のよい帯域制御ができる。
The
以上のように、本実施の形態では、高周波装置における高周波フィルタ105を制御する方法を説明したが、実施の形態4の高周波フィルタ75を制御する方法についても同様である。すなわち、高周波フィルタ75は、高周波フィルタ105から直列共振回路107、109を削除したものであり、高周波フィルタ105の通過信号制御端子114を削除している。従って、実施の形態4における通過信号制御端子114以外の制御方法は、実施の形態5と同様である。
As described above, in the present embodiment, the method of controlling the
本発明にかかる高周波フィルタ3dB通過帯域幅を可変にすることができるので、希望信号に近接した妨害信号を除去することができ、高周波装置等に適用できる。
Since the high-
21 バンドパスフィルタ
24 同調回路
25 入力端子
28 同調回路
29 出力端子
31 バリキャップダイオード
34 3dB通過帯域幅制御端子
41 3dB通過帯域幅
21
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