JP2004290993A

JP2004290993A - 部品装着装置

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Publication number: JP2004290993A
Application number: JP2003084423A
Authority: JP
Inventors: Masaru Saito; 勝斉藤; Hiroshi Anzai; 洋安西; Naoyuki Hachiman; 直幸八幡
Original assignee: Juki Corp
Current assignee: Juki Corp
Priority date: 2003-03-26
Filing date: 2003-03-26
Publication date: 2004-10-21
Anticipated expiration: 2023-03-26
Also published as: JP4233905B2

Abstract

【課題】加熱時の局所的な温度差の発生低減を課題とする。
【解決手段】部品Ｔをその装着対象物にロウ付けにより装着する部品装着装置１０であって、装着対象物Ｓを載置する載置面２１を有する載置台２０と、この載置台２０に設けられ，載置面２１を予熱する予熱手段１１と、熱線を照射して部品Ｔ及び装着対象物Ｓを加熱する加熱手段１３とを備え、載置台２０に熱線の通過部２５を設けると共に載置された装着対象物Ｓの下方から熱線照射する、という構成を採っている。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、部品装着装置に係り、特に、ロウ付けにより部品を装着対象物に装着する部品装着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特許文献１には、二つの金属片をレーザ光の照射によりロウ付けする接合方法が開示されている。かかる接合方法では、台座となる治具の上にロウ材を挟んで上下に重ね合わせて載置された二つの金属片の内、上側となる金属片の上面中央部をレーザ光の照射位置とし、当該照射位置の周囲四箇所で二つの金属片を治具にて抑え、照射位置にカーボン等の光吸収層を付すると共に上方からレーザ光の照射を行っている。
かかる方法により、レーザ光が上側金属片をロウ材の背面側から効果的に加熱し、二つの金属片のロウ付けが行われる。
【０００３】
特許文献２には、電子部品のリードを基板に対してレーザ光の照射により半田付けする方法及びその装置が開示されている。かかる先行技術は、半田を挟んだ状態で電子部品のリードを基板側に押圧する押圧部材に対してレーザ光を照射する、というものである。
上記手法により、リードを基板側に押圧しながら半田付けを行うことが可能となる。
【０００４】
【特許文献１】
特許２５５４９９４号公報
【特許文献２】
特開平６−２２６４３６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１及び特許文献２に記載された先行技術は、レーザ光照射を用いてロウ材の加熱を行う構成のため、特許文献１の先行技術ではそのレーザ光の照射位置が、特許文献２の先行技術では押圧部材の押圧位置が、それぞれ集中して加熱されることとなる。特に短時間で集中加熱を行う場合、熱が集中する部分はその周囲の部分と比較して、高い場合で数百度の温度差を生じることとなる。このような温度差を生じると、互いに接合された各々の部材には、熱膨張等の影響により残留応力を生じ、接合部の強度の低下，破損等を生じるおそれがあった。
【０００６】
また、上記各先行技術のように、接合対象物に対して上方からレーザ光を照射する場合、その反射光の弊害を防止するために周囲を囲う等の保護手段を設ける必要がある、という不都合があった。
【０００７】
本発明は、部品又は装着対象物における局所的な加熱による周囲との温度差の抑制を図ることをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、部品をその装着対象物にロウ付けにより装着する部品装着装置であって、装着対象物を載置する載置面を有する載置台と、この載置台に設けられ，載置面を予熱する予熱手段と、を備え、熱線を照射して部品及び装着対象物を加熱する加熱手段とを備え、載置台に熱線の通過部を設けると共に載置された装着対象物の下方から熱線照射する、という構成を採っている。
上述の「熱線の通過部」とは、載置台を貫通する中空の貫通穴でも良いし、同貫通穴を透明な素材により中実としても良いし、光導波路のように透明素材の一端部から他端部に熱線を伝達するようなものであっても良い。
【０００９】
上記構成では、載置台の載置面上に装着対象物が載置され、さらにその上にロウ材を介して部品が載置される。そして、これら部品及び装着対象物の載置に前後して載置台が予熱手段によりロウ材の溶融温度以下の温度で予熱される。さらに、かかる状態で、下方から部品搭載位置に向けて熱線を照射することでロウ材が溶融して接合が行われる。
このように、熱線により加熱される前に部品及び装着対象物が予め予熱されること及び載置台を介してその予熱が行われることから、装着対象物はその全体が予熱温度まで昇温され、熱線が部分的に照射された場合であっても、周囲との温度差の発生を抑制することができる。
【００１０】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明と同様の構成を備えると共に、載置台は、載置面を備える被加熱板を有し、加熱手段は、被加熱板に熱線を照射し，被加熱板を介して装着対象物を加熱する、という構成を採っている。
上記構成では、請求項１記載の発明と同様の作用を奏すると共に、被加熱板に対する熱線の照射が行われ、被加熱板を介して装着対象物が加熱されるので、熱線からの熱は被加熱板において拡散し、装着対象物に対して載置面との接触面全体から加熱を行うことができる。
【００１１】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の発明と同様の構成を備えると共に、熱線の通過部は、載置台を上下に貫通して設けられている、という構成を採っている。
上記構成では、加熱手段からの熱線を上方に照射することで装着対象物を下方から加熱することができる。
【００１２】
請求項４記載の発明は、請求項１，２又は３記載の発明と同様の構成を備えると共に、予熱手段は、部品の装着対象物に対するロウ付け可能な温度まで昇温可能である、という構成を採っている。
上記構成では、予熱手段により載置面全体から加熱を行うことでロウ付けが行われる。このため、装着対象物が大きな場合，さらには部品と装着対象物とのロウ付けの面積が大きな場合であっても、載置面全体から加熱することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１〜図３に基づいて説明する。本実施形態たる部品装着装置としてのダイボンディング装置１０は、部品としての半導体レーザチップＴを装着対象物としてのサブマウントＳに対してダイボンディングするための装置である。
かかる半導体レーザチップＴは例えば、ＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザチップであって、一例としてその寸法は縦４００［μｍ］，横２５０［μｍ］，厚さ８０〜１３０［μｍ］である。また、サブマウントＳは、窒化アルミニウム又はシリコンからなり、一例としてその寸法は縦２［ｍｍ］，横１．２［ｍｍ］，厚さ２２０［μｍ］である。なお、ダイボンディングの対象としては、上述した素材や寸法の半導体レーザチップＴ及びサブマウントＳについて限定されるものではない。
【００１４】
（実施の形態の全体構成）
ダイボンディング装置１０は、ダイボンディングを行うためにサブマウントＳを載置する載置面２１を備えた載置台２０と、この載置台２０に設けられ，載置面２１を予熱する予熱手段としてのセラミックヒータ１１と、載置面２１上でサブマウントＳを保持するための吸引圧力を供給するための真空チャンバ３０と、半導体レーザチップＴを載置面２１上のサブマウントＳの取付位置に搬送する搬送機構（吸着ノズル１２のみを図示する）と、熱線としてのレーザ光を照射して半導体レーザチップＴ及びサブマウントＳを加熱する加熱手段としてのレーザ照射装置１３と、載置台２０を水平面に沿った互いに直交する二軸方向に沿って移動させるＸ−Ｙテーブル１４と、半導体レーザチップＴとサブマウントＳの加熱時に不活性ガスを供給するガス供給手段（ガス用ノズル１５のみ図示する）と、加熱終了後，半導体レーザチップＴ及びサブマウントＳを冷却する冷却手段（図示略）と、上記各部の動作制御を行う動作制御手段（図示略）とを備えている。
以下、各部を詳説する。
【００１５】
（Ｘ−Ｙステージ）
Ｘ−Ｙステージ１４は、その上部が水平且つ直交するＸ−Ｙ方向に沿って移動する可動部（当該可動部のみ図示する）となっている。そして、その可動部には、上から順番に載置台２０，真空チャンバ３０及びレーザ照射装置１３が設置されている。これら載置台２０，真空チャンバ３０及びレーザ照射装置１３は、このＸ−Ｙステージ１４により水平面内での位置決めが行われる。
【００１６】
（レーザ照射装置）
レーザ照射装置１３は、Ｘ−Ｙステージ１４の可動部上において、垂直上方に向かってレーザ光を出射するように設置されている。
そして、レーザ照射装置１３は、いずれも図示を省略しているが、レーザ光源と、出射したレーザ光を集光する光学系と、レーザ光の射出状態を検出し動作制御手段に出力するレーザ出力センサとを備えている。
上記光学系は、レーザ光源から出射したレーザ光を後述する加熱プレート２３の下面において約０．３［ｍｍ］のスポット径（直径）となるように集光及びフォーカシングを行い、レーザ光源は、スポット形成時にそのパワー密度が１０^４［Ｗ／ｃｍ^２］となる出力でレーザ光を出射する。かかる出力でレーザ光を予め設定された照射時間（本実施形態では０．５［ｓｅｃ］）照射することで加熱プレート２３を介してサブマウントＳ及び半導体レーザチップＴの接合部を３５０［℃］まで加熱することができる。
レーザ出力センサは、レーザ光源の出力を動作制御手段に出力し、動作制御手段は、そのセンサ出力に基づいてレーザ光源の出力調節を行うと共に予め設定された照射時間の照射を行うように動作制御する。
【００１７】
（真空チャンバ）
真空チャンバ３０は、図示しない減圧ポンプにより内部の空気を吸い出される内部中空のチャンバ本体３１と、レーザ照射装置１３の真上を跨るようにこのチャンバ本体３１を支持する脚部３２とを備えている。
チャンバ本体３１は、その上面に載置台２０が配設されている。そして、チャンバ本体３１には、減圧ポンプとの連結を図るための空気排出口３３と、その中空内部と載置台２０に設けられた吸気流路２５とを連通するための連通口３４とが形成されている。従って、減圧ポンプによりチャンバ本体３１の内部を減圧すると、連通口３４を介して載置台２０の吸気流路２５内も減圧することができる。
なお、レーザ照射装置１３により、載置台２０の上方に位置する後述する加熱プレート２３にレーザ光を照射する必要があるため、チャンバ本体３１はレーザ光を透過する透明素材、例えばガラスが使用されている。
【００１８】
（載置台及びセラミックヒータ）
載置台２０は、チャンバ本体３１の上面に設置されたブロック体２２と、このブロック体２２の上面に配設される着脱可能な被加熱板としての加熱プレート２３とを備えている。なお、前述した載置面２１とは、この加熱プレート２３の上面のことを示している。
ブロック体２２は、その中央部において上下方向に貫通して設けられた吸気流路２５を備えている。この吸気流路２５は、前述したように載置面２１上にサブマウントＳを保持するための吸引圧力を得るためにチャンバ本本体３１と連通しているが、それと同時に、レーザ照射装置１３からのレーザ光の通過部としての機能をも備えている。このため、レーザ照射装置１３から出射されるレーザ光の通過線上に沿って、吸気流路２５は形成され、また、レーザ光が十分に通過可能であるように、その内部直径は３［ｍｍ］に設定されている。
【００１９】
また、ステージ２２の上面近くにはセラミックヒータ１１が内蔵されている。かかるセラミックヒータ１１は、そのＯＮ−ＯＦＦ及び予熱温度が動作制御手段により制御される。かかるセラミックヒータ１１は、通電制御により、載置面２１を１００〜２００［℃］程度まで加温して予熱状態を形成し、また、必要に応じて３５０［℃］程度まで加温して加熱状態を形成することも可能である。つまり、セラミックヒータ１１は、通常は予熱のために使用され、必要に応じて制御状態を切り替え、ダイボンディングのための加熱も行うこともできるようになっている。
【００２０】
図２は加熱プレート２３の平面図である。この加熱プレート２３は、例えば、縦６［ｍｍ］，横６［ｍｍ］，厚さ１［ｍｍ］の平板状をなし、その素材としては熱伝導率が高い素材、例えばＡｌＮ等が望ましい。熱伝導率が高いことで、セラミックヒータ１１の熱が載置面２１に対するサブマウントＳの接触面全体から均一に伝わり、部分的にな温度差を生じることなく加熱することができるからである。
さらに、加熱プレート２３は、その載置面の中央部において、直径０．８［ｍｍ］の円周Ｃ上に内部直径０．３［ｍｍ］の貫通穴２４が形成されている。これらの貫通穴２４は、いずれもステージ２２に設けられた吸気流路２５に連通しており、吸気流路２５内の吸気圧力によりブロック体２２の上面に加熱プレート２３自らが保持されると共に、これら各貫通穴２４を介して空気吸引を行うことでサブマウントＳを吸着して保持する。
【００２１】
（搬送機構，ガス供給手段及び冷却手段）
搬送機構は、図示を省略したＸＹＺガントリにより、水平面において直交する二方向（Ｘ，Ｙ方向）及び垂直方向（Ｚ方向）に沿って駆動される図示しないチップヘッドと、このチップヘッドに支持された下方先端部で空気吸引を行う吸着ヘッド１２とを備えている。即ち、チップヘッドは、チップヘッドをＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動位置決めすることで、未装着の半導体レーザチップＴが用意された図示しないチップ貯留部から一つの半導体レーザチップＴを吸着ノズル１２の先端部に吸着し、載置台２０の載置面２１上のサブマウントＳの装着位置に載置する機能と、吸着ノズル１２を介して半導体レーザチップＴを所定の加圧力（３０［ｇｆ］（０．２９［Ｎ］））により加圧する機能を有している。
なお、上記吸着ノズル１２はルビーを素材としているが、加熱時において熱伝達により局所的な温度低下を防ぐために、より熱伝導率の低い素材、例えば、ジルコニアやポリイミドを使用しても良い。
【００２２】
ガス供給手段は、不活性ガスである窒素ガスの供給源と載置面２１の加熱位置に向けられたガス用ノズル１５とを有しており、サブマウントＳに半導体レーザチップＴをボンディングする際にこれらに窒素ガスの吹きつけを行う。
また、冷却手段は、冷却エアの供給源と載置面２１の加熱位置に向けられた吹き出しノズルとを有しており、サブマウントＳに半導体レーザチップＴをボンディングした後にその加熱された状態を冷却エアの吹きつけにより冷却する。
【００２３】
（動作制御手段）
動作制御手段は、上述した各構成について後述する動作説明に従う動作制御を行うと共に、ダイボンディングを行う対象に応じてレーザ照射装置１３による適切な加熱を行うためのテーブルの記憶手段を備えている。即ち、かかるテーブルには、前述したサブマウントＳに対して半導体レーザチップＴをダイボンディングするために必要なレーザ出力やその照射時間が記憶されている。また、このテーブルは、動作制御手段に併設された入力手段により、書き換えが可能であると共に複数のテーブルをエントリーすることも可能であり、複数種の対象物に適切な加熱制御を行うことも可能である。
【００２４】
また、動作制御手段は、レーザ照射装置１３による加熱を行う制御と、レーザ照射装置１３を使用せず，セラミックヒータ１１のみによる加熱を行う制御とを切替可能であり、ダイボンディングの対象となる部品や基板が大きなものである場合であって加熱制御の切替を設定入力されると、後者の制御を選択し、これを実行する機能を有している。
【００２５】
（ダイボンディング装置の動作説明）
上記構成からなるダイボンディング装置１０の動作説明を行う。
まず、搬送機能を駆動して吸着ノズル１２によりチップ貯留部から半導体レーザチップＴを吸着し、搬送する。
また、真空チャンバ３０の減圧ポンプを駆動させて載置台２０の加熱プレート２３の載置面における加熱位置にサブマウントＳを載置し、吸着させる。また、Ｘ−Ｙテーブル１４の駆動により載置台２０を所定位置に位置決めする。このとき，或いは事前からセラミックヒータ１１に通電し、加熱プレート２３を予熱温度（１００〜２００［℃］）に加温する。
【００２６】
載置台２０の位置決めがされると、ガス供給手段を作動させてサブマウントＳに向かって窒素ガスの吹きつけを行う。その一方で、搬送機構により吸着ノズル１２を介してサブマウントＳの装着位置に半導体レーザチップＴを位置決めすると共に吸着ノズル１２を下降させて、サブマウントＳ上に半導体レーザチップＴを載置すると共に所定圧力（３０［ｇｆ］（０．２９［Ｎ］））で加圧する。
【００２７】
さらに、半導体レーザチップＴが載置加圧された状態でレーザ照射装置１３を駆動してテーブルに応じた出力及び照射時間（０．５［ｓｅｃ］）で加熱部プレート２３の下面を照射する。これにより、サブマウントＳの上面に蒸着されたＡｕ−Ｓｎ系ロウ材であるボンディングインサート材が溶融し、窒素ガスによる酸化防止作用により最良の濡れ性をもって半導体チップＴ及びサブマウントＳ間に浸透し、ダイボンディングが行われる。
【００２８】
レーザ光の照射完了後は、セラミックヒータ１１への通電も停止し、冷却手段による冷却が行われる。即ち、冷却ノズルからサブマウントＳ及び半導体レーザチップＴに冷却エアが吹き付けられ、常温となるまで冷却が行われる。これにより、ロウ材は速やかに凝固し、半導体レーザチップＴの装着が完了する。かかる完了後は、搬送手段により吸着ノズル１２が上昇し、半導体レーザチップＴ及びサブマウントＳは、装着完了後の格納位置に搬送され、ダイボンディング装置１０の動作が完了する。
【００２９】
次に、サブマウントＳに対する半導体レーザチップＴの装着位置が異なる場合の例について図３に基づいて説明する。かかるサブマウントＳは、半導体レーザチップＴの装着位置が中央部ではなく一端部側に設定されている。
この場合、前述と同様に、搬送機能により半導体レーザチップＴが所定の装着位置まで搬送される。一方、真空チャンバ３０により吸引状態にある載置台２０の加熱プレート２３の各貫通穴２４の位置に装着位置を位置決めしてサブマウントＳを載置し、吸着させる。
この場合、加熱プレート２３は、サブマウントＳの底面でふさがれる部分、即ち図３で示す中心とその右側に三箇所の貫通穴２４を備えている（内一つは図示略）。
そして、その後は全て前述と同じ動作が行われ、半導体レーザチップＴのサブマウントＳに対するダイボンディングが行われる。
【００３０】
次に、サブマウントＳが大きなサイズ、例えば、縦１０００［μｍ］，横７５０［μｍ］，厚さ８０〜１３０［μｍ］であるような場合における半導体レーザチップＴの装着動作の例について図４に基づいて説明する。このようにサブマウントＳが大型の場合は、予め入力設定手段から、セラミックヒータ１１のみによる加熱を行う加熱制御に切替える旨が入力される。
これにより、まず、搬送機能により半導体レーザチップＴが所定の装着位置に搬送され、真空チャンバ３０を介して吸着可能状態の載置面上にサブマウントＳが載置吸着される。このとき、サブマウントＳの半導体レーザチップＴの装着位置がレーザ光の照射位置と一致するように位置決めしてサブマウントＳは載置される。
また、セラミックヒータ１１に通電し、加熱プレート２３を予熱温度（１００〜２００［℃］）に加温する。
【００３１】
そして、Ｘ−Ｙステージ１４により載置台２０の位置決めがされると、ガス供給手段により窒素ガスの吹きつけが行われ、さらに、搬送機構によりサブマウントＳの装着位置に半導体レーザチップＴが位置決めされると共に所定圧力（３０［ｇｆ］（０．２９［Ｎ］））で加圧される。
かかる状態でセラミックヒータ１１は３５０［℃］まで昇温され、これにより、サブマウントＳ上のＡｕ−Ｓｎ系ロウ材が溶融し、窒素ガスによる酸化防止作用により最良の濡れ性をもって半導体チップＴ及びサブマウントＳ間に浸透し、ダイボンディングが行われる。
【００３２】
その後、セラミックヒータ１１への通電が停止され、冷却手段による冷却が行われる。これにより、ロウ材は速やかに凝固し、半導体レーザチップＴの装着が完了する。かかる完了後は、搬送手段により吸着ノズル１２が上昇し、半導体レーザチップＴ及びサブマウントＳは、装着完了後の格納位置に搬送され、ダイボンディング装置１０の動作が完了する。
【００３３】
（ダイボンディング装置の効果）
このように、上記ダイボンディング装置１０は、セラミックヒータ１１により載置面２１全体からサブマウントＳを予熱するにで、レーザ照射装置１３からレーザ光が局所的に照射された場合であっても照射部分と周囲との温度差の発生を抑制することができ、熱膨張等による残留応力の発生を効果的に抑制し、強固に半導体レーザチップＴの装着を図ることが可能となる。
また、加熱プレート２３を介してレーザ光の照射を行うので、加熱プレート２３による伝熱効果によりサブマウントＳに対しては局所的ではなく広い範囲により加熱が行われることとなり、より熱膨張等を効果的に抑制し、強固に半導体レーザチップＴの装着を図ることが可能となる。
【００３４】
また、ダイボンディング装置１０では、ブロック体２２を貫通する吸気流路２５を介して下方からレーザ光を照射するので、ダイボンディングにおける半導体レーザチップＴの押圧を容易に行うことが可能であると共に、レーザ光は、その照射時に反射を生じても、その影響は吸気流路２５の範囲内に限られ、反射防止壁等の防止手段を講じる必要を解消することが可能であるため、装置の簡易化及びこれにより小型化，生産性の向上を図ることが可能となる。
また、吸気流路２５をレーザ光の通過部としても併用していることから、さらなる装置の簡易化及，小型化，生産性の向上を図ることが可能となる。
【００３５】
また、予熱手段はロウ材の溶融温度まで昇温可能であり、動作制御手段は、レーザ照射装置１３による加熱を行う制御と、レーザ照射装置１３を使用せず，セラミックヒータ１１のみによる加熱を行う制御とを切替可能であることから、サブマウントＳが大きな場合，さらには半導体チップＴとサブマウントＳとのロウ付けの面積が大きな場合であっても、部分的な温度差を生じることなく加熱を行うことが可能である。
【００３６】
（その他）
なお、上述したダイボンディング装置１０，サブマウントＳ、半導体チップＴについての寸法、素材等については、適宜選択可能であり、上記のものに限定されるものではない。
【００３７】
また、前述した加熱プレート２３については窒化アルミニウムとしたが熱伝導率が高ければ窒化珪素や銅等の他の素材を用いても良い。また、加熱プレート２３のレーザ光照射面にはその照射位置或いは面全体にレーザ光の吸収効率の高い表面処理（例えば窒化珪素コーティング等）を施しても良い。
また、加熱プレート２３の各貫通穴２４の配置は円周上に限らず、サブマウントＳの下面を吸着でき、かつレーザ光の照射範囲から外れているいずれの配置としても良い。
【００３８】
【発明の効果】
請求項１記載の発明では、予熱手段により装着対象物を載置面との接触面全体から予熱温度まで昇温することができ、熱線が部分的に照射された場合であっても照射部分と周囲との温度差の発生を抑制することができ、熱膨張等の発生を回避すると共にこれによる残留応力の発生を効果的に抑制し、接合部の強度の強化を図ることが可能である。
また、下方から熱線を照射するので、上方から照射する場合のように、照射位置を回避して部品の加圧を行ったり、加圧部材を介して加熱を行う必要がなく、加圧方法の制限を解消すると共に加圧部位における加熱の集中を効果的に解消することが可能である。
【００３９】
請求項２記載の発明は、被加熱板を介して装着対象物に対する熱線を照射するので、被加熱板における熱拡散により、装着対象物に対して載置面との接触面全体から加熱を行うことができ、加熱時における部分的な温度差をより効果的に抑制することが可能となる。
【００４０】
請求項３記載の発明では、載置台を上下に貫通する通過部を介して熱線の照射を行うため、照射時に熱線が反射しても、その影響は通過部の範囲内に限られ、反射の影響を防止するための手段を講じる必要を解消し、装置の簡易化及びこれにより小型化，生産性の向上を図ることが可能となる。
【００４１】
請求項４記載の発明は、予熱手段により載置面全体からロウ付けに必要な加熱を行うことができるので、装着対象物が大きな場合，さらには部品と装着対象物とのロウ付けの面積が大きな場合であっても、部分的な温度差を生じることなく加熱を行うことが可能である。
従って、加熱手段と予熱手段とを適宜選択的に使用することで、種々の部品と装着対象物との装着作業を行うことが可能となり、装置の汎用性の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の全体構成を示す概略構成図である。
【図２】図１に開示した加熱プレートの平面図である。
【図３】半導体レーザチップの装着位置の異なるサブマウントにおける装着状態説明図である。
【図４】大きさの異なるサブマウントにおける装着状態説明図である。
【符号の説明】
１０ダイボンディング装置（部品装着装置）
１１セラミックヒータ（予熱手段）
１３レーザ照射装置（加熱手段）
２０載置台
２１載置面
２３加熱プレート（被加熱板）
２５吸気流路（熱線の通過部）
Ｓサブマウント（部品）
Ｔ半導体レーザチップ（装着対象物）

Claims

部品をその装着対象物にロウ付けにより装着する部品装着装置であって、
前記装着対象物を載置する載置面を有する載置台と、
この載置台に設けられ，前記載置面を予熱する予熱手段と、
熱線を照射して前記部品及び装着対象物を加熱する加熱手段とを備え、
前記載置台に熱線の通過部を設けると共に載置された前記装着対象物の下方から熱線照射することを特徴とする部品装着装置。
前記載置台は、前記載置面を備える被加熱板を有し、
前記加熱手段は、前記被加熱板に熱線を照射し，前記被加熱板を介して前記装着対象物を加熱することを特徴とする請求項１記載の部品装着装置。
前記熱線の通過部は、前記載置台を上下に貫通して設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の部品装着装置。
前記予熱手段は、前記部品の前記装着対象物に対するロウ付け可能な温度まで昇温可能であることを特徴とする請求項１，２又は３記載の部品装着装置。