JP2005353739A - Substrate cleaning apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)用基板、あるいは磁気ディスク用のガラス基板やセラミックなどの各種基板(以下、単に「基板」という)の洗浄装置に関するものである。 The present invention relates to a cleaning apparatus for semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, PDP (plasma display panel) substrates, or various substrates such as glass substrates and ceramics for magnetic disks (hereinafter simply referred to as “substrates”). It is about.
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、基板の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。ここで、微細加工を良好に行うためには基板表面を清浄な状態に保つ必要があり、必要に応じて基板の洗浄処理が行われる。 The manufacturing process of an electronic component such as a semiconductor device or a liquid crystal display device includes a step of repeatedly forming a fine pattern by repeatedly performing processes such as film formation and etching on the surface of the substrate. Here, in order to perform fine processing satisfactorily, it is necessary to keep the substrate surface clean, and the substrate is cleaned as necessary.
上述のような基板の洗浄を行う基板洗浄装置としては、基板表面に付着している汚染物を強力に除去する二流体ノズルを用いた液滴噴射の基板洗浄装置が提案されている(特許文献1参照)。この特許文献1に記載の発明では、ノズル内にエッチング液を放射することにより導入して、ミスト発生部(混合部)においてガスと混合させることでエッチング液をミスト状としている。そして、ミスト状のエッチング液(エッチング液の液滴)をノズル先端より放射させることにより、微細パターンのエッチングを実現するとともに微小な異物(フォトレジストの破片等)の除去を容易にしている。また、必要に応じてノズルの先端を狭く変形させたり、若しくはへん平口(ライン状の吐出口)とすることでエッチング液を帯状に吐出させることを可能としている。このように、エッチング液を帯状に吐出させることで洗浄等の処理を短時間で行うことが期待できる。
As a substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate as described above, a droplet jetting substrate cleaning apparatus using a two-fluid nozzle that strongly removes contaminants adhering to the substrate surface has been proposed (Patent Document). 1). In the invention described in
しかしながら、エッチング液を帯状に吐出させることで装置のスループットの向上が期待されるものの、エッチング液とガスとを1つの混合部で混合させてミスト状のエッチング液(エッチング液の液滴)を生成しているので、以下の問題が生じていた。すなわち、生成したエッチング液の液滴をノズル先端のライン状の吐出口より吐出させる場合には、エッチング液の液滴の吐出勢いがライン状の吐出口の中央部と端部とでは異なり、パーティクル等の汚染物をノズルのライン方向にわたって均一に除去することができなかった。 However, although it is expected that the throughput of the apparatus can be improved by discharging the etching solution in a strip shape, the etching solution and the gas are mixed in one mixing unit to generate a mist-like etching solution (etching solution droplet). As a result, the following problems occurred. That is, when the generated etching liquid droplets are discharged from the line-shaped discharge port at the tip of the nozzle, the discharge force of the etching liquid droplets is different between the center and the end of the line-shaped discharge port. Such contaminants could not be removed uniformly over the nozzle line direction.
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、液体と気体とを混合して生成した液滴を基板に供給して洗浄処理を施す基板洗浄装置において、基板表面を均一に短時間で洗浄することができる基板洗浄装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and in a substrate cleaning apparatus that supplies a substrate with droplets generated by mixing a liquid and a gas and performs a cleaning process, the substrate surface is uniformly cleaned in a short time. An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus that can perform the above-described process.
この発明にかかる基板洗浄装置は、液体と気体とを混合させて生成した液体の液滴を基板の表面に供給することで、基板に対して洗浄処理を施す基板洗浄装置であって、上記目的を達成するため、液体と気体とを混合させて液滴を生成する液滴生成部を複数個有し、該複数の液滴生成部を第1方向に列状に配置させることで帯状の液滴群を生成するとともに、該帯状液滴群を基板に供給する二流体ノズルと、複数の液滴生成部に液体を供給する液体供給手段と、複数の液滴生成部に気体を供給する気体供給手段とを備えている。 A substrate cleaning apparatus according to the present invention is a substrate cleaning apparatus that performs a cleaning process on a substrate by supplying liquid droplets generated by mixing liquid and gas to the surface of the substrate. In order to achieve the above, a plurality of droplet generation units that generate droplets by mixing a liquid and a gas are provided, and the plurality of droplet generation units are arranged in a row in the first direction, thereby forming a strip-shaped liquid A two-fluid nozzle that generates a droplet group and supplies the strip-shaped droplet group to the substrate, a liquid supply unit that supplies a liquid to a plurality of droplet generation units, and a gas that supplies a gas to the plurality of droplet generation units Supply means.
このように構成された発明では、複数の液滴生成部が列状に配置されているので、各液滴生成部で生成された液滴が帯状に連なって帯状液滴群を構成して基板に供給される。このため、洗浄範囲が広く、短時間で基板を洗浄することが可能である。その結果、装置のスループットを向上させることができる。しかも、二流体ノズルは複数の液滴生成部を有しているので各液滴生成部でそれぞれに液滴を生成して吐出させることが可能である。このため、複数の液滴生成部を列状に配置することで、液滴生成部の配列方向(第1方向)における液滴の吐出勢いを均一化することができる。具体的には、単一の液滴生成部から第1方向に広げてライン状に液滴を吐出させる場合には、ライン状吐出口の端部と中央部とでは、液滴生成部からライン状吐出口の端部までの距離が液滴生成部からライン状吐出口の中央部までの距離に比べて必然的に大きくなり、第1方向における液滴の吐出勢いが不均一となってしまう。これに対し、本発明によれば、複数の液滴生成部を列状に配置することで各液滴生成部で生成される液滴を繋ぎ合わせて第1方向に所定の幅を有する帯状液滴群を生成しているので、液滴生成部から液滴が吐出されるまでの距離をライン方向(第1方向)の端部と中央部とで均一化することができる。これにより、第1方向における液滴の吐出勢いを均一化することができ、帯状液滴群は第1方向において均一に基板に供給される。その結果、基板表面を均一に短時間で洗浄することができる。 In the invention configured as described above, since a plurality of droplet generation units are arranged in a line, the droplets generated by each droplet generation unit are arranged in a band to form a band-shaped droplet group to form a substrate. To be supplied. For this reason, the cleaning range is wide and the substrate can be cleaned in a short time. As a result, the throughput of the apparatus can be improved. Moreover, since the two-fluid nozzle has a plurality of droplet generation units, it is possible to generate and discharge droplets in each droplet generation unit. For this reason, by arranging a plurality of droplet generation units in a row, it is possible to equalize the ejection moment of the droplets in the arrangement direction (first direction) of the droplet generation units. Specifically, when the liquid droplets are ejected in a line from the single liquid droplet generation unit in the first direction, the liquid droplet generation unit has a line at the end portion and the central portion of the line discharge port. The distance to the end of the liquid discharge port is inevitably larger than the distance from the droplet generation unit to the center of the line discharge port, and the liquid droplet ejection force in the first direction becomes non-uniform. . On the other hand, according to the present invention, a plurality of droplet generation units are arranged in a row to connect the droplets generated by the droplet generation units to have a predetermined width in the first direction. Since the droplet group is generated, the distance until the droplet is ejected from the droplet generation unit can be made uniform between the end portion and the center portion in the line direction (first direction). This makes it possible to equalize the ejection force of the droplets in the first direction, and the strip droplets are uniformly supplied to the substrate in the first direction. As a result, the substrate surface can be cleaned uniformly in a short time.
ここで、基板と二流体ノズルとを第1方向と異なる第2方向に相対移動させる相対移動手段をさらに備え、二流体ノズルは第2方向における帯状液滴群の幅を規制する規制手段をさらに有するようにすると、基板は液滴生成部の配列方向(第1方向)とは異なる方向(第2方向)に相対移動されるとともに、第2方向における幅が規制された状態で帯状液滴群が基板に供給されて基板が洗浄される。このため、基板の相対移動方向(第2方向)、すなわち基板の洗浄方向における帯状液滴群の基板への放射範囲を限定することができるとともに、該放射範囲で帯状液滴群を安定して基板に供給することができる。その結果、帯状液滴群の基板に対する放射範囲が不必要に広がることによるゴミやスラリー等のパーティクルの基板への再付着を抑制しながら、基板表面を確実に洗浄することができる。 Here, the apparatus further includes a relative movement unit that relatively moves the substrate and the two-fluid nozzle in a second direction different from the first direction, and the two-fluid nozzle further includes a regulation unit that regulates the width of the band-shaped droplet group in the second direction. In this case, the substrate is relatively moved in a direction (second direction) different from the arrangement direction (first direction) of the droplet generation units, and the strip-shaped droplet group in a state where the width in the second direction is regulated. Is supplied to the substrate to clean the substrate. Therefore, it is possible to limit the radiation range of the strip droplet group to the substrate in the relative movement direction (second direction) of the substrate, that is, the cleaning direction of the substrate, and to stabilize the strip droplet group in the radiation range. The substrate can be supplied. As a result, the substrate surface can be reliably cleaned while suppressing the reattachment of particles, such as dust and slurry, to the substrate due to the unnecessarily widening of the radiation range of the strip droplet group on the substrate.
具体的には、基板に供給された液滴は基板表面から跳ね返り、パーティクルをトラップしている液滴が基板外に排出されずに、その一部がミストとなって浮遊する。そして、このミストが基板の相対移動方向(第2方向)の下流側(洗浄後の基板)に再付着する場合があるが、規制手段が帯状液滴群の基板への放射範囲を第2方向において規制することにより、基板表面上を広範囲に液滴が飛散するのを低減することができる。さらに、規制手段が帯状液滴群の幅を第2方向において規制することで帯状液滴群は第2方向に収束させられる。このため、液滴を安定して基板に供給することができる。その結果、基板Wの洗浄に必要な洗浄幅(第1方向における帯状液滴群の幅)を確保しつつ、基板表面を均一かつ確実に洗浄することができる。ここで規制手段としては、例えば、複数の液滴生成部の各々から第1方向と異なる方向に飛散する液滴を第2方向において遮断して第2方向における帯状液滴群の幅を規制するものであればよい。 Specifically, the droplets supplied to the substrate bounce off the substrate surface, and the droplets trapping the particles are not discharged out of the substrate, but a part thereof floats as mist. The mist may reattach to the downstream side (the substrate after cleaning) in the relative movement direction (second direction) of the substrate, but the restricting means sets the radiation range of the band-like droplet group to the substrate in the second direction. By restricting in step, it is possible to reduce the scattering of droplets over a wide range on the substrate surface. Further, the regulating means regulates the width of the strip droplet group in the second direction, so that the strip droplet group is converged in the second direction. For this reason, a droplet can be stably supplied to a substrate. As a result, it is possible to clean the substrate surface uniformly and reliably while ensuring the cleaning width necessary for cleaning the substrate W (the width of the band-like droplet group in the first direction). Here, as the restricting means, for example, the droplets scattered in the direction different from the first direction from each of the plurality of droplet generation units are blocked in the second direction, and the width of the strip droplet group in the second direction is regulated. Anything is acceptable.
また、二流体ノズルに取り付けられるとともに、基板に対向させながら基板から離間配置された雰囲気遮断手段を設けてもよい。このような構成を採用することで、二流体ノズルによる基板の均一な洗浄を可能としながらも、基板と周囲雰囲気とを遮断することができるため、基板に対する周囲雰囲気の影響を防止することができる。このため、基板への新たな汚染をさらに効果的に防止することができる。また、この構成によれば、洗浄処理のみならず、その後のリンス処理、乾燥処理における基板の周囲雰囲気の管理が容易となる。 Moreover, while being attached to a two-fluid nozzle, you may provide the atmosphere interruption | blocking means spaced apart from the board | substrate, facing the board | substrate. By adopting such a configuration, the substrate and the ambient atmosphere can be shut off while the substrate can be uniformly cleaned by the two-fluid nozzle, so that the influence of the ambient atmosphere on the substrate can be prevented. . For this reason, new contamination to the substrate can be more effectively prevented. Further, according to this configuration, it becomes easy to manage the ambient atmosphere of the substrate not only in the cleaning process but also in the subsequent rinsing process and drying process.
また、基板を回転させる回転手段を設けて、第1方向における前記帯状液滴群の幅を少なくとも基板の回転中心から基板の端縁までの距離よりも大きくなるようにすると、基板を回転させることで効率良く基板表面全体を洗浄することが可能である。しかも、基板の径方向全体にわたって帯状液滴群を供給する必要がないので、二流体ノズルをコンパクトに構成することができる。例えば、基板が円盤状である場合には、第1方向における帯状液滴群の幅は少なくとも基板の半径以上であればよい。さらに、二流体ノズルを基板表面上で揺動等させる必要がなく固定させて洗浄することができるため、装置の駆動機構、制御機構を簡素化することができる。 Further, by providing a rotating means for rotating the substrate so that the width of the strip droplet group in the first direction is at least larger than the distance from the rotation center of the substrate to the edge of the substrate, the substrate is rotated. It is possible to efficiently clean the entire substrate surface. In addition, since it is not necessary to supply the belt-like droplet group over the entire radial direction of the substrate, the two-fluid nozzle can be configured compactly. For example, when the substrate is disk-shaped, the width of the strip droplet group in the first direction may be at least the radius of the substrate. Furthermore, since the two-fluid nozzle can be fixed and cleaned without being swung on the substrate surface, the drive mechanism and the control mechanism of the apparatus can be simplified.
また、二流体ノズルを各液滴生成部ごとに液滴の生成条件が変更可能に構成するようにしてもよい。この場合、洗浄時の条件に応じて各液滴生成部における液体または気体の流量や流速を適宜、制御することで所望の液滴径、液滴の噴出速度を得ることができ、効率的に洗浄を行うことができる。例えば、基板を回転させて洗浄を行う場合には、パーティクルの除去率は周速が早い基板の外周部ほど小さくなるため、除去率を基板中心部と同程度にするには洗浄時間を長くする必要がある。この場合、基板の外周部に対応する液滴生成部における生成条件を変更して洗浄力を上げることで、基板の径方向の除去率の均一化を図ることができる。その結果、洗浄時間を長くすることなく、効率的に洗浄を行うことができる。 Further, the two-fluid nozzle may be configured such that the droplet generation conditions can be changed for each droplet generation unit. In this case, it is possible to obtain a desired droplet diameter and droplet ejection speed by appropriately controlling the flow rate and flow rate of the liquid or gas in each droplet generation unit according to the conditions at the time of cleaning. Cleaning can be performed. For example, when cleaning is performed by rotating the substrate, the particle removal rate becomes smaller at the outer peripheral portion of the substrate where the peripheral speed is faster, so the cleaning time is increased to make the removal rate the same as the central portion of the substrate. There is a need. In this case, the removal rate in the radial direction of the substrate can be made uniform by changing the generation conditions in the droplet generation unit corresponding to the outer peripheral portion of the substrate to increase the cleaning power. As a result, the cleaning can be performed efficiently without increasing the cleaning time.
ここで、帯状液滴群を生成する態様としては、ノズル本体の内部に複数の液滴生成部を配置して、ノズル本体の先端部に設けられた開口に向けて各液滴生成部において生成された液滴を導くことで帯状液滴群を生成してもよいし、複数の液滴生成部の各々がノズル本体の内部に液体吐出手段と、該液体吐出手段に近接する気体吐出手段とを有するように構成して、液体吐出手段からノズル本体の先端部に設けられた開口に向けて吐出される液体と、気体吐出手段から吐出される気体とを混合させて液滴を生成することで帯状液滴群を生成してもよい。また、いずれの態様においても規制手段を複数の液滴生成部と開口との間に配置することで、生成された帯状液滴群は開口から吐出されるまでの間に第2方向における帯状液滴群の幅を規制して基板に供給することができる。 Here, as a mode of generating a band-shaped droplet group, a plurality of droplet generation units are arranged inside the nozzle body, and the droplet generation unit generates the droplets toward the opening provided at the tip of the nozzle body. A strip-shaped droplet group may be generated by guiding the formed droplets, or each of the plurality of droplet generation units may have a liquid discharge means inside the nozzle body, a gas discharge means adjacent to the liquid discharge means, The liquid ejected from the liquid ejecting means toward the opening provided at the tip of the nozzle body and the gas ejected from the gas ejecting means are mixed to generate droplets. A band-shaped droplet group may be generated. Further, in any aspect, by arranging the restricting means between the plurality of droplet generation units and the opening, the generated band-like droplet group is discharged in the second direction before being discharged from the opening. The width of the droplet group can be regulated and supplied to the substrate.
この発明によれば、複数の液適生成部を列状に配置することで帯状の液滴群(帯状液滴群)が生成されて基板に供給される。このため、洗浄範囲が広く、短時間で基板を洗浄することができる。しかも、複数の液滴生成部がそれぞれに液滴を生成するとともに、第1方向に列状に配置されることで、液滴は液滴生成部の配列方向(第1方向)において均一に基板に供給される。その結果、基板表面を均一に短時間で洗浄することができる。 According to the present invention, a plurality of liquid suitable generation units are arranged in a row to generate a strip-shaped droplet group (strip-shaped droplet group) and supply it to the substrate. Therefore, the cleaning range is wide and the substrate can be cleaned in a short time. In addition, each of the plurality of droplet generation units generates droplets and is arranged in a row in the first direction, so that the droplets are uniformly disposed in the arrangement direction (first direction) of the droplet generation units. To be supplied. As a result, the substrate surface can be cleaned uniformly in a short time.
また、基板と二流体ノズルとを第1方向と異なる第2方向に相対移動させながら第2方向において帯状液滴群の幅を規制しているので、帯状液滴群の基板への第2方向における放射範囲を限定することができる。このため、帯状液滴群の基板への放射範囲が第2方向において不必要に広がることによるパーティクルの基板への再付着を抑制することができる。さらに、帯状液滴群の幅を第2方向に規制することで帯状液滴群を第2方向に収束させているので、液滴を安定して基板に供給することができる。その結果、第1方向において必要な洗浄幅を確保しつつ、基板表面を均一かつ確実に洗浄することができる。 Further, since the width of the strip droplet group is regulated in the second direction while relatively moving the substrate and the two-fluid nozzle in the second direction different from the first direction, the second direction of the strip droplet group to the substrate is controlled. The radiation range at can be limited. For this reason, it is possible to suppress the reattachment of particles to the substrate due to the radiation range of the strip-shaped droplet group on the substrate unnecessarily widening in the second direction. Furthermore, since the band-like droplet group is converged in the second direction by regulating the width of the band-like droplet group in the second direction, the droplets can be stably supplied to the substrate. As a result, it is possible to clean the substrate surface uniformly and reliably while ensuring a necessary cleaning width in the first direction.
<第1実施形態>
図1は本発明にかかる基板洗浄装置の第1実施形態を示す概略図である。この基板洗浄装置1は、半導体ウエハなどの基板Wの表面を洗浄するためのものであり、基板Wをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック10と、本発明の「液体」に相当する薬液(例えば、フッ酸、硫酸、塩酸、燐酸、酢酸、アンモニアまたはこれらの過酸化水素水溶液など)と、本発明の「気体」に相当する窒素ガスとを混合させて薬液の液滴を生成し、該液滴をスピンチャック10に保持された基板Wに向けて供給する二流体ノズル3と、スピンチャック10を取り囲むように配置されたスプラッシュガード(図示せず)とを備えている。また、使用される液体は薬液に限らず、純水もしくは超純水などであってもよい。また、使用される気体についても窒素ガスに限らず、圧縮空気などであってもよい。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic view showing a first embodiment of a substrate cleaning apparatus according to the present invention. The
スピンチャック10は、鉛直方向に沿って配置された回転軸11と、その回転軸11の上端に取り付けられた円板状のスピンベース12とを備えている。また、このスピンベース12の上面端縁部には、スピンベース12の周方向に適当な間隔をあけて、複数本(例えば、6本)のチャックピン13が立設されている。そして、これらのチャックピン13が基板Wの下面端縁部を支持しつつ、基板Wの端面(周面)に当接することで、基板Wをスピンベース12から上方に離間させた状態で保持可能となっている。なお、この実施形態では、チャックピン13によって基板Wを機械的に保持しているが、基板Wの保持方式はこれに限定されるものではなく、例えば基板Wを吸着保持するようにしてもよい。
The
また、スピンチャック10の回転軸11は回転駆動機構14のモータ(図示省略)と連結されており、装置全体を制御するコントローラ20によるモータ駆動に応じて回転駆動機構14が作動するのに伴って回転する。これによって、スピンベース12の上方でチャックピン13により保持されている基板Wはスピンベース12とともに回転軸心Pa回りに回転する。このように、この実施形態では、回転駆動機構14が本発明の「回転手段」に相当している。
Further, the
こうして回転駆動される基板Wの表面に対して薬液の液滴を帯状に供給すべく、二流体ノズル3がスピンベース12の上方位置に配置されている。より具体的には、二流体ノズル3は、その長尺方向(本発明の「第1方向」に相当)を基板Wの径方向と略平行にして離間して配置されるとともに、二流体ノズル3から基板Wに向けて供給される薬液が基板Wの法線方向(図1の上下方向)とほぼ平行となる配置姿勢で、1本のアーム21の先端側に固着されている。一方、アーム21の基端部には、ノズル移動機構23が連結されている。そして、コントローラ20からの制御指令に応じてノズル移動機構23が作動することでアーム21を揺動駆動させることが可能である。これにより、二流体ノズル3は、基板Wに対向して基板Wの洗浄を実行する対向位置(図1に示す状態)と、対向位置から側方に退避した退避位置との間を移動することができる。
The two-
二流体ノズル3は図1に示すように薬液配管24を介して薬液供給源と接続されており、薬液供給源から薬液の供給を受けている。この薬液配管24には、開度調整が可能なバルブ24Vが介装されており、コントローラ20からの指令に応じて、二流体ノズル3に供給される薬液の流路の開閉、および薬液の流量・流速の調節を行うことができるようになっている。また、薬液配管24において、バルブ24Vより下流側(バルブ24Vと二流体ノズル3との間)には、流量計24Fが介装されており、この流量計24Fにより二流体ノズル3に導入される薬液の流量を測定可能となっている。
As shown in FIG. 1, the two-
また、二流体ノズル3は、窒素ガス配管25を介して窒素ガス供給源から高圧の窒素ガスの供給を受けている。この窒素ガス配管25には開度調整が可能なバルブ25Vが介装されており、コントローラ20からの指令に応じて、二流体ノズル3に供給される窒素ガスの流路の開閉、および窒素ガスの流量・流速の調節を行うことができるようになっている。なお、窒素ガス配管25において、バルブ25Vより下流側(バルブ25Vと二流体ノズル3との間)には、圧力計25Pおよび流量計25Fが介装されており、二流体ノズル3に導入される窒素ガスの圧力および流量、流速を測定できるようになっている。
The two-
このように、コントローラ20がバルブ24V、25Vを制御することで二流体ノズル3に供給される薬液および窒素ガスの流量・流速を調整可能となっている。そして、二流体ノズル3は流量調整された薬液および窒素ガスの供給を受けて薬液の液滴を生成し、該液滴を基板Wに向けて供給可能となっている。このように、この実施形態では、薬液配管24が本発明の「液体供給手段」に、窒素ガス配管25が本発明の「気体供給手段」に相当している。
In this way, the
図2は図1の基板洗浄装置で用いられる二流体ノズルの構成を示す断面斜視図である。この二流体ノズル3は、その先端部に開口311を有するノズル本体31を備え、そのノズル本体31の内部で薬液と窒素ガスとを混合させて薬液の液滴を生成するとともに開口311から基板Wに向けて吐出する二流体ノズルである。ノズル本体31は、その内部に該ノズル本体31の長尺方向R1(第1方向)に沿って、薬液を供給する薬液供給配管32と、窒素ガスを供給するガス供給配管33とを備えている。この薬液供給配管32とガス供給配管33はそれぞれ、薬液配管24および窒素ガス配管25と接続され、薬液供給源および窒素ガス供給源から薬液、窒素ガスの供給を受けている。
2 is a cross-sectional perspective view showing the configuration of a two-fluid nozzle used in the substrate cleaning apparatus of FIG. The two-
ガス供給配管33の側壁には、その長手方向にガス供給配管33から窒素ガスを分配する複数のガス分岐配管33aが列状に設けられている。各ガス分岐配管33aはノズル先端部に向けて伸びており、後述する液滴生成部34と連結されている。一方、薬液供給配管32の側壁には、その長手方向に各ガス分岐配管33aに対応して、薬液供給配管32から薬液を分配する複数の薬液分岐配管32aが列状に設けられ、その端部がそれぞれに複数のガス分岐配管33aの中に入り込んで該配管33aと同軸の方向に伸びている。すなわち、薬液分岐配管32aとガス分岐配管33aとは、中心軸Qを共有する同軸状に配置されている。
On the side wall of the
薬液分岐配管32aとガス分岐配管33aとは、薬液分岐配管32aの外側を、ガス分岐配管33aが取り囲む構造、つまりガス分岐配管33aの中に薬液分岐配管32aが挿入されている二重管構造となっており、ノズル本体31は、該二重管構造を列状に複数個配置した構成を備えている。したがって、各薬液分岐配管32aは、配管24、32を介して薬液供給源から薬液の供給を受けることで薬液を吐出する一方で、各ガス分岐配管33aは、配管25、33を介して窒素ガス供給源から窒素ガスの供給を受けることで窒素ガスを吐出する。そして、ガス分岐配管33a内の薬液分岐配管32aの端部より下流側では薬液と窒素ガスとが混合されて薬液の液滴が生成される。このように、ガス分岐配管33a内の薬液分岐配管32aの端部より下流側は各々、薬液の液滴を生成する液滴生成部34となっており、これら複数の液滴生成部34が一列に配置されることで帯状に液滴が連なった液滴群(帯状液滴群)を生成可能となっている。ここで、液滴生成部34の配列方向R1(第1方向)における帯状液滴群の幅L(図1)は少なくとも基板Wの半径よりも大きくなるように、帯状液滴群が複数の液滴生成部34により生成される。
The
また、各液滴生成部34の他端はそれぞれ、液滴吐出口36を介してノズル先端部に設けられた遮断部35に接続されている。遮断部35は、液滴生成部34の配列方向R1に沿って該帯状液滴群を両側から挟み込むようにノズル先端部に長尺な板体により形成されている。また、遮断部35の垂直に延設された他端、すなわちノズル先端に設けられた開口311は基板Wに向けてスリット状に開口している。このため、複数の液滴生成部34の各々から液滴生成部34の配列方向R1と異なる方向に向けて飛散する液滴は、遮断部35によって遮断される。その結果、液滴生成部34の配列方向と略直交する方向R2(本発明の「第2方向」に相当)において帯状液滴群の幅が規制される。なお、軸方向Qにおける遮断部35の長さ、つまり液滴吐出口36から開口311までの距離は、第2方向における帯状液滴群の幅を確実に規制するために十分な長さがとられている。また、遮断部35は第1方向(長尺方向R1)に連設されており、これによって第1方向の液滴群がより均一化される。このように、この実施形態では、遮断部35が本発明の「規制手段」に相当している。
Further, the other end of each
図3は、図1の基板洗浄装置で用いられる二流体ノズルを側方から見た図である。図2、図3を参照して、二流体ノズル3では、薬液供給配管32から薬液分岐配管32aに薬液が供給され、ガス供給配管33からガス分岐配管33aに加圧された窒素ガスが供給されると、各液滴生成部34で薬液と窒素ガスが混合されて薬液の液滴が生成される。そして、各液滴生成部34で生成された液滴が液滴吐出口36より吐出されることで帯状液滴群が生成される。生成された帯状液滴群は、ノズル先端部に設けられた遮断部35において、複数の液滴生成部34の各々から液滴生成部34の配列方向R1(図3では紙面に垂直な方向)と異なる方向に飛散する液滴が遮断されることで、液滴生成部34の配列方向R1と略直交する方向R2において帯状液滴群の幅が規制されて基板Wの表面に供給される。
FIG. 3 is a side view of the two-fluid nozzle used in the substrate cleaning apparatus of FIG. 2 and 3, in the two-
ここで、二流体ノズル3の長尺方向R1を基板Wの径方向と略一致させた状態で、基板Wを回転させているので、基板Wは二流体ノズル3の長尺方向R1に対して略直交する方向に相対移動される。つまり、基板Wの回転移動方向、すなわち基板Wの洗浄方向と、帯状液滴群の幅の規制方向R2とは等しくなっている。したがって、帯状液滴群は基板Wの洗浄方向における洗浄幅D(図3)が限定されて基板Wに供給されることとなる。したがって、帯状液滴群の基板Wへの放射範囲が基板Wの洗浄方向において不必要に広がることなく、基板Wの表面上を広範囲に液滴が飛散することが防止される。
Here, since the substrate W is rotated in a state where the longitudinal direction R1 of the two-
図1を参照してさらに説明を続ける。この装置において、基板Wの表面を洗浄するときは、回転駆動機構14によりスピンチャック10に保持された基板Wを回転させ、二流体ノズル3から基板Wの上面に向かって薬液の帯状液滴群を噴射させる。すなわち、二流体ノズル3に高圧の窒素ガスを導入することにより、基板Wの表面に大きな運動エネルギーを持つ薬液の液滴を帯状に衝突させることができる。このとき、液滴の運動エネルギーにより、基板Wの表面に付着したパーティクルが物理的に除去される。そして、除去されたパーティクルは基板Wの回転に伴う遠心力によって、基板Wの中心から端部に向かう基板W上の液滴の流れに乗って基板Wの外に排出される。加えて、除去されたパーティクルは基板Wの相対的移動方向の上流側に主に輸送されるから(基板Wの下流側のパーティクルも基板Wの回転によって基板Wの上流側に移動する)、たとえ基板Wの上流側でパーティクルが再付着しても進行してくる液滴で再度除去され、上記の液滴の流れに乗って同様に基板Wの外に排出される。
Further description will be continued with reference to FIG. In this apparatus, when cleaning the surface of the substrate W, the substrate W held on the
以上のように、この実施形態では、複数の液滴生成部34を列状に配置させているので、各液滴生成部34で生成された液滴が帯状に連なって帯状液滴群を構成して基板Wに供給される。このため、洗浄範囲が広く、短時間で洗浄することが可能である。より具体的には、二流体ノズル3の長尺方向、すなわち液滴生成部34の配列方向R1(第1方向)を基板Wの径方向と略一致させつつ、液滴生成部34の配列方向R1における帯状液滴群の幅Lを基板Wの少なくとも半径以上にしているので、基板Wを一回転させることにより基板Wの表面全体を洗浄することができる。その結果、二流体ノズル3をコンパクトに構成することができるとともに、装置のスループットを向上させることができる。しかも、帯状液滴群は複数の液滴生成部34から生成されているので、液滴生成部34の配列方向R1における基板Wへの液滴の供給を均一にすることができる。より具体的には、複数の液滴生成部34を列状に配置することで各液滴生成部34で生成された液滴を繋ぎ合わせて第1方向に所定の幅Lを有する帯状液滴群を生成しているので、液滴生成部34の配列方向R1(第1方向)における液滴の吐出勢いを均一化することができる。このため、単一の液滴生成部から第1方向に広げて帯状に(ライン状に)液滴を吐出させる場合のように、ライン方向における液滴の吐出勢いが不均一となることがない。例えば、ライン方向の中央部で吐出勢いが増大し、端部で減少することによって基板への液滴の供給が不均一となることがない。さらに、二流体ノズル3を基板Wの表面上で揺動等させて基板Wの全面をスキャンさせる必要がなく、二流体ノズル3を固定させて洗浄を行うことができるため、二流体ノズル3の駆動機構、制御機構を簡素化することができる。
As described above, in this embodiment, since the plurality of
また、この実施形態では、基板Wの洗浄方向における洗浄幅Dを規制しているので、帯状液滴群の基板Wへの放射範囲が基板Wの洗浄方向に不必要に広がることによるパーティクルの基板Wへの再付着を抑制することができる。すなわち、すでに「課題を解決するための手段」の項で説明したように、基板Wに供給された液滴は基板Wの表面から跳ね返り、パーティクルをトラップしている液滴がミストとなって浮遊する。そして、このミストは基板Wの回転に伴う遠心力から生じた気流によって基板Wの表面上を広範囲に飛散して、基板Wの洗浄方向の下流側(洗浄後の基板W)に再付着する。つまり、基板W上では、液滴が供給されている箇所においてパーティクルが除去される傍らで、基板Wの洗浄方向の下流側でパーティクルの再付着が発生していた。その結果、基板Wにパーティクルが残留することとなる。 Further, in this embodiment, since the cleaning width D in the cleaning direction of the substrate W is regulated, the substrate of particles due to the radiation range of the band-like droplet group to the substrate W unnecessarily widens in the cleaning direction of the substrate W. Redeposition to W can be suppressed. That is, as already described in the section “Means for Solving the Problems”, the droplets supplied to the substrate W bounce off the surface of the substrate W, and the droplets trapping the particles float as mist. To do. The mist is scattered over the surface of the substrate W over a wide range by the air flow generated by the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W, and is reattached to the downstream side of the substrate W in the cleaning direction (the cleaned substrate W). That is, on the substrate W, particles are reattached on the downstream side in the cleaning direction of the substrate W while the particles are removed at the location where the droplets are supplied. As a result, particles remain on the substrate W.
これに対し、この実施形態では、帯状液滴群の基板Wへの放射範囲を基板Wの洗浄方向において規制しているので、基板Wの洗浄方向における洗浄幅Dが不必要に広がることなく限定される。このため、基板Wの表面上を広範囲に液滴が飛散するのを低減することができる。さらに、帯状液滴群の幅を基板Wの洗浄方向に規制することで帯状液滴群は該方向に収束させられる。このため、基板Wの径方向において洗浄に必要な洗浄幅Lを確保しつつ、帯状液滴群を安定して基板Wに供給することができる。その結果、パーティクルの基板Wへの再付着を防止しつつ、基板Wの表面の均一かつ確実な洗浄を達成することができる。加えて、除去されたパーティクルは基板Wの相対的移動方向の上流側に主に輸送され、進行してくる帯状液滴群によりライン状に排出されるため、さらに基板Wの下流側でのパーティクルの再付着を防止することができ、確実な洗浄を達成することができる。 On the other hand, in this embodiment, since the radiation range of the strip droplet group to the substrate W is regulated in the cleaning direction of the substrate W, the cleaning width D in the cleaning direction of the substrate W is limited without being unnecessarily widened. Is done. For this reason, it is possible to reduce the scattering of droplets over a wide range on the surface of the substrate W. Furthermore, by regulating the width of the strip droplet group in the cleaning direction of the substrate W, the strip droplet group is converged in this direction. For this reason, it is possible to stably supply the strip-shaped droplet group to the substrate W while ensuring the cleaning width L necessary for cleaning in the radial direction of the substrate W. As a result, uniform and reliable cleaning of the surface of the substrate W can be achieved while preventing the particles from reattaching to the substrate W. In addition, the removed particles are mainly transported to the upstream side in the relative movement direction of the substrate W, and are discharged in a line shape by the traveling band-like droplet group. Can be prevented from re-adhering, and reliable cleaning can be achieved.
<第2実施形態>
図4は、本発明にかかる基板洗浄装置の第2実施形態の構成を示す図である。同図(a)は側面図であり、同図(b)は部分平面図である。この第2実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、スピンチャック10に保持された基板Wの上方に円盤状の雰囲気遮断板4を追加的に設けている点である。この雰囲気遮断板4は基板Wの径よりも若干大きく、二流体ノズル3の側方に一体的に取り付けられている。具体的には、雰囲気遮断板4には、中心部から端部にかけて径方向に二流体ノズル3が取り付けられるように、しかも雰囲気遮断板4の厚み方向に二流体ノズル3が貫通できるように二流体ノズル3の形状に合わせて溝41が形成されている。このため、溝41に二流体ノズル3を配設することによって、雰囲気遮断板4の下面から基板Wの表面に向けて帯状液滴群が吐出可能となっている。このように、この実施形態では、雰囲気遮断板4が本発明の「雰囲気遮断手段」に相当している。
Second Embodiment
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the second embodiment of the substrate cleaning apparatus according to the present invention. The figure (a) is a side view, The figure (b) is a partial top view. The second embodiment is greatly different from the first embodiment in that a disk-shaped
第1実施形態と同様にして帯状液滴群を基板Wに供給すると、基板Wの回転に伴う遠心力によって、基板Wの中心から端部に向かう基板W上の液滴の流れに乗ってパーティクルが基板Wの外に排出される。そして、基板Wから排出される薬液は基板Wの周囲に基板Wを取り囲むように配設されたスプラッシュガード15によって受け止められて排液槽(図示省略)に流し込まれる。ここで、基板Wの回転に伴う気流によりスプラッシュガード15に衝突して跳ね返った液滴が基板W上に到達し、再付着することがあるが、雰囲気遮断板4により該液滴の基板Wへの再付着が防止される。
When the belt-like droplet group is supplied to the substrate W in the same manner as in the first embodiment, the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W causes the particles to ride on the flow of droplets on the substrate W from the center of the substrate W toward the end. Is discharged out of the substrate W. Then, the chemical liquid discharged from the substrate W is received by the
以上のように、この実施形態では、雰囲気遮断板4を設けることで、基板Wの洗浄時およびその後のリンス処理、乾燥処理における基板Wの周囲雰囲気の管理が可能になるほか、基板Wへのパーティクルの再付着を確実に防止することができる。特に、本発明に用いられる二流体ノズル3は基板W上を揺動させて基板Wの表面全体をスキャンする必要がないため、雰囲気遮断板4との物理的な干渉がなく、雰囲気遮断板4との共存が可能となっている。すなわち、本発明にかかる二流体ノズル3は基板Wを回転させることで基板Wの表面全体を洗浄することが可能であるため、雰囲気遮断板4との併用により基板Wの周囲雰囲気の厳密な管理を可能とし、パーティクルの再付着等の新たな汚染を確実に防止することができる。
As described above, in this embodiment, by providing the
さらに、基板Wへのパーティクルの再付着を確実に防止するため、雰囲気遮断板4と基板Wとの間に形成される空間に窒素ガス等の不活性ガスを供給するようにしてもよい。これにより、雰囲気遮断板4と基板Wとの間に形成される空間が負圧になることによる液滴の侵入が効果的に防止される。
Further, an inert gas such as nitrogen gas may be supplied to a space formed between the
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、複数の液滴生成部34の各々において生成された液滴をノズル開口に向けて導くことで帯状液滴群を生成しているが、例えば、図5に示すように、ノズル開口に向けて吐出される薬液に窒素ガスを衝突させることで混合させて液滴を生成することで帯状液滴群を生成するようにしてもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, a band-shaped droplet group is generated by guiding the droplet generated in each of the plurality of
図5は、本発明にかかる基板洗浄装置の他の二流体ノズルの構成を示す図である。この二流体ノズル5は、先の実施形態で採用された二流体ノズル3の代わりに使用されたものである。この実施形態では、二流体ノズル5は、その先端部に設けられた開口511に向けて吐出される薬液に窒素ガスを衝突させて薬液の液滴を生成可能となっている。二流体ノズル5は、ノズル本体51内にその長尺方向R1(第1方向)に沿って、薬液を供給する薬液供給配管52と、窒素ガスを供給するガス供給配管53とを備えている。薬液供給配管52には、その長手方向に複数の薬液分岐配管52aが列状に設けられるとともに、各薬液分岐配管52aはその先端に薬液吐出口521を有する薬液吐出ノズル522を構成している。このため、薬液が薬液供給配管52から各薬液分岐配管52aに供給されると、薬液が各薬液吐出口521から基板Wに向けて吐出される。
FIG. 5 is a diagram showing the configuration of another two-fluid nozzle of the substrate cleaning apparatus according to the present invention. This two-
また、ガス供給配管53には、その長手方向に各薬液分岐配管52aに対応して複数のガス分岐配管53aが列状に設けられるとともに、各ガス分岐配管53aはガス吐出ノズル532に連通されている。ガス吐出ノズル532は、薬液吐出ノズル522を囲んだリング状のガス通路を規定する。各ガス吐出ノズル532の先端部は先細にテーパ状とされており、このノズル開口は基板Wの表面に対向している。このため、窒素ガスがガス供給配管53から各ガス分岐配管53aに供給されると、窒素ガスが各ガス吐出ノズル532のガス吐出口531から基板Wに向けて吐出される。なお、その窒素ガスの吐出軌跡は、対応する薬液吐出口521からの薬液の吐出軌跡に交わっている。すなわち、各薬液吐出ノズル522から吐出される液体(薬液)流は、薬液吐出ノズル522に対応して該薬液吐出ノズル522を囲むように設けられたガス吐出ノズル532から吐出される気体(窒素ガス)流と、衝突部位Gにおいて衝突する。各ガス吐出口531からの気体流は混合領域内の対応する衝突部位Gに収束するように吐出される。この混合領域は、ノズル本体51の先端部の内部空間である。このため、各薬液吐出口521からの薬液の吐出方向の直近において薬液はそれに衝突する各ガス吐出口531からの窒素ガスによって速やかに液滴化される。このように、各薬液吐出ノズル522と各ガス吐出ノズル532の吐出方向の下流側にある混合領域が液滴を生成する液滴生成部54となっており、薬液吐出ノズル522ならびに該ノズル522に対応してガス吐出ノズル532が列状に配置されることで、複数の液滴生成部54が一列に形成されている。このため、各薬液吐出ノズル522および各ガス吐出ノズル532から薬液、窒素ガスが吐出されることで、帯状液滴群を生成可能となっている。このように、この実施形態では、薬液吐出ノズル522が本発明の「液体吐出手段」に、ガス吐出ノズル532が本発明の「気体吐出手段」に相当している。
The
また、ノズル先端部には、液滴生成部54の配列方向R1に沿って該帯状液滴群を両側から挟み込むように本発明の「規制手段」に相当する遮断部55が設けられている。また、遮断部55の垂直に延設された他端、すなわちノズル先端に設けられた開口511は基板Wに向けてスリット状に開口している。このため、複数の液滴生成部54の各々から液滴生成部54の配列方向R1と異なる方向に向けて飛散する液滴は、遮断部55によって遮断される。このため、液滴生成部34の配列方向D1と略直交する方向R2(第2方向)において帯状液滴群の幅が規制され、均一化される。なお、この実施形態においても、方向R1ならび方向R2に直交する方向、すなわち薬液吐出ノズル522の軸方向における遮断部55の長さは、第2方向における帯状液滴群の幅を確実に規制するために十分な長さがとられて、しかも列方向に連設されている。したがって、このような構成の二流体ノズルを採用しても、先の実施形態と同様な作用効果を得ることができる。
Further, a blocking
また、上記実施形態では、規制手段として遮断部35、55をそれぞれ、ノズル本体31、51の一構成要素としてノズル先端部に設けているが、これに限定されない。例えば、遮断部35、55をノズル本体31、51と別個に構成して追加的にノズル先端部に取り付けるようにしてもよい。
Moreover, in the said embodiment, although the interruption | blocking
また、上記実施形態では、基板Wを回転させることで基板Wと二流体ノズル3、(5)とを液滴生成部34、54の配列方向R1(第1方向)と異なる第2方向に相対移動させているが、これに限定されない。例えば、図6に示すように、基板Wと二流体ノズル3、(5)とを所定の一方向に相対移動させて基板Wを洗浄するようにしてもよい。図6では、二流体ノズル3、(5)を固定させて、二流体ノズル3、(5)の長尺方向、すなわち液滴生成部34、54の配列方向R1と略直交する方向R2に基板Wを移動させている。このため、二流体ノズル3、(5)から吐出される帯状液滴群の幅は第2方向において規制されて基板Wに供給される。したがって、基板Wの移動方向、すなわち基板Wの洗浄方向における帯状液滴群の基板Wへの放射範囲が不必要に広がることがなく、液滴が広範囲に飛散することによるパーティクルの基板Wへの再付着を防止することができる。
Further, in the above embodiment, by rotating the substrate W, the substrate W and the two-
また、上記実施形態では、液滴生成部34、54の配列方向R1(第1方向)と略直交する方向R2に基板Wと二流体ノズル3、5とを相対移動させているが、これに限定されず、相対移動方向(第2方向)は第1方向と異なる方向であればよい。
In the above embodiment, the substrate W and the two-
また、上記実施形態では、複数の液滴生成部34、54は一列にノズル本体31、51に配置されているが、これに限定されず、複数の液滴生成部34、54は液滴が帯状に連なって基板Wに供給可能に配置されていればよい。
In the above embodiment, the plurality of
また、上記実施形態では、基板Wの上面に二流体ノズル3,5を配置して基板Wの上面に向けて帯状液滴群を供給して基板Wの洗浄を実行しているが、これに限定されない。例えば、基板Wの下面に対向して二流体ノズル3,5を配置して基板Wの下面に向けて帯状液滴群を供給することで基板Wの下面を洗浄するようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the two-
また、上記実施形態では、各液滴生成部34、54は、薬液供給配管32、52ならびにガス供給配管33、53からそれぞれ、薬液ならびに窒素ガスの供給を受けて同一の生成条件で液滴を生成しているが、これに限らない。例えば、各液滴生成部34、54ごとに薬液の流量ならびに窒素ガスの流量・流速を、またはそれらの一部を調節可能に構成するようにしてもよい。これにより、所望の液滴径、液滴の噴出速度を得ることができ、洗浄の態様に応じて最適な洗浄効果を得られる。例えば、基板Wを回転させて洗浄を行う場合には、パーティクルの除去率は周速が早い基板Wの外周部ほど小さくなるため、除去率を基板Wの中心部と同程度にするには洗浄時間を長くする必要がある。この場合、基板Wの外周部に対応する液滴生成部34、54における液滴の生成条件を変更して洗浄力を上げることで、基板Wの径方向における除去率の均一化を図ることができる。
Further, in the above embodiment, each of the
また、上記実施形態では、例えば、図3に示すように二流体ノズル3は、基板Wに向けて供給される薬液(帯状液滴群)が基板Wの法線方向とほぼ平行となる配置姿勢で固着されているが、図7に示すように基板Wの相対的移動方向の上流側に傾けるように配置してもよい。
In the above-described embodiment, for example, as shown in FIG. 3, the two-
また、図6に示す実施形態において、基板Wを固定させて二流体ノズル3を方向R2に移動させる場合には、二流体ノズル3を移動方向の下流側に、換言すれば基板Wの未処理領域である上流側に傾けるように配置させてもよい。すなわち、薬液(帯状液滴群)が基板Wの法線方向に対して基板Wの上流側に吐出されることにより、除去されたパーティクルは基板Wの上流側に主に輸送されるから、さらに基板Wの下流側へのパーティクルの再付着を低減することができるとともに、基板Wの上流側に存在するパーティクルも進行してくる液滴で再度除去される。
In the embodiment shown in FIG. 6, when the substrate W is fixed and the two-
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)用基板、あるいは磁気ディスク用のガラス基板やセラミック基板などを含む基板全般の表面を洗浄する装置に適用することができる。 The present invention is applied to an apparatus for cleaning the surface of a general substrate including a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a PDP (plasma display panel) substrate, or a glass substrate or a ceramic substrate for a magnetic disk. Can do.
3、5…二流体ノズル
4…雰囲気遮断板(雰囲気遮断手段)
14…回転駆動機構(回転手段、相対移動手段)
24…薬液配管(液体供給手段)
25…窒素ガス配管(気体供給手段)
34、54…液滴生成部
35、55…遮断部(規制手段)
522…薬液吐出ノズル(薬液吐出手段)
532…ガス吐出ノズル(気体吐出手段)
Pa…回転軸心(回転中心)
R1…第1方向
R2…第2方向
W…基板
3, 5 ... Two-
14: Rotation drive mechanism (rotating means, relative moving means)
24 ... Chemical piping (liquid supply means)
25 ... Nitrogen gas piping (gas supply means)
34, 54 ...
522 ... Chemical liquid discharge nozzle (chemical liquid discharge means)
532 ... Gas discharge nozzle (gas discharge means)
Pa ... Rotation axis (center of rotation)
R1 ... first direction R2 ... second direction W ... substrate
Claims (9)
液体と気体とを混合させて前記液滴を生成する液滴生成部を複数個有し、該複数の液滴生成部を第1方向に列状に配置させることで帯状の前記液滴群を生成するとともに、該帯状液滴群を前記基板に供給する二流体ノズルと、
前記複数の液滴生成部に前記液体を供給する液体供給手段と、
前記複数の液滴生成部に前記気体を供給する気体供給手段と
を備えたことを特徴とする基板洗浄装置。 In a substrate cleaning apparatus for performing a cleaning process on the substrate by supplying liquid droplets generated by mixing liquid and gas to the surface of the substrate,
A plurality of droplet generation units that generate liquid droplets by mixing liquid and gas, and the plurality of droplet generation units are arranged in a row in the first direction to form the band-shaped droplet group A two-fluid nozzle that generates and supplies the strips to the substrate;
Liquid supply means for supplying the liquid to the plurality of droplet generation units;
A substrate cleaning apparatus, comprising: a gas supply unit configured to supply the gas to the plurality of droplet generation units.
前記二流体ノズルは前記第2方向における前記帯状液滴群の幅を規制する規制手段をさらに有する請求項1記載の基板洗浄装置。 And further comprising relative movement means for relatively moving the substrate and the two-fluid nozzle in a second direction different from the first direction,
The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the two-fluid nozzle further includes a restricting unit that restricts a width of the strip droplet group in the second direction.
前記第1方向における前記帯状液滴群の幅は少なくとも前記基板の回転中心から前記基板の端縁までの距離よりも大きい請求項2ないし4のいずれかに記載の基板洗浄装置。 The relative movement means includes a rotation means for rotating the substrate,
5. The substrate cleaning apparatus according to claim 2, wherein a width of the strip-shaped droplet group in the first direction is at least larger than a distance from a rotation center of the substrate to an edge of the substrate.
前記複数の液滴生成部の各々は前記ノズル本体の内部に配置され、前記開口に向けて各液滴生成部において生成された液滴を導くことで前記帯状液滴群を生成する請求項1ないし6のいずれかに記載の基板洗浄装置。 The two-fluid nozzle includes a nozzle body having an opening at a tip portion thereof.
2. Each of the plurality of droplet generation units is disposed inside the nozzle body, and generates the strip droplet group by guiding the droplets generated in each droplet generation unit toward the opening. 7. The substrate cleaning apparatus according to any one of 6 to 6.
前記複数の液滴生成部の各々は前記ノズル本体の内部に液体を吐出する液体吐出手段と、前記液体吐出手段に近接して気体を吐出する気体吐出手段とを有し、前記液体吐出手段から前記開口に向けて吐出される前記液体と、前記気体吐出手段より吐出される前記気体とを混合させて液滴を生成することで前記帯状液滴群を生成する請求項1ないし6のいずれかに記載の基板洗浄装置。 The two-fluid nozzle includes a nozzle body having an opening at a tip portion thereof.
Each of the plurality of droplet generation units includes a liquid discharge unit that discharges liquid into the nozzle body, and a gas discharge unit that discharges gas in the vicinity of the liquid discharge unit. 7. The strip-shaped droplet group is generated by mixing the liquid discharged toward the opening and the gas discharged from the gas discharge unit to generate droplets. A substrate cleaning apparatus according to claim 1.
The regulating means is disposed between the plurality of droplet generating units and the opening, and the strip-shaped liquid in the second direction until the generated strip-shaped droplet group is discharged from the opening. The substrate cleaning apparatus according to claim 7 or 8, wherein a droplet group width is regulated and supplied to the substrate.
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100968584B1 (en) * | 2008-04-14 | 2010-07-08 | 포항공과대학교 산학협력단 | Droplet ejection device |
KR20120075361A (en) | 2010-12-28 | 2012-07-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
KR20120075350A (en) | 2010-12-28 | 2012-07-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP2012156268A (en) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP2012156266A (en) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP2012156267A (en) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP2012164896A (en) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Tokyo Electron Ltd | Fluid supply member, liquid processing apparatus, and liquid processing method |
JP2013102185A (en) * | 2006-07-07 | 2013-05-23 | Tel Fsi Inc | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to treat microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
JP2013207077A (en) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR101329319B1 (en) | 2010-08-13 | 2013-11-14 | 세메스 주식회사 | Nozzle and apparatus for treating a substrate with the nozzle |
KR20140086840A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate cleaning apparatus |
JP2014130883A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Ebara Corp | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method |
US8899248B2 (en) | 2005-04-01 | 2014-12-02 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US20150107619A1 (en) * | 2013-10-22 | 2015-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Wafer particle removal |
US9039840B2 (en) | 2008-05-09 | 2015-05-26 | Tel Fsi, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
KR101728214B1 (en) * | 2015-01-29 | 2017-05-02 | 이충중 | Two Fluid Cleaner Nozzle Having Bar Shaped Dual Pipe Structure and Method for Cleaning Catalyst Selective Catalytic Reduction Using the Same |
JP2018501665A (en) * | 2015-07-13 | 2018-01-18 | ゼウス カンパニー リミテッド | Substrate liquid processing apparatus and method |
-
2004
- 2004-06-09 JP JP2004171184A patent/JP2005353739A/en not_active Abandoned
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8899248B2 (en) | 2005-04-01 | 2014-12-02 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US8978675B2 (en) | 2006-07-07 | 2015-03-17 | Tel Fsi, Inc. | Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles |
JP2013102185A (en) * | 2006-07-07 | 2013-05-23 | Tel Fsi Inc | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to treat microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US9666456B2 (en) | 2006-07-07 | 2017-05-30 | Tel Fsi, Inc. | Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles |
KR100968584B1 (en) * | 2008-04-14 | 2010-07-08 | 포항공과대학교 산학협력단 | Droplet ejection device |
US9039840B2 (en) | 2008-05-09 | 2015-05-26 | Tel Fsi, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
KR101329319B1 (en) | 2010-08-13 | 2013-11-14 | 세메스 주식회사 | Nozzle and apparatus for treating a substrate with the nozzle |
US9048269B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-06-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid treatment apparatus with lift pin plate |
KR20120075361A (en) | 2010-12-28 | 2012-07-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
KR20120075350A (en) | 2010-12-28 | 2012-07-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP2012156266A (en) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
US9396975B2 (en) | 2011-01-25 | 2016-07-19 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment apparatus and method |
KR101524903B1 (en) * | 2011-01-25 | 2015-06-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP2012156267A (en) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
KR101521322B1 (en) * | 2011-01-25 | 2015-05-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP2012156268A (en) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP2012164896A (en) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Tokyo Electron Ltd | Fluid supply member, liquid processing apparatus, and liquid processing method |
JP2013207077A (en) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2014130884A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Ebara Corp | Substrate cleaning apparatus |
JP2014130883A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Ebara Corp | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method |
KR20140086840A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate cleaning apparatus |
KR102103356B1 (en) | 2012-12-28 | 2020-04-22 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Substrate cleaning apparatus |
US10737301B2 (en) | 2012-12-28 | 2020-08-11 | Ebara Corporation | Substrate cleaning apparatus |
US20150107619A1 (en) * | 2013-10-22 | 2015-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Wafer particle removal |
KR101728214B1 (en) * | 2015-01-29 | 2017-05-02 | 이충중 | Two Fluid Cleaner Nozzle Having Bar Shaped Dual Pipe Structure and Method for Cleaning Catalyst Selective Catalytic Reduction Using the Same |
JP2018501665A (en) * | 2015-07-13 | 2018-01-18 | ゼウス カンパニー リミテッド | Substrate liquid processing apparatus and method |
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