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JP2005283830A - 実装構造体、電気光学装置、電子機器、実装構造体の検査方法、電気光学装置の検査方法 - Google Patents

実装構造体、電気光学装置、電子機器、実装構造体の検査方法、電気光学装置の検査方法 Download PDF

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JP2005283830A
JP2005283830A JP2004095633A JP2004095633A JP2005283830A JP 2005283830 A JP2005283830 A JP 2005283830A JP 2004095633 A JP2004095633 A JP 2004095633A JP 2004095633 A JP2004095633 A JP 2004095633A JP 2005283830 A JP2005283830 A JP 2005283830A
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Abstract

【課題】 検査などの際、配線を辿らなくても不具合の原因となる信号を出力した端子の位置を容易に特性することのできる実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器、実装構造体の検査方法、および電気光学装置の検査方法を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置1aにおいて、第1のIC4の実装領域に形成された出力パッド60には、10個毎に第1の指標610を備えた第1の指標付き出力パッド61が配置され、100個毎に第2の指標620を備えた第2の指標付き出力パッド62が配置されている。このため、所定の出力パッド60の位置を特定したい場合には、指標付き出力パッド61、62に基づいて基板の裏面側から特定することができる。
【選択図】 図5

Description

本発明は、被実装体に対して実装体が実装された実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器、実装構造体の検査方法、および電気光学装置の検査方法に関するものである。
アクティブマトリクス型液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの電気光学装置において、画像表示領域には、多数のデータ線と多数の走査線との各交点に相当する位置に画素が形成されており、データ線および走査線を介して各画素に所定の信号を供給して各画素の駆動を行う。そのため、電気光学装置では、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板上に駆動用ICがCOG(Chip On Glass)実装され、駆動用ICから出力された信号、あるいは駆動用ICから出力された信号に基づいて生成された信号がデータ線および走査線に出力される(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−57677号公報の図4
このような構成の電気光学装置では、その製造工程などにおいて、駆動用ICから信号を出力して各画素を点灯させ、電気光学装置用基板のパッドと駆動用ICのバンプとの接続に不具合がないか検査を行う。ここで、いずれかの画素列に不具合が発生したときには、電気光学装置用基板の裏面側から、該当する画素列に接続された配線パターンを辿って、不具合の発生した画素列に信号を出力しているパッドの位置を特定し、このパッドとバンプとの実装状態を確認している。
しかしながら、近年、画素数の増大に伴って、配線パターンおよびパッドの数が増えるとともに、それらのピッチが狭くなっている。そのため、検査の際、配線パターンを辿って不具合の発生した画素列に信号を出力しているパッドの位置を特定することが困難になりつつあるという問題点がある。
以上の問題点に鑑みて、検査などの際、配線を辿らなくても不具合の原因となる信号を出力した端子の位置を容易に特定することのできる実装構造体、この実装構造体を備えた電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器、実装構造体の検査方法、および電気光学装置の検査方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明では、複数の配線パターンおよび該複数の配線パターンに各々接続する複数の第1の端子が形成された被実装体と、前記第1の端子に対応して設けられた複数の第2の端子が配列された実装体とを有し、前記第1の端子と前記第2の端子とが電気的に接続された実装構造体において、前記複数の第1の端子には、当該複数の第1の端子内における位置を示す指標が付された指標付き端子が含まれていることを特徴とする。
本発明では、複数の第1の端子には、当該複数の第1の端子内における位置を示す指標が付された指標付き端子が含まれているため、実装構造体を動作させた際、当該実装構造体に不具合が発生したときには、当該不具合の原因となった可能性のある第1の端子については、配線パターンを辿って特定しなくても、指標付き端子に基づいて特定できる。従って、配線パターンや端子が増加し、かつ、それらのピッチが狭くなった場合でも、不具合の原因となった可能性のある第1の端子の位置を容易に特定でき、この第1の端子と第2の端子との接続状態を検査できる。
本発明において、前記第1の端子は、例えば、前記配線パターンを介して信号を出力する出力端子である。電気光学装置の場合、画素数の増大に伴って、出力端子の数が増大するので、出力端子に対して本発明を適用すると効果的である。
本発明において、前記被実装体は、基材が透光性を備えていることが好ましい。このように構成すると、実装体を取り外さなくても、被実装体の実装体が実装されている側とは反対側の面から実装領域を確認し、端子を特定することができる。
本発明において、前記指標は、前記指標付き端子に形成された前記基材表面まで貫通する穴であることが好ましい。このように構成すると、被実装体の実装体が実装されている側とは反対側の面から指標付き端子の位置を確認できる。また、このような穴で指標を構成すれば、第1の端子をパターニングする際、同時に指標を形成することができ、かつ、益々小型化されつつある端子に対しても指標を付与することできる。
本発明において、前記指標付き端子では、前記第2の端子と平面的に重なる領域からずれた位置に前記指標が付されていることが好ましい。このように構成すると、指標付き端子に第2の端子を実装した際、指標の存在によって実装の信頼性が低下することがない。
本発明において、前記指標付き端子では、前記第2の端子と平面的に重なる領域の中心位置からずれた位置に前記指標が付されていることが好ましい。このように構成すると、指標付き端子に第2の端子を実装した際、指標の存在によって実装の信頼性が低下することを抑えることができる。
本発明において、前記指標付き端子は、前記複数の第1の端子の配列方向において所定の端子数毎に配置されていることが好ましい。この場合、前記指標付き端子には、少なくとも、前記複数の第1の端子の配列方向において所定の数毎に配置された第1の指標付き端子と、該第1の指標付き端子と異なる形態の指標が付され、前記複数の第1の端子の配列方向において前記第1の指標付き端子と異なる数毎に配置された第2の指標付き端子とが含まれていることが好ましい。例えば、第1の指標付き端子については10個毎に形成し、第2の指標付き端子については100個毎に形成することが好ましい。
本発明において、前記被実装体は、例えば、前記第1の端子としてのパッドを備えた基板であり、前記被実装体は、前記第2の端子としてのバンプを備えたICである。
本発明に係る実装構造体は、電気光学装置に用いることができる。この場合、前記被実装体は、電気光学装置を保持する電気光学装置用基板であり、当該電気光学用基板の画像表示領域には、多数の画素がマトリクス状に配置され、前記第1の端子は、前記配線パターンを介して当該第1の端子に電気的に接続された複数の画素に信号を供給する。
本発明に係る電気光学装置は、液晶装置やエレクトロルミネッセンス表示装置などであり、このような電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
本発明では、複数の配線パターンおよび該複数の配線パターンに各々接続する複数の第1の端子が形成された透光性の基材と、複数の第2の端子が配列された実装体とを有し、前記第1の端子と前記第2の端子とが電気的に接続された実装構造体の検査方法において、前記複数の第1の端子には、当該複数の第1の端子内における位置を示す指標として前記基材表面まで貫通する穴が形成された指標付き端子を含ませておき、前記第2の端子を介して前記第1の端子に信号を供給して前記実装構造体を動作させ、当該実装構造体に不具合が発生したときには、当該不具合の原因となる信号を出力する前記第1の端子の位置を前記指標付き端子に基づいて前記基材の前記実装体が実装された側とは反対側から特定することを特徴とする。
また、本発明では、複数の配線パターンおよび該複数の配線パターンに各々接続する複数の第1の端子が形成された透光性の電気光学装置用基板と、前記電気光学装置用基板に保持された電気光学物質と、複数の第2の端子が配列された駆動用ICとを有し、前記第1の端子と前記第2の端子とが電気的に接続され、かつ、前記電気光学用基板の画像表示領域には、複数の画素がマトリクス状に配置された電気光学装置の検査方法において、前記複数の第1の端子には、当該複数の第1の端子内における位置を示す指標として、前記基材表面まで貫通する穴が形成された指標付き端子を含ませておき、前記第2の端子を介して前記第1の端子に信号を供給して前記電気光学装置を動作させ、前記複数の画素のいずれかに不具合が発生したときには、当該不具合が発生した画素に信号を出力する前記第1の端子の位置を前記指標付き端子に基づいて前記基材の前記駆動用ICが実装された側とは反対側から特定することを特徴とする。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
(電気光学装置の全体構成)
図1は、電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図2(A)、(B)は、本発明を適用した電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および対向基板の側からみた概略斜視図である。図3は、図2に示す電気光学装置を画素電極を通る部分でY方向に切断したときの断面図である。
図1に示す電気光学装置1aは、画素スイッチング素子としてTFD(Thin Film Diode/薄膜ダイオード素子)を用いたアクティブマトリクス型液晶装置であり、交差する2方向をX方向およびY方向としたとき、複数の走査線51aがX方向(行方向)に延び、複数のデータ線52aがY方向(列方向)に延びている。電気光学装置1aの画像表示領域2には、走査線51aとデータ線52aとの各交差点に対応する各位置には画素53aが形成され、多数の画素53aがマトリクス状に配列されている。これらの画素53aでは、液晶層54aと、画素スイッチング用のTFD素子56aとが直列に接続されている。各走査線51aは走査線駆動回路57aによって駆動され、各データ線52aはデータ線駆動回路58aによって駆動される。
このような電気光学装置1aを構成するにあたっては、図2(A)、(B)および図3に示すように、素子基板10(電気光学装置用基板/被実装体)と対向基板20とをシール材30によって貼り合わせるとともに、両基板とシール材30とによって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶19を封入する。シール材30は、対向基板20の縁辺に沿って略長方形の枠状に形成されるが、液晶19を封入するために一部が開口している。このため、液晶19の封入後にその開口部分が封止材31によって封止される。
素子基板10および対向基板20の基材10a、20aはいずれも、ガラスや石英、プラスチックなどの光透過性を有する板状部材である。素子基板10の内側(液晶19の側)表面には、上述した複数のデータ線52a、画素スイッチング用のTFD素子(図示せず)、画素電極34a、および配向膜(図示せず)などが形成される。一方、対向基板20の内側の面上には複数の走査線51aが形成され、走査線51aの表面側に配向膜(図示せず)が形成されている。
なお、実際には、素子基板10および対向基板20の外側の表面に、入射光を偏光させるための偏光板や、干渉色を補償するための位相差板などが適宜、貼着される。また、カラー表示を行う場合には、対向基板20に対して、画素電極34aと対向する領域に、R(レッド)、G(グリーン)、B(ブルー)のカラーフィルタ(図示せず)が所定の配列で形成され、画素電極34aに対向しない領域にはブラックマトリクス(図示せず)が形成される。さらに、カラーフィルタおよびブラックマトリクスを形成した表面には、その平坦化および保護のために平坦化層がコーティングされ、この平坦化層の表面に走査線51aが形成されるが、本発明とは直接の関係がないため、それらの図示および説明を省略する。
(TFD素子の構成)
図4は、図2に示す電気光学装置において画素スイッチング素子として用いたTFD素子の説明図である。
図4において、素子基板10は、基材10aの表面に下地層14が形成され、TFD素子56aは、この下地層14の上に形成された第1TFD素子33aおよび第2TFD素子33bからなる2つのTFD素子要素によって、いわゆるBack−to−Back構造として構成されている。このため、TFD素子56aは、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層14は、例えば、厚さが50〜200nm程度の酸化タンタル(Ta)によって構成され、TFD素子56aの密着性を向上させ、さらに素子基板10からの不純物の拡散を防止するために設けられている。第1TFD素子33aおよび第2TFD素子33bは、第1金属層32aと、この第1金属層32aの表面に形成された絶縁層32bと、絶縁層32bの表面に互いに離間して形成された第2金属層32c、32dとによって構成されている。
本形態において、第1金属層32aは、例えば、厚さが100〜500nm程度タンタル単体膜、タンタル合金膜等によって形成され、絶縁層32cは、例えば、陽極酸化法や熱酸化法によって第1金属層32aの表面を酸化することによって形成された厚さが10〜35nmの酸化タンタル(Ta)である。第2金属層32c、32dは、例えばクロム(Cr)等といった金属膜によって50〜300nm程度の厚さに形成されている。第2金属層32cの側は、そのままデータ線52aの一部を構成しており、他方の第2金属層32dは、ITO(Indium Tin Oxide)等といった透明導電材からなる画素電極34aに接続されている。
再び図2において、電気光学装置1aでは、素子基板10と対向基板20とをシール材30によって貼り合わせた状態で、素子基板10は、シール材30の外周縁から一方の側に張り出した張り出し領域10aを有しており、この張り出し領域10aには、データ線52aと一体の配線パターン8、および基板間導通を介して走査線51aに電気的に接続する配線パターン8が延びている。基板間導通を行うにあたっては、シール材30として、導電性を有する多数の導通粒子が分散された樹脂が用いられている。ここで、導通粒子は、例えば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板10および対向基板20の各々に形成された配線パターン同士を導通させる機能を備えている。このため、本形態では、データ線52aに対して画像信号を出力する第1のIC4(フェイスダウンボンディングタイプのICチップ/実装体)、および走査線51aに走査信号を出力する2つの第2のIC5(フェイスダウンボンディングタイプのICチップ/実装体)が素子基板10の張り出し領域10aに対してCOG実装され、対向基板20の側にはICが実装されていない。
(実装構造の説明)
図5(A)、(B)は、本発明に係る電気光学装置の素子基板に形成した第1のIC実装領域の一部を模式的に示す説明図、およびICのバンプの一部を模式的に示す説明図である。図6は、図5(A)に示すパッドに対して、図5(B)に示すバンプを平面的に重ねた状態を模式的に示す説明図である。
本形態の電気光学装置1aでは、図2(A)、(B)に示すように、第1のIC実装領域6には、基板縁11に沿う方向における中央領域に、データ線駆動回路を内蔵の第1のIC4がCOG実装される第1のIC実装領域6が形成され、第1のIC実装領域6の両側には、走査線駆動回路を内蔵の第2のIC5がCOG実装される第2のIC実装領域50が形成されている。また、素子基板10の張り出し領域10aにおいて、IC実装領域6、50よりもさらに基板縁11の側には、基板縁11に沿って、可撓性基板7が接続される基板接続領域70が形成されている。
本形態では、第1のIC実装領域6と第2のIC実装領域50は、基本的には同様な構成を採用することができるので、図5および図6を参照して、第1のIC実装領域6への第1のIC4の実装構造を中心に説明し、第2のIC実装領域50については説明を省略する。また、本形態では、第1のIC実装領域6の出力パッドに本発明を適用したので、図5および図6を参照して出力パッド側の構成を説明し、入力パッド側の説明を省略する。
図5(A)、(B)に示すように、本形態の電気光学装置1aの第1のIC実装領域6には、第1のIC4の出力バンプ40が異方性導電材(異方性導電材含有フィルムあるいは異方性導電材含有ペースト)などにより接続される多数の出力パッド60が基板縁と平行に配列されている。出力パッド60は、配線パターン8の一部から構成されている。
出力パッド60は、Y方向のうち、配線パターン8が延びている側でX方向に配列された第1のパッド群68と、第1のパッド群68に対して、配線パターン8が延びている側と反対側でX方向に配列された第2のパッド群69とから構成され、第1のパッド群68に属する出力パッド60と、第2のパッド群69に属する出力パッド60は、Y方向で重なる位置に整列している。出力パッド60のうち、第1のパッド群68に属する出力パッド60に接続する配線パターン8は、そのまま画像表示領域に向けて延びてデータ線52aに接続している。これに対して、第2のパッド群69に属する出力パッド60に接続する配線パターン8は、第1のパッド群68に属するパッド60の間に向けて斜めに延び、これらのパッド60の間を通って、画像表示領域に向けて延びてデータ線52aに接続している。なお、第1のパッド群68に属する出力パッド60の間には、配線パターン8が1本ずつ通っており、配線パターン8の斜め部分は、いずれも同一方向に傾いている。
第1のパッド群68に属する出力パッド60には、配線パターンが延びている側とは反対側に向けて延びた延設部分630が形成され、この延設部分630は、第2のパッド群68に属するパッド60の間に向けて斜めに延びた後、これらのパッド60の間を通って直線的に延びている。これに対して、第2のパッド群69に属する出力パッド60にも、配線パターン8が延びてくる側とは反対側に向けて延びた延設部分640が形成され、この延設部分640は、そのまま延設部分630と平行に延びている。
このような出力パッド60の配置に対応して、第1のIC4の実装面40には、X方向に配列して第1のパッド群68に属する出力パッド60に実装される第1のバンプ群48と、この第1のバンプ群48に対してY方向で隣接する位置でX方向に配列して第2のパッド群69に属する出力パッド60に実装される第2のバンプ群49とが形成され、第1のバンプ群48に属する出力バンプ40と、第2のバンプ群49に属する出力バンプ40は、Y方向で重なる位置に整列している。
このように構成した電気光学装置1aにおいて、本形態では、第1のパッド群68に属する出力パッド60のうち、1番目、6番目、11番目・・に位置する出力パッド60、すなわち、第1のパッド群68および第2のパッド群69も含めて数えると、1番目、11番目、21番目・・に位置する出力パッド60には、配線パターン8が延びている側の端部に出力パッド60を構成する金属層などを貫通して基材10a表面まで届く1つの小さな穴からなる第1の指標610が付され、このような第1の指標610が付された出力パッド60は、第1の指標付きパッド61として構成されている。
また、第1のパッド群68に属する出力パッド60のうち、51番目、101番目・・に位置する出力パッド60、すなわち、第1のパッド群68および第2のパッド群69も含めて数えると、101番目、201番目・・に位置する出力パッド60には、配線パターン8が延びている側の端部に出力パッド60を構成する金属層などを貫通して基材10a表面まで届く2つの小さな穴からなる第2の指標620が付され、このような第2の指標620が付された出力パッド60は、第2の指標付きパッド62として構成されている。
ここで、出力パッド60は、図6に示すように、IC4の出力バンプ40よりも大きく、第1の指標610および第2の指標620はいずれも、第1の指標付き出力パッド61および第2の指標付き出力パッド62のうち、バンプ40と平面的に重なる領域からずれた位置にある。また、いずれの出力パッド60も幅寸法が例えば10μmであるのに対して、第1の指標610および第2の指標620はいずれも、例えば直径3μmの穴から構成されているため、第1の指標付き出力パッド61および第2の指標付き出力パッド62では、指標610、620が付された部分でも、少なくとも6μm以上の端子部分が残っている。
(電気光学装置の検査方法、および本形態の効果)
このような電気光学装置1aの検査工程では、IC4、5や可撓性基板7を実装する前の状態で延設部分630、640に検査端子を当てて配線パターン8に信号を出力し、各画素を点灯させて、配線パターン8の短絡や断線などの有無を検査する。
また、電気光学装置1aの検査工程では、図2(A)、(B)に示すように、IC4、5や可撓性基板7を実装した後、可撓性基板7を介して信号や電源電位などを供給し、第1のIC4の出力バンプ40から画像信号を出力させ、第2のIC5からは走査信号が出力させる。その結果、画像信号は、出力パッド60および配線パターン8を介してデータ線52aに出力され、走査信号は、配線パターン8および基板間導通部分を介して走査線51aに出力され、電気光学装置1aにおいて所定の検査画像が表示される。
このようなIC4、5や可撓性基板7を実装した後の検査工程において、検査画像に例えば線欠陥が発生した場合、その画素列に信号を出力した出力パッド60の位置を特定し、この出力パッド60とバンプ40との実装状態を確認する必要がある。ここで、素子基板10には、配線パターン8の途中位置には、画素のアドレスが印されているが、出力パッド60には、スペース的な制約があって、画素のアドレスが記されていない。
しかるに本形態の電気光学装置1aでは、素子基板10の基材10aが透光性を備え、かつ、出力パッド60には、10個毎に第1の指標付き出力パッド61が配置され、100個毎に第2の指標付き出力パッド62が含まれている。従って、素子基板10にIC4が実装された状態であっても、線欠陥が発生した画素列のアドレスが分かれば、それに対応する出力パッド60の位置は、第1の指標付き出力パッド61および第2の指標付き出力パッド62に基づいて素子基板10の裏面側(IC4が実装されている側とは反対側の面)から容易に特定することができる。それ故、配線パターン8や出力パッド60が増加し、かつ、それらのピッチが増大した場合でも、不具合バンプの原因となった可能性のある出力パッド60の位置を容易に特定でき、出力パッド60とバンプ40との接続状態を容易に分析できるので、その結果を効率よくフィードバックすることができる。
ここで、パッドの特定にあたっては、カメラなどを用いて目視で特定する方法の他、判定装置を用いてパッドを自動的に特定してもよい。
また、IC4、5や可撓性基板7を実装する前の状態で延設部分630、640に検査端子を当てて行う検査工程においても、特定の出力パッド60の位置を特定する必要がある場合には、第1の指標付き出力パッド61および第2の指標付き出力パッド62を利用してもよい。
また、本形態では、出力パッド60に小さな穴をあけてそれを指標610、620としているため、パッド60をパターニング形成する際、指標610、620も同時に形成することができる。また、小さな穴からなる指標610、620であれば、小型化されつつある出力パッド60に対しても付与することできる。しかも、IC4の実装に異方性導電材を用いた場合、導電粒子が指標610、620に溜まった場合でも、出力パッド60に形成した穴であれば、出力パッド60の側端面に形成した切欠きなどと違って、溜まった導電粒子が隣接する出力パッド60同士を短絡させるおそれもない。
また、指標付き出力パッド61、62では、指標610、620が付された部分に6μm以上の端子部分が残っているため、出力パッド60において、配線パターン8が延びている側とは反対側に出力バンプ40が実装された場合でも、出力パッド60での抵抗の増大などといった不具合が発生しない。
しかも、本形態では、指標付き出力パッド61、62では、出力バンプ40と平面的に重なる領域からずれた位置に指標610、620が付されている。従って、指標付き出力パッド61、62に出力バンプ40を実装した際、十分な対向面積を確保できるので、実装の信頼性が低下することがない。
また、出力パッド60のうち、出力バンプ40と平面的に重なる領域からずれた位置に指標610、620を付しておけば、例えば、図7(A)に示すように、IC4の実装位置が多少ずれた場合でも、指標付き出力パッド61、62では、出力バンプ40と平面的に重なる領域の中心からずれた位置に指標610、620が位置していることになるので、実装の信頼性の低下を抑えることができる。
さらに、本形態では、第1のIC4の実装面40では、X方向に配列された2つのバンプ群48、49がY方向で隣接する領域に配置され、かつ、第1のバンプ群48に属する出力バンプ40と、第2のバンプ群49に属する出力バンプ40は、Y方向で重なる位置に整列している。また、素子基板10の第1のIC4に対するIC実装領域6では、X方向に配列された2つのパッド群68、69がY方向で隣接する領域に配置され、かつ、第1のパッド群68に属するパッド60と、第2のパッド群69に属するパッド60は、Y方向で重なる位置に整列している。このため、本形態では、パッド60を2列に配置した分、所定領域内に出力パッド60、および出力バンプ40を配置する数を増大させることができ、このように密に出力パッド60を配置した場合でも、本形態では、第1の指標付き出力パッド61および第2の指標付き出力パッド62に基づいて、特定の出力パッド60の位置を素子基板10の裏面側から容易に特定することができる。
また、第1のパッド群68に属するパッド60と、第2のパッド群69に属するパッド60は、Y方向で重なる位置に整列しているため、異方性導電材を用いて第1のIC4を実装する際、余計な樹脂分などがY方向にスムーズに流出するため、余計な異方性導電粒子が局部的に溜まってしまうことがない。それ故、第1のIC4を高い信頼性をもって実装することができる。
[その他の実施の形態]
上記形態では、出力バンプ40と平面的に重なる領域からずれた位置に指標610、620を付しておき、図7(A)に示すように、IC4の実装位置が多少ずれた場合に、出力バンプ40と平面的に重なる領域の中心からずれた位置に指標610、620が位置する構成であったが、設計段階において、図7(A)に示すように、出力バンプ40と平面的に重なる領域に指標610、620が位置し、かつ、出力バンプ40と平面的に重なる領域の中心からずれた位置に指標610、620が位置する構成であってもよい。このような場合には、図7(B)に示すように、出力バンプ40と平面的に重なる領域の中心に指標610、620が位置する場合よりも確実な実装を行うことができる。
また、指標付き出力パッド61、62において、指標610、620が付された部分に6μm以上の端子部分が残っていれば、図7(B)に示すように、出力バンプ40と平面的に重なる領域の中心に指標610、620が位置する場合でも確実な電気的な接続を図ることができる。
また、上記形態では、出力パッド60に丸穴からなる指標610、620を付したが、その形状については多角形などであってもよい。さらに、出力パッド60に数字を刻印して指標610、620としてもよい。但し、穴からなる指標610、620であれば、数字を刻印する場合と比較して、小さな出力パッド60にも付与できるという利点がある。
さらに、上記形態では、出力パッド60に丸穴からなる指標610、620を付したが、図7(C)に示すように、出力パッド60の端縁に形成した切欠き630を指標として用いてもよい。
また、上記形態では、第1の指標610と第2の指標620として穴の数により形態を相違させたが、数に限らず、指標の形状や位置によって、第1の指標610と第2の指標620の形態を相違させてもよい。
また、上記形態は、IC4、5の出力側に本発明を適用したが、入力側にも本発明を適用してもよい。
また、上記形態では、基材を透光性を備えたものとし、指標を基材表面まで貫通するものとして、ICを実装したままで基材の裏面側から端子を特定可能にしたが、検査後、ICを外して端子の特定を行い、しかる後にICを再実装するなどの場合には、基材は透光性を備えたものでなくてもよく、指標は基材表面まで貫通するものでなくてもよい。
また、上記形態では、ガラスなどといった電気光学装置用基板にICをCOG実装する場合に本発明を適用したが、可撓性基板にICをCOF(Chip On Film)実装するのに本発明を適用してもよい。この場合でも、可撓性基板の基材においてICの実装領域が透光性を備えている場合には、その背面側から端子を特定することができる。
また、上記形態は、アクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、パッシブマトリクス型液晶装置に本発明を適用してもよい。また、上記形態は、透過型のアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、反射型あるいは半透過反射型のアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用してもよい。さらに、図8および図9を参照して以下に示す電気光学装置に本発明を適用してもよい。
図8は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT)を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図9は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
図8に示すように、画素スイッチング素子としてTFTを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置100bでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極109bを制御するための画素スイッチング用のTFT130bが形成されており、画像信号を供給するデータ線106bが当該TFT130bのソースに電気的に接続されている。データ線106bに書き込む画像信号は、データ線駆動回路102bから供給される。また、TFT130bのゲートには走査線131bが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線131bにパルス的に走査信号が走査線駆動回路103bから供給される。画素電極109bは、TFT130bのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT130bを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線106bから供給される画像信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極109bを介して液晶に書き込まれた所定レベルのサブ画像信号は、対向基板(図省略)に形成された対向電極との間で一定期間保持される。ここで、保持されたサブ画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極109bと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量170b(キャパシタ)を付加することがある。この蓄積容量170bによって、画素電極109bの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量170bを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線132bとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線131bとの間に形成する場合もずれであってもよい。
このような構成の液晶装置でも、データ線駆動回路102bあるいは走査線駆動回路103bの全体あるいは一部が電気光学装置用基板にCOG実装されたICに内蔵される場合がある。従って、このようなICの実装に本発明を適用してもよい。
図9に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置100pは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するEL(エレクトロルミネッセンス)素子、またはLED(発光ダイオード)素子などの発光素子をTFTで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
ここに示す電気光学装置100pでは、複数の走査線103pと、この走査線103pの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線106pと、これらのデータ線106pに並列する複数の共通給電線123pと、データ線106pと走査線103pとの交差点に対応する画素115pとが構成されている。データ線106pに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路101pが構成されている。走査線103pに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路104pが構成されている。また、画素115pの各々には、走査線103pを介して走査信号がゲート電極に供給される第1のTFT131pと、この第1のTFT131pを介してデータ線106pから供給される画像信号を保持する保持容量133pと、この保持容量133pによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第2のTFT132pと、第2のTFT132pを介して共通給電線123pに電気的に接続したときに共通給電線123pから駆動電流が流れ込む発光素子140pとが構成されている。発光素子140pは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極は、データ線106pなどを跨いで複数の画素115pにわたって形成されている。
このような構成のエレクトロルミネッセンス型電気光学装置においても、データ線駆動回路101pあるいは走査線駆動回路104pの全体あるいは一部が電気光学装置用基板にCOG実装されたICに内蔵される場合がある。従って、このようなICの実装に本発明を適用してもよい。
また、上述した実施形態以外にも、電気光学装置として、プラズマディスプレイ装置、FED(フィールドエミッションディスプレイ)装置、LED(発光ダイオード)表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
さらに、上記形態では、電気光学装置用基板を被実装体とし、ICを実装体とした実装構造体の一例として電気光学装置を説明したが、電気光学装置用基板を被実装体とし、可撓性基板を実装体とした実装構造体、あるいは可撓性基板を被実装体とし、ICを実装体とした実装構造体などに本発明を適用してもよい。
上記の電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった各種の電子機器において表示部として用いることができる。
画素スイッチング素子としてTFD素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。 (A)、(B)は、本発明を適用した電気光学装置を素子基板の側からみた概略斜視図、および対向基板の側からみた概略斜視図である。 図2に示す電気光学装置を画素電極を通る部分でY方向に切断したときの断面図である。 図2に示す電気光学装置において画素スイッチング素子として用いたTFD素子の説明図である。 (A)、(B)は、図2に示す電気光学装置の素子基板に形成した第1のIC実装領域の一部を模式的に示す説明図、およびICのバンプの一部を模式的に示す説明図である。 図5(A)に示すパッドに対して、図5(B)に示すバンプを平面的に重ねた状態を模式的に示す説明図である。 (A)、(B)、(C)は、図2に示す電気光学装置の素子基板に形成した出力パッドの変形例を模式的に示す説明図である。 画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT)を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。 電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。
符号の説明
1a 電気光学装置、2 画像表示領域、4 第1のIC(実装体)、7 可撓性基板、8 配線パターン、10 素子基板(電気光学装置用基板/被実装体)、10a 素子基板の基材、20 対向基板、40 出力バンプ、60 出力パッド 61 第1の指標付き出力パッド、62 第2の指標付き出力パッド、610 第1の指標、620 第2の指標

Claims (13)

  1. 複数の配線パターンおよび該複数の配線パターンに各々接続する複数の第1の端子が形成された被実装体と、前記第1の端子に対応して設けられた複数の第2の端子が配列された実装体とを有し、前記第1の端子と前記第2の端子とが電気的に接続された実装構造体において、
    前記複数の第1の端子には、当該複数の第1の端子内における位置を示す指標が付された指標付き端子が含まれていることを特徴とする実装構造体。
  2. 請求項1において、前記第1の端子は、前記配線パターンを介して信号を出力する出力端子であることを特徴とする実装構造体。
  3. 請求項1または2において、前記被実装体は、基材が透光性を備えていることを特徴とする実装構造体。
  4. 請求項3において、前記指標は、前記指標付き端子に形成された前記基材表面まで貫通する穴であることを特徴とする実装構造体。
  5. 請求項1ないし4のいずれかにおいて、前記指標付き端子では、前記第2の端子と平面的に重なる領域からずれた位置に前記指標が付されていることを特徴とする実装構造体。
  6. 請求項1ないし4のいずれかにおいて、前記指標付き端子では、前記第2の端子と平面的に重なる領域の中心位置からずれた位置に前記指標が付されていることを特徴とする実装構造体。
  7. 請求項1ないし6のいずれかにおいて、前記指標付き端子は、前記複数の第1の端子の配列方向において所定の端子数毎に配置されていることを特徴とする実装構造体。
  8. 請求項7において、前記指標付き端子には、少なくとも、前記複数の第1の端子の配列方向において所定の数毎に配置された第1の指標付き端子と、該第1の指標付き端子と異なる形態の指標が付され、前記複数の第1の端子の配列方向において前記第1の指標付き端子と異なる数毎に配置された第2の指標付き端子とが含まれていることを特徴とする実装構造体。
  9. 請求項1ないし8のいずれかにおいて、前記被実装体は、前記第1の端子としてのパッドを備えた基板であり、前記被実装体は、前記第2の端子としてのバンプを備えたICであることを特徴とする実装構造体。
  10. 請求項1ないし9のいずれかに規定する実装構造体を備えた電気光学装置であって、
    前記被実装体は、電気光学物質を保持する電気光学装置用基板であり、当該電気光学用基板の画像表示領域には、複数の画素がマトリクス状に配置され、
    前記第1の端子は、前記配線パターンを介して前記画素に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
  11. 請求項10に規定する電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
  12. 複数の配線パターンおよび該複数の配線パターンに各々接続する複数の第1の端子が形成された透光性の基材と、複数の第2の端子が配列された実装体とを有し、前記第1の端子と前記第2の端子とが電気的に接続された実装構造体の検査方法において、
    前記複数の第1の端子には、当該複数の第1の端子内における位置を示す指標として前記基材表面まで貫通する穴が形成された指標付き端子を含ませておき、
    前記第2の端子を介して前記第1の端子に信号を供給して前記実装構造体を動作させ、当該実装構造体に不具合が発生したときには、当該不具合の原因となる信号を出力する前記第1の端子の位置を前記指標付き端子に基づいて前記基材の前記実装体が実装された側とは反対側から特定することを特徴とする実装構造体の検査方法。
  13. 複数の配線パターンおよび該複数の配線パターンに各々接続する複数の第1の端子が形成された透光性の電気光学装置用基板と、前記電気光学装置用基板に保持された電気光学物質と、複数の第2の端子が配列された駆動用ICとを有し、前記第1の端子と前記第2の端子とが電気的に接続され、かつ、前記電気光学用基板の画像表示領域には、複数の画素がマトリクス状に配置された電気光学装置の検査方法において、
    前記複数の第1の端子には、当該複数の第1の端子内における位置を示す指標として、前記基材表面まで貫通する穴が形成された指標付き端子を含ませておき、
    前記第2の端子を介して前記第1の端子に信号を供給して前記電気光学装置を動作させ、前記複数の画素のいずれかに不具合が発生したときには、当該不具合が発生した画素に信号を出力する前記第1の端子の位置を前記指標付き端子に基づいて前記基材の前記駆動用ICが実装された側とは反対側から特定することを特徴とする電気光学装置の検査方法。
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