JP2004305990A

JP2004305990A - Pattern forming method, pattern forming apparatus, conductive film wiring, device manufacturing method, electro-optical device, and electronic equipment

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Publication number: JP2004305990A
Application number: JP2003106593A
Authority: JP
Inventors: Hayato Takahashi; 隼人高橋; Toshimitsu Hirai; 利充平井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-04-10
Filing date: 2003-04-10
Publication date: 2004-11-04

Abstract

【課題】均一な線幅を実現できるパターン形成方法及びパターン形成装置を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、幅が広く電気伝導に有利な導電膜配線を提供することにある。また、本発明の別の目的は、配線部の断線や短絡等の不具合が生じにくい電気光学装置、及びこれを用いた電子機器を提供することにある。
【解決手段】液滴吐出手段１０から液体材料を液滴にして吐出し、基板１１上にパターンを形成する方法であって、パターンの線幅ＬＷは、当該パターンの線幅方向に吐出された複数の液滴からなる液滴列の長さによって規定され、液滴列の最外部の液滴に隣接する第１の液滴Ｌ２〜Ｌ６を吐出する工程と、液滴列の最外部に位置する第２の液滴Ｌ１、Ｌ７を吐出する工程とを具備し、第２の液滴Ｌ１、Ｌ７の吐出量を調整することを特徴とする。
【選択図】図３An object of the present invention is to provide a pattern forming method and a pattern forming apparatus capable of realizing a uniform line width. Another object of the present invention is to provide a conductive film wiring having a wide width and advantageous for electric conduction. Another object of the present invention is to provide an electro-optical device in which a trouble such as disconnection or short circuit of a wiring portion does not easily occur, and an electronic apparatus using the same.
A method for forming a pattern on a substrate by discharging a liquid material as liquid droplets from a liquid droplet discharging means, wherein a line width LW of the pattern is discharged in a line width direction of the pattern. Discharging the first droplets L2 to L6, which are defined by the length of the droplet row including a plurality of droplets and are adjacent to the outermost droplet of the droplet row; Ejecting the second droplets L1 and L7 to adjust the ejection amount of the second droplets L1 and L7.
[Selection diagram] FIG.

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターン形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基板上の所望の位置に液体材料を配置する技術として、吐出手段に設けられたノズルを介して液体材料を液滴として吐出する方法が提案されている。この吐出法は、スピンコート法などの塗布技術に比べて、液体材料の消費に無駄が少なく、基板上に配置する液体材料の量や位置の制御を行いやすいという利点がある。また、スピンコート法では取り扱いが困難な大型基板への適用も容易である（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−１６４６３５号公報
【特許文献２】
特開２００２−２６１０４８号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、液体材料を液滴にして基板上に配置する技術では、パターンの線幅を均一にするのが難しいという問題がある。例えば、図１６（ａ）に示すように液滴吐出手段１０から液滴ＬＸ１、ＬＸ２を吐出して幅広化された線幅ＬＷのパターンを形成する場合、図１６（ｂ）に示すように基板１１に着弾した液滴ＬＸ２は液滴ＬＸ１に接触することによって液滴ＬＸ１側に引き寄せられ、図１６（ｃ）に示すように一体化する。従って、当該一体化に伴って引き寄せられることにより、液滴ＬＸ１と基板１１の境界部分ＬＹの位置がずれてしまい、パターンの線幅は目的とする線幅ＬＷよりも細い線幅ＬＷ’となる。更に、このように線幅ＬＷが細くなる現象は部分的に生じてしまうため、パターン全体として線幅がばらついてしまうという問題がある。更に、当該線幅のバラツキによってパターンの外観に斑が生じてしまうだけでなく、線幅の不均一部分が規則的に生じることで基板１１に縞模様が現れてしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、均一な線幅を実現できるパターン形成方法及びパターン形成装置を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、幅が広く電気伝導に有利な導電膜配線を提供することにある。また、本発明の別の目的は、配線部の断線や短絡等の不具合が生じにくい電気光学装置、及びこれを用いた電子機器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
本発明のパターン形成方法は、液滴吐出手段から液体材料を液滴にして吐出し、基板上にパターンを形成する方法であって、パターンの線幅は当該パターンの線幅方向に吐出された複数の液滴からなる液滴列の長さによって規定され、液滴列の最外部の液滴の内側に隣接する第１の液滴を吐出する工程と液滴列の最外部に位置する第２の液滴を吐出する工程とを具備し、第２の液滴の吐出量を調整することを特徴とする。
即ち、本発明においては、吐出量が調整された第２の液滴を吐出することにより、当該第２の液滴と第１の液滴は一体化すると共に液滴列が所定の長さに形成される。即ち、当該所定の長さの液滴列を複数連接されたパターンにおいては、その線幅を均一にすることができる。更に、パターンの線幅の均一化に伴って、当該パターンの外観の斑や縞模様の発生を防止することが可能になる。
更に、パターンを幅広化する場合は、第１の液滴の内側に隣接する液滴の数を増やすことによって行われ、上記同様に液滴列が所定の長さに形成されるので、パターンの線幅の均一化が可能となり、当該線幅の不均一化を懸念することなく、幅広化を実現できる。
【０００７】
また、本発明のパターン形成方法は、先に記載のパターン形成方法であって、第１の液滴を吐出する工程は第２の液滴を吐出する工程の前に施すことを特徴とする。また、第２の液滴の吐出量は第１の液滴よりも多いことを特徴とする。
即ち、本発明においては、基板上に第１の液滴が形成された状態で第２の液滴が吐出されるので、当該第２の液滴は基板に着弾すると共に第１の液滴と一体となる。ここで、第２の液滴は、その吐出量が第１の液滴よりも多いので、第１の液滴との一体化に伴って第１の液滴側に引き寄せされたとしても、第２の液滴の側部が第１の液滴側に移動しない。従って、液滴列の長さを一定にすることが可能となり、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏すると共に、好適なパターンを形成することが可能となる。
【０００８】
また、本発明のパターン形成方法は、先に記載のパターン形成方法であって、第１の液滴及び第２の液滴を吐出した後に、液滴列を補完する液滴を吐出することを特徴とする。
即ち、本発明においては、液滴列を補完する液滴が吐出されることにより、少なくとも第１の液滴及び第２の液滴を含む複数の液滴の相互間の空間が埋まり、液滴列が厚膜化される。即ち、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏すると共に、パターンの厚膜化を実現できる。
【０００９】
更に、本発明のパターン形成方法は、液滴吐出手段から液体材料を液滴にして吐出し基板上にパターンを形成する方法であって、パターンは基板上に形成される第１のパターン層と当該第１のパターン層の上方に形成される第２のパターン層とからなり、パターンの線幅は当該パターンの線幅方向に吐出された複数の液滴からなる液滴列の長さによって規定され、第１のパターン層を形成する工程は液滴列の最外部の液滴の内側に隣接する第１の液滴を吐出する工程と当該第１の液滴の吐出量を調整する工程とを具備し、第２のパターン層を形成する工程は液滴列の最外部に位置する第２の液滴を吐出する工程を具備することを特徴とする。
即ち、本発明においては、第１のパターン層を形成することにより第１の液滴が吐出され、第２のパターン層を形成することにより吐出量が調整された第２の液滴が吐出され、第１の液滴と第２の液滴は一体化すると共に液滴列が所定の長さに形成される。従って、第２のパターン層を形成することにより、液滴列が所定の長さに形成されるので、当該所定の長さの液滴列を複数連接されたパターンにおいては、その線幅を均一にすることができる。更に、パターンの線幅の均一化に伴って、当該パターンの外観の斑や縞模様の発生を防止することが可能になる。
更に、パターンを幅広化する場合は、第１の液滴の内側に隣接する液滴の数を増やすことによって行われ、上記同様に液滴列が所定の長さに形成されるので、パターンの線幅の均一化が可能となり、当該線幅の不均一化を懸念することなく、幅広化を実現できる。
【００１０】
また、本発明のパターン形成方法は、先に記載のパターン形成方法であって、第２の液滴の吐出量は前記第１の液滴よりも多いことを特徴とする。
即ち、本発明においては、基板上に第１の液滴が形成された状態で第２の液滴が吐出されるので、当該第２の液滴は基板に着弾すると共に第１の液滴と一体となる。ここで、第２の液滴はその吐出量が第１の液滴よりも多いので、第１の液滴との一体化に伴って第１の液滴側に引き寄せされたとしても、第２の液滴の側部が第１の液滴側に移動しない。従って、液滴列の長さを一定にすることが可能となり、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏すると共に、好適なパターンを形成することが可能となる。
【００１１】
また、本発明のパターン形成方法は、先に記載のパターン形成方法であって、第１の液滴及び前記第２の液滴を含む前記液滴を前記基板上に吐出する前に、前記基板の表面を撥液処理することを特徴とする。
ここで、撥液処理とは、液体材料に対して非親和性を示す特性を与える処理のことをいう。
従って、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏すると共に、基板上に配置した液滴の広がりを抑制でき、パターンの厚膜化及び形状の安定化が図られる。また、前記液体材料は、導電性微粒子を含む液状体によってなるのが好ましい。
【００１２】
更に、本発明のパターン形成装置は、液滴吐出手段から液体材料を液滴にして吐出し、基板上にパターンを形成するパターン形成装置であって、先に記載のパターン形成方法によって基板上にパターンを形成することを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏する。
【００１３】
更に、本発明の導電膜配線は、先に記載のパターン形成装置によって形成されたことを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏すると共に、導電膜配線の線幅の幅広化及び均一化が実現されるので、電気伝導に有利である。
【００１４】
更に、本発明のデバイスの製造方法は、基板上に導電膜配線が形成されたデバイスを製造するデバイスの製造方法であって、先に記載したパターン形成方法を用いることを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏するので、パターンの線幅の幅広化及び均一化が実現されると共に、電気伝導性に優れた良好なデバイスを製造することができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載した導電膜配線を備えることを特徴とする。電気光学装置としては、例えば、プラズマ型表示装置、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などを例示できる。
また、本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
これらの発明によれば、電気伝導に有利な導電膜配線を備えるので、配線部の断線や短絡等の不良が生じにくい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
次に、本発明に係る実施形態の一例として、基板上に導電膜配線を形成する方法について説明する。本実施形態に係る配線形成方法は、導電膜配線用の液体材料を基板上に配置し、その基板上に配線用の導電膜パターンを形成するものであり、表面処理工程、材料配置工程、及び熱処理／光処理工程等を含む。なお、液体材料の配置には、液滴吐出装置を用い、吐出ヘッドのノズルを介して液体材料を液滴として吐出する液体吐出法、いわゆるインクジェット法を用いる。ここで、液滴吐出装置の吐出方式としては、圧電体素子の体積変化により液体材料（流動体）を吐出させるピエゾジェット方式であっても、熱の印加により急激に蒸気が発生することにより液体材料を吐出させる方式等であってもよい。
【００１７】
導電膜配線用の基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００１８】
導電膜配線用の液体材料として、本例では、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液（液状体）を用いる。また、水性であると油性であるとを問わない。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は５ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、上記液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００１９】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発し、良好な膜を形成することが困難となる。
また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こりやすい。
一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くて膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱および／または光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
【００２０】
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェット法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独で使用してもよく、２種以上の混合物として使用してもよい。
【００２１】
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整するとよい。なお、８０質量％を超えると凝集をおこしやすく、均一な膜が得にくい。
【００２２】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。
【００２３】
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。
上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２４】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００２５】
（表面処理工程）
表面処理工程では、導電膜配線を形成する基板の表面を、液体材料に対して撥液性に加工（撥液処理）する。具体的には、導電性微粒子を含有した液体材料に対する所定の接触角が、５０［ｄｅｇ］以下となるように基板に対して表面処理を施す。
表面の撥液性（濡れ性）を制御する方法としては、例えば、基板の表面に自己組織化膜を形成する方法、プラズマ処理法等を採用できる。
【００２６】
自己組織膜形成法では、導電膜配線を形成すべき基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する。
基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖とを備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。
【００２７】
ここで、自己組織化膜とは、基板の下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００２８】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【００２９】
自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を例示できる。これらの化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、ＦＡＳを用いることにより、基板との密着性と良好な撥液性とを得ることができる。
【００３０】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シリコン）の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、基板の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００３１】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置することにより基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。これらは気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が形成される。
なお、自己組織化膜を形成する前に、基板表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、基板表面の前処理を施すことが望ましい。
【００３２】
プラズマ処理法では、常圧又は真空中で基板に対してプラズマ照射を行う。プラズマ処理に用いるガス種は、導電膜配線を形成すべき基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等が例示できる。
【００３３】
なお、基板の表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行ってもよい。また、撥液性の高いポリイミドフィルムをそのまま基板として用いてもよい。
また、基板表面が所望の撥液性よりも高い撥液性を有する場合、１７０〜４００ｎｍの紫外光を照射したり、基板をオゾン雰囲気に曝したりすることにより、基板表面を親液化する処理を行って基板表面の濡れ性を制御するとよい。
【００３４】
（材料配置工程）
次に、図１から図３を参照し、材料配置工程（パターン形成方法）について説明する。
図１は、本発明のパターン形成方法により基板上に形成されるパターンの一例として導電膜パターンを示す図であって、図１（ａ）はパターンの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’における部分断面図である。図２は、材料配置工程を具体的に説明するための図であって、図１（ｂ）に対応している。図３は、図２の要部を示す拡大図。
【００３５】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、基板１１上に形成された導電膜パターンＷは、複数の液滴が配置されることによって形成された液滴列ＬＵを有している。ここで、複数の液滴とは、液滴列ＬＵの両端に位置する液滴Ｌ１（第２の液滴）及びＬ７（第２の液滴）と、当該液滴Ｌ１、Ｌ２の内側に位置する液滴Ｌ２〜Ｌ６（第１の液滴）とを意味する。また、導電膜パターンＷの線幅ＬＷは、液滴Ｌ１、Ｌ７の外側と基板１１とが接触している境界部分Ｘ、Ｘ’の間の距離（液滴列の長さ）によって規定されている。このような液滴列ＬＵを導電膜パターンＷが延在する方向に複数配置することにより導電膜パターンＷが形成されている。
なお、本例においては、液滴列ＬＵは液滴を７滴配置することにより形成されているが、当該液滴数は導電膜パターンＷの線幅ＬＷや１滴当りの液滴の吐出量等の種種の条件によって所望に設定されるので、これに限定するものではない。
【００３６】
次に、液滴列ＬＵを形成する過程について説明する。
図２（ａ）に示すように、線幅ＬＷに対して所定の間隔の単位領域Ｂ１〜Ｂ７を基板１１上に設定する。本例においては単位領域Ｂ１〜Ｂ７の間隔を３５μｍに設定している。ここで、単位領域の設定は、パターン形成装置（後述）が具備する制御装置によって自動的に行われる。
【００３７】
次に、図２（ｂ）に示すように、単位領域Ｂ１〜Ｂ７のうち、単位領域Ｂ２〜Ｂ６のみに対して液滴Ｌ２〜Ｌ６を吐出する。
従って、液体吐出ヘッド１０のノズルから各単位領域の中心に向けて液滴を吐出し、単位領域Ｂ２〜Ｂ６内に液滴Ｌ２〜Ｌ６をそれぞれ着弾させる。ここで、液滴Ｌ２〜Ｌ６の各液滴の吐出量は、着弾径が約４０μｍとなるように所望に設定される。即ち、単位領域の間隔が３５μｍであるのに対して、液滴Ｌ２〜Ｌ６の着弾径が約４０μｍであるので、隣接する液滴どうしが単位領域の周縁部の一部で重合する。
【００３８】
次に、図２（ｃ）に示すように、単位領域Ｂ１〜Ｂ７のうち、単位領域Ｂ１、Ｂ７のみに対して液滴Ｌ１、Ｌ７を吐出する。
従って、液体吐出ヘッド１０のノズルから各単位領域の中心に向けて液滴を吐出し、単位領域Ｂ１、Ｂ７内に液滴Ｌ１、Ｌ７をそれぞれ着弾させる。ここで、液滴Ｌ１、Ｌ７の吐出量は、液滴Ｌ２〜Ｌ６よりも多く、例えば、着弾径が約５０μｍとなるように設定される。
【００３９】
図３は、図２の要部を示す拡大図であって、液滴Ｌ１と液滴Ｌ２との間、及び液滴Ｌ７と液滴Ｌ６との間の挙動を説明するための図である。本図では代表として液滴Ｌ１と液滴Ｌ２との間の挙動について説明する。
図３（ａ）に示すように、液滴Ｌ２よりも吐出量が多い液滴Ｌ１を基板１１に吐出する。続いて、図３（ｂ）に示すように、基板１１に着弾した液滴Ｌ１は液滴Ｌ２に接触することによって液滴２側に引き寄せられ、図３（ｃ）に示すように液滴一体化する。ここで、液滴Ｌ１の吐出量が多いので、液滴Ｌ２側に引き寄せられたとしても、液滴Ｌ１の境界部分Ｘの位置がずれることがない。また、同様に液滴Ｌ７と液滴Ｌ６との間においても、液滴Ｌ７が液滴Ｌ６側に引き寄せされることがなく、液滴Ｌ７の境界部分Ｘ’の位置がずれることがない。
【００４０】
（乾燥工程）
次に、基板１１上に液滴列ＬＵを配置した後、分散媒の除去を行うために、必要に応じて乾燥処理を行う。乾燥処理は、例えばホットプレート、電気炉、熱風発生機などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲でよい。
なお、この際、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えない。ただし、導電膜の変換は、すべての液体材料の配置が終了してから、熱処理／光処理工程においてまとめて行えばよいので、ここでは、分散媒をある程度除去できれば十分である。例えば、熱処理の場合は、通常１００℃程度の加熱を数分行えばよい。
また、乾燥処理は液体材料の吐出と並行して同時に進行させることも可能である。例えば、基板１１を予め加熱しておいたり、液体吐出ヘッドの冷却とともに沸点の低い分散媒を使用したりすることにより、基板１１に液滴を配置した直後から、その液滴の乾燥を進行させることができる。
このような乾燥工程により、液滴列ＬＵと基板１１との密着性が向上する。
【００４１】
（熱処理／光処理工程）
熱処理／光処理工程では、基板１１上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング材を除去する。すなわち、基板１１上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。
【００４２】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。
【００４３】
熱処理及び／又は光処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
上記熱処理及び／又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
【００４４】
上述したように、このようなパターン形成方法によれば、材料配置工程において、液滴Ｌ１の境界部分Ｘ及び、液滴Ｌ７の境界部分Ｘ’の位置がずれないことから、線幅ＬＷを一定に形成することが可能となり、即ち、導電膜パターンＷの線幅ＬＷを均一にすることができる。更に、導電膜パターンＷを複雑化させた場合に、線幅ＬＷの均一化が施されているので、外観の斑や縞模様の発生を防止することが可能になる。
更に、本例の導電膜パターンＷの幅広化をする場合においても、同様に線幅ＬＷの均一化を図ることが可能となる。
【００４５】
次に、本発明のパターン形成装置の一例として、上記配線形成方法を実施するための配線形成装置について説明する。
図４は、本実施形態に係る配線形成装置の概略斜視図である。図４に示すように、配線形成装置５０は、液体吐出ヘッド１０、液体吐出ヘッド１０をＸ方向に駆動するためのＸ方向ガイド軸２、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるＸ方向駆動モータ３、基板１１を載置するための載置台４、載置台４をＹ方向に駆動するためのＹ方向ガイド軸５、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるＹ方向駆動モータ６、クリーニング機構部１４、ヒータ１５、及びこれらを統括的に制御する制御装置８等を備えている。Ｘ方向ガイド軸２及びＹ方向ガイド軸５はそれぞれ、基台７上に固定されている。なお、図４では、液体吐出ヘッド１０は、基板１１の進行方向に対し直角に配置されているが、液体吐出ヘッド１０の角度を調整し、基板１１の進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液体吐出ヘッド１０の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板１１とノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００４６】
液体吐出ヘッド１０は、導電性微粒子を含有する分散液からなる液体材料をノズル（吐出口）から吐出するものであり、Ｘ方向ガイド軸２に固定されている。Ｘ方向駆動モータ３は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＸ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｘ方向ガイド軸２を回転させる。Ｘ方向ガイド軸２の回転により、液体吐出ヘッド１０が基台７に対してＸ軸方向に移動する。
【００４７】
液体吐出方式としては、圧電体素子であるピエゾ素子を用いてインクを吐出させるピエゾ方式、液体材料を加熱し発生した泡（バブル）により液体材料を吐出させるバブル方式など、公知の様々な技術を適用できる。このうち、ピエゾ方式は、液体材料に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないという利点を有する。なお、本例では、液体材料選択の自由度の高さ、及び液滴の制御性の良さの点から上記ピエゾ方式を用いる。
【００４８】
載置台４はＹ方向ガイド軸５に固定され、Ｙ方向ガイド軸５には、Ｙ方向駆動モータ６、１６が接続されている。Ｙ方向駆動モータ６、１６は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＹ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｙ方向ガイド軸５を回転させる。Ｙ方向ガイド軸５の回転により、載置台４が基台７に対してＹ軸方向に移動する。
クリーニング機構部１４は、液体吐出ヘッド１０をクリーニングし、ノズルの目詰まりなどを防ぐものである。クリーニング機構部１４は、上記クリーニング時において、Ｙ方向の駆動モータ１６によってＹ方向ガイド軸５に沿って移動する。
ヒータ１５は、ランプアニール等の加熱手段を用いて基板１１を熱処理するものであり、基板１１上に吐出された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行う。
【００４９】
本実施形態の配線形成装置５０では、液体吐出ヘッド１０から液体材料を吐出しながら、Ｘ方向駆動モータ３及び／又はＹ方向駆動モータ６を介して、基板１１と液体吐出ヘッド１０とを相対移動させることにより、基板１１上に液体材料を配置する。
液体吐出ヘッド１０の各ノズルからの液滴の吐出量は、制御装置８から上記ピエゾ素子に供給される電圧によって制御される。
また、基板１１上に配置される液滴のピッチは、上記相対移動の速度、及び液体吐出ヘッド１０からの吐出周波数（ピエゾ素子への駆動電圧の周波数）によって制御される。
また、基板１１上に液滴を開始する位置は、上記相対移動の方向、及び上記相対移動時における液体吐出ヘッド１０からの液滴の吐出開始のタイミング制御等によって制御される。
これにより、基板１１上に上述した導電膜パターンＷが形成される。
【００５０】
（第２実施形態）
次に、本発明に係るパターン形成方法の第２実施形態について説明する。
本実施形態と第１実施形態とは、材料配置工程のみが異なっており、他の工程及び構成は同一である。従って、本実施形態では、異なる部分のみを説明し、同一部分には同一符号を付し、説明を省略する。
また、本実施形態のパターン形成方法は、複数のノズルを備えた液体吐出ヘッドを移動させつつ、各ノズルからの液滴の吐出動作を制御し、複数の導電膜パターンＷ’を形成するものである。
【００５１】
（材料配置工程）
図５から図６を参照して、本実施形態の材料配置工程（パターン形成方法）について説明する。
図５は、本実施形態のパターン形成方法により基板上に形成されるパターンの一例として導電膜パターンを示す図であって、図５（ａ）はパターンの平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ’における部分断面図である。図６は、本実施形態のパターン形成方法で用いる液体吐出ヘッドを示す図である。図７は、材料配置工程を具体的に説明するための図であって、図５（ｂ）に対応している。
【００５２】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、基板１１上に形成された導電膜パターンＷ’は複数の導電膜パターンＷ１〜Ｗ６を備えた構成となっている。各導電膜パターンは、複数の液滴が配置されることによって形成された液滴列ＬＵ１〜ＬＵ６を有しており、液滴列ＬＵ１〜ＬＵ６は両端に位置する液滴ＬＳ（第２の液滴）と、当該液滴ＬＳに隣接する液滴ＬＣ（第１の液滴）とを有している。なお、導電膜パターンＷ１〜Ｗ６の線幅ＬＷは、第１実施形態と同様に両端の液滴ＬＳと基板１１との境界部分によって規定されている。
更に、導電膜パターンＷ１〜Ｗ６のそれぞれは、所定の線幅ピッチＷＰで離間している。
【００５３】
図６に示すように、液体吐出ヘッド１０’は、複数のノズルＮ１〜Ｎ１３を備えている。ノズルＮ１〜Ｎ１３のそれぞれは、所定のノズルピッチＮＰで離間して配置され、各ノズルは配線形成装置５０の制御装置８によって独立的に駆動する。更に、基板１１に設定された単位領域の間隔でノズルＮ１〜Ｎ１３と基板１１とは相対移動する。本実施形態においては単位領域の間隔が３５μｍに設定されているので、当該間隔で相対移動が行われる。
【００５４】
次に、図７を参照し、導電膜パターンＷ’の形成方法について説明する。
図７（ａ）に示すように、ノズルＮ１、Ｎ６、Ｎ８、Ｎ１０から液滴Ｌを吐出することで、これら液滴Ｌは導電膜パターンＷ１の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ３の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ４の液滴ＬＣ、導電膜パターンＷ５の液滴ＬＳとして着弾する。
【００５５】
次に、図７（ｂ）に示すように、液体吐出ヘッド１０’を３５μｍ（単位領域の間隔）移動し、液滴Ｌを吐出する。ここで、ノズルＮ８においては、その吐出量が他のノズルよりも多く設定されている。従って、ノズルＮ１、Ｎ３、Ｎ８、Ｎ１０、Ｎ１２から液滴Ｌを吐出することで、これら液滴Ｌは導電膜パターンＷ１の液滴ＬＣ、導電膜パターンＷ２の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ４の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ５の液滴ＬＣ、導電膜パターンＷ６の液滴ＬＳとして着弾する。
このような液滴の吐出により、導電膜パターンＷ４においては予め吐出された液滴ＬＣよりも多い吐出量で液滴ＬＳが形成されるので、第１実施形態と同様に位置ズレが生じない。
【００５６】
次に、図７（ｃ）に示すように、液体吐出ヘッド１０’を上記同様に移動して液滴Ｌを吐出する。ここで、ノズルＮ１、Ｎ１０においては、その吐出量が他のノズルよりも多く設定されている。従って、ノズルＮ１、Ｎ３、Ｎ５、Ｎ１０、Ｎ１２から液滴Ｌを吐出することで、これら液滴Ｌは導電膜パターンＷ１の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ２の液滴ＬＣ、導電膜パターンＷ３の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ５の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ６の液滴ＬＣとして着弾する。
このような液滴の吐出により、導電膜パターンＷ１、Ｗ５においては予め吐出された液滴ＬＣよりも多い吐出量で液滴ＬＳが形成されるので、上記と同様に位置ズレが生じない。
【００５７】
次に、図７（ｄ）に示すように、液体吐出ヘッド１０’を上記同様に移動して液滴Ｌを吐出する。ここで、ノズルＮ３、Ｎ７、Ｎ１２においては、その吐出量が他のノズルよりも多く設定されている。従って、ノズルＮ３、Ｎ５、Ｎ７、Ｎ１２から液滴Ｌを吐出することで、これら液滴Ｌは導電膜パターンＷ２の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ３の液滴ＬＣ、導電膜パターンＷ４の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ６の液滴ＬＳとして着弾する。
このような液滴の吐出により、導電膜パターンＷ２、Ｗ４、Ｗ６においては予め吐出された液滴ＬＣよりも多い吐出量で液滴ＬＳが形成されるので、上記と同様に位置ズレが生じない。
【００５８】
従って、本実施形態においては、第１実施形態と同様の効果が得られると共に、複数の導電膜パターンＷ１〜Ｗ６を短時間に形成することができる。
【００５９】
（第３実施形態）
次に、本発明に係るパターン形成方法の第３実施形態について説明する。
本実施形態は、第１実施形態で形成された導電膜パターンＷを補完するものであり、第１実施形態に記載した乾燥工程に続いて説明する。本実施形態では、異なる部分のみを説明し、同一部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００６０】
図８に示すように、材料配置工程及び乾燥工程によって基板１１に密着された液滴列ＬＵの上層に液滴ＬＤを吐出した後に、当該液滴ＬＤを乾燥工程により乾燥する。
従って、液滴Ｌ１〜Ｌ７の相互間の空間が埋まり、液滴列ＬＵが厚膜化される。即ち、第１実施形態に記載したパターン形成方法と同様の効果を奏すると共に、導電膜パターンＷの厚膜化が可能となる。
【００６１】
（第４実施形態）
次に、本発明に係るパターン形成方法の第４実施形態について説明する。
本実施形態は、材料配置工程を２回施すことにより導電膜パターンＷを形成すると共に、液滴列ＬＵの両端の液滴を２回目の材料配置工程で吐出するものである。本実施形態では、異なる部分のみを説明し、同一部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００６２】
図９（ａ）に示すように、上述の材料配置工程によって液滴Ｌ２〜Ｌ６からなる第１のパターン層ＦＳＴを形成し、乾燥工程によって基板１１に密着させる。
次に、図９（ｂ）に示すように、上述の材料配置工程によって液滴Ｌ１、Ｌ７、液滴ＬＤからなる第２のパターン層ＳＮＤを形成し、乾燥工程によって第１のパターン層ＦＳＴに密着させる。
【００６３】
このようなパターン形成方法によれば、先に記載の実施形態と同様の効果が得られると共に、第２のパターン層ＳＮＤにより形成することで線幅ＬＷの均一化を図ることができる。
例えば、第１のパターン層ＦＳＴを所定の吐出精度で形成した後に、第２のパターン層ＳＮＤを形成することで線幅ＬＷの均一化を行うことができる。
なお、本実施形態においては、第２のパターン層ＳＮＤで液滴Ｌ１、Ｌ７を吐出しているが、第３以降に積層するパターン層で液滴Ｌ１、Ｌ７を吐出してもよい。
【００６４】
次に、本発明の電気光学装置の一例として、プラズマ型表示装置について説明する。
図１０は本実施形態のプラズマ型表示装置５００の分解斜視図を示している。
プラズマ型表示装置５００は、互いに対向して配置された基板５０１、５０２、及びこれらの間に形成される放電表示部５１０を含んで構成される。
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されたものである。複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。
【００６５】
基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、アドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。誘電体層５１９上には、アドレス電極５１１、５１１間に位置しかつ各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。隔壁５１５は、アドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁とを含む。また、隔壁５１５によって仕切られた長方形状の領域に対応して放電室５１６が形成されている。
また、隔壁５１５によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００６６】
一方、基板５０２には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されている。さらに、これらを覆うように誘電体層５１３、及びＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。
基板５０１と基板５０２とは、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。
上記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部５１０において蛍光体５１７が励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００６７】
本実施形態では、上記アドレス電極５１１、及び表示電極５１２がそれぞれ、先の図４に示した配線形成装置を用いて、先の図１に示した配線形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記各配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化を実現しやすい。
【００６８】
（液晶表示装置）
次に、本発明の電気光学装置の一例として、液晶表示装置について説明する。なお、当該液晶表示装置の製造方法は、先に記載のパターン形成方法と同様であるため、説明を省略する。
【００６９】
図１１は、液晶表示装置を説明するための図であって、図１１（ａ）は液晶表示装置の画像表示領域を構成する、スイッチング素子等の各種素子及び配線等の等価回路であり、図１１（ｂ）は液晶表示装置の要部を示し、各画素が備えるスイッチング素子と画素電極との構造を説明するための断面拡大図である。
【００７０】
図１１（ａ）に示すように液晶表示装置１００は、マトリクス状に配置された走査線１０１及びデータ線１０２と、画素電極１３０と、当該画素電極１３０を制御するための画素スイッチング用ＴＦＴ（以下、ＴＦＴと称す。）１１０が複数形成されている。走査線１０１においては、パルス的に走査信号Ｑ１、Ｑ２、…、Ｑｍが供給されるようになっており、データ線１０２においては、画像信号Ｐ１、Ｐ２、…、Ｐｎが供給されるようになっている。更に、走査線１０１及びデータ線１０２は後述するようにＴＦＴ１１０と接続されており、走査信号Ｑ１、Ｑ２、…、Ｑｍ及び画像信号Ｐ１、Ｐ２、…、Ｐｎによって、ＴＦＴ１１０が駆動するようになっている。更に、所定レベルの画像信号Ｐ１、Ｐ２、…、Ｐｎを一定期間保持する蓄積容量１２０が形成され、当該蓄積容量１２０には容量線１０３が接続されている。
【００７１】
次に、図１１（ｂ）を参照し、ＴＦＴ１１０の構造について説明する。
図１１（ｂ）に示すようにＴＦＴ１１０は、所謂ボトムゲート型（逆スタガ型）構造のＴＦＴである。具体的な構造としては、液晶表示装置１００の基材となる絶縁基板１００ａと、絶縁基板１００ａの表面に形成された下地保護膜１００Ｉと、ゲート電極１１０Ｇと、ゲート絶縁膜１１０Ｉと、チャネル領域１１０Ｃと、チャネル保護用の絶縁膜１１２Ｉとがこの順序で積層されている。絶縁膜１１２Ｉの両側には高濃度Ｎ型のアモルファスシリコン膜のソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄが形成され、これらのソース・ドレイン領域１１０Ｓ、１１０Ｄの表面にはソース電極１１１Ｓ及びドレイン電極１１１Ｄが形成されている。
【００７２】
更に、それらの表面側には層間絶縁膜１１２Ｉと、ＩＴＯ等の透明電極からなる画素電極１３０とが形成され、画素電極１３０は層間絶縁膜１３０のコンタクトホールを介してドレイン電極１１１Ｄに電気的に接続されている。
ここで、ゲート電極１１０Ｇは走査線１０１の一部分であり、また、ソース電極１１１Ｓはデータ線１０２の一部分である。更に、ゲート電極１１０Ｇ及び走査線１０１は、先に記載したパターン形成方法によって形成されている。
【００７３】
このような液晶表示装置においては、走査信号Ｑ１、Ｑ２、…、Ｑｍに応じて走査線１０１からゲート電極１１０Ｇに電流が供給され、ゲート電極１１０Ｇの近傍に電界が生じ、当該電界の作用によりチャネル領域１１０Ｃが導通状態となる。更に、当該導通状態において、画像信号Ｐ１、Ｐ２、…、Ｐｎに応じてデータ線１０２からソース電極１１１Ｓに電流が供給され、画素電極１３０に導通し、画素電極１３０と対向電極間に電圧が付与される。即ち、走査信号Ｑ１、Ｑ２、…、Ｑｍ及び画像信号Ｐ１、Ｐ２、…、Ｐｎを制御することにより、液晶表示装置を所望に駆動することができる。
【００７４】
このように構成された液晶表示装置においては、先に記載のパターン形成方法によってゲート電極１１０Ｇ及び走査線１０１が形成されているので、断線等の欠陥のない、良好かつ信頼性が高い配線パターンとなる。従って、信頼性が高い液晶表示装置となる。即ち、先に記載したように同様の効果を奏する。
なお、本実施形態のパターン形成方法は、ゲート電極１１０Ｇ及び走査線１０１に限定せずに、データ線１０２等、他の配線の形成方法においても適用可能である。
【００７５】
（電界放出ディスプレイ）
次に、本発明の電気光学装置の一例として、電界放出素子を備えた電界放出ディスプレイ（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ、以下ＦＥＤと称す。）について説明する。なお、ＦＥＤの製造方法は、先に記載のパターン形成方法と同様であるため、説明を省略する。
【００７６】
図１２は、ＦＥＤを説明するための図であって、図１２（ａ）はＦＥＤを構成するカソード基板とアノード基板の配置を示した概略構成図、図１２（ｂ）はＦＥＤのうちカソード基板が具備する駆動回路の模式図、図１２（ｃ）はカソード基板の要部を示した斜視図である。
【００７７】
図１２（ａ）に示すようにＦＥＤ２００は、カソード基板２００ａとアノード基板２００ｂとを対向配置された構成となっている。カソード基板２００ａは、図１２（ｂ）に示すようにゲート線２０１と、エミッタ線２０２と、当該ゲート線２０１とエミッタ線２０２とに接続された電界放出素子２０３とを具備しており、即ち、所謂単純マトリクス駆動回路となっている。ゲート線２０１においては、ゲート信号Ｖ１、Ｖ２、…、Ｖｍが供給されるようになっており、エミッタ線２０２においては、エミッタ信号Ｗ１、Ｗ２、…、Ｗｎが供給されるようになっている。また、アノード基板２００ｂは、ＲＧＢからなる蛍光体を備えており、当該蛍光体は電子が当ることにより発光する性質を有する。
【００７８】
図１２（ｃ）に示すように、電界放出素子２０３はエミッタ線２０２に接続されたエミッタ電極２０３ａと、ゲート線２０１に接続されたゲート電極２０３ｂとを備えた構成となっている。更に、エミッタ電極２０３ａは、エミッタ電極２０３ａ側からゲート電極２０３ｂに向かって小径化するエミッタティップ２０５と呼ばれる突起部を備えており、当該エミッタティップ２０５と対応した位置にゲート電極２０３ｂに孔部２０４が形成され、当該孔部２０４内にエミッタティップ２０５の先端が配置されている。
【００７９】
このようなＦＥＤ２００においては、ゲート線２０１のゲート信号Ｖ１、Ｖ２、…、Ｖｍ、及びエミッタ線２０２のエミッタ信号Ｗ１、Ｗ２、…、Ｗｎを制御することにより、エミッタ電極２０３ａとゲート電極２０３ｂとの間に電圧が供給され、電解の作用によってエミッタティップ２０５から孔部２０４に向かって電子２１０が移動し、エミッタティップ２０５の先端から電子２１０が放出される。ここで、当該電子２１０とアノード基板２００ｂの蛍光体とが当ることにより発光するので、所望にＦＥＤ２００を駆動することが可能になる。
【００８０】
このように構成されたＦＥＤにおいては、先に記載のパターン形成方法によってエミッタ電極２０３ａ及びエミッタ線２０２が形成されているので、断線等の欠陥のない、良好かつ信頼性が高い配線パターンとなる。従って、信頼性が高い液晶表示装置となる。即ち、先に記載したように同様の効果を奏する。
なお、本実施形態のパターン形成方法は、エミッタ電極２０３ａ及びエミッタ線２０２に限定せずに、ゲート電極２０３ｂ及びゲート線２０１等、他の配線の形成方法においても適用可能である。
【００８１】
なお、本発明の製造方法が適用されるデバイスとしては、配線パターンを備えた他のデバイスにおいても適用が可能である。例えば、有機エレクトロルミネッセンス装置に形成される配線パターンの製造や、電気泳動装置内に形成される配線パターンの製造等に対しても、もちろん適用可能である。
【００８２】
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１３は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１３において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は先の図６に示した液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図１４は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１４において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は先の図６に示した液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図１５は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１５において、８００は時計本体を示し、８０１は先の図６に示した液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図１３〜図１５に示す電子機器は、上記実施形態の液晶装置を備えたものであるので、配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００８３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のパターン形成方法で形成される導電膜パターンを示す図。
【図２】本発明の第１実施形態のパターン形成方法を説明するための図。
【図３】図２の要部を示す拡大図。
【図４】本発明のパターン形成装置の実施形態例を示す概略斜視図。
【図５】本発明の第２実施形態の導電膜パターンを示す図。
【図６】本発明の第２実施形態で用いる液体吐出ヘッドを示す図。
【図７】本発明の第２実施形態のパターン形成方法を説明するための図。
【図８】本発明の第３実施形態のパターン形成方法を説明するための図。
【図９】本発明の第４実施形態のパターン形成方法を説明するための図。
【図１０】本発明の電気光学装置のプラズマ型表示装置を示す図。
【図１１】本発明の電気光学装置の液晶装置を示す図。
【図１２】本発明の電気光学装置の電界放出ディスプレイを示す図。
【図１３】本発明の電子機器の携帯電話を示す図。
【図１４】本発明の電子機器の携帯型上方処理装置を示す図。
【図１５】本発明の電子機器の腕時計型電子機器を示す図。
【図１６】従来技術の問題点を説明するための説明図。
【符号の説明】
１０液体吐出ヘッド（液滴吐出手段）、１１基板、３０…ノズル、５０配線形成装置（パターン形成装置）、Ｗ、Ｗ’、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４、Ｗ５、Ｗ６導電膜パターン（パターン）、Ｌ、ＬＤ液滴、ＬＷ線幅、ＬＵ液滴列、Ｌ２〜Ｌ６、ＬＣ第１の液滴、Ｌ１、Ｌ７、ＬＳ第２の液滴、ＦＳＴ第１のパターン層、ＳＮＤ第２のパターン層[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a pattern forming method, a pattern forming apparatus, a conductive film wiring, a device manufacturing method, an electro-optical device, and an electronic apparatus.
[0002]
[Prior art]
In recent years, as a technique for disposing a liquid material at a desired position on a substrate, a method has been proposed in which the liquid material is discharged as droplets through a nozzle provided in a discharge unit. This discharge method has the advantage that the consumption of the liquid material is small and the amount and position of the liquid material disposed on the substrate can be easily controlled as compared with the coating technique such as the spin coating method. In addition, the spin coating method can be easily applied to a large substrate that is difficult to handle (for example, see Patent Documents 1 and 2).
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-164635
[Patent Document 2]
JP-A-2002-261048
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the technique of disposing a liquid material as droplets on a substrate has a problem that it is difficult to make the line width of the pattern uniform. For example, when droplets LX1 and LX2 are ejected from the droplet ejection means 10 as shown in FIG. 16A to form a pattern having a widened line width LW, the substrate is exposed as shown in FIG. 16B. The droplet LX2 that has landed on 11 comes into contact with the droplet LX1 by contacting the droplet LX1, and is integrated as shown in FIG. 16C. Therefore, by being drawn together with the integration, the position of the boundary portion LY between the droplet LX1 and the substrate 11 is shifted, and the line width of the pattern becomes a line width LW ′ smaller than the target line width LW. . Further, since the phenomenon that the line width LW becomes thinner partially occurs, there is a problem that the line width varies in the entire pattern. Further, there is a problem that not only the unevenness of the pattern appearance due to the variation of the line width, but also a stripe pattern appears on the substrate 11 due to the irregular generation of the line width.
[0005]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a pattern forming method and a pattern forming apparatus capable of realizing a uniform line width. Another object of the present invention is to provide a conductive film wiring having a wide width and advantageous for electric conduction. Another object of the present invention is to provide an electro-optical device in which a trouble such as disconnection or short circuit of a wiring portion does not easily occur, and an electronic apparatus using the same.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention employs the following solutions.
The pattern forming method of the present invention is a method of forming a pattern on a substrate by discharging a liquid material as liquid droplets from a liquid droplet discharging means, and the line width of the pattern is discharged in the line width direction of the pattern. Discharging a first droplet adjacent to the inside of the outermost droplet of the droplet sequence, the first droplet being defined by the length of the droplet sequence comprising a plurality of droplets; Discharging a second droplet, and adjusting a discharge amount of the second droplet.
That is, in the present invention, by discharging the second droplet whose discharge amount has been adjusted, the second droplet and the first droplet are integrated, and the droplet row has a predetermined length. It is formed. That is, in a pattern in which a plurality of droplet rows having the predetermined length are connected, the line width can be made uniform. Further, with the line width of the pattern being made uniform, it is possible to prevent the appearance of the pattern from becoming uneven or a stripe pattern.
Further, when the width of the pattern is increased, the number of droplets adjacent to the inside of the first droplet is increased, and a droplet row is formed to have a predetermined length in the same manner as described above. The line width can be made uniform, and the line width can be increased without worrying about the non-uniformity of the line width.
[0007]
Further, the pattern forming method of the present invention is the pattern forming method described above, wherein the step of discharging the first droplet is performed before the step of discharging the second droplet. Further, the discharge amount of the second droplet is larger than that of the first droplet.
That is, in the present invention, the second droplet is ejected in a state in which the first droplet is formed on the substrate, so that the second droplet lands on the substrate and the first droplet Become one. Here, since the second droplet has a larger ejection amount than the first droplet, even if the second droplet is drawn toward the first droplet along with integration with the first droplet, The side of the second droplet does not move to the first droplet. Therefore, the length of the droplet row can be made constant, and the same effects as those of the above-described pattern forming method can be obtained, and a suitable pattern can be formed.
[0008]
Further, the pattern forming method according to the present invention is the pattern forming method according to the above, wherein the first droplet and the second droplet are discharged, and then the droplets for complementing the droplet row are discharged. Features.
That is, in the present invention, by discharging the droplets that complement the droplet row, the space between at least the plurality of droplets including the first droplet and the second droplet is filled, and the droplets are discharged. The rows are thickened. That is, the same effects as those of the above-described pattern forming method can be obtained, and the pattern can be made thicker.
[0009]
Furthermore, the pattern forming method of the present invention is a method of forming a pattern on a substrate by discharging a liquid material from a droplet discharging means and forming a pattern on a substrate, wherein the pattern is formed on a first pattern layer formed on the substrate. A second pattern layer formed above the first pattern layer, and a line width of the pattern is defined by a length of a droplet row composed of a plurality of droplets ejected in a line width direction of the pattern. The step of forming the first pattern layer includes a step of discharging a first droplet adjacent to the inside of the outermost droplet in the droplet row and a step of adjusting the discharge amount of the first droplet. Wherein the step of forming the second pattern layer includes the step of discharging a second droplet located at the outermost position of the droplet row.
That is, in the present invention, the first droplet is ejected by forming the first pattern layer, and the second droplet whose ejection amount is adjusted by ejecting the second pattern layer is ejected. The first droplet and the second droplet are integrated, and a droplet row is formed to a predetermined length. Therefore, by forming the second pattern layer, the droplet row is formed to have a predetermined length. In a pattern in which a plurality of droplet rows of the predetermined length are connected, the line width is uniform. Can be Further, with the line width of the pattern being made uniform, it is possible to prevent the appearance of the pattern from becoming uneven or a stripe pattern.
Further, when the width of the pattern is increased, the number of droplets adjacent to the inside of the first droplet is increased, and a droplet row is formed to have a predetermined length in the same manner as described above. The line width can be made uniform, and the line width can be increased without worrying about the non-uniformity of the line width.
[0010]
Further, a pattern forming method according to the present invention is the above-described pattern forming method, wherein a discharge amount of the second droplet is larger than that of the first droplet.
That is, in the present invention, the second droplet is ejected in a state in which the first droplet is formed on the substrate, so that the second droplet lands on the substrate and the first droplet Become one. Here, since the discharge amount of the second droplet is larger than that of the first droplet, even if the second droplet is attracted to the first droplet side along with the integration of the first droplet, the second droplet is not removed. Does not move to the first droplet side. Therefore, the length of the droplet row can be made constant, and the same effects as those of the above-described pattern forming method can be obtained, and a suitable pattern can be formed.
[0011]
Further, the pattern forming method according to the present invention is the pattern forming method according to the above, wherein the droplet including the first droplet and the second droplet is discharged onto the substrate. Is characterized in that the surface is subjected to a liquid repellent treatment.
Here, the lyophobic treatment refers to a treatment for giving a property showing incompatibility with a liquid material.
Accordingly, the same effects as those of the above-described pattern forming method can be obtained, and at the same time, the spread of the droplets arranged on the substrate can be suppressed, and the pattern can be made thicker and the shape can be stabilized. Further, it is preferable that the liquid material is formed of a liquid containing conductive fine particles.
[0012]
Further, a pattern forming apparatus of the present invention is a pattern forming apparatus that forms a pattern on a substrate by discharging a liquid material from a droplet discharging unit as droplets, and forms a pattern on a substrate by the pattern forming method described above. It is characterized by forming a pattern.
Therefore, according to the present invention, the same effects as those of the above-described pattern forming method can be obtained.
[0013]
Furthermore, a conductive film wiring of the present invention is characterized by being formed by the pattern forming apparatus described above.
Therefore, according to the present invention, the same effects as those of the above-described pattern forming method can be obtained, and the line width of the conductive film wiring can be widened and uniformized, which is advantageous for electric conduction.
[0014]
Further, a device manufacturing method according to the present invention is a device manufacturing method for manufacturing a device in which a conductive film wiring is formed on a substrate, characterized by using the pattern forming method described above.
Therefore, according to the present invention, since the same effects as those of the above-described pattern forming method can be obtained, the line width of the pattern can be widened and uniformized, and a good device having excellent electric conductivity can be manufactured. can do.
[0015]
Further, an electro-optical device according to the present invention includes the conductive film wiring described above. Examples of the electro-optical device include a plasma display device, a liquid crystal display device, and an organic electroluminescence display device.
According to another aspect of the invention, an electronic apparatus includes the above-described electro-optical device.
According to these inventions, since a conductive film wiring which is advantageous for electric conduction is provided, a failure such as disconnection or short circuit of the wiring portion hardly occurs.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
(1st Embodiment)
Next, a method for forming a conductive film wiring on a substrate will be described as an example of an embodiment according to the present invention. The wiring forming method according to the present embodiment includes disposing a liquid material for conductive film wiring on a substrate and forming a conductive film pattern for wiring on the substrate. Including a heat treatment / light treatment step. Note that the liquid material is arranged by a liquid discharge method in which a liquid discharge apparatus is used to discharge the liquid material as liquid droplets through nozzles of a discharge head, that is, a so-called inkjet method. Here, even when the droplet ejection device is a piezo-jet system in which a liquid material (fluid) is ejected by a change in volume of a piezoelectric element, a liquid is generated by sudden generation of vapor by application of heat. A method of discharging the material may be used.
[0017]
Various substrates such as glass, quartz glass, Si wafer, plastic film, and metal plate can be used as the substrate for conductive film wiring. In addition, a substrate in which a semiconductor film, a metal film, a dielectric film, an organic film, or the like is formed as a base layer on the surface of these various material substrates is also included.
[0018]
In this example, a dispersion liquid (liquid) in which conductive fine particles are dispersed in a dispersion medium is used as a liquid material for conductive film wiring. It does not matter whether the composition is aqueous or oily. The conductive fine particles used here include metal fine particles containing any of gold, silver, copper, palladium, and nickel, as well as conductive polymer and superconductor fine particles.
These conductive fine particles can be used by coating the surface with an organic substance or the like in order to improve dispersibility.
The particle diameter of the conductive fine particles is preferably 5 nm or more and 0.1 μm or less. If it is larger than 0.1 μm, the nozzles of the liquid discharge head may be clogged. On the other hand, when it is smaller than 5 nm, the volume ratio of the coating agent to the conductive fine particles becomes large, and the ratio of the organic substance in the obtained film becomes excessive.
[0019]
The liquid dispersion medium containing the conductive fine particles preferably has a vapor pressure at room temperature of 0.001 mmHg to 200 mmHg (about 0.133 Pa to 26600 Pa). If the vapor pressure is higher than 200 mmHg, the dispersion medium will rapidly evaporate after discharge, making it difficult to form a good film.
Further, the vapor pressure of the dispersion medium is more preferably 0.001 mmHg or more and 50 mmHg or less (about 0.133 Pa or more and 6650 Pa or less). If the vapor pressure is higher than 50 mmHg, nozzle clogging due to drying is likely to occur when discharging droplets by the inkjet method.
On the other hand, in the case of a dispersion medium having a vapor pressure of less than 0.001 mmHg at room temperature, drying is slow and the dispersion medium tends to remain in the film, and a high-quality conductive film can be obtained after heat and / or light treatment in a later step. Hateful.
[0020]
The dispersion medium is not particularly limited as long as it can disperse the conductive fine particles and does not cause aggregation. For example, in addition to water, alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, n-heptane, n-octane, decane, toluene, xylene, cymene, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene, decahydronaphthalene, cyclohexylbenzene Hydrocarbon compounds such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) ether , P-dioxane and other ether-based compounds, propylene carbonate, γ-butyrolactone, N-methyl 2-pyrrolidone, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and cyclohexanone. Among these, water, alcohols, hydrocarbon compounds, and ether compounds are preferred in terms of the dispersibility of the fine particles and the stability of the dispersion, and the ease of application to the ink jet method. , Water and hydrocarbon compounds. These dispersion media may be used alone or as a mixture of two or more.
[0021]
When the conductive fine particles are dispersed in a dispersion medium, the concentration of the dispersoid is from 1% by mass to 80% by mass, and may be adjusted according to a desired film thickness of the conductive film. If it exceeds 80% by mass, aggregation tends to occur, and it is difficult to obtain a uniform film.
[0022]
The surface tension of the dispersion liquid of the conductive fine particles is preferably in the range of 0.02 N / m to 0.07 N / m. When the surface tension is less than 0.02 N / m when the liquid is ejected by the ink jet method, the wettability of the ink composition with respect to the nozzle surface increases, so that the ink composition tends to bend, and exceeds 0.07 N / m. In addition, since the shape of the meniscus at the tip of the nozzle is not stable, it becomes difficult to control the discharge amount and the discharge timing.
[0023]
In order to adjust the surface tension, a small amount of a surface tension regulator such as a fluorine-based, silicone-based, or nonionic-based surfactant may be added to the above-mentioned dispersion liquid within a range that does not significantly reduce the contact angle with the substrate. The nonionic surface tension modifier improves the wettability of the liquid to the substrate, improves the leveling property of the film, and helps prevent the occurrence of fine irregularities on the film.
The dispersion may contain an organic compound such as an alcohol, an ether, an ester, or a ketone, if necessary.
[0024]
The dispersion preferably has a viscosity of 1 mPa · s or more and 50 mPa · s or less. When a liquid material is ejected as droplets using an ink jet method, if the viscosity is less than 1 mPa · s, the periphery of the nozzle is likely to be contaminated by the outflow of ink, and if the viscosity is greater than 50 mPa · s, the nozzle hole And the frequency of clogging increases, making it difficult to discharge droplets smoothly.
[0025]
(Surface treatment process)
In the surface treatment step, the surface of the substrate on which the conductive film wiring is to be formed is processed to be liquid-repellent to the liquid material (liquid-repellent treatment). Specifically, the substrate is subjected to a surface treatment so that a predetermined contact angle with respect to a liquid material containing conductive fine particles is 50 [deg] or less.
As a method of controlling the liquid repellency (wetting property) of the surface, for example, a method of forming a self-assembled film on the surface of the substrate, a plasma processing method, or the like can be adopted.
[0026]
In the self-assembled film forming method, a self-assembled film made of an organic molecular film or the like is formed on a surface of a substrate on which a conductive film wiring is to be formed.
The organic molecular film for treating the substrate surface has a functional group that can bind to the substrate and a functional group that modifies the surface properties of the substrate (controls the surface energy) such as a lyophilic group or a lyophobic group on the opposite side. And a straight or partially branched carbon chain of carbon that connects these functional groups, and forms a molecular film, for example, a monomolecular film by bonding to a substrate and self-organizing.
[0027]
Here, the self-assembled film is composed of a bonding functional group capable of reacting with constituent atoms such as a base layer of a substrate and other linear molecules, and has extremely high orientation due to the interaction of the linear molecules. It is a film formed by orienting a compound. Since the self-assembled film is formed by orienting single molecules, the thickness can be extremely reduced, and the film is uniform at the molecular level. That is, since the same molecule is located on the surface of the film, it is possible to impart uniform and excellent lyophobicity and lyophilicity to the surface of the film.
[0028]
As a compound having the above high orientation, for example, by using a fluoroalkylsilane, each compound is oriented so that the fluoroalkyl group is located on the surface of the film, a self-assembled film is formed, and a uniform film is formed on the surface of the film. Liquid repellency.
[0029]
Compounds forming a self-assembled film include heptadecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrodecyltriethoxysilane, heptadecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrodecyltrimethoxysilane, heptadecafluoro-1 , 1,2,2 tetrahydrodecyltrichlorosilane, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltriethoxysilane, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltrimethoxysilane, tridecafluoro-1 And 1,1,2,2 tetrahydrooctyltrichlorosilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, and other fluoroalkylsilanes (hereinafter referred to as "FAS"). These compounds may be used alone or in combination of two or more. Note that by using FAS, adhesion to a substrate and good liquid repellency can be obtained.
[0030]
FAS is generally represented by the structural formula RnSiX (4-n). Here, n represents an integer of 1 to 3, and X is a hydrolyzable group such as a methoxy group, an ethoxy group, and a halogen atom. In addition, R is a fluoroalkyl group, (CF3) (CF2) x (CH2) of y (here x is an integer of 0 to 10, y represents an integer of 0 to 4) has a structure, a plurality number of when R or X are bonded to Si, R or X may all be the same or may be different. The hydrolyzable group represented by X forms silanol by hydrolysis, reacts with the hydroxyl group on the base of the substrate (glass, silicon), and bonds to the substrate by a siloxane bond. On the other hand, since R has a fluoro group such as (CF3) on the surface, the surface of the substrate is modified into a non-wetting (low surface energy) surface.
[0031]
A self-assembled film composed of an organic molecular film or the like is formed on a substrate by placing the above-mentioned raw material compound and the substrate in the same closed container and leaving them at room temperature for about 2 to 3 days. In addition, by maintaining the whole closed container at 100 ° C., it is formed on the substrate in about 3 hours. These are methods of forming from a gas phase, but a self-assembled film can also be formed from a liquid phase. For example, a self-assembled film is formed on a substrate by immersing the substrate in a solution containing a raw material compound, washing and drying.
Before forming the self-assembled film, it is desirable to irradiate the substrate surface with ultraviolet light or wash it with a solvent to perform a pretreatment on the substrate surface.
[0032]
In the plasma processing method, plasma irradiation is performed on a substrate at normal pressure or in a vacuum. The kind of gas used for the plasma treatment can be variously selected in consideration of the surface material of the substrate on which the conductive film wiring is to be formed. Examples of the processing gas include methane tetrafluoride, perfluorohexane, and perfluorodecane.
[0033]
The process of processing the surface of the substrate to be lyophobic may be performed by attaching a film having a desired lyophobic property, for example, a polyimide film processed with tetrafluoroethylene to the surface of the substrate. Alternatively, a polyimide film having high liquid repellency may be used as it is as the substrate.
When the substrate surface has a liquid repellency higher than a desired liquid repellency, a process of lyophilizing the substrate surface by irradiating ultraviolet light of 170 to 400 nm or exposing the substrate to an ozone atmosphere is performed. This may be performed to control the wettability of the substrate surface.
[0034]
(Material placement process)
Next, the material arrangement step (pattern forming method) will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a diagram showing a conductive film pattern as an example of a pattern formed on a substrate by the pattern forming method of the present invention. FIG. 1 (a) is a plan view of the pattern, and FIG. It is a fragmentary sectional view in AA 'of (a). FIG. 2 is a diagram for specifically explaining the material arrangement step, and corresponds to FIG. FIG. 3 is an enlarged view showing a main part of FIG. 2.
[0035]
As shown in FIGS. 1A and 1B, the conductive film pattern W formed on the substrate 11 has a droplet row LU formed by arranging a plurality of droplets. I have. Here, the plurality of droplets include the droplets L1 (second droplet) and L7 (second droplet) located at both ends of the droplet row LU, and the droplets located inside the droplets L1 and L2. Droplets L2 to L6 (first droplets). Further, the line width LW of the conductive film pattern W is defined by the distance (length of the droplet row) between the boundary portions X and X ′ where the outside of the droplets L1 and L7 and the substrate 11 are in contact. I have. The conductive film pattern W is formed by arranging a plurality of such droplet arrays LU in the direction in which the conductive film pattern W extends.
In this example, the droplet row LU is formed by arranging seven droplets. The number of droplets is determined by the line width LW of the conductive film pattern W and the discharge amount of droplets per droplet. However, the present invention is not limited to this, because it is set as desired according to various conditions such as the above.
[0036]
Next, a process of forming the droplet row LU will be described.
As shown in FIG. 2A, unit areas B1 to B7 at predetermined intervals with respect to the line width LW are set on the substrate 11. In this example, the interval between the unit areas B1 to B7 is set to 35 μm. Here, the setting of the unit area is automatically performed by a control device provided in the pattern forming apparatus (described later).
[0037]
Next, as shown in FIG. 2B, droplets L2 to L6 are discharged only to the unit regions B2 to B6 among the unit regions B1 to B7.
Therefore, droplets are ejected from the nozzles of the liquid ejection head 10 toward the center of each unit area, and the droplets L2 to L6 land in the unit areas B2 to B6, respectively. Here, the ejection amount of each of the droplets L2 to L6 is set as desired so that the landing diameter is about 40 μm. That is, while the distance between the unit areas is 35 μm, the impact diameter of the droplets L2 to L6 is about 40 μm, so that adjacent droplets overlap at a part of the periphery of the unit area.
[0038]
Next, as shown in FIG. 2C, the droplets L1 and L7 are ejected only to the unit regions B1 and B7 among the unit regions B1 to B7.
Therefore, droplets are ejected from the nozzles of the liquid ejection head 10 toward the center of each unit area, and the droplets L1 and L7 land in the unit areas B1 and B7, respectively. Here, the ejection amounts of the droplets L1 and L7 are set to be larger than the droplets L2 to L6, for example, so that the landing diameter is about 50 μm.
[0039]
FIG. 3 is an enlarged view showing a main part of FIG. 2, and is a diagram for explaining the behavior between the droplet L1 and the droplet L2 and between the droplet L7 and the droplet L6. In this figure, the behavior between the droplet L1 and the droplet L2 will be described as a representative.
As shown in FIG. 3A, a droplet L1 having a larger ejection amount than the droplet L2 is ejected to the substrate 11. Subsequently, as shown in FIG. 3 (b), the droplet L1 that has landed on the substrate 11 is attracted to the droplet 2 by contacting the droplet L2, and as shown in FIG. Become Here, since the ejection amount of the droplet L1 is large, even if the droplet L1 is drawn toward the droplet L2, the position of the boundary portion X of the droplet L1 does not shift. Similarly, between the droplet L7 and the droplet L6, the droplet L7 is not drawn to the droplet L6 side, and the position of the boundary portion X 'of the droplet L7 does not shift.
[0040]
(Drying process)
Next, after arranging the droplet arrays LU on the substrate 11, a drying process is performed as necessary to remove the dispersion medium. The drying process may be performed by using lamp annealing in addition to a general heating process using a heating means such as a hot plate, an electric furnace, or a hot air generator. The light source of the light used for the lamp annealing is not particularly limited, but may be an infrared lamp, a xenon lamp, a YAG laser, an argon laser, a carbon dioxide laser, an excimer laser such as XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, or the like. Can be used. These light sources generally have an output in the range of 10 W or more and 5000 W or less, but in this example, may have a range of 100 W or more and 1000 W or less.
In this case, the degree of heating or light irradiation may be increased until the dispersion liquid is converted into a conductive film as well as the removal of the dispersion medium. However, the conversion of the conductive film may be performed in a heat treatment / light treatment step after all the liquid materials have been arranged, and it is sufficient here to remove the dispersion medium to some extent. For example, in the case of heat treatment, heating at about 100 ° C. is usually performed for several minutes.
Further, the drying process can be performed simultaneously with the discharge of the liquid material. For example, by immediately heating the substrate 11 or by using a dispersion medium having a low boiling point while cooling the liquid ejection head, the drying of the droplet proceeds immediately after disposing the droplet on the substrate 11. be able to.
By such a drying step, the adhesion between the droplet row LU and the substrate 11 is improved.
[0041]
(Heat treatment / light treatment process)
In the heat treatment / light treatment step, the dispersion medium or the coating material contained in the droplets arranged on the substrate 11 is removed. That is, it is necessary to completely remove the dispersion medium from the liquid material for forming the conductive film disposed on the substrate 11 in order to improve the electrical contact between the fine particles. When the surface of the conductive fine particles is coated with a coating material such as an organic substance in order to improve dispersibility, it is necessary to remove the coating material.
[0042]
The heat treatment and / or light treatment is generally performed in the air, but may be performed in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen, argon, or helium, if necessary. The processing temperature of the heat treatment and / or light treatment includes the boiling point (vapor pressure) of the dispersion medium, the type and pressure of the atmospheric gas, the thermal behavior such as the dispersibility and oxidizing property of the fine particles, the presence and amount of the coating material, and the It is appropriately determined in consideration of the heat resistance temperature and the like.
For example, it is necessary to bake at about 300 ° C. in order to remove a coating material made of an organic substance. In the case where a substrate such as a plastic substrate is used, it is preferable to perform the heating at room temperature or higher and 100 ° C. or lower.
[0043]
The heat treatment and / or light treatment may be performed using lamp annealing, in addition to general heat treatment using a heating means such as a hot plate or an electric furnace. The light source of the light used for the lamp annealing is not particularly limited, but may be an infrared lamp, a xenon lamp, a YAG laser, an argon laser, a carbon dioxide laser, an excimer laser such as XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, or the like. Can be used. These light sources generally have an output of 10 W or more and 5000 W or less, but in this embodiment, a range of 100 W or more and 1000 W or less is sufficient.
By the heat treatment and / or the light treatment, electrical contact between the fine particles is secured, and the fine particles are converted into a conductive film.
[0044]
As described above, according to such a pattern forming method, the position of the boundary portion X of the droplet L1 and the position of the boundary portion X ′ of the droplet L7 do not shift in the material placement step, so that the line width LW is kept constant. In other words, the line width LW of the conductive film pattern W can be made uniform. Furthermore, when the conductive film pattern W is complicated, since the line width LW is made uniform, it is possible to prevent uneven appearance and stripes from occurring.
Further, even when the width of the conductive film pattern W of the present example is increased, the line width LW can be similarly made uniform.
[0045]
Next, as an example of the pattern forming apparatus of the present invention, a wiring forming apparatus for performing the above-described wiring forming method will be described.
FIG. 4 is a schematic perspective view of the wiring forming apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 4, the wiring forming apparatus 50 includes a liquid discharge head 10, an X direction guide shaft 2 for driving the liquid discharge head 10 in the X direction, an X direction drive motor 3 for rotating the X direction guide shaft 2, A mounting table 4 for mounting the substrate 11, a Y-direction guide shaft 5 for driving the mounting table 4 in the Y direction, a Y-direction drive motor 6 for rotating the Y-direction guide shaft 5, a cleaning mechanism unit 14, and a heater 15 , And a control device 8 for integrally controlling these. The X-direction guide shaft 2 and the Y-direction guide shaft 5 are each fixed on a base 7. In FIG. 4, the liquid discharge head 10 is disposed at a right angle to the traveling direction of the substrate 11, but the angle of the liquid discharge head 10 is adjusted so as to intersect the traveling direction of the substrate 11. Is also good. In this way, the pitch between the nozzles can be adjusted by adjusting the angle of the liquid ejection head 10. Further, the distance between the substrate 11 and the nozzle surface may be arbitrarily adjustable.
[0046]
The liquid discharge head 10 discharges a liquid material composed of a dispersion liquid containing conductive fine particles from a nozzle (discharge port), and is fixed to the X-direction guide shaft 2. The X-direction drive motor 3 is a stepping motor or the like, and rotates the X-direction guide shaft 2 when supplied with a drive pulse signal in the X-axis direction from the control device 8. The rotation of the X-direction guide shaft 2 causes the liquid ejection head 10 to move in the X-axis direction with respect to the base 7.
[0047]
As the liquid ejection method, various known techniques such as a piezo method in which ink is ejected using a piezo element, which is a piezoelectric element, and a bubble method in which a liquid material is ejected by heating a liquid material and using a generated bubble, are used. Applicable. Among them, the piezo method does not apply heat to the liquid material, and thus has an advantage that the composition of the material is not affected. In this example, the above-described piezo method is used from the viewpoint of a high degree of freedom in selecting a liquid material and good controllability of liquid droplets.
[0048]
The mounting table 4 is fixed to a Y-direction guide shaft 5, and Y-direction drive motors 6 and 16 are connected to the Y-direction guide shaft 5. The Y-direction drive motors 6 and 16 are stepping motors and the like, and rotate the Y-direction guide shaft 5 when a drive pulse signal in the Y-axis direction is supplied from the control device 8. The mounting table 4 moves in the Y-axis direction with respect to the base 7 by the rotation of the Y-direction guide shaft 5.
The cleaning mechanism 14 cleans the liquid ejection head 10 and prevents nozzle clogging. The cleaning mechanism 14 is moved along the Y-direction guide shaft 5 by the Y-direction drive motor 16 during the cleaning.
The heater 15 heat-treats the substrate 11 using a heating means such as lamp annealing, and performs heat treatment for evaporating and drying the liquid discharged on the substrate 11 and converting the liquid into a conductive film.
[0049]
In the wiring forming apparatus 50 of the present embodiment, the substrate 11 and the liquid discharge head 10 are relatively moved via the X direction drive motor 3 and / or the Y direction drive motor 6 while discharging the liquid material from the liquid discharge head 10. By doing so, the liquid material is arranged on the substrate 11.
The discharge amount of the droplet from each nozzle of the liquid discharge head 10 is controlled by a voltage supplied from the control device 8 to the piezo element.
Further, the pitch of the droplets arranged on the substrate 11 is controlled by the speed of the relative movement and the ejection frequency from the liquid ejection head 10 (the frequency of the driving voltage to the piezo element).
Further, the position where the droplet is started on the substrate 11 is controlled by the direction of the relative movement, the timing control of the start of the ejection of the droplet from the liquid ejection head 10 during the relative movement, and the like.
Thus, the above-described conductive film pattern W is formed on the substrate 11.
[0050]
(2nd Embodiment)
Next, a second embodiment of the pattern forming method according to the present invention will be described.
The present embodiment is different from the first embodiment only in the material arrangement process, and the other processes and configurations are the same. Therefore, in the present embodiment, only different portions will be described, the same portions will be denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
In addition, the pattern forming method of the present embodiment forms a plurality of conductive film patterns W ′ while controlling a discharge operation of droplets from each nozzle while moving a liquid discharge head having a plurality of nozzles. is there.
[0051]
(Material placement process)
With reference to FIGS. 5 and 6, the material arrangement step (pattern forming method) of the present embodiment will be described.
5A and 5B are diagrams showing a conductive film pattern as an example of a pattern formed on a substrate by the pattern forming method of the present embodiment. FIG. 5A is a plan view of the pattern, and FIG. It is a fragmentary sectional view in BB 'of 5 (a). FIG. 6 is a diagram showing a liquid ejection head used in the pattern forming method of the present embodiment. FIG. 7 is a view for specifically explaining the material arrangement step, and corresponds to FIG. 5B.
[0052]
As shown in FIGS. 5A and 5B, the conductive film pattern W ′ formed on the substrate 11 has a configuration including a plurality of conductive film patterns W1 to W6. Each conductive film pattern has droplet rows LU1 to LU6 formed by arranging a plurality of droplets, and the droplet rows LU1 to LU6 are composed of droplets LS (second liquid) located at both ends. Droplet) and a droplet LC (first droplet) adjacent to the droplet LS. The line width LW of the conductive film patterns W1 to W6 is defined by the boundary between the droplet LS at both ends and the substrate 11 as in the first embodiment.
Further, each of the conductive film patterns W1 to W6 is separated by a predetermined line width pitch WP.
[0053]
As shown in FIG. 6, the liquid ejection head 10 ′ includes a plurality of nozzles N1 to N13. Each of the nozzles N1 to N13 is spaced apart at a predetermined nozzle pitch NP, and each nozzle is independently driven by the control device 8 of the wiring forming device 50. Further, the nozzles N1 to N13 and the substrate 11 relatively move at intervals of the unit area set on the substrate 11. In the present embodiment, since the interval between the unit areas is set to 35 μm, the relative movement is performed at the interval.
[0054]
Next, a method for forming the conductive film pattern W 'will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 7A, by discharging droplets L from the nozzles N1, N6, N8, and N10, these droplets L become droplets LS of the conductive film pattern W1 and droplets LS of the conductive film pattern W3. The droplet lands as the droplet LC of the conductive film pattern W4 and the droplet LS of the conductive film pattern W5.
[0055]
Next, as shown in FIG. 7B, the liquid ejection head 10 ′ is moved by 35 μm (interval between unit areas) to eject the droplet L. Here, the ejection amount of the nozzle N8 is set to be larger than that of the other nozzles. Therefore, by discharging the droplets L from the nozzles N1, N3, N8, N10, N12, these droplets L are formed by the droplets LC of the conductive film pattern W1, the droplets LS of the conductive film pattern W2, and the droplets L of the conductive film pattern W4. The droplet LS, the droplet LC of the conductive film pattern W5, and the droplet LS of the conductive film pattern W6 land.
By discharging such droplets, the droplets LS are formed in the conductive film pattern W4 with a larger discharge amount than the droplets LC that have been discharged in advance, so that no positional displacement occurs as in the first embodiment.
[0056]
Next, as shown in FIG. 7C, the liquid ejection head 10 'is moved in the same manner as described above to eject the droplet L. Here, the ejection amount of the nozzles N1 and N10 is set to be larger than that of the other nozzles. Therefore, by discharging the droplets L from the nozzles N1, N3, N5, N10, and N12, these droplets L are formed by the droplets LS of the conductive film pattern W1, the droplets LC of the conductive film pattern W2, and the droplets L of the conductive film pattern W3. The droplet LS lands, the droplet LS of the conductive film pattern W5, and the droplet LC of the conductive film pattern W6.
By the discharge of such droplets, the droplets LS are formed in the conductive film patterns W1 and W5 with a larger discharge amount than the droplets LC previously discharged, so that no positional displacement occurs as described above.
[0057]
Next, as shown in FIG. 7D, the liquid ejection head 10 'is moved in the same manner as described above to eject the droplet L. Here, the ejection amounts of the nozzles N3, N7, and N12 are set to be larger than those of the other nozzles. Accordingly, by discharging the droplets L from the nozzles N3, N5, N7, and N12, these droplets L are formed as the droplets LS of the conductive film pattern W2, the droplets LC of the conductive film pattern W3, and the droplets of the conductive film pattern W4. LS, land as droplets LS of the conductive film pattern W6.
By discharging such droplets, the droplets LS are formed in the conductive film patterns W2, W4, and W6 with a larger discharge amount than the droplets LC that have been discharged in advance, so that positional displacement does not occur as described above. .
[0058]
Therefore, in the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the plurality of conductive film patterns W1 to W6 can be formed in a short time.
[0059]
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the pattern forming method according to the present invention will be described.
The present embodiment complements the conductive film pattern W formed in the first embodiment, and will be described following the drying step described in the first embodiment. In the present embodiment, only different portions will be described, the same portions will be denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
[0060]
As shown in FIG. 8, after the droplet LD is discharged to the upper layer of the droplet row LU that is in close contact with the substrate 11 in the material placement step and the drying step, the droplet LD is dried in the drying step.
Therefore, the space between the droplets L1 to L7 is filled, and the droplet row LU is thickened. That is, the same effect as the pattern forming method described in the first embodiment can be obtained, and the thickness of the conductive film pattern W can be increased.
[0061]
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the pattern forming method according to the present invention will be described.
In the present embodiment, the conductive film pattern W is formed by performing the material placement step twice, and droplets at both ends of the droplet row LU are ejected in the second material placement step. In the present embodiment, only different portions will be described, the same portions will be denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
[0062]
As shown in FIG. 9A, the first pattern layer FST including the droplets L2 to L6 is formed by the above-described material disposing step, and is brought into close contact with the substrate 11 by the drying step.
Next, as shown in FIG. 9B, the second pattern layer SND including the droplets L1, L7 and the droplet LD is formed by the above-described material arranging step, and the first pattern layer FST is formed by the drying step. Adhere.
[0063]
According to such a pattern forming method, the same effect as in the above-described embodiment can be obtained, and the line width LW can be made uniform by forming the second pattern layer SND.
For example, the line width LW can be made uniform by forming the first pattern layer FST with a predetermined ejection accuracy and then forming the second pattern layer SND.
In the present embodiment, the droplets L1 and L7 are ejected from the second pattern layer SND, but the droplets L1 and L7 may be ejected from the third and subsequent stacked pattern layers.
[0064]
Next, a plasma display device will be described as an example of the electro-optical device of the present invention.
FIG. 10 is an exploded perspective view of the plasma display device 500 of the present embodiment.
The plasma display device 500 includes substrates 501 and 502 disposed to face each other, and a discharge display unit 510 formed therebetween.
The discharge display unit 510 is formed by assembling a plurality of discharge chambers 516. Out of the plurality of discharge chambers 516, three discharge chambers 516 of a red discharge chamber 516 (R), a green discharge chamber 516 (G), and a blue discharge chamber 516 (B) are arranged so as to form one pixel. Have been.
[0065]
Address electrodes 511 are formed in stripes at predetermined intervals on the upper surface of the substrate 501, and a dielectric layer 519 is formed to cover the address electrodes 511 and the upper surface of the substrate 501. On the dielectric layer 519, partition walls 515 are formed between the address electrodes 511 and 511 and along the address electrodes 511. The partition 515 includes a partition adjacent to the left and right sides of the address electrode 511 in the width direction, and a partition extending in a direction orthogonal to the address electrode 511. Further, a discharge chamber 516 is formed corresponding to a rectangular area partitioned by the partition 515.
In addition, a phosphor 517 is arranged inside a rectangular area defined by the partition 515. The phosphor 517 emits any one of red, green, and blue fluorescent light. A red phosphor 517 (R) is provided at the bottom of the red discharge chamber 516 (R), and a bottom of the green discharge chamber 516 (G). , A green phosphor 517 (G) is arranged, and a blue phosphor 517 (B) is arranged at the bottom of the blue discharge chamber 516 (B).
[0066]
On the other hand, a plurality of display electrodes 512 are formed on the substrate 502 at predetermined intervals in a stripe shape in a direction orthogonal to the address electrodes 511. Further, a dielectric layer 513 and a protective film 514 made of MgO or the like are formed so as to cover them.
The substrate 501 and the substrate 502 are bonded to each other with the address electrodes 511 and the display electrodes 512 facing each other so as to be orthogonal to each other.
The address electrodes 511 and the display electrodes 512 are connected to an AC power supply (not shown). When a current is applied to each electrode, the phosphor 517 is excited and emits light in the discharge display unit 510, so that color display is possible.
[0067]
In the present embodiment, the address electrodes 511 and the display electrodes 512 are formed using the wiring forming apparatus shown in FIG. 4 based on the wiring forming method shown in FIG. Therefore, it is difficult for defects such as disconnection and short circuit of each wiring to occur, and furthermore, it is easy to realize miniaturization and thinning.
[0068]
(Liquid crystal display)
Next, a liquid crystal display device will be described as an example of the electro-optical device of the present invention. Note that the method of manufacturing the liquid crystal display device is the same as the above-described pattern forming method, and thus the description is omitted.
[0069]
11A and 11B are diagrams for explaining the liquid crystal display device, and FIG. 11A is an equivalent circuit including various elements such as switching elements and wirings, which constitute an image display area of the liquid crystal display device. 11 (b) shows a main part of the liquid crystal display device, and is an enlarged sectional view for explaining the structure of the switching element and the pixel electrode provided in each pixel.
[0070]
As shown in FIG. 11A, the liquid crystal display device 100 includes a scanning line 101 and a data line 102 arranged in a matrix, a pixel electrode 130, and a pixel switching TFT (hereinafter, referred to as a TFT) for controlling the pixel electrode 130. , TFT) 110 are formed in plurality. , Qm are supplied in a pulsed manner to the scanning line 101, and the image signals P1, P2, ..., Pn are supplied to the data line 102. ing. Further, the scanning line 101 and the data line 102 are connected to the TFT 110 as described later, and the TFT 110 is driven by the scanning signals Q1, Q2,..., Qm and the image signals P1, P2,. I have. Further, a storage capacitor 120 for holding image signals P1, P2,..., Pn of a predetermined level for a certain period is formed, and a capacitor line 103 is connected to the storage capacitor 120.
[0071]
Next, the structure of the TFT 110 will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 11B, the TFT 110 is a so-called bottom gate type (inverted stagger type) TFT. As a specific structure, an insulating substrate 100a serving as a base material of the liquid crystal display device 100, a base protective film 100I formed on the surface of the insulating substrate 100a, a gate electrode 110G, a gate insulating film 110I, and a channel region 110C And an insulating film 112I for channel protection are stacked in this order. A source region 110S and a drain region 110D of a high-concentration N-type amorphous silicon film are formed on both sides of the insulating film 112I, and a source electrode 111S and a drain electrode 111D are formed on the surfaces of the source / drain regions 110S and 110D. ing.
[0072]
Further, an interlayer insulating film 112I and a pixel electrode 130 made of a transparent electrode such as ITO are formed on the surface side thereof, and the pixel electrode 130 is electrically connected to the drain electrode 111D via the contact hole of the interlayer insulating film 130. It is connected.
Here, the gate electrode 110G is a part of the scanning line 101, and the source electrode 111S is a part of the data line 102. Further, the gate electrode 110G and the scanning line 101 are formed by the pattern forming method described above.
[0073]
In such a liquid crystal display device, a current is supplied from the scanning line 101 to the gate electrode 110G in accordance with the scanning signals Q1, Q2,..., Qm, and an electric field is generated near the gate electrode 110G. The region 110C is turned on. Further, in the conductive state, a current is supplied from the data line 102 to the source electrode 111S in accordance with the image signals P1, P2,..., Pn, and the current is supplied to the pixel electrode 130, and a voltage is applied between the pixel electrode 130 and the counter electrode. Is done. That is, the liquid crystal display device can be driven as desired by controlling the scanning signals Q1, Q2,..., Qm and the image signals P1, P2,.
[0074]
In the liquid crystal display device thus configured, since the gate electrode 110G and the scanning line 101 are formed by the above-described pattern forming method, a good and highly reliable wiring pattern free from defects such as disconnection can be obtained. Become. Therefore, a highly reliable liquid crystal display device is obtained. That is, the same effect is obtained as described above.
Note that the pattern forming method of the present embodiment is not limited to the gate electrode 110G and the scanning line 101, but can be applied to a method of forming another wiring such as the data line 102.
[0075]
(Field emission display)
Next, as an example of the electro-optical device of the present invention, a field emission display (Field Emission Display, hereinafter referred to as FED) having a field emission element will be described. The method of manufacturing the FED is the same as the above-described pattern forming method, and thus the description is omitted.
[0076]
12A and 12B are diagrams for explaining the FED. FIG. 12A is a schematic configuration diagram showing an arrangement of a cathode substrate and an anode substrate constituting the FED, and FIG. FIG. 12C is a perspective view showing a main part of a cathode substrate.
[0077]
As shown in FIG. 12A, the FED 200 has a configuration in which a cathode substrate 200a and an anode substrate 200b are arranged to face each other. The cathode substrate 200a includes a gate line 201, an emitter line 202, and a field emission element 203 connected to the gate line 201 and the emitter line 202 as shown in FIG. This is a so-called simple matrix drive circuit. , Vm are supplied to the gate line 201, and the emitter signals W1, W2, ..., Wn are supplied to the emitter line 202. Further, the anode substrate 200b includes a phosphor made of RGB, and the phosphor has a property of emitting light when hit by an electron.
[0078]
As shown in FIG. 12C, the field emission element 203 includes an emitter electrode 203a connected to the emitter line 202 and a gate electrode 203b connected to the gate line 201. Further, the emitter electrode 203a is provided with a projection called an emitter tip 205 that decreases in diameter from the emitter electrode 203a side toward the gate electrode 203b. A hole 204 is formed in the gate electrode 203b at a position corresponding to the emitter tip 205. The tip of the emitter tip 205 is formed in the hole 204.
[0079]
In such an FED 200, the gate signals V1, V2,..., Vm of the gate line 201 and the emitter signals W1, W2,. A voltage is supplied therebetween, and electrons 210 move from the emitter tip 205 toward the hole 204 by the action of electrolysis, and the electrons 210 are emitted from the tip of the emitter tip 205. Here, light is emitted when the electrons 210 hit the phosphor of the anode substrate 200b, so that the FED 200 can be driven as desired.
[0080]
In the FED configured as described above, since the emitter electrode 203a and the emitter line 202 are formed by the pattern forming method described above, a favorable and highly reliable wiring pattern free from defects such as disconnection is obtained. Therefore, a highly reliable liquid crystal display device is obtained. That is, the same effect is obtained as described above.
The pattern forming method of the present embodiment is not limited to the emitter electrode 203a and the emitter line 202, but can be applied to other wiring forming methods such as the gate electrode 203b and the gate line 201.
[0081]
The device to which the manufacturing method of the present invention is applied can be applied to other devices having a wiring pattern. For example, the present invention is naturally applicable to the manufacture of a wiring pattern formed in an organic electroluminescence device, the manufacture of a wiring pattern formed in an electrophoresis device, and the like.
[0082]
Next, specific examples of the electronic device of the present invention will be described.
FIG. 13 is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 13, reference numeral 600 denotes a mobile phone main body, and reference numeral 601 denotes a liquid crystal display unit provided with the liquid crystal device shown in FIG.
FIG. 14 is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer. 14, reference numeral 700 denotes an information processing device, 701 denotes an input unit such as a keyboard, 703 denotes an information processing main unit, and 702 denotes a liquid crystal display unit provided with the liquid crystal device shown in FIG.
FIG. 15 is a perspective view illustrating an example of a wristwatch-type electronic device. 15, reference numeral 800 denotes a watch main body, and reference numeral 801 denotes a liquid crystal display unit provided with the liquid crystal device shown in FIG.
Since the electronic apparatus shown in FIGS. 13 to 15 includes the liquid crystal device of the above-described embodiment, defects such as disconnection or short circuit of wirings hardly occur, and furthermore, miniaturization and thinning are possible.
Although the electronic device of the present embodiment includes a liquid crystal device, the electronic device may include another electro-optical device such as an organic electroluminescence display device and a plasma display device.
[0083]
As described above, the preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings. However, it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments. The shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are merely examples, and can be variously changed based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing a conductive film pattern formed by a pattern forming method of the present invention.
FIG. 2 is a view for explaining a pattern forming method according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an enlarged view showing a main part of FIG. 2;
FIG. 4 is a schematic perspective view showing an embodiment of the pattern forming apparatus of the present invention.
FIG. 5 is a view showing a conductive film pattern according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing a liquid ejection head used in a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a view for explaining a pattern forming method according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a view for explaining a pattern forming method according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a view for explaining a pattern forming method according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a diagram showing a plasma display device of the electro-optical device according to the invention.
FIG. 11 is a diagram illustrating a liquid crystal device of the electro-optical device according to the invention.
FIG. 12 is a diagram showing a field emission display of the electro-optical device according to the present invention.
FIG. 13 is a diagram showing a mobile phone of the electronic apparatus according to the invention.
FIG. 14 is a view showing a portable upper processing device of an electronic apparatus according to the invention.
FIG. 15 is a view showing a wristwatch-type electronic device of the electronic device of the present invention.
FIG. 16 is an explanatory diagram for explaining a problem of the related art.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 10 liquid discharge head (droplet discharge means), 11 substrate, 30... Nozzle, 50 wiring forming device (pattern forming device), W, W ′, W1, W2, W3, W4, W5, W6 conductive film pattern (pattern) , L, LD droplet, LW line width, LU droplet row, L2 to L6, LC first droplet, L1, L7, LS second droplet, FST first pattern layer, SND second pattern layer

Claims

A method for forming a pattern on a substrate by discharging a liquid material into liquid droplets from a liquid droplet discharging means,
The line width of the pattern is defined by the length of a droplet row including a plurality of the droplets discharged in the line width direction of the pattern,
Discharging a first droplet adjacent to the inside of the outermost droplet of the droplet train;
Discharging a second droplet located at the outermost position of the droplet row,
Adjusting a discharge amount of the second droplet.

2. The pattern forming method according to claim 1, wherein the step of discharging the first droplet is performed before the step of discharging the second droplet.

3. The pattern forming method according to claim 1, wherein a discharge amount of the second droplet is larger than that of the first droplet. 4.

2. The pattern forming method according to claim 1, wherein after discharging the first droplet and the second droplet, the droplet that complements the droplet row is discharged. 3.

A method for forming a pattern on a substrate by discharging a liquid material into liquid droplets from a liquid droplet discharging means,
The pattern includes a first pattern layer formed on the substrate, and a second pattern layer formed above the first pattern layer,
The line width of the pattern is defined by the length of a droplet row including a plurality of the droplets discharged in the line width direction of the pattern,
The step of forming the first pattern layer includes the step of discharging a first droplet adjacent to the inside of the outermost droplet of the droplet row, and adjusting the discharge amount of the first droplet. And a step of
The step of forming the second pattern layer includes a step of discharging a second droplet located at the outermost position of the droplet row.

6. The pattern forming method according to claim 5, wherein a discharge amount of the second droplet is larger than that of the first droplet.

7. The liquid repellent treatment on the surface of the substrate before discharging the droplet including the first droplet and the second droplet onto the substrate. The pattern forming method according to any one of the above.

The pattern forming method according to any one of claims 1 to 7, wherein the liquid material is a liquid containing conductive fine particles.

A pattern forming apparatus that discharges a liquid material as droplets from a droplet discharge unit and forms a pattern on a substrate,
A pattern forming apparatus, comprising: forming a pattern on the substrate by the pattern forming method according to any one of claims 1 to 8.

A conductive film wiring formed by the pattern forming apparatus according to claim 9.

A device manufacturing method for manufacturing a device in which a conductive film wiring is formed on a substrate, wherein the pattern forming method according to any one of claims 1 to 8 is used. .

An electro-optical device comprising the conductive film wiring according to claim 10.

An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 12.