JP2004342703A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】真空チャンバの大径化によるフットプリントの増大を招くことがなく、かつ、実行する処理に応じてプラズマの状態を容易に制御することができ、各種のプラズマ処理に容易に対応することのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内には、半導体ウエハＷを載置するための載置台２が設けられている。載置台２の周囲には、環状に形成された排気リング１６が設けられている。この排気リング１６には、多数の円孔等からなる排気路１７が形成されており、これらの排気路１７を介して排気系１５により真空チャンバ１内の真空排気を行うよう構成されている。排気リング１６は駆動機構１８に接続されており、上下動自在に構成されている。
【選択図】 図１
【解決手段】真空チャンバ１内には、半導体ウエハＷを載置するための載置台２が設けられている。載置台２の周囲には、環状に形成された排気リング１６が設けられている。この排気リング１６には、多数の円孔等からなる排気路１７が形成されており、これらの排気路１７を介して排気系１５により真空チャンバ１内の真空排気を行うよう構成されている。排気リング１６は駆動機構１８に接続されており、上下動自在に構成されている。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板、例えば半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板等に、プラズマを作用させてエッチング処理や成膜処理等の所定のプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体装置の製造分野においては、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、このプラズマを被処理基板、例えば半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板等に作用させて、所定の処理、例えば、エッチング処理、成膜処理等を行うプラズマ処理装置が用いられている。
【０００３】
このようなプラズマ処理装置、例えば、所謂平行平板型のプラズマ処理装置では、真空チャンバ内に、半導体ウエハ等を載置するための載置台が設けられるとともに、この載置台に対向して真空チャンバの天井部にはシャワーヘッドが設けられ、これらの載置台とシャワーヘッドによって一対の平行平板電極が構成されるようになっている。
【０００４】
そして、シャワーヘッドから真空チャンバ内に所定の処理ガスを導入するとともに、真空チャンバの底部から真空排気することによって、真空チャンバ内を所定の真空度の処理ガス雰囲気とし、この状態で載置台とシャワーヘッドとの間に所定周波数の高周波電力を供給することによって、処理ガスのプラズマを発生させ、このプラズマを半導体ウエハに作用させることによって、半導体ウエハのエッチング等の処理を行うよう構成されている。
【０００５】
上記のようなプラズマ処理装置においては、環状の板状に形成され、多数の透孔等からなる排気路が形成された排気リングを、載置台の周囲に設けたものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。このような排気リングは、載置台の周囲から均等に排気を行い半導体ウエハの周囲に均一な処理ガスの流れを形成するとともに、処理空間（載置台とシャワーヘッドとの間の空間）からのプラズマのリークを防止するよう作用する。
【０００６】
また、上記の平行平板電極型のプラズマ処理装置では、平行平板電極間のプラズマが形成される空間、つまり処理空間の容積や形状が、形成されるプラズマの状態を変化させることが知られている。このため、平行平板電極間に仕切り板等を設け、この仕切り板等を移動させることによって処理空間の容積を変更すること（例えば、特許文献２参照。）、平行平板電極間にプラズマを閉じ込めるためのプラズマ閉じ込めリングを設けること（例えば、特許文献３参照。）、また、平行平板電極の間に、プラズマの拡散を防止するための円筒状の接地電極等を設けることも知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
しかしながら、平行平板電極間に各種の構造物を設けると、これを収容する真空チャンバの径が大径化し、この結果、所謂フットプリントが増大するという問題が生じる。また、平行平板電極間にプラズマ閉じ込めリング等を設け、周辺部品と同電位にするために固定構造にすると、このプラズマ閉じ込めリング等を着脱することが困難であるため、プラズマの制御状態が固定されてしまい、実行する処理に応じてプラズマの状態を制御することが難しいという問題がある。
【０００８】
【特許文献１】
特開平８−２６４５１５号公報（第８−９，１７−１８頁、第１，２，３７，３８図）。
【特許文献２】
特開平１−１６８０２８号公報（第３頁、第１−４図）。
【特許文献３】
特開平９−２２７９７号公報（第８頁、第１１図）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述したとおり、従来においては、平行平板電極間に各種の構造物を設けてプラズマの状態を制御することが行われているが、真空チャンバが大径化し、フットプリントが増大するという問題や、実行する処理に応じて、プラズマの状態を制御することが難しいという問題があった。
【００１０】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、真空チャンバの大径化によるフットプリントの増大を招くことがなく、かつ、実行する処理に応じてプラズマの状態を容易に制御することができ、各種のプラズマ処理に容易に対応することのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
すなわち、請求項１記載のプラズマ処理装置は、被処理基板を収容する真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置され、前記被処理基板が載置される載置台と、前記真空チャンバ内に、前記被処理基板に所定の処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、前記載置台の周囲を囲むように配置され、排気路が形成された排気リングと、前記排気路を介して前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気機構と、前記排気リングの位置を変更する機構とを具備したことを特徴とする。
【００１２】
請求項２記載のプラズマ処理装置は、請求項１記載のプラズマ処理装置であって、前記排気リングの位置を変更する機構が、前記排気リングを上下動させるよう構成されたことを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載のプラズマ処理装置は、被処理基板を収容する真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置され、前記被処理基板が載置される載置台と、前記真空チャンバ内に、前記被処理基板に所定の処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、前記載置台の周囲を囲むように配置され、排気路が形成された排気リングと、前記排気路を介して前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気機構とを具備したプラズマ処理装置であって、前記排気リングが、第１の排気リングと、この第１の排気リングより前記載置台の載置面から離間して配置された第２の排気リングとから構成され、前記第２の排気リングに通じる排気通路に、この排気通路を開閉する開閉機構が設けられていることを特徴とする。
【００１４】
請求項４記載のプラズマ処理方法は、被処理基板を収容する真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置され、前記被処理基板が載置される載置台と、前記真空チャンバ内に、前記被処理基板に所定の処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、前記載置台の周囲を囲むように配置され、排気路が形成された排気リングと、前記排気路を介して前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気機構と、を具備したプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、前記排気リングの位置を変更することによって、前記被処理基板に対するプラズマ処理の状態を制御することを特徴とする。
【００１５】
請求項５記載のプラズマ処理方法は、請求項４記載のプラズマ処理方法であって、前記排気リングを上下動させて、前記被処理基板に対するプラズマ処理の状態を制御することを特徴とする。
【００１６】
請求項６記載のプラズマ処理方法は、請求項５記載のプラズマ処理方法であって、前記被処理基板に形成された少なくとも２種類の異なる材料からなる積層膜をエッチングする際に、前記排気リングの位置を、エッチングされる膜の材料に応じて変化させてプラズマエッチング処理を行うことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を、実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本発明を、半導体ウエハのプラズマエッチング処理を行う平行平板型のプラズマエッチング装置に適用した実施の形態の構成の概略を模式的に示すものであり、同図において、符号１は、材質が例えばアルミニウム等からなり、内部を気密に閉塞可能に構成された円筒状の真空チャンバを示している。
【００１９】
この真空チャンバ１内には、半導体ウエハＷを載置するための載置台２が設けられており、この載置台２は下部電極を兼ねている。また、真空チャンバ１内の天井部には、上部電極を構成するシャワーヘッド３が設けられており、これらの載置台２とシャワーヘッド３によって、一対の平行平板電極が構成されるようになっている。
【００２０】
上記シャワーヘッド３には、ガス拡散用の空隙４が設けられるとともに、このガス拡散用の空隙４の下側に位置するように多数の細孔５が設けられている。そして、処理ガス供給系６から供給された所定の処理ガスを、ガス拡散用の空隙４内で拡散させ、細孔５から半導体ウエハＷに向けてシャワー状に供給するよう構成されている。本実施形態では、このシャワーヘッド３は、接地電位とされているが、シャワーヘッド３に高周波電源が接続され、載置台２とシャワーヘッド３の双方に高周波電力が印加される構成としても良い。
【００２１】
一方、載置台２には、２つの整合器７，８を介して２つの高周波電源９，１０が接続されており、載置台２に、２種類の所定周波数（例えば、１００ＭＨｚと３．２ＭＨｚ）の高周波電力を重畳して供給可能とされている。なお、載置台２に高周波電力を供給する高周波電源を１台のみとして、１種類の周波数の高周波電力のみを供給する構成としても良い。
【００２２】
また、載置台２の半導体ウエハＷの載置面には、半導体ウエハＷを吸着保持するための静電チャック１１が設けられている。この静電チャック１１は、絶縁層１１ａ内に静電チャック用電極１１ｂを配設した構成とされており、静電チャック用電極１１ｂには、直流電源１２が接続されている。さらに、載置台２の上面には、半導体ウエハＷの周囲を囲むように、フォーカスリング１３が設けられている。
【００２３】
上記載置台２には、図示しない冷媒循環用の冷媒流路が形成されており、載置台２を所定温度に温度制御可能とされている。また、載置台２と半導体ウエハＷの裏面との間に冷却用ガス、例えばヘリウムガスを供給する図示しないガス供給機構が設けられており、このヘリウムガスによって、載置台２と半導体ウエハＷとの熱交換が促進され、半導体ウエハＷが所定温度に温度制御されるようになっている。このヘリウムガスの供給圧力は、半導体ウエハＷの中央部と周辺部とで別々に設定できるようになっている。また、シャワーヘッド３と真空チャンバ１の側壁部にも、図示しない冷媒循環用の冷媒流路が形成されており、シャワーヘッド３及び真空チャンバ１の側壁部も、夫々所定温度に温度制御できるよう構成されている。
【００２４】
真空チャンバ１の底部には、排気ポート１４が設けられ、この排気ポート１４には、真空ポンプ等から構成された排気系１５が接続されている。
【００２５】
また、載置台２の周囲には、半導体ウエハＷの載置面に対して略平行に、環状に形成された排気リング１６が設けられている。この排気リング１６には、多数の円孔等からなる排気路１７が形成されており、これらの排気路１７を介して排気系１５により真空排気を行うことによって、載置台２の周囲に均一な処理ガスの流れが形成されるようになっている。また、この排気リング１６は、電気的に接地電位に接続されており、載置台２とシャワーヘッド３との間の処理空間に形成されたプラズマが、排気リング１６の下方の空間にリークすることを防止するよう作用する。
【００２６】
上記排気リング１６は、図２，３にも示すように、駆動機構１８に接続されており、上下動自在に構成されている。なお、図１，２に示す状態は、排気リング１６を最も高い位置に上昇させた状態を示しており、図３に示す状態は、排気リング１６を最も低い位置に下降させた状態を示している。また、排気リング１６は、図１，２に示す位置と、図３に示す位置の中間の任意の位置で停止させることができるよう構成されている。図２，３に示すように、駆動機構１８の可動部には真空シール機構１８ａが設けられ、真空チャンバ１の内部と外部とを、気密に封止するようになっている。
【００２７】
また、排気リング１６の外周側には、円筒状の側壁を構成するように、側壁構成部材１９が、排気リング１６の可動範囲に渡って上下方向に延在するように設けられており、排気リング１６の外周縁部と側壁構成部材１９との間が近接した状態に保たれ、ここからのプラズマリーク等が生じないようになっている。なお、後述する図１４，１５に示す実施形態と同様に、この側壁構成部材１９に排気路を設け、排気リング１６を下降させた際のコンダクタンスを向上させるように構成することもできる。側壁構成部材１９の下端部は、載置台２の方向に半導体ウエハＷの載置面に対して略平行に延在して下端面を形成し、この下端面には多数の円孔等からなる排気路が形成されている。上記下端面は必ずしも必要ではない。
【００２８】
上記の排気リング１６の材質は、導電性のものであれば、どのようなものでも良く、例えば、ステンレス、表面にアルマイト被膜や溶射膜が形成されたアルミニウム等を使用することができる。なお、例えば、図４に示すように、排気リング１６と、接地電位とされる部材との間に、ステンレスやアルミニウム等の導電性材料からなベローズ等の接地用導体４０を設け、排気リング１６が確実に接地電位に保持されるようにすることが好ましい。
【００２９】
また、真空チャンバ１の周囲には、磁場形成機構２０が設けられており、真空チャンバ１内の処理空間に、所望の磁場を形成できるようになっている。この磁場形成機構２０には、回転機構２１が設けられており、真空チャンバ１の周囲で磁場形成機構２０を回転させることにより、真空チャンバ１内の磁場を回転可能に構成されている。
【００３０】
次に、このように構成されたプラズマエッチング装置におけるエッチング処理について説明する。
【００３１】
まず、図示しない搬入・搬出口に設けられた図示しないゲートバルブを開放し、搬送機構等により半導体ウエハＷを真空チャンバ１内に搬入し、載置台２上に載置する。載置台２上に載置された半導体ウエハＷは、この後、静電チャック１１の静電チャック用電極１１ｂに、直流電源１２から所定の直流電圧を印加することにより、吸着保持される。
【００３２】
次に、搬送機構を真空チャンバ１外へ退避させた後、ゲートバルブを閉じ、真空系１５の真空ポンプ等により真空チャンバ１内を排気する。真空チャンバ１内が所定の真空度になった後、真空チャンバ１内に、ガス拡散用の空隙４、細孔５を介して、処理ガス供給系６から所定のエッチング処理用の処理ガスを、例えば１００〜１０００ｓｃｃｍの流量で導入し、真空チャンバ１内を所定の圧力、例えば１．３３〜１３３Ｐａ（１０〜１０００ｍＴｏｒｒ）程度に保持する。
【００３３】
この状態で、高周波電源９，１０から載置台２に、所定周波数（例えば、１００ＭＨｚと３．２ＭＨｚ）の高周波電力を供給する。
【００３４】
上記のように、載置台２に高周波電力が印加されることにより、シャワーヘッド３と載置台２との間の処理空間には高周波電界が形成される。また、処理空間には、磁場形成機構２０よる所定の磁場が形成される。これにより処理空間に供給された処理ガスから所定のプラズマが発生し、そのプラズマにより半導体ウエハＷ上の所定の膜がエッチングされる。
【００３５】
この際、実施する処理に応じて、予め前述したとおり駆動機構１８によって、排気リング１６の位置を所定位置に設定しておくことにより、プラズマの状態を最適な状態に制御することができ、良好なプラズマエッチング処理を行うことができる。
【００３６】
そして、所定のエッチング処理が実行されると、高周波電源９，１０からの高周波電力の供給を停止し、エッチング処理を停止して、上述した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷを真空チャンバ１外に搬出する。
【００３７】
図５〜７のグラフは、排気リング１６の位置と、酸化膜をプラズマエッチング処理した際の処理の状態との関係を示すもので、これらのグラフにおいて、縦軸はエッチングレート、横軸はウエハ中心からの距離（ウエハ上の位置）を示している。処理条件は、
処理ガス：Ｃ４ Ｆ６ ／Ａｒ／Ｏ２
処理圧力：６．６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）
である。また、図５〜７のうち、図５は排気リング１６の高さを、載置台２の半導体ウエハＷの載置面の高さから−３０ｍｍ（３０ｍｍ低い位置）とした場合、図６は−７０ｍｍ（７０ｍｍ低い位置）とした場合、図７は−１１０ｍｍ（１１０ｍｍ低い位置）とした場合を示している。
【００３８】
これらの図５〜７に示されるように、酸化膜をプラズマエッチング処理する場合、排気リング１６の高さを低くした方が、エッチングレートは低くなるもののエッチングレートの面内均一性が向上する。各図におけるエッチングレートの平均値及びユニフォーミティ（（最大値−最小値）／（２×平均値））は、−３０ｍｍの場合、３０６．３ｎｍ±１３．４％、−６０ｍｍの場合、２９４．０ｎｍ±５．５％、−１１０ｍｍの場合、２９２．８ｎｍ±３．７％であった。
【００３９】
また、図８〜１０は、排気リング１６の位置と、窒化膜をプラズマエッチング処理した際の処理の状態との関係を示すもので、これらのグラフにおいて、縦軸はエッチングレート、横軸はウエハ中心からの距離（ウエハ上の位置）を示している。処理条件は、
処理ガス：ＣＦ４ ／Ａｒ／Ｏ２
処理圧力：６．６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）
である。また、図８〜１０のうち、図８は排気リング１６の高さを、載置台２の半導体ウエハＷの載置面の高さから−３０ｍｍ（３０ｍｍ低い位置）とした場合、図９は−７０ｍｍ（７０ｍｍ低い位置）とした場合、図１０は−１１０ｍｍ（１１０ｍｍ低い位置）とした場合を示している。
【００４０】
これらの図８〜１０に示されるように、窒化膜をプラズマエッチング処理する場合、排気リング１６の高さを低くした方が、エッチングレートは低くなるもののエッチングレートの面内均一性が向上する。各図におけるエッチングレートの平均値及びユニフォーミティ（（最大値−最小値）／（２×平均値））は、−３０ｍｍの場合、２１０．６ｎｍ±２１．８％、−６０ｍｍの場合、１７８．６ｎｍ±９．４％、−１１０ｍｍの場合、１６１．５ｎｍ±５．５％であった。
【００４１】
また、図１１〜１３は、排気リング１６の位置と、有機膜をプラズマエッチング処理した際の処理の状態との関係を示すもので、これらのグラフにおいて、縦軸はエッチングレート、横軸はウエハ中心からの距離（ウエハ上の位置）を示している。処理条件は、
処理ガス：ＮＨ３
処理圧力：３．９９Ｐａ（３０ｍＴｏｒｒ）
である。また、図１１〜１３のうち、図１１は排気リング１６の高さを、載置台２の半導体ウエハＷの載置面の高さから−３０ｍｍ（３０ｍｍ低い位置）とした場合、図１２は−７０ｍｍ（７０ｍｍ低い位置）とした場合、図１３は−１１０ｍｍ（１１０ｍｍ低い位置）とした場合を示している。
【００４２】
これらの図１１〜１３に示されるように、有機膜をプラズマエッチング処理する場合、排気リング１６の高さを高くした方が、エッチングレートが高くなると共に、エッチングレートの面内均一性が向上する。各図におけるエッチングレートの平均値及びユニフォーミティ（（最大値−最小値）／（２×平均値））は、−３０ｍｍの場合、４０１．３ｎｍ±２０．９％、−６０ｍｍの場合、２６５．３ｎｍ±３４．４％、−１１０ｍｍの場合、２１９．４ｎｍ±３７．９％であった。
【００４３】
以上の結果から分かるように、本実施形態においては、例えば、有機膜をプラズマエッチング処理する場合は、予め排気リング１６の高さを高くしておき、一方、酸化膜あるいは窒化膜プラズマエッチング処理する場合は、予め排気リング１６の高さを低く設定しておくことによって、夫々の処理を、より面内均一性の高い良好な状態で行うことができる。
【００４４】
なお、上述したプラズマエッチング処理において、真空チャンバ１内に形成される処理空間の直径、つまり、真空チャンバ１の内径は４８０ｍｍであり、電極間距離（載置台２の載置面とシャワーヘッド３下面との距離）は４０ｍｍである。そして、処理空間の全容積は、上記の直径４８０ｍｍ厚さ４０ｍｍの空間の容積に、載置台２の載置面の高さから排気リング１６上面までの空間の容積を足したものになる。したがって、処理空間の全容積は、排気リング１６の高さを−３０ｍｍとした場合、８．８ｌ、排気リング１６の高さを−６０ｍｍとした場合、１０．６ｌ、排気リング１６の高さを−１１０ｍｍとした場合、１２．５ｌとなる。また、アノードとカソードの面積の比率（アノードカソード比）Ａ／Ｃは、排気リング１６の高さを−３０ｍｍとした場合、２．９９、排気リング１６の高さを−６０ｍｍとした場合、３．９０、排気リング１６の高さを−１１０ｍｍとした場合、４．８９となる。
【００４５】
排気リング１６の高さを変化させた場合、上記のような処理空間の容積やアノードカソード比が変化し、また、プラズマの形状等も変化すると考えられることから、これらの要因が相互に関連して、上記のようなプラズマ処理状態の変化が起きるものと推測される。
【００４６】
そして、上記のように、排気リング１６の高さを変えることによって、プラズマの状態を制御すれば、真空チャンバ１の直径を小さく設定しても、処理空間の容積を増大させる等の制御を行うことができるので、フットプリントの増大を招くこともない。
【００４７】
図１４，１５は、他の実施形態の要部構成を示すもので、この実施形態では、排気リングとして、より載置台２の載置面に近い位置に第１の排気リング１６ａが設けられており、この第１の排気リング１６ａより載置台２の載置面から遠い位置、つまり、低い位置に第２の排気リング１６ｂが設けられている。そして、第２の排気リング１６ｂへ通じる排気通路３０を開閉するための開閉機構３１が設けられている。
【００４８】
この実施形態では、図１４に示すように、開閉機構３１を閉めた状態とすることによって、実質的に第１の排気リング１６ａのみが排気リングとして作用する。また、図１５に示すように、開閉機構３１を駆動機構３４作動させて開けることによって、排気通路３０を通じて第２の排気リング１６ｂが排気リングとして作用するようになり、この時、開閉機構３１と第２の排気リング１６ｂとの間の空間も処理空間として作用するようになる。したがって、開閉機構３１を開閉することによって、実質的に前述した実施形態の排気リング１６を上げた状態及び下げた状態と同様な状態となる。このような構成としても、前述した実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００４９】
また、この実施形態では、第２の排気リング１６ｂを支持する支持部材３２の側壁部分にも排気路３３が形成されており、コンダクタンスの向上を図ることができるようになっている。
【００５０】
なお、上記実施の形態においては、排気リング１６が半導体ウエハＷの載置面に対して略平行な場合について説明したが、半導体ウエハＷの載置面に対して傾斜を有したものや、階段状の段差を有したものであっても良い。
【００５１】
また、上記実施の形態においては、本発明を半導体ウエハのエッチングを行うプラズマエッチング装置に適用した場合について説明したが、本発明はかかる場合に限定されるものではない。例えば、半導体ウエハ以外の基板を処理するものであっても良く、エッチング以外の処理、例えばＣＶＤ等の成膜処理装置にも適用することができる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法によれば、真空チャンバの大径化によるフットプリントの増大を招くことがなく、かつ、実行する処理に応じてプラズマの状態を容易に制御することができ、各種のプラズマ処理に容易に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の全体概略構成を示す図。
【図２】図１のプラズマ処理装置の要部概略構成を示す図。
【図３】図１のプラズマ処理装置の要部概略構成を示す図。
【図４】接地用導体を設けたプラズマ処理装置の要部概略構成を示す図。
【図５】ウエハ各部における酸化膜のエッチングレートを示す図。
【図６】ウエハ各部における酸化膜のエッチングレートを示す図。
【図７】ウエハ各部における酸化膜のエッチングレートを示す図。
【図８】ウエハ各部における窒化膜のエッチングレートを示す図。
【図９】ウエハ各部における窒化膜のエッチングレートを示す図。
【図１０】ウエハ各部における窒化膜のエッチングレートを示す図。
【図１１】ウエハ各部における有機膜のエッチングレートを示す図。
【図１２】ウエハ各部における有機膜のエッチングレートを示す図。
【図１３】ウエハ各部における有機膜のエッチングレートを示す図。
【図１４】他の実施形態に係るプラズマ処理装置の要部概略構成を示す図。
【図１５】図１４のプラズマ処理装置の要部概略構成を示す図。
【符号の説明】
Ｗ……半導体ウエハ、１……真空チャンバ、２……載置台、３……シャワーヘッド、９，１０……高周波電源、１４……排気ポート、１５……排気系、１６……排気リング、１７……排気路、１８……駆動機構。
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板、例えば半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板等に、プラズマを作用させてエッチング処理や成膜処理等の所定のプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体装置の製造分野においては、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、このプラズマを被処理基板、例えば半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板等に作用させて、所定の処理、例えば、エッチング処理、成膜処理等を行うプラズマ処理装置が用いられている。
【０００３】
このようなプラズマ処理装置、例えば、所謂平行平板型のプラズマ処理装置では、真空チャンバ内に、半導体ウエハ等を載置するための載置台が設けられるとともに、この載置台に対向して真空チャンバの天井部にはシャワーヘッドが設けられ、これらの載置台とシャワーヘッドによって一対の平行平板電極が構成されるようになっている。
【０００４】
そして、シャワーヘッドから真空チャンバ内に所定の処理ガスを導入するとともに、真空チャンバの底部から真空排気することによって、真空チャンバ内を所定の真空度の処理ガス雰囲気とし、この状態で載置台とシャワーヘッドとの間に所定周波数の高周波電力を供給することによって、処理ガスのプラズマを発生させ、このプラズマを半導体ウエハに作用させることによって、半導体ウエハのエッチング等の処理を行うよう構成されている。
【０００５】
上記のようなプラズマ処理装置においては、環状の板状に形成され、多数の透孔等からなる排気路が形成された排気リングを、載置台の周囲に設けたものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。このような排気リングは、載置台の周囲から均等に排気を行い半導体ウエハの周囲に均一な処理ガスの流れを形成するとともに、処理空間（載置台とシャワーヘッドとの間の空間）からのプラズマのリークを防止するよう作用する。
【０００６】
また、上記の平行平板電極型のプラズマ処理装置では、平行平板電極間のプラズマが形成される空間、つまり処理空間の容積や形状が、形成されるプラズマの状態を変化させることが知られている。このため、平行平板電極間に仕切り板等を設け、この仕切り板等を移動させることによって処理空間の容積を変更すること（例えば、特許文献２参照。）、平行平板電極間にプラズマを閉じ込めるためのプラズマ閉じ込めリングを設けること（例えば、特許文献３参照。）、また、平行平板電極の間に、プラズマの拡散を防止するための円筒状の接地電極等を設けることも知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
しかしながら、平行平板電極間に各種の構造物を設けると、これを収容する真空チャンバの径が大径化し、この結果、所謂フットプリントが増大するという問題が生じる。また、平行平板電極間にプラズマ閉じ込めリング等を設け、周辺部品と同電位にするために固定構造にすると、このプラズマ閉じ込めリング等を着脱することが困難であるため、プラズマの制御状態が固定されてしまい、実行する処理に応じてプラズマの状態を制御することが難しいという問題がある。
【０００８】
【特許文献１】
特開平８−２６４５１５号公報（第８−９，１７−１８頁、第１，２，３７，３８図）。
【特許文献２】
特開平１−１６８０２８号公報（第３頁、第１−４図）。
【特許文献３】
特開平９−２２７９７号公報（第８頁、第１１図）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述したとおり、従来においては、平行平板電極間に各種の構造物を設けてプラズマの状態を制御することが行われているが、真空チャンバが大径化し、フットプリントが増大するという問題や、実行する処理に応じて、プラズマの状態を制御することが難しいという問題があった。
【００１０】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、真空チャンバの大径化によるフットプリントの増大を招くことがなく、かつ、実行する処理に応じてプラズマの状態を容易に制御することができ、各種のプラズマ処理に容易に対応することのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
すなわち、請求項１記載のプラズマ処理装置は、被処理基板を収容する真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置され、前記被処理基板が載置される載置台と、前記真空チャンバ内に、前記被処理基板に所定の処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、前記載置台の周囲を囲むように配置され、排気路が形成された排気リングと、前記排気路を介して前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気機構と、前記排気リングの位置を変更する機構とを具備したことを特徴とする。
【００１２】
請求項２記載のプラズマ処理装置は、請求項１記載のプラズマ処理装置であって、前記排気リングの位置を変更する機構が、前記排気リングを上下動させるよう構成されたことを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載のプラズマ処理装置は、被処理基板を収容する真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置され、前記被処理基板が載置される載置台と、前記真空チャンバ内に、前記被処理基板に所定の処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、前記載置台の周囲を囲むように配置され、排気路が形成された排気リングと、前記排気路を介して前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気機構とを具備したプラズマ処理装置であって、前記排気リングが、第１の排気リングと、この第１の排気リングより前記載置台の載置面から離間して配置された第２の排気リングとから構成され、前記第２の排気リングに通じる排気通路に、この排気通路を開閉する開閉機構が設けられていることを特徴とする。
【００１４】
請求項４記載のプラズマ処理方法は、被処理基板を収容する真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置され、前記被処理基板が載置される載置台と、前記真空チャンバ内に、前記被処理基板に所定の処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、前記載置台の周囲を囲むように配置され、排気路が形成された排気リングと、前記排気路を介して前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気機構と、を具備したプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、前記排気リングの位置を変更することによって、前記被処理基板に対するプラズマ処理の状態を制御することを特徴とする。
【００１５】
請求項５記載のプラズマ処理方法は、請求項４記載のプラズマ処理方法であって、前記排気リングを上下動させて、前記被処理基板に対するプラズマ処理の状態を制御することを特徴とする。
【００１６】
請求項６記載のプラズマ処理方法は、請求項５記載のプラズマ処理方法であって、前記被処理基板に形成された少なくとも２種類の異なる材料からなる積層膜をエッチングする際に、前記排気リングの位置を、エッチングされる膜の材料に応じて変化させてプラズマエッチング処理を行うことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を、実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本発明を、半導体ウエハのプラズマエッチング処理を行う平行平板型のプラズマエッチング装置に適用した実施の形態の構成の概略を模式的に示すものであり、同図において、符号１は、材質が例えばアルミニウム等からなり、内部を気密に閉塞可能に構成された円筒状の真空チャンバを示している。
【００１９】
この真空チャンバ１内には、半導体ウエハＷを載置するための載置台２が設けられており、この載置台２は下部電極を兼ねている。また、真空チャンバ１内の天井部には、上部電極を構成するシャワーヘッド３が設けられており、これらの載置台２とシャワーヘッド３によって、一対の平行平板電極が構成されるようになっている。
【００２０】
上記シャワーヘッド３には、ガス拡散用の空隙４が設けられるとともに、このガス拡散用の空隙４の下側に位置するように多数の細孔５が設けられている。そして、処理ガス供給系６から供給された所定の処理ガスを、ガス拡散用の空隙４内で拡散させ、細孔５から半導体ウエハＷに向けてシャワー状に供給するよう構成されている。本実施形態では、このシャワーヘッド３は、接地電位とされているが、シャワーヘッド３に高周波電源が接続され、載置台２とシャワーヘッド３の双方に高周波電力が印加される構成としても良い。
【００２１】
一方、載置台２には、２つの整合器７，８を介して２つの高周波電源９，１０が接続されており、載置台２に、２種類の所定周波数（例えば、１００ＭＨｚと３．２ＭＨｚ）の高周波電力を重畳して供給可能とされている。なお、載置台２に高周波電力を供給する高周波電源を１台のみとして、１種類の周波数の高周波電力のみを供給する構成としても良い。
【００２２】
また、載置台２の半導体ウエハＷの載置面には、半導体ウエハＷを吸着保持するための静電チャック１１が設けられている。この静電チャック１１は、絶縁層１１ａ内に静電チャック用電極１１ｂを配設した構成とされており、静電チャック用電極１１ｂには、直流電源１２が接続されている。さらに、載置台２の上面には、半導体ウエハＷの周囲を囲むように、フォーカスリング１３が設けられている。
【００２３】
上記載置台２には、図示しない冷媒循環用の冷媒流路が形成されており、載置台２を所定温度に温度制御可能とされている。また、載置台２と半導体ウエハＷの裏面との間に冷却用ガス、例えばヘリウムガスを供給する図示しないガス供給機構が設けられており、このヘリウムガスによって、載置台２と半導体ウエハＷとの熱交換が促進され、半導体ウエハＷが所定温度に温度制御されるようになっている。このヘリウムガスの供給圧力は、半導体ウエハＷの中央部と周辺部とで別々に設定できるようになっている。また、シャワーヘッド３と真空チャンバ１の側壁部にも、図示しない冷媒循環用の冷媒流路が形成されており、シャワーヘッド３及び真空チャンバ１の側壁部も、夫々所定温度に温度制御できるよう構成されている。
【００２４】
真空チャンバ１の底部には、排気ポート１４が設けられ、この排気ポート１４には、真空ポンプ等から構成された排気系１５が接続されている。
【００２５】
また、載置台２の周囲には、半導体ウエハＷの載置面に対して略平行に、環状に形成された排気リング１６が設けられている。この排気リング１６には、多数の円孔等からなる排気路１７が形成されており、これらの排気路１７を介して排気系１５により真空排気を行うことによって、載置台２の周囲に均一な処理ガスの流れが形成されるようになっている。また、この排気リング１６は、電気的に接地電位に接続されており、載置台２とシャワーヘッド３との間の処理空間に形成されたプラズマが、排気リング１６の下方の空間にリークすることを防止するよう作用する。
【００２６】
上記排気リング１６は、図２，３にも示すように、駆動機構１８に接続されており、上下動自在に構成されている。なお、図１，２に示す状態は、排気リング１６を最も高い位置に上昇させた状態を示しており、図３に示す状態は、排気リング１６を最も低い位置に下降させた状態を示している。また、排気リング１６は、図１，２に示す位置と、図３に示す位置の中間の任意の位置で停止させることができるよう構成されている。図２，３に示すように、駆動機構１８の可動部には真空シール機構１８ａが設けられ、真空チャンバ１の内部と外部とを、気密に封止するようになっている。
【００２７】
また、排気リング１６の外周側には、円筒状の側壁を構成するように、側壁構成部材１９が、排気リング１６の可動範囲に渡って上下方向に延在するように設けられており、排気リング１６の外周縁部と側壁構成部材１９との間が近接した状態に保たれ、ここからのプラズマリーク等が生じないようになっている。なお、後述する図１４，１５に示す実施形態と同様に、この側壁構成部材１９に排気路を設け、排気リング１６を下降させた際のコンダクタンスを向上させるように構成することもできる。側壁構成部材１９の下端部は、載置台２の方向に半導体ウエハＷの載置面に対して略平行に延在して下端面を形成し、この下端面には多数の円孔等からなる排気路が形成されている。上記下端面は必ずしも必要ではない。
【００２８】
上記の排気リング１６の材質は、導電性のものであれば、どのようなものでも良く、例えば、ステンレス、表面にアルマイト被膜や溶射膜が形成されたアルミニウム等を使用することができる。なお、例えば、図４に示すように、排気リング１６と、接地電位とされる部材との間に、ステンレスやアルミニウム等の導電性材料からなベローズ等の接地用導体４０を設け、排気リング１６が確実に接地電位に保持されるようにすることが好ましい。
【００２９】
また、真空チャンバ１の周囲には、磁場形成機構２０が設けられており、真空チャンバ１内の処理空間に、所望の磁場を形成できるようになっている。この磁場形成機構２０には、回転機構２１が設けられており、真空チャンバ１の周囲で磁場形成機構２０を回転させることにより、真空チャンバ１内の磁場を回転可能に構成されている。
【００３０】
次に、このように構成されたプラズマエッチング装置におけるエッチング処理について説明する。
【００３１】
まず、図示しない搬入・搬出口に設けられた図示しないゲートバルブを開放し、搬送機構等により半導体ウエハＷを真空チャンバ１内に搬入し、載置台２上に載置する。載置台２上に載置された半導体ウエハＷは、この後、静電チャック１１の静電チャック用電極１１ｂに、直流電源１２から所定の直流電圧を印加することにより、吸着保持される。
【００３２】
次に、搬送機構を真空チャンバ１外へ退避させた後、ゲートバルブを閉じ、真空系１５の真空ポンプ等により真空チャンバ１内を排気する。真空チャンバ１内が所定の真空度になった後、真空チャンバ１内に、ガス拡散用の空隙４、細孔５を介して、処理ガス供給系６から所定のエッチング処理用の処理ガスを、例えば１００〜１０００ｓｃｃｍの流量で導入し、真空チャンバ１内を所定の圧力、例えば１．３３〜１３３Ｐａ（１０〜１０００ｍＴｏｒｒ）程度に保持する。
【００３３】
この状態で、高周波電源９，１０から載置台２に、所定周波数（例えば、１００ＭＨｚと３．２ＭＨｚ）の高周波電力を供給する。
【００３４】
上記のように、載置台２に高周波電力が印加されることにより、シャワーヘッド３と載置台２との間の処理空間には高周波電界が形成される。また、処理空間には、磁場形成機構２０よる所定の磁場が形成される。これにより処理空間に供給された処理ガスから所定のプラズマが発生し、そのプラズマにより半導体ウエハＷ上の所定の膜がエッチングされる。
【００３５】
この際、実施する処理に応じて、予め前述したとおり駆動機構１８によって、排気リング１６の位置を所定位置に設定しておくことにより、プラズマの状態を最適な状態に制御することができ、良好なプラズマエッチング処理を行うことができる。
【００３６】
そして、所定のエッチング処理が実行されると、高周波電源９，１０からの高周波電力の供給を停止し、エッチング処理を停止して、上述した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷを真空チャンバ１外に搬出する。
【００３７】
図５〜７のグラフは、排気リング１６の位置と、酸化膜をプラズマエッチング処理した際の処理の状態との関係を示すもので、これらのグラフにおいて、縦軸はエッチングレート、横軸はウエハ中心からの距離（ウエハ上の位置）を示している。処理条件は、
処理ガス：Ｃ４ Ｆ６ ／Ａｒ／Ｏ２
処理圧力：６．６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）
である。また、図５〜７のうち、図５は排気リング１６の高さを、載置台２の半導体ウエハＷの載置面の高さから−３０ｍｍ（３０ｍｍ低い位置）とした場合、図６は−７０ｍｍ（７０ｍｍ低い位置）とした場合、図７は−１１０ｍｍ（１１０ｍｍ低い位置）とした場合を示している。
【００３８】
これらの図５〜７に示されるように、酸化膜をプラズマエッチング処理する場合、排気リング１６の高さを低くした方が、エッチングレートは低くなるもののエッチングレートの面内均一性が向上する。各図におけるエッチングレートの平均値及びユニフォーミティ（（最大値−最小値）／（２×平均値））は、−３０ｍｍの場合、３０６．３ｎｍ±１３．４％、−６０ｍｍの場合、２９４．０ｎｍ±５．５％、−１１０ｍｍの場合、２９２．８ｎｍ±３．７％であった。
【００３９】
また、図８〜１０は、排気リング１６の位置と、窒化膜をプラズマエッチング処理した際の処理の状態との関係を示すもので、これらのグラフにおいて、縦軸はエッチングレート、横軸はウエハ中心からの距離（ウエハ上の位置）を示している。処理条件は、
処理ガス：ＣＦ４ ／Ａｒ／Ｏ２
処理圧力：６．６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）
である。また、図８〜１０のうち、図８は排気リング１６の高さを、載置台２の半導体ウエハＷの載置面の高さから−３０ｍｍ（３０ｍｍ低い位置）とした場合、図９は−７０ｍｍ（７０ｍｍ低い位置）とした場合、図１０は−１１０ｍｍ（１１０ｍｍ低い位置）とした場合を示している。
【００４０】
これらの図８〜１０に示されるように、窒化膜をプラズマエッチング処理する場合、排気リング１６の高さを低くした方が、エッチングレートは低くなるもののエッチングレートの面内均一性が向上する。各図におけるエッチングレートの平均値及びユニフォーミティ（（最大値−最小値）／（２×平均値））は、−３０ｍｍの場合、２１０．６ｎｍ±２１．８％、−６０ｍｍの場合、１７８．６ｎｍ±９．４％、−１１０ｍｍの場合、１６１．５ｎｍ±５．５％であった。
【００４１】
また、図１１〜１３は、排気リング１６の位置と、有機膜をプラズマエッチング処理した際の処理の状態との関係を示すもので、これらのグラフにおいて、縦軸はエッチングレート、横軸はウエハ中心からの距離（ウエハ上の位置）を示している。処理条件は、
処理ガス：ＮＨ３
処理圧力：３．９９Ｐａ（３０ｍＴｏｒｒ）
である。また、図１１〜１３のうち、図１１は排気リング１６の高さを、載置台２の半導体ウエハＷの載置面の高さから−３０ｍｍ（３０ｍｍ低い位置）とした場合、図１２は−７０ｍｍ（７０ｍｍ低い位置）とした場合、図１３は−１１０ｍｍ（１１０ｍｍ低い位置）とした場合を示している。
【００４２】
これらの図１１〜１３に示されるように、有機膜をプラズマエッチング処理する場合、排気リング１６の高さを高くした方が、エッチングレートが高くなると共に、エッチングレートの面内均一性が向上する。各図におけるエッチングレートの平均値及びユニフォーミティ（（最大値−最小値）／（２×平均値））は、−３０ｍｍの場合、４０１．３ｎｍ±２０．９％、−６０ｍｍの場合、２６５．３ｎｍ±３４．４％、−１１０ｍｍの場合、２１９．４ｎｍ±３７．９％であった。
【００４３】
以上の結果から分かるように、本実施形態においては、例えば、有機膜をプラズマエッチング処理する場合は、予め排気リング１６の高さを高くしておき、一方、酸化膜あるいは窒化膜プラズマエッチング処理する場合は、予め排気リング１６の高さを低く設定しておくことによって、夫々の処理を、より面内均一性の高い良好な状態で行うことができる。
【００４４】
なお、上述したプラズマエッチング処理において、真空チャンバ１内に形成される処理空間の直径、つまり、真空チャンバ１の内径は４８０ｍｍであり、電極間距離（載置台２の載置面とシャワーヘッド３下面との距離）は４０ｍｍである。そして、処理空間の全容積は、上記の直径４８０ｍｍ厚さ４０ｍｍの空間の容積に、載置台２の載置面の高さから排気リング１６上面までの空間の容積を足したものになる。したがって、処理空間の全容積は、排気リング１６の高さを−３０ｍｍとした場合、８．８ｌ、排気リング１６の高さを−６０ｍｍとした場合、１０．６ｌ、排気リング１６の高さを−１１０ｍｍとした場合、１２．５ｌとなる。また、アノードとカソードの面積の比率（アノードカソード比）Ａ／Ｃは、排気リング１６の高さを−３０ｍｍとした場合、２．９９、排気リング１６の高さを−６０ｍｍとした場合、３．９０、排気リング１６の高さを−１１０ｍｍとした場合、４．８９となる。
【００４５】
排気リング１６の高さを変化させた場合、上記のような処理空間の容積やアノードカソード比が変化し、また、プラズマの形状等も変化すると考えられることから、これらの要因が相互に関連して、上記のようなプラズマ処理状態の変化が起きるものと推測される。
【００４６】
そして、上記のように、排気リング１６の高さを変えることによって、プラズマの状態を制御すれば、真空チャンバ１の直径を小さく設定しても、処理空間の容積を増大させる等の制御を行うことができるので、フットプリントの増大を招くこともない。
【００４７】
図１４，１５は、他の実施形態の要部構成を示すもので、この実施形態では、排気リングとして、より載置台２の載置面に近い位置に第１の排気リング１６ａが設けられており、この第１の排気リング１６ａより載置台２の載置面から遠い位置、つまり、低い位置に第２の排気リング１６ｂが設けられている。そして、第２の排気リング１６ｂへ通じる排気通路３０を開閉するための開閉機構３１が設けられている。
【００４８】
この実施形態では、図１４に示すように、開閉機構３１を閉めた状態とすることによって、実質的に第１の排気リング１６ａのみが排気リングとして作用する。また、図１５に示すように、開閉機構３１を駆動機構３４作動させて開けることによって、排気通路３０を通じて第２の排気リング１６ｂが排気リングとして作用するようになり、この時、開閉機構３１と第２の排気リング１６ｂとの間の空間も処理空間として作用するようになる。したがって、開閉機構３１を開閉することによって、実質的に前述した実施形態の排気リング１６を上げた状態及び下げた状態と同様な状態となる。このような構成としても、前述した実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００４９】
また、この実施形態では、第２の排気リング１６ｂを支持する支持部材３２の側壁部分にも排気路３３が形成されており、コンダクタンスの向上を図ることができるようになっている。
【００５０】
なお、上記実施の形態においては、排気リング１６が半導体ウエハＷの載置面に対して略平行な場合について説明したが、半導体ウエハＷの載置面に対して傾斜を有したものや、階段状の段差を有したものであっても良い。
【００５１】
また、上記実施の形態においては、本発明を半導体ウエハのエッチングを行うプラズマエッチング装置に適用した場合について説明したが、本発明はかかる場合に限定されるものではない。例えば、半導体ウエハ以外の基板を処理するものであっても良く、エッチング以外の処理、例えばＣＶＤ等の成膜処理装置にも適用することができる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法によれば、真空チャンバの大径化によるフットプリントの増大を招くことがなく、かつ、実行する処理に応じてプラズマの状態を容易に制御することができ、各種のプラズマ処理に容易に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の全体概略構成を示す図。
【図２】図１のプラズマ処理装置の要部概略構成を示す図。
【図３】図１のプラズマ処理装置の要部概略構成を示す図。
【図４】接地用導体を設けたプラズマ処理装置の要部概略構成を示す図。
【図５】ウエハ各部における酸化膜のエッチングレートを示す図。
【図６】ウエハ各部における酸化膜のエッチングレートを示す図。
【図７】ウエハ各部における酸化膜のエッチングレートを示す図。
【図８】ウエハ各部における窒化膜のエッチングレートを示す図。
【図９】ウエハ各部における窒化膜のエッチングレートを示す図。
【図１０】ウエハ各部における窒化膜のエッチングレートを示す図。
【図１１】ウエハ各部における有機膜のエッチングレートを示す図。
【図１２】ウエハ各部における有機膜のエッチングレートを示す図。
【図１３】ウエハ各部における有機膜のエッチングレートを示す図。
【図１４】他の実施形態に係るプラズマ処理装置の要部概略構成を示す図。
【図１５】図１４のプラズマ処理装置の要部概略構成を示す図。
【符号の説明】
Ｗ……半導体ウエハ、１……真空チャンバ、２……載置台、３……シャワーヘッド、９，１０……高周波電源、１４……排気ポート、１５……排気系、１６……排気リング、１７……排気路、１８……駆動機構。
Claims (6)
- 被処理基板を収容する真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に配置され、前記被処理基板が載置される載置台と、
前記真空チャンバ内に、前記被処理基板に所定の処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、
前記載置台の周囲を囲むように配置され、排気路が形成された排気リングと、
前記排気路を介して前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気機構と、
前記排気リングの位置を変更する機構と
を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１記載のプラズマ処理装置であって、
前記排気リングの位置を変更する機構が、前記排気リングを上下動させるよう構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 被処理基板を収容する真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に配置され、前記被処理基板が載置される載置台と、
前記真空チャンバ内に、前記被処理基板に所定の処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、
前記載置台の周囲を囲むように配置され、排気路が形成された排気リングと、
前記排気路を介して前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気機構とを具備したプラズマ処理装置であって、
前記排気リングが、第１の排気リングと、この第１の排気リングより前記載置台の載置面から離間して配置された第２の排気リングとから構成され、前記第２の排気リングに通じる排気通路に、この排気通路を開閉する開閉機構が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 被処理基板を収容する真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に配置され、前記被処理基板が載置される載置台と、
前記真空チャンバ内に、前記被処理基板に所定の処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、
前記載置台の周囲を囲むように配置され、排気路が形成された排気リングと、
前記排気路を介して前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気機構と、
を具備したプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
前記排気リングの位置を変更することによって、前記被処理基板に対するプラズマ処理の状態を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項４記載のプラズマ処理方法であって、
前記排気リングを上下動させて、前記被処理基板に対するプラズマ処理の状態を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項５記載のプラズマ処理方法であって、
前記被処理基板に形成された少なくとも２種類の異なる材料からなる積層膜をエッチングする際に、前記排気リングの位置を、エッチングされる膜の材料に応じて変化させてプラズマエッチング処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
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Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231439A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| WO2009126576A2 (en) * | 2008-04-07 | 2009-10-15 | Applied Materials, Inc. | Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance |
| KR100925568B1 (ko) | 2007-07-13 | 2009-11-05 | (주)러셀 | 화학 기상 증착장치의 반응챔버 |
| US20100065213A1 (en) * | 2008-01-28 | 2010-03-18 | Carducci James D | Etching chamber having flow equalizer and lower liner |
| KR100981098B1 (ko) * | 2006-03-03 | 2010-09-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 평판표시소자 제조장치의 벤트 결합구조 |
| JP2010538489A (ja) * | 2007-09-04 | 2010-12-09 | ユージン テクノロジー カンパニー リミテッド | 排気ユニットおよびこれを用いる排気方法、並びに前記排気ユニットを含む基板処理装置 |
| US20110108524A1 (en) * | 2009-08-31 | 2011-05-12 | Rajinder Dhindsa | Local plasma confinement and pressure control arrangement and methods thereof |
| JP2011228694A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2012186223A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2012186224A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| KR20130137964A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
| KR20130137959A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
| JP2015216260A (ja) * | 2014-05-12 | 2015-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびそれに用いる排気構造 |
| JP2016115848A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2017501569A (ja) * | 2014-01-09 | 2017-01-12 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理装置 |
| JP2017017180A (ja) * | 2015-07-01 | 2017-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびそれに用いる排気構造 |
| JP2020017697A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| CN111383884A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体约束系统及方法 |
| JP2020119962A (ja) * | 2019-01-22 | 2020-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US20210035823A1 (en) * | 2017-11-30 | 2021-02-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing device |
| CN112908821A (zh) * | 2019-12-04 | 2021-06-04 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种实现均匀排气的双工位处理器及其排气方法 |
| CN113745087A (zh) * | 2020-05-27 | 2021-12-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置及其制造方法和排气结构 |
| CN113838730A (zh) * | 2020-06-08 | 2021-12-24 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 气体遮挡环、等离子体处理装置及调控聚合物分布的方法 |
| CN114420524A (zh) * | 2020-10-28 | 2022-04-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 气流调节装置和方法及应用该装置的等离子体处理装置 |
| WO2024171821A1 (ja) * | 2023-02-13 | 2024-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP7617114B2 (ja) | 2020-04-30 | 2025-01-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改良された選択性およびフローコンダクタンスを有する金属酸化物前洗浄チャンバ |
| JP7660578B2 (ja) | 2020-02-04 | 2025-04-11 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおけるｒｆ信号接地帰還の最適化 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101503256B1 (ko) | 2014-10-10 | 2015-03-18 | (주) 일하하이텍 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| CN109037019B (zh) * | 2018-07-03 | 2020-04-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 干蚀刻设备 |
-
2003
- 2003-05-13 JP JP2003135092A patent/JP4255747B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100981098B1 (ko) * | 2006-03-03 | 2010-09-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 평판표시소자 제조장치의 벤트 결합구조 |
| KR100925568B1 (ko) | 2007-07-13 | 2009-11-05 | (주)러셀 | 화학 기상 증착장치의 반응챔버 |
| JP2010538489A (ja) * | 2007-09-04 | 2010-12-09 | ユージン テクノロジー カンパニー リミテッド | 排気ユニットおよびこれを用いる排気方法、並びに前記排気ユニットを含む基板処理装置 |
| US20100065213A1 (en) * | 2008-01-28 | 2010-03-18 | Carducci James D | Etching chamber having flow equalizer and lower liner |
| US8313578B2 (en) * | 2008-01-28 | 2012-11-20 | Applied Materials, Inc. | Etching chamber having flow equalizer and lower liner |
| KR101365113B1 (ko) | 2008-01-28 | 2014-02-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 유동 이퀄라이저 및 하부 라이너를 구비한 에칭 챔버 |
| JP2009231439A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| WO2009126576A3 (en) * | 2008-04-07 | 2010-03-18 | Applied Materials, Inc. | Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance |
| WO2009126576A2 (en) * | 2008-04-07 | 2009-10-15 | Applied Materials, Inc. | Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance |
| CN103402299A (zh) * | 2008-04-07 | 2013-11-20 | 应用材料公司 | 具有整合的均流器并具有改善的传导性的下部内衬件 |
| CN101990789B (zh) * | 2008-04-07 | 2013-07-17 | 应用材料公司 | 具有整合的均流器并具有改善的传导性的下部内衬件 |
| US8118938B2 (en) | 2008-04-07 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance |
| US7987814B2 (en) | 2008-04-07 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance |
| KR101267452B1 (ko) * | 2008-04-07 | 2013-05-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 통합형 유동 이퀄라이저와 개선된 콘덕턴스를 가지는 하부 라이너 |
| KR101267431B1 (ko) | 2008-04-07 | 2013-05-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 통합형 유동 이퀄라이저와 개선된 콘덕턴스를 가지는 하부 라이너 |
| JP2011517116A (ja) * | 2008-04-07 | 2011-05-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 統合型流量平衡器と改良されたコンダクタンスとを備える下部ライナ |
| US8440019B2 (en) | 2008-04-07 | 2013-05-14 | Applied Materials, Inc. | Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance |
| US8282736B2 (en) | 2008-04-07 | 2012-10-09 | Applied Materials, Inc. | Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance |
| CN102484940A (zh) * | 2009-08-31 | 2012-05-30 | 朗姆研究公司 | 局部等离子体约束和压强控制装置及其方法 |
| KR101723253B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2017-04-04 | 램 리써치 코포레이션 | 국부 플라즈마 한정 및 압력 제어 장치 및 방법 |
| CN102550130A (zh) * | 2009-08-31 | 2012-07-04 | 朗姆研究公司 | 用于执行等离子体约束的多外围环装置 |
| KR20120059515A (ko) * | 2009-08-31 | 2012-06-08 | 램 리써치 코포레이션 | 국부 플라즈마 한정 및 압력 제어 장치 및 방법 |
| US20110108524A1 (en) * | 2009-08-31 | 2011-05-12 | Rajinder Dhindsa | Local plasma confinement and pressure control arrangement and methods thereof |
| US8900398B2 (en) * | 2009-08-31 | 2014-12-02 | Lam Research Corporation | Local plasma confinement and pressure control arrangement and methods thereof |
| JP2011228694A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2012186224A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2012186223A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| KR20130137959A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
| KR20130137964A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
| KR101966800B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2019-08-13 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 방법 |
| KR101955575B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2019-03-08 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 방법 |
| JP2017501569A (ja) * | 2014-01-09 | 2017-01-12 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理装置 |
| JP2015216260A (ja) * | 2014-05-12 | 2015-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびそれに用いる排気構造 |
| TWI657476B (zh) * | 2014-05-12 | 2019-04-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置及其所用的排氣構造 |
| JP2016115848A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| TWI702650B (zh) * | 2015-07-01 | 2020-08-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置及使用於此之排氣構造 |
| JP2017017180A (ja) * | 2015-07-01 | 2017-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびそれに用いる排気構造 |
| US20210035823A1 (en) * | 2017-11-30 | 2021-02-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing device |
| JP7186032B2 (ja) | 2018-07-27 | 2022-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2020017697A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| WO2020022319A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| CN111383884A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体约束系统及方法 |
| CN111383884B (zh) * | 2018-12-27 | 2023-03-10 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体约束系统及方法 |
| JP2020119962A (ja) * | 2019-01-22 | 2020-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP7224192B2 (ja) | 2019-01-22 | 2023-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN112908821B (zh) * | 2019-12-04 | 2023-03-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种实现均匀排气的双工位处理器及其排气方法 |
| CN112908821A (zh) * | 2019-12-04 | 2021-06-04 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种实现均匀排气的双工位处理器及其排气方法 |
| JP7660578B2 (ja) | 2020-02-04 | 2025-04-11 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおけるｒｆ信号接地帰還の最適化 |
| JP7617114B2 (ja) | 2020-04-30 | 2025-01-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改良された選択性およびフローコンダクタンスを有する金属酸化物前洗浄チャンバ |
| JP7418285B2 (ja) | 2020-05-27 | 2024-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置とその製造方法、及び排気構造 |
| JP2021190514A (ja) * | 2020-05-27 | 2021-12-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置とその製造方法、及び排気構造 |
| KR20210146797A (ko) * | 2020-05-27 | 2021-12-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치와 그 제조 방법, 및 배기 구조 |
| CN113745087A (zh) * | 2020-05-27 | 2021-12-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置及其制造方法和排气结构 |
| KR102597893B1 (ko) * | 2020-05-27 | 2023-11-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치와 그 제조 방법, 및 배기 구조 |
| CN113838730B (zh) * | 2020-06-08 | 2024-05-14 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 气体遮挡环、等离子体处理装置及调控聚合物分布的方法 |
| CN113838730A (zh) * | 2020-06-08 | 2021-12-24 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 气体遮挡环、等离子体处理装置及调控聚合物分布的方法 |
| CN114420524B (zh) * | 2020-10-28 | 2023-10-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 气流调节装置和方法及应用该装置的等离子体处理装置 |
| CN114420524A (zh) * | 2020-10-28 | 2022-04-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 气流调节装置和方法及应用该装置的等离子体处理装置 |
| WO2024171821A1 (ja) * | 2023-02-13 | 2024-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4255747B2 (ja) | 2009-04-15 |
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