JP2006128775A

JP2006128775A - Surface acoustic wave device

Info

Publication number: JP2006128775A
Application number: JP2004310853A
Authority: JP
Inventors: Daisuke Yamamoto; 大輔山本
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2004-10-26
Filing date: 2004-10-26
Publication date: 2006-05-18

Abstract

【課題】小型化が可能で、不要共振による電気特性上の不具合が抑制された弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板１０と、その上に弾性表面波の伝搬方向に沿って形成された一対の反射器電極２１ａ、２１ｂと、その間に形成された少なくとも一つのＩＤＴ電極２２とを有する弾性表面波装置において、一対の反射器電極２１ａ、２１ｂの一方の電極厚みと他方の電極厚みとを異ならせる。
【選択図】図１
Provided is a surface acoustic wave device which can be miniaturized and in which defects in electrical characteristics due to unnecessary resonance are suppressed.
An elastic surface having a piezoelectric substrate, a pair of reflector electrodes formed on the substrate along the propagation direction of the surface acoustic wave, and at least one IDT electrode formed between the reflector electrodes. In the wave device, the thickness of one electrode of the pair of reflector electrodes 21a and 21b is different from the thickness of the other electrode.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、例えば携帯電話等の移動体通信機器や車載用機器、医療用機器等に用いられる弾性表面波装置に関し、詳しくは、反射器の構造に特徴を有する弾性表面波装置に関するものである。 The present invention relates to a surface acoustic wave device used for mobile communication devices such as mobile phones, in-vehicle devices, medical devices, and the like, and more particularly to a surface acoustic wave device characterized by the structure of a reflector. .

弾性表面波共振器や弾性表面波フィルタ等の弾性表面波装置には様々な形態が存在するが、圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿って一対の反射器電極を形成し、その反射器電極の間にＩＤＴ（インターデジタルトランスデューサ）電極を形成したものが多用されている。このタイプの弾性表面波装置においては、ＩＤＴ電極によって励振された弾性表面波を、その両側に配置された反射器の間で多重反射させて閉じ込めることができるため、Ｑの高い弾性表面波共振器や低損失の弾性表面波フィルタが構成できる。 There are various types of surface acoustic wave devices such as surface acoustic wave resonators and surface acoustic wave filters. A pair of reflector electrodes are formed on the piezoelectric substrate along the propagation direction of the surface acoustic wave, and the reflection is performed. In many cases, an IDT (interdigital transducer) electrode is formed between the electrode electrodes. In this type of surface acoustic wave device, a surface acoustic wave excited by an IDT electrode can be confined by multiple reflection between reflectors disposed on both sides thereof, so that a surface acoustic wave resonator having a high Q is obtained. And a low-loss surface acoustic wave filter.

しかしながらこのようなタイプの弾性表面波装置においては、その構造上、所望の共振以外に多くの不要共振が発生することが避けられないため、それによる電気特性上の不具合を改善するために様々な試みが為されて来た。その一つとして、圧電基板上に形成されたＩＤＴ電極と反射器電極とからなる弾性表面波フィルタを複数個接続し、反射器電極におけるデューティー（電極の配列ピッチに対する電極形成領域の割合）を弾性表面波フィルタどうしで異ならせるものが提案されている。
特開２０００−３１２１３３号公報 However, in this type of surface acoustic wave device, because of its structure, it is inevitable that many unnecessary resonances occur in addition to the desired resonance. An attempt has been made. As one of them, a plurality of surface acoustic wave filters composed of IDT electrodes and reflector electrodes formed on a piezoelectric substrate are connected, and the duty of the reflector electrodes (the ratio of the electrode formation region to the electrode arrangement pitch) is elastic. Different types of surface wave filters have been proposed.
JP 2000-31133 A

しかしながら、上述した従来の弾性表面波装置においては、複数の弾性表面波フィルタを接続するために弾性表面波装置が大型化するという問題があった。すなわち、１つの圧電基板上に複数の弾性表面波フィルタを形成し、さらに、両者の弾性表面波フィルタを互いに接続する接続導体を形成しなくてはならず、物理的に圧電基板が大きくなり、小型化が困難であった。 However, the above-described conventional surface acoustic wave device has a problem that the surface acoustic wave device is increased in size to connect a plurality of surface acoustic wave filters. That is, it is necessary to form a plurality of surface acoustic wave filters on one piezoelectric substrate, and further to form a connection conductor that connects the two surface acoustic wave filters to each other. Miniaturization was difficult.

本発明は上記欠点に鑑み案出されたものであり、小型化が可能で、不要共振による電気特性上の不具合が抑制された弾性表面波装置を提供することにある。 The present invention has been devised in view of the above-described drawbacks, and it is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device that can be reduced in size and in which problems in electrical characteristics due to unnecessary resonance are suppressed.

本発明の弾性表面波装置は、圧電基板と、該圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿って形成された一対の反射器電極と、該一対の反射器電極の間に形成された少なくとも一つのＩＤＴ電極と、を有する弾性表面波装置において、一対の前記反射器電極の一方の電極厚みと他方の電極厚みとが異なっていることを特徴とするものである。 The surface acoustic wave device of the present invention includes a piezoelectric substrate, a pair of reflector electrodes formed on the piezoelectric substrate along the propagation direction of the surface acoustic wave, and at least formed between the pair of reflector electrodes. In the surface acoustic wave device having one IDT electrode, the thickness of one electrode of the pair of reflector electrodes is different from the thickness of the other electrode.

また、本発明の別の弾性表面波装置は、圧電基板と、該圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿って形成された一対の反射器電極と、該一対の反射器電極の間に形成された少なくとも一つのＩＤＴ電極と、前記反射器電極の上に形成された被覆層とを有する弾性表面波装置において、一対の前記反射器電極の一方の上に形成された被覆層の厚みと他方の上に形成された被覆層の厚みとが異なっていることを特徴とするものである。 Another surface acoustic wave device of the present invention includes a piezoelectric substrate, a pair of reflector electrodes formed on the piezoelectric substrate along the propagation direction of the surface acoustic wave, and the pair of reflector electrodes. In the surface acoustic wave device having at least one formed IDT electrode and a coating layer formed on the reflector electrode, the thickness of the coating layer formed on one of the pair of reflector electrodes; The thickness of the coating layer formed on the other is different.

また、本発明の更に別の弾性表面波装置は、圧電基板と、該圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿って形成された一対の反射器電極と、該一対の反射器電極の間に形成された少なくとも一つのＩＤＴ電極と、前記反射器電極の上に形成された被覆層とを有する弾性表面波装置において、一対の前記反射器電極の一方の上には被覆層が形成されており、他方の上には被覆層が形成されていないことを特徴とするものである。 Further, another surface acoustic wave device of the present invention includes a piezoelectric substrate, a pair of reflector electrodes formed on the piezoelectric substrate along a propagation direction of the surface acoustic wave, and a pair of the reflector electrodes. In the surface acoustic wave device having at least one IDT electrode formed on and a coating layer formed on the reflector electrode, a coating layer is formed on one of the pair of reflector electrodes. And the coating layer is not formed on the other side.

本発明の弾性表面波装置によれば、一方の反射器電極の電極厚みと他方の反射器電極の電極厚みとが異なっているので、両反射器電極の反射特性が異なることによって電気特性におけるスプリアスが抑圧され、弾性表面波装置の電気特性を改善することが可能となる。 According to the surface acoustic wave device of the present invention, the electrode thickness of one reflector electrode is different from the electrode thickness of the other reflector electrode. Is suppressed, and the electrical characteristics of the surface acoustic wave device can be improved.

また、本発明の別の弾性表面波装置によれば、一方の反射器電極上に形成された被覆層の厚みと他方の反射器電極上に形成された被覆層の厚みとが異なっているので、両反射器電極の反射特性が異なることによって電気特性におけるスプリアスが抑圧され、弾性表面波装置の電気特性を改善することが可能となる。 According to another surface acoustic wave device of the present invention, the thickness of the coating layer formed on one reflector electrode is different from the thickness of the coating layer formed on the other reflector electrode. Since the reflection characteristics of the two reflector electrodes are different, spurious in the electrical characteristics are suppressed, and the electrical characteristics of the surface acoustic wave device can be improved.

また、本発明の更に別の弾性表面波装置によれば、一対の前記反射器電極の一方には被覆層が形成されており、他方には被覆層が形成されていないので、両反射器電極の反射特性が異なることによって電気特性におけるスプリアスが抑圧され、弾性表面波装置の電気特性を改善することが可能となる。 According to still another surface acoustic wave device of the present invention, a coating layer is formed on one of the pair of reflector electrodes, and a coating layer is not formed on the other. Due to the different reflection characteristics, spurious in the electrical characteristics are suppressed, and the electrical characteristics of the surface acoustic wave device can be improved.

このようすれば、従来のように、圧電基板上に、弾性表面波の伝搬方向に沿って形成された一対の反射器電極と、該一対の反射器電極の間に形成された少なくとも一つのＩＤＴ電極とからなる弾性表面波フィルタを複数配置して、各フィルタを電気的に接続する必要ないため、弾性表面波装置自身の小型化が容易に達成できることになる。 In this way, as in the prior art, a pair of reflector electrodes formed on the piezoelectric substrate along the propagation direction of the surface acoustic wave, and at least one IDT formed between the pair of reflector electrodes. Since it is not necessary to arrange a plurality of surface acoustic wave filters composed of electrodes and electrically connect the filters, the surface acoustic wave device itself can be easily downsized.

以下、本発明の弾性表面波装置を図面に基づいて詳説する。 Hereinafter, the surface acoustic wave device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１は本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置を模式的に示す外観斜視図である。同図に示す弾性表面波装置１は、圧電基板１０の上面に、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置される一対の反射器電極２１ａ、２１ｂ、及びその間に配置されるＩＤＴ電極２２ａ、２２ｂ、更にＩＤＴ電極２２と接続されて外部との電気的接続に供されるパッド電極２３等から成る各種電極を形成した構造を有している。 FIG. 1 is an external perspective view schematically showing a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention. The surface acoustic wave device 1 shown in FIG. 1 has a pair of reflector electrodes 21a and 21b disposed on the upper surface of the piezoelectric substrate 10 along the propagation direction of the surface acoustic wave, and IDT electrodes 22a and 22b disposed therebetween. In addition, it has a structure in which various electrodes including a pad electrode 23 and the like connected to the IDT electrode 22 and used for electrical connection with the outside are formed.

圧電基板１０は、例えば、水晶、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶等の圧電性の単結晶、或いはチタン酸鉛、ジルコン酸鉛等の圧電セラミックスから成り、その上面で上記各種電極を支持する支持母材として機能するとともに、ＩＤＴ電極２２を介して圧電基板１０に電気信号が印加されると、その一主面で所定の弾性表面波を発生させる作用を為す。 The piezoelectric substrate 10 is made of, for example, piezoelectric single crystal such as crystal, lithium tantalate single crystal, lithium niobate single crystal, lithium tetraborate single crystal, or piezoelectric ceramics such as lead titanate and lead zirconate, In addition to functioning as a support base material that supports the various electrodes on its upper surface, when an electrical signal is applied to the piezoelectric substrate 10 via the IDT electrode 22, it acts to generate a predetermined surface acoustic wave on its one main surface. Do it.

また、上記各種電極は、例えば、アルミニウムやアルミニウムを主成分とする合金等の金属材料から成り、蒸着やスパッタリングによって圧電基板１０上に形成した電極膜上にレジストをスピンコートし、ステッパー装置などを用いて露光・現像した後に、ＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）装置などを用いてエッチングすることによって形成される。 The various electrodes are made of, for example, a metal material such as aluminum or an alloy containing aluminum as a main component. A resist is spin-coated on an electrode film formed on the piezoelectric substrate 10 by vapor deposition or sputtering, and a stepper device or the like is provided. It is formed by etching using a RIE (Reactive Ion Etching) apparatus or the like after exposure and development.

ＩＤＴ電極２２は、各々が帯状の共通電極とそれに対して直交する方向に延びる複数の電極指とで形成される一対の櫛歯状電極を、それぞれの電極指が弾性表面波の伝搬方向に交互に配置されるようにかみ合わせた状態で対向配置させて構成される。 The IDT electrode 22 includes a pair of comb-like electrodes each formed by a strip-shaped common electrode and a plurality of electrode fingers extending in a direction orthogonal to the band-shaped common electrode, and each electrode finger alternates in the propagation direction of the surface acoustic wave. Are arranged so as to face each other in a state of being engaged with each other.

そして、一方のＩＤＴ電極２２ａは、外部から所定の電気信号が印加されると、圧電基板１０の上面に電極指の配列ピッチに対応した所定の弾性表面波を発生させる作用を為し、他方のＩＤＴ電極２２ｂは弾性表面波を再び電気信号に変換する作用を為す。この過程によって不要な周波数成分が抑圧されて弾性表面波フィルタとして機能する。 When one of the IDT electrodes 22a is applied with a predetermined electrical signal from the outside, the IDT electrode 22a generates a predetermined surface acoustic wave corresponding to the arrangement pitch of the electrode fingers on the upper surface of the piezoelectric substrate 10, and the other The IDT electrode 22b functions to convert the surface acoustic wave into an electric signal again. This process suppresses unnecessary frequency components and functions as a surface acoustic wave filter.

一方、反射器電極２１は、複数の帯状の反射電極２１ｃを、ＩＤＴ電極２２の電極指とほぼ同じピッチで弾性表面波の伝搬方向に沿って配列して構成されており、ＩＤＴ電極２２の形成領域で発生する弾性表面波を反射して、一対の反射器電極２１ａ、２１ｂの間に閉じ込める作用を為す。本実施形態の弾性表面波装置１においては、一対の反射器電極２１において、反射器電極２１ａの電極膜厚と、反射器電極２１ｂの電極膜厚とを異ならせている。このような構造とするためには、例えば、前述した蒸着やスパッタリングを２段階に分けて行い、その一つの段階において、反射器電極２１の一方をマスキングすればよい。 On the other hand, the reflector electrode 21 is configured by arranging a plurality of strip-like reflective electrodes 21 c along the propagation direction of the surface acoustic wave at substantially the same pitch as the electrode fingers of the IDT electrode 22. The surface acoustic wave generated in the region is reflected and confined between the pair of reflector electrodes 21a and 21b. In the surface acoustic wave device 1 of the present embodiment, in the pair of reflector electrodes 21, the electrode film thickness of the reflector electrode 21a and the electrode film thickness of the reflector electrode 21b are different. In order to obtain such a structure, for example, the above-described vapor deposition and sputtering are performed in two stages, and one of the reflector electrodes 21 may be masked in one stage.

そして、パッド電極２３は、外部との電気的接続をなす金属細線やバンプが接合される部分であり、ＩＤＴ電極２２と電気的に接続されている。金属細線やバンプとの接合性を向上させるためには、上面をＮｉ、Ｃｒ、Ａｕ等で被覆するとよく、厚みも他の電極よりも厚い方がよい。 The pad electrode 23 is a portion to which a fine metal wire or a bump that is electrically connected to the outside is bonded, and is electrically connected to the IDT electrode 22. In order to improve the bondability with a fine metal wire or a bump, the upper surface is preferably covered with Ni, Cr, Au, etc., and the thickness is preferably thicker than other electrodes.

こうして、一対の反射器電極２１ａ、２１ｂと、その間に配置されるＩＤＴ電極２２ａ、２２ｂとで縦結合共振器型の弾性表面波フィルタが構成されている。 Thus, a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter is configured by the pair of reflector electrodes 21a and 21b and the IDT electrodes 22a and 22b disposed therebetween.

このような、ＩＤＴ電極２２の両側に反射器電極２１を有する構造の弾性表面波装置の電気特性は、反射器電極２１の反射特性に大きく影響を受ける。図２に反射器電極２１の反射特性を模式的に示す。図２に示す反射特性において、中心周波数ｆ_０付近の周波数において最も反射率が高くなっているが、それ以外の周波数においても周期的に反射率の高い部分が存在する。そして、これによって所望の周波数以外での不要な共振が発生し、弾性表面波装置の電気特性を悪化させる。 The electrical characteristics of the surface acoustic wave device having the structure having the reflector electrodes 21 on both sides of the IDT electrode 22 are greatly affected by the reflection characteristics of the reflector electrode 21. FIG. 2 schematically shows the reflection characteristics of the reflector electrode 21. In the reflection characteristic shown in FIG. 2, although most reflectance is high in a frequency near the center frequency f _0, it is periodically high reflectance portion is also present in other frequency. As a result, unnecessary resonance other than the desired frequency is generated, and the electrical characteristics of the surface acoustic wave device are deteriorated.

次に、図２に示す反射特性と反射器電極２１の構造との関係について説明する。図３は反射器電極２１の一部を拡大して模式的に示した断面図である。図に示すように、反射器電極２１は、圧電基板１０の上面に反射電極２１ｃが弾性表面波の伝搬方向に沿って周期的に配列された構造とされている。 Next, the relationship between the reflection characteristics shown in FIG. 2 and the structure of the reflector electrode 21 will be described. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an enlarged part of the reflector electrode 21. As shown in the figure, the reflector electrode 21 has a structure in which the reflective electrode 21c is periodically arranged on the upper surface of the piezoelectric substrate 10 along the propagation direction of the surface acoustic wave.

このような構造においては、反射電極２１ｃが存在する領域（長さＬ１）における弾性表面波の伝搬速度Ｖ１と、反射電極２１ｃの存在しない領域（長さＬ２）における弾性表面波の伝搬速度Ｖ２とは一般的に異なる。これは、反射電極２１ｃの存在領域においては、圧電基板１０と異なる材質であり導電性を有する反射電極２１ｃが接触することによる影響と、反射電極２１ｃの質量による影響とを受けるためである。よって、反射電極２１ｃの厚みを変化させることによって、反射電極２１ｃの質量による影響が変化し、反射電極２１ｃが存在する領域における弾性表面波の伝搬速度Ｖ１を変化させることができる。 In such a structure, the surface acoustic wave propagation velocity V1 in the region where the reflective electrode 21c exists (length L1), and the surface acoustic wave propagation velocity V2 in the region where the reflective electrode 21c does not exist (length L2). Are generally different. This is because the region where the reflective electrode 21c is present is affected by the influence of the reflective electrode 21c, which is made of a material different from that of the piezoelectric substrate 10, and the mass of the reflective electrode 21c. Therefore, by changing the thickness of the reflective electrode 21c, the influence of the mass of the reflective electrode 21c changes, and the surface acoustic wave propagation velocity V1 in the region where the reflective electrode 21c exists can be changed.

また、前述した中心周波数ｆ_０は、反射器電極２１の形成領域における弾性表面波の平均的な伝搬速度をＶ、反射電極２１ｃの配列ピッチをＰとすると、ｆ_０＝Ｖ／２Ｐと表される。ここで、反射器電極２１の形成領域における弾性表面波の平均的な伝搬速度Ｖは、Ｖ＝（Ｌ１＋Ｌ２）／（Ｌ１／Ｖ１＋Ｌ２／Ｖ２）で表され、反射電極２１ｃの配列ピッチＰは、Ｐ＝Ｌ１＋Ｌ２で表される。 The above-described center frequency f ₀ is expressed as f ₀ = V / 2P, where V is the average propagation velocity of the surface acoustic wave in the region where the reflector electrode 21 is formed, and P is the arrangement pitch of the reflection electrodes 21c. The Here, the average propagation velocity V of the surface acoustic wave in the region where the reflector electrode 21 is formed is expressed by V = (L1 + L2) / (L1 / V1 + L2 / V2), and the arrangement pitch P of the reflective electrodes 21c is P = L1 + L2.

よって、反射電極２１ｃの厚みを変化させることによって、反射電極２１ｃが存在する領域における弾性表面波の伝搬速度Ｖ１が変化し、それによって反射器電極２１の形成領域における弾性表面波の平均的な伝搬速度Ｖが変化し、それによって中心周波数ｆ_０が変化する。すなわち、反射電極２１ｃの厚みを変化させることによって、図２に示す反射特性を周波数軸上で移動させることが可能となる。 Therefore, by changing the thickness of the reflective electrode 21c, the propagation velocity V1 of the surface acoustic wave in the region where the reflective electrode 21c exists changes, and thereby the average propagation of the surface acoustic wave in the region where the reflector electrode 21 is formed. speed V is changed, thereby changing the center frequency f _0. That is, it is possible to move the reflection characteristics shown in FIG. 2 on the frequency axis by changing the thickness of the reflective electrode 21c.

本実施形態の弾性表面波素子１においては、一対の反射器電極２１において、反射器電極２１ａの電極厚みと反射器電極２１ｂの電極厚みとを異ならせているので、図４の実線と破線に示すように、両反射器の反射特性を周波数軸上でずらすことができる。すると、反射器電極２１ａと２１ｂの反射率の極大点及び極小点が周波数軸上に分散して配置されることによって、一対の反射器電極２１の反射特性を考えると、反射率の極小点間の間隔が減少し、中心周波数付近以外の極大点の反射率は減少することになる。よって、弾性表面波装置１の伝送特性における通過帯域以外の周波数領域において、不要な共振を抑制し、それに起因する減衰量の低下を緩和することが出来る。 In the surface acoustic wave device 1 of the present embodiment, the thickness of the reflector electrode 21a and the thickness of the reflector electrode 21b are different in the pair of reflector electrodes 21, so that the solid line and the broken line in FIG. As shown, the reflection characteristics of both reflectors can be shifted on the frequency axis. Then, the maximum points and the minimum points of the reflectance of the reflector electrodes 21a and 21b are distributed on the frequency axis, and the reflection characteristics of the pair of reflector electrodes 21 are considered. , And the reflectance of the local maximum point other than the vicinity of the center frequency is reduced. Therefore, unnecessary resonance can be suppressed in the frequency region other than the pass band in the transmission characteristics of the surface acoustic wave device 1, and the decrease in attenuation due to the resonance can be mitigated.

図５は縦結合共振器型弾性表面波フィルタの伝送特性のシミュレーション結果を示したものである。同図において、実線は一対の反射器電極２１の一方の電極厚みを１４００Å、他方の電極厚みを２２００Åとした実施例の伝送特性を示し、破線は一対の反射器電極２１の両方の電極厚みを１４００Åとした比較例の伝送特性を示す。尚、ＩＤＴ電極２２の電極厚みはどちらの場合も１４００Åとしている。図から明らかなように、実施例の伝送特性においては、比較例の伝送特性に比して、通過帯域より低周波側の２０００ＭＨｚ付近の減衰量が増加しており、本発明の有効性が確認できた。尚、このシミュレーションにおいては、圧電基板１０を３８．７°ＹカットのＬｉＴａＯ_３、上記各種電極の材質をＡｌ−Ｃｕ１ｗｔ％合金とした。 FIG. 5 shows a simulation result of transmission characteristics of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter. In the figure, the solid line shows the transmission characteristics of the embodiment in which one electrode thickness of the pair of reflector electrodes 21 is 1400 mm and the other electrode thickness is 2200 mm, and the broken line shows the electrode thickness of both of the pair of reflector electrodes 21. The transmission characteristics of a comparative example with 1400 mm are shown. The electrode thickness of the IDT electrode 22 is 1400 mm in both cases. As is clear from the figure, in the transmission characteristics of the example, the attenuation near 2000 MHz on the lower frequency side than the pass band is increased compared to the transmission characteristics of the comparative example, and the effectiveness of the present invention is confirmed. did it. In this simulation, the piezoelectric substrate 10 was 38.7 ° Y-cut LiTaO ₃ , and the material of the various electrodes was an Al—Cu 1 wt% alloy.

次に本発明の他の実施形態に係る弾性表面波装置について図６を用いて説明する。尚、本実施形態においては先に述べた実施形態と異なる点についてのみ説明し、同様の構成要素については同一の参照符を用いて重複する説明を省略するものとする。 Next, a surface acoustic wave device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, only differences from the above-described embodiment will be described, and the same components will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

図６は本実施形態の弾性表面波装置２を模式的に示す断面図である。本実施形態の弾性表面波装置２が先に述べた実施形態の弾性表面波装置１と異なる点は、一対の反射器電極２１ａ、２１ｂの電極厚みが等しくされており、その代わりに、反射器電極２１ａの上に形成された被覆層３１ａの厚みと、反射器電極２１ｂの上に形成された被覆層３１ｂの厚みとが異なっていることである。 FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the surface acoustic wave device 2 of the present embodiment. The surface acoustic wave device 2 of the present embodiment is different from the surface acoustic wave device 1 of the above-described embodiment in that the electrode thicknesses of the pair of reflector electrodes 21a and 21b are made equal. The thickness of the coating layer 31a formed on the electrode 21a is different from the thickness of the coating layer 31b formed on the reflector electrode 21b.

この被覆層３１としては、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁性や半導電性の物質が使用され、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置などを使用して形成される。反射器電極２１ａの上に形成された被覆層３１ａの厚みと、反射器電極２１ｂの上に形成された被覆層３１ｂの厚みとを異ならせるためには、例えば、被覆層３１の形成を２段階に分けて行い、その一つの段階において反射器電極２１の一方の反射器電極、たとえば２１ａやＩＤＴ電極２２上に位置する部分をマスキングすればよい。 The covering layer 31 is made of, for example, an insulating or semiconductive material such as Si, SiO ₂ , SiN, or Al ₂ O _{3 and} is formed using a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus or the like. In order to make the thickness of the coating layer 31a formed on the reflector electrode 21a different from the thickness of the coating layer 31b formed on the reflector electrode 21b, for example, the coating layer 31 is formed in two stages. In this step, one portion of the reflector electrode 21, for example, a portion located on the 21a or IDT electrode 22 may be masked.

このように、たとえば図３において、圧電基板１０及び反射電極２１ｃの上に被覆層３１を形成すると、反射電極２１ｃの非形成領域においては、圧電基板１０と材質の異なる被覆層３１が接触することによる影響と被覆層３１の質量による影響とを受けて弾性表面波の伝搬速度が変化する。また、反射電極２１ｃの形成領域においては、反射電極２１ｃの上に形成された被覆層３１の質量の影響を受けて、弾性表面波の伝搬速度が変化する。よって、被覆層３１の厚みを変化させると、反射電極２１ｃが存在する領域における弾性表面波の伝搬速度Ｖ１と、反射電極２１ｃが存在しない領域における弾性表面波の伝搬速度Ｖ２の両方が変化する。 Thus, for example, in FIG. 3, when the coating layer 31 is formed on the piezoelectric substrate 10 and the reflective electrode 21c, the piezoelectric substrate 10 and the coating layer 31 made of a different material are in contact with each other in the non-formation region of the reflective electrode 21c. The propagation speed of the surface acoustic wave changes due to the influence of the surface roughness and the influence of the mass of the coating layer 31. In the region where the reflective electrode 21c is formed, the propagation speed of the surface acoustic wave changes under the influence of the mass of the coating layer 31 formed on the reflective electrode 21c. Therefore, when the thickness of the covering layer 31 is changed, both the propagation velocity V1 of the surface acoustic wave in the region where the reflective electrode 21c exists and the propagation velocity V2 of the surface acoustic wave in the region where the reflective electrode 21c does not exist change.

故に、被覆層３１の厚みを変化させることによっても、反射器電極２１の形成領域における弾性表面波の平均的な伝搬速度Ｖが変化し、それによって図２に示す反射特性における中心周波数ｆ_０が変化する。すなわち、被覆層３１の厚みを変化させることによっても、反射電極２１ｃの電極厚みを変化させる場合と同様に、図２に示す反射特性を周波数軸上で移動させることが可能となる。 Thus, by varying the thickness of the coating layer 31, the average propagation velocity V of the surface acoustic wave in the formation region of the reflector electrodes 21 is changed, whereby the center frequency f ₀ in the reflection characteristics shown in FIG. 2 Change. That is, by changing the thickness of the covering layer 31, the reflection characteristics shown in FIG. 2 can be moved on the frequency axis as in the case of changing the electrode thickness of the reflective electrode 21c.

本実施形態の弾性表面波装置２においては、反射器電極２１ａの上に形成された被覆層３１ａの厚みと、反射器電極２１ｂの上に形成された被覆層３１ｂの厚みとが異なっているので、反射器電極２１ａの反射特性と反射器電極２１ｂの反射特性とを、図４の実線と点線に示すように周波数軸上でずらすことができる。すると、反射器電極２１ａと２１ｂの反射率の極大点及び極小点が周波数軸上に分散して配置されることによって、一対の反射器電極２１の反射特性を考えると、反射率の極小点間の間隔が減少し、中心周波数付近以外の極大点の反射率は減少することになる。よって、弾性表面波装置１の伝送特性における通過帯域以外の周波数領域において、不要な共振を抑制し、それに起因する減衰量の低下を緩和することが出来る。 In the surface acoustic wave device 2 of the present embodiment, the thickness of the coating layer 31a formed on the reflector electrode 21a is different from the thickness of the coating layer 31b formed on the reflector electrode 21b. The reflection characteristic of the reflector electrode 21a and the reflection characteristic of the reflector electrode 21b can be shifted on the frequency axis as shown by the solid line and the dotted line in FIG. Then, the maximum points and the minimum points of the reflectance of the reflector electrodes 21a and 21b are distributed on the frequency axis, and the reflection characteristics of the pair of reflector electrodes 21 are considered. , And the reflectance of the local maximum point other than the vicinity of the center frequency is reduced. Therefore, unnecessary resonance can be suppressed in the frequency region other than the pass band in the transmission characteristics of the surface acoustic wave device 1, and the decrease in attenuation due to the resonance can be mitigated.

尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良が可能である。 In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change and improvement are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.

例えば、図１に示した弾性表面波装置１においては、圧電基板１０及び上記各種電極の上に被覆層が形成されていない例を示したが、絶縁材料もしくは半導電性材料からなる被覆層を形成しても構わない。 For example, in the surface acoustic wave device 1 shown in FIG. 1, an example in which a coating layer is not formed on the piezoelectric substrate 10 and the various electrodes is shown, but a coating layer made of an insulating material or a semiconductive material is used. It may be formed.

また、図６に示した弾性表面波装置２においては、一対の反射器電極２１の両方の上に被覆層３１を形成した例を示したが、図７に示す弾性表面波装置３のように、一対の反射器電極２１の一方の上には被覆層３１を形成し、他方の上には被覆層３１を形成しないようにしても構わない。このような構造の弾性表面波装置３においても、弾性表面波装置２と同様に効果を得ることができる。 Further, in the surface acoustic wave device 2 shown in FIG. 6, the example in which the coating layer 31 is formed on both the pair of reflector electrodes 21 is shown, but like the surface acoustic wave device 3 shown in FIG. 7. The coating layer 31 may be formed on one of the pair of reflector electrodes 21 and the coating layer 31 may not be formed on the other. In the surface acoustic wave device 3 having such a structure, the same effect as that of the surface acoustic wave device 2 can be obtained.

また、上述した実施形態においては弾性表面波フィルタを構成した例を示したが、弾性表面波共振器など他の弾性表面波装置においても本発明を適用できることは言うまでもない。例えば、弾性表面波共振器に本発明を適用すれば、スプリアスが抑圧された、電気特性の優れた弾性表面波共振器とすることができる。 Moreover, although the example which comprised the surface acoustic wave filter was shown in embodiment mentioned above, it cannot be overemphasized that this invention is applicable also to other surface acoustic wave apparatuses, such as a surface acoustic wave resonator. For example, when the present invention is applied to a surface acoustic wave resonator, a surface acoustic wave resonator having excellent electrical characteristics with suppressed spurious can be obtained.

本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置を模式的に示す外観斜視図である。1 is an external perspective view schematically showing a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention. 反射器電極の反射特性を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the reflective characteristic of a reflector electrode. 反射器電極形成領域の弾性表面波の平均的伝搬速度を説明する図である。It is a figure explaining the average propagation velocity of the surface acoustic wave of a reflector electrode formation area. 反射器電極２１ａ、２１ｂのそれぞれの反射特性を示す図である。It is a figure which shows each reflection characteristic of reflector electrode 21a, 21b. 本発明と比較例の弾性表面波装置の伝送特性を示す図である。It is a figure which shows the transmission characteristic of the surface acoustic wave apparatus of this invention and a comparative example. 本発明の他の実施形態に係る弾性表面波装置を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the surface acoustic wave apparatus which concerns on other embodiment of this invention. 本発明の更に他の実施形態に係る弾性表面波装置を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the surface acoustic wave apparatus which concerns on other embodiment of this invention.

Explanation of symbols

１、２、３・・・弾性表面波装置
１０・・・圧電基板
２１、２１ａ、２１ｂ・・・反射器電極
２１ｃ・・・反射電極
２２、２２ａ、２２ｂ・・・ＩＤＴ電極
２３・・・パッド電極
３１、３１ａ、３１ｂ・・・被覆層 1, 2, 3 ... Surface acoustic wave device 10 ... Piezoelectric substrate 21, 21a, 21b ... Reflector electrode 21c ... Reflective electrode 22, 22a, 22b ... IDT electrode 23 ... Pad Electrode 31, 31a, 31b ... coating layer

Claims

Elasticity having a piezoelectric substrate, a pair of reflector electrodes formed on the piezoelectric substrate along the propagation direction of the surface acoustic wave, and at least one IDT electrode formed between the pair of reflector electrodes In surface wave devices,
A surface acoustic wave device characterized in that one electrode thickness of the pair of reflector electrodes is different from the other electrode thickness.

A piezoelectric substrate; a pair of reflector electrodes formed on the piezoelectric substrate along a propagation direction of surface acoustic waves; at least one IDT electrode formed between the pair of reflector electrodes; and the reflector In a surface acoustic wave device having a coating layer formed on an electrode,
A surface acoustic wave device, wherein a thickness of a coating layer formed on one of the pair of reflector electrodes is different from a thickness of a coating layer formed on the other.

A piezoelectric substrate; a pair of reflector electrodes formed on the piezoelectric substrate along a propagation direction of surface acoustic waves; at least one IDT electrode formed between the pair of reflector electrodes; and the reflector In a surface acoustic wave device having a coating layer formed on an electrode,
A surface acoustic wave device characterized in that a coating layer is formed on one of the pair of reflector electrodes, and no coating layer is formed on the other.