JP2006041190A - 半導体ウェハ、半導体素子および光電流測定方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 所期の受光部の光電流の電流値を確実に測定可能な半導体ウェハを提供する。
【解決手段】 半導体ウェハには、複数の受光部が含まれ、光電流阻止手段が備えられ、光電流阻止手段によって所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、複数の受光部を含む半導体ウェハに関する。
図6は、第1の従来の技術の半導体ウェハ1を半径方向に垂直な仮想平面で切断して見た断面図である。図7は、半導体ウェハ1を厚み方向から見た平面図である。半導体ウェハ1は、略円板状のn型の基板2の厚み方向一表面部3に複数のp型の拡散領域部4が互いに離隔させてマトリクス状に埋め込まれるように配設され、前記p型の各拡散領域部4の間にストッパ部5を配設することによって形成される。このように配設されるp型の拡散領域部4と基板2の一部とによって受光部6を構成し、受光部6が半導体ウェハ1にマトリクス状に配設される。半導体ウェハ1には、厚み方向一表面部3から突出する方向に酸化膜7が形成される。酸化膜7は、p型の拡散領域部4を被覆し、かつ網目状に形成される。これによって、n型の基板2上に網状に形成されるダイシング領域8が形成される。ダイシング領域8は、半導体ウェハ1をダイシングする際のダイシングすべき位置であり、ダイシング領域8をダイシングすることによって受光素子が得られる。
第2の従来の技術の半導体装置は、シリコン基板に2つまたは4つののフォトトランジスタが並設され、この並設されるフォトトランジスタの間の領域にフォトダイオードを設けることによって形成される。フォトダイオードは、n型拡散領域部とp型拡散領域部とを短絡して形成される(たとえば特許文献1参照)。
第1の従来の技術の半導体ウェハ1に光9を照射すると、受光部6では、光起電力効果によって、光を吸収しキャリア10を発生するとともに、キャリア10の移動にともない光電流が発生する。半導体ウェハ1では、半導体ウェハ1をダイシングして得られる半導体素子のスクリーニングを行うために、半導体ウェハ1に光を照射して所期の受光部4aの光電流を測定する。測定の際に照射される光9の照射面積は、各受光部4の光に臨む表面部の面積より大きい場合が多い。それ故、半導体ウェハ1では複数の受光部4がマトリクス状に配設されているので、照射される光1は、その近傍の複数の受光部4bにも照射される。これによって所期の受光部4aから発生する光電流の電流値を測定する場合、その近傍の受光部4bから発生する光電流が所期の受光部4aに導かれ、所期の受光部4aの光電流の電流値の測定に悪影響を及ぼす、すなわちクロストーク現象が生じる。したがって所期の受光部4aから発生する光電流の電流値を測定する場合、その近傍の受光部4bから生じる光電流が影響し、所期の受光部4bの正確な光電流を測定することが困難であり、各受光部4のスクリーニングの際の誤選別を招く場合がある。
第2の従来の技術の半導体装置では、並設される2つのフォトトランジスタの間の領域にn型拡散領域部とp型拡散領域部とが短絡するフォトダイオードを設けることによって、一方のフォトトランジスタから発生するキャリアが他方のフォトトランジスタに侵入することを阻止する、すなわち光電流の侵入を阻止する。このように半導体装置では、光電流の侵入を阻止可能であるけれども、出願人は、2つまたは4つのフォトトランジスタが設けられる場合について想定されているに留まり、複数の受光部が形成されるような半導体ウェハについては想定していない。
本発明の目的は、所期の受光部の光電流の電流値を確実に測定可能な半導体ウェハを提供することである。
本発明は、複数の受光部を含む半導体ウェハであって、
所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する光電流阻止手段を備えることを特徴とする半導体ウェハである。
所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する光電流阻止手段を備えることを特徴とする半導体ウェハである。
本発明に従えば、半導体ウェハに複数の受光部が含まれ、光電流阻止手段が所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止することができる。
本発明は、光電流阻止手段は、所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設されるショートダイオードであることを特徴とする。
本発明に従えば、光電流阻止手段は、所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設されるショートダイオードである。
本発明は、ショートダイオードは、第1導電型のストッパ部と第2導電型の拡散領域部とを含み、
第1導電型のストッパ部は、その近傍に形成される基板の一部分を成す第1導電型の半導体材料よりキャリア濃度が高い第1導電型の半導体材料から成り、
第1導電型のストッパ部と第2導電型の拡散領域部とが短絡することを特徴とする。
第1導電型のストッパ部は、その近傍に形成される基板の一部分を成す第1導電型の半導体材料よりキャリア濃度が高い第1導電型の半導体材料から成り、
第1導電型のストッパ部と第2導電型の拡散領域部とが短絡することを特徴とする。
本発明に従えば、ショートダイオードは、第1導電型のストッパ部近傍の基板の一部分を成す第1導電型の半導体材料のキャリア濃度より高濃度の第1導電型のストッパ部と、第2導電型の拡散領域部とを含み、第1導電型のストッパ部と第2導電型の拡散領域部とを短絡して形成される。これによって短絡部を備えるショートダイオードを所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設することができる。
本発明は、ショートダイオードは、第2導電型の拡散領域部が所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設され、
第1導電型のストッパ部が、第2導電型の拡散領域部と接合され、かつ所期の受光部およびその近傍の受光部と第1導電型の拡散領域部との間の領域にそれぞれ配設され、
第2導電型の拡散領域部と第1導電型の各ストッパ部とを配線によってそれぞれ短絡して形成されることを特徴とする。
第1導電型のストッパ部が、第2導電型の拡散領域部と接合され、かつ所期の受光部およびその近傍の受光部と第1導電型の拡散領域部との間の領域にそれぞれ配設され、
第2導電型の拡散領域部と第1導電型の各ストッパ部とを配線によってそれぞれ短絡して形成されることを特徴とする。
本発明に従えば、第2導電型の拡散領域部は、所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設され、第1導電型のストッパ部は、第2導電型の拡散領域部と接合され、かつ所期の受光部およびその近傍の受光部との間の領域にそれぞれ配設される。第2導電型の拡散領域部と第1導電型の各ストッパ部は、配線によってそれぞれ短絡される。これによってショートダイオードに短絡部を形成することができる。
本発明は、前記各配線は、相互に離隔して形成され、その近傍の配線ととともにダイシングすべき領域を形成することを特徴とする。
本発明に従えば、各配線が相互に隔離して形成され、その近傍の配線とともにダイシングすべき領域を形成する。これによって配線がダイシングすべき領域の目印とすることができるとともに、従来の技術のダイシングすべき領域より狭めることができる。
本発明は、前記半導体ウェハに光を照射する光照射工程と、
前記半導体ウェハに含まれる所期の受光部に流れる光電流を測定する測定工程とを含むことを特徴とする光電流測定方法である。
前記半導体ウェハに含まれる所期の受光部に流れる光電流を測定する測定工程とを含むことを特徴とする光電流測定方法である。
本発明に従えば、光照射工程で半導体ウェハに光を照射する。測定工程では、半導体ウェハに含まれる所期の受光部に流れる光電流を測定する。これによって所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する状態で、所期の受光部に流れる光電流の電流値を測定することができる。
本発明は、前記半導体ウェハをダイシングして製造されることを特徴とする半導体素子である。
本発明に従えば、半導体素子は、半導体ウェハをダイシングすることによって製造することができる。
本発明によれば、所期の受光部の近傍から発生する光電流が所期の受光部に侵入することを阻止できる。換言すると、所期の受光部に不所望な光電流が侵入することを阻止できる、すなわちクロストーク現象を抑制できる。したがって所期の受光部の光電流を測定すると、所期の受光部から発生する光電流の電流値を正確に測定することができる。それ故、半導体ウェハに光を照射することによって、所期の受光部のスクリーニングを行うことができる、つまり半導体ウェハをダイシングして得られ所期受光部を備える半導体素子のスクリーニングを確実に行うことが可能である。このように半導体ウェハに光を照射することによって半導体素子のスクリーニングが可能であるので、半導体素子を1つ1つスクリーニングする場合に比べて、短時間で行うことができ利用者の労力を軽減することができるうえ、簡単かつ確実にスクリーニングを行うことができる。
本発明によれば、ショートダイオードを、所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設する。これによって所期の受光部の近傍の受光部から発生する光電流がショートダイオードに吸収される。換言すると、ショートダイオードによって、所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止することができる。このようにショートダイオードを設けることによって、光電流阻止手段を実現することができる。
本発明によれば、第1導電型のストッパ部と第2導電型の拡散領域部とを短絡することによって、短絡部を有するショートダイオードを、所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設することができる。これによって所期の受光部の近傍の受光部から発生する光電流がショートダイオードの短絡部に導かれる、すなわち吸収される。これによって所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止することができ、光電流の侵入を阻止するショートダイオードを実現することができる。
本発明によれば、第1導電型のストッパ部と第2導電型の拡散領域部とを配線で短絡することによって、短絡部を所期の受光部およびその近傍の受光部との間の領域に形成することができる。これによって所期の受光部の近傍の受光部から発生する光電流を短絡部に吸収させることができ、所期の受光部に対して、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止することができるショートダイオードを実現することができる。また第2導電型の拡散領域部と所期の受光部およびその近傍の受光部との間の領域に第1導電型のストッパ部が第2導電型の拡散領域部と接合させて設けられるので、近傍の受光部から所期の受光部に侵入する光電流を確実に阻止することができる。
本発明によれば、配線がダイシングすべき領域の両端に形成されるので、ダイシングすべき領域の目印となる。このように配線がダイシングすべき領域の目印となるので、半導体ウェハを容易にダイシングできる。配線をダイシングすべき領域の目印に用いるので、目印のために新たな構成を設けることを必要とせず、半導体ウェハの構成を簡単にすることができる。これによって半導体ウェハの製造コストを削減することができる。またダイシングすべき領域を従来の技術のダイシングすべき領域より狭めることができる。これによってダイシングのばらつきを抑える、すなわち従来の技術の半導体ウェハをダイシングする場合に比べて、高い精度でダイシングすることが可能である。換言すると、ダイシングして得られる半導体素子のばらつきを抑制することができ、高い寸法精度の半導体素子を得ることができる。
本発明によれば、所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する状態で、所期の受光部に流れる光電流を測定することができる。これによって所期の受光部に流れる光電流を正確に測定することができ、半導体ウェハをダイシングして得られる半導体素子のスクリーニングを確実に行うことができる。このように半導体ウェハの状態で確実に所期の受光部から発生する光電流を測定することができるので、スクリーニングを短時間で行うことができ、利用者の労力を軽減することができる。
本発明によれば、所期機能を発揮可能な半導体素子を確実に取得することができる。
図1は、本発明の実施の一形態である半導体ウェハ11を半径方向に垂直な仮想平面で切断して見た断面斜視図である。図2は、半導体ウェハ11を半径方向に垂直な仮想平面で切断して拡大して見た拡大断面図である。図3は、半導体ウェハ11の一部を厚み方向から拡大して見た拡大平面図である。図4は、半導体ウェハ11を厚み方向から見た平面図である。半導体ウェハ11は、半導体素子の前駆体であり、半導体ウェハ11をダイシングすることによって半導体素子を得ることができる。半導体ウェハ11には、略円板状に形成されるn型基板12の厚み方向一表面部13(以下「n型基板12の表面部13」と称する場合がある)に複数の凹部がマトリクス状に形成され、この凹部に複数のp型の第1拡散領域部14をそれぞれ配設される。前記「略円板状」は、円板状を含む。n型基板12の一部およびp型の第1拡散領域部14によって受光部15が構成される。p型の第1拡散領域部14がn型の基板12に配設されるので、半導体ウェハ11には、p型の第1拡散領域部14がマトリクス状に配設される。つまり受光部15がマトリクス状に配設される。各第1拡散領域部14は、互いに離隔するように配設され、互いに隣り合う第1拡散領域部14の間の領域には、ショートダイオード16が設けられる。p型の第1拡散領域部14が形成されるn型基板12には、その表面部13から突出する方向に酸化膜17が形成される。
第1導電型の基板12であるn型基板12(以下「基板12」と称する場合がある)は、略円板状に形成されるn型の半導体材料にから成る基板である。基板12の表面部13には、複数の凹部がマトリクス状に形成され、前記凹部には、第1拡散領域部14がそれぞれ設けられる。p型の各第1拡散領域部14(以下、「第1拡散領域部14」と称する場合がある)は、基板12にマトリクス状に配設され、隣り合う第1拡散領域部14と離隔するように略等間隔に配設される。「略等間隔」は、等間隔を含む。各第1拡散領域部14は、略板状であって、基板12の凹部を除く厚み方向一表面と第1拡散領域部14の厚み方向一表面とが略面一となるように基板12の凹部に設けられる。第1拡散領域部14は、p型の半導体によって形成される。基板12および複数の第1拡散領域部14によって、半導体ウェハ11にマトリクス状に配設される複数の受光部15を構成する。この受光部15は、光18を吸収すると光電効果によって光電流を発生する。受光部15から発生する光電流とは、受光部15が光18を吸収し光電効果によって生成されるキャリアの移動によって生じる電流と同義である。半導体ウェハの各受光部15の間の領域には、ショートダイオード16が配設される。換言するとショートダイオード16は、略網目状に配置される受光部15の間の領域(以下「ショートダイオード配置領域」と称する場合がある)に、各受光部15と離隔するように略網状に配設される。これによって基板12にショートダイオード16が設けられる。
光電流阻止手段であるショートダイオード16は、p型の第2拡散領域部19とn+型のストッパ部20と金属配線21とが含まれる。「略網目状」は、網目状を含み、「略網状」は、網状を含む。ショートダイオード16は、短絡部22を有するダイオードである。第2導電型の拡散領域部であるp型の第2拡散領域部19(以下、「第2拡散領域部19」と称する場合がある)は、ショートダイオード配置領域に配設される。つまり第2拡散領域部19は、ショートダイオード配置領域に配置可能に略網状に形成され、p型の半導体材料によって形成される。第2拡散領域部19には、n+型のストッパ部20が接合される。n+型ストッパ部20(以下「ストッパ部20」と称する場合がある)は、その厚み方向一表面が第2拡散領域部19の厚み方向一表面と略面一となるように基板12のショートダイオード配置領域に配設される。具体的には、ストッパ部20は、厚み方向に垂直な仮想平面で切断して見た断面が略矩形状の略枠体であり、第2拡散領域部19とその近傍の第1拡散領域部14との間の領域にそれぞれ配設される、すなわち第2拡散領域部19によって形成される網目状の領域にそれぞれ配設される。「略矩形状」には、矩形状が含まれ、「略枠体」には、枠体を含む。ストッパ部20は、2つのストッパ部20によって第2拡散領域部19の少なくとも一部を挟持するように、第2拡散領域部19とその近傍の第1拡散領域部14との間の領域に配設される。ストッパ部20は、基板12よりキャリア濃度が高いn+型の半導体材料から成る。ストッパ部20は、基板12と同電位に形成される。第2拡散領域部19とストッパ部20とは、金属配線21によってそれぞれ短絡されている。配線である金属配線21は、金属によって形成され、4つの略直方体の枠部分を有し、厚み方向に垂直な仮想平面で切断して見た断面が略矩形状の略枠体である。金属配線21は、各第1拡散領域部14が金属配線21の孔に臨み、かつその厚み方向一表面部が第2拡散領域部19およびストッパ部20に当接するようにそれぞれ配設される。各金属配線21は、互いに離隔されてマトリクス状に配設される。金属配線21は、前記一表面部の少なくとも内周縁部分23がストッパ部20に当接し、前記一表面部の少なくとも外周縁部分24が第2拡散領域部19に当接するように配設される。また金属配線21は、基板12の表面部13から突出するように第2拡散領域部19およびストッパ部20に形成される。このように配設することによって、金属配線21によって第2拡散領域部19とストッパ部20とが短絡され、第2拡散領域部19とストッパ部20との接合部を覆うように配設される。このようにして第2拡散領域部19とストッパ部20と金属配線21とによって、短絡部22を構成する。ショートダイオード16は、このような短絡部22を有するダイオードであり、各受光部15間の領域に形成される。
基板12の表面部13には、前記表面部13から突出する方向に酸化膜17が形成される。酸化膜17は、基板12の表面部13、第1拡散領域部14、第2拡散領域部19およびストッパ部20を被覆するように形成される。金属配線21は、少なくともその一部が、酸化膜17から露出し基板12から離隔しかつ対向する位置に臨むように形成される。本実施の形態では、金属配線21が酸化膜17から突出するように形成される。このように金属配線21が酸化膜17から突出するように形成することによって、互いに隣り合う金属配線21によってダイシング領域25を形成する。ダイシング領域25とは、半導体ウェハ11をダイシングする際のダイシングすべき領域である。ダイシング領域25をダイシングすることによって半導体ウェハ11から受光素子を製造することができる。酸化膜17は、第1拡散領域部14、基板12、第2拡散領域部19およびストッパ部20を被覆することによって、これらを保護し、光18を透過可能に形成される。酸化膜17は、いわゆる反射防止膜であり、厚み方向に垂直な仮想平面で切断して見た断面が略矩形状の板状体である。これによって半導体ウェハ11は、基板12の表面部13から離隔し、かつ対向する位置から近接する方向に照射される光18を透過して、各受光部15で光電流を発生させることができる。このようにして形成される半導体ウェハ11において、ダイシング領域25は、図3に示すように、ダイシング領域25の幅が、距離L1となる。本実施の形態の半導体ウェハにおいて、ダイシング領域25の幅は、金属配線21の互いに臨む枠部分の幅方向に平行であって、前記枠部分間の距離と同義である。ダイシング領域25の幅は、酸化膜17間の距離L2より短尺に形成される。酸化膜17間の距離は、隣り合う酸化膜17の互い臨む表面部に垂直であって、前記表面部間の距離である。従来の技術の半導体ウェハは、この酸化膜17間の距離L2がダイシングすべき領域である。このように半導体ウェハ11は、基板12とショートダイオード16と酸化膜17とを含んで構成される。
半導体ウェハ11において、所期の受光部15aに光18を照射する際、所期の受光部15aに対し、その近傍の受光部15bから発生する光電流の侵入を阻止するメカニズム、すなわちクロストーク現象の発生を防止するメカニズムついて以下に説明する。所期の受光部15a(以下「所期受光部15a」と称する場合がある)は、光18を照射すべき受光部15と同義である、すなわち光電流の電流値を測定すべき受光部15と同義である。所期受光部15aには、図示しない電極が第1拡散領域部14と基板12の一部にそれぞれ接続され、前記各電極が負荷(電流計などの電流測定器)を介して電気的に接続される。このように負荷を介して接続することによって、所期の受光部15に光18を照射し光電流の電流値を測定する。
所期受光部15aに照射する光18の照射面積が所期受光部15aの厚み方向一表面部の面積より大きい場合、図4に示すように、所期受光部15aとその近傍の受光部15b(以下「近傍受光部15b」と称する場合がある)に照射される。光18の照射面積は、半導体ウェハ11上の光18が照射される部分の面積である。照射される光18は、酸化膜17を透過し所期受光部15aおよび近傍受光部15bに至る。所期受光部15aおよび近傍受光部15bでは、光18を吸収し光電効果によってキャリアを生成する。生成されるキャリアは、図2に示すように、正孔26が第1拡散領域部14にそれぞれ注入および拡散され、電子が基板12に注入および拡散される。このようなキャリアの移動によって所期受光部15aおよび近傍受光部15bから光電流が発生する。
第2拡散領域部19とストッパ部20とが金属配線21によって短絡される。これによって基板12から第2拡散領域部19に注入されるキャリア26(正孔)が、金属配線21を介してストッパ部20に導かれる。ストッパ部20に導かれるキャリア26(正孔)は、ストッパ部20で再結合し消滅する。換言すると、光電流は、ショートダイオード16によって吸収される。このようにショートダイオード16が光電流を吸収するので、近傍受光部15bから発生する光電流は、所期受光部15aに至る前にショートダイオード16によって吸収され消費される。これによって近傍受光部15bから発生する光電流が所期受光部15aに侵入することを阻止できる。また第1拡散領域部14と第2拡散領域部19との間の領域にストッパ部20が形成されるので、第1拡散領域部14と第2拡散領域部19との間にチャネルが形成されることを防ぐことができる。これによって第2拡散領域部19で吸収される光電流が第1拡散領域部14、すなわち所期受光部15aに導かれることを抑制できる。ショートダイオード16は、基板12上に第2拡散領域部19を形成して構成されるので、ショートダイオード16も光18を吸収し、光電流を発生し得る。このときショートダイオード16は、自らが発生する光電流を吸収し消費して、ショートダイオード16から所期受光部15aに光電流が侵入することをも阻止する。このように光電流の侵入を阻止することによって、所期受光部15aから発生する光電流に近傍受光部15bおよびショートダイオード16から発生する光電流の影響を防止する、すなわちクロストーク現象を防止する。
図5は、半導体ウェハ11の所期受光部15aの光電流の電流値の測定方法(以下「光電流の測定方法」と称する場合がある)について示すフローチャートである。光電流の測定方法は、所期受光部15aを形成する第1拡散領域部14および基板12にそれぞれ設けられる電極に電流計を電気的に接続すると、ステップs0からステップs1ヘ移行する。光照射工程であるステップs1では、所期受光部15aに光18を照射する。光18を照射すると、ステップs1からステップs2ヘ移行する。測定工程であるステップs2では、照射される光18によって生じる光電流の電流値を測定する。このとき近傍受光部15bに光18が照射されることによって発生する光電流は、所期受光部15aと近傍受光部15bとの間に形成されるショートダイオード16によって吸収される。これによって電流計には、所期受光部15aから発生する光電流が流れ、近傍受光部15bから発生する光電流が電流計に流れることを阻止できる。したがって電流計によって所期受光部15aから発生する光電流の電流値を正確に測定することができる。所期受光部15aから発生する光電流の電流値を測定すると、ステップs2からステップs3ヘ移行し、光電流の測定方法の手順が終了する。このように所期受光部15aから発生する光電流の電流値を正確に測定することができるので、半導体ウェハ11で所期受光部15aから発生する光電流の電流値を測定し、前期所期受光部15aを備える半導体素子のスクリーニングを容易に行うことができる。
以下では、本実施の形態の奏する効果について説明する。本実施の形態の半導体ウェハ11によれば、近傍受光部15bから発生する光電流が所期受光部15aに侵入することを阻止できる。換言すると、所期受光部15aに不所望な光電流が侵入することを阻止できる、すなわちクロストーク現象を抑制できる。したがって所期受光部15aの光電流の電流値を測定すると、不所望な受光部15である近傍受光部15bから発生する光電流の影響を抑制し、所期受光部15aから発生する光電流の電流値を正確に測定することができる。それ故、半導体ウェハ11に光18を照射することによって所期受光部15aのスクリーニングができる、つまり所期受光部15aを備える半導体素子のスクリーニングを確実に行うことが可能である。このように半導体ウェハ11に光18を照射することによって半導体素子のスクリーニングが可能であるので、半導体素子を1つ1つスクリーニングする場合に比べて、短時間で行うことができ利用者の労力を軽減することができるうえ、簡単かつ確実にスクリーニングを行うことができる。
本実施の形態の半導体ウェハ11によれば、ショートダイオード16を、所期受光部15aと近傍受光部15bとの間の領域に配設する。これによって近傍受光部15bから発生する光電流がショートダイオード16に吸収させることができる。換言すると、ショートダイオード16によって、所期の受光部15に対し、近傍受光部15bから発生する光電流の侵入を阻止することを実現できる。
本実施の形態の半導体ウェハ11によれば、ストッパ部20と第2拡散領域部19とを短絡することによって、短絡部22を有するショートダイオード16を、所期受光部15aと近傍受光部15bとの間の領域に配設することができる。これによって近傍受光部15bから発生する光電流がショートダイオード16の短絡部22に導かれる、すなわち吸収される。これによって所期受光部15aに対し、近傍受光部15bから発生する光電流の侵入を阻止することができ、光電流の侵入を阻止するショートダイオード16を実現することができる。
本実施の形態の半導体ウェハ11によれば、ストッパ部20と第2拡散領域部19とを金属配線21で短絡することによって、短絡部22を所期受光部15aと近傍受光部15bとの間の領域に形成することができる。これによって近傍受光部15bから発生する光電流を短絡部22に吸収させることができ、所期受光部15aに対して、近傍受光部15bから発生する光電流の侵入を阻止することができるショートダイオード16を実現することができる。また第2拡散領域部19と所期受光部15aおよび近傍受光部15bとの間の領域にストッパ部20が第2拡散領域部19と接合させて設けられるので、近傍受光部15bおよび第2拡散領域部19から所期受光部15aに侵入する光電流を確実に阻止することができる。
本実施の形態の半導体ウェハ11によれば、金属配線21がダイシング領域25の両端に形成されるので、ダイシング領域の目印となる。このように金属配線21がダイシング領域25の目印となるので、半導体ウェハ11を容易にダイシングできる。金属配線21をダイシング領域の目印に用いるので、目印のために新たな構成を設けることを必要とせず、半導体ウェハ11の構成を簡単にすることができる。これによって半導体ウェハ11の製造コストを削減することができる。またダイシング領域25の幅L1を従来の技術のダイシング領域25の幅L2より狭めることができる。これによってダイシングのばらつきを抑える、すなわち従来の技術の半導体ウェハ11をダイシングする場合に比べて、高い精度でダイシングすることが可能である。換言すると、ダイシングして得られる半導体素子の形状のばらつきを抑制することができ、高い寸法精度の半導体素子を得ることができる。
本実施の形態の半導体ウェハ11よれば、所期受光部15aに対し、近傍受光部15bから発生する光電流の侵入を阻止する状態で、所期受光部15aに流れる光電流の電流値を測定することができる。これによって所期受光部15aに流れる光電流の電流値を正確に測定することができ、半導体ウェハ11をダイシングして得られる半導体素子のスクリーニングを確実に行うことができる。このように半導体ウェハ11の状態で確実にスクリーニングを行うことができるので、スクリーニングを短時間で行うことができ、利用者の労力を軽減することができる。
本発明によれば、半導体ウェハ11に光を照射して受光部15の光の電流値を測定することによって、受光部15のスクリーニングが可能である。これによって受光部15をスクリーニングし、かつダイシングするだけで所期機能を発揮可能な半導体素子を確実に取得することができる。さらにダイシングして得られる半導体素子には、第2拡散領域部19が設けられ、第1および第2拡散領域部19の間の領域にストッパ部20が設けられる。半導体素子の第2拡散領域部19から生じる光電流を第2拡散領域部19およびストッパ部20によって吸収し消費する。このように半導体素子においても、第2拡散領域部19およびその近傍の基板12で発生する光電流を吸収し侵入を阻止できる。したがって所期受光部15aを備える半導体素子を測定して得られる光電流の電流値と、半導体ウェハ11を測定して得られる所期受光部15aから発生する光電流の電流値とが略同一となる。これによって、半導体ウェハ11で所期受光部15aから発生する光電流の電流値を測定するだけで、所期機能を発揮可能な半導体素子を確実に取得することができる。
本実施の形態では、基板12は、n型の半導体から成る一層構造であるけれども、複数の層からなる他層構造であってよい。たとえば基板12は、n型の半導体からなる第1層と、第1層よりキャリア濃度が高いn+型の半導体から成る第2層とを積層することによって形成される。このような構成を有する半導体ウェハ11は、本実施の形態と構成が類似しており、異なる点だけを説明する。第1層の第2層に臨む表面部と反対側の表面部には、第1拡散領域部14およびショートダイオード16が形成される。ショートダイオード16に含まれるストッパ部20は、第1層よりキャリア濃度が高いn+型の半導体からなる。このような構成を有する半導体ウェハ11は、本実施の形態と同様の効果を奏することができる。
11 半導体ウェハ
12 基板
14 p型の第1拡散領域部
15 受光部
15a 所期受光部
15b 近傍受光部
16 ショートダイオード
19 p型の第2拡散領域部
20 n+型のストッパ部
21 金属配線
25 ダイシング領域
12 基板
14 p型の第1拡散領域部
15 受光部
15a 所期受光部
15b 近傍受光部
16 ショートダイオード
19 p型の第2拡散領域部
20 n+型のストッパ部
21 金属配線
25 ダイシング領域
Claims (7)
- 複数の受光部を含む半導体ウェハであって、
所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する光電流阻止手段を備えることを特徴とする半導体ウェハ。 - 光電流阻止手段は、所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設されるショートダイオードであることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ。
- ショートダイオードは、第1導電型のストッパ部と第2導電型の拡散領域部とを含み、
第1導電型のストッパ部は、その近傍に形成される基板の一部分を成す第1導電型の半導体材料よりキャリア濃度が高い第1導電型の半導体材料から成り、
第1導電型のストッパ部と第2導電型の拡散領域部とが短絡することを特徴とする請求項2に記載の半導体ウェハ。 - ショートダイオードは、第2導電型の拡散領域部が所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設され、
第1導電型のストッパ部が、第2導電型の拡散領域部と接合され、かつ所期の受光部およびその近傍の受光部と第1導電型の拡散領域部との間の領域にそれぞれ配設され、
第2導電型の拡散領域部と第1導電型の各ストッパ部とを配線によってそれぞれ短絡して形成されることを特徴とする請求項3に記載の半導体ウェハ。 - 前記各配線は、相互に離隔して形成され、その近傍の配線ととともにダイシングすべき領域を形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体ウェハ。
- 請求項1〜5いずれか1つに記載の半導体ウェハに光を照射する光照射工程と、
前記半導体ウェハに含まれる所期の受光部に流れる光電流を測定する測定工程とを含むことを特徴とする光電流測定方法。 - 請求項1〜5いずれか1つに記載の半導体ウェハをダイシングして製造されることを特徴とする半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004219171A JP2006041190A (ja) | 2004-07-27 | 2004-07-27 | 半導体ウェハ、半導体素子および光電流測定方法 |
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JP (1) | JP2006041190A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010061926A1 (ja) | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 三菱化学株式会社 | ポリカーボネート原料用ジヒドロキシ化合物の保存方法、ポリカーボネート原料の調製方法及びポリカーボネートの製造方法 |
-
2004
- 2004-07-27 JP JP2004219171A patent/JP2006041190A/ja active Pending
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