[go: up one dir, main page]

JP2005085803A - Susceptor - Google Patents

Susceptor Download PDF

Info

Publication number
JP2005085803A
JP2005085803A JP2003312796A JP2003312796A JP2005085803A JP 2005085803 A JP2005085803 A JP 2005085803A JP 2003312796 A JP2003312796 A JP 2003312796A JP 2003312796 A JP2003312796 A JP 2003312796A JP 2005085803 A JP2005085803 A JP 2005085803A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refrigerant
susceptor
partition plate
annular
flow path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003312796A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toyotaro Kawabe
豊太郎 河邊
Yasumasa Yamamoto
康正 山本
Kenichiro Tsutsumi
謙一郎 堤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinwa Controls Co Ltd
Original Assignee
Shinwa Controls Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinwa Controls Co Ltd filed Critical Shinwa Controls Co Ltd
Priority to JP2003312796A priority Critical patent/JP2005085803A/en
Publication of JP2005085803A publication Critical patent/JP2005085803A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a susceptor or a susceptor-cooling system that can uniformly cool the surface of a wafer, by canceling the temperature difference which occurs in a refrigerant flowing down through a refrigerant flow passage. <P>SOLUTION: The refrigerant flow passage 3, composed of a plurality of annular paths 18a-18c, is formed in the susceptor by partitioning an annular hollow section formed in the susceptor by C-shaped partition strips 16a and 16b. The refrigerant flow passage 3 is constituted so that a refrigerant flowing down through two adjacent annular paths of the annular paths 18a-18c flows in opposite directions (flows as counterflows) at distances on both sides of the C-shaped parting strips 16a and 16b. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体ウェーハの製造工程(プラズマによるドライエッチング、ビア開孔、クリーニング、CVDによるビア内面被覆等)、更に、液晶(LCD)、Electro−Luminescence(EL)、太陽電池などの製造工程における発生熱除去技術に関し、特に、載置したウェーハ等の被処理体を均一に冷却することができるサセプタ乃至はサセプタ冷却システムに関する。   The present invention is a semiconductor wafer manufacturing process (plasma dry etching, via opening, cleaning, via inner surface coating by CVD, etc.), and further in a manufacturing process of liquid crystal (LCD), Electro-Luminescence (EL), solar cell, etc. In particular, the present invention relates to a susceptor or a susceptor cooling system capable of uniformly cooling a target object such as a mounted wafer.

半導体ウェーハのエッチング処理(ドライエッチング処理、化学気相成長による皮膜形成、或いは、ウェーハ表面のプラズマクリーニング等)を行う装置において、被処理体であるウェーハを支持するサセプタは、本来の機能として、静電チャック機能と、下部電極としての機能を有している。   In an apparatus for performing an etching process on a semiconductor wafer (dry etching process, film formation by chemical vapor deposition, plasma cleaning of the wafer surface, etc.), the susceptor that supports the wafer that is the object to be processed has a static function as an original function. It has an electric chuck function and a function as a lower electrode.

更に、サセプタは、上記のような機能のほか、冷却機能をも有していることが必要となり、しかも、単にウェーハを冷却できるというだけでなく、表面温度が均一となるように冷却できることが必要となる。エッチング処理が行われる場合、サセプタの上方に設置されたプラズマ発生源と、サセプタ上面に配置された下部電極との間にプラズマが発生し、サセプタ上に保持されたウェーハ表面にイオン等が激突することによって、ウェーハ表面は加熱されることになるが、製品の歩留まりを向上させるためには、表面温度が均一となるように冷却しなければならないからである。   Furthermore, the susceptor needs to have a cooling function in addition to the functions described above, and not only can the wafer be simply cooled, but also must be cooled so that the surface temperature is uniform. It becomes. When etching is performed, plasma is generated between a plasma generation source disposed above the susceptor and a lower electrode disposed on the susceptor upper surface, and ions and the like collide with the wafer surface held on the susceptor. This is because the surface of the wafer is heated, but in order to improve the yield of the product, it must be cooled so that the surface temperature becomes uniform.

このため、従来のサセプタにおいては、ウェーハ表面における温度がなるべく均一となるように、冷媒流路の構造について各種の工夫がなされている(例えば、特開平7−245297号公報、特開2002−343854号公報等)。   For this reason, in the conventional susceptor, various contrivances have been made for the structure of the coolant channel so that the temperature on the wafer surface is as uniform as possible (for example, JP-A-7-245297 and JP-A-2002-343854). Issue gazette).

特開平7−245297号公報Japanese Patent Laid-Open No. 7-245297 特開2002−343854号公報JP 2002-343854 A

しかしながら、従来のサセプタにおいては、サセプタの軸を中心とする周回方向について生じる冷媒の温度差を解消することができず、このため、ウェーハ表面を均一に冷却しようとするうえで、一定の限界があった。   However, in the conventional susceptor, the temperature difference of the refrigerant that occurs in the circumferential direction around the axis of the susceptor cannot be eliminated. Therefore, there is a certain limit in trying to cool the wafer surface uniformly. there were.

本発明は、かかる従来技術の問題を解決すべくなされたものであって、冷媒流路内の流下する冷媒における温度差を解消し、その結果、ウェーハ表面を均一に冷却することができるサセプタ乃至はサセプタ冷却システムを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve such a problem of the prior art, eliminates the temperature difference in the refrigerant flowing down in the refrigerant flow path, and as a result, can uniformly cool the wafer surface. Aims to provide a susceptor cooling system.

本発明に係るサセプタは、内部に形成された環状の中空部分が、C字状の仕切板によって仕切られ、これによって、内部に複数の環状路からなる冷媒流路が形成され、それらの複数の環状路のうち、隣接する二つの環状路を流下する冷媒が、C字状の仕切板を隔てて互いに反対方向へ流れていく(対向流として流れていく)ように構成されていることを特徴としている。この場合、仕切板を介して熱交換が行われることになるため、支持軸を中心とする周回方向における冷媒の温度差が解消され、その結果、サセプタ乃至は被処理体(ウェーハ等)の均一な冷却を図ることができる。   In the susceptor according to the present invention, an annular hollow portion formed inside is partitioned by a C-shaped partition plate, whereby a refrigerant flow path including a plurality of annular paths is formed inside, and the plurality of those Among the annular passages, the refrigerant flowing down two adjacent annular passages is configured to flow in opposite directions to each other across the C-shaped partition plate (flow as an opposing flow). It is said. In this case, since heat exchange is performed through the partition plate, the temperature difference of the refrigerant in the circumferential direction around the support shaft is eliminated, and as a result, the susceptor or the object to be processed (wafer or the like) is uniform. Cooling can be achieved.

尚、C字状の仕切板は、二枚以上配置され、それらが、サセプタの軸線を中心とする仮想円の同心円上に配置されていることが好ましく、また、複数の環状路には、伝熱面積を増大させるための伝熱フィンがそれぞれ配置されていることが好ましい。   Two or more C-shaped partition plates are arranged, and they are preferably arranged on a concentric circle of an imaginary circle centered on the axis of the susceptor. It is preferable that heat transfer fins for increasing the heat area are respectively disposed.

また、本発明に係るサセプタは、冷媒流路に、気液混相の冷凍機冷媒が直接供給されるように構成されていることが好ましい。この場合、冷媒流路内に供給される冷凍機冷媒としては、HFC系の冷凍機冷媒、炭化水素冷凍機冷媒、二酸化炭素、或いは、アンモニアを使用することが好ましい。また、冷媒流路内において、冷凍サイクルの蒸発過程である「液相冷媒の蒸発」が行われるように構成し、サセプタを蒸発器として機能するように構成することが好ましい。   Moreover, it is preferable that the susceptor according to the present invention is configured such that a gas-liquid mixed phase refrigerator refrigerant is directly supplied to the refrigerant flow path. In this case, it is preferable to use HFC type refrigerator refrigerant, hydrocarbon refrigerator refrigerant, carbon dioxide, or ammonia as the refrigerator refrigerant supplied into the refrigerant flow path. Further, it is preferable that “refrigeration of the liquid phase refrigerant” that is an evaporation process of the refrigeration cycle is performed in the refrigerant flow path, and the susceptor functions as an evaporator.

サセプタ内部の中空部分をC字状の仕切板によって仕切り、これによって複数の環状路からなる冷媒流路を形成し、これら複数の環状路のうち、隣接する二つの環状路を流下する冷媒が、C字状の仕切板を隔てて互いに反対方向へ流れていく(対向流として流れていく)ように構成した場合、仕切板を介して熱交換が行われることになるため、支持軸を中心とする周回方向における冷媒の温度差が解消され、その結果、サセプタ乃至は被処理体の均一な冷却を図ることができる。   A hollow portion inside the susceptor is partitioned by a C-shaped partition plate, thereby forming a refrigerant flow path composed of a plurality of annular paths, and among the plurality of annular paths, the refrigerant flowing down two adjacent annular paths, When configured to flow in opposite directions (flowing as counterflows) across the C-shaped partition plate, heat exchange is performed through the partition plate, so the support shaft is the center. The temperature difference of the refrigerant in the circulating direction is eliminated, and as a result, the susceptor or the object to be processed can be uniformly cooled.

以下、添付図面を参照しながら、本発明「サセプタ」を実施するための最良の形態について説明する。   The best mode for carrying out the “susceptor” of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明「サセプタ2」を適用したサセプタ冷却システム1の第1の実施形態の概略図である。このサセプタ冷却システム1は、サセプタ2と、このサセプタ2内に形成された冷媒流路3と、この冷媒流路3に冷媒を供給する冷媒供給装置4とによって構成されている。尚、このサセプタ冷却システム1は、直接冷却方式を採用しており、冷凍機冷媒(R410A、R407C等のHFC系の冷凍機冷媒、ブタンなどの炭化水素冷凍機冷媒、二酸化炭素、或いは、アンモニアなど)が、冷媒供給装置4から冷媒流路3へ直接供給されるようになっている。   FIG. 1 is a schematic view of a first embodiment of a susceptor cooling system 1 to which the present invention “susceptor 2” is applied. The susceptor cooling system 1 includes a susceptor 2, a refrigerant flow path 3 formed in the susceptor 2, and a refrigerant supply device 4 that supplies a refrigerant to the refrigerant flow path 3. The susceptor cooling system 1 adopts a direct cooling system, such as a refrigerator refrigerant (HFC type refrigerator refrigerant such as R410A and R407C, hydrocarbon refrigerant refrigerant such as butane, carbon dioxide, ammonia, etc. ) Is directly supplied from the refrigerant supply device 4 to the refrigerant flow path 3.

サセプタ2の冷媒流路3は、冷媒供給管9、及び、冷媒排出管10を介して冷媒供給装置4と接続されており、冷媒供給装置4から供給される冷媒は、冷媒供給管9を通って冷媒流路3内に流入し、冷媒流路3内を流下しながら、沸騰伝熱(蒸発熱伝達)によってウェーハ11の熱を吸収(冷却)し、その後、冷媒流路3から排出されて、冷媒排出管10を通って再び冷媒供給装置4へと戻り、循環するようになっている。   The refrigerant flow path 3 of the susceptor 2 is connected to the refrigerant supply device 4 via the refrigerant supply pipe 9 and the refrigerant discharge pipe 10, and the refrigerant supplied from the refrigerant supply device 4 passes through the refrigerant supply pipe 9. Then, while flowing into the refrigerant flow path 3 and flowing down in the refrigerant flow path 3, the heat of the wafer 11 is absorbed (cooled) by boiling heat transfer (evaporation heat transfer), and then discharged from the refrigerant flow path 3. Then, the refrigerant returns to the refrigerant supply device 4 through the refrigerant discharge pipe 10 and circulates.

冷媒供給装置4は、冷凍サイクルを成す基本的要素である圧縮機5、凝縮器6、膨張弁7、及び、ホットガスバイパス8によって構成されている。尚、冷凍サイクルを構成するには、これらの要素のほかに蒸発器が必要となるが、このサセプタ冷却システム1においては、蒸発器は冷媒供給装置4内には設けられておらず、後述するように、サセプタ2が蒸発器として機能するようになっている。   The refrigerant supply device 4 includes a compressor 5, a condenser 6, an expansion valve 7, and a hot gas bypass 8 that are basic elements constituting a refrigeration cycle. In addition, in order to construct a refrigeration cycle, an evaporator is required in addition to these elements. In this susceptor cooling system 1, the evaporator is not provided in the refrigerant supply device 4, and will be described later. Thus, the susceptor 2 functions as an evaporator.

ここで、サセプタ2及び冷媒流路3の構造について詳細に説明する。図2は、図1に示したサセプタ2の水平断面の拡大図であり、図3は、垂直断面の拡大図である。   Here, the structure of the susceptor 2 and the refrigerant flow path 3 will be described in detail. FIG. 2 is an enlarged view of a horizontal section of the susceptor 2 shown in FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view of a vertical section.

サセプタ2は、アルミニウム合金などの材料を加工することによって成形されており、図2及び図3に示されているように、円柱状の外観を呈するとともに、内側に環状の中空部分を有している。   The susceptor 2 is formed by processing a material such as an aluminum alloy. As shown in FIGS. 2 and 3, the susceptor 2 has a cylindrical appearance and has an annular hollow portion inside. Yes.

尚、このサセプタ2の上面には、図3に示されているように、ウェーハ11とほぼ同じ大きさに成形された電極シート13が取り付けられている。この電極シート13は、ポリイミド樹脂フィルムに銅箔などの導電膜を接着した構造となっており、下部電極として機能するほか、ウェーハ11を吸着保持する機能(静電チャック機能)を有している。   Note that, as shown in FIG. 3, an electrode sheet 13 formed to have substantially the same size as the wafer 11 is attached to the upper surface of the susceptor 2. The electrode sheet 13 has a structure in which a conductive film such as a copper foil is bonded to a polyimide resin film, and functions as a lower electrode and has a function of holding the wafer 11 by suction (electrostatic chuck function). .

サセプタ2の中心部には、ガス供給路14が形成されている。このガス供給路14を介して、電極シート13の上方へヘリウムガスが供給され、ウェーハ11と電極シート13との間にガス層15が形成されるようになっており、これにより、電極シート13とウェーハ11との間における接触熱抵抗が低減されるようになっている。   A gas supply path 14 is formed at the center of the susceptor 2. Helium gas is supplied to the upper side of the electrode sheet 13 through the gas supply path 14, and a gas layer 15 is formed between the wafer 11 and the electrode sheet 13. The contact thermal resistance between the wafer 11 and the wafer 11 is reduced.

サセプタ2の内側に形成されている環状の中空部分は、サセプタ2の軸線を中心とする仮想円上、及び、その同心円上に配置された二枚のC字状の仕切板16(内側仕切板16a、外側仕切板16b)、及び、半径方向に延出する直状の仕切板17によって仕切られ、これらにより、サセプタ2の内部には、三つの環状路(内側環状路18a、中間環状路18b、外側環状路18c)からなる冷媒流路3が形成されている。   An annular hollow portion formed inside the susceptor 2 is formed on a virtual circle centered on the axis of the susceptor 2 and two C-shaped partition plates 16 (inner partition plates) arranged on the concentric circles. 16a, the outer partition plate 16b), and the linear partition plate 17 extending in the radial direction, and thereby, three annular passages (an inner annular passage 18a and an intermediate annular passage 18b) are formed inside the susceptor 2. The refrigerant flow path 3 consisting of the outer annular path 18c) is formed.

三つの仕切板のうち、直状の仕切板17は、サセプタ2の中心側内壁19から外周側内壁20まで達し、更に、床面から天井面まで密に閉塞するように取り付けられており、内部に導入された冷媒が、この直状の仕切板17を越えて周回方向へ流下することを阻止できるような構造となっている。   Of the three partition plates, the straight partition plate 17 extends from the center side inner wall 19 to the outer peripheral side inner wall 20 of the susceptor 2 and is attached so as to close tightly from the floor surface to the ceiling surface. Thus, the refrigerant introduced into is prevented from flowing over the straight partition plate 17 in the circumferential direction.

尚、図2において、27はサセプタ2の支持軸、21は、図1に示した冷媒供給管9に接続された冷媒流入口、また、22は、冷媒排出管10に接続された冷媒排出口である。冷媒流入口21は、中心側内壁19と直状の仕切板17との接続部分に近い位置に開口しており、一方、冷媒排出口22は、外周側内壁20と直状の仕切板17との接続部分に近い位置であって、直状の仕切板17を挟んで、冷媒流入口21とは反対側の位置に配置されている。   In FIG. 2, 27 is a support shaft of the susceptor 2, 21 is a refrigerant inlet connected to the refrigerant supply pipe 9 shown in FIG. 1, and 22 is a refrigerant outlet connected to the refrigerant discharge pipe 10. It is. The refrigerant inflow port 21 opens at a position close to the connecting portion between the center side inner wall 19 and the straight partition plate 17, while the refrigerant discharge port 22 is connected to the outer peripheral side inner wall 20 and the straight partition plate 17. It is a position close to the connecting portion of the refrigerant, and is disposed at a position opposite to the refrigerant inlet 21 with the straight partition plate 17 interposed therebetween.

二枚のC字状の仕切板のうち、内側仕切板16aは、冷媒流入口21に近い方の端部23aが直状の仕切板17に接続され、反対側の端部23bは、解放された状態となっている。一方、外側仕切板16bは、冷媒排出口22に近い方の端部24aが直状の仕切板17に接続され、反対側の端部24bは、解放された状態となっている。   Of the two C-shaped partition plates, the inner partition plate 16a has an end portion 23a closer to the refrigerant inlet 21 connected to the straight partition plate 17 and an opposite end portion 23b released. It is in the state. On the other hand, the outer partition plate 16b has an end portion 24a closer to the refrigerant discharge port 22 connected to the straight partition plate 17, and the opposite end portion 24b is in a released state.

従って、中心側内壁19と内側仕切板16aとの間に形成された内側環状路18aと、内側仕切板16aと外側仕切板16bとの間に形成された中間環状路18bとは、連絡部25(内側仕切板16aの解放された端部23bと直状の仕切板17との間に形成されたスペース)において連通し、外側仕切板16bと外周側内壁20との間に形成された外側環状路18cと、中間環状路18bとは、連絡部26(外側仕切板16bの解放された端部24bと直状の仕切板17との間に形成されたスペース)において連通した状態となっている。   Therefore, the inner annular path 18a formed between the center side inner wall 19 and the inner partition plate 16a and the intermediate annular path 18b formed between the inner partition plate 16a and the outer partition plate 16b are connected to each other. An outer ring formed between the outer partition plate 16b and the outer peripheral side inner wall 20 is communicated in (a space formed between the released end portion 23b of the inner partition plate 16a and the straight partition plate 17). The path 18c and the intermediate annular path 18b are in communication with each other in the connecting portion 26 (a space formed between the open end 24b of the outer partition plate 16b and the straight partition plate 17). .

尚、図2及び図3に示されているように、冷媒流路3を構成する内側環状路18a、中間環状路18b、及び、外側環状路18cには、伝熱フィン28が、各環状路につきそれぞれ二枚ずつ、同心円上に配置されている。これらの伝熱フィン28は、冷媒との接触面積(伝熱面積)を増加させることによって伝熱効率を向上させるためのものであり、それらの上端はいずれも冷媒流路3の天井面に接し、下端は冷媒流路3の床面に接するように設置されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, heat transfer fins 28 are provided in the inner annular passage 18 a, the intermediate annular passage 18 b, and the outer annular passage 18 c constituting the refrigerant passage 3. Two of each are arranged on a concentric circle. These heat transfer fins 28 are for improving the heat transfer efficiency by increasing the contact area (heat transfer area) with the refrigerant, and their upper ends are all in contact with the ceiling surface of the refrigerant flow path 3. The lower end is installed in contact with the floor surface of the refrigerant flow path 3.

次に、図1、図2、及び、図3を用いて、本発明に係るサセプタ2の作用について説明する。図1に示したサセプタ冷却システム1においては、前述したように、冷媒は、冷媒供給管9(図1参照)を介して、冷媒供給装置4からサセプタ2の冷媒流路3へと供給されるようになっている。   Next, the operation of the susceptor 2 according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 3. In the susceptor cooling system 1 shown in FIG. 1, as described above, the refrigerant is supplied from the refrigerant supply device 4 to the refrigerant flow path 3 of the susceptor 2 through the refrigerant supply pipe 9 (see FIG. 1). It is like that.

冷媒流路3へ供給された冷媒は、まず冷媒流入口21(図2参照)より内側環状路18aに流入する。冷媒流入口21の周囲においては、直状の仕切板17の端部が中心側内壁19に接続されるとともに、C字状の内側仕切板16aの端部23aが直状の仕切板17に接続されているため、三方が閉塞された状態となっている。従って、内側環状路18aに流入した冷媒は、中心側内壁19と内側仕切板16aとの間のスペースを、サセプタ2の支持軸27を中心とする周回方向(図2において左回り方向)へ進行していくことになる。   The refrigerant supplied to the refrigerant flow path 3 first flows into the inner annular path 18a from the refrigerant inlet 21 (see FIG. 2). Around the refrigerant inlet 21, the end of the straight partition plate 17 is connected to the center inner wall 19, and the end 23 a of the C-shaped inner partition plate 16 a is connected to the straight partition plate 17. Therefore, the three sides are closed. Therefore, the refrigerant that has flowed into the inner annular passage 18a travels in the circumferential direction (the counterclockwise direction in FIG. 2) around the support shaft 27 of the susceptor 2 through the space between the central inner wall 19 and the inner partition plate 16a. Will do.

そして、サセプタ2の中心側内壁19の周囲をほぼ一周し、内側仕切板16aの端部23bにまで達した冷媒は、直状の仕切板17によって周回方向への進行を阻まれ、連絡部25から中間環状路18bに流入する。   Then, the refrigerant that has made a full circle around the inner wall 19 on the center side of the susceptor 2 and has reached the end 23b of the inner partition plate 16a is prevented from traveling in the circumferential direction by the straight partition plate 17, and thus the communication portion 25. To the intermediate annular path 18b.

中間環状路18bに流入した冷媒は、内側仕切板16aの端部23bを転回点として転回(反転)する状態となり、内側仕切板16aと外側仕切板16bとの間のスペースを、今度は、逆回り方向(サセプタ2の支持軸27を中心とする周回方向であって、内側環状路18aにおける周回方向とは反対の方向)(図2において右回り方向)へ進行していくことになる。   The refrigerant flowing into the intermediate annular path 18b turns (inverts) with the end 23b of the inner partition plate 16a as a turning point, and this time, the space between the inner partition plate 16a and the outer partition plate 16b is reversed. It proceeds in the direction of rotation (the direction of rotation around the support shaft 27 of the susceptor 2 and opposite to the direction of rotation of the inner annular path 18a) (clockwise direction in FIG. 2).

そこからほぼ一周し、外側仕切板16bの端部24bにまで達した冷媒は、直状の仕切板17によって再び進行を阻まれ、連絡部26から外側環状路18cに流入する。   The refrigerant that has made one round from there and reaches the end 24b of the outer partition plate 16b is prevented from advancing again by the straight partition plate 17 and flows into the outer annular path 18c from the connecting portion 26.

外側環状路18cに流入した冷媒は、外側仕切板16bの端部24bを転回点として再び反転し、外側仕切板16bと外周側内壁20との間のスペースを、再び逆回り方向(サセプタ2の支持軸27を中心とする周回方向であって、中間環状路18bにおける周回方向とは反対の方向)(図2において左回り方向)へ進行していくことになる。   The refrigerant flowing into the outer annular path 18c is reversed again with the end 24b of the outer partition plate 16b as a turning point, and the space between the outer partition plate 16b and the outer peripheral side inner wall 20 is again rotated in the reverse direction (of the susceptor 2). The traveling direction is the circumferential direction around the support shaft 27 and is the direction opposite to the circumferential direction in the intermediate annular path 18b) (the counterclockwise direction in FIG. 2).

そこからほぼ一周した冷媒は、直状の仕切板17によって再び進行を阻まれ、直状仕切板17と外側仕切板16bの端部24aとの接続部付近に開口する冷媒排出口22から排出され、冷媒排出管10(図1参照)を介して、冷媒供給装置4へと戻されることになる。   The refrigerant that has made one round from there is prevented from advancing again by the straight partition plate 17, and is discharged from the refrigerant discharge port 22 that opens near the connection portion between the straight partition plate 17 and the end 24a of the outer partition plate 16b. Then, the refrigerant is returned to the refrigerant supply device 4 through the refrigerant discharge pipe 10 (see FIG. 1).

このように、本実施形態においては、冷媒流路3内に導入された冷媒は、内側環状路18a、中間環状路18b、及び、外側環状路18cを順次流下して冷媒流路3から排出されることになる。そして、内側環状路18aから中間環状路18bに流入した冷媒は、内側環状路18aにおける周回方向とは逆回り方向へ進行し、また、中間環状路18bから外側環状路18cに流入した冷媒は、更に逆回り方向へ進行していくようになっている。   As described above, in the present embodiment, the refrigerant introduced into the refrigerant flow path 3 sequentially flows down the inner annular path 18a, the intermediate annular path 18b, and the outer annular path 18c and is discharged from the refrigerant flow path 3. Will be. The refrigerant that has flowed into the intermediate annular path 18b from the inner annular path 18a travels in a direction opposite to the circumferential direction in the inner annular path 18a, and the refrigerant that has flowed into the outer annular path 18c from the intermediate annular path 18b is Furthermore, it proceeds in the reverse direction.

つまり、内側環状路18aを流下する冷媒と、これに隣接する中間環状路18bを流下する冷媒とは、薄い内側仕切板16a(厚さ1mm程度)を隔てて反対方向に流れていく(対向流として流れていく)ことになり、同様に、中間環状路18bを流下する冷媒と、これに隣接する外側環状路18cを流下する冷媒とは、薄い外側仕切板16b(厚さ1mm程度)を隔てて対向流として流れていくこととなる。このように「対向流」として流下する冷媒の間では、内側仕切板16a及び外側仕切板16bを介して熱交換が行われることになるため、支持軸27を中心とする周回方向における冷媒の温度差が解消され、その結果、サセプタ2乃至はウェーハ11の均一な冷却を図ることができる。   That is, the refrigerant flowing down the inner annular path 18a and the refrigerant flowing down the adjacent intermediate annular path 18b flow in opposite directions with a thin inner partition plate 16a (about 1 mm thick) (opposite flow). Similarly, the refrigerant flowing down the intermediate annular path 18b and the refrigerant flowing down the outer annular path 18c adjacent thereto are separated by a thin outer partition plate 16b (about 1 mm thick). Will flow as a counterflow. In this way, heat exchange is performed between the refrigerant flowing down as the “opposite flow” via the inner partition plate 16a and the outer partition plate 16b, and therefore, the temperature of the refrigerant in the circulation direction around the support shaft 27 The difference is eliminated, and as a result, the susceptor 2 or the wafer 11 can be uniformly cooled.

また、サセプタ2内に導入された冷媒が、このようにして冷媒流路3内を流下していく際、ウェーハ11(図3参照)表面の入熱が、ガス層15、電極シート13、及び、サセプタ2の上部を経て、伝熱面(サセプタ2の天井面、内側仕切板16a、外側仕切板16b、伝熱フィン28、及び、サセプタ2の床面)から冷媒に伝わっていくことになる。   Further, when the refrigerant introduced into the susceptor 2 flows down in the refrigerant flow path 3 in this way, the heat input on the surface of the wafer 11 (see FIG. 3) is changed to the gas layer 15, the electrode sheet 13, and Through the upper part of the susceptor 2, the heat is transferred from the heat transfer surface (the ceiling surface of the susceptor 2, the inner partition plate 16a, the outer partition plate 16b, the heat transfer fins 28, and the floor surface of the susceptor 2) to the refrigerant. .

このとき、気液混相状態の冷媒のうち、液相の冷媒は、伝熱量に応じて沸騰、蒸発することになり、ウェーハ11から伝導された熱を潜熱として吸収することになる。そして、当初は気液混相状態にて冷媒流路3内に導入された冷媒は、冷媒流路3内を流下する間に液相冷媒がすべて蒸発し、最終的には、気相状態にて冷媒排出口22から排出される。   At this time, the liquid-phase refrigerant out of the gas-liquid mixed-phase refrigerant boils and evaporates according to the amount of heat transfer, and absorbs heat conducted from the wafer 11 as latent heat. The refrigerant introduced into the refrigerant flow path 3 in the gas-liquid mixed phase initially evaporates all of the liquid phase refrigerant while flowing down in the refrigerant flow path 3. It is discharged from the refrigerant discharge port 22.

このように、冷媒流路3内においては、冷凍サイクルの蒸発過程である「液相冷媒の蒸発」が行われる。つまり、このサセプタ冷却システム1においては、サセプタ2は、蒸発器として機能することになる。従って、沸騰伝熱を利用してサセプタ2乃至はウェーハ11を直接冷却することができるので、二段冷却方式による従来のサセプタ冷却システムと比べ、冷却効率を飛躍的に向上させることができる。   Thus, in the refrigerant flow path 3, “liquid phase refrigerant evaporation”, which is the evaporation process of the refrigeration cycle, is performed. That is, in this susceptor cooling system 1, the susceptor 2 functions as an evaporator. Accordingly, since the susceptor 2 or the wafer 11 can be directly cooled using boiling heat transfer, the cooling efficiency can be dramatically improved as compared with the conventional susceptor cooling system based on the two-stage cooling method.

尚、本実施形態においては、上述したようにサセプタ2が「蒸発器」を兼ねているため、「独立した装置としての蒸発器」は、このサセプタ冷却システム1には含まれていない。但し、サセプタ2における冷却温度の均一性を優先させるため、「独立した装置としての蒸発器」(サセプタ2を「第1の蒸発器」と考えた場合においては「第2の蒸発器」)を、このサセプタ冷却システム1に付加することもできる。   In this embodiment, since the susceptor 2 also serves as an “evaporator” as described above, the “evaporator as an independent device” is not included in the susceptor cooling system 1. However, in order to give priority to the uniformity of the cooling temperature in the susceptor 2, an “evaporator as an independent device” (in the case where the susceptor 2 is considered as a “first evaporator”) is used. The susceptor cooling system 1 can also be added.

このような第2の蒸発器を別個に設けた場合、サセプタ2内の気相冷媒が過熱されることにより、サセプタ2の温度が部分的に上昇して、冷却温度の均一性が損なわれる、という問題を回避することができる。   When such a second evaporator is provided separately, the vapor phase refrigerant in the susceptor 2 is overheated, so that the temperature of the susceptor 2 partially rises and the uniformity of the cooling temperature is impaired. Can be avoided.

より具体的に説明すると、気液混相状態で導入した冷媒を冷媒流路3内において完全に気化させると、その完全気化の時点からサセプタ2外へ排出されるまでの間においては、冷媒(気相状態)は、ウェーハ11からの伝熱を潜熱として吸収することができず、伝熱量に応じて過熱されることになり、サセプタ2の温度がその部分だけ上昇してしまう可能性がある。   More specifically, when the refrigerant introduced in the gas-liquid mixed phase state is completely vaporized in the refrigerant flow path 3, the refrigerant (vapor) is not discharged from the time of the complete vaporization until it is discharged out of the susceptor 2. In the (phase state), heat transfer from the wafer 11 cannot be absorbed as latent heat, and is heated according to the amount of heat transfer, and the temperature of the susceptor 2 may rise only by that portion.

このような問題を回避するためには、冷媒排出口22の直前で冷媒が完全に気化するように、気相冷媒と液相冷媒の割合を調節して冷媒流路3へ冷媒を導入することが必要となるが、正確なコントロールが要求されるほか、負荷の大きさ等、様々なコンディションの変化に左右されてしまう可能性があるため、そのような微妙な調節を行うことは極めて困難である。   In order to avoid such a problem, the refrigerant is introduced into the refrigerant flow path 3 by adjusting the ratio of the gas-phase refrigerant and the liquid-phase refrigerant so that the refrigerant is completely vaporized immediately before the refrigerant discharge port 22. However, in addition to requiring precise control, it may be affected by changes in various conditions such as the size of the load, so it is extremely difficult to make such subtle adjustments. is there.

一方、第2の蒸発器を別個に用意し、サセプタ2の下流側に設けた場合には、冷媒流路3内で冷媒を完全気化させるのではなく、冷媒流路3から排出させた後に、冷媒を完全気化させることができる。つまり、冷媒中に液相冷媒が僅かに残存した状態で、冷媒が冷媒流路3から排出されるように、気相冷媒と液相冷媒の導入割合を調節することができ(この場合、ある程度の変動を許容することができるので、調節に際して、正確なコントロールは要求されない。)、その結果、上記のような問題を好適に回避し、サセプタ2における冷却温度の均一化を図ることができる。   On the other hand, when the second evaporator is prepared separately and provided on the downstream side of the susceptor 2, the refrigerant is not completely vaporized in the refrigerant flow path 3, but is discharged from the refrigerant flow path 3. The refrigerant can be completely vaporized. That is, the introduction ratio of the gas-phase refrigerant and the liquid-phase refrigerant can be adjusted so that the refrigerant is discharged from the refrigerant flow path 3 while the liquid-phase refrigerant remains slightly in the refrigerant (in this case, to some extent) As a result, it is possible to avoid the above-mentioned problems and to make the cooling temperature uniform in the susceptor 2.

また、冷媒供給装置4から供給される際、冷媒は、膨張弁7(図1参照)を通過することによって、減圧処理(絞り膨張)され、湿り気を帯びた蒸気の状態で冷媒流路3内に導入される。また、場合によっては、この冷凍機冷媒は、膨張弁7の通過後において、ホットガスバイパス8を介して送出された冷媒ホットガス(圧縮機5によって圧縮された高温・高圧ガス)が混入されたうえで冷媒流路3内に導入される。   In addition, when being supplied from the refrigerant supply device 4, the refrigerant passes through the expansion valve 7 (see FIG. 1) and is decompressed (squeezed and expanded), and in the state of the refrigerant flow path 3 in the state of wet steam. To be introduced. In some cases, the refrigerator refrigerant is mixed with refrigerant hot gas (high temperature / high pressure gas compressed by the compressor 5) sent through the hot gas bypass 8 after passing through the expansion valve 7. Then, it is introduced into the refrigerant flow path 3.

このように、本実施形態においては、冷凍機冷媒が湿り気を帯びた蒸気の状態で、或いは、冷媒ホットガスが混入された状態で冷媒流路内に導入されるようになっており、これにより、冷凍機冷媒を、「環状流」という流動形態で流下するような気液混相状態に調整することができ、好ましくない流動形態(「チャーン流」や「スラグ流」といった、冷媒流路に振動を生じさせるような流動形態)にて冷媒が流下することを好適に回避することができる。   As described above, in the present embodiment, the refrigerator refrigerant is introduced into the refrigerant flow path in a wet steam state or in a state in which the refrigerant hot gas is mixed. , Refrigerator refrigerant can be adjusted to a gas-liquid mixed phase state that flows down in a flow form of “annular flow”, and an unfavorable flow form (such as “Churn flow” or “slag flow” vibrates in the refrigerant flow path. It is possible to preferably avoid the refrigerant from flowing down in a flow form that causes

次に、本発明「サセプタ2」について、本発明の発明者らが行った実験の結果を説明する。   Next, the results of experiments conducted by the inventors of the present invention on the “susceptor 2” of the present invention will be described.

まず、冷媒流路3の構造を工夫することによって、冷媒の温度差を解消し、サセプタ2乃至はウェーハ表面を均一に冷却することができるかどうか、という点について、実験による検証を試みた。   First, an attempt was made to verify by experiments whether or not the temperature difference of the refrigerant can be eliminated by devising the structure of the refrigerant flow path 3 and the susceptor 2 or the wafer surface can be cooled uniformly.

この実験は、本発明の実施例として、内側に形成されている中空部分が、一枚又は二枚のC字状の仕切板16(16a,16b)によって仕切られることにより、二つ乃至は三つの環状路からなる冷媒流路3が形成されたサセプタ2を有するサセプタ冷却システムのモデルを2機種(タイプA、タイプB)用意し、更に、比較例として、内側に形成されている中空部分が、一枚のC字状の仕切板16によって仕切られることにより、二つの環状路からなる冷媒流路3が形成されたサセプタ2を有するモデルを1機種(タイプX)用意し、これらのサセプタ2内の冷媒流路3へ、気液混相の冷媒(冷凍機冷媒)をそれぞれ供給することによって行った。   In this experiment, as an embodiment of the present invention, two or three hollow portions formed inside are partitioned by one or two C-shaped partition plates 16 (16a, 16b). Two models (type A and type B) of the susceptor cooling system having the susceptor 2 in which the refrigerant flow path 3 including the two annular paths is formed are prepared. Further, as a comparative example, a hollow portion formed inside is prepared. One model (type X) having a susceptor 2 in which a refrigerant flow path 3 composed of two annular paths is formed by being partitioned by a single C-shaped partition plate 16 is prepared. It carried out by supplying the gas-liquid mixed phase refrigerant | coolant (refrigerator refrigerant | coolant) to the refrigerant | coolant flow path 3 in each.

これらのうち、タイプA(本発明)のサセプタ2は、図4に示されているように、中空部分が一枚のC字状の仕切板16によって仕切られ、二つの環状路(内側環状路18a、外側環状路18c)を有し、内側環状路18aにおける冷媒と、外側環状路18cにおける冷媒とが、互いに逆回り方向へ流下するように構成されている。   Among these, the susceptor 2 of type A (the present invention) is divided into two annular passages (inner annular passages), as shown in FIG. 18a and the outer annular path 18c), and the refrigerant in the inner annular path 18a and the refrigerant in the outer annular path 18c flow in the opposite directions.

また、タイプB(本発明)のサセプタ2は、図2に示されているように、中空部分が二枚のC字状の仕切板(内側仕切板16a、外側仕切板16b)によって仕切られ、三つの環状路(内側環状路18a、中間環状路18b、外側環状路18c)を有し、隣接する環状路における冷媒が、互いに逆回り方向へ流下するように構成されている。   In addition, as shown in FIG. 2, the type B (present invention) susceptor 2 has a hollow portion partitioned by two C-shaped partition plates (inner partition plate 16a and outer partition plate 16b). There are three annular passages (an inner annular passage 18a, an intermediate annular passage 18b, and an outer annular passage 18c), and the refrigerant in the adjacent annular passages is configured to flow in the opposite directions.

一方、タイプX(比較例)のサセプタ2は、図5に示されているように、中空部分が一枚のC字状の仕切板16によって仕切られ、二つの環状路(内側環状路18a、外側環状路18c)を有し、内側環状路18aにおける冷媒と、外側環状路18cにおける冷媒とが、同一周回方向へ流下するように構成されている。   On the other hand, in the susceptor 2 of type X (comparative example), as shown in FIG. 5, the hollow portion is partitioned by a single C-shaped partition plate 16, and two annular passages (inner annular passage 18a, The outer annular path 18c) is configured such that the refrigerant in the inner annular path 18a and the refrigerant in the outer annular path 18c flow down in the same circumferential direction.

尚、これらのモデル(タイプX、A、B)の具体的な仕様及び実験条件は、次表の通りである。   The specific specifications and experimental conditions of these models (types X, A, and B) are as shown in the following table.

Figure 2005085803
Figure 2005085803

上記のような仕様の各モデル(タイプA、タイプB、及び、タイプX)のサセプタ2の冷媒流路3内に、気液混相の冷媒(冷凍機冷媒)をそれぞれ供給し、ウェーハ表面の温度を複数箇所において測定するとともに、周方向において生じた温度差の最大値を計算した。それらの結果を次表に示す。   Gas-liquid mixed phase refrigerant (refrigerant refrigerant) is supplied into the refrigerant flow path 3 of the susceptor 2 of each model (type A, type B, and type X) having the above specifications, and the temperature of the wafer surface. Was measured at a plurality of locations, and the maximum value of the temperature difference produced in the circumferential direction was calculated. The results are shown in the following table.

Figure 2005085803
Figure 2005085803

表2に示すように、比較例として用意したタイプXのサセプタ2に気液混相冷媒(冷凍機冷媒)を供給した場合、最大で0.89℃の温度差が生じた。これに対し、内側環状路18aにおける冷媒と、外側環状路18cにおける冷媒とが、逆回り方向へ流下するように構成されているタイプAのサセプタ2においては、同一周回方向へ流下するように構成されているタイプX(比較例)のサセプタ2に対し、ウェーハ表面において生じる温度差を約30%減少させることができた。   As shown in Table 2, when a gas-liquid mixed phase refrigerant (refrigerant refrigerant) was supplied to a type X susceptor 2 prepared as a comparative example, a temperature difference of 0.89 ° C. at maximum occurred. On the other hand, in the type A susceptor 2 configured such that the refrigerant in the inner annular path 18a and the refrigerant in the outer annular path 18c flow in the reverse direction, the refrigerant flows in the same circumferential direction. As compared with the type X (comparative example) susceptor 2, the temperature difference generated on the wafer surface could be reduced by about 30%.

更に、二枚のC字状の仕切板(内側仕切板16a、外側仕切板16b)によって、三つの環状路(内側環状路18a、中間環状路18b、外側環状路18c)に仕切られてなる冷媒流路3を有するタイプBのサセプタ2においては、タイプX(比較例)のサセプタ2に対し、温度差を約65%減少させることができた。   Further, the refrigerant is divided into three annular passages (inner annular passage 18a, intermediate annular passage 18b, outer annular passage 18c) by two C-shaped partition plates (inner partition plate 16a, outer partition plate 16b). In the type B susceptor 2 having the flow path 3, the temperature difference was reduced by about 65% compared to the type X (comparative example) susceptor 2.

これらの結果から、冷媒が常に同一周回方向へ流下するように構成された冷媒流路3よりも、流下中の冷媒が、途中で反転し、逆回り方向へ流下するように構成された冷媒流路3の方が、ウェーハ表面における温度差を小さくできることが確認された。   From these results, the refrigerant flow configured such that the refrigerant flowing down is reversed halfway and flows in the reverse direction rather than the refrigerant flow path 3 configured so that the refrigerant always flows in the same circulation direction. It was confirmed that the path 3 can reduce the temperature difference on the wafer surface.

更に、二枚のC字状の仕切板によって、三つの環状路に仕切るように構成した冷媒流路3の方が、一枚のC字状の仕切板によって、二つの環状路に仕切るように構成した冷媒流路3よりも、ウェーハ表面における温度差を小さくできることが確認された。このように、冷媒流路3の構造を工夫することによって、冷媒の温度差を小さくすることができ、その結果、サセプタ2乃至はウェーハ表面を均一に冷却することができる、ということが確認された。   Furthermore, the refrigerant flow path 3 configured to be partitioned into three annular paths by two C-shaped partition plates is partitioned into two annular paths by a single C-shaped partition plate. It was confirmed that the temperature difference on the wafer surface can be made smaller than that of the configured refrigerant flow path 3. Thus, by devising the structure of the refrigerant flow path 3, it is confirmed that the temperature difference of the refrigerant can be reduced, and as a result, the susceptor 2 or the wafer surface can be cooled uniformly. It was.

本発明「サセプタ2」を適用したサセプタ冷却システム1の第1の実施形態の概略図。Schematic of 1st Embodiment of the susceptor cooling system 1 to which this invention "susceptor 2" is applied. 図1に示したサセプタ2の水平断面の拡大図。The enlarged view of the horizontal cross section of the susceptor 2 shown in FIG. 図1に示したサセプタ2の垂直断面の拡大図。The enlarged view of the vertical cross section of the susceptor 2 shown in FIG. 本発明の実施例1において使用されたタイプAのサセプタ2の水平断面の拡大図。The enlarged view of the horizontal cross section of the susceptor 2 of the type A used in Example 1 of this invention. 比較例として使用されたタイプXのサセプタ2の水平断面の拡大図。The enlarged view of the horizontal cross section of the type X susceptor 2 used as a comparative example.

符号の説明Explanation of symbols

1:サセプタ冷却システム、
2:サセプタ、
3:冷媒流路、
4:冷媒供給装置、
5:圧縮機、
6:凝縮器、
7:膨張弁、
8:ホットガスバイパス、
9:冷媒供給管、
10:冷媒排出管、
11:ウェーハ、
12:エッチング装置の処理室、
13:電極シート、
14:ガス供給路、
15:ガス層、
16:仕切板、
16a:内側仕切板、
16b:外側仕切板、
17:直状の仕切板、
18a:内側環状路、
18b:中間環状路、
18c:外側環状路、
19:中心側内壁、
20:外周側内壁、
21:冷媒流入口、
22:冷媒排出口、
23a,23b,24a,24b:仕切板の端部、
25,26:連絡部、
27:支持軸、
28:伝熱フィン、
1: Susceptor cooling system,
2: Susceptor,
3: Refrigerant flow path,
4: Refrigerant supply device,
5: Compressor,
6: Condenser,
7: expansion valve,
8: Hot gas bypass,
9: Refrigerant supply pipe,
10: refrigerant discharge pipe,
11: Wafer,
12: Processing chamber of the etching apparatus,
13: Electrode sheet,
14: Gas supply path,
15: gas layer,
16: Partition plate
16a: inner partition plate,
16b: outer partition plate,
17: Straight partition plate,
18a: inner ring,
18b: intermediate ring road,
18c: outer annulus,
19: Center side inner wall,
20: outer peripheral side inner wall,
21: refrigerant inlet,
22: Refrigerant outlet
23a, 23b, 24a, 24b: ends of partition plates,
25, 26: communication section,
27: support shaft,
28: Heat transfer fin,

Claims (3)

内部に形成された環状の中空部分が、C字状の仕切板によって仕切られ、これによって、内部に複数の環状路からなる冷媒流路が形成され、
前記複数の環状路のうち、隣接する二つの環状路を流下する冷媒が、前記C字状の仕切板を隔てて互いに反対方向へ流れていくように構成されていることを特徴とするサセプタ。
An annular hollow portion formed inside is partitioned by a C-shaped partition plate, thereby forming a refrigerant flow path comprising a plurality of annular paths inside,
The susceptor, wherein the refrigerant flowing down two adjacent annular paths among the plurality of annular paths is configured to flow in opposite directions across the C-shaped partition plate.
二枚以上のC字状の仕切板が、サセプタの軸線を中心とする仮想円の同心円上に配置されていることを特徴とする、請求項1に記載のサセプタ。   The susceptor according to claim 1, wherein two or more C-shaped partition plates are arranged on a concentric circle of an imaginary circle centered on the axis of the susceptor. 前記複数の環状路には、伝熱面積を増大させるための伝熱フィンが配置されていることを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載のサセプタ。   The susceptor according to claim 1, wherein heat transfer fins for increasing a heat transfer area are arranged in the plurality of annular passages.
JP2003312796A 2003-09-04 2003-09-04 Susceptor Pending JP2005085803A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003312796A JP2005085803A (en) 2003-09-04 2003-09-04 Susceptor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003312796A JP2005085803A (en) 2003-09-04 2003-09-04 Susceptor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005085803A true JP2005085803A (en) 2005-03-31

Family

ID=34413951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003312796A Pending JP2005085803A (en) 2003-09-04 2003-09-04 Susceptor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005085803A (en)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007116099A (en) * 2005-10-20 2007-05-10 Applied Materials Inc Method for cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor
JP2008034408A (en) * 2006-07-26 2008-02-14 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing equipment
JP2008294146A (en) * 2007-05-23 2008-12-04 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing equipment
JP2009204288A (en) * 2008-02-29 2009-09-10 Nishiyama Corp Cooling device
WO2009119285A1 (en) * 2008-03-24 2009-10-01 東京エレクトロン株式会社 Shower plate and plasma processing device using the same
JP2009272535A (en) * 2008-05-09 2009-11-19 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2010272873A (en) * 2010-05-31 2010-12-02 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2011516313A (en) * 2008-04-11 2011-05-26 ソシエテ ド テクノロジー ミシュラン Mold for vulcanizing tire, apparatus and method for adjusting temperature of mold
US7988872B2 (en) 2005-10-11 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Method of operating a capacitively coupled plasma reactor with dual temperature control loops
US8034180B2 (en) 2005-10-11 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Method of cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor
US8092638B2 (en) 2005-10-11 2012-01-10 Applied Materials Inc. Capacitively coupled plasma reactor having a cooled/heated wafer support with uniform temperature distribution
JP2012028811A (en) * 2011-10-11 2012-02-09 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing device
US8157951B2 (en) 2005-10-11 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Capacitively coupled plasma reactor having very agile wafer temperature control
US20140076515A1 (en) * 2007-09-03 2014-03-20 Tokyo Electron Limited Substrate mounting table, substrate processing apparatus and temperature control method
JP2025082655A (en) * 2023-11-17 2025-05-29 住友電気工業株式会社 Wafer holding table
WO2026009713A1 (en) * 2024-07-01 2026-01-08 東京エレクトロン株式会社 Substrate support device, substrate processing apparatus, and base

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8337660B2 (en) 2005-10-11 2012-12-25 B/E Aerospace, Inc. Capacitively coupled plasma reactor having very agile wafer temperature control
US7988872B2 (en) 2005-10-11 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Method of operating a capacitively coupled plasma reactor with dual temperature control loops
US8801893B2 (en) 2005-10-11 2014-08-12 Be Aerospace, Inc. Method of cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor
US8092638B2 (en) 2005-10-11 2012-01-10 Applied Materials Inc. Capacitively coupled plasma reactor having a cooled/heated wafer support with uniform temperature distribution
US8157951B2 (en) 2005-10-11 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Capacitively coupled plasma reactor having very agile wafer temperature control
US8034180B2 (en) 2005-10-11 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Method of cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor
US8329586B2 (en) 2005-10-20 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor using feed forward thermal control
US8221580B2 (en) 2005-10-20 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with wafer backside thermal loop, two-phase internal pedestal thermal loop and a control processor governing both loops
US8980044B2 (en) 2005-10-20 2015-03-17 Be Aerospace, Inc. Plasma reactor with a multiple zone thermal control feed forward control apparatus
US8608900B2 (en) 2005-10-20 2013-12-17 B/E Aerospace, Inc. Plasma reactor with feed forward thermal control system using a thermal model for accommodating RF power changes or wafer temperature changes
JP2007116099A (en) * 2005-10-20 2007-05-10 Applied Materials Inc Method for cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor
US8012304B2 (en) 2005-10-20 2011-09-06 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with a multiple zone thermal control feed forward control apparatus
US8021521B2 (en) 2005-10-20 2011-09-20 Applied Materials, Inc. Method for agile workpiece temperature control in a plasma reactor using a thermal model
JP2007116098A (en) * 2005-10-20 2007-05-10 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with cooled / heated wafer support with uniform temperature distribution
US8092639B2 (en) 2005-10-20 2012-01-10 Advanced Thermal Sciences Corporation Plasma reactor with feed forward thermal control system using a thermal model for accommodating RF power changes or wafer temperature changes
US8546267B2 (en) 2005-10-20 2013-10-01 B/E Aerospace, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor using multiple zone feed forward thermal control
JP2008034408A (en) * 2006-07-26 2008-02-14 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing equipment
JP2008294146A (en) * 2007-05-23 2008-12-04 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing equipment
US9368377B2 (en) 2007-05-23 2016-06-14 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus
US20140076515A1 (en) * 2007-09-03 2014-03-20 Tokyo Electron Limited Substrate mounting table, substrate processing apparatus and temperature control method
JP2009204288A (en) * 2008-02-29 2009-09-10 Nishiyama Corp Cooling device
WO2009119285A1 (en) * 2008-03-24 2009-10-01 東京エレクトロン株式会社 Shower plate and plasma processing device using the same
JPWO2009119285A1 (en) * 2008-03-24 2011-07-21 東京エレクトロン株式会社 Shower plate and plasma processing apparatus using the same
CN101981669A (en) * 2008-03-24 2011-02-23 东京毅力科创株式会社 Shower plate and plasma processing device using the same
JP2011516313A (en) * 2008-04-11 2011-05-26 ソシエテ ド テクノロジー ミシュラン Mold for vulcanizing tire, apparatus and method for adjusting temperature of mold
JP2009272535A (en) * 2008-05-09 2009-11-19 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2010272873A (en) * 2010-05-31 2010-12-02 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2012028811A (en) * 2011-10-11 2012-02-09 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing device
JP2025082655A (en) * 2023-11-17 2025-05-29 住友電気工業株式会社 Wafer holding table
WO2026009713A1 (en) * 2024-07-01 2026-01-08 東京エレクトロン株式会社 Substrate support device, substrate processing apparatus, and base

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005085803A (en) Susceptor
JP5210706B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP4564973B2 (en) Plasma processing equipment
US9070724B2 (en) Vacuum processing apparatus and plasma processing apparatus with temperature control function for wafer stage
JP4898556B2 (en) Plasma processing equipment
JP4191120B2 (en) Plasma processing equipment
JP4886876B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP4969259B2 (en) Plasma processing equipment
US9704731B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2005079539A (en) Plasma processing equipment
TW201841253A (en) Processing device for processed objects
JP5947023B2 (en) Temperature control apparatus, plasma processing apparatus, processing apparatus, and temperature control method
TW200415678A (en) Processing apparatus and method of processing apparatus maintenance
JP5416748B2 (en) Plasma processing equipment
US20140283534A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP7330017B2 (en) HEAT MEDIUM CIRCUIT SYSTEM AND HEAT MEDIUM CIRCUIT SYSTEM CONTROL METHOD
JP2005085801A (en) Susceptor-cooling system
TWI777053B (en) Cooling system
JP2005085802A (en) Susceptor-cooling system
JP2005083593A (en) Susceptor cooling system
CN223550970U (en) Heat exchange tubes, heat exchange devices, cascade units and combined cooling and heating systems
TW201942529A (en) Temperature regulation system
JP2025132889A (en) Temperature control device, plasma etching device, and semiconductor manufacturing system
CN119334188A (en) Heat exchange tube, heat exchange device, cascade unit, cooling and heating cogeneration system and control method
KR20090011775A (en) Cooling apparatus and method, and facility for treating substrate with the same