JP2004335713A

JP2004335713A - Polishing cloth for finishing polish

Info

Publication number: JP2004335713A
Application number: JP2003129136A
Authority: JP
Inventors: Keiji Yamamoto; 恵司山本; Iwai Shimamoto; 祝島本; Yuki Asano; 由貴浅野; Yasuyuki Itai; 康行板井; Toshika Tanaka; 利香田中
Original assignee: Rodel Nitta Inc
Current assignee: Nitta DuPont Inc
Priority date: 2003-05-07
Filing date: 2003-05-07
Publication date: 2004-11-25

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To increase productivity by reducing break-in time for polishing as much as possible. <P>SOLUTION: In a polish cloth for finishing polish of suede tone used for finishing polish of a semiconductor wafer, etc., a polyvinyl chloride or vinyl chloride copolymer is contained in a surface layer (nap layer), the wettability of the wafer and the reduction of haze are promoted, and a time required for the break-in polishing is shortened. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、仕上げ研磨用の研磨布に関し、更に詳しくは、シリコンウェハなどの半導体ウェハの仕上げ研磨に好適な仕上げ研磨用研磨布に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体ウェハの製造工程は、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェハを得るスライス工程と、ウエハの外周部を面取りする面取り工程と、ウエハを平面化するラッピング工程と、ウエハに残留する加工歪を除去するエッチング工程と、ウエハ表面を鏡面化する鏡面研磨工程と、研磨されたウエハを洗浄する洗浄工程とを含む。
【０００３】
ウエハの上記鏡面研磨工程は、基本的に、平坦度の調整を主目的とする粗研磨と、表面粗さを改善することを主目的とする仕上げ研磨とからなる。
【０００４】
この仕上げ研磨では、アルカリ溶液中に、コロイダルシリカ等を分散した研磨剤を供給しながらスエード調の研磨布を用いて行われる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
スエード調の研磨布は、例えば、図１の概略断面図に示されるように、不織布等の基材１に、ウレタン樹脂をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などの水溶性有機溶媒に溶解させたウレタン樹脂溶液を塗布し、これを凝固液で処理し湿式凝固して多孔質銀面層を形成せしめ、水洗乾燥後、該銀面層表面を研削して表面層（ナップ層）２を形成することにより得られるものである。
【０００６】
【特許文献１】
特開平２００３−３７０８９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
かかるスエード調の研磨布では、精度の良好な被研磨物、例えば、シリコンウェハを得るために、研磨布を研磨装置に取り付けて装置を立ち上げた使用の初期段階においては、ダミーウェハ等を研磨して研磨布そのもをシリコンウエハになじませる、いわゆる慣らし研磨（ダミー研磨）を行なう必要があり、この慣らし研磨の後に、本来の製品であるシリコンウェハの研磨（本研磨）に移行している。
【０００８】
上述の慣らし研磨は、ウェハの仕上げ研磨において要求される品質の一つであるヘイズが或る値以下になり、かつ、ウェハ表面の全面が「濡れている」状態になったときに、終了することができる。
【０００９】
ここで、ヘイズは、ＰＶ（ＰｅａｋｔｏＶａｌｌｅｙ）値が１０ｎｍ以下、数〜数十ｎｍの周期の極めて微細な凹凸とされている。
【００１０】
また、「濡れている」状態は、ウェハ表面が親水性となっている状態であり、ウェハ表面に研磨液などによる親水性の膜が形成されている状態である。
【００１１】
このようにウェハ表面に親水性の膜が形成された状態でなければ、仕上げ研磨が終了して次の洗浄工程に移るまでの間に、非常に活性の高いシリコンウェハ表面に、残留パーティクルが固着したり、不所望なな反応が生じたりして面荒れが生じ、上述のヘイズやＬＰＤ（ＬｉｇｈｔＰｏｉｎｔＤｅｆｅｃｔ：ウェハ上の０．１μｍ前後の微小な欠陥、パーティクルなど）が悪化することになるからである。
【００１２】
上述のようにヘイズが或る値以下になり、かつ、ウェハ表面の全面が「濡れている」状態になるまで、すなわち、慣らし研磨に要する時間は、従来では、一般に数時間程度必要であり、その分生産性が低下するという課題がある。
【００１３】
本発明は、上述のような課題に鑑みて為されたものであって、慣らし研磨時間を可及的に低減した仕上げ研磨用研磨布を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明では、上述の目的を達成するために、次のように構成している。
【００１５】
すなわち、本発明は、基材部と、この基材部上に形成される表面層（ナップ層）とを備える仕上げ研磨用研磨布であって、前記表面層に、ポリハロゲン化ビニルまたはハロゲン化ビニル共重合体を含有させている。前記ハロゲン化ビニルとしては、塩化ビニルが好ましく、また、表面層は、ウレタン樹脂を主成分とするのが好ましい。
【００１６】
本発明によると、表面層を構成する樹脂成分に、ポリハロゲン化ビニルまたはハロゲン化ビニル共重合体を含有させることによって、慣らし研磨に要する時間を従来に比べて短縮することができる。
【００１７】
このように本発明では、慣らし研磨に要する時間を短縮できる理由は、次のように考えることができる。すなわち、ポリハロゲン化ビニルまたはハロゲン化ビニル共重合体を含有させることで、表面層の摩擦係数および吸水性の少なくともいずれか一方を調整することができ、これによって、慣らし研磨における表面層と被研磨物であるウェハとの動的摩擦およびハイドロプレーン現象の少なくともいずれか一方の寄与によって、従来に比べて、ヘイズの低減およびウェハ表面の親水性（濡れ）を促進できるものと考えられる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の仕上げ研磨用研磨布は、スエード調の研磨布であるのが好ましく、例えば、上述の図１と同様に、基材１に、ウレタン樹脂をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などの水溶性有機溶媒に溶解させたウレタン樹脂溶液を塗布し、これを凝固液で処理し湿式凝固して多孔質銀面層を形成せしめ、水洗乾燥後、該銀面層表面を研削して表面層（ナップ層）２を形成することにより得られるものである。
【００１９】
本発明の仕上げ研磨用研磨布は、表面層２に特徴を有するものであり、表面層２には、ポリハロゲン化ビニルまたはハロゲン化ビニル共重合体を含有している。
【００２０】
ポリハロゲン化ビニルとしては、ポリ塩化ビニルが好ましいが、ポリフッ化ビニルやポリ臭化ビニルなどであってもよい。
【００２１】
また、ハロゲン化ビニル共重合体としては、塩化ビニル共重合体、例えば、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体が好ましいが、他の共重合体を用いてもよい。
【００２２】
ポリハロゲン化ビニルまたはハロゲン化ビニル共重合体の含有量は、特に規定はないが、上述のジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などの水溶性有機溶媒に溶解させるウレタン樹脂（固形分）に対して、５〜３０重量％、好ましくは、１０〜２５重量％、更に好ましくは、１２〜２２重量％である。
【００２３】
このように本発明は、表面層２に、ポリハロゲン化ビニルまたはハロゲン化ビニル共重合体を含有している以外は、基本的には、従来と同様である。
【００２４】
したがって、上述の基材１としては、例えば、ポリアミド系、ポリエステル系等の不織布などの従来と同様の基材を用いることができる。また、オレフィン系フィルムシート、ポリエステル系フィルムシートも利用できる。
【００２５】
ウレタン樹脂としては、例えば、ポリエステル系、ポリエーテル系、ポリカーボネート系などの従来と同様のウレタン樹脂を用いることができ、異なる種類のウレタン樹脂をブレンドしてもよい。
【００２６】
ウレタン樹脂を溶解させる水溶性有機溶媒としては、上述のジメチルホルムアミドの他、例えば、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド等の従来の同様の溶媒を用いることができる。
【００２７】
また、ウレタン樹脂を溶解した有機溶媒には、従来と同様に、カーボンブラック等の充填剤や界面活性剤等の分散安定剤を添加してもよい。
【００２８】
カーボンブラック等の充填剤は、水溶性有機溶媒に溶解させるウレタン樹脂（固形分）に対して、５〜３０重量％配合するのが好ましい。
【００２９】
【実施例】
以下、実施例および比較例により本発明を更に説明する。
【００３０】
実施例１〜３として、水溶性有機溶媒に溶解させたウレタン樹脂（固形分）に対して、塩化ビニル共重合体である塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を、８重量％、１６重量％および２０重量％それぞれ配合し、基材に塗布し、水中で凝固させた。その後、温水で洗浄して乾燥させ、表面層（ナップ層）を形成し、この表面層を研削して開口させて実施例１〜３のスエード調の仕上げ研磨用研磨布をそれぞれ得た。
【００３１】
比較例として、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を全く配合しなかったスエード調の仕上げ研磨用研磨布を実施例と同様にして得た。
【００３２】
これら実施例１〜３および比較例について、仕上げ研磨用研磨布の表面層と被研磨物であるシリコンウェハとのハイドロプレーン現象に寄与すると考えられる表面層の親水性、疎水性の評価を行なった。
【００３３】
この評価は、実施例１〜３および比較例の仕上げ研磨用研磨布の表面層に、ビュレットで０．０３１ｍｌの水滴を滴下し、吸収されるまでの時間および滴下直後の接触角度によって評価を行なった。
【００３４】
ここで、接触角度θとは、図２に示されるように、表面３上に滴下された液滴４の接触部分がつくる角度をいう。
【００３５】
評価結果を、表１に示す
【００３６】
【表１】

この表１に示されるように、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を全く配合しなかった比較例は、実施例１〜３に比べて、吸水時間が短く、また、接触角度も小さい。
【００３７】
すなわち、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を全く配合しなかった比較例は、実施例１〜３に比べて、親水性（吸水性）が高いことが分かる。
【００３８】
一方、実施例１〜３については、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体の配合量が増えるにつれて、吸水時間が長くなるとともに、接触角度が大きくなっている。
【００３９】
すなわち、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体の配合量が増えるにつれて、親水性（吸水性）が低く、つまり、疎水性が高くなることが分かる。
【００４０】
また、これら実施例１〜３および比較例のそれぞれについて、次のようにして研磨評価を行なった。すなわち、研磨機は、ストラボー（Ｓｔｒａｓｂａｕｇｈ）株式会社製の型式６ＣＡ（１プラテン−２０’’、１ヘッド−８’’）を用い、スラリー（研磨液）は、ＮＰ８０２０（希釈倍率ＮＰ８０２０：ＤＩ（純水）＝１：２０）を使用し、８インチのシリコンウェハを被研磨物として研磨した。
【００４１】
研磨条件は、プラテンの回転数１１５ｒｐｍ、ヘッドの回転数１００ｒｐｍ、スラリー流量３００ｍｌ／ｍｉｎ、面圧１００ｇ／ｃｍ^２、研磨時間５ｍｉｎを１回とした。
【００４２】
ウェハ表面の濡れ状態、すなわち、親水、疎水の評価は、研磨直後のウェハを純水（ＤＩ）にて全面濡らした状態について、目視にて行なった。また、慣らし研磨を終了して本研磨へ移行するための認定品質であるヘイズについても日立電子エンジニアリング株式会社製ＬＳ６６００にて行なった。この装置では、ヘイズは、ウェハ上に照射した入射光に対する散乱光の百万分率（ｐｐｍ）で示される。
【００４３】
その結果を、図３示す。この図３においては、横軸に研磨回数（ｒｕｎ）、縦軸にヘイズ（Ｈａｚｅ：ｐｐｍ）をとっており、ウェハの濡れ状態を併せて示している。
【００４４】
この図３に示されるように、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体が全く添加されていない比較例では、研磨回数１０回までは、全面疎水、すなわち、ウェハ表面が全く濡れていない状態であって、また、ヘイズも測定限界を越えている。研磨回数が、１１回目からヘイズが減少し、１３回目では、ウェハ表面の全面が濡れている状態となり、ヘイズも慣らし研磨を終了できる或る値以下となった。したがって、比較例では、１３回の研磨を終えた時点で本研磨に移行することができる。つまり、比較例では、慣らし研磨に６５分を要することになる。
【００４５】
塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を８重量％添加した実施例１では、研磨回数６回までは、全面疎水、すなわち、ウェハ表面が全く濡れていない状態であって、また、ヘイズも測定限界を越えている。研磨回数が、７回目からヘイズが減少し、１０回目では、ウェハ表面の全面が濡れている状態となり、ヘイズも上述の或る値以下となった。したがって、実施例１では、１０回の研磨を終えた時点で本研磨に移行することができ、慣らし研磨は、５０分で済むことになる。
【００４６】
塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を１６重量％添加した実施例２では、研磨回数４回までは、全面疎水、すなわち、ウェハ表面が全く濡れていない状態である。研磨回数が、５回目からヘイズが減少し、７回目では、ウェハ表面の全面が濡れている状態となり、ヘイズも上述の或る値以下となった。したがって、実施例２では、７回の研磨を終えた時点で本研磨に移行することができ、慣らし研磨は３５分で済むことになる。
【００４７】
塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を２０重量％添加した実施例３では、研磨回数１回の時点で、ウェハ表面の７０％が濡れている状態であって、ヘイズも低い値となっている。研磨回数が、２回目でヘイズがウェハ表面の全面が濡れている状態となり、ヘイズも上述の或る値以下となった。したがって、実施例３では、２回の研磨を終えた時点で本研磨に移行することができ、慣らし研磨は１０分で済むことになる。
【００４８】
以上のように、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を添加してない比較例では、ウェハの表面全面が濡れるまでに、６５分かかったが、８重量％添加した実施例１では５０分、１６重量％添加した実施例２では３５分、２０重量％添加した実施例３では１０分で済み、ヘイズについても同様の推移を示し、慣らし研磨に要する時間を、大幅に短縮して生産性を高めることができる。
【００４９】
上述の実施の形態では、表面層に、ポリ塩化ビニルや塩化ビニル酢酸ビニル共重合体などを含有させた場合について説明したけれども、ポリ塩化ビニルや塩化ビニル酢酸ビニル共重合体に代えて、表面層に、その主たる樹脂成分よりも疎水性の物質、例えば、フッ素化ウレタン、シリコン系樹脂、シリカ砥粒または炭酸カルシウム砥粒を含有させてもよい。
【００５０】
その含有量は、水溶性有機溶媒に溶解させたウレタン樹脂（固形分）に対して、フッ素化ウレタンの場合は、０．１〜５重量％であるのが好ましく、シリコン系樹脂の場合は、１〜２０重量％であるのが好ましく、シリカ砥粒の場合は、０．５〜１５重量％であるのが好ましく、炭酸カルシウム砥粒の場合は、０．５〜３０重量％であるのが好ましい。
【００５１】
また、ポリ塩化ビニルや塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、フッ素化ウレタン、シリコン系樹脂、シリカ砥粒または炭酸カルシウム砥粒を、適宜組み合わせて含有させてもよい。
【００５２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、表面層を構成する樹脂成分に、ポリ塩化ビニルや塩化ビニル共重合体などのポリハロゲン化ビニルまたはハロゲン化ビニル共重合体を含有させることによって、慣らし研磨に要する時間を従来に比べて短縮することができ、これによって、生産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】スエード調研磨布の概略断面図
【図２】接触角を示す図
【図３】本発明の実施例および比較例のヘイズの推移を示す図
【符号の説明】
１基材
２表面層（ナップ層）[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a polishing cloth for finish polishing, and more particularly, to a polishing cloth for finish polishing suitable for final polishing of a semiconductor wafer such as a silicon wafer.
[0002]
[Prior art]
In general, a semiconductor wafer manufacturing process includes a slicing process of slicing a single crystal ingot to obtain a thin disk-shaped wafer, a chamfering process of chamfering an outer peripheral portion of the wafer, a lapping process of flattening the wafer, and a lapping process. The method includes an etching step for removing the remaining processing strain, a mirror polishing step for mirror-polishing the wafer surface, and a cleaning step for cleaning the polished wafer.
[0003]
The mirror polishing step for a wafer basically includes rough polishing mainly for adjusting flatness and finish polishing mainly for improving surface roughness.
[0004]
The finish polishing is performed using a suede-like polishing cloth while supplying an abrasive in which colloidal silica or the like is dispersed in an alkaline solution (for example, see Patent Document 1).
[0005]
A suede-like polishing cloth is, for example, a urethane resin solution obtained by dissolving a urethane resin in a water-soluble organic solvent such as dimethylformamide (DMF) on a base material 1 such as a nonwoven fabric as shown in a schematic sectional view of FIG. Is coated with a coagulating solution, wet coagulated to form a porous silver surface layer, washed with water and dried, and then ground to form a surface layer (nap layer) 2. It is something that can be done.
[0006]
[Patent Document 1]
JP-A-2003-37089
[Problems to be solved by the invention]
In such a suede-like polishing cloth, a dummy wafer or the like is polished in an initial stage of use in which the polishing cloth is attached to a polishing apparatus and the apparatus is started up in order to obtain a highly accurate object to be polished, for example, a silicon wafer. It is necessary to perform so-called break-in polishing (dummy polishing) in which the polishing cloth itself is adapted to the silicon wafer, and after this break-in polishing, the process shifts to polishing of the original silicon wafer (main polishing).
[0008]
The above-mentioned break-in polishing is terminated when the haze, which is one of the qualities required in the final polishing of the wafer, becomes a certain value or less, and the entire surface of the wafer becomes "wet". be able to.
[0009]
Here, the haze is an extremely fine unevenness having a PV (Peak to Valley) value of 10 nm or less and a period of several to several tens of nm.
[0010]
The “wet” state is a state in which the wafer surface is hydrophilic, and a state in which a hydrophilic film is formed on the wafer surface by a polishing liquid or the like.
[0011]
Unless a hydrophilic film is formed on the surface of the wafer, residual particles adhere to the surface of the silicon wafer, which is extremely active, before finishing polishing and moving to the next cleaning step. Or an undesired reaction occurs to cause surface roughness, and the above-described haze and LPD (Light Point Defect: minute defects of about 0.1 μm on a wafer, particles, etc.) are deteriorated. It is.
[0012]
As described above, the haze is equal to or less than a certain value, and until the entire surface of the wafer becomes `` wet '', that is, the time required for break-in polishing is, in the past, generally required several hours, There is a problem that productivity is reduced accordingly.
[0013]
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a polishing cloth for finish polishing in which the break-in polishing time is reduced as much as possible.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following configuration to achieve the above object.
[0015]
That is, the present invention relates to a polishing cloth for finish polishing comprising a substrate portion and a surface layer (nap layer) formed on the substrate portion, wherein the surface layer comprises a polyvinyl halide or a halogenated Contains vinyl copolymer. The vinyl halide is preferably vinyl chloride, and the surface layer is preferably composed mainly of urethane resin.
[0016]
According to the present invention, the time required for break-in polishing can be reduced as compared with the conventional method by incorporating a polyvinyl halide or a vinyl halide copolymer into the resin component constituting the surface layer.
[0017]
The reason why the time required for break-in polishing can be reduced in the present invention can be considered as follows. That is, by containing a polyvinyl halide or a vinyl halide copolymer, it is possible to adjust at least one of the friction coefficient and the water absorption of the surface layer. It is considered that the reduction of haze and the hydrophilicity (wetting) of the wafer surface can be promoted as compared with the related art by the contribution of at least one of the dynamic friction with the object wafer and the hydroplane phenomenon.
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The polishing cloth for finish polishing according to the present invention is preferably a suede-like polishing cloth. For example, similarly to FIG. 1 described above, a urethane resin is coated on a base material 1 in a water-soluble organic solvent such as dimethylformamide (DMF). Is coated with a urethane resin solution, which is treated with a coagulating liquid and wet coagulated to form a porous silver surface layer. After washing with water and drying, the surface of the silver surface layer is ground to form a surface layer (nap layer). 2 is obtained.
[0019]
The polishing cloth for finish polishing of the present invention is characterized in that the surface layer 2 has a feature, and the surface layer 2 contains polyvinyl halide or a vinyl halide copolymer.
[0020]
The polyvinyl halide is preferably polyvinyl chloride, but may be polyvinyl fluoride or polyvinyl bromide.
[0021]
As the vinyl halide copolymer, a vinyl chloride copolymer, for example, a vinyl chloride vinyl acetate copolymer is preferable, but another copolymer may be used.
[0022]
The content of the polyvinyl halide or the vinyl halide copolymer is not particularly limited, but may be 5 to 5% with respect to the urethane resin (solid content) to be dissolved in a water-soluble organic solvent such as dimethylformamide (DMF). It is 30% by weight, preferably 10 to 25% by weight, more preferably 12 to 22% by weight.
[0023]
As described above, the present invention is basically the same as the conventional one, except that the surface layer 2 contains polyvinyl halide or a vinyl halide copolymer.
[0024]
Therefore, as the above-described base material 1, for example, a base material similar to a conventional one such as a nonwoven fabric of polyamide or polyester can be used. Also, olefin-based film sheets and polyester-based film sheets can be used.
[0025]
As the urethane resin, for example, a conventional urethane resin such as a polyester-based resin, a polyether-based resin, and a polycarbonate-based resin can be used, and different types of urethane resins may be blended.
[0026]
As the water-soluble organic solvent in which the urethane resin is dissolved, in addition to the above-mentioned dimethylformamide, for example, the same conventional solvents as dimethylsulfoxide, tetrahydrofuran, dimethylacetamide and the like can be used.
[0027]
Further, a filler such as carbon black and a dispersion stabilizer such as a surfactant may be added to the organic solvent in which the urethane resin is dissolved, as in the related art.
[0028]
The filler such as carbon black is preferably blended in an amount of 5 to 30% by weight based on the urethane resin (solid content) dissolved in the water-soluble organic solvent.
[0029]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be further described with reference to Examples and Comparative Examples.
[0030]
In Examples 1 to 3, 8% by weight, 16% by weight, and 20% by weight of a vinyl chloride vinyl acetate copolymer, which is a vinyl chloride copolymer, based on a urethane resin (solid content) dissolved in a water-soluble organic solvent. % By weight, applied to a substrate, and solidified in water. Thereafter, the resultant was washed with warm water and dried to form a surface layer (nap layer). This surface layer was ground and opened to obtain polishing cloths for suede-like finish polishing of Examples 1 to 3, respectively.
[0031]
As a comparative example, a suede-like polishing cloth for finishing polishing containing no vinyl chloride-vinyl acetate copolymer was obtained in the same manner as in the example.
[0032]
About these Examples 1-3 and the comparative example, the hydrophilicity and hydrophobicity of the surface layer considered to contribute to the hydroplane phenomenon between the surface layer of the polishing cloth for finish polishing and the silicon wafer to be polished were evaluated. .
[0033]
In this evaluation, a water droplet of 0.031 ml was dropped on a surface layer of the polishing cloth for finish polishing of Examples 1 to 3 and Comparative Example using a burette, and the evaluation was performed based on the time until absorption and the contact angle immediately after the dropping. Was.
[0034]
Here, the contact angle θ refers to an angle formed by a contact portion of the droplet 4 dropped on the surface 3 as shown in FIG.
[0035]
The evaluation results are shown in Table 1.
[Table 1]

As shown in Table 1, the comparative example in which the vinyl chloride-vinyl acetate copolymer was not blended at all had a shorter water absorption time and a smaller contact angle than Examples 1-3.
[0037]
That is, it can be seen that Comparative Example in which no vinyl chloride-vinyl acetate copolymer was blended had higher hydrophilicity (water absorption) than Examples 1 to 3.
[0038]
On the other hand, in Examples 1 to 3, as the blending amount of the vinyl chloride-vinyl acetate copolymer increases, the water absorption time increases and the contact angle increases.
[0039]
That is, it is understood that as the blending amount of the vinyl chloride-vinyl acetate copolymer increases, the hydrophilicity (water absorption) decreases, that is, the hydrophobicity increases.
[0040]
Polishing evaluation was performed on each of Examples 1 to 3 and Comparative Example as follows. That is, the polishing machine uses Model 6CA (1 platen-20 ″, 1 head-8 ″) manufactured by Strasbaugh Inc., and the slurry (polishing liquid) is NP8020 (dilution ratio NP8020: DI (pure (Water) = 1: 20), and polished with an 8-inch silicon wafer as an object to be polished.
[0041]
The polishing conditions were a platen rotation speed of 115 rpm, a head rotation speed of 100 rpm, a slurry flow rate of 300 ml / min, a surface pressure of 100 g / cm ² , and a polishing time of 5 min.
[0042]
Evaluation of the wet state of the wafer surface, that is, the evaluation of hydrophilicity and hydrophobicity, was carried out visually with the wafer immediately after polishing completely wet with pure water (DI). In addition, haze, which is a certified quality for completing the break-in polishing and shifting to the main polishing, was also performed by LS6600 manufactured by Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. In this apparatus, haze is expressed in parts per million (ppm) of scattered light with respect to incident light irradiated on the wafer.
[0043]
The result is shown in FIG. In FIG. 3, the horizontal axis indicates the number of times of polishing (run), and the vertical axis indicates haze (Haze: ppm), and also indicates the wet state of the wafer.
[0044]
As shown in FIG. 3, in the comparative example in which the vinyl chloride-vinyl acetate copolymer was not added at all, up to 10 times of polishing, the entire surface was hydrophobic, that is, the wafer surface was not wet at all, Also, the haze exceeds the measurement limit. When the number of times of polishing was reduced from the eleventh time, the haze was reduced. At the thirteenth time, the entire surface of the wafer became wet, and the haze was reduced to a certain value or less at which polishing could be finished. Therefore, in the comparative example, it is possible to shift to the main polishing when the polishing is completed 13 times. That is, in the comparative example, the break-in polishing requires 65 minutes.
[0045]
In Example 1 in which the vinyl chloride vinyl acetate copolymer was added at 8% by weight, the entire surface was hydrophobic, that is, the wafer surface was not wet at all, and the haze exceeded the measurement limit up to six times. ing. When the number of times of polishing was reduced from the seventh time, the haze was reduced. At the tenth time, the entire surface of the wafer was wet, and the haze was not more than the above-mentioned certain value. Therefore, in the first embodiment, it is possible to shift to the main polishing when the polishing is completed ten times, and the break-in polishing is completed in 50 minutes.
[0046]
In Example 2 in which the vinyl chloride / vinyl acetate copolymer was added at 16% by weight, the entire surface was hydrophobic, that is, the wafer surface was not wet at all until the polishing was performed four times. The haze was reduced from the fifth polishing to the fifth, and at the seventh polishing, the entire surface of the wafer was wet, and the haze was below the above-mentioned certain value. Therefore, in the second embodiment, the main polishing can be started when the polishing is completed seven times, and the break-in polishing is completed in 35 minutes.
[0047]
In Example 3 in which the vinyl chloride-vinyl acetate copolymer was added at 20% by weight, 70% of the wafer surface was wet at the time of one polishing, and the haze was also low. When the number of times of polishing was the second time, the haze was in a state where the entire surface of the wafer was wet, and the haze was also below the above-mentioned certain value. Therefore, in the third embodiment, it is possible to shift to the main polishing when the two polishing operations are completed, and the break-in polishing operation is completed in 10 minutes.
[0048]
As described above, in the comparative example in which the vinyl chloride-vinyl acetate copolymer was not added, it took 65 minutes to wet the entire surface of the wafer, but in Example 1 in which 8% by weight was added, 50 minutes and 16 weights were added. In Example 2 in which% was added, it took 35 minutes, and in Example 3 in which 20% by weight was added, it took only 10 minutes. Haze showed the same transition, and the time required for break-in polishing was greatly reduced to increase productivity. Can be.
[0049]
In the above embodiment, the case where the surface layer contains polyvinyl chloride or a vinyl chloride-vinyl acetate copolymer or the like has been described. However, instead of the polyvinyl chloride or the vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, the surface layer Further, a substance more hydrophobic than the main resin component, for example, fluorinated urethane, silicon-based resin, silica abrasive grains or calcium carbonate abrasive grains may be contained.
[0050]
The content thereof is preferably 0.1 to 5% by weight in the case of fluorinated urethane with respect to the urethane resin (solid content) dissolved in the water-soluble organic solvent, and in the case of the silicon-based resin, It is preferably from 1 to 20% by weight, in the case of silica abrasive grains, preferably from 0.5 to 15% by weight, and in the case of calcium carbonate abrasive grains, from 0.5 to 30% by weight. preferable.
[0051]
Further, polyvinyl chloride or vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, fluorinated urethane, silicon-based resin, silica abrasive grains or calcium carbonate abrasive grains may be appropriately combined and contained.
[0052]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, by incorporating a polyvinyl halide or a vinyl halide copolymer such as polyvinyl chloride or a vinyl chloride copolymer into a resin component constituting the surface layer, The required time can be shortened as compared with the related art, thereby increasing the productivity.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a suede-like polishing cloth. FIG. 2 is a view showing a contact angle. FIG. 3 is a view showing a transition of haze in Examples and Comparative Examples of the present invention.
1 Base material 2 Surface layer (nap layer)

Claims

In a polishing cloth for finish polishing comprising a substrate portion and a surface layer (nap layer) formed on the substrate portion, the surface layer contains polyvinyl halide or a vinyl halide copolymer. A polishing cloth for finish polishing, characterized in that:

The polishing cloth for finish polishing according to claim 1, wherein the halogen is chlorine.

3. The polishing cloth for finish polishing according to claim 1, wherein the surface layer is mainly composed of a urethane resin.