JP2006113092A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【目的】 単純な製造プロセスでかつ、低い電気抵抗を有する反射膜あるいは半透過反射膜を備えた電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】 半透過反射膜８ａの主成分であるアルミニウムと比べ、電気陰性度の高い銅を面内で組成分布を持つよう形成した後、電解液であるフォトリソグラフ工程で用いられる現像液に浸す。すると銅が密な分布を持つ領域と、該領域周辺とで電気陰性度の差により、局部電池を形成される。銅が密な分布を持つ領域近傍のみを選択的に電蝕させ、さらに電蝕処理を続けることで添加物が密な分布を持つ領域近傍に光を透過させるための孔をあける。
【選択図】 図７

Description

本発明は、電気光学物質を保持する基板に反射モードでの表示を可能とする光反射膜を備えた反射型あるいは半透過反射型の電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器に関する。

液晶装置などの電気光学装置のうち、外光による反射モードでの表示が可能な反射型あるいは半透過反射型の液晶装置では、液晶を保持する基板上に光反射膜が形成されている。
このような液晶装置で、半透過モードでの表示を行なうためには、光反射膜に光透過性を持つことが求められる。このため一般的には、金属膜を３００ｎｍ程度に成膜し、通常のフォトリソグラフ工程を用いて金属膜をエッチングし、裏面からの光を透過させるための孔を形成する方法が知られている。この方法は、金属膜を厚くできるため、電気抵抗を低くできるという利点を有している。また、特許文献１に記載の製造方法では、スパッタ法で１０ｎｍ以下程度の金属薄膜を成膜し、スパッタ法での成膜時に生じる孔欠陥や凹入欠陥を用いて、裏面からの光を透過させる。この方法は前述のフォトリソグラフ工程を用いる方法と比べ、製造工程が単純化できるという利点を有している。

特開平７−３３３５９８号公報（第８〜１１頁）

しかしながら、裏面からの光を透過させる孔をフォトリソグラフ工程を用いて形成する方法では、レジスト塗布、露光・現像、配線金属のエッチング、レジスト除去という工程を追加する必要があり、製造プロセスが複雑化し、製造コストの上昇、工程の複雑化に起因する歩留まり低下などの問題が生じていた。

また、特許文献１の製造方法では、金属薄膜を１０ｎｍ以上に厚くすると孔欠陥や凹入欠陥が塞がってしまい、裏面からの光が透過しなくなってしまうため、反射膜の膜厚は最大でも１０ｎｍに制限されてしまう。この金属薄膜上に導体であり、かつ透光性を有するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を形成することで電気的な導通は保たれるが、ＩＴＯの比抵抗は２００μΩ・ｃｍ程度であり、例えば金属アルミニウムの比抵抗である３０ｎΩ・ｃｍと比べた場合、４桁程度高い比抵抗を持っている。そのため、ＩＴＯ膜を主として導通を取ると、電気抵抗が高くなり、その結果時定数が大きくなり入力信号に対する応答が遅くなり例えば動画表示の品質が落ちるという問題があった。

以上の問題点に鑑みて、本発明の電気光学装置の製造方法は、単純な製造プロセスでかつ、低い電気抵抗を有する反射膜あるいは半透過反射膜を備えた電気光学装置の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、電気光学物質を保持する基板に、表面からの入射光の一部を反射させ、かつ裏面からの入射光の一部を透過させる半透過反射膜が設けられている電気光学装置の製造方法において、前記半透過反射膜の形成工程は、前記半透過反射膜を構成する主成分より電気陰性度の高い添加物を、電解液の存在下で前記添加物と前記主成分とが局部電池を形成するよう前記半透過反射膜中の表面および表面近傍に前記添加物の濃度分布を付与して前記半透過反射膜を成膜する成膜工程と、前記局部電池による電蝕反応を用いたエッチングを前記電解液中で行なうことで、前記裏面からの入射光の一部を透過させるための孔をあける前記半透過反射膜のエッチング工程とを含むことを特徴とする。

この製造方法によれば、半透過反射膜の主成分と比べ、電気陰性度の高い添加物が半透過反射膜の少なくとも面内で組成分布を持つよう形成されている。当該半透過反射膜を電解液に浸すことにより、添加物が密な分布を持つ領域と、該領域周辺とでの電気陰性度の差により、局部電池が形成され、添加物が密な分布を持つ領域近傍のみが選択的に電蝕される。

さらに電蝕処理を続けることで添加物が密な分布を持つ領域近傍に光を透過させるための孔をあけることができる。このように電解液に浸す工程を行なうだけで半透過反射膜を作ることができるため、通常のフォトリソグラフ工程を行ない反射膜に孔をあけ半反射透過膜を作る工程と比べ短い工程で半透過反射膜を形成することができる。また、電蝕反応を用いてエッチングしているので、スパッタ法での成膜時に生じる孔欠陥や凹入欠陥を用いる方法と比べ半透過反射膜の膜厚を厚くすることができる。そのため半透過反射膜の電気抵抗を低減することができる。

さらに、半透過反射膜の主成分を腐蝕しない液を用いても、電解液であれば局部電池の効果により電蝕で孔をあけることができる。この場合、電蝕されない部分では、エッチングは殆ど生じないため、局部電池以外の領域では半透過反射膜に損傷を与えることなくエッチングを行なうことができる。そのため、半透過反射膜の光学的性質、特に反射率を損じることなく半透過反射膜を形成することができる。

また、上記した本発明の電気光学装置の製造方法では、前記半透過反射膜の形成工程は、アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム化合物、銀、銀合金、銀化合物、チタン、チタン合金、チタン化合物、クロム、クロム合金、またはクロム化合物のいずれかを主成分として含む半透過反射膜を用い、また前記添加物には、銅、珪素、モリブデン、タングステン、白金、または金の中から選定され、かつ前記半透過反射膜の主成分となる物質と比べ電気陰性度が高い元素を少なくとも１種類以上を含む物質を用いることを特徴とする。

この製造方法によれば、例えばアルミニウムは可視光域では９０％以上の反射率を持っているため、入射された光を効率的に反射することができる。また、アルミニウムは電気陰性度が低いため、銅、珪素、モリブデンまたはタングステンなど、液晶製造プロセスで使用実績の高い添加物を用いて半透過反射膜を形成することが可能となる。

そのため、不純物の混入に対して極めて敏感な液晶製造プロセスに新規の物質を導入することなく、局部電池による電蝕反応を用いたエッチングを行なうことができる。また、白金や金は電気陰性度が銀と比べ低いため、半透過反射膜の主成分に銀を用いた場合好適な添加物となる。

また、半透過反射膜の主成分として銀、チタン、クロムを用いた場合でも、アルミニウムを用いた場合と同等の効果が得られる。特に銀は可視光域での反射率が高いため好適である。

また、上記した本発明の電気光学装置の製造方法において、前記半透過反射膜の形成工程は、前記半透過反射膜中の添加物の比率を、重量比率として０．０１％以上から５０％以下の範囲にすることを特徴とする。

この製造方法によれば、添加物の重量比率が規定される。添加物の重量比率が０．０１％未満となると、添加物の重量比率を再現性良く混入することが困難となる。また、５０％を超える量の添加物を加えると、局部電池で半透過反射膜が埋め尽くされてしまうため、局部電池によるエッチングが困難となる。

また、上記した本発明の電気光学装置の製造方法において、前記半透過反射膜の形成工程は、前記半透過反射膜中の添加物の比率を、重量比率として０．１％以上から２０．０％以下の範囲にすることを特徴とする。

この製造方法によれば、添加物の重量比率としてより望ましい値は、重量比率で０．１％以上から２０．０％以下の範囲である。この値の範囲であれば局部電池が適正に分布するため、半透過反射膜の孔分布密度を適正な値にすることができる。また、添加物の量として扱いやすい量であるため、添加物の量を再現性良く混入することができる。

また、上記した本発明の電気光学装置の製造方法において、前記半透過反射膜の形成工程は、前記半透過反射膜の膜厚を５００ｎｍ以下にすることを特徴とする。

この製造方法によれば、半透過反射膜の主成分と比べ、電気陰性度の高い添加物が半透過反射膜の少なくとも面内で組成分布を持つよう形成されている当該半透過反射膜を、電解液に浸すことにより、添加物が密な分布を持つ領域と、該領域周辺とでの電気陰性度の差により、局部電池が形成され、添加物が密な分布を持つ領域近傍のみが選択的に電蝕される。この際、半透過反射膜の膜厚が５００ｎｍを超えると、添加物が密な分布を持つ部分が、電蝕中に取れることで局部電池が形成されなくなってしまい、エッチングが止まる。そのため、凹部が形成されるだけとなり、半透過反射膜を貫通する孔が形成されなくなる。そのため、光の透過性を確保できなくなる。５００ｎｍ以下の膜厚とした場合は、局部電池による電蝕により、半透過反射膜を貫通する孔部を形成することができる。

また、上記した本発明の電気光学装置の製造方法において、前記半透過反射膜の形成工程は、前記半透過反射膜上に、透光性を有する導体膜を形成することを特徴とする。

この製造方法によれば、半透過反射膜上に設けられた、裏面からの入射光の一部を透過させるための孔部分にも導体膜が形成される。そのため、孔部分にも電位が供給されるようになり、孔部分に導体膜がない場合と比べ、電気光学物質に均一に電界を印加することができるため、表示品質を向上させることができる。

また、上記した本発明の電気光学装置の製造方法において、前記半透過反射膜の形成工程は、前記電気光学物質を保持する基板上に、マトリクス状に構成された複数の画素の各々に、突起又は孔からなる複数の凹凸が分散した状態の凹凸形成膜を形成し、当該凹凸形成膜の表面に前記半透過反射膜を形成することを特徴とする。

この製造方法によれば、凹凸形成膜の表面に半透過反射膜が積層されている。そのため、半透過反射膜は凹凸形成膜の凹凸を反映して、凹凸形状を有することとなる。凹凸形状を有する半透過反射膜の表面から入射された光は、凹凸形状部分で散乱されるため、平らな面に半透過反射膜を積層した場合に発生する正反射を防ぐことができる。

また、上記した本発明の電気光学装置の製造方法は、前記電気光学物質を保持する基板に、他の電気光学物質を保持する基板を対向配置させる工程と、前記２枚の基板の間に前記電気光学物質としての液晶を保持させる工程とを更に有することを特徴とする。

この製造方法によれば、ＣＲＴやプラズマディスプレイなどと比べて消費電力の小さい液晶パネルに本発明を適用できるため、携帯電話やモバイルコンピュータなど消費電力を抑えたい機器に適合した表示体を得ることができる。

また、上記した本発明の電気光学装置の製造方法は、前記２枚の基板のうちの少なくとも一方に、カラーフィルタ層を形成する工程を更に有することを特徴とする。

この製造方法によれば、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方に、カラーフィルタ層が形成されるため、反射表示でも、透過表示でもカラーフィルタの色に対応した色が表示できるようになるため、カラー表示を行なう電子機器の表示部として用いることができる。

また、上記した本発明の電気光学装置の製造方法は、電気光学物質を保持する複数の基板の内の少なくとも一方に、全反射膜が設けられている電気光学装置の製造方法において、前記全反射膜を構成する主成分より電気陰性度の高い添加物を、電解液の存在下で前記添加物と前記主成分とが局部電池を形成するよう前記全反射膜中の表面および表面近傍に前記添加物の濃度分布を付与して前記全反射膜を成膜した後、前記複数の基板のうちの一枚以上の前記基板に対して前記局部電池による電蝕反応を用いたエッチングを前記電解液内で行ない、裏面からの入射光の一部を透過させるための孔を前記全反射膜にあけることで、前記全反射膜から半透過反射膜を形成することを特徴とする。

この製造方法によれば、局部電池による電蝕反応を用いたエッチングの有無で、反射型電気光学装置と、半透過反射型電気光学装置を作り分けることができる。そのため、反射型電気光学装置と、半透過反射型電気光学装置との市場での需要変動が不明な場合、電蝕工程手前までの製造工程を終了させた状態で在庫としておくことで、市場での需要変動に対応していくことができる。

また、上記した本発明の電気光学装置の製造方法を用いて製造された電気光学装置は、簡便な方法で画質の高い半透過反射型の電気光学装置を提供できる。そのため各種の電子機器の表示部として応用することができる。

また、本発明による電気光学装置を搭載した電子機器は、例えば液晶を用いたパネルでは、消費電力の小さい携帯電話やモバイルコンピュータを実現できる。

本発明に係る実施形態の半透過反射型電気光学装置の製造方法について図面を参照して説明する。

（半透過反射型電気光学装置の基本的な構成）
図１は、本発明を適用した半透過反射型電気光学装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ′断面図である。図３は、半透過反射型電気光学装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

図１および図２において、本形態の半透過反射型電気光学装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内には、電気光学物質としての液晶５０が挟持されている。

ＴＦＴアレイ基板１０には、ＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０を遮光するために、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されているＴＦＴ３０の位置と対応させたブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３が形成されている。
シール材５２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、および実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、更に、周辺見切り５３の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が形成されている。

なお、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（テープ オートメイテッド ボンディング）基板をＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。なお、半透過反射型電気光学装置１００では、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。

また、半透過反射型電気光学装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極（後述する）に対向する領域に、後述するＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタ層をその保護膜とともに形成する。

このような構造を有する半透過反射型電気光学装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、およびこの画素電極９ａを駆動するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。

ここで、液晶５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大していく。その結果、全体として半透過反射型電気光学装置１００からは画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光が出射される。

なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い半透過反射型電気光学装置１００が実現できる。なお、蓄積容量６０を形成する方法としては、図３に例示するように、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３ａとの間に形成する場合のいずれであってもよい。

（ＴＦＴアレイ基板１０の構成）
図４は、本形態の半透過反射型電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図５（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの画素の断面図、および半透過反射膜の光透過孔周辺を拡大して示す断面図である。

図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、これら各画素電極９ａに対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接続している。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、画素電極９ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′に対向するように走査線３ａが延びている。なお、蓄積容量６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１ａの半導体膜を導電化したものを下電極とし、この下電極に、容量線３ｂが上電極として重なった構造になっている。

図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、画素１００ａのＡ−Ａ′線における断面は、ＴＦＴアレイ基板１０の基体たる透明な基板１０′の表面に、厚さが３００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１ａが形成されている。半導体膜１ａの表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として通っている。半導体膜１ａのうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介して対峙する領域がチャネル領域１ａ′になっている。このチャネル領域１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領域１ｂおよび高濃度ソース領域１ｄを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域１ｃおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えるドレイン領域が形成されている。

画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、および厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５が形成されている。第１層間絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。第１層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。

第２層間絶縁膜５の上層には、有機系樹脂などの感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜１３ａ、およびポリシラザンや有機系樹脂などからなる上層側凹凸形成膜７ａがこの順に形成され、上層側凹凸形成膜７ａの表面には、反射モードでの表示を行うための重量％で０．５％銅を含むアルミニウムからなる半透過反射膜８ａが形成されている。半透過反射膜８ａには、透過モードでの表示を行うための光透過孔８ｄが形成されている。光透過孔８ｄを介して裏面からの光が透過するため、全体としてある程度の透過率を持った光透過膜として半透過反射膜８ａは機能する。また、光透過孔８ｄ以外の部分では表面側からの光を反射するため、全体としてある程度の反射率を持った光反射膜としても半透過反射膜８ａは機能する。

半透過反射膜８ａの上層には、ＩＴＯ膜９からなる透明な画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、半透過反射膜８ａの表面に直接積層され、画素電極９ａと半透過反射膜８ａとは電気的に接続されている。また、画素電極９ａは、上層側凹凸形成膜７ａおよび第２層間絶縁膜５に形成されたコンタクトホール５ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。ここで、半透過反射膜８ａは、コンタクトホール５ｂ内には形成されていないが、画素電極９ａに電気的に接しており、実質、画素電極９ａおよびコンタクトホール５ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している状態にある。

画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２には、ポリイミド膜に対してラビング処理が施されている。

また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成されている。

なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、および低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個のみ配置したシングルゲート構造に代えて、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにダブルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。

（凹凸パターン８ｇの構成）
図４および図５（Ａ）、（Ｂ）において、ＴＦＴアレイ基板１０では、各画素１００ａの反射領域には、半透過反射膜８ａの表面のうち、ＴＦＴ３０の形成領域から外れた領域（光反射膜形成領域）には、凸部および凹部を備えた凹凸パターン８ｇが形成されている。

このような凹凸パターン８ｇを構成するにあたって、ＴＦＴアレイ基板１０では、半透過反射膜８ａの下層側のうち、半透過反射膜８ａと平面的に重なる領域には、有機系の感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜１３ａが第２層間絶縁膜５の表面に複数の柱状突起（凹凸）として所定の分布をもって形成され、この下層側凹凸形成膜１３ａの上層には、ポリシラザンや有機系樹脂などといった流動性材料から形成された絶縁膜からなる上層側凹凸形成膜７ａが積層されている。このため、半透過反射膜８ａの表面には、下層側凹凸形成膜１３ａの凹凸に対応する凹凸パターン８ｇが形成され、この凹凸パターン８ｇでは、上層側凹凸形成膜７ａによって、下層側凹凸形成膜１３ａのエッジなどが出ないようになっている。
なお、上層側凹凸形成膜７ａを形成せずに、下層側凹凸形成膜１３ａを形成した後、ベーク工程を行うことにより、下層側凹凸形成膜１３ａの凹凸の縁を滑らかにすることもある。
ここで、下層側凹凸形成膜１３ａにおいて凹凸を形成する柱状突起は、円形、あるいは略多角形の平面形状を有している。

（対向基板２０の構成）
図５（Ａ）、（Ｂ）において、対向基板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３、およびＲ、Ｂ、Ｇに対応するカラーフィルタ層２５が形成され、その上層側には、保護膜（図示せず）、およびＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成され、この配向膜２２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。

（半透過反射膜８ａの構成）
このように構成した半透過反射型電気光学装置１００において、半透過反射膜８ａは、例えば重量％で０．５％の銅を添加物として含んだアルミニウムで構成されており、後述する電蝕反応を用いて光透過孔８ｄが形成されている。光透過孔８ｄは、光反射膜形成領域上でランダムに配置され、孔径の中心値は１μｍ以下である。

なお、半透過反射膜８ａの主成分はアルミニウムに限らず、アルミニウム合金あるいはアルミニウム化合物、または銀、銀合金あるいは銀化合物、またはチタン、チタン合金、チタン化合物、またはクロム、クロム合金、クロム化合物などの中から選ぶことができる。

また、添加物は銅に限らず、珪素、モリブデン、タングステン、白金、または金などの中から、半透過反射膜８ａより電気陰性度の高い物質の中から少なくとも１種類以上を選択して良い。

また、光透過孔８ｄの部分にある液晶５０にも電位を伝え、光透過孔８ｄの領域に形成された液晶５０も駆動するよう半透過反射膜８ａ上には４０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の膜厚を有するＩＴＯ膜９が形成されている。

（動作）
このように構成した半透過反射型電気光学装置１００において、半透過反射膜８ａには光透過孔８ｄが形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０の背面側に配置されたバックライト装置（図示せず）から出射された光は、ＴＦＴアレイ基板１０の光透過孔８ｄを透過して液晶層に入射して対向基板２０の側から出射することにより透過モードでカラー画像を表示する。

また、対向基板２０側から入射した外光をＴＦＴアレイ基板１０側の半透過反射膜８ａで反射して対向基板２０側から出射することにより、反射モードでカラー画像を表示する。

この際、半透過反射膜８ａの、光透過孔８ｄは、アルミニウム中に添加物として混入された銅の面内での濃度分布により、電解液である現像液中で局部電池を形成して電蝕反応を起こすことで、半透過反射膜８ａ中に光透過孔８ｄを形成している。そのため、局部電池が形成されていない部分の半透過反射膜８ａは全く腐蝕されず、半透過反射膜８ａ局部電池領域以外の表面は変質しない。

それ故、半透過反射膜８ａは光透過孔８ｄを形成した後でも成膜した時点での初期反射率、あるいはこの初期反射率の少なくとも９０％以上の反射率を可視領域全体にわたって有する。それ故、反射モードの際、表示光量を十分確保できるとともに、品位の高いカラー画像を表示できる。

（ＴＦＴアレイ基板１０の製造方法）
本形態に係るＴＦＴアレイ基板１０を製造する方法を、図６および図７を参照して説明する。

図６および図７はいずれも、本形態のＴＦＴアレイ基板１０の製造方法を示す工程断面図であり、いずれの図においても、ＴＦＴ形成領域、および光反射膜形成領域の断面を示してある。

なお、本形態のＴＦＴアレイ基板１０を製造するにあたって、ＴＦＴ３０などの製造工程は、いわゆる低温プロセスと称せられる方法が採用され、このような方法については、すでに周知であるため、本形態のＴＦＴアレイ基板１０の特徴と関連する工程のみを説明する。

本形態のＴＦＴアレイ基板１０を製造するにあたっては、図６（Ａ）に示すように、ガラス製等の基板１０′の表面にＴＦＴ３０を形成した以降、第２層間絶縁膜５にコンタクトホール５ｂを形成する。

次に、第２層間絶縁膜５の表面に、有機系の感光性樹脂１３を塗布した後、感光性樹脂１３を露光マスク５１０を介して露光する。ここで、感光性樹脂１３としてはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いてもよいが、図６（Ａ）には、感光性樹脂１３としてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３を除去したい部分に対して、露光マスク５１０の透光部分５１１を介して紫外線が照射される。

次に、露光した感光性樹脂１３を現像して、図６（Ｂ）に示すように、半透過反射膜８ａの下層側のうち、半透過反射膜８ａと平面的に重なる領域に、図５（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明した柱状突起、およびコンタクトホール５ｂを備えた下層側凹凸形成膜１３ａを形成する。

次に、図６（Ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜５および下層側凹凸形成膜１３ａの表面側に、ペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物を塗布した後、焼成して、あるいは有機系樹脂からなる流動性材料７を塗布した後、図６（Ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してのパターニングにより、コンタクトホール５ｂを備えた上層側凹凸形成膜７ａを形成する。

なお、ペルヒドロポリシラザンとは無機ポリシラザンの一種であり、大気中で焼成することによってシリコン酸化膜に転化する塗布型コーティング材料である。たとえば、東燃（株）製のポリシラザンは、−（ＳｉＨ2 ＮＨ）−を単位とする無機ポリマーであり、キシレンなどの有機溶剤に可溶である。従って、この無機ポリマーの有機溶媒溶液（たとえば、２０％キシレン溶液）を塗布液としてスピンコート法（たとえば、２０００ｒｐｍ、２０秒間）で塗布した後、４５０℃の温度で大気中で焼成すると、水分や酸素と反応し、ＣＶＤ法で成膜したシリコン酸化膜と同等以上の緻密な非晶質のシリコン酸化膜を得ることができる。

ここで、上層側凹凸形成膜７ａは、流動性を有する材料を塗布したものから形成されるため、上層側凹凸形成膜７ａの表面には、下層側凹凸形成膜１３ａの凹凸を適度に打ち消して、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇが形成される。

なお、上層側凹凸形成膜７ａを形成せずに、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇを形成する場合には、図６（Ｂ）に示す状態でベーク工程を行って、下層側凹凸形成膜１３ａの縁を滑らかな形状にすればよい。

次に、図６（Ｅ）に示すように、スパッタ法によって、上層側凹凸形成膜７ａの表面にアルミニウム中に銅を添加物として０．５％程度加えた半透過反射膜８ａを形成する。スパッタ条件は、ターゲットとして銅を０．５％含むアルミニウムを使用し、典型的な製造条件として、スパッタに用いるガスにアルゴンを用い、反応チャンバの圧力を０．１〜２Ｐａ、スパッタ時に用いるパワーを、０．５〜５０Ｗ／ｃｍ2程度を用いており、１００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚を有するよう形成する。なお、膜厚は若干の電気抵抗の増加が容認できる場合、１００ｎｍ以下でも良く、例えば１０ｎｍ程度の膜厚を用いてもよい。

また、添加物の量は重量％で、０．０１％以下では添加物量の制御性が悪く実用性に乏しく、５０％を超える量では局部電池同士が短絡するためやはり実用性に乏しいものとなるため、添加物の量は重量％で０．０１％以上、５０％以下の組成範囲をとる必要性がある。さらに、０．１％〜２０．０％の間が添加物量の制御性が良く、さらに局部電池同士が短絡するようなこともなく好ましい濃度範囲となる。

次に、図７（Ａ）に示すように、裏面からの光を透過させるための光透過孔８ｄを半透過反射膜８ａに形成するためのエッチングを行なう。エッチング液には、フォトリソグラフィ工程で用いているＴＭＡＨ(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)を主成分とする現像液を用いる。

現像液は、本来レジストのみを溶かし現像するものであり、通常、アルミニウムを腐蝕しない。しかしながら、アルミニウム中に添加物として銅が混入されていると銅の面内での濃度分布により、電解液である現像液中で局部電池が形成されるため電蝕反応を起こし、アルミニウムのエッチングが進行し、光透過孔８ｄが形成される。

このとき、電蝕されない部分では、エッチング等の現象を起こさないため、エッチングされていない領域のアルミニウムは殆ど腐蝕されない。そのため、極めて低ダメージでアルミニウムのエッチングを行なうことができ、アルミニウムの高い反射率を損ねることなく半透過反射膜８ａを形成することができる。このエッチング処理で形成される光透過孔８ｄの直径の中心値は、１μｍ以下程度である。また、銅の濃度分布を用いて局部電池を形成しているため、光透過孔の位置はランダムに発生する。そのため、半透過反射型電気光学装置１００にとって好ましくない干渉色などは発生しない。

また、このエッチング工程で用いられている現像液は半透過反射型電気光学装置１００の製造工程ですでに用いられているものであり、製造工程で実績のある物質で処理できるため、液晶装置製造時に悪影響を与える可能性を持つ新規の物質を用いる必要がない。

次に、水洗、乾燥した後、図７（Ｂ）に示すように、半透過反射膜８ａ上にＩＴＯ膜９を形成する。ＩＴＯ膜９は主に半透過反射膜８ａの孔部分に電位を伝えるために形成されるもので、スパッタ法により形成されている。

次に、図７（Ｃ）に示すように、ＩＴＯ膜９の表面に対して、レジストマスク５５７を形成する。

次に、レジストマスク５５７を介してＩＴＯ膜９、および半透過反射膜８ａのエッチングを行い、所定領域に半透過反射膜８ａおよびＩＴＯ膜９を残す。

この際、ＩＴＯ膜９、および半透過反射膜８ａに対するエッチングでは、同一のエッチングガスを用いたドライエッチング、あるいは同一のエッチング液を用いたウエットエッチングにより、ＩＴＯ膜９、および半透過反射膜８ａを一括してパターニングする。また、ＩＴＯ膜９に対するエッチングガスあるいはエッチング液と、半透過反射膜８ａに対するエッチングガスあるいはエッチング液とを変えて、２回のエッチングにより、ＩＴＯ膜９、および半透過反射膜８ａを各々パターニングしてもよい。

このようにして形成した半透過反射膜８ａおよびＩＴＯ膜９の表面には、下層側凹凸形成膜１３ａによって５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形成され、かつ、この凹凸パターン８ｇは、上層側凹凸形成膜７ａによって、エッジのない、なだらかな形状になっている。

次に、レジストマスク５５７を除去して、図７（Ｄ）に示すように、半透過反射膜８ａとドレイン電極６ｂとを電気的に繋げ、不要部分を除去した構造を形成する。

上記構成を形成した後、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、画素電極９ａの表面側に配向膜１２としてのポリイミド膜を形成する。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリドンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）する。次に、ポリイミド膜を形成した基板１０´をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０が完成する。

このように本形態の半透過反射型電気光学装置１００の製造方法では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面側に半透過反射膜８ａを局部電池を用いて、フォトリソグラフ工程で用いられている現像液でエッチングするため、半透過反射膜８ａの反射部分では殆どエッチングされず、現像液による損傷を受けることがない。そのため、成膜時の高い反射率を維持したままで半透過反射膜８ａを形成することができる。それ故、反射モードの際、表示光量を十分確保できるとともに、品位の高いカラー画像を表示できる。

また半透過反射膜８ａは、添加物としての銅濃度の面内分布によるアルミニウム中での局部電池を用いて光透過部を開孔するため、レジストマスクを用いて光透過部を形成する場合と比べ、短工程で光透過部を形成することができる。

さらに、現像液に浸すエッチング工程を行なわなければ半透過反射膜８ａは反射膜となるので、１工程の有無のみで半透過反射膜８ａと単純な反射膜という２種類の液晶パネルを形成することができる。

（変形例１）本実施形態では、半透過反射膜８ａは、アルミニウムを主成分とし、添加物として銅を加えたターゲットを用いて、スパッタ法によりＴＦＴアレイ基板１０上に銅の面内分布を持つアルミニウム薄膜を形成し、局部電池によって開孔し半透過反射膜８ａを形成したが、これはアルミニウム薄膜を形成した後、アルミニウム薄膜中に銅を添加物としてイオン注入して銅の面内分布を持つアルミニウム薄膜を形成してもよい。

また、この際用いられる薄膜の主成分はアルミニウムに限定する必要はなく、例えばアルミニウム合金あるいはアルミニウム化合物、または銀、銀合金あるいは銀化合物、またはチタン、チタン合金、チタン化合物、またはクロム、クロム合金、クロム化合物を用いても良い。また、薄膜の主成分としては今述べた物質に限らず、光を反射する物質であれば用いることができる。

また、この際用いられる添加物は銅に限定する必要はなく、これは珪素、モリブデン、タングステン、白金、または金の中から、前記薄膜の主成分よりも電気陰性度が高い物質を用いても良い。また、添加物としては今述べた物質に限らず、前記薄膜の主成分よりも電気陰性度が高い物質であれば用いることができる。

（変形例２）本実施形態では、半透過反射膜８ａはアルミニウム中に銅を添加物として加えた状態で成膜しているが、これは、アルミニウム薄膜を形成した後、銅の平均膜厚が２０ｎｍ以下になるようにスパッタ法を用いて添加物としての銅を導入しても良い。平均膜厚が薄くなるよう添加物を導入すると、面内で島状に分布するため、局部電池を形成することができる。なお、添加物の平均膜厚は５ｎｍ以下程度が局部電池の密度が適正になるためより望ましい。

また、この際用いられる薄膜の主成分はアルミニウムに限定する必要はなく、例えばアルミニウム合金あるいはアルミニウム化合物、または銀、銀合金あるいは銀化合物、またはチタン、チタン合金、チタン化合物、またはクロム、クロム合金、クロム化合物を用いても良い。また、薄膜の主成分としては今述べた物質に限らず、光を反射する物質であれば用いることができる。

また、この際用いられる添加物は銅に限定する必要はなく、これは珪素、モリブデン、タングステン、白金、または金の中から、前記薄膜の主成分よりも電気陰性度が高い物質を用いても良い。また、添加物としては今述べた物質に限らず、前記薄膜の主成分よりも電気陰性度が高い物質であれば用いることができる。

（変形例３）本実施形態では、半透過反射膜８ａ上にＩＴＯ膜９を積層することで孔部に電位を伝えているが、これはＩＴＯに限定する必要はなく、光透過性を有する導電体、例えば金属薄膜を用いてもよい。

［その他の実施の形態］
本発明は、全反射型の電気光学装置に適用してもよい。このような全反射型の電気光学装置については、半透過反射膜８ａに光透過孔８ｄを形成しない点を除き、半透過反射型電気光学装置１００と構成が同一であるため、その説明を省略する。

また、上記のいずれの形態も、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に説明したが、画素スイッチング素子としてＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置、あるいはパッシブマトリクス型の液晶装置、さらには液晶以外の電気光学物質を用いた半透過反射型電気光学装置に本発明を適用してもよい。

［半透過反射型電気光学装置の電子機器への適用］
このように構成した半透過反射型電気光学装置１００、あるいは反射型の電気光学装置は、各種の電子機器の表示部として用いることができ、その一例を、図８、図９（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。

図８は、実施形態の半透過反射型電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。

図８において、電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述した半透過反射型電気光学装置１００を用いることができる。

表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。

表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。

図９（Ａ）は、電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した半透過反射型電気光学装置１００を含んで構成される。

図９（Ｂ）は、電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した半透過反射型電気光学装置１００からなる表示部とを有している。

[発明の効果]
次に、本実施形態を用いることで得られる効果について記述する。

（１）半透過反射膜８ａの主成分であるアルミニウムと比べ、電気陰性度の高い銅を面内で組成分布を持つよう形成して、電解液である現像液に浸すことにより、銅が密な分布を持つ領域と、該領域周辺とでの電気陰性度の差により、局部電池が形成され、銅が密な分布を持つ領域近傍のみが選択的に電蝕される。

さらに電蝕処理を続けることで添加物が密な分布を持つ領域近傍に光を透過させるための孔をあけることができる。このように電解液に浸す工程を行なうだけで半透過反射膜を作ることができるため、通常のフォトリソグラフ工程を行ない反射膜に孔をあけ半反射透過膜を作る工程と比べ短い工程で半透過反射膜を形成することができる。

また、電蝕反応を用いてエッチングしているので、スパッタ法での成膜時に生じる孔欠陥や凹入欠陥を用いる方法と比べ反射膜の膜厚を厚くすることができる。そのため反射膜の電気抵抗を低減することができる。

また、エッチング液として、フォトリソグラフ工程で用いられているアルミニウムを腐蝕しない現像液を用いたため、局部電池以外の領域では半透過反射膜８ａは殆ど損傷を受けることなくエッチングが行なわれる。そのため、光反射率を損じることなく半透過反射膜８ａを形成することができる。

（２）アルミニウムを主成分とした半透過反射膜８ａを用いたため、可視光域では９０％以上の反射率を持っているアルミニウムの特性を生かして、入射された光を効率的に反射する半透過反射膜８ａを形成することができる。また、アルミニウムと比べ電気陰性度の高い銅を添加物として用いたため、効果的に局部電池を形成することができ、局部電池領域以外では半透過反射膜８ａに殆ど損傷を受けることなく半透過反射膜８ａを形成することができる。

（３）半透過反射膜８ａ中の添加物である銅を、重量比率として０．０１％よりも大きな値で添加したため、スパッタ用ターゲットとして、扱いやすい濃度範囲にあるため、添加物である銅の濃度が再現性良く作れる。そのためターゲットを交換しても銅の重量比率を安定して保つことができる。
また、重量比率として５０％以下の値で銅を添加したため、局部電池間のショートに起因するエッチング不良を防ぐことができる。

（４）半透過反射膜８ａ中の添加物である銅を、重量比率として０．５％となるよう添加したため、局部電池を適正な密度で発生させることができる。また、スパッタ用ターゲットとして、扱いやすい濃度範囲にあるため、添加物である銅の濃度が再現性良く作れるため、ターゲットを交換しても銅の重量比率を安定して保つことができる。

（５）半透過反射膜８ａを、膜厚を５００ｎｍ以下の範囲で形成したため、半透過反射膜８ａの電蝕中に局部電池を構成する銅の濃度が高い部分が、電蝕中に外れることなく、半透過反射膜８ａ中に光透過孔を開孔することができる。

（６）半透過反射膜８ａ上に設けられた、裏面からの入射光の一部を透過させるための孔部分にもＩＴＯ膜９が形成される。そのため、孔部分にも電位が供給されるようになり、孔部分にＩＴＯ膜９がない場合と比べ、液晶５０に均一な電界を印加することができるため、表示品質を向上させることができる。

（７）凹凸パターン８ｇの表面に半透過反射膜が積層されているため、半透過反射膜８ａは凹凸パターン８ｇの凹凸を反映して、凹凸形状を有することとなる。凹凸形状を有する半透過反射膜８ａの表面から入射された光は散乱されるため、平らな面に半透過反射膜を積層した場合に発生する正反射を防ぐことができる。

（８）電子機器の液晶パネル７４にカラーフィルタ層２５を形成したため、反射表示でも、透過表示でもカラーフィルタの色に対応した色が表示され、カラー表示を行なう半透過反射型電気光学装置１００を形成することができる。

（９）局部電池による電蝕反応を用いたエッチングの有無で、反射型電気光学装置と、半透過反射型電気光学装置１００とを作り分けることができる。そのため、反射型電気光学装置と、半透過反射型電気光学装置との市場での需要変動が不明な場合、電蝕工程手前までの製造工程を終了させた状態で在庫としておくことで、市場での需要変動に対応できる。

（１０）半透過反射型電気光学装置１００、あるいは反射型の電気光学装置に代表される各種の電子機器の表示部として消費電力がＣＲＴ等と比べ小さい液晶パネル７４を用いたため、携帯電話やモバイルコンピュータなどに適合した表示部が形成できる。

（１１）アクティブマトリクス型の電気光学装置１００を、上述した電気光学装置の製造方法を用いた液晶表示装置として製造したため、画質の高い表示装置を提供することができる。

（１２）前述した電気光学装置１００を搭載した電子機器は、例えば前述した液晶表示装置を用いているため、液晶表示装置の特徴である低消費電力での表示が可能となり、消費電力の小さい携帯電話やモバイルコンピュータを実現できる。

半透過反射型電気光学装置を対向基板の側からみたときの平面図である。 図１のＨ−Ｈ′線における断面図である。 半透過反射型電気光学装置において、マトリクス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配線などの等価回路図である。 本発明を適用した半透過反射型電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの画素の断面図、および半透過反射膜の光透過孔周辺を拡大して示す断面図である。 （Ａ）〜（Ｆ）は、本発明を適用した半透過反射型電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。 （Ａ）〜（Ｄ）は、本発明を適用した半透過反射型電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図６に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。 本発明を適用した半透過反射型電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る半透過反射型電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータ、および携帯電話機の説明図である。

符号の説明

１００…液晶装置としての半透過反射型電気光学装置、１０…電気光学物質を保持する基板としてのＴＦＴアレイ基板、１０′…基板、１０１…データ線駆動回路、１０２…実装端子、１０４…走査線駆動回路、１０５…配線、１０６…基板間導通材、１００ａ…画素、１ａ…半導体膜、１ａ′…チャネル領域、１ｂ…低濃度ソース領域、１ｃ…低濃度ドレイン領域、１ｄ…高濃度ソース領域、１ｅ…高濃度ドレイン領域、１ｆ…下電極としての延設部分、１１…下地保護膜、１２…配向膜、１３…感光性樹脂、１３ａ…下層側凹凸形成膜、２０…他の電気光学物質を保持する基板としての対向基板、２…ゲート絶縁膜、２１…対向電極、２２…配向膜、２３…遮光膜、２５…カラーフィルタ層、３０…ＴＦＴ、３ａ…走査線、３ｂ…容量線、４…第１層間絶縁膜、５…表面保護膜としての第２層間絶縁膜、５ｂ…コンタクトホール、５０…液晶、５２…シール材、５３…周辺見切り、５１０…露光マスク、５１１…透光部分、５５７…レジストマスク、６０…蓄積容量、６ａ…データ線、６ｂ…ドレイン電極、７…流動性材料、７ａ…上層側凹凸形成膜、７０…表示情報出力源、７１…表示情報処理回路、７２…電源回路、７６…駆動回路、８ａ…半透過反射膜、８ｄ…光透過孔、８ｇ…凹凸パターン、８０…パーソナルコンピュータ、８１…キーボード、８２…本体部、８３…液晶表示ユニット、９…ＩＴＯ膜、９ａ…画素電極、９０…携帯電話機、９１…操作ボタン。

Claims (12)

1. 電気光学物質を保持する基板に、表面からの入射光の一部を反射させ、かつ裏面からの入射光の一部を透過させる半透過反射膜が設けられている電気光学装置の製造方法において、
   前記半透過反射膜の形成工程は、
   前記半透過反射膜を構成する主成分より電気陰性度の高い添加物を、電解液の存在下で前記添加物と前記主成分とが局部電池を形成するよう前記半透過反射膜中の表面および表面近傍に前記添加物の濃度分布を付与して前記半透過反射膜を成膜する成膜工程と、
   前記局部電池による電蝕反応を用いたエッチングを前記電解液中で行なうことで、前記裏面からの入射光の一部を透過させるための孔をあける前記半透過反射膜のエッチング工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記半透過反射膜の形成工程は、アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム化合物、銀、銀合金、銀化合物、チタン、チタン合金、チタン化合物、クロム、クロム合金、またはクロム化合物のいずれかを主成分として含む半透過反射膜を用い、
   また前記添加物には、銅、珪素、モリブデン、タングステン、白金、または金の中から選定され、かつ前記半透過反射膜の主成分となる物質と比べ電気陰性度が高い元素を少なくとも１種類以上を含む物質を用いることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 前記半透過反射膜の形成工程は、前記半透過反射膜中の添加物の比率を、重量比率として０．０１％以上から５０％以下の範囲にすることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記半透過反射膜の形成工程は、前記半透過反射膜中の添加物の比率を、重量比率として０．１％以上から２０．０％以下の範囲にすることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 前記半透過反射膜の形成工程は、前記半透過反射膜の膜厚を５００ｎｍ以下にすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
6. 前記半透過反射膜の形成工程は、前記半透過反射膜上に、透光性を有する導体膜を形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
7. 前記半透過反射膜の形成工程は、前記電気光学物質を保持する基板上に、マトリクス状に構成された複数の画素の各々に、突起又は孔からなる複数の凹凸が分散した状態の凹凸形成膜を形成し、当該凹凸形成膜の表面に前記半透過反射膜を形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
8. 前記電気光学物質を保持する基板に、他の電気光学物質を保持する基板を対向配置させる工程と、前記２枚の基板の間に前記電気光学物質としての液晶を保持させる行程とを更に有することを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 前記２枚の基板のうちの少なくとも一方に、カラーフィルタ層を形成する行程を更に有することを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
10. 電気光学物質を保持する複数の基板の内の少なくとも一方に、全反射膜が設けられている電気光学装置の製造方法において、
    前記全反射膜を構成する主成分より電気陰性度の高い添加物を、電解液の存在下で前記添加物と前記主成分とが局部電池を形成するよう前記全反射膜中の表面および表面近傍に前記添加物の濃度分布を付与して前記全反射膜を成膜した後、
    前記複数の基板のうちの一枚以上の前記基板に対して前記局部電池による電蝕反応を用いたエッチングを前記電解液内で行ない、裏面からの入射光の一部を透過させるための孔を前記全反射膜にあけることで、前記全反射膜から半透過反射膜を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 請求項１ないし１０のいずれか一項に記載された電気光学装置の製造方法を用いて製造された電気光学装置。
12. 請求項１１に記載された電気光学装置を搭載した電子機器。
    

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