JP2006108918A - 撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】固体撮像素子の動作温度が高い場合、明線および暗線の線状欠陥を検出し、検出された線状欠陥の画素信号を補正する撮像装置および画素信号の補正方法を提供するにある。
【解決手段】固体撮像素子３を遮光状態で動作させ、固体撮像素子３の画素信号に基づいて固体撮像素子３の線状欠陥を線状欠陥検出補正回路６により検出し、検出された線状欠陥のアドレスを記憶しておく。撮像装置の使用時には、線状欠陥検出補正回路６により固体撮像素子３の動作温度を検出し、しきい値と比較し、固体撮像素子３の動作温度が高いと判定されたときには、記憶された線状欠陥のアドレスを読み出し、固体撮像素子３のアドレスに対応する線状欠陥の画素信号を補正する。
【選択図】図１

Description

本発明は、固体撮像素子の動作温度を検出し、検出された動作温度に基づいて固体撮像素子の欠陥画素の画素信号を補正する撮像装置および画素信号の補正方法に関する。

ビデオカメラやデジタルカメラのような撮像装置により撮影された画像には、固体撮像素子に起因する様々な画像欠陥が現れる。画像欠陥には、画像内の同位置に現れる固定パターン雑音（fixed pattern noise；ＦＰＮ）があり、良く知られる固定パターン雑音としては、黒欠陥や白点（白傷）がある。
例えば、白点は、画素（光電変換素子、センサともいう）を構成する半導体が金属イオンよる汚染を受けたり、半導体の結晶性がダメージを受けたときに、暗電流が発生し、周辺画素に対して信号出力が大きくなることにより発生する。暗電流は、固体撮像素子の動作温度の上昇に伴い増大する。このため、固体撮像素子の動作温度を検出し、検出された動作温度に基づいて固体撮像素子により出力される白点の画素信号を補正する撮像装置が開示されている（例えば、特許文献１および２参照）。
特開平９−２３３５８号公報 特開平１１−３１７５１６号公報

ところで、これらの画像欠陥の他に固体撮像素子の固定パターン雑音として、水平方向の周囲画素よりもわずかに画素信号が上昇した垂直方向に延びる線状欠陥（以下、明線ともいう）および水平方向の周囲画素よりもわずかに画素信号が低下した垂直方向に延びる線状欠陥（以下、暗線ともいう）が現れることがある。
この明線および暗線は、固体撮像素子の動作温度が４０℃以下のときには、ほとんど認識されず、固体撮像素子の動作温度が５０℃を超える高温状態で現れる。このことから、明線および暗線は、固体撮像素子の垂直転送レジスタの暗電流に起因して発生すると考えられた。

明線は、例えば白点と同様、垂直転送レジスタを構成する半導体が金属イオンよる汚染を受けたり、半導体の結晶性がダメージを受けたときに、暗電流が発生し、周辺画素に対して信号出力が大きくなることにより発生する。また、固体撮像素子の各垂直転送レジスタには、暗電流のばらつきがあり、ばらつきの程度が大きい場合には、明線または暗線となる。例えば、他の垂直転送レジスタに比べ信号電荷を転送する転送路の幅が大きいときには明線が発生し、他の垂直転送レジスタに比べ信号電荷を転送する転送路の幅が小さいときには暗線が発生する。

固体撮像素子では、画素や垂直転送レジスタの暗電流を低減する努力は行われているものの、暗電流を格段に低減する術はなく、また、固体撮像素子の動作温度を低減することも高集積化・高密度化の中で困難な状況にある。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、その目的は、固体撮像素子の動作温度が高い場合、明線および暗線の線状欠陥を検出し、検出された線状欠陥の画素信号を補正する撮像装置および画素信号の補正方法を提供するにある。

上記目的を達成するため、本発明の撮像装置は、画素信号を出力する固体撮像素子と、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥のアドレスを記憶する線状欠陥アドレス記憶手段と、前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出手段と、前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定手段と、前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記線状欠陥アドレス記憶手段に記憶された線状欠陥のアドレスを読み出し、前記固体撮像素子により出力された前記アドレスに対応する前記線状欠陥の画素信号を補正する補正手段とを備えたことを特徴とする。
また、本発明の画素信号の補正方法は、固体撮像素子により出力された画素信号を補正する画素信号の補正方法であって、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を検出する線状欠陥検出ステップと、前記線状欠陥検出ステップで検出された前記線状欠陥のアドレスを記憶する線状欠陥アドレス記憶ステップと、前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出ステップと、前記動作温度検出ステップで検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定ステップと、前記判定ステップで前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記線状欠陥アドレス記憶ステップで記憶された線状欠陥のアドレスを読み出し、前記固体撮像素子により出力された前記アドレスに対応する前記線状欠陥の画素信号を補正する補正ステップとを含むことを特徴とする。
また、本発明の撮像装置は、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１列または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像素子と、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥のアドレスを記憶する線状欠陥アドレス記憶手段と、前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出手段と、前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定手段と、前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記線状欠陥アドレス記憶手段に記憶された線状欠陥のアドレスを読み出し、前記固体撮像素子により出力された前記アドレスに対応する前記線状欠陥の画素信号を補正する補正手段とを備えたことを特徴とする。
また、本発明の撮像装置は、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１行または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送して前記第１の垂直転送レジスタに転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像素子と、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥のアドレスを記憶する線状欠陥アドレス記憶手段と、前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出手段と、前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定手段と、前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記線状欠陥アドレス記憶手段に記憶された線状欠陥のアドレスを読み出し、前記固体撮像素子により出力された前記アドレスに対応する前記線状欠陥の画素信号を補正する補正手段とを備えたことを特徴とする。
また、本発明の撮像装置は、画素信号を出力する固体撮像素子と、前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出手段と、前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定手段と、前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記固体撮像素子により出力された画素信号を補正する補正手段とを備え、前記固体撮像素子は、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１列または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有し、前記補正手段は、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像装置により出力された画素信号との比率を用い、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記線状欠陥を構成する画素の前記比率とを対応付けて記憶する線状欠陥記憶手段と、前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段と、前記線状欠陥記憶手段に記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび対応する比率を読み出し、前記垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に前記比率を乗算し、前記線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分を演算する欠陥成分演算手段と、前記欠陥成分演算手段により演算された欠陥成分に基づいて前記固体撮像装置により出力された前記アドレスの線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分を除去する欠陥成分除去手段とを有することを特徴とする。
また、本発明の撮像装置は、画素信号を出力する固体撮像素子と、前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出手段と、前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定手段と、前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記固体撮像素子により出力された画素信号を補正する補正手段とを備え、前記固体撮像素子は、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１列または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有し、前記補正手段は、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を検出する線状欠陥検出手段と、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段と、前記線状欠陥検出手段により検出された線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を演算する比率演算手段と、前記線状欠陥検出手段により検出された線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記比率演算手段により演算された対応する前記画素の比率とを対応付けて記憶する線状欠陥記憶手段と、前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段と、前記線状欠陥記憶手段に記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび対応する比率を読み出し、前記第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に前記比率を乗算し、前記画素の画素信号の欠陥成分を演算する欠陥成分演算手段と、前記欠陥成分演算手段により演算された欠陥成分に基づいて前記固体撮像装置により出力された前記アドレスに対応する画素の画素信号の欠陥成分を除去する欠陥成分除去手段とを有することを特徴とする。
また、本発明の画素信号の補正方法は、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１列または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像素子により出力された画素信号を補正する画素信号の補正方法であって、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させ、前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を検出する線状欠陥検出ステップと、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させ、前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップと、前記線状欠陥検出ステップで検出された線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップで検出された垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を演算する比率演算ステップと、前記線状欠陥検出ステップで検出された線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記比率演算ステップで演算された対応する画素の比率とを対応付けて記憶する線状欠陥記憶ステップと、前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出ステップと、前記動作温度検出ステップで検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定ステップと、前記判定ステップで前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記固体撮像素子により出力された画素信号を補正する補正ステップとを含み、前記補正ステップは、前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップと、前記線状欠陥記憶ステップで記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび対応する比率を読み出し、前記第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップで検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に前記比率を乗算し、前記画素の画素信号の欠陥成分を演算する欠陥成分演算ステップと、前記欠陥成分演算ステップで演算された欠陥成分に基づいて前記固体撮像装置により出力された前記アドレスに対応する欠陥画素の画素信号の欠陥成分を除去する欠陥成分除去ステップとを含むことを特徴とする。
また、本発明の撮像装置は、画素信号を出力する固体撮像素子と、前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出手段と、前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定手段と、前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記固体撮像素子により出力された画素信号を補正する補正手段とを備え、前記固体撮像素子は、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１行または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送して前記第１の垂直転送レジスタに転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有し、前記補正手段は、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像装置により出力された画素信号との比率を用い、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記線状欠陥を構成する画素の前記比率とを対応付けて記憶する線状欠陥記憶手段と、前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段と、前記線状欠陥記憶手段に記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび対応する比率を読み出し、前記垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に前記比率を乗算し、前記線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分を演算する欠陥成分演算手段と、前記欠陥成分演算手段により演算された欠陥成分に基づいて前記固体撮像装置により出力された前記アドレスに対応する画素の画素信号の欠陥成分を除去する欠陥成分除去手段とを有することを特徴とする。
また、本発明の画素信号の補正方法は、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１行または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送して前記第１の垂直転送レジスタに転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像素子により出力された画素信号を補正する画素信号の補正方法であって、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させ、前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を検出する線状欠陥検出ステップと、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させ、前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップと、前記線状欠陥検出ステップで検出された線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップで検出された垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を演算する比率演算ステップと、前記線状欠陥検出ステップで検出された線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記比率演算ステップで演算された対応する画素の比率とを対応付けて記憶する線状欠陥記憶ステップと、前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出ステップと、前記動作温度検出ステップで検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定ステップと、前記判定ステップで前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記固体撮像素子により出力された画素信号を補正する補正ステップとを含み、前記補正ステップは、前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップと、前記線状欠陥記憶ステップで記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび対応する比率を読み出し、前記第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップで検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に前記比率を乗算し、前記欠陥画素の画素信号の欠陥成分を演算する欠陥成分演算ステップと、前記欠陥成分演算ステップで演算された欠陥成分に基づいて前記固体撮像装置により出力された前記アドレスに対応する画素の画素信号の欠陥成分を除去する欠陥成分除去ステップとを含む、
ことを特徴とする。

本発明の撮像装置によれば、まず、線状欠陥アドレス記憶手段により前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥のアドレスが記憶される。次に、動作温度検出手段により前記固体撮像素子の動作温度を検出し、判定手段により前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する。そして、前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたときには、補正手段により前記線状欠陥アドレス記憶手段に記憶された線状欠陥のアドレスを読み出し、前記固体撮像素子により出力された前記アドレスに対応する前記線状欠陥の画素信号を補正する。
したがって、固体撮像素子の動作温度が高温になったときには、固体撮像素子により出力される線状欠陥の画素信号を補正することができるので線状欠陥のない画質が良好な画像を出力することができる。
また、本発明の画素信号の補正方法によれば、まず、線状欠陥検出ステップで前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を検出し、線状欠陥アドレス記憶ステップで前記線状欠陥検出ステップで検出された前記線状欠陥のアドレスを記憶する。次に、動作温度検出ステップで前記固体撮像素子の動作温度を検出し、判定ステップで前記動作温度検出ステップで検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する。そして、前記判定ステップで前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたときには、補正ステップで前記線状欠陥アドレス記憶ステップで記憶された線状欠陥のアドレスを読み出し、前記固体撮像素子により出力された前記アドレスに対応する前記線状欠陥の画素信号を補正する。
したがって、固体撮像素子の動作温度が高温になったときには、固体撮像素子により出力される線状欠陥の画素信号を補正することができるので線状欠陥のない画質が良好な画像を出力することができる。
また、本発明の撮像装置によれば、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１列または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像素子に対し、上記の撮像装置と同様の線状欠陥の補正を行う。
したがって、上記の撮像装置と同様の効果を有する。
また、本発明の撮像装置によれば、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１行または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送して前記第１の垂直転送レジスタに転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像素子に対し、上記の撮像装置と同様の線状欠陥の補正を行う。
したがって、上記の撮像装置と同様の効果を有する。
また、本発明の撮像装置によれば、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１列または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像素子に対し、まず、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像装置により出力された画素信号との比率を用い、線状欠陥記憶手段により前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記線状欠陥を構成する画素に対応する前記比率とを対応付けて記憶する。次に、垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する。そして、欠陥成分演算手段により前記線状欠陥記憶手段に記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび対応する比率を読み出し、前記垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に前記比率を乗算し、前記線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分を演算する。次に、欠陥成分除去手段により前記欠陥成分演算手段により演算された欠陥成分に基づいて前記固体撮像装置により出力された前記アドレスに対応する線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分を除去する。
このため、第２の垂直転送レジスタの画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を利用し、遮光状態で求められた固体撮像素子の線状欠陥を構成する画素の画素信号と垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を動作状態の固体撮像素子の垂直転送レジスタ起因暗電流に乗算して線状欠陥を構成する画素の画素信号に含まれる欠陥成分を演算し、演算された欠陥成分に基づいて線状欠陥を構成する画素の画素信号に含まれる欠陥成分を除去することができる。
したがって、温度に依存する固体撮像素子の垂直転送レジスタ起因暗電流を検出し、欠陥画素を補正することができるので、線状欠陥を構成する画素を精度良く補正することができる。また、線状欠陥を構成する画素のアドレスとその比率とを対応付けて記憶するので、メモリ容量を小さくすることができる。また、周辺画素の画素信号に基づいて線状欠陥を構成する画素の画素信号を置き換える必要がないので、画像の解像度を低下させることなく、エッジ部分を正しく補正し、シャープな画像を得ることができる。
また、本発明の撮像装置によれば、前記補正手段に、線状欠陥検出手段、第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段、比率演算手段を設け、前記線状欠陥検出手段により、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を検出するとともに、第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出し、前記比率演算手段により前記線状欠陥検出手段により検出された線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を演算し、前記線状欠陥記憶手段に前記線状欠陥検出手段により検出された線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記比率演算手段により演算された対応する線状欠陥を構成する画素の比率とを対応付けて記憶する。
したがって、いちいち専用の装置により線状欠陥を検出し、線状欠陥を構成する画素のアドレスとその比率を求める必要がない。
また、本発明の画素信号の補正方法によれば、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１列または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像素子に対し、まず、線状欠陥検出ステップで前記固体撮像素子を遮光状態で動作させ、前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を検出し、第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップで前記固体撮像素子を遮光状態で動作させ、前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する。次に、比率演算ステップで前記線状欠陥検出ステップで検出された線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップで検出された垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を演算し、線状欠陥記憶ステップで前記線状欠陥検出ステップで検出された線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記比率演算ステップで演算された対応する線状欠陥を構成する画素の比率とを対応付けて記憶する。次に、動作温度検出ステップで前記固体撮像素子の動作温度を検出し、判定ステップで前記動作温度検出ステップで検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する。そして、前記判定ステップで前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたときには、補正ステップで前記固体撮像素子により出力された画素信号を補正する。さらに、補正ステップで、第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップで前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出し、欠陥成分演算ステップで前記線状欠陥記憶ステップで記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび対応する比率を読み出し、前記第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップで検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に前記比率を乗算し、前記線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分を演算し、欠陥成分除去ステップで前記欠陥成分演算ステップで演算された欠陥成分に基づいて前記固体撮像装置により出力された前記アドレスに対応する線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分を除去する。
このため、第２の垂直転送レジスタの画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を利用し、遮光状態で求められた固体撮像素子の線状欠陥を構成する画素の画素信号と垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を動作状態の固体撮像素子の垂直転送レジスタ起因暗電流に乗算して線状欠陥を構成する画素の画素信号に含まれる欠陥成分を演算し、演算された欠陥成分に基づいて線状欠陥を構成する画素の画素信号に含まれる欠陥成分を除去することができる。
したがって、温度に依存する固体撮像素子の垂直転送レジスタ起因暗電流を検出し、線状欠陥を構成する画素を補正することができるので、線状欠陥を構成する画素を精度良く補正することができる。また、線状欠陥を構成する画素のアドレスとその比率とを対応付けて記憶するので、メモリ容量を小さくすることができる。また、周辺画素の画素信号に基づいて線状欠陥を構成する画素の画素信号を置き換える必要がないので、画像の解像度を低下させることなく、エッジ部分を正しく補正し、シャープな画像を得ることができる。
また、本発明の撮像装置によれば、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１行または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送して前記第１の垂直転送レジスタに転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像装置に対し、上記の撮像装置と同様の線状欠陥の補正を行う。
したがって、上記の撮像装置と同様の効果を有する。
また、本発明の画素信号の補正方法によれば、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、前記画素部の周囲に１行または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送して前記第１の垂直転送レジスタに転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、前記複数の第１の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像装置に対し、上記の画素信号の補正方法と同様の線状欠陥の補正を行う。
したがって、上記の画素信号の補正方法と同様の効果を有する。

上記目的を達成するため、固体撮像素子を遮光状態で動作させ、固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を検出し、検出された線状欠陥のアドレスを記憶しておく。撮像装置の使用時には、固体撮像素子の動作温度を検出し、検出された固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、固体撮像素子の動作温度がしきい値より高いかどうかを判定する。そして、固体撮像素子の動作温度がしきい値より高いと判定されたときには、記憶された線状欠陥のアドレスを読み出し、固体撮像素子により出力されたアドレスに対応する線状欠陥の画素信号を補正する。

以下、本発明の実施例１の撮像装置および画素信号の補正方法について図面を参照して説明する。
図１は、実施例１の撮像装置の概略構成を示す図である。
図１に示すように、実施例１の撮像装置は、レンズ１、絞り２、固体撮像素子３、ＣＤＳ（Correlated Double Sampling）回路４、ＡＤ（Analog to Digital）変換回路５、線状欠陥検出補正回路６、画像処理回路７、ＣＰＵ８、線状欠陥ＲＯＭ９、画像ＲＡＭ１０および記録媒体１１を備える。

レンズ１は、入射された光を固体撮像素子３に結像する。絞り２は、固体撮像素子３の入射光量を調節するとともに、メカシャッタとなる。固体撮像素子３は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）からなり、入射された光を信号電荷に変換し、画素信号として出力する複数の画素を有し、これら複数の画素により出力された画素信号（画像信号）を出力する。ＣＤＳ回路４は、固体撮像素子３により出力された画素信号に相関二重サンプリング処理を施し、画素信号に含まれるノイズを除去する。ＡＤ変換回路５は、ＣＤＳ回路４により出力されたアナログ画素信号をデジタル画素信号に変換する。線状欠陥検出補正回路６は、ＡＤ変換回路５により出力されたデジタル画素信号に基づいて、固体撮像素子３を遮光状態で動作させたときに固体撮像素子３により出力された画像の垂直方向に延びる線状欠陥（後述する明線および暗線）を検出するととともに、検出された線状欠陥を構成する画素の画素信号を補正する。線状欠陥検出補正回路６による線状欠陥の検出は、この撮像装置（固体撮像素子３）の出荷前の検査時に製造者により行われる。

画像処理回路７は、線状欠陥補正回路６により出力された画素信号にガンマ補正等の種々の画像処理を施し出力する。ＣＰＵ８は、この撮像装置の各部を制御する。線状欠陥ＲＯＭ９は、この撮像装置（固体撮像素子３）の検査時に線状欠陥検出補正回路６により検出された線状欠陥を構成する画素のアドレスを記憶する。線状欠陥検出補正回路６は、この撮像装置の購入後の撮影時（通常の撮影時ともいう）には、線状欠陥アドレスＲＯＭ９に記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスを読み出し、読み出されたアドレスに対応する画素の画素信号を補正する。画像ＲＡＭ１０は、画像処理回路７により出力された画素信号のバッファメモリとなるとともに、線状欠陥検出補正回路６により固体撮像素子３の線状欠陥を検出する際の作業用メモリとなる。記録媒体１１は、ビデオテープ、メモリカード等の交換可能な記録媒体からなり、画像処理回路７により出力された画素信号（画像信号）を記録する。

図２は、図１に示される固体撮像素子の画素部の構成を示す図である。
図２に示すように、固体撮像素子３の画素部２０は、有効画素部２１、水平前ＯＰＢ（Optical Black）部２２、水平後ＯＰＢ部２３、水平転送レジスタ２４および出力回路２５を備える。
有効画素部２１は、行列状に配列され、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する複数の有効画素（不図示）と、複数の有効画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数列の垂直転送レジスタ（不図示）とを備える。
複数の有効画素は、入射される光を透過するＲ（Red）、Ｇ（Green）およびＢ（Blue）のいずれか一つの色の色フィルタを有する。複数の有効画素は、色フィルタを通して光を入射し、入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する。垂直転送レジスタは、複数の有効画素の行数と同数の転送素子を有し、これらの転送素子により１画素毎に画素信号を垂直方向に転送する。垂直転送レジスタには、入射される光を遮光する遮光膜が形成されている。

水平前ＯＰＢ部２２は、複数の有効画素と同行の行列状に配列された複数の遮光画素（不図示）と、複数の遮光画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数列の垂直転送レジスタ（不図示）とを備える。
複数の遮光画素および複数列の垂直転送レジスタには、入射される光を遮光する遮光膜が形成されている。複数の遮光画素は、複数の有効画素と同様に光電変換を行い画素信号を出力するが、光が入射されず、光に関係のない電荷を蓄積する。複数の遮光画素は、固体撮像素子３の動作時の光学的黒レベルを検出するのに用いられる。複数列の垂直転送レジスタは、有効画素部２１の垂直転送レジスタと同じ構成である。

水平後ＯＰＢ部２３は、複数列の垂直転送レジスタ（不図示）を備える。
複数列の垂直転送レジスタには、入射される光を遮光する遮光膜が形成されている。複数列の垂直転送レジスタは、有効画素部２１の垂直転送レジスタと同じ構成である。複数列の垂直転送レジスタは、画素値が０の画素信号を転送する。複数列の垂直転送レジスタは、固体撮像素子３の動作時の無信号レベルを検出するのに用いられる。

水平転送レジスタ２４は、有効画素部２１、水平前ＯＰＢ部２２および水平後ＯＰＢ部２３の複数列の垂直転送レジスタにより垂直方向に転送された画素信号を取り出し、水平方向に転送する。水平転送レジスタ２４は、有効画素部２１、水平前ＯＰＢ部２２および水平後ＯＰＢ部２３の垂直転送レジスタの列数と同数の転送素子を有し、これらの転送素子により１画素毎に画素信号を水平方向に転送する。出力回路２５は、水平転送レジスタ２４により水平方向に転送された画素信号（信号電荷）を電圧に変換し次段のＣＤＳ回路４に出力する。

図３は、図２に示される固体撮像素子により出力される画素信号の説明図である。
ここで、固体撮像素子３には、明るさが一様な光が入射されるものとする。また、有効画素の色フィルタの影響は無視するものとする。
図３に示すように、固体撮像素子３の１ラインを走査すると、有効画素部２１、水平前ＯＰＢ部２２および水平後ＯＰＢ部２３のそれぞれにレベルの異なる画素信号が得られる。
有効画素部２１、水平前ＯＰＢ部２２および水平後ＯＰＢ部２３のないブランキング領域の画素信号は、レベルが「０」である。水平後ＯＰＢ部２３から得られる画素信号は、無信号レベルの画素信号であり、垂直転送レジスタの転送により発生した垂直転送レジスタ起因の暗電流によるものである。水平前ＯＰＢ部２２から得られる画素信号は、光学的黒レベルの画素信号であり、光に関係なく蓄積され変換された遮光画素のセンサ起因の暗電流と垂直転送レジスタ起因の暗電流とを含む。有効画素部２１から得られる画素信号は、光信号レベルの画素信号であり、入射された光を光電変換した有効画素の光起因信号と光に関係なく蓄積され変換された有効画素のセンサ起因の暗電流と垂直転送レジスタ起因の暗電流とを含む。

言い換えれば、固体撮像素子３に光が入射すると、遮光膜のない有効画素部２１は、光起因信号、センサ起因の暗電流および垂直転送レジスタ起因の暗電流を含む光信号レベルの画素信号を出力し、遮光膜が形成された水平前ＯＰＢ部２２は、センサ起因の暗電流および垂直転送レジスタ起因の暗電流を含む光学的黒レベルの画素信号を出力し、水平後ＯＰＢ部２３は、垂直転送レジスタ起因の暗電流を含む無信号レベルの画素信号を出力する。

図４は、固体撮像素子の線状欠陥の一例を示す図である。また、図５は、線状欠陥を有する固体撮像素子により出力される画素信号の説明図である。
固体撮像素子を高温で動作させたときには、図４に示すように、画像の垂直方向に延びる線状欠陥（明線および暗線）が発生する場合がある。この画像の１ライン（Ｘ−Ｘ'面）を走査すると、図５に示すように、有効画素部２１に画素信号レベルがわずかに上昇および低下した部分が現れる。これらの部分は、全てのラインに現れ、図４に示される線状欠陥（明線および暗線）として認識される。明線および暗線は、図５中、点線で示されるように、ある垂直転送レジスタの垂直転送レジスタ起因の暗電流が他の垂直転送レジスタの垂直転送レジスタ起因の暗電流よりもわずかに上昇および低下することにより発生する。

図６は、図１に示される線状欠陥検出補正回路６の構成を示す図である。
前述のように、線状欠陥検出補正回路６は、撮像装置の出荷前の検査時に固体撮像素子３の線状欠陥を検出するとともに、撮像装置の購入後の撮影時に線状欠陥ＲＯＭ９に記憶された欠陥画素のアドレスを読み出し、読み出されたアドレスに対応する画素信号を補正する。
線状欠陥の検出は、固体撮像装置を遮光状態で動作させて行われる。さらに、線状欠陥の検出は、固体撮像装置３を短い露光時間またはセンサ起因暗電流を読み出さないように読み出し電圧を印加しない状態で動作させて行うのが望ましい。一般に、画素部２０の有効画素部２１の有効画素および水平前ＯＰＢ部２２の遮光画素により発生するセンサ起因暗電流は、画素部２０の有効画素部２１、水平前ＯＰＢ部２２および水平後ＯＰＢ部２３の垂直転送レジスタにより発生する垂直転送レジスタ起因暗電流に比べ小さい。このため、短い露光時間またはセンサ起因暗電流を読み出さないように読み出し電圧を印加しない状態で固体撮像装置３を動作させたときには、センサ起因暗電流を垂直転送レジスタ起因暗電流に対し無視できる程度に小さくすることができる。これにより、明線および暗線の発生の元になる垂直転送レジスタ起因暗電流を精度良く検出することができる。

図６に示すように、線状欠陥検出補正回路６は、線状欠陥検出手段３１、線状欠陥記憶制御手段３２、温度センサ３３、温度検出手段３４、温度判定手段３５および線状欠陥補正手段３６を備える。

線状欠陥検出手段３１は、固体撮像素子３により出力された画素信号に基づいて線状欠陥を検出する。線状欠陥検出手段３１は、例えば、水平方向に隣接する画素の信号レベル（画素信号）の差を検出し、信号レベルの差がしきい値以上のとき、線状欠陥と判定する。
また、線状欠陥検出手段３１は、固体撮像素子３により出力された画素信号（正確には、有効画素部２１の有効画素および水平前ＯＰＢ部２２の遮光画素の画素信号）を水平後ＯＰＢ２３の画素信号（例えば、水平後ＯＰＢ２３の複数の画素信号の平均値等）と比較し、信号レベルの差がしきい値以上のとき、線状欠陥と判定するように構成するとよい。
水平後ＯＰＢ２３の画素信号は、センサ起因暗電流を含まず、垂直転送レジスタ起因暗電流のみを含むので、垂直転送レジスタ起因暗電流を精度良く求めることができる。したがって、有効画素部２１および水平前ＯＰＢ部２２の垂直転送レジスタの線状欠陥をいっそう精度良く検出することができる。

また、線状欠陥検出回路３１は、画像内の１列分の画素信号を累積加算し、累積加算された画素信号を比較して線状欠陥を検出するように構成することができる。また、線状欠陥検出回路３１は、固体撮像素子３により出力された複数枚の画像の同位置の画素信号を累積加算し、累積加算された画素信号を比較して線状欠陥を検出するように構成することができる。
画素信号を累積加算する場合、固体撮像素子３のランダム雑音を排除することができるので、いっそう精度良く線状欠陥を検出することができる。なお、画素信号の累積加算のために画像ＲＡＭ１０が使用される。

線状欠陥記憶制御手段３２は、線状欠陥検出手段３１により検出された線上欠陥を構成する画素のアドレスを線状欠陥ＲＯＭ９に記憶する。温度センサ３３は、固体撮像素子３の温度を直接測定し、測定された温度に相当する信号を出力する。温度検出手段３４は、温度センサ３３により出力された信号に基づいて固体撮像素子３の動作温度を特定する。温度判定手段３５は、温度検出手段３４により特定された固体撮像素子３の動作温度をしきい値と比較し、固体撮像素子３の動作温度がしきい値より高いかどうか判定する。

線状欠陥補正手段３６は、温度判定手段３５により固体撮像素子３の動作温度が高いと判定されたとき、線状欠陥アドレスＲＯＭ９に記憶された線上欠陥を構成する画素のアドレスを読み出し、固体撮像素子３により出力された前記アドレスに対応する線状欠陥を構成する画素の画素信号を補正する。線状欠陥補正手段３６は、例えば、線状欠陥でない周辺画素に基づいて線状欠陥を構成する画素を補正する。例えば、線状欠陥を構成する画素の画素信号を複数の周辺画素の画素信号の平均値や中央値（メディアン値）で置き換える。

次に、実施例１の撮像装置の動作を説明する。
レンズ１および絞り２を通して光が固体撮像素子３に入射されると、固体撮像素子３の画素部２０の有効画素部２１の複数の有効画素により光量に応じた電荷が蓄積される。同時に、水平前ＯＰＢ部２２の複数の遮光画素に光と関係なく電荷が蓄積される。次に、有効画素部２１の複数の有効画素に蓄積された信号電荷が画素信号としてそれぞれの垂直転送レジスタにより取り出され、水平前ＯＰＢ部２２の複数の遮光画素に蓄積された信号電荷が画素信号としてそれぞれの垂直転送レジスタにより取り出され、垂直方向に転送される。同時に、水平後ＯＰＢ部２３の垂直転送レジスタにより画素値が「０」の画素信号が垂直方向に転送される。そして、有効画素部２１、水平前ＯＰＢ部２２および水平後ＯＰＢ部２３のそれぞれの垂直転送レジスタにより垂直方向に転送された画素信号が水平転送レジスタ２３により水平方向に転送され、出力回路２５により画素信号（信号電荷）が電圧に変換され、次段のＣＤＳ回路４に出力される。

固体撮像素子３により出力された画素信号は、ＣＤＳ回路４によりノイズが除去され、ＡＤ変換回路５によりアナログ画素信号からデジタル画素信号に変換され、線状欠陥検出補正回路６に入力される。

ここで、線状欠陥を有する画素信号の補正方法を、ステップＳ１〜Ｓ５により説明する。
撮像装置の出荷前の検査時には、線状欠陥検出回路６の線状欠陥検出手段３１により固体撮像装置３の線状欠陥が検出される。具体的には、線状欠陥検出手段３１により水平方向に隣接する画素の信号レベル（画素信号）の差が検出され、信号レベルの差がしきい値以上のとき、線状欠陥と判定される（ステップＳ１）。次に、線状欠陥検出手段３１により検出された欠陥画素のアドレスが線状欠陥記憶制御手段３２により線状欠陥ＲＯＭ９に記憶される（ステップＳ２）。

撮像装置の出荷後の撮影時には、線状欠陥検出回路６の温度センサ３３により測定された信号に基づいて温度検出手段３４により固体撮像素子３の動作温度が特定され（ステップＳ３）、特定された動作温度が温度判定手段３４によりしきい値と比較され、固体撮像装置３の動作温度がしきい値より高いかどうか判定される（ステップＳ４）。

温度判定手段３４により固体撮像装置３の動作温度が高いと判定されたときには、線状欠陥補正手段３６により線状欠陥ＲＯＭ９に記憶された線上欠陥を構成する画素のアドレスが読み出され、固体撮像素子３により出力された前記アドレスに対応する線状欠陥を構成する画素の画素信号が補正される。具体的には、線状欠陥を構成する画素の画素信号が複数の周辺画素の画素信号の平均値や中央値（メディアン値）で置き換えられる（ステップＳ５）。

線状欠陥が補正された画素信号は、次段の画像処理回路７に出力され、ガンマ補正等の画像処理が施される。画像処理回路７により出力された画素信号は、画像ＲＡＭ１０に記憶された後、外部出力される、あるいは記録媒体１１に記録される。

このように、実施例１の撮像装置によれば、線状欠陥検出補正回路６により固体撮像素子３の線状欠陥を検出するとともに、線状欠陥を構成する画素の画素信号を補正する。したがって、固体撮像素子３の動作温度が高温になったときには、固体撮像素子３により出力された線状欠陥の画素信号を補正することができるので線状欠陥のない画質が良好な画像を得ることができる。

また、線状欠陥検出補正回路６に線状欠陥検出手段３１を設けるので、いちいち専用の検出装置により線状欠陥を検出する必要がない。したがって、線状欠陥の検出を容易に行うことができる。

また、温度センサ３３を設け、固体撮像素子３の温度を測定する。したがって、簡単な構成により容易に固体撮像素子３の温度を測定することができる。

図７は、図２に示される固体撮像素子３の画素部２０の変形例を示す図である。
実施例１の固体撮像素子３の画素部２０では、有効画素部２１の水平方向に隣接する水平前ＯＰＢ部２２および水平後ＯＰＢ部２３を設け、水平前ＯＰＢ部２２を複数の遮光画素と複数列の垂直転送レジスタとより構成し、水平後ＯＰＢ部２３を複数列の垂直レジスタにより構成しているが、水平前ＯＰＢ部２２および水平後ＯＰＢ部２３の位置を反対に構成してもよい。言い換えれば、図７に示すように、有効画素部２１の水平方向に隣接する水平前ＯＰＢ部２６および水平後ＯＰＢ部２７を設け、水平前ＯＰＢ部２６を複数列の垂直レジスタにより構成し、水平後ＯＰＢ部２７を複数の遮光画素と複数列の垂直転送レジスタとより構成してもよい。

図８は、実施例２の撮像装置の線状欠陥検出補正回路４０の構成を示す図である。また、図９は、センサ起因暗電流、垂直転送レジスタ起因暗電流および線状欠陥の温度特性を示す図である。
図８に示すように、実施例２の撮像装置は、図１に示される実施例１の撮像装置の線状欠陥検出補正回路６を線状欠陥検出補正回路４０に置き換えたものである。また、実施例２の線状欠陥検出補正回路４０は、図６に示される実施例１の線状欠陥検出補正回路６の温度センサ３３および温度検出手段３４を温度検出手段４１に置き換えたものである。
なお、実施例２の撮像装置の他の部分および図８に示される線状欠陥検出補正回路４０の他の部分は、実施例１の撮像装置および線状欠陥検出補正回路６の構成要素と同一であるため、その説明を省略する。

温度検出手段４１は、固体撮像素子３により出力された画素信号に基づいて固体撮像素子３の動作温度を演算する。具体的には、温度検出手段４１は、図２に示される画素部２０の水平後ＯＰＢ部２３から得られた画素信号（垂直転送レジスタ起因暗電流）を利用する。
図９に示すように、センサ起因暗電流および垂直転送レジスタ起因の暗電流は、固体撮像素子３の動作温度と線形の関係を有する。このため、垂直転送レジスタ起因暗電流を含む無信号レベルの画素信号に基づいて固体撮像素子３の動作温度を演算することができる。

具体的には、固体撮像素子３により出力された水平後ＯＰＢ部２３の画素信号（垂直転送レジスタ起因暗電流）と固体撮像素子３の動作温度とを対応付けた演算テーブルを例えば、図１に示される線状欠陥ＲＯＭ９に線状欠陥のアドレスとともに記憶しておく。
温度検出手段４１は、固体撮像素子３により出力された水平後ＯＰＢ部２３の画素信号に対応する固体撮像素子３の動作温度を線状欠陥ＲＯＭ９に記憶された演算テーブルに基づいて演算する。線状欠陥ＲＯＭ９の演算テーブルの画素信号は飛び飛びの値を取るので、固体撮像素子３により出力された画素信号に対し内挿による補間演算を行えば、いっそう精度良く固体撮像素子３の動作温度を演算することができる。

このように実施例２の撮像装置によれば、温度検出手段４１により固体撮像素子３より出力された水平後ＯＰＢ部２３の画素信号に基づいて固体撮像素子３の動作温度を演算する。したがって、固体撮像素子３の動作温度を高精度に求めることができるので、確実に線状欠陥を補正することができる。

図１０は、実施例３の撮像装置の線状欠陥検出補正回路５０の構成を示す図である。
図１０に示すように、実施例３の撮像装置は、実施例１の撮像装置の線状欠陥検出補正回路６を線状欠陥検出補正回路５０に置き換えたものである。
なお、実施例３の撮像装置の他の部分は、図１に示される実施例１の撮像装置の構成要素と同一であるため、その説明を省略する。

図１０は、実施例３の線状欠陥検出補正回路５０の構成を示す図である。
線状欠陥検出補正回路５０は、撮像装置の出荷前の検査時に固体撮像素子３の線状欠陥を検出するとともに、撮像装置の購入後の撮影時に線状欠陥ＲＯＭ９に記憶された線状欠陥のアドレスおよび比率（後述）を読み出し、この比率に基づいてアドレスに対応する画素信号を補正する。線状欠陥の検出は、実施例１と同様に固体撮像装置を遮光状態で動作させて行われる。さらに、線状欠陥の検出は、短い露光時間またはセンサ起因暗電流を読み出さないように読み出し電圧を印加しない状態で固体撮像装置３を動作させて行うのが望ましい。

図１０に示すように、線状欠陥検出補正回路５０は、線状欠陥検出手段５１、垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段５２、比率演算手段５３、線状欠陥記憶制御手段５４、温度センサ５５、温度検出手段５６、温度判定手段５７および線状欠陥補正手段５８を備える。

線状欠陥検出手段５１は、固体撮像素子３により出力された画素信号に基づいて線状欠陥を検出する。線状欠陥検出回路５１は、例えば、水平方向に隣接する画素の信号レベル（画素信号）の差を検出し、信号レベルの差がしきい値以上のとき、線状欠陥と判定する。
また、線状欠陥検出手段５１は、固体撮像素子３により出力された画素信号（正確には、有効画素部２１の有効画素および水平前ＯＰＢ部２２の遮光画素の画素信号）を水平後ＯＰＢ２３の画素信号（例えば、水平後ＯＰＢ２３の複数の画素信号の平均値等）と比較し、信号レベルの差がしきい値以上のとき、線状欠陥と判定するように構成するとよい。
前述のように、水平後ＯＰＢ２３の画素信号は、センサ起因暗電流を含まず、垂直転送レジスタ起因暗電流のみを含むので、垂直転送レジスタ起因暗電流を精度良く求めることができる。したがって、有効画素部２１および水平前ＯＰＢ部２２の垂直転送レジスタの線状欠陥をいっそう精度良く検出することができる。

また、線状欠陥検出回路５１は、画像内の１列分の画素信号を累積加算し、累積加算された画素信号を比較して線状欠陥を検出するように構成することができる。また、線状欠陥検出回路５１は、固体撮像素子３により出力された複数枚の画像の同位置の画素信号を累積加算し、累積加算された画素信号を比較して線状欠陥を検出するように構成することができる。
画素信号を累積加算する場合、固体撮像素子３のランダム雑音を排除することができるので、いっそう精度良く線状欠陥を検出することができる。なお、画素信号の累積加算のために画像ＲＡＭ１０が使用される。

垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段５２は、固体撮像素子３により出力された水平後ＯＰＢ部２３の画素信号（垂直転送レジスタ起因暗電流）を検出する。比率演算手段３３は、この撮像装置の出荷前の検査時に固体撮像素子３を遮光状態で動作させたとき、線状欠陥検出手段３１により検出された欠陥画素の画素信号と垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段５２により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を演算する。

線状欠陥記憶制御手段５４は、線状欠陥検出手段３１により検出された線状欠陥を構成する画素のアドレスと比率演算手段５３により演算された対応する比率とを対応付け、例えば線状欠陥ＲＯＭ９に記憶する。

温度センサ５５は、固体撮像素子３の温度を直接測定し、測定された温度に相当する信号を出力する。温度検出手段５６は、温度センサ５５により出力された信号に基づいて固体撮像素子３の動作温度を特定する。温度判定手段５７は、温度検出手段５６により特定された固体撮像素子３の動作温度をしきい値と比較し、固体撮像素子３の動作温度がしきい値より高いかどうか判定する。

線状欠陥補正手段５８は、温度判定手段５７により固体撮像素子３の動作温度がしきい値より高いと判定されたとき、線状欠陥ＲＯＭ９に記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび比率を読み出し、この比率に基づいて固体撮像素子３により出力された前記アドレスに対応する線状欠陥を構成する画素の画素信号を補正する。具体的には、線状欠陥補正手段５８は、通常の撮影時に垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段５２により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に線状欠陥を構成する画素の比率を乗算することにより線状欠陥を構成する画素の画素信号に含まれる欠陥成分を演算し、演算された欠陥成分から垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段５２により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流を減算して欠陥成分の差分を演算し、演算された差分を前記固体撮像装置により出力された線状欠陥を構成する画素の画素信号から減算して線状欠陥を構成する画素の欠陥成分を除去する。

例えば、遮光状態における垂直転送レジスタ起因暗電流が「１０」のとき、線状欠陥を構成する画素の画素信号「１１」であるとする。この場合、線状欠陥は明線である。このとき、線状欠陥を構成する画素の画素信号と垂直転送レジスタ起因暗電流との比率は「１．１」である。そして、通常の撮影時に垂直転送レジスタ起因暗電流が「２０」になれば、この垂直転送レジスタ起因暗電流は、遮光時のセンサ起因暗電流の２倍であるから、線状欠陥を構成する画素の画素信号も２倍となり、その値は「２２」となる。線状欠陥を構成する画素の画素信号「２２」と垂直転送レジスタ起因暗電流「２０」との差分は「２」となる。この差分「２」を固体撮像素子３により出力された欠陥画素の画素信号から減算すれば、線状欠陥が除去されることになる。

同様に、遮光状態における垂直転送レジスタ起因暗電流が「１０」のとき、線状欠陥を構成する画素の画素信号「９」であるとする。この場合、線状欠陥は暗線である。このとき、線状欠陥を構成する画素の画素信号と垂直転送レジスタ起因暗電流との比率は「０．９」である。そして、通常の撮影時に垂直転送レジスタ起因暗電流が「２０」になれば、この垂直転送レジスタ起因暗電流は、遮光時のセンサ起因暗電流の２倍であるから、線状欠陥を構成する画素の画素信号も２倍となり、その値は「１８」となる。線状欠陥を構成する画素の画素信号「１８」と垂直転送レジスタ起因暗電流「２０」との差分は「−２」となる。この差分「−２」を固体撮像素子３により出力された線状欠陥を構成する画素の画素信号から減算すれば、線状欠陥が除去されることになる。

次に、実施例３の撮像装置の出荷前の検査時の動作を説明する。
絞り２を閉じた遮光状態で撮像装置の撮影が行われる。固体撮像素子３の画面部２０の有効画素部２１の複数の有効画素および水平ＯＰＢ２２の複数の遮光画素により光に関係なく電荷が蓄積される。次に、複数の有効画素および複数の遮光画素に蓄積された信号電荷が画素信号としてそれぞれの垂直転送レジスタにより取り出され、垂直方向に転送される。同時に、水平後ＯＰＢ部２３の垂直転送レジスタにより画素値が「０」の画素信号が垂直方向に転送される。そして、有効画素部２１、水平前ＯＰＢ部２２および水平後ＯＰＢ部２３のそれぞれの垂直転送レジスタにより垂直方向に転送された画素信号が水平転送レジスタ２３により水平方向に転送され、出力回路２５により画素信号（信号電荷）が電圧に変換され、次段のＣＤＳ回路４に出力される。

固体撮像素子３により出力された画素信号は、ＣＤＳ回路４によりノイズが除去され、ＡＤ変換回路５によりアナログ画素信号からデジタル画素信号に変換され、線状欠陥検出補正回路５０に入力される。
ここで、線状欠陥を検出し、線状欠陥のアドレスおよび比率（画素信号と垂直転送レジスタ起因暗電流との比率）を記憶する方法をステップＳ１１〜Ｓ１４で説明する。
線状欠陥検出回路５１により固体撮像装置３の線状欠陥が検出される。具体的には、線状欠陥検出手段５１により注目画素と周辺画素との信号レベル（画素信号）の差が検出され、信号レベルの差がしきい値以上のとき、線状欠陥と判定される（ステップＳ１１）。次に、垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段５２により水平後ＯＰＢ部２３からの複数の画素信号の平均値が演算され、垂直転送レジスタ起因暗電流が求められる（ステップＳ１２）。次に、比率演算手段５３により線状欠陥検出手段５１により検出された線状欠陥を構成する画素の画素信号と垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段５２により演算された垂直転送レジスタ起因暗電流との比率が演算される（ステップＳ１３）。そして、線状欠陥記憶制御手段５４により線状欠陥検出手段５１により検出された線状欠陥を構成する画素のアドレスと比率演算手段３３により演算された対応する線状欠陥を構成する画素の比率とが対応付けられ、線状欠陥ＲＯＭ９に記憶される（ステップＳ１４）。

次に、実施例３の撮像装置の通常の撮影時の動作を説明する。
レンズ１および絞り２を通して光が固体撮像素子３に入射されると、固体撮像素子３の画素部２０の有効画素部２１の複数の有効画素により光量に応じた電荷が蓄積される。同時に、水平前ＯＰＢ部２２の複数の遮光画素に光と関係なく電荷が蓄積される。
次に、複数の有効画素および複数の遮光画素に蓄積された信号電荷が画素信号としてそれぞれの垂直転送レジスタにより取り出され垂直方向に転送される。同時に、水平後ＯＰＢ部２３の垂直転送レジスタにより画素値が「０」の画素信号が垂直方向に転送される。そして、有効画素部２１、水平前ＯＰＢ部２２および水平後ＯＰＢ部２３のそれぞれの垂直転送レジスタにより垂直方向に転送された画素信号が水平転送レジスタ２３により水平方向に転送され、出力回路２５により画素信号（信号電荷）が電圧に変換され、次段のＣＤＳ回路４に出力される。

固体撮像素子３により出力された画素信号は、ＣＤＳ回路４によりノイズが除去され、ＡＤ変換回路５によりアナログ画素信号からデジタル画素信号に変換され、線状欠陥検出補正回路６に入力される。

ここで、線状欠陥の画素信号の補正方法を、ステップＳ２１〜Ｓ２４で説明する。
垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段５２により水平後ＯＰＢ部２３からの複数の画素信号の平均値が演算され、垂直転送レジスタ起因暗電流が求められる（ステップＳ２１）。次に、線状欠陥補正手段５８により線状欠陥ＲＯＭ９に記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび比率が読み出され、各線状欠陥を構成する画素の比率に垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段５２により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流が乗算され、各線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分が演算される（ステップＳ２２）。次に、線状欠陥補正手段３５により線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分から垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段５２により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流が減算され、線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分の差分が演算される（ステップ２３）。次に、固体撮像素子３により出力された前記アドレスに対応する線状欠陥を構成する画素の画素信号から演算された対応する欠陥成分の差分が減算され、線状欠陥を構成する画素の画素信号から欠陥成分が除去されて画素信号が補正される（ステップＳ２４）。

欠陥成分が除去されて補正された画素信号は、次段の画像処理回路７に出力され、ガンマ補正等の画像処理が施される。画像処理回路７により出力された画素信号は、画像ＲＡＭ１０に記憶された後、外部出力される、あるいは記録媒体１１に記録される。

このように、実施例３の撮像装置によれば、線状欠陥検出補正回路５０により固体撮像素子３の線状欠陥を検出し、その画素信号を補正する。したがって、線状欠陥のない画質が良好な画像を得ることができる。
また、線状欠陥検出補正回路５０により線状欠陥を検出し、線状欠陥のアドレスおよび比を線状欠陥ＲＯＭ９に記憶する。したがって、いちいち専用の検出装置により線状欠陥を検出する必要がなく、線状欠陥の検出を容易に行うことができる。

また、線状欠陥検出補正回路５０により遮光状態で求められた固体撮像素子の線状欠陥の画素信号と垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を動作状態の固体撮像素子の垂直転送レジスタ起因暗電流に乗算して線状欠陥の画素信号に含まれる欠陥成分を演算し、演算された欠陥成分に基づいて線状欠陥の画素信号の欠陥成分を除去する。
したがって、温度に依存する固体撮像素子の垂直転送レジスタ起因暗電流を検出し、線状欠陥を補正することができるので、線状欠陥を精度良く補正することができる。

また、線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび比率を対応付けて記憶するので、メモリ容量を小さくすることができる。実施例１のような温度と補正量とを対応付けた演算テーブルは必要ない。また、周辺画素に基づいて線状欠陥を構成する画素の画素信号を置き換える必要がないので、画像の解像度を低下させることなく、エッジ部分を正しく補正し、シャープな画像を得ることができる。

図１１は、実施例４の撮像装置の線状欠陥検出補正回路６０の構成を示す図である。
図１１に示すように、実施例４の撮像装置は、図１０に示される実施例３の撮像装置の線状欠陥検出補正回路５０を線状欠陥検出補正回路６０に置き換えたものである。また、実施例４の線状欠陥検出補正回路６０は、図１０に示される実施例３の線状欠陥検出補正回路５０の温度センサ５５および温度検出手段５６を図８に示される実施例２の温度検出手段４１に置き換えたものである。

このように実施例４の撮像装置によれば、温度検出手段４１により固体撮像素子３より出力された水平後ＯＰＢ部２３の画素信号に基づいて固体撮像素子３の動作温度を演算する。したがって、固体撮像素子３の動作温度を高精度に求めることができるので、確実に線状欠陥を補正することができる。なお、水平前ＯＰＢ部２２と水平後ＯＰＢ部との差分により得られるセンサ起因暗電流を利用して固体撮像素子３の動作温度を演算により求めてもよい。

実施例２および４では、図２に示される水平後ＯＰＢ部２３の画素信号（垂直転送レジスタ起因暗電流）に基づいて固体撮像素子３の動作温度を演算する。水平前ＯＰＢ部２２と水平後ＯＰＢ部との差分により得られるセンサ起因暗電流を利用して固体撮像素子３の動作温度を演算により求めてもよい。実施例３および４では、線状欠陥を構成する画素の画素信号と垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を求める。このため、従来良く知られるオプティカルブラック領域を利用することができる。これに対し、専用のＯＰＢ部を設けてもよい。

図１２〜図１４は、実施例５の固体撮像素子の画素部２０の構成例を示す図である。
図１２は、複数列の垂直転送レジスタを有する専用ＯＰＢ部７１を水平前ＯＰＢ部２２の水平方向に隣接するように配列した例である。
なお、専用ＯＰＢ部７１は、少なくとも１列の垂直転送レジスタを有すればよい。

図１３は、複数列の垂直転送レジスタを有する専用ＯＰＢ部７１を水平後ＯＰＢ部２３の水平方向に隣接するように配列した例である。
なお、専用ＯＰＢ部７１は、少なくとも１列の垂直転送レジスタを有すればよい。

図１４は、複数列の垂直転送レジスタを有する専用ＯＰＢ部７１を有効画素部２１、水平前ＯＰＢ部２２および水平後ＯＰＢ部２３の垂直方向に隣接するように配列した例である。
なお、専用ＯＰＢ部７１は、少なくとも１行の垂直転送レジスタ（転送素子）を有すればよい。

図１２〜図１３に示される専用ＯＰＢ部７１の垂直転送レジスタは、有効画素部２１、水平前ＯＰＢ部２２および水平後ＯＰＢ部２３の垂直転送レジスタに比べ、大きな暗電流が発生するように構成することができる。この場合、垂直転送レジスタ起因暗電流を検出しやすくすることができるので、固体撮像素子３の動作温度を高精度に求めることができる。

実施例１の撮像装置の概略構成を示す図である。 図１に示される固体撮像素子３の画素部２０の構成を示す図である。 図２に示される固体撮像素子３により出力される画素信号の説明図である。 固体撮像素子の線状欠陥の一例を示す図である。 線状欠陥を有する固体撮像素子により出力される画素信号の説明図である。 図１に示される線状欠陥検出補正回路６の構成を示す図である。 図２に示される固体撮像素子の画素部２０の変形例を示す図である。 実施例２の撮像装置の線状欠陥検出補正回路４０の構成を示す図である。 センサ起因暗電流、垂直転送レジスタ起因の暗電流および線状欠陥の温度特性を示す図である。 実施例３の撮像装置の線状欠陥検出補正回路５０の構成を示す図である。 実施例４の撮像装置の線状欠陥検出補正回路６０の構成を示す図である。 実施例５の固体撮像素子３の画素部２０の変形例を示す図である。 実施例５の固体撮像素子３の画素部２０の変形例を示す図である。 実施例５の固体撮像素子３の画素部２０の変形例を示す図である。

符号の説明

１……レンズ、２……絞り、３……固体撮像素子、４……ＣＤＳ回路、５……ＡＤ変換回路、６……線状欠陥検出補正回路、７……画像処理回路、８……ＣＰＵ、９……線状欠陥アドレスＲＯＭ、１０……画像ＲＡＭ、２０……画素部２０、２１……有効画素部、２２……水平前ＯＰＢ部、２３……水平後ＯＰＢ部、２４……水平転送レジスタ、２５……出力回路、３１……線状欠陥検出手段、３２……線状欠陥記憶制御手段、３３……温度センサ、３４……温度検出手段、３５……温度判定手段、３６……線状欠陥補正手段。

Claims (35)

1. 画素信号を出力する固体撮像素子と、
   前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥のアドレスを記憶する線状欠陥アドレス記憶手段と、
   前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出手段と、
   前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定手段と、
   前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記線状欠陥アドレス記憶手段に記憶された線状欠陥のアドレスを読み出し、前記固体撮像素子により出力された前記アドレスに対応する前記線状欠陥の画素信号を補正する補正手段とを備えた、
   ことを特徴とする撮像装置。
2. 前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の前記線状欠陥を検出する線状欠陥検出手段を有することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
3. 固体撮像素子により出力された画素信号を補正する画素信号の補正方法であって、
   前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を検出する線状欠陥検出ステップと、
   前記線状欠陥検出ステップで検出された前記線状欠陥のアドレスを記憶する線状欠陥アドレス記憶ステップと、
   前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出ステップと、
   前記動作温度検出ステップで検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定ステップと、
   前記判定ステップで前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記線状欠陥アドレス記憶ステップで記憶された線状欠陥のアドレスを読み出し、前記固体撮像素子により出力された前記アドレスに対応する前記線状欠陥の画素信号を補正する補正ステップとを含むことを特徴とする画素信号の補正方法。
4. 入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、
   前記画素部の周囲に１列または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、
   前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像素子と、
   前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥のアドレスを記憶する線状欠陥アドレス記憶手段と、
   前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出手段と、
   前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定手段と、
   前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記線状欠陥アドレス記憶手段に記憶された線状欠陥のアドレスを読み出し、前記固体撮像素子により出力された前記アドレスに対応する前記線状欠陥の画素信号を補正する補正手段とを備えた、
   ことを特徴とする撮像装置。
5. 前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の前記線状欠陥を検出する線状欠陥検出手段を有することを特徴とする請求項４記載の撮像装置。
6. 前記線状欠陥検出手段は、前記複数の画素により発生する暗電流が前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより発生する暗電流に対し無視できる程度に小さくなるような短い露光時間または前記複数の画素により発生する暗電流を読み出さないように読み出し電圧を印加しない状態で前記固体撮像素子を動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の前記線状欠陥を検出することを特徴とする請求項５記載の撮像装置。
7. 前記線状欠陥検出手段は、前記固体撮像素子により出力された前記複数の画素の画素信号を相互に比較して前記固体撮像素子の前記線状欠陥を検出することを特徴とする請求項５記載の撮像装置。
8. 前記線状欠陥検出手段は、前記固体撮像素子により出力された前記複数の画素の画素信号を前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号と比較して前記固体撮像素子の前記線状欠陥を検出することを特徴とする請求項５記載の撮像装置。
9. 前記線状欠陥検出手段は、前記固体撮像素子により出力された前記複数の第１の垂直転送レジスタのそれぞれにより転送される１列分の画素信号をそれぞれ累積加算する累積加算手段を有し、前記累積加算手段により累積加算された前記１列分の画素信号に基づいて前記線状欠陥を検出することを特徴とする請求項４記載の撮像装置。
10. 前記線状欠陥検出手段は、前記固体撮像素子により出力された複数枚の画像の同位置の画素信号を累積加算する累積加算手段を有し、前記累積加算手段により累積加算された前記複数枚の同位置の画素信号に基づいて前記線状欠陥を検出することを特徴とする請求項５記載の撮像装置。
11. 前記動作温度検出手段は、前記固体撮像素子の温度を検出する温度センサを有することを特徴とする請求項４記載の撮像装置。
12. 前記動作温度検出手段は、前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の動作温度を演算する動作温度演算手段を有することを特徴とする請求項４記載の撮像装置。
13. 前記動作温度検出手段は、前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流と前記固体撮像素子の動作温度とを対応付けた演算テーブルを記憶する演算テーブル記憶手段を有し、
    前記動作温度演算手段は、前記演算テーブル記憶手段に記憶された演算テーブルに基づいて前記固体撮像素子の動作温度を演算することを特徴とする請求項１２記載の撮像装置。
14. 前記補正手段は、前記線状欠陥の画素信号を前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて線状欠陥として検出されない前記線状欠陥の周辺画素の画素信号に基づいて補正することを特徴とする請求項４記載の撮像装置。
15. 前記第２の垂直転送レジスタは、前記第１の垂直転送レジスタに比べ、大きな暗電流が発生するように構成されていることを特徴とする請求項４記載の撮像装置。
16. 前記第２の垂直転送レジスタは、画素信号の黒レベルを検出するためのオプティカルブラック領域を構成することを特徴とする請求項４記載の撮像装置。
17. 入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、
    前記画素部の周囲に１行または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送して前記第１の垂直転送レジスタに転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、
    前記複数の第１の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像素子と、
    前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥のアドレスを記憶する線状欠陥アドレス記憶手段と、
    前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出手段と、
    前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定手段と、
    前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記線状欠陥アドレス記憶手段に記憶された線状欠陥のアドレスを読み出し、前記固体撮像素子により出力された前記アドレスに対応する前記線状欠陥の画素信号を補正する補正手段とを備えた、
    ことを特徴とする撮像装置。
18. 画素信号を出力する固体撮像素子と、
    前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出手段と、
    前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定手段と、
    前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記固体撮像素子により出力された画素信号を補正する補正手段とを備え、
    前記固体撮像素子は、
    入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、
    前記画素部の周囲に１列または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、
    前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有し、
    前記補正手段は、
    前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像装置により出力された画素信号との比率を用い、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記線状欠陥を構成する画素の前記比率とを対応付けて記憶する線状欠陥記憶手段と、
    前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段と、
    前記線状欠陥記憶手段に記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび対応する比率を読み出し、前記垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に前記比率を乗算し、前記線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分を演算する欠陥成分演算手段と、
    前記欠陥成分演算手段により演算された欠陥成分に基づいて前記固体撮像装置により出力された前記アドレスの線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分を除去する欠陥成分除去手段とを有する、
    ことを特徴とする撮像装置。
19. 前記動作温度検出手段は、前記固体撮像素子の温度を検出する温度センサを有することを特徴とする請求項１８記載の撮像装置。
20. 前記動作温度検出手段は、前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の動作温度を演算する動作温度演算手段を有することを特徴とする請求項１８記載の撮像装置。
21. 前記動作温度検出手段は、前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流と前記固体撮像素子の動作温度とを対応付けた演算テーブルを記憶する演算テーブル記憶手段を有し、
    前記動作温度演算手段は、前記演算テーブル記憶手段に記憶された演算テーブルに基づいて前記固体撮像素子の動作温度を演算することを特徴とする請求項２０記載の撮像装置。
22. 前記補正手段は、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたとき、前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の前記線状欠陥を検出する線状欠陥検出手段を有することを特徴とする請求項１８記載の撮像装置。
23. 前記線状欠陥検出手段は、前記複数の画素により発生する暗電流が前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより発生する暗電流に対し無視できる程度に小さくなるような短い露光時間または前記複数の画素により発生する暗電流を読み出さないように読み出し電圧を印加しない状態で前記固体撮像素子を動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の前記線状欠陥を検出することを特徴とする請求項２２記載の撮像装置。
24. 前記線状欠陥検出手段は、前記固体撮像素子により出力された前記複数の画素の画素信号を相互に比較して前記固体撮像素子の前記線状欠陥を検出することを特徴とする請求項２２記載の撮像装置。
25. 前記線状欠陥検出手段は、前記固体撮像素子により出力された前記複数の画素の画素信号を前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号と比較して前記固体撮像素子の前記線状欠陥を検出することを特徴とする請求項２２記載の撮像装置。
26. 前記線状欠陥検出手段は、前記固体撮像素子により出力された前記複数の第１の垂直転送レジスタのそれぞれにより転送される前記複数の画素の１列分の画素信号をそれぞれ累積加算する累積加算手段を有し、前記累積加算手段により累積加算された前記１列分の画素信号に基づいて前記線状欠陥を検出することを特徴とする請求項２２記載の撮像装置。
27. 前記線状欠陥検出手段は、前記固体撮像素子により出力された複数枚の画像の同位置の画素信号を累積加算する累積加算手段を有し、前記累積加算手段により累積加算された前記複数枚の同位置の画素信号に基づいて前記線状欠陥を検出することを特徴とする請求項２２記載の撮像装置。
28. 前記補正手段は、前記線状欠陥検出手段により検出された線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を演算する比率演算手段を有し、
    前記線状欠陥検出手段により線状欠陥が検出されたとき、前記垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により垂直転送レジスタ起因暗電流を検出させ、前記比率演算手段により前記線状欠陥検出手段により検出された線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ暗電流との比率を演算させ、前記線状欠陥記憶手段により前記線状欠陥検出手段により検出された線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記比率演算手段により演算された前記アドレスに対応する欠陥画素の比率とを対応付けて記憶させることを特徴とする請求項２２記載の撮像装置。
29. 前記欠陥成分除去手段は、前記欠陥成分演算手段により演算された前記欠陥画素の欠陥成分から前記垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流を減算して前記欠陥成分の差分を演算し、演算された差分を前記固体撮像装置により出力された前記アドレスの欠陥画素の画素信号から減算して前記アドレスの欠陥画素の欠陥成分を除去することを特徴とする請求項１８記載の撮像装置。
30. 前記第２の垂直転送レジスタは、前記第１の垂直転送レジスタに比べ、大きな暗電流が発生するように構成されていることを特徴とする請求項１８記載の撮像装置。
31. 前記第２の垂直転送レジスタは、画素信号の黒レベルを検出するためのオプティカルブラック領域を構成することを特徴とする請求項１８記載の撮像装置。
32. 画素信号を出力する固体撮像素子と、
    前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出手段と、
    前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定手段と、
    前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記固体撮像素子により出力された画素信号を補正する補正手段とを備え、
    前記固体撮像素子は、
    入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、
    前記画素部の周囲に１列または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、
    前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有し、
    前記補正手段は、
    前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を検出する線状欠陥検出手段と、
    前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段と、
    前記線状欠陥検出手段により検出された線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を演算する比率演算手段と、
    前記線状欠陥検出手段により検出された線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記比率演算手段により演算された対応する前記画素の比率とを対応付けて記憶する線状欠陥記憶手段と、
    前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段と、
    前記線状欠陥記憶手段に記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび対応する比率を読み出し、前記第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に前記比率を乗算し、前記画素の画素信号の欠陥成分を演算する欠陥成分演算手段と、
    前記欠陥成分演算手段により演算された欠陥成分に基づいて前記固体撮像装置により出力された前記アドレスに対応する画素の画素信号の欠陥成分を除去する欠陥成分除去手段とを有する、
    ことを特徴とする撮像装置。
33. 入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、
    前記画素部の周囲に１列または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、
    前記複数の第１の垂直転送レジスタおよび前記１または複数の第２の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像素子により出力された画素信号を補正する画素信号の補正方法であって、
    前記固体撮像素子を遮光状態で動作させ、前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を検出する線状欠陥検出ステップと、
    前記固体撮像素子を遮光状態で動作させ、前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップと、
    前記線状欠陥検出ステップで検出された線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップで検出された垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を演算する比率演算ステップと、
    前記線状欠陥検出ステップで検出された線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記比率演算ステップで演算された対応する画素の比率とを対応付けて記憶する線状欠陥記憶ステップと、
    前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出ステップと、
    前記動作温度検出ステップで検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定ステップと、
    前記判定ステップで前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記固体撮像素子により出力された画素信号を補正する補正ステップとを含み、
    前記補正ステップは、
    前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップと、
    前記線状欠陥記憶ステップで記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび対応する比率を読み出し、前記第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップで検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に前記比率を乗算し、前記画素の画素信号の欠陥成分を演算する欠陥成分演算ステップと、
    前記欠陥成分演算ステップで演算された欠陥成分に基づいて前記固体撮像装置により出力された前記アドレスに対応する欠陥画素の画素信号の欠陥成分を除去する欠陥成分除去ステップとを含む、
    ことを特徴とする画素信号の補正方法。
34. 画素信号を出力する固体撮像素子と、
    前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出手段と、
    前記動作温度検出手段により検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定手段と、
    前記判定手段により前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記固体撮像素子により出力された画素信号を補正する補正手段とを備え、
    前記固体撮像素子は、
    入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、
    前記画素部の周囲に１行または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送して前記第１の垂直転送レジスタに転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、
    前記複数の第１の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有し、
    前記補正手段は、
    前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像装置により出力された画素信号との比率を用い、前記固体撮像素子を遮光状態で動作させたときに前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて検出された前記線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記線状欠陥を構成する画素の前記比率とを対応付けて記憶する線状欠陥記憶手段と、
    前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段と、
    前記線状欠陥記憶手段に記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび対応する比率を読み出し、前記垂直転送レジスタ起因暗電流検出手段により検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に前記比率を乗算し、前記線状欠陥を構成する画素の画素信号の欠陥成分を演算する欠陥成分演算手段と、
    前記欠陥成分演算手段により演算された欠陥成分に基づいて前記固体撮像装置により出力された前記アドレスに対応する画素の画素信号の欠陥成分を除去する欠陥成分除去手段とを有する、
    ことを特徴とする撮像装置。
35. 入射された光を信号電荷に変換し画素信号として出力する行列状に配列された複数の画素と、前記複数の画素に対し列毎に画素信号を取り出し、垂直方向に転送する複数の第１の垂直転送レジスタとを有する画素部と、
    前記画素部の周囲に１行または行列状に配列され、画素値が０の画素信号を垂直方向に転送して前記第１の垂直転送レジスタに転送する１または複数の第２の垂直転送レジスタと、
    前記複数の第１の垂直転送レジスタにより転送された画素信号を水平方向に転送する水平転送レジスタとを有する固体撮像素子により出力された画素信号を補正する画素信号の補正方法であって、
    前記固体撮像素子を遮光状態で動作させ、前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づいて前記固体撮像素子の垂直方向に延びる線状欠陥を検出する線状欠陥検出ステップと、
    前記固体撮像素子を遮光状態で動作させ、前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップと、
    前記線状欠陥検出ステップで検出された線状欠陥を構成する画素の画素信号と前記第１の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップで検出された垂直転送レジスタ起因暗電流との比率を演算する比率演算ステップと、
    前記線状欠陥検出ステップで検出された線状欠陥を構成する画素のアドレスと前記比率演算ステップで演算された対応する画素の比率とを対応付けて記憶する線状欠陥記憶ステップと、
    前記固体撮像素子の動作温度を検出する動作温度検出ステップと、
    前記動作温度検出ステップで検出された前記固体撮像素子の動作温度をしきい値と比較し、前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いかどうかを判定する判定ステップと、
    前記判定ステップで前記固体撮像素子の動作温度が前記しきい値より高いと判定されたとき、前記固体撮像素子により出力された画素信号を補正する補正ステップとを含み、
    前記補正ステップは、
    前記第２の垂直転送レジスタにより転送され前記固体撮像素子により出力された画素信号に基づく垂直転送レジスタ起因暗電流を検出する第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップと、
    前記線状欠陥記憶ステップで記憶された線状欠陥を構成する画素のアドレスおよび対応する比率を読み出し、前記第２の垂直転送レジスタ起因暗電流検出ステップで検出された垂直転送レジスタ起因暗電流に前記比率を乗算し、前記欠陥画素の画素信号の欠陥成分を演算する欠陥成分演算ステップと、
    前記欠陥成分演算ステップで演算された欠陥成分に基づいて前記固体撮像装置により出力された前記アドレスに対応する画素の画素信号の欠陥成分を除去する欠陥成分除去ステップとを含む、
    ことを特徴とする画素信号の補正方法。
    

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