JP2006019566A - Semiconductor substrate adsorption hand and its operation method - Google Patents
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Abstract
Description
半導体製造技術において、ウェハ(半導体基板)を処理するためにこれを保持し、所定の位置に搬送する半導体基板吸着ハンドに関するものである。 In semiconductor manufacturing technology, the present invention relates to a semiconductor substrate suction hand that holds a wafer (semiconductor substrate) and transfers it to a predetermined position in order to process it.
半導体基板は、結晶成長により得られたインゴットをスライスしてウェハ状に形成され、そこに集積回路等が作り込まれた半導体素子が形成される。この様な半導体素子を形成するため、ウェハ(以下、半導体基板という)は、半導体基板吸着ハンドにより素子形成のための処理台(吸着ステージ)に搬送されて、その上に載置される。
従来の半導体基板吸着ハンドは、真空吸着により半導体基板を保持するバキュームパットを2つあるいはそれ以上備えている。半導体基板は、バキュームパットで保持されながら、吸着ステージの所定の位置に載置される。載置された半導体基板は、真空引きされて処理終了まで吸着ステージに保持され固定される。
近年、ウェハ状の半導体基板の径が大きくなるとともに厚さが50μm程度にまで薄くなっており、そのために半導体基板の反りが大きくなって、前述した従来技術では搬送トラブルが多くなり、搬送できない状態も発生する。ウェハの径が4、5インチ程度であれば、薄くても、反りが生じてウェハを半導体基板吸着ハンドが吸着する際に吸着できないという問題が生じることはない。しかし、ウェハの径が8インチなどの大型になり、厚さも上記のように薄くなると吸着力などに問題が生じて搬送が難しくなって来る。
A semiconductor substrate is formed into a wafer by slicing an ingot obtained by crystal growth, and a semiconductor element in which an integrated circuit or the like is formed is formed there. In order to form such a semiconductor element, a wafer (hereinafter referred to as a semiconductor substrate) is transported to a processing stage (suction stage) for element formation by a semiconductor substrate suction hand and placed thereon.
A conventional semiconductor substrate suction hand includes two or more vacuum pads for holding a semiconductor substrate by vacuum suction. The semiconductor substrate is placed at a predetermined position of the suction stage while being held by the vacuum pad. The placed semiconductor substrate is evacuated and held and fixed on the suction stage until the end of processing.
In recent years, the diameter of a wafer-like semiconductor substrate has been increased and the thickness has been reduced to about 50 μm, and as a result, the warpage of the semiconductor substrate has increased, and the above-described conventional technology has increased conveyance troubles and cannot be conveyed. Also occurs. If the diameter of the wafer is about 4 or 5 inches, even if it is thin, there is no problem that warpage occurs and the wafer cannot be sucked by the semiconductor substrate suction hand. However, if the diameter of the wafer becomes large, such as 8 inches, and the thickness becomes thin as described above, a problem occurs in the suction force and the conveyance becomes difficult.
このように、半導体基板が反る場合、周辺部分が下がって、上に反る場合と、周辺部分が上がって、下に反る場合とがある(図4参照)。通常半導体基板は、フラットな状態であるのでバキュームパットの吸着力は変わらないが、上又は下に反っているとバキュームパットは正確に平坦な面に当接しないので、吸着力が低下する。ひどい場合、半導体基板の反りが大きくなるとバキュームパットに吸着しなくなることがある。反った状態で吸着ステージに半導体基板にセットした場合、半導体基板が反っているので、吸着されない場合も生じる事がある。また、半導体基板を吸着するバキュームパットは、ゴムなど弾性体を用いているが、この様な柔らかい材料で半導体基板表面を吸着すると半導体基板表面にバキュームパット跡が着いて汚染の原因になっていた(特許文献1)。
本発明は、このような事情によりなされたものであり、半導体基板が大型化し且つ薄くなって表面が反ってしまうような状態でも確実に吸着することができ、半導体基板を処理する吸着ステージへセットすることが容易であり、また、半導体基板の表面汚染を著しく少なくする事ができる半導体基板吸着ハンド及びその操作方法を提供する。 The present invention has been made under such circumstances, and can be reliably adsorbed even when the semiconductor substrate becomes large and thin and the surface is warped, and is set in an adsorption stage for processing the semiconductor substrate. The present invention provides a semiconductor substrate suction hand that can be easily performed and can significantly reduce surface contamination of a semiconductor substrate and a method of operating the same.
このような課題を解決するために、本発明の半導体基板吸着ハンドの一態様は、アームに支持され、半導体基板を保持するチャックと、前記チャック中央部に設けられ前記半導体基板を真空吸着する吸着部と、前記チャック周辺部に設けられ前記半導体基板の周辺部を抑える複数のピンとを具備し、前記吸着部には、先端部の径が他の部分より小さい複数の突起が植設され、前記半導体基板を吸着する際には、前記先端部が前記半導体基板に接触するように構成されていることを特徴としている。
また、本発明の半導体基板吸着ハンドの操作方法の一態様は、上記半導体基板吸着ハンドを用いて反った半導体基板を操作する際に、前記ピン及び前記吸着部を用いて、前記半導体基板を平面状に修正しながら吸着することを特徴としている。
In order to solve such a problem, one aspect of the semiconductor substrate suction hand of the present invention includes a chuck that is supported by an arm and holds the semiconductor substrate, and a suction that is provided in the chuck central portion and vacuum-sucks the semiconductor substrate. And a plurality of pins provided at the chuck peripheral portion for suppressing the peripheral portion of the semiconductor substrate, and a plurality of protrusions having a tip portion with a smaller diameter than the other portions are implanted in the suction portion, When adsorbing the semiconductor substrate, the tip portion is configured to come into contact with the semiconductor substrate.
According to another aspect of the method of operating the semiconductor substrate suction hand of the present invention, when the semiconductor substrate warped using the semiconductor substrate suction hand is operated, the semiconductor substrate is planarized using the pins and the suction portion. It is characterized by adsorbing while correcting the shape.
本発明は、反った半導体基板を正確に吸着維持し、吸着ステージに反った半導体基板を確実に吸着することができる。また、反った半導体基板吸着する際に表面を汚染することなく搬送を行うことができる。 The present invention can accurately suck and maintain a warped semiconductor substrate and reliably suck the semiconductor substrate warped by the suction stage. Further, when the warped semiconductor substrate is adsorbed, it can be transferred without contaminating the surface.
本発明は、反った半導体基板を吸着維持し、吸着ステージに反った半導体基板を平面状に修正しながら吸着を行うことを特徴としている。また、半導体基板の表面を吸着する際に接触面積を極力小さくし、半導体基板の表面との接触する部品は材料半導体基板と同じ硬度の材料を使用することにより半導体基板を汚染することなく搬送を行うことを特徴としている。
以下、実施例を参照して発明を実施するための最良の形態を説明する。
The present invention is characterized in that the semiconductor substrate warped is maintained by suction, and the semiconductor substrate warped by the suction stage is suctioned while being corrected to a flat shape. Also, when adsorbing the surface of the semiconductor substrate, the contact area is made as small as possible, and parts that come in contact with the surface of the semiconductor substrate can be transported without contaminating the semiconductor substrate by using a material with the same hardness as the semiconductor substrate. It is characterized by doing.
Hereinafter, the best mode for carrying out the invention will be described with reference to examples.
まず、図1乃至図4を参照して実施例1を説明する。
図1は、本発明の実施例1に係る半導体基板吸着ハンドの主要部を示す断面図、図2は、図1に示される半導体基板吸着ハンドを構成する吸着部の平面図及びこの平面図のA−A′線に沿う部分の断面図、図3は、半導体基板を保持した図1に示される半導体基板吸着ハンド及びその上のウェハ処理する吸着ステージの主要部を示す部分断面図、図4は、半導体基板を保持した図1に示される半導体基板吸着ハンド及びその上の半導体基板をストックする吸着ステージの主要部を示す部分断面図である。
First,
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the main part of a semiconductor substrate suction hand according to
図1は、半導体基板吸着ハンドの主要部である。半導体基板は、アーム1の先端に取り付けたチャック10により保持され所定の位置に搬送される。アーム1は、上下動作駆動部(図示しない)と接続され、先端にガイド4が嵌合されている。ガイド4は、ボルト2によりアーム1に固定されている。チャック10は、中央部分に上下に突出部があり、下の突出部は、リング状の基板吸着部11を備え、上の突出部は、ガイド4に嵌合されている。ガイド4は、チャック10の中心部分の上の突出部の回りを抑え、上下動時のガイドを行う。チャック10の上の突出部は、根元部分の径大部10aと先端部分の径小部10bから構成されている。ガイド4は、この径大部10a及び径小部10bに嵌合されている。そして、チャック10の径大部10aは、ガイド4に、スライドベアリング5を介して、ピン7により固定され、カラ3によりガイド4とチャック10は固定されている。ガイド4が径大部10a及び径小部10bに嵌合されている場合において、径小部10bとガイド4との間にはスペースがあり、そこにスプリング6が収納されている。スプリング6は、チャック10が半導体基板を押し付けて吸着する時に半導体基板に一定の力を与えるものである。半導体基板に与える力は、200g〜600g、例えば、500gが適当である。
FIG. 1 shows the main part of a semiconductor substrate suction hand. The semiconductor substrate is held by a
チャック10の周辺部には本発明の特徴であるピン8が取り付けられ、ナット9により固定されている。ピン8は、3乃至4個あるいはそれ以上取り付けられている。ピン8は、チャック10の半導体基板を吸着する基板吸着部11が形成される側にその先端が向くように配置され、半導体基板の周辺部を抑えて反りを修正するものである。
A
また、チャック10の下の突出部には基板吸着部11が取り付けられている。基板吸着部11は、リング状であり、先端部の径が他の部分より小さい複数の突起12が剣山状に植設され、半導体基板を吸着する際には、先端部が半導体基板に接触するように構成されている。突起12の先端部の半導体基板に接触する部分は、0.3mm以下、例えば、0.2mmが好ましい。このような大きさにすると、半導体基板上の0.3mm以上のごみをさけることができる。また、他の部分の径は、例えば、1.5mmである(図2参照)。この基板吸着部11の中央部分には、基板吸着部11を真空にするための空気抜孔13が形成されている。空気抜孔13は、チャック10の上下の突出部を通って排気ポンプ(図示しない)に繋がるアーム1の内部に通じている。リング状の基板吸着部11は、その径が、例えば、20mm〜30mmである。基板吸着部径が20mmなら5インチ以上のウェハ(半導体基板)を吸着する(吸着力は500mmHg程度である)ことができ、基板吸着部径が30mmなら8インチ以上のウェハ(半導体基板)を吸着することができる。
A
次に、図3及び図4を参照しながら、半導体基板吸着ハンドを用いた半導体基板の搬送方法を説明する。図4に示す吸着ステージ(2)は、インゴットから切り出されたウェハ(半導体基板)を一時的に保持する台であり、半導体基板を真空引きにより吸引保持している。図3に示す吸着ステージ(1)は、半導体基板に素子形成などの処理を行う処理台である。 Next, a method for transporting a semiconductor substrate using a semiconductor substrate suction hand will be described with reference to FIGS. The suction stage (2) shown in FIG. 4 is a table for temporarily holding a wafer (semiconductor substrate) cut out from an ingot, and sucks and holds the semiconductor substrate by vacuuming. The suction stage (1) shown in FIG. 3 is a processing stage that performs processing such as element formation on a semiconductor substrate.
吸着ステージ(2)17に保持されている半導体基板15は、上方から降下してきたアーム1に支持されたチャック10の基板吸着部11に吸着されて吸着ステージ(1)に搬送される。半導体基板15は、チャック10周辺部のピン8の存在により、半導体基板15が上に反っていても下に反っていても安定して吸着保持され搬送される。半導体基板15を保持したチャック10は、アーム1により処理台である吸着ステージ(1)16の吸着面上方から下降される。そして、例えば、図3に示すように下に反っている半導体基板15を吸着ステージ(1)16に載置する場合において、アーム1を駆動する駆動源によりチャック10を降下させていく。半導体基板15の一部が吸着ステージ(1)16に接してから更にチャック10の下降は続き、ピン8が半導体基板15を平面状に修正しながら、半導体基板15を吸着ステージ(1)16に載置する。吸着ステージ(1)は、吸着面16aにおいて真空引き(バキューム)が行われて半導体基板15を吸着保持する。この様に、吸着ステージに下に反っている半導体基板を載置(セット)するときに、半導体基板を平面状に修正しながら載置する為に安定して載置される。
The
また、例えば、図4に示す様な上に反っている半導体基板を吸着ステージ(1)に載置する場合において、アームを駆動する駆動源によりチャックを降下させていく。降下していく間、上に反っている半導体基板の周辺部は、ピンによって下方に押され、したがって、半導体基板全面は平面状に修正されながら吸着ステージ(1)に接して載置される。吸着ステージ(1)は、吸着面において真空引き(バキューム)が行われてこの様な上に反っている半導体基板を吸着保持する (図3参照)。この様に、吸着ステージ(1)に上に反っている半導体基板を載置(セット)するときに、半導体基板を平面状に修正しながら載置する為安定して載置される。
また、この実施例では半導体基板との接触面積を極力小さくするために、基板吸着部のリング状の内側は剣山状になっており、先端は先細になっているので、半導体基板表面が汚染されることは少ない。また、半導体基板の表面との接触する部品(例えば、図1に示されるチャック10とピン8など)の材料は、シリコンなどの半導体基板と同硬度以上の材料を使用することにより転写が少なく半導体基板の汚染が少ないようにすることができる。
Further, for example, when a semiconductor substrate warped upward as shown in FIG. 4 is placed on the suction stage (1), the chuck is lowered by a drive source for driving the arm. While descending, the peripheral portion of the semiconductor substrate warped upward is pushed downward by the pins, and therefore the entire surface of the semiconductor substrate is placed in contact with the suction stage (1) while being corrected to a flat shape. The suction stage (1) vacuums (vacuum) the suction surface and holds the semiconductor substrate warped in this way (see FIG. 3). In this way, when the semiconductor substrate warped upward is placed (set) on the suction stage (1), the semiconductor substrate is placed while being corrected to a flat shape, so that the semiconductor substrate is stably placed.
In this embodiment, in order to make the contact area with the semiconductor substrate as small as possible, the inside of the ring shape of the substrate adsorption portion is sword-shaped and the tip is tapered, so that the surface of the semiconductor substrate is contaminated. There are few things. In addition, the material that contacts the surface of the semiconductor substrate (for example, the
このような材料としては、例えば、PEEKやセラミックなどがある。PEEKは、ビクトレックス社のプラスチック材料であり、ポリアリルエーテルケトンやピーク・リエーテルエーテルケトンなどからなる熱可塑性プラスチックスである。この材料は、シリコンとほぼ同じ硬度を有するので、転写の少ない汚染が生じない部品である。 Examples of such a material include PEEK and ceramic. PEEK is a plastic material of Victrex, and is a thermoplastic made of polyallyl ether ketone, peak-reether ether ketone, or the like. Since this material has approximately the same hardness as silicon, it is a part that does not cause contamination with little transfer.
次に、図5を参照して、実施例2を説明する。
この実施例は、半導体基板と半導体基板を平面状に修正するピンとの位置関係について説明する。図5は、ウェハ状の半導体基板の平面図であり、半導体基板吸着ハンドのピンが当接している状態を示している。
吸着ステージに保持されている半導体基板15は、上方から降下してきたアームに支持されたチャック中央部にある基板吸着部に吸着されて吸着ステージに搬送される。半導体基板15は、チャック周辺部に取り付けられたピン8の存在により、半導体基板15が上に反っていても下に反っていても安定して吸着保持され搬送される。半導体基板15を保持したチャックは、アームにより処理台である吸着ステージの吸着面上方から下降される。そして、例えば、図3に示すように下に反っている半導体基板15を吸着ステージに載置する場合において、アームを駆動する駆動源によりチャックを降下させていく。
Next, Example 2 will be described with reference to FIG.
In this embodiment, the positional relationship between a semiconductor substrate and pins for correcting the semiconductor substrate into a planar shape will be described. FIG. 5 is a plan view of a wafer-like semiconductor substrate, showing a state where pins of the semiconductor substrate suction hand are in contact.
The
半導体基板15の一部が吸着ステージに接してから更にチャックの下降は続き、ピン8が半導体基板15を平面状に修正しながら、半導体基板15を吸着ステージに載置する。吸着ステージは、吸着面において真空引き(バキューム)が行われて半導体基板15を吸着保持する。この様に、吸着ステージに下に反っている半導体基板を載置(セット)するときに、半導体基板を平面状に修正しながら安定して載置される。そして、半導体基板を平面状に修正しながら安定して載置する為に、例えば、最外周から一定の距離aより内側にピン8が当接するように構成される。ピン8の数は、この実施例で示した3個に限らない。2個、3個、4個あるいはそれ以上の個数でも良く、半導体基板が平面状に修正しながら安定して載置されるなら幾つでも良い。また、一定の距離aは、位置合せ等を容易にするフラットな部分を表すオリフラ14が形成される距離である。即ち、ピン8は、半導体基板の周辺部であるがオリフラ15aより内側に当接するように配置されている。このように配置することにより、吸着ステージに半導体基板をセットする時半導体基板を平面状に修正しながら安定して載置することができ、また、反った半導体基板を平面状に修正しながら安定して吸着できる。
The lowering of the chuck continues after a part of the
本発明の半導体基板吸着ハンドは、このような構成により、反った半導体基板の搬送が可能になり、また、吸着ステージに半導体基板をセットする時に半導体基板を平面状に修正しながら安定して載置でき、さらに、反った半導体基板を平面状に修正しながら安定して吸着を行うことができる。また、半導体基板の表面を吸着する際に接触面積を極力小さくし、且つ半導体基板の表面との接触する部品は材料半導体基板と同じ硬度の材料を使用することにより半導体基板表面を汚染することなく搬送を行うことができる。 With such a configuration, the semiconductor substrate suction hand according to the present invention can transport the warped semiconductor substrate, and when the semiconductor substrate is set on the suction stage, the semiconductor substrate is stably mounted while being corrected to a flat surface. Furthermore, it is possible to stably perform suction while correcting the warped semiconductor substrate into a flat shape. In addition, when the surface of the semiconductor substrate is adsorbed, the contact area is made as small as possible, and the parts in contact with the surface of the semiconductor substrate use a material having the same hardness as that of the semiconductor substrate without contaminating the surface of the semiconductor substrate. Transport can be performed.
1・・・アーム 4・・・ガイド 6・・・スプリング
8・・・ピン 10・・・チャック 11・・基板吸着部
12・・・突起 13・・・空気抜孔 14・・・オリフラ
15・・・半導体基板 16、17・・・吸着ステージ
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記チャック中央部に設けられ前記半導体基板を真空吸着する基板吸着部と、
前記チャック周辺部に設けられ前記半導体基板の周辺部を抑える複数のピンとを具備し、
前記基板吸着部には、先端部の径が他の部分より小さい複数の突起が植設され、前記半導体基板を吸着する際には、前記先端部が前記半導体基板に接触するように構成されていることを特徴とする半導体基板吸着ハンド。 A chuck supported by the arm and holding the semiconductor substrate;
A substrate suction portion provided in the chuck central portion for vacuum suction of the semiconductor substrate;
A plurality of pins provided in the chuck peripheral portion and holding the peripheral portion of the semiconductor substrate;
The substrate suction portion is provided with a plurality of protrusions having a tip portion smaller in diameter than other portions, and configured to contact the semiconductor substrate when the semiconductor substrate is sucked. A semiconductor substrate suction hand characterized by comprising:
5. When operating a warped semiconductor substrate using the semiconductor substrate suction hand according to claim 1, the semiconductor substrate is corrected to a planar shape using the pins and the substrate suction portion. A method for operating a semiconductor substrate suction hand, wherein the suction is performed while suctioning.
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