JP2004355716A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】１平方ミリメートル当たり１００メガビット以上の面記録密度を実現する磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１０上に下地層１１、１２、１３、第１の磁性層１４、第１の中間層１５、第２の磁性層１６、第２の中間層１７、第３の磁性層１８、保護層１９、潤滑層２０をこの順に形成した磁気記録媒体において、第３の磁性層１８と第２の磁性層１６は少なくともＰｔとＣｒとＢを含有するＣｏ基合金からなり、第２の磁性層１６に含有されるＰｔ濃度は第３の磁性層１８に含有されるＰｔの濃度以下であり、かつ第３の磁性層１８に含有されるＰｔが１５原子％以下であり、第３の磁性層１８に含有されるＣｒの濃度が１５原子％以上１８原子％以下であり、第３の磁性層１８に含有されるＢの濃度が７原子％以上１０原子％以下である。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大量の情報記録が可能な磁気記録媒体に係わり、特に、高密度磁気記録に好適な磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置に代表される磁気記憶装置に対する大容量化の要求が益々高まっている。これに対応するため、高感度な磁気ヘッドや、高い信号出力対雑音比（Ｓ／Ｎｄ）が得られる記録媒体の開発が求められている。
【０００３】
一般に記録媒体は、基板上に形成されたシード層と呼ばれる第１の下地層、クロム合金からなる体心立方構造の第２の下地層、磁性層、及びカーボンを主成分とする保護膜から構成される。磁性層には主にコバルトを主成分とする六方稠密構造をとる合金が用いられている。
【０００４】
Ｓ／Ｎｄを向上させるには、磁性層に（１１．０）面、もしくは（１０．０）面を基板面と略平行とした結晶配向をとらせて、磁化容易軸である六方稠密構造のｃ軸を膜面内方向に向けることが有効である。磁性層の結晶配向はシード層によって制御できることが知られており、これらの配向はタンタルまたはＢ２構造のＮｉＡｌ合金等をシード層に用いることによって得られる。また、基板表面に機械的なテクスチャ加工を施して、円周方向に磁気的な異方性を導入することによっても円周方向の磁気特性を向上できることが知られている。
【０００５】
Ｓ／Ｎｄを向上するには、磁性層の多層化や、結晶粒径の微細化、残留磁束密度（Ｂｒ）と磁性層の膜厚（ｔ）の積であるＢｒｔの低減が効果的である。すなわち、基板上に、下地層を設け、この上に組成の異なる少なくとも２層からなる磁性層を互いに接して構成した積層磁性膜をルテニウム等の非磁性層を介して多層に設けた磁気記録媒体や、基板上に下地層とその上方に形成した磁気記録層とを含み、該磁気記録層は中間層により上下に分断された多層構造を有し、前記中間層は０．２ｎｍから０．４ｎｍ及び１．０ｎｍから１７ｎｍの範囲から選択されたＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ及びそれらの合金からなる群から選択されたいずれか１つの材料で形成され、前記中間層により上下に分断された磁気記録層それぞれの磁化方向は互いに平行となる磁気記録媒体が提案されている。このような磁気記録媒体を用いることにより、熱的安定性を備えて磁気的特性を維持させつつ低ノイズ化を図った多層構造の磁気記録層を有する磁気記録媒体を実現している。
【０００６】
磁気記録層に用いる結晶粒を極度に微細化したり、Ｂｒｔの大幅な低減を行なうと、熱安定性の劣化を招くため、低ノイズ化には限界がある。近年、熱安定性と低ノイズ化を両立させる技術として、後述する反強磁性結合（ＡＦＣ）媒体が提案されている。これは、Ｒｕ中間層を介して２つの磁性層を反強磁性結合した二層構造としたものであり、単層の磁性層からなる媒体に比べて、磁性膜厚を厚く保ったままＢｒｔを低く設定することができる。このため、熱安定性を維持したまま、媒体ノイズの低減が可能となった。
【０００７】
特許文献１では、基板と該基板上の磁気記録層からなる磁気記録媒体において、磁気記録層はＡＦＣ層、強磁性層、ＡＦＣ層と強磁性層を分離する非強磁性スペーサ層からなり、ＡＦＣ層は、第１の強磁性層、第２の強磁性層、第１と第２の強磁性層間に存在し反強磁性結合する層からなり、同時にＡＦＣ層の反強磁性結合する層は第１と第２の強磁性層間に反強磁性交換結合を提供する膜厚と組成を有し、ＡＦＣ層の第２の磁性層と強磁性層間に形成する非強磁性スペーサ層はＡＦＣ層の第２の磁性層と強磁性層間で交換結合がない膜厚と組成を有する磁気記録媒体を提案している。
【０００８】
【特許文献１】
米国特許出願公開第２００２／９８３９０Ａ１号明細書（第５頁、図８）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記技術を組み合わせても、１平方ミリメートル当たり１００メガビット以上の面記録密度を実現するには不十分であり、更に再生出力を向上させ、Ｓ／Ｎｄを向上する必要がある。
【００１０】
本発明の目的は、高い媒体Ｓ／Ｎを有し、オーバーライト特性に優れ、かつ熱揺らぎに対しても十分に安定な面内磁気記録媒体を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明が解決しようとする課題は以下の構成をとる磁気記録媒体により達成される。すなわち、基板上に下地層、第１の磁性層、第１の中間層、第２の磁性層、第２の中間層、第３の磁性層、保護層、潤滑層をこの順に形成した磁気記録媒体において、第３の磁性層と第２の磁性層は少なくとも白金（Ｐｔ）とクロム（Ｃｒ）とホウ素（Ｂ）を含有するコバルト（Ｃｏ）基合金からなり、第２の磁性層に含有される白金濃度は第３の磁性層に含有される白金の濃度以下であるようにする。同時に、第３の磁性層に含有される白金が１５原子％以下であり、第３の磁性層に含有されるクロムの濃度が１５原子％以上１８原子％以下、第３の磁性層に含有されるホウ素の濃度が７原子％以上１０原子％以下であるようにする。
【００１２】
上記第１の中間層はルテニウム（Ｒｕ）を主成分とすることが好ましい。また、第２の中間層がルテニウムを主成分とし、その厚さが０．６ｎｍから１．０ｎｍであることが好ましい。
【００１３】
上記下地層は、タンタル（Ｔａ）を含有したニッケル（Ｎｉ）合金層と、Ｔａを主成分とする層と、チタン（Ｔｉ）とホウ素（Ｂ）を含有したクロム（Ｃｒ）合金層をこの順に形成したものである。
【００１４】
第１の磁性層と第２の磁性層の間に設ける第１の中間層は、Ｒｕを主成分とし、その厚さが０．５ｎｍから０．８ｎｍであれば、第１の磁性層と第２の磁性層が反磁性結合し易くなるため、熱揺らぎが生じにくくなり好ましい。第１の磁性層と第１の中間層を設けない場合に比べ、第１の磁性層と第１の中間層を設ける場合には第２の磁性層を厚くしてもＢｒｔが小さい割に大きな保磁力も得られやすくなるので好ましい。
【００１５】
第１の中間層を形成するために敢えてＣｏを含有したＲｕ合金ターゲットを用いなくても、Ｒｕと不可避な構成元素を含むスパッタターゲットを用いて１．５ｎｍ以下の厚さのＲｕを主成分とする層を設けると、その層は上下層の構成元素を含むことがある。第１の中間層は、たとえばＲｕ、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、あるいはこれらの元素を主成分とする合金等を用いることができる。
【００１６】
第１の磁性層は反磁性結合が可能な程度に薄いことが好ましい。その膜厚は磁性層の組成にも依存する。
【００１７】
第２の磁性層と第３の磁性層の間に形成する第２の中間層もＲｕを主成分とし、その厚さが０．６ｎｍから１．０ｎｍであることが好ましい。Ｒｕと不可避な構成元素を含むターゲットをスパッタして第２の中間層を形成した場合にも、その層は上下層の構成元素を含むことがある。第２の中間層を０．５ｎｍよりも薄くすると交換結合の増加によると考えられる媒体ノイズが大きくなり、Ｓ／Ｎｄが低下する。また、第２の中間層を０．６ｎｍよりも薄くすると６５°Ｃで熱減磁が生じる。一方、第２の中間層を０．６ｎｍから１ｎｍ形成した場合には６５°Ｃにおける熱減磁は許容範囲内であった。第２の中間層を０．８ｎｍから１ｎｍまで厚くするとオーバーライト特性は僅かに低下し、Ｓ／Ｎｄも向上しない。よって、第２の中間層もＲｕを主成分とし、その厚さは０．６ｎｍから１．０ｎｍ、より好ましくは０．６ｎｍから０．８ｎｍの範囲であることが好ましい。
【００１８】
第３の磁性層と第２の磁性層は少なくともＰｔとＣｒとＢを含有するＣｏ基合金からなるのは、保磁力を高めるためにＰｔが必須であり、媒体ノイズを低減するためにＣｒとＢが必須であることによる。特に添加元素のＢは結晶粒を微細化し媒体ノイズ低減に効果を発揮する。
【００１９】
第２の磁性層に含有されるＰｔ濃度が第３の磁性層に含有されるＰｔの濃度以下であるようにするのは、オーバーライト特性を確保するためである。第２の磁性層に含有されるＰｔ濃度が第３の磁性層に含有されるＰｔの濃度よりも大きくなるとオーバーライト特性が劣化するため好ましくない。
【００２０】
第３の磁性層に含有されるＰｔが１５原子％以下であるのは、これよりもＰｔ濃度が高くなるとオーバーライト特性が劣化しやすくなることによる。
【００２１】
第３の磁性層に含有されるＣｒの濃度が１５原子％以上１８原子％以下であるのは媒体ノイズの低減、すなわち高Ｓ／Ｎｄ化とオーバーライト特性を両立する範囲で決定される。第３の磁性層に含有されるＣｒの濃度が１５原子％よりも低下すると媒体ノイズが大きくなるため低Ｓ／Ｎｄとなる。一方、第３の磁性層に含有されるＣｒの濃度が１８原子％を超えると、熱揺らぎを満足するためには磁性層が厚くなり過ぎ、結果としてオーバーライト特性が劣化し、媒体ノイズが増加する。
【００２２】
第３の磁性層に含有されるＢの濃度が７原子％以上必要であるのは、磁性膜の結晶粒径の微細化が高Ｓ／Ｎｄを実現するために必須であることによる。第３の磁性層に含有されるＢの濃度が１０原子％以下であるのは、ターゲットの加工性による。１０原子％を超えて高濃度のＢを含有した合金を真空溶解後、ターゲットに加工しようとすると割れが生じやすくなりターゲットとして加工しにくかった。
【００２３】
第２の磁性層に含有されるＰｔの濃度は第３の磁性層に含有されるＰｔの濃度よりも低く、第２の磁性層に含有されるＣｒ濃度は第３の磁性層に含有されるＣｒの濃度よりも高くすると、オーバーライト特性が改善されＳ／Ｎｄが向上する。
【００２４】
第１の磁性層がＣｒを含むＣｏ基合金、あるいはＣｒとＰｔを含むＣｏ基合金であれば、下地層上で磁気的に面内配向した薄膜が形成しやすくなり好ましい。
【００２５】
下地層として、基板上に、Ｔａを含有したＮｉ合金層、Ｔａを主成分とする層、ＴｉとＢを含有したＣｒ合金層を形成する代わりに、非晶質構造をとる材料であれば同様の効果が得られるため、Ｔａを含有したＮｉ合金以外の合金材料でも特に制限はない。非晶質構造の合金からなることは、銅の特性Ｘ線を用いたＸ線回折曲線でハローパターン以外の明瞭な回折ピークを示さないこと、もしくは高分解能電子顕微鏡にて撮影した格子像から得られた平均粒径が５ｎｍ以下であることにより同定した。このような非晶質合金層上に、Ｔａを主成分とする層を形成することにより、Ｃｒを主成分とした体心立方構造をとる合金からなる下地層に（１００）配向をとらせることができる。Ｃｒ合金下地層に強い（１００）配向をとらせるには、Ｔａを主成分とする層の厚さを１〜１０ｎｍの範囲内とすることが望ましい。また、Ｔａを主成分とする層形成後、酸素雰囲気中、もしくはＡｒに酸素を添加した混合ガス雰囲気中でＴａを主成分とする層の表面を人工的に酸化させることによっても、Ｃｒ合金下地層の（１００）配向性を高めることができる。
【００２６】
ＴｉとＢを含有したＣｒ合金層上に形成した磁性層の結晶粒は微細化され、媒体ノイズが低減されるので上記課題を解決する上で好ましい。このＣｒ合金に代わり、Ｔｉ、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）から選ばれる少なくとも１つの元素を含有したＣｒ合金あるいはＣｒを主成分とした体心立方構造をとる合金を用いることも可能である。また、これらの合金層からなる（Ｃｒ−Ｍｏ）／（Ｃｒ−Ｔｉ）のような多層構造としてもよい。
【００２７】
第２の磁性層と第３の磁性層を形成する合金ターゲットの組成を同一にして磁性層を形成することもできる。
【００２８】
基板の表面にテクスチャ加工を施した基板を利用し、この基板上に下地層を介して磁性層と保護層を形成することによっても、上記目的を達成できる。基板はガラス基板、ニッケルリン（Ｎｉ−Ｐ）めっき膜をコーティングしたマグネシウム含有アルミニウム（Ａｌ−Ｍｇ）合金基板、セラミックス基板等を用いることができる。テクスチャ加工により表面に同心円状の溝が形成された基板を用いると、円周方向に測定したＢｒｔが半径方向に測定したＢｒｔよりも大きくなるので、磁性層の薄膜化が可能となり、出力分解能を高めることができる。テクスチャ加工は下地層を形成した後に行ってもよいが基板表面に直接行って洗浄乾燥後連続した薄膜形成を行なうことが好ましい。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について、図面を参照し詳細に説明する。
（実施例１）
本発明の磁気記録媒体の実施例１についてその断面構造を図１に示す。表面を化学強化したアルミノシリケートガラス基板１０をアルカリ洗浄し、乾燥させた後、真空中でアルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、スパッタ法により第１の下地層１１として厚さ３０ｎｍのニッケルに３５原子％（以下ａｔ．％と記す）タンタルを添加したＮｉ−３５ａｔ．％Ｔａ合金、第２の下地層１２として厚さ２ｎｍのＴａを主成分とする層を室温で形成した。次に、ランプヒーターにより真空中で基板の温度を約３００°Ｃになるように加熱した後、第３の下地層１３として厚さ１０ｎｍのＣｒ−１５ａｔ．％Ｔｉ−５ａｔ．％Ｂ合金を形成した。更に厚さ３ｎｍのＣｏ−１４ａｔ．％Ｃｒ−６ａｔ．％Ｐｔ合金からなる第１の磁性層１４、厚さ０．６ｎｍのＲｕからなる第１の中間層１５、コバルト（Ｃｏ）を主成分とする第２の磁性層１６、厚さ０．６ｎｍのＲｕからなる第２の中間層１７、Ｃｏを主成分とする第３の磁性層１８を順次形成し、保護層として３．２ｎｍのカーボン膜１９を形成した。
【００３０】
カーボン膜形成後、パーフルオロアルキルポリエーテルを主成分とする潤滑剤を塗布して厚さ１８ｎｍの潤滑層２０を形成した。上記多層膜の形成はインテバック（Ｉｎｔｅｖａｃ）社製の枚葉式スパッタリング装置（ＭＤＰ２５０Ｂ）を用いて行った。このスパッタリング装置のベース真空度は１．０〜１．２×１０^−５ Ｐａであり、タクトは７秒とした。第１の下地層から上部磁性層までは０．９３ＰａのＡｒガス雰囲気中で行い、カーボン保護膜はＡｒに窒素を１０％添加した混合ガス雰囲気中で形成した。
【００３１】
ここでＣｏを主成分とする第２の磁性層１６と、Ｃｏを主成分とする第３の磁性層１８には、Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ合金ターゲットを用いた。
【００３２】
第２の磁性層１６と第３の磁性層１８を形成するターゲット組成を同一として、膜厚を変えて磁気記録媒体を形成した。さらに、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑層２０を形成した。
【００３３】
これらの磁気記録媒体を、記録用の電磁誘導型磁気ヘッドと再生用のスピンバルブ型磁気ヘッドを併せ持つ複合型ヘッドと組み合わせてスピンスタンドで電磁変換特性を評価した。評価に用いたヘッドの書き込みギャップ長は１１０ｎｍであり、シールド間ギャップ長は７０ｎｍ、幾何学再生トラック幅は２３０ｎｍである。低記録密度の１Ｆ信号として１３５ｋＦＣＩ（１ｍｍ当り５．３１キロフラックスチェンジ）の信号を、高記録密度の２Ｆ信号として８１０ｋＦＣＩ（１ｍｍ当り３１．９キロフラックスチェンジ）の信号を重ね書きして１Ｆ信号の減衰比からオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）を求めた。
【００３４】
上記磁性合金ターゲットを用いて第２の磁性層と第３の磁性層の組成を同一にし、第２の磁性層と第３の磁性層の膜厚を等しくした場合、積層膜のＢｒＴが４Ｔｎｍから１０Ｔｎｍの範囲では、組成によらず、略同一曲線上をＢｒｔの増加とともにＯ／Ｗは単調に減少した。ＢｒｔとＯ／Ｗの間にはＢｒＴ＝６ＴｎｍでＯ／Ｗ＝−３５ｄＢ、Ｂｒｔ＝１０ＴｎｍでＯ／Ｗ＝−２７ｄＢの関係があった。
【００３５】
第２の磁性層と第３の磁性層の組成を同一にし、各膜厚を等しくした場合、Ｂｒｔの増加と共に熱揺らぎによる出力低下の大きさが小さくなった。本実施例に記載の媒体で測定したＢｒｔの値が８Ｔｎｍ以上あれば、出力減少率も−１．４％／桁から−１．５％／桁程度で熱揺らぎに対して十分に安定であり、信頼性上問題はないという結果を得た。６５°Ｃにおける熱減磁は、記録後１秒から１０００秒間放置し再生出力の減衰率により評価した。
【００３６】
上記３組成のターゲットをガラス基板上に直接形成し、プラズマ発光分析（ＩＣＰＳ）法により組成分析を行なった。その結果、概ねターゲット組成と薄膜の組成は一致していた。
【００３７】
第１の下地層だけを形成し、第２の下地層以降を形成しなかった試料について銅の特性Ｘ線を用いたＸ線回折曲線でハローパターン以外の明瞭な回折ピークを示さなかった。さらに、保護膜まで形成した試料についてＸ線回折曲線を測定した結果、体心立方構造をとる第３の下地層によって説明できる２００回折ピークと六方稠密充填構造をとる第２の磁性層と第３の磁性層によって説明できる１１０回折ピーク以外には明瞭な回折ピークを示さなかった。
（比較例１）
厚さ０．６ｎｍのＲｕからなる第２の中間層１７とＣｏを主成分とする第３の磁性層１８を形成しなかったことを除き、実施例１に記載の磁気記録媒体と同様にして磁気記録媒体を形成した。
【００３８】
すなわち、表面を化学強化したアルミノシリケートガラス基板１０をアルカリ洗浄し、乾燥させた後、真空中でアルゴンガスを導入し、スパッタ法により第１の下地層１１として厚さ３０ｎｍのニッケルに３５原子％（以下ａｔ．％と記す）タンタルを添加したＮｉ−３５ａｔ．％Ｔａ合金、第２の下地層１２として厚さ２ｎｍのＴａを主成分とする層を室温で形成した。次に、ランプヒーターにより真空中で基板の温度を約３００°Ｃになるように加熱した後、第３の下地層１３として厚さ１０ｎｍのＣｒ−１５ａｔ．％Ｔｉ−５ａｔ．％Ｂ合金を形成した。更に厚さ３ｎｍのＣｏ−１４ａｔ．％Ｃｒ−６ａｔ．％Ｐｔ合金からなる第１の磁性層１４、厚さ０．６ｎｍのＲｕからなる第１の中間層１５、Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ合金ターゲットを用いて第２の磁性層１６、を順次形成し、保護層として３．２ｎｍのカーボン膜１９を形成した。
【００３９】
比較例１の構成をとる媒体でＢｒｔを低下するとＳ／Ｎｄは向上し、同時に６５°Ｃにおける出力減少率は大きくなった。６５°Ｃにおける出力減少率が−１．５％／桁となるＢｒｔの下限は４Ｔｎｍであった。この媒体と同じ出力減少率が実現できる実施例１のＢｒｔ＝８Ｔｎｍの媒体とＳ／Ｎｄを比較した結果、実施例１に記載の媒体のＳ／Ｎｄは比較例１の媒体のＳ／Ｎｄに比べ約１ｄＢ改善していた。
【００４０】
さらに、前記実施例１の媒体のＳ／Ｎｄは、Ｂｒｔ＝８Ｔｎｍとした比較例１の媒体のＳ／Ｎｄに比べ２．２ｄＢ向上していた。
【００４１】
これらの結果から、比較例１に記載の二層のＡＦＣ媒体に比べ、実施例１に記載の構成をとる媒体は、熱揺らぎに対して十分に安定で信頼性上問題がなく、かつオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）に問題ない媒体であり、Ｓ／Ｎｄを向上できることが明らかになった。
（実施例２）
実施例１と同様にして、Ｃｏを主成分とする第２の磁性層１６と、Ｃｏを主成分とする第３の磁性層１８に用いる材料としてＰｔとＢの含有量を固定しＣｏとＣｒの割合を変更し以下の合金ターゲットを準備した。
【００４２】
Ｃｏ−１３ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１４ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１５ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１７ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１８ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１９ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ．
Ｂｒｔ＝８Ｔｎｍとなるように第２の磁性層と第３の磁性層の厚さを同一として、上記７組成のターゲットを用いて磁気記録媒体を形成した。これらの媒体のオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）、Ｓ／Ｎｄ、６５°Ｃにおける出力減少率を評価した結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】

表１に示すように、第３の磁性層と第２の磁性層のＣｒ組成を１５ａｔ．％から１８ａｔ．％の範囲では−３０ｄＢ以下のオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）が得られた。出力減少率も−１．３〜−１．４％／桁程度であり熱揺らぎに対して十分に安定であり、信頼性上問題はないという結果を得た。第３の磁性層と第２の磁性層のＣｒ組成を１６ａｔ．％とした場合にＳ／Ｎｄは最大となった。
【００４４】
第３の磁性層と第２の磁性層を形成する際に用いたターゲットの組成と、これらの磁性層をガラス基板上に単層で形成した膜についてプラズマ発光分析（ＩＣＰＳ）法で組成分析を行なった。その結果、ターゲットの組成と薄膜の組成はほぼ同じであった。
（実施例３）
磁性層の組成を変更した以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を形成した。第２の磁性層と第３の磁性層を形成する合金ターゲットの組成を以下の５組成とした。Ｃｒの添加濃度を１５ａｔ．％、Ｂの添加濃度を８ａｔ．％に固定し、ＰｔをＣｏに置換して比較した。
【００４５】
Ｃｏ−１５ａｔ．％Ｃｒ−１２ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１５ａｔ．％Ｃｒ−１３ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１５ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１５ａｔ．％Ｃｒ−１５ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１５ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ．
第２の磁性層と第３の磁性層を形成する合金ターゲットの組成を同一として、かつ第２の磁性層と第３の磁性層の厚さを同一に固定して実施例１と同様にして磁気記録媒体を形成した。これらの媒体の評価結果を表２に示す。
【００４６】
【表２】

試料番号２０１と２０２の磁気記録媒体は第２の磁性層と第３の磁性層を形成する際にＣｏ−１５ａｔ．％Ｃｒ−１２ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ合金ターゲットを用いた。試料番号２０１の磁気記録媒体について６５℃で測定した出力減少率は時間桁当り−２．１％であり、熱減磁特性に問題があった。一方、第２の磁性層と第３の磁性層を厚くしＢｒｔを１０Ｔｎｍとした試料番号２０２の場合、６５°Ｃにおける出力減少率は時間桁当り−１．５％程度であり、熱減磁特性の問題はなかった。しかしながら、この媒体のオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）は−２４ｄＢと小さかった。
【００４７】
一方、Ｃｏ−１５ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ合金ターゲットを用いて形成した磁気記録媒体２０５について６５°Ｃで測定した出力減少率は、時間桁当り−１．１％程度であり、熱減磁特性に問題はなかったが、この磁気記録媒体のオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）は、−２３ｄＢと劣化していた。
【００４８】
Ｃｒの濃度を１５ａｔ．％、Ｂの濃度を８ａｔ．％に固定して、Ｐｔの濃度を１３〜１５ａｔ．％とした合金ターゲットを用いて形成した磁気記録媒体２０３、１０３、２０１は、Ｂｒｔ＝７．９Ｔｎｍ〜８．８Ｔｎｍでオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）も−２６ｄＢより向上でき、６５°Ｃにおける出力減少率も−１．３〜−１．４％／桁で熱減磁特性に問題はなかった。
【００４９】
これらの結果から、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金のＰｔ添加濃度は１３ａｔ．％から１５ａｔ．％とした場合に、出力減少率を低減し同時にオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）ならびに高Ｓ／Ｎｄを両立した磁気記録媒体を実現できることが明らかになった。
（実施例４）
第２の磁性層と第３の磁性層の組成を変更した以外は実施例１と同様にしてＢｒｔ＝８Ｔｎｍとなるように磁気記録媒体を形成した。Ｂの添加濃度をＣｏに対して変化させ、第２の磁性層と第３の磁性層を形成する合金ターゲットの組成を以下の４組成とした。
【００５０】
Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−６ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−７ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ、
Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−１０ａｔ．％Ｂ．
上記合金ターゲットの他に、Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−１１ａｔ．％Ｂ合金ターゲットも準備しようとした。しかしながら、１１ａｔ．％Ｂを含有した合金は切削加工時にターゲットが割れやすくなり、ターゲットの歩留まりが悪かった。
【００５１】
上記４組成の合金ターゲットを用いて形成した磁気記録媒体について、実施例１に記載した磁気ヘッドを用いてオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）を評価したところ、いずれの磁気記録媒体でも−２７ｄＢより向上した特性が得られた。
【００５２】
これらの磁気記録媒体について測定した結果を表３に示す。出力減少率の大きさは試料番号３０３を除き、いずれも−１．５％／桁以内であった。Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−１０ａｔ．％Ｂ合金ターゲットを用いて形成した試料番号３０３の磁気記録媒体では、出力減少率は−２．２％／桁程度まで大きくなった。この合金ターゲットを用いて形成した媒体で出力減少が−１．５％／桁であるようにするためにはＢｒｔ＝９Ｔｎｍまで大きくする必要があった。
【００５３】
【表３】

透過型電子顕微鏡により磁性層の平均結晶粒径＜Ｄ＞を平面観察した結果を表３に示す。Ｃｏに対してＢを７ａｔ．％から１０ａｔ．％まで置換すると、平均結晶粒径＜Ｄ＞は８．７ｎｍから８．１ｎｍまで減少し、９ｎｍよりも小さくできることが明らかになった。磁性層の結晶粒径の微細化に対応してＳ／Ｎｄが向上した。
【００５４】
これらの検討結果から、平均結晶粒径＜Ｄ＞を９ｎｍよりも小さくし、同時に熱揺らぎを低減するためには、Ｂの添加濃度は７ａｔ．％以上１０ａｔ．％以下であることが好ましいことが明らかになった。
（実施例５）
第２の中間層１７として０．６ｎｍのＲｕに替わり、０ｎｍ、０．３ｎｍ、０．４ｎｍ、０．５ｎｍ、０．８ｎｍ、１．０ｎｍと膜厚を変えた他は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を形成した。第２の磁性層１６と第３の磁性層１８の厚さは、第２の中間層１７として厚さ０．６ｎｍのＲｕを用いた場合にＢｒｔ＝７．８Ｔｎｍとなる膜厚に固定した。
【００５５】
これらの磁気記録媒体について電磁変換特性を測定した結果、表４に示すように、第２の中間層が０．５ｎｍとした試料番号４０４の磁気記録媒体でＳ／Ｎｄが最大値となった。第２の中間層１７を厚くするに従いオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）は僅かに低下した。
【００５６】
６５°Ｃにおける熱減磁の測定結果から、第２の中間層１７の厚さを０．４ｎｍ、０．５ｎｍとした試料番号４０３、４０４の磁気記録媒体で時間桁あたり−２．４％〜−２．２％の出力減少が観測された。一方、第２の中間層１７の厚さを０．６ｎｍ以上にすれば、６５°Ｃにおける出力減少率が時間桁あたり−１．５％程度まで低減できた。
【００５７】
また、第２の中間層１７を形成しない試料番号４０１、あるいは第２の中間層を０．３ｎｍ形成した試料番号４０２の磁気記録媒体で測定したＳ／Ｎｄは、第２の中間層１７の厚さを０．６ｎｍ以上形成した磁気記録媒体に比べ低くなっていた。
【００５８】
これらの結果から、熱減磁の低減とオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）の向上、ならびに高Ｓ／Ｎｄ化を同時に満足するために、第２の中間層として形成するＲｕの厚さは０．６ｎｍから１．０ｎｍの範囲が好ましいことが明らかになった。
【００５９】
【表４】

（実施例６）
第１の下地層１１としてＮｉ−３５ａｔ．％Ｔａ合金に代わり、Ｎｉ−２５ａｔ．％Ｔａ合金、Ｎｉ−５０ａｔ．％Ｔａ合金、Ｃｏ−３０ａｔ．％Ｃｒ−１０ａｔ．％Ｚｒを用い、厚さ３０ｎｍのこれらの合金層を形成した。この上に、第２の下地層１２として２ｎｍ、４ｎｍ、８ｎｍのＴａを主成分とする層を室温で形成した。ランプヒーターにより基板の温度を約３３０°Ｃになるように加熱しながら、１％酸素を添加したＡｒガスが０．２７Ｐａとなるように５秒間暴露した後、第３の下地層１３として厚さ１０ｎｍのＣｒ−１５ａｔ．％Ｔｉ−５ａｔ．％Ｂ合金を形成した。第２の磁性層と第３の磁性層にＣｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−９ａｔ．％Ｂ合金を用いたほかは、実施例１と同様にして磁気記録媒体を形成した。
【００６０】
これらの磁気記録媒体を、記録用の電磁誘導型磁気ヘッドと再生用のスピンバルブ型磁気ヘッドを併せ持つ複合型ヘッドと組み合わせてスピンスタンドで電磁変換特性を評価した。評価には実施例１に記載のヘッドと同一仕様のヘッドを用いた。その結果、いずれの磁気記録媒体でも、Ｓ／Ｎｄで２４．５ｄＢ以上、オーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）も−２８ｄＢより向上でき、熱減磁の問題もなかった。
【００６１】
第２の下地層１２としてＴａを主成分とする層の厚さを２ｎｍ、４ｎｍ、８ｎｍの３水準で比較すると、膜厚が厚くなるに従い、オーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）が低下する傾向にあった。この傾向は第１の下地層１１の材料に依存しなかった。
【００６２】
第１の下地層だけを形成し、第２の下地層以降を形成しなかった試料も作製した。この第１の下地層について銅の特性Ｘ線を用いたＸ線回折曲線を測定した。その結果、いずれの合金を用いた場合もハローパターン以外の明瞭な回折ピークを示さないことを確認した。さらに、保護層まで形成した試料についてＸ線回折曲線を測定した結果、第３の下地層と第２の磁性層、第３の磁性層に起因すると考えられる回折ピーク以外には明瞭な回折ピークを示さないことを確認した。
（実施例７）
第１の磁性層として厚さ３ｎｍのＣｏ−１４ａｔ．％Ｃｒ−６ａｔ．％Ｐｔ合金からなる磁性層１４に代わりＣｏ−１４ａｔ．％Ｃｒ、Ｃｏ−１４ａｔ．％Ｃｒ−１０ａｔ．％Ｐｔ、Ｃｏ−１９ａｔ．％Ｃｒ−８ａｔ．％Ｐｔ合金を用いたほかは実施例１と同様にして磁気記録媒体を形成し、電磁変換特性を評価した。ここでＢｒｔ＝８Ｔｎｍとなるように第２の磁性層と第３の磁性層の膜厚比を１：１に固定して膜厚を変化させた。
【００６３】
第１の磁性層の厚さを３ｎｍに固定して、第１の磁性層の組成だけ変更すると、表５に示すように、Ｃｏ−１９ａｔ．％Ｃｒ−８ａｔ．％Ｐｔを第１の磁性層に用いた場合、オーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）が改善された。
【００６４】
【表５】

（実施例８）
表面を化学強化し１μｍ当り４０本程度のテクスチャ加工を施したアルミノシリケートガラス基板１０とテクスチャ加工を施していないアルミノシリケートガラス基板１０を同時にアルカリ洗浄し、乾燥させた後、第１の下地層１１として厚さ３０ｎｍのＮｉ−３５ａｔ．％Ｔａ合金、第２の下地層１２として２ｎｍのＴａを主成分とする層を室温で形成した。ランプヒーターにより基板の温度を約３００°Ｃになるように加熱した後、第３の下地層１３として厚さ１０ｎｍのＣｒ−１０ａｔ．％Ｔｉ−５ａｔ．％Ｂ合金を形成した。
【００６５】
更に厚さ３ｎｍのＣｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−６ａｔ．％Ｐｔ合金からなる下部磁性層１４を形成後、Ｒｕからなる第１の中間層１５の厚さを０．２ｎｍ、０．３ｎｍ、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．７ｎｍ、０．９ｎｍ、１．２ｎｍと変え、Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ合金からなる第２の磁性層１６、厚さ０．６ｎｍのＲｕからなる第２の中間層１７、Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ合金からなる第３の磁性層１８を順次形成し、保護層として３ｎｍのカーボン膜１９を形成した。第２の磁性層１６と第３の磁性層１８の膜厚は同一とした。
【００６６】
カーボン膜形成後、パーフルオロアルキルポリエーテルを主成分とする潤滑剤を塗布して厚さ１．９ｎｍの潤滑層２０を形成した。上記多層膜の形成はインテバック（Ｉｎｔｅｖａｃ）社製の枚葉式スパッタリング装置（ＭＤＰ２５０Ｂ）を用いた。このスパッタリング装置のベース真空度は１．０〜１．１×１０^−５ Ｐａであり、タクトは６秒とした。第１の下地層から第３の磁性層までは０．９３ＰａのＡｒガス雰囲気中で行い、カーボン保護膜はＡｒに窒素を１０％添加した混合ガス雰囲気中で形成した。
【００６７】
Ｒｕからなる第１の中間層１５の厚さを０．６ｎｍとして全積層膜のＢｒｔが８Ｔｎｍになるように第２の磁性層と第３の磁性層の膜厚を決定した。この第２の磁性層と第３の磁性層の膜厚を固定し、第１の中間層１５の厚さを変えた結果、第１の中間層１５の厚さを０．２ｎｍと変えた場合に全積層膜のＢｒｔが８Ｔｎｍよりも増加し、オーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）とＳ／Ｎｄが劣化した。
【００６８】
円板の周方向に測定した保磁力Ｈｃ（Ｃ）と円板の半径方向で測定した保磁力Ｈｃ（Ｒ）の割合（Ｈｃ（Ｃ）／Ｈｃ（Ｒ））の値はテクスチャ加工を施した基板上で１．０７程度であり、第１の中間層の厚さに依存しなかった。一方、テクスチャ加工を施していない通常の基板上では（Ｈｃ（Ｃ）／Ｈｃ（Ｒ））の値は１．００であり、基板面内で保磁力は等方的であった。この（Ｈｃ（Ｃ）／Ｈｃ（Ｒ））が１よりも大きくなることでテクスチャ加工を施した基板を利用することにより出力分解能が向上した。テクスチャの形状を間歇接触型の原子間力顕微鏡で観察した結果、表面粗さＲａは半径方向に０．４ｎｍから０．５ｎｍであった。
（実施例９）
第３の下地層１３として厚さ１０ｎｍのＣｒ−１５ａｔ．％Ｔｉ−５ａｔ．％Ｂ合金を形成する代わりにＣｒ−２０ａｔ．％Ｔｉ合金下地層を形成後Ｃｒ−４０ａｔ．％Ｍｏ合金下地層を形成した。その後、厚さ３ｎｍのＣｏ−１４ａｔ．％Ｃｒ−６ａｔ．％Ｐｔ−４ａｔ．％Ｂ合金からなる第１の磁性層１４を形成したほかは実施例１と同様にして磁気記録媒体を形成した。第１の磁性層がＢを含んだ合金を用いる場合にも面内配向した磁気記録媒体が形成できた。
（実施例１０）
第１の下地層１１として厚さ３０ｎｍのＮｉ−４０ａｔ．％Ｔａ合金、第２の下地層１２として２ｎｍのＴａ層を室温で形成した。ランプヒーターにより基板の温度を約３００°Ｃになるように加熱した後、第３の下地層１３として厚さ５ｎｍのＣｒ−１５ａｔ．％Ｔｉ−５ａｔ．％Ｂ合金層を形成した。さらに、第１の磁性層１４としてＣｏ−１９ａｔ．％Ｃｒ−８ａｔ．％Ｐｔ合金層を３ｎｍ形成し、厚さ０．５ｎｍのＲｕからなる第１の中間層１５、表６に示す第２の磁性層１６まで形成後、第２の中間層１７と第３の磁性層１８を形成せずに、直接保護層１９として３．２ｎｍのカーボン膜を形成した。これらの積層膜について、Ｂｒｔが４．５Ｔｎｍとなるような第２の磁性層１６の厚さｔｘを予め求めた。このｔｘを用いて以下の媒体を形成した。
【００６９】
第１の下地層１１として厚さ３０ｎｍのＮｉ−４０ａｔ．％ Ｔａ合金層、第２の下地層１２として２ｎｍのＴａ層を室温で形成し、ランプヒーターにより基板の温度を約３００°Ｃになるように加熱した後、第３の下地層１３として厚さ５ｎｍのＣｒ−１５ａｔ．％Ｔｉ−５ａｔ．％Ｂ合金層を形成した。さらに、第１の磁性層１４としてＣｏ−１９ａｔ．％Ｃｒ−８ａｔ．％Ｐｔ合金層を３ｎｍ形成し、厚さ０．５ｎｍのＲｕからなる第１の中間層１５を形成後、予め算出しておいたｔｘの膜厚を用いて、表６に示す第２の磁性層１６、厚さ０．８ｎｍのＲｕからなる第２の中間層１７、表６に示す第３の磁性層１８を形成し、積層膜のＢｒｔが９Ｔｎｍとなるようにした。
【００７０】
【表６】

保護層１９として３ｎｍのカーボン膜を形成した。カーボン膜形成後、パーフルオロアルキルポリエーテルを主成分とする潤滑剤を塗布して厚さ１．８ｎｍの潤滑層２０を形成した。上記多層膜の形成はインテバック（Ｉｎｔｅｖａｃ）社製の枚葉式スパッタリング装置（ＭＤＰ２５０Ｂ）を用いて行った。各放電チャンバに放置する時間を６秒とした。第１の下地層から上部磁性層までは０．９３ＰａのＡｒガス雰囲気中で行い、カーボン保護膜はＡｒに窒素を１０％添加した混合ガス雰囲気中で形成した。
【００７１】
表６に示す第３の磁性層と第２の磁性層のＰｔ組成と電磁変換特性を比較する。試料番号６０２と６０３の磁気記録媒体の比較から第２の磁性層に含有されるＰｔの濃度を１３％から１２％へ低減するとオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）が４ｄＢ改善し、Ｓ／Ｎｄも０．６ｄＢ向上した。試料番号６０４と６０５の磁気記録媒体の比較から第２の磁性層のＰｔ濃度を１４％から１２％へ低減するとオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）が１ｄＢ改善し、Ｓ／Ｎｄも１．１ｄＢ向上した。試料番号６０５と６０３の磁気記録媒体の比較から第２の磁性層のＣｒの濃度を１６％から１８％へ増加しＣｏと置換するとオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）が４ｄＢ改善し、Ｓ／Ｎｄも１．１ｄＢ向上した。
【００７２】
これらの結果から、第２の磁性層に含有されるＰｔの濃度を第３の磁性層に含有されるＰｔの濃度よりも低くすれば、オーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）が向上し、Ｓ／Ｎｄが高くできることが明らかになった。また、第２の磁性層に含有されるＣｒの濃度を第３の磁性層に含有されるＣｒの濃度よりも高くすれば、オーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）が向上し、Ｓ／Ｎｄが高くできることが明らかになった。
（比較例２）
第１の下地層１１として厚さ３０ｎｍのＮｉ−４０ａｔ．％Ｔａ合金、第２の下地層１２として２ｎｍのＴａ層を室温で形成した。ランプヒーターにより基板の温度を約３００°Ｃになるように加熱した後、第３の下地層１３として厚さ５ｎｍのＣｒ−１５ａｔ．％Ｔｉ−５ａｔ．％Ｂ合金層を形成した。さらに、第１の磁性層１４としてＣｏ−１９ａｔ．％Ｃｒ−８ａｔ．％Ｐｔ合金層を３ｎｍ形成し、厚さ０．５ｎｍのＲｕからなる第１の中間層１５、表６に示す第２の磁性層１６まで形成後、第２の中間層１７と第３の磁性層１８を形成せずに、直接保護層１９として３．２ｎｍのカーボン膜を形成した。
【００７３】
これらの積層膜について、Ｂｒｔが９Ｔｎｍとなるようにした。実施例１０の評価に用いた磁気ヘッドと同一のヘッドで比較例２の磁気記録媒体の電磁変換特性を評価した。その結果、表６に示す構成をとり、Ｂｒｔが９Ｔｎｍである実施例１０の媒体に比べ、比較例２の磁気記録媒体のＳ／Ｎｄは１．６ｄＢから２．４ｄＢ低下した。
【００７４】
すなわち、同一のＢｒｔで比較すると、第１の中間層１５を形成後、表６に示す第２の磁性層１６、第２の中間層１７、表６に示す第３の磁性層１８を形成することにより、第１の中間層１５を形成後、表６に示す第２の磁性層１６だけを形成した場合に比べＳ／Ｎｄが向上できる。
【００７５】
（実施例１１）
実施例１と同じスパッタ装置を用い、以下のような磁気記録媒体を形成した。まず、表面を化学強化し１μｍ当り４０本程度のテクスチャ加工を施したアルミノシリケートガラス基板１０をアルカリ洗浄し、乾燥させた後、第１の下地層１１として厚さ２８ｎｍのＮｉ−３５ａｔ．％Ｔａ合金、第２の下地層１２として２ｎｍのＴａを主成分とする層を室温で形成した。ランプヒーターにより基板の温度を約３００°Ｃになるように加熱し酸素を含有した雰囲気に４秒間暴露した後、第３の下地層１３として厚さ１１ｎｍから１２ｎｍのＣｒ−１０ａｔ．％Ｔｉ−３ａｔ．％Ｂ合金を形成した。
【００７６】
更に厚さ３．５ｎｍのＣｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−９ａｔ．％Ｐｔ合金からなる下部磁性層１４を形成後、Ｒｕからなる第１の中間層１５の厚さを０．５ｎｍに固定し、Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１２ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ合金からなる第２の磁性層１６を１１ ｎｍ形成し、厚さ０．６ｎｍのＲｕからなる第２の中間層１７、厚さ１２ ｎｍのＣｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ合金からなる第３の磁性層１８を順次形成し、保護層として３ｎｍのカーボン膜１９を形成した。
【００７７】
この磁気記録媒体を実施例１に記載した磁気ヘッドで電磁変換特性を評価した。その結果、オーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）は−３１ｄＢ、Ｓ／Ｎｄも２４．１ｄＢと良好であった。また６５°Ｃにおける出力減少率も時間桁あたり−１．４％であり、信頼性の問題もなかった。
（実施例１２）
第２の磁性層１６としてＣｏ−１８ａｔ．％Ｃｒ−１２ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ合金ターゲットを用いて磁気記録媒体を形成したほかは、実施例１１と同様にして磁気記録媒体を形成した。第２の磁性層１６の厚さを調整し、実施例１１と同一の孤立再生波出力が得られるようにした。
【００７８】
この磁気記録媒体を実施例１に記載した磁気ヘッドで電磁変換特性を評価した。その結果、オーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）は−３４ｄＢ、Ｓ／Ｎｄも２４．７ｄＢと良好であった。また６５°Ｃにおける出力減少率も時間桁あたり−１．５％であり、信頼性の問題もない高性能磁気記録媒体が実現できた。
【００７９】
【発明の効果】
以上の説明のとおり本発明によれば、高Ｓ／Ｎｄを有し、オーバーライト特性に優れ、かつ熱揺らぎに対しても十分に安定な面内磁気記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１０… 基板、１１… 第１の下地層、１２… 第２の下地層、
１３… 第３の下地層、１４… 第１の磁性層、１５… 第１の中間層、
１６… 第２の磁性層、１７… 第２の中間層、１８… 第３の磁性層、
１９… 保護層、２０… 潤滑層。

Claims (14)

1. 基板上に下地層、第１の磁性層、第１の中間層、第２の磁性層、第２の中間層、第３の磁性層、保護層、潤滑層をこの順に形成した磁気記録媒体において、前記第３の磁性層と第２の磁性層は少なくとも白金とクロムとホウ素を含有するコバルト基合金からなり、第２の磁性層に含有される白金濃度は第３の磁性層に含有される白金の濃度以下であり、かつ第３の磁性層に含有される白金が１５原子％以下であり、第３の磁性層に含有されるクロムの濃度が１５原子％以上１８原子％以下であり、第３の磁性層に含有されるホウ素の濃度が７原子％以上１０原子％以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記第１の中間層がルテニウムを主成分とすることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
3. 前記第２の中間層がルテニウムを主成分とし、その厚さが０．６ｎｍから１．０ｎｍであることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
4. 前記下地層は、クロムとジルコニウムを含有するコバルト合金層と、タンタルを主成分とする層と、チタンとホウ素を含有するクロム合金層とをこの順に積層したものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
5. 前記下地層は、タンタルを含有するニッケル合金層と、タンタルを主成分とする層と、チタンを含有するクロム合金層と、モリブデンを含有するクロム合金層とをこの順に積層したものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
6. 前記基板は周方向の溝が半径方向に複数形成されたテクスチャを有することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
7. 前記第２の磁性層に含有される白金の濃度は前記第３の磁性層に含有される白金の濃度よりも低く、前記第２の磁性層に含有されるクロム濃度は前記第３の磁性層に含有されるクロムの濃度よりも高いことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
8. 前記第１の磁性層がクロムを含むコバルト基合金、あるいはクロムと白金を含むコバルト基合金からなることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
9. 基板上に下地層、第１の磁性層、第１の中間層、第２の磁性層、第２の中間層、第３の磁性層、保護層、潤滑層をこの順に形成した磁気記録媒体において、前記下地層はタンタルを含有するニッケル合金層と、タンタルを主成分とする層と、チタンとホウ素を含有するクロム合金層とをこの順に積層したものであり、前記第３の磁性層と第２の磁性層は少なくとも白金とクロムとホウ素を含有するコバルト基合金からなり、第２の磁性層に含有される白金濃度は第３の磁性層に含有される白金の濃度以下であり、かつ第３の磁性層に含有される白金が１５原子％以下であり、第３の磁性層に含有されるクロムの濃度が１５原子％以上１８原子％以下であり、第３の磁性層に含有されるホウ素の濃度が７原子％以上１０原子％以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
10. 前記第１の中間層がルテニウムを主成分とすることを特徴とする請求項９記載の磁気記録媒体。
11. 前記第２の中間層がルテニウムを主成分とし、その厚さが０．６ｎｍから１．０ｎｍであることを特徴とする請求項１０に記載磁気記録媒体。
12. 前記基板は周方向の溝が半径方向に複数形成されたテクスチャを有することを特徴とする請求項９記載の磁気記録媒体。
13. 前記第２の磁性層に含有される白金の濃度は前記第３の磁性層に含有される白金の濃度よりも低く、前記第２の磁性層に含有されるクロム濃度は前記第３の磁性層に含有されるクロムの濃度よりも高いことを特徴とする請求項９記載の磁気記録媒体。
14. 前記第１の磁性層がクロムを含むコバルト基合金、あるいはクロムと白金を含むコバルト基合金からなることを特徴とする請求項９記載の磁気記録媒体。

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