JP2005510746A - ポリマー基板上のポリマー光導波路 - Google Patents

Abstract

光導波路が提供される。光導波路は、ポリマー基板と基板上に配置される下位クラッドとを含む。下位クラッドは第１の全ハロゲン化ポリマーである。光導波路は、下位クラッドの少なくとも一部上に配置されるコアも含む。光導波路を製造する方法も提供される。

Description

本発明はポリマー基板上に配置されるポリマー光導波路、特に全フッ素化ポリマー光導波路に関する。

光導波路は、第３の光通信波長範囲の近赤外域（約１５５０ｎｍ）でコアポリマーの屈折率がクラッドポリマーの屈折率よりもわずかに高い、コアポリマーとクラッドポリマーを用いることによって、ポリマーで形成することができる。内蔵スプリッタ、カプラ、アレイ導波路格子、および導波路型光増幅器などの有用な光導波路装置を形成するためには、安定した低損失の光導波路を有することが不可欠である。光損失、すなわち、光導波路の減衰は、主に、１）コアおよびクラッド材による光吸収、２）導波路から拡散する光信号、の２つのソースから生じる。

ポリマー光導波路を製造する一般的なやり方は、シリコン基板上にアンダークラッドポリマーフィルム層を、次にアンダークラッド層の上にポリマーコアフィルム層を配置する方法である。次いで、ポリマーコアフィルム層は、リソグラフィとエッチングプロセスを経て、そこから矩形横断面のチャネルが形成される。次に、オーバークラッドポリマーフィルム層が、導波路コアと露出したアンダークラッドフィルム層の上に配置される。

スピンコーティングやその後の溶媒の乾燥などのアンダークラッド層、コア層、オーバークラッド層の形成プロセス間に、通常、ポリマー導波路層全体を通じて温度変動が生じることが分かっている。こうした温度変動は、特定ポリマーに応じて１℃当たり通常約５０〜３００ｐｐｍ（百万分率）にわたるポリマー材の熱膨張係数（ＣＴＥ）に従いポリマーの収縮または膨張を引き起こす。通常同時に導波路基板も、温度変動とともに同様の収縮または膨張を行う。しかしながら、ポリマーのＣＴＥとは対照的に、シリコンのＣＴＥは１℃当たり約４．２ｐｐｍである。シリコン基板とポリマー導波路クラッドおよびコアとの間のＣＴＥの不一致は、ポリマーフィルムの亀裂やポリマー層における応力増加を引き起こす可能性がある。これらの影響がポリマー導波路の減衰を増加させ、ポリマー導波路の実用的な導波路装置への適用を阻害している。この傾向は、以下の式を通じてさらに定量化することができる。

ポリマーは、基板と基板上に配置される導波路として使用されてきたと考えられる。Ｋｅｉｌ ｅｔ ａｌ．の発明は、基板上に配置されるペンタフルオロスチレン、メタクリル酸トリフルオロエチル、メタクリル酸グリシジルなどのフルオロアクリル酸型ポリマーを開示している。しかし、これらのフルオロアクリル酸型ポリマーは、多数のＣＨ結合を含む。ＣＨ結合を有するポリマーは概して、光通信信号が存在する波長約１．５μｍの赤外域において高い光吸収率を備える。この吸収率は光通信信号の損失を引き起こす。信号損失問題を軽減させるため、ポリマーでＣＨ結合の代わりにＣＦ結合が利用される。全フッ素化ポリマーはＣＨ結合を有していないため、１．５μｍ辺りの赤外線通信波長で吸収損失が極めて低い。

基板と基板上に配置されるポリマー層との両方の熱膨張係数によって、ポリマー層に割れ目が生じたり、基板に高い応力がかかったりすることのない低損失の光導波路を設けることが望ましい。

簡潔に言うと、本発明は光導波路を提供する。光導波路は、ポリマー基板とその基板上に配置される下位クラッド（ロワークラッド）とを備える。下位クラッドは第１の全ハロゲン化ポリマーである。光導波路は、下位クラッドの少なくとも一部の上に配置されるコアも備える。

さらに、本発明は光導波路の製造方法を提供する。その方法は、ポリマー基板を提供することと、基板上に第１の全ハロゲン化ポリマーを被覆することと、第１の全ハロゲン化ポリマー上に第１のポリマーを被覆することと、第１のポリマー上に第２のポリマーを被覆することとを含む。

図面において、全体にわたり同じ構成要素には同じ番号を付す。同日に提出され、本発明の譲受人により所有される米国同時係属特許出願第１０／０４０，５５６号は、引用により全文を本文書に組み込む。本文書で使用されるように、「元素」は周期表のイオン、原子、同位元素、および原子の種類を意味するように定義される。

図１および２を参照すると、光導波路アセンブリ１００は、基板１０と基板１０上に配置されたポリマー光導波路２０とを備える。導波路２０は、下位クラッド２２、下位クラッドの少なくとも一部上に配置されたコア２４、およびコア２４と下位クラッド２２の残りの部分の上に配置された上位クラッド２６を備える。好ましくは、下位クラッド２２、コア２４、および上位クラッド２６はすべてポリマーで、よりこのましくはすべて全ハロゲン化ポリマーで、最も好ましくは全フッ素化ポリマーである。

好ましくは、基板１０は、ポリカーボネート、アクリル、ポリメタクリル酸メチル、セルロース誘導体、熱可塑性エラストマー、エチレンブチルアクリラート、エチレンビニルアルコール、エチレン−テトラフルオロエチレン、フッ素化エチレンプロピレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリパーフルオロアルコキシエチレン、ナイロン、ポリベンズイミダゾール、ポリエステル、ポリエチレン、ポリノルボルネン、ポリイミド、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ＡＢＳポリマー、ポリアクリロニトリル−ブタジエンスチレン、アセタールコポリマー、ポリ［２、２−ビストリフルオロメチル−４、５−ジフルオロー１、３−ジオキソール−コ−テトラフルオロエチレン］（ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）ＡＦの商標名で販売）、ポリ［２、３（パーフルオロアルケニル）パーフルオロテトラハイドロフラン］（ＣＹＴＯＰ（登録商標）の商標名で販売）、ポリ［２、２、４−トリフルオロ−５−トリフルオロメトキシ−１、３−ジオキソール−コ−テトラフルオロエチレン］（ＨＹＦＬＯＮ（登録商標）の商標名で販売）、およびその他の熱可塑性ポリマー；およびフタル酸ジアリル、エポキシ、フラン、フェノール、熱硬化性ポリエステル、ポリウレタン、ビニルエステルなどの熱硬化性ポリマーから成る群から選ばれる。しかし、当業者であれば、上に挙げたポリマーまたはその他のポリマーの少なくとも２つの混合物が利用可能であることを認識するだろう。また、基板１０が１℃当たり約５０〜３００ｐｐｍのＣＴＥを有することが好ましい。好ましくは、基板１０は概して円形で、直径約７．５〜１５ｃｍ（３および６インチ）である。

下位クラッド２２は、好ましくはハロゲン化ポリマー、より好ましくはフルオロポリマー、最も好ましくはＴＥＦＬＯＮ（登録商標）ＡＦ、ＣＹＴＯＰ（登録商標）、およびＨＹＦＲＯＮ（登録商標）から成る群からのパーフルオロポリマーを含むパーフルオロポリマーであるが、当業者であれば、その他のポリマーまたはポリマーの混合物が下位クラッド２２に利用可能であることを認識するだろう。また、下位クラッド２２は、１℃当たり約５０〜３００ｐｐｍのＣＴＥを有することが好ましい。また、基板１０のＣＴＥと下位クラッド２２のＣＴＥは約４０％未満異なることが望ましい。上記差異は基板１０と下位クラッド２２間の熱膨張差異を大幅に低減させ、導波路アセンブリ１００の今後の製造間に、下位クラッド２２に割れ目と応力が生じる可能性を最低限に抑える。

コア２４は、好ましくはポリマー、より好ましくはハロゲン化ポリマー、最も好ましくはパーフルオロポリマーである。より好ましくは、光増幅器の適用には、コア２４はランタン、セリウム、プラセオジミウム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムから成る群からの少なくとも１つの希土類元素を含むパーフルオロポリマーから構成される。好適なパーフルオロポリマーの例は、すべて本発明の譲受人によって所有され、本文書に引用により全文組み込まれる、２０００年２月１８日に提出された米国特許出願第０９／５０７，５８２号、２０００年１１月２８日に提出された米国特許出願第０９／７２２，８２１号、２０００年１１月２８日に提出された米国特許出願第０９／７２２，２８２号、および２００１年８月２４日に提出された米国特許出願第６０／３１４，９０２号に開示されている。しかしながら、当業者であれば、少なくとも１つの希土類元素を含むその他のポリマーが使用可能であることを認識するだろう。さらに、コア２４は、上に開示された希土類元素の１つを含む少なくとも第１のポリマーと、下位クラッド２２として使用されるポリマーのような少なくとも第２のポリマーとを含むポリマーの混合物でありうる。

上位クラッド２６は、好ましくはポリマー、より好ましくはハロゲン化ポリマー、最も好ましくはパーフルオロポリマーである。より好ましくは、上位クラッド２６は、下位クラッド２２と同じポリマーまたはポリマー混合物である。しかしながら、上位クラッド２６が下位クラッド２２と同じまたはほぼ同じ屈折率ｎ_ｃｌを有することが好ましいが、当業者であれば、上位クラッド２６と下位クラッド２２が必ずしも同じポリマーである必要はないことを認識するだろう。

好ましくは、下位クラッド２２と上位クラッド２６は共通の屈折率ｎ_ｃｌを有し、コア２４は、導波路アセンブリ１００が単独モードで信号光λ_ｓを伝播できるほど小さい、屈折率ｎ_ｃｌと異なる屈折率ｎ_ｃｏを有する。クラッド層２２、２６が単独の屈折率ｎ_ｃｌを備えて均質である場合、コア２４と△ｎ（ｎ_ｃｏ−ｎ_ｃｌ）の次元間の関係は、以下の式で定義される無次元Ｖパラメータによって適切に得られる。

ただし、λはコア２４を通じて送られる光の、好ましくはナノメートルの波長であり、ａは好ましくはナノメートルのコア２４の幅である。Ｖパラメータは、単独モードの状態を達成するため２．５未満でなければならない。△ｎが大きいとき、ａはＶ＜２．５を達成するため小さく保たれねばならない。このような要件は光ファイバに対する低光効率カップリングにつながり、結果的に望ましくない信号損失を生じる可能性がある。Ｖが２．５、△ｎが約０．０４、波長λが１５５０ナノメートルでは、ａは約３０００ナノメートル、すなわち３ミクロンである。

好ましくは、導波路アセンブリ１００は光増幅器で使用される光を増幅するように適合されるが、当業者であれば、導波路アセンブリ１００が光学スプリッタ、光コンバイナ、または導波路から構成可能なその他の光学部品でありうることを認識するだろう。上記の非増幅使用に関しては、コア２４は上述の希土類元素を含む必要がない。

導波路アセンブリを製造するため、基板１０が最初に調製される。基盤１０の表面に存在するかもしれない粘着性の残留物を除去するため、基盤１０の表面が浄化される。通常、基板は成形または射出成形されて、一般的なパーフルオロポリマーの非粘着性のためにパーフルオロポリマーを堆積しにくい比較的滑らかな表面を提供する。浄化後、基板１０は、下位クラッド２２を基板１０の表面に付着しやすいように調製される。基盤１０は下位クラッド層２２を含むパーフルオロポリマーをより十分に保持するために、表面を粗くする、あるいは表面の化学特性を変更することによって調整できる。好適な荒加工方法は、アラゴンを使用する反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行うことである。アラゴンは、基板１０の表面を物理的に変形し、深さ約５０〜１００ナノメートルの所望の粗度を生成する。基板１０の表面の化学特性を変更する好適な方法は、酸素を用いてＲＩＥを実行することである。酸素は基板１０の表面を含むポリマーと結びついて、基板１０の表面で化学反応を起こし、基板１０の表面を酸化する。基板１０の酸化によって、下位クラッド２２を含むパーフルオロポリマーの分子が基板１０と結合することができる。アラゴンと酸素を伴うＲＩＥが開示されているが、当業者であれば、基板１０の作成に別の方法が利用できることを認識するだろう。もしくは、基板１０は、フルオロシランのようなフッ素化カップリング剤を基板１０に塗布することによって調製できる。

次に、下位クラッド２２は、基板１０上に被覆される。ＨＹＦＬＯＮ（登録商標）から構成される下位クラッド２２の場合、固体のＨＹＦＬＯＮ（登録商標）が溶媒の、商標ＦＣ−７５で販売されるパーフルオロ（２−ブチルテトラハイドロフラン）および商標ＦＣ−４０で販売されるパーフルオロアルキルアミン内で溶解される。その他可能な溶媒は、Ｈ ＧＡＬＤＥＮ（登録商標）シリーズＨＴ１７０の商標で販売されるような全フッ素化ポリエーテル、またはＨ ＧＡＬＤＥＮ（登録商標）シリーズＺＴ１８０とＺＴ１３０の商標で販売されるようなハイドロフルオロポリエーテルである。その他のポリマーから構成される下位クラッド２２に関しては、各ポリマーが適切な溶媒内で溶解され、ポリマー溶液を形成する。それから、ポリマー溶液は、スピンコーディング法を利用して基板１０上にスピンコートされる。次に、基板１０と下位クラッド２２は加熱されて、溶液から溶媒を蒸発させる。

好ましくは、第１層２２ａが基板１０に塗布され、焼きなましされて溶媒を蒸発させ、第２層２２ｂが第１層２２ａに塗布され焼きなましされ、第３層２２ｃが第２層２２ｂに塗布され焼きなましされるように、下位クラッド２２は層状にスピンコートされる。好ましくは、層２２ａ、２２ｂ、および２２ｃが塗布された後、下位クラッド２２は８〜１２マイクロメートルの高さを実現する。３層２２ａ、２２ｂ、２２ｃの塗布を説明したが、当業者であれば、３層２２ａ、２２ｂ、２２ｃよりも多いまたは少ない層が使用可能であることを認識するだろう。

下位クラッド２２の基板１０への接着は、下位クラッド２２として使用されるパーフルオロポリマーの非粘着性により不十分であるため、下位クラッド２２の基板１０への接着を判断する接着力試験を実行した。試験はいくつかの基板、１つ目は下位クラッド２２に塗布される前に浄化も調製もされていない基板、２つ目は下位クラッド２２に塗布される前に浄化されたが、調製されていない基板、３つ目は下位クラッド２２に塗布される前に浄化も調製もされた基板、を用いて実行された。調製された基板に関して、調製は酸素でのＲＩＥの実行を含めた。試験は、４つの切刃を有するクロスハッチカッターで下位クラッド２２を通ってちょうど基板１０に至るまで切り開き、第１の一連の切り込みを形成することを含めた。次に、クロスハッチカッターを第１の一連の切り込みに直角に当て、第２の一連の切り込みを作って、格子模様を形成した。下位クラッド２２の遊離した薄片を除去するため、下位クラッド２２にブラシをそっとかけた。約１２．３ニュートン／２５ｍｍ（４５．０ｏｚ／ｉｎ）の粘着力を有するテープが格子模様に貼り付けられ、剥がされた。その後、各基板１０上の下位クラッド２２が、顕微鏡下で観察された。

下記の表１は接着力試験の結果であり、下位クラッド層２２の被覆前に基板１０を調製することで、基板１０の表面から下位クラッド２２の薄片が剥離するのが実質的に低減されることが示される。

ＩＳＯ値５は通常、クロスカット後に影響を受けた領域の６５％を超える剥離の度合いに対応し、ＩＳＯ値０は通常、クロスカットの端面が完全に滑らかで、格子の四角形が１個も剥離されない状態に対応する。

下位クラッド２２を乾燥させた後、好ましくは基板１０上に下位クラッド２２を被覆するための上記と同じ手法を用いて、コア２４を含む希土類元素が下位クラッド２２上に被覆される。しかしながら、コア２４のいくつかの副層を下位クラッド２２に被覆する代わりに、好ましくは、コア２４の単独層が下位クラッド２２上に被覆される。好ましくは、溶媒が下位クラッド２２に浸透して、下位クラッド２２を侵害しないように、コア２４は下位クラッド２２が溶解しない溶媒内で溶解する。ＣＹＴＯＰ（登録商標）から構成されるコア２４に関しては、固体ＣＹＴＯＰ（登録商標）は、商標ＣＴ−ＳＯＬＶ１８０^ＴＭで販売されるパーフルオロトリアルキルアミンなどの溶媒や、ＣＹＴＯＰ（登録商標）溶液を形成するＣＹＴＯＰ（登録商標）を容易に溶解するその他の溶媒内で溶解される。もしくは、ＣＹＴＯＰ（登録商標）は、既に溶液で市販品として入手することができる。光増幅器として使用される導波路１００に関しては、次にパーフルオロポリマーを含む希土類元素がＣＹＴＯＰ（登録商標）溶液と混合され、結合されたパーフルオロポリマーを含む希土類元素／ＣＹＴＯＰ（登録商標）溶液が、下位クラッド２２に塗布される。コア２４が乾燥された後のコア２４と下位クラッド２２の厚さは、好ましくは約１２〜１６ミクロンである。

次に、所望のコア形状を設けるため、コア２４がエッチングされる。好ましくは、エッチングは当該技術において十分既知なＲＩＥで実行される。しかしながら、当業者であれば、コア２４のその他のエッチング方法も利用可能であることを認識するだろう。図１はほぼ直線のコア２４を開示しているが、当業者であれば、本発明の譲受人によって所有され、引用により本文書に全文組み込まれる、２００１年６月８日に提出された米国特許出願第０９／８７７，８７１号に開示される曲線状の導波路形状のようなその他の形状を認識するだろう。さらに、図２はコア２４のほぼ矩形上の横断面を開示しているが、当業者であれば、コア２４の横断面が別の形状でありうることを認識するだろう。好ましくは、コア２４は下位クラッド２２まで完全にエッチングされないが、本文書で後述するように、コア材のコア層２４ａが製造目的で保持される。

次に、上位クラッド２６が、コア２４、コア層２４ａ、およびコア２４またはコア層２４ａによって覆われていない下位クラッド２２の残りの部分に被覆される。好ましくは、下位クラッド２２と同様、第１層２６ａがコア２４と、コア２４に覆われていない下位クラッド層の残りの部分とに塗布され、焼きなましされて溶媒を蒸発させ、第２層２６ｂが第１層２６ａに塗布され焼きなましされ、第３層２６ｃが第２層２６ｂに塗布され焼きなましされるように、上位クラッド２６も層状にスピンコートされる。好ましくは、溶媒がコア２４とコア層２４ａに浸透して、コア２４とコア層２４ａを侵害しないように、上位クラッド２６はコア２４とコア層２４ａが溶解しない溶媒内で溶解する。コア層２４は、上位クラッド２６と下位クラッド２２間の障壁を提供する。故に、上位クラッド２６と下位クラッド２２は好ましくは同じ材料であるため、上位クラッド２６が塗布される溶媒は下位クラッド２２に浸透しない。好ましくは、層２６ａ、２６ｂ、２６ｃがすべて塗布された後、導波路１００は全体で１５〜約５０マイクロメートルの高さを達成する。３層２６ａ、２６ｂ、２６ｃの塗布を説明したが、当業者であれば、３層２６ａ、２６ｂ、２６ｃよりも多いまたは少ない層が使用可能であることを認識するだろう。もしくは、上位クラッド２６は下位クラッド２２と異なるが、屈折率はほぼ同じ、たとえば光硬化性アクリル酸または熱硬化性樹脂などの材料であってもよい。

図２に示されるように、層２６ａ、２６ｂ、２６ｃは必ずしも平坦ではなく、コア２４の外輪郭は各連続層２６ｂ、２６ｃで次第に湾曲度が減少していく。最後の層２６ｃはほぼ平坦な上面として示されているが、当業者であれば、最後の層２６ｃの上面が必ずしも平坦でなくてもよいことを認識するだろう。また、当業者であれば、高度に平面的な単独層のクラッドが、スピンコーティングまたは成形プロセスによって達成可能であることを認識するだろう。

導波路１００の形成後、導波路１００は、好ましくはダイシングによって所望の寸法と形状に切断される。図１に示されるように、所望の形状は一般に矩形であるが、当業者であれば、導波路１００が他の形状にも切断可能であることを認識するだろう。

広範な発明の概念から逸脱せずに、上述の実施形態に変更を加えることが可能なことは、当業者によって認識されるだろう。したがって、本発明は開示される特定の実施形態に限定されず、添付クレームによって定義される本発明の精神と範囲内の変更を対象に入れることを目的とすると理解される。

本文書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する添付の図面は、本発明の現在の好適な実施形態を示し、上記の全般的な説明および下記の詳細な説明とともに本発明の特徴を説明する役割を果たす。図面において、
図１は、本発明によるポリマー光増幅器の斜視図である。 図２は、図１の線２−２についてのポリマー光増幅器の断面図である。

符号の説明

１０ 基板
２０ ポリマー光導波路
２２ 下位クラッド
２４ コア
２６ 上位クラッド
１００ 光導波路アセンブリ

Claims (26)

1. ポリマー基板と、
   基板上に配置され、第１の全ハロゲン化ポリマーである下位クラッドと、
   下位クラッドの少なくとも一部の上に配置されるポリマーコアと、
   を備える光導波路。
2. コアが第２の全ハロゲン化ポリマーである、請求項１の光導波路。
3. 下位クラッドとコアの少なくとも１つが全ハロゲン化ポリマーである、請求項２の光導波路。
4. コアと下位クラッド層の残りの部分上に配置される上位クラッド層をさらに備える、請求項１の光導波路。
5. ポリマー基板が１℃当たり５０〜３００ｐｐｍの第１の熱膨張係数を有する、請求項１の光導波路。
6. 下位クラッドが１℃当たり５０〜３００ｐｐｍの第２の熱膨張係数を有する、請求項５の光導波路。
7. 第１と第２の熱膨張係数が約４０％未満異なる、請求項６の光導波路。
8. ポリマー基板がポリカーボネート、アクリル、ポリメタクリル酸メチル、セルロース誘導体、熱可塑性エラストマー、エチレンブチルアクリラート、エチレンビニルアルコール、エチレン−テトラフルオロエチレン、フッ素化エチレンプロピレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリパーフルオロアルコキシエチレン、ナイロン、ポリベンズイミダゾール、ポリエステル、ポリエチレン、ポリノルボルネン、ポリイミド、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ＡＢＳポリマー、ポリアクリロニトリル−ブタジエンスチレン、アセタールコポリマー、ポリ［２、２−ビストリフルオロメチル−４、５−ジフルオロー１、３−ジオキソール−コ−テトラフルオロエチレン］、ポリ［２、３（パーフルオロアルケニル）パーフルオロテトラハイドロフラン］、ポリ［２、２、４−トリフルオロ−５−トリフルオロメトキシ−１、３−ジオキソール−コ−テトラフルオロエチレン］、およびその他の熱可塑性ポリマー；およびフタル酸ジアリル、エポキシ、フラン、フェノール、熱硬化性ポリエステル、ポリウレタン、ビニルエステルなどの熱硬化性ポリマーから成る群から選ばれる、請求項１の光導波路。
9. ポリマー基板はグループからポリマーの少なくとも２つの混合である、請求項８の光導波路。
10. 下位クラッドがポリ［２、３（パーフルオロアルケニル）パーフルオロテトラハイドロフラン］、ポリ［２、２、４−トリフルオロ−５−トリフルオロメトキシ−１、３−ジオキソール−コ−テトラフルオロエチレン］、およびポリ［２、２−ビストリフルオロメチル−４、５−ジフルオロー１、３−ジオキソール−コ−テトラフルオロエチレン］から成る群から選ばれる、請求項１の光導波路。
11. 下位クラッドが少なくとも第１のポリマーと第２のポリマーの混合である、請求項１の光導波路。
12. コアがシングルモード光を送る、請求項１の光導波路。
13. コアが希土類元素を含む、請求項１の光導波路。
14. 基板が粗表面を有する、請求項１の光導波路。
15. 粗表面の深さが約５０〜１００ナノメートルである、請求項１４の光導波路。
16. 基板が酸化表面を有する、請求項１の光導波路。
17. 光導波路が光を増幅するように適応可能な、請求項１の光導波路。
18. ポリマー基板を提供することと、
    第１のハロゲン化ポリマーを基板上に被覆することと、
    第１のポリマーを第１のハロゲン化ポリマー上に被覆することと、
    第２のポリマーを第１のポリマー上に被覆することと、
    を含む光導波路の製造方法。
19. 第２のポリマーを被覆することが、第１のハロゲン化ポリマーを塗布することを含む、請求項１８の方法。
20. 第１のポリマーを被覆することが全ハロゲン化ポリマーを含む希土類元素を被覆することを含む、請求項１８の方法。
21. 第１の全ハロゲン化ポリマーを基板上に被覆することが、
    第１の全ハロゲン化ポリマーを溶媒内で溶解させ、第１の溶液を形成することと、
    第１の溶液を基板上にスピンコーティングすることと、
    第１の溶液から溶媒を蒸発させることと、
    を含む、請求項１８の方法。
22. 第１の全ハロゲン化ポリマーを基板上に被覆し、基板を調製することをさらに含む、請求項１８の方法。
23. 基板を調製する前に基板を浄化することをさらに含む、請求項２２の方法。
24. 基板を調製することが基板を粗くすることを含む、請求項２２の方法。
25. 基板を調製することが基板を酸化することを含む、請求項２２の方法。
26. 基板を調製することがフッ素化カップリング剤を基板に塗布することを含む、請求項２２の方法。

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