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JP2006089352A - Glass ceramic multilayer wiring board with built-in dielectric paste and capacitor - Google Patents

Glass ceramic multilayer wiring board with built-in dielectric paste and capacitor Download PDF

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JP2006089352A
JP2006089352A JP2004279519A JP2004279519A JP2006089352A JP 2006089352 A JP2006089352 A JP 2006089352A JP 2004279519 A JP2004279519 A JP 2004279519A JP 2004279519 A JP2004279519 A JP 2004279519A JP 2006089352 A JP2006089352 A JP 2006089352A
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JP
Japan
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glass
capacitor
barium titanate
particle size
dielectric
Prior art date
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Application number
JP2004279519A
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Japanese (ja)
Inventor
Takanori Kamei
隆典 亀井
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】 誘電体層の誘電率の温度変化率がある程度小さく、誘電率が高く、かつPbを含有していないコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を提供すること。
【解決手段】 誘電体ペーストは、チタン酸バリウム粉末を85.0乃至99.5質量部、アルカリ金属を含有しているガラス粉末を0.5乃至15.0質量部含むとともに、樹脂バインダおよび有機溶剤を含んで成る。
【選択図】 図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass-ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor in which a dielectric constant of a dielectric layer has a small temperature change rate to some extent, has a high dielectric constant, and does not contain Pb.
A dielectric paste includes 85.0 to 99.5 parts by mass of a barium titanate powder and 0.5 to 15.0 parts by mass of a glass powder containing an alkali metal, as well as a resin binder and an organic material. Comprising a solvent.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、チタン酸バリウムを用いた誘電体ペーストおよびコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板に関する。   The present invention relates to a dielectric paste using barium titanate and a glass ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor.

近年、IT(Information Technology)産業の中核をなす半導体分野では、IC,LSI等の半導体素子の性能向上が著しく、その半導体素子が大型コンピュータ、パーソナルコンピュータ、移動通信端末等に代表される情報処理装置の高速化、小型化、多機能化等を支えている。半導体素子に入出力される高周波信号の伝達速度を上げるために、導体材料としてはAg,Cu等の低抵抗導体が使用され、これらと同時焼成が可能で高周波帯域で誘電損失の低い低温焼結多層基板(ガラスセラミック多層配線基板)が開発されてきている。   In recent years, in the semiconductor field that forms the core of the IT (Information Technology) industry, the performance of semiconductor devices such as ICs and LSIs has been remarkably improved, and the semiconductor devices are information processing devices represented by large computers, personal computers, mobile communication terminals, and the like. Supports high speed, downsizing, multi-functionality, etc. In order to increase the transmission speed of high-frequency signals input to and output from semiconductor elements, low-resistance conductors such as Ag and Cu are used as the conductor material, which can be fired at the same time and low-temperature sintering with low dielectric loss in the high-frequency band Multilayer substrates (glass ceramic multilayer wiring substrates) have been developed.

また、半導体チップを実装するガラスセラミック多層配線基板の内部に、大容量のコンデンサを内蔵させる構造が提案されている。コンデンサを半導体チップにより近いガラスセラミック多層配線基板の内部に配置させることにより、半導体チップに影響を与える電源のインピーダンスを下げることができ、基板全体を小型化することができる。   In addition, a structure in which a large-capacitance capacitor is built in a glass ceramic multilayer wiring board on which a semiconductor chip is mounted has been proposed. By disposing the capacitor inside the glass ceramic multilayer wiring board closer to the semiconductor chip, the impedance of the power source affecting the semiconductor chip can be lowered, and the entire board can be downsized.

電子機器の小型軽量化と電子部品の高密度実装化に伴い、ガラスセラミック多層配線基板内部に配置されるコンデンサの小型化、大容量化の要求が高まってきている。コンデンサを小型化、大容量化するには、誘電体層を薄くするか、高い誘電率をもつ誘電体材料を使用する必要がある。そのため、誘電体材料には高い誘電率であることが要求される。   With the reduction in size and weight of electronic devices and the high density mounting of electronic components, there is an increasing demand for downsizing and increasing the capacity of capacitors disposed inside glass ceramic multilayer wiring boards. In order to reduce the size and increase the capacity of the capacitor, it is necessary to make the dielectric layer thin or use a dielectric material having a high dielectric constant. Therefore, the dielectric material is required to have a high dielectric constant.

また、コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板の温度に対する安定性の観点から、内部に形成されるコンデンサの誘電体層は、その誘電率の温度変化率が小さいものが要求される。   Further, from the viewpoint of temperature stability of the glass-ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor, the dielectric layer of the capacitor formed inside is required to have a small temperature change rate of the dielectric constant.

高い誘電率をもつ誘電体材料の1つに、チタン酸バリウムに代表されるペロブスカイト構造を有するものがある。チタン酸バリウムを主成分とするセラミックコンデンサは、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層と電極層とを1250℃〜1350℃で焼成することにより得られる。その際、チタン酸バリウムの焼結体は、結晶粒径を個数積算粒径分布における50%粒径で0.3μm乃至0.8μmに制御することにより、誘電体層の誘電率の温度変化率がある程度小さく、かつ誘電率の高いものを得ることができる。
特開1995−320540号公報 特開1996−306232号公報 特開2000−072477号公報 特開2001−313469号公報
One of dielectric materials having a high dielectric constant has a perovskite structure typified by barium titanate. The ceramic capacitor mainly composed of barium titanate is obtained by firing the dielectric layer and electrode layer mainly composed of barium titanate at 1250 ° C to 1350 ° C. At that time, the sintered body of barium titanate has a temperature change rate of the dielectric constant of the dielectric layer by controlling the crystal grain size to 0.3 μm to 0.8 μm with 50% grain size distribution in the number cumulative grain size distribution. Can be obtained to a certain extent and with a high dielectric constant.
JP 1995-320540 A JP-A-1996-306232 JP 2000-072477 A JP 2001-31469 A

しかしながら、コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板は、一般に、誘電体ペーストと導体ペーストをガラスセラミックグリーンシート上に形成し、これを1000℃以下の温度で同時焼成することにより作製される。そのため、ガラスセラミック多層配線基板内部に形成されるコンデンサを上記のチタン酸バリウムで形成しようとした場合、チタン酸バリウムの焼成温度はガラスセラミックスの焼成温度よりも高いため、誘電体層が焼結せず、内部に空隙などが生じて粗密になり、所望の誘電率が得られなくなったり、基板強度が低下するどの問題点があった。   However, a glass-ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor is generally produced by forming a dielectric paste and a conductive paste on a glass-ceramic green sheet and simultaneously firing them at a temperature of 1000 ° C. or lower. Therefore, when the capacitor formed inside the glass ceramic multilayer wiring board is made of the above barium titanate, the firing temperature of the barium titanate is higher than the firing temperature of the glass ceramic. However, there are problems such as voids and the like in the interior, resulting in coarse and dense, a desired dielectric constant not being obtained, and substrate strength being lowered.

そこで、この問題点を解決するため、ガラスセラミックグリーンシートと誘電体ペーストとを同時焼成する際に、誘電体ペースト中に、1000℃以下の低温で液相となりチタン酸バリウムを液相中に溶解させることによりチタン酸バリウムの粒成長を促す効果のあるPbを含むガラス粉末を、混合する方法が提案されている。しかしながら、Pbを含むガラス粉末を用いたコンデンサは、ガラスがチタン酸バリウムを液相中に溶解させる効果が非常に大きいため、チタン酸バリウムの粒径が過剰に大きくなり、その誘電率の温度変化率が大きくなるという問題点があった。また、Pbを含むガラスは、人体や環境へ悪影響を及ぼす可能性が高いという問題点もあった。   Therefore, in order to solve this problem, when the glass ceramic green sheet and the dielectric paste are fired simultaneously, the dielectric paste becomes a liquid phase at a low temperature of 1000 ° C. or lower, and barium titanate is dissolved in the liquid phase. There has been proposed a method of mixing glass powder containing Pb having an effect of promoting the grain growth of barium titanate. However, a capacitor using glass powder containing Pb has a very large effect of dissolving barium titanate in the liquid phase, so that the particle size of barium titanate becomes excessively large, and the dielectric constant changes in temperature. There was a problem that the rate increased. Moreover, the glass containing Pb also has a problem that it has a high possibility of adversely affecting the human body and the environment.

そこで、Pbを含むガラスを使用せずに、ガラスセラミックグリーンシートと誘電体ペーストとを同時焼成可能とする手法として、誘電体ペースト中に焼結助剤として多量のガラスを混合し、ガラスセラミックグリーンシートとの焼結温度を合わせる方法が提案されている。しかし、この場合、誘電率が低いガラスの体積が増加して誘電体層の誘電率が低くなり、コンデンサを小型化、大容量化することが困難になるという問題点があった。   Therefore, as a method for enabling simultaneous firing of the glass ceramic green sheet and the dielectric paste without using Pb-containing glass, a large amount of glass is mixed as a sintering aid in the dielectric paste, and the glass ceramic green A method for matching the sintering temperature with the sheet has been proposed. However, in this case, the volume of the glass having a low dielectric constant increases and the dielectric constant of the dielectric layer becomes low, which makes it difficult to reduce the size and increase the capacity of the capacitor.

本発明は、上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、誘電体層の誘電率の温度変化率がある程度小さく、誘電率が高く、かつPbを含有していないコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を提供することにある。   The present invention has been completed in view of the above problems, and its object is to provide a glass ceramic with a built-in capacitor that has a relatively small temperature change rate of the dielectric constant of the dielectric layer, a high dielectric constant, and does not contain Pb. It is to provide a multilayer wiring board.

本発明の誘電体ペーストは、チタン酸バリウム粉末を85.0乃至99.5質量部、アルカリ金属を含有しているガラス粉末を0.5乃至15.0質量部含むとともに、樹脂バインダおよび有機溶剤を含んで成ることを特徴とする。   The dielectric paste of the present invention includes 85.0 to 99.5 parts by mass of barium titanate powder and 0.5 to 15.0 parts by mass of glass powder containing an alkali metal, as well as a resin binder and an organic solvent. It is characterized by comprising.

本発明の誘電体ペーストは好ましくは、前記チタン酸バリウム粉末の粒径は、個数積算粒径分布における50%粒径で0.8μm未満であるとともに、前記ガラス粉末は、Ca,Mg,Mn,Zn,Nb,Co,BiおよびSnのうちの少なくとも1種を含有していることを特徴とする。   The dielectric paste of the present invention is preferably such that the barium titanate powder has a particle size of 50% in the number cumulative particle size distribution and less than 0.8 μm, and the glass powder contains Ca, Mg, Mn, It contains at least one of Zn, Nb, Co, Bi and Sn.

本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板は、ガラスセラミックスから成る絶縁基板の内部に形成されたチタン酸バリウムから成る誘電体層と、該誘電体層の上下主面にそれぞれ形成された、Ag,Cu,Ag−Pt,Ag−PdおよびCu−Wのうちのいずれかから成る電極層とを具備して成るコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板であって、前記誘電体層は、チタン酸バリウム85.0乃至99.5質量部とアルカリ金属を含有しているガラス0.5乃至15.0質量部とから成るとともに、前記チタン酸バリウムの結晶粒径が個数積算粒径分布における50%粒径で0.3μm乃至0.8μmであることを特徴とする。   The glass-ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor according to the present invention includes a dielectric layer made of barium titanate formed inside an insulating substrate made of glass ceramics, and Ag, A capacitor-embedded glass-ceramic multilayer wiring board comprising an electrode layer made of any one of Cu, Ag-Pt, Ag-Pd, and Cu-W, wherein the dielectric layer comprises 85. barium titanate. 0 to 99.5 parts by mass and 0.5 to 15.0 parts by mass of glass containing an alkali metal, and the crystal grain size of the barium titanate is 50% in the number cumulative particle size distribution. It is 0.3 μm to 0.8 μm.

本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板は好ましくは、前記誘電体層は、Ca,Mg,Mn,Zn,Nb,Co,BiおよびSnのうちの少なくとも1種を含有していることを特徴とする。   The capacitor built-in glass ceramic multilayer wiring board of the present invention is preferably characterized in that the dielectric layer contains at least one of Ca, Mg, Mn, Zn, Nb, Co, Bi and Sn. To do.

本発明の誘電体ペーストは、チタン酸バリウム粉末を85.0乃至99.5質量部、アルカリ金属を含有しているガラス粉末を0.5乃至15.0質量部含むことから、このアルカリ金属を含有したガラスが1000℃以下の低温で液相となりチタン酸バリウムを液相中に溶解させることにより、チタン酸バリウムの粒成長を促進する効果を有する。そのため、多量の焼結助剤としてのガラスを添加する必要がなく、またPbを含むガラスを用いることなくチタン酸バリウムを1000℃以下の低温で焼結させることが可能となり、誘電率の高い誘電体を得ることができる。   The dielectric paste of the present invention contains 85.0 to 99.5 parts by mass of barium titanate powder and 0.5 to 15.0 parts by mass of glass powder containing an alkali metal. The contained glass becomes a liquid phase at a low temperature of 1000 ° C. or lower and dissolves barium titanate in the liquid phase, thereby having an effect of promoting the grain growth of barium titanate. Therefore, it is not necessary to add a large amount of glass as a sintering aid, and it becomes possible to sinter barium titanate at a low temperature of 1000 ° C. or less without using Pb-containing glass. You can get a body.

本発明の誘電体ペーストは好ましくは、チタン酸バリウム粉末の粒径は、個数積算粒径分布における50%粒径で0.8μm未満であるとともに、ガラス粉末は、Ca,Mg,Mn,Zn,Nb,Co,BiおよびSnのうちの少なくとも1種を含有していることから、これらの元素がチタン酸バリウムの焼結過程における粒成長を抑制するため、1000℃以下の焼成で誘電体層のチタン酸バリウムの結晶粒径を個数積算粒径分布における50%粒径で0.3μm乃至0.8μmとすることができる。その結果、誘電体層を誘電率が高く温度変化率の小さい正方晶構造であるチタン酸バリウムで構成することができるため、Pbを添加したガラスを用いることでチタン酸バリウムの粒径が過剰に大きくなり誘電体層の温度変化率が大きくなることがなく、誘電率の高いコンデンサを内蔵したガラスセラミック多層配線基板を得ることができる。   In the dielectric paste of the present invention, the particle size of the barium titanate powder is preferably less than 0.8 μm at a 50% particle size in the number cumulative particle size distribution, and the glass powder contains Ca, Mg, Mn, Zn, Since these elements contain at least one of Nb, Co, Bi, and Sn, these elements suppress grain growth in the sintering process of barium titanate. The crystal grain size of barium titanate can be 0.3 μm to 0.8 μm with a 50% particle size in the number cumulative particle size distribution. As a result, the dielectric layer can be made of a tetragonal barium titanate having a high dielectric constant and a small temperature change rate, so that the particle size of the barium titanate is excessive by using Pb-added glass. A glass ceramic multilayer wiring board incorporating a capacitor with a high dielectric constant can be obtained without increasing the temperature change rate of the dielectric layer.

本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板は、電極層がAg,Cu,Ag−Pt,Ag−PdおよびCu−Wのいずれかから成り、誘電体層のチタン酸バリウムの結晶粒径が個数積算粒径分布における50%粒径で0.3μm乃至0.8μmであることから、Ag,Cu,Ag−Pt,Ag−PdおよびCu−Wといった低抵抗導体を使用できるため、半導体素子に入出力される高周波信号の伝達速度が遅くなることがなく、誘電体層の誘電率の温度変化率が小さく、また誘電率の高いコンデンサを内蔵したガラスセラミック多層配線基板を得ることができる。   In the glass-ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor according to the present invention, the electrode layer is made of any one of Ag, Cu, Ag-Pt, Ag-Pd, and Cu-W, and the number of crystal grains of the barium titanate in the dielectric layer is integrated. Since the 50% particle size in the particle size distribution is 0.3 μm to 0.8 μm, low resistance conductors such as Ag, Cu, Ag—Pt, Ag—Pd, and Cu—W can be used. Therefore, a glass ceramic multilayer wiring board having a built-in capacitor with a low dielectric constant and a high dielectric constant can be obtained.

本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板は好ましくは、誘電体層は、Ca,Mg,Mn,Zn,Nb,Co,BiおよびSnのうちの少なくとも1種を含有していることから、これらの元素がチタン酸バリウムの焼結過程における粒成長を抑制する。その結果、誘電率の温度変化率が小さく、誘電率が高いチタン酸バリウムの結晶粒径である、個数積算粒径分布における50%粒径で0.3μm乃至0.8μmである誘電体層を容易に得ることでき、誘電体層の誘電率の温度変化率が小さく、誘電率の高いコンデンサを内蔵したガラスセラミック多層配線基板を得ることができる。   In the capacitor-embedded glass ceramic multilayer wiring board of the present invention, preferably, the dielectric layer contains at least one of Ca, Mg, Mn, Zn, Nb, Co, Bi, and Sn. The element suppresses grain growth during the sintering process of barium titanate. As a result, a dielectric layer having a 50% particle size distribution of 0.3 μm to 0.8 μm in the number cumulative particle size distribution, which is a crystal particle size of barium titanate having a low dielectric constant temperature change and a high dielectric constant. A glass ceramic multilayer wiring board having a built-in capacitor with a low dielectric constant and a high dielectric constant can be obtained easily.

本発明の誘電体ペーストおよびコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板(以下、基板ともいう)を添付図面に基づき以下に詳細に説明する。図1は、本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図1において、1はガラスセラミック多層配線基板内に内蔵された誘電体層、2は電極層、3は絶縁基板である。   A dielectric paste and a capacitor-embedded glass ceramic multilayer wiring board (hereinafter also referred to as a substrate) according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an example of an embodiment of a glass-ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor according to the present invention. In FIG. 1, 1 is a dielectric layer incorporated in a glass ceramic multilayer wiring board, 2 is an electrode layer, and 3 is an insulating substrate.

本発明の誘電体ペーストは、チタン酸バリウム粉末を85.0乃至99.5質量部、アルカリ金属を含有しているガラス粉末を0.5乃至15.0質量部含むとともに、樹脂バインダおよび有機溶剤を含んで成る。ガラス粉末が0.5質量部未満の場合、誘電体層1を1000℃以下で焼結させることが困難となり、内部に空隙などが生じて粗密となり、所望の誘電率が得られなくなったり、基板強度が低下する。一方、ガラス粉末が15.0質量部を超える場合、誘電率が低いガラスの体積が増加して誘電体層1の誘電率が低くなり、コンデンサを小型化、大容量化することが困難となる。   The dielectric paste of the present invention includes 85.0 to 99.5 parts by mass of barium titanate powder and 0.5 to 15.0 parts by mass of glass powder containing an alkali metal, as well as a resin binder and an organic solvent. Comprising. When the glass powder is less than 0.5 parts by mass, it becomes difficult to sinter the dielectric layer 1 at 1000 ° C. or less, voids are generated inside, resulting in a coarse density, and a desired dielectric constant cannot be obtained. Strength decreases. On the other hand, when the glass powder exceeds 15.0 parts by mass, the volume of the glass having a low dielectric constant increases and the dielectric constant of the dielectric layer 1 decreases, making it difficult to reduce the size and increase the capacity of the capacitor. .

チタン酸バリウム粉末は、誘電体層を1000℃以下で電極層およびガラスセラミックスからなる絶縁基板と同時に焼成するため、個数積算粒径分布における50%粒径が0.7μm以下(0.8μm未満)の粒径の細かいものであることが好ましい。チタン酸バリウム粉末の個数積算粒径分布における50%粒径が0.7μmを超える(0.8μm以上である)場合、誘電体層を1000℃以下で焼結させることが困難となり、内部に空隙などが生じて粗密となり、所望の誘電率が得られなくなったり、基板強度が低下するといった不具合が生じる。   The barium titanate powder is fired at the same time as the insulating layer made of the electrode layer and the glass ceramic at 1000 ° C. or less, so that the 50% particle size distribution in the number cumulative particle size distribution is 0.7 μm or less (less than 0.8 μm) It is preferable that the particles have a small particle size. When the 50% particle size distribution in the number cumulative particle size distribution of the barium titanate powder exceeds 0.7 μm (0.8 μm or more), it becomes difficult to sinter the dielectric layer at 1000 ° C. or less, and there are voids inside. As a result, a problem arises that the desired dielectric constant cannot be obtained or the substrate strength is reduced.

ガラス粉末は、アルカリ金属を含有している。アルカリ金属を含有したガラスは、1000℃以下の低温で液相となりチタン酸バリウムを液相中に溶解させることにより、チタン酸バリウムの液相焼結を促進する効果を有するため、焼結助剤として多量のガラスを添加する必要を無くし、またPbを含むガラスを用いることなくチタン酸バリウムを1000℃以下の低温で焼結させることを可能とする。   The glass powder contains an alkali metal. A glass containing an alkali metal becomes a liquid phase at a low temperature of 1000 ° C. or less and has an effect of promoting liquid phase sintering of barium titanate by dissolving barium titanate in the liquid phase. Therefore, it is possible to sinter barium titanate at a low temperature of 1000 ° C. or lower without using a glass containing a large amount of glass.

ガラス粉末は、周期律表の1A族に属するアルカリ金属を含有したガラスであれば、1000℃以下の低温で液相となりチタン酸バリウムを液相中に溶解させることにより、チタン酸バリウムの液相焼結を促すため、所望の効果を得ることができるが、同量での効果を考えた場合、原子半径の小さいものの方がより大きい作用を有する。そのため、多量のガラスを添加する必要を無くするという観点からは、Li,Na等の原子半径の小さいものが好ましい。   If the glass powder is a glass containing an alkali metal belonging to Group 1A of the periodic table, the liquid phase becomes a liquid phase at a low temperature of 1000 ° C. or lower, and barium titanate is dissolved in the liquid phase. In order to promote the sintering, a desired effect can be obtained. However, when the effect of the same amount is considered, the one having a smaller atomic radius has a larger action. Therefore, from the viewpoint of eliminating the need to add a large amount of glass, those having a small atomic radius such as Li and Na are preferable.

また、ガラス粉末はガラスを構成する網目形成酸化物および網目修飾酸化物と、アルカリ金属酸化物とを混合したものを溶融し、ガラス化させることにより得ることができる。アルカリ金属酸化物の添加量はその種類にもよるが、例えばLiOを添加する場合、ガラス成分100質量部に対して2.0〜60.0質量部添加することが好ましい。添加量が2.0質量部未満の場合、誘電体層1を1000℃以下で焼結させるために充分な液相状態を有するガラスを得ることが困難となり、内部に空隙などが生じて粗密となり、所望の誘電率が得られなくなったり、基板強度が低下する。一方、添加量が60.0質量部を超える場合、上記酸化物の混合粉末をガラス化させることが困難となり、誘電体ペーストに用いる焼結助剤として使用することが困難となる。 The glass powder can be obtained by melting and vitrifying a mixture of a network-forming oxide and network-modifying oxide constituting the glass and an alkali metal oxide. The addition amount of the alkali metal oxides depending on the type, for example, when adding Li 2 O, it is preferable to add from 2.0 to 60.0 parts by weight per 100 parts by weight of glass component. When the addition amount is less than 2.0 parts by mass, it becomes difficult to obtain glass having a sufficient liquid phase state to sinter the dielectric layer 1 at 1000 ° C. or less, and voids or the like are generated inside, resulting in coarseness. The desired dielectric constant cannot be obtained or the substrate strength is lowered. On the other hand, when the addition amount exceeds 60.0 parts by mass, it becomes difficult to vitrify the mixed powder of the oxide, and it becomes difficult to use it as a sintering aid used for the dielectric paste.

このようなアルカリ金属を含むガラスとしては、アルカリ金属をMと示すと、SiO−M O系、SiO−B−M O系、SiO−B−Al−M O系が挙げられる。 As glass containing such an alkali metal, when the alkali metal is represented as M 3 , SiO 2 —M 3 2 O, SiO 2 —B 2 O 3 —M 3 2 O, SiO 2 —B 2 O 3 -Al 2 O 3 -M 3 2 O systems.

また、チタン酸バリウム粉末が個数積算粒径分布における50%粒径で0.8μm未満であるとともに、アルカリ金属を含むガラス粉末の中でも、Ca,Mg,Mn,Zn,Nb,Co,BiおよびSnのうちの少なくとも1種を含有しているものが好ましい。ガラス粉末中にCa,Mg,Mn,Zn,Nb,Co,BiおよびSnのうちの少なくとも1種を含有していることにより、これらの元素がチタン酸バリウムの焼結過程における粒成長を抑制することから、チタン酸バリウムの結晶粒径が0.3μm乃至0.8μmとなり、正方晶の結晶となるので、誘電率の温度変化率が小さく、かつ誘電率が高い誘電体層1を得ることができる。   Further, the barium titanate powder has a 50% particle size distribution in the number cumulative particle size distribution of less than 0.8 μm, and among glass powders containing alkali metals, Ca, Mg, Mn, Zn, Nb, Co, Bi and Sn Those containing at least one of them are preferred. By containing at least one of Ca, Mg, Mn, Zn, Nb, Co, Bi, and Sn in the glass powder, these elements suppress grain growth during the sintering process of barium titanate. Accordingly, since the crystal grain size of barium titanate is 0.3 μm to 0.8 μm and becomes a tetragonal crystal, it is possible to obtain the dielectric layer 1 having a small dielectric constant temperature change rate and a high dielectric constant. it can.

ここで、チタン酸バリウム粉末の粒径は、マイクロトラック法等で測定して得られる個数積算粒径分布における50%粒径である。また、このようなガラスとしては、SiO−M O系、SiO−B−M O系、SiO−B−Al−M O系(但し、MはCa、Mg、MnまたはZnを示す)、SiO−Nb系、SiO−B−Nb系、SiO−B−Al−Nb系、SiO−Co系、SiO−B−Co系、SiO−B−Al−Co系、SiO−Bi系、SiO−B−Bi系、SiO−B−Al−Bi系、SiO−SnO系、SiO−B−SnO系、SiO−B−Al−SnO系等が挙げられる。 Here, the particle size of the barium titanate powder is a 50% particle size in a number-integrated particle size distribution obtained by measurement by a microtrack method or the like. In addition, such glass, SiO 2 -M 4 2 O based, SiO 2 -B 2 O 3 -M 4 2 O based, SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 -M 4 2 O system (However, M 4 represents Ca, Mg, Mn, or Zn), SiO 2 -Nb 2 O 5 based, SiO 2 -B 2 O 3 -Nb 2 O 5 based, SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 —Nb 2 O 5 system, SiO 2 —Co 3 O 4 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Co 3 O 4 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —Co 3 O 4 system SiO 2 —Bi 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Bi 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —Bi 2 O 3 system, SiO 2 —SnO 2 system, SiO 2 -B 2 O 3 -SnO 2 based, SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 -Sn 2 system, and the like.

誘電体ペーストに用いられる樹脂バインダおよび有機溶剤としては、絶縁基板3となるガラスセラミックグリーンシート(以下、グリーンシートともいう)との同時焼成が可能であれば特に制限されるものではなく、例えばグリーンシートに配合される樹脂バインダおよび有機溶剤と同様のものが使用可能である。樹脂バインダとしては、例えばアクリル系(アクリル酸、メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体で、具体的にはアクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等)、ポリビニルブチラール系、ポリビニルアルコール系、アクリル−スチレン系、ポリプロピレンカーボネート系、セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。有機溶剤としては、チタン酸バリウム粉末とガラス粉末および樹脂バインダを分散させ、適切な粘度の誘電体ペーストが得られるように、例えば炭化水素類、エーテル類、エステル類、ケトン類、アルコール類等の有機溶剤が挙げられる。また、分散をより良好なものとするために分散剤を添加してもよい。   The resin binder and the organic solvent used for the dielectric paste are not particularly limited as long as they can be simultaneously fired with a glass ceramic green sheet (hereinafter also referred to as a green sheet) serving as the insulating substrate 3. The same resin binder and organic solvent blended in the sheet can be used. Examples of the resin binder include acrylic (a homopolymer or copolymer of acrylic acid, methacrylic acid or esters thereof, specifically, an acrylic ester copolymer, a methacrylic ester copolymer, an acrylic ester- Methacrylic acid ester copolymer, etc.), polyvinyl butyral, polyvinyl alcohol, acrylic-styrene, polypropylene carbonate, cellulose, and other homopolymers or copolymers. As an organic solvent, for example, hydrocarbons, ethers, esters, ketones, alcohols and the like are dispersed so that a dielectric paste having an appropriate viscosity can be obtained by dispersing barium titanate powder, glass powder, and a resin binder. An organic solvent is mentioned. Further, a dispersant may be added in order to make the dispersion better.

コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板は、ガラスセラミックスから成る絶縁基板3内部に形成されたチタン酸バリウムから成る誘電体層1と、その上下主面にそれぞれ形成された、Ag,Cu,Ag−Pt,Ag−PdおよびCu−Wのうちのいずれかから成る電極層2とを具備して成るコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板であって、誘電体層1は、チタン酸バリウム85.0乃至99.5質量部と、アルカリ金属を含有しているガラス0.5乃至15.0質量部とから成るとともに、チタン酸バリウムの結晶粒径が個数積算粒径分布における50%粒径で0.3μm乃至0.8μmであることを特徴とする。   The capacitor-embedded glass ceramic multilayer wiring board includes a dielectric layer 1 made of barium titanate formed inside an insulating substrate 3 made of glass ceramics, and Ag, Cu, Ag-Pt, A capacitor-embedded glass-ceramic multilayer wiring board comprising an electrode layer 2 made of either Ag—Pd or Cu—W, wherein the dielectric layer 1 is made of barium titanate 85.0 to 99.5. It consists of 0.5 to 15.0 parts by mass of glass containing alkali metal, and the crystal grain size of barium titanate is 0.3 μm to 0 at a 50% particle size distribution in the number cumulative particle size distribution. .8 μm.

電極層2は、Ag,Cu,Ag−Pt,Ag−PdおよびCu−Wのいずれかで構成されることから、電極層2の電気抵抗値が小さいので、基板に搭載される半導体素子に入出力される高周波信号の伝達速度が遅くなることがない。また、誘電体層1のチタン酸バリウムの結晶が、個数積算粒径分布における50%粒径で0.3μm乃至0.8μmであることから、誘電率が高く、また誘電率の温度変化率の小さい正方晶構造となるので、静電容量が大きく、静電容量の温度変化率が小さいコンデンサを内蔵したコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板となる。   Since the electrode layer 2 is composed of any one of Ag, Cu, Ag—Pt, Ag—Pd, and Cu—W, the electrode layer 2 has a small electric resistance value, so that it enters the semiconductor element mounted on the substrate. The transmission speed of the output high frequency signal does not slow down. In addition, since the barium titanate crystal of the dielectric layer 1 is 0.3 μm to 0.8 μm with a 50% particle size in the number cumulative particle size distribution, the dielectric constant is high, and the temperature change rate of the dielectric constant is Since it has a small tetragonal structure, it becomes a glass-ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor having a large capacitance and a capacitor with a small temperature change rate of the capacitance.

誘電体層1のチタン酸バリウムの結晶粒径は、コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を切断し、誘電体層1の断面に現れたチタン酸バリウムの結晶粒径から算出されるものである。具体的な方法としては、まず基板を切断し、断面を研磨するなどして内部に形成された誘電体層1を外部から観察可能な状態にした後に、走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡等を用いて断面観察を行う。次に、得られた断面の画像からチタン酸バリウムの結晶粒径を測定し、その個数積算粒径分布における50%粒径の算出を行う。断面の観察は5000倍以上の倍率で行なうのが好ましい。   The crystal grain size of barium titanate in the dielectric layer 1 is calculated from the crystal grain size of barium titanate that appears on the cross section of the dielectric layer 1 after cutting the glass ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor. As a specific method, the substrate is first cut and the cross section is polished to make the dielectric layer 1 formed therein observable from the outside, and then a scanning electron microscope, a transmission electron microscope, etc. Cross-sectional observation is performed using. Next, the crystal grain size of barium titanate is measured from the obtained cross-sectional image, and the 50% particle size in the number cumulative particle size distribution is calculated. The cross-section is preferably observed at a magnification of 5000 times or more.

コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板は以下のようにして作製される。まず、絶縁基板3の前駆体であるグリーンシートを形成する。グリーンシートは、ガラスまたはガラスとセラミック粉末との混合物、および樹脂バインダに、溶剤(有機溶剤、水等)、必要に応じて所定量の可塑剤、分散剤を加えて混合することによりスラリーを得、これをPETフィルム等の支持体上にドクターブレード法、リップコーター法、ダイコーター法等により成形することによって得る。   The glass ceramic substrate with a built-in capacitor is manufactured as follows. First, a green sheet that is a precursor of the insulating substrate 3 is formed. The green sheet is obtained by adding and mixing a glass or a mixture of glass and ceramic powder and a resin binder with a solvent (organic solvent, water, etc.) and, if necessary, a predetermined amount of plasticizer and dispersant. This is obtained by molding on a support such as a PET film by a doctor blade method, a lip coater method, a die coater method or the like.

セラミック粉末としては、例えばAl、SiO、ZrOとアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、TiOとアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、AlおよびSiOから選ばれる少なくとも1種を含む複合酸化物(例えばスピネル、ムライト、コージェライト)等が挙げられる。 Examples of the ceramic powder include Al 2 O 3 , SiO 2 , composite oxide of ZrO 2 and alkaline earth metal oxide, composite oxide of TiO 2 and alkaline earth metal oxide, Al 2 O 3 and SiO 2. And composite oxides containing at least one selected from 2 (for example, spinel, mullite, cordierite) and the like.

ガラスとしては、例えばSiO−B系、SiO−B−Al系、SiO−B−Al−MO系(但し、MはCa、Sr、Mg、BaまたはZnを示す)、SiO−Al−MO−MO系(但し、MおよびMは同一または異なってCa、Sr、Mg、BaまたはZnを示す)、SiO−B−Al−MO−MO系(但し、MおよびMは上記と同じである)、SiO−B−M O系(但し、MはLi、NaまたはKを示す)、SiO−B−Al−M O系(但し、Mは上記と同じである)、SiO−Bi系、SiO−B−Bi系、SiO−B−Al−Bi系等が挙げられる。 Examples of the glass include SiO 2 —B 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —MO system (where M is Ca, Sr, Mg, Ba or Zn), SiO 2 —Al 2 O 3 —M 1 O—M 2 O system (provided that M 1 and M 2 are the same or different and Ca, Sr, Mg, Ba or Zn are SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —M 1 O—M 2 O system (where M 1 and M 2 are the same as above), SiO 2 —B 2 O 3 —M 3 2 O system (provided that M 3 represents Li, Na or K), SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —M 3 2 O system (provided that M 3 is the same as above), SiO 2 2- Bi 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Bi 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 -Al 2 O 3 -Bi 2 O 3 system, and the like.

樹脂バインダとしては、従来からセラミックグリーンシートに使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系(アクリル酸、メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体で、具体的にはアクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等)、ポリビニルブチラール系、ポリビニルアルコール系、アクリル−スチレン系、ポリプロピレンカーボネート系、セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。   As the resin binder, those conventionally used for ceramic green sheets can be used. For example, acrylic resins (acrylic acid, methacrylic acid or their homopolymers or copolymers, specifically acrylic Acid ester copolymer, methacrylate ester copolymer, acrylic ester-methacrylic ester copolymer, etc.), polyvinyl butyral, polyvinyl alcohol, acrylic-styrene, polypropylene carbonate, cellulose and other homopolymers Or a copolymer is mentioned.

溶剤としては、ガラス粉末とセラミック粉末、および樹脂バインダを分散させ、グリーンシート成形に適した粘度のスラリーが得られるように、例えば水または炭化水素類、エーテル類、エステル類、ケトン類、アルコール類等の有機溶剤が挙げられる。   As the solvent, for example, water or hydrocarbons, ethers, esters, ketones, alcohols are used so that a slurry having a viscosity suitable for green sheet molding can be obtained by dispersing glass powder, ceramic powder, and resin binder. And organic solvents such as

次に、得られたグリーンシートに上に電極層2を形成する。グリーンシート上に電極層2を形成する方法としては、例えば導体材料粉末をペースト化した導体ペーストをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷したり、めっき法や蒸着法等により所定パターン形状の金属膜を形成するようなグリーンシート上に直接形成する方法、あるいは印刷により所定パターン形状に形成した導体厚膜や所定パターン形状に加工した金属箔、めっき法や蒸着法等により形成した所定パターン形状の金属膜をグリーンシート上に転写する方法がある。導体材料としては、例えばAu,Ag,Cu,Pd,Pt等の1種または2種以上が挙げられ、2種以上の場合は混合、合金、コーティング等のいずれの形態であってもよい。なお、電極層2にはコンデンサを形成するための電極層2以外の配線層も含まれる。   Next, the electrode layer 2 is formed on the obtained green sheet. As a method of forming the electrode layer 2 on the green sheet, for example, a conductive paste obtained by pasting a conductive material powder is printed by a screen printing method or a gravure printing method, or a metal having a predetermined pattern shape by a plating method or a vapor deposition method. A method of directly forming on a green sheet to form a film, or a conductor thick film formed into a predetermined pattern shape by printing, a metal foil processed into a predetermined pattern shape, a predetermined pattern shape formed by a plating method or a vapor deposition method, etc. There is a method of transferring a metal film onto a green sheet. Examples of the conductive material include one kind or two or more kinds such as Au, Ag, Cu, Pd, and Pt. In the case of two or more kinds, any form such as mixing, alloy, and coating may be used. The electrode layer 2 includes a wiring layer other than the electrode layer 2 for forming a capacitor.

導体ペーストに使用される導体材料粉末は、焼成時に絶縁基板3および誘電体層1のそれぞれの成分が相互拡散し、誘電体層1の誘電率が減少することを抑えるために、直径5μm以下の粒径の細かいものであることが好ましい。   The conductor material powder used for the conductor paste has a diameter of 5 μm or less in order to prevent the respective components of the insulating substrate 3 and the dielectric layer 1 from interdiffusion during firing and the dielectric constant of the dielectric layer 1 to decrease. It is preferable that the particle diameter is fine.

導体ペーストに用いられる樹脂バインダおよび有機溶剤としては、絶縁基板3となるグリーンシートとの同時焼成が可能であれば特に制限されるものではなく、例えばグリーンシートに配合される樹脂バインダおよび有機溶剤と同様のものが使用可能である。   The resin binder and the organic solvent used for the conductive paste are not particularly limited as long as they can be fired simultaneously with the green sheet to be the insulating substrate 3, and for example, the resin binder and the organic solvent blended in the green sheet Similar ones can be used.

なお、電極層2を形成する前に、必要に応じて電極層2とその上下の絶縁層間の他の導体層との接続または導体層同士を接続するためのビアホール導体やスルーホール導体等の貫通導体を形成してもよい。これら貫通導体は、パンチング加工やレーザ加工等によりリーンシートに形成した貫通孔に、導体材料粉末をペースト化した導体ペーストを印刷やプレス充填により埋め込む等の手段によって形成される。   Before forming the electrode layer 2, if necessary, the electrode layer 2 is connected to other conductor layers above and below the insulating layer, or a through-hole conductor or a through-hole conductor is connected to connect the conductor layers. A conductor may be formed. These through conductors are formed by means such as embedding a conductive paste obtained by pasting a conductive material powder into a through hole formed in a lean sheet by punching, laser processing, or the like by printing or press filling.

次に、上述した誘電体ペーストを用いて誘電体層1を形成する。形成する方法は、グリーンシート上に形成された電極層2の上に誘電体ペーストをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷することにより形成する方法、または、誘電体ペーストをスラリーとして用いてドクターブレード法、リップコーター法、ダイコーター法等の成型方法により誘電体グリーンシートを作製し、電極層2の形成されたグリーンシート上に積層する方法を用いることができる。誘電体ペーストを印刷することにより形成する場合、形成された誘電体層1の上に更に導体ペーストを印刷して上部の電極層2を形成し、誘電体グリーンシートを積層する方法の場合、誘電体グリーンシートの上面に上部の電極層2を形成したものを積層する。いずれの場合においても、誘電体層1は単層でもよく、より高容量のコンデンサを得るために、誘電体層1と電極層2とが交互に重なるように形成した複数層としてもよい。   Next, the dielectric layer 1 is formed using the dielectric paste described above. The forming method is a method in which a dielectric paste is printed on the electrode layer 2 formed on the green sheet by a screen printing method or a gravure printing method, or a method using a dielectric paste as a slurry. A method of producing a dielectric green sheet by a molding method such as a blade method, a lip coater method, or a die coater method and laminating the dielectric green sheet on the green sheet on which the electrode layer 2 is formed can be used. In the case of forming by printing a dielectric paste, in the case of a method in which a conductive paste is further printed on the formed dielectric layer 1 to form the upper electrode layer 2 and a dielectric green sheet is laminated, On the upper surface of the body green sheet, the upper electrode layer 2 formed is laminated. In either case, the dielectric layer 1 may be a single layer or may be a plurality of layers formed so that the dielectric layers 1 and the electrode layers 2 are alternately overlapped in order to obtain a capacitor having a higher capacity.

次に、誘電体層1が形成されたグリーンシートを含む複数のグリーンシートを位置合わせして積層し、圧着することによりグリーンシート積層体を作製する。圧着は3.0〜8.0MPa程度の圧力を加えて行ない、必要に応じて35〜80℃で加熱を行なう。グリーンシート同士の十分な接着性を得るために、グリーンシートに有機溶剤と樹脂バインダを混合するなどして作製した接着剤を用いてもよい。   Next, a plurality of green sheets including the green sheet on which the dielectric layer 1 is formed are aligned and stacked, and a green sheet stacked body is manufactured by pressure bonding. The pressure bonding is performed by applying a pressure of about 3.0 to 8.0 MPa, and heating is performed at 35 to 80 ° C. as necessary. In order to obtain sufficient adhesion between the green sheets, an adhesive prepared by mixing an organic solvent and a resin binder with the green sheets may be used.

そして最後に、グリーンシート積層体を焼成することにより、本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板が作製される。焼成する工程は有機成分の除去とセラミック粉末の焼結とから成る。有機成分の除去は100〜800℃の温度範囲でグリーンシート積層体を加熱することによって行い、有機成分を分解、揮発させ、焼結温度はセラミック組成により異なり、約800〜1000℃の範囲内で行なう。焼成雰囲気はセラミック粉末や導体材料により異なり、大気中、還元雰囲気中、非酸化性雰囲気中等で行なわれ、有機成分の除去を効果的に行なうために水蒸気等を含ませてもよい。   Finally, the green sheet laminate is fired to produce the capacitor-embedded glass ceramic multilayer wiring board of the present invention. The firing step consists of removing organic components and sintering the ceramic powder. The organic component is removed by heating the green sheet laminate in a temperature range of 100 to 800 ° C., the organic component is decomposed and volatilized, and the sintering temperature varies depending on the ceramic composition, and is within a range of about 800 to 1000 ° C. Do. The firing atmosphere varies depending on the ceramic powder and the conductor material, and is performed in the air, in a reducing atmosphere, in a non-oxidizing atmosphere or the like, and may contain water vapor or the like in order to effectively remove organic components.

誘電体層1のチタン酸バリウムの結晶粒径が個数積算粒径分布における50%粒径で0.3μm乃至0.8μmとするには、誘電体層1のアルカリ金属を含有したガラスが液相となる温度領域で、結晶粒径が0.3μm乃至0.8μmになるまで粒成長させるように保持すればよい。例えば、750℃以上で液相となるSiO−B−LiO系ガラスを用いた場合、900℃で60分程度焼成すればよい。 In order for the dielectric layer 1 to have a barium titanate crystal grain size of 0.3 μm to 0.8 μm with a 50% grain size distribution in the number cumulative particle size distribution, the glass containing the alkali metal of the dielectric layer 1 is in a liquid phase. In such a temperature range, the grains may be held so as to grow until the crystal grain size becomes 0.3 μm to 0.8 μm. For example, when SiO 2 —B 2 O 3 —Li 2 O-based glass that becomes a liquid phase at 750 ° C. or higher is used, it may be fired at 900 ° C. for about 60 minutes.

グリーンシート積層体の上下面にさらに拘束グリーンシートを積層して焼成し、焼成後に拘束シートを除去するようにすれば、より高寸法精度のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層基板を得ることが可能となる。拘束グリーンシートは、Al等の難焼結性無機材料を主成分とするグリーンシートであり、焼成時に収縮しないものである。この拘束グリーンシートが積層された積層体は、収縮しない拘束グリーンシートにより積層平面方向(xy平面方向)の収縮が抑制され、積層方向(z方向)にのみ収縮するので、焼成収縮に伴う寸法ばらつきが抑制される。 If a constrained green sheet is further laminated on the upper and lower surfaces of the green sheet laminate and fired, and the constrained sheet is removed after firing, a glass ceramic multilayer substrate with a higher dimensional accuracy can be obtained. The constrained green sheet is a green sheet mainly composed of a hardly sinterable inorganic material such as Al 2 O 3 and does not shrink during firing. In the laminate in which the constraining green sheets are laminated, the constraining green sheet that does not shrink is prevented from shrinking in the laminating plane direction (xy plane direction), and shrinks only in the laminating direction (z direction). Is suppressed.

また、拘束グリーンシートには難焼結性無機成分に加えて、焼成温度以下の軟化点を有するガラス成分、例えばグリーンシート中のガラスと同じガラスを含有させるとよい。焼成中にこのガラスが軟化してグリーンシートと結合することによりグリーンシートと拘束グリーンシートとの結合が強固なものとなり、より確実な拘束力が得られるからである。このときのガラス量は難焼結性無機成分とガラス成分を合わせた無機成分に対して0.5〜15質量%とすると拘束力が向上し、かつ拘束グリーンシートの焼成収縮が0.5%以下に抑えられる。   In addition to the hard-sintering inorganic component, the constrained green sheet may contain a glass component having a softening point not higher than the firing temperature, for example, the same glass as the glass in the green sheet. This is because when the glass is softened and bonded to the green sheet during firing, the bond between the green sheet and the constraining green sheet becomes strong, and a more reliable restraining force can be obtained. When the glass amount at this time is 0.5 to 15% by mass with respect to the inorganic component including the hardly sinterable inorganic component and the glass component, the binding force is improved and the firing shrinkage of the constraint green sheet is 0.5%. It is suppressed to the following.

焼成後、基板の両面に剥離することなく付着した状態の拘束シートを除去する。除去方法としては、例えば研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト(砥粒と水とを空気圧により噴射させる方法)等が挙げられる。   After firing, the constraining sheet attached to the both surfaces of the substrate without peeling is removed. Examples of the removal method include polishing, water jet, chemical blasting, sand blasting, wet blasting (a method of spraying abrasive grains and water by air pressure) and the like.

本発明の誘電体ペーストおよびコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板の実施例を以下に説明する。   Examples of the dielectric paste and capacitor-embedded glass ceramic multilayer wiring board of the present invention will be described below.

絶縁体層となるガラスセラミックグリーンシートを得るために、ガラスとしてSiO−CaO−MgO系ガラス粉末60質量部と、セラミック粉末としてAl粉末40質量部とを混合し、この無機粉末100質量部に、樹脂バインダとしてアクリル樹脂12質量部、フタル酸系可塑剤6質量部および溶剤としてトルエン30質量部を加え、ボールミル法により混合しスラリーとした。このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ200μmのガラスセラミックグリーンシートを成形した。 In order to obtain a glass ceramic green sheet serving as an insulator layer, 60 parts by mass of SiO 2 —CaO—MgO glass powder as glass and 40 parts by mass of Al 2 O 3 powder as ceramic powder are mixed, and this inorganic powder 100 12 parts by mass of an acrylic resin as a resin binder, 6 parts by mass of a phthalic acid plasticizer, and 30 parts by mass of toluene as a solvent were added to parts by mass, and mixed by a ball mill method to obtain a slurry. Using this slurry, a glass ceramic green sheet having a thickness of 200 μm was formed by a doctor blade method.

次に、このガラスセラミックグリーンシートから第1のガラスセラミックグリーンシート、第2のガラスセラミックグリーンシートの2枚を用意した。   Next, two sheets of a first glass ceramic green sheet and a second glass ceramic green sheet were prepared from this glass ceramic green sheet.

まず、第1のガラスセラミックグリーンシートと第2のガラスセラミックグリーンシートに、機械的加工によりビアホールと成る貫通孔を形成した。この貫通孔は、断面形状が直径0.2mmの円形となるように加工した。   First, through holes serving as via holes were formed in the first glass ceramic green sheet and the second glass ceramic green sheet by mechanical processing. This through hole was processed so that the cross-sectional shape was a circle having a diameter of 0.2 mm.

次に、第1のガラスセラミックグリーンシートと第2のガラスセラミックグリーンシートに形成された貫通孔内部に、Cuとガラス組成物と樹脂バインダと有機溶剤とからなる導体ペーストを充填した。   Next, a conductor paste made of Cu, a glass composition, a resin binder, and an organic solvent was filled into the through holes formed in the first glass ceramic green sheet and the second glass ceramic green sheet.

次に、第2のガラスセラミックグリーンシート上に、導体ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、縦1.3mm×横1.3mm×厚み12μmの電極パターンを形成した。   Next, a conductor paste was applied on the second glass ceramic green sheet by a screen printing method to form an electrode pattern having a length of 1.3 mm × width of 1.3 mm × thickness of 12 μm.

導体ペーストに含まれる粉末として、Cu粉末98.0質量部とSiO−B系ガラス粉末2.0質量部とを混合したものを使用した。この粉末100質量部に、樹脂バインダとしてアクリル樹脂10.9質量部、有機溶剤としてテルピネオール1.5質量部を加えて混練しペースト状にした。 As a powder contained in the conductor paste, a mixture of 98.0 parts by mass of Cu powder and 2.0 parts by mass of SiO 2 —B 2 O 3 glass powder was used. To 100 parts by mass of this powder, 10.9 parts by mass of an acrylic resin as a resin binder and 1.5 parts by mass of terpineol as an organic solvent were added and kneaded to form a paste.

次に、印刷した導体ペースト中の有機溶剤を80℃の温風により乾燥した。   Next, the organic solvent in the printed conductor paste was dried with hot air at 80 ° C.

次に、第2のガラスセラミックグリーンシートの表面に形成された導体ペースト上に、誘電体ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、縦1.7mm×横1.7mm×厚み27μmの誘電体パターンを形成した。誘電体ペースト中の粉末として、個数積算粒径分布における50%粒径で0.10μmであるチタン酸バリウム粉末95.0質量部と、ガラスとしてアルカリ金属であるLiを含有したSiO−B−LiO系ガラス5.0質量部とを混合したものを使用した。この粉末100質量部に、樹脂バインダとしてアクリル樹脂30.0質量部、ノニオン系分散剤3.0質量部、有機溶剤としてテルピネオール3.0質量部を加えて混練しペースト状にした。 Next, a dielectric paste is applied on the conductive paste formed on the surface of the second glass ceramic green sheet by a screen printing method to form a dielectric pattern having a length of 1.7 mm × width of 1.7 mm × thickness of 27 μm. did. As the powder in the dielectric paste, 95.0 parts by mass of barium titanate powder having a 50% particle size distribution of 0.10 μm in the number cumulative particle size distribution, and SiO 2 —B 2 containing Li as an alkali metal as glass. O 3 was used a mixture of a -Li 2 O-based glass 5.0 parts by weight. To 100 parts by mass of this powder, 30.0 parts by mass of an acrylic resin as a resin binder, 3.0 parts by mass of a nonionic dispersant, and 3.0 parts by mass of terpineol as an organic solvent were added and kneaded to obtain a paste.

次に、印刷した誘電体ペースト中の有機溶剤を80℃の温風により乾燥した。   Next, the organic solvent in the printed dielectric paste was dried with 80 ° C. hot air.

次に、第2のガラスセラミックグリーンシート表面に形成された誘電体ペースト上に、導体ペーストを塗布し、縦1.3mm×横1.3mm×厚み12μmの電極パターンを形成した。   Next, a conductor paste was applied on the dielectric paste formed on the surface of the second glass ceramic green sheet to form an electrode pattern having a length of 1.3 mm × width of 1.3 mm × thickness of 12 μm.

次に、印刷した導体ペースト中の有機溶剤を80℃の温風により乾燥した。   Next, the organic solvent in the printed conductor paste was dried with hot air at 80 ° C.

次に、プローブをあてるために必要な電極パッドを形成するために、第1のガラスセラミックグリーンシート表面と第2のガラスセラミックグリーンシート裏面に導体ペーストを塗布し、配線導体パターンを形成した。   Next, in order to form an electrode pad necessary for applying the probe, a conductor paste was applied to the surface of the first glass ceramic green sheet and the back surface of the second glass ceramic green sheet to form a wiring conductor pattern.

次に、印刷した導体ペースト中の有機溶剤を80℃の温風により乾燥した。   Next, the organic solvent in the printed conductor paste was dried with hot air at 80 ° C.

次に、第1のガラスセラミックグリーンシートと第2のガラスセラミックグリーンシートを重ね合わせ、5.6Paの圧力、55℃の温度で真空プレスすることによりガラスセラミックグリーンシート積層体を得た。   Next, the first glass ceramic green sheet and the second glass ceramic green sheet were superposed and vacuum pressed at a pressure of 5.6 Pa and a temperature of 55 ° C. to obtain a glass ceramic green sheet laminate.

次に、内蔵されるコンデンサを形成したガラスセラミックグリーンシート積層体を、N雰囲気で915℃、40分間焼成し、実施例1のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を作製した。焼成工程における雰囲気としては、誘電体層1、電極層2およびガラスセラミックグリーンシートに含まれる樹脂バインダ、有機溶剤を分解させるために、50℃の温水に通したNを炉内に供給したものとした。 Next, the glass ceramic green sheet laminate on which the capacitor to be built was formed was baked at 915 ° C. for 40 minutes in an N 2 atmosphere to produce the capacitor built-in glass ceramic multilayer wiring board of Example 1. As an atmosphere in the firing process, N 2 passed through warm water of 50 ° C. was supplied into the furnace in order to decompose the resin binder and the organic solvent contained in the dielectric layer 1, the electrode layer 2, and the glass ceramic green sheet. It was.

また、比較例1として、誘電体ペーストにアルカリ金属を含有していないSiO−B系ガラスを用いた以外は実施例1と同様の方法により、コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を作製した。 Further, as Comparative Example 1, a glass ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except that SiO 2 —B 2 O 3 -based glass containing no alkali metal was used for the dielectric paste. did.

このようにして得られた実施例1と比較例1のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板のコンデンサの電気的な容量を測定した。容量の測定は、測定周波数1MHz、測定温度25℃の条件で、インピーダンス測定器(型式「4294Aプレシジョンインピーダンスアナライザ」、測定精度±0.08%、アジレントテクノロジー株式会社製)を用いて行なった。容量値を測定した結果を表1に示す。

Figure 2006089352
The electric capacity of the capacitors of the glass-ceramic multilayer wiring board with built-in capacitors of Example 1 and Comparative Example 1 thus obtained was measured. The capacitance was measured using an impedance measuring instrument (model “4294A Precision Impedance Analyzer”, measurement accuracy ± 0.08%, manufactured by Agilent Technologies) under the conditions of a measurement frequency of 1 MHz and a measurement temperature of 25 ° C. The results of measuring the capacitance value are shown in Table 1.
Figure 2006089352

表1より、誘電体ペースト中のガラスにアルカリ金属を加えた実施例1のコンデンサの方が、アルカリ金属を加えずに作製した比較例1のコンデンサより容量値が高くなっていることが分かる。これより、誘電体ペースト中のガラスにアルカリ金属を含有させることにより、1000℃以下の焼成温度で誘電率の高い誘電体層1を得ることができた。   From Table 1, it can be seen that the capacitor of Example 1 in which an alkali metal is added to the glass in the dielectric paste has a higher capacitance value than the capacitor of Comparative Example 1 manufactured without adding an alkali metal. From this, the dielectric layer 1 with a high dielectric constant was able to be obtained with the calcination temperature of 1000 degrees C or less by making the glass in a dielectric paste contain an alkali metal.

また、実施例2として、実施例1と同様の方法によりコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を作製した。また、比較例2として、誘電体ペースト中にPbを含有したSiO−PbO系ガラスを用いた以外は実施例2と同様の方法により、コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を作製した。 Further, as Example 2, a glass-ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor was produced by the same method as in Example 1. Further, as Comparative Example 2, a capacitor-embedded glass-ceramic multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 2 except that SiO 2 —PbO-based glass containing Pb in the dielectric paste was used.

このようにして得られた実施例2と比較例2のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板のコンデンサの電気的な容量の温度変化率を測定した。測定は−55℃から125℃の温度範囲で行った。この温度範囲での容量値の最大値、最小値を算出し、各容量値を室温での値からの変化率として算出した。容量の測定は、測定周波数1MHz、測定温度25℃の条件で、インピーダンス測定器(型式「4294Aプレシジョンインピーダンスアナライザ」、測定精度±0.08%、アジレントテクノロジー株式会社製)を用いて行なった。   The temperature change rate of the electric capacity of the capacitors of the glass-ceramic multilayer wiring board with built-in capacitors of Example 2 and Comparative Example 2 thus obtained was measured. The measurement was performed in a temperature range of −55 ° C. to 125 ° C. The maximum value and the minimum value of the capacity value in this temperature range were calculated, and each capacity value was calculated as the rate of change from the value at room temperature. The capacitance was measured using an impedance measuring instrument (model “4294A Precision Impedance Analyzer”, measurement accuracy ± 0.08%, manufactured by Agilent Technologies) under the conditions of a measurement frequency of 1 MHz and a measurement temperature of 25 ° C.

また、コンデンサの誘電体層1の結晶粒径の測定を行った。即ち、まずコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板の断面を鏡面研磨仕上げした後、電子顕微鏡(倍率10000倍、型式「走査電子顕微鏡 JSM−6340F」、日本電子社製)にて観察を行なった。次に、得られた像からチタン酸バリウムの結晶粒径を測定し、その個数積算粒径分布における50%粒径を算出した。   Further, the crystal grain size of the dielectric layer 1 of the capacitor was measured. That is, first, the cross section of the glass ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor was mirror-polished and then observed with an electron microscope (magnification 10,000 times, model “scanning electron microscope JSM-6340F”, manufactured by JEOL Ltd.). Next, the crystal grain size of barium titanate was measured from the obtained image, and the 50% particle size in the number cumulative particle size distribution was calculated.

得られた容量値の室温からの最大変化率、最小変化率、誘電体層のチタン酸バリウムの個数積算粒径分布における50%粒径を測定した結果を表2に示す。なお、容量の温度変化率の指針の1つとして、積層セラミックコンデンサの温度変化率の規格の1つである±15%以内を目安とした。

Figure 2006089352
Table 2 shows the results obtained by measuring the maximum change rate, the minimum change rate, and the 50% particle size distribution in the number cumulative particle size distribution of barium titanate in the dielectric layer. In addition, as one of the guidelines for the rate of change in the temperature of the capacitance, the standard was within ± 15%, which is one of the standards for the rate of change in temperature of the multilayer ceramic capacitor.
Figure 2006089352

表2より、誘電体ペースト中のガラスがアルカリ金属を含んでいる実施例2のコンデンサは、誘電体層1の個数積算粒径分布における50%粒径が0.3μm乃至0.8μmの範囲内にあり、容量の温度変化率も規格である±15%以内であった。   From Table 2, in the capacitor of Example 2 in which the glass in the dielectric paste contains an alkali metal, the 50% particle size distribution in the number cumulative particle size distribution of the dielectric layer 1 is in the range of 0.3 μm to 0.8 μm. The rate of change in the temperature of the capacitance was within the standard ± 15%.

一方、比較例2のコンデンサは誘電体層1の個数積算粒径分布における50%粒径が0.8μmを超えており、容量の温度変化率も規格である±15%の範囲外であった。   On the other hand, in the capacitor of Comparative Example 2, the 50% particle size distribution in the number cumulative particle size distribution of the dielectric layer 1 exceeded 0.8 μm, and the temperature change rate of the capacitance was also outside the standard ± 15% range. .

これにより、誘電体ペースト中のガラスがアルカリ金属を含んでおり、誘電体層1のチタン酸バリウムの径個数積算粒径分布における50%粒径を0.3μm乃至0.8μmとすることにより、チタン酸バリウムを1000℃以下の低温で焼結させ、かつ容量の温度変化率が積層セラミックコンデンサの温度変化率の規格内にあるコンデンサを得ることが可能となった。   Thereby, the glass in the dielectric paste contains an alkali metal, and the 50% particle size in the particle number cumulative particle size distribution of the barium titanate of the dielectric layer 1 is set to 0.3 μm to 0.8 μm, It has become possible to obtain a capacitor in which barium titanate is sintered at a low temperature of 1000 ° C. or less and the temperature change rate of the capacitance is within the specification of the temperature change rate of the multilayer ceramic capacitor.

次に、実施例3〜5として、誘電体ペースト中にアルカリ金属であるLiとCaとMgとが含まれたSiO−B−CaO−MgO−LiO系ガラスを用い、焼成温度を変更した以外は実施例1と同様の方法によりコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を作製した。 Next, as Examples 3 to 5, using a SiO 2 —B 2 O 3 —CaO—MgO—Li 2 O-based glass in which Li, Ca, and Mg, which are alkali metals, are contained in a dielectric paste, firing is performed. A glass-ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except that the temperature was changed.

また、比較例3〜5として、焼成温度以外は実施例1と同様の方法によりコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を作製した。実施例3〜5と比較例3〜5の焼成温度を表3に示す。

Figure 2006089352
Further, as Comparative Examples 3 to 5, a glass-ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor was produced by the same method as in Example 1 except for the firing temperature. Table 3 shows firing temperatures of Examples 3 to 5 and Comparative Examples 3 to 5.
Figure 2006089352

得られたコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板について、実施例2と同様の方法で、コンデンサの電気的な容量の温度変化率と、コンデンサの誘電体層1の結晶粒径の測定を行った。得られた容量値の室温からの最大変化率、最小変化率、誘電体層1のチタン酸バリウムの個数積算粒径分布における50%粒径を表3に示す。   With respect to the obtained glass ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor, the temperature change rate of the electric capacity of the capacitor and the crystal grain size of the dielectric layer 1 of the capacitor were measured in the same manner as in Example 2. Table 3 shows the maximum rate of change and the minimum rate of change of the obtained capacitance value from room temperature, and the 50% particle size in the number cumulative particle size distribution of barium titanate in the dielectric layer 1.

容量の温度変化率の指針の1つとして、積層セラミックコンデンサの温度変化率の規格の1つである±15%以内を目安とした。   As a guideline for the rate of change in the temperature of the capacitance, the standard was within ± 15%, which is one of the standards for the rate of change in temperature of the multilayer ceramic capacitor.

表3より、誘電体ペースト中のガラスにアルカリ金属であるLiとCaとMgとが含まれている実施例3〜5のコンデンサは、いずれの焼成温度で作製しても誘電体層1の個数積算粒径分布における50%粒径が0.3μm乃至0.8μmの範囲内であり、かつ誘電体層1の室温からの温度変化率が±15%以内に収まっていた。   From Table 3, the capacitors of Examples 3 to 5 in which Li, Ca, and Mg, which are alkali metals, are contained in the glass in the dielectric paste, the number of dielectric layers 1 regardless of the firing temperature. The 50% particle size in the cumulative particle size distribution was in the range of 0.3 μm to 0.8 μm, and the temperature change rate of the dielectric layer 1 from room temperature was within ± 15%.

一方、誘電体ペースト中のガラスにアルカリ金属が含まれていない比較例3〜5のコンデンサは、935℃の焼成温度で作製したものに対して、数積算粒径分布における50%粒径が0.8μmを超えており、温度変化率が±15%以内に収まっていない。これにより、誘電体ペースト中のガラスにアルカリ金属であるLiとCaとMgとを含ませた実施例3〜5のコンデンサの方が、誘電体ペースト中のガラスがアルカリ金属を含んだ比較例3〜5のコンデンサよりも広い焼成温度領域で所望のコンデンサを得ることが可能となった。このことにより、チタン酸バリウムを1000℃以下の低温で焼結させ、かつ温度変化率の小さいコンデンサをより安定して供給することが可能となった。   On the other hand, the capacitors of Comparative Examples 3 to 5 in which the alkali metal is not contained in the glass in the dielectric paste have a 50% particle size of 0 in the number cumulative particle size distribution compared to those manufactured at a firing temperature of 935 ° C. .8 μm is exceeded and the temperature change rate is not within ± 15%. Thus, the capacitors of Examples 3 to 5 in which Li, Ca, and Mg, which are alkali metals, were included in the glass in the dielectric paste, and Comparative Example 3 in which the glass in the dielectric paste contained the alkali metal. It was possible to obtain a desired capacitor in a wider firing temperature range than the capacitors of ~ 5. As a result, it became possible to sinter barium titanate at a low temperature of 1000 ° C. or lower and supply a capacitor with a small temperature change rate more stably.

本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of embodiment of the glass ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor | condenser of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・誘電体層
2・・・電極層
3・・・絶縁基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Dielectric layer 2 ... Electrode layer 3 ... Insulating substrate

Claims (4)

チタン酸バリウム粉末を85.0乃至99.5質量部、アルカリ金属を含有しているガラス粉末を0.5乃至15.0質量部含むとともに、樹脂バインダおよび有機溶剤を含んで成ることを特徴とする誘電体ペースト。 85.0 to 99.5 parts by mass of barium titanate powder, 0.5 to 15.0 parts by mass of glass powder containing an alkali metal, and a resin binder and an organic solvent. Dielectric paste. 前記チタン酸バリウム粉末の粒径は、個数積算粒径分布における50%粒径で0.8μm未満であるとともに、前記ガラス粉末は、Ca,Mg,Mn,Zn,Nb,Co,BiおよびSnのうちの少なくとも1種を含有していることを特徴とする請求項1記載の誘電体ペースト。 The particle size of the barium titanate powder is less than 0.8 μm at 50% particle size distribution in the number cumulative particle size distribution, and the glass powder is composed of Ca, Mg, Mn, Zn, Nb, Co, Bi and Sn. 2. The dielectric paste according to claim 1, comprising at least one of them. ガラスセラミックスから成る絶縁基板の内部に形成されたチタン酸バリウムから成る誘電体層と、該誘電体層の上下主面にそれぞれ形成された、Ag,Cu,Ag−Pt,Ag−PdおよびCu−Wのうちのいずれかから成る電極層とを具備して成るコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板であって、前記誘電体層は、チタン酸バリウム85.0乃至99.5質量部とアルカリ金属を含有しているガラス0.5乃至15.0質量部とから成るとともに、前記チタン酸バリウムの結晶粒径が個数積算粒径分布における50%粒径で0.3μm乃至0.8μmであることを特徴とするコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。 A dielectric layer made of barium titanate formed inside an insulating substrate made of glass ceramic, and Ag, Cu, Ag-Pt, Ag-Pd, and Cu- formed on the upper and lower main surfaces of the dielectric layer, respectively. A capacitor built-in glass ceramic multilayer wiring board comprising an electrode layer made of any of W, wherein the dielectric layer contains 85.0 to 99.5 parts by mass of barium titanate and an alkali metal And the crystal grain size of the barium titanate is 0.3 μm to 0.8 μm with a 50% particle size in the number cumulative particle size distribution. Capacitor built-in glass ceramic multilayer wiring board. 前記誘電体層は、Ca,Mg,Mn,Zn,Nb,Co,BiおよびSnのうちの少なくとも1種を含有していることを特徴とする請求項3記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。 4. The glass-ceramic multilayer wiring board with a built-in capacitor according to claim 3, wherein the dielectric layer contains at least one of Ca, Mg, Mn, Zn, Nb, Co, Bi, and Sn.
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