JP2005252391A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光学系にアポダイゼイションフィルターや光学ローパスフィルターを備えることなくMTFを制御した簡単な構成の撮像装置を提供する。
【解決手段】物体像を形成する光学系と、光学系によって形成された物体像を光電変換する複数の受光素子14を備える撮像素子とを具備し、撮像素子は、光学系の結像光束の利用効率を光束の中心部から周辺部に掛けて低下させる効率調節部19を、受光素子の構造の一部として備える。
【選択図】 図1
【解決手段】物体像を形成する光学系と、光学系によって形成された物体像を光電変換する複数の受光素子14を備える撮像素子とを具備し、撮像素子は、光学系の結像光束の利用効率を光束の中心部から周辺部に掛けて低下させる効率調節部19を、受光素子の構造の一部として備える。
【選択図】 図1
Description
本発明はデジタルスティルカメラ、ビデオカメラ、監視カメラ、撮像機能付き携帯電話、あるいは、焦点調節のための画像を撮像する光学機器用焦点検出装置などの撮像装置の改良に関する。
従来、カラー画像の形成においては、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)などの色フィルターを備えた受光素子をモザイク状に配列した単一の受光素子配列を用いて、単眼光学素子で形成した単一の物体像を捉え、その後の信号処理で受光素子数に相当する輝度情報と色情報を作り出す撮像技術が広く用いられている。
これに対して、本願出願人よって先に出願され既に公開されている特開2001−078214号公報に開示の撮像装置は、複眼光学素子を利用して複数の物体像を形成し、それらに対応する複数の受光素子配列でこれらの物体像を捉え、各受光素子配列からの出力を総合して単一のカラー画像を形成する。このような複眼光学素子を用いる撮像装置は薄型化に好適である。
この撮像装置は、絞りの中心部から周辺部にかけて連続的に透過率が低くなるフィルター、所謂アポダイゼイションフィルターを用いて良好なMTF(Modulation Transfer Function)特性を得るように構成されている。アポダイゼイションフィルターを使用すると、撮像素子の受光素子ピッチで決まるナイキスト周波数以上の空間周波数成分を抑えながら、ナイキスト周波数以下のレスポンスを向上させるように空間周波数特性を制御できる。
こういった複眼撮像装置は僅か2.5mm程度の装置厚みで1画像あたり30万画素を超える画像データを出力することができ、薄型化が求められる様々な用途に適用することが可能である。
また、カメラの焦点検出装置に関する技術においては、USP4384210号公報に開示されているように、結像光路内に光学ローパスフィルターを挿入して焦点検出装置の撮像素子上にナイキスト周波数を超える空間周波数成分が投影されないようにする技術が知られている。ナイキスト周波数以上の空間周波数成分を除去したMTF特性が得られると、焦点検出装置の撮像素子の出力に所謂折り返し歪みが重畳せず、正確な焦点検出が可能となる。
特開2001−078214号公報
USP4384210号公報
しかしながら、上述した従来の技術は、
(1)1枚のレンズの前あるいは後ろにアポダイゼイションフィルターを配置するとディストーション(歪曲収差)が大きくなり、高品位の画像が得られない。また、レンズの内部にアポダイゼイションフィルターを形成するためには、レンズを2体化する必要があって装置が複雑化する。
(2)蒸着や印刷といったアポダイゼイションフィルターの製造工程が複雑で高価である。
(3)あるいは、光学ローパスフィルターのためにコストアップとなる。
といった点で充分なものではなかった。
(1)1枚のレンズの前あるいは後ろにアポダイゼイションフィルターを配置するとディストーション(歪曲収差)が大きくなり、高品位の画像が得られない。また、レンズの内部にアポダイゼイションフィルターを形成するためには、レンズを2体化する必要があって装置が複雑化する。
(2)蒸着や印刷といったアポダイゼイションフィルターの製造工程が複雑で高価である。
(3)あるいは、光学ローパスフィルターのためにコストアップとなる。
といった点で充分なものではなかった。
したがって、本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、光学系にアポダイゼイションフィルターや光学ローパスフィルターを備えることなくMTFを制御した簡単な構成の撮像装置を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係わる撮像装置は、物体像を形成する光学系と、該光学系によって形成された物体像を光電変換する複数の受光素子を備える撮像素子とを具備し、前記撮像素子は、前記光学系の結像光束の利用効率を光束の中心部から周辺部に掛けて低下させる効率調節手段を、前記受光素子の構造の一部として備えることを特徴とする。
また、この発明に係わる撮像装置において、前記効率調節手段は前記受光素子に入射する光の光路中に形成された光拡散層を備えることを特徴とする。
また、この発明に係わる撮像装置において、前記光拡散層はSi3N4とSiO2を周期的に配列して構成されることを特徴とする。
また、この発明に係わる撮像装置において、前記効率調節手段は前記受光素子に入射する光の光路中に形成されたマイクロレンズを備えることを特徴とする。
また、この発明に係わる撮像装置において、前記マイクロレンズは、前記受光素子の表面付近に焦点面を有することを特徴とする。
また、この発明に係わる撮像装置において、前記マイクロレンズは、該マクロレンズと前記受光素子の表面との中間位置に焦点面を有することを特徴とする。
また、この発明に係わる撮像装置において、前記効率調節手段は前記受光素子に入射する光の光路中に形成された0.3μmから9.0μmの開口を備えることを特徴とする。
また、この発明に係わる撮像装置において、前記効率調節手段は前記受光素子に入射する光の光路中に形成されたマイクロレンズを備え、前記開口は、前記マイクロレンズと前記受光素子の表面との中間位置に配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、光学系にアポダイゼイションフィルターや光学ローパスフィルターを備えることなくMTFを制御した簡単な構成の撮像装置を提供することが可能となる。
(第1の実施の形態)
図1から図4は本発明による撮像装置の第1の実施の形態を説明するための図である。
図1から図4は本発明による撮像装置の第1の実施の形態を説明するための図である。
まず、図2は本実施形態の撮像装置を示す側断面図である。
図2において、1は光学素子であるところの凸レンズ、2は凸レンズ1の光軸、3は凸レンズ1によって形成された物体像を電気信号に変換する撮像素子、4は凸レンズ1と撮像素子3を保持し、暗箱としての機能を有する筐体である。凸レンズ1は、説明を簡略化するために単レンズとして図示したが、実際には複数のレンズや反射鏡、あるいは回折光学素子を組み合わせて総合的に正のパワーを持たせた光学素子であっても良い。また、ズーム機能を適用することもできる。さらに、光学素子1にはゴーストやフレアをカットするための遮光のための絞りがあっても良い。
撮像素子3は複数の受光素子を備え、例えば、数百万画素の画像データを得るために数百万個の受光素子を縦横に、あるいは斜め方向に規則的に配列して構成されている。
図1は撮像素子3の受光素子列の拡大断面図である。図1において、13はシリコン基板、14はシリコン基板上に形成された光電変換部、17は各受光素子の電荷蓄積動作や信号読み出し動作を制御するためのアルミニウム配線、11はマイクロレンズ、18はマイクロレンズ11の光軸、15は所定の色成分を透過させるカラーフィルター、16は絶縁層、19は光拡散層である。
各構成要素の材質と屈折率は、次のとおりである。
・マイクロレンズ11 材料:樹脂、屈折率:1.58
・カラーフィルター15 材料:樹脂、屈折率1.5
・絶縁層16 材料:SiO2、屈折率:1.46
・光拡散層19 材料:Si3N4とSiO2の周期構造、屈折率:Si3N4=2.0、SiO2=1.46
光拡散層はSi3N4とSiO2の周期構造によって入射光を様々な方向に偏向する。この構造は回折格子やSWS(sub-wave-length structure)である。
・マイクロレンズ11 材料:樹脂、屈折率:1.58
・カラーフィルター15 材料:樹脂、屈折率1.5
・絶縁層16 材料:SiO2、屈折率:1.46
・光拡散層19 材料:Si3N4とSiO2の周期構造、屈折率:Si3N4=2.0、SiO2=1.46
光拡散層はSi3N4とSiO2の周期構造によって入射光を様々な方向に偏向する。この構造は回折格子やSWS(sub-wave-length structure)である。
マイクロレンズ11は光電変換部14への集光効率を高めるためのもので、この構造の受光素子においては光電変換部14付近に焦点を有している。したがって、凸レンズ1から出射した光束はマイクロレンズ11の作用で光電変換部14上に凸レンズ1の瞳像を形成する。ただし、光拡散層19で、矢印20のように光線が分散し偏向するので、瞳像はぼやけた状態になる。
その結果、凸レンズ1の瞳上での透過光利用効率は、図3(a)に示すようになる。図3(a)の横軸は原点を光軸上とした瞳上の位置、縦軸は透過光利用効率である。仮に光拡散層19が無いとすると、光電変換部14上での瞳像はある程度シャープに結像され、凸レンズ1の口径かあるいは光電変換部14の大きさのどちらかに制限されて、所定の瞳上位置で効率が1からゼロに急低下する。図に示す特性30はこの例であって、光電変換部14の大きさによる制限で、aを越える瞳上位置では効率がゼロである。
一方、特性30は光拡散層19がある場合を表し、瞳の中央から周辺にかけて滑らかに効率を落とすようになっている。透過光利用効率が変化するということは、見かけ上の光強度が分布を持っているということになり、アポダイゼイションフィルターと同等の意味合いを持つ。図3(b)は図3(a)の特性30に基づく瞳面上の実効光強度分布の模式図である。XY座標上の中央に瞳面を配置し、実効光強度を濃度で表現している。光軸33上で実効光強度が最も高く、光軸から離れるほど低くなる。
実効光強度分布はアポダイゼイションフィルターと同様にMTF特性に強く関係するが、MTF特性が光軸からの距離に依存するだけでなく、方向に依存してしまうと、画像上ではあたかも光学素子(レンズ)にアスやクセといった製造誤差があるかに見えてしまうので、実効光強度特性は軸対象であることが好ましい。
実効光強度分布を撮像装置の断面で示したのが図4および図5である。
図4および図5では、実効光強度分布を濃度で表現するために、図2に示した撮像装置の背景を黒くしてある。図4は光軸上の受光素子37に入射する結像光束を、図5は撮影画面周辺の受光素子38に入射する結像光束を示している。図4に示した光束35と図5に示した光束36は何れも中央に強度の高い部分を有し、光束の周囲に向かって強度が低下している。撮影画面周辺に位置する受光素子38の凸レンズ1の瞳上の実効光強度分布を調節するには、図1に示したマイクロレンズ11を偏芯させればよい。
結像光束の利用効率を光束の中心部から周辺部にかけて低下させると、光学素子の実質的なMTFを、撮像素子の受光素子ピッチで決まるナイキスト周波数を超える高周波域でレスポンスが低く、ナイキスト周波数以下の周波数域でレスポンスが高いといった極めて望ましい特性とすることができる。したがって、モアレが少なく、しかもメリハリのある高精細な画像が得られる。
また、デフォーカス像のMTFにおいて高周波成分が顕著に低下するので、柔らかく好ましいボケ味が得られるという効果も大きい。
(第2の実施の形態)
図6から図11は本発明による第2の実施の形態を説明するための図である。
図6から図11は本発明による第2の実施の形態を説明するための図である。
第2の実施の形態では、光学素子からの光束を反射して光電変換部に導く屈折率分布構造を備えた撮像素子と複眼光学素子とを用いた撮像装置に対して、光学素子の結像光束の利用効率を光束の中心部から周辺部にかけて低下させる効率調節手段を適用している。
複眼撮像装置では光学系の光軸と受光素子との位置合わせが極めて重要であって、僅かな量であっても光軸がずれるのを嫌うために、複眼のそれぞれは1枚のレンズで構成するのが望ましい。1枚のレンズで構成された光学系では、通常、良好な光学収差補正はできないが、結像光束の利用効率を調節する効率調節手段を用いることによって、充分な光学特性を引き出すことが可能である。
まず、図7は本実施形態の撮像装置を示す図である。
図7(a)は撮像装置の平面図、図7(b)は側面図、図7(c)は撮像装置の一要素である半導体回路を形成した撮像素子の平面図である。
図7に示す撮像装置511は複眼光学素子512と撮像素子503が一体化され、センサパッケージやレンズ鏡筒を必要としない構造となっている。図7(b)の上方向から光学素子512に入射した物体光が、撮像素子503上に複数の物体像を形成し、撮像素子503内の受光素子にて光電変換を行う。撮像素子503はCCDやCMOSセンサである。
複眼光学素子512は1枚の基板と結像作用光学系であるところの4つの凸レンズからなる板状透明体である。図中501は結像作用光学系である凸レンズ600a,600b,600c,600dを成形するための光学素子基板である。なお、凸レンズ600b,600dは図7(b)に示す断面では表われない。
光学素子512は平面ガラス基板である光学素子基板501の上面と下面にレプリカ製法で樹脂製の非球面凸レンズを付加した構造となっている。他に凸レンズ部を樹脂としたインジェクション成形、コンプレッション成形等の手法で基板と一体に形成する方法、あるいは、全体をガラスとするガラスモールド成形や全体を樹脂とするインジェクション成形も選択し得る。
光学素子基板501の下面には不要な光をカットする遮光層と赤外線カットフィルターが形成されている。
撮像素子503上には光学素子512によって4つの物体像が形成され、これらが撮像素子上に設けられた4つの受光素子配列820a,820b,820c,820dで光電変換され、電気信号として捉えられる。図7(c)に示す受光素子配列820a,820b,820c,820dは多数の受光素子を二次元方向に並べた配列である。この4つの受光素子配列には緑色透過(G)フィルター、赤色透過(R)フィルター、青色透過(B)フィルター、更に緑色透過(G)フィルターが形成され、3原色に色分解された4つの画像を取り出すことができる。
撮像素子503と光学素子512との距離は透明ガラス製のスペーサ522と光学素子512を接着している熱紫外線硬化型エポキシ樹脂504の厚さによって調整する。スペーサ522と撮像素子503間には開口517aを有するTABフィルム517を挟み込み、金バンプを介して撮像素子とTABフィルム517とを電気的に接続する。さらにTABフィルム517は不図示の外部の電気回路と接続される。
受光素子配列を被写体上に逆投影した時の受光素子像の位置関係は、受光素子配列820a,820b,820c,820dの各受光素子の空間的な位相が配列間でずれた形となり、被写体上ではベイヤー配列のカラーフィルターを持った撮像素子と同等のサンプリングを行うこととなる。
単一の撮影レンズを用いる撮像系との比較において、受光素子ピッチを固定して考えると、撮像素子上に2行2列の受光素子を一組として原色カラーフィルターを形成したベイヤー配列方式に比較し、この複眼方式は物体像の大きさが1/√4になる。これに伴って撮影レンズの焦点距離はおよそ1/√4=1/2にまで短くできる。したがって、カメラの薄型化に対して極めて有利である。
次に、図6、図8を用いて受光素子の構造について説明する。
図8は図7(c)に示した撮像素子の詳細平面図である。
図8において、820a,820b,820c,820dは受光素子配列であって、説明のために各受光素子配列は5行7列の35受光素子としている。実際には500行700列程度の配列にして解像度を高め、光精細な画像を得る。なお、受光素子配列820a,820b,820c,820dを囲んでいる破線は配列の位置についての理解を助けるためのもので、実際に撮像素子上に描かれているわけではない。101は受光素子の表面にあるマイクロレンズ、102はマイクロレンズ101の奥に位置する高屈折率層である。マイクロレンズ101はこの方向の平面図で見るとほぼ正方形であるが、その立体構造は軸対称型の凸型非球面を正方形に切り出した形状となっている。
また、マイクロレンズの光軸はこの正方形の中心にあり、これに対して高屈折率層102は各受光素子配列の中心から離れるほど大きく偏芯している。これは、光学素子からの光束を効率よく光電変換部に導くためである。後述するように、この受光素子は光学素子からの光束を反射して光電変換部に導く屈折率分布構造を持っているので、マイクロレンズの偏芯に関する製造誤差の許容量を大きくすることができるようになっている。
さらに、514は受光素子配列820a,820b,820c,820dからの出力信号をデジタル信号に変換するA/D変換回路、515は受光素子配列820a,820b,820c,820dの光電変換動作のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータ、516は画像処理回路である。受光素子をCMOSセンサとすれば、半導体チップ503にこれらの回路を搭載するのは容易である。
図6は図7(c)に示す受光素子列111の拡大断面図である。受光素子列111は中央部の連続する4つの受光素子を受光素子配列820bから抽出した。
図6において、103はシリコン基板、104はシリコン基板上に形成された光電変換部、107は各受光素子の電荷蓄積動作や信号読み出し動作を制御するためのアルミニウム配線、101は前述したマイクロレンズ、108はマイクロレンズ101の光軸、105は所定の色成分を透過させるカラーフィルター、106は低屈折率層、102は低屈折率層106とともに屈折率分布構造を形成する高屈折率層、109は光拡散層である。
各構成要素の材質と屈折率は、次のとおりである。
・マイクロレンズ101 材料:樹脂、屈折率:1.58
・カラーフィルター105 材料:樹脂、屈折率:1.5
・低屈折率層106 材料:SiO2、屈折率:1.46
・高屈折率層102 材料:Si3N4、屈折率:2.0
・光拡散層109 材料:Si3N4とSiO2の周期構造、屈折率:Si3N4=2.0、SiO2=1.46
光拡散層はSi3N4とSiO2の周期構造によって入射光を様々な方向に偏向する。この構造は回折格子やSWS(sub-wave-length structure)である。
・マイクロレンズ101 材料:樹脂、屈折率:1.58
・カラーフィルター105 材料:樹脂、屈折率:1.5
・低屈折率層106 材料:SiO2、屈折率:1.46
・高屈折率層102 材料:Si3N4、屈折率:2.0
・光拡散層109 材料:Si3N4とSiO2の周期構造、屈折率:Si3N4=2.0、SiO2=1.46
光拡散層はSi3N4とSiO2の周期構造によって入射光を様々な方向に偏向する。この構造は回折格子やSWS(sub-wave-length structure)である。
マイクロレンズ101は光電変換部104への集光効率を高めるためのもので、この構造の受光素子に於いては高屈折率層102の中央部付近に焦点を有している。したがって、光学素子512の凸レンズ600bから出射した光束はマイクロレンズ101の作用で高屈折率層102の内部に凸レンズ600bの瞳像を形成する。ただし、光拡散層109で、光線が分散し偏向するので、瞳像はぼやけた状態である。
また、高屈折率層102は低屈折率層106によって周囲を覆われており、高屈折率層102から低屈折率層106との界面に臨界角を超えて入射した光は全反射する。この構造は、画面の周辺部において受光素子に斜入射する光線を光電変換部に導くためのものである。
高屈折率層102を低屈折率層106で取り囲んだ屈折率構造は、一旦アルミニウム配線107を十分覆う高さまでフラットに形成したSiO2を四角柱状に部分的にエッチングで除去した後、そこにSi3N4を埋め込み、さらに平滑化してその上にSiO2層を乗せるといった方法で作製する。
図9と図10は受光素子へ入射する光の挙動を説明するための図で、図9は画面中央部の受光素子の一つを抜き出した図、図10は画面周辺部の受光素子の一つを抜き出した図である。
図9において119と120は凸レンズ600bの瞳の周辺を発して受光素子117に入射する光線である。受光素子117は受光素子配列820bの中央部に位置し、凸レンズ600bが形成するイメージサークルの中心であるため、光線119と光線120は光軸108に対して等しい角度だけ逆方向に倒れている。また、光線119と光線120は高屈折率層102内の領域123と領域124で瞳端部の像を形成し、そのあと拡がりながら光電変換部104に入射して、電気信号に変換される。ただし、光拡散層109で、矢印130のように光線が分散し偏向するので、瞳像はぼやけた状態になり、しかも一部の光線は高屈折率層120に入ることができなくなる。
一方、図10において121と122は凸レンズ600bの瞳の周辺を発して受光素子118に入射する光線である。屈折率分布構造によれば、光電変換部の面積が拡大されたのと等価となるので、受光素子配列へ斜めに入射する光の利用効率が高い。受光素子配列へ斜めに入射する光を有効に利用できる性質を活用すると、焦点距離の短い光学系の採用によるより薄型の複眼撮像装置を実現することが出来る。
受光素子118は受光素子配列820bの周辺部に位置し、凸レンズ600bが形成するイメージサークルの周辺であるため、光線121と光線122は光軸108に対して異なる角度だけ傾いている。また、光線121と光線122は高屈折率層102内の領域125と領域126で瞳端部の像を形成する。そのあと拡がりながら、一部は高屈折率層102と低屈折率層106の界面の領域127で全反射し、低屈折率層106に抜けることなく効率よく光電変換部104に入射して、電気信号に変換される。ただし、光拡散層109で、矢印131のように光線が分散し偏向するので、瞳像はぼやけた状態になり、しかも一部の光線は高屈折率層120に入ることができなくなる。
このような光拡散層109の光拡散作用により、第1の実施の形態にて示したのと同様の透過光利用効率が得られる。
実効光強度分布を撮像装置の断面で示した模式図が図11である。
図4、図5と同様に図11では実効光強度分布を濃度で表現している。
図11において、146は複眼光学素子、140aと140cは4つの凸レンズの内の2つ、141aは凸レンズ140aの光軸、141cは凸レンズ140cの光軸、142は複眼光学素子146によって形成された物体像を電気信号に変換する撮像素子、143は複眼光学素子146と撮像素子142を保持し、暗箱としての機能を有する筐体である。144は凸レンズ140aを透過して光軸141a上の受光素子に物体像を形成する光束、145は凸レンズ140cを透過して光軸141c上の受光素子に物体像を形成する光束である。
光束144と光束145は何れも中央に強度の高い部分を有し、光束の周囲に向かって強度が低下している。
結像光束の利用効率を光束の中心部から周辺部にかけて低下させると、光学素子の実質的なMTFを、撮像素子の受光素子ピッチで決まるナイキスト周波数を超える高周波域でレスポンスが低く、ナイキスト周波数以下の周波数域でレスポンスが高いといった極めて望ましい特性とすることができる。したがって、モアレが少なく、しかもメリハリのある高精細な画像が得られる。
また、前述のように大変厳しい製造誤差を要求されるので、複眼のそれぞれは1枚のレンズで構成するのが望ましい。1枚のレンズで構成された光学系で、絞りをレンズの前側か後ろ側に配置すると、かなり大きなディストーションが発生するが、本実施形態の受光素子構造を用いると実質的に両凸レンズの内部に絞りを形成したのと等価であるから、ディストーションを小さく抑えることができる。
(第3の実施の形態)
図12は本発明による撮像装置の第3の実施の形態を説明するための図であって、撮像素子の受光素子列の拡大断面図である。
図12は本発明による撮像装置の第3の実施の形態を説明するための図であって、撮像素子の受光素子列の拡大断面図である。
図12において、313はシリコン基板、314はシリコン基板上に形成された光電変換部、317は各受光素子の電荷蓄積動作や信号読み出し動作を制御するためのアルミニウム配線、311はマイクロレンズ、318はマイクロレンズ311の光軸、315は所定の色成分を透過させるカラーフィルター、316は絶縁層である。
各構成要素の材質と屈折率は、次のとおりである。
・マイクロレンズ311 材料:樹脂、屈折率:1.58
・カラーフィルター315 材料:樹脂、屈折率:1.5
・絶縁層316 材料:SiO2、屈折率:1.46
マイクロレンズ311は光電変換部314への集光効率を高めるためのもので、この構造の受光素子に於いては320で示した位置に焦点を有している。したがって、光学素子から出射した光束はマイクロレンズ311の作用で点320付近に光学素子の瞳像を形成する。
・マイクロレンズ311 材料:樹脂、屈折率:1.58
・カラーフィルター315 材料:樹脂、屈折率:1.5
・絶縁層316 材料:SiO2、屈折率:1.46
マイクロレンズ311は光電変換部314への集光効率を高めるためのもので、この構造の受光素子に於いては320で示した位置に焦点を有している。したがって、光学素子から出射した光束はマイクロレンズ311の作用で点320付近に光学素子の瞳像を形成する。
焦点位置320はアルミニウム配線317とカラーフィルター315の中間にあって、光電変換部314までは、通常、数μm程度離れている。
図13は撮像素子の受光素子に入射する光線のトレース図である。
マイクロレンズ311は、およそ円盤状にエッチングした樹脂を高温下で溶融させ、樹脂の表面張力の作用を用いて球面形状に成形する。したがって、容易に球面収差を残存させることができ、マイクロレンズ311の中央部を通過した光線に比べて周辺部を通過した光線は一点に集光する偏角よりも強く曲げることができる。この結果、図13に示すように焦点位置320の前後での瞳像のボケ具合は大きく異なって、焦点位置320よりマイクロレンズ311側では瞳像のエッジがはっきりし、反対側では瞳像のエッジが不鮮明になる。この性質を利用して、光電変換部314よりも手前で焦点を結ばせ、光電変換部314上にはエッジが不鮮明な瞳像を投影することによって、瞳上での透過光利用効率が滑らかに変化する特性を得ることができる。
こういった作用により、第1の実施の形態にて示したのと同様の透過光利用効率が得られる。
結像光束の利用効率を光束の中心部から周辺部にかけて低下させると、光学素子の実質的なMTFを、撮像素子の受光素子ピッチで決まるナイキスト周波数を超える高周波域でレスポンスが低く、ナイキスト周波数以下の周波数域でレスポンスが高いといった極めて望ましい特性とすることができる。したがって、モアレが少なく、しかもメリハリのある高精細な画像が得られる。
ここではマイクロレンズを撮像素子の表面に形成したが、内層レンズとして表面と光電変換部との中間位置に形成しても良い。
(第4の実施の形態)
図14は本発明による撮像装置の第4の実施の形態を説明するための図であって、一眼レフカメラの斜視図である。
図14は本発明による撮像装置の第4の実施の形態を説明するための図であって、一眼レフカメラの斜視図である。
図14において、401は物体像を形成するための結像レンズ、402は結像レンズ401の光軸である。結像レンズ401は不図示のエネルギー源と不図示の駆動機構により結像位置を光軸402の方向に調節することができる。結像レンズ401は単焦点レンズの他にズームレンズやシフトレンズであっても良い。また、種々の特性(Fナンバーや焦点距離など)をもった結像レンズに交換可能であっても良い。
結像レンズ401から出射した光束は斜設されたハーフミラー403で透過光と反射光に分割される。404は反射光を接眼レンズ409に導くためのペンタダハプリズム、405は透過光を反射収斂する楕円表面鏡である。楕円表面鏡405の背後には不図示のフォーカルプレーンシャッターと撮像面となるエリアセンサーが配置されている。ハーフミラー403で反射した光束はペンタダハプリズム404を通って接眼レンズ409から射出し、カメラの使用者は接眼レンズ409を通して物体像を正立正像として観察することができる。また、撮像状態ではハーフミラー403と楕円表面鏡405は撮影光路から退避し、フォーカルプレーンシャッターが開いて、エリアセンサーに適正な光量を露光する。
406は曲面鏡、407は射出面に4つの楕円凸面407a,407b,407c,407dを備えた再結像レンズ、408は焦点検出用の撮像素子であって、楕円表面鏡405を含め、これらは位相差検出方式の焦点検出装置を構成する要素である。再結像レンズ407は本発明で言うところの光学素子である。
楕円表面鏡405で反射した光束は曲面鏡406でさらに反射し、再結像レンズ407に入射する。楕円表面鏡405は撮像面の手前に配置されているので、楕円表面鏡405と曲面鏡406の間に物体の1次像が形成される。さらに、前述のように再結像レンズが4つの射出面407a,407b,407c,407dを有しているので、これらの作用によって撮像素子408上には4つの2次物体像が形成される。
楕円表面鏡405は結像レンズ401の射出瞳と再結像レンズ407の入射瞳を共役な関係に置く作用を有し、再結像レンズ407を通って焦点検出に供される光束が結像レンズ401の射出瞳上を通過する領域を規制している。一般に、位相差検出方式の焦点検出で焦点検出光束が結像レンズ401でけられると、焦点検出精度の低下を招くために、けられが生じないような焦点検出光束を設定する必要がある。特に、結像レンズが交換可能な撮像システムでは、想定する射出瞳を交換用結像レンズ群の代表的な位置として、どの結像レンズが装着されても焦点検出光束がけられないことを保証する。
410はゴーストの発生を防ぐための多孔マスクである。多孔マスク410は4つの開口を有し、これらの開口は再結像レンズ407の有効光束が余裕を持って通過できるような大きさとなっている。また、曲面鏡406には温度や湿度に依存する形状の変化を抑えるためにシリカ等のフィラーを充填した樹脂を用い、鏡面部分にフィラーが出ないように成形する。
再結像レンズ407は酸化ニオブのナノスケール粒子をアクリルに均一分散させたコンポジット材で成形され、入射面には赤外光を反射するための誘電体多層膜が形成されている。したがって、撮像素子408上に形成された物体の2次像は赤外光成分を除いたものとなり、撮像素子408に400nmよりも長い光の波長に対して感度を持たせることで、可視光に対するセンサー出力を得ることができる。結像レンズ401が形成した可視光の物体像を撮像する場合には、可視光に対するセンサー出力を得て、可視光を基にした焦点検出を行うのが望ましい。
再結像レンズ407は酸化ニオブのナノスケール粒子をアクリルに均一分散させたコンポジット材で成形され、入射面には赤外光を反射するための誘電体多層膜が形成されている。したがって、撮像素子408上に形成された物体の2次像は赤外光成分を除いたものとなり、撮像素子408に400nmよりも長い光の波長に対して感度を持たせることで、可視光に対するセンサー出力を得ることができる。結像レンズ401が形成した可視光の物体像を撮像する場合には、可視光に対するセンサー出力を得て、可視光を基にした焦点検出を行うのが望ましい。
図15は撮像素子408の受光素子部の断面図である。
図15において、光は上方から撮像素子に入射する。撮像素子408はオンチップマイクロレンズを有するCMOS型のセンサーで、このマイクロレンズの働きで焦点検出光束のFナンバーを規定できる。
図15において、151はシリコン基板、152は埋め込みフォトダイオードの光電変換部、153はポリシリコン配線層、154はアルミニウムあるいは銅の第1配線層、155はアルミニウムあるいは銅を用いた不透明の第2配線層、156はシリコン酸化膜、疎水性多孔質シリカ、シリコン酸化窒化膜、およびシリコン窒化膜などによる層間絶縁膜とパッシベーション膜、158はマイクロレンズ、157は第2配線層からマイクロレンズまでの距離を高精度に設定するための平坦化層である。第2配線層155は離散的に設けられた開口を有した金属膜であって、開口以外は可視光を通さない。したがって、第2配線層155は撮像素子108を動作させる電気的な機能と受光光束の角度特性を制御する光学的な機能を併せ持っている。平坦化層157は熱硬化型の樹脂や紫外線硬化型の樹脂をスピンコートした後にキュアするとか、樹脂フィルムを接着するといった手法で形成される。
各光電変換部152の端部には不図示の回路部が接続されている。回路部内には転送スイッチとしてはたらく転送用MOSトランジスタ、リセット電位を供給するリセット用MOSトランジスタ、ソースフォロワアンプMOSトランジスタ、選択的にソースフォロワアンプMOSトランジスタから信号を出力させるための選択用MOSトランジスタ等を有する。
ここで、マイクロレンズ158は、樹脂、SiO2、TiO2、Si3N4、などで形成され、単に集光のためではなく結像のために使用するので軸対称型の球面レンズ、あるいは軸対称型の非球面レンズである。対称軸160を持つ形状であるために平面的に見ると円形であるが、一画素に複数のマイクロレンズを設けて、1画素の受光面積を大きく維持することも出来る。こうすれば、低輝度の物体に対しても十分な撮像素子出力が得られる。さらに、光の表面反射を抑制するために、マイクロレンズの表面に低屈折率の薄膜や可視光の波長以下の微細構造(所謂Sub-Wavelength Structure)を形成しても良い。
再結像レンズ407から出射した光束は撮像素子408のマイクロレンズ158に先ず入射し、次に第2配線層に設けられた開口155aを通り抜けた成分が光電変換部152に入射して、電気信号に変換される。開口を形成するための遮光層と第2配線層を兼用したので、開口のための遮光層を特別に設ける必要が無く撮像素子の構成を簡略化することが出来ている。
ここで、再結像レンズ407の結像光束の利用効率について考える。仮に、マイクロレンズ158が完全に無収差の理想レンズであったとしても、開口155a の寸法が小さいとFナンバーで決まる回折限界によって開口155aの逆投影像はシャープな像にはならない。一般に、MTF特性のレスポンスは回折限界によって空間周波数の増加と共に単調に減少し、特定の周波数でゼロとなる。この周波数のことをカットオフ周波数と呼び、カットオフ周波数Nは次式で表される。
N=1/(Fλ)
ここで、Fは理想レンズのFナンバー、λは光の波長である。
ここで、Fは理想レンズのFナンバー、λは光の波長である。
受光素子のピッチが2μmから20μm程度の可視光を撮像する撮像装置を想定し、例えば、F=5、λ=0.0005mmとすれば、カットオフ周波数は400本/mmということになる。これを波長に換算すると0.0025mmであり、数μm程度の大きさの物体は像のコントラストが下がってシャープに結像できないことが分かる。このように回折限界による像の劣化が大きい結像の領域では、マイクロレンズ158の幾何光学的な収差をどんなに改善しても像のコントラストの改善にはほとんど寄与しない。
ところが、逆にこういった特性を用いると、光学素子の結像光束の利用効率を光束の中心部から周辺部にかけて低下させる効率調節手段として利用することが出来る。
図15に示した第2配線層155の開口155aの寸法を0.3μmから9.0μm程度の小さい値に設定すると、マイクロレンズ158による逆投影像の輪郭はボケることになる。図17は、再結像レンズ407の射出瞳上での開口155aのマイクロレンズ158による逆投影像を示し、143a,143b,143c,143dは各受光素子の開口155aがマイクロレンズ158によって再結像レンズ407の射出瞳上に逆投影された像である。各受光素子の開口155aの像が4つの凸レンズの射出瞳上で重なるようにマイクロレンズの偏芯量が設定されている。
このように逆投影像の輪郭がボケているということは、逆投影像の輪郭付近で開口155aを通過できる光量が徐々に変化していることを意味している。
図16は実効光強度分布を撮像装置の断面で示した模式図である。
図4、図5、図11と同様に図16では実効光強度分布を濃度で表現している。図16において、407は再結像レンズ、407aと407bは4つの凸レンズの内の2つ、441aは凸レンズ407aの光軸、441bは凸レンズ407bの光軸、408は再結像レンズ407によって形成された物体像を電気信号に変換する撮像素子、443は再結像レンズ407と撮像素子408を保持し、暗箱としての機能を有する筐体である。444は凸レンズ407aを透過して光軸441a上の受光素子に物体像を形成する光束、445は凸レンズ407bを透過して光軸441b上の受光素子に物体像を形成する光束である。
光束444と光束445は何れも中央に強度の高い部分を有し、光束の周囲に向かって強度が低下している。
結像光束の利用効率を光束の中心部から周辺部にかけて低下させると、再結像レンズ407の実質的なMTFを、撮像素子408の受光素子ピッチで決まるナイキスト周波数を超える高周波域でレスポンスが低く、ナイキスト周波数以下の周波数域でレスポンスが高いといった極めて望ましい特性とすることができる。したがって、撮像素子の出力に折り返し歪みが生じることがなく、この出力を用いることによって、高精度な焦点検出が可能となる。
以上説明したように、上記の実施形態によれば、撮像装置の光学素子にアポダイゼイションフィルターを用いることなく、光学素子の実質的なMTFを、撮像素子の受光素子ピッチで決まるナイキスト周波数を超える高周波域でレスポンスが低く、ナイキスト周波数以下の周波数域でレスポンスが高いといった極めて望ましい特性とすることができた。
レンズの内部にアポダイゼイションフィルターを形成するためにレンズを2体化する必要がないので、装置の構成が複雑化しない。この効果は特に複眼光学素子を用いる際に有効である。
また、MTFを制御すると、デフォーカス像のMTFにおいて高周波成分が顕著に低下するので、柔らかく好ましいボケ味を得ることができた。
1枚のレンズで構成された光学系で、絞りをレンズの前側か後ろ側に配置すると、かなり大きなディストーションが発生するが、本実施形態の受光素子構造を用いると実質的に両凸レンズの内部に絞りを形成したのと等価であるから、ディストーションを小さく抑えることができた。
アポダイゼイションフィルターを必要としないので、撮像装置のコストを極めて安価にすることができた。
光学ローパスフィルターを必要としないので、撮像装置のコストを極めて安価にすることができた。
焦点検出装置に適用した場合、高い焦点検出精度を得ることができた。
19 光拡散層
109 光拡散層
102 高屈折率層
311,158 マイクロレンズ
155 第2配線層
109 光拡散層
102 高屈折率層
311,158 マイクロレンズ
155 第2配線層
Claims (8)
- 物体像を形成する光学系と、
該光学系によって形成された物体像を光電変換する複数の受光素子を備える撮像素子とを具備し、
前記撮像素子は、前記光学系の結像光束の利用効率を光束の中心部から周辺部に掛けて低下させる効率調節手段を、前記受光素子の構造の一部として備えることを特徴とする撮像装置。 - 前記効率調節手段は前記受光素子に入射する光の光路中に形成された光拡散層を備えることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記光拡散層はSi3N4とSiO2を周期的に配列して構成されることを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。
- 前記効率調節手段は前記受光素子に入射する光の光路中に形成されたマイクロレンズを備えることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記マイクロレンズは、前記受光素子の表面付近に焦点面を有することを特徴とする請求項4に記載の撮像装置。
- 前記マイクロレンズは、該マクロレンズと前記受光素子の表面との中間位置に焦点面を有することを特徴とする請求項4に記載の撮像装置。
- 前記効率調節手段は前記受光素子に入射する光の光路中に形成された0.3μmから9.0μmの開口を備えることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記効率調節手段は前記受光素子に入射する光の光路中に形成されたマイクロレンズを備え、前記開口は、前記マイクロレンズと前記受光素子の表面との中間位置に配置されていることを特徴とする請求項7に記載の撮像装置。
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