JP2006004650A - Display element and optical device - Google Patents
Display element and optical device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006004650A JP2006004650A JP2004176863A JP2004176863A JP2006004650A JP 2006004650 A JP2006004650 A JP 2006004650A JP 2004176863 A JP2004176863 A JP 2004176863A JP 2004176863 A JP2004176863 A JP 2004176863A JP 2006004650 A JP2006004650 A JP 2006004650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- buffer layer
- layer
- sealing body
- substrate
- buffer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 88
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 20
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 274
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】長期にわたって良好な表示性能を維持することができる表示素子及び光学デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 基板主面100Aに形成され、画像を表示するための複数の表示素子を備えた有効部106と、基板主面100Aの少なくとも有効部106を覆うように配置された封止体300と、を備え、封止体300は、少なくとも2層のバッファ層311及び312と、バッファ層311及び312より大きなパターンであってしかも各バッファ層311及び312を被覆するバリア層320、321、322と、を積層した構造を有し、第1バッファ層311は、第2バッファ層312とは異なる膜厚を有することを特徴とする。
【選択図】 図4An object of the present invention is to provide a display element and an optical device capable of maintaining good display performance over a long period of time.
SOLUTION: An effective portion 106 having a plurality of display elements for displaying an image formed on a substrate main surface 100A, and a sealing body 300 arranged to cover at least the effective portion 106 of the substrate main surface 100A. The sealing body 300 includes at least two buffer layers 311 and 312 and barrier layers 320, 321, and 322 that have a larger pattern than the buffer layers 311 and 312 and cover the buffer layers 311 and 312. And the first buffer layer 311 has a thickness different from that of the second buffer layer 312.
[Selection] Figure 4
Description
この発明は、表示素子及び光学デバイスに係り、特に、複数の自己発光素子などの表示素子を含んで構成される光学デバイスに関する。 The present invention relates to a display element and an optical device, and more particularly to an optical device configured to include display elements such as a plurality of self-light-emitting elements.
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自己発光素子を備えた表示装置であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。 In recent years, organic electroluminescence (EL) display devices have attracted attention as flat display devices. Since this organic EL display device is a display device provided with a self-luminous element, it has a wide viewing angle, can be thinned without requiring a backlight, can reduce power consumption, and has a high response speed. Has characteristics.
これらの特徴から、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機EL表示装置は、自己発光素子として有機EL素子をマトリックス状に配置して構成されたアレイ基板を備えている。有機EL素子は、陽極と陰極との間に、発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した構造を有している。 Because of these characteristics, organic EL display devices are attracting attention as potential candidates for next-generation flat display devices that can replace liquid crystal display devices. Such an organic EL display device includes an array substrate configured by arranging organic EL elements in a matrix as self-luminous elements. The organic EL element has a structure in which an organic active layer containing an organic compound having a light emitting function is sandwiched between an anode and a cathode.
有機EL素子は、外気に含まれる水分や酸素に触れると、その発光特性が急速に劣化する。このため、アレイ基板上の有機EL素子を配置した主面を、外気との接触から遮蔽し封止する技術が各種提案されている。このような技術は各種提案されており、例えば、有機EL素子の表面側に配置された電極上に、有機膜と無機膜とを積層成膜する膜封止技術が開示されている(例えば、非特許文献1参照)。
有機EL素子を封止する保護層には、良好な段差被覆性を有し、ピンホールやクラックなどの欠陥のない膜を成膜することが要求される。しかし、完全な無欠陥膜を得ることは現実には困難である。このため、有機EL素子を外気から完全に遮蔽することができず、長期にわたって十分な性能を維持することが困難となる。 The protective layer for sealing the organic EL element is required to form a film having good step coverage and having no defects such as pinholes and cracks. However, it is actually difficult to obtain a complete defect-free film. For this reason, the organic EL element cannot be completely shielded from the outside air, and it becomes difficult to maintain sufficient performance over a long period of time.
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、封止性に優れ良好な表示性能を維持することができる表示素子及び光学デバイスを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a display element and an optical device that are excellent in sealing performance and can maintain good display performance.
この発明の第1の様態による表示素子は、
基板主面に形成された表示素子であって、
前記表示素子を覆うように配置された封止体を備え、
前記封止体は、少なくとも2層のバッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかも各バッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なる膜厚を有することを特徴とする。
The display element according to the first aspect of the present invention is:
A display element formed on a substrate main surface,
A sealing body arranged to cover the display element;
The sealing body has a structure in which at least two buffer layers and a barrier layer that is a pattern larger than the buffer layer and covers each buffer layer are laminated,
At least one buffer layer has a thickness different from that of other buffer layers.
この発明の第2の様態による光学デバイスは、
基板主面に形成され、複数の表示素子を備えた有効部と、
基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように配置された封止体と、を備え、
前記封止体は、少なくとも2層のバッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかも各バッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なる膜厚を有することを特徴とする。
An optical device according to a second aspect of the present invention is:
An effective portion formed on the main surface of the substrate and provided with a plurality of display elements;
A sealing body disposed so as to cover at least the effective portion of the main surface of the substrate,
The sealing body has a structure in which at least two buffer layers and a barrier layer that is a pattern larger than the buffer layer and covers each buffer layer are laminated,
At least one buffer layer has a thickness different from that of other buffer layers.
この発明の第3の様態による表示素子は、
基板主面に形成された表示素子であって、
前記表示素子を覆うように配置された封止体を備え、
前記封止体は、バッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかもバッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
前記バッファ層の側面と基板主面との成す角度は、鋭角であることを特徴とする。
A display element according to a third aspect of the present invention is
A display element formed on a substrate main surface,
A sealing body arranged to cover the display element;
The sealing body has a structure in which a buffer layer and a barrier layer that is a pattern larger than the buffer layer and covers the buffer layer are laminated,
The angle formed between the side surface of the buffer layer and the main surface of the substrate is an acute angle.
この発明の第4の様態による光学デバイスは、
基板主面に形成され、複数の表示素子を備えた有効部と、
基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように配置された封止体と、を備え、
前記封止体は、バッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかもバッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
前記バッファ層の側面と基板主面との成す角度は、鋭角であることを特徴とする。
An optical device according to a fourth aspect of the present invention is
An effective portion formed on the main surface of the substrate and provided with a plurality of display elements;
A sealing body disposed so as to cover at least the effective portion of the main surface of the substrate,
The sealing body has a structure in which a buffer layer and a barrier layer that is a pattern larger than the buffer layer and covers the buffer layer are laminated,
The angle formed between the side surface of the buffer layer and the main surface of the substrate is an acute angle.
この発明によれば、封止性に優れ良好な表示性能を維持することができる表示素子及び光学デバイスを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a display element and an optical device that have excellent sealing properties and can maintain good display performance.
以下、この発明の一実施の形態に係る表示素子及び光学デバイスについて図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、光学デバイスとして、自己発光型表示装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を例にして説明する。 Hereinafter, a display element and an optical device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, a self-luminous display device such as an organic EL (electroluminescence) display device will be described as an example of the optical device.
図1及び図2に示すように、有機EL表示装置1は、画像を表示する表示エリア102を有するアレイ基板100と、アレイ基板100の少なくとも表示エリア102を密封する封止体300とを備えて構成されている。アレイ基板100の表示エリア102は、マトリクス状に配置された複数の画素PX(R、G、B)によって構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the organic EL display device 1 includes an
各画素PX(R、G、B)は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ10と、画素スイッチ10を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ20と、駆動トランジスタ20のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子30とを備えている。これら画素スイッチ10及び駆動トランジスタ20は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここではそれらの半導体層にポリシリコンを用いている。
Each pixel PX (R, G, B) is supplied via a
また、各画素PX(R、G、B)は、表示素子としての有機EL素子40(R、G、B)をそれぞれ備えている。すなわち、赤色画素PXRは、赤色に発光する有機EL素子40Rを備え、緑色画素PXGは、緑色に発光する有機EL素子40Gを備え、さらに、青色画素PXBは、青色に発光する有機EL素子40Bを備えている。
Each pixel PX (R, G, B) includes an organic EL element 40 (R, G, B) as a display element. That is, the red pixel PXR includes an organic EL element 40R that emits red light, the green pixel PXG includes an
各種有機EL素子40(R、G、B)の構成は、基本的に同一であって、有機EL素子40は、マトリクス状に配置され画素PX毎に独立島状に形成された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され全画素PXに共通に形成された第2電極66と、これら第1電極60と第2電極66との間に保持された有機活性層64と、によって構成されている。
The configurations of the various organic EL elements 40 (R, G, B) are basically the same, and the
アレイ基板100は、画素PXの行方向(すなわち図1のY方向)に沿って配置された複数の走査線Ym(m=1、2、…)と、走査線Ymと略直交する方向(すなわち図1のX方向)に沿って配置された複数の信号線Xn(n=1、2、…)と、有機EL素子40の第1電極60側に電源を供給するための電源供給線Pと、を備えている。
The
電源供給線Pは、表示エリア102の周囲に配置された図示しない第1電極電源線に接続されている。有機EL素子40の第2電極66側は、表示エリア102の周囲に配置されコモン電位(ここでは接地電位)を供給する図示しない第2電極電源線に接続されている。
The power supply line P is connected to a first electrode power line (not shown) arranged around the
また、アレイ基板100は、表示エリア102の外周に沿った周辺エリア104に、走査線Ymのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路107と、信号線Xnのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路108と、を備えている。すべての走査線Ymは、走査線駆動回路107に接続されている。また、すべての信号線Xnは、信号線駆動回路108に接続されている。
Further, the
画素スイッチ10は、ここでは走査線Ymと信号線Xnとの交差部近傍に配置されている。画素スイッチ10のゲート電極は走査線Ymに接続され、ソース電極は信号線Xnに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子30を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ20のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ20のソース電極は蓄積容量素子30を構成する他方の電極及び電源供給線Pに接続され、ドレイン電極は有機EL素子40の第1電極60に接続されている。
Here, the
図2に示すように、アレイ基板100は、配線基板120上に配置された表示素子すなわち有機EL素子40を備えている。なお、配線基板120は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性支持基板上に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108、各種配線(走査線、信号線、電源供給線等)などを備えて構成されたものとする。
As shown in FIG. 2, the
有機EL素子40を構成する第1電極60は、配線基板120表面の絶縁膜上に配置されている。この第1電極60は、ここではITO(Indium Tin Oxide:インジウム・ティン・オキサイド)やIZO(Indium Zinc Oxide:インジウム・ジンク・オキサイド)などの光透過性導電部材によって形成され、陽極として機能している。
The
有機活性層64は、少なくとも発光機能を有する有機化合物を含んで構成され、各色共通に形成されるホールバッファ層、エレクトロンバッファ層、及び各色毎に形成される有機発光層の3層積層で構成されても良く、機能的に複合された2層または単層で構成されても良い。例えば、ホールバッファ層は、陽極および有機発光層間に配置され、芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体などの薄膜によって形成されている。有機発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成されている。この有機発光層は、例えば高分子系の発光材料を採用する場合には、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などの薄膜により構成されている。 The organic active layer 64 includes at least an organic compound having a light emitting function, and is configured by a three-layer stack including a hole buffer layer formed in common to each color, an electron buffer layer, and an organic light emitting layer formed for each color. Alternatively, it may be composed of two layers or a single layer functionally combined. For example, the hole buffer layer is disposed between the anode and the organic light emitting layer, and is formed of a thin film such as an aromatic amine derivative, a polythiophene derivative, or a polyaniline derivative. The organic light emitting layer is formed of an organic compound having a light emitting function that emits red, green, or blue light. This organic light emitting layer is constituted by a thin film such as PPV (polyparaphenylene vinylene), a polyfluorene derivative or a precursor thereof when, for example, a polymer light emitting material is employed.
第2電極66は、有機活性層64上に各有機EL素子40に共通に配置されている。この第2電極66は、例えばCa(カルシウム)、Al(アルミニウム)、Ba(バリウム)、Ag(銀)、Yb(イッテルビウム)などの電子注入機能を有する金属膜によって形成され、陰極として機能している。この第2電極66は、陰極として機能する金属膜の表面をカバーメタルで被覆した2層構造であっても良い。カバーメタルは、例えばアルミニウムによって形成されている。
The
この第2電極66の表面は、乾燥剤として吸湿性を有する材料で被覆されることが望ましい。すなわち、有機EL素子40は、水分に触れると、その発光特性が急速に劣化する。このため、有機EL素子40を水分から保護する目的で、その表面に相当する第2電極66上に乾燥剤68が配置されている。この乾燥剤68は、吸湿性を有する材料であれば良く、例えばリチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)などのアルカリ金属単体またはその酸化物、あるいは、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、バリウム(Ba)などのアルカリ土類金属またはその酸化物などで形成されている。
The surface of the
また、アレイ基板100は、表示エリア102において、少なくとも隣接する色毎に画素RX(R、G、B)間を分離する隔壁70を備えている。隔壁70は、各画素を分離するよう形成することが望ましく、ここでは、隔壁70は、各第1電極60の周縁に沿って格子状に配置され、第1画素電極を露出する隔壁の開口形状が円形または多角形となるよう形成されている。この隔壁70は、樹脂材料によって形成されるが、例えば、親液性を有する有機材料によって形成された第1絶縁層、及び、第1絶縁層上に配置され疎液性を有する有機材料によって形成された第2絶縁層を積層した構造を有している。
In addition, the
このように構成された有機EL素子40では、第1電極60と第2電極66との間に挟持された有機活性層64にホール及び電子を注入し、これらを再結合させることにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光する。ここでは、このEL発光は、アレイ基板100の下面側すなわち第1電極60側から出射され、表示画面を構成する。
In the
ところで、アレイ基板100は、配線基板120の主面に形成された有効部106を備えている。この有効部106は、ここでは少なくとも画像を表示するための有機EL素子(表示素子)40をそれぞれ有する複数の画素PX(R、G、B)を備えた表示エリア102を含むものとするが、走査線駆動回路107や信号線駆動回路108などを備えた周辺エリア104を含んでも良い。
Meanwhile, the
封止体300は、図2及び図3に示すように、アレイ基板100の主面すなわち有機EL素子40が形成された表面のうち、少なくとも有効部106を覆うように配置されている。この封止体300の表面は、ほぼ平坦化されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the sealing
封止部材200は、図2に示すように、封止体300の表面全体に塗布された接着剤により封止体300に接着されている。この封止部材200は、例えばプラスチックシートなどの光透過性を有する絶縁性フィルムや、ダイアモンドライクカーボン等によって構成されている。
As shown in FIG. 2, the sealing
封止体300は、バッファ層311、312…と、このバッファ層より形成面積が大きなパターンであってしかもバッファ層を外気から遮蔽するよう被覆するバリア層321、322…と、を積層した構造を有している。封止体300の最外層及び最内層は、バリア層であることが望ましい。このため、封止体300は、少なくとも2層のバリア層を有している。
The sealing
図2に示した例では、封止体300は、2層のバッファ層311、312と、3層のバリア層320、321、322とで構成され、バリア層とバッファ層を交互に積層した構造を有しており、最内層(有効部106に最も近い層)にバリア層320を有するとともに、最外層(有効部106から最も離れた層)にバリア層322を有している。また、各バリア層は、その周囲で下層のバッファ層の側面を含む全体を被覆することが望ましい。つまり、バリア層同士の密着性及び封止体としての封止性能を考慮すると、バリア層がそれぞれの周縁部で積層されることが望ましい。
In the example illustrated in FIG. 2, the sealing
バッファ層311、312…は、例えば、CNx:Hなどの窒化炭素、CFxなどのフッ化炭素をはじめとする種々の有機系材料、水添ジシクロペンタジエニルジアクリレートなどのアクリル系樹脂をはじめとする種々の樹脂材料により形成されている。バッファ層311、312…は、少なくとも有効部106と同等のサイズ、より望ましくはそれ以上のサイズのパターンを有している。ここでは、これらのバッファ層311、312…を形成する材料としては、比較的粘性の低い液体の状態で塗布され、バッファ層の少なくとも一層が下層の凹凸を吸収した状態で硬化するような材料を選択することが望ましく、基板表面を平坦化する平坦化層としての機能を有する。例えば、平坦化層としての機能を有するバッファ層は、2〜3μm程度の膜厚で形成され、隔壁と同程度あるいは隔壁よりも厚い膜厚で形成される。また、緩衝層としての機能を有するバッファ層は、100nm〜1μm程度の膜厚で形成される。
The buffer layers 311, 312... Include various organic materials such as carbon nitride such as CNx: H, fluorocarbon such as CFx, and acrylic resins such as hydrogenated dicyclopentadienyl diacrylate. These are made of various resin materials. The buffer layers 311, 312... Have a pattern having a size at least equal to that of the
バリア層320、321、322…は、例えば、アルミニウムやチタンなどの金属材料、ITOやIZOなどの金属酸化物材料、または、SiNx、SiOx、アルミナなどのセラミック系材料などの無機系材料により、例えば50nm〜300nmの膜厚で形成される。EL発光を第1電極60側から取り出す下面発光方式の場合、バリア層320、321、322…の少なくとも1層として適用される材料は、遮光性及び光反射性を有していることが望ましい。
The barrier layers 320, 321, 322... Are made of, for example, a metal material such as aluminum or titanium, a metal oxide material such as ITO or IZO, or an inorganic material such as a ceramic material such as SiNx, SiOx, or alumina. It is formed with a film thickness of 50 nm to 300 nm. In the case of the bottom emission method in which EL light is extracted from the
図2に示したような少なくとも2層のバッファ層311及び312を備えた構成の封止体300においては、少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なる膜厚を有している。
In the sealing
例えば、図4及び図5に示すように、封止体300は、有効部106を被覆するように配置された第1バリア層320と、第1バリア層320上において有効部106に対応して配置された第1バッファ層311と、第1バッファ層311より大きなパターンであって第1バッファ層311を被覆するように配置された第2バリア層321と、第2バリア層321上において有効部106に対応して配置された第2バッファ層312と、第2バッファ層312より大きなパターンであって第2バッファ層312を被覆するように配置された第3バリア層322と、を備えて構成されている。
For example, as illustrated in FIGS. 4 and 5, the sealing
図4に示した例の場合には、有効部106の最も近くに配置された第1バッファ層311の膜厚は、第1バッファ層311より上層(有効部106から離れた層)に配置された第2バッファ層312より大きい。また、図5に示した例の場合には、有効部106の最も近くに配置された第1バッファ層311の膜厚は、第1バッファ層311より上層(有効部106から離れた層)に配置された第2バッファ層312より小さい。
In the case of the example shown in FIG. 4, the film thickness of the
ここで、膜厚とは、アレイ基板100の有効部106を配置した主面の法線方向に沿ったバッファ層の厚さに相当し、特に、各バッファ層における最も厚い部分の膜厚として定義する。図2に示したように、有効部106は、凹部106R及び凸部106Pを有している。すなわち、有効部106の凸部106Pは、隔壁70の形成部分に対応し、また、有効部106の凹部106Rは、隔壁70で囲まれた有機EL素子40の中央部分に対応する。
Here, the film thickness corresponds to the thickness of the buffer layer along the normal direction of the main surface on which the
バッファ層は、上述したように、このような有効部106の凹凸を吸収してその表面を平坦化するため、少なくとも1層のバッファ層は、少なくとも隔壁70の厚さより大きな膜厚を有することが要求される。図4及び図5に示した構造例の場合、各バッファ層は、有効部106の凹部106Rに対応した部分が最も厚く、この部分の厚さをバッファ層の膜厚Dとする。
As described above, since the buffer layer absorbs the unevenness of the
つまり、図4に示した例の場合には、第1バッファ層311の膜厚D1は、第2バッファ層312の膜厚D2より大きく(D1>D2)、また、図5に示した例の場合には、第1バッファ層311の膜厚D1は、第2バッファ層312の膜厚D2より小さい(D1<D2)。
That is, in the case of the example shown in FIG. 4, the film thickness D1 of the
このように、封止体300を構成する少なくとも1層のバッファ層が比較的厚い膜厚を有するように形成されることで、有効部106の凹凸を十分に吸収することができ、バッファ層のほぼ平坦化された表面上にバリア層を配置することが可能となる。このため、バッファ層を覆うバリア層での欠陥の発生を抑制することができ、カバレッジ不良の発生を防止することができる。このため、水分や酸素などの有機EL素子内への侵入を防止することができ、有機EL素子の劣化を抑制することができる。したがって、長期にわたって良好な表示性能を維持することができる。
Thus, by forming at least one buffer layer constituting the sealing
また、少なくとも1層のバッファ層が比較的厚い膜厚を有するように形成されることで、比較的薄い膜厚のバッファ層を複数積層する場合と比較して、バッファ層を少ない積層数でその表面を十分に平坦化することが可能である。このため、バッファ層の積層数を少なくすることができ、封止体300を構成する全体の層数を低減することができる。したがって、生産性を向上することが可能となる。
In addition, since at least one buffer layer is formed to have a relatively thick film thickness, the number of buffer layers can be reduced by a smaller number of layers compared to the case of stacking a plurality of relatively thin buffer layers. It is possible to sufficiently planarize the surface. For this reason, the number of stacked buffer layers can be reduced, and the total number of layers constituting the sealing
一方で、少なくとも2層のバッファ層を備えて構成される封止体300では、少なくとも1層のバッファ層が比較的厚い膜厚を有するとともに、他のバッファ層が比較的薄い膜厚を有するように形成されることが望ましい。すなわち、複数のバッファ層を比較的厚い膜厚を有するように形成することで、確実に有効部106の凹凸を吸収することができ、上層のバッファ層ほどその表面を平坦化することが可能である。
On the other hand, in the sealing
しかしながら、このような構成は、封止体300全体の厚さを増す結果となり、薄型化の表示装置を実現するためには不利である。また、バッファ層材料を蒸着することで比較的厚い膜厚のバッファ層を形成する場合、複数の厚い膜厚のバッファ層を形成することは生産性の低下を招く。したがって、1層のバッファ層の膜厚を厚く形成するとともに他のバッファ層の膜厚を薄く形成することにより、装置全体の薄型化及び生産性の改善が可能となる。
However, such a configuration results in an increase in the thickness of the
また、図4に示したように、下層の第1バッファ層311を比較的厚い膜厚とし、上層の第2バッファ層312を比較的薄い膜厚とすることにより、封止体300を形成する比較的早期の段階(有効部に近い下層を形成する段階)で有効部106の凹凸を十分に平坦化することができ、その後に積層されるバリア層のカバレッジ性能を向上することができる。結果として、少ない層数の封止体で十分な封止性能を実現可能である。
As shown in FIG. 4, the sealing
また、図5に示したように、下層の第1バッファ層311を比較的薄い膜厚とし、上層の第2バッファ層312を比較的厚い膜厚とすることにより、有効部106に配置された有機EL素子40への水分や酸素などの影響を軽減することができる。
Further, as shown in FIG. 5, the lower
すなわち、図5に示したように、比較的薄い膜厚のバッファ層を有効部106に近接して配置するとともに比較的厚い膜厚のバッファ層を有効部106から離間して配置することにより、水分や酸素などの有機EL素子内への侵入を防止することができ、有機EL素子の劣化を抑制することができる。
That is, as shown in FIG. 5, by arranging a relatively thin buffer layer close to the
なお、図4及び図5では、封止体300が2層のバッファ層を備えて構成された例について説明したが、封止体300は、3層以上のバッファ層を備えて構成されても良く、この場合、少なくとも1層のバッファ層が他より厚い膜厚で構成されていれば良く、厚い膜厚のバッファ層は、封止体300を構成するいずれの層として配置されても良い。
4 and 5, an example in which the sealing
また、図6に示すように、バッファ層311の側面311Sと基板100の主面100Aとの成す角度θは、鋭角である。つまり、バッファ層311は、その上面(有効部106から離れた面)311Tから下面(有効部106に近接した面)311Bにわたって広がりを持った断面形状を有しており、その側面311Sがテーパ(順テーパ)形状をなすように形成されている。これにより、バッファ層311を被覆する第2バリア層321がバッファ層311の側面311Sに沿って配置され、ピンホールなどの欠陥発生を防止することができる。
Further, as shown in FIG. 6, the angle θ formed between the
また、バッファ層を被覆するバリア層での欠陥発生を確実に防止するためには、成す角度θは、できるだけ小さいことが望ましく、60度以下、より好ましくは45°以下であることが望ましい。このような構成により、バリア層によって被覆されるバッファ層の上面及び側面に急峻な凹凸が形成されず、バリア層は、バッファ層の上面及び側面を連続的に被覆することができる。このため、バリア層は、下層に配置されたバッファ層の影響を受けにくく、欠陥の発生を抑制することができる。 In order to reliably prevent the occurrence of defects in the barrier layer covering the buffer layer, the formed angle θ is desirably as small as possible, desirably 60 degrees or less, and more desirably 45 degrees or less. With such a configuration, steep irregularities are not formed on the upper surface and side surfaces of the buffer layer covered with the barrier layer, and the barrier layer can continuously cover the upper surface and side surfaces of the buffer layer. For this reason, the barrier layer is not easily affected by the buffer layer disposed in the lower layer, and the occurrence of defects can be suppressed.
なお、封止体300が単層のバッファ層を備えて構成される場合であっても、バッファ層の側面と基板主面とのなす角度θが鋭角であることが望ましいことは言うまでもない。
Needless to say, it is desirable that the angle θ formed between the side surface of the buffer layer and the main surface of the substrate is an acute angle even when the sealing
なお、上述の実施形態においては、複数のバッファ層の平面サイズが、各バッファ層毎に異なる場合について説明したが、同一マスクを用いて、同一サイズとなるよう形成してもよい。 In the above-described embodiment, the case where the planar sizes of the plurality of buffer layers are different for each buffer layer has been described. However, the buffer layers may be formed to have the same size using the same mask.
なお、上述の実施形態においては、アレイ基板側がら光を取り出す下面発光方式を例にとり説明したが、第2電極および封止体に光透過性をもたせ、封止体側から光を取り出す上面発光方式に本発明を適用することもできる。この際、第1電極に光反射性をもたせるか、光透過性の第1電極と別層に光反射膜を備えることが望ましい。 In the above-described embodiment, the bottom surface light emission method for extracting light from the array substrate side has been described as an example. However, the top surface light emission method for providing light transmission from the second electrode and the sealing body to extract light from the sealing body side. The present invention can also be applied to. At this time, it is desirable to provide the first electrode with light reflectivity or to provide a light reflection film in a layer separate from the light transmissive first electrode.
次に、有機EL表示装置の製造方法について説明する。ここでは、説明を簡略化するために、図4に示した構造の封止体を備えた有機EL表示装置の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing an organic EL display device will be described. Here, in order to simplify the description, a method for manufacturing an organic EL display device including the sealing body having the structure shown in FIG. 4 will be described.
まず、図7Aに示すように、主面上に有効部106を形成した基板SUBを用意する。この有効部106は、金属膜及び絶縁膜の成膜やパターニングなどの処理を繰り返すことによって形成された、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108の他に、信号線Xn、走査線Ym、電源供給線P等の各種配線、さらには、それぞれ有機EL素子40を備えた複数の画素PXを含むものとする。
First, as shown in FIG. 7A, a substrate SUB having an
続いて、基板SUBの主面の少なくとも有効部106を覆うように封止体300を配置する。
この封止体300は、例えば図8に示すような構成の製造装置600によって形成される。すなわち、製造装置600は、バリア層を形成するための第1チャンバ601、バッファ層用の樹脂材料を成膜するための第2チャンバ602、及び、成膜された樹脂材料を硬化するための第3チャンバ603を備えている。
Subsequently, the sealing
The sealing
第1チャンバ601では、バリア層として機能する金属材料が、所定形状の開口部を有するバリア層用マスクを介して蒸着される。ここで適用されるバリア層用マスクは、有効部106を蒸着源側に向けて導入された基板SUBに対して所定の位置関係で位置合わせされるように第1チャンバ601内に設置されても良いし、有効部106を形成した基板SUBに対して予め所定の位置関係で位置合わせされた状態で装着されても良い。
In the
第2チャンバ602では、バッファ層として機能する樹脂材料の液体モノマを蒸発させ、所定形状の開口部を有するバッファ層用マスクを介して成膜する。この第2チャンバ602は、図9に示すように、バッファ層を形成するための材料源Sと基板SUBの有効部106が形成された主面との間にバッファ層用マスクMを備えている。バッファ層用マスクMが所定位置に配置されることで、材料源Sから飛散する樹脂材料の基板SUB主面への到達が規制され、開口部APを通過した樹脂材料が基板SUBの主面の所定領域ARに到達する。つまり、樹脂材料は所定領域ARに成膜される。
In the
第3チャンバ603では、成膜されたモノマをポリマ化することによって樹脂材料を硬化する。モノマとして、感光性樹脂材料(例えば紫外線硬化型樹脂材料)が適用された場合、第3チャンバ603は、所定波長(例えば紫外線波長)の光源を備えている。このような第3チャンバ603においては、成膜されたモノマを所定露光量で露光することにより、モノマがポリマ化されることで硬化し、バッファ層が形成される。
In the
また、モノマとして、電子線硬化型樹脂材料が適用された場合、第3チャンバ603は、電子線源を備えている。このような第3チャンバ603においては、成膜されたモノマに電子ビームを照射することにより、モノマがポリマ化されることで硬化し、バッファ層が形成される。
Further, when an electron beam curable resin material is applied as the monomer, the
ここでは、バッファ層を形成するために、成膜用の第2チャンバ602と硬化用の第3チャンバ603とを用意したが、第2チャンバ602が所定波長の光源または電子線源などを備え、第2チャンバ602にて成膜工程と硬化工程とを同時に行っても良い。また、第2チャンバ602にて気相でポリマ化する樹脂材料を蒸着することで、硬化工程(第3チャンバ)を不要とすることも可能である。
Here, in order to form the buffer layer, a
封止体300を形成する過程においては、まず、図7Bに示すように、基板SUBの主面において、有効部106を外気から遮蔽する第1バリア層320を形成する。すなわち、主面に有効部106が形成された基板SUBは、第1チャンバ601に導入される。第1バリア層320は、第1チャンバ601において、マスクを介して金属材料を蒸着することによって形成される。このとき、第1バリア層320は、基板SUBの主面において、有効部106を含み、且つ、有効部106より大きな範囲にわたって形成される。
In the process of forming the sealing
続いて、図7Cに示すように、第1バリア層320上において、少なくとも有効部106より大きなパターンの第1バッファ層311を有効部106に対応して形成する。すなわち、第1バリア層320が形成された基板SUBは、第2チャンバ602に導入される。第2チャンバ602においては、樹脂材料として、例えば紫外線硬化型樹脂材料の液体モノマを蒸発させ、バッファ層用マスクMを介して基板主面の所定領域ARにモノマを成膜する。この所定領域ARは、直下の第1バリア層320より小さな範囲であって、且つ、有効部106を含みしかも有効部106よりも大きな範囲である。
Subsequently, as shown in FIG. 7C, a
その後、基板SUBは、第3チャンバ603に導入される。第3チャンバ603においては、基板SUBの主面に成膜されたモノマを紫外線波長の光によって所定露光量で露光する。これにより、モノマがポリマ化されて硬化し、第1バッファ層311が形成される。
Thereafter, the substrate SUB is introduced into the
続いて、図7Dに示すように、基板SUBの主面において、第1バリア層320と同様に、第1チャンバ601において第1バッファ層311及び第1バリア層320の表面を外気から遮蔽する第2バリア層321を形成する。この第2バリア層321は、直下の第1バッファ層311より大きな範囲にわたって形成される。
Subsequently, as shown in FIG. 7D, the
続いて、図7Eに示すように、第2バリア層321上において、少なくとも有効部106より大きなパターンの第2バッファ層312を有効部106に対応して形成する。すなわち、第2バリア層321が形成された基板SUBは、第2チャンバ602に導入される。第2チャンバ602においては、紫外線硬化型樹脂材料の液体モノマを蒸発させ、バッファ層用マスクMを介して基板主面の所定領域ARにモノマを成膜する。この所定領域ARは、直下の第2バリア層321より小さな範囲であって、且つ、有効部106を含みしかも有効部106よりも大きな範囲である。
Subsequently, as illustrated in FIG. 7E, a
この第2バッファ層312を形成するためのモノマ成膜条件は、第1バッファ層311を形成するためのモノマ成膜条件とは異なる。例えば、図4に示したような構造の封止体300では、先に形成される第1バッファ層311の膜厚が後に形成される第2バッファ層321の膜厚よりも厚い。第1バッファ層311は、例えば、200Å/secの成膜レートでモノマを成膜したのに対して、第2バッファ層312は、例えば、1.3Å/secの成膜レートでモノマを成膜し、膜厚100nmの第1バッファ層311、膜厚2μmの第2バッファ層312を形成した。このように、膜厚に応じて成膜レートを制御することで、平坦化性確保のための厚膜バッファ層成膜においてはタクトを確保しつつ、薄膜バッファ層においては、より緻密な膜形成を行なうことができる。
The monomer film formation conditions for forming the
その後、基板SUBは、第3チャンバ603に導入される。第3チャンバ603においては、基板SUBの主面に成膜されたモノマを紫外線波長の光によって所定露光量で露光する。これにより、モノマがポリマ化されて硬化し、第2バッファ層312が形成される。
Thereafter, the substrate SUB is introduced into the
続いて、図7Fに示すように、基板SUBの主面において、第1バリア層320と同様に、第1チャンバ601において第2バッファ層312及び第2バリア層321の表面を外気から遮蔽する第3バリア層322を形成する。この第3バリア層322は、直下の第2バッファ層312より大きな範囲にわたって形成される。以上のような工程を経て、図4に示すような構造の封止体300が形成される。
Subsequently, as shown in FIG. 7F, on the main surface of the substrate SUB, similarly to the
続いて、封止体300の表面、すなわち第2バリア層321の表面全体に接着剤を塗布し、封止部材200を接着する。また、必要に応じてEL発光を取り出す側の表面に偏光板を貼り付けても良い。
Subsequently, an adhesive is applied to the entire surface of the sealing
なお、マザー基板上に複数のアレイ部を形成した場合には、この後、マザー基板をアレイ部毎に単個サイズに切り出す。これにより、マザー基板SUBから封止体300及び封止部材200を取り付けられた単個のアレイ基板100が形成される。また、マザー基板を用いることなく基板上に単個のアレイ部を形成した場合には、単個サイズに切り出す工程は不要であり、この場合、基板SUBを用いて封止体300及び封止部材200を取り付けられた単個のアレイ基板100が直接形成される。
When a plurality of array portions are formed on the mother substrate, the mother substrate is cut out into a single size for each array portion thereafter. Thereby, the
上述したような製造工程によって製造された有機EL表示装置1によれば、下層の影響を受けにくく有効部106に形成された有機EL素子40を確実に被覆することができる。また、これらバッファ層またはバリア層のいずれかに微小な間隙が形成されたとしても、複数層を積層したことにより、有機EL素子40へ到達するまでのルートが長くなり、長寿命化に対して十分な効果がある。したがって、有機EL素子40を外気から遮蔽することができ、長期にわたって十分な性能を維持することができる。また、封止体300上に接着剤によって封止部材200を接着する際、あるいは、封止部材200上に接着剤によって偏光板を接着する際に、接着剤に含まれる不純物の有機EL素子40内への侵入を防止することができ、有機EL素子40の性能の劣化を防止することができる。
According to the organic EL display device 1 manufactured by the manufacturing process as described above, it is possible to reliably cover the
また、複数のバッファ層を備えて構成される封止体300においては、少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層312とは異なる膜厚を有するように形成されている。このような各バッファ層は、樹脂材料を成膜するそれぞれの成膜工程において、異なる成膜条件を設定することで形成可能である。
In the sealing
さらに、封止体300を構成する各バッファ層の側面と基板主面とのなす角度は、第2チャンバ602における樹脂材料の成膜工程において、成膜レートや、バッファ層形成ようマスクと基板主面との間の距離などを適宜設定することで制御可能である。
Further, the angle formed between the side surface of each buffer layer constituting the sealing
例えば、図9に示したような第2チャンバでは、バッファ層用マスクMは、基板SUBの主面に対して平行な状態で基板SUBの法線方向に移動可能に構成され、基板SUBとバッファ層用マスクMとの間隔Gが広がると、基板SUBの主面に成膜されるパターンがバッファ層用マスクMの開口部APよりも広がることを利用しても良い。 For example, in the second chamber as shown in FIG. 9, the buffer layer mask M is configured to be movable in the normal direction of the substrate SUB while being parallel to the main surface of the substrate SUB. When the gap G with the layer mask M is widened, it may be used that the pattern formed on the main surface of the substrate SUB is wider than the opening AP of the buffer layer mask M.
また、図10に示したような第2チャンバは、少なくとも1つのバッファ層用マスクMを備え、バッファ層用マスクMの開口部APは、基板SUBに近接する側が蒸着源側より広がるような側面MSによって規定されている。このような開口部APを有するようなバッファ層用マスクMを基板SUBの主面に近接(または密着)して配置した状態で、樹脂材料を蒸着することにより、側面MSと基板SUBとの成す角度に対応してバッファ層側面と基板主面とのなす角度を制御することが可能である。 In addition, the second chamber as shown in FIG. 10 includes at least one buffer layer mask M, and the opening AP of the buffer layer mask M is a side surface whose side closer to the substrate SUB is wider than the deposition source side. Defined by MS. The side surface MS and the substrate SUB are formed by evaporating a resin material in a state where the buffer layer mask M having such an opening AP is disposed close to (or in close contact with) the main surface of the substrate SUB. The angle formed between the side surface of the buffer layer and the main surface of the substrate can be controlled in accordance with the angle.
さらには、図11に示したような第2チャンバは、複数のバッファ層用マスクM1、M2、M3…を備え、基板SUBの主面に近接(または密着)して配置されたバッファ層用マスクM1は他より大きな面積の開口部AP1を有し、バッファ層用マスクM2は開口部AP1より小さな面積の開口部AP2を有し、バッファ層用マスクM3は開口部AP2より小さな面積の開口部AP3を有している。このような複数のバッファ層用マスクM1、M2、M3…を積層することで、基板SUBに近接する側が蒸着源側より広がるような開口部APを規定することができ、この状態で樹脂材料を蒸着することにより、バッファ層側面と基板主面とのなす角度を制御することが可能である。 Further, the second chamber as shown in FIG. 11 includes a plurality of buffer layer masks M1, M2, M3..., And is arranged close to (or in close contact with) the main surface of the substrate SUB. M1 has an opening AP1 having a larger area than the others, the buffer layer mask M2 has an opening AP2 having an area smaller than the opening AP1, and the buffer layer mask M3 has an opening AP3 having an area smaller than the opening AP2. have. By laminating a plurality of such buffer layer masks M1, M2, M3,..., It is possible to define an opening AP whose side closer to the substrate SUB is wider than the evaporation source side. By vapor deposition, the angle formed between the side surface of the buffer layer and the main surface of the substrate can be controlled.
以上説明したように、この実施の形態によれば、基板主面に形成され画像を表示するための複数の画素を備えたほぼ矩形状の有効部と、基板主面の少なくとも有効部を覆うように配置された封止体と、を備えた光学デバイスが提供される。この光学デバイスにおいて、封止体は、少なくとも2層のバッファ層及びバッファ層より大きなパターンであって各バッファ層を被覆するバリア層を積層した構造を有している。しかも、少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なる膜厚を有している。 As described above, according to this embodiment, the substantially rectangular effective portion having a plurality of pixels formed on the main surface of the substrate for displaying an image and at least the effective portion of the main surface of the substrate are covered. An optical device is provided. In this optical device, the sealing body has a structure in which at least two buffer layers and a barrier layer that covers each buffer layer are stacked in a pattern larger than the buffer layer. In addition, at least one buffer layer has a thickness different from that of the other buffer layers.
このように、封止体を構成する少なくとも1層のバッファ層が比較的厚い膜厚を有するように形成されることで、有効部の凹凸を十分に吸収することができ、バッファ層のほぼ平坦化された表面上にバリア層を配置することが可能となる。このため、バッファ層を覆うバリア層での欠陥の発生を抑制することができ、カバレッジ不良の発生を防止することができる。このため、封止体としての封止性能を向上することができる。したがって、外部からの不純物や外気に対して高い遮蔽性を確保することができ、長期にわたって良好な表示性能を維持することができる。 Thus, by forming at least one buffer layer constituting the sealing body so as to have a relatively thick film thickness, the unevenness of the effective portion can be sufficiently absorbed, and the buffer layer is substantially flat. It becomes possible to arrange | position a barrier layer on the formed surface. For this reason, generation | occurrence | production of the defect in the barrier layer which covers a buffer layer can be suppressed, and generation | occurrence | production of a coverage defect can be prevented. For this reason, the sealing performance as a sealing body can be improved. Therefore, high shielding properties against external impurities and outside air can be secured, and good display performance can be maintained over a long period of time.
また、1層のバッファ層の膜厚を厚く形成するとともに他のバッファ層の膜厚を薄く形成することにより、装置全体の薄型化及び生産性の改善が可能となる。 Further, by forming a single buffer layer thick and forming another buffer thin, it is possible to reduce the thickness of the entire device and improve productivity.
さらに、この光学デバイスにおいては、封止体は、バッファ層及びバッファ層より大きなパターンであって各バッファ層を被覆するバリア層を積層した構造を有している。しかも、バッファ層の側面と基板主面とのなす角度は鋭角である。これにより、バッファ層を被覆するバリア層がバッファ層の側面に沿って配置され、ピンホールなどの欠陥発生を防止することができる。このため、水分や酸素などの有機EL素子内への侵入を防止することができ、有機EL素子の劣化を抑制することができる。したがって、長期にわたって良好な表示性能を維持することができる。 Further, in this optical device, the sealing body has a structure in which a buffer layer and a barrier layer covering each buffer layer are stacked in a pattern larger than the buffer layer. In addition, the angle formed between the side surface of the buffer layer and the main surface of the substrate is an acute angle. Thereby, the barrier layer covering the buffer layer is disposed along the side surface of the buffer layer, and the occurrence of defects such as pinholes can be prevented. For this reason, the penetration | invasion in an organic EL element, such as a water | moisture content and oxygen, can be prevented, and deterioration of an organic EL element can be suppressed. Therefore, good display performance can be maintained over a long period of time.
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the spirit of the invention in the stage of implementation. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.
上述した実施の形態では、封止体を構成するバッファ層が2層でバリア層が3層の場合(図4及び図5)を例に説明したが、それぞれの層数の組み合わせはこの例に限定されるものではない。なお、封止体を10層以上の薄膜を積層して構成するような場合は工程数が多すぎて生産性が低下する。このため、積層する薄膜の層数は、2層以上10層未満であって、望ましくは3乃至5層に設定される。 In the above-described embodiment, the case where the buffer layer constituting the sealing body is two layers and the barrier layer is three layers has been described as an example (FIGS. 4 and 5). It is not limited. In the case where the sealing body is formed by laminating ten or more thin films, the number of steps is too large and the productivity is lowered. For this reason, the number of thin film layers to be laminated is 2 or more and less than 10 layers, and preferably 3 to 5 layers.
1…有機EL表示装置、10…画素スイッチ、20…駆動トランジスタ、30…蓄積容量素子、40…有機EL素子、60…第1電極、64…有機活性層、66…第2電極、70…隔壁、100…アレイ基板、106…有効部、120…配線基板、200…封止部材、300…封止体、311…第1バッファ層、312…第2バッファ層、320…第1バリア層、321…第2バリア層、322…第3バリア層、PX…画素、M…バッファ層用マスク、B…バッファ層用マスク
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL display apparatus, 10 ... Pixel switch, 20 ... Drive transistor, 30 ... Storage capacitor element, 40 ... Organic EL element, 60 ... 1st electrode, 64 ... Organic active layer, 66 ... 2nd electrode, 70 ... Partition DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記表示素子を覆うように配置された封止体を備え、
前記封止体は、少なくとも2層のバッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかも各バッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なる膜厚を有することを特徴とする表示素子。 A display element formed on a substrate main surface,
A sealing body arranged to cover the display element;
The sealing body has a structure in which at least two buffer layers and a barrier layer that is a pattern larger than the buffer layer and covers each buffer layer are laminated,
At least one buffer layer has a film thickness different from that of other buffer layers.
基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように配置された封止体と、を備え、
前記封止体は、少なくとも2層のバッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかも各バッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
少なくとも1層のバッファ層は、他のバッファ層とは異なる膜厚を有することを特徴とする光学デバイス。 An effective portion formed on the main surface of the substrate and provided with a plurality of display elements;
A sealing body disposed so as to cover at least the effective portion of the main surface of the substrate,
The sealing body has a structure in which at least two buffer layers and a barrier layer that is a pattern larger than the buffer layer and covers each buffer layer are laminated,
The optical device, wherein at least one buffer layer has a film thickness different from that of other buffer layers.
前記表示素子を覆うように配置された封止体を備え、
前記封止体は、バッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかもバッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
前記バッファ層の側面と基板主面との成す角度は、鋭角であることを特徴とする表示素子。 A display element formed on a substrate main surface,
A sealing body arranged to cover the display element;
The sealing body has a structure in which a buffer layer and a barrier layer that is a pattern larger than the buffer layer and covers the buffer layer are laminated,
An angle formed between the side surface of the buffer layer and the main surface of the substrate is an acute angle.
基板主面の少なくとも前記有効部を覆うように配置された封止体と、を備え、
前記封止体は、バッファ層と、前記バッファ層より大きなパターンであってしかもバッファ層を被覆するバリア層と、を積層した構造を有し、
前記バッファ層の側面と基板主面との成す角度は、鋭角であることを特徴とする光学デバイス。 An effective portion formed on the main surface of the substrate and provided with a plurality of display elements;
A sealing body disposed so as to cover at least the effective portion of the main surface of the substrate,
The sealing body has a structure in which a buffer layer and a barrier layer that is a pattern larger than the buffer layer and covers the buffer layer are laminated,
An optical device characterized in that an angle formed between the side surface of the buffer layer and the main surface of the substrate is an acute angle.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004176863A JP2006004650A (en) | 2004-06-15 | 2004-06-15 | Display element and optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004176863A JP2006004650A (en) | 2004-06-15 | 2004-06-15 | Display element and optical device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006004650A true JP2006004650A (en) | 2006-01-05 |
Family
ID=35772878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004176863A Pending JP2006004650A (en) | 2004-06-15 | 2004-06-15 | Display element and optical device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006004650A (en) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007141750A (en) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Seiko Epson Corp | LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE |
JP2007311219A (en) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Tokki Corp | Organic electroluminescent element |
JP2008004545A (en) * | 2006-06-13 | 2008-01-10 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Encapsulation for organic device |
WO2008081593A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Zeon Corporation | Laminated body for light emitting element, and light emitting element |
JP2010027265A (en) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Seiko Epson Corp | Organic el device and method of manufacturing the same, and electron equipment |
JP2010171012A (en) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Organic light-emitting display device |
WO2012053451A1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | シャープ株式会社 | Organic el panel and process for production thereof |
CN102903728A (en) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | 三星显示有限公司 | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
JP2013235726A (en) * | 2012-05-09 | 2013-11-21 | Panasonic Corp | Method of manufacturing display panel and display panel |
KR101369910B1 (en) * | 2007-03-30 | 2014-03-05 | 삼성전자주식회사 | Organic electro luminescence device and method of fabricating the same |
WO2015029608A1 (en) * | 2013-08-28 | 2015-03-05 | シャープ株式会社 | Electroluminescent device and method for manufacturing same |
WO2018138779A1 (en) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | シャープ株式会社 | Flexible display |
US10069110B2 (en) | 2014-12-05 | 2018-09-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic EL display device |
JP2018147883A (en) * | 2018-03-05 | 2018-09-20 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Method for manufacturing organic el device and depositing device |
JP2018181579A (en) * | 2017-04-12 | 2018-11-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Organic EL display |
JP2018200474A (en) * | 2014-10-17 | 2018-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device |
WO2019186884A1 (en) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | Display device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003061346A1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-07-24 | Seiko Epson Corporation | Electronic element barrier property thin film sealing structure , display device, electronic equipment, and electronic element manufacturing method |
-
2004
- 2004-06-15 JP JP2004176863A patent/JP2006004650A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003061346A1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-07-24 | Seiko Epson Corporation | Electronic element barrier property thin film sealing structure , display device, electronic equipment, and electronic element manufacturing method |
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007141750A (en) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Seiko Epson Corp | LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE |
US7741769B2 (en) | 2005-11-22 | 2010-06-22 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device for sealing light-emitting elements and electronic apparatus |
US7898165B2 (en) | 2005-11-22 | 2011-03-01 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
JP4702009B2 (en) * | 2005-11-22 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE |
JP2007311219A (en) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Tokki Corp | Organic electroluminescent element |
JP2008004545A (en) * | 2006-06-13 | 2008-01-10 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Encapsulation for organic device |
WO2008081593A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Zeon Corporation | Laminated body for light emitting element, and light emitting element |
KR101369910B1 (en) * | 2007-03-30 | 2014-03-05 | 삼성전자주식회사 | Organic electro luminescence device and method of fabricating the same |
JP2010027265A (en) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Seiko Epson Corp | Organic el device and method of manufacturing the same, and electron equipment |
JP2010171012A (en) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Organic light-emitting display device |
JP2012238611A (en) * | 2009-01-20 | 2012-12-06 | Samsung Display Co Ltd | Organic light emitting display device |
US8552634B2 (en) | 2009-01-20 | 2013-10-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
WO2012053451A1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | シャープ株式会社 | Organic el panel and process for production thereof |
US8994012B2 (en) | 2010-10-21 | 2015-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic EL panel and process for production thereof |
TWI575726B (en) * | 2011-07-29 | 2017-03-21 | 三星顯示器有限公司 | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
CN102903728A (en) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | 三星显示有限公司 | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
JP2013235726A (en) * | 2012-05-09 | 2013-11-21 | Panasonic Corp | Method of manufacturing display panel and display panel |
WO2015029608A1 (en) * | 2013-08-28 | 2015-03-05 | シャープ株式会社 | Electroluminescent device and method for manufacturing same |
JPWO2015029608A1 (en) * | 2013-08-28 | 2017-03-02 | シャープ株式会社 | Electroluminescence device and manufacturing method thereof |
US9843013B2 (en) | 2013-08-28 | 2017-12-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescent device and method for manufacturing same |
TWI701857B (en) * | 2014-10-17 | 2020-08-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device |
US11778850B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device |
US11189817B2 (en) | 2014-10-17 | 2021-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device |
JP2018200474A (en) * | 2014-10-17 | 2018-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device |
US10629843B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device |
US10069110B2 (en) | 2014-12-05 | 2018-09-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic EL display device |
US10355244B2 (en) | 2014-12-05 | 2019-07-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic EL display device |
CN110199341A (en) * | 2017-01-24 | 2019-09-03 | 夏普株式会社 | Flexible display |
WO2018138779A1 (en) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | シャープ株式会社 | Flexible display |
JPWO2018138779A1 (en) * | 2017-01-24 | 2019-11-14 | シャープ株式会社 | Flexible display |
US10535825B2 (en) | 2017-01-24 | 2020-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flexible display |
US11031451B2 (en) | 2017-04-12 | 2021-06-08 | Japan Display Inc. | Organic EL display device |
JP2018181579A (en) * | 2017-04-12 | 2018-11-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Organic EL display |
US11335758B2 (en) | 2017-04-12 | 2022-05-17 | Japan Display Inc. | Display device and array substrate |
US11616110B2 (en) | 2017-04-12 | 2023-03-28 | Japan Display Inc. | Display device and array substrate |
JP2018147883A (en) * | 2018-03-05 | 2018-09-20 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Method for manufacturing organic el device and depositing device |
CN111937492A (en) * | 2018-03-29 | 2020-11-13 | 夏普株式会社 | display device |
WO2019186884A1 (en) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | Display device |
CN111937492B (en) * | 2018-03-29 | 2023-08-04 | 夏普株式会社 | Display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7629740B2 (en) | Display device with stacked layer body | |
US7612498B2 (en) | Display element, optical device, and optical device manufacturing method | |
JP5330541B2 (en) | Organic EL device | |
JP2006004650A (en) | Display element and optical device | |
KR20150042367A (en) | Organic electro luminescent device and method of fabricating the same | |
US20140319475A1 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
US20090179550A1 (en) | Organic light emitting display device having protecting layers and method of manufacturing the same | |
KR20080088750A (en) | Organic light emitting device and manufacturing method | |
JP2007234268A (en) | Organic el display device | |
US20070228380A1 (en) | Organic light-emitting device | |
JP4167651B2 (en) | Display device | |
JP2004319119A (en) | Display device and its manufacturing method | |
KR20150051479A (en) | Display apparatus and a method for preparing the same | |
KR101676764B1 (en) | The organic light emitting diode and the method for manufacturing that | |
JP2007273446A (en) | Electroluminescence device | |
JP2005100685A (en) | Display device and manufacturing method of display device | |
JP4643138B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
JP2005353398A (en) | Display element, optical device, and optical device manufacturing method | |
JP2010080344A (en) | Display | |
JP2006004743A (en) | Display device and its manufacturing method | |
JP2009181865A (en) | Display device | |
JP2006172940A (en) | Display and its manufacturing method | |
JP2010087276A (en) | Display device | |
JP2009070696A (en) | Display device | |
JP2006190570A (en) | Display device and manufacturing method of the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100914 |