JP2004287787A - Failure detection device and method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する利用分野】
本発明は故障検出装置およびその方法に関し、例えば、太陽電池のシャント抵抗値を測定して太陽電池の故障を検出する装置および方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
太陽電池の故障検出には様々な方法がある。図1に一般的な太陽電池の故障検出装置906の構成を示す。
【0003】
複数の太陽電池ストリング902の出力電力は、それぞれ接続箱907へ導かれ、接続箱907内の直流遮断機903、サージアブソーバ904および逆流防止ダイオード905を通った後、並列接続される。その後、太陽電池の出力電力は、パワーコンディショナ908に供給される。
【0004】
故障検出装置906の電流測定器909は、各太陽電池ストリング902とパワーコンディショナ908との間を流れる電流を測定して、測定結果を制御回路910に入力する。制御回路910は、常時、各太陽電池ストリング903の電流値を積算して、単位時間当りの平均電流を算出する。そして、平均電流が最大のストリングの平均電流値に対する各ストリングの平均電流値の割合が設定値以下になると、制御回路910は、その内部のカウンタをカウントアップする。さらに、そのカウント数が所定値を超えると、制御回路910は、想定以上に出力が低下していると判断して警報を発する。
【0005】
このような構成の太陽電池故障検出装置は、例えば特開2000−214938公報に開示されている。
【0006】
上記の太陽電池の故障検出方法には、次の問題がある。
(1) ストリング同士の比較で判定しているため、一つの太陽電池ストリングだけが出力低下を起こすような突発的な故障には対応できるが、太陽電池アレイが全体的に出力低下を起こしているような故障や、太陽電池の寿命推定には使用できない。
(2) 例えば隣家の工事により、十数日間に亘って、一部のストリングが陰になる場合や、近くの大木により、冬になると必ず一部のストリングが陰になる場合など、故障でないにもかかわらず警報が発せられるケースに対処するには、一々、設定値を変更する必要がある。
【0007】
なお、複数の太陽電池セルが直列化または並列化されたストリングやアレイを集合体と呼ぶ場合があるが、便宜上、一つの太陽電池セルだけの場合でも集合体と呼ぶことにする。
【0008】
【特許文献】
特開2000−214938公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の問題を個々にまたはまとめて解決するためのもので、相対的な比較ではなく、絶対的な測定値により太陽電池の故障を検出することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記の目的を達成する一手段として、以下の構成を備える。
【0011】
本発明は、一つまたは複数の太陽電池セルが直列化または並列化された集合体の故障を検出する際に、集合体の出力と負荷とが接続されているか否かを判定し、集合体の出力と負荷とが非接続の場合、集合体に電圧を印加して集合体の抵抗値を測定し、測定した抵抗値に基づき集合体の故障を判定することを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
[概要]
図2はシャント抵抗値低下による発電電力量への影響を示す図で、実際に日本各地で測定されたシャント抵抗値の充分高いサンプル(すなわち正常品サンプル)の発電電力量データを基に、シャント抵抗値の変化によって発電電力量がどのように変化するかをシミュレートした結果を示す。勿論、このシミュレート結果と、実際に短絡故障したサンプルの発電電力量とを比較して、シミュレートの確度は検証済みである。図2に示す結果からみると、シャント抵抗値の低下は、50kΩ・cm2以下になった辺りから徐々に発電電力量に影響を及ぼし始め、10kΩ・cm2を切ると急激に発電電力量の低下を引き起こす。
【0013】
本実施形態は、太陽電池のシャント抵抗値の低下に着目して太陽電池の故障を検出するものである。太陽電池のシャント抵抗値の低下を検出することで、太陽電池の故障を、上述したような、相対比較により行う必要がなくなる。
【0014】
さらに、太陽電池のシャント抵抗値を検知する方法は、太陽電池アレイの一部を交換したとしても、その影響を故障の判断において完全に無視することができる。そのため、未交換の太陽電池のシャント抵抗値が、経年劣化などによって低下していき、最終的に発電に影響を及ぼすまで低下した時点で故障とみなすことができるため、太陽電池の寿命を最大限利用できるほか、太陽電池のシャント抵抗値から残りの寿命を推定することもでき、寿命が短い太陽電池を予め交換することも可能になる。
【0015】
なお、本実施形態の故障検出方法は、短絡故障モードが比較的多い、薄膜太陽電池においてとくに有効である。なお、太陽電池は、常に、短絡故障モードに陥るわけではなく、様々な故障モードが存在する。従って、太陽電池の故障判定は、一つ方法だけで行うのではなく、周知の幾つかの故障検出方法を併用することが好ましい。
【0016】
[構成]
以下、本発明にかかる実施形態の太陽電池の故障検出装置を図面を参照して詳細に説明する。
【0017】
図3は実施形態の接続箱3および太陽電池の故障検出装置9の基本構成例を示すブロック図である。なお、図1に示した接続箱907と同様、接続箱3は直流遮断機903およびサージアブソーバ904を備えているが、図3では省略する。
【0018】
太陽電池の集合体である太陽電池ストリング1の出力は、接続箱3に供給され、接続箱3内の逆流防止ダイオード2を通してパワーコンディショナ4に供給される。なお、故障検出装置9は、一般的に多用されるストリング構成の太陽電池の集合体を接続する例を示すが、太陽電池を並列接続した集合体を接続する場合も同様に使用できる。
【0019】
故障検出装置9において、出力可変式のバイポーラ直流電源装置5は、リレー6を通して太陽電池ストリング1に接続されている。直流電源装置5の正極側は太陽電池ストリング1の正極に、同負極側は太陽電池ストリング1の負極に接続されている。
【0020】
太陽電池ストリング1の出力電圧は、抵抗分圧器7によって分圧され、制御回路10に入力され、制御回路10内のA/Dコンバータによってディジタル情報に変換される。
【0021】
太陽電池ストリング1からパワーコンディショナ4に供給される電流値は、電流測定器8によって電圧信号に変換されて制御回路10に入力され、制御回路10内のA/Dコンバータによってディジタル情報に変換される。
【0022】
図4は制御回路10の構成例を示すブロック図である。
【0023】
CPU 104は、メモリ105のROM領域に格納されたプログラムに従い、メモリ105のRAM領域をワークメモリに使用して、故障検出装置9の動作を制御する。そして、CPU 104は、プログラムに組み込まれた試験を実行すると、D/Aコンバータ106に直流電源装置5に入力する制御電圧Vcを出力させる。直流電源装置5は、制御電圧Vcに応じた出力電圧を出力する。
【0024】
電流測定器8から出力されるストリングの電流値を示す電圧信号101、分圧器7から出力されるストリングの出力電圧値を示す電圧信号102は、A/Dコンバータ103によってディジタル信号に変換され、CPU 104に入力される。
【0025】
CPU 104に接続されたI/Oポート108には、警報機11およびリレー6が接続され、CPU 104は警報器11を鳴動させたり、リレー6の開閉を行うことができる。
【0026】
また、詳細は後述するが、メモリ105のROM領域には規定の抵抗閾値が格納されている。さらに、制御回路10および直流電源装置5を駆動するための電源は、商用電源から得るか、太陽電池ストリングの出力および接続箱3内に設置した太陽電池ストリングの出力で充電される二次電池から得ればよい。
【0027】
【第1実施形態】
図5は第1実施形態の接続箱および故障検出装置の構成例を示すブロック図である。
【0028】
制御回路10は、太陽電池ストリング1が発電している間、リレー6をオフ状態に維持する。
【0029】
故障検出動作時は、測定対象の太陽電池ストリング1がパワーコンディショナ4などの負荷に接続されていないことが必要である。また、シャント抵抗値の測定は太陽電池に充分な光が当たっていない時が望ましく、言い換えれば、非発電時のシャント抵抗値の測定が好ましい。なお、この非発電時のシャント抵抗値とは、必ずしも、暗室に太陽電池をおいた時のダークシャント抵抗値を意味するものではなく、太陽電池の故障を絶対値で評価できる程度のごく弱い日射状態におけるシャント抵抗値も含む。シャント抵抗値は、外部環境に影響され難い特性を有するが、日射が非常に強い時、シャント抵抗値の測定結果には、日射変動などによる影響が生じる。従って、本実施形態では、このような影響を排除するために、非発電時のシャント抵抗値を測定する。
【0030】
図6は制御回路10が実行する故障検出動作を示すフローチャートである。
【0031】
制御回路10は、非発電状態であることを判断するために、各ストリング1からパワーコンディショナ4に流れる電流を測定する(S1)。パワーコンディショナ4は、太陽電池の発電量が小さい、または、非発電状態と判断すると、太陽電池とパワーコンディショナ4の出力側(例えば商用電力系統)との接続を遮断する。従って、各ストリング1からパワーコンディショナ4に流れる電流が零または極めて小さくなれば非発電状態と判断(S2)することができる。制御回路10は、ステップS1およびS2を周期的に実施することで、非発電状態を検出し、以降の故障検出動作を実行する。
【0032】
制御回路10は、非発電状態を検出すると、直流電源装置5に、太陽電池ストリング1の開放電圧の約1/3から1/2程度の電圧V1を出力させ(S3)、試験対象の太陽電池ストリング1に接続されたリレー6を閉じ(S4)、試験対象の太陽電池ストリング1の端子電圧および電流を測定する(S5)。
【0033】
次に、制御回路10は、直流電源装置5に、太陽電池ストリング1内のバイパスダイオードの順方向降下電圧Vfに、バイパスダイオードの直列数を掛けた電圧、例えばVf=0.8Vで直列数が10ならば8V以内の負電圧V2(例えば−8Vから0V)を出力させる(S6)。なお、この負電圧は、太陽電池ストリング1が発電時に発生する電圧の向きに対して逆向きの極性をもつ電圧である。そして、試験対象の太陽電池ストリング1の端子電圧および電流を測定し(S7)、その後、リレー6を開く(S8)。
【0034】
次に、制御回路10は、試験対象の太陽電池ストリング1に加える電圧をV1からV2に変化させた時の、測定電圧の変化値ΔVおよび電流変化ΔIからシャント抵抗値Rshを計算する(S9)。
Rsh = ΔV/ΔI …(1)
【0035】
そして、制御回路10は、算出したシャント抵抗値Rshと、メモリ105に格納された規定の抵抗閾値Thとを比較し(S10)、Rsh<Thであれば試験対象のストリングが故障と(S111)、Rsh≧Thであれば正常と判断する(S12)。
【0036】
制御回路10は、ステップS3からS11の処理を太陽電池ストリング1の数分繰り返し、各太陽電池ストリング1の故障・正常を判断する。そして、太陽電池ストリングすべての試験が終了したと判断(S13)すると、処理を終了する。なお、故障した太陽電池ストリングが合った場合の警報の発生は、ステップS11の判断直後でもよいし、上記処理の終了後でもよい。
【0037】
なお、直流電源5は電圧を上記2点の電圧V1、V2を出力できれば、安価なスイッチング電源であっても、太陽電池から充電された2次電池にレギュレータを付けたような回路であっても構わない。また、故障の報知方法は、警報の鳴動に限らず、例えば、各太陽電池ストリング1に対応するLEDを点滅したり、正常な太陽電池ストリングに対してグリーンのLEDを点灯し、故障した太陽電池ストリングに対してレッドのLEDを点灯するなどでもよい。
【0038】
なお、シャント抵抗値の低下を太陽電池ストリング1の故障と表現したが、それ自体危険な故障ではなく、太陽電池の寿命を示すものである。従って、シャント抵抗値の低下した太陽電池ストリング1があっても太陽光発電装置の運転を継続しても問題なく、その点を考慮すれば、ブザーなどの警報を鳴動させるよりは、LED表示などの静かな警報手段を用いることが望ましい。
【0039】
測定頻度は一日一回で充分である。また、リレー6にはメカニカルリレーを使用してもよいが、フォトMOSリレーなどの半導体部品で構成すれば信頼性を向上することができる。
【0040】
また、直流電源装置5の出力電圧を正確に制御することができれば、電圧ΔVを測定するための分圧器7やA/Dコンバータを省略することができる。
【0041】
試験は、太陽電池ストリング1が負荷から切り離されていれば昼間でも構わないが、昼間の太陽光の急激な変化などによる外乱を避けることを考慮すると、タイマにより、ある時間範囲(例えば夜間)を試験条件としたり、太陽電池ストリング1の電圧測定値0Vを測定条件としたり、それらを組み合わせるなどして、安定な測定を行うことが望ましい。勿論、試験条件に夜間を加えればパワーコンディショナ4が停止していることは自明であるから、ステップS1およびS2は省略可能である。
【0042】
また、太陽電池ストリング1の開放電圧が0Vであることを正確に計測することができれば、V2を0Vとしたときの電流値は0Aであると仮定することも吝かではない。その場合、測定電圧範囲が狭い分精度は低下するが、V1を印加したときの電圧値および電流値からシャント抵抗値Rsh(=V1/I1)を計算できる。
【0043】
【第2実施形態】
以下、本発明にかかる第2実施形態の故障検出装置を説明する。なお、第2実施形態において、第1実施形態と略同様の構成については、同一符号を付して、その詳細説明を省略する。
【0044】
図7は第2実施形態の故障検出装置の構成例を示すブロック図である。第1実施形態と異なるのは、故障検出装置9が、接続箱3の中ではなく、パワーコンディショナ4に内蔵されている点である。試験時の動作は第1実施形態と同様である。ただし、直流電源5は前記二点の電圧V1およびV2を出力することができれば、独立した電源でなくとも、商用電力系統から整流して電力を供給するような回路であっても構わない。
【0045】
また、電流測定器8は非発電状態を確認する必要があるために、電力変換回路41へ接続されるラインに配置する。もし、試験時の電流を正確に測定したければ、接続箱3と分圧器7との間の試験用の各ライン上に配置すればよい。
【0046】
【第3実施形態】
以下、本発明にかかる第3実施形態の故障検出装置を説明する。なお、第3実施形態において、第1実施形態と略同様の構成については、同一符号を付して、その詳細説明を省略する。
【0047】
太陽電池ストリング1に印加する電圧V1の制御が正確に行われるとすれば、試験対象の太陽電池ストリング1の端子電圧を測定する必要はない。そして、シャント抵抗値Rshの下限を示す抵抗閾値Thから、試験時の電流の最大値Ith=V1/Thが計算可能である。従って、試験時の電流値Iが最大値Ithを超えなければ、シャント抵抗値Rshは規定より高いと判断することができる。
【0048】
図8は試験時の電流値で故障を判定する回路の構成例を示すブロック図である。
【0049】
電流測定器8から送られてくる、電流値を表す電圧V(in)をヒステリシスコンパレタ51に供給し、上記の試験時の電流の最大値Ithに対応する電圧Vrefと比較させる。V(in)>Vrefであればコンパレータ51から信号が出力され、後段のラッチ52にラッチされ、ラッチ52の出力端に接続されたLED 53が点灯し、対応する太陽電池ストリング1の故障を報知する。
【0050】
なお、この例では、V2=0Vのときの電流値が0Aであることを前提とするため、太陽電池ストリング1の開放電圧が0Vのときを測定条件にするなどして、なるべく正確な試験ができるようにすることが好ましい。
【0051】
図8に示すような判定回路を使用すれば、制御回路10には、必ずしもCPUなどを使用する必要がなく、回路も簡略化されコストダウンも可能である。
【0052】
以上説明した実施形態によれば、次の効果などが得られる。
(1) 簡単な構成により、太陽電池全体の故障検出や寿命推定ができる。
(2) 正確な故障検出ができる。
(3) バイパスダイオードの影響を受けずに故障検出や寿命推定ができる。
(4) 定量的に故障検出や寿命推定ができる。
【0053】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、相対的な比較ではなく、絶対的な測定値により太陽電池の故障を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般的な太陽電池の故障検出装置の構成を示す図、
【図2】シャント抵抗値低下による発電電力量への影響を示す図、
【図3】接続箱および故障検出装置の基本構成例を示すブロック図、
【図4】制御回路の構成例を示すブロック図、
【図5】第1実施形態の接続箱および故障検出装置の構成例を示すブロック図、
【図6】制御回路が実行する故障検出動作を示すフローチャート、
【図7】第2実施形態の故障検出装置の構成例を示すブロック図、
【図8】試験時の電流値で故障を判定する回路の構成例を示すブロック図である。[0001]
FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a failure detection device and a method thereof, and for example, relates to a device and a method for measuring a shunt resistance value of a solar cell and detecting a failure of the solar cell.
[0002]
[Prior art]
There are various methods for detecting solar cell failure. FIG. 1 shows a configuration of a general solar cell
[0003]
The output powers of the plurality of
[0004]
The
[0005]
A solar cell failure detection device having such a configuration is disclosed in, for example, JP-A-2000-214938.
[0006]
The above solar cell failure detection method has the following problems.
(1) Since the judgment is made by comparing the strings, it is possible to cope with a catastrophic failure in which only one solar cell string causes a decrease in output, but the output of the entire solar cell array is decreased. It cannot be used for such a failure or for estimating the life of a solar cell.
(2) For example, when some strings are shaded for ten and several days due to construction of a neighboring house, or when some strings are always shaded in winter due to a nearby large tree, there is no trouble. Nevertheless, in order to cope with the case where an alarm is issued, it is necessary to change the set value one by one.
[0007]
Note that a string or array in which a plurality of solar cells are serialized or parallelized may be referred to as an aggregate, but for convenience, a single solar cell alone is also referred to as an aggregate.
[0008]
[Patent Document]
JP 2000-214938 A
[Problems to be solved by the invention]
The present invention is intended to solve the above-mentioned problems individually or collectively, and has an object to detect a failure of a solar cell by an absolute measurement value, not a relative comparison.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following configuration as one means for achieving the above object.
[0011]
The present invention, when detecting a failure of an aggregate in which one or more solar cells are serialized or parallelized, determines whether the output of the aggregate and the load are connected, the aggregate When the output is not connected to the load, a voltage is applied to the aggregate to measure the resistance value of the aggregate, and a failure of the aggregate is determined based on the measured resistance value.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
[Overview]
FIG. 2 is a diagram showing the effect of a decrease in the shunt resistance value on the power generation amount. Based on the power generation amount data of samples having sufficiently high shunt resistance values (ie, normal samples) actually measured in various parts of Japan, FIG. 7 shows a result of simulating how the amount of generated power changes due to a change in resistance value. Of course, the accuracy of the simulation has been verified by comparing the result of the simulation with the amount of generated power of the sample in which a short circuit has actually occurred. As can be seen from the results shown in FIG. 2, the decrease in the shunt resistance starts to gradually affect the amount of generated power around 50 kΩ ·
[0013]
In the present embodiment, the failure of the solar cell is detected by focusing on the decrease in the shunt resistance value of the solar cell. By detecting the decrease in the shunt resistance value of the solar cell, it is not necessary to perform the failure of the solar cell by the relative comparison as described above.
[0014]
Further, in the method of detecting the shunt resistance value of the solar cell, even if a part of the solar cell array is replaced, its influence can be completely ignored in determining a failure. As a result, the shunt resistance of an unreplaced solar cell decreases due to aging, etc., and can be regarded as a failure when it finally decreases until it affects power generation, thus maximizing the life of the solar cell. In addition to being usable, the remaining life can be estimated from the shunt resistance value of the solar cell, and the solar cell having a short life can be replaced in advance.
[0015]
Note that the failure detection method of the present embodiment is particularly effective in a thin-film solar cell having a relatively large number of short-circuit failure modes. The solar cell does not always fall into the short-circuit failure mode, but has various failure modes. Therefore, it is preferable that the failure determination of the solar cell be performed not only by one method but also by using some well-known failure detection methods.
[0016]
[Constitution]
Hereinafter, a solar cell failure detection device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0017]
FIG. 3 is a block diagram illustrating a basic configuration example of the
[0018]
The output of the
[0019]
In the failure detection device 9, a variable output type bipolar DC
[0020]
The output voltage of the
[0021]
The current value supplied from the
[0022]
FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration example of the
[0023]
The
[0024]
A
[0025]
The
[0026]
As will be described later in detail, a prescribed resistance threshold is stored in the ROM area of the
[0027]
[First Embodiment]
FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration example of the junction box and the failure detection device according to the first embodiment.
[0028]
The
[0029]
During the failure detection operation, it is necessary that the
[0030]
FIG. 6 is a flowchart showing a failure detection operation performed by the
[0031]
The
[0032]
When detecting the non-power generation state, the
[0033]
Next, the
[0034]
Next, the
Rsh = ΔV / ΔI (1)
[0035]
Then, the
[0036]
The
[0037]
The
[0038]
Although the decrease in the shunt resistance value is expressed as a failure of the
[0039]
The frequency of measurement once a day is sufficient. Further, a mechanical relay may be used as the
[0040]
If the output voltage of the
[0041]
The test may be performed in the daytime as long as the
[0042]
If it is possible to accurately measure that the open-circuit voltage of the
[0043]
[Second embodiment]
Hereinafter, a failure detection device according to a second embodiment of the present invention will be described. In the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
[0044]
FIG. 7 is a block diagram illustrating a configuration example of the failure detection device according to the second embodiment. The difference from the first embodiment is that the failure detection device 9 is built in the
[0045]
The
[0046]
[Third embodiment]
Hereinafter, a failure detection device according to a third embodiment of the present invention will be described. In the third embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
[0047]
As long as the voltage V1 applied to the
[0048]
FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration example of a circuit that determines a failure based on a current value during a test.
[0049]
The voltage V (in) representing the current value sent from the
[0050]
In this example, since it is assumed that the current value at the time of V2 = 0V is 0 A, the test is performed as accurately as possible, for example, when the open-circuit voltage of the
[0051]
If a determination circuit as shown in FIG. 8 is used, the
[0052]
According to the embodiment described above, the following effects can be obtained.
(1) With a simple configuration, failure detection and life estimation of the entire solar cell can be performed.
(2) Accurate failure detection is possible.
(3) Failure detection and life estimation can be performed without being affected by the bypass diode.
(4) Quantitative failure detection and life estimation are possible.
[0053]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a failure of a solar cell can be detected not by a relative comparison but by an absolute measurement value.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a general solar cell failure detection device;
FIG. 2 is a diagram showing an influence on a generated power amount due to a decrease in a shunt resistance value;
FIG. 3 is a block diagram showing a basic configuration example of a connection box and a failure detection device.
FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration example of a control circuit;
FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration example of a connection box and a failure detection device according to the first embodiment;
FIG. 6 is a flowchart showing a failure detection operation performed by the control circuit;
FIG. 7 is a block diagram illustrating a configuration example of a failure detection device according to a second embodiment;
FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration example of a circuit that determines a failure based on a current value during a test.
Claims (11)
前記集合体の出力と負荷とが接続されているか否かを判定し、
前記集合体の出力と前記負荷とが非接続の場合、前記集合体に電圧を印加して前記集合体の抵抗値を測定し、
測定した抵抗値に基づき前記集合体の故障を判定することを特徴とする故障検出方法。A detection method for detecting a failure of an aggregate in which one or more solar cells are serialized or parallelized,
Determine whether the output of the aggregate and the load are connected,
When the output of the aggregate and the load are not connected, measure the resistance value of the aggregate by applying a voltage to the aggregate,
A failure detection method comprising: determining a failure of the assembly based on the measured resistance value.
前記電源と前記集合体との間に流れる電流を測定する測定手段と、
前記電源を制御し、前記測定手段の測定結果を取得する制御手段とを有し、
前記制御手段は、測定手段の測定結果に基づき前記集合体の出力と負荷とが非接続と判定される場合、前記電源を制御して、前記集合体に電圧を印加し、前記測定手段の測定結果に基づき前記集合体の故障を判定することを特徴とする故障検出装置。A power supply for supplying power to an aggregate of one or more solar cells serialized or parallelized;
Measuring means for measuring a current flowing between the power supply and the assembly,
Controlling the power supply, and control means for acquiring a measurement result of the measurement means,
The control unit controls the power supply to apply a voltage to the aggregate when the output of the aggregate and the load are determined to be disconnected based on the measurement result of the measurement unit, A failure detection device that determines a failure of the assembly based on a result.
Priority Applications (1)
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JP2003078371A JP2004287787A (en) | 2003-03-20 | 2003-03-20 | Failure detection device and method |
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Cited By (2)
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JP7657058B2 (en) | 2021-01-21 | 2025-04-04 | 株式会社日立製作所 | Battery diagnostic method and battery diagnostic device |
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- 2003-03-20 JP JP2003078371A patent/JP2004287787A/en not_active Withdrawn
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