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JP2006174262A - Board connection structure - Google Patents

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JP2006174262A
JP2006174262A JP2004366250A JP2004366250A JP2006174262A JP 2006174262 A JP2006174262 A JP 2006174262A JP 2004366250 A JP2004366250 A JP 2004366250A JP 2004366250 A JP2004366250 A JP 2004366250A JP 2006174262 A JP2006174262 A JP 2006174262A
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Japan
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microwave transmission
transmission path
vertical
dielectric
connection structure
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Application number
JP2004366250A
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Japanese (ja)
Inventor
Yu Kirikoshi
祐 桐越
Masahiko Kohama
正彦 小浜
Hideshi Hanshiyou
秀史 繁昌
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

【課題】 定在波比の悪化や不要放射の発生を抑えて高さが異なる位置に設置されるマイクロ波伝送路を接続する。
【解決手段】 下側マイクロ波伝送路2と、下側マイクロ波伝送路2と設置される高さが異なる上側マイクロ波伝送路3と、下側マイクロ波伝送路2及び上側マイクロ波伝送路3に一体成型により結合される垂直マイクロ波伝送路4とを備え、下側マイクロ波伝送路2の一部及び上側マイクロ波伝送路3の一部が垂直マイクロ波伝送路4から延伸している。
【選択図】 図2
PROBLEM TO BE SOLVED: To connect microwave transmission lines installed at different heights while suppressing deterioration of standing wave ratio and generation of unnecessary radiation.
SOLUTION: A lower microwave transmission path 2, an upper microwave transmission path 3 having a height different from that of the lower microwave transmission path 2, a lower microwave transmission path 2, and an upper microwave transmission path 3 are provided. And a vertical microwave transmission path 4 coupled by integral molding. A part of the lower microwave transmission path 2 and a part of the upper microwave transmission path 3 extend from the vertical microwave transmission path 4.
[Selection] Figure 2

Description

この発明は高さが異なる位置に設置されるマイクロ波伝送路を有する基板の接続構造に関するものである。   The present invention relates to a connection structure for substrates having microwave transmission paths installed at different heights.

マイクロ波伝送路を有する従来の基板の接続構造としては、コネクタを用いて同軸線路等で複数の基板を接続したり、フィルム等で構成したマイクロ波伝送路により複数の基板を接続する方式がある。   As a conventional substrate connection structure having a microwave transmission path, there is a system in which a plurality of substrates are connected by a coaxial line or the like using a connector, or a plurality of substrates are connected by a microwave transmission path constituted by a film or the like. .

また、特許文献1では、誘電体基板上のストリップパターンをスルホールにより接続していることが記載され、特許文献2では、プリント配線基板上のマイクロストリップ線をバイアホール、コンタクトパッド及びエラスチックコネクタにより接続していることが記載され、特許文献3では、基板上の信号線を迂回線とバンプにより接続していることが記載され、特許文献4では、配線基板を金属バンプにより接続していることが記載され、特許文献5では、基板上の信号用パターンをはんだバンプにより接続していることが記載されている。   Patent Document 1 describes that strip patterns on a dielectric substrate are connected by through holes, and Patent Document 2 discloses that microstrip lines on a printed wiring board are connected by via holes, contact pads, and elastic connectors. In Patent Document 3, it is described that the signal line on the substrate is connected to the detour by a bump, and in Patent Document 4, the wiring substrate is connected by a metal bump. Patent Document 5 describes that signal patterns on a substrate are connected by solder bumps.

図5は高さが異なる位置に設置されるマイクロ波伝送路を有する従来の基板の接続構造を説明する図である。図5に示すように、高さ方向に段差部11を有するL字型の導体ベース1に、L字型の構造を有するマイクロ波伝送路62と上側マイクロ波伝送路63が設置され、マイクロ波伝送路62の上側基板64と上側マイクロ波伝送路63が接続部材65により接続されている。   FIG. 5 is a diagram for explaining a conventional substrate connection structure having microwave transmission paths installed at different heights. As shown in FIG. 5, a microwave transmission path 62 and an upper microwave transmission path 63 having an L-shaped structure are installed on an L-shaped conductor base 1 having a step portion 11 in the height direction. The upper substrate 64 of the transmission path 62 and the upper microwave transmission path 63 are connected by a connecting member 65.

図5に示す基板の接続構造において、マイクロ波伝送路62の上側基板64と上側マイクロ波伝送路63を接続部材65により接続する加工工程が必要であり、接続部材65を半田付けする際の組立作業の仕上がりのバラツキにより、接続部材65の取り付け高さが変わってしまい、定在波比の悪化やマイクロ波の空間への不要放射の発生の原因となる。また、部品点数が増えると共に接続加工のために必要な空間を確保しておく必要があり小型化が困難である。さらに、設置される高さが異なるマイクロ波伝送路を接続する際に、特に高さのギャップが大きいような場合、グランド経路100が長くなり、定在波比の悪化や不要放射の発生の原因となる。さらに、マイクロ波伝送路を垂直又は水平方向に変換する部分で反射波を生じてしまい定在波比の悪化の原因となる。   In the board connection structure shown in FIG. 5, a processing step for connecting the upper substrate 64 and the upper microwave transmission path 63 of the microwave transmission path 62 by the connection member 65 is required, and assembly when soldering the connection member 65 is performed. Due to variations in work finish, the mounting height of the connection member 65 changes, which causes deterioration of the standing wave ratio and generation of unnecessary radiation in the microwave space. In addition, as the number of parts increases, it is necessary to secure a space necessary for connection processing, and it is difficult to reduce the size. Furthermore, when connecting microwave transmission lines with different heights, especially when the height gap is large, the ground path 100 becomes long, causing deterioration of the standing wave ratio and generation of unnecessary radiation. It becomes. Further, a reflected wave is generated at a portion where the microwave transmission path is converted in the vertical or horizontal direction, which causes deterioration of the standing wave ratio.

特開昭64−31494号公報(第2頁右下欄第7行〜第3頁左上欄第6行、第2図)JP-A-64-31494 (page 2, lower right column, line 7 to page 3, upper left column, line 6, FIG. 2) 特開平02−52496号公報(第2頁右下欄第7行〜同第17行、第1図)Japanese Patent Laid-Open No. 02-52496 (page 2, lower right column, line 7 to line 17, FIG. 1) 特開平11−88001号公報(要約、解決手段、図4)Japanese Patent Laid-Open No. 11-88001 (Summary, Solution, FIG. 4) 特開2002−271101号公報(段落0025、図1)Japanese Patent Laid-Open No. 2002-271101 (paragraph 0025, FIG. 1) 特開2003−218482号公報(要約、解決手段、図1)JP 2003-218482 A (summary, solving means, FIG. 1)

従来の基板の接続構造は以上のように構成されていたので、マイクロ波伝送路を有する複数の基板を接続する加工工程が必要となると共に、組立作業による仕上がりのバラツキにより、定在波比を悪化させたり、マイクロ波の空間への不要放射が発生するという課題があった。また、部品点数が増えると共に接続加工のために必要な空間を確保しておく必要があるため小型化が困難という課題があった。さらに、設置される高さが異なるマイクロ波伝送路を接続する際に、特に高さのギャップが大きいような場合、グランド経路が長くなり、定在波比を悪化させたり、不要放射が発生するという課題があった。さらに、マイクロ波伝送路を垂直又は水平方向に変換する部分で反射波を生じてしまい定在波比を悪化させる原因となるという課題があった。   Since the conventional substrate connection structure is configured as described above, a processing step for connecting a plurality of substrates having microwave transmission paths is required, and the standing wave ratio is reduced due to variations in the finish due to assembly work. There was a problem that it deteriorated or unnecessary radiation was generated in the microwave space. In addition, there is a problem that it is difficult to reduce the size because the number of parts increases and a space necessary for connection processing needs to be secured. In addition, when connecting microwave transmission lines with different heights, especially when the height gap is large, the ground path becomes longer, which deteriorates the standing wave ratio and generates unnecessary radiation. There was a problem. Furthermore, there is a problem that a reflected wave is generated at a portion where the microwave transmission path is converted in the vertical or horizontal direction, which causes a deterioration of the standing wave ratio.

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、高さが異なる位置に設置されるマイクロ波伝送路を接続する際に、定在波比の悪化や不要放射の発生を抑えることができると共に、部品点数を削減して小型に構成することができ、加工工程も削減することができる基板の接続構造を得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and suppresses deterioration of the standing wave ratio and generation of unnecessary radiation when connecting microwave transmission lines installed at different heights. Another object of the present invention is to provide a substrate connection structure that can be reduced in the number of components and can be reduced in size, and that can reduce processing steps.

また、マイクロ波伝送路の水平−垂直変換部や垂直−水平変換部における定在波比の悪化を抑えることができる基板の接続構造を得ることを目的とする。   It is another object of the present invention to provide a substrate connection structure that can suppress deterioration of the standing wave ratio in the horizontal-vertical conversion unit and the vertical-horizontal conversion unit of the microwave transmission path.

さらに、垂直にマイクロ波を伝送する構造内にマイクロ波回路を内蔵することにより、小型で付加的機能を有する高さが異なるマイクロ波伝送路を接続することができる基板の接続構造を得ることを目的とする。   Furthermore, by incorporating a microwave circuit in a structure for transmitting microwaves vertically, a substrate connection structure capable of connecting microwave transmission paths with different heights and having additional functions can be obtained. Objective.

この発明に係る基板の接続構造は、下側マイクロ波伝送路と、この下側マイクロ波伝送路と設置される高さが異なる上側マイクロ波伝送路と、上記下側マイクロ波伝送路及び上記上側マイクロ波伝送路に一体成型により結合される垂直マイクロ波伝送路とを備え、上記下側マイクロ波伝送路の一部及び上記上側マイクロ波伝送路の一部が上記垂直マイクロ波伝送路より延伸しているものである。   The substrate connection structure according to the present invention includes a lower microwave transmission path, an upper microwave transmission path having a height different from that of the lower microwave transmission path, the lower microwave transmission path, and the upper microwave transmission path. A vertical microwave transmission line coupled to the microwave transmission line by integral molding, and a part of the lower microwave transmission line and a part of the upper microwave transmission line extend from the vertical microwave transmission line. It is what.

この発明により、定在波比の悪化や不要放射の発生を抑えることができると共に、部品点数を削減して小型に構成することができ、加工工程も削減することができるという効果が得られる。   According to the present invention, it is possible to suppress the deterioration of the standing wave ratio and the generation of unnecessary radiation, to reduce the number of parts, to achieve a compact configuration, and to reduce the processing steps.

実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1によるマイクロ波回路であって、基板の接続構造を説明する図である。この基板の接続構造では、図1に示すように、高さの異なる位置に設置される下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3と、この下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3を接続する垂直マイクロ波伝送路4とを備え、高さ方向に段差部11を有するL字型の導体ベース1上の下側のベース面12に下側マイクロ波伝送路2が設置され、導体ベース1上の上側のベース面13に上側マイクロ波伝送路3の一部が設置されている。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 shows a microwave circuit according to Embodiment 1 of the present invention, and is a diagram for explaining a substrate connection structure. In this substrate connection structure, as shown in FIG. 1, a lower microwave transmission path 2 and an upper microwave transmission path 3 installed at different heights, and a lower microwave transmission path 2 and an upper microwave transmission path are installed. The lower microwave transmission path 2 is provided on the lower base surface 12 on the L-shaped conductor base 1 having a vertical microwave transmission path 4 connecting the wave transmission path 3 and having a step portion 11 in the height direction. A part of the upper microwave transmission path 3 is installed on the upper base surface 13 on the conductor base 1.

図2はこの発明の実施の形態1による基板の接続構造を示す図であり、図1からL字型の導体ベース1を削除したものとなっている。このように、高さが異なる少なくとも2平面上に、下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3とを備え、下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3間を垂直マイクロ波伝送路4で結合している。   FIG. 2 is a diagram showing a substrate connection structure according to Embodiment 1 of the present invention, in which the L-shaped conductor base 1 is deleted from FIG. As described above, the lower microwave transmission path 2 and the upper microwave transmission path 3 are provided on at least two planes having different heights, and the vertical microwave path between the lower microwave transmission path 2 and the upper microwave transmission path 3 is provided. The wave transmission path 4 is coupled.

図2において、下側マイクロ波伝送路2には、表面にマイクロストリップ線路21が形成され、裏面にグランドパターン22が形成され、表面と裏面を接続するスルホール23が形成されている。また、上側マイクロ波伝送路3には、表面にマイクロストリップ線路31が形成され、裏面にグランドパターン32が形成されている。さらに、垂直マイクロ波伝送路4には、表面にコプレーナ線路41とグランドパターン42が形成されている。そして、下側マイクロ波伝送路2のマイクロストリップ線路21と上側マイクロ波伝送路3のマイクロストリップ線路31は、垂直マイクロ波伝送路4のコプレーナ線路41を介して接続され、下側マイクロ波伝送路2のグランドパターン22と上側マイクロ波伝送路3のグランドパターン32は、垂直マイクロ波伝送路4のグランドパターン42と下側マイクロ波伝送路2のスルホール23を介して接続されている。   In FIG. 2, in the lower microwave transmission path 2, a microstrip line 21 is formed on the front surface, a ground pattern 22 is formed on the back surface, and a through hole 23 that connects the front surface and the back surface is formed. In the upper microwave transmission path 3, a microstrip line 31 is formed on the front surface, and a ground pattern 32 is formed on the back surface. Further, a coplanar line 41 and a ground pattern 42 are formed on the surface of the vertical microwave transmission path 4. The microstrip line 21 of the lower microwave transmission path 2 and the microstrip line 31 of the upper microwave transmission path 3 are connected via the coplanar line 41 of the vertical microwave transmission path 4, and the lower microwave transmission path The second ground pattern 22 and the ground pattern 32 of the upper microwave transmission path 3 are connected via the ground pattern 42 of the vertical microwave transmission path 4 and the through hole 23 of the lower microwave transmission path 2.

この下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3と垂直マイクロ波伝送路4は一体で成型して製造される。すなわち、垂直マイクロ波伝送路4は、導体ベース1の段差部11とスルホール23との間における下側マイクロ波伝送路2上に、多層化技術を用いて導体ベース1の上側のベース面13の高さとなるよう積層される。そして、垂直マイクロ波伝送路4の表面には、下側マイクロ波伝送路2のマイクロストリップ線路21と上側マイクロ波伝送路3のマイクロストリップ線路31を電気的に接続するコプレーナ線路41が形成され、下側マイクロ波伝送路2のグランドパターン22と上側マイクロ波伝送路3のグランドパターン32を電気的に接続する複数のグランドパターン42が形成される。また、積層された垂直マイクロ波伝送路4と導体ベース1の上側のベース面13に接するように上側マイクロ波伝送路3が接続される。   The lower microwave transmission path 2, the upper microwave transmission path 3, and the vertical microwave transmission path 4 are manufactured by being integrally molded. That is, the vertical microwave transmission path 4 is formed on the lower microwave transmission path 2 between the stepped portion 11 of the conductor base 1 and the through hole 23 by using a multilayer technique on the upper base surface 13 of the conductor base 1. Laminated to be high. Then, on the surface of the vertical microwave transmission line 4, a coplanar line 41 that electrically connects the microstrip line 21 of the lower microwave transmission line 2 and the microstrip line 31 of the upper microwave transmission line 3 is formed. A plurality of ground patterns 42 that electrically connect the ground pattern 22 of the lower microwave transmission path 2 and the ground pattern 32 of the upper microwave transmission path 3 are formed. Further, the upper microwave transmission path 3 is connected so as to be in contact with the stacked vertical microwave transmission path 4 and the upper base surface 13 of the conductor base 1.

この図2の例では、下側マイクロ波伝送路2にはマイクロストリップ線路21が形成され、上側マイクロ波伝送路3にはマイクロストリップ線路31が形成され、垂直マイクロ波伝送路4にはコプレーナ線路41が形成されているが、その他のマイクロ波伝送路を形成しても良い。図2に示すように、この基板の接続構造では、下側マイクロ波伝送路2の一部と上側マイクロ波伝送路3の一部が、垂直マイクロ波伝送路4から互いに異なる方向にはみ出して延伸している構造となっている。   In the example of FIG. 2, a microstrip line 21 is formed in the lower microwave transmission path 2, a microstrip line 31 is formed in the upper microwave transmission path 3, and a coplanar line is formed in the vertical microwave transmission path 4. 41 is formed, but other microwave transmission lines may be formed. As shown in FIG. 2, in this substrate connection structure, a part of the lower microwave transmission path 2 and a part of the upper microwave transmission path 3 protrude from the vertical microwave transmission path 4 in different directions. It has a structure that is.

このように、下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3と垂直マイクロ波伝送路4を一体で成型して製造し、下側マイクロ波伝送路2の一部と上側マイクロ波伝送路3の一部が垂直マイクロ波伝送路4からはみ出して延伸している構造とすることにより、上側マイクロ波伝送路3の裏面に形成されているグランドパターン32に沿ってグランド経路100が図1に示すように短くなり、定在波比の悪化や不要放射の発生を抑えることができると共に、部品点数を削減して小型に構成することができ、加工工程も削減することができる。このときのグランド経路100は、図1に示すように高さ方向に段差部11を有する導体ベース1の形状に依存せず、上側マイクロ波伝送路3のグランドパターン32に沿ったものとなる。   In this way, the lower microwave transmission path 2, the upper microwave transmission path 3, and the vertical microwave transmission path 4 are integrally formed and manufactured, and a part of the lower microwave transmission path 2 and the upper microwave transmission path are manufactured. 1 has a structure in which a part of 3 protrudes from the vertical microwave transmission path 4 and extends, whereby the ground path 100 is formed along the ground pattern 32 formed on the back surface of the upper microwave transmission path 3 in FIG. As shown, the standing wave ratio can be prevented from deteriorating and the generation of unnecessary radiation, and the number of components can be reduced and the size can be reduced, and the machining process can also be reduced. The ground path 100 at this time does not depend on the shape of the conductor base 1 having the step portion 11 in the height direction as shown in FIG. 1, and is along the ground pattern 32 of the upper microwave transmission path 3.

以上のように、この実施の形態1によれば、高さが異なる位置に設置されるマイクロ波伝送路を接続する際に、下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3と垂直マイクロ波伝送路4を一体で成型して製造し、下側マイクロ波伝送路2の一部と上側マイクロ波伝送路3の一部が、垂直マイクロ波伝送路4から互いに異なる方向にはみ出して延伸している構造とすることにより、定在波比の悪化や不要放射の発生を抑えることができると共に、部品点数を削減して小型に構成することができ、加工工程も削減することができるという効果が得られる。   As described above, according to the first embodiment, when connecting microwave transmission lines installed at different heights, the lower microwave transmission line 2, the upper microwave transmission line 3, and the vertical microwaves are connected. The wave transmission path 4 is integrally molded, and a part of the lower microwave transmission path 2 and a part of the upper microwave transmission path 3 protrude from the vertical microwave transmission path 4 in different directions. By adopting the structure, it is possible to suppress the deterioration of the standing wave ratio and the generation of unnecessary radiation, reduce the number of parts, make it compact, and reduce the machining process. Is obtained.

実施の形態2.
図3はこの発明の実施の形態2によるマイクロ波回路であって、基板の接続構造を示す図である。この基板の接続構造は、実施の形態1の図2に示す垂直マイクロ波伝送路4を、反射が少ない使用帯域内の波長を実現するように適切な値に設定された誘電率を持つ誘電体を使用した垂直マイクロ波伝送路4Aとしたものであり、その他の構成は図2と同じである。このように、垂直マイクロ波伝送路4Aに使用する誘電体の誘電率を適切な値に設定することにより、反射が少ない使用帯域内の波長を任意に設定できる。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 3 shows a microwave circuit according to the second embodiment of the present invention and shows a substrate connection structure. In this substrate connection structure, the vertical microwave transmission path 4 shown in FIG. 2 of the first embodiment is a dielectric having a dielectric constant set to an appropriate value so as to realize a wavelength within the use band with less reflection. The other configuration is the same as that of FIG. 2. In this way, by setting the dielectric constant of the dielectric used in the vertical microwave transmission path 4A to an appropriate value, it is possible to arbitrarily set the wavelength within the use band with less reflection.

定在波比の悪化する原因は、図3に示す水平−垂直変換部51及び垂直−水平変換部52における反射波である。水平−垂直変換部51における反射位相をφHV、垂直水平変換部52における反射位相をφVH、垂直マイクロ波伝送路4Aの高さをH、反射が少ない使用帯域内の波長をλとすると、波長λを以下の式により求める。
λ=4・H/{(2n+1)−(φHV+φVH)/π}
ここで、nは任意の自然数とする。
そして、求めた波長λを実現する誘電率を持つ誘電体を垂直マイクロ波伝送路4Aに使用することで、任意の高さの段差に対して良好な定在波比を実現できる。
The cause of the deterioration of the standing wave ratio is a reflected wave in the horizontal-vertical conversion unit 51 and the vertical-horizontal conversion unit 52 shown in FIG. Assuming that the reflection phase in the horizontal-vertical conversion unit 51 is φHV, the reflection phase in the vertical / horizontal conversion unit 52 is φVH, the height of the vertical microwave transmission path 4A is H, and the wavelength in the use band with less reflection is λ, the wavelength λ Is obtained by the following equation.
λ = 4 · H / {(2n + 1) − (φHV + φVH) / π}
Here, n is an arbitrary natural number.
Then, by using a dielectric having a dielectric constant that realizes the obtained wavelength λ for the vertical microwave transmission path 4A, a good standing wave ratio can be realized with respect to a step having an arbitrary height.

また、誘電率は誘電体の材料物性値により決定されるため、垂直マイクロ波伝送路4Aに使用する誘電体を多層構造にし、各誘電体の誘電率の異なる値に設定したり、各誘電体の厚さを適切に設定することにより、使用帯域内の任意の波長λを実現しても良く、この場合は、反射が少ない使用帯域内の任意の波長を容易に設定できる。   Further, since the dielectric constant is determined by the material property value of the dielectric, the dielectric used for the vertical microwave transmission path 4A has a multi-layer structure, and each dielectric has a different dielectric constant, An appropriate wavelength λ within the use band may be realized by appropriately setting the thickness of the light, and in this case, an arbitrary wavelength within the use band with less reflection can be easily set.

以上のように、この実施の形態2によれば、垂直マイクロ波伝送路4Aに使用する誘電体の誘電率を適切な値に設定することにより、すなわち、垂直マイクロ波伝送路4Aの高さにより決定される反射が少ない使用帯域内の波長を実現する誘電率を持つ誘電体を垂直マイクロ波伝送路4Aに使用することにより、水平−垂直変換部51及び垂直−水平変換部52での反射波を使用帯域内で相殺することが可能となり、良好な定在波比を実現できるという効果が得られる。多くの場合、高さ方向の長さは機器の形状的な制約から決定され、任意に調整することが困難であるが、誘電体の誘電率を適切な値に設定することで、制約のある下側マイクロ波伝送路2と上側マイクロ波伝送路3の高さを変更することなく、反射が少ない使用帯域内の波長を設定することが可能である。   As described above, according to the second embodiment, the dielectric constant of the dielectric used for the vertical microwave transmission path 4A is set to an appropriate value, that is, depending on the height of the vertical microwave transmission path 4A. By using a dielectric having a dielectric constant that realizes a wavelength within the use band with less reflection to be determined in the vertical microwave transmission path 4A, reflected waves at the horizontal-vertical conversion unit 51 and the vertical-horizontal conversion unit 52 are reflected. Can be canceled within the use band, and an effect that a good standing wave ratio can be realized is obtained. In many cases, the length in the height direction is determined by the shape constraints of the equipment, and it is difficult to adjust arbitrarily. However, there is a limitation by setting the dielectric constant of the dielectric to an appropriate value. Without changing the height of the lower microwave transmission path 2 and the upper microwave transmission path 3, it is possible to set the wavelength within the use band with less reflection.

また、この実施の形態2によれば、垂直マイクロ波伝送路4Aに使用する誘電体を多層構造にし、各層の誘電体の誘電率又は各層の誘電体の厚さにより、反射が少ない使用帯域内の波長を実現することにより、反射が少ない使用帯域内の任意の波長を容易に設定できるという効果が得られる。   Further, according to the second embodiment, the dielectric used for the vertical microwave transmission line 4A has a multi-layer structure, and within the use band where the reflection is small depending on the dielectric constant of the dielectric of each layer or the thickness of the dielectric of each layer. By realizing this wavelength, it is possible to easily set an arbitrary wavelength within the use band with less reflection.

実施の形態3.
図4はこの発明の実施の形態3によるマイクロ波回路であって、基板の接続構造を示す図である。この基板の接続構造は、実施の形態1の図2に示す垂直マイクロ波伝送路4を、カップラ、フィルタ、インピーダンス変換器等の付加機能としてのマイクロ波回路44を内層に内蔵した多層基板で構成された垂直マイクロ波伝送路4Bとしたものであり、その他の構成は図2と同じである。図4において、マイクロ波回路44は信号ライン45を介して下側マイクロ波伝送路2の信号ライン25と上側マイクロ波伝送路3の信号ライン35に接続されている。このように、垂直マイクロ波伝送路4Bの内層にマイクロ波回路44を内蔵することにより、従来では平面部分に設置していたマイクロ波回路44を垂直マイクロ波伝送路4Bと一体化することができ、さらに小型化を実現することができる
Embodiment 3 FIG.
FIG. 4 shows a microwave circuit according to Embodiment 3 of the present invention, and shows a substrate connection structure. In this substrate connection structure, the vertical microwave transmission path 4 shown in FIG. 2 of the first embodiment is configured by a multilayer substrate in which a microwave circuit 44 as an additional function of a coupler, a filter, an impedance converter, etc. is built in an inner layer. The other vertical configuration is the same as that of FIG. 2. In FIG. 4, the microwave circuit 44 is connected to the signal line 25 of the lower microwave transmission path 2 and the signal line 35 of the upper microwave transmission path 3 through a signal line 45. As described above, by incorporating the microwave circuit 44 in the inner layer of the vertical microwave transmission path 4B, the microwave circuit 44 that has conventionally been installed in the plane portion can be integrated with the vertical microwave transmission path 4B. Further downsizing can be realized

また、多層基板で構成された垂直マイクロ波伝送路4Bのうち、マイクロ波回路44の部分の誘電体層46を局所的に高い誘電率の誘電体とすることで、マイクロ波回路44のサイズを小さくすることができ、さらに小型化を実現できる。また、局所的に高い誘電率の誘電体を使用することにより、一般的に損失の大きな高誘電率材料で全体を充填するときに比較して低損失を実現できる。また、マイクロ波回路44の部分の誘電体層46を多層構造にし、各層の誘電率を異なる値に設定しても良い。   In addition, in the vertical microwave transmission path 4B formed of a multilayer substrate, the dielectric layer 46 in the portion of the microwave circuit 44 is locally a dielectric having a high dielectric constant, thereby reducing the size of the microwave circuit 44. It can be made smaller, and further downsizing can be realized. Further, by using a dielectric having a high dielectric constant locally, a low loss can be realized as compared with the case where the whole is generally filled with a high dielectric constant material having a large loss. Alternatively, the dielectric layer 46 in the microwave circuit 44 may have a multilayer structure, and the dielectric constant of each layer may be set to a different value.

以上のように、この実施の形態3によれば、垂直マイクロ波伝送路4Bの内層にマイクロ波回路44を内蔵することにより、従来では平面部分に設置していたマイクロ波回路44を垂直マイクロ波伝送路4Bと一体化することができ、さらに小型化を実現することができるという効果が得られる。   As described above, according to the third embodiment, by incorporating the microwave circuit 44 in the inner layer of the vertical microwave transmission path 4B, the microwave circuit 44 that has conventionally been installed in the plane portion can be converted into the vertical microwave. It is possible to integrate with the transmission line 4B and to obtain an effect that further downsizing can be realized.

また、この実施の形態3によれば、垂直マイクロ波伝送路4Bに使用する誘電体を多層構造にし、マイクロ波回路44の部分の誘電体として局所的に高い誘電率の誘電体を使用することにより、マイクロ波回路44のサイズを小さくすることができ、さらに小型化を実現できると共に、高誘電率材料で全体を充填するときに比較して低損失を実現できるという効果が得られる。   Further, according to the third embodiment, the dielectric used for the vertical microwave transmission line 4B has a multilayer structure, and a dielectric having a high dielectric constant is locally used as the dielectric of the microwave circuit 44. As a result, the size of the microwave circuit 44 can be reduced, further miniaturization can be realized, and lower loss can be realized as compared with the case where the whole is filled with a high dielectric constant material.

この発明の実施の形態1による基板の接続構造を説明する図である。It is a figure explaining the connection structure of the board | substrate by Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1による基板の接続構造を示す図である。It is a figure which shows the connection structure of the board | substrate by Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態2による基板の接続構造を示す図である。It is a figure which shows the connection structure of the board | substrate by Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態3による基板の接続構造を示す図である。It is a figure which shows the connection structure of the board | substrate by Embodiment 3 of this invention. 従来の基板の接続構造を説明する図である。It is a figure explaining the connection structure of the conventional board | substrate.

符号の説明Explanation of symbols

1 導体ベース、2 下側マイクロ波伝送路、3 上側マイクロ波伝送路、4,4A,4B 垂直マイクロ波伝送路、11 段差部、12 下側のベース面、13 上側のベース面、21 マイクロストリップ線路、22 グランドパターン、23 スルホール、25 信号ライン、31 マイクロストリップ線路、32 グランドパターン、35 信号ライン、41 コプレーナ線路、42 グランドパターン、44 マイクロ波回路、45 信号ライン、46 誘電体層、51 水平−垂直変換部、52 垂直−水平変換部、62 マイクロ波伝送路、63 上側マイクロ波伝送路、64 上側基板、65 接続部材、100 グランド経路。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Conductor base, 2 Lower microwave transmission path, 3 Upper microwave transmission path, 4, 4A, 4B Vertical microwave transmission path, 11 Step part, 12 Lower base surface, 13 Upper base surface, 21 Microstrip Line, 22 Ground Pattern, 23 Through Hole, 25 Signal Line, 31 Microstrip Line, 32 Ground Pattern, 35 Signal Line, 41 Coplanar Line, 42 Ground Pattern, 44 Microwave Circuit, 45 Signal Line, 46 Dielectric Layer, 51 Horizontal -Vertical conversion part, 52 Vertical-horizontal conversion part, 62 Microwave transmission path, 63 Upper microwave transmission path, 64 Upper board, 65 Connection member, 100 Ground path.

Claims (5)

下側マイクロ波伝送路と、
この下側マイクロ波伝送路と設置される高さが異なる上側マイクロ波伝送路と、
上記下側マイクロ波伝送路及び上記上側マイクロ波伝送路に一体成型により結合される垂直マイクロ波伝送路とを備え、
上記下側マイクロ波伝送路の一部及び上記上側マイクロ波伝送路の一部が上記垂直マイクロ波伝送路から延伸していることを特徴とする基板の接続構造。
A lower microwave transmission line;
An upper microwave transmission line having a different height from the lower microwave transmission line; and
A vertical microwave transmission path coupled to the lower microwave transmission path and the upper microwave transmission path by integral molding;
A substrate connection structure, wherein a part of the lower microwave transmission line and a part of the upper microwave transmission line extend from the vertical microwave transmission line.
垂直マイクロ波伝送路の高さにより決定される反射が少ない使用帯域内の波長を実現する誘電率を持つ誘電体を上記垂直マイクロ波伝送路に使用することを特徴とする請求項1記載の基板の接続構造。   2. The substrate according to claim 1, wherein a dielectric having a dielectric constant that realizes a wavelength within a use band with less reflection determined by the height of the vertical microwave transmission line is used for the vertical microwave transmission line. Connection structure. 垂直マイクロ波伝送路に使用する誘電体を多層構造にし、各層の誘電体の誘電率又は各層の誘電体の厚さにより、反射が少ない使用帯域内の波長を実現することを特徴とする請求項2記載の基板の接続構造。   The dielectric used in the vertical microwave transmission line is formed in a multilayer structure, and a wavelength within a use band with less reflection is realized by a dielectric constant of each layer dielectric or a thickness of each layer dielectric. 2. The board connection structure according to 2. 垂直マイクロ波伝送路の内層にマイクロ波回路を内蔵していることを特徴とする請求項1記載の基板の接続構造。   2. The substrate connection structure according to claim 1, wherein a microwave circuit is built in an inner layer of the vertical microwave transmission path. 垂直マイクロ波伝送路に使用する誘電体を多層構造にし、マイクロ波回路の部分の誘電体として局所的に高い誘電率の誘電体を使用することを特徴とする請求項4記載の基板の接続構造。   5. The substrate connection structure according to claim 4, wherein the dielectric used in the vertical microwave transmission path has a multilayer structure, and a dielectric having a high dielectric constant is locally used as the dielectric of the microwave circuit portion. .
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