JP2006229162A - Substrate and manufacturing method thereof - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 36
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 85
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 85
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 84
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 80
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
- H01L2924/15155—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device the shape of the recess being other than a cuboid
- H01L2924/15156—Side view
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Abstract
【課題】 赤外線の所望の反射率を得るためにテーパ状の収容凹部を形成する場合であっても、後に載置される発光素子を水平に載置させることを可能にした基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 発光素子17を収容するためのテーパ状のパラボラ収容凹部7を有する絶縁基材2であって、パラボラ収容凹部7の底部9の少なくとも中央部が、貫通孔5に充填された銅ペースト6で形成されている。
【選択図】 図1PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate capable of horizontally mounting a light emitting element to be mounted later even when a tapered housing recess is formed in order to obtain a desired infrared reflectance, and a method for manufacturing the same I will provide a.
SOLUTION: An insulating base material 2 having a tapered parabolic housing recess 7 for housing a light emitting element 17, wherein at least a central portion of a bottom portion 9 of the parabolic housing recess 7 is filled with a through hole 5. It is formed of paste 6.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、基板及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate and a manufacturing method thereof.
近年、赤外線通信(IrDA)が注目を集めている。赤外線通信は、赤外線発光素子からの光信号を受光手段により受信することにより、結線を用いることなく、且つ外部光による影響が少ない状態で、信号の伝達ができるというもので、赤外線通信装置を搭載した携帯電話も多く見受けられる。また、赤外線通信を用いた無線電子決済システムが標準化されたため、さらに重要度が増してきている。 In recent years, infrared communication (IrDA) has attracted attention. Infrared communication is an optical communication system that can receive signals without receiving connections by receiving light signals from infrared light emitting elements with light receiving means, and with little influence from external light. Many mobile phones have been found. In addition, since the wireless electronic payment system using infrared communication has been standardized, the importance is further increased.
このような赤外線通信装置において、赤外線を発光する発光素子を絶縁基材に設ける場合、通常、絶縁基材の表面に載置させて設けられている。(特許文献1参照)
また、図10に示すように、絶縁基材72に厚さ方向に凹むテーパ状の収容凹部73を座ぐり加工で形成し、その後絶縁基材72をめっき層3で被覆して、収容凹部73の底部73aのめっき層3上に発光素子71を載置させることが行われている。これは、収容凹部73のテーパ状の内周面73bを利用して赤外線を反射させて、より集光効率を向上させようとするものである。
しかし、絶縁基材72はガラスクロスを含んでおり硬いため、座ぐり加工を行ったときに、絶縁基材72に当たっているだけの状態となる座ぐり加工器具の切削刃の中心は、加工されにくい。このため、底部73aの中心部に削り残しができてしまい、図10に示すような突起部70ができてしまうことがある。このように、突起部70ができると底部73aが平坦ではなくなり、その上のめっき層3も突起部74を有することになり平坦でなくなるため、発光素子71を水平に載置させることができなくなってしまう。
Further, as shown in FIG. 10, a tapered housing recess 73 that is recessed in the thickness direction is formed in the
However, since the
本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するものであって、その目的とするところは、赤外線の所望の反射率を得るためにテーパ状の収容凹部を形成する場合であっても、後に載置される発光素子を水平に載置させることを可能にした基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention solves the problems of the prior art, and the object of the present invention is to form a taper-shaped recess in order to obtain a desired infrared reflectance. It is an object of the present invention to provide a substrate capable of horizontally mounting a light emitting element to be mounted and a manufacturing method thereof.
上記目的を達成するために、請求項1に係る発明は、発光素子を収容するためのテーパ状の収容凹部を有する基板であって、前記収容凹部の底部の少なくとも中央部が、穴部に充填された充填剤で形成されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is a substrate having a tapered housing recess for housing a light emitting element, wherein at least a central portion of the bottom of the housing recess fills the hole. It is formed with the made filler.
請求項2に係る発明は、請求項1に係る発明において、前記穴部は、貫通孔であることを特徴とする。
The invention according to
請求項3に係る発明は、発光素子を収容するためのテーパ状の収容凹部を有する基板の製造方法において、絶縁基材に穴部を形成する穴部形成工程と、前記穴部に充填剤を充填させて穴埋めする穴埋め工程と、前記穴部内に底部の中央部が位置するように前記収容凹部を座ぐり加工によって形成する収容凹部形成工程とを有することを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a substrate having a tapered housing recess for housing a light emitting element, a hole forming step for forming a hole in an insulating base material, and a filler in the hole. A filling step of filling and filling the hole, and a housing recess forming step of forming the housing recess by counterboring so that the center of the bottom is located in the hole.
請求項1に係る発明によれば、収容凹部は、その底部の中央部が穴部内に充填された充填剤で形成されていることから、座ぐり加工を施しやすく、中央部に突起部のない平坦な底部を形成することができる。したがって、収容凹部の底部に発光素子を水平な状態で設けることができる。 According to the first aspect of the present invention, since the central portion of the bottom portion of the receiving concave portion is formed of the filler filled in the hole portion, it is easy to carry out counterbore processing, and there is no protrusion at the central portion. A flat bottom can be formed. Therefore, the light emitting element can be provided in a horizontal state at the bottom of the housing recess.
請求項2に係る発明によれば、穴部が貫通孔であるため、穴部内の空気を逃がしながら充填剤を穴部に充填することができる。したがって、穴部内に隙間なく充填剤を充填させることができる。
According to the invention which concerns on
請求項3に係る発明によれば、絶縁基材に穴部を形成し、その内部に充填剤を充填させて穴埋めした後、絶縁基板に座ぐり加工を施して収容凹部を、底部の中央部が穴部内に位置するように形成する。このとき、穴部内には充填剤が充填されているので座ぐり加工を施し易く、収容凹部の底部の中心部に突起部を生じさせることなく平坦に形成することができる。したがって、収容凹部の底部に発光素子を水平な状態で設けることができる。
According to the invention of
以下、本発明の一実施形態について、図1〜図8に基づいて説明する。
図1に示すように、本実施形態の赤外線通信モジュール基板1(基板)は、絶縁基材(基材)2を有している。この絶縁基材2は、樹脂とガラスクロスとの複合材料から成るもので、樹脂を含浸させたガラスクロスを層状にすることで、所定の厚さの板状に形成されている。
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of the invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, the infrared communication module substrate 1 (substrate) of this embodiment has an insulating base material (base material) 2. The
そして、絶縁基材2には、その上面2aからその厚さ方向に沿って所定の深さで凹むテーパ状のパラボラ収容凹部7(収容凹部)が、座ぐり加工によって所定の数形成されている。このパラボラ収容凹部7は、下方にいくにつれて径が小さくなるように形成され、その底部9の底面9Aは、絶縁基材2の上面2aと平行になっている。このパラボラ収容凹部7の内周面7bは、水平面に対して40°〜50°の範囲内の角度θで傾斜している。
And the
このような、パラボラ収容凹部7の底部9には、絶縁基材2の厚さ方向において、底部9の底面9Aから絶縁基材2の下面2bへと貫通する円筒状の貫通孔5(穴部)が底面9Aと同軸に穿設されている。この貫通孔5は、その孔径が底部9の底面9Aの径よりも小径とされている。なお、貫通孔5をパラボラ収容凹部7の中央部を含むように形成すれば、必ずしも底面9Aと同軸に形成する必要はない。
In the
そして、絶縁基材2の上面2aには、パラボラ収容凹部7の開口部8を形成する一次銅めっき層3Bが形成されている。さらに、貫通孔5の内周面には、一次銅めっき層3Aが形成されており、この一次銅めっき層3Aは、絶縁基材2の下面2bにおける貫通孔5の開口部周縁に形成されている一次銅めっき層3Cと一体となっている。これら一次銅めっき層3A,3B,3Cは、均一な厚さで形成されており、その厚さは絶縁基材2上の導通性を確保できる厚さとなっている。このとき、パラボラ収容凹部7には、一次銅めっき層は形成されていない。
A primary
貫通孔5の内部には、一次銅めっき層3Aの内側に銅粒子を含んだ樹脂から成る銅ペースト6(充填剤)が隙間なく充填されている。この銅ペースト6の上面6cは、パラボラ収容凹部7の底部9の底面9Aと面一となっており、底部9は全体的に平坦を成している。また、銅ペースト6の下面6bは、一次銅めっき層3Cの下面と面一となっている。
The through-
そして、銅ペースト6の上面6c、パラボラ収容凹部7の内周面7b及び一次銅めっき層3Bの表面には、これらを被覆する二次銅めっき層4Aが一体的に形成されている。また、銅ペースト6の下面6b及び一次銅めっき層3Cの表面には、これらを共に被覆する二次銅めっき層4Cが形成されている。これらの二次銅めっき層4A,4Cも、上記一次銅めっき層3A,3B,3Cと同様に均一な厚さで形成されている。
A secondary
そして、絶縁基材2の上面2a側において、二次銅めっき層4Aの表面には、ニッケル層11及び金めっき層18が積層形成されている。詳しくは、二次銅めっき層4Aの上にニッケル層11が形成されており、ニッケル層11の上に金めっき層18が形成されている。この金めっき層18の厚さは、赤外線を均一に反射可能な厚さとなっている。
Then, on the
また、絶縁基材2の下面2b側においては、上記のように貫通孔5の開口部周縁を被覆する一次銅めっき層3Cと、この一次銅めっき層3Cの表面及び銅ペースト6の下面6bとを被覆する二次銅めっき層4Cが形成されており、これらを完全に被覆するように、感光性レジスト層12が絶縁基材2の下面2bに塗布されている。
そして、発光素子17が上記パラボラ収容凹部7の底面9A上の金めっき層18の上に搭載される。このとき発光素子17のワイヤをニッケル層11及び金めっき層18に打ち込む。
Further, on the
Then, the
次に、上記した赤外線通信モジュール基板1の製造方法について説明する。
図2に示すように、ガラスクロスを含む絶縁基材2に、その厚さ方向に貫通する貫通孔5を打ち抜き法で形成する(穴部形成工程)。この貫通孔5は、互いに所定の間隔をおいて所定の数形成される。
Next, a method for manufacturing the infrared communication module substrate 1 will be described.
As shown in FIG. 2, the through-
そして、図3に示すように、貫通孔5の内周面を含む絶縁基材2の表面に、無電解銅めっき法によって第1の銅めっき処理を施して、一次銅めっき層3を均一な厚さで形成する。
And as shown in FIG. 3, the 1st copper plating process is given to the surface of the
続いて、図4に示すように、一次銅めっき層3が形成された貫通孔5を穴埋めするようにして、その内部に銅ペースト6を充填させる(穴埋め工程)。このとき、銅ペースト6は、その上面6a及び下面6bが、絶縁基材2の上面2a及び下面2bに施された一次銅めっき層3の表面と面一と成るように充填する。
Subsequently, as shown in FIG. 4, the through-
次に、図5に示すように、座ぐり用ビット13(座ぐり加工器具)を用いて、絶縁基材2の厚さ方向に座ぐり加工を施し、パラボラ収容凹部7を形成する(収容凹部形成工程)。
Next, as shown in FIG. 5, using a counterbore bit 13 (a counterbore processing tool), a counterboring process is performed in the thickness direction of the insulating
ここで、座ぐり用ビット13には、側面視略円錐状の先端部13aが形成されており、この先端部13aの先端には、端部13bが座ぐり用ビット13の軸心Lに沿う方向に対して垂直に設けられている。この端部13b上において、軸心Lと端部13bとが交わる交点13Aは、端部13bの中心部と水平方向で一致していないため、先端13aにおける左右の傾斜面13c,13dは、水平面に対する傾斜角度がそれぞれ異なっている。このうち、端部13bに対して急な傾斜となっている傾斜面13c側に、切削刃14が設けられている。また、この傾斜面13cの傾斜角度θ1は、水平面から40°〜50°とされている。
Here, the
このような座ぐり用ビット13を絶縁基材2の上面2aに対して垂直にするとともに、座ぐり用ビット13の交点13Aをその上面2aにおける貫通孔5の中心部分、つまり、銅ペースト6の部分に位置させる。この状態で、座ぐり用ビット13を軸心Lを中心として回転させると、軸心Lから離れている傾斜面13c側が外側となって回転し、傾斜面13cに設けられた切削刃14及び端部13bが、絶縁基材2及び銅ペースト6をこれらの厚さ方向へと切削していくことで、パラボラ収容凹部7が形成されることになる(収容凹部形成工程)。このとき、絶縁基材2と座ぐり用ビット13の傾斜面13dとが接触することはなく、相互間には隙間が設けられることになる。この隙間から、切削刃14及び端部13bで絶縁基材2を切削するときに出る切くずを絶縁基材2の上面2aへと随時排出させながら、絶縁基材2を所定の深さまで切削していく。
Such a
このようにして、図6に示すようなパラボラ収容凹部7が形成されることになる。このとき、パラボラ収容凹部7の内周面7bは、傾斜面13cの傾斜角度θ1に沿って形成されるため、内周面7bの水平面に対する傾斜角度θ2は40°〜50°となり、すなわち傾斜角度θ1と同様の傾斜角度となる。なお、傾斜角度の異なる座ぐり用ビット13を用いれば、パラボラ収容凹部7の内周面7bの傾斜角度を適宜変えることができる。
In this way, the
そして、パラボラ収容凹部7の形成によって切削された一次銅めっき層3は、パラボラ収容凹部7の開口部8を有する一次銅めっき層3Bとなる。また、パラボラ収容凹部7の底面9Aに開口する貫通孔5の内周面に形成されている一次銅めっき層が一次銅めっき層3Aとなる。この貫通孔5の内部に充填されている銅ペースト6の上面6cが、パラボラ収容凹部7の底面9Aを呈することになる。
The primary
次に、上記のように、パラボラ収容凹部7を形成した絶縁基材2に第2の銅めっき処理を施して二次銅めっき層4を形成する。まず、図7に示すように、絶縁基材2の上面2aに形成されている一次銅めっき層3Bの表面と、パラボラ収容凹部7の内周面7b、つまり、図6に示すように、パラボラ収容凹部7の形成によって露出した絶縁基材2と、パラボラ収容凹部7の底面9Aの中央部を呈する銅ペースト6の上面6cとに、これらを被覆する第2の銅めっき処理を施して、二次銅めっき層4Aを形成する。さらに、絶縁基材2の下面2bに形成されている一次銅めっき層3の表面と、銅ペースト6の下面6bとを被覆する二次銅めっき層4Bを形成する。これにより、絶縁基材2は、二次銅めっき層4A,4Bによって完全に被覆される。
Next, as described above, the secondary copper plating layer 4 is formed by performing the second copper plating process on the insulating
さらに、図8に示すように、絶縁基材2の上面2a側に、発光素子17を搭載するためのニッケルめっき層11と金めっき層18とを順に積層する。詳しくは、二次銅めっき層4Aの表面にニッケルめっき層11を形成し、その上から金めっき層18を形成する。この金めっき層18には、発光素子17を導通させるときのワイヤが打ち込まれる。金めっき層18は軟質であるので、発光素子17のワイヤを打ち込みやすいが、その強度を向上させるために、上記のように、ニッケル層11を下地として形成する。
Further, as shown in FIG. 8, a
また、図8に示す絶縁基材2の下面2b側において、貫通孔5の開口部の中心部から径方向外側に広がる所定の範囲内の一次銅めっき層3及び二次銅めっき層4Bを残して、その他の部分に形成されている一次銅めっき層3及び二次銅めっき層4Bをエッチングによって除去し、絶縁基材2の下面2bを露出させる。すると、図1に示すように、絶縁基材2の下面2bには、貫通孔5の開口部周縁を被覆する一次銅めっき層3Cと、この一次銅めっき層3C及び銅ペースト6の下面6bとを被覆する二次銅めっき層4Cとが形成される。ここで、上記した所定の範囲は、絶縁基材2には、複数の貫通孔5が形成されているため、少なくとも各貫通孔5毎に形成される一次銅めっき層3C及び二次銅めっき層4C同士が繋がらず、貫通孔5を完全に絶縁できるような範囲である。
Further, on the
このようにして、一次銅めっき層3A、3B、3C及び二次銅めっき層4A、4Bが形成される。 In this way, primary copper plating layers 3A, 3B, 3C and secondary copper plating layers 4A, 4B are formed.
そして、貫通孔5の周縁部分にある銅めっき層3,4を被覆するようにして、感光性樹脂であるレジストを絶縁基材2の下面2b上に塗布して感光性レジスト層12を形成する。
And the resist which is photosensitive resin is apply | coated on the
このように、パラボラ収容凹部7は、その底部9の底面9Aの中央部が貫通孔5内に位置するように形成されていることから、座ぐり加工の中心が銅ペースト6となるので加工しやすく、中央部に突起部のない平坦な底部9とすることができる。したがって、パラボラ収容凹部7の底部9に発光素子17を水平な状態で設けることができる。尚、底部9は、必ずしも平坦でなくてもよく、底面9Aに発光素子17を水平に載置できればよい。例えば、発光素子17の載置に影響がなければ、底面9Aの中央部が若干凹んでいてもよい。
As described above, the parabola-receiving
また、パラボラ収容凹部7の内周面7bは、傾斜を成しているとともに金めっき層18が露出しているので、発光素子17が発する赤外線の左右に広がる散乱光を反射させながら効率よく集光させることができる。よって、赤外線の所望の反射率を得ることができるとともに、均一且つ良好に絶縁基材2の上方へと赤外線を放射させることができる。
Further, since the inner
また、絶縁基材2に、熱伝導性が極めて良好な銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bを形成することによって、発光素子17から生じた熱を大気中に放熱することが可能となる。さらに、これら銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bは、パラボラ収容凹部7及び貫通孔5を介して絶縁基材2の上面2a及び下面2bへと繋がっているため、放熱効果をより向上させることができる。したがって、発光素子17の劣化を防ぎ、長寿命化を図ることができる。加えて、発光素子17の発熱によって膨張してしまう絶縁基材2の影響を受け難くすることができる。
Further, by forming the copper plating layers 3A, 3B, 3C, 4A, and 4B having extremely good thermal conductivity on the insulating
さらに、銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bは、無電解銅めっき法によって形成されるので、表面の粗い絶縁基材2であっても、その厚みを均一に形成することができる。電解銅めっき法を用いた場合と比べると、多少時間は掛かるが、厚みにムラのない銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bを形成することができる。
Furthermore, since the copper plating layers 3A, 3B, 3C, 4A, and 4B are formed by the electroless copper plating method, even the insulating
また、絶縁基材2を貫通させて貫通孔5を設けることにより、貫通孔5内の空気を逃がしながら銅ペースト6を貫通孔5内に充填することができるので、貫通孔5内に隙間なく銅ペースト6を充填させることができる。この銅ペースト6は、銅粒子を含んでいるので、熱伝導性だけでなく、電気伝導性も良い。
Further, by providing the through
また、上記のように絶縁基材2の下面2b側に塗布された感光性レジスト層12によって、各貫通孔5を絶縁させることができる。さらに、この感光性レジスト層12が銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bの防護層となり、これら銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bの酸化を防ぐことができる。
Moreover, each through-
尚、上記のような銅めっき層3A,3B,3C,4A,4Bは、発光素子17への一定の導通性を確保するための厚みを適宜確保する必要がある。
また、絶縁基材2の下面2bにエッチングを施したが、各貫通孔5を絶縁できればよく、その処理方法は問わない。
さらに、貫通孔5は、絶縁基材2を貫通するのではなく、底部を有して形成しても良い。
加えて、上記では、充填剤として銅ペースト6を用いたが、これに限らず、樹脂ペースト或いは金属粉入りのペーストを用いても良い。
Note that the copper plating layers 3A, 3B, 3C, 4A, and 4B as described above need to have appropriate thicknesses for ensuring a certain level of conductivity to the
Moreover, although the
Further, the through
In addition, in the above description, the
また、上記において貫通孔5は、パラボラ収容凹部7の底面9Aよりも小径を成しているが、例えば、図9に示すように、パラボラ収容凹部7全体が貫通孔25内に収まるように形成してもよい。つまり、絶縁基材2に、パラボラ収容凹部7よりも大きい径で貫通孔25を形成し、この貫通孔25の内周面を含む絶縁基材2の表面に一次銅めっき層3を施す。そして、貫通孔25を穴埋めするようにして、その内部に銅ペースト6或いは樹脂ペースト25を充填した後、貫通孔25の中心部にパラボラ収容凹部7を形成する。このように、充填剤に銅ペースト6或いは樹脂ペースト25を用いた場合には、パラボラ収容凹部7を含む絶縁基材2の表面に、上記と同様、二次銅めっき層、ニッケルめっき層及び金めっき層を形成する。
In addition, in the above, the through
尚、貫通孔25の穴埋めには、発光性の高い樹脂ペーストを用いることが好ましく、例えば、銀ペーストを充填しても良い。これにより、上記のような二次銅めっき層、ニッケルめっき層及び金めっき層を施す必要はなくなり、作業が容易となる。
For filling the through
1 赤外線通信モジュール基板(基板)
2 絶縁基材
5 貫通孔(穴部)
6 銅ペースト(充填剤)
7 パラボラ収容凹部(収容凹部)
9 底部
17 発光素子
1 Infrared communication module board (board)
2 Insulating
6 Copper paste (filler)
7 Parabolic receiving recess (receiving recess)
9
Claims (3)
前記収容凹部の底部の少なくとも中央部が、穴部に充填された充填剤で形成されていることを特徴とする基板。 A substrate having a tapered housing recess for housing a light emitting element,
At least the center part of the bottom part of the said accommodating recessed part is formed with the filler with which the hole part was filled, The board | substrate characterized by the above-mentioned.
絶縁基材に穴部を形成する穴部形成工程と、
前記穴部に充填剤を充填させて穴埋めする穴埋め工程と、
前記穴部内に底部の中央部が位置するように前記収容凹部を座ぐり加工によって形成する収容凹部形成工程とを有することを特徴とする基板の製造方法。 In a method for manufacturing a substrate having a tapered housing recess for housing a light emitting element,
A hole forming step for forming a hole in the insulating substrate;
Filling a hole by filling the hole with a filler;
And a housing recess forming step of forming the housing recess by counterbore so that the central portion of the bottom portion is positioned in the hole.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006229162A true JP2006229162A (en) | 2006-08-31 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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