JP2006135051A

JP2006135051A - Thin film device manufacturing method, thin film device, electro-optical device, and electronic apparatus

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Publication number: JP2006135051A
Application number: JP2004321812A
Authority: JP
Inventors: Yasuaki Kodaira; 泰明小平; Mitsutoshi Miyasaka; 光敏宮坂
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2004-11-05
Filing date: 2004-11-05
Publication date: 2006-05-25
Anticipated expiration: 2024-11-05
Also published as: JP4945726B2

Abstract

【課題】転写技術を利用した薄膜装置の製造工程で蓄積される電荷を効果的に除去可能な薄膜装置の製造方法を提供する。
【解決手段】転写元基板（１００）上に、導電性を有し、所定のエネルギ付与によって剥離する第１剥離層（１０２）を形成し、第１剥離層上に薄膜素子を含む被転写層（１１０）を形成し、第１剥離層へ電気的に接続可能に開口部（２００）を形成し、被転写層を第１転写基板（１１６）に接合し、第１剥離層（１０２）にエネルギを付与して界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより転写元基板（１００）を剥離する。
【選択図】図１
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a thin film device capable of effectively removing charges accumulated in the manufacturing process of the thin film device using a transfer technique.
A transfer layer including a thin film element formed on a first release layer by forming a first release layer (102) that has conductivity and is peeled off by applying predetermined energy on a transfer source substrate (100). (110) is formed, an opening (200) is formed so as to be electrically connectable to the first release layer, the transfer layer is bonded to the first transfer substrate (116), and the first release layer (102) is bonded. The transfer source substrate (100) is peeled off by applying energy to cause interfacial peeling and / or in-layer peeling.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、薄膜装置の基板間転写技術を使用した薄膜装置の製造方法における帯電防止に関する。 The present invention relates to antistatic in a method for manufacturing a thin film device using an inter-substrate transfer technology for a thin film device.

液晶表示装置（ＬＣＤ）、電界発光（エレクトロルミネッセンス：ＥＬ）表示装置のような半導体応用装置では、変形や落下による壊れ防止、柔軟性、軽量化等の理由などにより下地基板にプラスチック基板を使用することが望ましい場合がある。しかし、プラスチック基板は、半導体装置製造で必要とされる高温プロセスに対する耐熱性が無いため、プラスチック基板上に通常の半導体製造プロセスによって半導体装置を形成することができない。 In semiconductor application devices such as liquid crystal display devices (LCD) and electroluminescence (EL) display devices, a plastic substrate is used as a base substrate for reasons such as prevention of breakage due to deformation and dropping, flexibility, and weight reduction. Sometimes it is desirable. However, since a plastic substrate does not have heat resistance to a high temperature process required for manufacturing a semiconductor device, a semiconductor device cannot be formed on the plastic substrate by a normal semiconductor manufacturing process.

従来、プラスチック基板上に半導体装置を形成するための技術として、薄膜半導体装置を耐熱の製造元基板上に形成した後、該基板から薄膜半導体装置が形成されている素子形成層（被転写層）を剥離し、これを第２転写基板であるプラスチック基板に貼り付けることによって半導体応用装置を製造する転写技術があった。これらの転写技術は、例えば、特開平１０−１２５９２９号公報、特開平１０−１２５９３０号公報、特開平１０−１２５９３１号公報に、「剥離方法」等として詳細に説明されている。
特開平１０−１２５９２９号公報特開平１０−１２５９３０号公報特開平１０−１２５９３１号公報 Conventionally, as a technique for forming a semiconductor device on a plastic substrate, after forming a thin film semiconductor device on a heat-resistant manufacturer's substrate, an element formation layer (transfer target layer) on which the thin film semiconductor device is formed from the substrate is formed. There has been a transfer technology for manufacturing a semiconductor application device by peeling and attaching this to a plastic substrate as a second transfer substrate. These transfer techniques are described in detail, for example, as “peeling method” in JP-A-10-125929, JP-A-10-125930, and JP-A-10-125931.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-125929 Japanese Patent Laid-Open No. 10-125930 Japanese Patent Laid-Open No. 10-125931

しかしながら、上記転写技術では、製造工程において電荷が剥離層の層内または界面等に留まることがあった。薄膜素子に近接した剥離層に電荷が蓄積されていると、半導体膜の性能を悪化させる場合があった。 However, in the above transfer technique, the charge may remain in the release layer or at the interface in the manufacturing process. If charges are accumulated in the release layer adjacent to the thin film element, the performance of the semiconductor film may be deteriorated.

そこで、本発明は、転写技術を利用した薄膜装置の製造工程で蓄積される電荷を効果的に除去しうる薄膜装置の製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a thin film device that can effectively remove charges accumulated in the manufacturing process of the thin film device using a transfer technique.

上記課題を解決するために、第１の発明の薄膜装置の製造方法は、転写元基板上に、導電性を有する第１剥離層を形成する工程と、第１剥離層上に薄膜素子を含む被転写層を形成する工程と、第１剥離層へ電気的に接続可能に開口部を形成する工程と、被転写層を第１転写基板に接合する工程と、第１剥離層にエネルギを付与して界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより転写元基板を剥離する工程と、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a method of manufacturing a thin film device according to a first aspect of the present invention includes a step of forming a conductive first release layer on a transfer source substrate, and a thin film element on the first release layer. Forming a transfer layer, forming an opening so as to be electrically connected to the first release layer, bonding the transfer layer to the first transfer substrate, and applying energy to the first release layer And a step of peeling the transfer source substrate by causing interfacial peeling and / or intra-layer peeling.

上記工程において、薄膜素子を含む被転写層を形成する場合等に、第１剥離層に電荷を生じてしまう。しかし、本工程によれば、被転写層を形成する際に、第１剥離層に電気的な接触を確保しうる開口部が設けられるので、必要に応じてこの開口部を通して第１剥離層に電気的な接続を確保して電荷を取り除くことが可能である。したがって、製造工程等において第１剥離層に生じた電荷を効果的に除去することが可能である。 In the above process, when a transfer layer including a thin film element is formed, an electric charge is generated in the first release layer. However, according to this step, when the transfer layer is formed, an opening that can ensure electrical contact is provided in the first release layer. It is possible to remove electric charges by securing electrical connection. Therefore, it is possible to effectively remove charges generated in the first release layer in the manufacturing process or the like.

なお、前記開口部は、第１剥離層に電気的に接続可能な開口を設けることが可能な方法総てを含み、例えば、下地となる層を形成後に大きめに開口部を形成し、その後層形成を重ねながら第１剥離層を露出した状態を確保する方法、被転写層を形成後に所定の位置に孔形成工程により開口させて設ける方法を含む。 The openings include all methods that can provide openings that can be electrically connected to the first release layer. For example, the openings are formed larger after forming the base layer, and then the layers A method of ensuring that the first release layer is exposed while being repeatedly formed, and a method of opening the transfer layer at a predetermined position after forming the transfer layer.

ここで、本発明において「転写元基板」はガラス基板等、薄膜素子の製造工程の高温プロセスに耐性のある基板が好ましく、一方「転写基板」は、そのような耐性に対する制限が不要な多様な材料が適用可能である。例えば転写基板として、可撓性を有するプラスチック基板、安価なガラスやセラミックなどの基板が使用可能である。 Here, in the present invention, the “transfer substrate” is preferably a substrate that is resistant to a high temperature process such as a glass substrate, while the “transfer substrate” is a variety of substrates that do not require restrictions on such resistance. Material is applicable. For example, as a transfer substrate, a flexible plastic substrate, an inexpensive substrate such as glass or ceramic can be used.

また本発明において、「剥離層」は、光の照射によって原子間又は分子間の結合力が消失又は減少する材料で形成されていることが好ましい。このような性質を有していれば、光の照射によって容易に物理的な結合力を消滅又は減少させ、剥離作業を簡単にできるからである。このような材料としては、アモルファスシリコンを含むことが好ましい。アモルファスシリコンによれば、上記特性を有し、容易に転写元基板から剥離するからである。
本発明において、「薄膜素子」というときは、被転写層に含まれる個々のデバイスを示し、「薄膜装置」というときは、基板上に形成された薄膜素子の集合全体をいう。 In the present invention, the “peeling layer” is preferably formed of a material that loses or reduces the bonding force between atoms or molecules when irradiated with light. This is because, if it has such properties, the physical bonding force can be easily eliminated or reduced by light irradiation, and the peeling operation can be simplified. Such a material preferably contains amorphous silicon. This is because amorphous silicon has the above characteristics and is easily peeled off from the transfer source substrate.
In the present invention, the term “thin film element” refers to an individual device included in the transferred layer, and the term “thin film device” refers to the entire set of thin film elements formed on a substrate.

第２の発明の薄膜装置の製造方法は、転写元基板上に、導電性を有する第１剥離層を形成する工程と、第１剥離層上に薄膜素子を含む被転写層を形成する工程と、第１剥離層へ電気的に接続可能に開口部を形成する工程と、開口部に開口部の開口端を含めて第１剥離層へ電気的に接続する導電層を形成する工程と、被転写層を第１転写基板に接合する工程と、第１剥離層にエネルギを付与して界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより転写元基板を剥離する工程と、を備えることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a thin film device, the step of forming a conductive first release layer on a transfer source substrate, and the step of forming a transfer layer including a thin film element on the first release layer. Forming an opening so as to be electrically connectable to the first peeling layer; forming a conductive layer electrically connected to the first peeling layer including the opening end of the opening in the opening; A step of bonding the transfer layer to the first transfer substrate, and a step of peeling the transfer source substrate by applying interfacial peeling and / or intra-layer peeling by applying energy to the first peeling layer. And

上記工程において、薄膜素子を含む被転写層を形成する場合等に、第１剥離層に電荷を生じてしまう。しかし、本工程によれば、被転写層を形成する際に、第１剥離層に電気的な接触を確保しうる開口部が設けられ、さらに開口部に導電層が設けられるので、必要に応じて導電層に電気的な接続を確保して電荷を取り除くことが可能である。したがって、製造工程等において第１剥離層に生じた電荷を効果的に除去することが可能である。 In the above process, when a transfer layer including a thin film element is formed, an electric charge is generated in the first release layer. However, according to this step, when the transfer layer is formed, the first release layer is provided with the opening that can ensure electrical contact, and the opening is further provided with the conductive layer. Thus, it is possible to secure electrical connection to the conductive layer and remove electric charges. Therefore, it is possible to effectively remove charges generated in the first release layer in the manufacturing process or the like.

特に本第２の発明によれば、開口端にまで導電層が形成されているため、被転写層の表面に現れている導電層に接触するのみで第１剥離層の電荷を放出可能となり、さらに電荷除去作業が容易である。 In particular, according to the second invention, since the conductive layer is formed up to the opening end, it becomes possible to discharge the charge of the first peeling layer only by contacting the conductive layer appearing on the surface of the transferred layer, Furthermore, the charge removal operation is easy.

第１転写基板に接合する工程の前に、さらに、開口部に放電用端子を接触させることにより第１剥離層に蓄積された電荷を除去する工程を備える。当該工程によれば、被転写層形成過程で生じた電荷をその場で取り去ることが可能であるため、薄膜素子を電荷による悪影響から効果的に守ることができる。 Prior to the step of bonding to the first transfer substrate, a step of removing charges accumulated in the first release layer by bringing a discharge terminal into contact with the opening is further provided. According to this step, it is possible to remove the charge generated in the process of forming the transferred layer in situ, so that the thin film element can be effectively protected from the adverse effects of the charge.

なお、第１剥離層からの電荷の除去は、被剥離層形成後に行う必要はなく、剥離層形成直後や被転写層の形成の間に適宜実行させることを含む。 Note that the charge removal from the first release layer does not need to be performed after the layer to be peeled is formed, and includes performing it immediately after the release layer is formed or during the formation of the layer to be transferred.

ここで、第１転写基板に接合する工程では、第２剥離層を介して第１転写基板を接合するものであり、転写元基板を剥離する工程の後に、さらに、剥離された転写元基板に代えて第２転写基板を接合する工程と、前記第２剥離層にエネルギを付与して界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより第１転写基板を剥離する工程とを備えることは好ましい。この工程によれば、第１転写基板に接合後、さらに第２転写基板に転写されるので、被転写層の上下関係を転写元基板上に製造時のとおりに戻すことができる。このため、例えば薄膜素子が薄膜トランジスタであるような場合に電気的な接続を容易に確保できる。 Here, in the step of bonding to the first transfer substrate, the first transfer substrate is bonded via the second release layer, and after the step of peeling the transfer source substrate, further to the peeled transfer source substrate. Instead, it is preferable to include a step of bonding the second transfer substrate and a step of peeling the first transfer substrate by applying energy to the second release layer to cause interfacial peeling and / or intra-layer peeling. . According to this process, after bonding to the first transfer substrate, it is further transferred to the second transfer substrate, so that the vertical relationship of the transferred layer can be returned to the transfer source substrate as it was manufactured. For this reason, for example, when the thin film element is a thin film transistor, electrical connection can be easily ensured.

ここで、転写元基板を剥離する工程の後に、さらに、第１剥離層に放電用端子を接触させることにより第１剥離層に蓄積された電荷を除去する工程を備えることは好ましい。剥離層に剥離を生じさせるためにエネルギを付与する際、そのエネルギによって原子が励起され電荷が生じ易くなっている。この工程によれば、剥離後に第１剥離層に電気的に放電可能に接続されるので、薄膜素子に影響を与える前に効果的に電荷を除去することが可能である。 Here, after the step of peeling the transfer source substrate, it is preferable to further include a step of removing charges accumulated in the first peeling layer by bringing a discharging terminal into contact with the first peeling layer. When energy is applied to cause separation in the release layer, atoms are excited by the energy and electric charges are easily generated. According to this step, since the first release layer is electrically connected to the first release layer after being peeled off, it is possible to effectively remove the charges before affecting the thin film element.

本発明は、基板上に、導電性を有する剥離層を介して、薄膜素子を含む被転写層を備えており、被転写層上には、剥離層に対して電気的に接続可能とする開口部が設けられていること、を特徴とする薄膜装置でもある。上記構成によれば、被転写層の上部から開口部を介して剥離層に電気的に接続可能に構成されているので、剥離層に生じうる電荷を随時放電し、薄膜素子の特性を悪化させることを防止することができる。 The present invention includes a transfer layer including a thin film element on a substrate via a conductive release layer, and an opening that can be electrically connected to the release layer on the transfer layer. It is also a thin film device characterized in that a portion is provided. According to the above configuration, since it is configured to be electrically connectable to the release layer from the upper part of the transfer layer via the opening, the charge that may be generated in the release layer is discharged at any time to deteriorate the characteristics of the thin film element. This can be prevented.

ここで、開口部には、開口部の開口端を含めて剥離層と電気的に接続する導電層が設けられていることは好ましい。当該構成によれば、開口端にまで導電層が設けられているので、開口部の内部に接続用端子を挿入しなくても容易に電気的な接触が取れる。このため放電作業が容易である。また薄膜素子の下層の導電膜となっている剥離層に接地電位を含む任意の電位を与えることができるため、回路設計上の自由度も広がる。 Here, the opening is preferably provided with a conductive layer that is electrically connected to the peeling layer including the opening end of the opening. According to this configuration, since the conductive layer is provided up to the opening end, it is possible to easily make electrical contact without inserting a connection terminal into the opening. For this reason, discharge work is easy. Further, since an arbitrary potential including a ground potential can be applied to the peeling layer which is a conductive film under the thin film element, the degree of freedom in circuit design is expanded.

ここで、例えば薄膜素子は、配線膜、電極、または半導体装置のいずれか１以上を含む。被転写層に含まれ、基板外と電気的な接続を要するものとしてこれらが考えられるからである。 Here, for example, the thin film element includes one or more of a wiring film, an electrode, and a semiconductor device. This is because these are considered to be included in the transferred layer and require electrical connection to the outside of the substrate.

本発明は、本発明の薄膜装置の製造方法を用いて製造された薄膜トランジスタを備える電気光学装置でもある。ここで、「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学装置を備えた装置一般をいい、例えば電気光学装置として、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の他、液晶表示装置、電気泳動装置、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出装置を備えたものをも含む。 The present invention is also an electro-optical device including a thin film transistor manufactured using the method for manufacturing a thin film device of the present invention. Here, the “electro-optical device” means a general device including an electro-optical device that emits light by an electric action or changes the state of light from the outside. For example, as an electro-optical device, an EL (electroluminescence) device. In addition, a liquid crystal display device, an electrophoretic device, and a device including an electron emission device that emits light by applying electrons generated by application of an electric field to a light emitting plate are included.

また本発明は、本発明の薄膜装置の製造方法を用いて製造された薄膜トランジスタを備える電子機器でもある。「電子機器」とは、複数の素子または回路の組み合わせにより一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成に特に限定が無いが、例えば、上記電気光学装置を含むテレビジョン装置、ロールアップ形テレビジョン装置、パーソナルコンピュータ、携帯電話、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、ＩＣカード、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。 Moreover, this invention is also an electronic device provided with the thin-film transistor manufactured using the manufacturing method of the thin film device of this invention. “Electronic device” refers to a general device that exhibits a certain function by a combination of a plurality of elements or circuits, and includes, for example, an electro-optical device and a memory. Although there is no particular limitation on the configuration, for example, a television device including the electro-optical device, a roll-up television device, a personal computer, a mobile phone, a video camera, a head-mounted display, a rear-type or front-type projector, Examples include a fax machine with a display function, a finder for a digital camera, a portable TV, a DSP device, a PDA, an electronic notebook, an electric bulletin board, an IC card, and a display for advertisement.

次に図面を参照しながら、本発明の最良の実施の形態を説明する。以下の各実施形態は本発明の単なる例示に過ぎず、本発明の範囲を制限するものではない。各本実施形態は、薄膜素子として薄膜トランジスタを製造する場合に関する。 Next, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. The following embodiments are merely examples of the present invention, and do not limit the scope of the present invention. Each of the embodiments relates to a case where a thin film transistor is manufactured as a thin film element.

（実施形態１）
本発明の実施形態１は、第１の発明に係り、剥離層の電荷を放出するための開口部を設ける製造方法に関する。以下、図１及び図２を参照して、本実施形態１における薄膜装置の製造方法を説明する。これらの図は、製造工程断面図の模式図である。本実施形態１の製造工程としては以下の各工程を備える。 (Embodiment 1)
Embodiment 1 of the present invention relates to the first invention, and relates to a manufacturing method for providing an opening for discharging charges of a release layer. Hereinafter, with reference to FIG. 1 and FIG. 2, a manufacturing method of the thin film device in Embodiment 1 will be described. These drawings are schematic views of manufacturing process sectional views. The manufacturing process of Embodiment 1 includes the following processes.

１）転写元基板上に、導電性を有し、所定のエネルギ付与によって剥離する第１剥離層を形成する工程（図１（ａ））；
２）第１剥離層へ電気的に接続可能に開口部を形成する工程（図１（ｂ））；
３）第１剥離層上に薄膜素子を含む被転写層を形成する工程（図１（ｃ））；
４）開口部に放電用端子を接触させることにより第１剥離層に蓄積された電荷を除去する工程（図１（ｄ））；
５）被転写層を第２剥離層を介して第１転写基板に接合する工程（図１（ｅ））；
６）第１剥離層にエネルギを付与して界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより転写元基板を剥離する工程（図２（ａ））；
７）剥離された転写元基板に代えて第２転写基板を接合する工程（図２（ｂ））；及び
８）第２剥離層にエネルギを付与して界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより第１転写基板を剥離する工程（図２（ｃ）（ｄ））。 1) A step of forming a first release layer that has conductivity and is peeled off by applying predetermined energy on the transfer source substrate (FIG. 1A);
2) forming an opening so as to be electrically connectable to the first release layer (FIG. 1B);
3) forming a transfer layer including a thin film element on the first release layer (FIG. 1C);
4) A step of removing charges accumulated in the first release layer by bringing a discharge terminal into contact with the opening (FIG. 1D);
5) A step of bonding the transfer layer to the first transfer substrate through the second release layer (FIG. 1E);
6) A step of peeling the transfer source substrate by applying energy to the first peeling layer to cause interface peeling and / or intra-layer peeling (FIG. 2A);
7) A step of bonding the second transfer substrate in place of the peeled transfer source substrate (FIG. 2 (b)); and 8) Energizing the second release layer to cause interface peeling and / or intra-layer peeling. The process of peeling the 1st transfer substrate by doing (Drawing 2 (c) (d)).

＜１：第１剥離層形成工程＞
図１（ａ）に示すように、転写元基板１００上に第１剥離層１０２を介して被転写層１１０の最下層である下地層１０４が形成される。
転写元基板（製造元基板）１００としては、薄膜トランジスタを製造するための高温プロセスに十分耐えられる基板、例えば、１０００℃程度に耐える石英ガラス党の透光性耐熱基板が利用可能である。転写元基板１００には、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ―２等の耐熱性ガラス等を使用可能である。転写元基板１００の厚みは、最終製品に用いられるものではないため大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍであることがより好ましい。転写元基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると、転写元基板の透過率が低い場合に照射光の減衰を招く。ただし、転写元基板の照射光の透過率が高い場合には、上記上限値を越えてその厚みを厚くすることができる。 <1: First release layer forming step>
As shown in FIG. 1A, a base layer 104 that is the lowermost layer of the transfer target layer 110 is formed on the transfer source substrate 100 via the first release layer 102.
As the transfer source substrate (manufacturer substrate) 100, a substrate that can sufficiently withstand a high-temperature process for manufacturing a thin film transistor, for example, a quartz glass party translucent heat-resistant substrate that can withstand about 1000 ° C. can be used. For the transfer source substrate 100, heat resistant glass such as soda glass, Corning 7059, and Nippon Electric Glass OA-2 can be used in addition to quartz glass. The thickness of the transfer source substrate 100 is not used for the final product, and thus there is no major limiting factor, but it is preferably about 0.1 mm to 0.5 mm, more preferably 0.5 mm to 1.5 mm. preferable. If the thickness of the transfer source substrate is too thin, the strength is reduced. Conversely, if the transfer source substrate is too thick, the irradiation light is attenuated when the transmittance of the transfer source substrate is low. However, when the transmittance of the irradiation light of the transfer source substrate is high, the thickness can be increased beyond the upper limit.

第１剥離層１０２は、所定のエネルギ付与によって剥離する特性を有するものである。剥離する特性とは、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」または「界面剥離」ともいう）を生ずる性質である。すなわち、一定の強度の光を照射することにより、第１剥離層１０２を構成する材料の原子または分子における原子間または分子間の結合力が消失しまたは減少し、アブレーション(ablation)等を生じ、剥離を起こすものである。また、光の照射により、第１剥離層１０２から気体が放出され、分離に至る場合もある。第１剥離層１０２に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、第１剥離層１０２が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。 The 1st peeling layer 102 has the characteristic to peel by predetermined energy provision. The property of peeling is a property of causing peeling (also referred to as “in-layer peeling” or “interface peeling”) in the layer or at the interface by irradiation light such as laser light. That is, by irradiating with a certain intensity of light, the interatomic or intermolecular bonding force in the atoms or molecules of the material constituting the first release layer 102 disappears or decreases, and ablation occurs. It causes peeling. In some cases, light irradiation releases gas from the first release layer 102, leading to separation. The case where the component contained in the first release layer 102 is released as a gas and results in separation, and the case where the first release layer 102 absorbs light and becomes a gas, and the vapor is emitted and results in separation. There is.

このような特性を備える第１剥離層１０２に適する組成としては、例えば、アモルファス（非晶質）シリコン(ａ−Ｓｉ)を使用することができる。このアモルファスシリコン中には、水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０ａｔ％であることがさらに好ましい。水素が含有されていると、光の照射により水素が放出されることにより第１剥離層１０２に内圧が発生し、これが剥離を促進する。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入する光のパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。 As a composition suitable for the first release layer 102 having such characteristics, for example, amorphous (amorphous) silicon (a-Si) can be used. This amorphous silicon may contain hydrogen (H). The hydrogen content is preferably about 2 at% or more, and more preferably 2 to 20 at%. When hydrogen is contained, hydrogen is released by light irradiation, thereby generating an internal pressure in the first peeling layer 102, which promotes peeling. The content of hydrogen is set appropriately according to film forming conditions, for example, when using the CVD method, such as gas composition, gas pressure, gas atmosphere, gas flow rate, gas temperature, substrate temperature, and light power to be input. To make adjustments.

その他、第１剥離層１０２の材料としては、酸化ケイ素若しくはケイ酸化合物や酸化チタン若しくはチタン酸化合物等の各種酸化物セラミックス、または誘電体あるいは半導体、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス、各種有機高分子材料、各種金属が利用可能である。 In addition, as the material of the first release layer 102, various oxide ceramics such as silicon oxide or silicate compound, titanium oxide or titanate compound, or nitride such as dielectric or semiconductor, silicon nitride, aluminum nitride, titanium nitride, etc. Ceramics, various organic polymer materials, and various metals can be used.

第１剥離層１０２の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがさらに好ましい。第１剥離層１０２の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生ずるからである。また第１剥離層１０２の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に第１剥離層１０２をパターニングするのに時間を要したりするからである。 The thickness of the first release layer 102 is preferably about 1 nm to 20 μm, more preferably about 10 nm to 2 μm, and further preferably about 40 nm to 1 μm. This is because if the thickness of the first release layer 102 is too thin, the uniformity of the formed film thickness is lost and unevenness occurs in the release. If the thickness of the first release layer 102 is too thick, it is necessary to increase the power (light quantity) of irradiation light required for peeling, and it takes time to pattern the first peeling layer 102 after peeling. It is necessary.

第１剥離層１０２の形成方法は、均一な厚みで剥離層を形成可能な方法であればよく、第１剥離層１０２の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ―ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・ブロジェット（ＬＢ）法、スピンコート、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。また、第１剥離層１０２をゾルーゲル(sol-gel)法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。 The formation method of the 1st peeling layer 102 should just be a method which can form a peeling layer with uniform thickness, and can be suitably selected according to various conditions, such as a composition and thickness, of the 1st peeling layer 102. . For example, various vapor deposition methods such as CVD (including MOCCVD, low pressure CVD, ECR-CVD), vapor deposition, molecular beam vapor deposition (MB), sputtering, ion plating, PVD, electroplating, immersion plating ( Dipping), various plating methods such as electroless plating method, Langmuir-Blodget (LB) method, coating method such as spin coating, spray coating method, roll coating method, various printing methods, transfer method, inkjet method, powder jet method Applicable to etc. Of these, two or more methods may be combined. In addition, when the first release layer 102 is formed using ceramic by a sol-gel method or an organic polymer material, the first release layer 102 is preferably formed by a coating method, particularly spin coating.

下地層１０４は、薄膜素子の土台となる基礎層を構成するものであり、例えば製造時または使用時において被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層からの成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものである。 The underlayer 104 constitutes a base layer that serves as a foundation of the thin film element. For example, a protective layer, an insulating layer, or a transferred layer that physically or chemically protects the transferred layer at the time of manufacture or use. Alternatively, it exhibits at least one of the functions of a barrier layer and a reflective layer that prevent migration of components from the transferred layer.

下地層１０４の組成は、その目的に応じて適宜選択されるが、複数層化するのがより好ましい。本実施形態のように、非晶質シリコンで構成された剥離層と被転写層との間に形成される場合には、ＳｉＯ₂等の酸化珪素が挙げられる。その他、各種金属が挙げられる。下地層１０４の厚みは、その形成目的に応じて適宜決定される。通常は、１０ｎｍ〜５μｍ程度であるのが好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがより好ましい。下地層が薄すぎると、上記保護層等の機能を果たすことができず、下地層が厚すぎると全体が厚膜化してしまうからである。下地層１０４の形成方法としては、第１剥離層１０２で説明した各種の方法が適用可能であるが、ここではＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を堆積する。なお下地層は、一層で形成する他、同一または異なる組成を有する複数の材料を用いて二層以上形成することもできる。 The composition of the underlayer 104 is appropriately selected according to the purpose, but it is more preferable to form a plurality of layers. In the case of being formed between the peeling layer made of amorphous silicon and the transfer layer as in this embodiment, silicon oxide such as SiO ₂ can be used. In addition, various metals are mentioned. The thickness of the foundation layer 104 is appropriately determined according to the purpose of formation. Usually, the thickness is preferably about 10 nm to 5 μm, and more preferably about 40 nm to 1 μm. This is because if the underlayer is too thin, the functions of the protective layer and the like cannot be achieved, and if the underlayer is too thick, the entire film becomes thick. As the formation method of the base layer 104, various methods described in the first peeling layer 102 can be applied. Here, a silicon oxide film is deposited by a CVD method. Note that the underlayer can be formed as a single layer, or two or more layers using a plurality of materials having the same or different compositions.

＜２：開口部形成工程＞
図１（ｂ）に示すように、第１剥離層１０２へ電気的に接続可能に開口部を形成する。ここでは、被転写層１１０の下地層１０４に大きめの開口部を先行して設け、後の薄膜素子の形成後にもある程度の径で開口が維持できるようにする。 <2: Opening formation process>
As shown in FIG. 1B, an opening is formed so as to be electrically connectable to the first release layer 102. Here, a large opening is provided in advance in the base layer 104 of the transferred layer 110 so that the opening can be maintained with a certain diameter even after the formation of the subsequent thin film element.

このため下地層１０４に形成する開口部２００の径は、後のゲート絶縁膜１０６や層間絶縁膜１０８が開口部側壁に積層されても底面部にある程度の径を確保できる程度にする。この開口部２００は、後の工程で実施する放電処理において放電用端子が挿入できる程度の大きさがあればよい。 Therefore, the diameter of the opening 200 formed in the base layer 104 is set such that a certain diameter can be secured on the bottom surface even when the gate insulating film 106 and the interlayer insulating film 108 are stacked on the sidewall of the opening. The opening 200 only needs to be large enough to allow a discharge terminal to be inserted in a discharge process performed in a later step.

開口部２００の形成方法は、通常の薄膜技術において開口を設ける際に利用可能な技術、例えばレーザビームによる開口形成等が利用可能である。また、全体にマスクを掛け開口部のみにドライエッチングを施して、下地層１０４の厚みかそれを若干超える程度でエッチングを停止させる処理、剥離層の材料に対するよりも下地層の材料に対する方が、エッチングレートが高い選択性のある溶液を用いたウェットエッチングを利用することも可能である。いずれの方法を利用するにしても、開口部２００を介して第１剥離層１０２が露出するように形成しておく。 As a method of forming the opening 200, a technique that can be used when an opening is provided in a normal thin film technique, for example, an opening formation using a laser beam, or the like can be used. In addition, a process for applying a mask to the entire portion and performing dry etching only on the opening and stopping the etching at a thickness slightly exceeding the thickness of the base layer 104, the material for the base layer rather than the material for the release layer, It is also possible to use wet etching using a selective solution having a high etching rate. Regardless of which method is used, the first release layer 102 is formed so as to be exposed through the opening 200.

なお、開口部２００の形成は、上記したように、下地層１０４を形成した段階で大きめに設けるほか、後述の被転写層１１０を完成後に上記方法を利用して、一時に開口させてもよい。また、被転写層１１０の各層の形成の中途の段階で１回以上開口部形成を実施してもよい。従って、開口部形成が被転写層形成に先行することもありうるし、被転写層形成が開口部形成に先行することもありうるし、さらに開口部形成と被転写層形成とが併行して実施されることもありうる。 In addition, as described above, the opening 200 is formed in a large size when the base layer 104 is formed. Alternatively, the transfer layer 110 described later may be opened at once by using the above method after completion. . In addition, the opening may be formed once or more in the middle of the formation of each layer of the transferred layer 110. Therefore, the opening formation may precede the transfer layer formation, the transfer layer formation may precede the opening formation, and the opening formation and the transfer layer formation are performed in parallel. It can happen.

開口部２００の形成を最初に行う場合には、後工程で形成される層が開口部２００の底部にも蓄積されることがあるので、被転写層形成工程における層蓄積時に開口部２００をマスクしたり、被転写層形成後に再び第１剥離層１０２を露出させるように底部に蓄積された層の除去処理を実施したりすることが好ましい。 When the opening 200 is formed first, a layer formed in a later process may be accumulated also at the bottom of the opening 200. Therefore, the opening 200 is masked during layer accumulation in the transferred layer forming process. It is preferable to remove the layer accumulated on the bottom so that the first release layer 102 is exposed again after the transfer layer is formed.

＜３：被転写層形成工程＞
図１（ｃ）に示すように、下地層１０４上に薄膜素子を形成して、被転写層１１０を完成させる。被転写層１１０は、薄膜素子が含まれる素子形成層そのものとなっている。本実施形態では、薄膜素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する場合を例示する。
図１（ｃ）には、薄膜トランジスタＴ１及びＴ２を含む被転写層１１０の拡大断面図が示されている。図では、二つの薄膜トランジスタのみを図示してあるが、この他、薄膜素子としては、画素電極、接続パッド、抵抗、キャパシタ等の受動部品を含んでもよい。 <3: Transferred layer forming step>
As shown in FIG. 1C, a thin film element is formed on the base layer 104 to complete the transferred layer 110. The transferred layer 110 is an element forming layer itself including a thin film element. In this embodiment, the case where a thin film transistor (TFT) is formed as a thin film element is illustrated.
FIG. 1C shows an enlarged cross-sectional view of the transferred layer 110 including the thin film transistors T1 and T2. In the figure, only two thin film transistors are shown, but other thin film elements may include passive components such as pixel electrodes, connection pads, resistors, and capacitors.

薄膜トランジスタＴ１及びＴ２は、ソース１０３ｓ、ドレイン１０３ｄ、チャネル１０３ｃからなる半導体膜１０３、ゲート絶縁膜１０６、ゲート電極１０５、層間絶縁膜１０８、配線層１０７ｓ・１０７ｄを備えて構成されている。この薄膜トランジスタは通常の薄膜半導体製造技術を適用して製造される。その概要を以下例示する。 The thin film transistors T1 and T2 include a semiconductor film 103 including a source 103s, a drain 103d, and a channel 103c, a gate insulating film 106, a gate electrode 105, an interlayer insulating film 108, and wiring layers 107s and 107d. This thin film transistor is manufactured by applying a normal thin film semiconductor manufacturing technique. The outline is illustrated below.

半導体膜１０３は、公知の半導体薄膜形成技術を用いて形成される。例えば、下地層１０４上に、ＣＶＤ法によってシリコンを堆積させることにより、シリコン膜が形成される。次いで、シリコン膜を薄膜トランジスタＴ１やＴ２のためのトランジスタ領域の形状にパターニングすることにより半導体膜１０３が形成される。 The semiconductor film 103 is formed using a known semiconductor thin film formation technique. For example, a silicon film is formed on the base layer 104 by depositing silicon by a CVD method. Next, the semiconductor film 103 is formed by patterning the silicon film into the shape of the transistor region for the thin film transistors T1 and T2.

半導体膜１０３が形成されたら、それをトランジスタ領域とする薄膜トランジスタを形成する。まず、シリコンをＣＶＤ法で堆積し酸化させることによって、または酸化珪素等を直接堆積することによってゲート絶縁膜１０６が形成される。次いで、半導体膜１０３にチャネル１０３ｃ用のイオン注入を行う。次に、タンタルなどの金属膜を堆積するか、ＣＶＤ法によって不純物を高濃度拡散したポリシリコンを堆積し、パターニングを行うことにより、ゲート電極１０５が形成される。次に、ゲート電極１０５をマスクとして半導体膜１０３のソース１０３ｓ・ドレイン１０３ｄ領域上に高濃度不純物注入を行うことにより、自己整合的にソース１０３ｓ・ドレイン１０３ｄが形成される。次いで、不純物活性化の熱処理を行い、ＣＶＤ法等によってシリコン酸化膜を堆積することによって、層間絶縁膜１０８が形成される。層間絶縁膜１０８にソース１０３ｓ・ドレイン１０３ｄまで達するコンタクトホールが設けられる。そして、不純物を高濃度で注入したポリシリコンをＣＶＤ法で、あるいは金属膜をスパッタ法で堆積することにより、これらをパターニングして配線層１０７ｓ・１０７ｄが形成される。 When the semiconductor film 103 is formed, a thin film transistor using the semiconductor film 103 as a transistor region is formed. First, the gate insulating film 106 is formed by depositing silicon by a CVD method and oxidizing it, or by directly depositing silicon oxide or the like. Next, ion implantation for the channel 103 c is performed on the semiconductor film 103. Next, a gate electrode 105 is formed by depositing a metal film such as tantalum or depositing polysilicon in which impurities are diffused at a high concentration by a CVD method and performing patterning. Next, high-concentration impurity implantation is performed on the source 103 s and drain 103 d regions of the semiconductor film 103 using the gate electrode 105 as a mask, thereby forming the source 103 s and drain 103 d in a self-aligning manner. Next, a heat treatment for impurity activation is performed, and a silicon oxide film is deposited by a CVD method or the like, thereby forming an interlayer insulating film 108. Contact holes reaching the source 103 s and the drain 103 d are provided in the interlayer insulating film 108. Then, by depositing polysilicon doped with impurities at a high concentration by a CVD method or by depositing a metal film by a sputtering method, these are patterned to form wiring layers 107s and 107d.

このようにして薄膜トランジスタＴ１及びＴ２を薄膜素子として含む被転写層（素子形成層）１１０が形成される。薄膜トランジスタの形成方法は上記に限らず、公知の薄膜半導体製造技術を適用することが可能である。 In this manner, a transfer layer (element forming layer) 110 including the thin film transistors T1 and T2 as thin film elements is formed. The method for forming the thin film transistor is not limited to the above, and a known thin film semiconductor manufacturing technique can be applied.

なお、上記実施形態では被転写層１１０は薄膜素子を含む薄膜であったが、被転写層は薄膜に限定されず、塗布膜やシートのような厚膜であってもよい。 In the above embodiment, the transferred layer 110 is a thin film including a thin film element. However, the transferred layer is not limited to a thin film, and may be a thick film such as a coating film or a sheet.

＜４：放電工程＞
図１（ｄ）に示すように、開口部２００に放電用端子Ｌを接触させることにより第１剥離層１０２に蓄積された電荷を除去する。薄膜トランジスタ等の薄膜素子の形成工程では、熱処理、スパッタ処理、エッチング処理等を繰り返すため、エネルギが供給され、設置されていない導電性膜である第１剥離層１０２に電荷が蓄積されることがある。この電荷が残留していると薄膜トランジスタのバックゲートに制御不可能な所定電位が印加されることになって設計どおりのしきい値電圧を呈しないことになったり、高すぎる電荷のために薄膜トランジスタの特性にその他の影響を与えたりする可能性がある。そのため、ここでは被転写層１１０の形成が完了した段階で、一旦この第１剥離層１０２に蓄積された電荷を放出させるのである。 <4: Discharge process>
As shown in FIG. 1D, the charge accumulated in the first release layer 102 is removed by bringing the discharge terminal L into contact with the opening 200. In the process of forming a thin film element such as a thin film transistor, heat treatment, sputtering treatment, etching treatment, and the like are repeated, so that energy is supplied and charges may be accumulated in the first peeling layer 102 which is a conductive film that is not installed. . If this charge remains, a predetermined uncontrollable potential is applied to the back gate of the thin film transistor, so that it does not exhibit the threshold voltage as designed, or the charge of the thin film transistor due to too high charge. It may have other effects on properties. Therefore, here, when the formation of the transfer layer 110 is completed, the charges accumulated in the first release layer 102 are once released.

図１（ｄ）に示すように、電気的に接地処理された、放電用端子（針）Ｌを開口部２００から挿入して、露出している第１剥離層１０２に接触させる。放電用端子Ｌは開口部２００から挿入可能な形状をしていればよく、特に先鋭化させておく必要はない。ただし、ある程度尖らせておけば、開口部２００の底部に被転写層形成時の層や異物が堆積していた場合でもそれを貫いて第１剥離層１０２にまで先端を届かせることができる。 As shown in FIG. 1D, a discharge terminal (needle) L, which is electrically grounded, is inserted through the opening 200 and brought into contact with the exposed first release layer 102. The discharge terminal L only needs to have a shape that can be inserted from the opening 200, and does not need to be sharpened. However, if it is sharpened to some extent, even when a layer or a foreign substance at the time of forming the transfer layer is deposited on the bottom of the opening 200, the tip can reach the first release layer 102 through the layer.

放電用端子Ｌが第１剥離層１０２に達した時に、第１剥離層に蓄積されていた電荷は電気的に低インピーダンスである放電用端子Ｌから接地端に移動し、第１剥離層の帯電が解除される。 When the discharge terminal L reaches the first release layer 102, the charge accumulated in the first release layer moves from the discharge terminal L, which is electrically low impedance, to the ground terminal, and the first release layer is charged. Is released.

＜５：第１転写基板接合工程＞
図１（ｅ）に示すように、次に被転写層１１０が第２剥離層１１４を介して第１転写基板１１６に接合される。
まず、第１転写基板１１６上に、所定のエネルギ付与によって剥離する第２剥離層１１４が形成される。本実施形態では、第１転写基板１１６は、最終基板として製品に搭載されるものではないため、転写元基板１００と同様の材料を利用可能である。但し、第１転写基板１１６を製品に搭載する最終基板としてもよく、その場合には、後に説明する第２転写基板１２０のように、最終製品の仕様に適合したものを利用する。第１転写基板１１６を最終基板とする場合には、第２剥離層１１４の代わりに、永久接着剤を利用する。第２剥離層１１４の組成、形成方法、厚みについては、第１剥離層１０２と同様である。 <5: First transfer substrate bonding step>
As shown in FIG. 1E, the transferred layer 110 is then bonded to the first transfer substrate 116 via the second release layer 114.
First, a second release layer 114 that is peeled off by applying predetermined energy is formed on the first transfer substrate 116. In the present embodiment, since the first transfer substrate 116 is not mounted on a product as a final substrate, the same material as the transfer source substrate 100 can be used. However, the first transfer substrate 116 may be a final substrate to be mounted on a product. In that case, a substrate that conforms to the specifications of the final product, such as a second transfer substrate 120 described later, is used. When the first transfer substrate 116 is the final substrate, a permanent adhesive is used instead of the second release layer 114. The composition, formation method, and thickness of the second release layer 114 are the same as those of the first release layer 102.

次いで、第１転写基板１１６上に形成された第２剥離層１１４と被転写層１１０とが接着層１１２を介して接合される。接着層１１２は、被転写層１１０上に、または、第２剥離層１１４上に、接着剤をスピンコートなどによって塗布することにより形成される。接着層１１２に利用される接着剤としては、例えば、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤が使用可能である。組成としては、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系、等適宜に選択される。接着層１１２の厚みは、後に取り除く場合にはなるべく薄くなるよう、接着剤の使用量を極力抑えた方が好ましい。また、接着層１１２をいわゆる保護層として用い、除去することなく最終製品にも搭載する場合には、十分な保護機能が果たせるような厚みにする。 Next, the second release layer 114 formed on the first transfer substrate 116 and the transfer target layer 110 are bonded via the adhesive layer 112. The adhesive layer 112 is formed by applying an adhesive on the transfer layer 110 or the second release layer 114 by spin coating or the like. As the adhesive used for the adhesive layer 112, for example, various curable adhesives such as a reactive curable adhesive, a thermosetting adhesive, a photocurable adhesive, and an anaerobic curable adhesive can be used. The composition is appropriately selected from epoxy, acrylate, silicone and the like. It is preferable to suppress the amount of adhesive used as much as possible so that the thickness of the adhesive layer 112 is as thin as possible when it is removed later. In addition, when the adhesive layer 112 is used as a so-called protective layer and is mounted on the final product without being removed, the thickness is set so that a sufficient protective function can be achieved.

＜６：転写元基板剥離工程＞
図２（ａ）に示すように、第１剥離層１０２にエネルギを付与し第１剥離層１０２に界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより転写元基板１００が被転写層１１０から剥離される。 <6: Transfer substrate peeling process>
As shown in FIG. 2A, the transfer source substrate 100 is peeled from the transferred layer 110 by applying energy to the first peeling layer 102 and causing interfacial peeling and / or intralayer peeling in the first peeling layer 102. Is done.

エネルギの付与としてはレーザ光の照射によることが好ましい。レーザ光としては、第１剥離層１０２に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよいが、特にエキシマレーザは、短波長域で高エネルギを出力し、極めて短時間で剥離層にアブレーションを生じさせることができるため好ましい。レーザ光のエネルギ密度は、エキシマレーザの場合、１０〜５０００ｍＪ／ｃｍ²程度とするのが好ましく、特に１００〜５２９９ｍＪ／ｃｍ²程度とするのがより好ましい。照射時間は、１〜１０００ｎｓｅｃ程度とするのが好ましく、１０〜１００ｎｓｅｃ程度とするのがより好ましい。エネルギ密度が低いか照射時間が短いと、十分なアブレーションが生ぜず、エネルギ密度が高いか照射時間が長いと、第１剥離層１０２や下地層１０４を透過した照射光により、半導体膜１０３へ悪影響を及ぼすことがあるからである。 It is preferable to apply energy by applying laser light. Any laser beam may be used as long as it causes in-layer peeling and / or interfacial peeling in the first peeling layer 102. In particular, an excimer laser outputs high energy in a short wavelength region and is extremely short in time. It is preferable because ablation can be caused in the release layer. Energy density of the laser beam in the case of excimer lasers, it is preferable to be 10~5000mJ / cm ² or so, and more preferably, especially 100~5299mJ / cm ² approximately. The irradiation time is preferably about 1 to 1000 nsec, and more preferably about 10 to 100 nsec. If the energy density is low or the irradiation time is short, sufficient ablation does not occur. If the energy density is high or the irradiation time is long, the semiconductor film 103 is adversely affected by the irradiation light transmitted through the first peeling layer 102 and the base layer 104. It is because it may affect.

レーザ光の照射は、その強度が剥離層全体で均一となるように照射するのが好ましい。光の照射方向は、剥離層に対し垂直な方向に限らず、剥離層に対し所定角傾斜した方向であってもよい。また、剥離層の面積が照射光一回の照射面積より大きい場合には、剥離層全領域に対し、複数回に分け光を照射してもよい。また、同一箇所に複数回照射してもよい。また、異なる種類、異なる波長（波長域）の光を同一領域または異なる領域に複数回照射してもよい。 It is preferable to irradiate the laser beam so that the intensity is uniform over the entire peeling layer. The light irradiation direction is not limited to the direction perpendicular to the release layer, and may be a direction inclined by a predetermined angle with respect to the release layer. In addition, when the area of the release layer is larger than the irradiation area of one irradiation light, the entire region of the release layer may be irradiated with light in a plurality of times. Moreover, you may irradiate the same location several times. Moreover, you may irradiate the same area | region or a different area | region several times with the light of a different kind and a different wavelength (wavelength range).

ここで、図示しないが、転写元基板を剥離する工程の後に、さらに、転写元基板１００の剥離で露出した第１剥離層１０２に放電用端子を接触させてもよい。レーザ光等のエネルギ付与により、再び第１剥離層１０２の構成原子は励起され電荷が層内や界面に蓄積される場合がある。この電荷が放出されることなく残留すると、薄膜素子の特性を劣化させる。そこで、この第１剥離層１０２から放電させるのである。この放電は、上記したように被転写層１１０側からは開口部２００に放電用端子Ｌを接触させることで行える。また露出した第１剥離層１０２に直接このような放電用端子を接触させてもよい。 Here, although not shown, after the step of peeling the transfer source substrate, the discharge terminal may be brought into contact with the first release layer 102 exposed by peeling of the transfer source substrate 100. When energy such as laser light is applied, the constituent atoms of the first peeling layer 102 are excited again, and charges may be accumulated in the layer or at the interface. If this charge remains without being discharged, the characteristics of the thin film element are deteriorated. Therefore, the first release layer 102 is discharged. This discharge can be performed by bringing the discharge terminal L into contact with the opening 200 from the transferred layer 110 side as described above. Further, such a discharge terminal may be brought into direct contact with the exposed first release layer 102.

＜７：第２転写基板への接着工程＞
図２（ｂ）に示すように、剥離された転写元基板１００に代えて第２転写基板１２０が接合される。
第２転写基板１２０は最終製品に搭載される永久基板として用いられるものであり、転写元基板１００に比べ、耐熱性や耐蝕性が比較的劣るものであっても利用可能である。また、用途に応じ、剛性が低く、可撓性、弾性を有するものであってもよい。このような材料として、各種合成樹脂が挙げられる。合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱効果性樹脂のいずれでもよく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体等、その他のものが適用可能である。なお、ガラス材としては、例えば、石英ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、その他のものが使用可能である。 <7: Adhesion process to second transfer substrate>
As shown in FIG. 2B, the second transfer substrate 120 is bonded in place of the peeled transfer source substrate 100.
The second transfer substrate 120 is used as a permanent substrate mounted on the final product, and can be used even if it has relatively poor heat resistance and corrosion resistance compared to the transfer source substrate 100. Further, depending on the application, it may be low in rigidity, flexible and elastic. Examples of such materials include various synthetic resins. The synthetic resin may be either a thermoplastic resin or a thermal effect resin. For example, other resins such as polyethylene, polypropylene, and ethylene-propylene copolymer are applicable. As the glass material, for example, quartz glass, alkali silicate glass, soda lime glass, and others can be used.

なお、第２転写基板１２０としては、単一材料からなる基板の他に、それ自体独立したデバイスを構成するものや、例えば、カラーフィルタ、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成する部材を用いてもよい。これは第１転写基板１１６を最終基板とする場合にも同様に当てはまる。 As the second transfer substrate 120, in addition to a substrate made of a single material, a device constituting an independent device itself, for example, a color filter, an electrode layer, a dielectric layer, an insulating layer, a semiconductor element, etc. In addition, a member constituting a part of the device may be used. This also applies to the case where the first transfer substrate 116 is the final substrate.

第２転写基板１２０は接着層１２２を介して接着される。接着層１２２としては、永久接着剤であることが好ましい。永久接着剤であれば、第２転写基板に半永久的に接着可能だからである。半永久的に接着可能な接着剤として、例えば、エポキシ系、アクリレート系等が利用可能である。この接着層１２２は、できるだけ薄い方が好ましく、被転写層１１０や第１剥離層１０２、第２転写基板１２０との親和性が良いものを選択する。 The second transfer substrate 120 is bonded via an adhesive layer 122. The adhesive layer 122 is preferably a permanent adhesive. This is because a permanent adhesive can be semi-permanently bonded to the second transfer substrate. As an adhesive that can be semi-permanently bonded, for example, epoxy-based, acrylate-based, and the like can be used. The adhesive layer 122 is preferably as thin as possible, and a layer having a good affinity with the transferred layer 110, the first release layer 102, and the second transfer substrate 120 is selected.

＜８：第１転写基板分離工程＞
図２（ｃ）に示すように、第２転写基板１２０へ被転写層１１０が接着されたら、被転写層１１０から第１転写基板１１６が分離される。具体的には、第２剥離層１１４にエネルギを付与して第２剥離層１１４に界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより第１転写基板１１６が被転写層１１０から剥離される。エネルギの付与はレーザ光によることが好ましい点及びその照射態様については、第１剥離層１０２における場合と同様である。 <8: First transfer substrate separation step>
As shown in FIG. 2C, when the transferred layer 110 is adhered to the second transfer substrate 120, the first transfer substrate 116 is separated from the transferred layer 110. Specifically, the first transfer substrate 116 is peeled from the transferred layer 110 by applying energy to the second peeling layer 114 to cause interfacial peeling and / or intra-layer peeling in the second peeling layer 114. Energy is preferably applied by laser light, and the irradiation mode is the same as in the first release layer 102.

図２（ｄ）に示すように、接着層１１２を除去する場合には、接着剤の性質に応じた溶剤等を用いて接着層１１２を除去し、第２転写基板１２０の両面に接着層１２２を介して一つの被転写層１１０が設けられた薄膜装置とする。但し、最終製品において、接着層１１２を保護膜として機能させる場合には、図２（ｃ）に示すように第１転写基板１１６が剥離された段階で薄膜装置が完成となる。 As shown in FIG. 2D, when the adhesive layer 112 is removed, the adhesive layer 112 is removed using a solvent or the like according to the property of the adhesive, and the adhesive layer 122 is formed on both surfaces of the second transfer substrate 120. A thin film device in which one transferred layer 110 is provided through the substrate. However, when the adhesive layer 112 functions as a protective film in the final product, the thin film device is completed when the first transfer substrate 116 is peeled off as shown in FIG.

なお、上記実施形態１では、第１転写基板１１６と接着層１１２とを第２剥離層１１４を介して接合していたが、接着層１１２に直接第１転写基板１１６を接合してもよい。この場合、接着層１１２を構成する接着剤として、熱可塑性、光可塑性のものとし、仮接着後に再び軟化させる等して、第１転写基板１１６を剥離させやすいものを選択する。 In the first embodiment, the first transfer substrate 116 and the adhesive layer 112 are bonded via the second release layer 114. However, the first transfer substrate 116 may be bonded directly to the adhesive layer 112. In this case, as the adhesive constituting the adhesive layer 112, a thermoplastic or photo-plastic adhesive is selected which is easy to peel off the first transfer substrate 116 by, for example, softening again after temporary bonding.

以上、本実施形態１の製造方法によれば、被転写層１１０を形成する際に、第１剥離層１０２に電気的な接続を確保しうるように開口部２００が設けられるので、この開口部２００を通して随時、第１剥離層１０２に蓄積された電荷を取り除くことが可能である。したがって、製造工程等において第１剥離層に生じた電荷を効果的に除去することが可能であり、薄膜素子の特性に影響を与えることを防止可能である。 As described above, according to the manufacturing method of the first embodiment, the opening 200 is provided so as to ensure electrical connection to the first release layer 102 when the transfer layer 110 is formed. The charge accumulated in the first release layer 102 can be removed from time to time through 200. Therefore, it is possible to effectively remove the charge generated in the first release layer in the manufacturing process and the like, and it is possible to prevent the characteristics of the thin film element from being affected.

また、本実施形態１の製造方法によれば、下地層１０４の形成後に大きめに開口部２００を形成し、その後層形成を重ねながら第１剥離層を露出した状態を確保したので、被転写層形成過程で生じた電荷をその都度必要に応じてその場で取り去ることが可能であり、薄膜素子を電荷による悪影響から効果的に守ることができる。 In addition, according to the manufacturing method of the first embodiment, since the opening 200 is formed larger after the formation of the base layer 104 and the first release layer is exposed while the layers are formed thereafter, the layer to be transferred is secured. The charge generated in the formation process can be removed on the spot as needed, and the thin film element can be effectively protected from the adverse effects of the charge.

また、本実施形態１の製造方法によれば、被転写層１１０は、第１転写基板１１６に接合後、さらに第２転写基板１２０に転写されるので、被転写層の上下関係を転写元基板上に製造時のとおりに戻すことができる。このため、例えば薄膜素子が薄膜トランジスタであるような場合に電気的な接続を容易に確保できる。 Further, according to the manufacturing method of the first embodiment, the transferred layer 110 is further transferred to the second transfer substrate 120 after being bonded to the first transfer substrate 116, so that the upper and lower relationship of the transferred layer is determined as the transfer source substrate. It can be returned to the top as manufactured. For this reason, for example, when the thin film element is a thin film transistor, electrical connection can be easily ensured.

また、転写元基板の剥離後に、さらに第１剥離層１０２に放電用端子を接触させる場合には、剥離工程で生じた電荷を放電することができ、薄膜素子に影響を与える前に効果的に電荷を除去することが可能である。 Further, when the discharge terminal is further brought into contact with the first release layer 102 after the transfer source substrate is peeled off, the electric charge generated in the peeling step can be discharged and effectively before the thin film element is affected. It is possible to remove the charge.

また、本実施形態１の製造方法によれば、第２転写基板１２０へは転写技術により被転写層が転写されるので、第２転写基板自体が被転写層の製造工程における高温プロセス等に対し必ずしも耐熱性・耐蝕性を有しなくてもよく、例えばプラスチック基板等に高温プロセスで製造される薄膜素子を設けることが可能である。 In addition, according to the manufacturing method of the first embodiment, the transferred layer is transferred to the second transfer substrate 120 by the transfer technique, so that the second transfer substrate itself is free from high-temperature processes in the manufacturing process of the transferred layer. It is not always necessary to have heat resistance and corrosion resistance. For example, a thin film element manufactured by a high temperature process can be provided on a plastic substrate or the like.

また、本実施形態１の製造方法によれば、第１転写基板１１６が第２剥離層１１４を介して接合されているので、レーザ光の照射により容易に第１転写基板１１６を分離することが可能である。 Further, according to the manufacturing method of the first embodiment, since the first transfer substrate 116 is bonded via the second release layer 114, the first transfer substrate 116 can be easily separated by laser light irradiation. Is possible.

また、本実施形態１の製造方法によれば、極薄の接着層１２２を介して被転写層１１０を第２転写基板１２０に接着するので、薄膜装置が厚膜化することを抑制可能である。 In addition, according to the manufacturing method of the first embodiment, the transfer target layer 110 is bonded to the second transfer substrate 120 via the extremely thin adhesive layer 122, so that the thin film device can be prevented from being thickened. .

（実施形態２）
本発明の実施形態２は、第２の発明に係り、剥離層の電荷を放出するための開口部に導電層をさらに設ける製造方法に関する。以下、図３及び図４を参照して、本実施形態２における薄膜装置の製造方法を説明する。これらの図は、製造工程断面図の模式図である。本実施形態１の製造工程としては以下の各工程を備える。 (Embodiment 2)
Embodiment 2 of the present invention relates to the second invention, and relates to a manufacturing method in which a conductive layer is further provided in an opening for discharging a charge of a release layer. Hereinafter, with reference to FIG. 3 and FIG. 4, a manufacturing method of the thin film device in Embodiment 2 will be described. These drawings are schematic views of manufacturing process sectional views. The manufacturing process of Embodiment 1 includes the following processes.

１）転写元基板上に、導電性を有し、所定のエネルギ付与によって剥離する第１剥離層を形成する工程（図３（ａ））；
２）第１剥離層へ電気的に接続可能に開口部を形成する工程（図３（ｂ））；
３）第１剥離層上に薄膜素子を含む被転写層を形成する工程（図３（ｃ））；
４）開口部に開口部の開口端を含めて第１剥離層へ電気的に接続する導電層を形成する工程（図３（ｃ））；
５）開口部に放電用端子を接触させることにより第１剥離層に蓄積された電荷を除去する工程（図３（ｄ））；
６）被転写層を第１転写基板に接合する工程（図３（ｅ））；
７）第１剥離層にエネルギを付与して界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより転写元基板を剥離する工程（図４（ａ））；
８）剥離された転写元基板に代えて第２転写基板を接合する工程（図４（ｂ））；及び
９）第２剥離層にエネルギを付与して界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより第１転写基板を剥離する工程（図４（ｃ）（ｄ））。 1) A step of forming a first release layer that has conductivity and is peeled off by applying predetermined energy on the transfer source substrate (FIG. 3A);
2) a step of forming an opening so as to be electrically connectable to the first release layer (FIG. 3B);
3) forming a transfer layer including a thin film element on the first release layer (FIG. 3C);
4) A step of forming a conductive layer electrically connected to the first peeling layer including the opening end of the opening in the opening (FIG. 3C);
5) A step of removing charges accumulated in the first release layer by bringing a discharge terminal into contact with the opening (FIG. 3D);
6) A step of bonding the transfer layer to the first transfer substrate (FIG. 3E);
7) A step of peeling the transfer source substrate by applying energy to the first peeling layer to cause interfacial peeling and / or peeling within the layer (FIG. 4A);
8) Step of bonding the second transfer substrate in place of the peeled transfer source substrate (FIG. 4B); and 9) Energizing the second release layer to cause interface peeling and / or intra-layer peeling. The process of peeling the 1st transfer substrate by doing (Drawing 4 (c) (d)).

上記工程のうち、導電層を形成する工程以外はほぼ前記実施形態１と同様であるため、説明を大幅に省略し、相違点を中心に説明する。図３（ｃ）に示す被転写層形成工程までは、上記実施形態１と同様にして処理する。 Among the steps described above, the steps other than the step of forming the conductive layer are substantially the same as those in the first embodiment, and thus the description will be largely omitted, and differences will be mainly described. The processes up to the transferred layer forming step shown in FIG.

図３（ｃ）に示すように、被転写層１１０が形成された後、開口部２００に導電性を有する導電層２１０が形成される。この導電層２１０は、開口部２００の開口端を覆うようにして開口部２００の側壁から底部に及び、第１剥離層１０２と電気的に接触するように構成される。導電層２１０の材料は、例えば同一の層に形成される配線層１０７と同様の金属材料を形成することが好ましい。層間絶縁膜１０８上に形成される導電性の金属層として全く同一工程でフォトリソグラフィ法により形成できるため、工程を増やすことなく実施可能だからである。 As shown in FIG. 3C, after the transferred layer 110 is formed, a conductive layer 210 having conductivity is formed in the opening 200. The conductive layer 210 is configured to cover the opening end of the opening 200 from the side wall to the bottom of the opening 200 and to be in electrical contact with the first release layer 102. As a material of the conductive layer 210, for example, a metal material similar to that of the wiring layer 107 formed in the same layer is preferably formed. This is because the conductive metal layer formed over the interlayer insulating film 108 can be formed by the photolithography method in exactly the same process, and can be implemented without increasing the number of processes.

但し、配線層１０７と同じ工程とする他、別途インクジェット法等により金属材料を開口部２００内部に充填する方法、公知のビア（ｖｉａ）形成方法等を利用してもよい。 However, in addition to the same process as that of the wiring layer 107, a method of filling a metal material into the opening 200 by an ink jet method or the like, a known via forming method, or the like may be used.

上記工程によって、被転写層１１０上に導電層２１０の一部が少なくとも露出することになる。このため、次の電荷除去工程（図４（ｅ））において、この導電層２１０に放電用端子Ｌを接触させるだけで第１剥離層１０２と電気的な接続が行え、第１剥離層１０２に蓄積された電荷の除去が行える。したがって、放電用端子として、必ずしも開口部２００の奥に挿入可能なものでなくてもよい。また、上部から挿入しなければならないものでもなく、例えば図３（ｄ）に示すように、横方向から開口端の導電層２１０に接触しさえすればよい。
その後の工程（図３（ｅ）〜図４（ｄ））については、実施形態１と全く同様である。 Through the above process, at least a part of the conductive layer 210 is exposed on the transferred layer 110. For this reason, in the next charge removing step (FIG. 4E), the first release layer 102 can be electrically connected to the first release layer 102 simply by bringing the discharge terminal L into contact with the conductive layer 210. The accumulated charge can be removed. Therefore, the discharge terminal may not necessarily be inserted into the opening 200. Further, it does not have to be inserted from the top, and it only has to be in contact with the conductive layer 210 at the open end from the lateral direction, for example, as shown in FIG.
The subsequent steps (FIGS. 3E to 4D) are exactly the same as in the first embodiment.

以上、本実施形態２によれば、被転写層１１０を形成する際に、第１剥離層１０２に電気的な接触を確保しうる開口部２００が設けられ、さらに開口部２００に導電層２１０が設けられるので、導電層２１０を介して第１剥離層１０２に生じた電荷を効果的に除去することが可能である。 As described above, according to the second embodiment, when the transferred layer 110 is formed, the opening 200 that can ensure electrical contact is provided in the first release layer 102, and the conductive layer 210 is provided in the opening 200. Accordingly, the charge generated in the first peeling layer 102 can be effectively removed through the conductive layer 210.

特に本実施形態２によれば、開口部２００の開口端にまで導電層２１０が形成されているため、被転写層１１０の表面に現れている導電層２１０に接触するのみで第１剥離層の電荷を放出可能となり、さらに電荷除去作業が容易である。 In particular, according to the second embodiment, since the conductive layer 210 is formed up to the opening end of the opening portion 200, the first release layer is simply contacted with the conductive layer 210 appearing on the surface of the transferred layer 110. Charges can be released, and charge removal work is easy.

また、導電層２１０に電位を設定可能に回路を形成することにより、薄膜素子、ここでは薄膜トランジスタのバックゲート電圧を接地電位に維持したり、あるいは特定の電位に制御したりができることになり好ましい。 In addition, by forming a circuit in the conductive layer 210 so that the potential can be set, the back gate voltage of the thin film element, here, the thin film transistor can be maintained at the ground potential or can be controlled to a specific potential.

（実施形態３）
本発明の実施形態３は、本発明の薄膜装置の製造方法で製造された薄膜素子を備える電気光学装置の例示に関する。図５に、上記薄膜装置の製造方法を利用して製造される薄膜トランジスタを備えた電気光学装置１の回路図を示す。 (Embodiment 3)
Embodiment 3 of the present invention relates to an example of an electro-optical device including a thin film element manufactured by the method for manufacturing a thin film device of the present invention. FIG. 5 shows a circuit diagram of the electro-optical device 1 including the thin film transistor manufactured by using the method of manufacturing the thin film device.

図５に示すように、本電気光学装置１は、各画素Ｇが、上記薄膜トランジスタＴ１〜Ｔ４、それらに電気的に接続された有機電界発光素子ＯＬＥＤ、コンデンサＣを備えて構成され、それらが行方向に配線される走査線Ｖｇｐ及び行選択線Ｖｓｅｌ、列方向に配線される電源線Ｖｄｄ及びデータ線Ｉｄａｔａでマトリクス状に接続されて構成されている。走査ドライバ２からは走査線Ｖｇｐに走査制御信号、行選択線Ｖｓｅｌに行選択信号が供給されるようになっている。電流ドライバ３からは電源線Ｖｄｄに電源電圧が供給され、データ線Ｉｄａｔａにデータ信号が供給されるようになっている。電気光学装置１は、走査線Ｖｇｐとデータ線Ｉｄａｔａがともに選択状態となると、電源線Ｖｄｄからの電流が有機電界発光素子ＯＬＥＤ経由で流れるようになっている。 As shown in FIG. 5, the electro-optical device 1 is configured such that each pixel G includes the thin film transistors T1 to T4, an organic electroluminescent element OLED electrically connected thereto, and a capacitor C. The scanning lines Vgp and row selection lines Vsel wired in the direction, and the power supply lines Vdd and data lines Idata wired in the column direction are connected in a matrix. The scanning driver 2 supplies a scanning control signal to the scanning line Vgp and a row selection signal to the row selection line Vsel. From the current driver 3, a power supply voltage is supplied to the power supply line Vdd, and a data signal is supplied to the data line Idata. In the electro-optical device 1, when both the scanning line Vgp and the data line Idata are selected, a current from the power supply line Vdd flows through the organic electroluminescent element OLED.

当該電気光学装置１は、上記製造方法により、形成されたものである。
すなわち、被転写層１１０として、走査ドライバ２と電流ドライバ３、並びにこれらのドライバからマトリクス状に、走査線Ｖｇｐ及び行選択線Ｖｓｅｌ、電源線Ｖｄｄ及びデータ線Ｉｄａｔａが形成され、これら配線で囲まれる画素Ｇの各々には、薄膜トランジスタＴ１〜Ｔ４とコンデンサＣが形成される。 The electro-optical device 1 is formed by the above manufacturing method.
That is, as the transferred layer 110, the scanning driver 2 and the current driver 3, and the scanning line Vgp, the row selection line Vsel, the power supply line Vdd, and the data line Idata are formed in a matrix from these drivers, and are surrounded by these wirings. In each pixel G, thin film transistors T1 to T4 and a capacitor C are formed.

一方、第２転写基板１２０としては透明基板を用い、片面に有機電界発光素子ＯＬＥＤとカラーフィルタとが形成される。 On the other hand, a transparent substrate is used as the second transfer substrate 120, and an organic electroluminescent element OLED and a color filter are formed on one side.

この第２転写基板１２０に被転写層１１０を転写し、転写後に第２転写基板１２０に設けられた有機電界発光素子ＯＬＥＤと薄膜トランジスタとを電気的に接続させることにより、電気光学装置１を完成させることができる。 The transferred layer 110 is transferred to the second transfer substrate 120, and the electro-optical device 1 is completed by electrically connecting the organic electroluminescent element OLED and the thin film transistor provided on the second transfer substrate 120 after the transfer. be able to.

本実施形態３によれば、本発明の転写方法を利用して電気光学装置を製造したので、特性の劣化の少ない薄膜トランジスタを備える電気光学装置を提供可能である。 According to the third embodiment, since the electro-optical device is manufactured using the transfer method of the present invention, it is possible to provide an electro-optical device including a thin film transistor with little deterioration in characteristics.

（実施形態４）
本発明の実施形態４は、本発明の薄膜装置の製造方法で製造された薄膜装置を備える電子機器の例示に関する。 (Embodiment 4)
Embodiment 4 of this invention is related with the illustration of an electronic device provided with the thin film device manufactured with the manufacturing method of the thin film device of this invention.

図６（ａ）及び図６（ｂ）に、図５に示すような電気光学装置を備えた電子機器の例を示す。図６（ａ）は、テレビジョン装置３００に適用した例であり、当該電子機器は、本発明に係る電気光学装置１を含んで構成されている。図６（ｂ）はロールアップ形テレビジョン装置３１０に本発明に係る電気光学装置１を含んで構成されている。図６（ｂ）に示すロールアップ形テレビジョン装置３１０は、全体が可撓性を有することを要するため、最終基板がプラスチック基板等の弾性の高い素材であることを要する。 FIG. 6A and FIG. 6B show examples of electronic apparatuses including the electro-optical device as shown in FIG. FIG. 6A shows an example applied to the television apparatus 300, and the electronic apparatus includes the electro-optical device 1 according to the present invention. FIG. 6B shows a roll-up television device 310 including the electro-optical device 1 according to the present invention. The roll-up television device 310 shown in FIG. 6B needs to have flexibility as a whole, and thus the final substrate needs to be a highly elastic material such as a plastic substrate.

なお、上記電気光学装置や電子機器の構造は単なる例示であり、本発明の薄膜装置の製造方法によって転写され製造された薄膜素子を用いるものに広く適用することが可能である。 The structures of the electro-optical device and the electronic apparatus are merely examples, and can be widely applied to devices using thin film elements that are transferred and manufactured by the method for manufacturing a thin film device of the present invention.

本発明における薄膜装置の製造方法は、上記した実施形態に限定されることなく種々に変更して利用することが可能である。例えば薄膜素子としては、薄膜トランジスタのみならず、配線や電極を含めることができる。 The method for manufacturing a thin film device according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be used with various modifications. For example, as a thin film element, not only a thin film transistor but also a wiring and an electrode can be included.

また、電気光学装置としては、電界発光装置のみならず、液晶表示装置、電気泳動装置、電子放出装置等、表示に係る素子の形態に限定されず、種々に応用することが可能である。 Further, the electro-optical device is not limited to an electroluminescent device, but is not limited to the form of an element related to display, such as a liquid crystal display device, an electrophoretic device, and an electron-emitting device, and can be applied in various ways.

また、電子機器としては、上記構成に限定されず、例えば、パーソナルコンピュータ、携帯電話、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、ＩＣカード、宣伝公告用ディスプレイ等に適用することが可能である。 Further, the electronic device is not limited to the above-described configuration. For example, a personal computer, a mobile phone, a video camera, a head-mounted display, a rear-type or front-type projector, a fax machine with a display function, a digital camera finder, a mobile phone The present invention can be applied to a type TV, a DSP device, a PDA, an electronic notebook, an electric bulletin board, an IC card, an advertisement display, and the like.

本実施形態１における薄膜装置の製造工程断面図（その１）Manufacturing process sectional drawing of the thin film apparatus in this Embodiment 1 (the 1) 本実施形態１における薄膜装置の製造工程断面図（その２）Manufacturing process sectional drawing of the thin film apparatus in this Embodiment 1 (the 2) 本実施形態２における薄膜装置の製造工程断面図（その１）Manufacturing process sectional drawing of the thin film apparatus in this Embodiment 2 (the 1) 本実施形態２における薄膜装置の製造工程断面図（その２）Manufacturing process sectional drawing of the thin film apparatus in this Embodiment 2 (the 2) 実施形態３の電気光学装置の回路図Circuit diagram of electro-optical device according to Embodiment 3 実施形態４の電子機器の適用例Application example of electronic device of embodiment 4

Explanation of symbols

Ｌレーザ光（エネルギ）、Ｎ放電用端子、１電気光学装置、２走査ドライバ、３電流ドライバ、１００転写元（製造元）基板、１０２第１剥離層、１０３半導体膜、１０３ｃチャネル、１０３ｓソース、１０３ｄドレイン、１０４下地層、１０５ゲート電極、１０６ゲート絶縁膜、１０７ｓ・１０７ｄ配線層、１０８層間絶縁膜、１１０被転写層（素子形成層）、１１２接着層、１１４第２剥離層、１１６第１転写基板、１２０第２転写基板（永久基板）、１２２接着層、２００開口部、２１０導電層 L laser beam (energy), N discharge terminal, 1 electro-optical device, 2 scanning driver, 3 current driver, 100 transfer source (manufacturer) substrate, 102 first peeling layer, 103 semiconductor film, 103c channel, 103s source, 103d Drain, 104 Underlayer, 105 Gate electrode, 106 Gate insulating film, 107s / 107d Wiring layer, 108 Interlayer insulating film, 110 Transfer target layer (element formation layer), 112 Adhesive layer, 114 Second release layer, 116 First transfer Substrate, 120 second transfer substrate (permanent substrate), 122 adhesive layer, 200 opening, 210 conductive layer

Claims

Forming a conductive first release layer on the transfer source substrate;
Forming a transfer layer including a thin film element on the first release layer;
Forming an opening so as to be electrically connectable to the first release layer;
Bonding the transferred layer to a first transfer substrate;
And a step of peeling the transfer source substrate by applying interfacial peeling and / or intra-layer peeling by applying energy to the first peeling layer.

Forming a first release layer on the transfer source substrate that has conductivity and is peeled off by applying predetermined energy;
Forming a transfer layer including a thin film element on the first release layer;
Forming an opening so as to be electrically connectable to the first release layer;
Forming a conductive layer electrically connected to the first release layer including the opening end of the opening in the opening;
Bonding the transferred layer to a first transfer substrate;
And a step of peeling the transfer source substrate by applying interfacial peeling and / or intra-layer peeling by applying energy to the first peeling layer.

Before the step of bonding to the first transfer substrate,
3. The method of manufacturing a thin film device according to claim 1, further comprising a step of removing charges accumulated in the first release layer by bringing a discharge terminal into contact with the opening.

In the step of bonding to the first transfer substrate,
Bonding the first transfer substrate via a second release layer;
After the step of peeling the transfer source substrate,
Bonding the second transfer substrate instead of the peeled transfer source substrate;
4. The thin film according to claim 1, further comprising a step of peeling the first transfer substrate by applying energy to the second peeling layer to cause interfacial peeling and / or peeling within the layer. Device manufacturing method.

After the step of peeling the transfer source substrate,
5. The method of manufacturing a thin film device according to claim 1, further comprising a step of removing charges accumulated in the first release layer by bringing a discharge terminal into contact with the first release layer. 6.

A transfer layer including a thin film element is provided on a substrate via a conductive release layer,
A thin film device, wherein an opening that allows electrical connection to the release layer is provided on the transfer layer.

The thin film device according to claim 6, wherein the opening is provided with a conductive layer that is electrically connected to the peeling layer including an opening end of the opening.

The method of manufacturing a thin film device according to claim 1, wherein the thin film element includes one or more of a wiring film, an electrode, and a semiconductor device.

An electro-optical device comprising a thin film transistor manufactured using the method for manufacturing a thin film device according to claim 1.

An electronic apparatus comprising a thin film transistor manufactured using the method for manufacturing a thin film device according to claim 1.