JP2005217580A

JP2005217580A - 高周波モジュール

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Publication number: JP2005217580A
Application number: JP2004019475A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Miyawaki; 義宏宮脇; Norimitsu Fukamizu; 則光深水
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2004-01-28
Filing date: 2004-01-28
Publication date: 2005-08-11

Abstract

【課題】小型化、低背化及び高機能が可能で、かつ前記ＳＡＷフィルタにおける寄生インダクタンスを低減し、ＳＡＷフィルタの低周波側減衰特性が劣化するのを防止した高周波モジュールを提供する。
【解決手段】複数の誘電体層を積層してなる誘電体基板２の表面および内部に導体回路層３および垂直導体４が形成されてなる多層配線基板１上に、弾性表面波フィルタ素子５を実装、搭載してなる高周波モジュールにおいて、誘電体基板２内部または裏面に平面状のグランド電極１４が形成され、且つ誘電体基板２表面にフィルタ用グランド電極８．９が形成されており、グランド電極８，９と、フィルタ用グランド電極１４とを、最小径０．３ｍｍ以上の導体柱１６、１７によって接続したことを特徴とし、特に多層配線基板１を、誘電体層と、誘電体層と実質的に同一厚みからなる導体層が誘電体層を貫通して埋め込まれた複合層ｘの積層体によって形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は携帯型情報端末機、無線ＬＡＮ、ＷＬＬ（ＷｉｒｅｌｅｓｓＬｏｃａｌＬｏｏｐ）等の電子機器・電子装置等に用いられる、小型・高性能かつ低価格な高周波モジュールに関するものである。

これまでの多層配線基板は、誘電体層となるガラス粉末やセラミック粉末を用いてドクターブレード法などによって誘電体グリーンシートを作製し、このシートにＮＣパンチや金型などで貫通孔を形成した後、貫通穴内に導電性ペーストを充填しビア導体を形成するとともに、シート表面に導体ペーストを用いて印刷形成し、その後、これらのシートを複数積層した後、焼成することによって作製される。この時、ビア導体の直径は、導体ペーストの抜けを防止するために、ビア導体の直径は、グリーンシート厚みの２倍以下に設計されるのが一般的である。

図７に、従来の方法によって作製された高周波モジュールの（ａ）外観図と（ｂ）断面図、及び（ｃ）平面図を示す。図７に示す従来の高周波モジュールにおいては、誘電体基板４０１の表面には弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ４０２を実装するために、入力線路４０３、出力線路４０４が形成され、入力線路４０３は、ＳＡＷフィルタ４０２の入力端子４０７と接続され、出力線路４０４は、出力端子４０８と接続される。また、この入力線路４０３、出力線路４０４と隣接してグランド端子４０９が形成され、ＳＡＷフィルタ４０２のグランドと接続される。また、誘電体基板４０１の裏面には、グランド電極が４０５が形成されており、このグランド電極４０５と、グランド端子４０９とは、誘電体基板４０１を貫通するビア導体４０６によって電気的に接続される（特許文献１参照）。
特開平９−１８１４５０号

かかる高周波モジュールにおいては、携帯電話等の移動体通信機の普及などにより、小型・低背化、高機能化が強く要求されるようになり、シートの厚みを薄くすることで内層されるキャパシタンスの小型化や製品高さの低背化、及び高機能化を行い、市場の要求に対応してきた。

また、上記ＳＡＷフィルタを含む回路は、図６に示すように、ＳＡＷフィルタ３０８は、グランドに接続された弾性表面波共振子のグランド間に発生する寄生インダクタンス３０９の影響により、通過帯域に対して低周波側の減衰極が低くなり、減衰特性が劣化するという特性を持つ。

そこで、従来技術において、小型化、低背化を図るためには、多層配線基板を構成する誘電体層４０１の厚みを薄くすることが必要であるが、その結果、その誘電体層４０１に形成するビア導体４０６の直径を小さくせざるを得なくなる。例えば、誘電体層を形成するためのグリーンシートの厚みを０．０５ｍｍとすると、ビア導体の直径の適用範囲は、０．１ｍｍ以下となってしまう。

その結果、多層配線基板を用いた高周波モジュールにおいて、小型化、低背化を実施していった場合、ビア導体４０６の直径が小さくなり、ＳＡＷフィルタとグランド間に発生する寄生インダクタンス３０９がより大きくなるため、ＳＡＷフィルタの低周波側減衰特性が更に劣化してしまうという問題があった。

従って、本発明は上記従来技術における問題点を除去し、小型化、低背化及び高機能が可能で、かつ前記ＳＡＷフィルタにおける寄生インダクタンスを低減し、ＳＡＷフィルタの低周波側減衰特性が劣化するのを防止した高周波モジュールを提供することを目的とする。

本発明の高周波モジュールは、複数の誘電体層を積層してなる誘電体基板の表面および内部に導体回路層および垂直導体が形成されてなる多層配線基板上に、弾性表面波フィルタ素子（以下、ＳＡＷフィルタという場合がある。）を実装、搭載してなる高周波モジュールにおいて、前記誘電体基板内部または裏面に平面状のグランド電極が形成され、且つ誘電体基板表面にフィルタ用グランド電極が形成されており、前記グランド電極と、前記フィルタ用グランド電極とを、最小径０．３ｍｍ以上の導体柱によって接続したことを特徴とするものである。

このように、グランド電極と、フィルタ用グランド電極とを、非常に太い最小径０．３ｍｍ以上の導体柱によって接続することによって、ＳＡＷフィルタに対する寄生インダクタンスを小さくすることができる。

また、前記フィルタ用グランド電極が、一対の電極として形成されており、前記導体柱によって前記一対の電極が電気的に接続されていることによって、入出力端子間の結合を抑制し、アイソレーション特性の改善を図ることができる。

なお、ＳＡＷフィルタを用いてデュプレクサを構成した場合も、同様な効果が得られる。

また、誘電体基板の内部および表面には、少なくとも２つの周波数帯域を分波するための分波回路、高周波電力増幅器、方向性結合器、ＲＦＩＣ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）のうち、少なくとも１つを具備してなることによって、より高機能のモジュールを形成することができる。

さらに、前記誘電体層１層の厚みを０．０５ｍｍ以下とすることによって、高周波モジュールの低背化を図ることができ、特に本発明においては、多層配線基板の全体厚みを０．２〜１．０ｍｍにすることも可能である。

また、前記導体柱が、厚さが０．０５ｍｍ以下の誘電体層と、該誘電体層と実質的に同一厚みからなる導体層が該誘電体層を貫通して埋め込まれた複合層との積層体によって形成してなることが望ましい。

なお、前記誘電体層と、該誘電体層と実質的に同一厚みからなる導体層が誘電体層を貫通して埋め込まれた複合層は、（ａ）光透過可能なキャリアフィルム表面に、少なくとも金属粉末材料と、有機バインダとを含む導体ペーストによって、光非透過性の所定の導体パターン層を形成する工程と、（ｂ）前記導体パターン層を形成したキャリアフィルム上に、少なくとも光硬化可能なモノマー、光重合開始剤、および誘電体材料を含有する光硬化スラリーを、前記導体パターン層の厚さ以上の厚さに塗布して光硬化誘電体層を形成する工程と、（ｃ）前記キャリアフィルムの裏面より、光を照射して前記導体パターン層形成以外の領域の光硬化誘電体層を光硬化し、現像液を付与して、前記光硬化誘電体層の前記導体パターン層表面を含む非光硬化部を溶化、除去して、複合層を形成する工程と、（ｄ）この複合層を焼成する工程と、経て形成されたものであることが望ましい。

本発明の携帯端末機器によれば、上記ＳＡＷフィルタを搭載した高周波モジュールを用いることで、小型化、薄型化を図ることができる。

本発明によれば、多層配線基板上にＳＡＷフィルタを搭載した高周波モジュールであって、前記誘電体基板に形成されたグランド電極とＳＡＷフィルタのグランド端子を最小径０．３ｍｍ以上の導体柱によって接続しているため、誘電体多層基板の小型化・高機能化を図りつつ、ＳＡＷフィルタとグランド間に発生する寄生インダクタンス小さくすることが可能になり、ＳＡＷフィルタの低域側減衰特性の劣化を低減することが出来るとともに、高周波モジュールの小型化、低背化、さらには携帯端末機器の小型化、薄型化を図ることができる。

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。

図１は、本発明の高周波モジュールの一例を説明するためのもので、（Ａ）概略斜視図、（ｂ）Ａ−Ａ´断面図、（ｃ）ＳＡＷフィルタ実装部の概略平面図である。この高周波モジュールＡは、多層配線基板１は、複数の誘電体層２ａ１〜２ａｎを積層してなる誘電体基板２の表面および内部に平面回路層３と、平面回路層３同士を垂直方向に接続する垂直導体４が形成されている。

かかる誘電体基板２の表面には、ＳＡＷフィルタ５を実装する実装部が設けられており、基板表面に、入力線路６および出力線路７が形成され、さらにこの入力線路６、出力線路７と隣接して一対のフィルタ用グランド電極８、９が形成されている。

そして、この実装部にＳＡＷフィルタ５を実装し、ＳＡＷフィルタ５の入力端子１０、出力端子１１とが、入力線路６および出力線路７と、また、ＳＡＷフィルタ５のグランド端子１２、１２と一対のフィルタ用グランド電極８、９とがそれぞれ半田などの導電性接着材１３によって接続されている。一方、誘電体基板２の裏面には、グランド電極１４が一面に被着形成されている。

本発明によれば、上記フィルタ用グランド電極８，９を、それぞれ誘電体基板２の裏面のグランド電極１４と、最小径が０．３ｍｍ以上の導体柱１５、１６によって接続してなることが重要である。従来のようなビア導体に比較して、最小径が０．３ｍｍ以上の導体柱によって接続することによって、ＳＡＷフィルタ５における寄生インピーダンスを小さくすることができる。

図２は本発明の構造による効果を示したＳＡＷフィルタの特性図である。従来構造に基づき、フィルタ用グランド電極８，９と、それぞれ誘電体基板２の裏面のグランド電極１４とを直径が０．１ｍｍビア導体によって接続した場合のフィルタ特性曲線（ａ）に対し、本発明により断面が０．７×０．５ｍｍの導体柱によって接続した場合のフィルタ特性曲線（ｂ）の方が、通過帯域より低周波側の減衰特性を更に改善していることが判る。

図１の高周波モジュールにおいては、フィルタ用グランド電極８，９は、それぞれ誘電体基板２の裏面のグランド電極１４と、最小径が０．３ｍｍ以上の導体柱１５、１６によって接続したが、図３の（ａ）平面図および（ｂ）断面図に示すように、導体柱１５，１６を一体化した導体柱１７とし、この導体柱１７によって、フィルタ用グランド電極８，９をも電気的に接続するように導体柱１７を配置形成することが望ましい。

かかる構造においては、フィルタ用グランド電極８，９を連結する導体柱１７で接続されているために寄生インダクタンスはさらに小さくすることができる。しかも、誘電体基板２表面の入力線路６および出力線路７とは、この導体柱１７によって、遮断された配置となるために、入力線路６と出力線路７との間、およびＳＡＷフィルタ５における入力端子８と出力線路９との間のアイソレーション特性を改善することもできる。

本発明において、図１、図３に示したような導体柱１５、１６、１７は、その最小径が０．３ｍｍ以上、特に０．５ｍｍ以上であることが望ましい。また、高周波モジュールの小型化、低背化を図る上で、誘電体基板５を形成する誘電体層１層の厚みは、５０μｍ以下、特に４０μｍ以下であることが望ましい。

本発明における上記の多層配線基板１において、誘電体基板２は、（１）Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣを主成分とする焼成温度が１１００℃以上のセラミック材料、（２）少なくともＳｉＯ_２およびＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯなどのアルカリ土類金属酸化物を含有する金属酸化物による混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成されるセラミック材料、（３）ガラス粉末、あるいはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼結性のセラミック材料の群から選ばれる少なくとも１種が選択される。

用いられる（２）の混合物や、（３）のガラス組成物としては、ＳｉＯ_２−ＢａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３系、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３系、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３系、ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−アルカリ金属酸化物系、さらにはこれらの系にアルカリ金属酸化物、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｐｂ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２等を配合した組成物が挙げられる。（３）におけるセラミックフィラーとしては、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、フォルステライト、コージェライト、ムライト、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３の群から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、ガラスに対して２０〜８０質量％の割合で混合されることが望ましい。

一方、端子電極や、平面回路層、垂直導体は、セラミック材料の焼成温度に応じて種々組み合わせられ、例えば、セラミック材料が前記（１）の場合、タングステン、モリブデン、マンガンの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体材料が好適に用いられる。また、低抵抗化のために、銅などとの混合物としてもよい。セラミック材料が前記（２）の場合、銅、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体材料が好適に用いられる。上記の導体材料には、セラミック材料と同時焼成する上で、セラミック材料を構成する成分を含有することが望ましい。

次に、上記の高周波モジュールを製造する方法について説明する。

前述したように、１層あたりの厚みが５０μｍ以下の薄い誘電体層２ａに対して、最小径が０．３ｍｍ以上の導体柱１５、１６、１７を形成することは従来法では困難である。それは、誘電体層２ａを形成するグリーンシートに導体柱の大きさの貫通穴を形成し、その貫通穴に導体ペーストを充填しても貫通穴が大きいために導体ペーストを貫通穴内に保持できないためである。

そこで、本発明によれば、誘電体基板２を、誘電体層２ａに対して、該誘電体層２ａと実質的に同一厚みからなる導体層１８が誘電体層２ａを貫通して埋め込まれた複合層ｘを形成し、この複合層ｘの積層体によって多層配線基板１を形成することが望ましい。この場合、誘電体基板２の表面に形成した入力用電極６、出力用電極７、フィルタ用グランド電極８、９の露出面は、誘電体層２ａの表面と同一平面に形成されている。

単一の複合層ｘは、例えば以下の方法で作製することができる。図４に、前述の複合層ｘの工法を示す。図４によれば、（ａ）光透過可能なキャリアフィルム１００表面に、導体ペーストによって光非透過性の所定のパターンの導体パターン層１０１を形成し、（ｂ）その上に、光硬化スラリーを導体パターン層１０１の厚さ以上の厚さに塗布して光硬化セラミック層１０２を形成した後、（ｃ）キャリアフィルム１００の裏面より、光を照射して、導体パターン層１０１形成以外の領域の光硬化セラミック層１０２を光硬化させ、（ｄ）現像して、（ｅ）光硬化セラミック層１０２と導体パターン層１０１からなる複合層ｘを作製する。そして、この複合層ｘを積層して、平面の導体層とビア導体による３次元的な回路を形成する。その後、これを焼成することによって、図１、３で示したような導体柱を有する多層配線基板１を形成することができる。

なお、誘電体基板２の底面に一面に形成されたグランド電極１４は、焼成後の多層配線基板１の裏面に導体ペーストを印刷塗布して焼き付けるか、または焼成前の複合層ｘの積層体の裏面に導体ペーストを塗布して同時焼成して形成することもできる。

また、多層配線基板１の表面に形成された各種導体層表面には、半田との濡れ性を改善するために、ニッケル、金などのメッキ層が１〜３μｍの厚みで形成される。

上記工法において、用いられる光硬化スラリーは、望ましくは、セラミック粉末に、光硬化可能なモノマーと、光重合開始剤と、有機バインダと、可塑剤とを、有機溶剤に混合し、ボールミルで混練して調製する。

光硬化可能なモノマーとしては、低温で短時間の焼成工程に対応するために、熱分解性に優れたものであることが望ましい。また、光硬化可能なモノマーは、スリップ材の塗布・乾燥後の露光によって光重合される必要があり、遊離ラジカルの形成、連鎖生長付加重合が可能で、２級もしくは３級炭素を有したモノマーが好ましく、例えば少なくとも１つの重合可能なエチレン系基を有するブチルアクリレート等のアルキルアクリレートおよびそれらに対応するアルキルメタクリレート等が挙げられる。また、テトラエチレングリコールジアクリレート等のポリエチレングリコールジアクリレートおよびそれらに対応するメタクリレートも有効である。また、光開始系材料としては、ベンゾフェノン類，アシロインエステル類化合物などが挙げられる。

また、有機バインダも、光硬化可能なモノマーと同様に熱分解性が良好であることが望まれ、同時にスリップの粘性を決めるものであるため、固形分との濡れ性も考慮することが必要である。本発明によれば、アクリル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキシル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和化合物が好ましい。

有機溶剤としては、エチルカルビトールアセテート、ブチルセルソルブ、３メトキシブチルアセテートの群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。

各成分の含有量は、セラミック粉末１００質量部あたり、光硬化モノマー及び光重合開始剤を５〜２０質量部、有機バインダを１０〜４０質量部、可塑剤を１〜５質量部、有機溶剤を５０〜１００質量部の割合が適当である。

また、導体パターン層１０１を形成するための導体ペーストは、平均粒径が１〜３μｍ程度の前記導体材料の粉末に、必要に応じてセラミック材料を添加した無機成分に対して、エチルセルロース、アクリル樹脂などの有機バインダを加え、さらにジブチルフタレート、αテルピネオール、ブチルカルビトール、２・２・４−トリメチル−３・３−ペンタジオールモノイソブチレートなどの適当な溶剤を混合し、３本ローラ等により均質に混練して調製される。

図５は、本発明の高周波モジュールの他の例を示す断面図である。この高周波モジュールにおいては、誘電体基板２内に分波回路１８を、また表面に高周波電力増幅器１９を備えている。前記のような複数の機能を多層配線基板１に同時に具備することで、より高機能な高周波モジュールがコンパクトに形成できる。また分波回路１８と高周波電力増幅器１９は、いずれか一方を具備するものであってもよいし、また、それ以外の高周波回路、例えば方向性結合器などを具備していてもよい。

また、図１，３において、グランド電極１４は誘電体基板２の裏面に一面に形成したものであったが、このグランド電極１４は、誘電体基板２の内部に部分的に形成していてもよい。この場合、グランド電極１４を誘電体層に対して部分的に形成した複合層ｘを形成して他の複合層ｘと積層して形成することができる。

なお、高周波モジュール１の各種表面には表面に形成された多層配線基板１上の部品を樹脂２０にてモールドすることで信頼性を向上することができる。

厚さ１００μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなる光透過可能なキャリアフィルム上に、導体ペーストをスクリーン印刷法により印刷して、最小径が０．３ｍｍ以上の厚さ２０μｍの導体柱を形成する導体層を形成した。用いた導体ペーストは、Ａｇ粉末にバリウムホウ珪酸ガラス粉末と、エチルセルロース、有機溶剤として２・２・４−トリメチル−３・３−ペンタジオールモノイソブチレートを加え３本ロールミルで混合したものを使用した。

次に、上記導体層の上に、感光性スラリーをドクターブレード法により塗布乾燥し、導体層の存在しない場所での乾燥後の厚みが２８μｍとなるように光硬化セラミック層を形成した。

感光性スラリーは、セラミック原料粉末１００質量部と、光硬化可能なモノマー（ポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレート）８質量部と、有機バインダ（アルキルメタクリレート）３５質量部と、可塑剤を３質量部、有機溶剤（エチルカルビトールアセテート）に混合し、ボールミルで混練して作製した。

セラミック原料粉末は、０．９５モルＭｇＴｉＯ_３−０．０５モルＣａＴｉＯ_３で表される主成分１００質量部に対して、ＢをＢ_２Ｏ_３換算で１０質量部、ＬｉをＬｉＣＯ_３換算で５質量部添加したものを用いた。

次に、キャリアフィルムの裏面側より光硬化セラミック層の裏面に、超高圧水銀灯（照度３０ｍＷ／ｃｍ^２）を光源として２秒間全面露光した。そして希釈濃度２．５％のトリエタノールアミン水溶液を現像液として用いて３０秒間スプレー現像を行った。この後、現像後の純水洗浄の後、乾燥を行った。

こうして、出来上がった光硬化セラミック層は、導体層上の溶化部が現像により除去され電極層が露出して、その結果、厚みが２０μｍの導体層と、厚みが２０μｍの光硬化セラミック層とが一体化した複合層を作製することができた。

同様に、導体柱を具備した他の複合層、グランド電極、入力用電極、出力用電極等をそれぞれ有する導体層を具備した、延べ５０層の複合層を作製した。

上記のようにして作製した複合層より、それぞれキャリアフィルムを剥離し、順番に位置合わせを行いながら、積層を行い、導体柱を含む３次元的に回路を形成した。この後、プレス機を用いて、プレス圧１トン、温度６０℃にて５分間プレスを行い、積層体を圧着した。その後、この積層体の裏面に前記導体ペーストを印刷塗布してグランド電極を形成した。

その後、この積層成形体を大気中で３００℃で４時間で脱バインダ処理した後、９００℃大気中で６時間焼成を行い、多層配線基板を作製した。

作製した多層配線基板に対して、ＳＡＷフィルタを半田実装し、ＳＡＷフィルタの特性を測定し、その結果を図２に示した。

また、比較例として、従来のグリーンシート法に従い、上記のセラミック組成物を用いて形成したグリーンシートに直径が０．１ｍｍの貫通穴を形成し、導体ペーストを充填してビア導体を形成するとともに、グランド電極や、入力用電極、出力用電極などの導体ペーストを印刷塗布し、これを積層後、上記焼成条件で焼成した。そして、上記と同様にしてＳＡＷフィルタの特性を測定し、その結果を図２に示した。

その結果、本発明の高周波モジュールは、従来の高周波モジュールに比較して、ＳＡＷフィルタの減衰特性を改善することができた。

本発明の高周波モジュールの一例を説明するための（ａ）概略斜視図と、（ｂ）Ａ−Ａ‘断面図、（ｃ）ＳＡＷフィルタ実装部の平面図を示す。本発明の高周波モジュールと、従来の高周波モジュールにおけるＳＡＷフィルタ特性を示す図である。本発明の高周波モジュールの他の例におけるＳＡＷフィルタ実装部の平面図を示す。複合層の製造工程を説明するための工程図である。本発明の高周波モジュールの他の例の概略断面図を示す。ＳＡＷフィルタを含む回路図を示す。従来の高周波モジュールの例の（ａ）概略斜視図と、（ｂ）Ｂ−Ｂ‘断面図、（ｃ）ＳＡＷフィルタ実装部の平面図を示す。

符号の説明

１多層配線基板
２誘電体基板
３平面回路層
４垂直導体
５ＳＡＷフィルタ
６入力線路
７出力線路
８，９フィルタ用グランド電極
１０入力端子
１１出力端子
１２グランド端子
１３導電性接着材
１４グランド電極
１５、１６、１７導体柱

Claims

複数の誘電体層を積層してなる誘電体基板の表面および内部に導体回路層および垂直導体が形成されてなる多層配線基板上に、弾性表面波フィルタ素子を実装、搭載してなる高周波モジュールにおいて、前記誘電体基板内部または裏面に平面状のグランド電極が形成され、且つ誘電体基板表面にフィルタ用グランド電極が形成されており、前記グランド電極と、前記フィルタ用グランド電極とを、最小径０．３ｍｍ以上の導体柱によって接続したことを特徴とする高周波モジュール。
前記フィルタ用グランド電極が、一対の電極として形成されており、前記導体柱によって前記一対の電極が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
前記弾性表面波フィルタ素子を用いてデュプレクサを構成したことを特徴とする請求項１または請求項２記載の高周波モジュール。
誘電体基板の内部および表面に、少なくとも２つの周波数帯域を分波するための分波回路、高周波電力増幅器、方向性結合器、ＲＦＩＣのうち、少なくとも１つを具備してなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか記載の高周波モジュール。
前記誘電体層１層の厚みが０．０５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載の多層配線基板。
前記導体柱が、厚さが０．０５ｍｍ以下の誘電体層と、該誘電体層と実質的に同一厚みからなる導体層が該誘電体層を貫通して埋め込まれた複合層との積層体によって形成してなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか記載の高周波モジュール。
前記多層配線基板の全体厚みが０．２〜１．０ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか記載の高周波モジュール。
前記誘電体層と、該誘電体層と実質的に同一厚みからなる導体層が誘電体層を貫通して埋め込まれた複合層が、
（ａ）光透過可能なキャリアフィルム表面に、少なくとも金属粉末材料と、有機バインダとを含む導体ペーストによって、光非透過性の所定の導体パターン層を形成する工程と、（ｂ）前記導体パターン層を形成したキャリアフィルム上に、少なくとも光硬化可能なモノマー、光重合開始剤、および誘電体材料を含有する光硬化スラリーを、前記導体パターン層の厚さ以上の厚さに塗布して光硬化誘電体層を形成する工程と、
（ｃ）前記キャリアフィルムの裏面より、光を照射して前記導体パターン層形成以外の領域の光硬化誘電体層を光硬化し、現像液を付与して、前記光硬化誘電体層の前記導体パターン層表面を含む非光硬化部を溶化、除去して、複合層を形成する工程と、
（ｄ）この複合層を焼成する工程と、
を形成されたものである請求項１乃至請求項７のいずれか記載の多層配線基板。
前記請求項１乃至請求項８のいずれか記載の高周波モジュールを搭載したことを特徴とする携帯端末機器。