JP2005175242A - 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 簡易な装置構成で均一な薄膜を作製可能な薄膜作製装置及び薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１の内部にガスノズルからガス１３を供給すると共に、高周波アンテナ７に給電して当該ガスをプラズマ化して、基板６に薄膜１５を成膜する薄膜作製装置において、ガスノズルを、真空チャンバ１の側壁から中心に向けてガス１３を供給する第１ガスノズル２０と、真空チャンバ１の側壁から中心まで伸びて、真空チャンバ１の中心において基板６に向けてガス１３を供給する第２ガスノズル２１とから構成する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、均一な薄膜を作製することができる薄膜作製装置及び薄膜作製方法に関する。

近年、マイクロプロセッサチップの生産効率を向上させる等を目的として、チップの土台であるウエハの大型化（大径化）が進み、これに伴い、大型ウエハに金属膜等を成膜する薄膜作製装置も大型化（大口径化）が進んでいる。

このように、成膜面積の大きい薄膜作製装置の開発が急務となっている中、成膜面積を大きくする場合、いかに均一に薄膜を作製することができるかが問題となる。これに対して、成膜される膜の原料となるガスを大面積の基板に対して均一に噴射することを目的として、薄膜作製装置を構成する真空チャンバの側面から原料ガスを噴射すると共に、ガス供給が希薄となりがちな基板中央付近にチャンバの天井部分の中央に設けたガス供給システムからガスを噴射する技術が提案されている（例えば、下記、特許文献１参照）。

特開２００２−１５８１８０号公報

しかしながら、上述する技術では、天井部分はプラズマを発生させる装置等も存在するため、その構造が複雑になってしまうと共に、真空チャンバの交換やチャンバ内のクリーニング等のメンテナンスを行う際に、作業に時間がかかってしまう。また、原料ガスの供給制御のみでは、より精度の高い均一性が要求された場合に、対応できないおそれがある。

本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、簡易な装置構成で均一な薄膜を作製することができると共に、より精度の高い均一成膜に対応することができる薄膜作製装置及び薄膜作製方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決する本発明に係る薄膜作製装置は、
チャンバの内部に薄膜の原料となる元素成分を含むガスを供給するガスノズルと、
前記チャンバの内圧を制御する圧力制御手段と、
前記チャンバの上部に設置され、チャンバの内部に前記ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記チャンバ内の下方に設置され、前記薄膜が成膜される基板を支持する支持台とを有する薄膜作製装置において、
前記ガスノズルは、前記チャンバの側壁から中心に向けて前記ガスを供給する第１ガスノズルと、前記チャンバの側壁から中心まで伸びて、前記チャンバの中心において前記基板に向けて前記ガスを供給する第２ガスノズルとからなることを特徴とする薄膜作製装置である。

薄膜の形成する成分を含む原料ガスのガスノズルとして、チャンバの側壁から中心に向けて原料ガスを供給する第１ガスノズルに加えて、チャンバの側壁から中心まで伸びて、チャンバの中心において基板に向けて原料ガスを供給する第２ガスノズルを設け、大面積の基板（ウエハ）における外周部分と中心部分とに作用するガスプラズマ濃度（ガス濃度）を均一にする。これにより、簡易な装置構成で高い均一性を有する薄膜を作製する。更に、簡易な装置構成とすることで、真空チャンバの交換やチャンバ内のクリーニング等のメンテナンスを短時間で行うことができるようにする。

また、上記薄膜作製装置において、
更に、前記第１ガスノズル及び前記第２ガスノズルから供給されるガスの流量を制御する流量制御手段と、前記基板の高さを調整する基板高さ調整手段とを有し、
当該流量制御手段及び基板高さ調整手段は、前記基板の全面に亘って均一に成膜するようにガス流量及び基板高さを調整することを特徴とする薄膜作製装置である。

流量制御手段により、主として基板の外周部分の成膜に寄与する第１ガスノズルからのガス供給と主として基板の中心部分の成膜に寄与する第２ガスノズルからのガス供給とを適切に制御すると共に、基板高さ調整手段により、薄膜の均一性と成膜速度との関係が最適となる基板高さに調整して、より均一性の高い薄膜を自動制御により再現性よく作製する。

また、上記薄膜作製装置において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記第１ガスノズル又は前記第２ガスノズルのいずれか一方のガスノズルからのガス供給の後に他方のガスノズルからのガス供給を行うガス供給方法制御手段を有することを特徴とする薄膜作製装置である。

第１ガスノズル及び第２ガスノズルの得意とする成膜部分を考慮して各ガスノズルから順番に原料ガスを供給して、両ガスノズルからの原料ガスの同時供給と比較して簡易な成膜制御とする。

また、上記薄膜作製装置において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記第１ガスノズル又は前記第２ガスノズルのいずれか一方のガスノズルからのガス供給と他方のガスノズルからのガス供給とを交互に行うガス供給方法制御手段を有することを特徴とする薄膜作製装置である。

各ガスノズルからのガス供給を交互に行うことにより、簡易な成膜制御とすると共により均一性の高い薄膜を作製する。

上記課題を解決する本発明に係る薄膜作製方法は、
チャンバの内部に薄膜の原料となる元素成分を含むガスを供給し、当該ガスのプラズマを発生させ、基板に薄膜を成膜する薄膜作製方法において、
前記ガスを、前記チャンバの側壁から中心に向けて供給するガスと、前記チャンバの側壁から導入され、前記チャンバの中心において前記基板に向けて供給するガスとから構成することを特徴とする薄膜作製方法である。

また、上記薄膜作製方法において、
更に、前記基板の全面に亘って均一に成膜するように、前記チャンバの側壁から中心に向けて供給するガスの流量と前記チャンバの中心において前記基板に向けて供給するガスの流量とを制御すると共に、前記基板の高さを調整することを特徴とする薄膜作製方法である。

また、上記薄膜作製方法において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記チャンバの側壁から中心に向けてガスを供給することと、前記チャンバの中心において前記基板に向けてガスを供給することとの、いずれか一方を行った後に、他方を行うことを特徴とする薄膜作製方法である。

また、上記薄膜作製方法において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記チャンバの側壁から中心に向けてガスを供給することと、前記チャンバの中心において前記基板に向けてガスを供給することとを交互に行うことを特徴とする薄膜作製方法である。

上記本発明に係る薄膜作製装置よれば、
チャンバの内部に薄膜の原料となる元素成分を含むガスを供給するガスノズルと、
前記チャンバの内圧を制御する圧力制御手段と、
前記チャンバの上部に設置され、チャンバの内部に前記ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記チャンバ内の下方に設置され、前記薄膜が成膜される基板を支持する支持台とを有する薄膜作製装置において、
前記ガスノズルは、前記チャンバの側壁から中心に向けて前記ガスを供給する第１ガスノズルと、前記チャンバの側壁から中心まで伸びて、前記チャンバの中心において前記基板に向けて前記ガスを供給する第２ガスノズルとからなることとしたので、
大面積の基板（ウエハ）における外周部分と中心部分とに作用するガスプラズマ濃度（ガス濃度）を均一にして、簡易な装置構成で高い均一性を有する薄膜を作製することができる。更に、簡易な装置構成とすることにより、真空チャンバの交換やチャンバ内のクリーニング等のメンテナンスを短時間で行うことができる。

また、上記薄膜作製装置において、
更に、前記第１ガスノズル及び前記第２ガスノズルから供給されるガスの流量を制御する流量制御手段と、前記基板の高さを調整する基板高さ調整手段とを有し、
当該流量制御手段及び基板高さ調整手段は、前記基板の全面に亘って均一に成膜するようにガス流量及び基板高さを調整することとしたので、
流量制御手段により、主として基板の外周部分の成膜に寄与する第１ガスノズルからのガス供給と主として基板の中心部分の成膜に寄与する第２ガスノズルからのガス供給とを適切に制御すると共に、基板高さ調整手段により、薄膜の均一性と成膜速度との関係が最適となる基板高さに調整して、より均一性の高い薄膜を自動制御により再現性よく作製することができる。

また、上記薄膜作製装置において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記第１ガスノズル又は前記第２ガスノズルのいずれか一方のガスノズルからのガス供給の後に他方のガスノズルからのガス供給を行うガス供給方法制御手段を有することとしたので、
第１ガスノズル及び第２ガスノズルの得意とする成膜部分を考慮して各ガスノズルから順番に原料ガスを供給して、両ガスノズルからの原料ガスの同時供給と比較して簡易な成膜制御とすることができる。

また、上記薄膜作製装置において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記第１ガスノズル又は前記第２ガスノズルのいずれか一方のガスノズルからのガス供給と他方のガスノズルからのガス供給とを交互に行うガス供給方法制御手段を有することとしたので、
各ガスノズルからのガス供給を交互に行うことにより、簡易な成膜制御とすると共により均一性の高い薄膜を作製することができる。

上記本発明に係る薄膜作製方法よれば、
チャンバの内部に薄膜の原料となる元素成分を含むガスを供給し、当該ガスのプラズマを発生させ、基板に薄膜を成膜する薄膜作製方法において、
前記ガスを、前記チャンバの側壁から中心に向けて供給するガスと、前記チャンバの側壁から導入され、前記チャンバの中心において前記基板に向けて供給するガスとから構成することとしたので、
大面積の基板（ウエハ）における外周部分と中心部分とに作用するガスプラズマ濃度（ガス濃度）を均一にして、簡易な成膜方法で高い均一性を有する薄膜を作製することができる。

また、上記薄膜作製方法において、
更に、前記基板の全面に亘って均一に成膜するように、前記チャンバの側壁から中心に向けて供給するガスの流量と前記チャンバの中心において前記基板に向けて供給するガスの流量とを制御すると共に、前記基板の高さを調整することとしたので、
ガス流量の制御により、主として基板の外周部分の成膜に寄与するチャンバの側壁から中心に向けて供給するガスと主として基板の中心部分の成膜に寄与するチャンバの中心において基板に向けて供給するガスとを適切に制御すると共に、基板の高さ調整により、薄膜の均一性と成膜速度との関係が最適となる基板高さに調整して、より均一性の高い薄膜を自動制御により再現性よく作製することができる。

また、上記薄膜作製方法において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記チャンバの側壁から中心に向けてガスを供給することと、前記チャンバの中心において前記基板に向けてガスを供給することとの、いずれか一方を行った後に、他方を行うこととしたので、
各ガス供給の得意とする成膜部分を考慮して各ガス供給を順番に行って、両ガス供給を同時に行う場合と比較して簡易な成膜制御とすることができる。

また、上記薄膜作製方法において、
更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記チャンバの側壁から中心に向けてガスを供給することと、前記チャンバの中心において前記基板に向けてガスを供給することとを交互に行うこととしたので、
各ガス供給を交互に行うことにより、簡易な成膜制御とすると共により均一性の高い薄膜を作製することができる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて例示的に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る薄膜作製方法を実施する薄膜作製装置の概略透視側断面図である。

同図に示すように、円筒状の真空チャンバ１内には成膜室２が形成され、真空チャンバ１の上部には円形の天井板３が設けられている。成膜室２の中心には基板６を支持する支持台４が備えられ、例えば、静電チャック等により半導体の基板６が支持台４の上面に静電的に吸着保持されるようになっている。

天井板３の上には、例えば、円形リング状の高周波アンテナ７が配置され、高周波アンテナ７には整合器８を介して高周波電源９が接続されている。高周波アンテナ７に電力を供給することにより電磁波が真空チャンバ１の成膜室２に入射される（プラズマ発生手段）。一方、真空チャンバ１の側壁部分における天井板３より低く、支持台４より高い位置には水平にガスノズルが設けられ、ガス１３が成膜室２内に導入される。

成膜室２内に導入されたガス１３は、成膜室２に入射された電磁波によりイオン化され、プラズマ状態となる。ガス１３は、薄膜１５の材料となる元素成分を含むガス、例えばＳｉＨ₄ガス等であり、プラズマ状態となった後、基板６に吸着等することにより薄膜１５を形成する。例えば、有機金属錯体のガスからは金属薄膜が形成され、ＳｉＨ₄ガスとＯ₂ガスとの組み合わせからはＳｉＯｘ膜が形成され、ガス種を変更することにより種々の薄膜１５を成膜することができる。ここで、添加ガスのＯ₂については、膜厚分布に対して流れの影響を受けないため、チャンバへのガス供給ではノズルを使っても使わなくても良い。

詳細な装置制御としては、圧力制御手段としての真空ポンプ（図示せず）等により成膜室２内を所定の圧力に調整すると共に、ガスノズル２０，２１からガス１３を所定流量で導入する。高周波電源９から高周波アンテナ７に整合器８を介して高周波電力（１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ，１ｋＷ〜１０ｋＷ）を印加することにより、成膜室２内でガス１３が励起されてプラズマ状態となり、基板６上に薄膜１５が成膜される。このとき、基板６の温度は温度制御手段としてのヒーター（図示せず）等により２００℃から４５０℃に設定される。

ガスノズルは、第１ガスノズル２０と第２ガスノズル２１とからなる。基板高さ調整手段である支持台昇降装置２２は支持台４（基板６）を昇降する装置であり、ガスノズル２０，２１と支持台４（基板６）との距離を調整することができるようになっている。

図２は、本発明の実施形態に係る薄膜作製装置におけるガスノズル２０，２１の概略配置図である。同図は、支持台４側から天井板３を見た場合の真空チャンバ１におけるガスノズル２０，２１の配置を概略的に示したものである。同図に示すように、断面円形の真空チャンバ１の側壁部分に８本の第１ガスノズル２０が等間隔で配置されている。第１ガスノズル２０は、側壁部分から断面円形の真空チャンバ１における中心に向かって半径の半分ほどの位置まで伸びており、第１ガスノズル２０の先端には、ガス１３が真空チャンバ１の中心に向かって噴射されるように噴射口２０ａが設けられている。

また、断面円形の真空チャンバ１の側壁部分における適当な位置に１本の第２ガスノズル２１が配置されている。第２ガスノズル２１は、側壁部分から断面円形の真空チャンバ１における径方向に沿って、真空チャンバ１の中心まで伸びており、第２ガスノズル２１の先端には、ガス１３が真空チャンバ１の中心から支持台４の方向に向かって噴射されるように噴射口２１ａが設けられている。

図１にも示すように、第１ガスノズル２０の方が第２ガスノズル２１よりも低い位置、すなわち支持台４に近い位置に配置されているため、図２では、第２ガスノズル２１よりも手前に第１ガスノズル２０が見えている。なお、第１ガスノズル２０と第２ガスノズル２１の設置位置の高さについては、両ノズルを同じ高さにしても良く、また第１ガスノズル２０の方が第２ガスノズル２１よりも高い位置となるように設置しても良い。

図３は、本発明に実施形態に係る薄膜作製方法により得られる均一な薄膜を説明するための図である。同図（ａ）には、支持台昇降装置２２により基板６の高さを変化させた場合において、第１ガスノズル２０からのガス噴射のみによる成膜分布を示してある。また、同図（ｂ）には、支持台昇降装置２２により基板６の高さを変化させた場合において、第２ガスノズル２１からのガス噴射のみによる成膜分布を示してある。

第１ガスノズル２０は、真空チャンバ１の側壁部分から真空チャンバ１における中心に向かって伸び、噴射口２０ａからガス１３が真空チャンバ１の中心に向かって噴射されるようになっているが、第１ガスノズル２０から成膜室２内に噴射されるガス１３は基板６の外周部分の上部ほど濃度が高く、基板６の中心部分の上部あたりでは希薄である。このため、同図（ａ）に示すように、第１ガスノズル２０からのガス１３供給のみでは、基板６の高さ（高位置、中位置、低位置）に関係なく、基板６の外周部分ほど厚く成膜される一方、中心部分ほど薄く成膜され、不均一な薄膜１５ａ〜１５ｃが成膜される。

しかしながら、基板６の高さにより薄膜１５の不均一性が異なり、基板６を比較的高位置として第１ガスノズル２０に近づけた場合には極めて不均一な薄膜１５ａとなる一方、基板６を比較的中位置（薄膜１５ｂ）、低位置（薄膜１５ｃ）とするにつれて薄膜の均一性が高くなることが分かる。これは、基板６を第１ガスノズル２０に近づける（高位置とする）ほど、第１ガスノズル２０から噴射されるガス１３の、基板６の外周部分の上部ほど濃度が高く基板６の中心部分の上部あたりでは希薄となるというガス分布（すなわち、プラズマ分布）の影響を受ける一方、基板６を第１ガスノズル２０から遠ざける（低位置とする）ほど、ガスが拡散し前記ガス分布の影響が少なくなるからである。

第２ガスノズル２１は、真空チャンバ１の側壁部分から真空チャンバ１における中心まで伸び、噴射口２１ａからガス１３が真空チャンバ１の中心から支持台４（基板６）に向かって噴射されるようになっているが、第２ガスノズル２１から成膜室２内に噴射されるガス１３は基板６の中心部分の上部ほど濃度が高く、基板６の外周部分の上部あたりでは希薄である。このため、同図（ｂ）に示すように、第２ガスノズル２１からのガス１３供給のみでは、基板６の高さ（高位置、中位置、低位置）に関係なく、基板６の中心部分ほど厚く成膜される一方、外周部分ほど薄く成膜され、不均一な薄膜１５ｄ〜１５ｆが成膜される。

しかしながら、基板６の高さにより薄膜１５の不均一性が異なり、基板６を比較的高位置として第２ガスノズル２１に近づけた場合には極めて不均一な薄膜１５ｄとなる一方、基板６を比較的中位置（薄膜１５ｅ）、低位置（薄膜１５ｆ）とするにつれて薄膜の均一性が高くなることが分かる。これは、基板６を第２ガスノズル２１に近づける（高位置とする）ほど、第２ガスノズル２１から噴射されるガス１３の、基板６の中心部分の上部ほど濃度が高く基板６の外周部分の上部あたりでは希薄となるというガス分布（すなわち、プラズマ分布）の影響を受ける一方、基板６を第２ガスノズル２１から遠ざける（低位置とする）ほど、ガスが拡散し前記ガス分布の影響が少なくなるからである。成膜速度と高さの関係としては、低位置になるほどチャンバ内壁への膜付着が増加するためにガスの利用効率が下がり、成膜速度は下がることになる。

本実施形態では、薄膜１５を成膜するにあたって、ガスノズル２０，２１から同時にガス１３を噴射する。すなわち、図３に示すように、主として第１ガスノズル２０により基板６の外周部分を成膜すると共に、主として第２ガスノズル２１により基板６の中心部分を成膜することにより基板６の全面に亘って均一な薄膜１５を成膜する。第１ガスノズル２０及び第２ガスノズル２１から噴射されるガス１３の流量は個別に制御することができ、均一な薄膜１５を成膜するためには両ノズル２０，２１からのガス流量を相互に関連付けて制御する（ガス流量調整手段）。

更に、支持台昇降装置２２により基板６の高さを調整して成膜を行う。同図に示すように、基板６を高位置とすることにより不均一な薄膜１５ａと薄膜１５ｄとからなる薄膜が成膜されるが、この場合、当該最終的に成膜される薄膜は不均一性が解消されないおそれが高い一方、成膜速度が速いため短時間で成膜を行うことができるメリットが得られる。逆に、基板６を低位置とすることにより比較的均一な薄膜１５ｃと薄膜１５ｆとからなる薄膜が成膜されるが、この場合、当該最終的に成膜される薄膜は均一な薄膜となる一方、成膜速度が遅いため成膜に時間がかかるというデメリットがある。したがって、基板６の高さは、当該状況を考慮して適切な高さに調整する。

次に、本実施形態に係る薄膜作製方法を実施する薄膜作製装置を用いて基板上にＳｉＯｘ膜を作製し、成膜された薄膜の膜厚を分光エリプソンメータにより計測（基板上の４９箇所を計測）して均一性を調べた。その結果、両ガスノズル２０，２１からのガス流量及び基板高さを最適な状態として作製された薄膜は、最小膜厚3565.4オングストローム、最大膜厚3730.6オングストローム、平均膜厚3657.5オングストロームであり、均一性2.3％（(最大膜厚−最小膜厚)/(2×平均膜厚)×100）であることが確認された。一方、従来の成膜方法（本実施形態の第１ガスノズル２０に相当するガスノズルのみからガスを供給）で作製した薄膜は、最小膜厚3538.9オングストローム、最大膜厚3805.9オングストローム、平均膜厚3671.8オングストロームであり、均一性3.6％であった。これらの結果から、本願発明によれば均一な薄膜を作製することができることが分かる。

なお、ガス１３の供給方法としては、両ガスノズル２０，２１から同時に噴射せずに、第１ガスノズル２０からガス１３を供給した後に第２ガスノズル２１からガス１３を供給したり、この順序を逆にしたり、ガス１３を供給するガスノズルを交互に変更したりしてもよい。すなわち、主として基板６の外周部分を成膜する第１ガスノズル２０と、主として基板６の中心部分を成膜する第２ガスノズル２１とを互いに補完的に使用すれば、均一な薄膜１５を得ることができる。このようなガス１３の供給方法は、手動又は制御装置（ガス供給方法制御手段）により実施することができる。

本発明の実施形態に係る薄膜作製方法を実施する薄膜作製装置の概略透視側断面図である。 本発明の実施形態に係る薄膜作製装置におけるガスノズルの概略配置図である。 本発明に実施形態に係る薄膜作製方法により得られる均一な薄膜を説明するための図である。

符号の説明

１ 真空チャンバ
２ 成膜室
３ 天井板
４ 支持台
６ 基板
７ 高周波アンテナ
８ 整合器
９ 高周波電源
１３ ガス
１５ 薄膜
１５ａ〜１５ｆ 薄膜
２０ 第１ガスノズル
２０ａ 噴射口
２１ 第２ガスノズル
２１ａ 噴射口
２２ 支持台昇降装置

Claims (8)

1. チャンバの内部に薄膜の原料となる元素成分を含むガスを供給するガスノズルと、
   前記チャンバの内圧を制御する圧力制御手段と、
   前記チャンバの上部に設置され、チャンバの内部に前記ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
   前記チャンバ内の下方に設置され、前記薄膜が成膜される基板を支持する支持台とを有する薄膜作製装置において、
   前記ガスノズルは、前記チャンバの側壁から中心に向けて前記ガスを供給する第１ガスノズルと、前記チャンバの側壁から中心まで伸びて、前記チャンバの中心において前記基板に向けて前記ガスを供給する第２ガスノズルとからなることを特徴とする薄膜作製装置。
2. 請求項１に記載する薄膜作製装置において、
   更に、前記第１ガスノズル及び前記第２ガスノズルから供給されるガスの流量を制御する流量制御手段と、前記基板の高さを調整する基板高さ調整手段とを有し、
   当該流量制御手段及び基板高さ調整手段は、前記基板の全面に亘って均一に成膜するようにガス流量及び基板高さを調整することを特徴とする薄膜作製装置。
3. 請求項１又は２に記載する薄膜作製装置において、
   更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記第１ガスノズル又は前記第２ガスノズルのいずれか一方のガスノズルからのガス供給の後に他方のガスノズルからのガス供給を行うガス供給方法制御手段を有することを特徴とする薄膜作製装置。
4. 請求項１又は２に記載する薄膜作製装置において、
   更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記第１ガスノズル又は前記第２ガスノズルのいずれか一方のガスノズルからのガス供給と他方のガスノズルからのガス供給とを交互に行うガス供給方法制御手段を有することを特徴とする薄膜作製装置。
5. チャンバの内部に薄膜の原料となる元素成分を含むガスを供給し、当該ガスのプラズマを発生させ、基板に薄膜を成膜する薄膜作製方法において、
   前記ガスを、前記チャンバの側壁から中心に向けて供給するガスと、前記チャンバの側壁から導入され、前記チャンバの中心において前記基板に向けて供給するガスとから構成することを特徴とする薄膜作製方法。
6. 請求項５に記載する薄膜作製方法において、
   更に、前記基板の全面に亘って均一に成膜するように、前記チャンバの側壁から中心に向けて供給するガスの流量と前記チャンバの中心において前記基板に向けて供給するガスの流量とを制御すると共に、前記基板の高さを調整することを特徴とする薄膜作製方法。
7. 請求項５又は６に記載する薄膜作製方法において、
   更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記チャンバの側壁から中心に向けてガスを供給することと、前記チャンバの中心において前記基板に向けてガスを供給することとの、いずれか一方を行った後に、他方を行うことを特徴とする薄膜作製方法。
8. 請求項５又は６に記載する薄膜作製方法において、
   更に、前記チャンバの内部にガスを供給する際に、前記チャンバの側壁から中心に向けてガスを供給することと、前記チャンバの中心において前記基板に向けてガスを供給することとを交互に行うことを特徴とする薄膜作製方法。

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