JP2006073928A - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 信頼性の高い電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の基板１０が配置されたＸＹ軸平面上に、第２の基板３０を配置して、第１の配線パターン１２が形成された面と第２の配線パターン３２が形成された面とを対向させる。第１の電気的接続部１４と第２の電気的接続部３４とを位置合わせする。第１及び第２の電気的接続部１４，３４を電気的に接続する。第１の電気的接続部１４は、Ｘ軸方向に並んで配置されて、Ｙ軸と交差する方向に延びる形状をなす。輝度測定エリア１００が、第１の電気的接続部１４と部分的にオーバーラップするように設定されてなる。位置合わせ工程は、（ａ）第１及び第２の基板１０，３０に光を照射して、輝度測定エリア１００の反射光の輝度を測定すること、及び、（ｂ）第２の基板３０をＹ軸と平行に移動させて、輝度が最も小さくなる位置を特定することを含む。
【選択図】 図５

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法に関する。

電子デバイスを製造する際に、２つの配線基板の電気的接続部を対向させて電気的に接続することが知られている。現在、配線基板の電気的接続部が微細化しているが、信頼性の高い電子デバイスを製造するためには、電気的接続部同士を正確に対向させることが重要である。

本発明の目的は、信頼性の高い電子デバイスの製造方法を提供することにある。
特開２００３−２５８０２７号公報

（１）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、複数の第１の電気的接続部を含む第１の配線パターンを有する第１の基板が配置されたＸＹ軸平面上に、複数の第２の電気的接続部を含む第２の配線パターンを有する第２の基板を配置して、前記第１の配線パターンが形成された面と前記第２の配線パターンが形成された面とを対向させること、
前記第１の電気的接続部と第２の電気的接続部とを位置合わせすること、及び、
前記第１及び第２の電気的接続部を電気的に接続することを含み、
前記第１の電気的接続部はＸ軸方向に並んで配置されて、Ｙ軸と交差する方向に延びる形状をなし、
前記ＸＹ軸平面には、輝度測定エリアが、前記第１の電気的接続部と部分的にオーバーラップするように設定されてなり、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方は光透過性基板であり、
前記位置合わせ工程は、
（ａ）前記第１及び第２の基板に、前記光透過性基板側から光を照射して、前記輝度測定エリアの反射光の輝度を測定すること、
（ｂ）前記第２の基板を、前記第２の電気的接続部の少なくとも一部が前記輝度測定エリアとオーバーラップする範囲内で前記Ｙ軸と平行に移動させて、前記輝度が最も小さくなる位置を特定すること、
を含む。本発明によれば、第１及び第２の電気的接続部の重複面積が最も大きくなるように第２の基板を位置合わせすることができる。すなわち、第２の基板を、第１及び第２の電気的接続部を対向させて電気的に接続するために最適の位置に配置することができる。そのため、電気的な信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
（２）この電子デバイスの製造方法において、
前記ＸＹ軸平面には、１つの前記輝度測定エリアが、すべての前記第１の電気的接続部とオーバーラップするように設定されていてもよい。
（３）この電子デバイスの製造方法において、
前記ＸＹ軸平面には、２つ以上の前記輝度測定エリアが、前記Ｘ軸方向に並んで設定されていてもよい。

以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。

図１〜図７は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、図１及び図２に示すように、第１の基板１０と第２の基板３０とを位置合わせして、第１の電気的接続部１４と第２の電気的接続部３４とを対向させて電気的に接続することを含む。なお、図１は、本発明を適用した実施の形態に係る方法によって製造された電子デバイス１の概略図である。また、図２は、図１のII−II線断面の一部拡大図である。

本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、第１の基板１０を用意することを含んでいてもよい（図１及び図３参照）。第１の基板１０の材料は特に限定されず、有機系又は無機系のいずれの材料であってもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。第１の基板１０として、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムを使用してもよい。あるいは、第１の基板１０としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてFPC(Flexible Printed Circuit)や、TAB(Tape Automated Bonding)技術で使用されるテープを使用してもよい。また、無機系の材料から形成された第１の基板１０として、例えばセラミックス基板やガラス基板が挙げられる。第１の基板１０がガラス基板である場合、第１の基板１０は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。

第１の基板１０は、第１の配線パターン１２を有する（図３参照）。第１の配線パターン１２の材料は特に限定されるものではない。例えば、第１の配線パターン１２は、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）のうちのいずれかを積層して形成されていてもよい。あるいは、第１の基板１０が液晶パネルの場合、第１の配線パターン１２は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｃｒ、Ａｌなどの金属膜、金属化合物膜またはそれらの複合膜によって形成されていてもよい。このとき、第１の配線パターン１２は、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されていてもよい。そして、第１の配線パターン１２は、複数の第１の電気的接続部１４を含む。

本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法では、図３に示すように、第１の基板１０は、ＸＹ軸平面上に配置されてなる。このとき、図３に示すように、第１の基板１０は、第１の電気的接続部１４がＸ軸方向に並ぶように配置されてなる。また、第１の電気的接続部１４は、Ｙ軸に交差する方向に延びる形状をなす。第１の電気的接続部１４は、図３に示すように、第１の点２０を通る複数の第１の直線２２に沿って延びる形状をなしていてもよい。そして、ＸＹ軸平面には、図３に示すように、輝度測定エリア１００が設定されている。輝度測定エリア１００は、第１の電気的接続部１４と部分的にオーバーラップするように設定されている。すなわち、輝度測定エリア１００は、第１の電気的接続部１４とオーバーラップする部分と、第１の電気的接続部１４とオーバーラップしない部分とを有する。なお、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法では、図３に示すように、ＸＹ軸平面には１つの輝度測定エリア１００が設定されていてもよい。そして、輝度測定エリア１００は、すべての第１の電気的接続部１４とオーバーラップするように設定されていてもよい。ただし、輝度測定エリアの設定方法はこれに限られるものではない。例えば、輝度測定エリアは、１つの第１の電気的接続部１４のみとオーバーラップするように設定されていてもよい。また、輝度測定エリアは、２つ以上の複数の第１の電気的接続部１４とオーバーラップするように設定されていてもよい。あるいは、ＸＹ軸平面には、２つ以上の輝度測定エリアが、Ｘ軸方向に並んで設定されていてもよい（図示せず）。

本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、第２の基板３０を用意することを含んでいてもよい（図１参照）。第２の基板３０の材料は特に限定されないが、第１の基板１０の材料として説明したいずれかの材料であってもよい。第２の基板３０は、図４に示すように、第２の配線パターン３２を有する。第２の配線パターン３２は、複数の第２の電気的接続部３４を含む。第２の電気的接続部３４は、図４に示すように、第２の点４０を通る複数の第２の直線４２に沿って延びる形状をなしていてもよい。このとき、第２の直線４２は、第１の直線２２と同じ配列になっていてもよい。

本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法では、第１及び第２の基板１０，３０は、少なくとも一方が光透過性基板である。光透過性基板は、例えばガラス基板であってもよい。本実施の形態では、第１の基板１０としてガラス基板を、第２の基板３０として樹脂基板を、それぞれ利用してもよい。あるいは、第１及び第２の基板１０，３０の両方に、光透過性基板を利用してもよい。

本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、第１の基板１０が配置されたＸＹ軸平面に、第２の基板３０を配置することを含む。第２の基板３０を配置して、図５に示すように、第１の配線パターン１２が形成された面と第２の配線パターン３２が形成された面とを対向させる。このとき、第２の電気的接続部３４の少なくとも一部が輝度測定エリア１００とオーバーラップするように、第２の基板３０を配置してもよい（図６参照）。

本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、第１の電気的接続部１４と第２の電気的接続部３４とを位置合わせすることを含む。以下、第１及び第２の電気的接続部１４，３４の位置合わせ工程について説明する。

本工程は、図５に示すように、第１及び第２の基板１０，３０に、光透過性基板側から光Ｌを照射して、輝度測定エリア１００の反射光の輝度を測定することを含む。例えば、第１の基板１０がガラス基板の場合、第１の基板１０側から光を照射してもよい。そして、本工程は、第２の基板３０を、第２の電気的接続部３４の少なくとも一部が輝度測定エリア１００とオーバーラップする範囲内でＹ軸と平行に移動させて、輝度測定エリア１００での輝度が最小になる位置を特定することを含む。一般的に、金属（配線）は、基板に比べて多くの光を反射する。そのため、輝度測定エリア１００内に配置される金属の面積が大きくなる程、測定される反射光の輝度は大きくなる。反対に、輝度測定エリア１００内に配置される金属の面積が小さくなるほど、測定される反射光の輝度は小さくなる。すなわち、輝度測定エリア１００の輝度が最小になるのは、輝度測定エリア１００内に配置される金属の面積が最も小さい場合である。そして、輝度測定エリア１００内に配置される金属の面積が最も小さくなるのは、図７に示すように、第１及び第２の電気的接続部１４，３４の重複面積が最も大きくなる場合である。すなわち、第１の電気的接続部１４と第２の電気的接続部３４との重複面積が最も大きくなるときに、輝度測定エリア１００の反射光の輝度が最小になる。そのため、輝度測定エリア１００の反射光の輝度が最小になる位置を特定することによって、第１の電気的接続部１４と第２の電気的接続部３４との重複面積を最も大きくすることができる。なお、本工程の前に、第１及び第２の電気的接続部１４，３４の表面処理（例えば平坦化処理）を行って、第１及び第２の電気的接続部１４，３４の表面を、光を反射しやすい状態にしてもよい。

本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、第１及び第２の電気的接続部１４，３４を電気的に接続することを含む。第１及び第２の電気的接続部１４，３４を接触させて、両者を電気的に接続させてもよい（図２参照）。上述した位置合わせ方法によれば、第１及び第２の電気的接続部１４，３４の重複面積が最大になる位置を特定することができる。そのため、第１及び第２の電気的接続部１４，３４を、対向させて電気的に接続するために最適の位置に配置することができ、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。

なお、先に説明したように、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法では、第１の電気的接続部１４は、第１の点２０を通る複数の第１の直線２２に沿って延びる形状をなしていてもよい。これによると、第１の基板１０が縦横に同じ割合で膨張・収縮する場合、第１の電気的接続部１４は、第１の直線２２に沿って移動する。また、第２の電気的接続部３４は、第２の点４０を通る複数の第２の直線４２に沿って延びる形状をなす。そのため、第２の基板３０が縦横に同じ割合で膨張・収縮する場合、第２の電気的接続部３４は第２の直線４２に沿って移動する。このことから、第１及び第２の基板１０，３０が膨張・収縮した場合でも、第２の基板３０をＹ軸と平行に移動させることで、第１及び第２の電気的接続部１４，３４を対向させることが可能になる。そして、上述した方法によれば、第２の基板３０を、第１及び第２の電気的接続部の重複面積が最も大きくなる位置を特定することができる。すなわち、第１の基板１０と第２の基板３０とのいずれか一方又は両方が膨張・収縮した場合でも、第１及び第２の電気的接続部１４，３４を電気的に接続するための最適の位置を特定することができるため、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。

本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、第１及び第２の基板１０，３０を固着させるための樹脂部を形成することを含んでいてもよい（図示せず）。そして、検査工程等を経て、電子デバイス１を製造してもよい（図１参照）。また、図８には、電子デバイス１を有する電子モジュール１０００を示す。ここで、電子モジュール１０００は、表示デバイスであってもよい。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。さらに、電子デバイス１を有する電子機器として、図９にノート型パーソナルコンピュータ２０００を、図１０に携帯電話３０００を、それぞれ示す。

なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

図１は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。 図２は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。 図３は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。 図４は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。 図５は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。 図６は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。 図７は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。 図８は、本発明を適用した実施の形態に係る方法で製造された電子デバイスを有する電子モジュールを示す図である。 図９は、本発明を適用した実施の形態に係る方法で製造された電子デバイスを有する電子機器を示す図である。 図１０は、本発明を適用した実施の形態に係る方法で製造された電子デバイスを有する電子機器を示す図である。

符号の説明

１０…第１の基板、 １２…第１の配線パターン、 １４…第１の電気的接続部、 ２０…第１の点、 ２２…第１の直線、 ３０…第２の基板、 ３２…第２の配線パターン、 ３４…第２の電気的接続部、 ４０…第２の点、 ４２…第２の直線、 １００…輝度測定エリア

Claims (3)

1. 複数の第１の電気的接続部を含む第１の配線パターンを有する第１の基板が配置されたＸＹ軸平面上に、複数の第２の電気的接続部を含む第２の配線パターンを有する第２の基板を配置して、前記第１の配線パターンが形成された面と前記第２の配線パターンが形成された面とを対向させること、
   前記第１の電気的接続部と第２の電気的接続部とを位置合わせすること、及び、
   前記第１及び第２の電気的接続部を電気的に接続することを含み、
   前記第１の電気的接続部はＸ軸方向に並んで配置されて、Ｙ軸と交差する方向に延びる形状をなし、
   前記ＸＹ軸平面には、輝度測定エリアが、前記第１の電気的接続部と部分的にオーバーラップするように設定されてなり、
   前記第１及び第２の基板の少なくとも一方は光透過性基板であり、
   前記位置合わせ工程は、
   （ａ）前記第１及び第２の基板に、前記光透過性基板側から光を照射して、前記輝度測定エリアの反射光の輝度を測定すること、
   （ｂ）前記第２の基板を、前記第２の電気的接続部の少なくとも一部が前記輝度測定エリアとオーバーラップする範囲内で前記Ｙ軸と平行に移動させて、前記輝度が最も小さくなる位置を特定すること、
   を含む電子デバイスの製造方法。
2. 請求項１記載の電子デバイスの製造方法において、
   前記ＸＹ軸平面には、１つの前記輝度測定エリアが、すべての前記第１の電気的接続部とオーバーラップするように設定されてなる電子デバイスの製造方法。
3. 請求項１記載の電子デバイスの製造方法において、
   前記ＸＹ軸平面には、２つ以上の前記輝度測定エリアが、前記Ｘ軸方向に並んで設定されてなる電子デバイスの製造方法。
   

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