JP2004342791A - Ledランプおよびled照明具 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 claims 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
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Abstract
【解決手段】給電用フレーム(102)と熱伝導性材料に切削、プレス、焼結等により底部がフラットな窪み(104)を設けた放熱プレート(103)を非導電性接着材(107)で一体化し、放熱フレーム(図4)を構成する。なお、窪みのフラット部にLED素子(106)を搭載し、LED素子と給電用フレームは金線等、導電性細線(105)で接続されている。該LED素子の搭載された放熱プレートのLED素子搭載面と反対面の一部(103a)を露出する形で樹脂モールドし、放熱プレート露出部よりヒートシンク等を用い、熱を除去する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱による発光効率の低下、および発光波長の変動を抑えた、信頼性の高いLED照明具に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から屋外照明灯、警告灯、ディスプレイ装置等の光源として、LEDディスクリートランプ(511)が搭載されている。しかし、複数のLEDランプを集合体として回路基板(513)に搭載した場合、個々から発生する熱により灯具全体が高温となり、発光効率の低下、信頼性の低下を招く。 その対策として筐体内部へ外気の取り込みの対策、またはLEDディスクリートランプユニットとヒートシンクの空間部をフィラー入り樹脂(512)で埋め、熱拡散を期待している(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
しかし、熱の発生源であるLEDチップ搭載部と放熱樹脂(512)は断面0.25mm2のリードフレーム(511a)で繋がっているのみで、放熱効果は極めて悪い。それゆえ、1個当たりのLED素子に注入できる電流値は20mA程度であり、LEDランプの密度が大になればより低電流でしか使用できなくなる。
【0004】
また、LEDディスクリートランプ(511)は回路基板と2本のリードでつながっており、前後または左右のどちらかに傾く可能性があり、集合体として使用する場合は点灯状態で個々の光軸の調整が必要となる欠点がある(図5参照)。
【0005】
一方、銅箔層(617)、絶縁層(616)、金属ベース(615)の積層基板に絞り加工を施し、絞り加工部分にLEDチップを搭載し、金属ベースの貫通穴を通してLEDチップ搭載側のレンズを保持したLEDユニットの製造法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
【0006】
しかし、LED素子を搭載した積層金属基板を樹脂で一体成形するため、ユニットとしての光軸のズレは生じないものの、発光部の配置の変更には基板の絞り用金型、レンズ用金型等高額な金型費用が必要となる。また、熱源であるLED素子は金属基板と絶縁層を介した回路部に搭載されており、LED素子から金属基板への熱抵抗は大きい。かつ、LED素子から離れた部分の金属ベース部からしか熱の除去ができない問題点がある。(図6参照)。
【0007】
【特許文献1】特開平09−204595号公報(第5頁、図1)
【特許文献2】特開平06−334224号公報(第4頁、図1)
【0008】
【開発が解決しようとする課題】上記のようにLED素子で発生した熱の除去が十分でない場合、図9のグラフの従来品Aおよび従来品Bに示すように、低電流値でしか注入電流に比例した光出力が得られず、大電流値では消費電力の無駄が生じると伴に発光素子の寿命も短くなる。また、発光波長についても図10の従来品Aおよび従来品Bに示すように、LED素子の接合部温度上昇に伴い長波長側にシフトし色調が変化する。
【0009】
また、紫外線発光素子を励起光源とし蛍光材を間接的に発光させるLEDランプにおいては発光素子の波長変動により蛍光材の発光効率が大きく影響され、期待される光度および色度が得られない問題がある。
【0010】
【課題を解決するための手段】LED素子を熱伝導度の大きい材料に搭載し、LED素子の接合部で発生する熱を最短距離である裏面から放熱フィン等に伝導させLED素子の温度上昇を抑えることで、電流値変化による特性の変動を最小限に抑え、特に大電流での発光効率の低下および寿命の短縮を防止する。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施態様を図に基づいて説明する。図4は本発明にかかるLEDランプに使用するフレームの一例を示す斜視図である。表面側に底辺がフラット404aで傾斜した反射面404bを備えた窪みと裏面側に本体403より小さい径の凸部を形成した熱伝導性材料と給電のためのワイヤーボンド可能なフレーム402を接着剤で一体化する。
【0012】
ちなみに、図4の窪み部分について詳細に説明すると、使用するLEDチップの幅をW1とすると、窪み底辺の直径Wは、W1×1.41+0.02mm≦W≦W1×1.41+1.0mmが望ましく、さらに望ましくは、W1×1.41+0.1mm≦W≦W1×1.41+0.5mmである。
【0013】
窪みの深さについては、使用するLEDチップの高さをTとすると、深さHはT≦H<T×5が望ましく、さらに望ましくは、T×2≦H≦T×3である。
【0014】
また、反射面の広がり角度θは、底面に対し30°以上が望ましい、さらに望ましくは45°≦θ≦75°であり、この範囲外ではレンズ面への取り出し効率が低下する。
【0015】
次に、本発明の図1について説明する。放熱プレート103の窪み部底辺のフラット部104aにLEDチップ106を接着樹脂で搭載固定し、LEDチップ106の電極パターンと給電フレームをワイヤーボンドする。上記LEDチップの搭載された放熱フレームを、LEDチップ搭載面がレンズ側になるようモールド用型にセットする。なお、望ましくはLEDチップを搭載した窪み部分に事前にシリコン系柔軟樹脂またはモールド材と同じ樹脂を充填しておくと気泡の混入防止に有効である。
【0016】
続いて、放熱プレ−トの凸部103aが露出するよう透明樹脂を充填する。なお、充填する樹脂は熱硬化、熱可塑のどちらの樹脂を使ってもよい。また、樹脂と凸部段差は、使用する放熱プレートと使用する樹脂の熱膨張係数を考慮し、LED点灯時に放熱プレートの凸部が常に水平、または突出するよう、樹脂充填量を調節しておく。
【0017】
また、図7は上記本発明のLEDランプを使った一例であり、詳細に説明する。穴を開けたエポキシ回路基板713の穴に本発明のLEDランプを配置し、基板の回路とLEDランプの給電フレーム712を半田等、導電性材料で接続固定する。次にLEDランプ裏面側の放熱プレートの突出部に熱伝導性樹脂を塗布し、塗布面をヒートシンク等放熱器のフラット面と接触させる。LEDランプを搭載した基板と放熱器は、熱伝導性樹脂の厚みが薄くなるようネジ、またはリベットにより固定する。
【0018】
【実施例1】厚さ2mm、直径5.8mmの銅(還元銅)円板を、表面側に底面104aの直径が0.8mm、反射面104bの角度が60°、深さ0.5mmの窪み、裏面側に直径5.0mm、段差0.6mmの凸部103aになるようプレス加工した放熱プレートの表面ドーナツ状フラット面に非導電性接着材ムロマックボンドH−333Cを薄く塗布し、プレスで打ち抜き下地に0.3μmのニッケルめっき、表面に3μmの銀メッキした給電フレーム102を1.0Kg/cm2の加重を掛けた状態で150℃の雰囲気で30分間硬化した。
【0019】
なお、本実施例では接着強度240Kg/cm2を使用したが、硬化後の接着強度が150Kg/cm2以上が望ましい。また、非導電性接着剤の塗布はスタンピング方式で行ったが、スクリーン印刷、ディスペンス方式でもよい。硬化時の加重は2.0〜0.5Kg/cm2が望ましく、加重を大きくすると電気絶縁されない場合が生じやすくなる。また、加重をかけない場合には接着材の厚みが不均一となり硬化後の接着強度にバラツキが生じ信頼性が落ちる原因となる。
【0020】
上記、放熱プレートの窪み底面104aにLEDチップ106(チップサイズ0.32mm角、チップ高さ0.22mm、材質GaN/サファイヤ)を非導電性接着剤ムロマックボンドH386で配置固定し、LEDチップ表面の電極と給電フレーム102をφ25μmの金線105で接続した。LEDチップの固定に使用する非導電性樹脂は、透明または白色樹脂がより望ましく、着色樹脂は光の吸収によりレンズ面への光の取り出し効率が低下する。また、樹脂の色によっては本来のLEDチップの発光色と異なる色度となる不具合が生じる。
【0021】
続いて、LEDチップ搭載の窪み104に透明エポキシ樹脂を予備充填し、チップ搭載面側が下側になるよう金型に装着(金型についてもレンズ面が下)。透明エポキシ樹脂を金型と放熱プレート隙間から放熱プレートの凸部103aとフラットになるよう注入し、120℃で硬化後、金型から取り外しφ7mm、高さ5.1mmのLEDランプ130を作成した。
【0022】
なお、紫外線発光LEDチップを光源として可視光を得る場合は、窪み部104に蛍光剤を混和したシリコン樹脂を注入、硬化後に金型に装着すればよい。また、インサート成形等、他の成形方法を用いれば透明ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂等も使用できる。
【0023】
【実施例2】上記実施例1と同寸法の放熱プレート303をアルミニウムの溶融成形で作成し、実施例1と同様の方法で給電フレームと一体化した。本放熱プレートの窪み部に、表面にワイヤーボンド可能なAuを蒸着したAlN(サイズ0.5mm角、厚み0.1mm)308を熱導電性樹脂で固定し、その上にLEDチップ306a(チップサイズ0.32mm角、チップ高さ0.25mm、材質AlGaAs/AlGaAs、表面n電極、裏面p電極)を導電性接着剤ムロマックボンドA−71Sで接着した。つづいて、表面n電極と給電フレーム302をφ25μmの金線305aで接続し、もう片方の給電フレーム302とAlN(308)をφ25μmの金線305bで接続した。本実施例では200W/m・KのAlNを使用したが、熱伝導度が150W/m・K以上の材料であれば特に問題は生じなかった。
【0024】
上記LEDチップを搭載した放熱プレートの窪み部に透明シリコン樹脂を充填、熱硬化後、放熱プレートの凸部フラット表面に樹脂が回り込まないよう設計された金型にセットし、透明ポリカーボネート樹脂を金型温度160℃、樹脂温度280℃の条件でインサート成形しLEDランプ130を作成した。
【0025】
【実施例3】φ7mmの穴を開けたエポキシ回路基板713の穴部に、実施例1で作成した本発明のLEDランプ730をはめ込み、基板上の回路とLEDランプの給電フレームをハンダにより接続した。次に、本LEDランプの搭載された基板裏面に現われる放熱プレートのフラット部103aに熱伝導性材料718(信越化学工業製オイルコンパウンドG751)を塗布し、ヒートシンクに搭載した。LEDランプの搭載された基板とヒートシンクはタッピングネジで固定の後、LEDランプ搭載面のレンズ部を除いて防湿樹脂712(東芝シリコンTSE399)を塗布し、LED照明具を作成した。本実施例では熱伝導率4.5W/m・Kのアルミナ混和シリコンオイルを使用したが、熱伝導性材料の膜厚が0.1mm以下で固定できれば2.0W/m・Kの熱伝導率でも十分特性は確保できた。
【0026】
【実施例4】内側に半径15mmの反射面および集光レンズ822を備えたヘッド部と放熱効率を向上させるため、外形20mm、厚み2mmの7枚のフィンを備えたヒートシンクをアルミニウム材で作成した。次に、実施例1で作成した本発明のLEDランプの給電プレート102の+極にケーブルを接続し、放熱プレートの凸部103aに熱伝導性材料818(AOS製54012、熱伝導率2.58W/m・K)を塗布、LEDランプのレンズ側がヘッド部側になるようLEDランプをセットした。一方LEDランプの他方の給電フレーム(−極)はヒートシンクと接触させ、ヘッド部をヒートシンクにねじ込みLED照明具を作成した。
【0027】また、導電性金属筐体に本実施例のLED照明具を多数個配置した照明具の場合、制御回路の−極を筐体に接続することで煩雑な配線が不要となる。
【0028】
【比較例1】実施例3の方法で、本発明のLEDランプ224個を、7個直列32並列の電気回路で、従来品と同じ同心円状に配置したLED照明具を作成した。本比較例を点灯させLEDランプ1個に流れる電流値を基準に、ディスクリートランプを搭載した従来品A、金属積層基板を用いた従来品Bと比較した。図9、図10に示すように、従来品Aは30mA付近まで比例的に出力は増加するものの、50mAを超えると出力は低下した。また、従来品Bについても90mAを超えると出力低下がみられた。発光波長についても、略LEDチップの温度と推測される波長変動をした。
【0029】一方、本比較例で作成したLED照明具は160mAまで略比例的に光度が得られ、発光波長変動についても従来品の1/3〜1/2の変動であった。
【0030】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明のLEDランプおよびLED照明具は熱による特性変動を非常に低く抑えることが可能となる。従って、光度・色度・変換効率等の特性の安定化、超寿命化の優れた効果を奏でる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかるLEDランプの斜視図である。
【図2】本発明にかかるLEDランプの断面図である。
【図3】本発明にかかるLEDランプの一例を示す断面図である。
【図4】本発明のLEDランプの放熱機構の説明図である。
【図5】従来のLEDランプを搭載したユニットの断面図である。
【図6】従来の金属ベース基板を使ったLEDユニットの断面図である。
【図7】本発明のLEDランプを搭載したLED照明具の断面図である。
【図8】本発明のLEDランプを搭載したLED照明具の断面図である。
【図9】比較例品の光出力を示すグラフ図である。
【図10】比較例品の波長変動を示すグラフ図である。
【符号の説明】
101 透明樹脂
102 給電用フレーム
103 放熱プレート
104 凹部
106 LEDチップ
511 LEDディスクリートランプ
512 放熱樹脂
615 金属基板
616 エポキシ絶縁層
709 ヒートシンク
712 防湿樹脂
713 エポキシ回路基板
718 放熱コンパウンド
Claims (2)
- 導電性金属フレーム(102)と熱伝導度150Kcal/m・hr・℃以上の凹部(104)および凸部(103a)を形成した材料からなる放熱プレート(103)が非電導性樹脂で接続されているとともに、凹部(104)にLEDチップ(106)が1個以上装着されており、かつLEDチップ装着面側にレンズ特性を有する第一の樹脂モールド部(101a)と、放熱プレートの一部(103a)が露出するよう成形された第二の樹脂モールド部(101b)が一体成形されていることを特徴とするLEDランプ。
- 放熱のための熱伝導性金属(709)と請求項1に記載のLEDランプ1個以上を熱伝導性材料(718)で接触させ放熱効果を向上させたLED照明具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003136926A JP3938100B2 (ja) | 2003-05-15 | 2003-05-15 | Ledランプおよびled照明具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003136926A JP3938100B2 (ja) | 2003-05-15 | 2003-05-15 | Ledランプおよびled照明具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004342791A true JP2004342791A (ja) | 2004-12-02 |
JP3938100B2 JP3938100B2 (ja) | 2007-06-27 |
Family
ID=33526710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003136926A Expired - Fee Related JP3938100B2 (ja) | 2003-05-15 | 2003-05-15 | Ledランプおよびled照明具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3938100B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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KR101142940B1 (ko) | 2005-06-22 | 2012-05-10 | 서울반도체 주식회사 | 방열핀이 형성된 발광소자 |
-
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- 2003-05-15 JP JP2003136926A patent/JP3938100B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JP3938100B2 (ja) | 2007-06-27 |
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A621 | Written request for application examination |
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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