JP2004281464A - Device and method for treating substrate - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板を処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板に対して処理液による表面処理を施すために、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この種の基板処理装置では、単一種の処理液が使用されることは少なく、通常、複数種の処理液(薬液または純水)を適当な比率で混合した混合液が使用される。
【0003】
図7は、従来の基板処理装置の構成を簡略化して示す図である。この従来の基板処理装置では、混合液(処理液)を貯留しておくためのタンク101を備えており、基板処理のための処理液は、タンク101からポンプ102によって汲み出され、混合液供給路103をノズル104に向けて送られるようになっている。混合液供給路103の途中部には、混合液の流通方向に関してポンプ102の下流側に、混合液中の異物を除去するためのフィルタ105と、このフィルタ105のさらに下流側に、ノズル104からの混合液の吐出/停止を切り換えるための混合液供給バルブ106とが介装されている。また、混合液供給路103には、フィルタ105と混合液供給バルブ106との間の分岐点Jにおいて、混合液帰還路107が分岐接続されている。混合液帰還路107の先端は、タンク101に接続されており、混合液帰還路107の途中部には、混合液帰還バルブ108が介装されている。
【0004】
基板の表面に混合液が供給されない期間は、混合液供給バルブ106が閉じられ、混合液帰還バルブ108が開かれた状態で、ポンプ102が駆動されることにより、タンク101、混合液供給路103および混合液帰還路107からなる処理液循環路を混合液が循環している。そして、基板の表面に混合液を供給すべきタイミングになると、ポンプ102は駆動されたまま、混合液帰還バルブ108が閉じられ、ほぼ同時に混合液供給バルブ106が開かれる。これにより、混合液供給路103を流れる混合液が、分岐点Jからノズル104に向けて流れ、ノズル104から基板の表面に向けて吐出される。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−206957号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このように複数種の処理液を適当な比率で混合した混合液をタンク101に貯留しておく構成では、時間の経過に伴って、そのタンク101に貯留された混合液の化学変化や薬液成分の析出が進み、その結果、混合液に含まれる各種処理液の混合比が変化してしまう。各種処理液の混合比が変化すると、予定の処理効果を得ることができず、洗浄不足やエッチング不足などの処理不良を生じるおそれがある。
【0007】
そこで、この発明の目的は、基板に供給される複数種の処理液の混合比にばらつきが生じることを防止でき、これにより基板に良好な処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板(W)に対して第1処理液と第2処理液との混合液を供給して処理を施す基板処理装置であって、基板を保持しつつ回転させる基板回転手段(1)と、この基板回転手段によって回転される基板に第1処理液と第2処理液との混合液を供給するためのノズル(2;20;200)と、このノズルに向けて供給される第1処理液が流通する第1処理液供給路(6)と、上記ノズルに向けて供給される第2処理液が流通する第2処理液供給路(5)と、上記第1処理液供給路に接続されていて、その第1処理液供給路に第1処理液を送り出すための第1処理液用シリンジ(66)とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【0009】
上記第1処理液用シリンジは、たとえば、一定の内径を有する中空円筒状のシリンダ(661)と、このシリンダ内に挿入されていて、上記シリンダの内周面に対して液密性を保持しながら摺動可能なピストン(662)とを備えたものであり、この場合、上記基板処理装置は、上記シリンダを上記ピストンに対して一定速度で往復動させるためのピストン駆動機構(67)をさらに含む。
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【0010】
請求項1の構成によれば、第1処理液用シリンジから第1処理液供給路に第1処理液を一定流量で送り出すことができる。したがって、第2処理液供給路を流れる第2処理液の流量が一定であれば、その第2処理液供給路を流れる第2処理液に第1処理液供給路を流れる第1処理液を合流させて混合させることにより、第1処理液と第2処理液とが一定の混合比で混合された混合液を作成することができる。こうして作成される混合液は、第1処理液と第2処理液との混合比にばらつきを生じることがないので、洗浄不足などの処理不良を生じることなく、基板の表面を良好に処理することができる。特にこの構成は、第1処理液の割合が第2処理液の割合と比べて小さい場合に、これらの混合液の混合比を一定に維持するのに有効である。
【0011】
第2処理液供給路に第2処理液を一定流量で送り出すために、上記基板処理装置は、請求項2記載のように、上記第2処理液供給路に接続されていて、その第2処理液供給路に第2処理液を送り出すための第2処理液用シリンジ(57)をさらに含んでいてもよい。この第2処理液用シリンジは、たとえば、一定の内径を有する中空円筒状のシリンダ(571)と、このシリンダ内に挿入されていて、上記シリンダの内周面に対して液密性を保持しながら摺動可能なピストン(572)とを備えたものであり、この場合、上記基板処理装置は、上記シリンダを上記ピストンに対して一定速度で往復動させるためのピストン駆動機構(59)をさらに含む。
【0012】
また、請求項3記載のように、上記基板処理装置は、上記第1処理液供給路および第2処理液供給路の各先端が接続されていて、上記第1処理液供給路から流入する第1処理液と上記第2処理液供給路から流入する第2処理液とを合流させて、第1処理液と第2処理液との混合液を上記ノズルに供給する合流路(3,4)をさらに含んでいてもよい。
さらにまた、そのような合流路を備えていない場合、上記ノズルは、請求項4記載のように、上記第1処理液供給路および第2処理液供給路の各先端が接続されていて、上記第1処理液供給路から流入する第1処理液と上記第2処理液供給路から流入する第2処理液とをそれぞれ基板に向けて吐出するための複数の吐出口(21〜25)を有しているもの(20)であってもよいし、請求項5記載のように、上記第1処理液供給路および第2処理液供給路の各先端が接続されていて、上記第1処理液供給路から流入する第1処理液と上記第2処理液供給路から流入する第2処理液とを内部で合流させて、第1処理液と第2処理液との混合液を基板に向けて吐出するもの(200)であってもよい。
【0013】
上記ノズルが複数の吐出口を有しているものである場合(請求項4の場合)、その複数の吐出口が近接して配置されていれば、第1処理液および第2処理液は、吐出口から吐出されてから基板に供給されるまでの間に混ざり合って、第1処理液と第2処理液との混合液となって基板に供給される。また、複数の吐出口が離れて形成されていれば、第1処理液および第2処理液は、別々に基板に供給されて、基板上で混ざり合って混合液となる。
【0014】
請求項6記載の発明は、第1処理液と第2処理液との混合液を用いて基板(W)を処理する方法であって、基板回転手段(1)によって処理対象の基板を保持しつつ回転させる工程と、第1処理液用シリンジ(66)から第1処理液供給路(6)に第1処理液を送出する工程と、第2処理液供給路(5)に第2処理液を送出する工程と、上記第1処理液供給路を流れる第1処理液と上記第2処理液供給路を流れる第2処理液とを合流させて混合させる工程と、上記基板回転手段によって回転される基板に第1処理液と第2処理液との混合液を供給する工程とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【0015】
この方法によれば、請求項1に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を簡略化して示す図である。この基板処理装置は、基板の一例であるウエハWを1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置であって、ウエハWをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック1と、このスピンチャック1に保持されたウエハWの表面(上面)に処理液を供給するためのノズル2とを備えている。ウエハWに対する処理は、複数種の処理液を所定の比率で混合した混合液を用いた処理であれば、たとえば、ウエハWの表面からパーティクルや各種金属不純物などの不要物を除去するエッチング(洗浄)処理であってもよいし、ウエハWの表面に酸化膜を形成させる酸化処理であってもよい。
【0017】
スピンチャック1は、たとえば、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸11と、スピン軸11の上端に取り付けられたスピンベース12と、このスピンベース12の周縁部に配設された複数個の挟持部材13とを有している。複数個の挟持部材13は、ウエハWの外形に対応した円周上に配置されていて、ウエハWの周面を異なる複数の位置で挟持することにより、ウエハWをほぼ水平な姿勢で保持することができる。また、モータなどの駆動源を含む回転駆動機構14がスピン軸11に結合されていて、複数個の挟持部材13でウエハWを保持した状態で、回転駆動機構14からスピン軸11に駆動力を入力することにより、ウエハWをほぼ水平な姿勢でスピン軸11の中心軸線まわりに回転させることができる。
【0018】
なお、スピンチャック1としては、このような構成のものに限らず、たとえば、ウエハWの下面を真空吸着することにより、ウエハWをほぼ水平な姿勢で保持し、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハWを回転させることができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が採用されてもよい。
ノズル2には、薬液とDIW(脱イオン化された純水)またはHDIW(脱イオン化された温純水)との混合液が混合液供給路3から供給されるようになっている。混合液供給路3の途中部には、この混合液供給路3を流れる混合液中の異物を除去するためのフィルタ31が介装されている。
【0019】
混合液供給路3を流れる混合液(ウエハWの処理に用いられる混合液)は、ミキシングバルブ4において、薬液導入バルブ41,42,43,44のうちの所定の薬液導入バルブを介して導入される薬液と純水導入路5から導入される純水(DIWまたはHDIW)とを所定の混合比で混合することによって作成される。
たとえば、ウエハWの処理に用いられる混合液がDHF(希釈フッ酸溶液)である場合には、ミキシングバルブ4において、薬液導入バルブ41を介して導入される濃度約50%のHF(フッ酸)と純水導入路5から導入される純水とが、HF:純水=1:200の混合比で混合される。また、ウエハWの処理に用いられる混合液がAPM(アンモニア/過酸化水素水)である場合には、ミキシングバルブ4において、薬液導入バルブ41,42をそれぞれ介して導入される濃度約30%のNH4OH(アンモニア水)および濃度約30%のH2O2(過酸化水素水)と純水導入路5から導入される純水とが、NH4OH:H2O2:純水=1:2:100の混合比で混合される。さらに、ウエハWの処理に用いられる混合液がHPM(塩酸/過酸化水素水)である場合には、ミキシングバルブ4において、薬液導入バルブ41,42をそれぞれ介して導入される濃度約35%のHCl(塩酸)および濃度約30%のH2O2と純水導入路5から導入される純水とが、HCl:H2O2:純水=1:1:50の混合比で混合される。
【0020】
なお、以下では、ウエハWの処理に用いられる混合液がDHF(希釈フッ酸溶液)である場合を例にとって、ミキシングバルブ4に純水を導入するための構成およびミキシングバルブ4に薬液導入バルブ41を介してHFを導入するための構成について説明する。薬液導入バルブ42,43,44を介してミキシングバルブ4に薬液を導入するための構成は、薬液導入バルブ41を介してミキシングバルブ4に薬液を導入するための構成と同様である。
【0021】
純水導入路5には、DIW供給源バルブ51またはHDIW供給源バルブ52を介して、純水(DIWまたはHDIW)が選択的に供給されるようになっている。また、純水導入路5には、純水の流通方向に関して上流側から順に、純水導入路5に供給されてくる純水の流圧を調節するためのレギュレータ53と、純水導入路5を開閉するためのシリンジ上流側バルブ54およびシリンジ下流側バルブ55とが介装されている。さらに、純水導入路5には、シリンジ上流側バルブ54とシリンジ下流側バルブ55の間において、吸引/吐出路56の一端が分岐接続されている。吸引/吐出路56の他端は、純水用シリンジ57に接続されており、吸引/吐出路56の途中部には、シリンジ導入出バルブ58が介装されている。
【0022】
純水用シリンジ57は、中空円筒状のシリンダ571と、このシリンダ571内に挿入されていて、シリンダ571の内周面に対して液密性を保持しながら摺動可能なピストン572とで構成されている。シリンダ571は、その先端に吸引/吐出口571aを有しており、この吸引/吐出口571aに吸引/吐出路56が接続されている。また、シリンダ571は、中空部分の内径(ピストン572の摺動方向に直交する平面で切断したときの断面積)がピストン572の摺動方向の各部分で一定に形成されている。
【0023】
ピストン572は、ボールねじ機構59によって、シリンダ571に対して往復動されるようになっており、この実施形態では、純水用シリンジ57およびボールねじ機構59によって純水用シリンジ機構が構成されている。ボールねじ機構59は、ピストン572の摺動方向に沿って配置されたねじ軸591と、このねじ軸591に螺合されたナット592と、ねじ軸591を回転駆動するためのモータ(たとえば、ステッピングモータまたはサーボモータ)M1とを含む。ピストン572の後端部(シリンダ571外に出ている部分)がナット592に連結されており、これにより、モータM1によってねじ軸591を正逆回転させると、ナット592がねじ軸591に対して往復動し、このナット592の往復動に伴って、ピストン572がシリンダ571に対して往復動する。
【0024】
シリンジ上流側バルブ54とシリンジ下流側バルブ55の間の純水導入路5に純水が存在している状態で、モータM1によってねじ軸591を回転させて、ピストン572をシリンダ571から引き抜く方向に摺動させることにより、純水導入路5に存在している純水を吸引/吐出路56を通してシリンダ571内に吸い上げることができる。また、シリンダ571内に純水が存在している状態で、モータM1によってねじ軸591を純水をシリンダ571内に吸い上げる時とは逆方向に回転させて、ピストン572をシリンダ571に押し込む(挿入する)方向に摺動させることにより、シリンダ571内の純水を吸引/吐出路56を通して純水導入路5に流入させることができる。
【0025】
一方、ミキシングバルブ4の薬液導入バルブ41には、HF(薬液)が貯留されている薬液タンク61から延びた薬液導入路6の先端が接続されている。薬液タンク61には、窒素ガス供給路62が接続されており、この窒素ガス供給路62から窒素ガス(N2)が供給されるようになっている。薬液タンク61に窒素ガスが供給されて、薬液タンク61内の圧力が高められることにより、薬液タンク61に貯留されているHFが薬液導入路6上に送り出される。
【0026】
薬液導入路6には、薬液タンク61側から順に、薬液導入路6を流れるHF中の異物を除去するためのフィルタ63と、薬液導入路6を開閉するための薬液タンク側バルブ64とが介装されている。さらに、薬液導入路6には、薬液タンク側バルブ64と薬液導入バルブ41との間において、吸引/吐出路65の一端が分岐接続されており、この吸引/吐出路65の他端は、薬液用シリンジ66に接続されている。
【0027】
薬液用シリンジ66は、純水用シリンジ57と同様な構成であり、中空円筒状のシリンダ661と、このシリンダ661内に挿入されていて、シリンダ661の内周面に対して液密性を保持しながら摺動可能なピストン662とで構成されている。シリンダ661は、その先端に吸引/吐出口661aを有しており、この吸引/吐出口661aに吸引/吐出路65が接続されている。また、シリンダ661は、中空部分の内径(ピストン662の摺動方向に直交する平面で切断したときの断面積)がピストン662の摺動方向の各部分で一定に形成されている。
【0028】
ピストン662は、ボールねじ機構67によって、シリンダ661に対して往復動されるようになっており、この実施形態では、薬液用シリンジ66およびボールねじ機構67によって薬液用シリンジ機構が構成されている。ボールねじ機構67は、ピストン662の摺動方向に沿って配置されたねじ軸671と、このねじ軸671に螺合されたナット672と、ねじ軸671を回転駆動するためのモータ(たとえば、ステッピングモータまたはサーボモータ)M2とを含む。ピストン662の後端部(シリンダ661外に出ている部分)がナット672に連結されており、これにより、モータM2によってねじ軸671を正逆回転させると、ナット672がねじ軸671に対して往復動し、このナット672の往復動に伴って、ピストン662がシリンダ661に対して往復動する。
【0029】
薬液タンク側バルブ64と薬液導入バルブ41との間の薬液導入路6にHFが存在している状態で、モータM2によってねじ軸671を回転させて、ピストン662をシリンダ661から引き抜く方向に摺動させることにより、薬液導入路6に存在しているHFを吸引/吐出路65を通してシリンダ661内に吸い上げることができる。また、こうして吸い上げたHFがシリンダ661内に存在している状態で、モータM2によってねじ軸671をシリンダ661内にHFを吸い上げる時とは逆方向に回転させて、ピストン662をシリンダ661に押し込む方向に摺動させることにより、シリンダ661内のHFを吸引/吐出路65を通して薬液導入路6に流入させることができる。
【0030】
図2は、この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置はさらに、たとえば、マイクロコンピュータで構成される制御装置7を備えている。
制御装置7には、たとえば、回転駆動機構14、モータM1、モータM2、薬液導入バルブ41,42,43,44、シリンジ上流側バルブ54、シリンジ下流側バルブ55、シリンジ導入出バルブ58および薬液タンク側バルブ64などが制御対象として接続されている。制御装置7は、ウエハWの処理のために、予め定められたプログラムに従って、回転駆動機構14、モータM1およびモータM2の動作を制御し、また、薬液導入バルブ41,42,43,44、シリンジ上流側バルブ54、シリンジ下流側バルブ55、シリンジ導入出バルブ58および薬液タンク側バルブ64の開閉を制御する。
【0031】
図3は、ウエハWの処理について説明するためのタイムチャートである。処理対象のウエハWが搬入される前の期間T1〜T2において、薬液導入バルブ41,42,43,44、シリンジ上流側バルブ54、シリンジ下流側バルブ55、シリンジ導入出バルブ58および薬液タンク側バルブ64はすべて閉じられている。また、回転駆動機構14が停止されており、スピンチャック1は、ウエハWをセット(保持)可能な状態で停止している。さらに、モータM1,M2も停止されており、純水用シリンジ57および薬液用シリンジ66は、たとえば、ピストン572,662がそれぞれシリンダ571,661に対して最も奥まで挿入されて停止した状態になっている。
【0032】
このような状態から、まず、シリンジ上流側バルブ54およびシリンジ導入出バルブ58が開かれるとともに、モータM1が駆動されて、純水用シリンジ57のピストン572がシリンダ571から引き抜く方向に一定速度で動かされる。このとき、DIW供給源バルブ51またはHDIW供給源バルブ52が開かれており、純水導入路5に供給される純水は、シリンジ上流側バルブ54が開かれていることにより、純水導入路5をシリンジ上流側バルブ54とシリンジ下流側バルブ55との間に流れ込む。そして、ピストン572の移動に伴って、吸引/吐出路56を通してシリンダ571内に吸い上げられる。
【0033】
また、薬液タンク側バルブ64が開かれるとともに、モータM2が駆動されて、薬液用シリンジ66のピストン662がシリンダ661から引き抜く方向に一定速度で動かされる。このとき、窒素ガス供給路62から薬液タンク61に窒素ガスが供給されており、薬液タンク側バルブ64の開成によって薬液導入路6に供給されるHFは、ピストン662の移動に伴って、吸引/吐出路65を通してシリンダ661内に吸い上げられる。
【0034】
モータM1,M2の駆動は、一定の期間T2〜T3にわたって続けられる。これにより、純水用シリンジ57のピストン572および薬液用シリンジ66のピストン662がそれぞれ一定量だけ移動し、純水用シリンジ57のシリンダ571および薬液用シリンジ66のシリンダ661内に、それぞれ一定量のDIWおよびHFが吸い上げられる。
モータM1,M2の停止とともに、シリンジ導入出バルブ58および薬液タンク側バルブ64が閉じられ、その一方で、シリンジ下流側バルブ55が開かれる。このとき、DIW供給源バルブ51またはHDIW供給源バルブ52、およびシリンジ上流側バルブ54は開かれたままである。したがって、シリンジ下流側バルブ55が開かれると、純水導入路5を流れる純水が、ミキシングバルブ4および混合液供給路3を通って、ノズル2から吐出される。このように処理対象のウエハWの搬入前に、ノズル2から純水を吐出することにより、ノズル2、混合液供給路3およびミキシングバルブ4などの内部(DHFおよび純水が流通する部分)を純水で洗浄することができる。
【0035】
ノズル2からの純水の吐出が期間T3〜T4にわたって行われると、シリンジ上流側バルブ54およびシリンジ下流側バルブ55が閉じられて、ウエハWを受け入れるための態勢が整った状態で、処理対象のウエハWが搬入されてくるのが待たれる。処理対象のウエハWは、その後、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、搬送ロボットからスピンチャック1に受け渡されてセットされる。
【0036】
処理対象のウエハWがスピンチャック1にセットされてから期間T5〜T6が経過すると、回転駆動機構14が駆動されて、スピンチャック1に保持されたウエハWが所定速度で回転される。また、シリンジ上流側バルブ54およびシリンジ下流側バルブ55が開かれる。このとき、DIW供給源バルブ51またはHDIW供給源バルブ52が開かれており、DIW供給源バルブ51を介して純水導入路5に供給される純水は、シリンジ上流側バルブ54およびシリンジ下流側バルブ55が開かれていることによって、純水導入路5からミキシングバルブ4に流入し、さらに混合液供給路3を通ってノズル2に供給される。これにより、ノズル2から回転中のウエハWの表面に純水が供給され、DHFによる処理に先立って、ウエハWの表面が純水で濡らされる(プリウエット)。ウエハWの表面への純水の供給は、予め定める期間T6〜T7にわたって続けられる。
【0037】
この後、シリンジ下流側バルブ55は開かれたまま、シリンジ上流側バルブ54が閉じられ、その一方で、シリンジ導入出バルブ58および薬液導入バルブ41が開かれる。さらに、モータM1,M2が駆動されて、純水用シリンジ57のピストン572および薬液用シリンジ66のピストン662が、それぞれシリンダ571,661内に押し込む方向に動かされる。このときのピストン572,662の移動速度は、予め定める期間T7〜T8が経過した時点で、ピストン572,662がそれぞれシリンダ571,661に対して最も奥まで挿入された状態になるような一定速度である。したがって、ピストン572,662の移動により、純水用シリンジ57内の純水が一定流量で純水導入路5に送り出され、また、薬液用シリンジ66内のHFが一定流量で薬液導入路6に送り出される。純水導入路5および薬液導入路6にそれぞれ一定流量で送り出される純水およびHFは、ミキシングバルブ4に流入し、このミキシングバルブ4内で混合されてDHFとなり、混合液供給路3を通ってノズル2に供給され、ノズル2から回転中のウエハWの表面に供給される。
【0038】
純水およびHFはそれぞれ一定流量でミキシングバルブ4に供給されるから、そのミキシングバルブ4に供給されるHFと純水との流量比が予め定めるHFと純水との混合比(たとえば、HF:純水=1:200)に一致するように、純水用シリンジ57のシリンダ571および薬液用シリンジ66のシリンダ661の各内径(断面積)を設計し、また、純水用シリンジ57のピストン572および薬液用シリンジ66のピストン662の移動速度を定めておけば、ミキシングバルブ4におけるHFと純水との混合比が常に一定に保たれる。よって、期間T7〜T8にわたって、HFと純水とが一定の混合比で混合されたDHFを一定の流量でウエハWの表面に供給することができ、これにより、洗浄不足などの処理不良を生じることなく、ウエハWの表面に対してDHFによる良好な処理を施すことができる。
【0039】
ウエハWの表面に対するDHFによる処理が期間T7〜T8にわたって行われると、モータM1,M2の停止とともに、シリンジ導入出バルブ58および薬液導入バルブ41が閉じられる。また同時に、シリンジ上流側バルブ54が開かれる。このとき、DIW供給源バルブ51またはHDIW供給源バルブ52、およびシリンジ下流側バルブ55は開かれたままである。したがって、シリンジ上流側バルブ54が開かれると、純水導入路5を流れる純水が、ミキシングバルブ4および混合液供給路3を通ってノズル2に供給され、ノズル2から回転中のウエハWの表面に供給される。このウエハWの表面への純水の供給により、ウエハWの表面に付着しているDHFが純水によって洗い流される。
【0040】
純水によるウエハWの水洗が期間T8〜T9にわたって行われると、シリンジ上流側バルブ54およびシリンジ下流側バルブ55が閉じられて、ノズル2からウエハWの表面への純水の供給が停止される。この後は、スピンチャック1によるウエハWの回転速度が予め定める高回転速度(たとえば、3000rpm)まで上げられて、洗浄後のウエハWの表面に付着している純水を遠心力で振り切って乾燥させる処理が行われる。この乾燥処理は、予め定める期間9〜T10にわたって行われる。乾燥処理が終了すると、スピンチャック1によるウエハWの回転が止められ、その後、所定の期間T10〜T11が経過するタイミングで、搬送ロボットによって、スピンチャック1から処理後のウエハWが搬出されていく。
【0041】
以上のように、この実施形態に係る基板処理装置によれば、HFと純水とを一定の混合比で混合して作成されたDHFが、一定の流量でウエハWの表面に供給されるから、洗浄不足などの処理不良を生じることなく、ウエハWの表面に対してDHFによる良好な処理を施すことができる。
ミキシングバルブ4に純水およびHFをそれぞれ一定流量で流入させるために、純水用シリンジ57および薬液用シリンジ66を用いずに、純水導入路5および薬液導入路6の途中部にそれぞれ流量調整弁を介装し、この流量調整弁によって純水導入路5および薬液導入路6をそれぞれ流れる純水およびHFの流量を制御することが考えられる。しかしながら、この流量調整弁を用いた構成では、純水用シリンジ57および薬液用シリンジ66を用いた構成ほど正確に流量を制御することができないため、たとえば、薬液タンク61から薬液導入路6に送り出されるHFの流圧が変動することによって、ミキシングバルブ4におけるHFと純水との混合比が変動するおそれがある。これに対し、この実施形態に係る構成では、DHFを作成するための純水およびHFをそれぞれ純水用シリンジ57および薬液用シリンジ66から送り出すようにしているので、薬液タンク61から薬液導入路6に送り出されるHFの流圧が変動しても、ミキシングバルブ4におけるHFと純水との混合比が変動するおそれはない。
【0042】
なお、薬液(HF)と純水とを、それぞれ純水用シリンジ57および薬液用シリンジ66によって、一定流量で送り出しながら混合させる構成を取り上げたが、これに限らず、薬液(HF)および純水のうちのいずれか一方のみにシリンジ57または66を適用してもよい。このような場合、特に、混合比率の小さいHFに対してシリンジ66を適用するのがより有効である。
また、この実施形態では、薬液(HF)と純水とをミキシングバルブ4で混合して混合液(DHF)を作成し、このミキシングバルブ4で作成した混合液をノズル2からウエハWの表面に供給する構成を取り上げたが、純水用シリンジ57および薬液用シリンジ66からそれぞれ一定流量で送出される薬液および純水をウエハWの表面上または表面近傍で混合して、ウエハWの表面上または表面近傍で薬液と純水との混合液を作成する構成が採用されてもよい。また、薬液および純水をノズル内で混合して混合液を作成し、このノズル内で作成した混合液をウエハWの表面に供給する構成が採用されてもよい。
【0043】
図4は、ウエハWの表面近傍で薬液と純水との混合液を作成する構成を簡略化して示す図である。この図4において、図1に示す各部に相当する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付している。また、その同一の参照符号を付した部分についての説明は省略する。
純水導入路5には、純水(DIWまたはHDIW)の流通方向に関してシリンジ下流側バルブ55の下流側に、純水導入路5を流れる純水中の異物を除去するためのフィルタ8が介装されている。純水導入路5の先端は、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面に薬液および純水を供給するためのノズル20に接続されている。また、ノズル20には、たとえば、各種薬液が流れる4本の薬液導入路6の先端が接続されている。4本の薬液導入路6には、それぞれ薬液導入バルブ41,42,43,44が薬液の流通方向に関して吸引/吐出路65の分岐点よりも下流側に介装されている。また、4本の薬液導入路6には、薬液導入バルブ41,42,43,44の上流側において、それぞれ図4で示す薬液用シリンジ66から上流側の構成が同様に4組接続されている。
【0044】
ノズル20は、図5に示すように、純水導入路5および各薬液導入路6から供給される純水および各種薬液を吐出するための吐出口21,22,23,24,25を有している。これらの吐出口21〜25は、ノズル20の下面において、たとえば、純水導入路5から供給される純水をウエハWの表面に向けて吐出するための吐出口21が中央で大きく開口し、この吐出口21の周囲に、各薬液導入路6から供給される各種薬液をウエハWの表面に向けて吐出するための吐出口22〜25がほぼ等間隔で開口している。吐出口21〜25は、吐出口21から吐出される純水および吐出口22〜25から吐出される薬液がウエハWの表面に達するまでの間に(ウエハWの表面の近傍で)混ざり合う程度に近接して形成されている。
【0045】
この構成によれば、純水用シリンジ57のピストン572および4つの薬液用シリンジ66のピストン662をそれぞれ一定速度で動かして、純水導入路5および薬液導入路6に純水および薬液をそれぞれ一定流量で送り出すことにより、薬液と純水とが一定の混合比で混合した混合液をウエハWの表面に供給することができる。よって、洗浄不足などの処理不良を生じることなく、ウエハWの表面に対して混合液による良好な処理を施すことができる。
【0046】
なお、吐出口21〜25の間隔が大きい場合には、吐出口21から吐出される純水および吐出口22〜25から吐出される薬液は、互いに混ざり合うことなくウエハWの表面に供給され、そのウエハWの表面上において混ざり合って混合液となる。この場合であっても、純水用シリンジ57のピストン572および4つの薬液用シリンジ66のピストン662をそれぞれ一定速度で動かして、純水導入路5および薬液導入路6に純水および薬液をそれぞれ一定流量で送り出すことにより、ウエハWの表面上に純水および薬液をそれぞれ一定流量で供給することができ、ウエハWの表面上で薬液と純水とが一定の混合比で混合した混合液を作成することができる。よって、洗浄不足などの処理不良を生じることなく、ウエハWの表面に対して混合液による良好な処理を施すことができる。なお、この実施形態では、薬液導入路6の系統を4系統備えているが、混合される薬液の種類に応じて適宜増減させればよく、少なくとも1系統を備えるものであってもよい。
【0047】
図6は、薬液および純水を混合して混合液を作成し、その混合液をウエハWの表面に供給するためのノズルの構成について説明するための図である。この図6に示すノズル200は、図4に示す基板処理装置に備えられたノズル20に代えて用いることができる。
ノズル200は、純水導入路5および4本の薬液導入路6にそれぞれ連通した連通路201,202,203,204,205と、これらの連通路201〜205を流れる純水および薬液を混合(合流)させるための混合路206と、混合路206において純水および薬液を混合させて得られる混合液をウエハWの表面に向けて吐出するための吐出路207とを内部に有している。
【0048】
このノズル200を図4に示すノズル20に代えて用い、純水用シリンジ57および薬液用シリンジ66からそれぞれ一定流量で送出される純水および薬液をノズル200に供給することにより、ノズル200内で薬液と純水とが一定の混合比で混合した混合液を作成することができ、その作成した混合液をウエハWの表面に一定の流量で供給することができる。よって、このノズル200を採用した構成によっても、洗浄不足などの処理不良を生じることなく、ウエハWの表面に対して混合液による良好な処理を施すことができる。
【0049】
以上、この発明のいくつかの実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、処理対象となる基板の一例としてウエハWを取り上げたが、ウエハWに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および磁気/光ディスク用基板などの他の種類の基板が処理の対象とされてもよい。
【0050】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を簡略化して示す図である。
【図2】上記基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図3】上記基板処理装置における基板の処理について説明するためのタイムチャートである。
【図4】基板の表面上で薬液と純水との混合液を作成する構成を簡略化して示す図である。
【図5】図4に示す構成の基板処理装置に備えられたノズルを下方から見た図である。
【図6】薬液および純水を混合して混合液を作成し、その混合液を基板の表面に供給するためのノズルの構成について説明するための図である。
【図7】従来の基板処理装置の構成を簡略化して示す図である。
【符号の説明】
1 スピンチャック
2 ノズル
3 混合液供給路
4 ミキシングバルブ
5 純水導入路
6 薬液導入路
7 制御装置
56 吸引/吐出路
57 純水用シリンジ
571 シリンダ
572 ピストン
59 ボールねじ機構
591 ねじ軸
592 ナット
M1 モータ
65 吸引/吐出路
66 薬液用シリンジ
661 シリンダ
662 ピストン
67 ボールねじ機構
671 ねじ軸
672 ナット
M2 モータ
W ウエハ
20 ノズル
21〜25 吐出口
200 ノズル[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate. Substrates to be processed include semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma displays, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, substrates for photomasks, and the like.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In the manufacturing process of semiconductor devices and liquid crystal display devices, a single-wafer-type substrate processing apparatus that processes substrates one by one in order to perform surface treatment with a processing liquid on substrates such as semiconductor wafers and glass substrates for liquid crystal display panels. May be used. In this type of substrate processing apparatus, a single type of processing liquid is rarely used, and a mixed liquid obtained by mixing a plurality of types of processing liquids (chemical liquid or pure water) at an appropriate ratio is generally used.
[0003]
FIG. 7 is a diagram showing a simplified configuration of a conventional substrate processing apparatus. This conventional substrate processing apparatus includes a
[0004]
During a period in which the mixed liquid is not supplied to the surface of the substrate, the
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-206957
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In such a configuration in which the mixed liquid obtained by mixing a plurality of types of processing liquids at an appropriate ratio is stored in the
[0007]
Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing a variation in a mixing ratio of a plurality of types of processing liquids supplied to a substrate and thereby performing a good processing on the substrate. To provide.
[0008]
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a processing by supplying a mixed liquid of a first processing liquid and a second processing liquid to a substrate (W). A substrate rotating unit (1) for rotating the substrate while holding the substrate, and a nozzle (2; 20; 200) for supplying a mixed liquid of the first processing liquid and the second processing liquid to the substrate rotated by the substrate rotating unit ), A first processing liquid supply path (6) through which the first processing liquid supplied to the nozzle flows, and a second processing liquid supply path through which the second processing liquid supplied to the nozzle flows (5) and a first processing liquid syringe (66) connected to the first processing liquid supply path for sending out the first processing liquid to the first processing liquid supply path. Is a substrate processing apparatus.
[0009]
The first treatment liquid syringe is, for example, a hollow cylindrical cylinder (661) having a constant inner diameter, and is inserted into the cylinder to maintain liquid tightness with respect to the inner peripheral surface of the cylinder. A piston (662) that is slidable while the substrate is being processed. In this case, the substrate processing apparatus further includes a piston drive mechanism (67) for reciprocating the cylinder with respect to the piston at a constant speed. Including.
It should be noted that the alphanumeric characters in parentheses indicate corresponding components and the like in embodiments described later. Hereinafter, the same applies in this section.
[0010]
According to the configuration of the first aspect, the first processing liquid can be sent out from the first processing liquid syringe to the first processing liquid supply path at a constant flow rate. Therefore, if the flow rate of the second processing liquid flowing through the second processing liquid supply path is constant, the first processing liquid flowing through the first processing liquid supply path is combined with the second processing liquid flowing through the second processing liquid supply path. By mixing the first processing liquid and the second processing liquid, a mixed liquid in which the first processing liquid and the second processing liquid are mixed at a constant mixing ratio can be prepared. The mixed liquid thus created does not cause a variation in the mixing ratio between the first processing liquid and the second processing liquid, so that the surface of the substrate can be satisfactorily processed without causing processing defects such as insufficient cleaning. Can be. In particular, this configuration is effective in maintaining a constant mixing ratio of these mixed liquids when the ratio of the first processing liquid is smaller than the ratio of the second processing liquid.
[0011]
The substrate processing apparatus is connected to the second processing liquid supply path to supply the second processing liquid at a constant flow rate to the second processing liquid supply path, and the second processing liquid is supplied to the second processing liquid supply path. A second processing liquid syringe (57) for sending out the second processing liquid to the liquid supply path may be further included. The second processing liquid syringe is, for example, a hollow cylindrical cylinder (571) having a constant inner diameter, and is inserted into the cylinder to maintain liquid tightness with respect to the inner peripheral surface of the cylinder. A piston drive mechanism (59) for reciprocating the cylinder at a constant speed with respect to the piston. Including.
[0012]
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus, the first processing liquid supply path and the second processing liquid supply path are connected at their respective ends, and the first processing liquid supply path flows from the first processing liquid supply path. A merging channel (3, 4) for merging the first processing liquid and the second processing liquid flowing from the second processing liquid supply path to supply a mixed liquid of the first processing liquid and the second processing liquid to the nozzle; May be further included.
Still further, when such a combined flow path is not provided, the nozzle is connected to each end of the first processing liquid supply path and the second processing liquid supply path, and A plurality of discharge ports (21 to 25) for discharging the first processing liquid flowing from the first processing liquid supply path and the second processing liquid flowing from the second processing liquid supply path toward the substrate are provided. The first processing liquid may be connected to the end of the first processing liquid supply path and the second processing liquid supply path. The first processing liquid flowing from the supply path and the second processing liquid flowing from the second processing liquid supply path are internally joined, and the mixed liquid of the first processing liquid and the second processing liquid is directed toward the substrate. It may be the one that discharges (200).
[0013]
When the nozzle has a plurality of discharge ports (case of claim 4), if the plurality of discharge ports are arranged close to each other, the first processing liquid and the second processing liquid are: The mixture is mixed between the time when the liquid is discharged from the discharge port and the time when the liquid is supplied to the substrate, and is supplied to the substrate as a mixed liquid of the first processing liquid and the second processing liquid. If the plurality of discharge ports are formed apart, the first processing liquid and the second processing liquid are separately supplied to the substrate and mixed on the substrate to form a mixed liquid.
[0014]
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of processing a substrate (W) using a mixed liquid of a first processing liquid and a second processing liquid, wherein a substrate to be processed is held by a substrate rotating means (1). Rotating the first processing liquid from the first processing liquid syringe (66) to the first processing liquid supply path (6); and supplying the second processing liquid to the second processing liquid supply path (5). Feeding the first processing liquid flowing through the first processing liquid supply path and the second processing liquid flowing through the second processing liquid supply path, and mixing the first processing liquid and the second processing liquid flowing through the second processing liquid supply path. Supplying a mixed liquid of a first processing liquid and a second processing liquid to a substrate to be processed.
[0015]
According to this method, the same effect as the effect described in claim 1 can be obtained.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a simplified diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus is a single-wafer-type substrate processing apparatus that processes wafers W, which are examples of substrates, one by one. The spin chuck 1 rotates while holding the wafer W substantially horizontally, and the spin chuck 1 And a nozzle 2 for supplying a processing liquid to the surface (upper surface) of the wafer W held by the nozzle 2. If the processing on the wafer W is a processing using a mixed liquid obtained by mixing a plurality of processing liquids at a predetermined ratio, for example, etching (cleaning) for removing unnecessary substances such as particles and various metal impurities from the surface of the wafer W ) Treatment or an oxidation treatment for forming an oxide film on the surface of the wafer W.
[0017]
The spin chuck 1 includes, for example, a
[0018]
The spin chuck 1 is not limited to the one having such a configuration. For example, the lower surface of the wafer W may be held in a substantially horizontal posture by vacuum-sucking the lower surface of the wafer W. A vacuum suction type (vacuum chuck) that can rotate the held wafer W by rotating around may be employed.
To the nozzle 2, a mixed liquid of a chemical and DIW (deionized pure water) or HDIW (deionized warm pure water) is supplied from a mixed liquid supply path 3. A
[0019]
The mixed liquid (mixed liquid used for processing the wafer W) flowing through the mixed liquid supply path 3 is introduced into the mixing valve 4 via a predetermined one of the chemical
For example, when the mixed liquid used for processing the wafer W is DHF (dilute hydrofluoric acid solution), the mixing valve 4 introduces HF (hydrofluoric acid) having a concentration of about 50% introduced through the chemical
[0020]
In the following, a configuration for introducing pure water to mixing valve 4 and a chemical
[0021]
Pure water (DIW or HDIW) is selectively supplied to the pure
[0022]
The syringe for
[0023]
The
[0024]
In a state where pure water is present in the pure
[0025]
On the other hand, the tip of a chemical
[0026]
A
[0027]
The
[0028]
The
[0029]
In a state where HF is present in the chemical
[0030]
FIG. 2 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus further includes a
The
[0031]
FIG. 3 is a time chart for explaining processing of wafer W. In a period T1 to T2 before the wafer W to be processed is loaded, the chemical
[0032]
From such a state, first, the syringe
[0033]
Further, the chemical liquid
[0034]
The driving of the motors M1 and M2 is continued for a certain period T2 to T3. Thereby, the
When the motors M1 and M2 are stopped, the syringe inlet /
[0035]
When the pure water is discharged from the nozzle 2 over a period T3 to T4, the syringe
[0036]
When a period T5 to T6 elapses after the wafer W to be processed is set on the spin chuck 1, the
[0037]
Thereafter, the syringe
[0038]
Since pure water and HF are supplied to the mixing valve 4 at a constant flow rate, respectively, the mixing ratio of HF and pure water (for example, HF: The inner diameter (cross-sectional area) of the
[0039]
When the processing by DHF on the surface of the wafer W is performed for the period T7 to T8, the motors M1 and M2 are stopped, and the syringe introduction /
[0040]
When the wafer W is washed with pure water for the period T8 to T9, the syringe
[0041]
As described above, according to the substrate processing apparatus of this embodiment, DHF produced by mixing HF and pure water at a constant mixing ratio is supplied to the surface of the wafer W at a constant flow rate. In addition, the surface of the wafer W can be favorably processed by DHF without causing processing defects such as insufficient cleaning.
In order to allow pure water and HF to flow into the mixing valve 4 at a constant flow rate, the flow rates are adjusted to the middle portions of the pure
[0042]
Although the chemical solution (HF) and the pure water are mixed while being sent out at a constant flow rate by the
In this embodiment, a chemical (HF) and pure water are mixed by a mixing valve 4 to form a mixed liquid (DHF), and the mixed liquid created by the mixing valve 4 is applied from the nozzle 2 to the surface of the wafer W. The supply configuration has been described, but the chemical solution and the pure water delivered at a constant flow rate from the
[0043]
FIG. 4 is a diagram showing a simplified configuration for creating a mixed solution of a chemical solution and pure water near the surface of the wafer W. In FIG. 4, parts corresponding to the respective parts shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as in FIG. Further, the description of the parts denoted by the same reference numerals will be omitted.
A filter 8 for removing foreign matter in the pure water flowing through the pure
[0044]
As shown in FIG. 5, the
[0045]
According to this configuration, the
[0046]
When the interval between the
[0047]
FIG. 6 is a diagram for explaining a configuration of a nozzle for mixing a chemical solution and pure water to form a mixed solution and supplying the mixed solution to the surface of the wafer W. The
The
[0048]
The
[0049]
While some embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be embodied in other forms. For example, in the above embodiment, the wafer W is taken as an example of a substrate to be processed. However, the present invention is not limited to the wafer W, and a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display panel, a glass substrate for a photomask, Other types of substrates, such as magnetic / optical disk substrates, may be processed.
[0050]
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a simplified configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram illustrating an electrical configuration of the substrate processing apparatus.
FIG. 3 is a time chart for explaining substrate processing in the substrate processing apparatus.
FIG. 4 is a diagram showing a simplified configuration for creating a mixed solution of a chemical solution and pure water on the surface of a substrate.
5 is a view of a nozzle provided in the substrate processing apparatus having the configuration shown in FIG. 4, as viewed from below.
FIG. 6 is a diagram for explaining a configuration of a nozzle for preparing a mixed solution by mixing a chemical solution and pure water, and supplying the mixed solution to a surface of a substrate.
FIG. 7 is a diagram showing a simplified configuration of a conventional substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
1 Spin chuck
2 nozzles
3 Mixed liquid supply path
4 Mixing valve
5 Pure water introduction route
6 Chemical solution introduction path
7 Control device
56 Suction / discharge path
57 Syringe for pure water
571 cylinder
572 piston
59 Ball screw mechanism
591 screw shaft
592 nut
M1 motor
65 Suction / discharge path
66 Syringe for chemicals
661 cylinder
662 piston
67 Ball screw mechanism
671 Screw shaft
672 nut
M2 motor
W wafer
20 nozzles
21-25 outlet
200 nozzles
Claims (6)
基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と、
この基板回転手段によって回転される基板に第1処理液と第2処理液との混合液を供給するためのノズルと、
このノズルに向けて供給される第1処理液が流通する第1処理液供給路と、
上記ノズルに向けて供給される第2処理液が流通する第2処理液供給路と、
上記第1処理液供給路に接続されていて、その第1処理液供給路に第1処理液を送り出すための第1処理液用シリンジと
を含むことを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus for performing processing by supplying a mixed liquid of a first processing liquid and a second processing liquid to a substrate,
Substrate rotating means for rotating while holding the substrate,
A nozzle for supplying a mixed liquid of the first processing liquid and the second processing liquid to the substrate rotated by the substrate rotating means;
A first processing liquid supply passage through which the first processing liquid supplied to the nozzle flows;
A second processing liquid supply passage through which a second processing liquid supplied toward the nozzle flows,
A substrate processing apparatus, comprising: a first processing liquid syringe connected to the first processing liquid supply path for sending out the first processing liquid to the first processing liquid supply path.
基板回転手段によって処理対象の基板を保持しつつ回転させる工程と、
第1処理液用シリンジから第1処理液供給路に第1処理液を送出する工程と、
第2処理液供給路に第2処理液を送出する工程と、
上記第1処理液供給路を流れる第1処理液と上記第2処理液供給路を流れる第2処理液とを合流させて混合させる工程と、
上記基板回転手段によって回転される基板に第1処理液と第2処理液との混合液を供給する工程と
を含むことを特徴とする基板処理装置。A method of processing a substrate using a mixture of a first processing liquid and a second processing liquid,
Rotating the substrate to be processed while holding it by the substrate rotating means;
Sending the first processing liquid from the first processing liquid syringe to the first processing liquid supply path;
Sending the second processing liquid to the second processing liquid supply path;
Combining and mixing the first processing liquid flowing through the first processing liquid supply path and the second processing liquid flowing through the second processing liquid supply path;
Supplying a mixed liquid of a first processing liquid and a second processing liquid to the substrate rotated by the substrate rotating means.
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-
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- 2003-03-12 JP JP2003067123A patent/JP2004281464A/en active Pending
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