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JP2006202913A - Wiring structure and method of manufacturing the same - Google Patents

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JP2006202913A
JP2006202913A JP2005011960A JP2005011960A JP2006202913A JP 2006202913 A JP2006202913 A JP 2006202913A JP 2005011960 A JP2005011960 A JP 2005011960A JP 2005011960 A JP2005011960 A JP 2005011960A JP 2006202913 A JP2006202913 A JP 2006202913A
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wiring
wiring structure
base material
conductive
molding
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JP2005011960A
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Japanese (ja)
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Hideaki Okura
秀章 大倉
Takeshi Sano
武 佐野
Hiroshi Kobayashi
寛史 小林
Kunio Ikeda
邦夫 池田
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring structure capable of avoiding breakage in a bonding interface between a base material and wiring and exhibiting excellent strength by releasing stress concentration of the wiring consisting of a convex structure on the base material, having high reliability, and capable of forming a minute pattern, and to provide a manufacturing method thereof. <P>SOLUTION: The convex structure 2 of the wiring to be provided on the base material 1 is configured by a base member 3 and a conductive portion 4. The conductive portion is formed of a conductive material, and the base material is formed of a molding material as a part of the base material, and both the member 3 and the portion 4 are provided at a position where the bonding interface 5 between the conductive portion and the base material may have a different height as that of the base material surface 6. A resist pattern is formed in one mold to form the conductive portion, the other mold is mated and a molding material is injected, and thermal processing is performed. After that, the molds are released, thereby manufacturing the wiring structure. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、基材上に配線を有する配線構造体に関し、詳しくは、基材上に凸状構造からなる配線を有する配線構造体に関する。   The present invention relates to a wiring structure having wiring on a base material, and more particularly to a wiring structure having wiring having a convex structure on a base material.

小型化や高性能化の要請から、配線基板における配線パターンは微細化が求められている。そして、配線の微細化に伴って、基材に対する配線の密着性や電気特性が大きな課題となっている。   Due to the demand for miniaturization and high performance, the wiring pattern on the wiring board is required to be miniaturized. And with miniaturization of wiring, the adhesion and electrical characteristics of the wiring with respect to the base material have become major issues.

このような要請に対して、例えば、内面にメッキレジストパターンが貼設された射出成形用金型を用いてプリント配線板を製造する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。この成形方法は、金属導体の配線パターンを形成する工程、射出成形用金型に熱可塑性樹脂を注入して基板を成形しつつ、基板に配線パターンを転写する工程、形成された配線パターン転写基板を金型から離型する工程、金属導体配線パターンを熱可塑性樹脂の溶融温度以上に加熱する工程から構成されるものである。   In response to such a request, for example, a method of manufacturing a printed wiring board using an injection mold having a plating resist pattern pasted on the inner surface has been proposed (for example, see Patent Document 1). This forming method includes a step of forming a wiring pattern of a metal conductor, a step of injecting a thermoplastic resin into an injection mold and molding the substrate, and transferring the wiring pattern to the substrate, and the formed wiring pattern transfer substrate This is composed of a step of releasing from the mold and a step of heating the metal conductor wiring pattern to a temperature higher than the melting temperature of the thermoplastic resin.

上記製造方法により、配線のファインパターン化と成形の短時間化を図ることができるとされている。
しかし、この方法では、転写された配線パターンと基板との被着強度を向上させるため、加熱して熱可塑性樹脂を再溶融させている。このため、熱可塑性樹脂の溶融時に配線パターンの崩れが発生する傾向があり、微細パターンを十分なものとするには適さない。
According to the manufacturing method described above, it is said that the fine patterning of wiring and the time required for forming can be shortened.
However, in this method, in order to improve the adhesion strength between the transferred wiring pattern and the substrate, the thermoplastic resin is remelted by heating. For this reason, the wiring pattern tends to collapse when the thermoplastic resin is melted, which is not suitable for making a fine pattern sufficient.

また、絶縁基板の表面に導体配線パターンが形成されており、その導体配線パターンの隙間に絶縁性マスクが、導体配線パターンの表面と略面一となるように設けられた成形回路体とその製造方法が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。
上記提案では、仮基板上に光硬化性樹脂を塗布し、露光、現像して導体配線パターンとは逆の反転パターンを形成した後、反転パターンのすき間に形成された電路に電気メッキ法により導体配線を形成し、次いで、得られた仮基板を金型内に収めて配線パターンの形成面に絶縁性基板を成型した後、仮基板を成形体から取り除き、導体配線パターンと共に絶縁性マスクを成型体表面に転写するようにしたことで密着力を向上させている。
In addition, a conductor circuit pattern is formed on the surface of the insulating substrate, and a molded circuit body in which an insulating mask is provided in the gap between the conductor circuit patterns so as to be substantially flush with the surface of the conductor circuit pattern, and its manufacture A method has been proposed (see, for example, Patent Document 2).
In the above proposal, a photocurable resin is applied onto a temporary substrate, exposed and developed to form a reverse pattern opposite to the conductor wiring pattern, and then the conductor is formed by electroplating on the electric circuit formed in the gap of the reverse pattern. Form the wiring, and then place the obtained temporary substrate in the mold and mold the insulating substrate on the wiring pattern forming surface, then remove the temporary substrate from the molded body and mold the insulating mask together with the conductor wiring pattern Adhesion is improved by transferring to the body surface.

上記製造方法により、導体配線の露出面が平坦となるため、得られた成形回路体を別部品と接続した場合にコンタクト部分が損傷することなく、アセンブリ工程も簡略化できるとされている。
しかし、この方法では密着性、すなわち接合力を得るために配線幅を大きくする必要があり、微細化は困難である。また、毎回絶縁性マスクを作製する必要があるため製造プロセスが煩雑になるという問題がある。
According to the above manufacturing method, the exposed surface of the conductor wiring is flattened, and therefore the assembly process can be simplified without damaging the contact portion when the obtained molded circuit body is connected to another part.
However, in this method, it is necessary to increase the wiring width in order to obtain adhesion, that is, a bonding force, and miniaturization is difficult. Moreover, since it is necessary to produce an insulating mask every time, there exists a problem that a manufacturing process becomes complicated.

さらに、接続部を有する導体パターンを絶縁体の表面に形成し、接続部近傍における絶縁体表面に凹形状部を形成して、例えば、異方性導電膜を介して導体パターン同士を接続するようにした導体パターン接続体が提案されている(例えば、特許文献3参照。)。
しかし、上記絶縁体表面に凹形状部を設ける配線形状では、配線の微細化に限界があり、さらにパターンを微細なものとするには改善が必要である。
Further, a conductor pattern having a connection portion is formed on the surface of the insulator, and a concave shape portion is formed on the insulator surface in the vicinity of the connection portion so that the conductor patterns are connected to each other through, for example, an anisotropic conductive film. There has been proposed a conductor pattern connector (see, for example, Patent Document 3).
However, in the wiring shape in which the concave portion is provided on the surface of the insulator, there is a limit to the miniaturization of the wiring, and further improvement is required to make the pattern finer.

そして、基材上に凸状構造からなる配線を有する配線構造体の場合、凸形状構造からなる配線と、基材すなわち成形体の接合する界面が同一面に存在すると、その根元部には応力が集中し、配線材料自体や成形体自体の強度に比べて接合界面の密着強度いわゆる接合強度が弱い場合には接合界面で破壊が発生するという問題があり、改善が望まれていた。   In the case of a wiring structure having a wiring having a convex structure on the base material, if the wiring having the convex structure and the interface where the base material, that is, the molded body is joined, are present on the same surface, stress is applied to the root portion. If the adhesion strength at the bonding interface, ie, the so-called bonding strength, is weaker than the strength of the wiring material itself or the molded body itself, there is a problem that breakage occurs at the bonding interface, and improvement has been desired.

特開平5−7066号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-7066 特開平11−17314号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-17314 特許第2633680号明細書Japanese Patent No. 2633680

本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであり、基材上に設けられる凸状構造からなる配線の応力集中を緩和し、基材と配線との接合界面における破壊が回避されると共に優れた強度を発揮し、信頼性が高く、しかも微細パターンの形成が可能な配線構造体とその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described prior art, and alleviates the stress concentration of the wiring composed of the convex structure provided on the base material, thereby avoiding the breakage at the bonding interface between the base material and the wiring. An object of the present invention is to provide a wiring structure that exhibits excellent strength, has high reliability, and is capable of forming a fine pattern, and a manufacturing method thereof.

本発明者らは鋭意検討した結果、基材上に設ける配線を、導電材料からなる導電部と、成形材料からなる基材部により構成して凸状構造とし、その導電部と基材部との接合界面を基材表面の高さと異なる位置に設けることによって、上記課題が解決されることを見出し本発明に至った。なお、基材部は基材の一部として成形材料を用いて形成される。
以下、本発明について具体的に説明する。
As a result of intensive studies, the inventors of the present invention have configured a wiring provided on a base material by a conductive portion made of a conductive material and a base portion made of a molding material to form a convex structure. The present inventors have found that the above-mentioned problems can be solved by providing the bonding interface at a position different from the height of the substrate surface. In addition, a base material part is formed using a molding material as a part of base material.
Hereinafter, the present invention will be specifically described.

すなわち、本発明は、基材上に凸状構造からなる配線を有する配線構造体であって、
前記凸状構造は、導電材料により形成された導電部と、成形材料により基材の一部として形成された基材部とから構成され、かつ該導電部と基材部との接合界面が該基材表面の高さと異なる位置に設けられたことを特徴とする配線構造体である。
That is, the present invention is a wiring structure having a wiring having a convex structure on a substrate,
The convex structure is composed of a conductive part formed of a conductive material and a base part formed as a part of the base material by a molding material, and a bonding interface between the conductive part and the base part is the The wiring structure is provided at a position different from the height of the substrate surface.

ここで、前記接合界面が、基材表面に対して平行で平坦な面を有していることが好ましい。   Here, the bonding interface preferably has a flat surface parallel to the substrate surface.

また、上記いずれかの配線構造体において、前記接合界面の表面粗さが、凸状構造表面の表面粗さよりも大きいことが好ましい。   In any one of the above wiring structures, the surface roughness of the bonding interface is preferably larger than the surface roughness of the convex structure surface.

さらに、上記いずれかの配線構造体において、前記導電部を形成する導電材料が、銅であることが好適である。   Furthermore, in any one of the above wiring structures, it is preferable that the conductive material forming the conductive portion is copper.

上記配線構造体において、前記導電部の接合界面に黒化処理皮膜が形成されていることが好ましい。   In the above wiring structure, it is preferable that a blackening treatment film is formed at the bonding interface of the conductive portion.

あるいは、前記導電部の接合界面に酸化膜が形成されていることが好ましい。   Or it is preferable that the oxide film is formed in the joining interface of the said electroconductive part.

また、上記いずれかの配線構造体において、前記配線が、曲面形状もしくは多面形状を有する基材上に設けられていることを特徴とする。   In any of the above wiring structures, the wiring is provided on a base material having a curved surface shape or a polyhedral shape.

さらに、上記いずれかの配線構造体において、前記凸状構造からなる配線の隣接した配線間に、絶縁材料が埋設されていることを特徴とする。   Further, in any one of the above wiring structures, an insulating material is embedded between adjacent wirings of the convex structure.

そして、上記いずれかの配線構造体において、前記基材と基材部を形成する成形材料が、熱硬化性樹脂であることが好ましい。   In any of the above wiring structures, it is preferable that the molding material for forming the base material and the base material portion is a thermosetting resin.

また、上記いずれかの配線構造体において、前記基材と基材部が、2種類以上の成形材料を用いて形成されていることを特徴とする。   In any of the above wiring structures, the base material and the base material part are formed using two or more types of molding materials.

また、上記いずれかの配線構造体において、前記導電部に部品実装用の端子が設けられ、該端子に接続材料が付与された接続部が形成されていることを特徴とする。   In any of the above wiring structures, a terminal for component mounting is provided on the conductive portion, and a connection portion to which a connection material is applied is formed on the terminal.

そして、上記配線構造体において、前記接続部を介して部品が実装され、該部品が成形材料により基材中に一体に封止されていることを特徴とする。   And in the said wiring structure, components are mounted through the said connection part, This component is integrally sealed in the base material with the molding material, It is characterized by the above-mentioned.

さらに、本発明は、一方の型の成形面にレジストパターンを形成する工程と、
該レジストパターンの壁面に囲まれた凹部領域に導電部を形成する工程と、
該レジストパターンと導電部が形成された一方の型に、基材および基材部を成形するための他方の型を重ね合わせて成形材料を充填する工程と、
充填された成形材料を熱処理して凸状構造からなる配線を有する構造体とした後、該構造体を離型する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする配線構造体の製造方法に係るものである。
Furthermore, the present invention includes a step of forming a resist pattern on the molding surface of one mold,
Forming a conductive portion in a recessed region surrounded by the wall surface of the resist pattern;
Filling the molding material by superposing the other mold for molding the base material and the base material part on one mold on which the resist pattern and the conductive part are formed;
A step of heat-treating the filled molding material to form a structure having a wiring having a convex structure, and then releasing the structure;
The present invention relates to a method for manufacturing a wiring structure including at least

ここで、上記配線構造体が、前記いずれかに記載の配線構造体であることを特徴とする。   Here, the wiring structure is any one of the wiring structures described above.

また、上記配線構造体の製造方法において、前記レジスト材料が、疎水性材料であることが好ましい。   In the method for manufacturing a wiring structure, the resist material is preferably a hydrophobic material.

さらに、上記いずれかの配線構造体の製造方法において、前記一方の型が、絶縁性下地上に導電性被膜が設けられた材料構成の型であることを特徴とする。   Furthermore, in any one of the above-described methods for manufacturing a wiring structure, the one mold is a mold having a material configuration in which a conductive coating is provided on an insulating base.

さらにまた、上記いずれかの配線構造体の製造方法において、前記レジストパターンの壁面が、型と接する方向に狭まったテーパー構造を有することを特徴とする。   Furthermore, in any one of the above-described methods for manufacturing a wiring structure, the wall surface of the resist pattern has a tapered structure narrowed in a direction in contact with the mold.

本発明の配線構造体によれば、凸状構造からなる配線の応力集中が緩和されて、基材と配線との接合界面における破壊が回避される。そして優れた強度を発揮し、微細パターンの形成が可能となる。凸状構造を構成する導電部と基材部の接合界面を平坦とすれば、高周波領域での電気伝導性が優れた配線とすることができる。表面処理(例えば、粗面化処理、黒化処理皮膜、酸化膜など)によって接合界面における接合強度を一層増強することが可能である。配線間に絶縁材料を埋設すれば高密度で高周波に適した配線とすることができる。
成形材料として熱硬化性樹脂を用いれば、配線構造体の形状精度が向上して信頼性を向上することができる。また、複数の成形材料を用いることによって種々の要求仕様に対応することができる。部品を基材中に一体封止すれば、小型化と信頼性向上が図れる。
また、本発明の配線構造体の製造方法によれば、基材上に導電部と基材部とからなる凸状構造の配線を有する配線構造体を容易に、しかも精度よく製造することができる。射出成形が適用できるため、生産性も良好である。
According to the wiring structure of the present invention, the stress concentration of the wiring having a convex structure is relieved, and the breakage at the bonding interface between the base material and the wiring is avoided. And the outstanding intensity | strength is demonstrated and formation of a fine pattern is attained. If the bonding interface between the conductive portion and the base portion constituting the convex structure is flat, it is possible to obtain a wiring having excellent electrical conductivity in the high frequency region. It is possible to further enhance the bonding strength at the bonding interface by surface treatment (for example, roughening treatment, blackening treatment film, oxide film, etc.). If an insulating material is embedded between the wirings, it is possible to obtain high-density wirings suitable for high frequencies.
If a thermosetting resin is used as the molding material, the shape accuracy of the wiring structure can be improved and the reliability can be improved. Moreover, various required specifications can be met by using a plurality of molding materials. If the components are integrally sealed in the base material, the size can be reduced and the reliability can be improved.
In addition, according to the method for manufacturing a wiring structure of the present invention, a wiring structure having a convex-shaped wiring composed of a conductive portion and a base material portion can be easily and accurately manufactured on the base material. . Since injection molding can be applied, productivity is also good.

前述のように本発明の配線構造体は、導電材料により形成された導電部と、成形材料により基材の一部として形成された基材部とから構成された凸状構造で、かつ凸状構造の導電部と基材部との接合界面が基材表面の高さと異なる位置に設けられた配線を有することを特徴とするものである。
以下、本発明の好適な実施の形態について図を参照して説明する。
As described above, the wiring structure of the present invention has a convex structure composed of a conductive portion formed of a conductive material and a base material portion formed as a part of the base material by a molding material, and has a convex shape. The bonding interface between the conductive portion and the base material portion of the structure has a wiring provided at a position different from the height of the base material surface.
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1の概略断面図に、本発明における配線構造体を説明するための構成例(I)を示す。
図1に示すように、配線構造体は、基材1上に基材部3と導電部4とから構成される凸状構造2からなる配線が設けられている。なお、配線は微細配線であり、いわゆる配線パターンとして形成されているものである。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a configuration example (I) for explaining a wiring structure according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the wiring structure is provided with a wiring having a convex structure 2 composed of a base material portion 3 and a conductive portion 4 on a base material 1. The wiring is a fine wiring, and is formed as a so-called wiring pattern.

微細配線を成形材料により成形して基材上に設ける場合、配線と成形体との接合部における密着性を向上することが重要である。そのためには、配線と成形体との密着性、すなわち接合力そのものを向上すると共に、配線と成形体との接合部における応力がかかりにくい構造とすることが必要である。   When forming fine wiring with a molding material and providing on a base material, it is important to improve the adhesiveness in the junction part of wiring and a molded object. For this purpose, it is necessary to improve the adhesion between the wiring and the molded body, that is, the bonding force itself, and to have a structure in which stress at the joint between the wiring and the molded body is hardly applied.

図1に示すように、基材部3と導電部4とから構成される凸状構造2とした本発明の配線構造の場合、凸状構造2の応力集中点となる根元部での接合界面を応力集中点外にずらすことができる。すなわち、導電材料と成形材料との異質な材料が接合する接合界面5を基材表面6と異なる高さにずらすことによって、配線の応力集中が緩和されて接合界面での接合力が向上し、優れた強度を発揮すると共に、信頼性の高い微細パターンの形成が可能になる。   As shown in FIG. 1, in the case of the wiring structure of the present invention having a convex structure 2 composed of a base material portion 3 and a conductive portion 4, the bonding interface at the root portion that becomes the stress concentration point of the convex structure 2. Can be shifted out of the stress concentration point. That is, by shifting the bonding interface 5 where the dissimilar materials of the conductive material and the molding material are bonded to a height different from that of the substrate surface 6, the stress concentration of the wiring is relaxed and the bonding force at the bonding interface is improved. A fine pattern with high reliability and high reliability can be formed.

また、図2の構成例(II)の概略断面図に示すように、本発明における配線構造体の配線は、凸状構造2の側面がテーパー構造を有するものであってもよい。あるいは、図3の構成例(III)の概略断面図に示すような基材部3と導電部4とから構成される凸状構造2とした配線でも構わない。   Further, as shown in the schematic cross-sectional view of the configuration example (II) in FIG. 2, the wiring of the wiring structure in the present invention may have a side surface of the convex structure 2 having a tapered structure. Alternatively, the wiring may be a convex structure 2 constituted by the base portion 3 and the conductive portion 4 as shown in the schematic sectional view of the configuration example (III) of FIG.

導電部と基材部の密着性が十分得られる場合には、接合界面の接触面積を小さくすることも可能である。そして、接合界面が基材表面に対して平行で平坦な面を有している構成の場合には、高周波領域での電気伝導性に優れた配線とすることができる。
なお、導電部と基材部の接合界面の形状としては、通常できる限り接触面積が大きいことが望ましく、接合界面の表面粗さが、凸形状構造表面の表面粗さよりも大きいことが好ましく、断面形状がより複雑になるほど効果的である。表面粗さを大きくしたり、複雑断面形状とすることによって接合界面の接触面積が増大するため、実効的に接合強度の向上を図ることができる。図4の概略断面図に、接合界面の表面粗さを凸状構造表面の表面粗さよりも大とした構成例(IV)を示す。
When sufficient adhesion between the conductive portion and the substrate portion is obtained, the contact area of the bonding interface can be reduced. And when it is the structure where a joining interface has a parallel and flat surface with respect to the base-material surface, it can be set as the wiring excellent in the electrical conductivity in a high frequency area | region.
As the shape of the bonding interface between the conductive portion and the substrate portion, it is usually desirable that the contact area be as large as possible, and the surface roughness of the bonding interface is preferably larger than the surface roughness of the convex structure surface, The more complex the shape, the more effective. By increasing the surface roughness or having a complex cross-sectional shape, the contact area of the bonding interface increases, so that the bonding strength can be effectively improved. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example (IV) in which the surface roughness of the bonding interface is larger than the surface roughness of the convex structure surface.

前記導電部を形成する導電材料としては、電導性が良好でパターンニング加工性などの優れた金属が用いられるが、特に銅は好ましく用いられる。
銅を用いて導電部を形成する場合、基材部と接合する界面側の銅表面に黒化処理皮膜を形成することが好ましい。銅表面に黒化処理を施すことによって、成形体材料との濡れ性を向上させると共に接触面積を増大させることができ、接合界面における接合力を増強して密着性を向上させることができる。図5の概略断面図に、銅表面に黒化処理皮膜を形成した構成例(V)を示す。
As the conductive material forming the conductive portion, a metal having good conductivity and excellent patterning workability is used, and copper is particularly preferably used.
When the conductive part is formed using copper, it is preferable to form a blackening treatment film on the copper surface on the interface side to be joined to the base part. By performing the blackening treatment on the copper surface, the wettability with the molded body material can be improved and the contact area can be increased, and the bonding force at the bonding interface can be enhanced to improve the adhesion. The schematic sectional view of FIG. 5 shows a structural example (V) in which a blackening treatment film is formed on the copper surface.

また、導電材料として銅を選択した場合、基材部と接合する界面側の銅表面に酸化膜を形成することが好ましい。銅表面に酸化膜を形成することによって酸化膜表面に水酸基が吸着し、基材部を形成する成形体材料との分子結合や水素結合を増大させることができる。これらの結合により、接合界面における接合力を増強して密着性を向上させることができる。図6の概略断面図に、銅表面に酸化膜を形成した構成例(VI)を示す。
酸化膜は、空気中で高温加熱(例えば、200℃程度)しても形成できるし、プラズマ処理のように活性な酸素を供給するだけでも形成できる。
Moreover, when copper is selected as the conductive material, it is preferable to form an oxide film on the copper surface on the interface side to be joined to the base material portion. By forming an oxide film on the copper surface, hydroxyl groups are adsorbed on the surface of the oxide film, and molecular bonds and hydrogen bonds with the molded body material forming the substrate portion can be increased. These bonds can increase the bonding force at the bonding interface and improve the adhesion. The schematic sectional view of FIG. 6 shows a configuration example (VI) in which an oxide film is formed on the copper surface.
The oxide film can be formed by high-temperature heating (for example, about 200 ° C.) in air, or can be formed only by supplying active oxygen as in plasma treatment.

さらに、本発明の配線構造体は、曲面形状もしくは多面形状を有する基材上に配線を設けて構成することができる。図7の概略断面図に、曲面形状もしくは多面形状を有する基材上に配線を設けた構成例(VII)を示す。
図7に示すように、配線構造体は、曲面形状もしくは多面形状の基材11上に基材部13と導電部14とから構成される凸状構造12からなる配線が設けられている。このような配線構造体は、型による成形や転写によって形成するのに適した形態の一例である。
Furthermore, the wiring structure of the present invention can be configured by providing wiring on a substrate having a curved surface shape or a polyhedral shape. The schematic cross-sectional view of FIG. 7 shows a configuration example (VII) in which wiring is provided on a substrate having a curved surface shape or a polyhedral shape.
As shown in FIG. 7, the wiring structure is provided with a wiring composed of a convex structure 12 composed of a base portion 13 and a conductive portion 14 on a curved or polyhedral base 11. Such a wiring structure is an example of a form suitable for being formed by molding or transfer using a mold.

また、本発明の配線構造体では、凸状構造からなる配線の隣接した配線間に絶縁材料を埋設した構成とすることができる。図8の概略断面図に、配線間に絶縁材料を埋設した構成例(VIII)を示す。図中のそれぞれの符号、21は基材、22は凸状構造、23は基材部、24は導電部、25は接合界面、26は基材表面、27は絶縁材料を示す。
絶縁材料を埋設することによって、隣接配線間の配線容量を減らすことができる。すなわち、隣接配線間の絶縁材料で両配線間の結合容量が大きくなり、電気力線が集中して外部への放射損失を減らせることができる。特に、配線パターンにおける信号線とグランド線を対として構成することができるため、高密度でかつ高周波に適した配線を形成することができる。絶縁材料としては、簡便性の点から成形材料そのものを用いることができるが、他の絶縁材料でも適応可能である。例えば、ポリイミド樹脂などの絶縁材料でもよい。
In the wiring structure of the present invention, an insulating material can be embedded between adjacent wirings having a convex structure. FIG. 8 is a schematic sectional view showing a configuration example (VIII) in which an insulating material is embedded between wirings. In the figure, reference numeral 21 denotes a base material, 22 denotes a convex structure, 23 denotes a base material portion, 24 denotes a conductive portion, 25 denotes a bonding interface, 26 denotes a surface of the base material, and 27 denotes an insulating material.
By embedding the insulating material, the wiring capacity between adjacent wirings can be reduced. That is, the insulating material between adjacent wirings increases the coupling capacity between the two wirings, and the electric lines of force concentrate to reduce radiation loss to the outside. In particular, since a signal line and a ground line in the wiring pattern can be configured as a pair, a high-density wiring suitable for high frequency can be formed. As the insulating material, a molding material itself can be used from the viewpoint of simplicity, but other insulating materials are also applicable. For example, an insulating material such as polyimide resin may be used.

本発明の配線構造体では、基材および基材部が成形材料により成形加工されるが、このような成形材料としては配線構造体として要求される性能を満たし、本発明の構造体とすることのできる加工性を有するものであれば熱可塑性樹脂でも熱硬化性樹脂でも使用でき、特に、熱硬化性樹脂はこれらの要求を満たすことができるため、好ましく用いられる。
また、熱硬化性樹脂を用いることにより、配線構造体の形状精度を向上することができ、特に、高精度を要する電子部品パッケージに適用する場合には有効である。さらに、本配線構造体に電子部品を実装したり、配線構造体をプリント基板に実装する際のハンダ接続処理工程では耐熱性が要求されるので、熱硬化性樹脂、あるいは紫外線硬化樹脂等の光硬化樹脂が好ましく用いられる。紫外線硬化樹脂は、短時間で硬化できる利点があり、プロセスタクト短縮に有効である。
In the wiring structure of the present invention, the base material and the base material portion are molded by a molding material. Such a molding material satisfies the performance required as a wiring structure and is a structure of the present invention. Any thermoplastic resin or thermosetting resin can be used as long as it has processability that can be used. In particular, a thermosetting resin is preferably used because it can satisfy these requirements.
In addition, the use of a thermosetting resin can improve the shape accuracy of the wiring structure, and is particularly effective when applied to an electronic component package that requires high accuracy. Furthermore, since heat resistance is required in the solder connection process when mounting electronic components on the wiring structure or mounting the wiring structure on a printed circuit board, light such as thermosetting resin or ultraviolet curable resin can be used. A cured resin is preferably used. The ultraviolet curable resin has an advantage that it can be cured in a short time, and is effective in shortening the process tact.

また、基材と基材部を2種類以上の成形材料を用いて形成することができる。一例として、図9の概略断面図に、2種類の成形材料を用いて基材と基材部を成形した構成例(IX)を示す。
すなわち、成形材料を選択することによって、要求特性に適合した基材および基材部を成形することができる。例えば、基材および基材部を成形する母体となる成形材料(成形体母材)が配線に対して密着性が良好でない場合には、配線と成形体母材との接着を仲介する樹脂を選択して組み合わせることにより、密着性の良好な配線構造体を得ることができる。
Moreover, a base material and a base-material part can be formed using a 2 or more types of molding material. As an example, the schematic sectional view of FIG. 9 shows a configuration example (IX) in which a base material and a base material portion are molded using two types of molding materials.
That is, by selecting a molding material, it is possible to mold a base material and a base material portion that meet the required characteristics. For example, when the molding material (molding material base material) that forms the base material and the base material part has poor adhesion to the wiring, a resin that mediates adhesion between the wiring and the molding base material is used. By selecting and combining them, a wiring structure with good adhesion can be obtained.

具体的には、成形材料として熱可塑性樹脂を用いた場合、選択する材料によっては配線との密着性に欠ける場合もある。このような場合には、例えば、基材部33と基材31とを、それぞれ第1の樹脂30a(エポキシ樹脂)と第2の樹脂30b(熱可塑性樹脂)を用いて形成することにより、配線パターンの精度を保ちながら密着性を向上し、しかも熱可塑性樹脂を用いた成形を可能とすることができる。
なお、配線構造体に耐熱性が要求される場合には、用いる熱可塑性樹脂にも高い耐熱性が要求されるため、成形温度も高く設定する必要がある。このため、ハンドリング上困難性が付随するが、樹脂の硬化時間を短縮することができる点で利点がある。
Specifically, when a thermoplastic resin is used as the molding material, the adhesiveness to the wiring may be insufficient depending on the material selected. In such a case, for example, by forming the base material portion 33 and the base material 31 using the first resin 30a (epoxy resin) and the second resin 30b (thermoplastic resin), respectively, the wiring Adhesion can be improved while maintaining the accuracy of the pattern, and molding using a thermoplastic resin can be made possible.
When the wiring structure is required to have heat resistance, the thermoplastic resin used is also required to have high heat resistance, and therefore the molding temperature must be set high. For this reason, difficulty in handling is accompanied, but there is an advantage in that the curing time of the resin can be shortened.

さらに、耐熱性や耐水性、耐マイグレーション性に対して一種類の樹脂では適応できない場合にも、複数の材料によれば成形材料の選択性が広くとれて要求仕様に対応でき、信頼性を確保することができる。なお、導電部と基材との間に介在させる樹脂として、必要により分解性の良い材料を用いれば、導電部と基材との分離を容易にすることも可能である。   Furthermore, even when a single type of resin cannot be used for heat resistance, water resistance, and migration resistance, multiple materials can be used with a wide range of molding materials to meet the required specifications and ensure reliability. can do. Note that, if necessary, a resin having good decomposability can be used as the resin interposed between the conductive portion and the base material to facilitate separation of the conductive portion and the base material.

また、本発明における配線構造体の導電部に部品実装用の端子を設け、この端子に接続材料を付与して接続部を形成した構成とすることができる。そして、この接続部を介して部品を実装し、成形材料により基材中に部品を一体に封止した構成とすることができる。 図10の概略断面図に、基材中に部品を一体に封止した構成例(X)を示す。
図10において、それぞれの符号、41は基材、42は凸状構造、43は基材部、44は導電部、45は接合界面、46は基板表面、47は接続材料、48は部品を示す。
Moreover, it can be set as the structure which provided the terminal for component mounting in the electroconductive part of the wiring structure in this invention, and provided the connection material to this terminal, and formed the connection part. And a component can be mounted via this connection part and it can be set as the structure which sealed the component integrally in the base material with the molding material. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example (X) in which components are integrally sealed in a base material.
In FIG. 10, each reference numeral 41 is a base material, 42 is a convex structure, 43 is a base material portion, 44 is a conductive portion, 45 is a bonding interface, 46 is a substrate surface, 47 is a connecting material, and 48 is a component. .

すなわち、配線された形成体を他の機能部品や配線基板に接続するために接続材料が必要となる。本発明では、配線を形成する際に導電部に端子を設け、これに接続材料を付与することによって実装を容易とし、小型化が可能である。さらに、機能部品を配線構造体中に一体に封止することで、例えば、配線構造体外部に接続した構造に比べて信頼性の向上が図れる。なお、接続材料としては、例えば、導電性接着剤やハンダメッキなど従来周知の種々の材料を用いることができる。   That is, a connecting material is required to connect the wired formed body to another functional component or wiring board. In the present invention, when the wiring is formed, a terminal is provided in the conductive portion, and a connection material is applied to the terminal, thereby facilitating mounting and miniaturization. Furthermore, by sealing the functional parts integrally in the wiring structure, for example, the reliability can be improved as compared with a structure connected to the outside of the wiring structure. In addition, as a connection material, conventionally well-known various materials, such as a conductive adhesive and solder plating, can be used, for example.

次に、本発明における配線構造体の製造方法について説明する。
前述のように、本発明の配線構造体の製造方法は、以下の工程を含むことを特徴とするものである。
1.〔レジストパターン形成工程〕:一方の型の成形面にレジストパターンを形成する工程
2.〔導電部形成工程〕:該レジストパターンの壁面に囲まれた凹部領域に導電部を形成する工程
3.〔成形材料充填工程〕:該レジストパターンと導電部が形成された一方の型に、基材および基材部を成形するための他方の型を重ね合わせて成形材料を充填する工程
4.〔構造体離型工程〕:充填された成形材料を熱処理して凸状構造からなる配線を有する構造体とした後、該構造体を離型する工程
Next, the manufacturing method of the wiring structure in this invention is demonstrated.
As described above, the method for manufacturing a wiring structure according to the present invention includes the following steps.
1. [Resist pattern forming step]: A step of forming a resist pattern on the molding surface of one mold. [Conductive part forming step]: a step of forming a conductive part in a recessed region surrounded by the wall surface of the resist pattern. [Molding Material Filling Step]: A step of filling the molding material by superimposing the base material and the other die for molding the base material portion on one die on which the resist pattern and the conductive portion are formed. [Structure release step]: A step of heat-treating the filled molding material to form a structure having a wiring having a convex structure, and then releasing the structure.

なお、本発明における「レジストパターン」とは、凸状構造からなる配線の導電部と基板部を形成するためのパターンであり、レジスト材料によって形成されたパターンに限定されるものではなく、他の材料(絶縁材料)によって形成されたパターンも含まれる。   The “resist pattern” in the present invention is a pattern for forming a conductive portion and a substrate portion of a wiring having a convex structure, and is not limited to a pattern formed by a resist material. A pattern formed of a material (insulating material) is also included.

前述の構成例を例として具体的な製造方法を以下に説明する。
図11は、本発明における構成例(I)の概略製造工程を示すフローである。
<構成例(I)の製造工程>
1.〔レジストパターン形成工程〕:一方の型(例えば、ニッケルで構成された金型)の成形面にレジスト材料を塗布して成膜した後、例えば、フォトマスクを用いて密着露光し、現像によりレジストパターンを形成する。
上記レジストパターンは、レジスト材料のほか、ポリイミド樹脂などの他の絶縁材料を用いて形成することができる。ポリイミド樹脂を用いた場合のレジストパターンは後述のようにエッチング法により形成することができる。
2.〔導電部形成工程〕:上記レジストパターンの壁面に囲まれた凹部領域に、例えば、電解メッキ法によって導電部を形成する。
電解メッキ法によって導電部を形成するため、一方の型は導電性が必要である。電解液としては、ピロリン酸銅メッキ溶液などが用いられる。
3.〔成形材料充填工程〕:上記レジストパターンと導電部が形成された一方の型に、基材および基材部を成形するための他方の型を重ね合わせて、所定のキャビティに成形材料を充填する。
成形方法としては、トランスファ成形などが適用でき、この場合にはトランスファ用の成形樹脂が用いられる。例えば、トランスファ用成形樹脂を溶融状態でキャビティに注入し、充填成形する。
4.〔構造体離型工程〕:充填された成形材料を熱処理して、導電部が転写された凸状構造からなる配線を有する配線構造体とした後、配線構造体を離型する。なお、成形材料を仮硬化した状態で離形し、取り出した配線構造体をオーブン中で加熱処理して、さらに硬化を進めることもできる。
上記工程における成形樹脂は、目的や仕様に応じて選択することができ、前述のように熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもよい。
A specific manufacturing method will be described below by taking the above configuration example as an example.
FIG. 11 is a flowchart showing a schematic manufacturing process of the configuration example (I) in the present invention.
<Manufacturing process of configuration example (I)>
1. [Resist pattern forming step]: After forming a film by applying a resist material to the molding surface of one mold (for example, a mold made of nickel), for example, contact exposure using a photomask, and resist is developed by development. Form a pattern.
The resist pattern can be formed using another insulating material such as a polyimide resin in addition to the resist material. The resist pattern when polyimide resin is used can be formed by an etching method as described later.
2. [Conductive part forming step]: A conductive part is formed, for example, by electrolytic plating in a recessed region surrounded by the wall surface of the resist pattern.
Since the conductive part is formed by the electrolytic plating method, one mold needs to be conductive. As the electrolytic solution, a copper pyrophosphate plating solution or the like is used.
3. [Molding material filling step]: The base material and the other die for forming the base material portion are overlapped on one die on which the resist pattern and the conductive portion are formed, and a predetermined cavity is filled with the molding material. .
As a molding method, transfer molding or the like can be applied. In this case, a molding resin for transfer is used. For example, a molding resin for transfer is poured into a cavity in a molten state, and filling molding is performed.
4). [Structure release step]: The filled molding material is heat-treated to obtain a wiring structure having a wiring having a convex structure to which the conductive portion is transferred, and then the wiring structure is released. The molding material can be released in a temporarily cured state, and the taken wiring structure can be heat-treated in an oven for further curing.
The molding resin in the above process can be selected according to the purpose and specifications, and may be a thermosetting resin or a thermoplastic resin as described above.

図12に本発明における構成例(I)の別の概略製造工程を示す。
<構成例(I)の別の製造工程>
1.〔レジストパターン形成工程〕:一方の型として、絶縁性下地上に導電性皮膜が設けられた構成の型を用いることができる。
このような型としては、限定するものではないが、例えば、セラミック基板上にスパッタによりCr膜を形成し、次いでNi膜を積層したものが挙げられる。
2.〔導電部形成工程〕:上記レジストパターンの壁面に囲まれた凹部領域に、電解メッキ法によって導電部を形成する。すなわち、導電性皮膜を陰極として電解銅メッキにより、レジストの抜けているパターン部に導電部を形成する。電解液としては、ピロリン酸銅メッキ溶液などが用いられる。
3.〔成形材料充填工程〕:上記レジストパターンと導電部が形成された一方の型に、基材および基材部を成形するための他方の型を重ね合わせて、所定のキャビティに成形材料を充填する。
4.〔構造体離型工程〕:充填された成形材料を熱処理して、導電部が転写された凸形状構造からなる配線を有する配線構造体とした後、配線構造体を離型する。
FIG. 12 shows another schematic manufacturing process of the configuration example (I) in the present invention.
<Another manufacturing process of configuration example (I)>
1. [Resist pattern forming step]: As one mold, a mold having a configuration in which a conductive film is provided on an insulating base can be used.
Examples of such a mold include, but are not limited to, a mold in which a Cr film is formed on a ceramic substrate by sputtering and then a Ni film is laminated.
2. [Conductive part forming step]: A conductive part is formed by electrolytic plating in a recessed region surrounded by the wall surface of the resist pattern. That is, the conductive portion is formed in the pattern portion where the resist is removed by electrolytic copper plating using the conductive film as a cathode. As the electrolytic solution, a copper pyrophosphate plating solution or the like is used.
3. [Molding material filling step]: The base material and the other die for forming the base material portion are overlapped on one die on which the resist pattern and the conductive portion are formed, and a predetermined cavity is filled with the molding material. .
4). [Structure release step]: The filled molding material is heat-treated to form a wiring structure having a wiring having a convex structure to which the conductive portion is transferred, and then the wiring structure is released.

図13に本発明における構成例(II)の概略製造工程を示す。
<構成例(II)の製造工程>
1a.〔レジストパターン形成工程〕:一方の型の成形面に絶縁膜を形成する。例えば、ポリイミド溶液をスピンコートにより塗工して仮硬化して絶縁膜とする。絶縁膜上にレジスト材料を塗布して成膜し、例えば、フォトマスクを用いて密着露光後、現像してレジストパターンを形成する。
1b.〔絶縁膜エッチング工程〕:レジストパターンを現像した後に、ポリイミドエッチング溶液を用いてポリイミド絶縁膜を配線パターン状にエッチングを行う。
1c.〔レジスト除去工程〕:レジストパターン膜を溶剤(例えば、アセトン)を用いて除去した後、オーブン中でポリイミド絶縁膜をさらに加熱して硬化を進める。
このようにして、ポリイミドからなるレジストパターンの壁面が型と接する方向に狭まったテーパー構造を有する形状とすることができる。
2.〔導電部形成工程〕:構成例(I)と同様。
3.〔成形材料充填工程〕:構成例(I)と同様。
4.〔構造体離型工程〕:構成例(I)と同様。
FIG. 13 shows a schematic manufacturing process of the configuration example (II) in the present invention.
<Manufacturing process of configuration example (II)>
1a. [Resist pattern forming step]: An insulating film is formed on the molding surface of one mold. For example, a polyimide solution is applied by spin coating and temporarily cured to form an insulating film. A resist material is applied on the insulating film to form a film, and for example, contact exposure using a photomask is performed, followed by development to form a resist pattern.
1b. [Insulating film etching step]: After developing the resist pattern, the polyimide insulating film is etched into a wiring pattern using a polyimide etching solution.
1c. [Resist removal step]: After removing the resist pattern film using a solvent (for example, acetone), the polyimide insulating film is further heated in an oven to cure.
Thus, it can be set as the shape which has the taper structure where the wall surface of the resist pattern which consists of polyimides narrowed in the direction which touches a type | mold.
2. [Conducting part forming step]: Same as the structural example (I).
3. [Molding material filling step]: Same as the structural example (I).
4). [Structural mold release step]: Same as the structural example (I).

上記工程では絶縁膜としてポリイミドを用いた例を示しているが、材料としては絶縁材料で、かつパターニング加工の可能なものであれば他の絶縁材料でもよい。また、製造方法としてレジスト材料を用いた方法を示したが、これに限るものではなく、例えば、レジスト材料に代替する材料、例えばメタルマスクを絶縁材料に密着させてエッチング液によりパターン状にエッチングした後、メタルマスクを除くことでも実施可能である。   In the above process, an example in which polyimide is used as the insulating film is shown, but other insulating materials may be used as long as the material is an insulating material and can be patterned. Although a method using a resist material has been shown as a manufacturing method, the method is not limited to this. For example, a material that replaces the resist material, for example, a metal mask is closely attached to an insulating material and etched into a pattern with an etching solution. It can also be implemented by removing the metal mask later.

図14に本発明における構成例(III)の概略製造工程を示す。
<構成例(III)の製造工程>
1.〔レジストパターン形成工程〕:エッチング加工した一方の型の凸部に疎水性のレジスト材料を用いてレジストパターンを形成する。なお、レジスト材料は疎水性の材料に限らず、絶縁性を有する材料であればよい。
2.〔導電部形成工程〕:上記一方の型における谷の壁面部分、いわゆる溝の底面と側面に這うように、例えば、電解メッキ法によって導電部を形成する。電解液としては、ピロリン酸銅めっき溶液などが用いられる。
3.〔成形材料充填工程〕:構成例(I)と同様。
4.〔構造体離型工程〕:構成例(I)と同様。
FIG. 14 shows a schematic manufacturing process of the configuration example (III) in the present invention.
<Manufacturing process of configuration example (III)>
1. [Resist pattern forming step]: A resist pattern is formed on one of the etched protrusions of the mold using a hydrophobic resist material. Note that the resist material is not limited to a hydrophobic material, but may be any material having an insulating property.
2. [Conductive part forming step]: The conductive part is formed by, for example, electrolytic plating so as to extend over the wall surface of the valley in the one mold, that is, the bottom and side surfaces of the so-called groove. As the electrolytic solution, a copper pyrophosphate plating solution or the like is used.
3. [Molding material filling step]: Same as the structural example (I).
4). [Structural mold release step]: Same as the structural example (I).

図15に本発明における構成例(IV)の概略製造工程を示す。
<構成例(IV)の製造工程>
1.〔レジストパターン形成工程〕:構成例(I)と同様にしてレジストパターンを形成する。
2.〔導電部形成工程〕:構成例(I)と同様にして導電部を形成した後、例えば、サンドブラスト処理を施して、接合界面となる導電部の表面粗さが、凸状構造表面の表面粗さよりも大きくなるように調整しながら粗化する。なお、プラズマ処理によっても同様の表面粗化の効果が得られる。
3.〔成形材料充填工程〕:構成例(I)と同様。
4.〔構造体離型工程〕:構成例(I)と同様。
FIG. 15 shows a schematic manufacturing process of the configuration example (IV) in the present invention.
<Manufacturing process of configuration example (IV)>
1. [Resist pattern forming step]: A resist pattern is formed in the same manner as in the configuration example (I).
2. [Conductive part forming step]: After forming the conductive part in the same manner as in the configuration example (I), for example, the surface roughness of the conductive part serving as the bonding interface is obtained by applying a sandblasting treatment to the surface roughness of the convex structure surface. Roughening while adjusting to be larger than the above. The same surface roughening effect can be obtained by plasma treatment.
3. [Molding material filling step]: Same as the structural example (I).
4). [Structural mold release step]: Same as the structural example (I).

図16に本発明における構成例(V)の概略製造工程を示す。
<構成例(V)の製造工程>
1.〔レジストパターン形成工程〕:構成例(I)と同様にしてレジストパターンを形成する。
2.〔導電部形成工程〕:構成例(I)と同様にして導電部(Cu)を形成する。接合界面となるCu表面を黒化処理剤で酸化した後、還元剤を用いて還元処理を施し、黒化処理皮膜を形成する。この皮膜は粗面を有するものである。
3.〔成形材料充填工程〕:構成例(I)と同様。
4.〔構造体離型工程〕:構成例(I)と同様。
FIG. 16 shows a schematic manufacturing process of the configuration example (V) in the present invention.
<Manufacturing process of configuration example (V)>
1. [Resist pattern forming step]: A resist pattern is formed in the same manner as in the configuration example (I).
2. [Conductive portion forming step]: Conductive portions (Cu) are formed in the same manner as in the configuration example (I). After oxidizing the Cu surface that becomes the bonding interface with a blackening agent, a reducing treatment is performed using a reducing agent to form a blackening film. This film has a rough surface.
3. [Molding material filling step]: Same as the structural example (I).
4). [Structural mold release step]: Same as the structural example (I).

図17に本発明における構成例((VI)の概略製造工程を示す。
<構成例(VI)の製造工程>
1.〔レジストパターン形成工程〕:構成例(I)と同様にしてレジストパターンを形成する。
2.〔導電部形成工程〕:構成例(I)と同様にして導電部(Cu)を形成する。接合界面となるCu表面をオーブン中で加熱処理(例えば、200℃×5分程度)し、酸化膜を形成する。なお、酸化させる方法としては、前述のようにプラズマ処理のように活性な酸素を供給するだけでも処理効果がある。
3.〔成形材料充填工程〕:構成例(I)と同様。
4.〔構造体離型工程〕:構成例(I)と同様。
FIG. 17 shows a schematic manufacturing process of the configuration example ((VI)) in the present invention.
<Manufacturing process of configuration example (VI)>
1. [Resist pattern forming step]: A resist pattern is formed in the same manner as in the configuration example (I).
2. [Conductive portion forming step]: Conductive portions (Cu) are formed in the same manner as in the configuration example (I). The Cu surface that becomes the bonding interface is heat-treated in an oven (for example, about 200 ° C. × 5 minutes) to form an oxide film. Note that, as a method of oxidizing, as described above, a treatment effect can be obtained even by supplying active oxygen as in the plasma treatment.
3. [Molding material filling step]: Same as the structural example (I).
4). [Structural mold release step]: Same as the structural example (I).

図18に本発明における構成例(VII)の概略製造工程を示す。
<構成例(VII)の製造工程>
1.〔レジストパターン形成工程〕:一方の型(例えば、ニッケルで構成された金型)の曲面形状もしくは多面形状を有する成形面にレジスト材料(ポジレジスト)をスプレー塗布して成膜しプリベークする。このレジスト膜を形成した一方の型を多軸移動ステージ上に配置し、エキシマレーザにより、導電部を形成するメッキ付け部分のレジスト膜を加工除去する。なお、加工後レジストパターンを加熱し硬化を促進する。
2.〔導電部形成工程〕:構成例(I)と同様にして電解メッキ法によりレジスト除去部分に導電部を形成する。
3.〔成形材料充填工程〕:構成例(I)と同様。
4.〔構造体離型工程〕:構成例(I)と同様。
FIG. 18 shows a schematic manufacturing process of the configuration example (VII) in the present invention.
<Manufacturing process of structural example (VII)>
1. [Resist pattern forming step]: A resist material (positive resist) is spray-coated on a molding surface having a curved surface shape or a multi-surface shape of one die (for example, a metal mold made of nickel) to form a film and prebaked. One mold on which this resist film is formed is placed on a multi-axis moving stage, and the resist film at the plating portion for forming the conductive portion is processed and removed by an excimer laser. The processed resist pattern is heated to accelerate curing.
2. [Conductive part forming step]: In the same manner as in the configuration example (I), a conductive part is formed in the resist-removed portion by electrolytic plating.
3. [Molding material filling step]: Same as the structural example (I).
4). [Structural mold release step]: Same as the structural example (I).

図19に本発明における構成例(VIII)の概略製造工程を示す。
<構成例(VIII)の製造工程>
1.〔レジストパターン形成工程〕:構成例(I)と同様にしてレジストパターンを形成する。
2a.〔導電部形成工程〕:構成例(I)と同様にして導電部を形成する。
2b.〔レジスト部分除去工程〕:導電部が形成された後、隣接した配線間に絶縁材料を埋設する部分のレジストパターンを、例えば、エキシマレーザなどにより部分的に除去する。
3.〔成形材料充填工程〕:構成例(I)と同様。
4.〔構造体離型工程〕:構成例(I)と同様。
FIG. 19 shows a schematic manufacturing process of the configuration example (VIII) in the present invention.
<Manufacturing process of configuration example (VIII)>
1. [Resist pattern forming step]: A resist pattern is formed in the same manner as in the configuration example (I).
2a. [Conductive part forming step]: Conductive parts are formed in the same manner as in the configuration example (I).
2b. [Resist part removal step]: After the conductive part is formed, a part of the resist pattern in which an insulating material is embedded between adjacent wirings is partially removed by, for example, excimer laser.
3. [Molding material filling step]: Same as the structural example (I).
4). [Structural mold release step]: Same as the structural example (I).

なお、上記において隣接した配線間に別途樹脂を部分的に注入する方法により絶縁材料を埋設することもできる。   Note that the insulating material can also be embedded by separately injecting a resin between adjacent wirings in the above.

図20に本発明における構成例(IX)の概略製造工程を示す。
<構成例(IX)の製造工程>
1.〔レジストパターン形成工程〕:構成例(I)と同様にしてレジストパターンを形成する。
2.〔導電部形成工程〕:構成例(I)と同様にして導電部を形成する。
3a.〔第1の樹脂充填工程〕:導電部が形成された後、配線パターン全面を覆うように第1の樹脂(例えば、紫外線硬化樹脂)を塗布、充填して低圧水銀灯などにより硬化する。
3b.〔第2の樹脂充填工程〕:上記レジストパターンと導電部が形成され、第1の樹脂が充填された一方の型に、基材および基材部を成形するための他方の型を重ね合わせて、所定のキャビティに第2の樹脂を充填する。
4.〔構造体離型工程〕:導電部が転写された凸状構造からなる配線を有する配線構造体とした後、配線構造体を離型する
FIG. 20 shows a schematic manufacturing process of the configuration example (IX) in the present invention.
<Manufacturing process of configuration example (IX)>
1. [Resist pattern forming step]: A resist pattern is formed in the same manner as in the configuration example (I).
2. [Conductive part forming step]: Conductive parts are formed in the same manner as in the configuration example (I).
3a. [First Resin Filling Step]: After the conductive portion is formed, a first resin (for example, an ultraviolet curable resin) is applied and filled so as to cover the entire surface of the wiring pattern, and cured by a low-pressure mercury lamp or the like.
3b. [Second resin filling step]: The resist pattern and the conductive portion are formed, and the base material and the other die for forming the base material portion are superposed on one die filled with the first resin. Then, a predetermined cavity is filled with the second resin.
4). [Structure release step]: After forming a wiring structure having a wiring having a convex structure with a conductive portion transferred, the wiring structure is released.

上記成形方法としては、トランスファ成形などが適用できる。また、第1の樹脂および第2の樹脂としては、前述のように目的に応じて、それぞれ熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化樹脂などの中から選択して用いることができる。
上記製造工程における紫外線硬化樹脂を用いた場合、短時間で硬化できる利点があり、プロセスタクト短縮に有効である。一方、前述のように、樹脂材料に熱可塑性樹脂を用いた場合に、選択する材料によっては配線との密着性に問題がある場合もある。この場合、例えば、第1の樹脂としてエポキシ樹脂を用いて密着性を確保し、パターンの精度を保ち、第2の樹脂として熱可塑性樹脂を用いて形成することもできる。このように、異なる樹脂材料を選択することで、リサイクルやリペア時における配線パターンの除去を容易にすることも可能である。
As the molding method, transfer molding or the like can be applied. Moreover, as 1st resin and 2nd resin, according to the objective as mentioned above, it can select and use from thermosetting resin, a thermoplastic resin, an ultraviolet curable resin, etc., respectively.
The use of the ultraviolet curable resin in the manufacturing process has an advantage that it can be cured in a short time, and is effective in shortening the process tact. On the other hand, as described above, when a thermoplastic resin is used as the resin material, there may be a problem in adhesion to the wiring depending on the material selected. In this case, for example, an epoxy resin can be used as the first resin to ensure adhesion, the pattern accuracy can be maintained, and a thermoplastic resin can be used as the second resin. Thus, by selecting different resin materials, it is possible to facilitate the removal of the wiring pattern during recycling and repair.

図21に本発明における構成例(X)の概略製造工程を示す。
<構成例(X)の製造工程>
1.〔レジストパターン形成工程〕:構成例(I)と同様にしてレジストパターンを形成する。
2a.〔導電部形成工程〕:構成例(I)と同様にして導電部を形成する。
2b.〔部品実装工程〕:導電部が形成された後、接続端子部に接続材料、例えば、エポキシ系導電性接着剤をディスペンサにより付与する。次いで、接続材料を介して部品(例えば、半導体チップ)を配線パターンと接続する。熱硬化を要する接続材料の場合には、加熱硬化処理を行う。なお、接続材料の供給は、ディスペンサ以外にも、メッキによりハンダを配線上や機能部品上に供給する方法も可能である。
3.〔成形材料充填工程〕:構成例(I)と同様。
4.〔構造体離型工程〕:構成例(I)と同様。
FIG. 21 shows a schematic manufacturing process of the configuration example (X) in the present invention.
<Manufacturing process of configuration example (X)>
1. [Resist pattern forming step]: A resist pattern is formed in the same manner as in the configuration example (I).
2a. [Conductive part forming step]: Conductive parts are formed in the same manner as in the configuration example (I).
2b. [Component mounting step]: After the conductive portion is formed, a connection material, for example, an epoxy-based conductive adhesive is applied to the connection terminal portion by a dispenser. Next, a component (for example, a semiconductor chip) is connected to the wiring pattern through the connection material. In the case of a connection material that requires heat curing, a heat curing process is performed. In addition to the dispenser, the connection material can be supplied by a method of supplying solder onto wiring or functional parts by plating.
3. [Molding material filling step]: Same as the structural example (I).
4). [Structural mold release step]: Same as the structural example (I).

以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated further more concretely, this invention is not limited to this.

(実施例1)
前記図11に示した製造工程に準拠して構成例(I)と同様の配線構造体を作製した。
まず、ニッケルで構成された一方の型(金型)の成形面上にポジレジスト(OFPR−5000:東京応化工業株式会社製)を塗布し、レジスト厚3μmの膜を形成した。次いで、20μm幅のラインを有するフォトマスクを用いて密着露光し、現像した後にオーブン中で120℃で2分間の加熱処理を行い硬化した。これによって、金型上に20μm幅の開口径を有するパターンが形成できた。
次に、この型をピロリン酸銅めっき溶液(PY−61:上村工業株式会社製)中に浸漬し、銅膜厚を2μmまで成長させた(導電部の形成)。
次いで、上記レジストパターンと導電部が形成された一方の型に、基材および基材部を成形するための他方の型を重ね合わせて、トランスファ用成形樹脂(G770−L:住友ベークライト株式会社製)を120℃の溶融状態で注入して成形を行った。200℃で5分間加熱して仮硬化した後に離形した。導電部が転写された凸状構造からなる配線を有する成形体をオーブン中、200℃で1時間硬化して良好な配線構造体を成形することができた。
Example 1
A wiring structure similar to that of the configuration example (I) was manufactured in accordance with the manufacturing process shown in FIG.
First, a positive resist (OFPR-5000: manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied on the molding surface of one mold (mold) made of nickel to form a film having a resist thickness of 3 μm. Next, contact exposure was performed using a photomask having a line having a width of 20 μm and development was performed, followed by curing by heating at 120 ° C. for 2 minutes in an oven. As a result, a pattern having an opening diameter of 20 μm width could be formed on the mold.
Next, this mold was immersed in a copper pyrophosphate plating solution (PY-61: manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) to grow the copper film thickness to 2 μm (formation of a conductive part).
Next, the other mold for molding the base material and the base material part is overlaid on the one mold on which the resist pattern and the conductive part are formed, and a transfer molding resin (G770-L: manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) ) Was injected in a molten state at 120 ° C. to perform molding. The mold was released after pre-curing by heating at 200 ° C. for 5 minutes. An excellent wiring structure could be formed by curing a molded body having a wiring having a convex structure to which the conductive portion was transferred, in an oven at 200 ° C. for 1 hour.

上記銅により形成された導電部は、凸状構造頂点より2μmのところまで形成されており、凸状構造の根元部周辺の基材部は成形樹脂により形成されている。このため、配線は微細であるにもかかわらず、導電部と基材部との接合界面が基材表面の高さと異なる位置であるため、配線の応力集中が緩和され、基材と良好に密着した配線構造体であった。また、成形材料が熱硬化性樹脂であるため、耐熱性も優れており、配線パターンの寸法精度も良好であった。   The conductive part formed of copper is formed up to 2 μm from the top of the convex structure, and the base part around the base part of the convex structure is formed of molding resin. For this reason, although the wiring is fine, the joint interface between the conductive part and the base material part is at a position different from the height of the base material surface, so the stress concentration on the wiring is alleviated and the base material adheres well. Was a wiring structure. Further, since the molding material is a thermosetting resin, the heat resistance is excellent, and the dimensional accuracy of the wiring pattern is also good.

(実施例2)
前記図12に示した製造工程に準拠して構成例(I)と同様の配線構造体を作製した。
一方の型として、絶縁性下地上に導電性皮膜が設けられた構成の型を用いた以外は実施例1と同様の製造工程により配線構造体を得た。すなわち、セラミック基板(50mm角×0.38mm厚)の上にスパッタによりCr膜(50nm厚)を成膜し、さらにNi膜(1mm厚)を積層して、絶縁性下地の上に導電性皮膜を形成した型を用いた。
(Example 2)
A wiring structure similar to that of the configuration example (I) was manufactured in accordance with the manufacturing process shown in FIG.
A wiring structure was obtained by the same manufacturing process as in Example 1 except that a mold having a configuration in which a conductive film was provided on an insulating base was used as one mold. That is, a Cr film (50 nm thickness) is formed on a ceramic substrate (50 mm square × 0.38 mm thickness) by sputtering, and a Ni film (1 mm thickness) is further laminated, and a conductive film is formed on an insulating base. The mold formed was used.

作製された配線構造体の配線は、実施例1と同様に応力集中が緩和され、基材と良好に密着すると共に配線パターンの寸法精度も良好であった。また、セラミック基板上に導電性の皮膜が設けられた構成となっているため、電解メッキ法によって容易に導電部を形成することができた。   The wiring of the produced wiring structure was relaxed in stress concentration as in Example 1, and was in good contact with the substrate, and the dimensional accuracy of the wiring pattern was also good. In addition, since the conductive film is provided on the ceramic substrate, the conductive portion can be easily formed by electrolytic plating.

(実施例3)
前記図13に示した製造工程に準拠して構成例(II)と同様の配線構造体を作製した。
ニッケルで構成された一方の型の成形面上にポリイミド溶液をスピンコート法により塗工後、仮硬化してポリイミド絶縁膜を形成した。次いで、絶縁膜上にポジレジスト(OFPR−5000:東京応化工業株式会社製)を塗布し、レジスト厚0.5μmの膜を形成した。次に、20μm幅のラインを有するフォトマスクを用いて密着露光後、現像してレジストパターンを形成した。レジストパターンを形成後、ポリイミドエッチング溶液を用いてポリイミド絶縁膜を配線パターン状にエッチングを行った。その後、レジスト膜をアセトンにより除去した後、オーブンにて200℃で60分間加熱処理してポリイミド絶縁膜を硬化した。
以降の工程は実施例1と同様にして行い、テーパーを有する凸状構造の配線を設けた配線構造体を成形することができた。
(Example 3)
A wiring structure similar to that of the configuration example (II) was manufactured in accordance with the manufacturing process shown in FIG.
A polyimide solution was applied on the molding surface of one mold made of nickel by a spin coating method, and then temporarily cured to form a polyimide insulating film. Next, a positive resist (OFPR-5000: manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied on the insulating film to form a film having a resist thickness of 0.5 μm. Next, after a contact exposure using a photomask having a line having a width of 20 μm, development was performed to form a resist pattern. After forming the resist pattern, the polyimide insulating film was etched into a wiring pattern using a polyimide etching solution. Then, after removing a resist film with acetone, the polyimide insulating film was hardened by heat-processing at 200 degreeC for 60 minute (s) in oven.
Subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1, and a wiring structure provided with a wiring having a convex structure having a taper could be formed.

作製された配線構造体の配線は、実施例1と同様に応力集中が緩和され、基材と良好に密着すると共に配線パターンの寸法精度も良好であった。また、テーパーを有する凸状構造の配線としたことで、基材部に対する導電部の転写接合性を向上させ、導電部が型に残ることなく成形することができた。   The wiring of the produced wiring structure was relaxed in stress concentration as in Example 1, and was in good contact with the substrate, and the dimensional accuracy of the wiring pattern was also good. In addition, since the wiring has a convex structure having a taper, the transfer bonding property of the conductive portion to the base portion can be improved, and the conductive portion can be molded without remaining in the mold.

(実施例4)
前記図14に示した製造工程に準拠して構成例(III)と同様の配線構造体を作製した。
20μm幅のラインにエッチング加工した一方の型(ニッケル製)の成形面に、疎水性材料であるシリコーン樹脂(エポリーズSS−96:日本ペルノックス株式会社製)を斜めからスプレー塗工し、膜厚が約0.2μm厚になるように調整して型の凸部にレジストパターンを形成した。その後、図14の導電部形成工程に示すように、電解メッキにより約0.5μmの膜厚となるように導電部を形成した。
以降の工程は実施例1と同様にして行い、凸状構造の配線を設けた配線構造体を成形することができた。
Example 4
A wiring structure similar to that of the configuration example (III) was manufactured in accordance with the manufacturing process shown in FIG.
On the molding surface of one mold (made of nickel) etched into a line with a width of 20 μm, a silicone resin (Epolyse SS-96: manufactured by Nihon Pernox Co., Ltd.), which is a hydrophobic material, is spray-applied from an oblique direction. A resist pattern was formed on the convex portions of the mold by adjusting the thickness to about 0.2 μm. Thereafter, as shown in the conductive part forming step of FIG. 14, the conductive part was formed by electrolytic plating so as to have a film thickness of about 0.5 μm.
The subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1, and a wiring structure provided with a wiring having a convex structure could be formed.

作製された配線構造体の配線は、実施例1と同様に応力集中が緩和され、基材と良好に密着すると共に配線パターンの寸法精度も良好であった。また、レジスト材料として疎水性材料を用いることにより、成形体材料の濡れ性を減少させることができ、離形性が向上した。   The wiring of the produced wiring structure was relaxed in stress concentration as in Example 1, and was in good contact with the substrate, and the dimensional accuracy of the wiring pattern was also good. Further, by using a hydrophobic material as the resist material, the wettability of the molded body material can be reduced, and the releasability is improved.

(実施例5)
前記図15に示した製造工程に準拠して構成例(IV)と同様の配線構造体を作製した。
実施例1と同様に一方の型(ニッケル製)の成形面してレジストパターンを形成し、導電部を形成した後、導電部の表面をAl粒子によってサンドブラスト処理を施して粗面化した。なお、導電部の表面粗さが凸状構造表面の表面粗さよりも大きくなるように調整してサンドブラスト処理を行った。
以降の工程は実施例1と同様にして行い、凸状構造の配線を設けた配線構造体を成形することができた。
(Example 5)
A wiring structure similar to that of the configuration example (IV) was produced in accordance with the manufacturing process shown in FIG.
In the same manner as in Example 1, after forming a resist pattern on the molding surface of one mold (made of nickel) and forming a conductive part, the surface of the conductive part was roughened by sandblasting with Al particles. The sandblasting was performed by adjusting the surface roughness of the conductive portion to be larger than the surface roughness of the convex structure surface.
The subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1, and a wiring structure provided with a wiring having a convex structure could be formed.

作製された配線構造体の配線は、実施例1と同様に応力集中が緩和され、導電部の粗面化によって接合界面の接触面積が増大し、導電部と基材部の実効的な接合力がさらに増大し、密着性を向上させることができた。また、実施例1と同様に配線パターンの寸法精度も良好であった。   In the wiring of the produced wiring structure, the stress concentration is relaxed similarly to Example 1, the contact area of the bonding interface is increased by roughening the conductive portion, and the effective bonding force between the conductive portion and the base portion is increased. Was further increased, and the adhesion could be improved. In addition, the dimensional accuracy of the wiring pattern was good as in Example 1.

(実施例6)
前記図16に示した製造工程に準拠して構成例(V)と同様の配線構造体を作製した。
実施例1と同様に一方の型(ニッケル製)の成形面してレジストパターンを形成し、導電部(Cu)を形成した後、接合界面となるCu表面の黒化処理を行った。
まず、黒化処理剤(HIST−500:日立化成工業株式会社製)を用いて銅表面に酸化膜を形成した後、還元剤(HIST−100B:日立化成工業株式会社製)を用いて銅酸化膜を還元処理した。この処理によって銅表面の粗面化ができた。
以降の工程は実施例1と同様にして行い、凸状構造の配線を設けた配線構造体を成形することができた。
(Example 6)
A wiring structure similar to that of the configuration example (V) was manufactured based on the manufacturing process shown in FIG.
Similarly to Example 1, a resist pattern was formed on the molding surface of one mold (made of nickel) to form a conductive portion (Cu), and then a blackening treatment was performed on the Cu surface serving as a bonding interface.
First, after forming an oxide film on the copper surface using a blackening treatment agent (HIST-500: manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), copper oxidation using a reducing agent (HIST-100B: manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.). The membrane was reduced. By this treatment, the copper surface was roughened.
The subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1, and a wiring structure provided with a wiring having a convex structure could be formed.

作製された配線構造体の配線は、実施例1と同様に応力集中が緩和され、導電部の黒化処理によって成形体材料に対する濡れ性と接触面積を増大させることができ、導電部と基材部の接合力がさらに増大し、密着性を向上させることができた。また、実施例1と同様に配線パターンの寸法精度も良好であった。   In the wiring of the produced wiring structure, the stress concentration is alleviated in the same manner as in Example 1, and the wettability and the contact area with respect to the molding material can be increased by the blackening treatment of the conductive part. The bonding strength of the part was further increased, and the adhesion could be improved. In addition, the dimensional accuracy of the wiring pattern was good as in Example 1.

(実施例7)
前記図17に示した製造工程に準拠して構成例(VI)と同様の配線構造体を作製した。
実施例1と同様に一方の型(ニッケル製)の成形面してレジストパターンを形成し、導電部(Cu)を形成した後、接合界面となるCu表面の酸化処理を行った。すなわち、接合界面となるCu表面をオーブン中で200℃×5分加熱処理して酸化膜を形成した。
以降の工程は実施例1と同様にして行い、凸状構造の配線を設けた配線構造体を成形することができた。
(Example 7)
A wiring structure similar to that of the configuration example (VI) was manufactured in accordance with the manufacturing process shown in FIG.
Similarly to Example 1, a resist pattern was formed on the molding surface of one mold (made of nickel) to form a conductive portion (Cu), and then an oxidation treatment was performed on the Cu surface serving as a bonding interface. That is, the Cu surface serving as the bonding interface was heat-treated in an oven at 200 ° C. for 5 minutes to form an oxide film.
The subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1, and a wiring structure provided with a wiring having a convex structure could be formed.

作製された配線構造体の配線は、実施例1と同様に応力集中が緩和され、導電部の酸化処理によって表面に水酸基を多数吸着し、成形体材料との分子結合や水素結合を増大させて導電部と基材部の接合力がさらに増大し、密着性を向上させることができた。また、実施例1と同様に配線パターンの寸法精度も良好であった。   The wiring of the produced wiring structure is relaxed in stress concentration as in Example 1, and a large number of hydroxyl groups are adsorbed on the surface by oxidation treatment of the conductive part, thereby increasing molecular bonds and hydrogen bonds with the molding material. The bonding force between the conductive portion and the base material portion was further increased, and the adhesion could be improved. In addition, the dimensional accuracy of the wiring pattern was good as in Example 1.

(実施例8)
前記図18に示した製造工程に準拠して構成例(VII)と同様の配線構造体を作製した。
曲面形状もしくは多面形状を有するニッケルで構成された一方の型の成形面上にポジレジスト(OFPR−5000:東京応化工業株式会社製)をスプレー塗布してレジスト厚3μmの膜を得た。このレジスト膜をプリベークした後、型を多軸移動ステージ上に配置し、エキシマレーザにより、導電部を形成するメッキ付け部分のレジスト膜を加工除去し、30μm幅のラインを有するパターンを形成した。次いで、オーブン中で120℃×2分の条件で加熱し、硬化を行った。
以降の工程は実施例1と同様にして行い、凸状構造の配線を設けた配線構造体を成形することができた。なお、レジスト除去部に2μm厚の導電部を形成した。
(Example 8)
A wiring structure similar to that of the configuration example (VII) was manufactured in accordance with the manufacturing process shown in FIG.
A positive resist (OFPR-5000: manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was spray-coated on the molding surface of one mold made of nickel having a curved surface shape or a polyhedral shape to obtain a film having a resist thickness of 3 μm. After this resist film was pre-baked, the mold was placed on a multi-axis moving stage, and the resist film at the plating portion forming the conductive portion was processed and removed by an excimer laser to form a pattern having a 30 μm wide line. Then, it was cured by heating in an oven at 120 ° C. for 2 minutes.
The subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1, and a wiring structure provided with a wiring having a convex structure could be formed. A conductive portion having a thickness of 2 μm was formed in the resist removal portion.

作製された配線構造体の配線は、実施例1と同様に応力集中が緩和され、基材と良好に密着すると共に配線パターンの寸法精度も良好であった。また、このような形態の配線構造体は、転写、成型により成形するのに適しており、容易に微細配線を形成することができた。   The wiring of the produced wiring structure was relaxed in stress concentration as in Example 1, and was in good contact with the substrate, and the dimensional accuracy of the wiring pattern was also good. Moreover, the wiring structure of such a form is suitable for forming by transfer and molding, and a fine wiring can be easily formed.

(実施例9)
前記図19に示した製造工程に準拠して構成例(VIII)と同様の配線構造体を作製した。
実施例1と同様に一方の型(ニッケル製)の成形面してレジストパターンを形成し、導電部を形成した後、絶縁材料を埋設する部分の配線間のレジストパターンをエキシマレーザによってレジストを部分的に除去した。
以降の工程は実施例1と同様にして行い、凸状構造の配線を設けた配線構造体を成形することができた。
Example 9
A wiring structure similar to that of the configuration example (VIII) was manufactured in accordance with the manufacturing process shown in FIG.
In the same manner as in Example 1, a resist pattern is formed on the molding surface of one mold (made of nickel), a conductive portion is formed, and then the resist pattern between the wirings in the portion where the insulating material is embedded is formed by excimer laser. Removed.
The subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1, and a wiring structure provided with a wiring having a convex structure could be formed.

作製された配線構造体の配線は、実施例1と同様に応力集中が緩和され、基材と良好に密着すると共に配線パターンの寸法精度も良好であった。また、高密度でかつ高周波に適した配線を形成することができた。   The wiring of the produced wiring structure was relaxed in stress concentration as in Example 1, and was in good contact with the substrate, and the dimensional accuracy of the wiring pattern was also good. In addition, a high-density wiring suitable for high frequency could be formed.

(実施例10)
前記図20に示した製造工程に準拠して構成例(IX)と同様の配線構造体を作製した。
実施例1と同様に一方の型(ニッケル製)の成形面してレジストパターンを形成し、導電部を形成した後、配線パターン全面を覆うように第1の樹脂として、紫外線硬化樹脂(SD2200:(大日本インキ化学工業株式会社製)をディスペンサにより塗布した。紫外線硬化樹脂を供給した後、低圧水銀灯を照射して樹脂を硬化した。次に、第1の樹脂が充填された一方の型に、基材および基材部を成形するための他方の型を重ね合わせて、所定のキャビティに第2の樹脂を充填した。
以降の工程は実施例1と同様にして行い、凸状構造の配線を設けた配線構造体を成形することができた。
(Example 10)
A wiring structure similar to that of the configuration example (IX) was manufactured in accordance with the manufacturing process shown in FIG.
As in Example 1, after forming a resist pattern on the molding surface of one mold (made of nickel) and forming a conductive portion, an ultraviolet curable resin (SD2200: SD2200: (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) was applied with a dispenser.After supplying the ultraviolet curable resin, the resin was cured by irradiating with a low-pressure mercury lamp.Next, on one mold filled with the first resin The other mold for molding the base material and the base material portion was overlapped to fill a predetermined cavity with the second resin.
The subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1, and a wiring structure provided with a wiring having a convex structure could be formed.

作製された配線構造体の配線は、実施例1と同様に応力集中が緩和され、さらに基材と良好に密着すると共に配線パターンの寸法精度も良好であった。   The wiring of the produced wiring structure was relaxed in stress concentration as in Example 1, and was in good contact with the substrate, and the dimensional accuracy of the wiring pattern was good.

(実施例11)
前記図21に示した製造工程に準拠して構成例(X)と同様の配線構造体を作製した。
実施例1と同様に一方の型(ニッケル製)の成形面してレジストパターンを形成し、導電部を形成した後、接続端子部にエポキシ系導電性接着剤(接続材料)をディスペンサにより付与して接続端子部を設けた。次に、接続材料を介して半導体チップを配線パターンと接続し、接続材料を200℃×1時間の条件で加熱硬化して接着した。
以降の工程は実施例1と同様にして行い、凸状構造の配線を設け、かつ機能部品を基材内に一体に封止した配線構造体を成形することができた。
(Example 11)
A wiring structure similar to that of the configuration example (X) was manufactured based on the manufacturing process shown in FIG.
As in Example 1, after forming a resist pattern on the molding surface of one mold (made of nickel) and forming a conductive portion, an epoxy-based conductive adhesive (connecting material) is applied to the connection terminal portion with a dispenser. The connection terminal part was provided. Next, the semiconductor chip was connected to the wiring pattern through the connecting material, and the connecting material was heat-cured and bonded under the conditions of 200 ° C. × 1 hour.
The subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1, and a wiring structure in which convex wiring was provided and the functional components were integrally sealed in the base material could be formed.

作製された配線構造体の配線は、実施例1と同様に応力集中が緩和され、さらに基材と良好に密着すると共に配線パターンの寸法精度も良好であった。そして、配線構造体外部に機能部品を接続した構造に比べてコンパクトで、しかも信頼性が向上した配線構造体を得ることができた。   The wiring of the produced wiring structure was relaxed in stress concentration as in Example 1, and was in good contact with the substrate, and the dimensional accuracy of the wiring pattern was good. As a result, it was possible to obtain a wiring structure that is more compact and more reliable than a structure in which functional parts are connected to the outside of the wiring structure.

本発明の配線構造体を説明するための構成例(I)を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structural example (I) for demonstrating the wiring structure of this invention. 本発明の配線構造体を説明するための構成例(II)を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structural example (II) for demonstrating the wiring structure of this invention. 本発明の配線構造体を説明するための構成例(III)を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structural example (III) for demonstrating the wiring structure of this invention. 本発明の配線構造体を説明するための構成例(IV)を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structural example (IV) for demonstrating the wiring structure of this invention. 本発明の配線構造体を説明するための構成例(V)を示す概略断面図であるIt is a schematic sectional drawing which shows the structural example (V) for demonstrating the wiring structure of this invention. 本発明の配線構造体を説明するための構成例(VI)を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structural example (VI) for demonstrating the wiring structure of this invention. 本発明の配線構造体を説明するための構成例(VII)を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structural example (VII) for demonstrating the wiring structure of this invention. 本発明の配線構造体を説明するための構成例(VIII)を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structural example (VIII) for demonstrating the wiring structure of this invention. 本発明の配線構造体を説明するための構成例(IX)を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structural example (IX) for demonstrating the wiring structure of this invention. 本発明の配線構造体を説明するための構成例(X)を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structural example (X) for demonstrating the wiring structure of this invention. 本発明の製造方法における構成例(I)の概略製造工程を示すフローである。It is a flow which shows the schematic manufacturing process of the structural example (I) in the manufacturing method of this invention. 本発明の製造方法における構成例(I)の別の概略製造工程を示すフローである。It is a flow which shows another schematic manufacturing process of the structural example (I) in the manufacturing method of this invention. 本発明の製造方法における構成例(II)の概略製造工程を示すフローである。It is a flow which shows the schematic manufacturing process of the structural example (II) in the manufacturing method of this invention. 本発明の製造方法における構成例(III)の概略製造工程を示すフローである。It is a flow which shows the schematic manufacturing process of the structural example (III) in the manufacturing method of this invention. 本発明の製造方法における構成例(IV)の概略製造工程を示すフローである。It is a flow which shows the outline manufacturing process of the structural example (IV) in the manufacturing method of this invention. 本発明の製造方法における構成例(V)の概略製造工程を示すフローである。It is a flow which shows the schematic manufacturing process of the structural example (V) in the manufacturing method of this invention. 本発明の製造方法における構成例((VI)の概略製造工程を示すフローである。It is a flow which shows the schematic manufacturing process of the structural example ((VI)) in the manufacturing method of this invention. 本発明の製造方法における構成例(VII)の概略製造工程を示すフローである。It is a flow which shows the schematic manufacturing process of the structural example (VII) in the manufacturing method of this invention. 本発明の製造方法における構成例(VIII)の概略製造工程を示すフローである。It is a flow which shows the schematic manufacturing process of the structural example (VIII) in the manufacturing method of this invention. 本発明の製造方法における構成例(IX)の概略製造工程を示すフローである。It is a flow which shows the schematic manufacturing process of the structural example (IX) in the manufacturing method of this invention. 本発明の製造方法における構成例(X)の概略製造工程を示すフローである。It is a flow which shows the schematic manufacturing process of the structural example (X) in the manufacturing method of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 基材
2 凸状構造
3 基材部
4 導電部
5 接合界面
6 基材表面
11 基材
12 凸状構造
13 基材部
14 導電部
15 接合界面
16 基材表面
21 基材
22 凸状構造
23 基材部
24 導電部
25 接合界面
26 基材表面
27 絶縁材料
30a 第1の樹脂
30b 第2の樹脂
31 基材
32 凸状構造
33 基材部
34 導電部
35 接合界面
36 基材表面
41 基材
42 凸状構造
43 基材部
44 導電部
45 接合界面
46 基材表面
47 接続材料
48 部品
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Convex structure 3 Base material part 4 Conductive part 5 Joint interface 6 Base material surface 11 Base material 12 Convex structure 13 Base material part 14 Conductive part 15 Joint interface 16 Base material surface 21 Base material 22 Convex structure 23 Base material part 24 Conductive part 25 Bonding interface 26 Base material surface 27 Insulating material 30a First resin 30b Second resin 31 Base material 32 Convex structure 33 Base material part 34 Conductive part 35 Bonding interface 36 Base material surface 41 Base material 42 Convex Structure 43 Base Part 44 Conductive Part 45 Bonding Interface 46 Base Surface 47 Connection Material 48 Parts

Claims (17)

基材上に凸状構造からなる配線を有する配線構造体であって、
前記凸状構造は、導電材料により形成された導電部と、成形材料により基材の一部として形成された基材部とから構成され、かつ該導電部と基材部との接合界面が該基材表面の高さと異なる位置に設けられたことを特徴とする配線構造体。
A wiring structure having a wiring made of a convex structure on a substrate,
The convex structure is composed of a conductive part formed of a conductive material and a base part formed as a part of the base material by a molding material, and a bonding interface between the conductive part and the base part is the A wiring structure provided at a position different from a height of a substrate surface.
前記接合界面が、基材表面に対して平行で平坦な面を有していることを特徴とする請求項1に記載の配線構造体。   The wiring structure according to claim 1, wherein the bonding interface has a flat surface parallel to the substrate surface. 前記接合界面の表面粗さが、凸状構造表面の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の配線構造体。   The wiring structure according to claim 1, wherein a surface roughness of the bonding interface is larger than a surface roughness of the convex structure surface. 前記導電部を形成する導電材料が、銅であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の配線構造体。   The wiring structure according to claim 1, wherein the conductive material forming the conductive portion is copper. 前記導電部の接合界面に黒化処理皮膜が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の配線構造体。   The wiring structure according to claim 4, wherein a blackening treatment film is formed at a bonding interface of the conductive portion. 前記導電部の接合界面に酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の配線構造体。   The wiring structure according to claim 4, wherein an oxide film is formed at a bonding interface of the conductive portion. 前記配線が、曲面形状もしくは多面形状を有する基材上に設けられていることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の配線構造体。   The wiring structure according to claim 1, wherein the wiring is provided on a substrate having a curved surface shape or a polyhedral shape. 前記凸状構造からなる配線の隣接した配線間に、絶縁材料が埋設されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の配線構造体。   The wiring structure according to claim 1, wherein an insulating material is embedded between adjacent wirings of the convex structure. 前記基材と基材部を形成する成形材料が、熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の配線構造体。   The wiring structure according to claim 1, wherein the molding material forming the base material and the base material part is a thermosetting resin. 前記基材と基材部が、2種類以上の成形材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の配線構造体。   The wiring structure according to claim 1, wherein the base material and the base material part are formed using two or more kinds of molding materials. 前記導電部に部品実装用の端子が設けられ、該端子に接続材料が付与された接続部が形成されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の配線構造体。   The wiring structure according to claim 1, wherein a terminal for component mounting is provided on the conductive portion, and a connection portion to which a connection material is applied is formed on the terminal. 前記接続部を介して部品が実装され、該部品が成形材料により基材中に一体に封止されていることを特徴とする請求項11に記載の配線構造体。   The wiring structure according to claim 11, wherein a component is mounted through the connection portion, and the component is integrally sealed in a base material with a molding material. 一方の型の成形面にレジストパターンを形成する工程と、
該レジストパターンの壁面に囲まれた凹部領域に導電部を形成する工程と、
該レジストパターンと導電部が形成された一方の型に、基材および基材部を成形するための他方の型を重ね合わせて成形材料を充填する工程と、
充填された成形材料を熱処理して凸状構造からなる配線を有する構造体とした後、該構造体を離型する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする配線構造体の製造方法。
Forming a resist pattern on the molding surface of one mold;
Forming a conductive portion in a recessed region surrounded by the wall surface of the resist pattern;
Filling the molding material by superposing the other mold for molding the base material and the base material part on one mold on which the resist pattern and the conductive part are formed;
A step of heat-treating the filled molding material to form a structure having a wiring having a convex structure, and then releasing the structure;
A method for manufacturing a wiring structure comprising:
前記配線構造体が、請求項1〜12のいずれかに記載の配線構造体であることを特徴とする請求項13に記載の配線構造体の製造方法。   The method for manufacturing a wiring structure according to claim 13, wherein the wiring structure is the wiring structure according to claim 1. 前記レジスト材料が、疎水性材料であることを特徴とする請求項13に記載の配線構造体の製造方法。   The method for manufacturing a wiring structure according to claim 13, wherein the resist material is a hydrophobic material. 前記一方の型が、絶縁性下地上に導電性被膜が設けられた材料構成の型であることを特徴とする請求項13または14に記載の配線構造体の製造方法。   The method of manufacturing a wiring structure according to claim 13 or 14, wherein the one mold is a mold having a material configuration in which a conductive coating is provided on an insulating base. 前記レジストパターンの壁面が、型と接する方向に狭まったテーパー構造を有することを特徴とする請求項13〜16のいずれかに記載の配線構造体の製造方法。
The method for manufacturing a wiring structure according to any one of claims 13 to 16, wherein a wall surface of the resist pattern has a tapered structure narrowed in a direction in contact with a mold.
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