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JP2004294912A - Semitransmission type liquid crystal display device - Google Patents

Semitransmission type liquid crystal display device Download PDF

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JP2004294912A
JP2004294912A JP2003089155A JP2003089155A JP2004294912A JP 2004294912 A JP2004294912 A JP 2004294912A JP 2003089155 A JP2003089155 A JP 2003089155A JP 2003089155 A JP2003089155 A JP 2003089155A JP 2004294912 A JP2004294912 A JP 2004294912A
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啓史 大平
Yoshihiro Akai
喜洋 赤井
Masayuki Kametani
雅之 亀谷
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Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
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Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Tottori Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bright liquid crystal display device of a semitransmission type which permits the use of an IZO (Indium-Zinc-Oxide) as a transparent electrode and metal including aluminum as a reflection layer, is made greater in the reflection area of a reflection section. <P>SOLUTION: The top of a glass substrate 12 is provided with a TFT element 16 as a switching element and the reflection layer 36 is disposed by being electrically insulated over the entire surface of an array substrate 10 exclusive of a contact hole 22 of each pixel and a transmission part 24, and further, the surface of the reflection layer is coated by an interlayer insulating layer 19 and is coated from the upper part thereof by the transparent electrode 17 consisting of the IZO over the entire surface by each pixel. The transparent electrode 17 is electrically connected to the drain electrode D of the TFT element in the contact hole 22. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は半透過型の液晶表示装置に関し、特に透明電極としてIZO(Indium−Zinc−Oxide)を、反射層としてアルミニウムを含む金属を使用し、しかも、反射部の反射面積を大きくした明るい半透過型の液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速に普及している。特に、携帯型のものについては消費電力を減少させるためにバックライトを必要としない反射型の液晶表示装置が多く用いられているが、この反射型液晶表示装置は、外光を光源として用いるために、暗い室内などでは見えにくくなってしまう。そこで、近年に至り特に透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の開発が進められてきている。
【0003】
この半透過型液晶表示装置は、一つの画素内に透明電極を備えた透過部と反射電極を備えた反射部を有しており、暗い場所においてはバックライトを点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、明るい場所においてはバックライトを点灯することなく反射部において外光を利用して画像を表示しているため、常時バックライトを点灯する必要がなくなるので、消費電力を大幅に低減させることができるという利点を有している。
【0004】
図6は、下記特許文献1に従来例として記載されている半透過型液晶表示装置のアレイ基板10の簡略化した断面図である。
【0005】
図6において、ガラス基板12上にはそれぞれの画素ごとにゲート電極G、補助容量電極Csが配置され、その表面を含むガラス基板12全体が窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜14で被覆され、次いでゲート電極Gの周囲にアモルファスシリコン層15、ソース電極S及びドレイン電極Dが順次形成されてスイッチング素子であるTFT素子16が形成されている。
【0006】
そして、TFT素子16を覆うように酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜18が形成され、この層間絶縁膜18の上部にはスキャタリング層及び平坦化層からなる層間膜20が形成され、この層間絶縁膜18と層間膜20には、TFT素子16のドレイン電極Dに対応する部分にコンタクトホール22が、また、TFT素子16から離れた場所には溝部24が設けられている。
【0007】
また、透明電極17用の材料としてITO(Indium−Tin−Oxide)を一画素全体に積層し、次いで透明電極17上に反射電極26用の材料を溝部24を除いた部分に積層してそれぞれの画素ごとにそれぞれ画素電極を形成させる。画素電極のうち、透明電極17が反射電極26に覆われていない溝部24の領域が透過部となり、アレイ基板10の下方に配置されたバックライト(図示省略)からの光はこの透過部を通過し、また反射電極26が形成されている領域が反射部28となり、外光はこの反射部28で反射される。
【0008】
このアレイ基板10は、周知のように、対向電極30、液晶材料、カラーフィルタ、バックライト等(図示省略)と組み合わされて半透過型液晶表示装置が作成される。
【0009】
なお、下記特許文献1に記載の発明では、反射電極26用の材料としてアルミニウムを使用すると、ITOとアルミニウムの間にチタンを介在させないとオーミックなコンタクトを形成しないため、反射電極26用の材料としては従来から広く使用されているアルミニウムに換えて高価な銀を用いている。
【0010】
一方、透明電極の材料としては、一般的に用いられているITOの他にIZO(Indium−Zinc−Oxide)も知られている。このIZOとアルミニウムとはオーミックなコンタクトを形成するため、反射電極として高価な銀を使用する必要はない。しかしながら、通常アルミニウムとITOとは同じエッチング溶液でエッチングされることはないために、上記特許文献1に記載されているアレイ基板10のように、画素電極を作成する際にまずITOを用いて透明電極17を設けた後、その上にアルミニウムを用いて反射電極26を設ける場合は、アルミニウムのエッチングの際に透明電極17はエッチングされることがないため、何等の問題は生じない。しかしながら、IZOはアルミニウムと同じエッチング溶液でエッチングされてしまうため、IZOを用いて透明電極17を設けた後、その上に直接アルミニウムを用いて反射電極を設けると、アルミニウムのエッチングの際に透明電極17もエッチングされてしまうという問題点が存在している。
【0011】
このとき、IZOがエッチングされないようにするために、透過部の透明電極17を形成するIZOの上に更にIZOを保護するための膜を形成し、そしてアルミニウムを用いて反射電極を形成することも考えられなくはないが、その場合だと更に製造工程が増加してしまい、コストも上昇してしまうので、透明電極17としてIZOを用いることは実用的でなくなってしまう。
【0012】
そこで、本発明者等は、透明電極としてIZOを使用できるようにアレイ基板の構成について種々検討を重ねた結果、既に特願2002−146360号として、透明電極としてIZOを使用し得るようになした半透過型液晶表示装置に関する第1の特許出願(以下、「先願1」という。)を行った。
【0013】
上記先願1の明細書及び図面に開示されている半透過型液晶表示装置のアレイ基板の断面図を図7に示す。なお、以下においては上記特許文献1に記載のものと同じ構成の部分には同じ符号を付して具体的説明は省略することとする。
【0014】
図7に示された半透過型液晶表示装置のアレイ基板10が図6に示された従来例のものと相違している点は、次の(1)及び(2)のとおりである。
(1)IZOからなる透明電極17がドレイン電極Dと電気的に接触するように形成され、更にTFT素子16及び透明電極17を覆うように無機絶縁膜からなる層間絶縁膜(保護膜)18が形成され、この層間絶縁膜18の上部には層間膜20が形成され、この層間絶縁膜18と層間膜20には、TFT素子16のドレイン電極Dに対応する部分にコンタクトホール22が、また、TFT素子16から離れた場所には溝部24が設けられている点。
(2)層間膜20上には、透明電極が設けられておらず、反射電極26としてのアルミニウムが積層されており、この反射電極26はコンタクトホール22を介してドレイン電極Dと電気的に接続されているとともに、このドレイン電極Dを介して透明電極17と電気的に接続されている点。
【0015】
上記先願1に係る半透過型液晶表示装置のアレイ基板10は、上述の構成を備えることにより、反射電極としてのアルミニウムをエッチングする際に透明電極がエッチング液に露出されることがないため、工程数を増やすことなく、透明電極としてIZOを用いることができるようになる。
【0016】
しかしながら、先願1に係る半透過型液晶表示装置のアレイ基板10においては、以下の(a)及び(b)の問題点が存在していた。
(a)透明電極17及び反射電極26がそれぞれ個別にTFT素子16のドレイン電極Dと接触しているため、それぞれの電極とドレイン電極Dとの間の異種物質接触による接触電位の差に基いて反射電極26と透明電極17との間の電位が異なってしまうので、透過部と反射部28とでは画素電極に電圧の差異が生じてしまうため、透過モードと反射モードとでは表示状態が異なるものとなってしまい、フリッカが発生する点。
(b)透明電極17上に層間絶縁膜18が存在するため、透明電極17により供給される電圧値が変化して透過モードの最適VCOM値が変化してしまうので、液晶層に焼き付きが生じてしまう点。
【0017】
そこで、本発明者等は、別途特願2002−275060号としてこの先願1に係る半透過型液晶表示装置のアレイ基板の透明電極17及び反射電極26とドレイン電極Dとの間の異種物質接触による接触電位差の発生を抑制すると共に、液晶層の焼き付きを低減した半透過型液晶表示素子に関する第2の特許出願(以下、「先願2」という。)を行っている。
【0018】
この先願2の明細書及び図面に開示されている半透過型液晶表示装置のアレイ基板を図8〜図10を用いて説明する。なお、図8は先願2の明細書及び図面に開示されている液晶パネルを構成するアレイ基板10の1画素の拡大平面図であり、図9は図8のA−A’線に沿った概略断面拡大図、図10は図8のB−B’線に沿った概略断面拡大図である。なお、以下においては上記特許文献1に記載のものと同じ構成の部分には同じ符号を付して具体的に説明することとする。
【0019】
透明な絶縁性を有するガラス基板12上に、アルミニウムやクロム等の金属からなる複数の走査線32が略等間隔で平行に形成されており、また、隣り合う走査線32間の略中央には走査線32と同時に補助容量電極Csが平行して形成されている。そして、走査線32からはゲート電極Gが延設されている。
【0020】
ガラス基板12上には、走査線32、補助容量電極Cs、ゲート電極Gを覆うようにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜14が積層され、このゲート電極Gの上には、ゲート絶縁膜14を介して非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層15が形成され、またゲート絶縁膜14上には複数の映像線34が走査線32と直交するようにして形成されている。なお、この映像線34は図示しないが下部をAlとし、上部をCrにより形成した2層構造をしている。また、映像線34からはソース電極Sが延設され、このソース電極Sは半導体層15と接続している。
【0021】
さらに、映像線34、ソース電極Sと同一の材料でかつ同時形成されたドレイン電極Dがゲート絶縁膜14上に設けられており、半導体層15と接続している。
【0022】
ここで、走査線32と映像線34とに囲まれた領域が1画素に相当する。そしてゲート電極G、ゲート絶縁膜14、半導体層15、ソース電極S、ドレイン電極Dによってスイッチング素子となるTFT素子16が構成され、それぞれの画素にこのTFT素子16が形成される。
【0023】
この場合、ドレイン電極Dと補助容量電極Csによって各画素の補助容量を形成することになる。
【0024】
映像線34、TFT素子16、ゲート絶縁膜14を覆うようにして例えば無機の絶縁膜からなる層間絶縁膜18(保護膜)が積層され、この層間絶縁膜18上には有機絶縁膜からなる層間膜20が積層されている。そして層間絶縁膜18と層間膜20には、TFT素子16のドレイン電極Dに対応する位置にコンタクトホール22が、またTFT素子16から離れた位置に溝部24が長方形状に形成されている。
【0025】
それそれの画素において、層間膜20上及びコンタクトホール22にはアルミニウムからなる反射電極26が、層間絶縁膜18とは接触しているがTFT素子16のドレイン電極には接触しないように、設けられている。アルミニウムは、反射率が高くかつ低抵抗であるため、反射電極の材料として一般的に用いられている。この他反射電極26の材料としてはアルミニウムを含む合金などでもよい。
【0026】
アレイ基板10の底面方向から見た場合、図8のB−B’線に沿った概略断面拡大図(図10)からしても明らかなように、反射電極26は隣接する反射電極26と接しないで、かつ走査線32、映像線34とに若干重なるようにして形成され、また、溝部24の周囲を囲むようにして形成されている。
【0027】
この反射電極26の上、コンタクトホール22及び溝部24には一画素分全体にわたって透明電極17が設けられ、この透明電極17はコンタクトホール22の底部でドレイン電極Dと接触するように設けられている。この際、透明電極17の材料としては、この透明電極17をエッチングして反射電極26を露出させる必要がないため、透明電極17と反射電極26が同じエッチング液でエッチングされてしまうような組み合わせでも使用することができるので、反射電極として安価なアルミニウムを含む金属を使用しても、透明電極としてIZOを使用することができるようになる。
【0028】
そして、アレイ基板10の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置されており、また、アレイ基板10の上方には全ての画素を覆うように配向膜(図示せず)が積層され、そして、画素に対応して形成されるR、G、B3色のカラーフィルタ、対向電極30等が設けられているカラーフィルタ基板(図示せず)をこのアレイ基板10と対向させ、両基板を貼り合せ、両基板間に液晶を注入することにより半透過型の液晶パネルとなる。
【0029】
このアレイ基板10において、溝部24より透明電極17が覗いている範囲が透過部であり、この透過部においてバックライト装置から出射してきた光が通過し、また反射電極26が積層されている範囲が反射部28であり、この反射部28において外光が反射される。
【0030】
このような構成とすることで、透明電極17はコンタクトホール22の底部でのみドレイン電極Dと電気的に接触していることになり、しかも、反射電極26の表面は全て透明電極17により被覆されているので、たとえ反射電極26と透明電極17との間に接触電位差が生じているとしても、反射部28の電位は全て透明電極17の電位によって定まるため、前記接触電位差は外部に何等の影響も与えることはなく、しかも反射部の透明電極の電位と透過部の透明電極の電位は同じになるから、従来技術のような透明電極17と反射電極26との間の電位の差異により生じるフリッカを有効に防止することができるようになるとともに、焼き付きも少なくなるという効果を奏するものである。
【0031】
【特許文献1】
特開2001−350158号公報(2〜3頁、図4)
【0032】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように先願2の明細書及び図面に開示されている半透過型液晶表示装置は、フリッカの防止及び液晶層の焼き付き防止という観点では優れた効果を奏するものであるが、それでも反射型として使用する際により明るくすることが望まれていた。従来技術では、アルミニウムを含む反射電極26を走査線32及び映像線34の上部にまで設けて反射電極26の面積を大きくして反射率を向上させようとしているが、反射電極26が電極としての機能をも有しているため、この反射電極26の面積を大きくしすぎると隣り合う画素の反射電極と短絡してしまう可能性が大きくなるので、反射電極26の面積を大きくするにも限界があった。
【0033】
そこで、本発明者等は、更に実験を重ね、上記特許文献1、先願1及び先願2に開示されている半透過型液晶表示装置は、いずれもアルミニウムを含む金属層を反射層を兼ねる反射電極として使用しているが、このアルミニウムを含む金属層を電気的に絶縁して反射層のみの機能を奏するものとして使用すれば、
(1)この反射層を透過部及びコンタクトホール以外の全ての部分に設けることができるので反射率が向上すること、
(2)透明電極の構成材料としてIZOを使用することができること、
(3)このIZOを透過部及び反射部に共通の画素電極として使用し得るので、透過部と反射部とで画素電極の電圧を同一になるようにすることができるだけでなく透明電極により供給される電圧値も安定となること、
を見出し、本発明を完成するに至ったものである。
【0034】
すなわち、本発明は、透明電極の材料としてIZOを使用することができ、反射部の反射面積が大きく明るい、かつ、フリッカ及び焼き付きを防止した半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。本発明の上記目的は以下の構成により達成することができる。
【0035】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の態様によれば、平行に配置された複数の走査線と、前記走査線と直交する複数の映像線に囲まれた領域に形成される画素であって、バックライトからの光を透過する透明電極を備える透過部と、外光を反射する反射層を備える反射部とを備えた画素とを有している半透過型液晶表示装置において、前記画素にはスイッチング素子が形成されており、前記反射層は、透過部及びコンタクトホールを除く全領域にわたって設けられていると共に、前記スイッチング素子及び前記透明電極ともに電気的に絶縁して設けられ、前記透明電極は、前記反射層の上部に透明絶縁層を介して画素全体にわたって被覆されていると共に前記スイッチング素子と電気的に接続されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置が提供される。
【0036】
係る構成においては、反射層は透過部を除く画素全体に設けることができるので、反射部の面積が広くなって明るい半透過型液晶表示装置を得ることができ、更に透明電極電位が反射部及び透過部で同一となるため、フリッカ及び液晶層の焼き付きが少なくなる。
【0037】
係る態様においては、前記透明電極をIZOで形成することが好ましい。本発明によれば、透明電極をエッチング処理する際には反射層が露出することはないので、透明電極材料がIZOのように反射層材料と同じエッチング溶液に溶解する性質のものであっても有効に使用することができるようになる。
【0038】
また、係る態様においては、反射層をアルミニウム金属、アルミニウム合金等のアルミニウムを含む金属から形成することが好ましい。このような構成となせば、従来例で使用されている銀と対比すると、アルミニウムを含む金属は非常に安価であるため、本発明の半透過型液晶表示装置も非常に安価に製造できるようになる。
【0039】
更に、係る態様においては、反射層で覆われる層間膜が前記透過部にも設けられ、前記透明電極は該層間膜上に設けられていることが好ましい。係る構成によれば、透過部のセルギャップ及び反射部のセルギャップがほとんど等しくなるため、透過部画素容量C1と反射部画素容量C2をほぼ等しくすることができ、係るC1及びC2の差異に基づく画素内での透明電極の駆動電圧と反射電極の駆動電圧との差異が生じないので、フリッカが生じにくくなり、加えて透過部と反射部との境界の段差が少なくなるため、この段差に起因する液晶の配向の乱れが少なくなるため、表示ムラを低減することができる。
【0040】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体例を図面を用いて説明するが、図8〜図10の先願2に開示された半透過型液晶表示装置と同じ構成の部分には同じ符号を付してその具体的説明は省略する。図1は本発明の第1の具体例の液晶パネルを構成するアレイ基板10の1画素の拡大平面図であり、図2は図1のA−A’線に沿った概略断面拡大図、図3は図1のB−B’線に沿った概略断面拡大図である。
【0041】
本願発明の第1の具体例に係る半透過型液晶表示装置のアレイ基板10が、図6〜図8の先願2の半透過型液晶表示装置のアレイ基板の構成と相違している部分は、(1)アルミニウムを含む金属からなる反射層36が、ドレイン電極Dとのコンタクトホール22及び透過部24の部分を除いて、層間膜20の上部に、アレイ基板10の全体にわたって、設けられている点(図1及び図3参照)、(2)この反射層36の表面には、無機の絶縁膜からなる層間絶縁膜19により被覆され、この層間絶縁膜19の上部、コンタクトホール22及び透過部24を含む一画素分の表面が全て透明電極17で覆われており、反射膜は、透明電極17、ドレイン電極D共に電気的に絶縁されている点(図2及び図3参照)、である。
【0042】
すなわち、先願2に係る半透過型液晶表示装置のアレイ基板10は、図8〜図10の記載から明らかなように、IZOからなる透明電極17を用いる場合、透過部、反射部共に透明電極(IZO)で被覆されているから、反射電極26は実質的に反射機能しか利用されていないことになる。したがって、本願発明では電極機能は透明電極17のみに発揮させて、アルミニウム金属を含む層36は純然たる反射機能のみを利用するようにしたものである。このような構成となせば、アルミニウム金属を含む層36(反射層)は、電極としての機能がないため、従来例のような隣の画素の電極との短絡を考慮することなしに走査線32及び映像線34の上まで設けることができるようになるので、その面積を大きくして反射率を向上させることができるようになる。
【0043】
なお、図示はしていないが層間膜20の表面にパターニング等によって凹凸を設けておき、その上の反射層36を凹凸状に形成してもよい。とくに層間膜20は通常有機絶縁膜であるために凹凸形成を比較的容易に行える。このようにすることにより反射部28での外光の反射量を増加させることが可能となる。また一画素における透過部の占める割合は調整可能であるが、あまり透過部の占める割合が多くなってしまうと反射部28の割合が少なくなるので、外光の反射量は減ってしまう。逆に透過部の占める割合が少なすぎると外光の不足をバックライトの光で補うには不十分となってしまう。本実施例においては透過部の占める割合が約20%となっている。
【0044】
このように透明電極17の材料としてIZOを、反射層36の材料として安価なアルミニウムを含む金属を使用することができ、しかもフリッカ及び焼き付きを有効に防止することができる半透過型の液晶表示装置が得られる。
【0045】
なお、上述の第1の具体例では、溝部24は透明電極17を設ける際に層間膜20が取り除かれており、このような構成であると、既に従来技術について述べたように、透過部の透明電極17の部分と対向電極30との間の距離(透過部のセルギャップ)及び反射部28の透明電極17の部分と対向電極30との間の距離(反射部のセルギャップ)が異なるため、透過部画素容量C1と反射部画素容量C2が異なることとなるため、これによっても、1つの画素内で透明電極の駆動電圧と反射電極の駆動電圧とが異なる原因となり、フリッカの原因となってしまう。
【0046】
すなわち、半透過型液晶表示装置の1画素の等価回路図は図4に示すとおりであって、TFT素子のドレイン電極には、補助容量電極Csとの間に形成される補助容量CCOM以外に、透明電極17と対向電極30の間に形成される透過部画素容量C1及び反射電極26と対向電極30の間に形成される反射部画素容量C2が存在している。したがって、上述の従来技術においては、反射部28の反射電極26と対向電極30の間の距離及び透過部の透明電極17と対向電極30の間の距離が異なるので、C1及びC2が異なる値となるため、これによっても、1つの画素内で透明電極の駆動電圧と反射電極の駆動電圧とが異なる原因となり、フリッカが生じてしまうわけである。
【0047】
そこで、以下においてはこの問題点を解決した第2の具体例について図5を用いて説明する。図5は、第1の具体例における図2に対応するものであって、図2に示された第1の具体例と異なっている部分は、図1の溝24に対応する部分にも層間膜20が設けられており、透過部の透明電極17はこの層間膜20の上部に設けられている点のみであるので、その他の構成要件の詳細な説明は省略する。
【0048】
このような構成となすことにより、透過部のセルギャップ及び反射部のセルギャップがほとんど等しくなるため、透過部画素容量C1と反射部画素容量C2をほぼ等しくすることができ、係るC1及びC2の差異に基づく画素内での透明電極の駆動電圧と反射電極の駆動電圧との差異が生じにくくなって、フリッカが生じにくくなり、加えて透過部と反射部との境界の段差が少なくなるため、この段差に起因する液晶の配向の乱れが少なくなるため、表示ムラを低減することができる。
【0049】
なお、前記第2の具体例では透過部にも層間膜20が形成されているため、前記第1の具体例と比すると透過部での透過率が劣ることとなるが、係る点はフリッカ及び表示ムラの減少の程度を勘案の上で適宜好ましい厚さの層間膜を作成する等、当業者が任意に決定することができる。
【0050】
さらに、この透過部の層間膜は、エッチングの際にわずかに着色することがあるが、この着色は透過率の低下及び透過光の品質劣化に繋がるので、望ましくはない。しかし、この着色は基板全体を層間膜が劣化しない程度に加熱しながら紫外線を照射することにより容易に除去することができる。
【0051】
なお、上述の実施例では反射層が完全に絶縁された場合を説明したが、反射層に対向電極に供給されている電圧と同電位を供給し、反射層と透明電極間で補助容量を形成するようにしてもよい。また本発明は透明電極にITO等のIZO以外の材料を用いた場合にも有効である。
【0052】
【発明の効果】
以上述べたように、フリッカ及び焼き付きを有効に防止すると共に、反射部の反射面積を大きくした明るい半透過型の液晶表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の第1の具体例の液晶パネルを構成するアレイ基板の1画素の拡大平面図である。
【図2】図2は、図1のA−A’線に沿った概略断面拡大図である。
【図3】図3は、図1のB−B’線に沿った概略断面拡大図である。
【図4】図4は、半透過型液晶表示装置の1画素の等価回路図である。
【図5】図5は、本発明の第2の具体例の図2に対応する概略断面拡大図である。
【図6】図6は、特許文献1に従来例として記載されている半透過型液晶表示装置の前記図2に対応する概略拡大断面図である。
【図7】図7は、特願2002−146360号の発明に係る半透過型液晶表示装置の前記図2に対応する概略拡大断面図である。
【図8】図8は、特願2002−275060号の発明に係る半透過型液晶表示装置の液晶パネルを構成するアレイ基板の1画素の拡大平面図である。
【図9】図9は、図8のA−A’線に沿った概略断面拡大図である。
【図10】図10は、図8のB−B’線に沿った概略断面拡大図である。
【符号の説明】
10 アレイ基板
12 ガラス基板
14 ゲート絶縁膜、
15 半導体層
16 TFT素子
17 透明電極
18 層間絶縁膜
19 層間絶縁膜
20 有機層間膜
22 コンタクトホール
24 透過部
26 反射電極
28 反射部
30 対向電極
32 走査線
34 映像線
36 反射層
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a transflective liquid crystal display device, and more particularly to a bright transflective liquid crystal display device using IZO (Indium-Zinc-Oxide) as a transparent electrode and a metal containing aluminum as a reflective layer, and further increasing the reflective area of a reflective portion. Liquid crystal display device.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, the application of liquid crystal display devices has rapidly spread to not only information communication devices but also general electric devices. Particularly, for a portable type, a reflection type liquid crystal display device which does not require a backlight is often used in order to reduce power consumption, but since this reflection type liquid crystal display device uses external light as a light source. In addition, it becomes difficult to see in a dark room. Therefore, recently, a transflective liquid crystal display device having both transmissive and reflective properties has been developed.
[0003]
This transflective liquid crystal display device has a transmissive portion having a transparent electrode and a reflective portion having a reflective electrode in one pixel. In a dark place, the backlight is turned on and the transmissive portion of the pixel area is turned on. Since the image is displayed by using the backlight, and the image is displayed using the external light in the reflection part without turning on the backlight in a bright place, the backlight does not need to be always turned on, so that the power consumption is reduced. Can be greatly reduced.
[0004]
FIG. 6 is a simplified cross-sectional view of an array substrate 10 of a transflective liquid crystal display device described as a conventional example in Patent Document 1 below.
[0005]
In FIG. 6, a gate electrode G and an auxiliary capacitance electrode Cs are arranged for each pixel on a glass substrate 12, and the entire glass substrate 12 including the surface thereof is formed of a gate insulating film 14 made of a silicon nitride film and a silicon oxide film. Then, an amorphous silicon layer 15, a source electrode S and a drain electrode D are sequentially formed around the gate electrode G to form a TFT element 16 as a switching element.
[0006]
Then, an interlayer insulating film 18 made of a silicon oxide film and a silicon nitride film is formed so as to cover the TFT element 16, and an interlayer film 20 made of a scattering layer and a flattening layer is formed on the interlayer insulating film 18. In the interlayer insulating film 18 and the interlayer film 20, a contact hole 22 is provided in a portion corresponding to the drain electrode D of the TFT element 16, and a groove 24 is provided in a place away from the TFT element 16.
[0007]
In addition, ITO (Indium-Tin-Oxide) is laminated as a material for the transparent electrode 17 over the entire pixel, and then a material for the reflective electrode 26 is laminated on the transparent electrode 17 in a portion excluding the groove 24 to form each of the pixels. A pixel electrode is formed for each pixel. In the pixel electrode, the area of the groove 24 where the transparent electrode 17 is not covered with the reflective electrode 26 becomes a transmission part, and light from a backlight (not shown) arranged below the array substrate 10 passes through this transmission part. In addition, a region where the reflective electrode 26 is formed becomes a reflective portion 28, and external light is reflected by the reflective portion 28.
[0008]
As is well known, the array substrate 10 is combined with a counter electrode 30, a liquid crystal material, a color filter, a backlight and the like (not shown) to produce a transflective liquid crystal display device.
[0009]
In the invention described in Patent Document 1 described below, when aluminum is used as a material for the reflective electrode 26, an ohmic contact is not formed unless titanium is interposed between ITO and aluminum. Uses expensive silver instead of aluminum which has been widely used in the past.
[0010]
On the other hand, as a material of the transparent electrode, IZO (Indium-Zinc-Oxide) is also known in addition to commonly used ITO. Since this IZO and aluminum form an ohmic contact, it is not necessary to use expensive silver as the reflective electrode. However, since aluminum and ITO are not usually etched by the same etching solution, when the pixel electrode is formed, as in the case of the array substrate 10 described in Patent Literature 1, a transparent electrode is first formed using ITO. When the reflective electrode 26 is provided using aluminum after the electrode 17 is provided, no problem occurs because the transparent electrode 17 is not etched when aluminum is etched. However, since IZO is etched by the same etching solution as aluminum, after providing the transparent electrode 17 using IZO and directly providing a reflective electrode using aluminum thereon, if the transparent electrode 17 17 also has a problem that it is etched.
[0011]
At this time, in order to prevent the IZO from being etched, a film for protecting the IZO may be further formed on the IZO for forming the transparent electrode 17 in the transmission portion, and a reflection electrode may be formed using aluminum. Although it is not conceivable, in that case, the number of manufacturing steps is further increased, and the cost is also increased. Therefore, it is not practical to use IZO as the transparent electrode 17.
[0012]
Therefore, the present inventors have conducted various studies on the configuration of the array substrate so that IZO can be used as a transparent electrode, and as a result, as disclosed in Japanese Patent Application No. 2002-146360, IZO can be used as a transparent electrode. A first patent application relating to a transflective liquid crystal display device (hereinafter, referred to as “prior application 1”) has been filed.
[0013]
FIG. 7 is a cross-sectional view of an array substrate of the transflective liquid crystal display device disclosed in the specification and drawings of the above-mentioned prior application 1. In the following, portions having the same configuration as those described in Patent Document 1 are denoted by the same reference numerals, and a specific description thereof will be omitted.
[0014]
The difference between the array substrate 10 of the transflective type liquid crystal display device shown in FIG. 7 and that of the conventional example shown in FIG. 6 is as follows (1) and (2).
(1) A transparent electrode 17 made of IZO is formed so as to be in electrical contact with the drain electrode D, and an interlayer insulating film (protective film) 18 made of an inorganic insulating film is formed so as to cover the TFT element 16 and the transparent electrode 17. An interlayer film 20 is formed on the interlayer insulating film 18. A contact hole 22 is formed in the interlayer insulating film 18 and the interlayer film 20 at a portion corresponding to the drain electrode D of the TFT element 16. The point that the groove 24 is provided at a place away from the TFT element 16.
(2) No transparent electrode is provided on the interlayer film 20, and aluminum as the reflective electrode 26 is laminated, and the reflective electrode 26 is electrically connected to the drain electrode D via the contact hole 22. And is electrically connected to the transparent electrode 17 via the drain electrode D.
[0015]
Since the array substrate 10 of the transflective liquid crystal display device according to the above-mentioned prior application 1 has the above-described configuration, the transparent electrode is not exposed to the etchant when aluminum as the reflective electrode is etched. IZO can be used as a transparent electrode without increasing the number of steps.
[0016]
However, the following problems (a) and (b) exist in the array substrate 10 of the transflective liquid crystal display device according to the prior application 1.
(A) Since the transparent electrode 17 and the reflective electrode 26 are individually in contact with the drain electrode D of the TFT element 16, respectively, based on the difference in contact potential between the respective electrodes and the drain electrode D due to the contact between different substances. Since the potential between the reflective electrode 26 and the transparent electrode 17 is different, a voltage difference is generated in the pixel electrode between the transmissive part and the reflective part 28, so that the display state is different between the transmissive mode and the reflective mode. And flickering.
(B) Since the interlayer insulating film 18 exists on the transparent electrode 17, the voltage value supplied by the transparent electrode 17 changes, and the optimum V in the transmission mode is changed. COM The point that the value changes, so that the liquid crystal layer burns.
[0017]
Therefore, the present inventors have disclosed in Japanese Patent Application No. 2002-275060 the contact between the transparent electrode 17 and the reflective electrode 26 of the array substrate and the drain electrode D of the transflective type liquid crystal display device according to the prior application 1 and the drain electrode D. A second patent application (hereinafter, referred to as "prior application 2") has been filed for a transflective liquid crystal display device in which the occurrence of a contact potential difference is suppressed and the image sticking of the liquid crystal layer is reduced.
[0018]
The array substrate of the transflective liquid crystal display device disclosed in the specification and drawings of the prior application 2 will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is an enlarged plan view of one pixel of the array substrate 10 constituting the liquid crystal panel disclosed in the specification and the drawings of the prior application 2, and FIG. 9 is taken along the line AA ′ in FIG. FIG. 10 is a schematic enlarged cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. In the following, portions having the same configuration as those described in Patent Document 1 will be denoted by the same reference numerals and will be specifically described.
[0019]
A plurality of scanning lines 32 made of metal such as aluminum or chromium are formed in parallel at substantially equal intervals on a glass substrate 12 having a transparent insulating property. The storage capacitor electrode Cs is formed in parallel with the scanning line 32. A gate electrode G extends from the scanning line 32.
[0020]
On the glass substrate 12, a gate insulating film 14 made of silicon nitride, silicon oxide, or the like is laminated so as to cover the scanning line 32, the auxiliary capacitance electrode Cs, and the gate electrode G. A semiconductor layer 15 made of amorphous silicon, polycrystalline silicon, or the like is formed via an insulating film 14, and a plurality of video lines 34 are formed on the gate insulating film 14 so as to be orthogonal to the scanning lines 32. I have. Although not shown, the video line 34 has a two-layer structure in which the lower portion is made of Al and the upper portion is made of Cr. A source electrode S extends from the video line 34, and the source electrode S is connected to the semiconductor layer 15.
[0021]
Further, a drain electrode D made of the same material as the image line 34 and the source electrode S and formed at the same time is provided on the gate insulating film 14 and is connected to the semiconductor layer 15.
[0022]
Here, a region surrounded by the scanning lines 32 and the video lines 34 corresponds to one pixel. The gate electrode G, the gate insulating film 14, the semiconductor layer 15, the source electrode S, and the drain electrode D constitute a TFT element 16 serving as a switching element, and the TFT element 16 is formed in each pixel.
[0023]
In this case, an auxiliary capacitance of each pixel is formed by the drain electrode D and the auxiliary capacitance electrode Cs.
[0024]
An interlayer insulating film 18 (protective film) made of, for example, an inorganic insulating film is laminated so as to cover the video line 34, the TFT element 16, and the gate insulating film 14, and an interlayer made of an organic insulating film is formed on the interlayer insulating film 18. The film 20 is laminated. In the interlayer insulating film 18 and the interlayer film 20, a contact hole 22 is formed in a position corresponding to the drain electrode D of the TFT element 16, and a groove 24 is formed in a rectangular shape in a position away from the TFT element 16.
[0025]
In each pixel, a reflective electrode 26 made of aluminum is provided on the interlayer film 20 and the contact hole 22 so as to be in contact with the interlayer insulating film 18 but not with the drain electrode of the TFT element 16. ing. Aluminum is generally used as a material of a reflective electrode because of its high reflectivity and low resistance. In addition, the material of the reflective electrode 26 may be an alloy containing aluminum.
[0026]
When viewed from the bottom direction of the array substrate 10, as is apparent from the schematic cross-sectional enlarged view (FIG. 10) along the line BB 'in FIG. 8, the reflective electrode 26 is in contact with the adjacent reflective electrode 26. However, it is formed so as not to overlap with the scanning line 32 and the video line 34 and to surround the periphery of the groove 24.
[0027]
A transparent electrode 17 is provided on the entirety of one pixel in the contact hole 22 and the groove 24 on the reflective electrode 26, and the transparent electrode 17 is provided so as to be in contact with the drain electrode D at the bottom of the contact hole 22. . At this time, as a material of the transparent electrode 17, it is not necessary to etch the transparent electrode 17 to expose the reflective electrode 26, and therefore, even in a combination in which the transparent electrode 17 and the reflective electrode 26 are etched by the same etchant, Since it can be used, IZO can be used as a transparent electrode even if a metal containing inexpensive aluminum is used as a reflective electrode.
[0028]
A well-known backlight device (not shown) having a light source, a light guide plate, a diffusion sheet, and the like is arranged below the array substrate 10, and is oriented above the array substrate 10 so as to cover all pixels. A film (not shown) is laminated, and a color filter substrate (not shown) provided with R, G, and B color filters formed corresponding to the pixels, a counter electrode 30, and the like is provided in this array. A transflective liquid crystal panel is obtained by opposing the substrate 10, bonding the two substrates, and injecting liquid crystal between the two substrates.
[0029]
In the array substrate 10, a range in which the transparent electrode 17 is viewed through the groove 24 is a transmissive portion. In this transmissive portion, light emitted from the backlight device passes, and a range in which the reflective electrode 26 is stacked is a transmissive portion. It is a reflection section 28, and external light is reflected on the reflection section 28.
[0030]
With this configuration, the transparent electrode 17 is in electrical contact with the drain electrode D only at the bottom of the contact hole 22, and the entire surface of the reflective electrode 26 is covered with the transparent electrode 17. Therefore, even if there is a contact potential difference between the reflective electrode 26 and the transparent electrode 17, since the potential of the reflective portion 28 is entirely determined by the potential of the transparent electrode 17, the contact potential difference has no external effect. And the potential of the transparent electrode of the reflection part is the same as the potential of the transparent electrode of the transmission part. Therefore, the flicker caused by the difference in potential between the transparent electrode 17 and the reflection electrode 26 as in the prior art is caused. Can be effectively prevented, and the image sticking is reduced.
[0031]
[Patent Document 1]
JP 2001-350158 A (pages 2-3, FIG. 4)
[0032]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the transflective liquid crystal display device disclosed in the specification and drawings of the prior application 2 has excellent effects in terms of preventing flicker and preventing image sticking of the liquid crystal layer. It was desired to make it brighter when used. In the prior art, the reflective electrode 26 containing aluminum is provided up to the scanning lines 32 and the image lines 34 to increase the area of the reflective electrode 26 to improve the reflectivity. Since the reflective electrode 26 also has a function, if the area of the reflective electrode 26 is too large, there is a high possibility that the reflective electrode 26 will be short-circuited with the reflective electrode of an adjacent pixel. there were.
[0033]
Therefore, the present inventors have further conducted experiments, and in the transflective liquid crystal display devices disclosed in the above-mentioned Patent Document 1, the prior application 1 and the prior application 2, each of the metal layers containing aluminum also serves as a reflection layer. Although it is used as a reflective electrode, if this metal layer containing aluminum is electrically insulated and used as a reflective layer only,
(1) Since the reflection layer can be provided in all portions except the transmission portion and the contact hole, the reflectance is improved.
(2) IZO can be used as a constituent material of the transparent electrode;
(3) Since this IZO can be used as a pixel electrode common to the transmissive portion and the reflective portion, not only can the voltage of the pixel electrode be the same in the transmissive portion and the reflective portion, but also the voltage supplied by the transparent electrode can be increased. Voltage value is also stable,
And completed the present invention.
[0034]
That is, an object of the present invention is to provide a transflective liquid crystal display device in which IZO can be used as a material for a transparent electrode, the reflection area of the reflection section is large and bright, and flicker and image sticking are prevented. . The above object of the present invention can be achieved by the following configurations.
[0035]
[Means for Solving the Problems]
According to the first aspect of the present invention, a pixel formed in a region surrounded by a plurality of scanning lines arranged in parallel and a plurality of video lines orthogonal to the scanning lines, wherein In a semi-transmissive liquid crystal display device including a pixel including a transmission unit including a transparent electrode that transmits light and a reflection unit including a reflective layer that reflects external light, a switching element is formed in the pixel. The reflection layer is provided over the entire region except for the transmission part and the contact hole, and the switching element and the transparent electrode are provided so as to be electrically insulated from each other. A semi-transmissive liquid crystal display device, which is covered over the entire pixel via a transparent insulating layer and is electrically connected to the switching element.
[0036]
In such a configuration, since the reflective layer can be provided over the entire pixel except for the transmissive portion, the area of the reflective portion can be increased to obtain a bright transflective liquid crystal display device. Since the transmission portion is the same, flicker and image sticking of the liquid crystal layer are reduced.
[0037]
In such an embodiment, it is preferable that the transparent electrode is formed of IZO. According to the present invention, since the reflective layer is not exposed when the transparent electrode is etched, even if the transparent electrode material has a property of dissolving in the same etching solution as the reflective layer material such as IZO. It can be used effectively.
[0038]
In such an embodiment, it is preferable that the reflection layer is formed from a metal containing aluminum, such as an aluminum metal or an aluminum alloy. With such a configuration, the metal including aluminum is very inexpensive as compared with silver used in the conventional example, so that the transflective liquid crystal display device of the present invention can be manufactured very inexpensively. Become.
[0039]
Further, in this aspect, it is preferable that an interlayer film covered with a reflective layer is also provided on the transmission section, and the transparent electrode is provided on the interlayer film. According to this configuration, the cell gap of the transmissive portion and the cell gap of the reflective portion are almost equal, so that the transmissive portion pixel capacitance C1 and the reflective portion pixel capacitance C2 can be made substantially equal, and based on the difference between C1 and C2. Since there is no difference between the driving voltage of the transparent electrode and the driving voltage of the reflective electrode in the pixel, flicker is less likely to occur, and in addition, the step at the boundary between the transmissive part and the reflective part is reduced. Since the disturbance of the alignment of the liquid crystal is reduced, display unevenness can be reduced.
[0040]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, specific examples of the present invention will be described with reference to the drawings. The same reference numerals are given to the same components as those of the transflective liquid crystal display device disclosed in the prior application 2 of FIGS. Description is omitted. FIG. 1 is an enlarged plan view of one pixel of an array substrate 10 constituting a liquid crystal panel according to a first specific example of the present invention, and FIG. 2 is a schematic enlarged sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3 is an enlarged schematic cross-sectional view along the line BB 'in FIG.
[0041]
The part of the array substrate 10 of the transflective liquid crystal display device according to the first specific example of the present invention which is different from the configuration of the array substrate of the transflective liquid crystal display device of the prior application 2 of FIGS. (1) A reflective layer 36 made of a metal containing aluminum is provided over the entirety of the array substrate 10 above the interlayer film 20 except for a portion of the contact hole 22 with the drain electrode D and the transmission portion 24. (See FIGS. 1 and 3), (2) The surface of the reflective layer 36 is covered with an interlayer insulating film 19 made of an inorganic insulating film. The entire surface of one pixel including the portion 24 is covered with the transparent electrode 17, and the reflective film is electrically insulated from both the transparent electrode 17 and the drain electrode D (see FIGS. 2 and 3). is there.
[0042]
That is, when the transparent substrate 17 made of IZO is used for the array substrate 10 of the transflective liquid crystal display device according to the prior application 2, as shown in FIGS. Since it is covered with (IZO), the reflective electrode 26 substantially uses only the reflection function. Therefore, in the present invention, the electrode function is exerted only on the transparent electrode 17, and the layer 36 containing the aluminum metal uses only a pure reflection function. With such a configuration, the layer 36 containing aluminum metal (reflection layer) does not function as an electrode, and thus the scanning line 32 can be formed without considering a short circuit with an electrode of an adjacent pixel as in the conventional example. Further, since it can be provided up to the image line 34, the area can be increased and the reflectance can be improved.
[0043]
Although not shown, irregularities may be provided on the surface of the interlayer film 20 by patterning or the like, and the reflective layer 36 thereon may be formed in an irregular shape. In particular, since the interlayer film 20 is usually an organic insulating film, unevenness can be formed relatively easily. By doing so, it is possible to increase the amount of external light reflected by the reflector 28. Further, the ratio of the transmissive portion in one pixel can be adjusted. However, if the ratio of the transmissive portion increases too much, the ratio of the reflective portion 28 decreases, so that the amount of reflection of external light decreases. Conversely, if the proportion of the transmitting portion is too small, it becomes insufficient to compensate for the lack of external light with the light of the backlight. In this embodiment, the ratio of the transmission portion is about 20%.
[0044]
As described above, IZO can be used as the material of the transparent electrode 17 and inexpensive metal including aluminum can be used as the material of the reflective layer 36, and a transflective liquid crystal display device that can effectively prevent flicker and image sticking can be used. Is obtained.
[0045]
In the first specific example described above, the groove 24 is removed from the interlayer film 20 when the transparent electrode 17 is provided. With such a configuration, as described in the related art, the groove 24 is formed in the transparent portion. Since the distance between the transparent electrode 17 and the counter electrode 30 (cell gap of the transmission part) and the distance between the transparent electrode 17 part of the reflection part 28 and the counter electrode 30 (cell gap of the reflection part) are different. Also, since the transmissive portion pixel capacitance C1 and the reflective portion pixel capacitance C2 are different from each other, this also causes a difference between the drive voltage of the transparent electrode and the drive voltage of the reflective electrode within one pixel, which causes flicker. Would.
[0046]
That is, the equivalent circuit diagram of one pixel of the transflective liquid crystal display device is as shown in FIG. 4, and the drain electrode of the TFT element has a storage capacitor C formed between the storage capacitor Cs and the storage capacitor Cs. COM In addition, there are a transmission portion pixel capacitance C1 formed between the transparent electrode 17 and the counter electrode 30, and a reflection portion pixel capacitance C2 formed between the reflection electrode 26 and the counter electrode 30. Therefore, in the above-described prior art, the distance between the reflective electrode 26 of the reflective portion 28 and the counter electrode 30 and the distance between the transparent electrode 17 and the counter electrode 30 of the transmissive portion are different. Therefore, this also causes a difference between the drive voltage of the transparent electrode and the drive voltage of the reflective electrode in one pixel, and causes flicker.
[0047]
Therefore, a second specific example that solves this problem will be described below with reference to FIG. FIG. 5 corresponds to FIG. 2 in the first specific example, and the portions different from the first specific example shown in FIG. Since the film 20 is provided and the transparent electrode 17 of the transmission portion is provided only on the interlayer film 20, the detailed description of the other components is omitted.
[0048]
With such a configuration, the cell gap of the transmissive portion and the cell gap of the reflective portion become almost equal, so that the transmissive portion pixel capacitance C1 and the reflective portion pixel capacitance C2 can be made substantially equal. Because the difference between the drive voltage of the transparent electrode and the drive voltage of the reflective electrode in the pixel based on the difference is less likely to occur, flicker is less likely to occur, and in addition, the step at the boundary between the transmissive part and the reflective part is reduced, Since the disorder of the alignment of the liquid crystal due to the step is reduced, display unevenness can be reduced.
[0049]
In the second specific example, since the interlayer film 20 is also formed on the transmission part, the transmittance in the transmission part is inferior to that in the first specific example. A person skilled in the art can arbitrarily determine, for example, by appropriately creating an interlayer film having a preferable thickness in consideration of the degree of reduction in display unevenness.
[0050]
Further, the interlayer film of the transmitting portion may be slightly colored during etching, but this coloring is not desirable because it leads to a decrease in transmittance and a deterioration in quality of transmitted light. However, this coloring can be easily removed by irradiating the whole substrate with ultraviolet rays while heating it so as not to deteriorate the interlayer film.
[0051]
In the above embodiment, the case where the reflective layer is completely insulated has been described. However, the same potential as the voltage supplied to the counter electrode is supplied to the reflective layer, and an auxiliary capacitance is formed between the reflective layer and the transparent electrode. You may make it. The present invention is also effective when a material other than IZO such as ITO is used for the transparent electrode.
[0052]
【The invention's effect】
As described above, it is possible to obtain a bright transflective liquid crystal display device in which flicker and image sticking are effectively prevented and the reflection area of the reflection section is increased.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an enlarged plan view of one pixel of an array substrate constituting a liquid crystal panel according to a first specific example of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged schematic cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional enlarged view taken along line BB ′ of FIG. 1;
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the transflective liquid crystal display device.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional enlarged view corresponding to FIG. 2 of a second specific example of the present invention.
FIG. 6 is a schematic enlarged cross-sectional view corresponding to FIG. 2 of a transflective liquid crystal display device described as a conventional example in Patent Document 1.
FIG. 7 is a schematic enlarged sectional view corresponding to FIG. 2 of the transflective liquid crystal display device according to the invention of Japanese Patent Application No. 2002-146360.
FIG. 8 is an enlarged plan view of one pixel of an array substrate constituting a liquid crystal panel of a transflective liquid crystal display device according to the invention of Japanese Patent Application No. 2002-275060.
FIG. 9 is an enlarged schematic cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 8;
FIG. 10 is an enlarged schematic cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 8;
[Explanation of symbols]
10 Array substrate
12 Glass substrate
14 gate insulating film,
15 Semiconductor layer
16 TFT device
17 Transparent electrode
18 interlayer insulating film
19 Interlayer insulation film
20 Organic interlayer film
22 Contact hole
24 Transmission part
26 reflective electrode
28 Reflector
30 Counter electrode
32 scan lines
34 video lines
36 Reflective layer

Claims (4)

平行に配置された複数の走査線と、前記走査線と直交する複数の映像線に囲まれた領域に形成される画素であって、バックライトからの光を透過する透明電極を備える透過部と、外光を反射する反射層を備える反射部とを備えた画素とを有している半透過型液晶表示装置において、
前記画素にはスイッチング素子が形成されており、
前記反射層は、透過部及びコンタクトホールを除く全領域にわたって、前記スイッチング素子及び前記透明電極とは電気的に絶縁して設けられ、
前記透明電極は、前記反射層の上部の透明絶縁層を介して画素全体にわたって被覆されていると共に前記スイッチング素子と電気的に接続されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
A plurality of scanning lines arranged in parallel, and a pixel formed in a region surrounded by a plurality of image lines orthogonal to the scanning lines, a transmission unit including a transparent electrode that transmits light from a backlight. A pixel having a reflective portion having a reflective layer that reflects external light, and a pixel having a reflective portion,
A switching element is formed in the pixel,
The reflective layer is provided over the entire area except for the transmissive portion and the contact hole, and is electrically insulated from the switching element and the transparent electrode.
The transflective liquid crystal display device, wherein the transparent electrode is covered over the entire pixel via a transparent insulating layer above the reflective layer and is electrically connected to the switching element.
前記透明電極はIZO(Indium−Zinc−Oxide)からなることを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示装置。The transflective liquid crystal display of claim 1, wherein the transparent electrode is made of IZO (Indium-Zinc-Oxide). 前記反射層はアルミニウムを含む金属からなる請求項1に記載の半透過型液晶表示装置。The transflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the reflective layer is made of a metal including aluminum. 反射層で覆われる層間膜が透過部にも設けられ、前記透明電極は該層間膜上に設けられていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置。The transflective liquid crystal according to any one of claims 1 to 3, wherein an interlayer film covered with a reflective layer is also provided on the transmission portion, and the transparent electrode is provided on the interlayer film. Display device.
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