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JP2006050074A - Variable gain amplifier - Google Patents

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JP2006050074A JP2004225564A JP2004225564A JP2006050074A JP 2006050074 A JP2006050074 A JP 2006050074A JP 2004225564 A JP2004225564 A JP 2004225564A JP 2004225564 A JP2004225564 A JP 2004225564A JP 2006050074 A JP2006050074 A JP 2006050074A
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Abstract

【課題】高電力レベルの高周波信号が入力されても低消費電力状態の維持を可能とする。
【解決手段】カスコード接続された第１及び第２のＦＥＴ１，２により増幅経路１０１においてカスコードアンプが構成され、また、第４のＦＥＴ４を中心としてバイパス経路１０２が構成される一方、第１のＦＥＴ１のドレインＤ１と第２のＦＥＴ２のソースＳ２の接続点には、第３のＦＥＴ３のドレインＤ３が接続されると共に、この第３のＦＥＴ３のソースＳ３は接地されており、高電力レベルの高周波信号が入力された際には、第１及び第２のＦＥＴ１，２を非動作状態とする一方、第３のＦＥＴ３を導通状態とすることで、第１及び第２のＦＥＴ１，２の段間を低インピーダンスにして、段間に掛かる入力信号の振幅を低減し、低消費電力状態の維持を可能としたものである。
【選択図】図１A low power consumption state can be maintained even when a high-frequency signal of a high power level is input.
A cascode amplifier is formed in an amplification path 101 by first and second FETs 1 and 2 connected in cascode, and a bypass path 102 is formed with a fourth FET 4 as a center. The drain D3 of the third FET 3 is connected to the connection point between the drain D1 of the second FET 2 and the source S2 of the second FET 2, and the source S3 of the third FET 3 is grounded. Is input, the first and second FETs 1 and 2 are set in a non-operating state, while the third FET 3 is set in a conducting state so that the first and second FETs 1 and 2 are connected to each other. The impedance is low, the amplitude of the input signal applied between the stages is reduced, and the low power consumption state can be maintained.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、利得可変型増幅器に係り、特に、高周波信号を扱う無線受信機等に用いられ、半導体集積回路化に適したものに関する。   The present invention relates to a variable gain amplifier, and more particularly to an amplifier suitable for use in a semiconductor integrated circuit, which is used in a radio receiver or the like that handles high frequency signals.

従来、この種の増幅器としては、例えば、増幅動作を行う半導体増幅回路に対して、この半導体増幅回路を迂回して入力信号に減衰を施して出力する回路を併設して利得可変可能に構成されたものが本願出願人により既に出願されている（特願２００３−５８０７０）。
かかる利得可変型増幅器においてはデュプレッション型電界効果トランジスタを用いて半導体増幅回路が構成されているが、これを例えば、エンハンスメント型電界効果トランジスタに代えても同様な回路動作を得ることができる。
図３には、上述の利得可変型増幅器におけるデュプレッション型電界効果トランジスタに代えてエンハンスメント型電界効果トランジスタを用いた場合の回路構成例が示されており、以下、同図を参照しつつこの従来回路構成について概括的に説明する。 Conventionally, as this type of amplifier, for example, a semiconductor amplifying circuit that performs an amplifying operation is provided with a circuit that bypasses the semiconductor amplifying circuit and attenuates an input signal and outputs it, so that the gain can be varied. Have already been filed by the present applicant (Japanese Patent Application No. 2003-58070).
In such a variable gain amplifier, a semiconductor amplifier circuit is configured by using a depletion type field effect transistor, but the same circuit operation can be obtained even if this is replaced with, for example, an enhancement type field effect transistor.
FIG. 3 shows an example of a circuit configuration in the case where an enhancement type field effect transistor is used in place of the depletion type field effect transistor in the variable gain amplifier described above. The circuit configuration will be described generally.

この利得可変型増幅器は、高周波信号を増幅する増幅経路２０１と、入力信号に対して増幅経路２０１のバイパスを行うバイパス経路２０２とを有してなり、いずれも電界効果トランジスタ（以下、「ＦＥＴ」という）を用いて構成されたものとなっている。
すなわち、まず、増幅経路２０１は、カスコード接続されたエンハンスメント型の第１及び２のＦＥＴ６１，６２を主たる構成要素としてカスコード増幅回路が構成されており、第１のＦＥＴ６１のゲートＧ１に印加された入力信号がカスコード増幅されて第２のＦＥＴ６２のドレインＤ２側に得られるようになっている。
一方、バイパス経路２０２は、入力信号を第１のＦＥＴ６１のゲートＧ１の手前側から第２のＦＥＴ６２のドレインＤ２側へバイパスさせるように第３のＦＥＴ６３を主たる構成要素として構成されたものとなっている。 This variable gain amplifier includes an amplification path 201 that amplifies a high-frequency signal and a bypass path 202 that bypasses the amplification path 201 with respect to an input signal, both of which are field effect transistors (hereinafter referred to as “FETs”). It is made up of.
That is, first, the amplification path 201 has a cascode amplification circuit mainly composed of enhancement-type first and second FETs 61 and 62 connected in cascode, and an input applied to the gate G1 of the first FET 61. The signal is cascode amplified and obtained on the drain D2 side of the second FET 62.
On the other hand, the bypass path 202 is configured with the third FET 63 as a main component so as to bypass the input signal from the front side of the gate G1 of the first FET 61 to the drain D2 side of the second FET 62. Yes.

かかる構成において、第一のゲート電圧供給端子６４と第二のゲート電圧供給端子６５には、同相のゲート電圧が印加される一方、制御電圧供給端子６６には、これらとは逆相で制御電圧が印加されて回路動作がなされるようになっている。
すなわち、入力される高周波信号が低い電力レベルの場合、第１及び第２のＦＥＴ６１，６２が増幅動作可能となるように第一及び第二のゲート電圧供給端子６４，６５に所定のゲート電圧が印加されて、増幅経路２０１がいわばオン（ＯＮ）状態とされる一方、第３のＦＥＴ６３が非導通状態となるように制御電圧供給端子６６には所定の制御電圧が印加されることで、バイパス経路２０２はいわばオフ（ＯＦＦ）状態とされることとなる。
その結果、高周波信号入力端子６７から入力された高周波信号は、第１及び第２のＦＥＴ６１，６２により増幅されて、高周波信号出力端子６８から出力されることとなる。 In such a configuration, the first gate voltage supply terminal 64 and the second gate voltage supply terminal 65 are applied with a gate voltage having the same phase, while the control voltage supply terminal 66 has a control voltage in the opposite phase. Is applied to operate the circuit.
That is, when the input high-frequency signal has a low power level, a predetermined gate voltage is applied to the first and second gate voltage supply terminals 64 and 65 so that the first and second FETs 61 and 62 can perform an amplification operation. By applying a predetermined control voltage to the control voltage supply terminal 66 so that the third FET 63 is turned off while the amplification path 201 is turned on, the bypass is bypassed. In other words, the path 202 is turned off.
As a result, the high frequency signal input from the high frequency signal input terminal 67 is amplified by the first and second FETs 61 and 62 and output from the high frequency signal output terminal 68.

また、入力される高周波信号が高い電力レベルの場合、上述とは逆に、増幅経路２０１をオフ状態、バイパス経路２０２をオン状態とすることで、入力された高周波信号はバイパス経路２０２を通過して所定の減衰を受けて高周波信号出力端子６８から出力されることとなる。この場合、増幅経路２０１がオフ状態であるので、動作電流はほぼ流れなくなり、回路全体として低消費電力状態となる。   When the input high frequency signal is at a high power level, the input high frequency signal passes through the bypass path 202 by turning off the amplification path 201 and turning on the bypass path 202, contrary to the above. As a result, the signal is output from the high-frequency signal output terminal 68 after receiving predetermined attenuation. In this case, since the amplification path 201 is in the off state, the operating current almost does not flow, and the entire circuit is in a low power consumption state.

ところで、上述のような従来の回路構成において、増幅経路２０１がオフ状態でバイパス経路２０２がオン状態の場合、ある一定以上の高電力レベルの高周波信号が入力されると、第１のＦＥＴ６１のゲートＧ１にはプラスの振幅が掛かり、第１のＦＥＴ６１はオフ状態を保持できなくなる。また、第１のＦＥＴ６１のゲート・ドレイン間の寄生容量にマイナスの電圧が充電されることで、第２のＦＥＴ６２のソースＳ２にマイナス電圧が掛かり、そのため、第２のＦＥＴ６２のゲート・ドレイン間にプラスの電位差が発生することとなり、第２のＦＥＴ６２は、オフ状態を保持できなくなる。
そして、増幅経路２０１における第１及び第２のＦＥＴ６１，６２のオフ状態が保持できなくなる時間が重複することによって、本来オフ状態に保持されるべき増幅経路２０１はオフ状態を保持できなくなり、そのため、電力消費が発生し、先に述べたような低消費電力状態が維持できなくなるという問題が生ずる。 By the way, in the conventional circuit configuration as described above, when the amplification path 201 is in the off state and the bypass path 202 is in the on state, when a high-frequency signal having a certain high power level is input, the gate of the first FET 61 A positive amplitude is applied to G1, and the first FET 61 cannot maintain the off state. In addition, a negative voltage is charged to the parasitic capacitance between the gate and drain of the first FET 61, so that a negative voltage is applied to the source S <b> 2 of the second FET 62. A positive potential difference is generated, and the second FET 62 cannot maintain the off state.
Then, since the time when the off state of the first and second FETs 61 and 62 in the amplification path 201 cannot be maintained overlaps, the amplification path 201 that should originally be maintained in the off state cannot maintain the off state. There is a problem in that power consumption occurs and the low power consumption state as described above cannot be maintained.

本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、高電力レベルの高周波信号が入力されても電力消費が変動することなく低消費電力状態を維持することができる利得可変型増幅器を提供するものである。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a variable gain amplifier capable of maintaining a low power consumption state without fluctuation of power consumption even when a high power level high frequency signal is input. It is.

上記本発明の目的を達成するため、本発明に係る利得可変型増幅器は、
半導体増幅回路と、当該半導体増幅回路をバイパスするバイパス経路を有してなる利得可変型増幅器であって、
前記半導体増幅回路は、カスコード接続された２つの電界効果トランジスタによるカスコードアンプからなり、
前記カスコード接続された２つの電界効果トランジスタの相互の接続点に、第３の電界効果トランジスタのドレインが接続されると共に、当該第３の電界効果トランジスタのソースは接地される一方、
前記バイパス経路は、その一端が前記半導体増幅回路の入力側に、他端が前記半導体増幅回路の出力側に、それぞれ接続されてなり、
前記第３の電界効果トランジスタは、その動作状態が当該第３の電界効果トランジスタのゲートへ印加される制御電圧によって、
前記カスコードアンプを構成する２つの電界効果トランジスタが動作状態の場合には、非動作状態に、また、前記カスコードアンプを構成する２つの電界効果トランジスタが非動作状態の場合には、動作状態に、それぞれ制御可能に構成されてなるものである。
また、前記カスコードアンプを構成する２つの電界効果トランジスタに代えて、デュアルゲート電界効果トランジスタを用いても好適である。 In order to achieve the above object of the present invention, a variable gain amplifier according to the present invention comprises:
A gain variable type amplifier having a semiconductor amplifier circuit and a bypass path for bypassing the semiconductor amplifier circuit,
The semiconductor amplifier circuit includes a cascode amplifier including two cascode-connected field effect transistors,
While the drain of the third field effect transistor is connected to the connection point between the two cascode-connected field effect transistors, the source of the third field effect transistor is grounded,
The bypass path has one end connected to the input side of the semiconductor amplifier circuit and the other end connected to the output side of the semiconductor amplifier circuit.
The third field effect transistor has an operation state controlled by a control voltage applied to the gate of the third field effect transistor.
When the two field effect transistors constituting the cascode amplifier are in an operating state, they are in a non-operating state, and when the two field effect transistors constituting the cascode amplifier are in a non-operating state, they are in an operating state. Each is configured to be controllable.
It is also preferable to use a dual gate field effect transistor instead of the two field effect transistors constituting the cascode amplifier.

本発明によれば、高電力レベルの高周波信号が入力された際に、カスコード接続された２つの電界効果トランジスタの段間が、制御電圧によって動作制御可能な電界効果トランジスタを介して接地されることで低インピーダンスとなるように構成したので、カスコードアンプの段間に掛かる振幅が低減され、低消費電力状態を保つことのできる利得可変型増幅器を提供することができる。   According to the present invention, when a high-frequency signal of a high power level is input, the stage between two cascode-connected field effect transistors is grounded via a field effect transistor whose operation can be controlled by a control voltage. Therefore, it is possible to provide a variable gain amplifier capable of reducing the amplitude applied between the stages of the cascode amplifier and maintaining a low power consumption state.

以下、本発明の実施の形態について、図１及び図２を参照しつつ説明する。
なお、以下に説明する部材、配置等は本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨の範囲内で種々改変することができるものである。
最初に、本発明の実施の形態における利得可変型増幅器の構成例について、図１を参照しつつ説明する。
この利得可変型増幅器は、第１、第２及び第３の電界効果トランジスタ（以下、「ＦＥＴ」という）１〜３を主たる構成要素としてなる増幅経路１０１と、第４のＦＥＴ４を主たる構成要素としてなるバイパス経路１０２とを有してなるものである。なお、本発明の実施の形態において、第１乃至第４のＦＥＴ１〜４は、エンハンスメント型シングルゲート電界効果トランジスタが用いられたものとなっている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
The members and arrangements described below do not limit the present invention and can be variously modified within the scope of the gist of the present invention.
First, a configuration example of a variable gain amplifier according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The variable gain amplifier includes an amplification path 101 having first, second, and third field effect transistors (hereinafter referred to as “FETs”) 1 to 3 as main components, and a fourth FET 4 as main components. And a bypass path 102. In the embodiment of the present invention, enhancement type single gate field effect transistors are used for the first to fourth FETs 1 to 4.

まず、増幅経路１０１においては、第１のＦＥＴ１のゲートＧ１は、電力供給用抵抗器２３を介して第一のゲート電圧供給端子３５に接続されると共に、第１のＤＣカットキャパシタ１１及び入力整合回路３１を介して高周波信号入力端子３３に接続されるようになっている。また、第１のＦＥＴ１のソースＳ１は、スパイラルソースインダクタンス２５を介して接地されている。
一方、第１のＦＥＴ１のドレインＤ１は、第２のＦＥＴ２のソースＳ２に接続されて、第１及び第２のＦＥＴ１，２によりカスコードアンプが形成されるようになっており、第２のＦＥＴ２のドレインＤ２は、出力整合回路３２及び第２のＤＣカットキャパシタ１２を介して高周波信号出力端子３４に接続されている。 First, in the amplification path 101, the gate G1 of the first FET 1 is connected to the first gate voltage supply terminal 35 via the power supply resistor 23, and the first DC cut capacitor 11 and the input matching are connected. The circuit 31 is connected to the high frequency signal input terminal 33. The source S1 of the first FET 1 is grounded via a spiral source inductance 25.
On the other hand, the drain D1 of the first FET 1 is connected to the source S2 of the second FET 2, so that a cascode amplifier is formed by the first and second FETs 1 and 2, and the second FET 2 The drain D <b> 2 is connected to the high frequency signal output terminal 34 via the output matching circuit 32 and the second DC cut capacitor 12.

そして、第２のＦＥＴ２のゲートＧ２には、第二のゲート電圧供給端子３６を介して外部からゲート電圧が供給されるようになっていると共に、ゲートＧ２はバイパスキャパシタ１５を介して接地されたものとなっている。また、先の出力整合回路３２と第２のＤＣカットキャパシタ１２との間には、チョークインダクタンス２６を介して電源供給端子３９が接続されて外部からの電源電圧の供給が行われるようになっている。   A gate voltage is supplied to the gate G2 of the second FET 2 from the outside via the second gate voltage supply terminal 36, and the gate G2 is grounded via the bypass capacitor 15. It has become a thing. Further, a power supply terminal 39 is connected between the output matching circuit 32 and the second DC cut capacitor 12 via the choke inductance 26 so that a power supply voltage is supplied from the outside. Yes.

また、先の第１のＦＥＴ１のドレインＤ１と第２のＦＥＴ２のソースＳ２の接続点には、第３のＦＥＴ３のドレインＤ３が接続されている。そして、第３のＦＥＴ３のソースＳ３は接地される一方、ゲートＧ３には第二の制御電圧供給端子３８を介してこの第３のＦＥＴ３の動作、非動作を制御するための制御電圧が外部から印加されるようになっている。   The drain D3 of the third FET 3 is connected to the connection point between the drain D1 of the first FET 1 and the source S2 of the second FET 2. The source S3 of the third FET 3 is grounded, and a control voltage for controlling the operation and non-operation of the third FET 3 is externally supplied to the gate G3 via the second control voltage supply terminal 38. It is to be applied.

次に、バイパス経路１０２の構成について説明すれば、まず、バイパス経路１０２の主たる構成要素である第４のＦＥＴ４のソースＳ４は、第３のＤＣカットキャパシタ１３を介して増幅経路１０１の入力整合回路３１と第１のＤＣカットキャパシタ１１との間に接続されると共に、第１の接地用抵抗器２１を介して接地されたものとなっている。一方、第４のＦＥＴ４のドレインＤ４は、第４のＤＣカットキャパシタ１４を介して増幅経路１０１の第２のＦＥＴ２のドレインＤ２と出力整合回路３２との間に接続されると共に、第２の接地用抵抗器２２を介して接地されたものとなっている。また、第４のＦＥＴ４のゲートＧ４は、ゲートバイアス供給用抵抗器２４を介して第一の制御電圧供給端子３７に接続されて、外部から第４のＦＥＴ４の動作状態を制御するための制御電圧が印加されるようになっている。
なお、上記構成における回路は、半導体集積回路化したものが好適であるが、いわゆるディスクリートに構成しても勿論良いものである。 Next, the configuration of the bypass path 102 will be described. First, the source S4 of the fourth FET 4 which is the main component of the bypass path 102 is connected to the input matching circuit of the amplification path 101 via the third DC cut capacitor 13. 31 is connected between the first DC cut capacitor 11 and grounded via the first grounding resistor 21. On the other hand, the drain D4 of the fourth FET 4 is connected between the drain D2 of the second FET 2 of the amplification path 101 and the output matching circuit 32 via the fourth DC cut capacitor 14, and is connected to the second ground. It is grounded via the resistor 22 for use. The gate G4 of the fourth FET 4 is connected to the first control voltage supply terminal 37 via the gate bias supply resistor 24, and a control voltage for controlling the operation state of the fourth FET 4 from the outside. Is applied.
The circuit in the above configuration is preferably a semiconductor integrated circuit, but it may of course be configured as a so-called discrete circuit.

次に、上記構成における動作について説明する。
まず、前提条件として、第一及び第二のゲート電圧供給端子３５，３６には同相のゲート電圧が印加される一方、第一及び第二の制御電圧供給端子３７，３８には、第一及び第二のゲート電圧供給端子３５，３６に印加されるゲート電圧に対し、逆相でそれぞれ制御電圧が印加されるものとする。
かかる前提の下、最初に、低電力レベルの高周波信号が入力される場合、増幅経路１０１の第１及び第２のＦＥＴ１，２がオン状態、換言すれば、第１及び第２のＦＥＴ１，２による高周波信号の増幅が行われる状態となるゲート電圧を第一及び第二のゲート電圧供給端子３５，３６に印加する一方、バイパス経路１０２の第４のＦＥＴ４と、増幅経路１０１に設けられた第３のＦＥＴ３は、共にオフ状態、すなわち、ドレイン・ソース間が非導通状態となる制御電圧を第一及び第二の制御電圧供給端子３７，３８にそれぞれ印加することとなる。
その結果、高周波信号入力端子３３から入力された信号は、第１のＦＥＴ１のゲートＧ１に入力され、第１及び第２のＦＥＴ１，２による増幅を受けて高周波信号出力端子３４から出力されることとなる。そして、この際、第３のＦＥＴ３はオフ状態であるため、そのドレインＤ３は高インピーダンスとなり、そのため、入力された高周波信号に対して影響を及ぼすことがなく、第１及び第２のＦＥＴ１，２において高周波信号の増幅が適正に行われることとなる。 Next, the operation in the above configuration will be described.
First, as a precondition, in-phase gate voltages are applied to the first and second gate voltage supply terminals 35 and 36, while the first and second control voltage supply terminals 37 and 38 have first and second gate voltage supply terminals 37 and 38, respectively. It is assumed that the control voltage is applied in the opposite phase to the gate voltage applied to the second gate voltage supply terminals 35 and 36.
Under such a premise, when a low-power level high-frequency signal is input first, the first and second FETs 1 and 2 of the amplification path 101 are in an on state, in other words, the first and second FETs 1 and 2. While applying the gate voltage at which the high-frequency signal is amplified by the first and second gate voltage supply terminals 35 and 36, the fourth FET 4 in the bypass path 102 and the first FET provided in the amplification path 101 are applied. Both FETs 3 are applied to the first and second control voltage supply terminals 37 and 38, respectively, with a control voltage that turns off, that is, a non-conducting state between the drain and the source.
As a result, the signal input from the high-frequency signal input terminal 33 is input to the gate G1 of the first FET 1, is amplified by the first and second FETs 1 and 2, and is output from the high-frequency signal output terminal 34. It becomes. At this time, since the third FET 3 is in the off state, its drain D3 has a high impedance, and therefore does not affect the input high-frequency signal, and the first and second FETs 1, 2 are not affected. In this case, the high-frequency signal is properly amplified.

次に、高電力レベルの高周波信号が入力される場合、増幅経路１０１の第１及び第２のＦＥＴ１，２がオフ状態、換言すれば、第１及び第２のＦＥＴ１，２による高周波信号の増幅が行われない状態となるゲート電圧を第一及び第二のゲート電圧供給端子３５，３６に印加する一方、バイパス経路１０２の第４のＦＥＴ４と、増幅経路１０１に設けられた第３のＦＥＴ３が共にオン状態、すなわち、ドレイン・ソース間が導通状態となる制御電圧を第一及び第二の制御電圧供給端子３７，３８にそれぞれ印加することとなる。   Next, when a high power level high frequency signal is input, the first and second FETs 1 and 2 of the amplification path 101 are in an off state, in other words, the high frequency signal is amplified by the first and second FETs 1 and 2. Is applied to the first and second gate voltage supply terminals 35 and 36, while the fourth FET 4 in the bypass path 102 and the third FET 3 provided in the amplification path 101 are Both control voltages are applied to the first and second control voltage supply terminals 37 and 38 so that the drain and source are in a conductive state.

その結果、高周波信号入力端子３３から入力された信号は、第４のＦＥＴ４を通過して高周波信号出力端子３４から所定の減衰量の減衰を受けた状態で出力されることとなる。そして、この際、高電力レベルの高周波信号の入力により、従来回路同様、第２のＦＥＴ２のソースＳ２には負の振幅が掛かろうとするが、第３のＦＥＴ３がオン状態により、この点のインピーダンスが下がるため、第２のＦＥＴ２のソースＳ２には殆ど高周波信号の振幅が掛からなくなる。したがって、第２のＦＥＴ２はオフ状態を保持でき、そのため、高電力レベルの高周波信号が入力された場合にあっては、増幅経路１０１がオフ状態に維持されることによる低消費電力状態が安定、確実に維持されることとなる。   As a result, the signal input from the high-frequency signal input terminal 33 passes through the fourth FET 4 and is output in a state of being attenuated by a predetermined attenuation amount from the high-frequency signal output terminal 34. At this time, as with the conventional circuit, a negative amplitude is applied to the source S2 of the second FET 2 due to the input of a high-frequency signal at a high power level, but the impedance of this point is caused by the third FET 3 being turned on. Therefore, the source S2 of the second FET 2 is hardly affected by the amplitude of the high frequency signal. Therefore, the second FET 2 can maintain the OFF state, and therefore, when a high-frequency signal of a high power level is input, the low power consumption state due to the amplification path 101 being maintained in the OFF state is stable. It will be reliably maintained.

次に、本発明の実施の形態における利得可変型増幅器の特性例について、従来回路の同様の特性例と共に、図２及び図４を参照しつつ説明する。
まず、図２及び図４において、いずれも横軸は、入力電力（ｄＢｍ）を表し、縦軸は、動作電流（Ａ）を表すものとなっている。
図２に示された本発明の実施の形態における利得可変型増幅器の特性例においては、例えば、入力電力が＋１０ｄＢｍのとき、動作電流はほぼ零ｍＡであるのに対して、図４に示された従来回路で約１．２ｍＡの動作電流が流れており、本発明の実施の形態における利得可変型増幅器が動作電流の抑圧という点で改善されたものであることが確認できる。 Next, characteristic examples of the variable gain amplifier according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 4 together with similar characteristic examples of the conventional circuit.
2 and 4, the horizontal axis represents input power (dBm), and the vertical axis represents operating current (A).
In the characteristic example of the variable gain amplifier in the embodiment of the present invention shown in FIG. 2, for example, when the input power is +10 dBm, the operating current is almost zero mA, whereas FIG. In the conventional circuit, an operating current of about 1.2 mA flows, and it can be confirmed that the variable gain amplifier according to the embodiment of the present invention is improved in terms of suppression of the operating current.

なお、上述の構成例においては、２個のシングルゲート電界効果トランジスタを用いてカスコード増幅器を構成するようにしたが、２個のシングルゲート電界効果トランジスタに代えて、デュアルゲート電界効果トランジスタを用いた増幅器としても勿論良いものである。   In the above configuration example, the cascode amplifier is configured using two single gate field effect transistors. However, a dual gate field effect transistor is used instead of the two single gate field effect transistors. Of course, it is a good amplifier.

本発明の実施の形態における利得可変型増幅器の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of the variable gain amplifier in embodiment of this invention. 図１に示された利得可変型増幅器の入力電力に対する動作電流の変化を示す特性線図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing a change in operating current with respect to input power of the variable gain amplifier shown in FIG. 1. 利得可変型増幅器の従来回路例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the example of a conventional circuit of a variable gain amplifier. 図３に示された利得可変型増幅器の入力電力に対する動作電流の変化を示す特性線図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing changes in operating current with respect to input power of the variable gain amplifier shown in FIG. 3.

符号の説明Explanation of symbols

１…第１の電界効果トランジスタ
２…第２の電界効果トランジスタ
３…第３の電界効果トランジスタ
４…第４の電界効果トランジスタ
３３…高周波信号入力端子
３４…高周波信号出力端子
３５…第一のゲート電圧供給端子
３６…第二のゲート電圧供給端子
３７…第一の制御電圧供給端子
３８…第二の制御電圧供給端子
３９…電源供給端子
１０１…増幅経路
１０２…バイパス経路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st field effect transistor 2 ... 2nd field effect transistor 3 ... 3rd field effect transistor 4 ... 4th field effect transistor 33 ... High frequency signal input terminal 34 ... High frequency signal output terminal 35 ... 1st gate Voltage supply terminal 36 ... second gate voltage supply terminal 37 ... first control voltage supply terminal 38 ... second control voltage supply terminal 39 ... power supply terminal 101 ... amplification path 102 ... bypass path

Claims (2)

半導体増幅回路と、当該半導体増幅回路をバイパスするバイパス経路を有してなる利得可変型増幅器であって、
前記半導体増幅回路は、カスコード接続された２つの電界効果トランジスタによるカスコードアンプからなり、
前記カスコード接続された２つの電界効果トランジスタの相互の接続点に、第３の電界効果トランジスタのドレインが接続されると共に、当該第３の電界効果トランジスタのソースは接地される一方、
前記バイパス経路は、その一端が前記半導体増幅回路の入力側に、他端が前記半導体増幅回路の出力側に、それぞれ接続されてなり、
前記第３の電界効果トランジスタは、その動作状態が当該第３の電界効果トランジスタのゲートへ印加される制御電圧によって、
前記カスコードアンプを構成する２つの電界効果トランジスタが動作状態の場合には、非動作状態に、また、前記カスコードアンプを構成する２つの電界効果トランジスタが非動作状態の場合には、動作状態に、それぞれ制御可能に構成されてなることを特徴とする利得可変型増幅器。 A gain variable type amplifier having a semiconductor amplifier circuit and a bypass path for bypassing the semiconductor amplifier circuit,
The semiconductor amplifier circuit includes a cascode amplifier including two cascode-connected field effect transistors,
While the drain of the third field effect transistor is connected to the connection point between the two cascode-connected field effect transistors, the source of the third field effect transistor is grounded,
The bypass path has one end connected to the input side of the semiconductor amplifier circuit and the other end connected to the output side of the semiconductor amplifier circuit.
The third field effect transistor has an operation state controlled by a control voltage applied to the gate of the third field effect transistor.
When the two field effect transistors constituting the cascode amplifier are in an operating state, they are in a non-operating state, and when the two field effect transistors constituting the cascode amplifier are in a non-operating state, they are in an operating state. A variable gain amplifier characterized by being configured to be controllable. 前記カスコードアンプを構成する２つの電界効果トランジスタに代えて、デュアルゲート電界効果トランジスタを用いてなることを特徴とする請求項１記載の利得可変型増幅器。   2. The variable gain amplifier according to claim 1, wherein a dual gate field effect transistor is used instead of the two field effect transistors constituting the cascode amplifier.
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