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JP2006060106A - リード部材及び表面実装型半導体装置 - Google Patents

リード部材及び表面実装型半導体装置 Download PDF

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JP2006060106A JP2004241908A JP2004241908A JP2006060106A JP 2006060106 A JP2006060106 A JP 2006060106A JP 2004241908 A JP2004241908 A JP 2004241908A JP 2004241908 A JP2004241908 A JP 2004241908A JP 2006060106 A JP2006060106 A JP 2006060106A
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浩幸 関根
Hideo Yamaguchi
日出男 山口
Masaru Kuno
勝 久野
Kenji Matsuda
剣司 松田
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Abstract

【課題】 低コストで製造し得る製造方法を実現できるリード部材の構造、及びそのリード部材を用いた小型で、実装したときに電極間でリークの発生し難い表面実装型半導体装置を提供すること。
【解決手段】 電子部品に用いられるリード部材において、前記リード部材は、基の部分と、その基の部分の途中からある角度で曲げられた曲げ部分と、その曲げ部分から更に曲げられて前記基の部分と平行になるように曲げられた平坦部分とからなり、前記リード部材における前記基の部分の上面と前記平坦部分の下面との間の距離をT1とし、前記リード部材の前記平坦部分の厚みをT2とし、前記基の部分の下面と前記平坦部分の前記下面との間の距離をT3とするとき、T2=2×T1、T1=T3となるように、前記リード部材が曲げられていることを特徴とするリード部材。

【選択図】 図1

Description

本発明は、背高の低い薄型の電子部品に用いるのに適したリード部材、及びそのリード部材を用いた表面実装型半導体装置に関する。
携帯電話に代表される小型で、高性能の小型電子機器は、多数の非常に小型化された電子部品が実装されているプリント基板を備えている。そのような小型電子機器にあっては、年々、更なる小型化、高機能化の方向に向かっており、これに伴って高密度実装の要求が高まり、小型電子部品についても更に薄型化、小型化の要求が強まっている。前述の小型電子部品の内の一部分は、ダイオード、トランジスタ(FET)などの表面実装型半導体装置であり、小型電子機器とはいえその電力を扱う半導体装置は、要求される電流容量などの面から現在ではIC化が難しく、個別に製造される一般的なガルウィング構造の表面実装型半導体装置が用いられている。このガルウィング構造の表面実装型半導体装置は、半導体素子を被覆してなるモールド樹脂の両端から延びるリードを表面実装に適するよう曲げた構造のものである。
かかる従来のガルウィング構造の表面実装型半導体装置よりも更に薄型化するのに適した表面実装型半導体装置の構造についても既に提案されており、長さ、厚みが1mm弱という薄型の個別に製造される表面実装型半導体装置も実現されている。代表的なものとして、適当に曲げられた一対のリード電極間に半導体素子を位置させ、前記一対のリード電極の平坦部分がモールド樹脂の底面に露出する構造にして薄型化と小型化とを図ったフラット構造の表面実装型半導体装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。その他にも、特許文献1と同様な考え方で、構造の異なるフラット構造の表面実装型半導体装置も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
しかし、特許文献1、2のフラット構造の表面実装型半導体装置を製造にするに当たっては、専用のトランスファーモールド装置が新たに必要であり、時間とコストとがかかる。また、トランスファーモールドの場合には、モールド部分のランナー、ゲート部分、スポット部分など不要な廃棄部分が生じ、これら部分のモールド樹脂を廃棄処分するので、コスト的にも、環境保護の面からも好ましくない。特に、特許文献2の発明のものでは、量産に不適な構造であるなどの問題がある。
そして、上述のような問題点を抱えながら表面実装型半導体装置の薄型化、小型化が進んでいるが、小型化が極限まで進み、その長さ(幅)が1mm未満になってくると、電極間の間隔が0.5〜0.6mm程度と小さくなるものもあり、電気絶縁上の問題が生じることがある。表面実装型半導体装置の半導体製造の過程では、クリーンルームにおいて組み立て作業が行われる場合や、携帯電話のような小型機器などに組み込まれ、使用条件が良い場合には故障などのトラブルが生じないが、湿度が高い、あるいは水分の多い雰囲気で使用したり、帯電が生じる条件などで用いた場合には、表面実装型半導体装置の電極間でリークが生じ、電気絶縁性が低下するので、小型機器が破壊されないまでも、一時的に故障したり、動作が一時的に不安定になるなどの問題が生じることがある。
特開平6−125021号公報 特開2003−197828公報
本発明は、上記課題に鑑みて、前述のような問題点を解決し得る薄型の表面実装型半導体装置を、従来の樹脂封止装置をそのまま使って製造でき、かつ低コストで製造し得る製造方法を実現できるリード部材の構造、及びそのリード部材を用いた表面実装型半導体装置を提供することを目的としている。
前記課題を解決するために、第1の発明は、電子部品に用いられるリード部材において、前記リード部材は、基の部分と、該基の部分の途中からある角度で曲げられた曲げ部分と、その曲げ部分から更に曲げられて前記基の部分と平行になるように曲げられた平坦部分とからなり、前記リード部材における前記基の部分の上面と前記平坦部分の下面との間の距離をT1とし、前記リード部材の前記平坦部分の厚みをT2とし、前記基の部分の下面と前記平坦部分の前記下面との間の距離をT3とするとき、T2=2×T1、T1=T3となるように、前記リード部材が曲げられていることを特徴とするリード部材を提供するものである。
第2の発明は、請求項1に記載のリード部材を一対用いている表面実装型半導体装置において、前記リード部材を、それぞれの前記基の部分が僅かな距離を隔てて位置するように配置すると共に、前記リード部材の一方に半導体素子の一方面を搭載してハンダ付けし、前記半導体素子の他方面を、直接又は間接的に前記リード部材の他方にハンダ付けし、前記リード部材の少なくとも一方の前記基の部分が、0.1mm〜0.5mmの範囲内で露出するように電気絶縁性樹脂で被覆されていることを特徴とする表面実装型半導体装置を提供するものである。
第3の発明は、請求項1に記載のリード部材を一対用いている表面実装型半導体装置において、前記リード部材を、それぞれの前記基の部分が僅かな距離を隔てて位置するように配置すると共に、前記リード部材の一方に半導体素子の一方面を搭載してハンダ付けし、前記半導体素子の他方面を、直接又は間接的に前記リード部材の他方にハンダ付けし、前記リード部材の前記曲げ部分までが前記電気絶縁樹脂で被覆され、前記リード部材の前記平坦部分が前記電気絶縁性樹脂から露出するように被覆されていることを特徴とする表面実装型半導体装置を提供するものである。
第4の発明は、請求項2又は請求項3の発明において、前記半導体素子の他方面は、結線部材にハンダ付けされ、かつ該結線部材は前記リード部材の他方にハンダ付けされており、前記結線部材は、前記半導体素子の他方面にハンダ付けされる部分と前記リード部材の他方にハンダ付けされる部分との間に弾性曲げ部分を備えることを特徴とする表面実装型半導体装置を提供するものである。
前記第1の発明ないし第4の発明によれば、従来のトランスファーモールド装置をそのまま使え、低コストで製造し得る製造方法を実現できるリード部材の構造、及びそのリード部材を用いた小型で、実装したときに電極間でリークの発生し難い表面実装型半導体装置を提供することができる。また、リード部材を予め所定の形状に曲げておくので、リード部材の折り曲げ時に不要な応力が半導体素子にかからず、折り曲げの精度を高くすることができる。特に、前記第4の発明によれば、結線部材がその両端の中途に曲げ弾性部分を有しているので、結線部材とリード部材とのハンダ付け時などに、機械的応力が半導体素子に加わらないので、信頼性の高い表面実装型半導体装置を提供することができる。
先ず、本発明を実施するための最良の形態である実施形態1の表面実装型半導体装置の製造方法について説明する。
[実施形態1]
図1により本発明の実施形態1について説明する。図1は、本発明に係る表面実装型半導体装置100の概観の実施形態1を説明する図である。この実施形態1では、図示しない銅又は銅をニッケルメッキで被覆した金属など導電性の良好な金属材料からなるリードフレームを用いて、その搭載位置に不図示の半導体素子をハンダ付けし、エポキシ系樹脂のようなモールド樹脂1でモールドした後、リードフレームを所定箇所で切断して個々の表面実装型半導体装置100としたものである。表面実装型半導体装置100は、上方から見てほぼ長方形である立方体であり、図1に示すように、長手方向の両端からリード部材2、3が延びている。
本発明に係るリード部材2、3は、図示しないリードフレームのフレーム部から同一高さで向き合うように延びているリード部をモールド樹脂1で封止した後に前記フレーム部から切断したものである。リード部材2、3は、不図示のリードフレームの段階で図示のように曲げられているのが好ましい。リード部材2、3は、モールド樹脂1の相対する側面1a、1bに対してほぼ直角に延びており、それら直角に延びている部分、及びその部分からモールド樹脂1内部に延びる部分を含む基の部分2a、3aを備える。更に、リード部材2、3は、モールド樹脂1の側面1a、1bから外側に直角に延びている一部分の基の部分2a、3aからある角度で曲げられた曲げ部分2b、3b、及びこれら曲げ部分2b、3bからそれぞれ基の部分2a、3aと平行になるように曲げられた平坦部分2c、3cを有する。なお、曲げ部分2b、3bの両側の曲げはRを有するように丸く曲げられていても勿論よい。
モールド樹脂1の側面1a、1bから曲げ部分2b、3bまでにおける基の部分2a、3aの下面の真っ直ぐな部分の長さをL1とし、リード部材2、3の厚みはほぼ同一であって、T1とする。リード部材2、3の基の部分2a、3aの上面と平坦部分2c、3cの下面との間の寸法をT2とし、基の部分2a、3aの下面とモールド樹脂1の下面との間のモールド樹脂1の厚みをT3とする。長さL1は、リード部材2、3近傍の金型の厚み以上の値を有し、この実施形態では0.1mm〜0.5mmの範囲の長さとする。リード部材2、3近傍の金型の厚みが0.1m未満では、金型が変形し易いために、金型の設計、及び樹脂モールド工程に厳格性が要求され、樹脂モールド時に相当な注意を払っても、金型の寿命が短くなり、好ましいトランスファーモールドを行うことができないなどの問題がある。また、リード部材2、3近傍の金型の厚みが0.5mmを越える場合には、モールド樹脂1の下面1cとリード部材2、3の平坦部分2c、3cの下面とが同一高さになるように設計してあるのにもかかわらず、外力などによって平坦部分2c、3cの平坦性が損なわれることがあり、この表面実装型半導体装置100の実装時に問題が生じることがあるから好ましくない。
リード部材2、3の基の部分2a、3aの上面と平坦部分2c、3cの下面との間の寸法T2が、リード部材2、3の厚み、つまりその平坦部分2c、3cの厚みT1の2倍になるように、曲げ部分2b、3bは曲げられている。そして、基の部分2a、3aの下面とモールド樹脂1の下面との間のモールド樹脂1の厚みT3がリード部材2、3の厚みT1と等しくなるように樹脂モールドが行われることによって、モールド樹脂の下面1cとリード部材2、3の平坦部分2c、3cの下面とは同一水平面に存在することになる。このように、リード部材2、3の双方ともがT1=T3になるように曲げ部分2b、3bが形成されているので、金型が複雑にならずに安定した樹脂モールドを行うことができ、しかもリード部材となる部分が予め本発明のように曲げられているリードフレーム(図示せず)でも容易に樹脂モールドを行うことができる。
[実施形態2]
図2に示す実施形態2にかかる表面実装型半導体装置200は、図1に示した表面実装型半導体装置100のモールド樹脂1の内部構造の一例を示している。リード部材2、3の曲げ構造及び寸法は図1のものと同じであり、モールド樹脂1との関係も同じであるが、リード部材3の基の部分3aの上面には、半導体素子4が通常の方法でハンダ付けされている。半導体素子4の上面は結線部材5の一端がハンダ付けされ、結線部材5の他端はリード部材2の基の部分2aの上面にハンダ付けされる。半導体素子4は、PN接合を有するプレーナー型又はメサ型のダイオードチップ、ショットキーバリアダイオード(SBD)素子、あるいはFETチップ又はIGBTチップなどである。
リード部材3の基の部分3aには、特に目新しくないが、小貫通孔3hが形成されている。この小貫通孔3hは、リード部材2、3の基の部分2a、3aの下面を覆うモールド樹脂1が薄いために剥がれ易いという問題点を解決するためのものである。小貫通孔3hは、リード部材3の基の部分3aの下側のモールド樹脂1を上側のモールド樹脂1に接続する働きを行う。同様な働きを行う小貫通孔5hが結線部材5にも形成されている。半導体素子4の上面にハンダ付けされる結線部材5の一端にはプレスなどによって貫通孔5Hが形成され、図示しないハンダ材料が貫通孔5Hを満たし、ハンダ付け強度を増大させる。なお、この実施形態においては、表面実装型半導体素子200の背高を極力低くするために、下記に例示する好ましい結線部材そのものを用いていないが、類似した構造の結線部材5を用いている。
結線部材5の好ましい二つの例について、図3、図4によって説明する。図3(A)は結線部材5の斜視図であり、図3(B)は側面図である。図2に示したリード部材2の平坦部分2cの上面にハンダ付けされる平坦なハンダ付け部5aと、半導体素子4の厚みとハンダ層の厚みとの和の寸法よりも上方まで上がる上昇傾斜部5bと、頂部5cと、下降傾斜部5dと、半導体素子にハンダ付けされる素子ハンダ付け部5eと、ハンダの広がりを制限する部分5fとからなる。上昇傾斜部5bと頂部5cと下降傾斜部5dとは弾性部を形成し、リード部材2からハンダ付け部5aを通して機械的な力が素子ハンダ付け部5eと半導体素子とのハンダ付け部分に加わるのを弱める働きを行う。なお、頂部5cは平坦である必要がなく、円弧状でも良いが、極力背の高さを低くするには平坦であるのが好ましい。
図4は二つ目の好ましい結線部材例を示し。図4(A)は結線部材5の斜視図であり、図4(B)は側面図である。図3で用いた記号と同一の記号は、図3における部材と同一の名称の部材を示す。図4に示す結線部材が図3に示した結線部材5と異なる主な箇所は、例えば図2の半導体素子4にハンダ付けされる素子ハンダ付け部5eである。素子ハンダ付け部5eには、プレスなどによって形成された貫通孔5gと、貫通孔5gの周囲を下側に突出した突出部5iとが形成されている。突出部5iによってハンダ層の厚みが決定され、またハンダ材料が貫通孔5gを満たすようにすることにより、満足の行くハンダ付け強度を得ることができる。これら好ましい結線部材の例にあっては、一方のリード部材に固着される結線部材5の一端側と半導体素子に固着される結線部材の他端側との間に弾性部として働く箇所を備えるので、リード部材2、3に印加される機械的応力は弾性部を形成する部分5b〜5dによって吸収され、また、ハンダ付け時や、モールド樹脂の硬化時に発生する歪みによる機械的応力も、弾性部を形成する部分5b〜5dによって吸収される。
[実施形態3]
図5に示す実施形態3にかかる表面実装型半導体装置300は、図1に示した表面実装型半導体装置100のモールド樹脂1の内部構造の一例を示しており、リード部材2、3の曲げ構造及び寸法は図1のものと同じであり、モールド樹脂1との関係も同じである。リード部材3の基の部分3aの上面には、半導体素子4が通常の方法でハンダ付けされている。半導体素子4の上面にはワイヤボンディング6の一端がボンディングされており、ボンディングワイヤ6の他端はリード部材2の基の部分2aの上面にボンディングされる。リード部材2、3にはそれぞれ小貫通孔2h、3hが備えられており、これらは前述したように、リード部材2、3の下側に位置するモールド樹脂を上側に位置するモールド樹脂1に結合する働きを行い、リード部材2、3の下側に位置するモールド樹脂が剥がれ難くしている。なお、ボンディング方法は通常の方法で行われるので詳述しない。
[実施形態4]
図6に示す実施形態4にかかる表面実装型半導体装置400は、図1に示した表面実装型半導体装置100のモールド樹脂1の内部構造の一例を示しており、リード部材3の曲げ構造及び寸法は図1のものと同じであり、モールド樹脂1との関係も同じである。リード部材2はモールド樹脂1から露出した部分については図1に示したリード部材2と曲げ構造及び寸法は同じであり、モールド樹脂1との関係も同じであるが、基の部分2aが前述の結線部材の働きを行う構造となっている。基の部分2aは、途中から曲げられた傾斜部2eと基の部分2aに平行になる素子固着部2fとからなる。素子固着部2fは、図4に示した結線部材5における貫通孔5gと同様な貫通孔2g、貫通孔2gの周囲を下側に突出した突出部2iが形成されている。
貫通孔2gは、図4に示した結線部材5における貫通孔5gと同様な働きを行い、ハンダ付け強度を増大させると共に、ハンダ材料が不要に広がるのを防止する働きを行う。突出した突出部2iも結線部材5における貫通孔5iと同様な働きを行う。この実施形態においても、表面実装型半導体装置の背高を極限まで低くするために、図4に示した結線部材5における前記弾性部を形成する部分を備えていないが、1.1〜1.2mm程度以上の背高を有する表面実装型半導体装置の場合には、図4に示した結線部材5における前記弾性部を形成する部分に相当する部分を備えるのが、機械的なストレスの影響をできるだけ小さくするという観点からは好ましい。
なお、半導体素子としてプレーナー型のもの、あるいはメサ型のもののいずれでも用いることができるが、メサ型の半導体素子の場合には、PN接合が露出しているので、通常の方法でインナーコートを行ってPN接合を保護した状態で電気絶縁被覆材料で樹脂モールドする必要がある。
本発明の一実施形態に係るリード部材を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係るリード部材を用いている表面実装型半導体装置を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係るリード部材を用いている表面実装型半導体装置に用いられる結線部材の1例を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係るリード部材を用いている表面実装型半導体装置に用いられる結線部材の他の1例を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係るリード部材を用いている他の表面実装型半導体装置を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係るリード部材を用いている他の表面実装型半導体装置を説明するための図である。
符号の説明
1・・・モールド樹脂
2・・・リード部材
2a・・・基の部分
2b・・・曲げ部分
2c・・・平坦部
2e・・・突起部
2g・・・貫通孔
2h・・・小貫通孔
3・・・リード部材
3a・・・基の部分
3b・・・曲げ部分
3c・・・平坦部分
4・・・半導体素子
5・・・結線部材
6・・・ボンディングワイヤ

Claims (4)

  1. 電子部品に用いられるリード部材において、
    前記リード部材は、基の部分と、該基の部分の途中からある角度で曲げられた曲げ部分と、その曲げ部分から更に曲げられて前記基の部分と平行になるように曲げられた平坦部分とからなり、
    前記リード部材における前記基の部分の上面と前記平坦部分の下面との間の距離をT1とし、前記リード部材の前記平坦部分の厚みをT2とし、前記基の部分の下面と前記平坦部分の前記下面との間の距離をT3とするとき、T2=2×T1、T1=T3となるように、前記リード部材が曲げられていることを特徴とするリード部材。
  2. 請求項1に記載のリード部材を一対用いている表面実装型半導体装置において、
    前記リード部材を、それぞれの前記基の部分が僅かな距離を隔てて位置するように配置すると共に、前記リード部材の一方に半導体素子の一方面を搭載してハンダ付けし、前記半導体素子の他方面を、直接又は間接的に前記リード部材の他方にハンダ付けし、
    前記リード部材の少なくとも一方の前記基の部分が、0.1mm〜0.5mmの範囲内で露出するように電気絶縁性樹脂で被覆されていることを特徴とする表面実装型半導体装置。
  3. 請求項1に記載のリード部材を一対用いている表面実装型半導体装置において、
    前記リード部材を、それぞれの前記基の部分が僅かな距離を隔てて位置するように配置すると共に、前記リード部材の一方に半導体素子の一方面を搭載してハンダ付けし、前記半導体素子の他方面を、直接又は間接的に前記リード部材の他方にハンダ付けし、
    前記リード部材の前記曲げ部分までが前記電気絶縁樹脂で被覆され、前記リード部材の前記平坦部分が前記電気絶縁性樹脂から露出するように被覆されていることを特徴とする表面実装型半導体装置。
  4. 請求項2又は請求項3の発明において、
    前記半導体素子の他方面は、結線部材にハンダ付けされ、かつ該結線部材は前記リード部材の他方にハンダ付けされており、
    前記結線部材は、前記半導体素子の他方面にハンダ付けされる部分と前記リード部材の他方にハンダ付けされる部分との間に弾性曲げ部分を備えることを特徴とする表面実装型半導体装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008182074A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2012182253A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置
JP2017079228A (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 株式会社三社電機製作所 半導体素子用端子
JP2017168553A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2018019110A (ja) * 2017-11-02 2018-02-01 ローム株式会社 半導体装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0357251A (ja) * 1989-07-26 1991-03-12 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH06275627A (ja) * 1993-03-17 1994-09-30 Rohm Co Ltd モールド型半導体装置およびその製造方法
JPH11340377A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Matsushita Electron Corp 表面実装型半導体装置
JP2003318344A (ja) * 2002-04-22 2003-11-07 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2004146488A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0357251A (ja) * 1989-07-26 1991-03-12 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH06275627A (ja) * 1993-03-17 1994-09-30 Rohm Co Ltd モールド型半導体装置およびその製造方法
JPH11340377A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Matsushita Electron Corp 表面実装型半導体装置
JP2003318344A (ja) * 2002-04-22 2003-11-07 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2004146488A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008182074A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2012182253A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置
JP2017079228A (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 株式会社三社電機製作所 半導体素子用端子
JP2017168553A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2018019110A (ja) * 2017-11-02 2018-02-01 ローム株式会社 半導体装置

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